WO2013054790A1 - 導体回路を有する構造体及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物 - Google Patents

導体回路を有する構造体及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物 Download PDF

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thermosetting
thermosetting resin
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蔵渕　和彦
藤本　大輔
薫平 山田
名越　俊昌
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日立化成株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a structure having a conductor circuit, a method for producing the structure, and a thermosetting resin composition.
  • a printed wiring board which is one of the structures having a conductor circuit, is a structure in which a plurality of wiring layers are formed on a core substrate, a copper-clad laminate serving as a core substrate, and an interlayer insulating material provided between each wiring layer And a solder resist provided on the outermost surface.
  • a semiconductor element is usually mounted on a printed wiring board via a die bonding material or an underfill material.
  • the entire surface may be sealed with a transfer sealing material, or a metal cap (lid) for the purpose of improving heat dissipation may be attached.
  • semiconductor devices have become lighter and shorter, and the density of semiconductor elements and multilayer printed wiring boards has been increasing. Further, packaging forms such as a package-on-package in which a semiconductor device is stacked on a semiconductor device are actively performed, and it is expected that the mounting density of the semiconductor device will be further increased in the future.
  • the conventional printed wiring board has a low mounting density, and the number of pins of the semiconductor element to be mounted is designed from several thousand pins to around 10,000 pins, so there is no need to provide openings with a small diameter and a narrow pitch. It was.
  • the printed wiring boards described in Patent Documents 1 to 4 are provided with openings by laser using a thermosetting resin material.
  • FIG. 12 is a diagram showing a conventional method for manufacturing a multilayer printed wiring board.
  • a multilayer printed wiring board 100A shown in FIG. 12F has a wiring pattern on the surface and inside.
  • the multilayer printed wiring board 100A is obtained by laminating a copper clad laminate, an interlayer insulating material, a metal foil, and the like and appropriately forming a wiring pattern by an etching method or a semi-additive method.
  • an interlayer insulating layer 103 is formed on both surfaces of a copper clad laminate 101 having a wiring pattern 102 on the surface (see FIG. 12A).
  • the interlayer insulating layer 103 may be printed with a thermosetting resin composition using a screen printer or a roll coater, or a film made of the thermosetting resin composition is prepared in advance, and this film is formed using a laminator. Can also be attached to the surface of the printed wiring board.
  • an opening 104 is formed using a YAG laser or a carbon dioxide gas laser at a portion that needs to be electrically connected to the outside, and a smear (residue) around the opening 104 is removed by a desmear process (FIG. 12B). reference).
  • a seed layer 105 is formed by an electroless plating method (see FIG. 12C).
  • a photosensitive resin composition is laminated on the seed layer 105, and a predetermined portion is exposed and developed to form a wiring pattern 106 (see FIG. 12D).
  • a wiring pattern 107 is formed by an electrolytic plating method, and after removing the cured product of the photosensitive resin composition by a peeling solution, the seed layer 105 is removed by etching (see FIG. 12E).
  • the multilayer printed wiring board 100A can be manufactured by repeating the above and forming the solder resist 108 on the outermost surface (see FIG. 12F).
  • the multilayer printed wiring board 100A obtained in this way semiconductor elements are mounted at corresponding locations, and electrical connection can be ensured.
  • the multilayer printed wiring board 100A manufactured by such a method requires introduction of a new facility such as a laser, and it is difficult to provide a relatively large opening or a minute opening of 60 ⁇ m or less, There are problems that it is necessary to use different lasers according to the aperture diameter, and it is difficult to provide a special shape.
  • each opening when forming an opening using a laser, each opening must be formed one by one, so it takes time when it is necessary to provide a large number of fine openings, and a resin residue around the opening. Therefore, unless the residue is removed, there is a problem that the reliability of the obtained multilayer printed wiring board is lowered.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for sufficiently efficiently producing a structure having a fine opening in an insulating layer and having excellent reliability.
  • Another object of the present invention is to provide a structure (for example, a printed wiring board) having a conductor circuit manufactured by the above method, and a thermosetting resin composition suitable for manufacturing these structures. To do.
  • a method for manufacturing a structure having a conductor circuit includes an opening provided in an insulating layer formed on a surface of a support having a conductor circuit, and a wiring portion connected to the conductor circuit Is a method for producing a structure having a conductor circuit formed in an opening, the first photosensitive resin layer forming step of forming a first photosensitive resin layer on a support so as to cover the conductor circuit; A first patterning step of patterning by subjecting the first photosensitive resin layer to exposure and development, and a thermosetting resin layer on the support so as to cover the pattern of the first photosensitive resin layer Forming a thermosetting resin layer, removing a part of the thermosetting resin layer, exposing a predetermined portion of the pattern of the first photosensitive resin layer from the thermosetting resin layer, and The first photosensitive resin exposed from the thermosetting resin layer It is removed comprising an opening forming step of the opening that exposes the conductor circuit is formed in the thermosetting resin layer.
  • various processes are performed by patterning the first photosensitive resin layer in the first patterning process according to the shape of the opening formed in the thermosetting resin layer.
  • the opening can be easily formed.
  • this printed wiring board manufacturing method unlike the case of forming openings with a laser, in addition to forming a plurality of openings at the same time, resin residues around the openings can be reduced. For this reason, even when the number of pins of the semiconductor element increases and a large number of fine openings need to be provided, a printed wiring board having excellent reliability can be efficiently manufactured.
  • thermosetting resin layer forming process it further includes a thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer, and in the pattern exposure process and the opening forming process, by performing plasma treatment and desmear treatment, It is preferable to remove a part of the thermosetting resin layer after thermosetting and to remove the first photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer.
  • the first photosensitive resin layer can be quickly exposed by plasma treatment and desmear treatment, and residues around the opening can be more reliably reduced.
  • thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and in the pattern exposure process and the opening forming process, a desmear treatment is performed, so that thermosetting It is preferable to remove a part of the resin layer and remove the first photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer.
  • the first photosensitive resin layer can be quickly exposed by the desmear process, and the residue around the opening can be more reliably reduced.
  • thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and by performing a polishing process in the pattern exposure process, thermosetting after thermosetting is performed. It is preferable to remove a part of the resin layer and to remove the first photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer by performing a desmear process in the opening forming step. In this case, the first photosensitive resin layer can be quickly exposed by the polishing process or the desmear process, and the residue around the opening can be more reliably reduced by the desmear process.
  • thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and after the thermosetting by performing plasma treatment in the pattern exposing process and the opening forming process. It is preferable to remove a part of the thermosetting resin layer and to remove the first photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer. In this case, the first photosensitive resin layer can be quickly exposed by the plasma treatment, and residues around the opening can be more reliably reduced.
  • thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and by performing plasma treatment in the pattern exposure process, thermosetting before thermosetting is performed.
  • the first photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer after thermosetting is preferably removed by removing a part of the photosensitive resin layer and performing plasma treatment in the opening forming step. In this case, the first photosensitive resin layer can be quickly exposed by the plasma treatment, and residues around the opening can be more reliably reduced.
  • thermosetting step for thermosetting the thermosetting resin layer as a step after the opening forming step.
  • the first photosensitive resin layer can be quickly exposed by the plasma treatment, and residues around the opening can be more reliably reduced.
  • the temperature of the thermosetting resin layer is preferably 150 ° C. to 250 ° C., and the heating time is preferably 30 minutes to 300 minutes.
  • the thermosetting resin layer can be sufficiently cured. Therefore, in the subsequent pattern exposure step and opening formation step, thermosetting It becomes easy to remove the resin layer and easily expose the conductor circuit.
  • the temperature of the thermosetting resin layer is 250 ° C. or less and the heating time is 300 minutes or less, oxidation of copper on the surface of the conductor circuit can be suppressed, and the thermosetting resin layer can be prevented from peeling off at the copper interface. .
  • thermosetting in an inert gas atmosphere in the thermosetting step.
  • thermosetting in an inert gas atmosphere copper oxidation on the surface of the conductor circuit can be suppressed in the thermosetting step.
  • the wiring part can be formed by electrolytic plating, and the wiring part can be selectively patterned.
  • the thickness T 1 of the first photosensitive resin layer is preferably 2 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the thickness T1 of the first photosensitive resin layer is 2 ⁇ m or more, the photosensitive resin composition used for forming the first photosensitive resin layer can be easily formed. Therefore, a film used for manufacturing a printed wiring board The photosensitive resin composition can be easily produced.
  • the thickness T1 of the first photosensitive resin layer is 50 ⁇ m or less, it becomes easy to form a fine pattern on the first photosensitive resin layer.
  • the thickness T 2 of the thermosetting resin layer is preferably 2 ⁇ m to 50 ⁇ m. And the thickness T 2 of the thermosetting resin layer and over 2 [mu] m, it becomes easy by forming a thermosetting resin composition used to form the thermosetting resin layer, a film-like heat used in the production of printed wiring board A curable resin composition can be easily produced. And the thickness T 2 of the thermosetting resin layer and 50 ⁇ m or less, it is easy to form a fine pattern in the thermosetting resin layer.
  • the ratio (T 2 / T 1 ) of the thickness T 2 of the thermosetting resin layer to the thickness T 1 of the first photosensitive resin layer is set to 1.0 to 2. 0.0 is preferable.
  • (T 2 / T 1 ) is 1.0 or more, the pattern of the first photosensitive resin layer is easily embedded in the thermosetting resin composition in the thermosetting resin layer forming step, and thus the obtained conductor circuit The reliability of the structure having can be further increased.
  • (T 2 / T 1 ) is 2.0 or less, the thermosetting resin layer can be easily removed in the subsequent process, and the opening can be formed in the thermosetting resin layer in a short time. The structure which has can be manufactured more efficiently.
  • the ratio of the depth D of the opening to the minimum diameter R min (D / R min ) is set to 0.1 to 1.0. It is preferable. When (D / R min ) is 0.1 or more, the thickness of the thermosetting resin layer does not become too thin. Therefore, even when a fine opening is formed in the thermosetting resin layer, the shape of the opening Can be kept stable. On the other hand, when (D / R min ) is 1.0 or less, the first photosensitive resin layer is easily removed, and a fine opening having a diameter of 60 ⁇ m or less is more easily formed.
  • the structure having a conductor circuit according to the present invention is a structure having a conductor circuit manufactured by the above-described method for manufacturing a structure having a conductor circuit, and has a diameter of an opening of the thermosetting resin layer. It is preferable that it is 60 micrometers or less.
  • the structure having a conductor circuit manufactured by the above-described manufacturing method has a fine opening in the insulating layer and has excellent reliability as compared with the structure having the conventional conductor circuit shown in FIG. be able to.
  • the diameter of the opening of the thermosetting resin layer in the structure having a conductor circuit is 60 ⁇ m or less, a semiconductor element including a large number of pins having tens of thousands to hundreds of thousands of pins is mounted. It will be suitable for
  • the present invention also relates to a photosensitive resin composition used in the above-described method for producing a structure having a conductor circuit.
  • the present invention also relates to a dry film resist comprising a photosensitive resin composition used in the method for producing a structure having a conductor circuit as described above.
  • the structure having a conductor circuit is a thermosetting resin composition used in the above-described method for producing a structure having a conductor circuit, and includes an epoxy resin, a phenol resin, a cyanate ester resin, and a polyamide.
  • the present invention also relates to a thermosetting resin film comprising the above-described thermosetting resin composition.
  • a structure having a conductive circuit having a fine opening in an insulating layer and excellent reliability can be manufactured sufficiently efficiently.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a first photosensitive resin layer forming step subsequent to FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a first patterning process subsequent to FIG. 2.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a thermosetting resin layer forming step subsequent to FIG. 3.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a pattern exposure process subsequent to FIG. 4.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an opening forming step subsequent to FIG. 5.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a seed layer forming step that follows FIG. 6.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a second patterning step subsequent to FIG. 7.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which a wiring part is formed in a wiring part patterning step subsequent to FIG. 8.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which a wiring portion is patterned in a wiring portion patterning step subsequent to FIG. 8. It is an end view which shows typically the multilayer printed wiring board which has a soldering resist and a nickel / gold layer on the surface in which the wiring part was formed. It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the conventional multilayer printed wiring board. 2 is an SEM photograph showing an opening formed in Example 1. 42 is a SEM photograph showing openings formed in Example 32.
  • the method for producing a structure having a conductor circuit of the present invention is preferably used for producing a printed wiring board for mounting a semiconductor element.
  • rewiring methods for boardless packages such as coreless boards, WLP (Wafer Level Package), eWLB (embedded Wafer Level Ball Grid Array), etc.can also be suitably used.
  • the size of the semiconductor element to be mounted is large, and it is particularly suitable for a printed wiring board for electrically connecting to tens of thousands of bumps arranged in an area array on the surface of the semiconductor element.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a printed wiring board according to an embodiment of the present invention.
  • the copper clad laminated body 1 which has the copper foil 2 on the surface of the both sides which are support bodies first is prepared.
  • unnecessary portions of the copper foil 2 of the copper clad laminate 1 are removed by etching to form conductor circuits 2 a and 2 b to obtain a printed wiring board 10.
  • the material of the circuit is not limited to copper.
  • a first photosensitive resin layer 3 made of a photosensitive resin composition described later is formed on the printed wiring board 10 so as to cover the conductor circuits 2a and 2b (first photosensitive property). Resin layer forming step).
  • the thickness T 1 of the first photosensitive resin layer 3 is preferably 2 ⁇ m to 50 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the photosensitive resin composition used for forming the first photosensitive resin layer can be easily formed. Therefore, a film used for manufacturing a printed wiring board The photosensitive resin composition can be easily produced.
  • the thickness T1 of the first photosensitive resin layer is 50 ⁇ m or less, it becomes easy to form a fine pattern on the first photosensitive resin layer.
  • the thickness T 1 of the first photosensitive resin layer refer to the thickness of the conductor circuit 2a, the first photosensitive resin layer 3 on 2b.
  • a known light source can be used as the actinic light source.
  • a light source that effectively emits ultraviolet rays such as a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, or a xenon lamp can be used. Further, direct drawing direct laser exposure may be used.
  • exposure amount varies depending on the composition of the device or a photosensitive resin composition to be used, preferably in the 10mJ / cm 2 ⁇ 600mJ / cm 2, and more preferably set to 20mJ / cm 2 ⁇ 400mJ / cm 2.
  • the photosensitive resin composition can be sufficiently photocured, and when the exposure amount is 600 mJ / cm 2 or less, the photocuring is not excessive and the first photosensitive property after development.
  • the pattern of the resin layer 3 can be formed stably.
  • the patterns 3a and 3b of the first photosensitive resin layer are formed on both surfaces of the printed wiring board as shown in FIG. Form (development process in the first patterning step).
  • the patterns 3a and 3b of the first photosensitive resin layer are removed in an opening forming step which will be described later and become fine openings formed in the thermosetting resin layer 4 (see FIG. 6).
  • an alkali developer such as a sodium carbonate solution (1 to 5% by mass aqueous solution) at 20 ° C. to 50 ° C. is used, and spraying, rocking immersion, brushing, scraping, etc. Development is performed by a known method. As a result, predetermined first photosensitive resin layer patterns 3a and 3b are formed.
  • thermosetting resin layer 4 made of a thermosetting resin composition described later on the printed wiring board 10 so as to cover the patterns 3a and 3b of the first photosensitive resin layer.
