WO2013099783A1

WO2013099783A1 - Cable

Info

Publication number: WO2013099783A1
Application number: PCT/JP2012/083182
Authority: WO
Inventors: 勝雄下沢; 裕松原; 和年嘉代
Original assignee: 株式会社潤工社
Priority date: 2011-12-28
Filing date: 2012-12-17
Publication date: 2013-07-04
Also published as: JP2013137897A

Abstract

High-speed cables have been required to have further improved transmission characteristics. A cable of the present invention is provided with: signal lines (10, 20) which respectively comprise inner conductors (11, 21) and dielectric layers (12, 22) that are respectively arranged on the outer circumferences of the inner conductors; and a shielding layer (30) that is arranged such that at least a part of the shielding layer is in contact with the outer circumferences of the signal lines. The shielding layer comprises an insulating layer (32) and a conductive layer (31), and the conductive layer has a thickness of 2.0 μm or less.

Description

ケーブルcable

　本発明は、シールド層を有するケーブルに関するものである。 The present invention relates to a cable having a shield layer.

　高速ビットレートでデータ伝送が行われる場合に用いられる伝送線路として、高速差動ケーブルがある。高速差動ケーブルは、内部導体と、内部導体の外周に配置される絶縁体層とを有し且つ並列に配置される２つの信号線と、信号線に隣接して配置されるドレイン線と、信号線及びドレイン線を螺旋巻きするように形成されるシールド層とを有する。シールド層は、圧延処理で形成された金属薄板と絶縁樹脂部材とを接着して形成されるアルミポリエステルテープなどの部材が使用されている。
　高速差動ケーブルなどの伝送路の損失特性はアイパターンを使用して評価されている。アイパターンは、伝送路を通過させた所定の周波数を有するパルス信号を同期して重ね合わせて表示することにより得られる。良好なアイパターンを示す損失特性を有する高速差動ケーブルを形成するために、パルス信号の低周波成分を減衰させるように形成される信号線を有する高速差動ケーブルが知られる（特開第２０１０−７３４６３号公報を参照）。この文献に記載される高速差動ケーブルの信号線は、内部導体と内部導体の外周に配置される誘電体層とを有する。内部導体は、比較的固有抵抗が大きい磁性体で形成される芯材と、芯材の周囲に形成される良導電性の被覆層とを有する。
　一般によく知られるように、信号線に高周波電流が流れるとき、低周波数では導体内を一様に流れていた電流が表皮効果により徐々に導体表面付近を流れるようになる。このため、パルス信号を伝送する場合、パルス信号の周波数が上昇するに従い、信号の高周波成分は内部導体の外側を流れ、信号の低周波成分は内部導体の内側を流れるようになる。
　前記文献に記載される高速差動ケーブルの信号線では、信号の高周波成分は良導電性の被覆層を流れ、信号の低周波成分は比較的固有抵抗が大きい芯材を流れるようになるので、信号の高周波成分と比較して信号の低周波成分の減衰量が大きくなる。この結果、前記文献に記載される高速差動ケーブルは、比較的良好なアイパターンを示し、高周波パルス信号を高品質で伝送することが可能になる。 There is a high-speed differential cable as a transmission line used when data transmission is performed at a high bit rate. The high-speed differential cable includes two signal lines having an inner conductor and an insulator layer disposed on the outer periphery of the inner conductor and disposed in parallel; a drain line disposed adjacent to the signal line; And a shield layer formed so as to spirally wind the signal line and the drain line. As the shield layer, a member such as an aluminum polyester tape formed by adhering a thin metal plate formed by rolling and an insulating resin member is used.
Loss characteristics of transmission lines such as high-speed differential cables are evaluated using eye patterns. The eye pattern is obtained by synchronizing and displaying pulse signals having a predetermined frequency that have passed through the transmission line. In order to form a high-speed differential cable having loss characteristics exhibiting a good eye pattern, a high-speed differential cable having a signal line formed so as to attenuate a low-frequency component of a pulse signal is known (Japanese Patent Laid-Open No. 2010). -73463). The signal line of the high-speed differential cable described in this document has an inner conductor and a dielectric layer disposed on the outer periphery of the inner conductor. The inner conductor has a core material made of a magnetic material having a relatively large specific resistance, and a highly conductive coating layer formed around the core material.
As is generally well known, when a high frequency current flows through a signal line, the current that has been flowing uniformly in the conductor at a low frequency gradually flows near the conductor surface due to the skin effect. For this reason, when transmitting a pulse signal, as the frequency of the pulse signal increases, the high frequency component of the signal flows outside the inner conductor, and the low frequency component of the signal flows inside the inner conductor.
In the signal line of the high-speed differential cable described in the above document, the high-frequency component of the signal flows through a highly conductive coating layer, and the low-frequency component of the signal flows through a core material having a relatively large specific resistance. The attenuation amount of the low frequency component of the signal is larger than that of the high frequency component of the signal. As a result, the high-speed differential cable described in the above document shows a relatively good eye pattern and can transmit a high-frequency pulse signal with high quality.

　しかしながら、パルス信号などによりデータを高速伝送するために使用されるケーブルでは、伝送特性のさらなる向上が求められているという課題がある。そこで、本発明は、この課題を解決することが可能なケーブルを提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、実施形態に開示されるケーブルは、内部導体と内部導体の外周上に配置される誘電体層とを有する信号線と、信号線の外周に少なくとも一部が接するように配置されるシールド層とを備え、シールド層は、絶縁体層と導電層とを有し、導電層の厚さは、２．０μｍ以下である。
　開示されるケーブルによれば、シールド層の導電層の厚さは、２．０μｍ以下であるので、良好な伝送特性を有するケーブルを提供することが可能となった。 However, a cable used for high-speed transmission of data using a pulse signal or the like has a problem that further improvement in transmission characteristics is required. Then, an object of this invention is to provide the cable which can solve this subject.
In order to solve the above-described problem, the cable disclosed in the embodiment is configured such that a signal line having an inner conductor and a dielectric layer disposed on the outer periphery of the inner conductor is at least partially in contact with the outer periphery of the signal line. The shield layer has an insulator layer and a conductive layer, and the thickness of the conductive layer is 2.0 μm or less.
According to the disclosed cable, since the thickness of the conductive layer of the shield layer is 2.0 μm or less, it is possible to provide a cable having good transmission characteristics.

