WO2013000797A1 - Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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WO2013000797A1
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thin
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optoelectronic component
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Richard Baisl
Dirk Becker
Thomas Dobbertin
Doreen FISCHER
Benjamin Krummacher
Erwin Lang
Tilmann Schlenker
Christian Schmid
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Definitions

  • Encapsulation structure for an optoelectronic component and a method for encapsulating an optoelectronic component.
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • OLED displays OLED displays
  • O solar cells organic solar cells or photovoltaic cells
  • OOV Organic Photovoltaic Cells
  • the sealing of the component or the protection of the component from mechanical damage can be achieved by means of an encapsulation of the component.
  • organic optoelectronic components eg OLEDs
  • the encapsulation by means of glass cavities is known.
  • a glass lid is glued to the device with a special adhesive.
  • This technique can largely prevent the penetration of harmful influences.
  • water and oxygen binding materials in the Cavity introduced (eg glued).
  • getters water and oxygen binding materials
  • non-transparent zeolite getters can be glued into the cavity. The getters can get the water and the
  • the glass lid can simultaneously provide sufficient mechanical protection.
  • Fig. 1 shows an arrangement 100 'with an organic
  • OLED Light-emitting diode
  • the OLED 100 has a substrate glass 101. On the
  • Substrate glass 101 is a functional layer stack (OLED stack) 102 is arranged.
  • the functional layer stack 102 may include one or more organic functional layers (i.
  • Electrodes may be provided for electrically contacting the organic functional layers.
  • Encapsulation glass 103 also as cover glass or Capglas
  • a getter 105 is introduced (by sticking to the functional layer stack 102
  • Functional layer stack 102 which is intended to absorb water and / or oxygen penetrating through the bond between substrate 101 and encapsulation glass 103 and in this way to prevent the water and / or oxygen from affecting the layer (s) of functional layer stack 102
  • the OLED 100 is designed as a bottom emitter, i. the light emission takes place through the
  • the getter 105 may be made of a nontransparent material (e.g., zeolite).
  • Fig. 2 shows an arrangement 200 'with an organic
  • Light-emitting diode (OLED) 100 with conventional encapsulation by means of glass cavity according to another example.
  • the assembly 200 differs from the assembly 100' shown in FIG. 1 in that instead of a single large getter 105 (as in FIG. 1), two smaller getters 205 are inserted into the cavity 104.
  • the two getters 205 are on the inside of the encapsulating glass 103 in
  • the OLED 100 can be embodied as a transparent OLED (light emission both downwards through the substrate glass 101 and upwards through the encapsulation glass 103) or as a top emitter (light emission only upwards through the encapsulation glass 103).
  • a transparent OLED light emission both downwards through the substrate glass 101 and upwards through the encapsulation glass 103
  • a top emitter light emission only upwards through the encapsulation glass 103.
  • one or more perforated getters in the cavity 104 may also be provided
  • Manufacturing flexible (i.e., flexible) components e.g.
  • optoelectronic components for example organic optoelectronic components such as e.g. OLEDs, by the application of one or more thin films (thin layers or thin layers) against water and
  • Oxygen seal (so-called thin-film encapsulation). Such a thin-layer encapsulation can be mechanical
  • a cover layer as a mechanical protective layer, wherein an adhesive layer (e.g., lamination adhesive layer) for adhesion promotion is provided between the thin-film encapsulation and the cover layer.
  • an adhesive layer e.g., lamination adhesive layer
  • Embodiments may include the application of the cover layer be realized, for example, by surface laminating a flat cover glass. Through the glass can a
  • Thin-layer encapsulation can be achieved.
  • an encapsulation structure formed in this way which, as described above, has a thin-layer encapsulation, an adhesive layer and a cover layer, is a simple,
  • optoelectronic device such as e.g. OLEDs
  • the occurrence of defects due to any particles on or on the thin film encapsulant or on or in the adhesive layer can be reduced or prevented, as described below.
  • Thin film technology is also suitable for flexible devices (e.g., flexible OLEDs) on film substrates (e.g., steel foil or polymeric film substrates).
  • film substrates e.g., steel foil or polymeric film substrates.
  • films may be laminated to the substrate film or the substrate film may be laminated between two packaging films.
  • Particle tolerant encapsulation and protective coating for optoelectronic devices such as organic optoelectronic devices such.
  • OLEDs provided.
  • Encapsulation structure for optoelectronic components for example, organic optoelectronic components such as OLEDs, provided, are wholly or partially avoided in the damage of the optoelectronic components or by particle contamination.
  • OLEDs organic optoelectronic components
  • an opto-electronic device such as an organic opto-electronic device, e.g. an OLED.
  • Encapsulation structure for an optoelectronic device to: a thin film encapsulation for the protection of
  • Impurities an adhesive layer formed on the thin film encapsulant, and a cover layer formed on the adhesive layer for protecting the
  • Thin-film encapsulation and / or the optoelectronic component from mechanical damage Thin-film encapsulation and / or the optoelectronic component from mechanical damage.
  • a method for encapsulating an optoelectronic component comprises:
  • Encapsulation arrangement on an optoelectronic device and an encapsulation structure The optoelectronic
  • Component has at least one functional layer.
  • the encapsulation structure is formed on or above the at least one functional layer.
  • the encapsulation structure may be according to one or more of those described herein
  • Embodiments be formed.
  • the various embodiments of the exemplary embodiments apply in the same way, as far as appropriate, both for the encapsulation structure for an optoelectronic component and for the encapsulation arrangement and the method for encapsulating an optoelectronic component.
  • layer or “layer structure” as used herein may be a single layer or a layer
  • Layer sequence (layer stack or layer stack) of several thin (sub) layers denote.
  • functional layers of the optoelectronic component for example organic functional layers of a
  • organic optoelectronic component be formed of several (sub) layers. But other layers described herein may also be formed of multiple (sub) layers.
  • a first layer is arranged directly in direct mechanical and / or electrical contact on another layer.
  • Layer can also be indirectly on another layer
  • Such layers can serve, for example, to further improve the functionality and thus the efficiency of the optoelectronic component.
  • adheresive layer as used herein may refer to a layer or layer structure comprising or consisting of one or more adhesive materials (eg, adhesive) . These adhesive layer (s) (eg, adhesive) of the adhesive layer may have two or more
  • Elements e.g., layers
  • the adhesion mediation can by the
  • Adhesive layer which may be at least partially formed between the elements to be joined (e.g., layers).
  • a “functional layer” of an optoelectronic component can be understood as meaning a layer which is responsible for charge transport and for
  • Functional layer of the optoelectronic component formed as an organic functional layer.
  • An “organic functional layer” may be emitter layers, for example with fluorescent and / or
  • phosphorescent emitters included. Examples of emitter materials used in the
  • organic or organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (e.g., 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) as well as
  • Metal complexes for example iridium complexes such as blue phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green
  • spin coating are separable.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Optoelectronic component may for example be selected so that the optoelectronic device
  • the emitter layer can have several
  • emitter materials emitting different colors (for example blue and yellow or blue, green and red),
  • the emitter layer may also consist of several elements
  • Sublayers be constructed, such as a blue fluorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter layer and a red phosphorescent emitter layer. By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression. Alternatively, it can also be provided in the beam path through this
  • Layers generated primary emission to arrange a converter material that at least partially absorbs the primary radiation and emits a secondary radiation of different wavelength, so that from a (not yet white)
  • the optoelectronic component can generally have further organic functional layers which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the optoelectronic component.
  • organic functional layers serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the optoelectronic component.
  • organic functional layers serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the optoelectronic component.
  • Electrode as well as the charge carrier and exciton transport to improve.
  • Organic functional layers may be provided and the embodiments are not limited to a specific type of functional layer (s). Under “impurities” or “contaminations” can in
  • substances, substance compounds, particles, substances, etc. are generally understood to be undesirable during a production process or their presence in a processed component (device), since they negatively influence, for example, the production process and / or the component in its component Affect functionality.
  • Impurities in the manufacture of an optoelectronic device e.g., an organic optoelectronic device
  • Component act.
  • chemical constituents of the environment For example, under "chemical contaminants" chemical constituents of the environment
  • optoelectronic component e.g., organic
  • a "thin-layer encapsulation" may, for example, be a layer or a layer
  • the thin-layer encapsulation is designed such that it can be absorbed by atmospheric substances such as water or water
  • the barrier effect is achieved in the thin-layer encapsulation essentially by one or more thin layers, which are part of the thin-layer encapsulation.
  • the layer or the individual layers of the thin-layer encapsulation may, for example, have a thickness of less than or equal to a few 100 nm.
  • the thin-layer encapsulation consists of the layer (s) responsible for the barrier effect of the thin-layer encapsulation.
  • Layer (s) may also be referred to as barrier thin layer (s) or barrier thin film (s).
  • the thin-layer encapsulation may be embodied as a single layer (in other words, as
  • Single layer may be formed.
  • the thin-layer encapsulation having a plurality of sub-layers formed on each other.
  • the thin-layer encapsulation may be formed as a layer stack (stack), which has a Has a plurality of sub-layers (also referred to as barrier thin films).
  • Thin film encapsulation may be formed, for example, by a suitable deposition process, e.g. by atomic layer deposition (ALD) according to an embodiment, e.g. one
  • PEALD plasma-enhanced atomic layer deposition
  • PECVD plasma-enhanced chemical vapor deposition
  • PLCVD plasmaless chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Thin-layer encapsulation comprising a plurality of sublayers, all sublayers being formed by means of an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate”.
  • Thin-film encapsulation comprising a plurality of sub-layers, one or more sub-layers of the thin-layer encapsulation by means of a deposition method other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited, for example by means of a chemical vapor deposition process.
  • the thin film encapsulation may, according to one embodiment, have a layer thickness of about 1 nm to about 10 ym, for example a layer thickness of about 30 nm to about 1 ym, according to one embodiment,
  • a layer thickness of about 300 nm to about 600 nm according to an embodiment for example, about 450 nm according to an embodiment.
  • Thin-layer encapsulation has multiple sub-layers, all sub-layers may have the same layer thickness. According to another embodiment, the individual
  • Partial layers of the thin-film encapsulation have different layer thicknesses.
  • at least one of the partial layers may have a different layer thickness than one or more other of the partial layers.
  • a layer (or sub-layer) of the thin film encapsulant deposited by an atomic layer deposition (ALD) method may have a layer thickness in the range of about 1 nm to about 1000 nm, for example, a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to one embodiment, for example approximately 50 nm according to an embodiment.
  • a layer (or sub-layer) of the thin film encapsulant deposited by a chemical vapor deposition (CVD) method may have a layer thickness in the range of about 10 nm to about 10 ym, for example, a layer thickness of about 30 nm to about 1 ym according to one embodiment, for example a layer thickness of about 100 nm to about 500 nm according to an embodiment, for example about 400 nm according to an embodiment.
  • the thin-layer encapsulation or the individual sub-layers of the thin-layer encapsulation may, according to one embodiment, be formed as a transparent layer. In other words, the thin-layer encapsulation (or the individual
  • a transparent or transparent material or a transparent layer may, for example, be understood as meaning a material or a layer which is transparent or permeable to light in the visible wavelength range.
  • a non-transparent material or a non-transparent layer may, for example, be understood as meaning a material or a layer which is not transparent or impermeable to light in the frame
  • the optoelectronic component as a top emitter (or as a combination of top emitter and bottom emitter)
  • individual partial layers of the thin-layer encapsulation be formed as a transparent layer (s).
  • individual sub-layers of the thin-film encapsulation be formed as a non-transparent layer (s).
  • Thin-layer encapsulation can each be a material
  • Partial layers one or more of the partial layers of the
  • the oxide, nitride or oxynitride may, for example, continue
  • Sublayers may include, for example, silicon oxide (SiO x ), such as S 1 O 2 , silicon nitride (Si x N y ), such as S 1 2 N 3 ,
  • Alumina such as Al 2 O 3 , aluminum nitride, tin oxide,
  • Thin-layer encapsulation which has several sub-layers, all sub-layers have the same material or consist of it. According to another embodiment, the individual partial layers of the thin-layer encapsulation
  • At least one of the partial layers can comprise or consist of another material as one or more other of the partial layers.
  • particle contamination may include, for example, contamination by microscopic particles
  • Dimensions (eg diameter) in the micrometer range eg, dust particles with dimensions in the micrometer range, eg particles with a diameter in the range of about 0.1 ym to about 100 ym, for example in the range of about 1 ym to about 10 ym.
  • particle contaminants can occur, for example, by not always it is possible to ensure 100% purity in the process chamber (eg reactor) during a component manufacturing process. Too unwanted
  • Particulate contamination can occur, for example, if a relatively long period of time lies between the deposition process of a first layer and the deposition process for the subsequent layer in the production of a layer structure which has a plurality of layers. In this case it is possible that in the time between the two deposition processes
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Component are present. Furthermore, according to various embodiments, the applied on a thin-film encapsulation granted
  • Adhesive layer an inclusion of existing on or on the surface of the thin-film encapsulation particles or
  • Particulate contaminants may be caused
  • the adhesive layer has a
  • Adhesive layer of a curable adhesive material (for example, a curable adhesive) exist.
  • curable adhesive material or “hardening adhesive material” can be understood as meaning, for example, an adhesive material which has moved from a first state of lower mechanical hardness or strength (uncured state) to a second state compared to the first state , higher mechanical hardness or strength (cured state) can pass or be transferred.
  • the transition from the first (uncured) state to the second (cured) state may be referred to as "curing.”
  • An adhesive layer that is a curable adhesive material
  • the curable adhesive material of the adhesive layer is a UV-curing adhesive material
  • thermosetting resin
  • UV radiation Ultraviolet radiation cure or cured.
  • the UV radiation used for curing can be any UV radiation used for curing.
  • Embodiment for example in the range of about 360 nm to about 390 nm according to an embodiment.
  • the UV radiation used may have a dose that
  • Embodiment e.g. a dose in the range of about
  • Embodiment eg a dose in the range of approximately 5000 mJ / cm 2 to about 7000 mJ / cm 2 according to one embodiment, eg a dose of about 6000 mJ / cm 2 according to one embodiment.
  • the UV-curing adhesive material can be chosen, for example, such that the parameters of the UV radiation used for curing (eg wavelength, dose) can be chosen such that a possible damage to the optoelectronic component by the UV radiation can be avoided.
  • Adhesive material of the adhesive layer may be formed as a temperature-curing adhesive material.
  • the curable adhesive material can be hardened or hardened by means of a temperature treatment (in other words, by means of tempering or heating).
  • the curable adhesive material may comprise a temperature-curable adhesive material (e.g.
  • thermosetting adhesive that at a
  • the temperature used for the curing may be, for example, about 10 ° C to about 140 ° C according to
  • Embodiment for example, about 50 ° C to about 100 ° C according to an embodiment, for example, about 80 ° C according to an embodiment.
  • the duration of the temperature treatment may be, for example, about 1 minute to about 300 minutes according to an embodiment, for example, about 30 minutes to about 100 minutes according to an embodiment, for example, about 60 minutes according to an embodiment.
  • the curable adhesive material of the adhesive layer is a self-curing adhesive material
  • a self-hardening adhesive material can be understood as meaning, for example, an adhesive material which is free from external influences (for example heat treatment or UV irradiation) under normal room conditions
  • Adhesive material can be seen in that for curing the adhesive material, for example, no means for
  • Annealing (heating) or UV irradiation is required. Thus, costs can be saved.
  • epoxy adhesive acrylic adhesive
  • silicone adhesive silicone adhesive
  • the adhesive layer is formed such that on the surface of the adhesive layer
  • Thin-film encapsulation located particle contaminants are at least partially enclosed by the adhesive layer or at least partially embedded in the adhesive layer.
  • the adhesive layer may be formed so that the particle contaminants are completely embedded in the adhesive layer.