  • thermosetting resin layer forming step In the process of forming the thermosetting resin layer 4, the thermosetting resin layer is obtained by performing a known screen printing in the case of a liquid, a process of applying by a roll coater, or a process of attaching by a vacuum laminating in the case of a film. 4 is formed on a printed wiring board.
  • the thermosetting resin composition used for forming the thermosetting resin layer both liquid and film can be applied. In order to control the thickness of the thermosetting resin layer 4 with high accuracy, the thickness is previously set. The film-like thing which manages thickness can be used conveniently.
  • the thickness T 2 of the thermosetting resin layer 4 is preferably 2 ⁇ m to 50 ⁇ m, more preferably 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the thickness T 2 of the thermosetting resin layer 4 is 2 ⁇ m, it becomes easy to form a thermosetting resin composition used for forming the thermosetting resin layer 4. A thermosetting resin composition can be easily produced.
  • the thickness T 2 of the thermosetting resin layer is 50 ⁇ m or less, it becomes easy to form a fine pattern on the thermosetting resin layer 4.
  • the thickness T 2 of the thermosetting resin layer 4, as shown in FIG. 4, refer to the thickness of the conductor circuit 2a, the thermosetting resin composition on 2b. Further, it is preferable that the thickness T 2 of the first photosensitive thickness of the resin layer 3 T 1 and the thermosetting resin layer 4 is the same thickness.
  • the ratio (T 2 / T 1 ) of the thickness T 2 of the thermosetting resin layer 4 to the thickness T 1 of the first photosensitive resin layer 3 is 1.0 to 2. 0 is preferable, and 1.0 to 1.5 is more preferable.
  • (T 2 / T 1 ) is 1.0 or more, the pattern 3a, 3b of the first photosensitive resin layer is easily embedded with the thermosetting resin composition in the thermosetting resin layer forming step. The reliability of the printed wiring board obtained can be further increased.
  • (T 2 / T 1 ) is 2.0 or less, an opening can be formed in the thermosetting resin layer 4 in a short time, and a printed wiring board can be manufactured more efficiently. When used, the chemical solution can be prevented from deteriorating.
  • thermosetting resin layer 4 is thermally cured (thermosetting step).
  • the temperature is preferably 150 to 250 ° C. and the heating time is preferably 30 to 300 minutes. More preferably, the temperature is 160 ° C. to 200 ° C., and the heating time is 30 minutes to 120 minutes. If the temperature is 150 ° C. or higher and the heating time is 30 minutes or longer, the thermosetting resin layer 4 can be sufficiently cured. Therefore, the thermosetting resin layer 4 is removed in the subsequent pattern exposure step and opening formation step. This makes it easier to expose the conductor circuits 2a and 2b. On the other hand, when the temperature is 250 ° C.
  • thermosetting resin layer 4 is peeled off at the interface of the conductor circuits 2a and 2b. It can be suppressed.
  • a clean oven is generally used for thermosetting, and curing may be performed in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen in order to suppress copper oxidation.
  • thermosetting resin layer 4 After thermosetting is removed, and predetermined portions of the patterns 3 a and 3 b of the first photosensitive resin layer are exposed from the thermosetting resin layer 4. (Pattern exposure step).
  • the desmear treatment can be performed, for example, by immersing the substrate to be treated in a mixed solution of sodium permanganate solution, sodium hydroxide solution, potassium permanganate solution, chromium solution, sulfuric acid, or the like. Specifically, after the substrate to be treated is swelled with hot water or a predetermined swelling liquid, residues, etc. are removed with sodium permanganate liquid, etc., and reduction (neutralization) is performed, followed by washing with water and washing with hot water. , Dry. If a sufficient opening is not formed even after a single process, the process may be performed multiple times.
  • the desmear process is not limited to the above. Moreover, you may perform a thermosetting process again after a desmear process. Although the effect varies depending on the thermosetting resin to be used, it is possible not only to perform thermosetting and raise the glass transition temperature, but also to achieve low thermal expansion.
  • the patterns 3a and 3b of the first photosensitive resin layer are exposed from the thermosetting resin layer 4, the patterns 3a and 3b of the first photosensitive resin layer exposed from the thermosetting resin layer 4 by the desmear process are applied. As shown in FIG. 6, the conductor circuits 2a and 2b are exposed (opening forming step). Thus, the opening 4h is formed in the thermosetting resin layer 4.
  • the thermosetting resin layer 4 may be removed using plasma treatment or polishing treatment instead of desmear treatment.
  • the desmear process the plasma process or the polishing process
  • the thermosetting resin layer 4 may be removed by using two or more processes in combination. It is preferable to remove the thermosetting resin layer 4 by polishing treatment by sand blasting and mechanical polishing or chemical mechanical polishing (CMP) or the like when the thickness T 2 of the thermosetting resin layer 4 is thick.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the first photosensitive resin layer patterns 3a and 3b may be removed using a plasma process, or the first smear process and the plasma process may be used in combination.
  • the patterns 3a and 3b of the photosensitive resin layer may be removed.
  • the pattern exposure process and the opening formation process may be performed by individual apparatuses, or may be performed by an apparatus in which these processes are incorporated as a series of processes.
  • active and inert gases such as argon gas, nitrogen gas, helium gas, monosilane gas, oxygen gas, hydrogen gas, and chlorine gas can be used. Moreover, these can also be used together.
  • active and inert gases such as argon gas, nitrogen gas, helium gas, monosilane gas, oxygen gas, hydrogen gas, and chlorine gas can be used. Moreover, these can also be used together.
  • the plasma processing apparatus a barrel type or parallel plate type plasma processing apparatus can be used. The output, flow rate, and processing time of the plasma processing can be selected as appropriate.
  • the thermosetting resin layer 4 is ground with abrasive cloth paper or sandpaper obtained by bonding an abrasive to paper or cloth using an apparatus such as a grinder or a grinder.
  • the abrasive is not limited, but artificial abrasives such as fused alumina and silicon carbide, and natural abrasives such as garnet and emery are used.
  • the grain size of the abrasive grains is not limited, but it is desirable to grind with # 1500 or more at the end so as not to leave scratches on the surface.
  • the diameter of the opening formed in the thermosetting resin layer 4 (R shown in FIG. 6) is preferably 60 ⁇ m or less.
  • the ratio of the depth of the opening to the smallest opening diameter R min (D / R min ) is preferably 0.1 to 1.0. 0.2 to 0.8 is more preferable.
  • (D / R min ) is 0.1 or more, the thickness of the thermosetting resin layer 4 does not become too thin, so even if a fine opening is formed in the thermosetting resin layer 4, the opening The shape of 4h can be kept stable.
  • the first photosensitive resin layer 3 is easily removed, and a fine opening having a diameter of 60 ⁇ m or less is more easily formed.
  • the shape of the opening 4h is circular, but may be elliptical or the like.
  • the diameter R min may be a circle equivalent diameter.
  • seed layers 5 are formed on both surfaces by electroless plating so as to cover at least part of the thermosetting resin layer 4 after the opening 4h is formed (seed layer forming step).
  • the seed layer forming step the surface 4s of the thermosetting resin layer 4 where the opening 4h is not provided, the wall surface 4w of the thermosetting resin layer 4 where the opening 4h is provided, and the exposed conductor circuit.
  • a seed layer 5 is formed on the surfaces 2a and 2b.
  • the thickness of the seed layer 5 is not particularly limited, but is usually preferably 0.1 ⁇ m to 1.0 ⁇ m.
  • the seed layer 5 can be formed not only by electroless copper plating but also by sputtering.
  • the target can be selected as appropriate, but it is common to deposit Cu after Ti.
  • the thickness of Ti or Cu is not particularly limited, but is preferably about 20 to 100 nm for Ti and about 100 to 500 nm for Cu.
  • a phototool having a predetermined pattern is brought into close contact, and exposure processing and development processing are performed.
  • the second photosensitive resin layers on both sides are patterned (second patterning step).
  • the patterns 6a and 6b of the second photosensitive resin layer formed on both surfaces form a fine wiring pattern in a portion closer to the surface on which the semiconductor element is mounted, so that the pattern 6b of the second photosensitive resin layer is smaller than the pattern 6b of the second photosensitive resin layer.
  • the pattern pitch of the pattern 6a pattern of the second photosensitive resin layer is narrower.
  • the wiring portion 7 is formed by an electrolytic plating method such as copper electrolytic plating so as to cover at least a part of the seed layer 5.
  • the wiring portion 7 is formed on the surface of the seed layer 5 other than the region where the patterns 6a and 6b of the second photosensitive resin layer are formed.
  • the wiring portion 7 is formed on the seed layer 5 formed on the wall surface 4w and the surfaces of the conductor circuits 2a and 2b.
  • the thickness of the wiring part 7 is preferably 1 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the patterns 6a and 6b of the second photosensitive resin layer are peeled off by a peeling solution to form wiring patterns 7a and 7b (wiring part patterning step).
  • the seed layer 5 in the region where the wiring part 7 is not formed is removed by etching using an etching solution (seed layer removing step).
  • a multilayer printed wiring board 100 having wiring portions (wiring patterns 7a and 7b) on the surface can be obtained as shown in FIG. Furthermore, after repeating the series of steps from the photosensitive resin layer forming step to the seed layer removing step on both the front and back surfaces of the multilayer printed wiring board 100, a solder resist 8 is formed on the outermost layer, By forming a nickel / gold layer 9 by plating using an electrolytic nickel / gold plating solution or the like, a multilayer printed wiring board 200 as shown in FIG. 11 can be obtained.
  • the multilayer printed wiring board 200 has three wiring portions (wiring patterns 7a and 7b) by repeating a series of steps from the photosensitive resin layer forming step to the seed layer removing step three times.
  • wiring portions (wiring patterns 7a and 7b) formed in each thermosetting resin layer 4 are electrically connected.
  • the multilayer printed wiring boards 100 and 200 are suitable as printed wiring boards for mounting flip-chip type semiconductor elements that are becoming finer and higher in density.
  • the size of the semiconductor element to be mounted is large, and it is particularly suitable for a printed wiring board for electrically connecting to tens of thousands of bumps arranged in an area array on the surface of the semiconductor element.
  • thermosetting resin composition used for manufacture of the above-mentioned multilayer printed wiring boards 100 and 200
  • the present invention is not limited to these resin compositions. .
  • the photosensitive resin composition used for manufacture of the multilayer printed wiring board 100,200 is not specifically limited, The following are suitable. That is, the photosensitive resin composition suitable for forming the photosensitive resin layer is (A) a binder polymer; (B) a photopolymerizable compound having at least one ethylenically unsaturated bond; (C) a photopolymerization initiator; It is preferable to contain.
  • This photosensitive resin composition can be used when forming both the first photosensitive resin layer and the second photosensitive resin layer.
  • the photosensitive resin composition does not contain (d) an inorganic filler.
  • the resolution after development is improved, a fine pattern can be formed, and the side surface of the opening after being peeled by the desmear process tends to be smooth.
  • (d) inorganic filler is included in the photosensitive resin composition, it is preferable that a maximum particle size is 5 micrometers or less and an average particle diameter is 1 micrometer or less.
  • component (a) examples include, for example, acrylic resins, styrene resins, epoxy resins, amide resins, amide epoxy resins, alkyds. Resin, phenol resin and the like. An acrylic resin is preferable from the viewpoint of alkali developability. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the binder polymer can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer.
  • polymerizable monomer examples include polymerizable styrene derivatives substituted at the ⁇ -position or aromatic ring such as styrene, vinyltoluene, and ⁇ -methylstyrene, acrylamide such as diacetone acrylamide, acrylonitrile, and the like.
  • esters of vinyl alcohol such as vinyl-n-butyl ether, (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid benzyl ester, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, ( (Meth) acrylic acid diethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid , ⁇ -bromo (meth) acrylic acid, ⁇ -chloro (meth) acrylic acid, ⁇ -furyl (meth) acrylic acid, ⁇ -styryl (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, maleic Examples include maleic acid monoesters such as monoethyl acid and monoisoprop
  • the binder polymer (a) preferably contains a carboxyl group from the viewpoint of alkali developability, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer having a carboxyl group and other polymerizable monomers. Can be manufactured.
  • a polymerizable monomer having a carboxyl group (meth) acrylic acid is preferable, and methacrylic acid is more preferable.
  • the carboxyl group content (a) of the binder polymer (the ratio of the polymerizable monomer having a carboxyl group to the total polymerizable monomer used) is preferably 12 from the viewpoint of the balance between alkali developability and alkali resistance. -50% by mass, more preferably 12-40% by mass, still more preferably 15-30% by mass, and particularly preferably 15-25% by mass.
  • the carboxyl group content is 12% by mass or more, alkali developability is improved, and when it is 50% by mass or less, alkali resistance can be increased.
  • the weight average molecular weight of the binder polymer is preferably 20,000 to 300,000, more preferably 40,000 to 150,000, even more preferably from the viewpoint of the balance between mechanical strength and alkali developability. Is 50,000 to 120,000.
  • the weight average molecular weight is 20,000 or more, the developer resistance is improved, and when it is 300,000 or less, the development time can be shortened.
  • the weight average molecular weight is a value measured by a gel permeation chromatography method and converted by a calibration curve created using standard polystyrene.
  • component (b) As a photopolymerizable compound having at least one ethylenically unsaturated bond (hereinafter referred to as “component (b)” for convenience), for example, a polyhydric alcohol is reacted with an ⁇ , ⁇ -unsaturated carboxylic acid.
  • the content of the component (b) is preferably 10 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (a) and (b) from the viewpoint of the balance between photosensitivity and resolution.
  • the amount is preferably 20 to 30 parts by mass.
  • Examples of the photopolymerization initiator of the component (c) include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone.
  • Aromatic ketones such as 2-morpholino-propanone-1, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone 2,3-diphenylanthraquinone, 1 Quinones such as chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenantharaquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, and 2,3-dimethylanthra
  • the substituents of the aryl groups of two 2,4,5-triarylimidazoles may be the same to give the target compound, or differently give an asymmetric compound.
  • 2,4,5-triarylimidazole dimer is more preferable from the viewpoint of balance between adhesion and sensitivity. These are used alone or in combination of two or more.
  • the content of the binder polymer (a) is preferably 30 to 80 parts by weight, more preferably 40 to 75 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the components (a) and (b). More preferred is 50 to 70 parts by mass.
  • the content of the photopolymerizable compound (b) having at least one ethylenically unsaturated bond is preferably 20 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass as a total of the components (a) and (b). More preferably, it is 30 to 55 parts by mass, and still more preferably 35 to 50 parts by mass. When the content of the component (b) is within this range, the photosensitivity and coating property of the photosensitive resin composition become better.
  • the content of the above (c) photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 30 parts by mass, more preferably 0.1 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass as a total of the components (a) and (b).
  • the amount is 20 parts by mass, more preferably 0.2 to 10 parts by mass.
  • the photosensitive resin composition is preferably (d) filler-free without being filled with an inorganic filler, but may be filled with a small amount.
  • D By filling a small amount of the inorganic filler, the shrinkage amount becomes small, the rigidity becomes high, and the thickness dimensional accuracy can be improved.
  • D When the filling amount of the inorganic filler is less than 5% by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the photosensitive resin composition, the resolution can be improved.
  • inorganic fillers examples include barium sulfate, barium titanate, powdered silicon oxide, amorphous silica, talc, clay, calcined kaolin, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, and mica powder.
  • Inorganic fillers can be used.