図１は、本発明に係る実施形態に従うケーブルの一例を示す図である。
図２は、本発明に係る実施形態に従うケーブルの他の例を示す図である。
図３は、図１に示すケーブル及び比較される他のケーブルの挿入損失特性を示す図である。
図４は、本発明に係る実施形態に従うケーブル及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の一例を示す図である。
図５は、本発明に係る実施形態に従うケーブル及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。
図６は、本発明に係る実施形態に従うケーブル及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。
図７は、本発明に係る実施形態に従うケーブル及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。
図８は、本発明に係る実施形態に従うケーブルの他の例を示す図である。 FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a cable according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating another example of the cable according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing insertion loss characteristics of the cable shown in FIG. 1 and other cables to be compared.
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of eye pattern characteristics of a cable according to an embodiment of the present invention and another cable to be compared.
FIG. 5 is a diagram showing another example of eye pattern characteristics of the cable according to the embodiment of the present invention and another cable to be compared.
FIG. 6 is a diagram showing another example of eye pattern characteristics of the cable according to the embodiment of the present invention and another cable to be compared.
FIG. 7 is a diagram showing another example of eye pattern characteristics of the cable according to the embodiment of the present invention and other cables to be compared.
FIG. 8 is a diagram showing another example of the cable according to the embodiment of the present invention.

　以下、本発明に係る実施形態に従うケーブルについて、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明の開示において提供される図は、本発明の説明を意図したものであり、構成素子の大きさの比率を示すことを意図したものではないことを理解されたい。また、それぞれの図面において、同一、又は類似する機能を有する構成要素には、同一、又は類似する符号が付される。したがって、先に説明した構成要素と同一、又は類似する機能を有する構成要素に関しては、改めて説明をしないことがある。
　高周波信号減衰の改良に関する従来の技術として、特開平９−１０２２１７号公報（その他には、特開平６−２６７３４１号公報）には、導電性基体とその上に導電性被覆を設けた外部導体が開示されているが、近年の高速伝送ケーブル分野では更なる性能の向上が望まれていた。上記公報の技術について詳細に検討したところ、その導電性被覆の厚さを表皮深さ程度に抑えることで、低周波成分を減衰させてはいるものの、比較的厚めの導電性基体があるため、結局そこを流れる低周波成分が存在することで、低周波成分の減衰が完全ではないとわかった。そこで、本発明では、低周波成分を極限まで減衰させるために、上記導電性被覆に相当する導電層を極めて薄くしたうえで、導電性基体（例えば、鉄、ニッケル）は用いず、代わりに絶縁体層を設けるようにしたところ、後述する優れた高周波伝送特性が確認された。
　従来のケーブルのシールド層の金属薄板は圧延処理（圧延処理では、比較的厚めの金属層に仕上がりやすい。）で形成されており、ドレイン線を介して接地されるときの接地抵抗の上昇を抑えるため、シールド層を形成する導電層の厚さは厚くすることが好ましいとされており、５~１０〔μｍ〕程度の板厚を有していたが、本発明は、その全く逆の結果をとることになった。
　以下、図１を参照して、本発明に係る第１実施形態に従うケーブルについて説明する。図１（ａ）は、ケーブル１を示す断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すケーブル２の矢印Ａで示される破線で囲まれた部分の部分拡大図である。
　ケーブル１は、第１信号線１０と、第２信号線２０と、シールド層３０と、ドレイン線４０と、ジャケット５０とを有する。第１信号線１０は、内部導体１１と、内部導体１１の外周に配置される誘電体層１２とを有する。内部導体１１は、鉄など固有抵抗が比較的大きい磁性体材料で形成される芯材と、銀、銅、金又はアルミニウムなど固有抵抗が比較的小さい良導電性金属で形成され且つ芯材の周囲に配置される被覆層とを有する。誘電体層１２は、多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ｅｘｐａｎｄｅｄ　ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ、ｅＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂で形成される。第２信号線２０は、第１信号線１０の内部導体１１及び誘電体層１２にそれぞれ対応する内部導体２１と、誘電体層２２とを有する。
　シールド層３０は、第１信号線１０及び第２信号線２０の外周に少なくとも一部が接するように螺旋状に巻回され配置される。図１（ｂ）に示すように、シールド層３０は、導電層３１と導電層３１の内側に配置される絶縁体層３２とを有する。
　導電層３１の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さである。すなわち、導電層３１の厚さは、伝送される信号の周波数ｆと、導電層３１を形成する材料の固有抵抗ρとに基づいて決定される表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。
　式（１）は、表皮深さδ〔ｍｍ〕を示す式である。

　ここで、ρは、導電層３１を形成する材料の固有抵抗〔Ω・ｃｍ〕であり、ｆは第１及び第２信号線１０及び２０により伝送される信号の周波数〔ＭＨｚ〕であり、μ_０は真空の透磁率、すなわち４π×１０^−７〔Ｈ／ｍ〕であり、μ_ｒは比透磁率である。表１に種々の金属の２０度の温度での固有抵抗、すなわち体積固有抵抗と、比透磁率μ_ｒと密度とを示す。

