WO2014007263A1 - ドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体 - Google Patents

ドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体 Download PDF

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dopant diffusion
dopant
semiconductor
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勝間　勝彦
康浩 青木
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日本合成化学工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a dopant diffusion coating solution used for printing on a substrate in forming a dopant source coating layer on a semiconductor substrate, and more specifically, dopant diffusion capable of obtaining a semiconductor having a low surface resistance value. It is related with the coating liquid.
  • a liquid material containing a dopant (impurity) such as phosphorus or boron is applied to a semiconductor substrate such as germanium or silicon, a film is formed, and then fired.
  • a method of forming a dopant diffusion layer in a substrate is widely used.
  • the coating liquids described in Patent Documents 1 and 2 need to be a water-soluble compound as a dopant source because the main solvent is water, and as a phosphorus compound used for manufacturing an n-type semiconductor, Examples of boron compounds used in the manufacture of phosphoric acid, diphosphorus pentoxide, and p-type semiconductors include boric acid.
  • the present invention relates to a dopant diffusion coating solution in which a dopant printed on a substrate surface is efficiently diffused into the substrate and a semiconductor having a low surface resistance is obtained, a coating method thereof, and a semiconductor manufacturing method using the same.
  • the purpose is to provide a semiconductor.
  • the present invention contains, as a dopant source, an organic amine salt of an acid selected from phosphoric acids and boric acids and an organic amine compound ( ⁇ ) having 1 to 4 nitrogen atoms. It was found that the object of the present invention was achieved by the coating solution for dopant diffusion to be completed, and the present invention was completed.
  • the coating solution for dopant diffusion of the present invention is extremely useful industrially because a semiconductor having a low surface resistance value can be obtained by using it.
  • the organic amine salt used as the dopant source is an acid such as phosphoric acid or boric acid, or an ammonium salt of these acids (metal salts are not suitable for the use of the present invention) and esters. Because the volatility is small and the volatilization from the substrate surface during the diffusion process is small, the yield of the dopant is improved, the dopant is efficiently diffused into the substrate, and a good diffusion amount is obtained. It is guessed.
  • the number of nitrogen atoms of the organic amine compound represented by ( ⁇ ) is defined as 1 to 4, uniform solubility of the organic amine salt in the solvent can be obtained.
  • the advantage is that nozzles are not clogged and stable printing can be performed when applied to inkjet printing. have.
  • the coating liquid for dopant diffusion of the present invention does not use an acid as a dopant source as it is, it has an advantage that it does not corrode metal nozzles when applied to ink jet printing.
  • the dopant source used in the coating solution for dopant diffusion of the present invention water or a mixed solvent of water and an organic solvent is preferably used as the solvent, and these solvents are low in volatility, and thus screen printing. In any printing method of ink jet printing, good printability can be obtained.
  • the coating solution for dopant diffusion of the present invention contains a solvent and, if necessary, other additives as constituent components in addition to the specific dopant source of the present invention. These will be described sequentially.
  • the dopant source used for the dopant diffusion coating solution of the present invention is an organic amine salt of an acid selected from phosphoric acids and boric acids and an organic amine compound ( ⁇ ) having 1 to 4 nitrogen atoms.
  • the organic amine compound represented by ( ⁇ ) has 1 to 4 nitrogen atoms (preferably 1 or 2), uniform solubility in a solvent such as water or alcohol can be obtained.
  • a solvent such as water or alcohol
  • the acid may be selected as appropriate according to the type of semiconductor desired.
  • phosphoric acid phosphorous acid, hypophosphorous acid, polyphosphoric acid, and phosphoric anhydride
  • dipentapentoxide When phosphoric acids such as phosphorus form a p-type doped layer, boric acids such as boric acid, metaboric acid, boronic acid, perboric acid, hypoboric acid, and boric anhydride such as diboron trioxide are used. Used.
  • an organic amine compound having 1 to 4 nitrogen atoms is used as shown in ( ⁇ ) above.
  • An organic amine compound having 1 or 2 nitrogen atoms is preferred.
  • the organic amine compound shown in ( ⁇ ) above is a compound in which a hydrogen atom of ammonia is substituted with a hydrocarbon group. From the type and structure of the hydrocarbon group, an aliphatic amine compound, an aromatic amine compound, Broadly divided into nitrogen cyclic compounds. Moreover, it divides roughly into a primary amine compound, a secondary amine compound, and a tertiary amine compound according to the number of substituents. Nitrogen-containing cyclic compounds are roughly classified into nitrogen-containing aliphatic cyclic compounds and nitrogen-containing aromatic compounds.
  • aliphatic amine compounds include allylamine, methylamine, ethylamine, 2-aminoethanol, isobutylamine, n-butylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, stearylamine, n-octylamine, sec-octylamine.
  • aromatic amine compound examples include aniline, 1-aminonaphthalene (1-naphthylamine), benzylamine, 2-chlorobenzylamine, cumylamine, 1-naphthylamine, and other primary amine compounds, N, N-dimethylaniline. And tertiary amine compounds such as tribenzylamine and triphenylamine.
  • nitrogen-containing aliphatic cyclic compounds include triethylenediamine, pyrrolidine compounds, piperidine compounds, etc.
  • nitrogen-containing aromatic compounds include imidazole compounds, pyrrole compounds, pyridine compounds, pyrimidine compounds, etc. Can be mentioned.
  • nitrogen-containing aromatic compounds are particularly preferred. More preferably, it is an imidazole compound.
  • imidazole compounds include imidazole; 1-methylimidazole, 1-ethylimidazole, 1-propylimidazole, 1-butylimidazole, 1-pentylimidazole, 1-hexylimidazole, 1-heptylimidazole, 1-octylimidazole, 1-nonylimidazolium, 1-decylimidazole An imidazole substituted at the 1-position with an alkyl group; 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-propylimidazole, 2-butylimidazole, 2-pentylimidazole, 2-hexylimidazole, 2-heptylimidazole, 2-octylimidazole, 2-nonylimidazolium, 2-decylimidazole An imidazole substituted in the 2-position with alkyl; 4-methylimidazole, 4-ethylimidazole,
  • organic amine compound used in the present invention those having 1 to 12 carbon atoms are usually used, and those having 2 to 10, particularly 3 to 8 carbon atoms are preferred. If the number of carbon atoms is too large, the compatibility with phosphoric acids and boric acids tends to decrease, and conversely if too small, the volatility during dopant diffusion tends to increase.
  • organic amine compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the molecular weight of the organic amine compound is preferably in the range of 30 to 300, more preferably 50 to 250, and particularly preferably 60 to 150. This is because if the molecular weight is too large or too small, the solubility in a solvent tends to be lowered.
  • the organic amine salt used as a dopant source in the coating solution for dopant diffusion of the present invention is a neutralized product of phosphoric acid or boric acid and the above-mentioned organic amine compound, and a known production method thereof can be used.
  • a neutralization reaction in a solution is usually preferably used from the viewpoints of reaction control and heat removal from the heat of neutralization reaction.
  • the organic amine salt of the present invention obtained in water can be isolated and used once, but when the neutralization reaction solvent and the coating solution solvent are common, the acid and organic amine are used at the time of preparing the coating solution. It is an industrially useful embodiment to mix and neutralize and use as it is without isolation.
  • the solubility of the dopant source (organic amine salt) used in the coating solution for dopant diffusion of the present invention in the solvent is usually 1 g / 100 g solvent or more, preferably 3 g / 100 g solvent or more, more preferably 5 g / 100 g solvent or more. .
  • the upper limit is usually 80 g / 100 g solvent.
  • the content of the dopant source (organic amine salt) in the coating solution for dopant diffusion of the present invention may be appropriately selected depending on the desired diffusion concentration, but is usually 0.1 to 30% by weight, A range of 1 to 25% by weight, particularly 0.1 to 20% by weight, is preferably used. If the content of such a dopant source is too small, the content of the dopant in the diffusion layer decreases, and a sufficient resistance value tends to be difficult to obtain.
  • the solvent used for the dopant diffusion coating solution of the present invention is not particularly limited as long as it can disperse or dissolve the dopant source of the present invention, that is, an organic amine salt of phosphoric acid and boric acid. Is possible.
  • the organic amine salt of phosphoric acid and boric acid dissolves well.
  • the solvent of the coating solution for dopant diffusion of the present invention contains water in an amount of usually 10 to 90% by weight, preferably 20 to 80% by weight, particularly preferably 30 to 70% by weight. preferable.
  • Such water is preferably contaminated with alkali metal or heavy metal and less contaminated, and usually has a total organic carbon (hereinafter sometimes referred to as TOC) of 50 ppb or less, preferably 10 ppb or less, and an electric resistance.
  • the rate is usually 16 M ⁇ ⁇ cm or more, preferably 17 M ⁇ ⁇ cm or more, more preferably 18 M ⁇ ⁇ cm or more.
  • Ultrapure water is most preferable, but ion-exchanged water or distilled water can also be used.
  • the solvent of the coating solution for dopant diffusion of the present invention can be only water, but the solubility of organic amine, wettability to the substrate, solubility of various additives, leveling properties after printing, In order to adjust flow stability, volatility, etc., it is preferable to use various organic solvents in combination. Any organic solvent that is miscible with water can be used. Examples thereof include ketones and alcohols, and alcohols are particularly preferably used.
  • alcohols include monohydric alcohols such as methanol (65 ° C.), ethanol (78 ° C.), isopropanol (82 ° C.); ethylene glycol (197 ° C.), diethylene glycol (244 ° C.), triethylene glycol (287 ° C), tetraethylene glycol (314 ° C), propylene glycol (188 ° C) and other dihydric alcohols; glycerin (290 ° C), trimethylolpropane (292 ° C), sorbitol (296 ° C), mannitol (290-295 ° C) , Pentaerythritol (276 ° C), polyglycerin and other polyhydric alcohols; and ethylene glycol monomethyl ether (124 ° C), ethylene glycol nomonoethyl ether (136 ° C), ethylene glycol mono-n-butyl Monoalkyl ethers of dihydric alcohols such as ether (171 ° C
  • ketones include acetone (56 ° C.), methyl ethyl ketone (78 ° C.), methyl isobutyl ketone (116 ° C.), diisobutyl ketone (163 ° C.), and cyclohexanone (156 ° C.).
  • the values in parentheses are boiling points. These may be used alone or in combination of two or more.
  • an organic solvent having a boiling point higher than that of water that is, a boiling point of 100 ° C. or higher, in that rapid drying of the coated film after printing is suppressed and the leveling effect is greatly improved.
  • Those having a temperature of -350 ° C, particularly 190-300 ° C are preferably used.
  • the dopant diffusion coating liquid of the present invention preferably uses a mixed solvent of water and an organic solvent.
  • a mixed solvent of water and organic solvent the amount of the organic solvent used together with water is usually 10 to 200 parts by weight, particularly 20 to 150 parts by weight, especially 50 to 50 parts by weight per 100 parts by weight of water.
  • a range of 120 parts by weight is preferably used.
  • the mixed solvent is preferably a mixed solvent of water and an alcohol, particularly preferably a mixed solvent of water and an alcohol having a boiling point of 100 ° C. or higher, particularly preferably water and a polyhydric alcohol and / or a polyhydric alcohol. It is a mixed solvent of monohydric alcohol with monoalkyl ether.
  • a surfactant is further added to the dopant diffusion coating solution of the present invention.