  • the maximum particle size of the inorganic filler is preferably 2 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably 300 nm or less, more preferably 100 nm or less, from the viewpoint of resolution.
  • the photosensitive resin composition includes, if necessary, dyes such as malachite green, Victoria pure blue, brilliant green, and methyl violet, tribromophenyl sulfone, leuco crystal violet, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, Photo-coloring agents such as diethylaniline, o-chloroaniline and tertiary butyl catechol, thermo-coloring inhibitors, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, pigments, fillers, antifoaming agents, flame retardants, adhesion-imparting agents, 0.01 to 20 parts by mass of a leveling agent, a peeling accelerator, an antioxidant, a fragrance, an imaging agent, a thermal crosslinking agent, a polymerization inhibitor, etc. with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (a) and component (b) Can be contained. These are used alone or in combination of two or more.
  • the photosensitive resin composition is dissolved in a solvent such as methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, or a mixed solvent thereof.
  • a solvent such as methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, or a mixed solvent thereof.
  • a solvent such as methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, or a mixed solvent thereof.
  • Metal surfaces for example, iron-type alloys, such as copper, a copper-type alloy, nickel, chromium, iron, stainless steel, Preferably copper, a copper-type alloy, and an iron-type alloy It is preferable that the surface is applied as a liquid resist and dried, and then coated with a protective film, if necessary, or used in the form of a photosensitive element.
  • the form of the photosensitive element includes a support and a photosensitive resin composition layer (resin layer) formed by uniformly applying and drying the solution of the photosensitive resin composition on the support.
  • a protective film for coating the photosensitive resin composition layer may be further provided.
  • the support can be obtained, for example, by applying and drying a photosensitive resin composition on a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, and polyester. From the viewpoint of transparency, it is preferable to use a polyethylene terephthalate film.
  • thermosetting resin composition used for manufacture of the multilayer printed wiring boards 100 and 200 is not particularly limited, the following are preferable. That is, the thermosetting resin composition suitable for the formation of the thermosetting resin layer 4 is at least one selected from the group consisting of epoxy resins, phenol resins, cyanate ester resins, polyamideimide resins, and thermosetting polyimide resins. It is preferable to contain the resin composition to contain and the inorganic filler whose maximum particle diameter is 5 micrometers or less and whose average particle diameter is 1 micrometer or less.
  • the epoxy resin is preferably an epoxy resin having one or more glycidyl groups in the molecule.
  • the filling amount of the inorganic filler is preferably in the range of 0 to 90% by mass, more preferably in the range of 20 to 70% by mass, and still more preferably 30 to 60% by mass.
  • epoxy resin having two or more glycidyl groups can be used as the epoxy resin, but bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolak phenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy are preferable.
  • Bisphenol S type epoxy resin such as resin, bisphenol S diglycidyl ether, naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin such as bixylenol diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A glycidyl ether, etc.
  • Bisphenol A type epoxy resins, dibasic acid-modified diglycidyl ether type epoxy resins, and the like which can be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of commercially available epoxy resins include naphthalene type epoxy resins such as EXA4700 (tetrafunctional naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC Corporation, NC-7000 (polyfunctional solid epoxy resin containing naphthalene skeleton) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; Japan Epoxidized product (trisphenol type epoxy resin) of a condensate of phenols such as EPPN-502H (trisphenol epoxy resin) and an aromatic aldehyde having a phenolic hydroxyl group; Epicron HP- manufactured by DIC Corporation Dicyclopentadiene aralkyl epoxy resin such as 7200H (dicyclopentadiene skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin); Biphenyl aralkyl epoxy resin such as NC-3000H (biphenyl skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • EXA4700 tetrafunctional naphthalene type epoxy
  • biphenyl aralkyl type epoxy resins such as NC-3000H (biphenyl skeleton-containing polyfunctional solid epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. are preferable in terms of excellent adhesion to copper and insulation. From the viewpoint of high crosslinking density and high Tg, it is more preferable to use EPPN-500 series manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • the content of the epoxy resin is preferably 30 to 90 parts by mass, and more preferably 40 to 80 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component excluding the inorganic filler component.
  • epoxy resin curing agents or epoxy resin curing accelerators can be blended.
  • the cyanate ester resin is a resin that generates a cured product having a triazine ring as a repeating unit by heating, and the cured product is excellent in dielectric characteristics, and is often used particularly when high-frequency characteristics are required.
  • cyanate ester resins include 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, bis (4-cyanatophenyl) ethane, 2,2-bis (3,5-dimethyl-4-cyanatophenyl) methane, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, ⁇ , ⁇ '-bis (4-cyanatophenyl) -m-diisopropylbenzene, phenol novolak And cyanate esterified products of alkylphenol novolac and the like.
  • 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane is preferable because it has a particularly good balance between the dielectric properties and curability of the cured product and is inexpensive in terms of cost.
  • a cyanate ester compound may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for it.
  • the cyanate ester compound used here may be partially oligomerized in advance to a trimer or a pentamer.
  • a curing catalyst or a curing accelerator may be added to the cyanate resin.
  • the curing catalyst metals such as manganese, iron, cobalt, nickel, copper and zinc are used.
  • organic metal salts such as 2-ethylhexanoate, naphthenate and octylate and acetylacetone are used. Used as organometallic complexes such as complexes. These may be used singly or in combination of two or more.
  • Phenols are preferably used as the curing accelerator, and monofunctional phenols such as nonylphenol and paracumylphenol, bifunctional phenols such as bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S, or polyfunctional phenols such as phenol novolac and cresol novolac. Etc. can be used. These may be used singly or in combination of two or more.
  • the thermosetting resin composition preferably contains a maleimide compound having at least two unsaturated N-substituted maleimide groups in the molecular structure.
  • a maleimide compound having at least two unsaturated N-substituted maleimide groups in the molecular structure.
  • a polyimide resin, a polyamideimide resin, or various carboxylic acid-containing resins may be used as another resin for reacting with an epoxy resin.
  • the polyamide-imide resin include Toyobo's “Bilomax HR11NN”, “Bilomax HR12N2”, “Bilomax HR16NN”, and the like.
  • the carboxylic acid-containing resin include acrylic resins, acid-modified epoxy acrylates, and acid-containing urethane resins.
  • the content of the curing agent is preferably 5 to 50 parts by mass and more preferably 10 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component excluding the inorganic filler component.
  • inorganic filler all conventionally known inorganic fillers and organic fillers can be used, and are not limited to specific ones.
  • extender pigments such as barium sulfate, barium titanate, amorphous silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, silicon nitride, aluminum nitride, , Copper, tin, zinc, nickel, silver, palladium, aluminum, iron, cobalt, gold, platinum, and other metal powders.
  • silica filler When silica filler is used, it is desirable to use a silane coupling agent in order to disperse the filler in the resin without agglomeration with the primary particle size.
  • the maximum particle size is preferably 5 ⁇ m or less, and more preferably 1 ⁇ m or less.
  • the silane coupling agent generally available ones can be used, for example, alkyl silane, alkoxy silane, vinyl silane, epoxy silane, amino silane, acrylic silane, methacryl silane, mercapto silane, sulfide silane, isocyanate silane, Sulfur silane, styryl silane, alkylchlorosilane, and the like can be used.
  • Specific compound names include methyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, trimethylmethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, isobutyltrimethoxy.
  • Silane diisobutyldimethoxysilane, isobutyltriethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, cyclohexylmethyldimethoxysilane, n-octyltriethoxysilane, n-dodecylmethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, diphenyldimethoxy Silane, triphenylsilanol, methyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, n-octyl Methylchlorosilane, tetraethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- (2-aminoethyl
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably 300 nm or less, more preferably 100 nm or less. The smaller the average particle size of the inorganic filler, the smoother the surface after desmear treatment, and the filling property of the underfill material tends to improve during subsequent flip chip mounting.
  • the filling amount of the inorganic filler is preferably 0 to 90% by mass, more preferably 20 to 70% by mass, and further preferably 30 to 60% by mass.
  • the first photosensitive resin layer 3 in the first patterning process according to the shape of the opening formed in the thermosetting resin layer 4.
  • openings 4h having various shapes can be easily formed.
  • the residue of the photosensitive resin around the openings 4h can be reduced. For this reason, even if the number of pins of the semiconductor element increases and it is necessary to provide a large number of fine openings 4h, a printed wiring board having excellent reliability can be manufactured sufficiently efficiently.
  • thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer 4 is further provided.
  • plasma treatment and desmearing are performed.
  • a part of the thermosetting resin layer 4 is removed and the first photosensitive resin layer 3 exposed from the thermosetting resin layer 4 is removed.
  • the first photosensitive resin layer 3 can be quickly exposed by plasma treatment and desmear treatment, and residues around the opening 4h can be more reliably reduced by desmear treatment.
  • thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer 4 is further provided, and desmear treatment is performed in the pattern exposing process and the opening forming process.
  • desmear treatment is performed in the pattern exposing process and the opening forming process.
  • thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer is further provided, and in the pattern exposure process, by performing a polishing process, thermosetting is performed.
  • a part of the later thermosetting resin layer 4 is removed, and the first photosensitive resin layer 3 exposed from the thermosetting resin layer 4 is removed by performing a desmear process in the opening forming step.
  • the first photosensitive resin layer 3 can be quickly exposed by the polishing process and the desmear process, and the residue around the opening 4h can be more reliably reduced by the desmear process.
  • thermosetting process which thermosets the thermosetting resin layer 4 is further provided as a process immediately after a thermosetting resin layer formation process, and a plasma process is performed in a pattern exposure process and an opening formation process.
  • a part of the thermosetting resin layer 4 after thermosetting is removed, and the first photosensitive resin layer 3 exposed from the thermosetting resin layer 4 is removed.
  • the first photosensitive resin layer 3 can be exposed promptly by plasma treatment, and residues around the opening 4h can be more reliably reduced.
  • the seed layer 5 that forms the foundation of the wiring patterns 7a and 7b is formed by electroless plating so as to cover at least a part of the thermosetting resin layer 4 after the opening 4h is formed.
  • the wiring part patterning is performed by peeling the second photosensitive resin layer patterns 6a and 6b by a peeling process to pattern the wiring part 7. It is preferable to further include a step and a seed layer removing step of removing the seed layer 5 in a region where the wiring portion is not formed.
  • the wiring part 7 can be formed by electrolytic plating, and the wiring part 7 can be selectively patterned.
  • the printed wiring board 100 according to the present invention is a printed wiring board manufactured by the method for manufacturing a printed wiring board according to this embodiment, and the diameter of the opening 4h of the thermosetting resin layer 4 is 60 ⁇ m or less. is there. According to such a printed wiring board 100, compared with the conventional printed wiring board shown in FIG. 12, the thermosetting resin layer 4 has the fine opening 4h and can have excellent reliability. . In addition, since such a printed wiring board 100 has a diameter of the opening 4h of the thermosetting resin layer 4 of 60 ⁇ m or less, it is suitable for mounting a semiconductor element having tens of thousands to hundreds of thousands of pins. It will be. Further, the printed wiring board 100 can be subjected to various kinds of processing generally performed on the printed wiring board, for example, nickel / gold plating or soldering on the surface wiring pattern.
  • thermosetting process for thermosetting the thermosetting resin layer 4 is provided as a process immediately after the thermosetting resin layer forming process.
  • plasma processing is performed.
  • a pattern exposing step and an opening forming step are performed.
  • a thermosetting step may be provided as a step between the steps or as a step after the opening forming step.
  • a copper clad laminate 1 (MCL-E-679FG manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) in which a copper foil 2 having a thickness of 12 ⁇ m was adhered to both surfaces was prepared.
  • the thickness of the copper clad laminate 1 was 400 ⁇ m (see FIG. 1A).
  • the copper foil 2 was etched and processed into a predetermined pattern shape (see FIG. 1B).
  • a photosensitive resin composition having a film thickness of 10 ⁇ m to 40 ⁇ m based on a dry film resist (Hitachi Chemical Industry Co., Ltd., Photoc H-7025) is prepared, and a roll laminator is used on both sides.
  • the photo tool which stuck and formed the pattern was stuck, and it exposed with the energy amount of 50 mJ / cm ⁇ 2 > using the Oak Manufacturing Ltd. EXM-1201 type exposure machine.
  • spray development was performed for 90 seconds with a 1 mass% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C., and the photosensitive resin composition was opened to form patterns 3a and 3b of the first photosensitive resin layer (see FIG. 3).
  • thermosetting resin composition used for formation of the thermosetting resin layer 4 What was shown below was prepared as a thermosetting resin composition used for formation of the thermosetting resin layer 4 (interlayer insulation layer) of a printed wiring board.
  • a solution of a curing agent (A-1) having a sulfone group in the molecular main chain and having an acidic substituent and an unsaturated N-substituted maleimide group was obtained. 30 parts by mass of this curing agent was blended.
  • silica filler having an average particle size of 50 nm and silane coupling treatment with vinylsilane was used as the inorganic filler component.
  • the inorganic filler component was blended so as to be 30% by mass with respect to the resin content.
  • the dispersion state was measured using a dynamic light scattering nanotrack particle size distribution analyzer “UPA-EX150” (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.) and a laser diffraction scattering type microtrack particle size distribution analyzer “MT-3100” (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). It was confirmed that the maximum particle size was 1 ⁇ m or less.
  • Thermosetting resin composition B As the epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, 70 parts by mass of product name NC-3000H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was used.
  • Curing Agent Synthesis Example 2 Wandamine HM (WHM) [(4,4′-diamino) dicyclohexylmethane, trade name, manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.] 52.7 g as a diamine compound, 3, as a diamine having a reactive functional group
  • WPM Trimellitic anhydride
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • the temperature of was set at 80 ° C. and stirred for 30 minutes. After completion of the stirring, 192 g of toluene was further added as an aromatic hydrocarbon azeotropic with water, and the temperature in the flask was raised to 160 ° C. and refluxed for 2.5 hours. After confirming that the theoretical amount of water was stored in the moisture determination receiver and that no water distilling was observed, the temperature in the flask was adjusted to 180 ° C. while removing water and toluene in the moisture determination receiver. And toluene in the reaction solution was removed.
  • thermosetting resin composition A It was 47000 when the weight average molecular weight (Mw) of this polyamide-imide resin solution was measured by the gel permeation chromatography.
  • Mw weight average molecular weight
  • N per polyamideimide molecule was 4.4. 30 parts by mass of this curing agent was blended.
  • an inorganic filler component the same thing as the thermosetting resin composition A was used.
  • cyanate ester resin a prepolymer of bisphenol A dicyanate, product name BA230S75 (manufactured by Lonza Japan Co., Ltd., 60 parts by weight of a methyl ethyl ketone solution having a nonvolatile content of 75% by mass.
  • epoxy resin biphenylaralkyl type epoxy resin, product name NC- Using 40 parts by mass of 3000H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), cobalt (II) acetylacetonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added as a curing catalyst to 30 ppm. The same resin composition A was used.
  • Thermosetting resin composition D As the epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, 70 parts by mass of product name Epicron N660 (manufactured by DIC Corporation) was used. As a curing agent, phenoxy resin YP-55 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) and melamine-modified phenol novolac resin LA7054 (manufactured by DIC Corporation) 30 parts by mass were used.