　式（１）及び表１を参照することにより、伝送する信号の周波数ｆ及び導電層３１を形成する材料の固有抵抗ρと、表皮深さδに相当する導電層３１の厚さｄとの関係が演算される。例えば、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを１〔μｍ〕とする。この場合、式（１）及び表１から演算される周波数ｆは、基本周波数４．１〔ＧＨｚ〕となる。基本周波数が４．１〔ＧＨｚ〕である信号は、ビットレートが８．２〔Ｇｂｐｓ〕である信号に相当する。このため、８．２〔Ｇｂｐｓ〕以上の周波数を有する信号成分の減衰量は、１０〔μｍ〕程度の厚さを有する導電層を有する従来のケーブルとほぼ同等にできる一方、８．２〔Ｇｂｐｓ〕以下のビットレートを有する信号成分の減衰量は比較的大きくできる。これから、シールド層をこのような構成にすることにより、８．２〔Ｇｂｐｓ〕以下のビットレートを有する信号成分の減衰量は比較的大きくできるので、８．２〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性が改善されることになる。
　同様に、３．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを１．６５〔μｍ〕程度とする。また、導電層３１を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層３１の厚さｄを１．７０〔μｍ〕程度とする。さらに、導電層３１を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層３１の厚さｄを２．１３〔μｍ〕程度とする。
　また、６．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを１．１７〔μｍ〕程度とする。また、導電層３１を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層３１の厚さｄを１．２０〔μｍ〕程度とする。さらに、導電層３１を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層３１の厚さｄを１．５０〔μｍ〕程度とする。
　また、１０．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを０．９１〔μｍ〕程度とする。また、導電層３１を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層３１の厚さｄを０．９３〔μｍ〕程度とする。さらに、導電層３１を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層３１の厚さｄを１．１６〔μｍ〕程度とする。
　また、２０．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１を形成する材料として銀を使用し、導電層３１の厚さｄを０．６４〔μｍ〕程度とする。また、導電層３１を形成する材料として銅を使用する場合は、導電層３１の厚さｄを０．６６〔μｍ〕程度とする。さらに、導電層３１を形成する材料としてアルミニウムを使用する場合は、導電層３１の厚さｄを０．８２〔μｍ〕程度とする。
　このように、導電層３１を形成する材料として銀、銅又はアルミニウムのいずれか１つの金属を使用して３．０~２０．０〔Ｇｂｐｓ〕のビットレートで伝送される信号の伝送特性を改善するためには、導電層３１の厚さｄを２．００〔μｍ〕程度以下の厚さとすることが好ましい。しかしながら、一方で導電層３１の厚さｄを薄くすることにより導電層３１の電気抵抗が大きくなり、信号の伝送特性が悪化するおそれがある。そこで、０．５０〔μｍ〕以上とすることが望ましい。
　絶縁体層３２は、信号線１０の誘電体層１２及び信号線２０の誘電体層２２の外周に少なくとも一部が接するように配置される。絶縁体層３２は、ポリエチレンテフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）などにより形成される。
　ドレイン線４０は、導電層３１の外周の一端が接するようにシールド層３０に並行して配置される。ドレイン線４０は、銀めっき軟銅線で形成される。ケーブル長に基づいてドレイン線４０の口径を適切に選択することにより、導電層３１の厚さを薄い場合でもケーブル１は接地抵抗を低くすることができる
　ジャケット５０は、第１信号線１０及び第２信号線２０の外周に巻回されるシールド層３０と、ドレイン線４０との外側を被覆するように配置される。ジャケット５０は、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｙｌｅｎｅ−Ｈｅｘａｆｌｕｏｒｏｐｒｏｐｙｌｅｎ　Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ、ＦＥＰ）、エチレン−テトラフルオロエチレン（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ、ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｙｌｅｎｅ−Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｖｉｎｙｌｅｔｈｅｒ　Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ、ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、ポリエステル又はポリエステルテープ巻きで形成される。
　次に、ケーブル１の製造方法について説明する。まず、第１信号線１０及び第２信号線２０の内部導体１１及び２１の製造方法について説明する。内部導体１１及び２１は、磁性体材料で形成される芯材の周囲に被覆層をメッキ処理等により形成することにより製造される。次いで、押出機（図示せず）において誘電体素材が押出されて、内部導体１１及び２１の外周に誘電体層１２及び２２がそれぞれ被覆されて、第１信号線１０及び第２信号線２０がそれぞれ形成される。
　シールド層３０は、絶縁体層３２の一方の面に導電層３１を形成する金属を蒸着させることにより形成される。５~１０〔μｍ〕程度の厚さを有する従来の導電層は、圧延処理により形成された導電層用金属素材が使用される。具体的には、従来のケーブルのシールド層では、圧延処理により形成されたアルミ箔とポリエチレンテフタレートとを、ポリ塩化ビニル（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃｈｌｏｒｉｄｅ、ＰＶＣ）を介して積層してテープ状に形成した金属化テープが使用される。この金属テープは、一般にアルペット（ＡＬＰＥＴ）とも称される。しかしながら、０．５０~２．００〔μｍ〕程度の厚さを有する金属層を圧延処理で形成することは容易でないため、シールド層３０は、絶縁体層３２に金属を蒸着することにより形成される。
　シールド層３０は、導電層３１が絶縁体層３２の外側になるように第１信号線１０及び第２信号線２０の誘電体層１２及び２２の外周に螺旋状に巻回される。次いで、第１信号線１０及び第２信号線の中心軸と、ドレイン線４０の中心軸が同一平面上に位置するように、ジャケット５０がシールド層３０及びドレイン線４０の外側に被覆される。ジャケット５０の被覆には、押出機（図示せず）が使用される。
　次に、図２を参照して、本発明に係る第２実施形態に従うケーブルについて説明する。図２（ａ）は、ケーブル２を示す断面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すケーブル２の矢印Ｂで示される破線で囲まれた部分の部分拡大図である。
　ケーブル２は、第１信号線１０と、第２信号線２０と、シールド層３０と、ドレイン線４０とを有する。シールド層３０は、導電層３１と導電層３１の外側に配置される絶縁体層３２とを有する。導電層３１は、外周の一端がドレイン線４０に接するようにドレイン線４０と並列に配置される。導電層３１の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さであり、表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。絶縁体層３２は、信号線１０の誘電体層１２の外周に少なくとも一部が接するように配置される。
　図２に示されるケーブル２は、ドレイン線４０が第１信号線１０及び第２信号線２０に隣接して配置されること、及び導電層３１が内側に配置されていることが、図１に示されるケーブル１と相違する。ケーブル２では、低周波の信号成分が流れやすいドレイン線４０が第１信号線１０及び第２信号線２０に隣接して配置されるため、ドレイン線４０を介して低周波の信号成分がケーブル２を流れやすくなる。このため、ケーブル２では、低周波の信号成分の減衰量は、図１に示されるケーブル１における低周波の信号成分の減衰量よりも小さくなる。したがって、図１に示すケーブル１とケーブル２とを比較すると、図１に示されるケーブル１の方が好ましい高周波パルス信号伝送特性を得られやすい構成である。
　次に、図３~７を参照して、ケーブル１及び比較される他のケーブルのアイパターン特性試験の結果について説明する。図３は、ケーブル１及び比較される他のケーブルの挿入損失（Ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ　Ｌｏｓｓ）特性を示す図である。図４~７は、ケーブル１及び比較される他のケーブルのアイパターン特性の他の例を示す図である。
　この試験では、４つの試料１~４が使用された。試料１~４は全て口径が０．９８〔ｍｍ〕の２本の信号線を有する２芯ケーブルである。試料１~４の信号線の内部導体の口径は全て０．４０４〔ｍｍ〕である。また、試料１~４のドレイン線及びジャケットは全て同一口径を有する同一素材で形成された。具体的には、ドレイン線の口径は０．２５４〔ｍｍ〕であり、素材は銀めっき軟銅である。また、ジャケットの厚さは０．０８〔ｍｍ〕であり、素材はＦＥＰである。
　表２に試験に使用された試料１~４の内部導体及びシールド層の構成を示す。