  • a surfactant By blending such a surfactant, wettability to the semiconductor surface is improved, foaming of the coating liquid is suppressed, and printing defects due to bubbles can be prevented.
  • Surfactants used in aqueous liquids can be broadly classified into nonionic surfactants, cationic surfactants, and anionic surfactants, and any of them can be used. Therefore, nonionic surfactants are preferable. As such nonionic surfactants, known ones can be used.
  • hydrocarbon surfactants such as block copolymers of ethylene oxide-propylene oxide, acetylene glycol derivatives, silicon -Based surfactants, fluorine-based surfactants and the like.
  • hydrocarbon surfactants, particularly acetylene glycol derivatives are preferably used because they are excellent in suppressing foaming and defoaming in the coating solution of the present invention.
  • acetylene glycol derivatives those represented by the following formula (1) are preferably used.
  • R 7 and R 10 each independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably having 3 to 5 carbon atoms.
  • R 8 and R 9 each independently represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a methyl group is particularly preferably used.
  • R 7 and R 10 , and R 8 and R 9 may be the same or different, but those having the same structure are preferably used.
  • n and m are each an integer of 0 to 30, and those in which m + n is 1 to 10, particularly 1 to 5, particularly 1 to 3 are preferably used.
  • acetylene glycol derivatives include 2,5,8,11-tetramethyl-6-dodecin-5,8-diol ethylene oxide adduct, 5,8-dimethyl-6-dodecin-5,8. -Ethylene oxide adduct of diol, ethylene oxide adduct of 2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol, 4,7-dimethyl-5-decyne-4,7-diol Ethylene oxide adduct, 2,3,6,7-tetramethyl-4-octyne-3,6-diol ethylene oxide adduct, 3,6-dimethyl-4-octyne-3,6-diol ethylene oxide addition And an ethylene oxide adduct of 2,5-dimethyl-3-hexyne-2,5-diol. Among these, ethylene oxide adducts of 2,4,7,9-tetramethyl-6-
  • Examples of such commercially available surfactants that are acetylene glycol derivatives include the Surfinol series manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd. and the acetylenol series manufactured by Kawasaki Fine Chemical Co., Ltd.
  • the amount of the surfactant to be blended in the dopant diffusion coating solution of the present invention is usually from 0.1 to 10% by weight, particularly from 0.3 to 8% by weight, particularly from 0.5 to 0.5% in the coating solution. 5% by weight. If the amount of such a surfactant is too small, the intended anti-foaming / defoaming effect may be insufficient. Conversely, if it is too large, the solution tends to be separated from the liquid and the uniformity of the solution tends to decrease. .
  • inorganic fine particles In the coating liquid for dopant diffusion of the present invention, various inorganic fine particles can be blended for the purpose of improving printing characteristics.
  • silicas such as colloidal silica, amorphous silica, and fumed silica are suitable, and among them, colloidal silica is preferably used.
  • the amount of such inorganic fine particles is usually 0.5 to 20% by weight in the coating solution, and particularly 1 to 10% by weight.
  • water-soluble polymer various polymer compounds can be blended in the coating solution for dopant diffusion of the present invention.
  • the coating solution of the present invention is used for screen printing, the printability can be improved by blending the polymer compound.
  • known compounds used for coating solutions can be used.
  • water-soluble polymers include polyvinyl alcohol resins (hereinafter abbreviated as PVA resins), acrylic resins, and the like.
  • PVA resins polyvinyl alcohol resins
  • acrylic resins acrylic resins
  • a PVA resin is preferably used.
  • the PVA resin used for the dopant diffusion coating solution of the present invention will be described.
  • the PVA resin is generally obtained by saponifying polyvinyl acetate obtained by copolymerizing vinyl acetate, and is composed of a vinyl alcohol structural unit and a vinyl acetate structural unit corresponding to the degree of saponification.
  • the average degree of polymerization (measured in accordance with JIS K6726) of the PVA resin used in the present invention is usually 100 to 4000, particularly 200 to 2000, more preferably 300 to 1500. If the average degree of polymerization is too small, the coating solution tends to have a low viscosity, and the desired printability tends to be difficult to obtain, and the coating film becomes a thin film and the amount of dopant supplied may be insufficient. On the other hand, even if it is too large, the intended printability tends to be difficult to obtain, and printing defects tend to occur.
  • the PVA resin used in the present invention those having a saponification degree (measured in accordance with JIS K6726) of 50 to 100 mol% can be used.
  • a mixed solvent of water and an organic solvent having a large amount of an organic solvent component is used for the coating liquid of the present invention, and when the concentration of the dopant source is high, the PVA-based resin has a high saponification degree.
  • the saponification degree is preferably 50 to 90 mol%, more preferably 60 to 85 mol%, particularly preferably 70 to 80 mol%. .
  • PVA resin various known modified PVA resins can be used.
  • a PVA resin having a structural unit having a 1,2-diol structure in the side chain represented by the following general formula (2) is preferably used.
  • R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms
  • X represents a single bond or a bonded chain
  • R 4 , R 3 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
  • R 1 to R 3 and R 4 to R 6 are all hydrogen atoms, and X is a single bond.
  • a PVA resin having a structural unit represented by ') is most preferred.
  • a saponification degree of 50 to 100 mol% can be used, and further 60 to 100 mol can be used. %, Particularly 70 to 100 mol% is preferably used. This is because, due to the 1,2-diol structure of the side chain, even if the degree of saponification is higher than that of unmodified PVA, the decrease in solubility due to the blending of salts and blending of organic solvents could be suppressed. is there.
  • the content of 1,2-diol structural units contained in such a PVA resin is usually 1 to 30 mol%, more preferably 3 to 20 mol%, particularly 5 to 10 mol%. . If the content is too low, the solubility in an organic solvent may be insufficient in the case of a high saponification degree. Conversely, if the content is too high, the drying efficiency tends to decrease and the productivity tends to decrease. is there.
  • the content of the 1,2-diol structural unit in the PVA resin is determined from a 1 H-NMR spectrum (solvent: DMSO-d6, internal standard: tetramethylsilane) of a completely saponified PVA resin. Specifically, it can be calculated from the peak area derived from hydroxyl protons, methine protons, and methylene protons in the 1,2-diol unit, methylene protons in the main chain, protons in the hydroxyl group linked to the main chain, etc. Good.
  • the PVA resin used in the present invention may be one kind or a mixture of two or more kinds.
  • the above-mentioned unmodified PVA, unmodified PVA and general formula (2) PVA resins having a structural unit represented by the formula, PVA resins having a structural unit represented by the general formula (2) having different saponification degree, polymerization degree, modification degree, etc., unmodified PVA, or general formula (2)
  • a combination of a PVA-based resin having a structural unit represented by the above and another modified PVA-based resin can be used.
  • the content of the water-soluble polymer in the coating solution for dopant diffusion of the present invention is usually 1 to 40% by weight, preferably 3 to 30% by weight, particularly 5 to 25% by weight. If the content of the water-soluble polymer fat is too small, the viscosity of the coating liquid tends to be low and the coating film tends to be difficult to be formed stably. Conversely, if the content is too large, the viscosity of the coating liquid becomes high. Therefore, there is a tendency that the coating workability is deteriorated or the screen mesh is easily clogged in screen printing.
  • the dopant diffusion coating solution of the present invention contains the above-described phosphoric acids or boric acid organic amine salts as a dopant source, and is formed by blending a solvent and various additives as required. .
  • Such a coating solution for dopant diffusion can be obtained by dissolving an organic amine salt of phosphoric acid or boric acid in a solvent.
  • the organic amine salt a commercially available one or a compound synthesized by neutralizing the above acid and organic amine in advance can be used. It is also possible to carry out in water, preferably in water or an aqueous solvent. In that case, a method in which both are put into a solvent at the same time, a method in which an acid is dissolved in a solvent in advance, and then an organic amine is added. Either of these can be adopted. However, since heat of neutralization reaction is generated, it is preferable to blend one and gradually add the other.
  • the coating solution for dopant diffusion of the present invention can be blended with surfactants, inorganic fine particles, water-soluble polymers, etc., if necessary. You may mix
  • the viscosity of the coating solution for dopant diffusion of the present invention is usually 1 to 10000 mPa ⁇ s, particularly 2 to 5000 mPa ⁇ s, particularly 3 to 3000 mPa ⁇ s.
  • the viscosity is a value measured at 20 ° C. using a B-type viscometer.
  • the viscosity of the coating solution for dopant diffusion can be adjusted by, for example, blending and blending amount of the above water-soluble polymer.
  • the coating liquid of the present invention when used for screen printing, those having a viscosity of usually 100 to 10000 mPa ⁇ s, particularly 200 to 5000 mPa ⁇ s are preferably used. If the viscosity of the coating solution is too small, it may be difficult to stably form a coating film by screen printing, or the dopant content in the diffusion layer may be insufficient. Tend to decrease or clogging of the screen mesh tends to occur.
  • the coating liquid of the present invention when used for ink jet printing, one having a viscosity of usually 1 to 100 mPa ⁇ s, particularly 2 to 50 mPa ⁇ s is preferably used. If the viscosity of the coating solution is too small, the printed image may be easily spread or the content of the dopant in the diffusion layer may be insufficient. Conversely, if the viscosity is too large, the coating solution nozzle may be clogged. It tends to occur easily. Such a viscosity tends to increase when the water-soluble polymer and / or surfactant is blended. Therefore, particularly when the coating liquid of the present invention is used for inkjet printing, the water-soluble polymer and / or It is preferable to adjust to the above viscosity by not containing a surfactant.
  • the pH at 20 ° C. of the coating solution for dopant diffusion of the present invention is usually 4 to 10, particularly 4.5 to 9.5, particularly 5 to 9 is preferably used. If the pH is too high or too low, various metal members used in the printing press may be corroded. Particularly, when used for ink jet printing, the metal nozzle is corroded and causes nozzle clogging. There is a case.
  • pH of this coating liquid for dopant diffusion can be adjusted by mix
  • the surface tension at 20 ° C. is usually 10 to 80 mN / m, particularly 15 to 70 mN / m, particularly 20 to 60 mN / m. Preferably used. If the surface tension is too high or too low, ink jet ejection tends to be defective.
  • Such a semiconductor is manufactured by applying (printing) the coating liquid for dopant diffusion of the present invention on a semiconductor substrate and forming a diffusion layer of the dopant in the semiconductor substrate by a diffusion process.
  • a semiconductor substrate a known substrate can be used, but a silicon or germanium single crystal or a polycrystalline substrate is usually used.
  • the thickness of the substrate may be appropriately selected according to the desired purpose, but a thickness of 150 to 300 ⁇ m is usually used.
  • the damaged layer on the substrate surface is removed by etching using an acid or alkali, or the wettability of the coating solution is improved by plasma oxidation or removal of hydrofluoric acid from the oxide film. It is also possible to use a controlled one.
  • a known method can be used as a method for applying the dopant diffusion coating solution on the semiconductor substrate. Specifically, a screen printing method, a gravure printing method, a relief printing method, a lithographic printing method, a spin coating method. , Spray method, inkjet printing method, and the like.
  • the coating liquid of the present invention is suitable for the screen printing method and the ink jet printing method, and these methods are preferable because of the uniformity of the printing density for a large wafer and the ease of pattern formation necessary for the production of semiconductors for solar cells. Used.
  • the coating liquid for dopant diffusion of the present invention does not use an acid as a dopant source as it is, it has an advantage that it does not corrode metal nozzles when applied to ink jet printing.