  • barium sulfate having an average particle size of 300 nm is dispersed with Starmill LMZ (manufactured by Ashizawa Finetech Co., Ltd.) using zirconia beads having a diameter of 1.0 mm at a peripheral speed of 12 m / s for 3 hours. It was adjusted. The dispersion state was measured by the same method as for resin A, and it was confirmed that the maximum particle size was 2 ⁇ m.
  • thermosetting resin composition obtained as described above is uniformly coated on a 16 ⁇ m-thick polyethylene terephthalate film (G2-16, manufactured by Teijin Ltd., trade name) as a support layer. A composition layer was formed. Thereafter, the thermosetting resin composition layer was dried at 100 ° C. for about 10 minutes using a hot air convection dryer to obtain a film-like thermosetting resin composition. A film-shaped thermosetting resin composition having a film thickness of 10 ⁇ m to 90 ⁇ m was prepared.
  • thermosetting film type resin composition was obtained.
  • thermosetting resin layer 4 was formed on the printed wiring board using the obtained thermosetting film type resin composition (see FIG. 4). Specifically, first, only the protective film of the thermosetting film type resin composition composed of the thermosetting resin composition A, B, C, or D is peeled off, and both surfaces (first photosensitive resin) of the printed wiring board 10 are removed. The thermosetting resin composition was placed on the layer patterns 3a and 3b and the conductor circuits 2a and 2b). The thermosetting resin composition was laminated on the surface of the printed wiring board using a press-type vacuum laminator (MVLP-500, manufactured by Meiki Seisakusho, trade name).
  • MVLP-500 press-type vacuum laminator
  • thermosetting resin layer 4 was thermally cured at a predetermined temperature and a predetermined time in a clean oven.
  • thermosetting resin layer 4 is ground to expose the patterns 3a and 3b of the first photosensitive resin layer, and the first photosensitive resin.
  • the layer patterns 3a and 3b were removed, and a part of the thermosetting resin layer 4 was opened (see FIGS. 5 and 6).
  • the removal process was repeatedly implemented as needed.
  • Table 2 and Table 3 show the opening formation process conditions at the time of manufacturing the printed wiring board in the example.
  • a seed layer 5 having a thickness of 1 ⁇ m was formed by an electroless copper plating method so as to cover the thermosetting resin layer 4.
  • a dry film resist 6 (Hitachi Chemical Industry Co., Ltd., Photoc RY-3525) as a second photosensitive resin composition was attached to both sides with a roll laminator, and a photo tool having a pattern formed thereon was obtained.
  • EXM-1201 type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. exposure was performed with an energy amount of 100 mJ / cm 2 .
  • spray development was performed for 90 seconds with a 1 wt% sodium carbonate aqueous solution at 30 ° C.
  • the dry film resist 6 (patterns 6a and 6b of the second photosensitive resin layer).
  • copper plating (wiring part 7) having a thickness of 10 ⁇ m was formed by electrolytic copper plating so as to cover at least part of the seed layer 5 (see FIG. 9).
  • the patterns 6a and 6b of the second photosensitive resin layer were peeled off by a peeling solution to form wiring patterns 7a and 7b.
  • the seed layer 5 was removed from the etching solution (see FIG. 10).
  • This process is repeated three times on both sides, and after forming the solder resist 8 on the outermost layer, using a commercially available electroless nickel / gold plating solution, the plating process is performed so that the nickel plating thickness is 5 ⁇ m and the gold plating thickness is 0.1 ⁇ m.
  • the nickel / gold layer 9 was formed. In this way, a multilayer printed wiring board 200 was obtained (see FIG. 11).
  • the multilayer printed wiring board 200 has a board size of 45 mm ⁇ 45 mm, and openings having diameters of 30 ⁇ m, 50 ⁇ m, 70 ⁇ m, and 90 ⁇ m are provided in the form of an area array in the range of the central part 20 mm ⁇ 20 mm.
  • thermosetting resin layer The embedding property in the thermosetting resin layer was evaluated based on the following criteria. A: There is no void and the embedding is particularly good. C: Good embedding in the opening.
  • thermosetting resin layer The chemical resistance of the thermosetting resin layer was visually confirmed and evaluated based on the following criteria.
  • the removal process is a plasma process or a desmear process in the exposure process and the opening formation process.
  • AA An opening having a diameter of 30 ⁇ m or less.
  • A Opening with a diameter of 50 ⁇ m or less.
  • B Opening with a diameter of 70 ⁇ m or less.
  • C Opening with a diameter of 90 ⁇ m or less.
  • the residue removability of the opening was evaluated based on the following criteria.
  • the electroless copper plating property was evaluated based on the following criteria.
  • Results are shown in Tables 4 and 5. This processing is not limited to the interlayer connection of the printed wiring board, but can be applied to all the devices having fine and high-density openings such as a solder resist opening process and a wafer level package rewiring process.
  • thermosetting resin layer 4 is partially removed to expose the first photosensitive resin layer patterns 3a and 3b, and the first photosensitive resin layer patterns 3a and 3b are removed. Then, a part of the thermosetting resin layer 4 was opened (see FIGS. 5 and 6). Moreover, the plasma treatment was repeatedly performed as necessary. Table 7 and Table 8 show the opening formation process conditions at the time of manufacturing the printed wiring board in the example. In Example 31, thermosetting of the thermosetting resin layer 4 was not performed.
  • the conditions for the plasma treatment are the same as in Table 6. After the plasma treatment, it was washed with water (ultrasonic cleaning: 5 minutes at 100 Hz). Regarding the desmear treatment conditions, only the desmear roughening time in Table 1 was changed from 30 minutes to 15 minutes.
  • plasma treatment a part of the thermosetting resin layer 4 is removed to expose the patterns 3a and 3b of the first photosensitive resin layer, and then desmear treatment is performed to obtain the first photosensitive resin.
  • the layer patterns 3a and 3b were removed, and openings 4h exposing the conductor circuits 2a and 2b were formed in the thermosetting resin layer 4 (see FIGS. 5 and 6).
  • plasma treatment and desmear treatment were repeated as necessary.
  • Table 11 and Table 12 show the opening formation process conditions at the time of manufacturing the printed wiring board in the example.
  • SYMBOLS 1 Copper clad laminated body, 2a, 2b ... Conductor circuit (copper foil), 3 ... 1st photosensitive resin layer, 3a, 3b ... Pattern of 1st photosensitive resin layer, 4 ... Thermosetting resin layer, 4h ... opening, 5 ... seed layer, 6a, 6b ... pattern of second photosensitive resin layer, 7 ... wiring portion, 7a, 7b ... wiring pattern, 8 ... solder resist, 9 ... nickel / gold layer, 10 ... print A wiring board (inner layer board), 100... Multilayer printed wiring board, 200... Multilayer printed wiring board having a solder resist and a nickel / gold layer.

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Abstract

　本発明に係る導体回路を有する構造体の製造方法は、熱硬化性樹脂層に形成する開口の形状に合わせて、第１のパターン化工程において第１の感光性樹脂層をパターン化することにより、様々な形状の開口を設けることができる。また、この導体回路を有する構造体の製造方法では、レーザで開口を形成する場合とは異なり、複数の開口を同時に形成できることに加え、開口周辺の樹脂の残渣を低減できる。このため、半導体素子のピン数が増加し、多数の微細な開口を設ける必要が生じた場合でも、優れた信頼性を有する構造体を充分に効率的に製造することができる。

Description

導体回路を有する構造体及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物
　本発明は、導体回路を有する構造体及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物に関する。
　導体回路を有する構造体の一つであるプリント配線基板は、コア基板上に複数の配線層が形成されたものであり、コア基板となる銅張積層体、各配線層間に設けられる層間絶縁材及び最表面に設けられるソルダーレジストを備えている。プリント配線基板上には、通常、ダイボンディング材やアンダーフィル材を介して半導体素子が実装される。また、必要に応じて、トランスファー封止材によって全面封止される場合や、放熱性の向上を目的とした金属キャップ（蓋）が装着される場合がある。近年、半導体装置の軽薄短小化は留まるところを知らず、半導体素子や多層プリント配線基板の高密度化が進んでいる。また、半導体装置の上に半導体装置を積むパッケージ・オン・パッケージといった実装形態も盛んに行われており、今後、半導体装置の実装密度は一段と高くなると予想される。
　ところで、プリント配線基板の層間絶縁材には、上下の配線層を電気的に接続するためのビア（開口）を設ける必要がある。プリント配線基板上に実装されるフリップチップのピン数が増加すれば、そのピン数に対応する開口を設ける必要がある。しかし、従来のプリント配線基板は実装密度が低く、また、実装する半導体素子のピン数も数千ピンから一万ピン前後の設計となっているため、小径で狭ピッチな開口を設ける必要がなかった。
　しかしながら、半導体素子の微細化が進展し、ピン数が数万ピンから数十万ピンに増加するに従って、プリント配線基板の層間絶縁材に形成する開口も半導体素子のピン数に合わせて、狭小化する必要性が高まっている。最近では、熱硬化性樹脂材料を用いて、レーザにより開口を設けるプリント配線基板の開発が進められている（例えば特許文献１～４参照）。
特開平０８－２７９６７８号公報 特開平１１－０５４９１３号公報 特開２００１－２１７５４３号公報 特開２００３－０１７８４８号公報
　特許文献１～４に記載されているプリント配線基板は、熱硬化性樹脂材料を用いてレーザにより開口を設けている。
　図１２は、従来の多層プリント配線基板の製造方法を示す図である。図１２（ｆ）に示す多層プリント配線基板１００Ａは表面及び内部に配線パターンを有する。多層プリント配線基板１００Ａは、銅張積層体、層間絶縁材及び金属箔等を積層するとともにエッチング法やセミアディティブ法によって配線パターンを適宜形成することによって得られる。
　まず、表面に配線パターン１０２を有する銅張積層体１０１の両面に層間絶縁層１０３を形成する（図１２（ａ）参照）。層間絶縁層１０３は、熱硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷機やロールコータを用いて印刷してもよいし、熱硬化性樹脂組成物からなるフィルムを予め準備し、ラミネータを用いて、このフィルムをプリント配線基板の表面に貼り付けることもできる。次いで、外部と電気的に接続することが必要な箇所を、ＹＡＧレーザや炭酸ガスレーザを用いて開口１０４を形成し、開口１０４周辺のスミア（残渣）をデスミア処理により除去する（図１２（ｂ）参照）。次いで、無電解めっき法によりシード層１０５を形成する（図１２（ｃ）参照）。上記シード層１０５上に感光性樹脂組成物をラミネートし、所定の箇所を露光、現像処理して配線パターン１０６を形成する（図１２（ｄ）参照）。次いで、電解めっき法により配線パターン１０７を形成し、はく離液により感光性樹脂組成物の硬化物を除去した後、上記シード層１０５をエッチングにより除去する（図１２（ｅ）参照）。以上を繰り返し行い、最表面にソルダーレジスト１０８を形成することで多層プリント配線基板１００Ａを作製することができる（図１２（ｆ）参照）。
　このようにして得られた多層プリント配線基板１００Ａは、対応する箇所に半導体素子が実装され、電気的な接続を確保することが可能である。しかしながら、このような方法で製造された多層プリント配線基板１００Ａは、レーザ等の新規な設備導入が必要であること、比較的大きな開口又は６０μｍ以下の微小な開口を設けることが困難であること、開口径に合わせて使用するレーザを使い分ける必要があること、特殊な形状を設けることが困難であること等の問題がある。また、レーザを用いて開口を形成する場合、各開口を一つずつ形成しなければならないため、多数の微細な開口を設ける必要がある場合に時間が掛かること、また開口部周辺に樹脂の残渣が残るため、残渣を除去しない限り、得られる多層プリント配線基板の信頼性が低下するといった問題もある。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、絶縁層に微細な開口を有し且つ優れた信頼性を有する構造体を充分に効率的に製造する方法を提供することを目的とする。また、本発明は上記方法によって製造された導体回路を有する構造体（例えばプリント配線基板）、並びに、これらの構造体を製造するのに適した熱硬化性樹脂組成物を提供することを目的とする。