　試料１では、内部導体は銀めっき軟銅で形成され、シールド層は厚さが１０〔μｍ〕であるアルミニウムを含むアルミポリエステルで形成される。試料２では、内部導体は銀めっき軟銅で形成され、シールド層は厚さが１〔μｍ〕である銅を含む銅蒸着ポリエステルで形成される。試料３では、内部導体は厚さが１．５〔μｍ〕である銀でめっきされた銀めっき鉄線で形成され、シールド層は厚さが１０〔μｍ〕であるアルミニウムを含むアルミポリエステルで形成される。試料４では、内部導体は厚さが１．５〔μｍ〕である銀でめっきされた銀めっき鉄線で形成され、シールド層は厚さが１〔μｍ〕である銅を含む銅蒸着ポリエステルで形成される。試料１及び３のシールド層を形成するアルミニウム並びに試料２及び４のシールド層を形成する銅はそれぞれ絶縁体層の外側に配置される。
　表２に示すように、試料１及び３は従来のシールド層が使用され、試料２及び４は銅を蒸着することにより形成されるシールド層が使用される。また、試料１と試料２とは同一構成の信号線が使用され、試料３と試料４とは同一構成の信号線が使用される。
　表３において、ケーブル長が１０〔ｍ〕である試料１~４の挿入損失特性を示す。表３の試料１~４はそれぞれ、表２の試料１~４に対応する。

　図３に、表３に対応するグラフを示す。図３において、一点破線で示す曲線１０１が試料１の挿入損失特性を示し、破線で示す曲線１０２が試料２の挿入損失特性を示し、二点破線で示す曲線１０３が試料３の挿入損失特性を示し、実線で示す曲線１０４が試料１の挿入損失特性を示す。同一構成の信号線を有する試料１の挿入損失特性と試料２の挿入損失特性とを比較すると、試料２は、低周波数領域で試料１よりも挿入損失が大きくなっている。したがって、試料２は、試料１よりも信号の低周波成分が減衰されている。また、同一構成の信号線を有する試料３の挿入損失特性と試料４の挿入損失特性とを比較すると、試料４は、低周波数領域で試料３よりも挿入損失が大きくなっている。したがって、試料４は、試料３よりも信号の低周波成分が減衰されている。
　表４及び５において試料１~４のアイパターンのピークツーピークジッタ（Ｐｅａｋ　ｔｏ　Ｐｅａｋ　Ｊｉｔｔｅｒ、ＰＰＪｉ）〔ｐｓ〕及びアイハイト（Ｅｙｅ　Ｈｅｉｇｈｔ、ＥｙｅＨ）〔ｍＶ〕をそれぞれ示す。ピークツーピークジッタは、アイパターンにおける交差点の時間軸方向の幅を示し、ピークツーピークジッタの値が小さいほど良好な損失特性を有することを示す。一方、アイハイトは、アイパターンの開口部の電圧軸方向の幅を示し、アイハイトの値が大きいほど良好な損失特性を有することを示す。表４は、ケーブル長が５〔ｍ〕であるケーブルを使用した実験結果であり、表５は、ケーブル長が１０〔ｍ〕であるケーブルを使用した実験結果である。表４及び５において、測定ができなかった項目は「−」で示される。

