WO2013077369A1 - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2013077369A1
WO2013077369A1 PCT/JP2012/080219 JP2012080219W WO2013077369A1 WO 2013077369 A1 WO2013077369 A1 WO 2013077369A1 JP 2012080219 W JP2012080219 W JP 2012080219W WO 2013077369 A1 WO2013077369 A1 WO 2013077369A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
polishing composition
silicon material
material portion
hydrolysis
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/080219
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
周吾 横田
泰之 大和
哲 鎗田
赤塚　朝彦
修一 玉田
Original Assignee
株式会社 フジミインコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2011258343A external-priority patent/JP6068791B2/ja
Priority claimed from JP2012061154A external-priority patent/JP6095897B2/ja
Application filed by 株式会社 フジミインコーポレーテッド filed Critical 株式会社 フジミインコーポレーテッド
Priority to US14/359,269 priority Critical patent/US9238755B2/en
Priority to KR1020147016697A priority patent/KR102028217B1/ko
Publication of WO2013077369A1 publication Critical patent/WO2013077369A1/ja
Priority to US14/736,711 priority patent/US9816010B2/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds

Definitions

  • the present invention relates to a portion containing a high mobility material such as a group IV material and a group III-V compound (hereinafter also referred to as a high mobility material portion) and a portion containing a silicon material such as silicon oxide (hereinafter referred to as a silicon material). It is related with the polishing composition used in the use which grind
  • the present invention also relates to a polishing method and a substrate manufacturing method using the polishing composition.
  • High mobility channel materials include III-V compounds such as gallium arsenide (GaAs), silicon germanium (SiGe), and germanium (Ge), which have higher electron and hole mobility than silicon and superior carrier transport properties. ), Or graphene consisting only of carbon (C) is expected.
  • GaAs gallium arsenide
  • SiGe silicon germanium
  • Ge germanium
  • C graphene consisting only of carbon
  • the high mobility material channel can be formed by polishing a polishing object having a high mobility material portion and a silicon material portion.
  • a polishing composition that can polish a high mobility material portion more selectively than a silicon material portion is used, the high mobility material portion can be efficiently removed by polishing. Further, since the oxide loss of silicon oxide or the like is reduced, a withstand voltage between the wiring layers is ensured. Further, when performing a photolithography process thereafter, exposure focus is easy because there is little oxide loss, and the process is stabilized (see Patent Document 1).
  • a polishing composition such as that described in Patent Document 2 or Patent Document 3 conventionally used for polishing a compound semiconductor substrate composed only of a Group IV compound has a high mobility material portion, a silicon material portion, When used for polishing an object to be polished, it does not exhibit sufficiently high polishing selectivity for the high mobility material portion.
  • an object of the present invention is to provide a polishing composition capable of exhibiting high polishing selectivity for a high mobility material portion when used in an application for polishing a polishing object having a high mobility material portion and a silicon material portion. Another object is to provide a polishing method and a substrate manufacturing method using the polishing composition.
  • a polishing composition for use in polishing a polishing object having a high mobility material portion and a silicon material portion, wherein Provided is a polishing composition containing abrasive grains having a primary particle diameter of 40 nm or less and an oxidizing agent.
  • This polishing composition preferably further contains a hydrolysis-inhibiting compound that binds to the surface OH groups of the silicon material portion and functions to suppress hydrolysis of the silicon material portion.
  • a polishing composition used for polishing a polishing object having a high mobility material portion and a silicon material portion comprising abrasive grains, an oxidizing agent, and the silicon
  • a polishing composition containing a hydrolysis-inhibiting compound that functions to inhibit hydrolysis of a silicon material part by binding to a surface OH group of the material part is provided.
  • polishing compositions of the first and second aspects have a neutral pH.
  • the third aspect of the present invention there is provided a method for polishing a polishing object having a high mobility material portion and a silicon material portion using the polishing composition of the first or second aspect.
  • a substrate is produced by polishing a polishing object having a high mobility material portion and a silicon material portion using the polishing composition of the first or second aspect. Provide a way to do it.
  • the polishing composition which can exhibit the high polishing selectivity with respect to a high mobility material part when it uses for the use which grind
  • the polishing composition of the present embodiment is prepared by mixing specific abrasive grains and an oxidizing agent in water. Accordingly, the polishing composition contains specific abrasive grains and an oxidizing agent.
  • the polishing composition is used for polishing a polishing object having a high mobility material portion and a silicon material portion, and more specifically, for polishing a polishing object and manufacturing a substrate.
  • the high mobility material here refers to a material having a higher mobility of electrons and holes than a silicon material.
  • Examples of high mobility materials include III-V compounds such as gallium phosphide (GaP), indium phosphide (InP), gallium arsenide (GaAs), indium arsenide (InAs), indium antimonide (InSb), etc.
  • Group IV materials such as silicon germanium (SiGe) and germanium (Ge).
  • the silicon material examples include polysilicon, silicon oxide, silicon nitride, and the like.
  • the electron mobility of indium phosphide which is a high mobility material, is 5400 cm 2 / V ⁇ s.
  • the electron mobility of the gallium arsenide 8500cm hole mobility in 2 / V ⁇ s is 400cm 2 / V ⁇ s
  • the electron mobility of the indium arsenide is 40000cm 2 /
  • the hole mobility is 500 cm 2 / V ⁇ s at V ⁇ s
  • the electron mobility of indium antimonide is 77000 cm 2 / V ⁇ s
  • the hole mobility is 850 cm 2 / V ⁇ s
  • the electron mobility of germanium is 3900cm hole mobility in 2 / V ⁇ s indicates 1900cm 2 / V ⁇ s
  • the high mobility material for silicon material with the both or one of the electron mobility and hole mobility Significantly shows a high value.
  • the abrasive grains contained in the polishing composition have an average primary particle size of 40 nm or less.
  • the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition is higher than that when abrasive grains having an average primary particle diameter exceeding 40 nm are used.
  • the polishing rate of the high mobility material portion is greatly reduced by the above.
  • the value of the average primary particle diameter of an abrasive grain can be calculated based on the specific surface area of the abrasive grain measured by BET method, for example.
  • the abrasive grains in the polishing composition may be either inorganic particles or organic particles.
  • the inorganic particles include particles made of a metal oxide such as silica, alumina, ceria, titania and the like.
  • the organic particles include polymethyl methacrylate (PMMA) particles. Among these, silica particles are preferable, and colloidal silica is particularly preferable.