　上記課題の解決のため、本発明に係る導体回路を有する構造体の製造方法は、導体回路を有する支持体の表面に形成した絶縁層に開口が設けられると共に、導体回路に接続される配線部が開口に形成されてなる導体回路を有する構造体の製造方法であって、導体回路を覆うように支持体上に第１の感光性樹脂層を形成する第１の感光性樹脂層形成工程と、第１の感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第１のパターン化工程と、第１の感光性樹脂層のパターンを覆うように支持体上に熱硬化性樹脂層を形成する熱硬化性樹脂層形成工程と、熱硬化性樹脂層の一部を除去して第１の感光性樹脂層のパターンの所定箇所を熱硬化性樹脂層から露出させるパターン露出工程と、熱硬化性樹脂層から露出した第１の感光性樹脂層を除去して導体回路を露出させる開口を熱硬化性樹脂層に形成する開口形成工程と、を備える。
　この導体回路を有する構造体の製造方法では、熱硬化性樹脂層に形成する開口の形状に合わせて、第１のパターン化工程において第１の感光性樹脂層をパターン化することにより、様々な開口を容易に形成することができる。また、このプリント配線基板の製造方法では、レーザで開口を形成する場合と異なり、複数の開口を同時に形成できることに加え、開口周辺の樹脂の残渣を低減できる。このため、半導体素子のピン数が増加し、多数の微細な開口を設ける必要が生じた場合でも、優れた信頼性を有するプリント配線基板を効率的に製造することができる。
　また、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理及びデスミア処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、熱硬化性樹脂層から露出した第１の感光性樹脂層の除去とを行うことが好ましい。この場合、プラズマ処理及びデスミア処理によって速やかに第１の感光性樹脂層を露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、熱硬化性樹脂層の一部の除去と、熱硬化性樹脂層から露出した第１の感光性樹脂層の除去とを行うことが好ましい。この場合、デスミア処理によって速やかに第１の感光性樹脂層を露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程において、研磨処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去を行い、開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、熱硬化性樹脂層から露出した第１の感光性樹脂層の除去を行うことが好ましい。この場合、研磨処理又はデスミア処理によって速やかに第１の感光性樹脂層を露出させることができると共に、デスミア処理によって開口周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、熱硬化性樹脂層から露出した第１の感光性樹脂層の除去とを行うことが好ましい。この場合、プラズマ処理によって速やかに第１の感光性樹脂層を露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、パターン露出工程と開口形成工程との間の工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化前の熱硬化性樹脂層の一部の除去し、開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層から露出した第１の感光性樹脂層の除去とを行うことが好ましい。この場合、プラズマ処理によって速やかに第１の感光性樹脂層を露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。
　パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化前の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、熱硬化性樹脂層から露出した第１の感光性樹脂層の除去とを行い、開口形成工程の後工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備える行うことが好ましい。この場合、プラズマ処理によって速やかに第１の感光性樹脂層を露出させることができると共に、開口周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、熱硬化工程において、熱硬化性樹脂層の温度を１５０℃～２５０℃とし、且つ加熱時間を３０分～３００分とすることが好ましい。熱硬化性樹脂層の温度を１５０℃以上、加熱時間を３０分以上とすると、熱硬化性樹脂層を充分に硬化することができるため、その後のパターン露出工程及び開口形成工程において、熱硬化性樹脂層を除去し易くなり、導体回路を露出し易くなる。一方、熱硬化性樹脂層の温度を２５０℃以下、加熱時間を３００分以下とすると、導体回路表面の銅の酸化を抑えることができ、銅界面で熱硬化性樹脂層がはく離することを防げる。
　また、熱硬化工程において、不活性ガスの雰囲気で熱硬化を行うことが好ましい。不活性ガスの雰囲気で熱硬化を行うことにより、熱硬化工程において導体回路表面の銅の酸化を抑制することができる。
　また、開口を形成した後の熱硬化性樹脂層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっき法により配線部の下地となるシード層を形成するシード層形成工程と、シード層を覆うように、第２の感光性樹脂層を形成後、第２の感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第２のパターン化工程と、シード層を少なくとも覆うように、電解めっき法により配線部を形成後、はく離処理により第２の感光性樹脂層をはく離して配線部をパターン化する配線部パターン化工程と、配線部が形成されていない領域のシード層を除去するシード層除去工程と、を更に備えることが好ましい。シード層を形成することにより、電解めっき法による配線部の形成が可能になり、配線部を選択的にパターン化することができる。
　また、第１の感光性樹脂層形成工程において、第１の感光性樹脂層の厚さＴ１を２μｍ～５０μｍとすることが好ましい。第１の感光性樹脂層の厚さＴ１を２μｍ以上とすると、第１の感光性樹脂層の形成に用いる感光性樹脂組成物を成膜し易くなるため、プリント配線基板の製造に用いるフィルム状の感光性樹脂組成物を容易に作製することができる。第１の感光性樹脂層の厚さＴ１を５０μｍ以下とすると、第１の感光性樹脂層に微細なパターンを形成することが容易になる。
　また、熱硬化性樹脂層形成工程おいて、熱硬化性樹脂層の厚さＴ２を２μｍ～５０μｍとすることが好ましい。熱硬化性樹脂層の厚さＴ２を２μｍ以上とすると、熱硬化性樹脂層の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物を成膜し易くなるため、プリント配線基板の製造に用いるフィルム状の熱硬化性樹脂組成物を容易に作製することができる。熱硬化性樹脂層の厚さＴ２を５０μｍ以下とすると、熱硬化性樹脂層に微細なパターンを形成することが容易になる。
　また、熱硬化性樹脂層形成工程おいて、第１の感光性樹脂層の厚さＴ１に対する熱硬化性樹脂層の厚さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）を１．０～２．０とすることが好ましい。（Ｔ２／Ｔ１）を１．０以上とすると、熱硬化性樹脂層形成工程において、第１の感光性樹脂層のパターンを熱硬化性樹脂組成物で埋め込みやすくなるため、得られる導体回路を有する構造体の信頼性をより高めることができる。一方、（Ｔ２／Ｔ１）を２．０以下とすると、後続する工程において熱硬化性樹脂層が除去し易くなり、短時間で開口を熱硬化性樹脂層に形成できるため、導体回路を有する構造体をより効率的に製造することができる。
　また、開口形成工程おいて、熱硬化性樹脂層に形成する開口のうち、最小の直径Ｒｍｉｎに対する当該開口の深さＤの比（Ｄ／Ｒｍｉｎ）を０．１～１．０とすることが好ましい。（Ｄ／Ｒｍｉｎ）を０．１以上とすると、熱硬化性樹脂層の厚さが薄くなり過ぎないため、熱硬化性樹脂層に微細な開口を形成する場合であっても、開口の形状を安定に保つことができる。一方、（Ｄ／Ｒｍｉｎ）を１．０以下とすると、第１の感光性樹脂層が除去し易くなり、直径６０μｍ以下の微細な開口をより形成し易くなる。
　また、本発明に係る導体回路を有する構造体は、上述した導体回路を有する構造体の製造方法によって製造された導体回路を有する構造体であって、熱硬化性樹脂層が有する開口の直径が６０μｍ以下であることが好ましい。上述した製造方法によって製造された導体回路を有する構造体は、図１２に示される従来の導体回路を有する構造体と比べて、絶縁層に微細な開口を有し且つ優れた信頼性を持たせることができる。また、導体回路を有する構造体における熱硬化性樹脂層が有する開口の直径が６０μｍ以下であることにより、ピン数が数万ピンから数十万ピンの多数のピンを備えた半導体素子を実装するのに適したものとなる。
　また、本発明は上述した導体回路を有する構造体の製造方法に用いられる感光性樹脂組成物に関する。
　また、本発明は上述した導体回路を有する構造体の製造方法に用いられる感光性樹脂組成物からなるドライフィルムレジストに関する。
　また、本発明に係る導体回路を有する構造体は、上述した導体回路を有する構造体の製造方法において使用される熱硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、最大粒径が５μｍ以下であり且つ平均粒径が１μｍ以下である無機フィラーと、を含有する熱硬化性樹脂組成物であることが好ましい。このような熱硬化性樹脂組成物を用いて熱硬化性樹脂層を形成することにより、熱硬化性樹脂層に形成した開口の表面が平滑となり、開口上にシード層を形成し易くなる。
　また、本発明は上述した熱硬化性樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂フィルムに関する。
　本発明によれば、絶縁層に微細な開口を有し且つ優れた信頼性を有する導体回路を有する構造体を充分に効率的に製造できる。
本発明の一実施形態に係るプリント配線基板の製造方法を示す断面図である。 図１の後続となる第１の感光性樹脂層形成工程を示す断面図である。 図２の後続となる第１のパターン化工程を示す断面図である。 図３の後続となる熱硬化性樹脂層形成工程を示す断面図である。 図４の後続となるパターン露出工程を示す断面図である。 図５の後続となる開口形成工程を示す断面図である。 図６の後続となるシード層形成工程を示す断面図である。 図７の後続となる第２のパターン化工程を示す断面図である。 図８の後続となる配線部パターン化工程において、配線部を形成した状態を示す断面図である。 図８の後続となる配線部パターン化工程において、配線部をパターン化した状態を示す断面図である。 配線部を形成した表面にソルダーレジスト及びニッケル／金層を有する多層プリント配線基板を模式的に示す端面図である。 従来の多層プリント配線基板の製造方法を示す断面図である。 実施例１で形成した開口を示すＳＥＭ写真である。 実施例３２で形成した開口を示すＳＥＭ写真である。
　以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
　本発明の導体回路を有する構造体の製造方法は、半導体素子を実装するためのプリント配線基板の製造に好適に用いられる。特に、フリップチップ型の半導体素子を実装するためのプリント配線基板の製造に加え、コアレス基板、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ｅＷＬＢ（ｅｍｂｅｄｅｄ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）等の基板レスパッケージの再配線方法にも好適に用いることができる。中でも、実装される半導体素子のサイズが大きく、半導体素子の表面にエリアアレイ状に配置された数万ものバンプと電気的に接続するためのプリント配線基板に特に好適である。
　図１は、本発明の一実施形態に係るプリント配線基板の製造方法を示す断面図である。図１（ａ）に示すように、まず、支持体である両側の表面に銅箔２を有する銅張積層体１を準備する。次いで、図１（ｂ）に示すように、銅張積層体１の銅箔２の不要な箇所をエッチングにより除去して導体回路２ａ、２ｂを形成しプリント配線基板１０を得る。なお、回路の材質は、銅に限定されない。
　次いで、図２に示すように、導体回路２ａ、２ｂをそれぞれ覆うようにプリント配線基板１０に後述する感光性樹脂組成物からなる第１の感光性樹脂層３を形成する（第１の感光性樹脂層形成工程）。第１の感光性樹脂層３の厚さＴ１は、好ましくは２μｍ～５０μｍであり、より好ましくは５μｍ～３０μｍである。第１の感光性樹脂層の厚さＴ１を２μｍ以上とすると、第１の感光性樹脂層の形成に用いる感光性樹脂組成物を成膜し易くなるため、プリント配線基板の製造に用いるフィルム状の感光性樹脂組成物を容易に作製することができる。第１の感光性樹脂層の厚さＴ１を５０μｍ以下とすると、第１の感光性樹脂層に微細なパターンを形成することが容易になる。なお、第１の感光性樹脂層の厚さＴ１は、図２に示すとおり、導体回路２ａ、２ｂ上の第１の感光性樹脂層３の厚さをいう。
　その後、マスクパターンを通して活性光線を照射することにより、第１の感光性樹脂層３において、後の現像処理後に除去しない部分を露光し、露光部の第１の感光性樹脂層３を光硬化させる（第１のパターン化工程の露光処理）。活性光線の光源としては、公知の光源を用いることができるが、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線を有効に放射するものを使用できる。また、直接描画方式のダイレクトレーザ露光を用いてもよい。露光量は使用する装置や感光性樹脂組成物の組成によって異なるが、１０ｍＪ／ｃｍ２～６００ｍＪ／ｃｍ２とすることが好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２～４００ｍＪ／ｃｍ２とすることがより好ましい。露光量を１０ｍＪ／ｃｍ２以上とすると感光性樹脂組成物を充分に光硬化させることができ、露光量を６００ｍＪ／ｃｍ２以下とすると光硬化が過剰となり過ぎず、現像後に第１の感光性樹脂層３のパターンを安定して形成することができる。
　次いで、現像により露光部以外の第１の感光性樹脂層３の両表面を除去することで、図３に示すようにプリント配線基板の両面に第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを形成する（第１のパターン化工程の現像処理）。第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂは、後述の開口形成工程において除去され、熱硬化性樹脂層４に形成される微細な開口となる（図６参照）。このときに用いる現像液としては、例えば、２０℃～５０℃の炭酸ナトリウムの溶液（１～５質量％水溶液）等のアルカリ現像液が用いられ、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング及びスクラッピング等の公知の方法により現像する。これにより所定の第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂが形成される。
　現像処理後、図４に示すように、第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを覆うように、プリント配線基板１０上に後述する熱硬化性樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂層４を形成する（熱硬化性樹脂層形成工程）。熱硬化性樹脂層４を形成する工程では、液状の場合は公知のスクリーン印刷、ロールコータにより塗布する工程、フィルム状の場合は真空ラミネート等により貼り付ける工程を経ることにより、熱硬化性樹脂層４をプリント配線基板上に形成させる。熱硬化性樹脂層の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物としては、液状及びフィルム状のいずれも適用可能であるが、熱硬化性樹脂層４の厚さを精度良く制御するには、予め厚さを管理しているフィルム状のものを好適に用いることができる。
　熱硬化性樹脂層４の厚さＴ２は、好ましくは２μｍ～５０μｍであり、より好ましくは５μｍ～３０μｍである。熱硬化性樹脂層４の厚さＴ２を２μｍとすると、熱硬化性樹脂層４の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物を成膜し易くなるため、プリント配線基板の製造に用いるフィルム状の熱硬化性樹脂組成物を容易に作製することができる。熱硬化性樹脂層の厚さＴ２を５０μｍ以下とすると、熱硬化性樹脂層４に微細なパターンを形成することが容易になる。熱硬化性樹脂層４の厚さＴ２は、図４に示すとおり、導体回路２ａ、２ｂ上の熱硬化性樹脂組成物の厚さをいう。また、第１の感光性樹脂層３の厚さＴ１と熱硬化性樹脂層４の厚さＴ２は同じ厚さであることが好ましい。
　熱硬化性樹脂層形成工程において、第１の感光性樹脂層３の厚さＴ１に対する熱硬化性樹脂層４の厚さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）を１．０～２．０とすることが好ましく、１．０～１．５とすることがより好ましい。（Ｔ２／Ｔ１）を１．０以上とすると、熱硬化性樹脂層形成工程において、第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを熱硬化性樹脂組成物で埋め込みやすくなるため、得られるプリント配線基板の信頼性をより高めることができる。一方、（Ｔ２／Ｔ１）を２．０以下とすると、短時間で熱硬化性樹脂層４に開口を形成でき、プリント配線基板をより効率的に製造することができるため、デスミア処理を用いた場合に薬液の劣化を防ぐことができる。
　次いで、形成した熱硬化性樹脂層４を熱硬化させる（熱硬化工程）。熱硬化処理において、温度を１５０℃～２５０℃とし、加熱時間を３０分～３００分とすることが好ましい。また、温度を１６０℃～２００℃とし、加熱時間を３０分～１２０分とすることがより好ましい。温度を１５０℃以上、加熱時間を３０分以上とすると、熱硬化性樹脂層４を充分に硬化することができるため、その後のパターン露出工程及び開口形成工程において、熱硬化性樹脂層４を除去し易くなり、導体回路２ａ、２ｂを露出し易くなる。一方、温度を２５０℃以下、加熱時間を３００分以下とすると、導体回路２ａ、２ｂの表面の酸化を抑えることができ、導体回路２ａ、２ｂ界面で熱硬化性樹脂層４がはく離することを抑えられる。なお、熱硬化には、クリーンオーブンが一般的に用いられ、銅の酸化を抑制するため、窒素等の不活性ガスの雰囲気中で硬化を行ってもよい。
　次いで、デスミア処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層４の一部を除去して第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂの所定箇所を熱硬化性樹脂層４から露出させる（パターン露出工程）。
　デスミア処理は、例えば、過マンガン酸ナトリウム液、水酸化ナトリウム液、過マンガン酸カリウム液、クロム液、硫酸等の混合液に被処理基板を浸漬することによって実施できる。具体的には、熱湯や所定の膨潤液を用いて被処理基板を膨潤処理した後、過マンガン酸ナトリウム液等で残渣等を除去し、還元（中和）を行った後、水洗、湯洗、乾燥を行う。１回の処理を行っても充分な開口が形成されない場合は複数回処理を行ってもよい。なお、デスミア処理は上記のものに限定されない。また、デスミア処理後に、再度、熱硬化工程を行ってもよい。用いる熱硬化性樹脂によっても効果は異なるが、熱硬化させること、ガラス転移温度を上げることができるだけでなく、低熱膨張化を図ることができるからである。
　第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを熱硬化性樹脂層４から露出させた後、デスミア処理によって熱硬化性樹脂層４から露出した第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを除去し、図６に示すように、導体回路２ａ、２ｂを露出させる（開口形成工程）。こうして、熱硬化性樹脂層４に開口４ｈが形成される。
　なお、パターン露出工程において、デスミア処理の代わりに、プラズマ処理又は研磨処理を用いて熱硬化性樹脂層４を除去しても構わない。デスミア処理、プラズマ処理又は研磨処理のうち、二以上の処理を併用して熱硬化性樹脂層４を除去しても構わない。熱硬化性樹脂層４の厚さＴ２が厚い場合にはサンドブラストや機械研磨や化学機械研磨（ＣＭＰ）等による研磨処理により熱硬化性樹脂層４を除去することが好ましい。また、開口形成工程において、デスミア処理の代わりに、プラズマ処理を用いて第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを除去してもよいし、デスミア処理とプラズマ処理を併用して第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを除去してもよい。パターン露出工程及び開口形成工程は各々個別の装置で行ってもよいし、これら処理を一連の工程として組み込んだ装置で行っても構わない。
　プラズマ処理は、例えば、アルゴンガス、窒素ガス、ヘリウムガス、モノシランガス、酸素ガス、水素ガス、塩素ガスといった活性及び不活性ガスを用いることができる。また、これらを併用することもできる。プラズマ処理装置としては、バレル型や平行平板型のプラズマ処理装置を用いることができる。尚、プラズマ処理の出力、流量、処理時間は適宜選択することができる。