　表４及び５に示すように、試料１と試料２を比較すると、測定周波数の大きさに関わらず、ピークツーピークジッタは試料１よりも試料２の方が小さく、アイハイトは試料１よりも試料２の方が大きい。また、試料３と試料４を比較すると、測定周波数の大きさに関わらず、ピークツーピークジッタは試料３よりも試料４の方が小さく、アイハイトは試料３よりも試料４の方が大きい。
　図４~７において、表４及び５にそれぞれ対応するアイパターンを示す。図４（Ａ）~４（Ｃ）は、ケーブル長が５〔ｍ〕の試料１のパターンであり、図４（Ｄ）~４（Ｆ）は、ケーブル長が５〔ｍ〕の試料２のパターンである。測定信号の周波数は、図４（Ａ）及び４（Ｄ）が３．１２５〔Ｇｂｐｓ〕であり、図４（Ｂ）及び４（Ｅ）が６．２５０〔Ｇｂｐｓ〕であり、図４（Ｃ）及び４（Ｆ）が１２．５００〔Ｇｂｐｓ〕である。
　図５（Ａ）~５（Ｃ）は、ケーブル長が５〔ｍ〕の試料３のパターンであり、図５（Ｄ）~５（Ｆ）は、ケーブル長が５〔ｍ〕の試料４のパターンである。測定信号の周波数は、図５（Ａ）及び５（Ｄ）が３．１２５〔Ｇｂｐｓ〕であり、図５（Ｂ）及び５（Ｅ）が６．２５０〔Ｇｂｐｓ〕であり、図５（Ｃ）及び５（Ｆ）が１２．５００〔Ｇｂｐｓ〕である。
　図６（Ａ）~６（Ｃ）は、ケーブル長が１０〔ｍ〕の試料１のパターンであり、図６（Ｄ）~６（Ｆ）は、ケーブル長が１０〔ｍ〕の試料２のパターンである。測定信号の周波数は、図６（Ａ）及び６（Ｄ）が３．１２５〔Ｇｂｐｓ〕であり、図６（Ｂ）及び６（Ｅ）が６．２５０〔Ｇｂｐｓ〕であり、図６（Ｃ）及び６（Ｆ）が１２．５００〔Ｇｂｐｓ〕である。
　図７（Ａ）~７（Ｃ）は、ケーブル長が１０〔ｍ〕の試料３のパターンであり、図７（Ｄ）~７（Ｆ）は、ケーブル長が１０〔ｍ〕の試料４のパターンである。測定信号の周波数は、図７（Ａ）及び７（Ｄ）が３．１２５〔Ｇｂｐｓ〕であり、図７（Ｂ）及び７（Ｅ）が６．２５０〔Ｇｂｐｓ〕であり、図７（Ｃ）及び７（Ｆ）が１２．５００〔Ｇｂｐｓ〕である。
　いずれのケーブルの長さ及び測定信号の周波数においても、試料２のアイパターンは、試料１のアイパターンよりもアイが開いており、試料４のアイパターンは、試料３のアイパターンよりもアイが開いている。
　次に、図８を参照して、本発明に係る第３実施形態に従うケーブルについて説明する。図８は、ケーブル３を示す断面図である。
　ケーブル３は、信号線１０と、シールド層３０と、ドレイン線４０と、ジャケット５０とを有する。シールド層３０は、導電層３１と導電層３１の内側に配置される絶縁体層３２とを有する。導電層３１は、外周の一端がドレイン線４０に接するようにドレイン線４０と並列に配置される。導電層３１の厚さは、所定の周波数よりも低い周波数を有する信号成分を減衰させる厚さであり、表皮深さδに相当する厚さになるように形成される。絶縁体層３２は、信号線１０の誘電体層１２の外周に少なくとも一部が接するように配置される。
　以上、図１~８を参照して、本発明に係る実施形態を説明してきた。しかしながら、本発明の精神、及び範囲を逸脱しない範囲内で、様々な変化及び変形を行うことができることが理解されるであろう。
　例えば、図１に示されるケーブル１は２本の信号線１０及び２０を有するツインケーブルであり、図８に示されるケーブル１は１本の信号線１０を有する同軸ケーブルである。しかしながら、本発明は、４本の信号線を有するクワッドケーブルなど単数又は複数の信号線を有するケーブルにも適用可能である。また、第１信号線１０及び２０の内部導体１１及び１２はそれぞれ、磁性体材料で形成される芯材と、芯材の周囲に配置される被覆層とで形成されるが、銀めっき軟銅など他の導体で形成されてもよい。
　また、図１、２及び８に示されるケーブル１~３は、ドレイン線４０をそれぞれ有するが、ケーブル長が短いなど接地抵抗の上昇が考慮されない場合などでは、本発明に係るケーブルは、ドレイン線４０は有さなくてもよい。さらに、シールド層３０は、縦沿えに設けてもよい。 Hereinafter, a cable according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be understood that the figures provided in the disclosure of the present invention are intended to illustrate the present invention and are not intended to indicate the proportions of component sizes. Moreover, in each drawing, the same or similar code | symbol is attached | subjected to the component which has the same or similar function. Therefore, a component having the same or similar function as the component described above may not be described again.
As a conventional technique for improving high-frequency signal attenuation, Japanese Patent Laid-Open No. 9-102217 (in addition, Japanese Patent Laid-Open No. 6-267341) discloses a conductive substrate and an outer conductor provided with a conductive coating thereon. Although disclosed, in the recent high-speed transmission cable field, further improvement in performance has been desired. When the technique of the above publication is examined in detail, the thickness of the conductive coating is suppressed to about the skin depth, so that the low frequency component is attenuated, but there is a relatively thick conductive substrate, Eventually, the presence of low-frequency components flowing through them proved that the attenuation of the low-frequency components was not perfect. Therefore, in the present invention, in order to attenuate the low frequency component to the limit, the conductive layer corresponding to the conductive coating is made extremely thin, and a conductive substrate (for example, iron, nickel) is not used. When the body layer was provided, the excellent high frequency transmission characteristics described later were confirmed.
The metal thin plate of the shield layer of the conventional cable is formed by a rolling process (in the rolling process, it is easy to finish a relatively thick metal layer), and suppresses an increase in grounding resistance when grounded via a drain wire. For this reason, it is considered preferable to increase the thickness of the conductive layer forming the shield layer, and it has a plate thickness of about 5 to 10 [μm]. I decided to take it.
Hereinafter, a cable according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a cross-sectional view showing the cable 1. FIG.1 (b) is the elements on larger scale of the part enclosed with the broken line shown by the arrow A of the cable 2 shown to Fig.1 (a).
The cable 1 includes a first signal line 10, a second signal line 20, a shield layer 30, a drain line 40, and a jacket 50. The first signal line 10 includes an inner conductor 11 and a dielectric layer 12 disposed on the outer periphery of the inner conductor 11. The inner conductor 11 is formed of a core material made of a magnetic material having a relatively large specific resistance such as iron, and a highly conductive metal having a relatively small specific resistance such as silver, copper, gold, or aluminum and around the core material. And a coating layer disposed on the substrate. The dielectric layer 12 is made of a fluororesin such as porous polytetrafluoroethylene (ePTFE). The second signal line 20 includes an inner conductor 21 corresponding to the inner conductor 11 and the dielectric layer 12 of the first signal line 10, and a dielectric layer 22.
The shield layer 30 is spirally wound and disposed so that at least a part thereof is in contact with the outer periphery of the first signal line 10 and the second signal line 20. As shown in FIG. 1B, the shield layer 30 includes a conductive layer 31 and an insulator layer 32 disposed inside the conductive layer 31.
The thickness of the conductive layer 31 is a thickness that attenuates a signal component having a frequency lower than a predetermined frequency. That is, the thickness of the conductive layer 31 is a thickness corresponding to the skin depth δ determined based on the frequency f of the transmitted signal and the specific resistance ρ of the material forming the conductive layer 31. It is formed.
Expression (1) is an expression indicating the skin depth δ [mm].

Here, ρ is a specific resistance [Ω · cm] of the material forming the conductive layer 31, f is a frequency [MHz] of a signal transmitted through the first and

second signal lines

10 and 20, and μ ₀ is the vacuum magnetic permeability, that is, 4 [pi] × ^{10 -7} [H / m], the mu _r is the relative permeability. Table 1 shows specific resistances of various metals at a temperature of 20 ° C., that is, volume specific resistance, relative magnetic permeability μ _r and density.