  • the nozzle is not easily clogged, particularly when applied to inkjet printing, and stable printing can be performed.
  • the amount of the coating solution applied (printed) to the semiconductor substrate varies depending on the type of the substrate, the use of the semiconductor, the dopant content in the coating solution and the desired diffusion amount, but is usually 0.01 to 100 g / m 2. In particular, it is carried out at 0.05 to 50 g / m 2 .
  • the semiconductor substrate having the dopant source layer formed on the surface by such application has a dopant diffusion layer by diffusing the dopant in the dopant source layer into the surface layer portion of the semiconductor substrate by the diffusion process.
  • the diffusion method in the diffusion step is usually a thermal diffusion method, and a known heating method / apparatus can be used, for example, a laser doping method, or an electric furnace, a tube furnace, a muffle furnace, a belt furnace. And the like.
  • the temperature condition in the diffusion step is usually 700 to 1400 ° C., particularly 800 to 1200 ° C., and the time is usually 1 to 60 minutes, particularly 5 to 30 minutes.
  • the diffusion step is performed in nitrogen, argon, or a mixed atmosphere of nitrogen-oxygen and argon-oxygen, and a nitrogen-oxygen mixed atmosphere is particularly preferable.
  • the oxygen content is usually 1 with respect to the total amount. Is preferably 10 to 10% by volume, particularly 1 to 3% by volume.
  • diffusion may be performed in an atmosphere containing only nitrogen, and oxygen may be added during or after the diffusion. In this case, the oxygen is usually 1 to 100% by volume, particularly 10 to 100% by volume, based on the total amount.
  • coating process using the coating liquid for dopant diffusion and the said diffusion process, it aims at the drying process aiming at the removal of the volatile component which remains in an application part as needed, and the removal of an organic component. It is also possible to provide a degreasing process.
  • a drying time is usually used at a temperature of 20 to 300 ° C., particularly 50 to 200 ° C., usually 1 to 60 minutes, particularly 5 to 30 minutes.
  • the drying method is not particularly limited, and known methods such as hot air drying, infrared heat drying, and vacuum drying can be used.
  • the degreasing step an electric furnace or the like is used, and the conditions are usually 300 to 1000 ° C., particularly 400 to 800 ° C., and usually 1 to 120 minutes, particularly 5 to 60 minutes.
  • a degreasing step can be carried out continuously with the drying step, and the degreasing step can also be carried out as an initial step of the diffusion step.
  • the heat treatment such as the diffusion step, the drying step, the degreasing step and the like can be performed in a plurality of steps at once, continuously, or omitted as necessary. That is, the heat treatment such as the diffusion process, the drying process, the degreasing process, and the like does not necessarily need to be performed in all steps.
  • the semiconductor having the dopant diffusion layer of the present invention thus obtained can obtain a semiconductor with low surface resistance because the dopant is efficiently diffused in the semiconductor substrate.
  • the value of the surface resistance of the dopant diffusion layer varies depending on the intended use and the amount of diffusion of the dopant, but is usually 10 to 300 ⁇ / ⁇ , particularly 15 to 200 ⁇ / ⁇ , particularly 20 to 100 ⁇ / ⁇ . Those are preferably used.
  • the amount of dopant on the surface of the dopant diffusion layer is usually 10 18 to 10 23 atoms, particularly 10 19. ⁇ 10 22 atoms.
  • the present invention will be described with reference to examples. However, the present invention is not limited to the description of the examples unless it exceeds the gist.
  • “parts” and “%” mean weight basis unless otherwise specified.
  • “ultra pure water” means water having a TOC of 1.0 ppb or less and an electrical resistivity of 18.2 M ⁇ ⁇ cm.
  • Example 1 Preparation of coating solution for dopant diffusion> To 40 parts of ultrapure water, 40 parts of methyl carbitol and 10 parts of phosphoric acid aqueous solution (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd., for EL, 85% phosphoric acid, 15% water) were added and mixed with stirring at room temperature. 10 parts of methylimidazole was added while stirring little by little to obtain a coating solution for dopant diffusion containing imidazole phosphate (1-methylimidazole phosphate) by neutralization reaction. The obtained dopant diffusion coating solution had a pH of 6 at 20 ° C., a viscosity of 6 mPa ⁇ s, and a surface tension of 40 mN / m.
  • ⁇ Printing on semiconductor substrate> The surface of P-type single crystal silicon (manufactured by Space Energy Co., Ltd.) is subjected to alkali etching texture processing, and then immersed in 5% hydrofluoric acid for 1 minute and washed at the center of a semiconductor substrate (156 mm square, 200 ⁇ m thick).
  • a printing machine (“Nanoprinter-1100” manufactured by Microjet Co., Ltd.) and “SE-128” manufactured by Dimatix Co. as the head, the following conditions and patterns of Example 1 were used in an environment of 23 ° C. and 50% RH.
  • the dopant diffusion coating solution was inkjet printed to draw a line pattern.
  • the semiconductor substrate on which the dopant diffusion coating solution of Example 1 was printed by inkjet printing was put into a tube furnace at 700 ° C., heated to 875 ° C. over 15 minutes, held at that temperature for 10 minutes, and further 40 minutes The temperature was lowered to 700 ° C. During this period, the nitrogen flow rate was 20 L / min, and the oxygen flow rate was 0.4 L / min. After the heat treatment, the semiconductor substrate was taken out, immersed in a 10% hydrogen fluoride aqueous solution, allowed to stand for 3 minutes, and then washed twice with ultrapure water to obtain a semiconductor having a phosphorus diffusion layer in the semiconductor substrate.
  • the surface resistance value of the obtained semiconductor was measured using a resistance measuring instrument (“Lorestar” manufactured by Mitsubishi Analytech Co., Ltd., using a PSP probe).
  • Example 2 instead of 1-methylimidazole in Example 1, triethylamine was used, and the salt in the dopant diffusion coating solution was triethylamine phosphate. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the coating liquid for dopant diffusion.
  • the obtained dopant diffusion coating solution had a pH of 20 at 20 ° C., a viscosity of 5 mPa ⁇ s, and a surface tension of 40 mN / m.
  • inkjet printing was performed on the substrate in the same manner as in Example 1. When the drawing line was visually observed, no bleeding was observed, and no nozzle ejection failure occurred during printing.
  • the semiconductor substrate after printing was subjected to diffusion treatment in the same manner as in Example 1 to produce a semiconductor.
  • the phosphorus element concentration on the surface was 10 20 atoms / cm 2 and the doping depth was 0.3 ⁇ m.
  • Comparative Example 1 The amount of ultrapure water in the coating solution for dopant diffusion of Example 1 was 30 parts by weight, and no imidazole was used. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the coating liquid for dopant diffusion.
  • the obtained dopant diffusion coating solution had a pH of 1 at 20 ° C., a viscosity of 5 mPa ⁇ s, and a surface tension of 40 mN / m. Since the obtained coating solution for dopant diffusion was strongly acidic and highly likely to damage the ink jet nozzle, ink jet printing using this coating solution could not be performed.
  • Comparative Example 2 instead of 1-methylimidazole in Example 1, ammonia was used, and the salt in the dopant diffusion coating solution was an ammonium phosphate salt. Other than that was carried out similarly to Example 1, and when it was going to produce the coating liquid for dopant diffusion, the solution became cloudy and ammonium phosphate precipitated during the stirring after ammonia addition. Therefore, inkjet printing using this coating solution could not be performed.
  • Comparative Example 3 Instead of the phosphoric acid aqueous solution in Example 1, 20 parts of phosphoric acid ester (“JP-502” manufactured by Johoku Chemical Co., Ltd.) was used. Other than that was carried out similarly to Example 1, and produced the coating liquid for dopant diffusion.
  • the obtained dopant diffusion coating solution had a pH of 6 at 20 ° C., a viscosity of 4 mPa ⁇ s, and a surface tension of 26 mN / m.
  • inkjet printing was performed on the substrate in the same manner as in Example 1. When the drawing line was visually observed, the line width increased due to bleeding, and a good printing result was not obtained.
  • Comparative Example 4 Melamine was used in place of 1-methylimidazole in Example 1, and the salt in the coating solution for dopant diffusion was melamine phosphate. Other than that was carried out similarly to Example 1, and when it was going to produce the coating liquid for dopant diffusion, the solution became cloudy and became a heterogeneous solution. Therefore, inkjet printing using this coating solution could not be performed.
  • the coating solution for dopant diffusion containing the phosphoric acid organic amine salt of Examples as a dopant source has good ink jet printability, and the semiconductor obtained therefrom has a large number of dopant atoms on the surface, Since the diffusion depth was also deep, the diffusibility of the dopant was good.
  • phosphoric acid or ammonium phosphate when phosphoric acid or ammonium phosphate is used as a dopant source, a coating liquid capable of ink jet printing cannot be obtained, and phosphoric acid esters have good printing results. It was not obtained.
  • melamine phosphate was used, it became a heterogeneous solution and inkjet printing could not be performed.
  • Example 3 Manufacture of PVA resin> A reaction vessel equipped with a reflux condenser, a dropping funnel and a stirrer was charged with 1500 parts of vinyl acetate, 800 parts of methanol, and 240 parts of 3,4-diacetoxy-1-butene, and 0.05 mol of azobisisobutyronitrile. % (Vs. vinyl acetate charged) was added, the temperature was raised under a nitrogen stream while stirring, and polymerization was started. When the polymerization rate of vinyl acetate reaches 87%, m-dinitrobenzene is added to complete the polymerization, and then unreacted vinyl acetate monomer is removed from the system by blowing methanol vapor. A combined methanol solution was obtained.
  • the methanol solution is further diluted with methanol, adjusted to a concentration of 40%, charged into a kneader, and while maintaining the solution temperature at 40 ° C., sodium hydroxide is used as a 2% methanol solution to form a vinyl acetate structural unit in the copolymer.
  • saponification was carried out by adding 8 mmol with respect to 1 mol of the total amount of 3,4-diacetoxy-1-butene structural units. As saponification progressed, when saponified substances were precipitated and formed into particles, they were separated by filtration, washed well with methanol and dried in a hot air drier to produce the intended PVA resin.
  • the saponification degree of the obtained PVA-based resin was 99.8 mol% when analyzed by the alkali consumption required for hydrolysis of residual vinyl acetate and 3,4-diacetoxy-1-butene.
  • the average degree of polymerization was 350 when analyzed according to JIS K 6726.
  • the content of the 1,2-diol structural unit represented by the general formula (2 ′) is 1 H-NMR (300 MHz proton NMR, d6-DMSO solution, internal standard substance: tetramethylsilane, 50 ° C.). It was 8 mol% when it computed from the integrated value measured in this way.
  • a solution ⁇ 2 1 part of “Surfinol 420” manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.) was added to prepare a solution ⁇ 2.
  • the solution ⁇ 2 was added to the solution ⁇ 1 and stirred to prepare a phosphorus diffusion coating solution ⁇ .
  • the resulting dopant diffusion coating solution had a pH of 6 at 20 ° C. and a viscosity of 1000 mPa ⁇ s.
  • Example 3 results of Example 3 and Comparative Example 5 are summarized as shown in Table 2 below.
  • the semiconductor obtained using the coating solution for dopant diffusion containing the phosphoric acid organic amine salt of the example as a dopant source has a surface dopant as compared with that using an ammonium phosphate salt. Since the number of atoms is large and the diffusion depth is deep, it can be seen that the diffusibility of the dopant is good.