  • the adhesive layer may further be formed to have a substantially planar (planar) surface.
  • the adhesive layer may have a flat surface over its entire lateral extent.
  • the adhesive layer has a
  • the adhesive layer may have a layer thickness
  • the layer thickness can be any thickness of the particulate contaminants.
  • the layer thickness of the adhesive layer can be clearly chosen so that possibly on or on the surface of the adhesive layer
  • the layer thickness of the adhesive layer can be selected such that existing on or on the surface of the thin-layer encapsulation
  • Particle impurities are completely surrounded or enclosed by the adhesive material of the adhesive layer and in particular vividly not “protrude” from this.
  • the adhesive layer may, for example, have a layer thickness of about 1 ym to about 500 ym, for example about 10 ym to about 100 ym according to an embodiment, for example about 15 ym to about 35 ym according to an embodiment, for example 25 ym according to one
  • the cover layer may also be referred to as a mechanical protective layer or a mechanical protective film, since it may serve to protect the thin-film encapsulation and / or the optoelectronic component from mechanical stresses or damage (for example by scratching).
  • the cover layer has a rigid
  • a cover layer formed as a rigid layer can also be called a cover plate.
  • Glass layer formed cover layer can also be referred to as cover glass or Capglas.
  • the cover layer has a flexible layer or is formed as a flexible layer, for example as a film, for example as a transparent film, alternatively as a non-transparent film.
  • the cover layer may, for example, have a (transparent or non-transparent) heat-conducting foil or be designed as such according to an embodiment.
  • a trained as a heat conducting cover layer can for
  • the optoelectronic device e.g., an OLED
  • the cover layer has a lacquer layer.
  • the cover layer may be formed, for example, as a lacquer layer (for example as a transparent lacquer layer or as a non-transparent lacquer layer).
  • the lacquer layer may comprise or consist of a lacquer material which is suitable for forming a mechanical protective layer, for example a polyacrylic lacquer material, for example a polyacrylic protective lacquer (for example a transparent polyacrylic protective lacquer), alternatively other suitable lacquer materials or lacquers.
  • the cover layer may be formed as a transparent layer, alternatively as a non-transparent layer.
  • the optoelectronic component as a top emitter or as
  • the cover layer may be formed as a transparent layer.
  • the cover layer is or are laminated on the thin-layer encapsulation by means of the adhesive layer.
  • the topcoat may be in this case
  • a self-adhesive protective film e.g. a polycarbonate film (e.g., having a layer thickness of about 300 ⁇ m, alternatively with a different layer thickness), with the adhesive layer (adhesive film) (e.g.
  • the self-adhesive protective film may comprise the adhesive layer and the cover layer.
  • the adhesive layer is a first layer. According to one embodiment, the adhesive layer
  • the scattering particles may for example be embedded in the adhesive layer.
  • the scattering particles can, for example, in the as
  • Adhesive material of the adhesive layer serving as matrix material may be dispersed as a volume spreader.
  • the scattering particles may be, for example, a metal oxide such as titanium oxide or aluminum oxide such as corundum, and / or glass particles and / or plastic particles, one of the matrix material
  • the scattering particles may have cavities and be embodied for example in the form of plastic hollow spheres.
  • the scattering particles can for example
  • the scattering particles can, for example, bring about an improvement in the light extraction.
  • the adhesive layer can be designed so that an optical improvement can be achieved by cavity effects.
  • the adhesive layer can be designed so that an optical improvement can be achieved by cavity effects.
  • the adhesive layer is on or above the
  • Cover layer formed at least one additional layer. There may be several additional layers (for example
  • one above the other may be formed on or above the cover layer.
  • the thermal pad may serve to homogenize and / or remove heat generated during operation of the optoelectronic device (e.g., an OLED).
  • the at least one additional layer has a light extraction layer.
  • Lichtauskoppel für may for example have scattering particles, which may be formed, for example, as described above in connection with the adhesive layer.
  • Adhesive layer comprises or consists of a curable adhesive material, the adhesive layer is not in one
  • hardened adhesive layer can by properties such as interfacial tension or wetting power, layer thickness and viscosity inclusion of
  • the cover layer is applied to the not (or not completely) cured adhesive layer. According to various embodiments takes place after the
  • the curing of the adhesive layer can take place, for example, by means of irradiation with UV light (when using a UV-curing material for the adhesive layer).
  • Annealing heating with a predeterminable temperature take place (when using a temperature-curing
  • Self-curing adhesive material the curing without external influence such. UV radiation or heat treatment
  • Particles can be avoided. According to one embodiment, this is the optoelectronic
  • the optoelectronic component designed or set up as an organic optoelectronic component.
  • the optoelectronic component designed or set up as an organic optoelectronic component.
  • the device may be an organic light emitting diode (OLED), organic
  • Solar cell or photovoltaic cell be designed as an organic phototransistor or the like.
  • the optoelectronic component may comprise a substrate.
  • a substrate may be used for
  • the substrate may be a transparent substrate. However, the substrate may also be a non-transparent substrate.
  • the substrate glass quartz, sapphire,
  • Plastic film (s), metal, metal foil (s), silicon wafers or other suitable substrate material As a substrate is understood in various embodiments, the layer on which in the manufacture of the
  • Layers are applied. Such subsequent layers can eg in an optoelectronic device or be layers required for a radiation-emitting device for radiation emission.
  • the substrate is rigid
  • the substrate may be formed as a glass substrate.
  • the substrate is designed as a flexible (in other words, flexible) substrate.
  • the substrate may be used as a film substrate
  • ⁇ be formed, e.g. as a steel foil substrate or as a polymer foil substrate according to one embodiment.
  • the substrate may be formed as a transparent substrate (e.g., a transparent film or a glass substrate),
  • non-transparent substrate e.g.
  • Silicon wafer according to an embodiment.
  • a first electrode is provided between the substrate and the at least one functional layer
  • Electrode may be applied on or over the substrate, and the at least one functional layer may be applied on or above the first electrode.
  • the first electrode may also be referred to as a bottom electrode or as a base contact.
  • the first electrode may also be referred to as
  • the first electrode may be an anode, alternatively a cathode.
  • a second electrode is formed between the at least one functional layer and the thin-layer encapsulation.
  • the second electrode may be applied on or above the at least one functional layer, and the thin-layer encapsulation may be on or above the be applied to the second electrode.
  • the second electrode may also be referred to as a cover electrode or as a cover contact.
  • the second electrode may also be referred to as a cover-side electrode or a cover-side contact.
  • the second electrode may be a cathode (e.g., if the first electrode is an anode), alternatively an anode (e.g., if the first electrode is a cathode).
  • the first electrode and the second electrode may be electrically contacted in a suitable manner.
  • the first electrode and / or the second electrode may / may be transparent.
  • the first electrode and / or the second electrode may alternatively / ⁇ can not be transparent.
  • the first electrode may be transparent and the second electrode (cover electrode) may be non-transparent.
  • the second electrode may be formed as a reflective electrode (reflective contact), in other words as an electrode, which substantially or completely reflects the radiation emitted by the at least one functional layer.
  • the second electrode may be transparent and the first electrode (base electrode) non-transparent.
  • the first electrode may be formed as a reflective electrode (reflective contact), in other words as an electrode, which is the one of the at least one
  • the first electrode and the second electrode may be formed in each case as a transparent electrode.
  • the first electrode and / or the second electrode can / can be applied, for example, by means of a deposition method. According to one embodiment, the first electrode and / or the second electrode can / can by means of
  • the first electrode and / or the second electrode may have a layer thickness in a range of about 5 nm to a few ym, for example, a layer thickness in a range of
  • the first electrode and / or the second electrode may / may have a different layer thickness.
  • transparent conductive oxide e.g., ITO (Indium Tin Oxide)
  • ITO Indium Tin Oxide
  • transparent electrodes based on thin metal layers may have layer thicknesses in the range of about 10 nm to about 30 nm.
  • the layer thickness may be any suitable thickness.
  • Electrode approaches can cause different electrode layer thicknesses.
  • the first electrode and / or the second electrode may be formed of a material or comprise a material selected from metals such as aluminum, barium,
  • Tin oxide Tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium ⁇ doped tin oxide (ITO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), Zn2Sn04, CdSnC> 3, ZnSnC> 3, MgIn2Ü4, Galn03, or Zn2ln2Ü5
  • the first electrode and / or the second electrode may comprise or consist of another suitable material.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • opto-electronic device e.g., organic
  • opto-electronic device such as e.g. OLED
  • bottom emitter be executed.
  • bottom emitter or “bottom emitting optoelectronic device” refers to an embodiment that is transparent to the substrate side of the optoelectronic device.
  • at least the substrate and between the substrate and the at least one can be transparent to the substrate side of the optoelectronic device.
  • Functional layer formed layers for example, formed between the substrate and functional layer (s) electrode (base electrode) be made transparent.
  • the optoelectronic component embodied bottom-emitter can be used
  • optoelectronic component such as an OLED
  • the optoelectronic component may be designed as a "top emitter”.
  • top emitter or “top emitting
  • Optoelectronic component refers, for example, to an embodiment which faces the substrate (in other words, FIG
  • the layers formed on or above the at least one functional layer of the optoelectronic component are made transparent.
  • the layers formed on or above the at least one functional layer of the optoelectronic component are made transparent.
  • Adhesive layer, cover layer be transparent.
  • An optoelectronic component embodied as a top emitter can accordingly be used, for example, in the functional layers (for example organic functional layers in the case of an organic layer)
  • optoelectronic device such as e.g. an OLED
  • Component according to various embodiments may advantageously have a high light outcoupling and a very low angular dependence of the radiation density.
  • Illuminations such as room lights, are used.
  • the optoelectronic component is generally capable of producing the light generated in the functional layers (eg the organic functional layers in the case of an organic optoelectronic component such as an OLED) in both directions - that is to say both toward the substrate side and towards the cover side emit.
  • the functional layers eg the organic functional layers in the case of an organic optoelectronic component such as an OLED
  • a third electrode is provided in the optoelectronic component, which is arranged between the first electrode and the second electrode.
  • the third electrode can act as an intermediate contact. It can serve to increase a charge transport through the layers of the optoelectronic component and thus to improve the efficiency of the optoelectronic component.
  • the third electrode can be designed as an ambipolar layer. It can be used as cathode or anode
  • the third electrode may be different according to
  • an emitter layer and one or more further organic functional layers are contained as organic functional layers.
  • the further organic functional layers can be selected from the group consisting of
  • hole blocking layers electron injection layers, electron transport layers, and electron blocking layers.
  • Functional layers are known per se to the person skilled in the art.
  • the (Organic) functional layers can preferably be applied by means of thermal evaporation.
  • the further (organic) functional layers can advantageously improve the functionality and / or efficiency of the optoelectronic component.
  • Barrier layers may have) as protection against
  • Adhesive layer on the thin-layer encapsulation e.g.
  • a cover layer (mechanical protective layer) is formed (e.g.
  • Cover layer using the previously applied on the cover layer (e.g., on the underside of the cover layer)
  • FIG. 1 shows an arrangement with an organic light-emitting diode
  • Figure 2 shows an arrangement with an organic light emitting diode (OLED) and conventional encapsulation by means of glass cavity according to another example;
  • OLED organic light emitting diode
  • FIG. 3 shows an encapsulation structure for a
  • Optoelectronic component according to an embodiment 4 shows an encapsulation according to another
  • FIG. 5 shows a method for encapsulating a
  • Figure 6 shows an encapsulation according to another
  • FIG. 7A shows a detail of that shown in FIG
  • FIG. 7B shows another detail of that shown in FIG.
  • FIG. 3 shows an encapsulation structure 300 for a
  • Optoelectronic component according to a
  • Encapsulation structure 300 a thin-film encapsulation 301 to protect an optoelectronic device before chemical contaminants.
  • the thin-film encapsulation 301 may comprise one or more thin layers (also called
  • Barrier layers may further be prepared according to one or more of those described herein
  • Embodiments be formed.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Encapsulation structure 300 further includes an on
  • the adhesive layer 302 may comprise or consist of an adhesive material, and may further be constructed in accordance with one or more embodiments described herein
  • Encapsulation structure 300 further comprises a cover layer 303 applied to the adhesive layer 302 for protecting the thin-film encapsulation 301 from mechanical damage.
  • the cover layer 303 may be formed in accordance with one or more embodiments described herein.
  • cover layer for example as a rigid cover layer (e.g., glass topcoat) or as a flexible cover layer (e.g., as a film), and / or as a transparent cover layer (e.g., coverslip or transparent film) or as a nontransparent cover layer (e.g.
  • the cover layer 303 for example, be part of a self-adhesive film, which by means of
  • the adhesive layer 302 may comprise a curable adhesive material, eg, a UV-curing adhesive.
  • the adhesive layer 302 can be applied in the uncured (eg liquid) state and can subsequently be hardened or hardened (eg after the application of the cover layer 303).
  • the adhesive layer 302 may be configured such that particle contaminants on the top side 301 a of the thin-layer encapsulation 301 from the adhesive layer 302
  • the applied adhesive layer 302 has a substantially planar (upper) surface 302a
  • Layers e.g., functional layers of an optoelectronic device to be encapsulated (e.g., OLED)), and damage them.
  • FIG. 4 shows an encapsulation arrangement 400 'according to a further exemplary embodiment.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Encapsulation 400 an optoelectronic device 400 and an encapsulation structure 300 on.
  • Encapsulation structure 300 may be formed in accordance with one or more of the embodiments described herein.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • optoelectronic component 400 at least one
  • the at least one functional layer 402 may be as a single
  • Layer (as shown in Fig. 4) or as a layer stack (also referred to as a functional layer stack) may be formed with a plurality of sub-layers.
  • Functional layer 402 may be further formed according to one or more of the embodiments described herein.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Encapsulation structure 300 may be formed on or above the at least one functional layer 402 of the optoelectronic component 400. According to various embodiments, the
  • optoelectronic component 400 above and / or below the at least one functional layer 402 one or more additional layers.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Optoelectronic device 400 having a substrate 401.
  • the substrate 401 may be formed in accordance with one or more of the embodiments described herein.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Optoelectronic component 400 further comprises a first electrode 403.
  • the first electrode 403 may according to a
  • Embodiment between the substrate 401 and the at least one functional layer 402 may be formed (for example, on the
  • the first electrode 403 may be further formed according to one or more of the embodiments described herein.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • optoelectronic component 400 further comprise a second electrode 404.
  • the second electrode 404 may, according to one embodiment, be formed between the at least one functional layer 402 and the thin-layer encapsulation 301
  • the thin-film encapsulation 301 may be formed on the second electrode 404, for example, as shown in FIG. 4.
  • the second electrode 404 may be further configured according to one or more of the embodiments described herein.
  • the optoelectronic component 400 may be formed in accordance with one or more of the embodiments described herein, for example as an organic optoelectronic
  • Component such as OLED, for example, as a top emitter or as a bottom emitter or as a combination of top emitter and bottom emitter, according to one or more of the embodiments described herein.
  • FIG. 5 shows a flow chart 500, in which a method for encapsulating an optoelectronic component according to a further exemplary embodiment is illustrated.
  • a thin film encapsulation is formed on or over an optoelectronic device (e.g., on or over at least one functional layer of the optoelectronic device) to protect the optoelectronic device from chemical contaminants.
  • the thin-layer encapsulation may be carried out according to one or more of those described herein
  • an adhesive layer is formed on the thin film encapsulant.
  • the adhesive layer may be set up according to one or more embodiments described herein.
  • a cover layer is formed on the adhesive layer to protect the thin film encapsulation and / or the
  • the topcoat may be in accordance with one or more of the herein
  • Adhesive layer on an applied cover layer e.g.
  • Cover layer are applied with the adhesive layer applied thereto on the thin-film encapsulation, so that the
  • Adhesive layer is formed between the thin-film encapsulation and the cover layer.