By referring to Equation (1) and Table 1, the relationship between the frequency f of the signal to be transmitted, the specific resistance ρ of the material forming the conductive layer 31, and the thickness d of the conductive layer 31 corresponding to the skin depth δ. Is calculated. For example, silver is used as a material for forming the conductive layer 31, and the thickness d of the conductive layer 31 is 1 [μm]. In this case, the frequency f calculated from the equation (1) and Table 1 is the fundamental frequency 4.1 [GHz]. A signal having a fundamental frequency of 4.1 [GHz] corresponds to a signal having a bit rate of 8.2 [Gbps]. For this reason, the attenuation amount of the signal component having a frequency of 8.2 [Gbps] or more can be made substantially equal to that of the conventional cable having a conductive layer having a thickness of about 10 [μm], while 8.2 [Gbps]. The amount of attenuation of signal components having the following bit rates can be made relatively large. Since the shield layer has such a configuration, the attenuation of a signal component having a bit rate of 8.2 [Gbps] or less can be made relatively large, so that the signal is transmitted at a bit rate of 8.2 [Gbps]. The transmission characteristics of the signal will be improved.
Similarly, in order to improve the transmission characteristics of a signal transmitted at a bit rate of 3.0 [Gbps], silver is used as a material for forming the conductive layer 31, and the thickness d of the conductive layer 31 is set to 1. It is set to about 65 [μm]. Moreover, when using copper as a material which forms the conductive layer 31, the thickness d of the conductive layer 31 shall be about 1.70 [micrometers]. Further, when aluminum is used as a material for forming the conductive layer 31, the thickness d of the conductive layer 31 is set to about 2.13 [μm].
Further, in order to improve the transmission characteristics of a signal transmitted at a bit rate of 6.0 [Gbps], silver is used as a material for forming the conductive layer 31, and the thickness d of the conductive layer 31 is 1.17. About [μm]. When copper is used as the material for forming the conductive layer 31, the thickness d of the conductive layer 31 is set to about 1.20 [μm]. Further, when aluminum is used as a material for forming the conductive layer 31, the thickness d of the conductive layer 31 is set to about 1.50 [μm].
Further, in order to improve the transmission characteristics of signals transmitted at a bit rate of 10.0 [Gbps], silver is used as a material for forming the conductive layer 31, and the thickness d of the conductive layer 31 is set to 0.91. About [μm]. In addition, when copper is used as a material for forming the conductive layer 31, the thickness d of the conductive layer 31 is set to about 0.93 [μm]. Further, when aluminum is used as a material for forming the conductive layer 31, the thickness d of the conductive layer 31 is set to about 1.16 [μm].
Further, in order to improve the transmission characteristics of a signal transmitted at a bit rate of 20.0 [Gbps], silver is used as a material for forming the conductive layer 31, and the thickness d of the conductive layer 31 is set to 0.64. About [μm]. Further, when copper is used as the material for forming the conductive layer 31, the thickness d of the conductive layer 31 is set to about 0.66 [μm]. Further, when aluminum is used as a material for forming the conductive layer 31, the thickness d of the conductive layer 31 is set to about 0.82 [μm].
In this way, the transmission characteristics of signals transmitted at a bit rate of 3.0 to 20.0 [Gbps] are improved by using any one metal of silver, copper or aluminum as a material for forming the conductive layer 31. In order to achieve this, the thickness d of the conductive layer 31 is preferably about 2.00 [μm] or less. However, on the other hand, reducing the thickness d of the conductive layer 31 increases the electrical resistance of the conductive layer 31, which may deteriorate the signal transmission characteristics. Therefore, it is desirable to set it to 0.50 [μm] or more.
The insulator layer 32 is disposed so that at least a part thereof is in contact with the outer periphery of the dielectric layer 12 of the signal line 10 and the dielectric layer 22 of the signal line 20. The insulator layer 32 is formed of polyethylene terephthalate (PET) or the like.
The drain line 40 is arranged in parallel with the shield layer 30 so that one end of the outer periphery of the conductive layer 31 is in contact. The drain wire 40 is formed of a silver plated annealed copper wire. By appropriately selecting the aperture of the drain line 40 based on the cable length, the cable 1 can reduce the ground resistance even when the conductive layer 31 is thin. The jacket 50 is formed of the first signal line 10 and the first signal line 10. It arrange | positions so that the outer side of the shield layer 30 wound around the outer periphery of the 2 signal wire | line 20 and the drain wire 40 may be coat | covered. The jacket 50 is composed of a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (Tetrafluoroethylene-Hexafluoropropylene Copolymer, FEP), an ethylene-tetrafluoroethylene (ETFE), a tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (TFE), and a tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer (TFE). Copolymer, PFA) or other fluororesin, polyester or polyester tape winding.
Next, a method for manufacturing the cable 1 will be described. First, a method for manufacturing the

inner conductors

11 and 21 of the first signal line 10 and the second signal line 20 will be described. The

internal conductors

11 and 21 are manufactured by forming a coating layer around the core made of a magnetic material by plating or the like. Next, the dielectric material is extruded in an extruder (not shown), and the outer circumferences of the

inner conductors

11 and 21 are covered with the

dielectric layers

12 and 22, respectively, and the first signal line 10 and the second signal line 20 are formed. Each is formed.
The shield layer 30 is formed by depositing a metal that forms the conductive layer 31 on one surface of the insulator layer 32. As the conventional conductive layer having a thickness of about 5 to 10 [μm], a conductive layer metal material formed by rolling is used. Specifically, in a conventional cable shield layer, a metallized tape formed by laminating an aluminum foil and polyethylene terephthalate formed by a rolling process via polyvinyl chloride (PVC) to form a tape shape. Is used. This metal tape is generally also referred to as Alpet. However, since it is not easy to form a metal layer having a thickness of about 0.50 to 2.00 [μm] by rolling, the shield layer 30 is formed by vapor-depositing a metal on the insulator layer 32. The
The shield layer 30 is spirally wound around the outer periphery of the