  • the coating liquid for dopant diffusion of the present invention does not use an acid as a dopant source, it has an advantage that it does not corrode metal nozzles when applied to ink jet printing.

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Abstract

　リン酸類およびホウ酸類から選ばれた酸と、窒素原子数１～４の有機アミン化合物（α）の有機アミン塩を、ドーパント源として含有するドーパント拡散用塗布液とする。このため、表面抵抗値の高い半導体が得られるドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体を提供することができる。

Description

ドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体
　本発明は、半導体基板上にドーパント源の塗布層を形成するにあたり、基板への印刷に用いられるドーパント拡散用塗布液に関し、さらに詳しくは、表面抵抗値が低い半導体を得ることが可能なドーパント拡散用塗布液に関する。
　トランジスタ、ダイオードなどの半導体素子に用いられる半導体の製造法として、ゲルマニウム、シリコン等の半導体基板上にリンやホウ素などのドーパント（不純物）を含有する液状材料を塗布し、皮膜を形成した後、焼成することによって基板中にドーパントの拡散層を形成する方法が広く用いられている。
　かかる液状材料を基板上に塗布する方法としては、スピンコート法が一般的であったが、製造コスト削減のためにウェハーの大型化が進み、直径４インチ以上の場合、スピンコート法では中心部と周縁部との塗布量の差が生じ、均一な塗布が困難であった。
　そこで、大面積の基板に対し均一な塗布が可能な塗布法としてスクリーン印刷法が検討され、かかる印刷法に好適な、水を主溶剤とするドーパント拡散用塗布液が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
　かかる特許文献１、および２に記載の塗布液は、主溶剤が水であることから、そのドーパント源としては水溶性の化合物である必要があり、ｎ型半導体の製造に用いられるリン化合物としてはリン酸や五酸化二リン、ｐ型半導体の製造に用いられるホウ素化合物としてはホウ酸が挙げられている。
　また、太陽電池として用いられる半導体の場合、基板上にドーパント拡散層のパターンを形成する必要があることから、容易に所望の領域のみに描画することが可能なインクジェット印刷法の適用が注目されており、かかる印刷法に適したドーパント拡散用塗布液も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
　かかる特許文献３に記載のドーパント拡散用塗布液は、インクジェット印刷に適した塗布液特性を得るために、炭素数が６以上のアルコールを全溶媒量の５０重量％以上含むものであり、かかる溶媒との相溶性から、ドーパント源として好ましいものとしてリン酸、および五酸化二リン、その他の例としてリン酸エステル類があげられている。
特開２００７－５３３５３号公報 特開２００７－３５７１９号公報 特開２０１１－１８７８９４号公報
　しかしながら、特許文献１、２、および３記載のドーパント拡散用塗布液について検討を重ねた結果、これらを用いて得られる半導体は表面抵抗値が高くなる場合があり、まだまだ改良の余地があることが判明した。
　そして、その原因について詳細に検討したところ、拡散処理後の基板表面のドーパント原子数が少なく、基板への拡散深度も浅いことから、基板上に印刷されたドーパント源が十分に拡散に用いられていないことがわかった。
　すなわち本発明は、基板表面に印刷されたドーパントが効率的に基板中に拡散し、表面抵抗が低い半導体が得られるドーパント拡散用塗布液、およびその塗布方法、並びにそれを用いた半導体の製法、半導体の提供を目的とするものである。
　本発明は、上記事情に鑑み、鋭意検討した結果、リン酸類およびホウ酸類から選ばれた酸と、窒素原子数１～４の有機アミン化合物（α）との有機アミン塩を、ドーパント源として含有するドーパント拡散用塗布液によって本発明の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。
　本発明のドーパント拡散用塗布液は、これを用いることによって表面抵抗値の低い半導体が得られることから、工業的に極めて有用である。
　これは、ドーパント源として用いた有機アミン塩が、リン酸やホウ酸のような酸、あるいはこれらの酸のアンモニウム塩（金属塩は、本発明の用途に対しては不適）やエステル類と比較して揮発性が小さく、拡散処理時に基板表面から揮発することが少ないことから、ドーパントの歩留まりが向上し、さらにドーパントが効率的に基板中に拡散し、良好な拡散量が得られことによるものと推測される。
　また、本発明において、上記（α）に示す有機アミン化合物の窒素原子数を１～４に規定していることから、その有機アミン塩の溶媒に対する均一溶解性を得ることができる。ひいては、ドーパント拡散用塗布液において有機アミン塩が均一に溶解している塗布液を得ることが可能であるため、インクジェット印刷に適用した場合にノズルが詰まりにくく安定した印刷を行うことができるという利点を有している。
　さらに、本発明のドーパント拡散用塗布液は、ドーパント源として酸をそのまま使用しないことから、インクジェット印刷に適用した場合に、金属製ノズルを腐食させることがないという利点を有している。
　また、本発明のドーパント拡散用塗布液に用いられるドーパント源の場合、溶媒として水、あるいは水と有機溶媒との混合溶媒が好適に用いられ、これらの溶媒は揮発性が低いことから、スクリーン印刷、インクジェット印刷のいずれの印刷法においても、良好な印刷性を得ることができる。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、これらの内容に特定されるものではない。
　以下、本発明について詳細に説明する。
　本発明のドーパント拡散用塗布液は、本発明の特定ドーパント源以外に、溶媒、および必要に応じてその他の添加剤などを構成成分として含有するものである。
　これらについて順次説明する。
＜ドーパント源＞
　まず、本発明のドーパント拡散用塗布液に用いられるドーパント源について説明する。
　本発明のドーパント拡散用塗布液に用いられるドーパント源は、リン酸類およびホウ酸類から選ばれた酸と、窒素原子数１～４の有機アミン化合物（α）との有機アミン塩である。
　本発明において、上記（α）に示す有機アミン化合物の窒素原子数が１～４（好ましくは１または２）であることにより、水やアルコール等の溶媒に対する均一溶解性を得ることができる。ひいては、ドーパント拡散用塗布液において有機アミン塩が均一に溶解している塗布液を得ることが可能であるため、特にインクジェット印刷に適用した場合にノズルが詰まりにくく安定した印刷を行うことができるという利点を有している。
　上記酸としては、所望する半導体のタイプによって適宜選択すればよく、ｎ型ドープ層を形成する場合はリン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ポリリン酸およびリン酸無水物である五酸化二リンなどのリン酸類が、ｐ型ドープ層を形成する場合にはホウ酸、メタホウ酸、ボロン酸、過ホウ酸、次ホウ酸、およびホウ酸無水物である三酸化二ホウ素などのホウ酸類が用いられる。
　これらの酸と組み合わされる有機アミン化合物は、上記（α）に示すように、窒素原子数１～４の有機アミン化合物が用いられる。好ましくは窒素原子数１または２の有機アミン化合物である。そして、上記（α）に示す有機アミン化合物は、アンモニアの水素原子が炭化水素基で置換された化合物であり、かかる炭化水素基の種類や構造から、脂肪族アミン化合物、芳香族アミン化合物、含窒素環状化合物などに大別される。また置換基の数によって、１級アミン化合物、２級アミン化合物、３級アミン化合物に大別される。また、含窒素環状化合物の場合には、含窒素脂肪族環状化合物と含窒素芳香族化合物に大別される。
　かかる脂肪族アミン化合物の具体例としては、アリルアミン、メチルアミン、エチルアミン、２－アミノエタノール、イソブチルアミン、ｎ－ブチルアミン、ｓｅｃ－ブチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン、ステアリルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｓｅｃ－オクチルアミン、ｎ－アミルアミン、ｎ－プロピルアミン、イソプロピルアミン、イソプロパノールアミン、３－アミノ－１－プロパノール、セチルアミン、シクロヘプチルアミン、シクロドデシルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロオクチルアミン、シクロペンチルアミン、シクロプロピルアミン、ｎ－デシルアミン、１，４－ジアミノブタン、３，３－ジアミノジプロピルアミン、ヘキサメチレンジアミン、ｎ－ヘキシルアミン、イソアミルアミン、ラウリルアミン、２－メトキシエチルアミン、ネオペンチルアミン、１，２－プロパンジアミン、１，３－プロパンジアミン、テトラデシルアミン、エチレンジアミン、２－エチルヘキシルアミンなどの１級アミン化合物、ジアリルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジ－ｎ－デシルアミン、ジ－ｎ－デシルメチルアミン、ジエタノールアミン、ジエチルアミン、ジイソプロパノールアミン、ジイソプロピルアミン、ジメチルアミン、ジフェニルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、などの２級アミン化合物、トリ－ｎ－ヘキシルアミン、トリ－ｎ－ブチルアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリ－ｎ－ヘキシルアミン、トリイソプロパノールアミン、トリメチルアミンなどの３級アミン化合物を挙げることができる。
　芳香族アミン化合物の具体例としては、アニリン、１－アミノナフタレン（１－ナフチルアミン）、ベンジルアミン、２－クロロベンジルアミン、クミルアミン、１－ナフチルアミン、などの１級アミン化合物、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、トリベンジルアミン、トリフェニルアミンなどの３級アミン化合物を挙げることができる。
　含窒素脂肪族環状化合物の具体例としては、トリエチレンジアミン、ピロリジン化合物、ピペリジン化合物などを挙げることができ、含窒素芳香族化合物の具体例としては、イミダゾール化合物、ピロール化合物、ピリジン化合物、ピリミジン化合物などを挙げることができる。
　中でも、脂肪族アミン化合物および含窒素環状化合物から選ばれた化合物が好ましい。ドーパント拡散時の揮発性が低い点で３級アミン化合物が好ましい。同様に、含窒素環状化合物の中でも、含窒素芳香族化合物が好ましい。特に窒素原子数１または２の含窒素芳香族化合物が好ましい。より好ましくは、イミダゾール化合物である。
　かかるイミダゾール化合物の具体例としては、イミダゾール；
１－メチルイミダゾール、１－エチルイミダゾール、１－プロピルイミダゾール、１－ブチルイミダゾール、１－ペンチルイミダゾール、１－ヘキシルイミダゾール、１－ヘプチルイミダゾール、１－オクチルイミダゾール、１－ノニルイミダゾリウム、１－デシルイミダゾールなどの１位がアルキル基で置換されたイミダゾール；
２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－プロピルイミダゾール、２－ブチルイミダゾール、２－ペンチルイミダゾール、２－ヘキシルイミダゾール、２－ヘプチルイミダゾール、２－オクチルイミダゾール、２－ノニルイミダゾリウム、２－デシルイミダゾールなどの２位がアルキルで置換されたイミダゾール；