  • the content of abrasive grains in the polishing composition is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and still more preferably 10% by mass or less. As the content of the abrasive grains decreases, the material cost of the polishing composition can be suppressed, and the aggregation of the abrasive grains is less likely to occur.
  • the average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 170 nm or less, more preferably 150 nm or less, and still more preferably 120 nm or less. As the average secondary particle diameter of the abrasive grains decreases, it becomes easier to obtain a polished surface with less scratches by polishing the object to be polished using the polishing composition.
  • the value of the average secondary particle diameter of the abrasive grains can be measured by, for example, a laser light scattering method.
  • the kind of oxidizing agent contained in polishing composition is not specifically limited, It is preferable to have a standard electrode potential of 0.3V or more.
  • a standard electrode potential of 0.3V or higher is used, compared with a case where an oxidant having a standard electrode potential of less than 0.3 V is used, the high mobility material portion of the polishing composition There is an advantage that the polishing rate is improved.
  • the oxidizing agent having a standard electrode potential of 0.3 V or more include hydrogen peroxide, sodium peroxide, barium peroxide, organic oxidizing agent, ozone water, silver (II) salt, iron (III) salt, and Permanganic acid, chromic acid, dichromic acid, peroxodisulfuric acid, peroxophosphoric acid, peroxosulfuric acid, peroxoboric acid, performic acid, peracetic acid, perbenzoic acid, perphthalic acid, hypochlorous acid, hypobromous acid, Examples include hypoiodous acid, chloric acid, chlorous acid, perchloric acid, bromic acid, iodic acid, periodic acid, sulfuric acid, persulfuric acid, citric acid, dichloroisocyanuric acid, and salts thereof.
  • hydrogen peroxide, ammonium persulfate, hypochlorous acid, periodic acid, and sodium dichloroisocyanurate are preferable because the polishing rate of
  • the standard electrode potential is expressed by the following equation when all chemical species involved in the oxidation reaction are in the standard state.
  • E0 is the standard electrode potential
  • ⁇ G0 is the standard Gibbs energy change of the oxidation reaction
  • K is its parallel constant
  • F is the Faraday constant
  • T is the absolute temperature
  • n is the number of electrons involved in the oxidation reaction. Therefore, since the standard electrode potential varies depending on the temperature, the standard electrode potential at 25 ° C. is adopted in this specification.
  • the standard electrode potential of the aqueous solution system is described in, for example, the revised 4th edition chemical handbook (basic edition) II, pp 464-468 (edited by the Chemical Society of Japan).
  • the content of the oxidizing agent in the polishing composition is preferably 0.01 mol / L or more, more preferably 0.1 mol / L or more. As the content of the oxidizing agent increases, the polishing rate of the high mobility material portion by the polishing composition is improved.
  • the content of the oxidizing agent in the polishing composition is also preferably 100 mol / L or less, more preferably 50 mol / L or less. As the content of the oxidizing agent decreases, the material cost of the polishing composition can be reduced, and the load on the processing of the polishing composition after polishing, that is, the waste liquid treatment can be reduced.
  • the pH of the polishing composition is preferably neutral, more specifically within the range of 5 or more and 9 or less.
  • the pH is neutral, there is an advantage that the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition is decreased.
  • a pH adjuster may be used to adjust the pH of the polishing composition to a desired value.
  • the pH adjuster to be used may be either acid or alkali, and may be any of inorganic and organic compounds.
  • polishing composition of the present embodiment abrasive grains having a small average primary particle diameter of 40 nm or less are used in order to reduce the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition. Therefore, this polishing composition has high polishing selectivity for the high mobility material portion.
  • the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition is further reduced, so that the polishing selectivity of the polishing composition with respect to the high mobility material portion is further increased improves.
  • the polishing composition of the second embodiment is prepared by mixing abrasive grains, an oxidizing agent, and a hydrolysis inhibiting compound with water. Therefore, polishing composition contains an abrasive grain, an oxidizing agent, and a hydrolysis inhibiting compound.
  • the polishing composition of the second embodiment also includes gallium phosphide, indium phosphide, gallium arsenide, indium arsenide, indium antimonide, silicon germanium, germanium, and the like.
  • the high mobility material portion is selectively used for polishing a polishing object having a high mobility material portion and a silicon material portion such as silicon oxide, and more specifically, for polishing a polishing object and manufacturing a substrate. Used for polishing purposes.
  • the abrasive grains contained in the polishing composition of the second embodiment do not need to have an average primary particle size of 40 nm or less. Except for this point, the abrasive grains in the polishing composition of the first embodiment It is the same as the abrasive grains contained in.
  • the oxidizing agent contained in the polishing composition of the second embodiment is the same as the oxidizing agent contained in the polishing composition of the first embodiment.
  • the hydrolysis-inhibiting compound contained in the polishing composition of the second embodiment functions to inhibit the hydrolysis of the silicon material part by binding to the surface OH group of the silicon material part. Specifically, it is considered that a hydrogen bond is formed between the surface OH group of the silicon material portion and the oxygen atom of the hydrolysis inhibiting compound. Further, it is considered that a hydrogen bond is formed between the surface OH group of the silicon material portion and the nitrogen atom of the hydrolysis inhibiting compound. Therefore, when the hydrolysis inhibiting compound is used, there is an advantage that the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition is reduced.
  • the hydrolysis-inhibiting compound is preferably a compound having an oxygen atom and a nitrogen-containing compound having a nitrogen atom.
  • the hydrolysis inhibiting compound having an oxygen atom include 1-propanol, 2-propanol, 2-propyn-1-ol, allyl alcohol, ethylene cyanohydrin, 1-butanol, 2-butanol, (S)-(+ ) -2-butanol, 2-methyl-1-propanol, t-butyl alcohol, perfluoro-t-butyl alcohol, crotyl alcohol, 1-pentanol, 2,2-dimethyl-1-propanol, 2-methyl- 2-butanol, 3-methyl-1-butanol, S-amyl alcohol, 1-hexanol, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol, DL-3-hexyl Alcohol, 1-heptanol, 2-ethyl
  • hydrolysis inhibiting compounds having nitrogen atoms include bishexamethylenetriamine (BHMT), tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetramethylamine (TMA), tetraethylamine (TEA), dimethylamine, and trimethylamine.
  • BHMT bishexamethylenetriamine
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • TMA tetramethylamine
  • TEA tetraethylamine
  • dimethylamine and trimethylamine
  • Water-soluble alkylamines such as triethylamine, propylenediamine, methylamine, ethylamine, piperazine, piperidine, choline hydroxide (CH), amino alcohols such as triethanolamine, diethanolamine, ethanolamine, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), diethyl
  • Water-soluble amine compounds such as sodium dithiocarbamate and chitosan are listed.