  • the cover layer using the on the Cover layer applied adhesive layer on the
  • Thin-layer encapsulation be laminated.
  • the adhesive layer is
  • the cover layer prior to bonding the cover layer to the thin-layer encapsulation, the
  • Adhesive layer partially on the thin-film encapsulation and partially applied to the cover layer.
  • FIG. 6 shows an encapsulation arrangement 600 'according to a further exemplary embodiment.
  • the encapsulation arrangement 600 has an optoelectronic component 600 and one on the optoelectronic component
  • Device 600 formed encapsulation structure 300 on.
  • the optoelectronic component 600 is as organic
  • Light-emitting diode is formed and has a substrate 601 and a formed on the substrate 601 layer stack 610.
  • the layer stack 610 can also be referred to as an OLED stack or OLED stack. According to alternative
  • the optoelectronic component 600 may be embodied as another optoelectronic component (for example, another organic optoelectronic component) than an OLED, the following description of the structure of the encapsulation arrangement 600 'analogously also applying in this case.
  • another optoelectronic component for example, another organic optoelectronic component
  • the substrate 601 is according to the embodiment shown as a glass substrate (also referred to as a substrate glass)
  • the OLED stack 610 may include one or more organic compounds
  • the OLED stack 610 may include a first electrode and a second electrode, the first electrode being between the substrate 601 and the organic one
  • Functional layer (s) may be formed and the second electrode between the (the) organic functional layer (s) and the encapsulation structure 300 may be formed.
  • the ⁇ is a ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • optoelectronic device 600 additionally has one or more electrical contacts (not shown in FIG. 6) for electrically contacting the OLED stack 610, e.g. for electrically contacting the first electrode and the second electrode of the OLED stack 610.
  • the encapsulation structure 300 has a
  • Thin-film encapsulation 301 which is formed on the OLED stack 610 and on the substrate 601. According to the exemplary embodiment shown, the thin-film encapsulation 301 is formed on the upper side 610 a and side surfaces 610 b of the OLED stack 610 such that the OLED stack 610 is encapsulated by the thin-layer encapsulation 301.
  • Thin-film encapsulation 301 Thin-film encapsulation 301, a first barrier thin film 311 and one on the first barrier thin film 311nd
  • Section 650 Section 650 and a second section 655 of in
  • FIG. 6 show encapsulation assembly 600 '. According to the embodiment shown, the first
  • Barrier thin film 311 as one by means of a chemical vapor deposition (CVD) method, for example by means of a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, formed silicon nitride layer formed and may for example have a layer thickness of a few hundred nanometers, for example about 400 nm according to an embodiment.
  • the second barrier thin film 312 is formed as an aluminum oxide film formed by an atomic layer deposition (ALD) method and may have, for example, a film thickness of several tens of nanometers, eg, about 50 nm according to an aspect.
  • ALD atomic layer deposition
  • the thin-film encapsulation 301 has a thick CVD layer (first barrier thin layer 311) and an ALD layer thinner compared with the CVD layer 311 formed thereon
  • Barrier thin film 312 may be formed by other deposition methods and / or other materials
  • the first barrier film 311 may be formed by ALD
  • the second barrier thin film 312 may be formed by CVD. Further, in addition to the first barrier thin film 311 and the second
  • Barrier thin film 312 additional barrier thin layers may be provided, which may be formed for example by means of CVD and / or ALD. Generally, the
  • Thin-layer encapsulation 301 have a layer stack with an arbitrary number of sub-layers (barrier thin layers), wherein each of the sub-layers of the layer stack (independently of the other sub-layers) may optionally be formed as a CVD layer or as an ALD layer.
  • the layer stack may have any desired sequence of CVD layers and / or ALD layers.
  • the encapsulation structure 300 further comprises an adhesive layer
  • the adhesive layer 302 may have a thickness in the
  • Micrometer range for example a layer thickness of a few tens of microns, for example about 25 ym.
  • the adhesive layer 302 may have a different layer thickness value.
  • the adhesive layer 302 may comprise a curable material (eg, a UV-curable adhesive) and may have been applied to the thin film encapsulant 301 in the uncured (eg, liquid) state and subsequently cured (eg, after a cover layer 303 of the encapsulation structure 300 has been applied) be (eg by means of UV radiation in the case of a UV-curing adhesive).
  • a curable material eg, a UV-curable adhesive
  • the encapsulation structure 300 further includes a capping layer 303 formed on the adhesive layer 302.
  • the cover layer is
  • Encapsulation glass formed.
  • the cover layer 303 or the encapsulation glass 303 may have been adhesively bonded to the thin-layer encapsulation 301 by means of the adhesive layer 302.
  • the adhesive layer 302 may have been applied to the underside 303b of the cover layer 303, and the
  • Covering layer 303 may be applied by means of the coating applied thereto
  • Thin film encapsulation 301 may have been applied, and the cover layer 303 may be subsequently applied to the adhesive layer 302. According to yet another
  • the adhesive layer 302 partly on top 301a of the thin film encapsulation 301 and partially on the bottom 303b of the top layer 303. Compared to a conventional encapsulation with
  • the thick CVD layer (first barrier film 311) and the adhesive layer 302 may each be for embedding particulate contaminants 710a, 710b, 710c , 710d.
  • Encapsulation assembly 600 is shown as having a first particle 710a located at the top 610a of the OLED stack 610, from the first one
  • a barrier film 311 Embedded in a barrier film 311, and a second particle 710b located on the top surface 301a of the thin film encapsulant 301 is embedded by the adhesive layer 302.
  • the first barrier film 311 may have a thickness greater than the diameter of the first particle 710a
  • the adhesive layer 302 may have a thickness greater than the diameter of the second particle 710b, as shown in FIG. 7A.
  • the layer thicknesses of the first barrier film 311 and / or the adhesive layer 302 are selected such that possible particle contaminants on the surface of the OLED 600 and / or on the surface of the thin-film encapsulation 301 by means of the first
  • the layer thicknesses of the first barrier film 311 and / or the adhesive layer 302 may be selected to be greater than or approximately equal to the average diameter of the occurring ones
  • the layer thicknesses of the first barrier thin layer 311 and / or the adhesive layer 302 can be selected, for example, such that they are greater than the maximum of the diameters of all particle contaminants that occur.
  • barrier films eg. the second barrier film 312 and / or additional barrier films (if provided) of the thin film package 301 may be formed to have a film thickness sufficient in order to be able to embed particle contaminants at least partially (eg completely according to different embodiments) in the respective barrier thin film.
  • Particles e.g., particles 710a, 710b in the
  • Thin-layer encapsulation 301 (e.g., in the first
  • Barrier thin film 311 and the adhesive layer 302 (as shown), alternatively or additionally in other sub-layers of the thin film encapsulation 301 (if provided)), it is possible to prevent the particles from being pressed into the OLED stack 610 and the OLED 600, respectively To reduce or eliminate the burden on the OLED 600 by the particles and thus to prevent damage to the OLED.
  • FIG. 7A the illustration shown in FIG. 7A with only two particle contaminants 710a and 710b has purely exemplary character and that more than two particles can occur and in which
  • Thin-layer encapsulation 301 (e.g., the first
  • Barrier thin film 311) and / or the adhesive layer 302 can be embedded.
  • Section 655 of the encapsulation arrangement 600 ' can be seen, also particle contaminants, in a range of
  • Thin-layer encapsulation 301 (e.g., the first
  • Encapsulation assembly 655 is exemplified by a third particle 710c located at the top 601a of FIG.
  • Substrate 601 is located laterally adjacent to the OLED stack 610 and is embedded in the first barrier thin film 311, and a fourth particle 710d located on the upper side 301 a of the thin film encapsulation 301
  • FIG. 8 shows an encapsulation arrangement 800 'according to a further exemplary embodiment.
  • the encapsulation assembly 800 ' substantially differs from the encapsulation assembly 600' shown in FIG in that coupling-out structures 820a, 820b are provided, which serve to improve the light extraction of the light emitted by the OLED 600 (or the functional layers of the OLED stack 610). According to the shown
  • a first coupling-out structure 820a is formed on the top side 303a of the cover layer 303, and a second coupling-out structure 820b is formed on the bottom side 601b of the substrate 601a.
  • Various decoupling structures can be used in both directions.
  • the first outcoupling structure 820a and / or the second outcoupling structure 820b may each have one or more
  • Scattering particles e.g., metal oxide particles.
  • Decoupling be provided, for example, the first coupling-out 820a at the top 303a of the cover layer 303 (for example, in the case of a (pure) top emitter formed OLED 600) or the second coupling-out structure 820b at the bottom 601b of the substrate 601 (for example in the case of formed as (pure) bottom emitter OLED 600).
  • FIG. 9 shows an encapsulation arrangement 900 'according to a further exemplary embodiment.
  • the encapsulation arrangement 900 ' essentially differs from the encapsulation arrangement 600' shown in FIG. 6 in that a heat-conducting foil 920 is provided for
  • the heat-conducting foil 920 is on the
  • Cover layer 303 of the encapsulation structure 300 applied (eg glued on).
  • a plurality of heat conducting foils may be provided.
  • the heat conducting foil 920 may for example comprise or consist of a nontransparent material (for example in the case of an OLED 600 formed as a (pure) bottom emitter
  • Thermal conductive foil 920 (or the heat conducting foils) comprise or consist of a transparent material (for example in the case of an OLED 600 designed as a (pure) top emitter or as a combined top / bottom emitter).
  • FIG. 10 shows an encapsulation arrangement 1000 'according to a further exemplary embodiment.
  • the encapsulation arrangement 1000 ' differs from the encapsulation arrangement 600' shown in FIG.
  • Encapsulation structure 300 is formed as a foil (for example, as a heat conducting foil according to an embodiment). According to
  • the cover layer 303 may also be formed as a lacquer layer (for example as a polyacrylic protective lacquer). According to other embodiments, individual features (e.g., layers) of those shown in FIGS.
  • Encapsulation structure or method for encapsulating an optoelectronic component for example an organic optoelectronic component, such as, for example, an optoelectronic component.
  • an OLED organic optoelectronic component
  • Component according to various embodiments is particularly suitable, for example, for encapsulating and protecting flexible optoelectronic components, for example flexible organic optoelectronic components, such as e.g. flexible OLEDs, for example, as the use of commercial self-adhesive films as the top
  • Protective layer allows.
  • Packaging of an opto-electronic device for example, an organic optoelectronic device such as an OLED
  • the adhesive layer and / or the thin-layer encapsulation can also be used as cover
  • the encapsulation structure can also be used for transparent OLEDs (with the possibility of
  • the encapsulation structure offers various possibilities to specifically improve the heat extraction, e.g. by means of heat conducting foils (see for example Fig. 9);
  • another covering layer e.g., foil or lacquer layer
  • another covering layer e.g., foil or lacquer layer
  • the cap glass may press on the OLED layer stack (no cavity stability); In the non-cavity encapsulation structure described herein, according to various embodiments, forcing the cap glass onto the OLED layer stack is prevented, thereby preventing possible damage to the OLED by the cap glass.

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Abstract

Eine Verkapselungsstruktur (300) für ein optoelektronisches Bauelement (400) weist auf: eine Dünnschichtverkapselung (301) zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht (302) und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht (303) zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.

Description

Beschreibung
Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Verkapseln eines optoelektronischen
Bauelementes
Verschiedene Ausführungsbeispiele betreffen eine
Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Verkapseln eines optoelektronischen Bauelementes.
Bei der Fertigung von optoelektronischen Bauelementen bzw. Bauteilen, insbesondere organischen optoelektronischen
Bauteilen wie zum Beispiel organischen Leuchtdioden (Organic Light Emitting Diodes (OLEDs) ) , OLED-Anzeigen (OLED-Displays ) oder organischen Solarzellen bzw. Photovoltaikzellen (Organic Photovoltaic (OPV) Cells) ist es erwünscht, die Bauteile zum einen gegen Luft (insbesondere gegen in der Luft enthaltene Feuchtigkeit (Wasser) und Sauerstoff) hermetisch abzudichten und zum anderen vor mechanischen Beschädigungen (z.B.
Kratzern) zu schützen, um einen Ausfall des Bauteils zu vermeiden .
Das Abdichten des Bauteils bzw. der Schutz des Bauteils vor mechanischen Beschädigungen kann mittels einer Verkapselung des Bauteils erreicht werden.
Für die Verkapselung und mechanische Verpackung von
organischen optoelektronischen Bauelementen (z.B. OLEDs) auf Glas-Substraten ist die Verkapselung mittels Glaskavitäten bekannt. Bei dieser Technik wird mit einem speziellen Kleber ein Glasdeckel auf das Bauelement (Device) geklebt. Diese Technik kann das Eindringen von schädigenden Einflüssen weitgehend unterbinden. Allerdings können im Bereich der Klebstelle noch Wasser und Sauerstoff in das Bauelement eindiffundieren. Als Gegenmaßnahme dafür können wasser- und Sauerstoffbindende Materialien (sogenannte Getter) in die Kavität eingebracht (z.B. eingeklebt) werden. Beispielsweise können nichttransparente Getter aus Zeolith in die Kavität eingeklebt werden. Die Getter können das Wasser und den
Sauerstoff aufnehmen, bevor die organischen Materialien geschädigt werden. Der Glasdeckel kann gleichzeitig einen ausreichenden mechanischen Schutz bieten.
Fig. 1 zeigt eine Anordnung 100' mit einer organischen
Leuchtdiode (OLED) 100 und herkömmlicher Verkapselung mittels Glaskavität gemäß einem Beispiel.
Die OLED 100 weist ein Substratglas 101 auf. Auf dem
Substratglas 101 ist ein Funktionsschichtenstapel (OLED- Stack) 102 angeordnet. Der Funktionsschichtenstapel 102 kann eine oder mehrere organische Funktionsschichten (d.h.
Schichten, die der Erzeugung von Licht dienen) aufweisen. Ferner können Elektroden vorgesehen sein zur elektrischen Kontaktierung der organischen Funktionsschichten. Ein
Verkapselungsglas 103 (auch als Deckglas oder Capglas
bezeichnet) ist auf das Substrat 101 aufgeklebt und
umschließt den Funktionsschichtenstapel 102 derart, dass eine Kavität (ein Hohlraum) 104 gebildet ist. In die Kavität 104 ist ein Getter 105 eingebracht (durch Ankleben an die
Innenseite des Verkapselungsglases 103 oberhalb des
Funktionsschichtenstapels 102), welcher durch die Klebestelle zwischen Substrat 101 und Verkapselungsglas 103 eindringendes Wasser und/oder Sauerstoff aufnehmen soll und auf diese Weise verhindern soll, dass das Wasser und/oder Sauerstoff die Schicht (en) des Funktionsschichtenstapels 102
schädigen/schädigt. Die OLED 100 ist als Bottom-Emitter ausgeführt, d.h. die Lichtemission erfolgt durch das
transparente Substratglas 101. Der Getter 105 kann aus einem nichttransparenten Material (z.B. Zeolith) bestehen. Fig. 2 zeigt eine Anordnung 200' mit einer organischen
Leuchtdiode (OLED) 100 mit herkömmlicher Verkapselung mittels Glaskavität gemäß einem anderen Beispiel. Die Anordnung 200' unterscheidet sich von der in Fig. 1 gezeigten Anordnung 100' darin, dass statt eines einzelnen großen Getters 105 (wie in Fig. 1) zwei kleinere Getter 205 in die Kavität 104 eingebracht sind. Die beiden Getter 205 sind an der Innenseite des Verkapselungsglases 103 in
Randbereichen des Verkapselungsglases 103 angeklebt. Die OLED 100 kann als transparente OLED (Lichtemission sowohl nach unten durch das Substratglas 101 als auch nach oben durch das Verkapselungsglas 103) oder als Top-Emitter (Lichtemission nur nach oben durch das Verkapselungsglas 103) ausgeführt sein. Alternativ zu der in Fig. 2 gezeigten Anordnung mit zwei in Randbereichen angeordneten Gettern 205 können auch ein oder mehrere gelochte Getter in der Kavität 104
eingebracht bzw. vorgesehen sein.