４－メチルイミダゾール、４－エチルイミダゾール、４－プロピルイミダゾール、４－ブチルイミダゾール、４－ペンチルイミダゾール、４－ヘキシルイミダゾール、４－ヘプチルイミダゾール、４－オクチルイミダゾール、４－ノニルイミダゾリウム、４－デシルイミダゾールなどの４位がアルキルで置換されたイミダゾール；
１－メトキシメチルイミダゾール、１－（２－メトキシエチル）イミダゾール、１－（３－メトキシプロピル）イミダゾール、１－（４－メトキシブチル）イミダゾール、１－（５－メトキシペンチル）イミダゾール、１－（６－メトキシヘキシル）イミダゾリウム、１－（７－メトキシヘプチル）イミダゾール、１－（８－メトキシオクチル）イミダゾール、１－エトキシメチルイミダゾール、１－（２－エトキシエチル）イミダゾリウム、１－（３－エトキシプロピル）イミダゾール、１－（４－エトキシブチル）イミダゾール、１－（５－エトキシペンチル）イミダゾール、１－（６－エトキシヘキシル）イミダゾール、１－プロポキシメチルイミダゾール、１－（２－プロポキシエチル）イミダゾール、１－（３－プロポキシプロピル）イミダゾール、１－（４－プロポキシブチル）イミダゾール、１－（５－プロポキシペンチル）イミダゾリウム、１－エトキシエトキシエチルイミダゾールなどのエーテル酸素を含むアルキル基で置換されたイミダゾール；
１－メチルチオメチルイミダゾール、１－（２－メチルチオエチル）イミダゾール、１－（３－メチルチオプロピル）イミダゾール、１－（４－メチルチオブチル）イミダゾリウム、１－エチルチオメチルイミダゾール、１－（２－エチルチオエチル）イミダゾリウム、１－（３－エチルチオプロピル）イミダゾール、１－（３－エチルチオブチル）イミダゾールなどのエーテル硫黄を含むアルキル基で置換されたイミダゾール；
１－シアノメチルイミダゾール、１－（２－シアノエチル）イミダゾール、１－（３－シアノプロピル）イミダゾール、１－（４－シアノブチル）イミダゾール、１－ジシアノメチルイミダゾール、１－（２，３－ジシアノエチル）イミダゾール、１－（２，３－ジシアノプロピル）イミダゾールなどのシアノ基を含むアルキル基で置換されたイミダゾール等が挙げられる。
　中でも、塩を形成する際のリン酸類、ホウ酸類との相溶性が高い点から低分子量のイミダゾール類が好ましく、特に無置換のイミダゾールまたは１－メチルイミダゾールが好ましい。
　また、本発明に用いられる有機アミン化合物としては、炭素数が１～１２のものが通常用いられ、特に２～１０、殊に３～８であるものが好ましい。かかる炭素数が多すぎるとリン酸類、ホウ酸類との相溶性が低下する傾向があり、逆に少なすぎるとドーパント拡散時の揮発性が上がる傾向がある。
　かかる有機アミン化合物は、単独で用いてもよく、二種以上のものを組み合わせて用いても良い。
　また、上記有機アミン化合物の分子量は、３０～３００の範囲であることが好ましく、より好ましくは５０～２５０、特に好ましくは６０～１５０である。かかる分子量が大きすぎても、また小さすぎても、溶媒への溶解性が落ちる傾向があるからである。
　本発明のドーパント拡散用塗布液においてドーパント源として用いられる有機アミン塩は、リン酸類またはホウ酸類と上述の有機アミン化合物との中和物であり、その製造法としては公知なものを用いることが可能であるが、通常、溶液中での中和反応が、反応の制御、および中和反応熱の除熱の点から好ましく用いられる。
　水中で得られた本発明の有機アミン塩は、一旦、単離して用いることも可能であるが、中和反応溶媒と塗布液溶媒が共通する場合には、塗布液作成時に酸と有機アミンを配合、中和反応させ、そのまま単離せずに使用することが工業的にも有用な実施態様である。
　本発明のドーパント拡散用塗布液に用いるドーパント源（有機アミン塩）の溶媒に対する溶解度は、通常１ｇ／１００ｇ溶媒以上であり、好ましくは３ｇ／１００ｇ溶媒以上、より好ましくは５ｇ／１００ｇ溶媒以上である。また、上限は通常８０ｇ／１００ｇ溶媒である。このようなドーパント源を用いることにより、本発明のドーパント拡散用塗布液を、特にインクジェット印刷に適用した場合にノズルが詰まりにくく安定した印刷を行うことができる。
　本発明のドーパント拡散用塗布液中のドーパント源（有機アミン塩）の含有量は、所望の拡散濃度に応じて適宜選定すれば良いが、通常０．１～３０重量％であり、特に０．１～２５重量％、殊に０．１～２０重量％の範囲が好ましく用いられる。
　かかるドーパント源の含有量が少なすぎると、拡散層中のドーパントの含有量が少なくなり、充分な抵抗値が得られ難い傾向がある。
〔溶媒〕
　次に、本発明のドーパント拡散用塗布液に用いられる溶媒について説明する。
　本発明のドーパント拡散用塗布液に用いられる溶剤としては、本発明のドーパント源、すなわちリン酸類、およびホウ酸類の有機アミン塩を分散または溶解するものであれば、特に限定されることなく用いることが可能である。好ましくは、リン酸類、およびホウ酸類の有機アミン塩を良好に溶解するものである。さらに、揮発性が小さく、安定性に優れ、後述する添加剤として用いられるＰＶＡ系樹脂に対する良溶媒でもある水を含むことが好ましい。特に、上記観点から、本発明のドーパント拡散用塗布液の溶媒が、水を通常１０～９０重量％、好ましくは２０～８０重量％、特に好ましくは３０～７０重量％の割合で含有することが好ましい。
　かかる水としては、アルカリ金属や重金属などのコンタミネーション、および異物が少ないものが好ましく、通常全有機炭素（以下、ＴＯＣと表記することがある）が５０ｐｐｂ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下であり、電気抵抗率が通常１６ＭΩ・ｃｍ以上、好ましくは１７ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは１８ＭΩ・ｃｍ以上のものである。超純水が最も好ましいが、イオン交換水、蒸留水を用いることも可能である。
　本発明のドーパント拡散用塗布液の溶媒としては、水のみであることも可能であるが、有機アミンの溶解性、基材への濡れ性、各種添加剤の溶解性、印刷後のレベリング性、流動安定性、揮発性などを調整するために、各種有機溶媒を併用することが好ましい。
　かかる有機溶媒としては、水と混和性を有するものであれば使用可能であり、例えばケトン類やアルコール類を挙げることができ、特にアルコール類が好ましく用いられる。
　かかるアルコール類の具体例としては、メタノール（６５℃）、エタノール（７８℃）、イソプロパノール（８２℃）などの一価アルコール；エチレングリコール（１９７℃）、ジエチレングリコール（２４４℃）、トリエチレングリコール（２８７℃）、テトラエチレングリコール（３１４℃）、プロピレングリコール（１８８℃）などのニ価アルコール；グリセリン（２９０℃）、トリメチロールプロパン（２９２℃）、ソルビトール（２９６℃）、マンニトール（２９０～２９５℃）、ペンタエリスリトール（２７６℃）、ポリグリセリンなどの三価以上の多価アルコール；および、エチレングリコールモノメチルエーテル（１２４℃）、エチレングリコールノモノエチルエーテル（１３６℃）、エチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテル（１７１℃）等の２価アルコールのモノアルキルエーテル；プロピレングリコールモノメチルエーテル（１２０℃）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（メチルカルビトール）（１９４℃）、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（２４２℃）等の３価アルコールのモノアルキルエーテル；などの多価アルコールのモノアルキルエーテル等のアルコール誘導体を挙げることができる。
　ケトン類としては、アセトン（５６℃）、メチルエチルケトン（７８℃）、メチルイソブチルケトン（１１６℃）、ジイソブチルケトン（１６３℃）、シクロヘキサノン（１５６℃）などが挙げられる。なお、（　）内の値は沸点である。
　これらは単独で用いても良く、二種以上を併用しても良い。
　特に、印刷後の塗膜の急速な乾燥が抑制され、レベリング性の改善効果が大きい点で、水よりも沸点が高い、すなわち沸点が１００℃以上である有機溶媒を用いることが好ましく、さらに１５０～３５０℃、特に１９０～３００℃のものが好ましく用いられる。
　本発明のドーパント拡散用塗布液は、水と有機溶媒との混合溶媒を用いることが好ましい。かかる水と有機溶媒との混合溶媒において、水とともに用いられる有機溶媒の配合量は、通常、水１００重量部に対して１０～２００重量部であり、特に２０～１５０重量部、殊に５０～１２０重量部の範囲が好ましく用いられる。
　上記混合溶媒として好ましくは水とアルコール類との混合溶媒であり、特に好ましくは水と沸点が１００℃以上のアルコール類との混合溶媒であり、殊に好ましくは水と多価アルコールおよび／または多価アルコールのモノアルキルエーテルとの混合溶媒である。
〔界面活性剤〕
　本発明のドーパント拡散用塗布液には、さらに、界面活性剤を配合することが好ましい実施態様である。かかる界面活性剤を配合することによって、半導体表面への濡れ性が向上し、さらに塗布液の発泡が抑制され、気泡に起因する印刷不良を防止することが可能となる。
　水性液に用いられる界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤に大別でき、いずれも使用することができるが、半導体への金属成分等の持込が少ないことから、ノニオン系界面活性剤が好ましい。
　かかるノニオン系界面活性剤としては、公知のものを使用することが可能であり、具体的にはエチレンオキサイド－プロピレンオキサイドのブロック共重合体、アセチレングリコール誘導体などの炭化水素系界面活性剤や、シリコン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などを挙げることができる。
　中でも、本発明の塗布液において発泡の抑制、および消泡性に優れている点で、炭化水素系界面活性剤、特にアセチレングリコール誘導体が好ましく用いられる。
　かかるアセチレングリコール誘導体としては、下記式（１）で表されるものが好ましく用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　上記一般式（１）中のＲ7，Ｒ10はそれぞれ独立して炭素数１～２０のアルキル基を示し、特に炭素数１～５のものが好ましく、殊に炭素数３～５のものが好ましく用いられる。また、Ｒ8，Ｒ9はそれぞれ独立して炭素数１～３のアルキル基を示し、特にメチル基が好ましく用いられる。なお、Ｒ7とＲ10、およびＲ8とＲ9はそれぞれ同一でも異なったものでもよいが、それぞれ同一構造のものが好ましく用いられる。
　また、ｎ，ｍはそれぞれ０～３０の整数であり、特にｍ＋ｎが１～１０、特に１～５、殊に１～３であるものが好ましく用いられる。
　かかるアセチレングリコール誘導体としては、具体的に、２，５，８，１１－テトラメチル－６－ドデシン－５，８－ジオールのエチレンオキサイド付加物、５，８－ジメチル－６－ドデシン－５，８－ジオールのエチレンオキサイド付加物、２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエチレンオキサイド付加物、４，７－ジメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエチレンオキサイド付加物、２，３，６，７－テトラメチル－４－オクチン－３，６－ジオールのエチレンオキサイド付加物、３，６－ジメチル－４－オクチン－３，６－ジオールのエチレンオキサイド付加物、２，５－ジメチル－３－ヘキシン―２，５－ジオールのエチレンオキサイド付加物などを挙げることができる。