  • the content of the hydrolysis-inhibiting compound in the polishing composition is preferably 10 ppm by mass or more, more preferably 50 ppm by mass or more. As the content of the hydrolysis-inhibiting compound increases, the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition decreases.
  • the content of the hydrolysis-inhibiting compound in the polishing composition is preferably 100000 ppm by mass or less, more preferably 50000 ppm by mass or less. As the content of the hydrolysis-inhibiting compound decreases, the material cost of the polishing composition can be reduced, and the processing of the polishing composition after polishing, that is, the load of waste liquid treatment can be reduced. .
  • the polishing composition of the second embodiment is preferably neutral, more specifically within the range of 5 to 9.
  • the pH is neutral, there is an advantage that the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition is decreased.
  • a pH adjuster may be used to adjust the pH of the polishing composition of the second embodiment to a desired value.
  • the pH adjuster to be used may be either acid or alkali, and may be any of inorganic and organic compounds.
  • a hydrolysis-inhibiting compound is used to reduce the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition. Therefore, this polishing composition has high polishing selectivity for the high mobility material portion.
  • the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition is further reduced, so that the polishing selectivity of the polishing composition with respect to the high mobility material portion is further increased improves.
  • the embodiment may be modified as follows.
  • the polishing compositions of the first and second embodiments may contain two or more types of abrasive grains.
  • some abrasive grains do not necessarily have an average primary particle diameter of 40 nm or less.
  • the polishing compositions of the first and second embodiments may contain two or more kinds of oxidizing agents.
  • the polishing composition according to the second embodiment may contain two or more types of hydrolysis-inhibiting compounds.
  • the polishing composition of the first embodiment may further contain a hydrolysis-inhibiting compound.
  • a hydrolysis-inhibiting compound since the polishing rate of the silicon material portion by the polishing composition is further reduced, the polishing selectivity of the polishing composition with respect to the high mobility material portion is further improved.
  • the polishing composition of the above embodiment may further contain a known additive such as a preservative as necessary.
  • the polishing composition of the above embodiment may be a one-component type or a multi-component type including a two-component type.
  • the polishing composition of the above embodiment may be prepared by diluting a stock solution of the polishing composition with water.
  • Example 101 to 117 and Comparative Examples 101 and 102 The polishing compositions of Examples 101 to 117 and Comparative Examples 101 and 102 were prepared by mixing colloidal silica and an oxidizing agent with water together with a hydrolysis inhibiting compound and a pH adjuster as necessary. The details of the components in each polishing composition and the results of measuring the pH of each polishing composition are shown in Table 1.
  • H 2 O 2 represents hydrogen peroxide
  • APS represents ammonium persulfate.
  • Acetic acid or potassium hydroxide was used as a pH adjuster.
  • the surfaces of silicon germanium blanket wafers, germanium blanket wafers, and tetraethyl orthosilicate (TEOS) blanket wafers were subjected to the conditions shown in Table 2.
  • the values of the polishing rate required for polishing are shown in the “SiGe polishing rate” column, the “Ge polishing rate” column, and the “TEOS polishing rate” column in Table 3.
  • the value of the polishing rate is obtained by dividing the difference in wafer thickness before and after polishing measured by using an optical interference film thickness measuring device by the polishing time, and for silicon germanium blanket wafer and germanium.
  • the difference in weight of the wafer before and after polishing was determined by dividing by the density and polishing time.
  • the values obtained by dividing the polishing rate of silicon germanium by the polishing compositions of Examples 101 to 117 and Comparative Examples 101 and 102 in this way by the polishing rate of TEOS by the same polishing composition are shown in Table 3.
  • SiGe polishing rate / TEOS polishing rate the value obtained by dividing the germanium polishing rate by the TEOS polishing rate with the same polishing composition is shown in Table 3 as “Ge polishing rate / TEOS polishing rate”. "".
  • the value of the TEOS polishing rate is acceptable when it is 300 ⁇ / min or less, more preferably 200 ⁇ / min or less, and even more preferably 100 ⁇ / min or less.
  • the value obtained by dividing the polishing rate of silicon germanium by the polishing rate of TEOS is a pass level when it is 5 or more, more preferably 10 or more, and still more preferably 15 or more.
  • a value obtained by dividing the polishing rate of germanium by the polishing rate of TEOS is a pass level when the polishing rate is 10 or more.
  • the value obtained by dividing the polishing rate of silicon germanium by the polishing rate of TEOS is 5 or more, or the polishing rate of germanium is the polishing rate of TEOS.
  • the divided value was 10 or more, and a result of a level that can be satisfactorily used for the purpose of selectively polishing the high mobility material portion was obtained.
  • a value obtained by dividing the polishing rate of silicon germanium by the polishing rate of TEOS and a value obtained by dividing the polishing rate of germanium by the polishing rate of TEOS were both 10. As described above, particularly good results were obtained.
  • Example 201 to 216 and Comparative Example 201 The polishing compositions of Examples 201 to 216 and Comparative Example 201 were prepared by mixing colloidal silica and an oxidizing agent with water together with a hydrolysis inhibiting compound and a pH adjuster as necessary. Table 4 shows the details of the components in each polishing composition and the results of measuring the pH of each polishing composition.
  • H 2 O 2 represents hydrogen peroxide
  • APS represents ammonium persulfate
  • KOH represents potassium hydroxide
  • the surface of the gallium arsenide blanket wafer and the tetraethyl orthosilicate (TEOS) blanket wafer was determined by polishing under the conditions shown in Table 5.
  • the values of the polishing rate are shown in the “GaAs polishing rate” column and the “TEOS polishing rate” column in Table 6.
  • the value of the polishing rate is obtained by dividing the difference in thickness of the wafer before and after polishing measured by using an optical interference film thickness measuring device for the TEOS blanket wafer by the polishing time, and for the gallium arsenide blanket wafer, The difference in weight of the wafer before and after polishing was determined by dividing by the density and polishing time.
  • the value of the TEOS polishing rate is acceptable when it is 300 ⁇ / min or less, more preferably 200 ⁇ / min or less, and even more preferably 100 ⁇ / min or less.
  • the value obtained by dividing the polishing rate of gallium arsenide by the polishing rate of TEOS is a pass level when it is 5 or more, more preferably 10 or more, and still more preferably 15 or more.
  • the TEOS polishing rate was 100 ⁇ / min or less, or the gallium arsenide polishing rate was divided by the TEOS polishing rate.
  • the value was 15 or more, and a result that can be satisfactorily used for the purpose of selectively polishing a high mobility material portion was obtained.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