Das Verfahren der Kavitätsverkapselung ist insgesamt sehr kostenintensiv. Außerdem ist die Verwendung von (starren) Glasdeckeln bzw. Glaskavitäten nicht geeignet für die
Fertigung flexibler (d.h. biegsamer) Bauelemente (z.B.
flexibler OLEDs) .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung ist es vorgesehen, optoelektronische Bauelemente, zum Beispiel organische optoelektronische Bauelemente wie z.B. OLEDs, durch das Aufbringen von einem oder mehreren dünnen Filmen (dünnen Schichten bzw. Dünnschichten) gegen Wasser und
Sauerstoff abzudichten (sogenannte Dünnschichtverkapselung) . Eine solche Dünnschichtverkapselung kann mechanisch
empfindlich sein und sollte (wie auch das Bauelement selbst) gegen Berührung oder Verkratzen geschützt werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird dies mittels
Aufbringens einer Deckschicht als mechanische Schutzschicht erreicht, wobei zwischen der Dünnschichtverkapselung und der Deckschicht eine Klebeschicht (z.B. Laminierkleber-Schicht ) zur Haftvermittlung vorgesehen ist. Gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann das Aufbringen der Deckschicht beispielsweise durch flächiges Auflaminieren eines flachen Deckglases realisiert werden. Durch das Glas kann ein
mechanischer Schutz des Bauelementes und der
Dünnschichtverkapselung erreicht werden. Mittels einer derart ausgebildeten Verkapselungsstruktur, welche - wie oben beschrieben - eine Dünnschichtverkapselung, eine Klebeschicht und eine Deckschicht aufweist, ist eine einfache,
zuverlässige und kostengünstige Verkapselung von
optoelektronischen Bauelementen (z.B. organischen
optoelektronischen Bauelement wie z.B. OLEDs) möglich.
Zusätzlich kann mit der vorgeschlagenen Verkapselungsstruktur das Auftreten von Defekten, die auf eventuelle Partikel an bzw. auf der Dünnschichtverkapselung oder auf oder in der Klebeschicht (z.B. Laminierkleber-Schicht ) zurückzuführen sind, reduziert oder ganz verhindert werden, wie weiter unten beschrieben wird.
Die Verkapselung mittels dünner Schichten bzw. mittels
Dünnschichtverfahren ist auch für flexible Bauelemente (z.B. flexible OLEDs) auf Foliensubstraten (z.B. Stahlfolien- oder Polymerfolien-Substraten) geeignet. Für den Schutz gegen Berührung und Beschädigung können hier beispielsweise Folien auf die Substratfolie laminiert bzw. die Substratfolie zwischen zwei Verpackungsfolien laminiert werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine
partikeltolerante Verkapselung und Schutzbeschichtung für optoelektronische Bauelemente, beispielsweise organische optoelektronische Bauelemente wie z.B. OLEDs, bereitgestellt.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine
Verkapselungsstruktur für optoelektronische Bauelemente, beispielsweise organische optoelektronische Bauelemente wie z.B. OLEDs, bereitgestellt, bei der Schädigungen des bzw. der optoelektronischen Bauelemente durch Partikelverunreinigungen ganz oder teilweise vermieden werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
partikeltolerantes Verfahren zum Aufbringen von Schutzfilmen auf einem optoelektronischen Bauelement, beispielsweise einem organischen optoelektronischen Bauelement wie z.B. einer OLED, bereitgestellt.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist eine
Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches Bauelement auf: eine Dünnschichtverkapselung zum Schutz des
optoelektronischen Bauelements vor chemischen
Verunreinigungen, eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete Klebeschicht und eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht zum Schutz der
Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren zum Verkapseln eines optoelektronischen Bauelements auf:
Ausbilden einer Dünnschichtverkapselung auf oder über einem optoelektronischen Bauelement zum Schutz des
optoelektronischen Bauelements vor chemischen
Verunreinigungen; Ausbilden einer Klebeschicht auf der
Dünnschichtverkapselung; Ausbilden einer Deckschicht auf der Klebeschicht zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer
Beschädigung .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist eine
Verkapselungsanordnung ein optoelektronisches Bauelement und eine Verkapselungsstruktur auf. Das optoelektronische
Bauelement weist mindestens eine Funktionsschicht auf. Die Verkapselungsstruktur ist auf oder über der mindestens einen Funktionsschicht ausgebildet. Die Verkapselungsstruktur kann gemäß einer oder mehrerer der hierin beschriebenen
Ausgestaltungen ausgebildet sein. Die verschiedenen Ausgestaltungen der Ausführungsbeispiele gelten in gleicher Weise, soweit sinnvoll, sowohl für die Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches Bauelement als auch für die Verkapselungsanordnung und das Verfahren zum Verkapseln eines optoelektronischen Bauelementes.
Der Begriff „Schicht" oder „Schichtenstruktur", wie er hierin verwendet wird, kann eine einzelne Schicht oder eine
Schichtenfolge (Schichtenstapel bzw. Schichten-Stack) aus mehreren dünnen (Teil-) Schichten bezeichnen. Insbesondere können Funktionsschichten des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise organische Funktionsschichten eines
organischen optoelektronischen Bauelements, aus mehreren (Teil-) Schichten gebildet sein. Aber auch andere hierin beschriebene Schichten können aus mehreren (Teil-) Schichten gebildet sein.
Die Begriffe „aufeinander angeordnet", „aufeinander
ausgebildet" und „auf einer Schicht aufgebracht", wie hierin verwendet, meinen beispielsweise, dass eine Schicht
unmittelbar in direktem mechanischem und/oder elektrischem Kontakt auf einer anderen Schicht angeordnet ist. Eine
Schicht kann auch mittelbar auf einer anderen Schicht
angeordnet sein, wobei dann weitere Schichten zwischen den angegebenen Schichten vorhanden sein können. Solche Schichten können beispielsweise dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements weiter zu verbessern. Die Begriffe „übereinander angeordnet", „übereinander
ausgebildet" und „über einer Schicht aufgebracht", wie hierin verwendet, meinen beispielsweise, dass eine Schicht zumindest mittelbar auf einer anderen Schicht angeordnet ist. Das heißt, es können weitere Schichten zwischen den angegebenen Schichten vorhanden sein. Der Begriff „Klebeschicht", wie hierin verwendet, kann eine Schicht oder Schichtstruktur bezeichnen, welche eines oder mehrere Klebematerialien (z.B. Kleber) aufweist oder daraus besteht. Mittels der Klebeschicht bzw. des Klebematerials (z.B. Kleber) der Klebeschicht können zwei oder mehrere
Elemente (z.B. Schichten) mittels Haftens fest miteinander verbunden werden. Die Haftvermittlung kann durch die
Klebeschicht erfolgen, welche zumindest teilweise zwischen den zu verbindenden Elementen (z.B. Schichten) ausgebildet sein kann.
Unter einer „Funktionsschicht" eines optoelektronischen Bauelements kann im Rahmen dieser Anmeldung eine Schicht verstanden werden, die zum Ladungstransport und zur
Lichterzeugung in dem optoelektronischen Bauelement dient.
Gemäß einer Ausgestaltung ist die mindestens eine
Funktionsschicht des optoelektronischen Bauelements als organische Funktionsschicht ausgebildet.
Eine „organische Funktionsschicht" kann Emitterschichten, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder
phosphoreszierenden Emittern, enthalten. Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
optoelektronischen Bauelement gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen eingesetzt werden können, schließen
organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie
Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2- pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), grün
phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)
(Tris [4,4' -di-tert-butyl- (2,2')- bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes PA ( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) - amino ] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl-6-j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischer Verfahren, wie
beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Die Emittermaterialien der Emitterschichten des
optoelektronischen Bauelements können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das optoelektronische Bauelement
Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht kann mehrere
verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen,
alternativ kann die Emitterschicht auch aus mehreren
Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese
Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen)
Primärstrahlung durch die Kombination von primärer und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Das optoelektronische Bauelement kann allgemein weitere organische Funktionsschichten aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements weiter zu verbessern. Beispielsweise können organische Funktionsschichten
ausgewählt sein, die dazu dienen, die Funktionalität und die Effizienz einer ersten Elektrode und/oder einer zweiten
Elektrode sowie des Ladungsträger- und Exzitonentransports zu verbessern .
Es ist darauf hinzuweisen, dass in alternativen
Ausführungsbeispielen jede geeignete Form von
lichtemittierenden Funktionsschichten, beispielsweise
organische Funktionsschichten vorgesehen sein können und die Ausführungsbeispiele nicht beschränkt sind auf eine spezielle Art von Funktionsschicht (en) . Unter „Verunreinigungen" bzw. „Kontaminationen" können im
Rahmen dieser Anmeldung allgemein Stoffe, StoffVerbindungen, Teilchen, Substanzen, etc. verstanden werden, deren Auftreten während eines Fertigungsprozesses bzw. deren Vorhandensein in einem prozessierten Bauteil (Device) unerwünscht ist, da sie beispielsweise den Fertigungsprozess negativ beeinflussen und/oder das Bauteil in seiner Funktionalität beeinträchtigen können .
Unter „chemischen Verunreinigungen" bzw. „chemischen
Kontaminationen" können im Rahmen dieser Anmeldung chemische Bestandteile aus der Umgebung (anders ausgedrückt,
atmosphärische Stoffe) verstanden werden, die als
Verunreinigungen bei der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (z.B. eines organischen optoelektronischen
Bauelements) wirken. Beispielsweise können unter „chemischen Verunreinigungen" chemische Bestandteile der Umgebung
verstanden werden, die, wenn sie mit einer oder mehreren Schichten eines optoelektronischen Bauelements (insbesondere mit einer oder mehreren Funktionsschichten des
optoelektronischen Baulelements (z.B. organischen
Funktionsschichten bei einem organischen optoelektronischen Bauelement wie z.B. einer OLED) ) in Kontakt kommen, mit dieser bzw. diesen Schichten reagieren können und dadurch die Funktionalität der Schicht (en) und somit des
optoelektronischen Bauelements beeinträchtigen bzw. schädigen können. Beispiele für solche schädlichen Bestandteile sind insbesondere Wasser (Feuchtigkeit) oder Sauerstoff.
Unter einer „Dünnschichtverkapselung" kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine
Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw.
atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser
(Feuchtigkeit) und/oder Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Dünnschichtverkapselung derart ausgebildet, dass sie von atmosphärischen Stoffen wie Wasser oder
Sauerstoff nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Die Barrierewirkung wird bei der Dünnschichtverkapselung im Wesentlichen durch eine oder mehrere dünne Schichten, die Teil der Dünnschichtverkapselung sind, erreicht. Die Schicht oder die einzelnen Schichten der Dünnschichtverkapselung kann/können beispielsweise eine Dicke kleiner oder gleich einiger 100 nm aufweisen.
Gemäß einer Ausgestaltung besteht die Dünnschichtverkapselung aus der (den) Schicht (en) , die für die Barrierewirkung der Dünnschichtverkapselung verantwortlich ist (sind) . Diese
Schicht (en) kann (können) auch als Barrieredünnschicht (en) oder Barrieredünnfilm (e) bezeichnet werden.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Dünnschichtverkapselung als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die
Dünnschichtverkapselung eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Dünnschichtverkapselung als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein, welcher eine Mehrzahl von Teilschichten (auch als Barrierendünnschichten bezeichnet) aufweist.
Die Dünnschichtverkapselung oder eine oder mehrere
Teilschichten (Barrierendünnschichten) der
Dünnschichtverkapselung können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines
plasmalosen Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder
alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Dünnschichtverkapselung, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Dünnschichtverkapselung, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Dünnschichtverkapselung mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (CVD) .
Die Dünnschichtverkapselung kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 1 nm bis ungefähr 10 ym aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 30 nm bis ungefähr 1 ym gemäß einer Ausgestaltung,
beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 300 nm bis ungefähr 600 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 450 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die
Dünnschichtverkapselung mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen
Teilschichten der Dünnschichtverkapselung unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Eine mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD- Verfahrens) abgeschiedene Schicht (oder Teilschicht) der Dünnschichtverkapselung kann beispielsweise eine Schichtdicke im Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 50 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Eine mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (CVD-Verfahrens ) abgeschiedene Schicht (oder Teilschicht) der Dünnschichtverkapselung kann beispielsweise eine Schichtdicke im Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 10 ym aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 30 nm bis ungefähr 1 ym gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 100 nm bis ungefähr 500 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 400 nm gemäß einer Ausgestaltung. Die Dünnschichtverkapselung oder die einzelnen Teilschichten der Dünnschichtverkapselung können gemäß einer Ausgestaltung als transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Dünnschichtverkapselung (oder die einzelnen
Teilschichten der Dünnschichtverkapselung) aus einem
transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transparent ist) bestehen. Unter einem transparenten bzw. durchsichtigen Material bzw. einer transparenten Schicht kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise ein Material bzw. eine Schicht verstanden werden, das bzw. die transparent bzw. durchlässig ist für Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich. Unter einem nicht- transparenten Material bzw. einer nicht-transparenten Schicht kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise ein Material bzw. eine Schicht verstanden werden, das bzw. die nicht transparent bzw. nicht durchlässig ist für Licht im
sichtbaren Wellenlängenbereich.
Beispielsweise können in verschiedenen Ausgestaltungen, in denen das optoelektronische Bauelement als Top-Emitter (oder als Kombination aus Top-Emitter und Bottom-Emitter)
ausgeführt ist, die Dünnschichtverkapselung oder die
einzelnen Teilschichten der Dünnschichtverkapselung als transparente Schicht (en) ausgebildet sein.
Gemäß einer Ausgestaltung können die Schicht oder die
einzelnen Teilschichten der Dünnschichtverkapselung als nicht-transparente Schicht (en) ausgebildet sein.
Die Schicht oder die einzelnen Teilschichten der
Dünnschichtverkapselung können jeweils ein Material
aufweisen, das geeignet ist, die Funktionsschicht (en) des optoelektronischen Bauelements vor schädigenden Einflüssen der Umgebung zu schützen, also etwa vor Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit . Beispielsweise kann die Dünnschichtverkapselung oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von
Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Dünnschichtverkapselung eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: ein Oxid, ein Nitrid oder ein Oxinitrid in kristalliner oder in glasartiger Form. Das Oxid, Nitrid oder Oxidnitrid kann beispielsweise weiterhin
Aluminium, Silizium, Zinn, Zink, Titan, Zirkonium, Tantal, Niob oder Hafnium umfassen. Die Schicht oder die einzelnen
Teilschichten können beispielsweise Siliziumoxid (SiOx) , wie etwa S 1O2 , Siliziumnitrid (SixNy) , wie etwa S 12N3 ,
Aluminiumoxid, etwa AI2O3 , Aluminiumnitrid, Zinnoxid,
Indiumzinnoxid, Zinkoxid, Aluminiumzinkoxid, Titanoxid,
Zirkoniumoxid, Hafniumoxid oder Tantaloxid aufweisen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Dünnschichtverkapselung, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten dasselbe Material aufweisen oder daraus bestehen. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Dünnschichtverkapselung
unterschiedliche Materialien aufweisen oder daraus bestehen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten ein anderes Material aufweisen oder daraus bestehen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Unter „Partikelverunreinigungen" bzw.
