WO2012148228A3 - 초소형 led 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 초소형 LED 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 도전성 반도체층; 상기 제1 도전성 반도체층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 제2 도전성 반도체층을 포함하는 마이크로 또는 나노 크기의 반도체 발광소자를 포함하되, 상기 반도체 발광소자는 외주면에 코팅된 절연피막을 포함하는 초소형 LED 소자 및, 1) 기판위에 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 2) 상기 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층을 LED 소자의 직경이 나노 또는 마이크로 크기를 가지도록 식각하는 단계; 및 3) 상기 제1 도전성 반도체층, 활성층 및 제2 도전성 반도체층의 외주면에 절연피막을 형성하고 상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는 초소형 LED 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노 또는 마이크로 사이즈의 초소형 LED 소자를 탑-다운 방식과 바텀-업 방식을 조합하여 효과적으로 생산하고, 생산되는 초소형 LED 소자의 표면결함을 방지하여 발광효율을 개선할 수 있다.
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