　研磨処理は、具体的には、研磨機やグラインダー等の装置を用いて、紙や布等に研磨材を接着した研磨布紙やサンドペーパーで熱硬化性樹脂層４を研削する。特に、研磨材は限定するものではないが、溶融アルミナ、炭化ケイ素等の人造研磨材やガーネットやエメリー等の天然研磨材が利用される。特に、砥粒の粒度は限定するものではないが、表面に傷が残らないように、最後には＃１５００以上で研削することが望ましい。
　開口形成工程において、熱硬化性樹脂層４に形成する開口の直径（図６に示すＲ）は、６０μｍ以下とすることが好ましい。また、熱硬化性樹脂層４に形成する開口のうち、最小の開口の直径Ｒｍｉｎに対する当該開口の深さの比（Ｄ／Ｒｍｉｎ）を、０．１～１．０とすることが好ましく、０．２～０．８とすることがより好ましい。（Ｄ／Ｒｍｉｎ）を０．１以上とすると、熱硬化性樹脂層４の厚さが薄くなり過ぎないため、熱硬化性樹脂層４に微細な開口を形成する場合であっても、開口４ｈの形状を安定に保つことができる。一方、（Ｄ／Ｒｍｉｎ）を１．０以下とすると、第１の感光性樹脂層３が除去し易くなり、直径６０μｍ以下の微細な開口をより形成し易くなる。開口４ｈの形状は、円形状であるが、楕円形等であってもよい。なお、開口の形成が円以外の場合、直径Ｒｍｉｎは、円相当直径を用いればよい。
　次いで、図７に示すように、開口４ｈを形成した後の熱硬化性樹脂層４の少なくとも一部を覆うように、無電解めっき法によりシード層５を両面に形成する（シード層形成工程）。シード層形成工程では、開口４ｈが設けられていない部分の熱硬化性樹脂層４の表面４ｓと、開口４ｈが設けられた部分における熱硬化性樹脂層４の壁面４ｗ及び露出している導体回路２ａ、２ｂの表面とに、シード層５を形成する。上記シード層５の厚さは特に制限はないが、通常０．１μｍ～１．０μｍとすることが好ましい。シード層５の形成は無電解銅めっき法の他に、スパッタ法によっても形成できる。ターゲットは適宜選択できるが、Ｔｉの後にＣｕを蒸着するのが一般的である。ＴｉやＣｕの厚みは特に制限はないが、Ｔｉで２０ｎｍ～１００ｎｍ、Ｃｕで１００ｎｍから５００ｎｍ程度が好適である。
　次いで、フィルム状の感光性樹脂組成物を両面に貼着して第２の感光性樹脂層を形成後、所定のパターンを形成したフォトツールを密着させ、露光処理及び現像処理を行い、図８に示すように、両面の第２の感光性樹脂層をパターン化する（第２のパターン化工程）。両面に形成された第２の感光性樹脂層のパターン６ａ、６ｂは、半導体素子を実装する面により近い部分に微細な配線パターンを形成するため、第２の感光性樹脂層のパターン６ｂよりも第２の感光性樹脂層のパターン６ａパターンの方がパターンのピッチが狭くなっている。
　次いで、図９に示すように、シード層５の少なくとも一部を覆うように、銅電解めっき等の電解めっき法により配線部７を形成する。この工程では、第２の感光性樹脂層のパターン６ａ、６ｂが形成されている領域以外のシード層５の表面に配線部７を形成する。開口４ｈが形成された領域では、壁面４ｗと導体回路２ａ、２ｂの表面に形成されたシード層５上に配線部７を形成する。配線部７の厚さは、１μｍ～２０μｍとすることが好ましい。その後、はく離液により、第２の感光性樹脂層のパターン６ａ、６ｂをはく離して配線パターン７ａ、７ｂを形成する（配線部パターン化工程）。次いで、エッチング液を用いて配線部７が形成されていない領域のシード層５をエッチングにより除去する（シード層除去工程）。
　以上の工程を経て図１０に示すように、表面に配線部（配線パターン７ａ、７ｂ）を有する多層プリント配線基板１００を得ることができる。更に、多層プリント配線基板１００の表裏の両面に対し、上述した感光性樹脂層形成工程からシード層除去工程の一連の工程を繰り返し行った後、最外層にソルダーレジスト８を形成し、市販の無電解ニッケル／金めっき液等を用いてめっき処理を施すことによりニッケル／金層９を形成することで、図１１に示すような多層プリント配線基板２００を得ることができる。例えば、多層プリント配線基板２００は、感光性樹脂層形成工程からシード層除去工程の一連の工程を３回繰り返し行うことにより、配線部（配線パターン７ａ、７ｂ）を３層有したものである。多層プリント配線基板２００は、各熱硬化性樹脂層４に形成された配線部（配線パターン７ａ、７ｂ）がそれぞれ電気的に接続されている。
　上記の多層プリント配線基板１００，２００は、微細化及び高密度化が進むフリップチップ型の半導体素子を実装するためのプリント配線基板として好適である。中でも、実装される半導体素子のサイズが大きく、半導体素子の表面にエリアアレイ状に配置された数万ものバンプと電気的に接続するためのプリント配線基板に特に好適である。
　次に、上述の多層プリント配線基板１００，２００の製造に用いられる感光性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂組成物について詳細に説明するが、本発明はこれらの樹脂組成に限定されるものではない。
　多層プリント配線基板１００，２００の製造に用いる感光性樹脂組成物は、特に限定するものではないが、以下のものが好適である。すなわち、感光性樹脂層の形成に好適な感光性樹脂組成物は、
（ａ）バインダーポリマーと、
（ｂ）エチレン性不飽和結合を少なくとも１つ有する光重合性化合物と、
（ｃ）光重合開始剤と、
を含有する、ことが好ましい。この感光性樹脂組成物は、第１の感光性樹脂層及び第２の感光性樹脂層の両方の層を形成する際に用いることができる。
　感光性樹脂組成物は、（ｄ）無機フィラーを含まないことが好ましい。この場合、現像後の解像度が向上し、微細なパターンを形成でき、デスミア処理ではく離した後の開口部側面が平滑になる傾向にある。なお、感光性樹脂組成物に、（ｄ）無機フィラーを含める場合は、最大粒径が５μｍ以下、平均粒径が１μｍ以下であることが好ましい。
　上記（ａ）バインダーポリマー（以下、便宜的に「（ａ）成分」という場合がある）としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、及びフェノール系樹脂等が挙げられる。アルカリ現像性の観点からは、アクリル系樹脂が好ましい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。（ａ）バインダーポリマーは、例えば、重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。
　上記重合性単量体としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、及びα－メチルスチレン等のα－位若しくは芳香族環において置換されている重合可能なスチレン誘導体、ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド、アクリロニトリル及びビニル－ｎ－ブチルエーテル等のビニルアルコールのエステル類、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，２，２－トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３－テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、α－ブロモ（メタ）アクリル酸、α－クロル（メタ）アクリル酸、β－フリル（メタ）アクリル酸、β－スチリル（メタ）アクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮酸、α－シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、（ａ）バインダーポリマーは、アルカリ現像性の見地から、カルボキシル基を含有させることが好ましく、例えば、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。上記カルボキシル基を有する重合性単量体としては、（メタ）アクリル酸が好ましく、中でもメタクリル酸がより好ましい。
　上記（ａ）バインダーポリマーのカルボキシル基含有量（使用する全重合性単量体に対するカルボキシル基を有する重合性単量体の割合）は、アルカリ現像性とアルカリ耐性のバランスの見地から、好ましくは１２～５０質量％であり、より好ましくは１２～４０質量％であり、更に好ましくは１５～３０質量％であり、特に好ましくは１５～２５質量％である。このカルボキシル基含有量が１２質量％以上であると、アルカリ現像性が良好になり、５０質量％以下であるとアルカリ耐性を高めることができる。
　（ａ）バインダーポリマーの重量平均分子量は、機械強度及びアルカリ現像性のバランスの見地から、好ましくは２０，０００～３００，０００であり、より好ましくは４０，０００～１５０，０００であり、更に好ましくは５０，０００～１２０，０００である。重量平均分子量が、２０，０００以上であると耐現像液性が高まり、３００，０００以下であると現像時間を短縮化できる。なお、本実施形態において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定され、標準ポリスチレンを用いて作成した検量線により換算された値でとする。
　（ｂ）エチレン性不飽和結合を少なくとも１つ有する光重合性化合物（以下、便宜的に「（ｂ）成分」という）としては、例えば、多価アルコールにα，β－不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物、グリシジル基含有化合物にα、β－不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ウレタン結合を有する（メタ）アクリレート化合物等のウレタンモノマー、ノニルフェノキシブタエチレンオキシ（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシオクタエチレンオキシ（メタ）アクリレート、γ－クロロ－β－ヒドロキシプロピル－β′－（メタ）アクリロイルオキシエチル－ｏ－フタレート、β－ヒドロキシエチル－β′－（メタ）アクリロイルオキシエチル－ｏ－フタレート、β－ヒドロキシプロピル－β′－（メタ）アクリロイルオキシエチル－ｏ－フタレート、（メタ）アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
　（ｂ）成分の含有量は、光感度及び解像性のバランスの見地から、（ａ）成分及び（ｂ）成分の総量１００質量部に対して、好ましくは１０～４０質量部であり、より好ましくは２０～３０質量部である。
　上記（ｃ）成分の光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－ブタノン－１、及び２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノ－プロパノン－１等の芳香族ケトン、２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３ーベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１ークロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナンタラキノン、２－メチル１，４－ナフトキノン、及び２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、及びベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン、メチルベンゾイン、及びエチルベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、９，１０－ジメトキシアントラセン、９，１０－ジエトキシアントラセン、９，１０－ジプロポキシアントラセン、９，１０－ジブトキシアントラセン、及び９，１０－ジペントキシアントラセン等の置換アントラセン類、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、及び２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体、クマリン系化合物、オキサゾール系化合物、ピラゾリン系化合物等が挙げられる。ここで、２つの２，４，５－トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は同一で対象な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。また、密着性及び感度のバランスの見地から、２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体がより好ましい。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
　上記（ａ）バインダーポリマーの含有量は、（ａ）成分及び（ｂ）成分の総量１００質量部に対して、好ましくは３０～８０質量部であり、より好ましくは４０～７５質量部であり、更に好ましくは５０～７０質量部である。（ａ）成分の含有量がこの範囲であると、感光性樹脂組成物の塗膜性及び光硬化物の強度がより良好となる。上記（ｂ）エチレン性不飽和結合を少なくとも１つ有する光重合性化合物の含有量は、（ａ）成分及び（ｂ）成分の総量１００質量部に対して、好ましくは２０～６０質量部であり、より好ましくは３０～５５質量部であり、更に好ましくは３５～５０質量部である。（ｂ）成分の含有量がこの範囲であると、感光性樹脂組成物の光感度及び塗膜性がより良好となる。
　上記（ｃ）光重合開始剤の含有量は、（ａ）成分及び（ｂ）成分の総量１００質量部に対して、好ましくは０．０１～３０質量部であり、より好ましくは０．１～２０質量部であり、更に好ましくは０．２～１０質量部である。（ｃ）成分の含有量がこの範囲であると、感光性樹脂組成物の光感度及び内部の光硬化性がより良好となる。
　感光性樹脂組成物は、（ｄ）無機フィラーを充填しないフィラーレスであることが好ましいが、少量であれば充填しても構わない。（ｄ）無機フィラーを少量充填することで、収縮量が小さくなるとともに、剛性が高くなり、厚さ寸法精度を向上させることができる。（ｄ）無機フィラーの充填量が感光性樹脂組成物の総量１００質量部に対して５質量％未満である場合、解像性を高めることができる。
　（ｄ）無機フィラーとしては、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、粉状酸化珪素、無定形シリカ、タルク、クレー、焼成カオリン、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、雲母粉等の無機充填剤が使用できる。特に好ましくは、シリカフィラーで一次粒径のまま、凝集することなく樹脂中に分散させるために、シランカップリング剤を用いたものが望ましい。（ｄ）無機フィラーの最大粒径は、好ましくは２μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以下である。また、（ｄ）無機フィラーの平均粒径は、解像度の観点から、好ましくは３００ｎｍ以下であり、より好ましくは１００ｎｍ以下である。
　また、感光性樹脂組成物には、必要に応じて、マラカイトグリーン、ビクトリアピュアブルー、ブリリアントグリーン、及びメチルバイオレット等の染料、トリブロモフェニルスルホン、ロイコクリスタルバイオレット、ジフェニルアミン、ベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジエチルアニリン、ｏ－クロロアニリン及びターシャリブチルカテコール等の光発色剤、熱発色防止剤、ｐ－トルエンスルホンアミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤、重合禁止剤等を（ａ）成分及び（ｂ）成分の総量１００質量部に対して各々０．０１～２０質量部含有することができる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
　感光性樹脂組成物には、必要に応じて、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解して固形分３０～６０質量％の溶液として塗布することができる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
　感光性樹脂組成物には、特に制限はないが、金属面、例えば、銅、銅系合金、ニッケル、クロム、鉄、ステンレス等の鉄系合金、好ましくは銅、銅系合金、鉄系合金の表面上に、液状レジストとして塗布して乾燥後、必要に応じて保護フィルムを被覆して用いるか、感光性エレメントの形態で用いられることが好ましい。
　感光性エレメントの形態とは、支持体と、該支持体上に上記感光性樹脂組成物の溶液を均一に塗布、乾燥して形成された感光性樹脂組成物層（樹脂層）とを備えるものであり、感光性樹脂組成物の層上にはそれを被覆する保護フィルムをさらに備えていてもよい。支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、及びポリエステル等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルム上に感光性樹脂組成物を塗布、乾燥することにより得られる。透明性の見地からは、ポリエチレンテレフタレートフィルムを用いることが好ましい。
　多層プリント配線基板１００，２００の製造に用いる熱硬化性樹脂組成物は、特に限定するものではないが、以下のものが好適である。すなわち、熱硬化性樹脂層４の形成に好適な熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、最大粒径が５μｍ以下であり且つ平均粒径が１μｍ以下である無機フィラーと、を含むことが好ましい。
　エポキシ樹脂としては、分子内に１つ以上のグリシジル基を有するエポキシ樹脂が好ましい。無機フィラーの充填量は、好ましくは０～９０質量％の範囲、より好ましくは２０～７０質量％の範囲、更に好ましくは３０～６０質量％である。
　エポキシ樹脂は、２個以上のグリシジル基を持つエポキシ樹脂ならば、すべて使用することができるが、好適には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル等のビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビキシレノールジグリシジルエーテル等のビキシレノール型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡグリシジルエーテル等の水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及び、それらの二塩基酸変性ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂等であり、単独、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　市販のエポキシ樹脂としては、ＤＩＣ（株）製ＥＸＡ４７００（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製ＮＣ－７０００（ナフタレン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のナフタレン型エポキシ樹脂；日本化薬（株）ＥＰＰＮ－５０２Ｈ（トリスフェノールエポキシ樹脂）等のフェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ（株）製エピクロンＨＰ－７２００Ｈ（ジシクロペンタジエン骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のジシクロペンタジエンアラルキル型エポキシ樹脂；日本化薬（株）製ＮＣ－３０００Ｈ（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製エピクロンＮ６６０、エピクロンＮ６９０、日本化薬（株）製ＥＯＣＮ－１０４Ｓ等のノボラック型エポキシ樹脂；日産化学工業（株）製ＴＥＰＩＣ等のトリス（２，３－エポキシプロピル）イソシアヌレート、ＤＩＣ（株）製エピクロン８６０、エピクロン９００－ＩＭ、エピクロンＥＸＡ―４８１６、エピクロンＥＸＡ－４８２２、旭チバ（株）製アラルダイトＡＥＲ２８０、東都化成（株）製エポトートＹＤ－１３４、ジャパンエポキシレジン（株）製ＪＥＲ８３４、ＪＥＲ８７２、住友化学工業（株）製ＥＬＡ－１３４等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製エピクロンＨＰ－４０３２等のナフタレン型エポキシ樹脂；ＤＩＣ（株）製エピクロンＮ－７４０等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールとサリチルアルデヒドの縮合物のエポキシ樹脂；日本化薬（株）製ＥＰＰＮ－５００シリーズ等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は各々単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記エポキシ樹脂の中でも、銅との密着性や絶縁性に優れる点で、日本化薬（株）製ＮＣ－３０００Ｈ（ビフェニル骨格含有多官能固形エポキシ樹脂）等のビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が好ましく、また、架橋密度が高く高Ｔｇが得られる点で、日本化薬（株）製ＥＰＰＮ－５００シリーズを用いることがより好ましい。
　上記エポキシ樹脂の含有量は、無機フィラー成分を除く樹脂成分１００重量部に対して、３０～９０質量部であることが好ましく、４０～８０質量部であることがより好ましい。