高移動度材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用される本発明の研磨用組成物は、平均一次粒子径が４０ｎｍ以下である砥粒と、酸化剤とを含有し、好ましくは研磨対象物のケイ素材料を含有する部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料を含有する部分の加水分解を抑制する働きをする加水分解抑制化合物をさらに含有する。あるいは、本発明の研磨用組成物は、砥粒と、酸化剤と、加水分解抑制化合物とを含有する。研磨用組成物のｐＨは中性であることが好ましい。

Description

研磨用組成物
　本発明は、ＩＶ族材料及びＩＩＩ－Ｖ族化合物などの高移動度材料を含有する部分（以下、高移動度材料部分ともいう）と酸化シリコンなどのケイ素材料を含有する部分（以下、ケイ素材料部分ともいう）とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物に関する。本発明はまた、その研磨用組成物を用いた研磨方法及び基板の製造方法に関する。
　トランジスタの消費電力低減やパフォーマンス（動作特性）を向上させる技術のひとつとして、キャリアの移動度を高める高移動度チャネル材料の検討が進められている。キャリアの輸送特性が向上したチャネルでは、オン時のドレイン電流が高まるため、十分なオン電流を得つつ、電源電圧を下げることができる。このコンビネーションは、低い電力におけるより高いＭＯＳＦＥＴのパフォーマンスをもたらす。
　高移動度チャネル材料としては、シリコンよりも電子や正孔の移動度が高く、キャリアの輸送特性に優れるヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ－Ｖ族化合物、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）やゲルマニウム（Ｇｅ）などのＩＶ族材料、あるいは炭素（Ｃ）のみからなるグラフェンの適用が期待されている。特に、ＩＩＩ－Ｖ族化合物に比べて導入が容易なＩＶ族材料を使用したチャネルが積極的に検討されている。高い結晶性を有するＩＩＩ－Ｖ族化合物チャネルを所望とする形状に制御して成長させる技術はまだ確立がされていない。また、ＩＩＩ－Ｖ族化合物チャネルは、ＩＶ族材料を使用したチャンネルに対してコスト面で劣る。
　高移動度材料チャネルは、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨して形成することができる。この場合、ケイ素材料部分よりも高移動度材料部分を高選択的に研磨することができる研磨用組成物を用いれば、高移動度材料部分を効率的に研磨除去することが可能になる。また、酸化シリコン等のオキサイドロスが少なくなるため、配線層間の耐電圧が確保される。さらに、その後フォトリソグラフィ工程を行う際には、オキサイドロスが少ないために露光焦点合わせが容易となり、工程が安定する（特許文献１参照）。しかしながら、ＩＶ族化合物のみからなる化合物半導体基板を研磨する用途で従来使用されている例えば特許文献２又は特許文献３に記載のような研磨用組成物は、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用したときに、高移動度材料部分に対する十分に高い研磨選択性を発揮しない。
特開平１１－２０４５２０公報 特開２０１０－１３０００９公報 特表２０１０－５１９７４０公報
　そこで本発明の目的は、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用したときに高移動度材料部分に対する高い研磨選択性を発揮することができる研磨用組成物を提供すること、またその研磨用組成物を用いた研磨方法及び基板の製造方法を提供することにある。
　上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様では、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、平均一次粒子径が４０ｎｍ以下である砥粒と、酸化剤とを含有する研磨用組成物を提供する。
　この研磨用組成物は、前記ケイ素材料部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料部分の加水分解を抑制する働きをする加水分解抑制化合物をさらに含有することが好ましい。
　本発明の第２の態様では、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒と、酸化剤と、前記ケイ素材料部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料部分の加水分解を抑制する働きをする加水分解抑制化合物とを含有する研磨用組成物を提供する。
　上記第１及び第２の態様の研磨用組成物は中性のｐＨを有することが好ましい。
　本発明の第３の態様では、上記第１又は第２の態様の研磨用組成物を用いて、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する方法を提供する。
　本発明の第４の態様では、上記第１又は第２の態様の研磨用組成物を用いて、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨することにより、基板を製造する方法を提供する。
　本発明によれば、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用したときに高移動度材料部分に対する高い研磨選択性を発揮することができる研磨用組成物と、その研磨用組成物を用いた研磨方法及び基板の製造方法とが提供される。
　以下、本発明の第１の実施形態を説明する。
　本実施形態の研磨用組成物は、特定の砥粒と、酸化剤を水に混合して調製される。従って、研磨用組成物は、特定の砥粒、及び酸化剤を含有する。
　この研磨用組成物は、高移動度材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する用途、さらに言えばその研磨対象物を研磨して基板を製造する用途において高移動度材料部分を選択的に研磨する目的で使用される。ここでいう高移動度材料とは、シリコン材料よりも電子や正孔の移動度が高い材料をいう。高移動度材料の例としては、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）などのＩＩＩ－Ｖ族化合物や、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）などのＩＶ族材料が挙げられる。また、ケイ素材料の例としては、ポリシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等が挙げられる。例えば、電子移動度１６００ｃｍ２／Ｖ・ｓ及び正孔移動度４３０ｃｍ２／Ｖ・ｓであるシリコン材料に対し、高移動度材料であるリン化インジウムの電子移動度は５４００ｃｍ２／Ｖ・ｓで正孔移動度は２００ｃｍ２／Ｖ・ｓ、ヒ化ガリウムの電子移動度は８５００ｃｍ２／Ｖ・ｓで正孔移動度は４００ｃｍ２／Ｖ・ｓ、ヒ化インジウムの電子移動度は４００００ｃｍ２／Ｖ・ｓで正孔移動度は５００ｃｍ２／Ｖ・ｓ、アンチモン化インジウムの電子移動度は７７０００ｃｍ２／Ｖ・ｓで正孔移動度は８５０ｃｍ２／Ｖ・ｓ、そしてゲルマニウムの電子移動度は３９００ｃｍ２／Ｖ・ｓで正孔移動度は１９００ｃｍ２／Ｖ・ｓを示し、シリコン材料に対して高移動度材料は電子移動度及び正孔移動度の両方又は片方について有意に高い値を示す。
　（砥粒）
　研磨用組成物中に含まれる砥粒は、４０ｎｍ以下の平均一次粒子径を有している。４０ｎｍ以下という平均一次粒子径の小さい砥粒を使用した場合、平均一次粒子径が４０ｎｍを超える砥粒を使用した場合に比べて、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度が研磨用組成物による高移動度材料部分の研磨速度よりも大きく低下するという有利がある。なお、砥粒の平均一次粒子径の値は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて計算することができる。
　研磨用組成物中の砥粒は、無機粒子及び有機粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、シリカ、アルミナ、セリア、チタニアなどの金属酸化物からなる粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。その中でもシリカ粒子が好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。
　研磨用組成物中の砥粒の含有量は、２０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、砥粒の凝集が起こりにくくなる。
　砥粒の平均二次粒子径は１７０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１２０ｎｍ以下である。砥粒の平均二次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することによりスクラッチのより少ない研磨面を得ることが容易になる。砥粒の平均二次粒子径の値は、例えば、レーザー光散乱法により測定することができる。
　（酸化剤）
　研磨用組成物中に含まれる酸化剤の種類は特に限定されないが、０．３Ｖ以上の標準電極電位を有していることが好ましい。０．３Ｖ以上の標準電極電位を有する酸化剤を使用した場合には、０．３Ｖ未満の標準電極電位を有する酸化剤を使用した場合に比べて、研磨用組成物による高移動度材料部分の研磨速度が向上するという有利がある。０．３Ｖ以上の標準電極電位を有する酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、有機酸化剤、オゾン水、銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩、並びに過マンガン酸、クロム酸、重クロム酸、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、亜塩素酸、過塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、硫酸、過硫酸、クエン酸、ジクロロイソシアヌル酸及びそれらの塩等が挙げられる。これらの中でも、研磨用組成物による高移動度材料部分の研磨速度が大きく向上することから、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、次亜塩素酸、過ヨウ素酸、及びジクロロイソシアヌル酸ナトリウムが好ましい。