„Partikelkontaminationen" können im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise Verunreinigungen durch mikroskopische
Feststoffteilchen verstanden werden, mit anderen Worten
Verunreinigungen durch feste Teilchen (Partikel) , deren
Abmessungen (z.B. Durchmesser) im Mikrometerbereich liegen, z.B. Staubpartikel mit Abmessungen im Mikrometerbereich, z.B. Partikel mit einem Durchmesser im Bereich von ungefähr 0,1 ym bis ungefähr 100 ym, beispielsweise im Bereich von ungefähr 1 ym bis ungefähr 10 ym. Solche Partikelverunreinigungen können beispielsweise dadurch auftreten, dass es nicht immer möglich ist, während eines Bauelemente-Fertigungsprozesses eine hundertprozentige Reinheit in der Prozesskammer (z.B. Reaktor) zu gewährleisten. Zu ungewünschter
Partikelkontamination kann es beispielsweise kommen, wenn bei der Herstellung einer Schichtstruktur, die mehrere Schichten aufweist, zwischen dem Abscheideprozess einer ersten Schicht und dem Abscheideprozess für die Folgeschicht eine relative lange Zeitdauer liegt. In diesem Fall ist es möglich, dass sich in der Zeit zwischen den beiden Abscheideprozessen
Partikel an der Oberfläche der ersten abgeschiedenen Schicht anlagern und diese „kontaminieren". Ferner kann es
beispielsweise auch zu Partikelkontamination kommen, wenn während eines Bauelemente-Fertigungsprozesses das Bauelement von einer Prozesskammer in eine andere überführt wird
(Reaktorwechsel) .
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen gewährt die
Dünnschichtverkapselung oder mindestens eine Teilschicht der Dünnschichtverkapselung einen zumindest teilweisen Einschluss von Partikeln bzw. Partikelverunreinigungen, welche zum
Beispiel an bzw. auf der Oberfläche eines
Funktionsschichtenstapels eines optoelektronischen
Bauelements vorhanden sind. Weiterhin gewährt gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen die auf einer Dünnschichtverkapselung aufgebrachte
Klebeschicht einen Einschluss von an bzw. auf der Oberfläche der Dünnschichtverkapselung vorhandenen Partikeln bzw.
Partikelverunreinigungen und/oder eine planarisierende
Abdeckung der Oberfläche. Mit anderen Worten können mittels der Klebeschicht zum einen an der Oberfläche der
Dünnschichtverkapselung befindliche Partikelverunreinigungen eingeschlossen bzw. umschlossen werden und zum anderen
Unebenheiten der Oberfläche, welche durch die
Partikelverunreinigungen hervorgerufen sein können,
ausgeglichen bzw. eingeebnet werden. Gemäß einer Ausgestaltung weist die Klebeschicht ein
aushärtbares Klebematerial auf. Zum Beispiel kann die
Klebeschicht aus einem aushärtbaren Klebematerial (z.B. einem aushärtbaren Kleber) bestehen.
Unter einem „aushärtbaren Klebematerial" oder „aushärtenden Klebematerial" kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise ein Klebematerial verstanden werden, das von einem ersten Zustand mit geringerer mechanischer Härte bzw. Festigkeit (nicht ausgehärteter Zustand) in einen zweiten Zustand mit, verglichen zu dem ersten Zustand, höherer mechanischer Härte bzw. Festigkeit (ausgehärteter Zustand) übergehen oder überführt werden kann. Der Übergang von dem ersten (nicht ausgehärteten) Zustand in den zweiten (ausgehärteten) Zustand kann als „Aushärten" bezeichnet werden.
Eine Klebeschicht, die ein aushärtbares Klebematerial
aufweist oder daraus besteht, kann im nicht ausgehärteten Zustand aufgebracht werden und kann nachfolgend (zum Beispiel nach dem Aufbringen der Deckschicht) ausgehärtet werden bzw. aushärten .
Gemäß einer Ausgestaltung ist das aushärtbare Klebematerial der Klebeschicht als UV-aushärtendes Klebematerial
ausgebildet. Mit anderen Worten kann das aushärtbare
Klebematerial mittels Einwirkung von UV-Strahlung
(Ultraviolettstrahlung) aushärten bzw. ausgehärtet werden. Die für das Aushärten verwendete UV-Strahlung kann
beispielsweise eine Wellenlänge im Bereich von ungefähr
310 nm bis ungefähr 430 nm aufweisen gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise im Bereich von ungefähr 360 nm bis ungefähr 390 nm gemäß einer Ausgestaltung. Ferner kann die verwendete UV-Strahlung eine Dosis aufweisen, die
geringer ist als ungefähr 10 000 mJ/cm2 gemäß einer
Ausgestaltung, z.B. eine Dosis im Bereich von ungefähr
2000 mJ/cm2 bis ungefähr 8000 mJ/cm2 gemäß einer
Ausgestaltung, z.B. eine Dosis im Bereich von ungefähr 5000 mJ/cm2 bis ungefähr 7000 mJ/cm2 gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eine Dosis von ungefähr 6000 mJ/cm2 gemäß einer Ausgestaltung. Das UV-aushärtende Klebematerial kann beispielsweise so gewählt werden, dass die zum Aushärten verwendeten Parameter der UV-Strahlung (z.B. Wellenlänge, Dosis) so gewählt werden können, dass eine mögliche Schädigung des optoelektronischen Bauelements durch die UV-Strahlung vermieden werden kann.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung kann das aushärtbare
Klebematerial der Klebeschicht als temperaturaushärtendes Klebematerial ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann das aushärtbare Klebematerial mittels einer Temperaturbehandlung (mit anderen Worten, mittels einer Temperung bzw. eines Erhitzens) aushärten bzw. ausgehärtet werden.
Gemäß einer Ausgestaltung kann das aushärtbare Klebematerial ein temperaturaushärtbares Klebematerial (z.B.
temperaturaushärtender Kleber) sein, dass bei einer
Temperatur von weniger als ungefähr 150 °C aushärtet. Die für das Aushärten verwendete Temperatur kann beispielsweise ungefähr 10°C bis ungefähr 140°C betragen gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 50°C bis ungefähr 100°C gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 80°C gemäß einer Ausgestaltung.
Die Dauer der Temperaturbehandlung kann beispielsweise ungefähr 1 min bis ungefähr 300 min betragen gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 30 min bis ungefähr 100 min gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 60 min gemäß einer Ausgestaltung.
Ein Vorteil eines temperaturaushärtbaren Klebematerials, das bei einer relativ niedrigen Temperatur und/oder bereits nach einer relativ kurzen Temperungsdauer aushärtet, kann darin gesehen werden, dass eine Schädigung des optoelektronischen Bauelements durch zu hohe Temperaturen und/oder zu lange Temperzeiten vermieden werden kann. Ferner kann ein niedriges thermisches Budget eine Kosteneinsparung mit sich bringen. Gemäß einer Ausgestaltung ist das aushärtbare Klebematerial der Klebeschicht als selbstaushärtendes Klebematerial
ausgebildet. Unter einem „selbstaushärtenden Klebematerial" kann in diesem Zusammenhang beispielsweise ein Klebematerial verstanden werden, das ohne äußere Einwirkung (z.B. Temperung oder UV-Bestrahlung) unter normalen Raumbedingungen
(Temperatur, Druck) aushärtet, z.B. nach Ablauf einer
bestimmten (beispielsweise vom Material abhängigen)
Zeitdauer. Ein Vorteil eines selbstaushärtenden
Klebematerials kann darin gesehen werden, dass zum Aushärten des Klebematerials beispielsweise keine Einrichtung zum
Tempern (Erhitzen) oder zur UV-Bestrahlung erforderlich ist. Somit können Kosten eingespart werden.
Die Klebeschicht kann gemäß einer Ausgestaltung
beispielsweise eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Epoxid-Kleber, Akrylkleber, Silikonkleber .
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen ist die Klebeschicht so ausgebildet, dass an der Oberfläche der
Dünnschichtverkapselung befindliche Partikelverunreinigungen von der Klebeschicht zumindest teilweise umschlossen sind bzw. zumindest teilweise in der Klebeschicht eingebettet sind. Die Klebeschicht kann so ausgebildet sein, dass die Partikelverunreinigungen vollständig in der Klebeschicht eingebettet sind.
Die Klebeschicht kann ferner so ausgebildet sein, dass sie eine im Wesentlichen ebene (planare) Oberfläche aufweist. Zum Beispiel kann die Klebeschicht über ihre gesamte laterale Ausdehnung hin eine ebene Oberfläche aufweisen. Gemäß einer Ausgestaltung weist die Klebeschicht eine
Schichtdicke auf, die größer oder ungefähr gleich dem
Durchmesser der Partikelverunreinigungen bzw. Partikel ist. Zum Beispiel kann die Klebeschicht eine Schichtdicke
aufweisen, die größer ist als der mittlere Durchmesser der Partikelverunreinigungen. Die Schichtdicke kann
beispielsweise größer sein als der maximale Durchmesser der Partikelverunreinigungen . Die Schichtdicke der Klebeschicht kann anschaulich so gewählt werden, dass eventuell an oder auf der Oberfläche der
Dünnschichtverkapselung vorhandene Partikelverunreinigungen (anders ausgedrückt, Partikelkontaminationen) bzw. Partikel von der Klebeschicht eingeschlossen (mit anderen Worten, umschlossen) werden. Mit anderen Worten kann die Schichtdicke der Klebeschicht so gewählt werden, dass an bzw. auf der Oberfläche der Dünnschichtverkapselung vorhandene
Partikelverunreinigungen vollständig vom Klebematerial der Klebeschicht umgeben bzw. umschlossen sind und insbesondere anschaulich nicht aus dieser „herausragen".
Die Klebeschicht kann beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 1 ym bis ungefähr 500 ym aufweisen, zum Beispiel ungefähr 10 ym bis ungefähr 100 ym gemäß einer Ausgestaltung, zum Beispiel ungefähr 15 ym bis ungefähr 35 ym gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise 25 ym gemäß einer
Ausgestaltung .
Die Deckschicht kann auch als mechanische Schutzschicht oder mechanischer Schutzfilm bezeichnet werden, da sie als Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischen Belastungen bzw. Beschädigungen (z.B. durch Verkratzen) dienen kann. Gemäß einer Ausgestaltung weist die Deckschicht eine starre
Schicht auf oder ist als starre Schicht ausgebildet, z.B. als Glasschicht. Eine als starre Schicht ausgebildete Deckschicht kann auch als Deckplatte bezeichnet werden. Eine als
Glasschicht ausgebildete Deckschicht kann auch als Deckglas oder Capglas bezeichnet werden. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung weist die Deckschicht eine flexible Schicht auf oder ist als flexible Schicht ausgebildet, zum Beispiel als Folie, beispielsweise als transparente Folie, alternativ als nicht-transparente Folie. Die Deckschicht kann beispielsweise eine (transparente oder nicht-transparente) Wärmeleitfolie aufweisen oder als eine solche ausgebildet sein gemäß einer Ausgestaltung. Eine als Wärmleitfolie ausgebildete Deckschicht kann zur
Homogenisierung und/oder Abtransport von Wärme, welche beim Betrieb des optoelektronischen Bauelements (z.B. einer OLED) erzeugt wird, dienen.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung weist die Deckschicht eine Lackschicht auf. Die Deckschicht kann beispielsweise als Lackschicht (z.B. als transparente Lackschicht oder als nicht-transparente Lackschicht) ausgebildet sein.
Die Lackschicht kann ein Lackmaterial, welches zum Bilden einer mechanischen Schutzschicht geeignet ist, aufweisen oder daraus bestehen, zum Beispiel ein Polyacryllack-Material , beispielsweise einen polyacrylischen Schutzlack (z.B. einen transparenten polyacrylischen Schutzlack) , alternativ andere geeignete Lack-Materialien bzw. Lacke.
Die Deckschicht kann als transparente Schicht ausgebildet sein, alternativ als nicht-transparente Schicht.
Beispielsweise kann in einer Ausgestaltung, bei der das optoelektronische Bauelement als Top-Emitter oder als
Kombination aus Top-Emitter und Bottom-Emitter ausgeführt ist, die Deckschicht als transparente Schicht ausgebildet sein . Gemäß einer Ausgestaltung ist bzw. wird die Deckschicht mittels der Klebeschicht auf der Dünnschichtverkapselung auflaminiert . Die Deckschicht kann in diesem Fall
beispielsweise Teil einer selbstklebenden Schutzfolie sein, z.B. einer Polycarbonatfolie (z.B. mit einer Schichtdicke von ungefähr 300 ym, alternativ mit einer anderen Schichtdicke) , mit der Klebeschicht (Adhesivfilm) (z.B. mit einer
Schichtdicke von ungefähr 25 ym, alternativ mit einer anderen Schichtdicke) . Mit anderen Worten kann die selbstklebende Schutzfolie die Klebeschicht und die Deckschicht umfassen.
Gemäß einer Ausgestaltung weist die Klebeschicht
Streupartikel auf. Die Streupartikel können beispielsweise in der Klebeschicht eingebettet sein.
Die Streupartikel können beispielsweise in dem als
Matrixmaterial dienenden Klebematerial der Klebeschicht als Volumenstreuer dispergiert sein. Die Streupartikel können beispielsweise ein Metalloxid wie zum Beispiel Titanoxid oder Aluminiumoxid wie etwa Korund, und/oder Glaspartikel und/oder Kunststoffpartikel , die einen vom Matrixmaterial
unterschiedlichen Brechungsindex aufweisen, umfassen.
Weiterhin können die Streupartikel Hohlräume aufweisen und beispielsweise in Form von Kunststoffhohlkugeln ausgeführt sein. Die Streupartikel können dabei beispielsweise
Durchmesser oder Korngrößen von weniger als einem 1 ym bis zu einer Größenordnung von 10 ym oder auch bis zu 100 ym
aufweisen . Die Streupartikel können beispielsweise eine Verbesserung der Lichtauskopplung bewirken.
Ferner kann die Klebeschicht so ausgebildet sein, dass durch Kavitätseffekte eine optische Verbesserung erzielt werden kann. Gemäß einer anderen Ausgestaltung ist auf oder über der
Deckschicht mindestens eine zusätzliche Schicht ausgebildet. Es können mehrere zusätzliche Schichten (zum Beispiel
übereinander) auf oder über der Deckschicht ausgebildet sein.
Gemäß einer Ausgestaltung weist die mindestens eine
zusätzliche Schicht mindestens eine Wärmeleitfolie auf. Die Wärmeleitfolie kann zur Homogenisierung und/oder Abtransport von Wärme dienen, welche beim Betrieb des optoelektronischen Bauelements (z.B. einer OLED) erzeugt wird.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung weist die mindestens eine zusätzliche Schicht eine Lichtauskoppelschicht auf. Die
Lichtauskoppelschicht kann beispielsweise Streupartikel aufweisen, welche beispielsweise wie oben im Zusammenhang mit der Klebeschicht beschrieben ausgebildet sein können.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen, in denen die
Klebeschicht ein aushärtbares Klebematerial aufweist oder daraus besteht, wird die Klebeschicht in einem nicht
ausgehärteten Zustand (z.B. in flüssiger Form) auf die
Dünnschichtverkapselung aufgebracht. Die (noch) nicht
ausgehärtete Klebeschicht kann dabei durch Eigenschaften wie beispielsweise Grenzflächenspannung bzw. Benetzungsvermögen, Schichtdicke und Viskosität einen Einschluss von
Partikelverunreinigungen an der Oberfläche der
Dünnschichtverkapselung und eine planarisierende Abdeckung der Oberfläche ermöglichen. Gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen wird die Deckschicht auf der nicht (oder nicht vollständig) ausgehärteten Klebeschicht aufgebracht. Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen erfolgt nach dem
Aufbringen der Deckschicht das Aushärten der Klebeschicht. Das Aushärten der Klebeschicht kann beispielsweise mittels Bestrahlung mit UV-Licht (bei Verwendung eines UV- aushärtenden Materials für die Klebeschicht) erfolgen.