　エポキシ樹脂と組み合わせる硬化剤としては、従来公知の各種エポキシ樹脂硬化剤もしくはエポキシ樹脂硬化促進剤を配合することができる。例えば、フェノール樹脂、イミダゾール化合物、酸無水物、脂肪族アミン、脂環族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第３級アミン、ジシアンジアミド、グアニジン類、又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもののほか、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム、テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物、ＤＢＵもしくはその誘導体等、硬化剤もしくは硬化促進剤の如何に拘らず、公知慣用のものを単独であるいは２種以上組み合わせて使用することができる。エポキシ樹脂の硬化を進行させれば特に限定されないが、具体的には、４，４’－ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２－ビス［４－（４-アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、トリメチレンビス（４－アミノベンゾエート）、３，３’-ジメチル－４，４’-ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’-ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、ビス［4-（4-アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、９，９’－ビス（4-アミノフェニル）フルオレン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン等を例示でき、単独、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
　シアネートエステル樹脂は、加熱によりトリアジン環を繰り返し単位とする硬化物を生成する樹脂であり、硬化物は誘電特性に優れるため、特に高周波特性が要求される場合などに用いられることが多い。シアネートエステル樹脂としては、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、ビス（４－シアナトフェニル）エタン、２，２－ビス（３，５－ジメチル－４－シアナトフェニル）メタン、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、α，α’－ビス（４－シアナトフェニル）－ｍ－ジイソプロピルベンゼン、フェノールノボラック及びアルキルフェノールノボラックのシアネートエステル化物等が挙げられる。その中でも、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパンは硬化物の誘電特性と硬化性のバランスが特に良好であり、コスト的にも安価であるため好ましい。またシアネートエステル化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。また、ここで用いられるシアネートエステル化合物は予め一部が三量体や五量体にオリゴマー化されていても構わない。さらに、シアネート樹脂に対して硬化触媒や硬化促進剤を入れてもよい。硬化触媒としては、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛等の金属類が用いられ、具体的には、２－エチルヘキサン酸塩、ナフテン酸塩、オクチル酸塩等の有機金属塩及びアセチルアセトン錯体などの有機金属錯体として用いられる。これらは、単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。硬化促進剤としてはフェノール類を使用することが好ましく、ノニルフェノール、パラクミルフェノールなどの単官能フェノールや、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどの二官能フェノールあるいはフェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多官能フェノールなどを用いることができる。これらは、単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。
　熱硬化性樹脂組成物は、分子構造中に少なくとも２個の不飽和Ｎ－置換マレイミド基を有するマレイミド化合物を含有することが好ましい。具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ'－エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'－ヘキサメチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'－(１，３－フェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'－[１，３－(２－メチルフェニレン)]ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'－[１，３－(４－メチルフェニレン)]ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'－(１，４－フェニレン）ビスマレイミド、ビス(４－マレイミドフェニル）メタン、ビス(３－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス(４－マレイミドフェニル）エーテル、ビス(４－マレイミドフェニル）スルホン、ビス(４－マレイミドフェニル）スルフィド、ビス(４－マレイミドフェニル）ケトン、ビス(４－マレイミドシクロヘキシル）メタン、１，４－ビス(４－マレイミドフェニル）シクロヘキサン、１，４－ビス（マレイミドメチル）シクロヘキサン、１，４－ビス（マレイミドメチル）ベンゼン、１，３－ビス(４－マレイミドフェノキシ）ベンゼン、１，３-ビス(３－マレイミドフェノキシ）ベンゼン、ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]メタン、ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]メタン、１，１－ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]エタン、１，１－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]エタン、１，２－ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]エタン、１，２－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]エタン、２，２-ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]プロパン、２，２－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]プロパン、２，２－ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]ブタン、２，２－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]ブタン、２，２－ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル] －１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、４，４－ビス(３－マレイミドフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス(４－マレイミドフェノキシ）ビフェニル、ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]ケトン、ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ)フェニル]ケトン、２，２'－ビス（４－マレイミドフェニル）ジスルフィド、ビス（４－マレイミドフェニル）ジスルフィド、ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]スルフィド、ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]スルフィド、ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]スルホキシド、ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]スルホキシド、ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]スルホン、ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]スルホン、ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ）フェニル]エーテル、ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ）フェニル]エーテル、１，４－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ)－α，α－ジメチルベンジル]ベンゼン、１，３－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ)－α，α－ジメチルベンジル]ベンゼン、１，４－ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ)－α，α－ジメチルベンジル]ベンゼン、１，３－ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ)－α，α－ジメチルベンジル]ベンゼン、１，４－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ)－３，５－ジメチル－α，α－ジメチルベンジル]ベンゼン、１，３－ビス[４－(４－マレイミドフェノキシ)－３，５－ジメチル－α，α－ジメチルベンジル]ベンゼン、１，４－ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ)－３，５－ジメチル－α，α－ジメチルベンジル]ベンゼン、１，３－ビス[４－(３－マレイミドフェノキシ)－３，５－ジメチル－α，α－ジメチルベンジル]ベンゼン、ポリフェニルメタンマレイミド等が挙げられ、これらのマレイミド化合物は、単独で用いても２種類以上を混合して用いてもよい。
　また、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂や各種カルボン酸含有樹脂をエポキシ樹脂と反応させる別な樹脂として使用してもよい。ポリアミドイミド樹脂としては、東洋紡の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」、「バイロマックスＨＲ１２Ｎ２」、「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」等が挙げられる。カルボン酸含有樹脂としては、アクリル樹脂や酸変性エポキシアクリレート、酸含有ウレタン樹脂等が挙げられる。
　上記硬化剤の含有量は、無機フィラー成分を除く樹脂成分１００重量部に対して、５～５０質量部であることが好ましく、１０～４０質量部であることがより好ましい。
　無機フィラーとしては従来公知の全ての無機充填剤及び有機充填剤が使用でき、特定のものに限定されない。例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の体質顔料や、銅、錫、亜鉛、ニッケル、銀、パラジウム、アルミニウム、鉄、コバルト、金、白金等の金属粉体が挙げられる。
　シリカフィラーを用いる場合は、フィラーで一次粒径のまま、凝集することなく樹脂中に分散させるために、シランカップリング剤を用いたものが望ましい。最大粒径は５μｍ以下であることが好ましく、更に１μｍ以下であることが望ましい。シランカップリング剤としては、一般的に入手可能なものを用いることができ、例えば、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が使用可能である。
　具体的な化合物名としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、ｎ－ドデシルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルシラノール、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、ｎ－オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジキシシラン、ビス（３－（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、ビス（３－（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィド、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（１，３－ジメチルブチルデン）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノシラン等がある。
　無機フィラーの平均粒径は、好ましくは３００ｎｍ以下であり、より好ましくは１００ｎｍ以下である。無機フィラーの平均粒径が小さいほど、デスミア処理後の表面が平滑となり、その後のフリップチップ実装時にアンダーフィル材の充填性が良くなる傾向にある。無機フィラーの充填量は、好ましくは０～９０質量％であり、より好ましくは２０～７０質量％であり、更に好ましくは３０～６０質量％である。
　以上説明したように、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法では、熱硬化性樹脂層４に形成する開口の形状に合わせて、第１のパターン化工程において第１の感光性樹脂層３をパターン化することにより、様々な形状の開口４ｈを容易に形成することができる。また、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法では、複数の開口４ｈを同時に形成できることに加え、レーザで開口を形成する場合とは異なり、開口４ｈ周辺の感光性樹脂の残渣を低減できる。このため、半導体素子のピン数が増加し、多数の微細な開口４ｈを設ける必要があっても、優れた信頼性を有するプリント配線基板を充分に効率的に製造することができる。
　また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層４を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理及びデスミア処理を施すことにより、熱硬化性樹脂層４の一部の除去と、熱硬化性樹脂層４から露出した第１の感光性樹脂層３の除去を行っている。この場合、プラズマ処理及びデスミア処理によって速やかに第１の感光性樹脂層３を露出させることができると共に、デスミア処理によって開口４ｈ周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層４を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層４の一部を除去し、熱硬化性樹脂層４から露出した第１の感光性樹脂層３を除去している。この場合、デスミア処理によって速やかに第１の感光性樹脂層３を露出させることができると共に、開口４ｈ周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程において、研磨処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層４の一部を除去し、開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、熱硬化性樹脂層４から露出した第１の感光性樹脂層３を除去している。この場合、研磨処理及びデスミア処理によって速やかに第１の感光性樹脂層３を露出させることができると共に、デスミア処理によって開口４ｈ周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層４を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化後の熱硬化性樹脂層４の一部を除去し、熱硬化性樹脂層４から露出した第１の感光性樹脂層３を除去している。この場合、プラズマ処理によって速やかに第１の感光性樹脂層３を露出できると共に、開口４ｈ周辺の残渣をより確実に低減できる。
　また、本実施形態では、開口４ｈを形成した後の熱硬化性樹脂層４の少なくとも一部を覆うように、無電解めっき法により配線パターン７ａ、７ｂの下地となるシード層５を形成するシード層形成工程と、シード層５を覆うように、第２の感光性樹脂層を形成後、第２の感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第２のパターン化工程と、シード層５を覆うように、電解めっき法により配線部７を形成後、はく離処理により第２の感光性樹脂層のパターン６ａ、６ｂをはく離して配線部７をパターン化する配線部パターン化工程と、配線部が形成されていない領域のシード層５を除去するシード層除去工程と、を更に備えることが好ましい。シード層５を形成することにより、電解めっき法による配線部７の形成が可能になり、配線部７を選択的にパターン化することができる。
　また、本発明に係るプリント配線基板１００は、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法によって製造されたプリント配線基板であって、熱硬化性樹脂層４が有する開口４ｈの直径が６０μｍ以下である。このようなプリント配線基板１００によれば、図１２に示される従来のプリント配線基板と比べて、熱硬化性樹脂層４に微細な開口４ｈを有し且つ優れた信頼性を持たせることができる。また、このようなプリント配線基板１００は、熱硬化性樹脂層４が有する開口４ｈの直径が６０μｍ以下であるため、ピン数が数万ピンから数十万ピンの半導体素子を実装するのに適したものとなる。また、プリント配線基板１００は、プリント配線基板に一般的に行われている各種加工処理、例えば、表面配線パターン上のニッケル／金めっきやはんだ処理等を施すことができる。
　以上、本発明に係るプリント配線基板の製造方法及び樹脂組成物の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。
　例えば、上記実施形態では、熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、熱硬化性樹脂層４を熱硬化する熱硬化工程を備えていたが、パターン露出工程及び開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化性樹脂層４の一部を除去と、熱硬化性樹脂層４から露出した第１の感光性樹脂層３の除去を行う場合は、パターン露出工程と開口形成工程との間の工程として又は開口形成工程の後工程として、熱硬化工程をそれぞれ備えていても構わない。
＜導体回路を有するプリント配線基板の準備＞
　まず、厚さ１２μｍの銅箔２が両面に貼着された銅張積層体１(日立化成工業株式会社製　ＭＣＬ－Ｅ－６７９ＦＧ)を準備した。銅張積層体１の厚さは４００μｍであった（図１（ａ）参照）。銅箔２をエッチング処理し、所定パターン形状に加工した（図１（ｂ）参照）。
＜第１の感光性樹脂層の形成＞
　次いで、図２に示すように、感光性樹脂組成物としてドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会社　Ｐｈｏｔｅｃ　Ｈ－７０２５）をベースに、膜厚が１０μｍから４０μｍのものを準備し、ロールラミネーターで両面に貼着し、パターンを形成したフォトツールを密着させ、オーク製作所社製ＥＸＭ‐１２０１型露光機を使用して、５０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光を行った。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、９０秒間スプレー現像を行い、感光性樹脂組成物を開口させて第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを形成した（図３参照）。
＜熱硬化性樹脂層４の形成に用いる熱硬化性樹脂組成物＞
　プリント配線基板の熱硬化性樹脂層４（層間絶縁層）の形成に使用する熱硬化性樹脂組成物として、以下に示すものを調製した。
＜熱硬化性樹脂組成物Ａ＞
　エポキシ樹脂としては、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、製品名ＮＣ－３０００Ｈ（日本化薬株式会社製）７０質量部を用いた。硬化剤の合成実施例１：温度計、攪拌装置、還流冷却管付き水分定量器の付いた加熱及び冷却可能な容積２リットルの反応容器に、ビス（４－アミノフェニル）スルホン：２６．４０ｇと、２，２’－ビス［４－（４－マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン：４８４．５０gと、ｐ－アミノ安息香酸：２９．１０ｇ、及びジメチルアセトアミド：３６０．００gを入れ、１４０℃で５時間反応させて分子主鎖中にスルホン基を有し、酸性置換基と不飽和Ｎ－置換マレイミド基を有する硬化剤（Ａ－１）の溶液を得た。本硬化剤を３０質量部配合した。
　無機フィラー成分としては、平均粒径が５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したシリカフィラーを用いた。なお、無機フィラー成分は、樹脂分に対し、３０質量％になるように配合した。分散状態は、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ－ＥＸ１５０」（日機装社製）、及びレーザ回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ－３１００」（日機装社製）を用いて測定し、最大粒径が１μｍ以下となっていることを確認した。