　なお、標準電極電位とは、酸化反応に関与するすべての化学種が標準状態にあるときに次式で表される。
　Ｅ０＝－△Ｇ０／ｎＦ＝（ＲＴ／ｎＦ）ｌｎＫ
　ここで、Ｅ０は標準電極電位、△Ｇ０は酸化反応の標準ギブスエネルギー変化、Ｋはその平行定数、Ｆはファラデー定数、Ｔは絶対温度、ｎは酸化反応に関与する電子数である。従って、標準電極電位は温度により変動するので、本明細書中においては２５℃における標準電極電位を採用している。なお、水溶液系の標準電極電位は、例えば改訂４版化学便覧（基礎編）ＩＩ、ｐｐ４６４－４６８（日本化学会編）等に記載されている。
　研磨用組成物中の酸化剤の含有量は０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．１ｍｏｌ／Ｌ以上である。酸化剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による高移動度材料部分の研磨速度が向上する。
　研磨用組成物中の酸化剤の含有量はまた、１００ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｍｏｌ／Ｌ以下である。酸化剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる。
　（ｐＨ調整剤）
　研磨用組成物のｐＨは中性であること、より具体的には５以上９以下の範囲内であることが好ましい。ｐＨが中性である場合には、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度が低下するという有利がある。
　研磨用組成物のｐＨを所望の値に調整するのにｐＨ調整剤を使用してもよい。使用するｐＨ調整剤は酸及びアルカリのいずれであってもよく、また無機及び有機の化合物のいずれであってもよい。
　本実施形態によれば以下の作用効果が得られる。
　・　本実施形態の研磨用組成物では、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度を低下させるために、４０ｎｍ以下という平均一次粒子径の小さい砥粒が使用されている。そのため、この研磨用組成物は高移動度材料部分に対する高い研磨選択性を有する。
　・　研磨用組成物のｐＨが中性である場合には、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度がさらに低下するために、高移動度材料部分に対する研磨用組成物の研磨選択性がさらに向上する。
　以下、本発明の第２の実施形態を説明する。
　第２の実施形態の研磨用組成物は、砥粒と酸化剤と加水分解抑制化合物を水に混合して調製される。従って、研磨用組成物は、砥粒、酸化剤及び加水分解抑制化合物を含有する。
　第２の実施形態の研磨用組成物も、第１の実施形態の研磨用組成物と同様、リン化ガリウム、リン化インジウム、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム、アンチモン化インジウム、シリコンゲルマニウムおよびゲルマニウムなどの高移動度材料部分と酸化シリコンなどのケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する用途、さらに言えばその研磨対象物を研磨して基板を製造する用途において高移動度材料部分を選択的に研磨する目的で使用される。
　（砥粒）
　第２の実施形態の研磨用組成物中に含まれる砥粒は、４０ｎｍ以下の平均一次粒子径を有している必要がなく、この点を除けば第１の実施形態の研磨用組成物中に含まれる砥粒と同じである。
　（酸化剤）
　第２の実施形態の研磨用組成物中に含まれる酸化剤は、第１の実施形態の研磨用組成物中に含まれる酸化剤と同じである。
　（加水分解抑制化合物）
　第２の実施形態の研磨用組成物中に含まれる加水分解抑制化合物は、ケイ素材料部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料部分の加水分解を抑制する働きをする。詳細には、ケイ素材料部分の表面ＯＨ基と加水分解抑制化合物の持つ酸素原子の間で水素結合が形成されると考えられる。また、ケイ素材料部分の表面ＯＨ基と加水分解抑制化合物のもつ窒素原子との間で水素結合が形成されると考えられる。そのため、加水分解抑制化合物を使用した場合には、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度が低下するという有利がある。このメカニズムを考えると、加水分解抑制化合物は酸素原子を持つ化合物及び窒素原子を持つ窒素含有化合物であることが好ましい。酸素原子を持つ加水分解抑制化合物の具体例としては、１－プロパノール、２－プロパノール、２－プロピン－１－オール、アリルアルコール、エチレンシアノヒドリン、１－ブタノール、２－ブタノール、（Ｓ）－（＋）－２－ブタノール、２－メチル－１－プロパノール、ｔ－ブチルアルコール、パーフルオロ－ｔ－ブチルアルコール、クロチルアルコール、１－ペンタノール、２，２－ジメチル－１－プロパノール、２－メチル－２－ブタノール、３－メチル－１－ブタノール、Ｓ－アミルアルコール、１－ヘキサノール、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン、４－メチル－２－ペンタノール、シクロヘキサノール、ＤＬ－３－ヘキシルアルコール、１－ヘプタノール、２－エチルヘキシルアルコール、（Ｓ）－（＋）－２－オクタノール、１－オクタノール、ＤＬ－３－オクチルアルコール、２－ヒドロキシベンジルアルコール、２－ニトロベンジルアルコール、３，５－ジヒドロキシベンジルアルコール、３，５－ジニトロベンジルアルコール、３－フルオロベンジルアルコール、３－ヒドロキシベンジルアルコール、４－フルオロベンジルアルコール、４－ヒドロキシベンジルアルコール、ベンジルアルコール、ｍ－（トリフルオロメチル）ベンジルアルコール、ｍ－アミノベンジルアルコール、ｍ－ニトロベンジルアルコール、ｏ－アミノベンジルアルコール、ｏ－ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ－ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ－ニトロベンジルアルコール、２－（ｐ－フルオロフェニル）エタノール、２－アミノフェネチルアルコール、２－メトキシベンジルアルコール、２－メチル－３－ニトロベンジルアルコール、２－メチルベンジルアルコール、２－ニトロフェネチルアルコール、２－フェニルエタノール、３，４－ジメチルベンジルアルコール、３－メチル－２－ニトロベンジルアルコール、３－メチル－４－ニトロベンジルアルコール、３－メチルベンジルアルコール、４－フルオロフェネチルアルコール、４－ヒドロキシ－３－メトキシベンジルアルコール、４－メトキシベンジルアルコール、４－メチル－３－ニトロベンジルアルコール、５－メチル－２－ニトロベンジルアルコール、ＤＬ－α－ヒドロキシエチルベンゼン、ｏ－（トリフルオロメチル）ベンジルアルコール、ｐ－（トリフルオロメチル）ベンジルアルコール、ｐ－アミノフェネチルアルコール、ｐ－ヒドロキシフェニルエタノール、ｐ－メチルベンジルアルコール及びＳ－フェネチルアルコール、アセチレングリコール等のアルコール、４－メチルフェノール、４－エチルフェノール及び４－プロピルフェノール等のフェノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、カプリリルグリコール、ブチレングリコール、アセチレンジオール等のグリコール、ｎ－デカノル－ｎ－メチル－Ｄ－グルカミン、ｎ－オクタノイル－ｎ－メチル－Ｄ－グルカミン、ｎ－ノナイノル－ｎ－メチル－Ｄ－グルカミンなどのグルカミン、グリセリンエステル、ソルビタンエステル、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸、３－エトキシプロピオン酸、ポリオキシエチレン（以下、ＰＯＥという）ソルビタン脂肪酸エステル、ＰＯＥグリコール脂肪酸エステル、ＰＯＥヘキシタン脂肪酸エステル及びアラニンエチルエステル等のエステル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリエチレングリコールアルケニルエーテル、アルキルポリエチレングリコール、アルキルポリエチレングリコールアルキルエーテル、アルキルポリエチレングリコールアルケニルエーテル、アルケニルポリエチレングリコール、アルケニルポリエチレングリコールアルキルエーテル、アルケニルポリエチレングリコールアルケニルエーテル、ポリプロピレングリコールアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールアルケニルエーテル、アルキルポリプロピレングリコール、アルキルポリプロピレングリコールアルキルエーテル、アルキルポリプロピレングリコールアルケニルエーテル、アルケニルポリプロピレングリコール、アルケニルポリプロピレングリコールアルキルエーテル及びアルケニルポリプロピレングリコールアルケニルエーテル、ＰＯＥアルキレンジグリセリルエーテル、ＰＯＥアルキルエーテル、ＰＯＥアルキルフェニルエーテル、ＰＯＥポリプロピレンアルキルエーテル等のエーテル、及びポリオキシプロピレン／ポリオキシエチレンのブロック／ランダムコポリマー等が挙げられる。
　また、窒素原子を持つ加水分解抑制化合物の具体例としては、ビスヘキサメチレントリアミン（ＢＨＭＴ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、テトラメチルアミン（ＴＭＡ）、テトラエチルアミン（ＴＥＡ）、ジメチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、プロピレンジアミン、メチルアミン、エチルアミン、ピペラジン、ピペリジン等の水溶性アルキルアミン、水酸化コリン（ＣＨ）、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、エタノールアミン等のアミノアルコール類、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム、キトサン等の水溶性アミン化合物が挙げられる。