dielectric layers

12 and 22 of the first signal line 10 and the second signal line 20 so that the conductive layer 31 is outside the insulator layer 32. Next, the jacket 50 is covered outside the shield layer 30 and the drain line 40 so that the central axes of the first signal line 10 and the second signal line and the central axis of the drain line 40 are located on the same plane. An extruder (not shown) is used for covering the jacket 50.
Next, a cable according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2A is a cross-sectional view showing the cable 2. FIG. 2B is a partially enlarged view of a portion surrounded by a broken line indicated by an arrow B of the cable 2 shown in FIG.
The cable 2 includes a first signal line 10, a second signal line 20, a shield layer 30, and a drain line 40. The shield layer 30 includes a conductive layer 31 and an insulator layer 32 disposed outside the conductive layer 31. The conductive layer 31 is arranged in parallel with the drain line 40 so that one end of the outer periphery is in contact with the drain line 40. The thickness of the conductive layer 31 is a thickness that attenuates a signal component having a frequency lower than a predetermined frequency, and is formed to have a thickness corresponding to the skin depth δ. The insulator layer 32 is disposed so that at least a part thereof is in contact with the outer periphery of the dielectric layer 12 of the signal line 10.
The cable 2 shown in FIG. 2 shows that the drain line 40 is arranged adjacent to the first signal line 10 and the second signal line 20 and that the conductive layer 31 is arranged inside. Different from the cable 1 shown. In the cable 2, the drain line 40 in which a low-frequency signal component easily flows is disposed adjacent to the first signal line 10 and the second signal line 20, and thus the low-frequency signal component is transmitted through the drain line 40. It becomes easy to flow. For this reason, in the cable 2, the attenuation amount of the low frequency signal component is smaller than the attenuation amount of the low frequency signal component in the cable 1 shown in FIG. Therefore, when the cable 1 and the cable 2 shown in FIG. 1 are compared, the cable 1 shown in FIG.
Next, with reference to FIGS. 3 to 7, the results of eye pattern characteristic tests of the cable 1 and other cables to be compared will be described. FIG. 3 is a diagram illustrating insertion loss characteristics of the cable 1 and other cables to be compared. 4 to 7 are diagrams showing other examples of eye pattern characteristics of the cable 1 and other cables to be compared.
In this test, four samples 1 to 4 were used. Samples 1 to 4 are all 2-core cables having two signal lines with a diameter of 0.98 [mm]. The diameters of the inner conductors of the signal lines of Samples 1 to 4 are all 0.404 [mm]. The drain wires and jackets of Samples 1 to 4 were all formed of the same material having the same diameter. Specifically, the diameter of the drain wire is 0.254 [mm], and the material is silver-plated annealed copper. Further, the thickness of the jacket is 0.08 [mm], and the material is FEP.
Table 2 shows the configuration of the inner conductor and the shield layer of Samples 1 to 4 used in the test.

In sample 1, the inner conductor is made of silver-plated annealed copper, and the shield layer is made of aluminum polyester containing aluminum having a thickness of 10 [μm]. In Sample 2, the inner conductor is formed of silver-plated annealed copper, and the shield layer is formed of copper-deposited polyester containing copper having a thickness of 1 [μm]. In sample 3, the inner conductor is formed of silver-plated iron wire plated with silver having a thickness of 1.5 [μm], and the shield layer is formed of aluminum polyester containing aluminum having a thickness of 10 [μm]. The In Sample 4, the inner conductor is formed of a silver-plated iron wire plated with silver having a thickness of 1.5 [μm], and the shield layer is formed of copper-deposited polyester containing copper having a thickness of 1 [μm]. Is done. Aluminum forming the shield layer of

Samples

1 and 3 and copper forming the shield layer of Samples 2 and 4 are respectively arranged outside the insulator layer.
As shown in Table 2, a conventional shield layer is used for

samples

1 and 3, and a shield layer formed by depositing copper is used for samples 2 and 4. Sample 1 and sample 2 use the same configuration signal line, and sample 3 and sample 4 use the same configuration signal line.
Table 3 shows the insertion loss characteristics of Samples 1 to 4 having a cable length of 10 [m]. Samples 1 to 4 in Table 3 correspond to Samples 1 to 4 in Table 2, respectively.

FIG. 3 shows a graph corresponding to Table 3. In FIG. 3, a curve 101 indicated by a dashed line indicates the insertion loss characteristic of the sample 1, a curve 102 indicated by a broken line indicates the insertion loss characteristic of the sample 2, and a curve 103 indicated by a two-dot broken line indicates the insertion loss characteristic of the sample 3. The curve 104 shown by the solid line shows the insertion loss characteristic of Sample 1. Comparing the insertion loss characteristic of the sample 1 having the signal line with the same configuration with the insertion loss characteristic of the sample 2, the insertion loss of the sample 2 is larger than that of the sample 1 in the low frequency region. Therefore, the sample 2 has a signal with a lower frequency component attenuated than the sample 1. Further, comparing the insertion loss characteristic of the sample 3 having the signal line having the same configuration with the insertion loss characteristic of the sample 4, the insertion loss of the sample 4 is larger than that of the sample 3 in the low frequency region. Therefore, the sample 4 has a lower frequency component of the signal attenuated than the sample 3.
Tables 4 and 5 show the peak-to-peak jitter (PPJi) [ps] and eye height (EyeH) [mV] of the eye patterns of Samples 1 to 4, respectively. The peak-to-peak jitter indicates the width of the intersection in the eye pattern in the time axis direction, and the smaller the peak-to-peak jitter value, the better the loss characteristic. On the other hand, the eye height indicates the width of the opening portion of the eye pattern in the voltage axis direction, and the larger the eye height value, the better the loss characteristics. Table 4 shows experimental results using a cable having a cable length of 5 [m], and Table 5 shows experimental results using a cable having a cable length of 10 [m]. In Tables 4 and 5, items that could not be measured are indicated by “−”.