　これらの中でも、２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエチレンオキサイド付加物であって、エチレンオキサイドの付加量（ｍ＋ｎ）が１～２であるものが好ましく用いられる。
　かかるアセチレングリコール誘導体である界面活性剤の市販品としては、日信化学工業社製のサーフィノールシリーズ、川崎ファインケミカル社製のアセチレノールシリーズなどを挙げることができる。
　本発明のドーパント拡散用塗布液に配合される界面活性剤の配合量は、通常、塗布液中０．１～１０重量％であり、特に０．３～８重量％、殊に０．５～５重量％である。かかる界面活性剤の配合量が少なすぎると、目的とする抑泡・消泡効果が不充分である場合があり、逆に多すぎると液から分離して溶液の均一性が低下する傾向がある。
〔無機微粒子〕
　本発明のドーパント拡散用塗布液には、印刷特性を改善する目的で、各種の無機微粒子を配合することが可能である。
　かかる無機微粒子としては、コロイダルシリカ、非晶質シリカ、フュームドシリカなどのシリカ類が好適であり、中でもコロイダルシリカが好ましく用いられる。
　かかる無機微粒子の配合量は、通常、塗布液中０．５～２０重量％であり、特に１～１０重量％である。
〔水溶性高分子〕
　また、本発明のドーパント拡散用塗布液には各種高分子化合物を配合することができ、特に本発明の塗布液をスクリーン印刷に用いる場合には高分子化合物の配合により印刷性を向上させることが可能である。
　かかる高分子化合物としては、塗布液類に用いられる公知のものを用いることが可能である。上述の通り、溶媒として水、あるいは水と有機溶媒との混合溶媒を用いる場合には、水溶性高分子が用いられる。水溶性高分子としては、ポリビニルアルコール系樹脂（以下、ＰＶＡ系樹脂と略記する。）、アクリル系樹脂等が挙げられる。特にＰＶＡ系樹脂が好ましく用いられる。
　以下、本発明のドーパント拡散用塗布液に用いられるＰＶＡ系樹脂について説明する。
　ＰＶＡ系樹脂は、一般的に酢酸ビニルを共重合して得られるポリ酢酸ビニルをケン化して得られるものであり、ケン化度相当のビニルアルコール構造単位と酢酸ビニル構造単位から構成される。
　本発明で用いられるＰＶＡ系樹脂の平均重合度（ＪＩＳ　Ｋ６７２６に準拠して測定）は、通常、１００～４０００であり、特に２００～２０００、さらに３００～１５００のものが好ましく用いられる。
　かかる平均重合度が小さすぎると塗布液が低粘度となり、目的とする印刷性が得られ難い傾向があり、塗膜が薄膜となりドーパントの供給量が不足する場合がある。逆に大きすぎても目的とする印刷性が得られ難い傾向があり、印刷不良が発生しやすくなる傾向がある。
　また、本発明で用いられるＰＶＡ系樹脂としては、通常、ケン化度（ＪＩＳ　Ｋ６７２６に準拠して測定）が５０～１００モル％のものを用いることが可能である。
　ただし、本発明の塗布液に、有機溶媒成分の多い水と有機溶媒との混合溶媒を用いる場合、およびドーパント源の濃度が高い場合には、ＰＶＡ系樹脂のケン化度が高いと、その溶解性が低下する場合があるので、そのような場合には、ケン化度が低いＰＶＡ系樹脂、あるいは各種置換基を有する変性ＰＶＡ系樹脂を用いることが好ましい。
　例えば、本発明のＰＶＡ系樹脂として未変性のＰＶＡを用いる場合には、ケン化度が５０～９０モル％のものが好ましく、さらに６０～８５モル％、特に７０～８０モル％のものが好ましい。
　また、ＰＶＡ系樹脂としては、公知の各種変性ＰＶＡ系樹脂を用いることが可能である。中でも、下記一般式（２）で示される側鎖に１，２－ジオール構造を有する構造単位を有するＰＶＡ系樹脂が好ましく用いられる。
　なお、一般式（２）におけるＲ1、Ｒ2、及びＲ3はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１～３のアルキル基を示し、Ｘは単結合または結合鎖を示し、Ｒ4、Ｒ5、及びＲ6はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１～３のアルキル基を示すものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　中でも、一般式（２）で表わされる１，２－ジオール構造単位中のＲ1～Ｒ3、及びＲ4～Ｒ6がすべて水素原子であり、Ｘが単結合である、下記一般式（２’）で表わされる構造単位を有するＰＶＡ系樹脂が最も好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　本発明において、かかる一般式（２）で表される構造単位を有する変性ＰＶＡ系樹脂を用いる場合、ケン化度が５０～１００モル％のものを用いることが可能であり、さらに６０～１００モル％、特に７０～１００モル％のものが好ましく用いられる。
　これは、側鎖の１，２－ジオール構造によって、未変性ＰＶＡよりケン化度が高くても、塩の配合、および有機溶媒の配合による溶解性低下を抑制することができたことによるものである。
　また、かかるＰＶＡ系樹脂に含まれる１，２－ジオール構造単位の含有量は、通常、１～３０モル％であり、さらに３～２０モル％、特に５～１０モル％のものが好ましく用いられる。かかる含有量が低すぎると、高ケン化度のものの場合、有機溶媒への溶解性が不十分になる場合があり、逆に高すぎると、乾燥効率が低下し、生産性が低下する傾向がある。
　なお、ＰＶＡ系樹脂中の１，２－ジオール構造単位の含有率は、ＰＶＡ系樹脂を完全にケン化したものの1Ｈ－ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＤＭＳＯ－ｄ６、内部標準：テトラメチルシラン）から求めることができ、具体的には１，２－ジオール単位中の水酸基プロトン、メチンプロトン、およびメチレンプロトン、主鎖のメチレンプロトン、主鎖に連結する水酸基のプロトンなどに由来するピーク面積から算出すればよい。
　また、本発明で用いられるＰＶＡ系樹脂は、一種類であっても、二種類以上の混合物であってもよく、その場合は、上述の未変性ＰＶＡどうし、未変性ＰＶＡと一般式（２）で示される構造単位を有するＰＶＡ系樹脂、ケン化度、重合度、変性度などが異なる一般式（２）で示される構造単位を有するＰＶＡ系樹脂どうし、未変性ＰＶＡ、あるいは一般式（２）で示される構造単位を有するＰＶＡ系樹脂と他の変性ＰＶＡ系樹脂、などの組み合わせを用いることができる。
　本発明のドーパント拡散用塗布液中の水溶性高分子の含有量は、通常１～４０重量％であり、特に３～３０重量％、殊に５～２５重量％の範囲が好ましく用いられる。
　かかる水溶性高分子脂の含有量が小さすぎると、塗布液の粘度が低くなり、塗膜が安定して形成されにくくなる傾向があり、逆に、多すぎると、塗布液の粘度が高くなるため、塗布作業性が低下したり、スクリーン印刷におけるスクリーンメッシュの目詰まりが起りやすくなる傾向がある。
〔ドーパント拡散用塗布液〕
　本発明のドーパント拡散用塗布液は、上述のリン酸類、またはホウ酸類の有機アミン塩をドーパント源として含有するものであり、溶媒、および必要に応じて各種添加剤を配合してなるものである。
　かかるドーパント拡散用塗布液は、リン酸類、またはホウ酸類の有機アミン塩を溶媒に溶解することによって得られる。かかる有機アミン塩は、市販のものを用いたり、予め上記の酸と有機アミンを中和反応させて合成したものを用いることができるが、上述の通り、有機アミン塩の製造を塗布液の溶媒中、好ましくは水中あるいは水性溶媒で行うことも可能である。
　その場合には、両者を同時に溶媒中に投入する方法、酸を予め溶媒に溶解させておき、次いで有機アミンを添加する方法、逆に有機アミンを予め溶解させておき、次いで酸を添加する方法、のいずれを採用することも可能である。しかし、中和反応熱が発生するため、一方を配合しておき、他方を徐々に添加することが好ましい。なお、かかる添加時には、水やその他の溶媒にて希釈したものを用いることも、急激な反応を制御するために好ましい。
　かかる中和反応においては、通常酸と有機アミンが過不足なく反応するように化学当量にて配合する。一方で、後述するように、ドーパント拡散用塗布液の２０℃におけるｐＨが通常４～１０となるように若干の酸あるいはアミンが過剰となるように配合することも可能である。
　さらに、本発明のドーパント拡散用塗布液は、必要に応じて界面活性剤や無機微粒子、水溶性高分子などを配合することが可能であり、これらは上述の有機アミン塩の配合、あるいは形成の前後のいずれの段階で配合してもよい。
　かくして得られた本発明のドーパント拡散用塗布液の粘度は、通常１～１００００ｍＰａ・ｓであり、特に２～５０００ｍＰａ・ｓ、殊に３～３０００ｍＰａ・ｓである。なお、かかる粘度はＢ型粘度計を用いた測定した２０℃での値である。
　かかるドーパント拡散用塗布液の粘度は、例えば上述の水溶性高分子の配合、および配合量によって調整することができる。
　特に、本発明の塗布液をスクリーン印刷に用いる場合には、通常１００～１００００ｍＰａ・ｓ、特に２００～５０００ｍＰａ・ｓであるものが好ましく用いられる。
　かかる塗布液の粘度が小さすぎるとスクリーン印刷による塗膜が安定して形成されにくくなったり、拡散層中のドーパントの含有量が不十分になる場合があり、逆に粘度が大きすぎると、印刷性が低下したり、スクリーンメッシュの目詰まりが起りやすくなる傾向がある。
　また、本発明の塗布液をインクジェット印刷に用いる場合には、通常１～１００ｍＰａ・ｓ、特に２～５０ｍＰａ・ｓであるものが好ましく用いられる。
　かかる塗布液の粘度が小さすぎると、印刷画像が滲みやすくなったり、拡散層中のドーパントの含有量が不十分になる場合があり、逆に粘度が大きすぎると、塗布液ノズルの目詰まりが起りやすくなる傾向がある。かかる粘度は、上記水溶性高分子および／または界面活性剤を配合する場合に大きくなる傾向があるため、特に本発明の塗布液をインクジェット印刷に用いる場合には、上記水溶性高分子および／または界面活性剤を含まないことで上記粘度に調整することが好ましい。
　また、本発明のドーパント拡散用塗布液の２０℃におけるｐＨは、通常４～１０であり、特に４．５～９．５、殊に５～９であるものが好ましく用いられる。
　かかるｐＨが高すぎても低すぎても、印刷機に用いられている各種金属部材を腐食させる場合があり、特に、インクジェット印刷に用いると、金属製ノズルを腐食させ、ノズル詰まりの原因となる場合がある。
　なお、かかるドーパント拡散用塗布液のｐＨは、酸性化合物、またはアルカリ性化合物を塗布液に配合することで調整できるが、ドーパントとして用いる有機アミン塩を製造する際の酸と有機アミンの配合量によって調製することもできる。
　さらに、本発明のドーパント拡散用塗布液をインクジェットに用いる場合の２０℃における表面張力は、通常１０～８０ｍＮ／ｍであり、特に１５～７０ｍＮ／ｍ、殊に２０～６０ｍＮ／ｍであるものが好ましく用いられる。
　かかる表面張力が高すぎても低すぎても、インクジェット射出不良となる傾向がある。
〔半導体〕
　次に、本発明のドーパント拡散用塗布液を用いて得られる半導体について説明する。
　かかる半導体は、半導体基板上に本発明のドーパント拡散用塗布液を塗布（印刷）し、拡散工程によって半導体基板中にドーパントの拡散層を形成して製造される。
　かかる半導体基板としては、公知のものを用いることができるが、通常はシリコンやゲルマニウムの単結晶、あるいは多結晶基板が用いられる。かかる基板の厚さとしては、所望の目的に応じて適宜選択すればよいが、通常、１５０～３００μｍのものが用いられる。また、続くドーパント拡散用塗布液による塗布に先立って、基板表面のダメージ層を酸やアルカリを用いたエッチングによって除去したり、プラズマ酸化、あるいは酸化膜のフッ酸除去などによって塗布液の濡れ性を制御したものを用いることも可能である。
　半導体基板上にドーパント拡散用塗布液を塗布する方法としては、公知の方法を用いることが可能で、具体的には、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、凸版印刷法、平板印刷法、スピンコート法、スプレー法、インクジェット印刷法、などを挙げることができる。