　研磨用組成物中の加水分解抑制化合物の含有量は１０質量ｐｐｍ以上であることが好ましく、より好ましくは５０質量ｐｐｍ以上である。加水分解抑制化合物の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度が低下する。
　研磨用組成物中の加水分解抑制化合物の含有量はまた、１０００００質量ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００００質量ｐｐｍ以下である。加水分解抑制化合物の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる。
　（ｐＨ調整剤）
　第２の実施形態の研磨用組成物も、第１の実施形態の研磨用組成物と同様、中性であること、より具体的には５以上９以下の範囲内であることが好ましい。ｐＨが中性である場合には、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度が低下するという有利がある。
　第２の実施形態の研磨用組成物のｐＨを所望の値に調整するのにｐＨ調整剤を使用してもよい。使用するｐＨ調整剤は酸及びアルカリのいずれであってもよく、また無機及び有機の化合物のいずれであってもよい。
　第２の実施形態によれば以下の作用効果が得られる。
　・　第２の実施形態の研磨用組成物では、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度を低下させるために、加水分解抑制化合物が使用されている。そのため、この研磨用組成物は高移動度材料部分に対する高い研磨選択性を有する。
　・　研磨用組成物のｐＨが中性である場合には、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度がさらに低下するために、高移動度材料部分に対する研磨用組成物の研磨選択性がさらに向上する。
　前記実施形態は次のように変更されてもよい。
　・　第１及び第２の実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の砥粒を含有してもよい。第１の実施形態の研磨用組成物が二種類以上の砥粒を含有する場合、一部の砥粒については必ずしも４０ｎｍ以下の平均一次粒子径を有している必要はない。
　・　第１及び第２の実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の酸化剤を含有してもよい。
　・　第２の実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の加水分解抑制化合物を含有してもよい。
　・　第１の実施形態の研磨用組成物は、加水分解抑制化合物をさらに含有してもよい。この場合、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度がさらに低下するために、高移動度材料部分に対する研磨用組成物の研磨選択性がさらに向上する。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は、防腐剤のような公知の添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は一液型であってもよいし、二液型をはじめとする多液型であってもよい。
　・　前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。
　次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
　（実施例１０１～１１７及び比較例１０１，１０２）
　コロイダルシリカ及び酸化剤を、必要に応じて加水分解抑制化合物及びｐＨ調整剤とともに水と混合することにより、実施例１０１～１１７及び比較例１０１，１０２の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中の成分の詳細、及び各研磨用組成物のｐＨを測定した結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　表１中、“Ｈ２Ｏ２”は過酸化水素を表し、“ＡＰＳ”は過硫酸アンモニウムを表す。ｐＨ調整剤としては酢酸又は水酸化カリウムを使用した。
　実施例１０１～１１７及び比較例１０１，１０２の各研磨用組成物を用いて、シリコンゲルマニウムブランケットウェーハ、ゲルマニウムブランケットウェーハ、及びオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）ブランケットウェーハの表面を、表２に記載の条件で研磨したときに求められる研磨速度の値を表３の“ＳｉＧｅの研磨速度”欄、“Ｇｅの研磨速度”欄、及び“ＴＥＯＳの研磨速度”欄に示す。研磨速度の値は、ＴＥＯＳブランケットウェーハについては光干渉式膜厚測定装置を用いて測定される研磨前後のウェーハの厚みの差を研磨時間で除することにより求め、シリコンゲルマニウムブランケットウェーハ及びゲルマニウムについては、研磨前後のウェーハの重量の差を密度と研磨時間で除することによって求めた。また、こうして求めた実施例１０１～１１７及び比較例１０１，１０２の各研磨用組成物によるシリコンゲルマニウムの研磨速度を同じ研磨用組成物によるＴＥＯＳの研磨速度で除して得られる値を表３の“ＳｉＧｅの研磨速度／ＴＥＯＳの研磨速度”欄に、ゲルマニウムの研磨速度を同じ研磨用組成物によるＴＥＯＳの研磨速度で除して得られる値を表３の“Ｇｅの研磨速度／ＴＥＯＳの研磨速度”欄に示す。
　ＴＥＯＳの研磨速度の値は、３００Å／ｍｉｎ以下の場合に合格レベルであるが、より好ましくは２００Å／ｍｉｎ以下、さらに好ましくは１００Å／ｍｉｎ以下である。シリコンゲルマニウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値は、５以上の場合に合格レベルであるが、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは１５以上である。ゲルマニウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値は、１０以上の場合に合格レベルである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 　表３に示すように、実施例１０１～１１７の研磨用組成物の場合には、シリコンゲルマニウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値が５以上又はゲルマニウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値が１０以上であり、高移動度材料部分を選択的に研磨する目的で満足に使用できるレベルの結果が得られた。特に、ｐＨを７に調整した実施例１０１，１０３，１０５～１１６はシリコンゲルマニウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値、およびゲルマニウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値が共に１０以上であり、特に良好な結果が得られた。
　これに対し、比較例１０１の研磨用組成物の場合には、シリコンゲルマニウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値が５未満で合格レベルに達しておらず、高移動度材料部分を選択的に研磨する目的で満足に使用できるレベルの結果が得られなかった。
　（実施例２０１～２１６及び比較例２０１）
　コロイダルシリカ及び酸化剤を、必要に応じて加水分解抑制化合物及びｐＨ調整剤とともに水と混合することにより、実施例２０１～２１６及び比較例２０１の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中の成分の詳細、及び各研磨用組成物のｐＨを測定した結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 　表４中、“Ｈ２Ｏ２”は過酸化水素を表し、“ＡＰＳ”は過硫酸アンモニウムを表し、“ＫＯＨ”は水酸化カリウムを表す。
　実施例２０１～２１６及び比較例２０１の各研磨用組成物を用いて、ヒ化ガリウムブランケットウェーハ及びオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）ブランケットウェーハの表面を、表５に記載の条件で研磨したときに求められる研磨速度の値を表６の“ＧａＡｓの研磨速度”欄及び“ＴＥＯＳの研磨速度”欄に示す。研磨速度の値は、ＴＥＯＳブランケットウェーハについては光干渉式膜厚測定装置を用いて測定される研磨前後のウェーハの厚みの差を研磨時間で除することにより求め、ヒ化ガリウムブランケットウェーハについては、研磨前後のウェーハの重量の差を密度と研磨時間で除することによって求めた。また、こうして求めた実施例２０１～２１６及び比較例２０１の各研磨用組成物によるヒ化ガリウムの研磨速度を同じ研磨用組成物によるＴＥＯＳの研磨速度で除して得られる値を表６の“ＧａＡｓの研磨速度／ＴＥＯＳの研磨速度”欄に示す。
　ＴＥＯＳの研磨速度の値は、３００Å／ｍｉｎ以下の場合に合格レベルであるが、より好ましくは２００Å／ｍｉｎ以下、さらに好ましくは１００Å／ｍｉｎ以下である。ヒ化ガリウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値は、５以上の場合に合格レベルであるが、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは１５以上である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 　表６に示すように、実施例２０１～２１６の研磨用組成物の場合には、ＴＥＯＳの研磨速度が１００Å／ｍｉｎ以下であるか、あるいはヒ化ガリウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値が１５以上であり、高移動度材料部分を選択的に研磨する目的で満足に使用できるレベルの結果が得られた。
　これに対し、比較例２０１の研磨用組成物の場合には、ヒ化ガリウムの研磨速度をＴＥＯＳの研磨速度で除した値が合格レベルに達しておらず、高移動度材料部分を選択的に研磨する目的で満足に使用できるレベルの結果が得られなかった。