Alternativ kann das Aushärten der Klebeschicht mittels
Temperung (Erhitzens) mit einer vorgebbaren Temperatur erfolgen (bei Verwendung eines temperaturaushärtenden
Materials für die Klebeschicht) . Bei Verwendung eines
selbstaushärtenden Klebematerials kann das Aushärten ohne äußeren Einfluss wie z.B. UV-Strahlung oder Temperung
erfolgen.
In der (ausgehärteten) Klebeschicht der Verkapselungsstruktur können Partikelverunreinigungen eingebettet werden bzw. sein. Dadurch kann ein „Eindrücken" der Partikel in ein mittels der Verkapselungsstruktur zu verkapselndes optoelektronisches Bauelement (z.B. OLED) verhindert werden, so dass eine
Schädigung des optoelektronischen Bauelements durch die
Partikel vermieden werden kann. Gemäß einer Ausgestaltung ist das optoelektronische
Bauelement als organisches optoelektronisches Bauelement ausgebildet bzw. eingerichtet. Das optoelektronische
Bauelement kann beispielsweise, ohne darauf beschränkt zu sein, als organische Leuchtdiode (OLED) , als organische
Solarzelle bzw. Photovoltaikzelle (OPV), als organischer Fototransistor oder dergleichen ausgebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement kann ein Substrat aufweisen. Ein „Substrat", wie es hierin verwendet wird, kann zum
Beispiel ein für ein optoelektronisches Bauelement
üblicherweise verwendetes Substrat aufweisen. Das Substrat kann ein transparentes Substrat sein. Das Substrat kann jedoch auch ein nicht-transparentes Substrat sein.
Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Saphir,
Kunststofffolie (n) , Metall, Metallfolie (n) , Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial aufweisen. Als Substrat wird in verschiedenen Ausgestaltungen die Schicht verstanden, auf der bei der Herstellung des
optoelektronischen Bauelements nachfolgend alle anderen
Schichten aufgebracht werden. Solche nachfolgenden Schichten können z.B. bei einem optoelektronischen Bauelement oder einer Strahlungsemittierenden Vorrichtung für die Strahlungsemission erforderliche Schichten sein.
Gemäß einer Ausgestaltung ist das Substrat als starres
Substrat ausgebildet. Beispielsweise kann das Substrat als Glassubstrat ausgebildet sein.
Gemäß einer Ausgestaltung ist das Substrat als flexibles (mit anderen Worten, biegsames) Substrat ausgebildet.
Beispielsweise kann das Substrat als Foliensubstrat
ausgebildet sein, z.B. als Stahlfoliensubstrat oder als Polymerfoliensubstrat gemäß einer Ausgestaltung.
Das Substrat kann als transparentes Substrat ausgebildet sein (z.B. als transparente Folie oder als Glassubstrat),
alternativ als nicht-transparentes Substrat (z.B. als
Silizium-Wafer gemäß einer Ausgestaltung) .
Gemäß einer Ausgestaltung ist zwischen dem Substrat und der mindestens einen Funktionsschicht eine erste Elektrode
(erster elektrischer Kontakt) ausgebildet. Die erste
Elektrode kann auf oder über dem Substrat aufgebracht sein, und die mindestens eine Funktionsschicht kann auf oder über der ersten Elektrode aufgebracht sein. Die erste Elektrode kann auch als Grundelektrode oder als Grundkontakt bezeichnet werden. Alternativ kann die erste Elektrode auch als
substratseitige Elektrode oder substratseitiger Kontakt bezeichnet werden. Die erste Elektrode kann eine Anode sein, alternativ eine Kathode .
Gemäß einer Ausgestaltung ist zwischen der mindestens einen Funktionsschicht und der Dünnschichtverkapselung eine zweite Elektrode ausgebildet. Die zweite Elektrode kann auf oder über der mindestens einen Funktionsschicht aufgebracht sein, und die Dünnschichtverkapselung kann auf oder über der zweiten Elektrode aufgebracht sein. Die zweite Elektrode kann auch als Deckelektrode oder als Deckkontakt bezeichnet werden. Alternativ kann die zweite Elektrode auch als deckseitige Elektrode oder deckseitiger Kontakt bezeichnet werden.
Die zweite Elektrode kann eine Kathode sein (z.B. falls die erste Elektrode eine Anode ist), alternativ eine Anode (z.B. falls die erste Elektrode eine Kathode ist) .
Die erste Elektrode und die zweite Elektrode können in geeigneter Weise elektrisch kontaktiert sein.
Die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode können/kann transparent ausgebildet sein. Alternativ können/kann die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode nicht¬ transparent ausgebildet sein.
Beispielsweise kann gemäß einer Ausgestaltung, in der das optoelektronische Bauelement als Bottom-Emitter ausgeführt ist, die erste Elektrode (Grundelektrode) transparent ausgebildet sein und die zweite Elektrode (Deckelektrode) nicht-transparent. In diesem Fall kann die zweite Elektrode als reflektive Elektrode (reflektiver Kontakt) ausgebildet sein, mit anderen Worten als Elektrode, welche die von der mindestens einen Funktionsschicht emittierte Strahlung im Wesentlichen oder vollständig reflektiert.
Gemäß einer Ausgestaltung, in der das optoelektronische
Bauelement als Top-Emitter ausgeführt ist, kann die zweite Elektrode (Deckelektrode) transparent ausgebildet sein und die erste Elektrode (Grundelektrode) nicht-transparent. In diesem Fall kann die erste Elektrode als reflektive Elektrode (reflektiver Kontakt) ausgebildet sein, mit anderen Worten als Elektrode, welche die von der mindestens einen
Funktionsschicht emittierte Strahlung im Wesentlichen oder vollständig reflektiert. Gemäß einer Ausgestaltung, in der das optoelektronische
Bauelement als Kombination aus Top-Emitter und Bottom-Emitter ausgeführt ist, können die erste Elektrode und die zweite Elektrode jeweils als transparente Elektrode ausgebildet sein .
Die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode können/kann beispielsweise mittels eines Abscheideverfahrens aufgebracht sein bzw. werden. Gemäß einer Ausgestaltung können/kann die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode mittels
Sputterns oder mittels thermischen Verdampfens aufgebracht werden. Alternativ können andere geeignete Verfahren zum Aufbringen der ersten und/oder zweiten Elektrode verwendet werden.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen können/kann die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis einige ym, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 200 nm. Gemäß alternativen
Ausgestaltungen können/kann die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode eine andere Schichtdicke aufweisen. In diesem Zusammenhang ist anzumerken, dass die Schichtdicke der Elektroden von der Wahl des Elektrodenmaterials abhängig sein kann. Typische Schichtdicken für Elektroden aus TCO- Materialien (TCO: transparent conductive oxide =
transparentes leitfähiges Oxid, z.B. ITO (Indium-Zinn-Oxid)) können beispielsweise im Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm liegen. Transparente Elektroden basierend auf dünnen Metallschichten können beispielsweise Schichtdicken im Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm aufweisen. Für reflektierende Metallelektroden kann die Schichtdicke
beispielsweise im Bereich von ungefähr 50 nm bis 200 nm liegen, alternativ jedoch auch bis zu mehreren ym betragen. Zusammenfassend kann gesagt werden, dass unterschiedliche Elektrodenansätze unterschiedliche Elektroden-Schichtdicken bedingen können.
Die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode können/kann aus einem Material gebildet sein oder ein Material aufweisen, das ausgewählt ist aus Metallen wie Aluminium, Barium,
Indium, Silber, Gold, Magnesium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben oder einer Verbindung derselben, insbesondere einer Legierung, sowie transparenten leitfähigen Oxiden, wie beispielsweise Metalloxiden, wie Zinkoxid,
Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indium¬ dotiertem Zinnoxid (ITO), Aluminium-dotiertem Zinkoxid (AZO) , Zn2Sn04, CdSnC>3, ZnSnC>3, MgIn2Ü4, Galn03, Zn2ln2Ü5 oder
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide. Gemäß anderen Ausgestaltungen können die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode ein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus bestehen.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann das
optoelektronische Bauelement (z.B. organisches
optoelektronisches Bauelement wie z.B. OLED) als „Bottom- Emitter" ausgeführt sein.
Der Begriff „Bottom-Emitter" oder „bottom-emittierendes optoelektronisches Bauelement", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet eine Ausführung, die zu der Substratseite des optoelektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist. Beispielsweise können dazu wenigstens das Substrat und zwischen dem Substrat und der mindestens einen
Funktionsschicht ausgebildete Schichten (z.B. eine zwischen Substrat und Funktionsschicht (en) ausgebildete Elektrode (Grundelektrode)) transparent ausgeführt sein. Ein als
Bottom-Emitter ausgeführtes optoelektronisches Bauelement kann demnach beispielsweise in den Funktionsschichten (z.B. organischen Funktionsschichten bei einem organischen
optoelektronischen Bauelement wie z.B. einer OLED) erzeugte Strahlung auf der Substratseite des optoelektronischen
Bauelements emittieren.
Alternativ oder zusätzlich dazu kann das optoelektronische Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen als „Top-Emitter" ausgeführt sein.
Der Begriff „Top-Emitter" oder „top-emittierendes
optoelektronisches Bauelement", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet beispielsweise eine Ausführung, die zu der dem Substrat abgewandten Seite (anders ausgedrückt, zur
Deckseite) des optoelektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist. Insbesondere können dazu die auf bzw. über der mindestens einen Funktionsschicht des optoelektronischen Bauelements ausgebildeten Schichten (z.B. zwischen
Funktionsschicht (en) und Dünnschichtverkapselung ausgebildete Elektrode (Deckelektrode) , Dünnschichtverkapselung,
Klebeschicht, Deckschicht) transparent ausgeführt sein. Ein als Top-Emitter ausgeführtes optoelektronisches Bauelement kann demnach beispielsweise in den Funktionsschichten (z.B. organischen Funktionsschichten bei einem organischen
optoelektronischen Bauelement wie z.B. einer OLED) erzeugte Strahlung auf der Deckseite des optoelektronischen
Bauelements emittieren.
Ein als Top-Emitter ausgestaltetes optoelektronisches
Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in vorteilhafter Weise eine hohe Lichtauskopplung und eine sehr geringe Winkelabhängigkeit der Strahlungsdichte aufweisen.
Ein optoelektronisches Bauelement gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann in vorteilhafter Weise für
Beleuchtungen, wie beispielsweise Raumleuchten, eingesetzt werden .
Eine Kombination aus Bottom-Emitter und Top-Emitter ist ebenso in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen. Bei einer solchen Ausführung ist das optoelektronische Bauelement allgemein in der Lage, das in den Funktionsschichten (z.B. den organischen Funktionsschichten bei einem organischen optoelektronischen Bauelement wie z.B. einer OLED) erzeugte Licht in beide Richtungen - also sowohl zu der Substratseite als auch zu der Deckseite hin - zu emittieren.
Gemäß einer anderen Ausführungsform ist eine dritte Elektrode in dem optoelektronischen Bauelement vorgesehen, welche zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist.
Die dritte Elektrode kann als Zwischenkontakt fungieren. Sie kann dazu dienen, einen Ladungstransport durch die Schichten des optoelektronischen Bauelements hindurch zu erhöhen und damit die Effizienz des optoelektronischen Bauelements zu verbessern. Die dritte Elektrode kann als ambipolare Schicht ausgestaltet sein. Sie kann als Kathode oder Anode
ausgestaltet sein.
Ebenso wie die erste Elektrode und die zweite Elektrode kann die dritte Elektrode gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen geeignet elektrisch kontaktiert sein bzw. werden.
In einer Weiterbildung des optoelektronischen Bauelements sind als organische Funktionsschichten eine Emitterschicht und eine oder mehrere weitere organische Funktionsschichten enthalten. Die weiteren organischen Funktionsschichten können ausgewählt sein aus der Gruppe, bestehend aus
Lochinj ektionsschichten, Lochtransportschichten,
lochblockierenden Schichten, Elektroneninjektionsschichten, Elektronentransportschichten und elektronenblockierenden Schichten .
Geeignete Funktionsschichten und geeignete organische
Funktionsschichten sind dem Fachmann an sich bekannt. Die (organischen) Funktionsschichten können vorzugsweise mittels thermischen Verdampfens aufgebracht werden. Die weiteren (organischen) Funktionsschichten können die Funktionalität und/oder Effizienz des optoelektronischen Bauelements in vorteilhafter Weise verbessern.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen wird ein Prozess zum Verkapseln eines optoelektronischen Bauelements
bereitgestellt, welcher aufweist: (1) Aufbringen einer
Dünnschichtverkapselung (welche eine oder mehrere
Barrierendünnschichten aufweisen kann) als Schutz gegen
Eindringen schädlicher chemischer Bestandteile aus der
Umgebung (z.B. Wasser oder Sauerstoff) in das
optoelektronische Bauelement, (2) Ausbilden einer
Klebeschicht auf der Dünnschichtverkapselung (z.B.
unmittelbar auf der Dünnschichtverkapselung) . Hierbei können Materialien und Prozesse verwendet werden, die die
Partikelbelastung auf der Oberfläche minimieren bzw. Partikel durch Umschließen unschädlich machen. Auf der Klebeschicht wird (3) eine Deckschicht (mechanische Schutzschicht) ausgebildet (z.B. wird gemäß einer Ausgestaltung die
Deckschicht unter Verwendung der zuvor auf der Deckschicht (z.B. auf der Unterseite der Deckschicht) aufgebrachten
Klebeschicht auf der Dünnschichtverkapselung auflaminiert , so dass die Klebeschicht zwischen der Dünnschichtverkapselung und der Deckschicht ausgebildet ist und die
Dünnschichtverkapselung und die Deckschicht anschaulich miteinander verbindet) . Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen Figur 1 eine Anordnung mit einer organischen Leuchtdiode
(OLED) und herkömmlicher Verkapselung mittels
Glaskavität gemäß einem Beispiel; Figur 2 eine Anordnung mit einer organischen Leuchtdiode (OLED) und herkömmlicher Verkapselung mittels Glaskavität gemäß einem anderen Beispiel;
Figur 3 eine Verkapselungsstruktur für ein
optoelektronisches Bauelement gemäß einem Ausführungsbeispiel ; Figur 4 eine Verkapselungsanordnung gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel ;
Figur 5 ein Verfahren zum Verkapseln eines
optoelektronischen Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel;
Figur 6 eine Verkapselungsanordnung gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel ; Figur 7A einen Ausschnitt der in Figur 6 gezeigten
Verkapselungsanordnung;
Figur 7B einen anderen Ausschnitt der in Figur 6 gezeigten
Verkapselungsanordnung;
Figur 8 eine Verkapselungsanordnung gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel ;
Figur 9 eine Verkapselungsanordnung gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel;
Figur 10 eine Verkapselungsanordnung gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel ;
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung.
In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist .
Fig. 3 zeigt eine Verkapselungsstruktur 300 für ein
optoelektronisches Bauelement gemäß einem
Ausführungsbeispiel . Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann die
Verkapselungsstruktur 300 eine Dünnschichtverkapselung 301 aufweisen zum Schutz eines optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen. Die Dünnschichtverkapselung 301 kann eine oder mehrere dünne Schichten (auch als
Barrieredünnschichten bezeichnet) aufweisen und kann ferner gemäß einer oder mehrerer hierin beschriebener
Ausgestaltungen ausgebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann die
Verkapselungsstruktur 300 ferner eine auf der
Dünnschichtverkapselung 301 aufgebrachte Klebeschicht 302 aufweisen. Die Klebeschicht 302 kann ein Klebematerial aufweisen oder daraus bestehen und kann ferner gemäß einer oder mehrerer hierin beschriebener Ausgestaltungen
ausgebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann die
Verkapselungsstruktur 300 ferner eine auf der Klebeschicht 302 aufgebrachte Deckschicht 303 aufweisen zum Schutz der Dünnschichtverkapselung 301 vor mechanischer Beschädigung. Die Deckschicht 303 kann gemäß einer oder mehrerer hierin beschriebener Ausgestaltungen ausgebildet sein,
beispielsweise als starre Deckschicht (z.B. Glasdeckschicht) oder als flexible Deckschicht (z.B. als Folie), und/oder als transparente Deckschicht (z.B. Deckglas oder transparente Folie) oder als nichttransparente Deckschicht (z.B.
nichttransparente Metallfolie), usw. Gemäß einer
Ausgestaltung kann die Deckschicht 303 beispielsweise Teil einer selbstklebenden Folie sein, welche mittels der
Klebeschicht 302 auf der Dünnschichtverkapselung 301
aufgebracht (z.B. auflaminiert ) ist.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann die Klebeschicht 302 ein aushärtbares Klebematerial aufweisen, z.B. einen UV- aushärtenden Kleber. Die Klebeschicht 302 kann im nicht ausgehärteten (z.B. flüssigen) Zustand aufgebracht werden und kann nachfolgend (z.B. nach dem Aufbringen der Deckschicht 303) aushärten bzw. ausgehärtet werden. Die Klebeschicht 302 kann so eingerichtet bzw. ausgebildet sein, dass Partikelverunreinigungen an der Oberseite 301a der Dünnschichtverkapselung 301 von der Klebeschicht 302
eingeschlossen werden und die aufgebrachte Klebeschicht 302 eine im Wesentlichen planare (obere) Oberfläche 302a
aufweist. Durch Einschluss der Partikel in der Klebeschicht 302 kann beispielsweise vermieden werden, dass sich die
Partikel in darunter liegende Schichten, insbesondere die Dünnschichtverkapselung 301 und/oder darunter liegende
Schichten (z.B. Funktionsschichten eines zu verkapselnden optoelektronischen Bauelements (z.B. OLED) ) , eindrücken und diese beschädigen.
Fig. 4 zeigt eine Verkapselungsanordnung 400' gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen weist die
Verkapselungsanordnung 400' ein optoelektronisches Bauelement 400 und eine Verkapselungsstruktur 300 auf. Die
Verkapselungsstruktur 300 kann gemäß einer oder mehrerer der hierin beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann das
optoelektronische Bauelement 400 mindestens eine
Funktionsschicht 402 aufweisen, wie in Fig. 4 gezeigt. Die mindestens eine Funktionsschicht 402 kann als einzelne
Schicht (wie in Fig. 4 gezeigt) oder als Schichtstapel (auch als Funktionsschichtenstapel bezeichnet) mit einer Mehrzahl von Teilschichten ausgebildet sein. Die mindestens eine
Funktionsschicht 402 kann ferner gemäß einer oder mehrerer der hierin beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann die
Verkapselungsstruktur 300 auf oder über der mindestens einen Funktionsschicht 402 des optoelektronischen Bauelements 400 ausgebildet sein. Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann das
optoelektronische Bauelement 400 über und/oder unter der mindestens einen Funktionsschicht 402 eine oder mehrere zusätzliche Schichten aufweisen.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann das
optoelektronische Bauelement 400 ein Substrat 401 aufweisen. Das Substrat 401 kann gemäß einer oder mehrerer der hierin beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann das
optoelektronische Bauelement 400 ferner eine erste Elektrode aufweisen 403. Die erste Elektrode 403 kann gemäß einer
Ausgestaltung zwischen dem Substrat 401 und der mindestens einen Funktionsschicht 402 ausgebildet sein (z.B. auf der
Unterseite der mindestens einen Funktionsschicht 402), wie in Fig. 4 gezeigt. Die erste Elektrode 403 kann ferner gemäß einer oder mehrerer der hierin beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann das
optoelektronische Bauelement 400 ferner eine zweite Elektrode 404 aufweisen. Die zweite Elektrode 404 kann gemäß einer Ausgestaltung zwischen der mindestens einen Funktionsschicht 402 und der Dünnschichtverkapselung 301 ausgebildet sein
(z.B. auf der Oberseite der mindestens einen Funktionsschicht 402), wie in Fig. 4 gezeigt. Die Dünnschichtverkapselung 301 kann beispielsweise auf der zweiten Elektrode 404 ausgebildet sein, wie in Fig. 4 gezeigt. Die zweite Elektrode 404 kann ferner gemäß einer oder mehrerer der hierin beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 400 kann gemäß einer oder mehrerer der hierin beschriebenen Ausgestaltungen ausgebildet sein, beispielsweise als organisches optoelektronisches
Bauelement wie z.B. als OLED, beispielsweise als Top-Emitter oder als Bottom-Emitter oder als Kombination aus Top-Emitter und Bottom-Emitter, gemäß einer oder mehrerer der hierin beschriebenen Ausgestaltungen.
Fig. 5 zeigt ein Ablaufdiagramm 500, in dem ein Verfahren zum Verkapseln eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel dargestellt ist.
In 502 wird eine Dünnschichtverkapselung auf oder über einem optoelektronischen Bauelement (z.B. auf oder über mindestens einer Funktionsschicht des optoelektronischen Bauelements) ausgebildet zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen. Die Dünnschichtverkapselung kann gemäß einer oder mehrerer hierin beschriebener
Ausgestaltungen eingerichtet bzw. ausgebildet sein bzw.
werden .
In 504 wird eine Klebeschicht auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildet. Die Klebeschicht kann gemäß einer oder mehrerer hierin beschriebener Ausgestaltungen eingerichtet bzw.
ausgebildet sein bzw. werden.
In 506 wird eine Deckschicht auf der Klebeschicht ausgebildet zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des
optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung. Die Deckschicht kann gemäß einer oder mehrerer hierin
beschriebener Ausgestaltungen eingerichtet bzw. ausgebildet sein bzw. werden.
Beispielsweise kann gemäß einer Ausgestaltung die
Klebeschicht auf eine aufzubringende Deckschicht (z.B.
aufzubringendes Glas) aufgebracht werden (z.B. auf der
Unterseite der Deckschicht) , und anschließend kann die
Deckschicht mit der darauf aufgebrachten Klebeschicht auf der Dünnschichtverkapselung aufgebracht werden, so dass die
Klebeschicht zwischen der Dünnschichtverkapselung und der Deckschicht ausgebildet ist. Anschaulich kann gemäß einer Ausgestaltung die Deckschicht mithilfe der auf der Deckschicht aufgebrachten Klebeschicht auf die
Dünnschichtverkapselung auflaminiert werden.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung kann die Klebeschicht
(direkt) auf der Dünnschichtverkapslung aufgebracht werden, und nachfolgend kann die Deckschicht auf der Klebeschicht aufgebracht werden.
Gemäß noch einer anderen Ausgestaltung kann vor dem Verbinden der Deckschicht mit der Dünnschichtverkapselung die
Klebeschicht teilweise auf der Dünnschichtverkapselung und teilweise auf der Deckschicht aufgebracht werden.
Fig. 6 zeigt eine Verkapselungsanordnung 600' gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Die Verkapselungsanordnung 600' weist ein optoelektronisches Bauelement 600 sowie eine auf dem optoelektronischen
Bauelement 600 ausgebildete Verkapselungsstruktur 300 auf.
Das optoelektronische Bauelement 600 ist als organische
Leuchtdiode (OLED) ausgebildet und weist ein Substrat 601 sowie einen auf dem Substrat 601 ausgebildeten Schichtstapel 610 auf. Der Schichtstapel 610 kann auch als OLED-Stapel bzw. OLED-Stack bezeichnet werden. Gemäß alternativen
Ausgestaltungen kann das optoelektronische Bauelement 600 als ein anderes optoelektronisches Bauelement (z.B. ein anderes organisches optoelektronisches Bauelement) als eine OLED ausgebildet sein, wobei die nachfolgende Beschreibung des Aufbaus der Verkapselungsanordnung 600' in analoger Weise auch in diesem Fall gilt.
Das Substrat 601 ist gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel als Glassubstrat (auch als Substratglas bezeichnet)
ausgebildet. Gemäß alternativen Ausgestaltungen können andere Substrate verwendet werden, z.B. Foliensubstrate. Der OLED-Stack 610 kann eine oder mehrere organische
Funktionsschichten aufweisen (z.B. einen
Funktionsschichtenstapel), welche auf- bzw. übereinander ausgebildet sein können. Ferner kann gemäß verschiedenen Ausgestaltungen der OLED-Stack 610 eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen, wobei die erste Elektrode zwischen dem Substrat 601 und der (den) organischen
Funktionsschicht (en) ausgebildet sein kann und die zweite Elektrode zwischen der (den) organischen Funktionsschicht (en) und der Verkapselungsstruktur 300 ausgebildet sein kann.
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann das
optoelektronische Bauelement 600 zusätzlich einen oder mehrere elektrische Kontakte (nicht gezeigt in Fig. 6) aufweisen zum elektrischen Kontaktieren des OLED-Stacks 610, z.B. zum elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode des OLED-Stacks 610.
Die Verkapselungsstruktur 300 weist eine
Dünnschichtverkapselung 301 auf, welche auf dem OLED-Stack 610 und auf dem Substrat 601 ausgebildet ist. Gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Dünnschichtverkapselung 301 auf der Oberseite 610a und Seitenflächen 610b des OLED- Stacks 610 ausgebildet, derart, dass der OLED-Stack 610 von der Dünnschichtverkapselung 301 eingekapselt wird.
Gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel weist die
Dünnschichtverkapselung 301 eine erste Barrierendünnschicht 311 und eine auf der ersten Barrierendünnschicht 311
ausgebildete zweite Barrierendünnschicht 312 auf, wie in
Fig. 7A und Fig. 7B gezeigt ist, welche einen ersten
Ausschnitt 650 bzw. einen zweiten Ausschnitt 655 der in
Fig. 6 gezeigten Verkapselungsanordnung 600' zeigen. Gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die erste
Barrierendünnschicht 311 als eine mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (CVD) , z.B. mittels eines plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (PECVD) , ausgebildete Siliziumnitrid-Schicht ausgebildet und kann beispielsweise eine Schichtdicke von einigen hundert Nanometern, z.B. ungefähr 400 nm gemäß einer Ausgestaltung, aufweisen. Die zweite Barrierendünnschicht 312 ist als eine mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) ausgebildete Aluminiumoxid-Schicht ausgebildet und kann beispielsweise eine Schichtdicke von einigen zehn Nanometern, z.B. ungefähr 50 nm gemäß einer Ausgestaltung, aufweisen.
Anschaulich weist die Dünnschichtverkapselung 301 gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel eine dicke CVD-Schicht (erste Barrierendünnschicht 311) und eine darauf ausgebildete, verglichen mit der CVD-Schicht 311 dünnere ALD-Schicht
(zweite Barriendünnschicht 312) auf.
Gemäß alternativen Ausgestaltungen können die erste
Barrierendünnschicht 311 und/oder die zweite
Barrierendünnschicht 312 mittels anderer Abscheideverfahren ausgebildet werden und/oder können andere Materialien
und/oder Schichtdicken aufweisen. Zum Beispiel kann die erste Barrierendünnschicht 311 mittels ALD ausgebildet sein
und/oder oder die zweite Barrierendünnschicht 312 kann mittels CVD ausgebildet sein. Ferner können zusätzlich zu der ersten Barrierendünnschicht 311 und der zweiten
Barrierendünnschicht 312 zusätzliche Barrierendünnschichten vorgesehen sein, welche beispielsweise mittels CVD und/oder ALD ausgebildet sein können. Allgemein kann die
Dünnschichtverkapselung 301 einen Schichtstapel mit einer beliebigen Anzahl an Teilschichten (Barrierendünnschichten) aufweisen, wobei jede der Teilschichten des Schichtstapels (unabhängig von den anderen Teilschichten) wahlweise als CVD- Schicht oder als ALD-Schicht ausgebildet sein kann. Mit anderen Worten kann der Schichtstapel eine beliebige Abfolge von CVD-Schichten und/oder ALD-Schichten aufweisen. Die Verkapselungsstruktur 300 weist ferner eine Klebeschicht
302 auf, welche auf der Dünnschichtverkapselung 301
ausgebildet ist. Die Klebeschicht 302 kann beispielsweise eine Dicke im
Mikrometerbereich, zum Beispiel eine Schichtdicke von einigen zehn Mikrometern, beispielsweise ungefähr 25 ym, aufweisen. Alternativ kann die Klebeschicht 302 einen anderen Wert der Schichtdicke aufweisen.
Die Klebeschicht 302 kann beispielsweise ein aushärtbares Material aufweisen (z.B. einen UV-aushärtenden Kleber) und kann im nicht ausgehärteten (z.B. flüssigen) Zustand auf der Dünnschichtverkapselung 301 aufgebracht worden sein und nachfolgend (z.B. nach dem Aufbringen einer Deckschicht 303 der Verkapselungsstruktur 300) ausgehärtet worden sein (z.B. mittels UV-Strahlung im Falle eines UV-aushärtenden Klebers) .
Die Verkapselungsstruktur 300 weist ferner eine Deckschicht 303 auf, welche auf der Klebeschicht 302 ausgebildet ist.
Gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Deckschicht
303 als Glasschicht, mit anderen Worten als
Verkapselungsglas , ausgebildet. Die Deckschicht 303 bzw. das Verkapselungsglas 303 kann mittels der Klebeschicht 302 auf die Dünnschichtverkapselung 301 aufgeklebt worden sein. Zum Beispiel kann gemäß einer Ausgestaltung die Klebeschicht 302 auf der Unterseite 303b der Deckschicht 303 aufgebracht worden sein, und die
Deckschicht 303 kann mit Hilfe der darauf aufgebrachten
Klebeschicht 302 auf die Dünnschichtverkapselung 301
auflaminiert worden sein. Gemäß einer anderen Ausgestaltung kann die Klebeschicht auf der Oberseite 301a der
Dünnschichtverkapselung 301 aufgebracht worden sein, und die Deckschicht 303 kann nachfolgend auf der Klebeschicht 302 aufgebracht worden sein. Gemäß noch einer anderen
Ausgestaltung ist es auch möglich, die Klebeschicht 302 teilweise auf der Oberseite 301a der Dünnschichtverkapselung 301 und teilweise auf der Unterseite 303b der Deckschicht 303 aufzubringen . Im Vergleich zu einer herkömmlichen Verkapselung mit
Glaskavität (vgl. zum Beispiel Fig. 1 und Fig. 2) ist bei der in Fig. 6 gezeigten Verkapselungsstruktur 300 keine Kavität zwischen dem OLED-Stack 610 und dem Verkapselungsglas 303 ausgebildet. Dadurch kann beispielsweise ein Aufdrücken des Deckglases auf den OLED-Stack 610, wie es bei einer
herkömmlichen Kavitätsverkapselung (insbesondere bei großen Kavitäten) vorkommen kann, vermieden werden, so dass eine dadurch bedingte Beschädigung der OLED 600 vermieden werden kann .
Wie in den in Fig. 7A und Fig. 7B gezeigten Ausschnitten 650, 655 der Verkapselungsanordnung 600' dargestellt, können die dicke CVD-Schicht (erste Barrierendünnschicht 311) und die Klebeschicht 302 jeweils zur Einbettung von Partikeln bzw. Partikelverunreinigungen 710a, 710b, 710c, 710d genutzt werden .
In dem in Fig. 7A gezeigten ersten Ausschnitt 650 der
Verkapselungsanordnung 600' ist gezeigt, dass ein erstes Partikel 710a, welches sich an der Oberseite 610a des OLED- Stacks 610 befindet bzw. angelagert hat, von der ersten
Barrierendünnschicht 311 eingebettet wird, und dass ein zweites Partikel 710b, welches sich an der Oberseite 301a der Dünnschichtverkapselung 301 befindet bzw. angelagert hat, von der Klebeschicht 302 eingebettet wird.