As shown in Tables 4 and 5, when comparing sample 1 and sample 2, regardless of the measurement frequency, the peak-to-peak jitter is smaller in sample 2 than in sample 1, and the eye height is lower than in sample 1. 2 is larger. Further, when comparing the sample 3 and the sample 4, regardless of the magnitude of the measurement frequency, the peak-to-peak jitter is smaller in the sample 4 than in the sample 3, and the eye height is larger in the sample 4 than in the sample 3.
4 to 7, eye patterns corresponding to Tables 4 and 5 are shown. 4 (A) to 4 (C) are patterns of the sample 1 with a cable length of 5 [m], and FIGS. 4 (D) to 4 (F) are the patterns of the sample 2 with a cable length of 5 [m]. It is a pattern. The frequency of the measurement signal is 3.125 [Gbps] in FIGS. 4 (A) and 4 (D), 6.250 [Gbps] in FIGS. 4 (B) and 4 (E), and FIG. ) And 4 (F) are 12.500 [Gbps].
5 (A) to 5 (C) are patterns of the sample 3 with a cable length of 5 [m], and FIGS. 5 (D) to 5 (F) are the patterns of the sample 4 with a cable length of 5 [m]. It is a pattern. The frequency of the measurement signal is 3.125 [Gbps] in FIGS. 5 (A) and 5 (D), 6.250 [Gbps] in FIGS. 5 (B) and 5 (E), and FIG. ) And 5 (F) are 12.500 [Gbps].
6 (A) to 6 (C) are patterns of the sample 1 with a cable length of 10 [m], and FIGS. 6 (D) to 6 (F) are the patterns of the sample 2 with a cable length of 10 [m]. It is a pattern. The frequency of the measurement signal is 3.125 [Gbps] in FIGS. 6 (A) and 6 (D), 6.250 [Gbps] in FIGS. 6 (B) and 6 (E), and FIG. ) And 6 (F) are 12.500 [Gbps].
7A to 7C are patterns of the sample 3 with a cable length of 10 [m], and FIGS. 7D to 7F are the patterns of the sample 4 with a cable length of 10 [m]. It is a pattern. The frequency of the measurement signal is 3.125 [Gbps] in FIGS. 7 (A) and 7 (D), 6.250 [Gbps] in FIGS. 7 (B) and 7 (E), and FIG. ) And 7 (F) are 12.500 [Gbps].
At any cable length and measurement signal frequency, the eye pattern of sample 2 is more open than the eye pattern of sample 1, and the eye pattern of sample 4 is more eye-open than the eye pattern of sample 3. is open.
Next, a cable according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view showing the cable 3.
The cable 3 includes a signal line 10, a shield layer 30, a drain line 40, and a jacket 50. The shield layer 30 includes a conductive layer 31 and an insulator layer 32 disposed inside the conductive layer 31. The conductive layer 31 is arranged in parallel with the drain line 40 so that one end of the outer periphery is in contact with the drain line 40. The thickness of the conductive layer 31 is a thickness that attenuates a signal component having a frequency lower than a predetermined frequency, and is formed to have a thickness corresponding to the skin depth δ. The insulator layer 32 is disposed so that at least a part thereof is in contact with the outer periphery of the dielectric layer 12 of the signal line 10.
The embodiment according to the present invention has been described above with reference to FIGS. However, it will be understood that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the invention.
For example, the cable 1 shown in FIG. 1 is a twin cable having two

signal lines

10 and 20, and the cable 1 shown in FIG. 8 is a coaxial cable having one signal line 10. However, the present invention can also be applied to a cable having one or a plurality of signal lines such as a quad cable having four signal lines. The

inner conductors

11 and 12 of the

first signal lines

10 and 20 are each formed of a core material formed of a magnetic material and a coating layer disposed around the core material. You may form with another conductor.
Further, the cables 1 to 3 shown in FIGS. 1, 2 and 8 each have the drain line 40. However, when the increase in grounding resistance is not taken into account, such as the cable length is short, the cable according to the present invention has the drain line 40. 40 may not be present. Further, the shield layer 30 may be provided along the vertical direction.

Claims

　内部導体と該内部導体の外周上に配置される誘電体層とを有する信号線と、前記信号線の外周に少なくとも一部が接するように配置されるシールド層と、を備え、前記シールド層は、絶縁体層と導電層とを有し、前記導電層の厚さは、２．０μｍ以下である、ことを特徴とするケーブル。 A signal line having an inner conductor and a dielectric layer disposed on the outer periphery of the inner conductor; and a shield layer disposed so that at least a part thereof is in contact with the outer periphery of the signal line, the shield layer comprising: The cable has an insulator layer and a conductive layer, and the thickness of the conductive layer is 2.0 μm or less.
　前記導電層の厚さは、０．５μｍ以上である請求項１に記載のケーブル。 The cable according to claim 1, wherein the conductive layer has a thickness of 0.5 μm or more.
　前記導電層は、前記絶縁体層に蒸着された金属層である請求項１に記載のケーブル。 The cable according to claim 1, wherein the conductive layer is a metal layer deposited on the insulator layer.
　前記導電層は、前記絶縁体層の外側に配置されている請求項１に記載のケーブル。 The cable according to claim 1, wherein the conductive layer is disposed outside the insulator layer.
　前記導電層に外周の一端が接するように並設されるドレイン線をさらに有する請求項１に記載のケーブル。 The cable according to claim 1, further comprising a drain wire arranged in parallel so that one end of the outer periphery is in contact with the conductive layer.
　前記導電層を形成する金属は、銀、銅又はアルミニウムである請求項１に記載のケーブル。 The cable according to claim 1, wherein the metal forming the conductive layer is silver, copper, or aluminum.
　内部導体は、磁性体材料で形成される芯材と該芯材の周囲に配置される被覆層とを有する請求項１に記載のケーブル。 The cable according to claim 1, wherein the inner conductor includes a core material formed of a magnetic material and a covering layer disposed around the core material.
　内部導体と該内部導体の外周上に配置される誘電体層とを有する信号線と、前記信号線の外周に少なくとも一部が接するように配置されるシールド層と、を備え、前記シールド層は、絶縁体層と導電層とを有し、前記導電層は、

　により演算される表皮深さδ〔ｍｍ〕に相当する厚さを有し、ここで、ρは、前記導電層を形成する材料の固有抵抗〔Ω・ｃｍ〕であり、ｆは前記信号線により伝送される信号の周波数〔ＭＨｚ〕であり、μ_０は真空の透磁率４π×１０^−７〔Ｈ／ｍ〕であり、μ_ｒは比透磁率である、ことを特徴とするケーブル。 A signal line having an inner conductor and a dielectric layer disposed on the outer periphery of the inner conductor; and a shield layer disposed so that at least a part thereof is in contact with the outer periphery of the signal line, the shield layer comprising: And an insulating layer and a conductive layer, and the conductive layer is

Has a thickness corresponding to the skin depth δ [mm] calculated by: where ρ is the specific resistance [Ω · cm] of the material forming the conductive layer, and f is determined by the signal line A cable having a frequency [MHz] of a signal to be transmitted, μ ₀ having a vacuum permeability of 4π × 10 ⁻⁷ [H / m], and μ _r having a relative permeability.
　前記導電層は、前記絶縁体層に蒸着された金属層である請求項８に記載のケーブル。 The cable according to claim 8, wherein the conductive layer is a metal layer deposited on the insulator layer.