Claims (6)

  1. 　高移動度材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、平均一次粒子径が４０ｎｍ以下である砥粒と、酸化剤とを含有することを特徴とする研磨用組成物。
  2. 　前記ケイ素材料を含有する部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料を含有する部分の加水分解を抑制する働きをする加水分解抑制化合物をさらに含有する、請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 　高移動度材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒と、酸化剤と、前記ケイ素材料を含有する部分の表面ＯＨ基と結合してケイ素材料を含有する部分の加水分解を抑制する働きをする加水分解抑制化合物とを含有することを特徴とする研磨用組成物。
  4. 　研磨用組成物が中性のｐＨを有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、高移動度材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨することを特徴とする研磨方法。
  6. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、高移動度材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する工程を有することを特徴とする基板の製造方法。
PCT/JP2012/080219 2011-11-25 2012-11-21 研磨用組成物 WO2013077369A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/359,269 US9238755B2 (en) 2011-11-25 2012-11-21 Polishing composition
KR1020147016697A KR102028217B1 (ko) 2011-11-25 2012-11-21 연마용 조성물
US14/736,711 US9816010B2 (en) 2011-11-25 2015-06-11 Polishing composition

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011258343A JP6068791B2 (ja) 2011-11-25 2011-11-25 研磨用組成物
JP2011-258343 2011-11-25
JP2012-061154 2012-03-16
JP2012061154A JP6095897B2 (ja) 2012-03-16 2012-03-16 研磨用組成物

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/359,269 A-371-Of-International US9238755B2 (en) 2011-11-25 2012-11-21 Polishing composition
US14/736,711 Continuation US9816010B2 (en) 2011-11-25 2015-06-11 Polishing composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013077369A1 true WO2013077369A1 (ja) 2013-05-30

Family

ID=48469811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/080219 WO2013077369A1 (ja) 2011-11-25 2012-11-21 研磨用組成物