Die erste Barrierendünnschicht 311 kann eine Dicke aufweisen, die größer ist als der Durchmesser des ersten Partikels 710a, und die Klebeschicht 302 kann eine Dicke aufweisen, die größer ist als der Durchmesser des zweiten Partikels 710b, wie in Fig. 7A gezeigt. Allgemein können die Schichtdicken der ersten Barrierendünnschicht 311 und/oder der Klebeschicht 302 so gewählt werden, dass mögliche Partikelverunreinigungen an der Oberfläche der OLED 600 und/oder an der Oberfläche der Dünnschichtverkapselung 301 mittels der ersten
Barrierendünnschicht 311 bzw. der Klebeschicht 302
umschlossen (z.B. vollständig umschlossen) bzw. darin
eingebettet werden. Zum Beispiel können die Schichtdicken der ersten Barrierendünnschicht 311 und/oder der Klebeschicht 302 so gewählt werden, dass sie größer oder ungefähr gleich dem mittleren Durchmesser der auftretenden
Partikelverunreinigungen sind. Gemäß einer Ausgestaltung können die Schichtdicken der ersten Barrierendünnschicht 311 und/oder der Klebeschicht 302 beispielsweise so gewählt werden, dass sie größer sind als das Maximum der Durchmesser aller auftretenden Partikelverunreinigungen.
In diesem Zusammenhang ist anzumerken, dass anstelle oder zusätzlich zu der ersten Barrierendünnschicht 311 auch andere Barrierendünnschichten (z.B. die zweite Barrierendünnschicht 312 und/oder zusätzliche Barrierendünnschichten (sofern vorgesehen) ) der Dünnschichtverkapselung 301 so ausgebildet werden können, dass sie eine Schichtdicke aufweisen, die ausreicht, um Partikelverunreinigungen zumindest teilweise (z.B. vollständig gemäß verschiedenen Ausgestaltungen) in der jeweiligen Barrierendünnschicht einbetten zu können.
Mittels des Einbettens von Partikelverunreinigungen bzw.
Partikeln (z.B. der Partikel 710a, 710b) in der
Dünnschichtverkapselung 301 (z.B. in der ersten
Barrierendünnschicht 311 und der Klebeschicht 302 (wie gezeigt) , alternativ oder zusätzlich in anderen Teilschichten der Dünnschichtverkapselung 301 (sofern vorgesehen) ) ist es möglich, ein Eindrücken der Partikel in den OLED-Stack 610 bzw. die OLED 600 zu verhindern und somit eine mechanische Belastung der OLED 600 durch die Partikel zu verringern oder ganz zu vermeiden und damit eine Schädigung der OLED zu verhindern . In diesem Zusammenhang ist anzumerken, dass die in Fig. 7A gezeigte Darstellung mit nur zwei Partikelverunreinigungen 710a und 710b rein exemplarischen Charakter hat und dass mehr als zwei Partikel auftreten können und in der
Dünnschichtverkapselung 301 (z.B. der ersten
Barrierendünnschicht 311) und/oder der Klebeschicht 302 eingebettet werden können.
Ferner können, wie aus dem in Fig. 7B gezeigten zweiten
Ausschnitt 655 der Verkapselungsanordnung 600' ersichtlich, auch Partikelverunreinigungen, die in einem Bereich der
Dünnschichtverkapselung 301 und/oder der Klebeschicht 302, welcher sich seitlich neben dem OLED-Stack 610 befindet, auftreten, in gleicher Weise mittels der
Dünnschichtverkapselung 301 (z.B. der ersten
Barrierendünnschicht 311) und/oder der Klebeschicht 302 eingebettet werden.
In dem in Fig. 7B gezeigten zweiten Ausschnitt 655 der
Verkapselungsanordnung 655 sind beispielhaft ein drittes Partikel 710c, welches sich an der Oberseite 601a des
Substrats 601 seitlich neben dem OLED-Stack 610 befindet bzw. angelagert hat und in der ersten Barrierendünnschicht 311 eingebettet ist, und ein viertes Partikel 710d, welches sich an der Oberseite 301a der Dünnschichtverkapselung 301
seitlich neben dem OLED-Stack 610 befindet bzw. angelagert hat und in der Klebeschicht 302 eingebettet ist, gezeigt. Auch hier versteht sich, dass neben den beiden gezeigten Partikeln 710c, 710d zusätzliche Partikel auftreten können und in der Dünnschichtverkapselung 301 bzw. der Klebeschicht 302 eingebettet werden können.
Fig. 8 zeigt eine Verkapselungsanordnung 800' gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Die Verkapselungsanordnung 800' unterscheidet sich von der in Fig. 6 gezeigten Verkapselungsanordnung 600' im Wesentlichen darin, dass Auskoppelstrukturen 820a, 820b vorgesehen sind, welche zur Verbesserung der Lichtauskopplung des von der OLED 600 (bzw. der oder den Funktionsschichten des OLED-Stacks 610) emittierten Lichtes dienen. Gemäß dem gezeigten
Ausführungsbeispiel ist eine erste Auskoppelstruktur 820a auf der Oberseite 303a der Deckschicht 303 ausgebildet, und eine zweite Auskoppelstruktur 820b ist auf der Unterseite 601b des Substrats 601a ausgebildet. Es können diverse Auskoppelstrukturen in beide Richtungen genutzt werden. Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen können beispielsweise die erste Auskoppelstruktur 820a und/oder die zweite Auskoppelstruktur 820b jeweils eine oder mehrere
Auskoppelschichten aufweisen. Ferner können gemäß einer
Ausgestaltung eine oder mehrere der Auskoppelschichten
Streupartikel (z.B. Metalloxidpartikel) aufweisen.
Gemäß alternativen Ausgestaltungen kann auch nur eine
Auskoppelstruktur vorgesehen sein, zum Beispiel die erste Auskoppelstruktur 820a an der Oberseite 303a der Deckschicht 303 (zum Beispiel im Falle einer als (reiner) Topemitter ausgebildeten OLED 600) oder die zweite Auskoppelstruktur 820b an der Unterseite 601b des Substrats 601 (zum Beispiel im Falle einer als (reiner) Bottom-Emitter ausgebildeten OLED 600) .
Fig. 9 zeigt eine Verkapselungsanordnung 900' gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. Die Verkapselungsanordnung 900' unterscheidet sich von der in Fig. 6 gezeigten Verkapselungsanordnung 600' im Wesentlichen darin, dass eine Wärmeleitfolie 920 vorgesehen ist zur
Homogenisierung der Wärme bzw. Abtransport der Wärme, die beim Betrieb der OLED 600 erzeugt wird. Gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Wärmeleitfolie 920 auf der
Deckschicht 303 der Verkapselungsstruktur 300 aufgebracht (z.B. aufgeklebt). Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können mehrere Wärmeleitfolien vorgesehen sein.
Die Wärmeleitfolie 920 (oder die Wärmeleitfolien) kann beispielsweise ein nichttransparentes Material aufweisen oder daraus bestehen (z.B. im Falle einer als (reiner) Bottom- Emitter ausgebildeten OLED 600. Alternativ kann die
Wärmleitfolie 920 (oder die Wärmleitfolien) ein transparentes Material aufweisen oder daraus bestehen (z.B. im Falle einer als (reiner) Top-Emitter oder als kombinierter Top/Bottom- Emitter ausgebildeten OLED 600) .
Fig. 10 zeigt eine Verkapselungsanordnung 1000' gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel.
Die Verkapselungsanordnung 1000' unterscheidet sich von der in Fig. 6 gezeigten Verkapselungsanordnung 600' im
Wesentlichen darin, dass die Deckschicht 303 der
Verkapselungsstruktur 300 als Folie (z.B. als Wärmeleitfolie gemäß einer Ausgestaltung) ausgebildet ist. Gemäß
alternativen Ausgestaltungen kann die Deckschicht 303 auch als Lackschicht (zum Beispiel als polyakrylischer Schutzlack) ausgebildet sein. Gemäß anderen Ausgestaltungen können einzelne Merkmale (z.B. Schichten) der in den Figuren 6 bis 10 gezeigten
Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert bzw. der Aufbau durch Weglassen einzelner Schichten oder Ergänzen
zusätzlicher Schichten beliebig variiert werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
Verkapselungsaufbau bzw. Verfahren zum Verkapseln für ein optoelektronisches Bauelement, beispielsweise ein organisches optoelektronisches Bauelement wie z.B. eine OLED,
bereitgestellt, die zum einen gewährleisten, dass das
optoelektronische Bauelement gegen Luft hermetisch
abgedichtet und vor mechanischen Beschädigungen (wie z.B. Kratzern) geschützt ist, und zum anderen billiger und
variabler sind als herkömmliche Verkapselungen mittels zweitem Glassubstrat mit Kavität (Kavitätsverkapselung) . Der hierin beschriebene Aufbau einer Verkapselungsstruktur und Prozess zum Verkapseln eines optoelektronischen
Bauelementes gemäß verschiedenen Ausgestaltungen eignet sich beispielsweise besonders zum Verkapseln und Schützen von flexiblen optoelektronischen Bauelementen, beispielsweise flexiblen organischen optoelektronischen Bauelementen wie z.B. flexiblen OLEDs, da er zum Beispiel die Verwendung von kommerziellen selbstklebenden Folien als oberste
Schutzschicht (Deckschicht) ermöglicht. Mittels der hierin beschriebenen Verkapselungsstruktur und des Verfahrens zum Verkapseln gemäß verschiedener
Ausführungsbeispiele kann das Auftreten von
laminationsbedingten Defekten bei der Verkapselung und
Verpackung eines optoelektronischen Bauelements (zum Beispiel eines organischen optoelektronischen Bauelements wie z.B. einer OLED) verringert oder verhindert werden. Dadurch kann beispielsweise die Ausbeute bei der Verpackung eines
optoelektronischen Bauelements erhöht werden. Effekte der hierin beschriebenen Verkapselungsstruktur umfassen unter anderem:
Neben der Funktion der Lichtauskopplung und Schutz des optoelektronischen Bauelements (z.B. OLED) vor Feuchte, können/kann die Klebeschicht bzw. der Kleber und/oder die Dünnschichtverkapselung auch zur Abdeckung
vorhandener Partikel bzw. Partikelverunreinigungen dienen (siehe z.B. Fig. 7A und Fig. 7B) ;
Die Verkapselungsstruktur kann auch für transparente OLEDs eingesetzt werden (mit der Möglichkeit,
beispielsweise die Lichtauskopplung gezielt über die Dünnschichtverkapslung oder über zusätzliche Folien/Auskoppelstrukturen beidseitig zu beeinflussen) (siehe z.B. Fig. 8);
Die Verkapselungsstruktur bietet diverse Möglichkeiten, die Wärmeauskopplung gezielt zu verbessern, z.B. mittels Wärmeleitfolien (siehe z.B. Fig. 9) ;
Gemäß verschiedenen Ausgestaltungen kann anstelle eines Verkapselungsglas eine andere Deckschicht (z.B. Folie oder Lackschicht) verwendet werden (siehe z.B. Fig. 10);
Bei einer herkömmlichen Verkapslung mittels Glaskavität (siehe z.B. Fig. 1 und Fig. 2) kann das Capglas bei großen Kavitäten/OLEDs auf den OLED-Schichtstapel drücken (keine Stabilität der Kavität) ; bei der hierin beschriebenen Verkapselungsstruktur ohne Kavität gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Aufdrücken des Capglases auf den OLED-Schichtstapel verhindert, und damit eine mögliche Beschädigung der OLED durch das Capglas .
Die hierin beschriebenen Ausführungsbeispiele können beliebig weiter variiert werden. Es ist weiterhin zu berücksichtigen, dass sich die Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt, sondern weitere, hier nicht aufgeführte Ausgestaltungen und Ausführungen zulässt.

Claims

Patentansprüche
1. Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches
Bauelement, aufweisend:
· eine Dünnschichtverkapselung zum Schutz des
optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen ;
• eine auf der Dünnschichtverkapselung ausgebildete KlebeSchicht ;
· eine auf der Klebeschicht ausgebildete Deckschicht zum Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung
wobei die Klebeschicht so ausgebildet ist, dass an der Oberfläche der Dünnschichtverkapselung befindliche
Partikelverunreinigungen von der Klebeschicht zumindest teilweise umschlossen sind.
2. Verkapselungsstruktur gemäß Anspruch 1,
wobei die Klebeschicht ein aushärtbares Klebematerial aufweist .
3. Verkapselungsstruktur gemäß Anspruch 2,
wobei das aushärtbare Klebematerial als UV-aushärtendes
Klebematerial ausgebildet ist.
4. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Klebeschicht so ausgebildet ist, dass die Partikelverunreinigungen vollständig in der Klebeschicht eingebettet sind.
5. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Klebeschicht eine Schichtdicke von ungefähr 1 ym bis ungefähr 500 ym aufweist.
6. Verkapselungsstruktur gemäß Anspruch 5,
wobei die Klebeschicht eine Schichtdicke von ungefähr 10 ym bis ungefähr 100 ym aufweist.
7. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Deckschicht eine Glasschicht aufweist.
8. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Deckschicht eine Folie aufweist.
9. Verkapselungsstruktur gemäß Anspruch 8,
wobei die Folie als Wärmeleitfolie eingerichtet ist.
10. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Deckschicht eine Lackschicht aufweist.
11. Verkapselungsstruktur gemäß Anspruch 10,
wobei die Lackschicht einen polyakrylischen Schutzlack aufweist .
12. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11,
wobei auf oder über der Deckschicht eine Wärmeleitfolie aufgebracht ist.
13. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12,
wobei auf oder über der Deckschicht mindestens eine Lichtauskoppelschicht aufgebracht ist.
14. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13,
wobei die Dünnschichtverkapselung einen Schichtstapel aufweist, welcher mindestens eine erste
Barrierendünnschicht und eine auf der ersten
Barrierendünnschicht ausgebildete zweite
Barrierendünnschicht aufweist.
15. Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14,
wobei die Klebeschicht Streupartikel aufweist, welche in der Klebeschicht eingebettet sind.
16. Verkapselungsanordnung, aufweisend:
• ein optoelektronisches Bauelement mit mindestens
einer Funktionsschicht;
· eine auf oder über der mindestens einen
Funktionsschicht ausgebildete Verkapselungsstruktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16.
17. Verkapselungsanordnung gemäß Anspruch 16,
wobei das optoelektronische Bauelement ein organisches optoelektronisches Bauelement ist.
Verfahren zum Verkapseln eines optoelektronischen
Bauelementes, das Verfahren aufweisend:
• Ausbilden einer Dünnschichtverkapselung auf oder
über einem optoelektronischen Bauelement zum Schutz des optoelektronischen Bauelements vor chemischen Verunreinigungen ;
• Ausbilden einer Klebeschicht auf der
Dünnschichtverkapselung;
• Ausbilden einer Deckschicht auf der Klebeschicht zu Schutz der Dünnschichtverkapselung und/oder des optoelektronischen Bauelements vor mechanischer Beschädigung .
Verfahren gemäß Anspruch 19,
wobei die Dünnschichtverkapselung auf oder über einer Funktionsschicht des optoelektronischen Bauelements ausgebildet wird.
20. Verfahren gemäß Anspruch 18 oder 19,
wobei das optoelektronische Bauelement ein organisches optoelektronisches Bauelement ist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 18 bis 20,
wobei das Ausbilden der Klebeschicht und der Deckschicht aufweist :
• Aufbringen der Klebeschicht auf der
Dünnschichtverkapselung und Aufbringen der Deckschicht auf der Klebeschicht nach dem Aufbringen der Klebeschicht; oder
• Aufbringen der Klebeschicht auf der Deckschicht und Aufbringen der Deckschicht mit der darauf
aufgebrachten Klebeschicht auf der
Dünnschichtverkapselung, so dass die Klebeschicht zwischen der Dünnschichtverkapselung und der Deckschicht angeordnet ist.
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