　中でも、本発明の塗布液はスクリーン印刷法やインクジェット印刷法に好適であり、大型ウェハーに対する印刷濃度の均一性、および太陽電池用半導体の製造に必要なパターン形成の容易性からこれらの方法が好ましく用いられる。さらに、本発明のドーパント拡散用塗布液は、ドーパント源として酸をそのまま使用しないことから、インクジェット印刷に適用した場合に、金属製ノズルを腐食させることがないという利点も有している。ひいては、ドーパント拡散用塗布液において有機アミン塩が均一に溶解している塗布液を得ることが可能であるため、特にインクジェット印刷に適用した場合にノズルが詰まりにくく安定した印刷を行うことができるという利点を有している。
　半導体基板に塗布（印刷）される塗布液の量は、基板の種類や半導体の用途、塗布液中のドーパントの含有量と所望の拡散量によって異なるが、通常、０．０１～１００ｇ／ｍ2であり、特に０．０５～５０ｇ／ｍ2で実施される。
　かかる塗布によって表面にドーパント源層が形成された半導体基板は、拡散工程によってドーパント源層中のドーパントが半導体基板の表層部分に拡散されることにより、ドーパント拡散層を有するようになる。
　上記拡散工程における拡散方法は、通常、熱拡散法であり、加熱方法・装置としては、公知のものを用いることができ、例えば、レーザードーピング法、あるいは電気炉、チューブ炉、マッフル炉、ベルト炉などの熱拡散炉を挙げることができる。
　拡散工程における温度条件としては、通常、７００～１４００℃、特に８００～１２００℃で行われ、その時間としては、通常１～６０分、特に５～３０分で行われる。また、かかる拡散工程は、窒素、アルゴン、あるいは窒素－酸素、アルゴン－酸素の混合雰囲気下で行われ、特に窒素－酸素混合雰囲気が好ましく、その場合の酸素の含有割合は全量に対して通常１～１０体積％であり、特に１～３体積％が好ましい。また、窒素のみの雰囲気で拡散し、拡散途中または拡散終了後に酸素を投入してもよい。その場合の酸素は全量に対して通常１～１００体積％であり、特に１０～１００体積％が好ましい。
　また、ドーパント拡散用塗布液を用いた塗布工程と、上記拡散工程の間に、必要に応じて塗布部に残存する揮発成分の除去を目的とする乾燥工程や、有機成分の除去を目的とする脱脂工程を設けることも可能である。
　かかる乾燥工程の条件としては、通常、２０～３００℃、特に５０～２００℃での温度条件下、通常１～６０分、特に５～３０分の乾燥時間が用いられる。乾燥方法については特に限定されず、熱風乾燥、赤外線加熱乾燥、真空乾燥、などの公知の方法を用いることができる。
　なお、塗布工程と乾燥工程を連続して実施することも可能である。
　また脱脂工程では、電気炉等を用い、その条件は、通常、３００～１０００℃、特に４００～８００℃の温度条件で、通常１～１２０分、特に５～６０分の時間で実施される。
　かかる脱脂工程は、上記乾燥工程と連続して実施することも可能であり、また、脱脂工程を拡散工程の初期工程として実施することも可能である。
　上記の拡散工程、乾燥工程、脱脂工程等のような熱処理は、必要に応じて複数の工程を一度に行ったり、連続して行ったり、省略したりすることが可能である。すなわち、上記の拡散工程、乾燥工程、脱脂工程等のような熱処理は、必ずしも各工程を全て行う必要はない。
　かくして得られた本発明のドーパント拡散層を有する半導体は、ドーパントが効率よく半導体基板中に拡散されているため、表面抵抗が小さい半導体を得ることができる。
　かかるドーパント拡散層の表面抵抗の値は、目的とする用途、ドーパントの拡散量によって異なるが、通常、１０～３００Ω／□であり、特に１５～２００Ω／□、殊に２０～１００Ω／□であるものが好ましく用いられる。
　また、基板中へのドーパントの拡散状態の指標として、ドーパントの拡散深度で評価することが可能であり、本発明のドーパント拡散層を有する半導体は、かかるドーパント拡散層の拡散深度が、通常、０．０５～５μｍであり、特に０．１～３μｍ、殊に０．２～２μｍであるものを得ることが可能である。
　同様に、半導体表面のドーパントの量で評価することも可能であり、本発明のドーパント拡散層を有する半導体は、かかるドーパント拡散層表面のドーパント量が、通常１０18～１０23ａｔｏｍｓ、特に１０19～１０22ａｔｏｍｓのものである。
　以下に、本発明を実施例を挙げて説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例の記載に限定されるものではない。
　尚、例中、「部」、「％」とあるのは、断りのない限り重量基準を意味する。
　実施例において「超純水」とは、ＴＯＣ１．０ｐｐｂ以下、電気抵抗率が１８．２ＭΩ・ｃｍの水を意味する。
実施例１
＜ドーパント拡散用塗布液の作製＞
　超純水４０部に、メチルカルビトール４０部、リン酸水溶液（関東化学社製、ＥＬ用、リン酸８５％、水１５％）１０部を加え、常温で撹拌混合した後、これに１－メチルイミダゾール１０部を少量ずつ撹拌しながら加え、中和反応によるリン酸イミダゾール塩（リン酸１－メチルイミダゾール塩）を含有するドーパント拡散用塗布液を得た。
　得られたドーパント拡散用塗布液の２０℃におけるｐＨは６、粘度は６ｍＰａ・ｓ、表面張力は４０ｍＮ／ｍであった。
＜半導体基板への印刷＞
　Ｐ型単結晶シリコン（スペースエナジー社製）の表面をアルカリエッチングテクスチャ加工した後、５％フッ酸に１分間浸漬洗浄して得られた半導体基板（１５６ｍｍ角、２００μｍ厚）の中央部に、インクジェット印刷機（マイクロジェット社製「Ｎａｎｏｐｒｉｎｔｅｒ－１１００」）、およびヘッドとしてＤｉｍａｔｉｘ社製「ＳＥ－１２８」を用い、２３℃、５０％ＲＨの環境下、下記条件、および下記パターンで上記実施例１のドーパント拡散用塗布液をインクジェット印刷し、ラインパターンを描画した。
（印刷条件）
　ステージヒーター温度：５０℃
　吐出電圧：８０Ｖ
　吐出周波数：１０００Ｈｚ
　吐出プロファイル：２－５－２μｓ（立ち上がり－吐出－停止）
　使用ノズル：１本
　ノズルウエハ間距離：４ｍｍ
　ドットピッチ：１００μｍ
　吐出前捨て打ち：１０００回
（描画パターン）
　ウェハーの右下部を（ｘ、ｙ）＝（０ｍｍ、０ｍｍ）、左上部を（ｘ、ｙ）＝（１５６ｍｍ、１５６ｍｍ）とする。
　（ｘ、ｙ）＝（１０ｍｍ、１０ｍｍ）地点から（１１０ｍｍ、１０ｍｍ）地点まで描画し、次いで（１０ｍｍ、１２ｍｍ）地点から（１１０ｍｍ，１２ｍｍ）地点まで描画、同様にｙ方向に２ｍｍずつずらして合計５０回描画し、幅１００μｍ、長さ１００ｍｍのラインを５０本描画した。
〔印刷性の評価〕
　描画されたラインを目視観察したところ、滲みは見られなかった。
　また、印刷の間、ノズルの吐出不良を起こすこともなかった。
＜拡散＞
　実施例１のドーパント拡散用塗布液がインクジェット印刷によりパターン印刷された半導体基板を７００℃のチューブ炉に投入、１５分かけて８７５℃に昇温した後１０分間その温度を保持し、さらに４０分かけて７００℃に降温した。その間の窒素流量は２０Ｌ／分、酸素流量は０．４Ｌ／分とした。
　熱処理後、半導体基板を取り出し、１０％フッ化水素水溶液に浸漬、３分間静置後、超純水で２回洗浄し、半導体基板中にリンの拡散層を有する半導体を得た。
〔表面抵抗値〕
　得られた半導体の表面抵抗値を、抵抗測定器（三菱アナリテック社製「ロレスター」、ＰＳＰプローブ使用）を用いて測定した。
〔拡散状態の評価〕
　得られた半導体におけるリンの拡散状態を、二次イオン質量分析装置にて評価した結果、表面のリン元素濃度は１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ2であり、ドープ深さは０．５μｍであった。
実施例２
　実施例１における１－メチルイミダゾールに代えてトリエチルアミンを用い、ドーパント拡散用塗布液中の塩を、リン酸トリエチルアミン塩とした。それ以外は実施例１と同様にし、ドーパント拡散用塗布液を作製した。得られたドーパント拡散用塗布液の２０℃におけるｐＨは７、粘度は５ｍＰａ・ｓ、表面張力は４０ｍＮ／ｍであった。
　得られたドーパント拡散用塗布液を用い、実施例１と同様に基板にインクジェット印刷を行った。その描画ラインを目視観察したところ、滲みは見られず、印刷の間、ノズルの吐出不良を起こすこともなかった。
　印刷後の半導体基板を実施例１と同様に拡散処理を行い、半導体を作製した。得られた半導体を実施例１と同様に評価した結果、表面のリン元素濃度は１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ2であり、ドープ深さは０．３μｍであった。
比較例１
　実施例１のドーパント拡散用塗布液における超純水の配合量を３０重量部とし、イミダゾールを用いなかった。それ以外は実施例１と同様にし、ドーパント拡散用塗布液を作製した。得られたドーパント拡散用塗布液の２０℃におけるｐＨは１、粘度は、５ｍＰａ・ｓ、表面張力は４０ｍＮ／ｍであった。
　得られたドーパント拡散用塗布液は強酸性であり、インクジェットノズルを傷める可能性が高いため、この塗布液を用いたインクジェット印刷はできなかった。
比較例２
　実施例１における１－メチルイミダゾールに代えてアンモニアを用い、ドーパント拡散用塗布液中の塩を、リン酸アンモニウム塩とした。それ以外は実施例１と同様にし、ドーパント拡散用塗布液を作製しようとしたところ、アンモニア添加後の撹拌中に溶液が白濁、リン酸アンモニウムが析出した。
　よって、この塗布液を用いたインクジェット印刷はできなかった。
比較例３
　実施例１におけるリン酸水溶液に代えてリン酸エステル（城北化学社製「ＪＰ－５０２」）２０部を用いた。それ以外は実施例１と同様にし、ドーパント拡散用塗布液を作製した。得られたドーパント拡散用塗布液の２０℃におけるｐＨは６、粘度は４ｍＰａ・ｓ、表面張力は２６ｍＮ／ｍであった。
　得られたドーパント拡散用塗布液を用い、実施例１と同様に基板にインクジェット印刷を行った。その描画ラインを目視観察したところ、滲みによってライン幅が広がり、良好な印刷結果が得られなかった。
比較例４
　実施例１における１－メチルイミダゾールに代えてメラミンを用い、ドーパント拡散用塗布液中の塩を、リン酸メラミン塩とした。それ以外は実施例１と同様にし、ドーパント拡散用塗布液を作製しようとしたところ、溶液が白濁し、不均一溶液となった。
　よって、この塗布液を用いたインクジェット印刷はできなかった。
　ここで、実施例１，２、比較例１～４の結果をまとめると、下記の表１に示すようになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　上記表１の結果より、実施例のリン酸有機アミン塩をドーパント源として含有するドーパント拡散用塗布液はインクジェット印刷性が良好であり、これから得られた半導体は、表面のドーパント原子数が多く、拡散深度も深いことから、ドーパントの拡散性が良好であった。
　これに対し、比較例のように、ドーパント源としてリン酸やリン酸アンモニウム塩を用いると、インクジェット印刷が可能な塗布液を得ることができず、また、リン酸エステルでは、良好な印刷結果が得られなかった。また、リン酸メラミンを用いると、不均一溶液となり、インクジェット印刷ができなかった。
実施例３
＜ＰＶＡ系樹脂の製造＞
　還流冷却器、滴下漏斗、撹拌機を備えた反応容器に、酢酸ビニル１５００部、メタノール８００部、３，４－ジアセトキシ－１－ブテン２４０部を仕込み、アゾビスイソブチロニトリルを０．０５モル％（対仕込み酢酸ビニル）投入し、撹拌しながら窒素気流下で温度を上昇させ、重合を開始した。酢酸ビニルの重合率が８７％となった時点で、ｍ－ジニトロベンゼンを添加して重合を終了し、続いて、メタノール蒸気を吹き込む方法により未反応の酢酸ビニルモノマーを系外に除去し共重合体のメタノール溶液とした。