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9238755B2 (ja)
KR (1) KR102028217B1 (ja)
TW (1) TWI567182B (ja)
WO (1) WO2013077369A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150014924A (ko) * 2012-04-18 2015-02-09 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물
WO2016084682A1 (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
US10106705B1 (en) 2017-03-29 2018-10-23 Fujifilm Planar Solutions, LLC Polishing compositions and methods of use thereof
US20190153262A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing memory hard disks exhibiting reduced surface scratching
JP7488672B2 (ja) * 2020-03-19 2024-05-22 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法および半導体基板の製造方法
CN115725241B (zh) * 2022-11-17 2024-05-03 万华化学集团电子材料有限公司 一种多晶硅抛光组合物及其应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160138A (ja) * 1998-12-01 2000-06-13 Fujimi Inc 研磨用組成物
WO2007029465A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Asahi Glass Company, Limited 研磨剤、被研磨面の研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715842A (en) * 1970-07-02 1973-02-13 Tizon Chem Corp Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces
JPH085007B2 (ja) 1986-12-12 1996-01-24 日産化学工業株式会社 第▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の研磨剤
JPH01193166A (ja) * 1988-01-28 1989-08-03 Showa Denko Kk 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド
US6022264A (en) * 1997-02-10 2000-02-08 Rodel Inc. Polishing pad and methods relating thereto
JPH11204520A (ja) 1998-01-08 1999-07-30 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
AU2001256208A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-15 Bayer Aktiengesellschaft Polishing agent and method for producing planar layers
US20050026432A1 (en) * 2001-04-17 2005-02-03 Atwater Harry A. Wafer bonded epitaxial templates for silicon heterostructures
US7238622B2 (en) * 2001-04-17 2007-07-03 California Institute Of Technology Wafer bonded virtual substrate and method for forming the same
JP2003109918A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 化学機械研磨（ｃｍｐ）を用いてボンディングのためにウェハを平滑化する装置およびその方法
JP4053755B2 (ja) 2001-09-28 2008-02-27 株式会社東芝 Ｃｍｐ用スラリーおよび半導体装置の製造方法
AU2002359356A1 (en) * 2001-11-16 2003-06-10 Ferro Corporation Particles for use in cmp slurries and method for producing them
US20030139122A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-24 Lawing Andrew Scott Polishing pad for a chemical mechanical planarization or polishing (CMP) system
US6884144B2 (en) * 2002-08-16 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Methods and systems for planarizing microelectronic devices with Ge-Se-Ag layers
JP4167928B2 (ja) 2003-04-23 2008-10-22 住友金属鉱山株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハ用の研磨液及びそれを用いたｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハの研磨方法
AU2003257713A1 (en) * 2003-08-08 2005-02-25 Vichel Inc. Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same
FR2864457B1 (fr) * 2003-12-31 2006-12-08 Commissariat Energie Atomique Procede de nettoyage par voie humide d'une surface notamment en un materiau de type silicium germanium.
JP4759298B2 (ja) * 2005-03-30 2011-08-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 単結晶表面用の研磨剤及び研磨方法
US20060278614A1 (en) * 2005-06-08 2006-12-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for defect improvement by reduced particle stiction on copper surface
US20060288929A1 (en) * 2005-06-10 2006-12-28 Crystal Is, Inc. Polar surface preparation of nitride substrates
CN1731567B (zh) * 2005-06-22 2010-08-18 中国科学院上海微***与信息技术研究所 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液
US8771552B2 (en) * 2005-06-23 2014-07-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group III nitride crystal substrate, epilayer-containing group III nitride crystal substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2007103463A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ポリシングスラリー、ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ結晶の表面処理方法およびＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ結晶基板
JP2007103514A (ja) 2005-09-30 2007-04-19 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
JP2008135452A (ja) 2006-11-27 2008-06-12 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
JP2008182179A (ja) 2006-12-27 2008-08-07 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤用添加剤、研磨剤、基板の研磨方法及び電子部品
US8263474B2 (en) * 2007-01-11 2012-09-11 Tokyo Electron Limited Reduced defect silicon or silicon germanium deposition in micro-features
FR2912841B1 (fr) 2007-02-15 2009-05-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de polissage d'heterostructures
US8821750B2 (en) * 2007-02-27 2014-09-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. Metal polishing slurry and polishing method
US20090001339A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Tae Young Lee Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same
DE102007035266B4 (de) * 2007-07-27 2010-03-25 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Silicium oder einer Legierung aus Silicium und Germanium
JP5140469B2 (ja) * 2007-09-12 2013-02-06 富士フイルム株式会社 金属用研磨液、及び化学的機械的研磨方法
CA2700413A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Polishing of sapphire with composite slurries
US9120960B2 (en) * 2007-10-05 2015-09-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composite slurries of nano silicon carbide and alumina
JP5602358B2 (ja) * 2007-11-30 2014-10-08 日揮触媒化成株式会社 非球状シリカゾル、その製造方法および研磨用組成物
JP5444625B2 (ja) 2008-03-05 2014-03-19 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
US9202709B2 (en) 2008-03-19 2015-12-01 Fujifilm Corporation Polishing liquid for metal and polishing method using the same
FR2932108B1 (fr) * 2008-06-10 2019-07-05 Soitec Polissage de couches de germanium
JP5204226B2 (ja) * 2008-06-13 2013-06-05 株式会社フジミインコーポレーテッド アルミニウム酸化物粒子及びそれを含有する研磨用組成物
US8981427B2 (en) * 2008-07-15 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing of small composite semiconductor materials
US20100072515A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-25 Amberwave Systems Corporation Fabrication and structures of crystalline material
DE102008053610B4 (de) * 2008-10-29 2011-03-31 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102008059044B4 (de) 2008-11-26 2013-08-22 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe mit einer verspannt-relaxierten Si1-xGex-Schicht
JP2010245091A (ja) 2009-04-01 2010-10-28 Fujifilm Corp 化学的機械的研磨液及び研磨方法
US8883031B2 (en) * 2009-08-19 2014-11-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP polishing liquid and polishing method
JP2010030041A (ja) 2009-11-04 2010-02-12 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
JP5035387B2 (ja) 2010-05-10 2012-09-26 住友電気工業株式会社 研磨剤、化合物半導体の製造方法および半導体デバイスの製造方法
KR20120020556A (ko) * 2010-08-30 2012-03-08 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 공정의 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 상변화 메모리 소자의 형성 방법
US8062963B1 (en) * 2010-10-08 2011-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a semiconductor device having an epitaxy region
SG191877A1 (en) * 2011-01-25 2013-08-30 Hitachi Chemical Co Ltd Cmp polishing fluid, method for manufacturing same, method for manufacturing composite particle, and method for polishing base material
US8309468B1 (en) * 2011-04-28 2012-11-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition and method for polishing germanium-antimony-tellurium alloys
US8790160B2 (en) * 2011-04-28 2014-07-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing composition and method for polishing phase change alloys
EP2742103B1 (en) * 2011-08-01 2016-09-21 Basf Se A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-xGex MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC ORGANIC COMPOUND
RU2014107762A (ru) * 2011-08-01 2015-09-10 Басф Се СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ ХМП КОМПОЗИЦИИ, ОБЛАДАЮЩЕЙ ЗНАЧЕНИЕМ pH ОТ 3,0 ДО 5,5

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160138A (ja) * 1998-12-01 2000-06-13 Fujimi Inc 研磨用組成物
WO2007029465A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Asahi Glass Company, Limited 研磨剤、被研磨面の研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140094625A (ko) 2014-07-30
TW201335348A (zh) 2013-09-01
KR102028217B1 (ko) 2019-10-02
US20140322913A1 (en) 2014-10-30
US9816010B2 (en) 2017-11-14
US9238755B2 (en) 2016-01-19
US20150287609A1 (en) 2015-10-08
TWI567182B (zh) 2017-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9816010B2 (en) Polishing composition
KR102515964B1 (ko) 연마용 조성물
US8419970B2 (en) Silicon nitride polishing liquid and polishing method
JP6156630B2 (ja) 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
JP5601922B2 (ja) 研磨液及び研磨方法
JP2011216582A (ja) 研磨方法、および研磨液
TWI730970B (zh) 研磨方法及雜質去除用組成物以及基板及其製造方法
JP2011216581A (ja) 研磨液及び研磨方法
TWI679272B (zh) 研磨用組成物及使用其之研磨方法
JP2009289885A (ja) 研磨液及び研磨方法
US20160208141A1 (en) Polishing composition
JP6095897B2 (ja) 研磨用組成物
JP2004153158A (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
JP2009289886A (ja) 研磨液及び研磨方法
US9688884B2 (en) Polishing composition
US9834703B2 (en) Polishing composition
JP2013089819A (ja) 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法
JP6068791B2 (ja) 研磨用組成物
WO2021065225A1 (ja) 研磨用組成物
WO2023085009A1 (ja) 化学機械研磨用組成物および研磨方法
US20230109597A1 (en) Cleaning composition
WO2023140049A1 (ja) 研磨液、研磨方法
JP6068790B2 (ja) 研磨用組成物の製造方法
WO2016052281A1 (ja) 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
TW202317717A (zh) 拋光組成物及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12852024

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14359269

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147016697

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12852024

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1