　＜熱硬化性樹脂組成物Ｂ＞
　エポキシ樹脂としては、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、製品名ＮＣ－３０００Ｈ（日本化薬株式会社製）７０質量部を用いた。硬化剤の合成実施例２：ジアミン化合物としてワンダミンＨＭ（ＷＨＭ）〔（４，４’－ジアミノ）ジシクロヘキシルメタン、新日本理化製、商品名〕５２．７ｇ、反応性官能基を有するジアミンとして３，３’－ジヒドロキシ－４，４’－ジアミノビフェニル６ｇ、トリカルボン酸無水物として無水トリメリット酸（ＴＭＡ）１０８ｇ及び非プロトン性極性溶媒としてＮ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）１２８１ｇを入れ、フラスコ内の温度を８０℃に設定して３０分間撹拌した。撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン１９２ｇをさらに添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に昇温して２．５時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水及びトルエンを除去しながら、フラスコ内の温度を１８０℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。フラスコ内の溶液を６０℃まで冷却した後、長鎖炭化水素鎖骨格（炭素原子数約５０）を有するジカルボン酸として水添α，ω－ポリブタジエンジカルボン酸（ＣＩ－１０００、日本曹達製、商品名）３０９．５ｇを入れ、１０分間撹拌した。撹拌終了後、ジイソシアネートとして４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）１１９．７ｇを添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に上昇させて２時間反応させ、樹脂溶液を得た。このポリアミドイミド樹脂溶液の重量平均分子量（Ｍｗ）をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ４７０００であった。ポリアミドイミド１分子あたりの平均反応性官能基数Ｎは４．４であった。本硬化剤を３０質量部配合した。無機フィラー成分としては、熱硬化性樹脂組成物Ａと同様のものを用いた。
　＜熱硬化性樹脂組成物Ｃ＞
　シアネートエステル樹脂としてビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー，製品名ＢＡ２３０Ｓ７５（ロンザジャパン株式会社製，不揮発分７５質量％のメチルエチルケトン溶液６０重量部用いた。エポキシ樹脂としては，ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、製品名ＮＣ－３０００Ｈ（日本化薬株式会社製）４０質量部を用い、硬化触媒として，コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成株式会社製）を３０ｐｐｍとなるように加えた。無機フィラー成分としては、熱硬化性樹脂組成物Ａと同様のものを用いた。
　＜熱硬化性樹脂組成物Ｄ＞
　エポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、製品名エピクロンＮ６６０（ＤＩＣ株式会社製）７０質量部を用いた。硬化剤として、フェノキシ樹脂ＹＰ－５５（新日鉄化学株式会社製）、メラミン変性フェノールノボラック樹脂ＬＡ７０５４（ＤＩＣ株式会社製）３０質量部を用いた。無機フィラー成分としては、平均粒径が３００ｎｍの硫酸バリウムを、スターミルＬＭＺ（アシザワファインテック株式会社製）で、直径１．０ｍｍのジルコニアビーズを用い、周速１２ｍ／ｓにて３時間分散して調整した。分散状態を、樹脂Ａと同様の方法で測定し、最大粒径が２μｍであることを確認した。
　上述のように得た各熱硬化性樹脂組成物の溶液を支持層である１６μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｇ２－１６、帝人社製、商品名）上に均一に塗布することにより熱硬化性樹脂組成物層を形成した。その後、熱風対流式乾燥機を用いて熱硬化性樹脂組成物層を１００℃で約１０分間乾燥することによってフィルム状熱硬化性樹脂組成物を得た。フィルム状熱硬化性樹脂組成物の膜厚は１０μｍ～９０μｍのものを準備した。
　次いで、熱硬化性樹脂組成物層に埃等が付着しないように、支持層と接している側とは反対側の表面上にポリエチレンフィルム（ＮＦ－１５、タマポリ社製、商品名）を保護フィルムとして貼り合わせ、熱硬化性フィルムタイプの樹脂組成物を得た。
　得られた熱硬化性フィルムタイプの樹脂組成物を用いて、プリント配線基板上に熱硬化性樹脂層４を形成した（図４参照）。詳細には、まず、熱硬化性樹脂組成物Ａ、Ｂ、Ｃ又はＤからなる熱硬化性フィルムタイプの樹脂組成物の保護フィルムのみを剥がし、プリント配線基板１０の両面（第１の感光性樹脂層パターン３ａ、３ｂ及び導体回路２ａ、２ｂ上）に熱硬化性樹脂組成物を載置した。プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ－５００、名機製作所製、商品名）を用いてプリント配線基板の表面に熱硬化性樹脂組成物を積層した。プレス条件は、プレス熱板温度８０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間３０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰａとした。次いで、クリーンオーブンで所定温度、所定時間で熱硬化性樹脂層４を熱硬化させた。
　その後、表１に示す工程に沿って除去処理を行うことで、熱硬化性樹脂層４を研削して第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを露出させると共に、第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを除去し、熱硬化性樹脂層４の一部を開口させた（図５、図６参照）。また、必要に応じて除去処理（デスミア処理又はプラズマ処理）を繰り返し実施した。実施例におけるプリント配線基板の製造時における開口形成プロセス条件を表２及び表３にそれぞれ示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　その後、図７に示すように、熱硬化性樹脂層４を覆うように、無電解銅めっき法により厚さ１μｍのシード層５を形成した。次いで、図８に示すように、第２の感光性樹脂組成物としてドライフィルムレジスト６（日立化成工業株式会社　Ｐｈｏｔｅｃ　ＲＹ－３５２５）をロールラミネーターで両面に貼着し、パターンを形成したフォトツールを密着させ、オーク製作所社製ＥＸＭ‐１２０１型露光機を使用して、１００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光を行った。次いで、３０℃の１重量％炭酸ナトリウム水溶液で、９０秒間スプレー現像を行い、ドライフィルムレジスト６を開口させた（第２の感光性樹脂層のパターン６ａ、６ｂ）。次いで、図８に示すように、電解銅めっき法により、シード層５の少なくとも一部を覆うように、厚さ１０μｍの銅めっき（配線部７）を形成した（図９参照）。次いで、図９に示すように、はく離液により、第２の感光性樹脂層のパターン６ａ、６ｂをはく離し、配線パターン７ａ、７ｂを形成した。次いでシード層５をエッチング液より除去した（図１０参照）。この工程を表裏ともに３回繰り返し、最外層にソルダーレジスト８を形成した後、市販の無電解ニッケル／金めっき液を用いて、ニッケルめっき厚５μｍ、金めっき厚０．１μｍとなるようにめっき処理を行い、ニッケル／金層９を形成した。このようにして多層プリント配線基板２００を得た（図１１参照）。
　多層プリント配線基板２００は、基板サイズが４５ｍｍ×４５ｍｍであり、中心部２０ｍｍ×２０ｍｍの範囲にエリアアレイ状に直径３０μｍ、５０μｍ、７０μｍ及び９０μｍの開口をそれぞれ設けた。
　熱硬化性樹脂層への埋め込み性については、以下の基準に基づいて評価した。
Ａ：空隙がなく埋め込みが特に良好なもの。
Ｃ：開口への埋め込みが良好なもの。
　熱硬化性樹脂層の耐薬品性については、目視で確認して以下の基準に基づいて評価した。除去処理とは、露出工程及び開口形成工程におけるプラズマ処理又はデスミア処理である。
Ａ：除去処理後に熱硬化性樹脂層がはく離しないもの。
Ｃ：除去処理後に熱硬化性樹脂層のはく離が確認されたが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
　解像性（開口性）については、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察して以下の基準に基づいて評価した。
ＡＡ：直径３０μｍ以下で開口できたもの。
Ａ：直径５０μｍ以下で開口できたもの。
Ｂ：直径７０μｍ以下で開口できたもの。
Ｃ：直径９０μｍ以下で開口できたもの。
　開口の壁面平滑性については、電子顕微鏡で確認して以下の基準に基づいて評価した。
Ａ：壁面が平滑なもの。
Ｃ：壁面にフィラーの欠落や段差が確認されたが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
　開口の残渣除去性については、以下の基準に基づいて評価した。
Ａ：銅表面にドライフィルムレジストの残渣がなく、はく離及び除去できているもの。
Ｃ：ドライフィルムレジストの残渣が確認されたが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
　無電解銅めっき性については、以下の基準に基づいて評価した。
Ａ：平滑に全面めっき処理されているもの。
Ｃ：開口の銅表面にめっきむらが確認されたが、プリント配線基板を製造する上で問題ないもの。
　結果を表４及び５に示す。本処理はプリント配線基板の層間接続に限定するものでなく、ソルダーレジストの開口プロセスやウェハレベルパッケージの再配線プロセス等、微細かつ高密度な開口部を設けるもの全てに適用することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　プラズマ処理を用いて開口を形成した場合も同様に評価した。プラズマ処理にはプラズマ処理装置（株式会社モリエンジニアリング　ＰＢ－１０００Ｓ）を用いた。プラズマ処理は、表６で示す条件に従って酸素ガスとアルゴンガスを併用して行い、１５分処理毎に水洗（超音波洗浄：１００Ｈｚ５分）した。プラズマ処理を行うことで、熱硬化性樹脂層４を一部除去して第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを露出させると共に、第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを除去し、熱硬化性樹脂層４の一部を開口させた（図５、図６参照）。また、必要に応じてプラズマ処理を繰り返し実施した。実施例におけるプリント配線板の製造時における開口形成プロセス条件を表７及び表８にそれぞれ示す。なお、実施例３１では、熱硬化性樹脂層４の熱硬化を行わなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　その後、実施例１から実施例１５と同様の方法でプリント配線基板を作製し、埋め込み性、解像性、壁面平滑性、残渣除去性、無電解銅めっき性を評価した。結果を表９及び表１０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　プラズマ処理とデスミア処理を併用して開口を形成した場合も同様に評価した。プラズマ処理の条件は表６と同様である。プラズマ処理後に水洗（超音波洗浄：１００Ｈｚで５分）した。デスミア処理の条件については表１のデスミア粗化時間のみ３０分から１５分に変更して実施した。プラズマ処理を行うことで、熱硬化性樹脂層４の一部を除去して第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを露出させ、次いでデスミア処理を行うことで、第１の感光性樹脂層のパターン３ａ、３ｂを除去して、導体回路２ａ、２ｂを露出させる開口４ｈを熱硬化性樹脂層４に形成した（図５、図６参照）。また、必要に応じてプラズマ処理やデスミア処理を繰り返し実施した。実施例におけるプリント配線板の製造時における開口形成プロセス条件を表１１及び表１２にそれぞれ示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　その後、実施例１から実施例１５と同様の方法でプリント配線基板を作製し、埋め込み性、耐薬品性、解像性、壁面平滑性、残渣除去性、無電解銅めっき性を評価した。結果を表１３及び表１４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　１…銅張積層体、２ａ、２ｂ…導体回路（銅箔）、３…第１の感光性樹脂層、３ａ、３ｂ…第１の感光性樹脂層のパターン、４…熱硬化性樹脂層、４ｈ…開口、５…シード層、６ａ、６ｂ…第２の感光性樹脂層のパターン、７…配線部、７ａ、７ｂ…配線パターン、８…ソルダーレジスト、９…ニッケル／金層、１０…プリント配線基板（内層基板）、１００…多層プリント配線基板、２００…ソルダーレジスト及びニッケル／金層を有する多層プリント配線基板。

Claims (19)

  1. 　導体回路を有する支持体の表面に形成した絶縁層に開口が設けられると共に、前記導体回路に接続される配線部が前記開口に形成されてなる導体回路を有する構造体の製造方法であって、
    　前記導体回路を覆うように前記支持体上に第１の感光性樹脂層を形成する第１の感光性樹脂層形成工程と、
    　前記第１の感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第１のパターン化工程と、
    　前記第１の感光性樹脂層のパターンを覆うように前記支持体上に熱硬化性樹脂層を形成する熱硬化性樹脂層形成工程と、
    　前記熱硬化性樹脂層の一部を除去して前記第１の感光性樹脂層のパターンの所定箇所を前記熱硬化性樹脂層から露出させるパターン露出工程と、
    　前記熱硬化性樹脂層から露出した前記第１の感光性樹脂層を除去して前記導体回路を露出させる開口を前記熱硬化性樹脂層に形成する開口形成工程と、
    を備えた導体回路を有する構造体の製造方法。
  2. 　前記熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、
    　前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、プラズマ処理とデスミア処理とを施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記第１の感光性樹脂層の除去とを行う請求項１に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  3. 　前記熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、
    　前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記第１の感光性樹脂層の除去とを行う請求項１に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  4. 　前記熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、
    　前記パターン露出工程において、研磨処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去を行い、前記開口形成工程において、デスミア処理を施すことにより、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記第１の感光性樹脂層の除去を行う請求項１に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  5. 　前記熱硬化性樹脂層形成工程の直後の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、
    　前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記第１の感光性樹脂層の除去とを行う請求項１に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  6. 　前記パターン露出工程と前記開口形成工程との間の工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備え、
    　前記パターン露出工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化前の熱硬化性樹脂層の一部を除去し、前記開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、前記熱硬化後の熱硬化性樹脂層から露出した前記第１の感光性樹脂層の除去を行う請求項１に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  7. 　前記パターン露出工程及び前記開口形成工程において、プラズマ処理を施すことにより、熱硬化前の熱硬化性樹脂層の一部の除去と、前記熱硬化性樹脂層から露出した前記第１の感光性樹脂層の除去とを行い、
    　前記開口形成工程の後工程として、前記熱硬化性樹脂層を熱硬化する熱硬化工程を更に備える請求項１に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  8. 　前記熱硬化工程において、前記熱硬化性樹脂層の温度を１５０℃～２５０℃とし、且つ加熱時間を３０分～３００分とする請求項２～７のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  9. 　前記熱硬化工程において、不活性ガスの雰囲気で前記熱硬化を行う、請求項２～８のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  10. 　前記開口を形成した後の熱硬化性樹脂層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっき法により前記配線部の下地となるシード層を形成するシード層形成工程と、
    　前記シード層を覆うように、第２の感光性樹脂層を形成後、前記第２の感光性樹脂層に露光処理及び現像処理を施してパターン化する第２のパターン化工程と、
    　前記シード層を少なくとも覆うように、電解めっき法により前記配線部を形成後、はく離処理により前記第２の感光性樹脂層のパターンをはく離して前記配線部をパターン化する配線部パターン化工程と、
    　前記配線部が形成されていない領域のシード層を除去するシード層除去工程と、を更に備える請求項１～９のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  11. 　前記第１の感光性樹脂層形成工程において、前記第１の感光性樹脂層の厚さＴ１を２μｍ～５０μｍとする、請求項１～１０のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  12. 　前記熱硬化性樹脂層形成工程おいて、前記熱硬化性樹脂層の厚さＴ２を２μｍ～５０μｍとする、請求項１～１１のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  13. 　前記熱硬化性樹脂層形成工程おいて、前記第１の感光性樹脂層の厚さＴ１に対する前記熱硬化性樹脂層の厚さＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）を１．０～２．０とする、請求項１～１２のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  14. 　前記開口形成工程おいて、前記熱硬化性樹脂層に形成する前記開口のうち、最小の開口の直径Ｒｍｉｎに対する当該開口の深さＤの比（Ｄ／Ｒｍｉｎ）を０．１～１．０とする、請求項１～１３のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法。
  15. 　請求項１～１４のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法によって製造された導体回路を有する構造体であって、
    　前記熱硬化性樹脂層が有する開口の直径が６０μｍ以下である、導体回路を有する構造体。
  16. 　請求項１～１４のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法に用いられる感光性樹脂組成物。
  17. 　請求項１６に記載の感光性樹脂組成物からなるドライフィルムレジスト。
  18. 　請求項１～１４のいずれか一項に記載の導体回路を有する構造体の製造方法において使用される熱硬化性樹脂組成物であって、
    　エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂及び熱硬化性ポリイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を含む樹脂組成物と、
    　最大粒径が５μｍ以下であり且つ平均粒径が１μｍ以下である無機フィラーと、
    を含有する熱硬化性樹脂組成物。
  19. 　請求項１８に記載の熱硬化性樹脂組成物からなる熱硬化性樹脂フィルム。
PCT/JP2012/076130 2011-10-11 2012-10-09 導体回路を有する構造体及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物 WO2013054790A1 (ja)

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