　ついで、上記メタノール溶液をさらにメタノールで希釈し、濃度４０％に調整してニーダーに仕込み、溶液温度を４０℃に保ちながら、水酸化ナトリウムを２％メタノール溶液として共重合体中の酢酸ビニル構造単位および３，４－ジアセトキシ－１－ブテン構造単位の合計量１モルに対して８ミリモルとなる割合で加えてケン化を行った。ケン化が進行するとともにケン化物が析出し、粒子状となった時点で濾別し、メタノールでよく洗浄して熱風乾燥機中で乾燥し、目的とするＰＶＡ系樹脂を作製した。
　得られたＰＶＡ系樹脂のケン化度は、残存酢酸ビニルおよび３，４－ジアセトキシ－１－ブテンの加水分解に要するアルカリ消費量にて分析したところ、９９．８モル％であった。また、平均重合度は、ＪＩＳ　Ｋ　６７２６に準じて分析を行ったところ、３５０であった。また、一般式（２’）で表される１，２－ジオール構造単位の含有量は、1Ｈ－ＮＭＲ（３００ＭＨｚプロトンＮＭＲ、ｄ６－ＤＭＳＯ溶液、内部標準物質；テトラメチルシラン、５０℃）にて測定した積分値より算出したところ、８モル％であった。
＜ドーパント拡散用塗布液の作製＞
　超純水３６部に、上記製造のＰＶＡ系樹脂２２部、および１－メチルイミダゾール２部を加え、加熱撹拌しながら溶解し、さらにリン酸水溶液（関東化学社製、ＥＬ用、リン酸８５重量％、水１５重量％）２部（純分１．７部）を添加し、リン酸イミダゾール塩を含有する溶液β１を作製した。
　これに、アルコールとしてグリセリン３７部、界面活性剤として２，４，７，９－テトラメチル－５－デシン－４，７－ジオールのエチレンオキサイド付加物（一般式（１）中、ｍ＋ｎ≒１．３、日信化学工業社製「サーフィノール４２０」）１部を添加して溶液β２を作製した。
　かかる溶液β１に溶液β２を添加、撹拌してリン拡散用塗布液βを作製した。得られたドーパント拡散用塗布液の２０℃におけるｐＨは６、粘度は１０００ｍＰａ・ｓであった。
＜半導体基板への塗布＞
　Ｐ型単結晶シリコン（スペースエナジー社製）の表面をアルカリエッチングテクスチャ加工した後、５％フッ酸に１分間浸漬洗浄して得られた半導体基板（１５６ｍｍ角、２００μｍ厚）に、スクリーン印刷機（ニューロング精密工業社製「ＬＳ－３４ＧＸ」）、スキージー（ニューロング精密工業社製「ＮＭスキージー」、硬度６０）、およびスクレッパー（ニューロング精密工業社製「ＮＭスキージー」、硬度６０）を用い、２３℃、５０％ＲＨの環境下、下記条件で上記ドーパント拡散用塗布液βをスクリーン印刷し、パターンを形成した。
　印刷されたパターンを目視観察したところ、良好な印刷画像が得られていた。
（印刷条件）
　スキージー角：８０度
　スクレッパー角：８６度
　印圧：０．２ＭＰａ
　スクリーン版：東京プロセスサービス社製
　版サイズ：４５０ｍｍ角
　メッシュ種：Ｖ３３０
　乳剤厚：５μｍ
　パターン：４００μｍ幅、２ｍｍピッチ
　塗布量（乾燥後）：１０ｍｇ
　乾燥条件：１５０℃、１０分ｓ
＜拡散＞
　上記のようにしてドーパント拡散用塗布液がスクリーン印刷された半導体基板を、実施例１と同様に拡散処理を施して半導体とし、実施例１と同様に評価した結果、表面のリン元素濃度は１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ2であり、ドープ深さは０．５μｍであった。
比較例５
　実施例３における１－メチルイミダゾールに代えてアンモニアを用い、ドーパント拡散用塗布液中の塩を、リン酸アンモニウム塩とした。それ以外は実施例３と同様にし、ドーパント拡散用塗布液を作製した。得られたドーパント拡散用塗布液の２０℃におけるｐＨは７、粘度は１０００ｍＰａ・ｓであった。
　得られたドーパント拡散用塗布液を用い、実施例３と同様に基板にスクリーン印刷を行った。目視観察したところ、良好なパターンが印刷されていた。
　印刷後の半導体基板を実施例３と同様に拡散処理を行い、半導体を作製し、同様に評価した結果、表面のリン元素濃度は１０18～１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ2であり、ドープ深さは０．１μｍであった。
　ここで、実施例３、比較例５の結果をまとめると、下記の表２に示すようになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　上記表２の結果より、実施例のリン酸有機アミン塩をドーパント源として含有するドーパント拡散用塗布液を用いて得られた半導体は、リン酸アンモニウム塩を用いたものと比較して表面のドーパント原子数が多く、拡散深度も深いことから、ドーパントの拡散性が良好であることがわかる。
　なお、上記実施例においては、本発明における具体的な形態について示したが、上記実施例は単なる例示にすぎず、限定的に解釈されるものではない。当業者に明らかな様々な変形は、本発明の範囲内であることが企図されている。
　本発明のドーパント拡散用塗布液を用いることによって表面抵抗値の高い半導体が得られることから、工業的に極めて有用である。
　さらに、本発明のドーパント拡散用塗布液は、ドーパント源として酸を使用しないことから、インクジェット印刷に適用した場合に、金属製ノズルを腐食させることがないという利点を有している。

Claims (12)

  1. 　リン酸類およびホウ酸類から選ばれた酸と、窒素原子数１～４の有機アミン化合物（α）との有機アミン塩を、ドーパント源として含有することを特徴とするドーパント拡散用塗布液。
  2. 　有機アミン化合物（α）が、脂肪族アミン化合物および含窒素環状化合物から選ばれた化合物である請求項１記載のドーパント拡散用塗布液。
  3. 　有機アミン化合物（α）が、イミダゾール化合物である請求項１記載のドーパント拡散用塗布液。
  4. 　有機アミン化合物（α）の分子量が、３０～３００の範囲である請求項１～３のいずれか一項に記載のドーパント拡散用塗布液。
  5. 　有機アミン塩の含有量が、０．１～３０重量％の範囲である請求項１～４のいずれか一項に記載のドーパント拡散用塗布液。
  6. 　塗布液のｐＨが、４～１０の範囲である請求項１～５のいずれか一項に記載のドーパント拡散用塗布液。
  7. 　塗布液の溶媒が、水を１０～９０重量％含む請求項１～６のいずれか一項に記載のドーパント拡散用塗布液。
  8. 　沸点１００℃以上のアルコール類を含有する請求項１～７のいずれか一項に記載のドーパント拡散用塗布液。
  9. 　ポリビニルアルコール系樹脂を含有する請求項１～８のいずれか一項に記載のドーパント拡散用塗布液。
  10. 　請求項１～９のいずれか一項に記載の塗布液の、半導体基板上への塗布を、インクジェット印刷により行うことを特徴とするドーパント拡散用塗布液の塗布方法。
  11. 　ドーパント拡散層を有する半導体の製法であって、請求項１～９のいずれか一項に記載の塗布液を半導体基板表面に塗布した後、熱処理を行い、上記塗布がなされた半導体基板の表層部分をドーパント拡散層にすることを特徴とする半導体の製法。
  12. 　請求項１１記載の製法により得られる半導体であって、そのドーパント拡散層の表面抵抗値が１０～３００Ω／□の範囲であることを特徴とする半導体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3147997A1 (en) 2015-09-25 2017-03-29 Taoglas Group Holdings Fin-type antenna assemblies
CN109390223A (zh) * 2017-08-07 2019-02-26 东京应化工业株式会社 杂质扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法
WO2020158317A1 (ja) * 2019-01-29 2020-08-06 東レ株式会社 プリウェット用組成物、及びそれを用いた太陽電池の製造方法
CN113169247A (zh) * 2018-12-07 2021-07-23 东丽株式会社 p型杂质扩散组合物及其制造方法、使用其的半导体元件的制造方法和太阳能电池

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5830143B1 (ja) * 2014-08-25 2015-12-09 信越化学工業株式会社 太陽電池セルの製造方法
JP7428478B2 (ja) * 2019-05-24 2024-02-06 東京応化工業株式会社 拡散剤組成物、及び半導体基板の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035719A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The ホウ素拡散用塗布液
JP2007053353A (ja) * 2005-07-22 2007-03-01 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The リン拡散用塗布液
JP2010062334A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Japan Vam & Poval Co Ltd リン拡散用塗布液
JP2011187894A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 Sharp Corp リンドーパント拡散用塗布液、それにより形成された塗布膜および太陽電池の製造方法
JP2012514331A (ja) * 2008-12-29 2012-06-21 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 異なる伝導率決定タイプ元素プロファイルを有するドーピング領域を同時に形成する方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007035719A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The ホウ素拡散用塗布液
JP2007053353A (ja) * 2005-07-22 2007-03-01 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The リン拡散用塗布液
JP2010062334A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Japan Vam & Poval Co Ltd リン拡散用塗布液
JP2012514331A (ja) * 2008-12-29 2012-06-21 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 異なる伝導率決定タイプ元素プロファイルを有するドーピング領域を同時に形成する方法
JP2011187894A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 Sharp Corp リンドーパント拡散用塗布液、それにより形成された塗布膜および太陽電池の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3147997A1 (en) 2015-09-25 2017-03-29 Taoglas Group Holdings Fin-type antenna assemblies
CN109390223A (zh) * 2017-08-07 2019-02-26 东京应化工业株式会社 杂质扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法
CN113169247A (zh) * 2018-12-07 2021-07-23 东丽株式会社 p型杂质扩散组合物及其制造方法、使用其的半导体元件的制造方法和太阳能电池
WO2020158317A1 (ja) * 2019-01-29 2020-08-06 東レ株式会社 プリウェット用組成物、及びそれを用いた太陽電池の製造方法

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