WO2012141210A1 - 感光性有機粒子 - Google Patents

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photosensitive composition
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meth
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高広 岸岡
真紀子 梅嵜
木村 茂雄
裕和 西巻
智也 大橋
友輝 臼井
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日産化学工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive composition containing water-soluble organic fine particles capable of photopatterning, and a patterning method using the same.
  • organic fine particles that polymerize monomers consisting of hydrophilic monomers, (meth) acrylamide monomers, and crosslinkable unsaturated monomers (eg, polyacrylate compounds) in a solvent that dissolves the monomers but does not dissolve the resulting polymer.
  • a method is disclosed (see Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • the crosslinkable unsaturated monomer is a monomer that undergoes intramolecular crosslinking, and a dispersion of crosslinked particles (polymer) is formed by the above production method.
  • the hydrophilic monomer is considered to exhibit the effect of stabilizing the dispersion of the produced polymer (fine particles).
  • the obtained polymer is 0.03 to 1 ⁇ m, and it becomes possible to form a coating film excellent in hydrophilicity by coating a composition using these hydrophilic organic fine particles on a substrate.
  • Application to hydrophilizing agents, liquid crystal spacers, column fillers, antifouling paints, etc. is being studied.
  • the present invention provides a photosensitive composition capable of photopatterning.
  • the present invention is a photosensitive composition comprising water-soluble organic particles and a solvent, wherein the solvent is a poor solvent for the water-soluble organic particles.
  • the photosensitive composition of the present invention is applied to a substrate and dried to form a photosensitive film, and a material capable of pattern formation by exposure and development, and a patterning method thereof are provided.
  • the present invention includes, as a first aspect, a photosensitive composition containing water-soluble organic particles and a solvent, wherein the solvent is a poor solvent for the water-soluble organic particles,
  • the water-soluble organic particles include a unit structure (A) for forming organic particles, a unit structure (B) for forming crosslinks between particles, and a unit structure (C) for imparting dispersibility.
  • the photosensitive composition according to the first aspect comprising a polymer, wherein the composition further contains a photoacid generator
  • the water-soluble organic particles include a unit structure (A) for forming organic particles, a unit structure (B) for forming crosslinks between particles, a unit structure (C) for imparting dispersibility, and light.
  • the photosensitive composition according to the first aspect comprising a polymer containing a unit structure (D) having an acid generating group
  • the monomer that forms the unit structure (A) is (meth) acrylic acid amide, N-alkyl (meth) acrylic acid amide, or N-aryl (meth) acrylic acid amide.
  • the photosensitive composition according to the third aspect is N-hydroxyalkyl (meth) acrylic acid amide, N-hydroxyaryl (meth) acrylic acid amide, N-alkoxyalkyl (meth) acrylic acid amide, N-alkoxyaryl (meth) acrylic acid amide, hydroxyalkyl (meth) acrylate, hydroxyaryl (meth) acrylate, alkoxyalkyl (meth) acrylate, or alkoxyaryl (meth) acrylate, the second aspect or The photosensitive composition according to the third aspect, As a sixth aspect, the photosensitive composition according to the second aspect or the third aspect, wherein the monomer forming the unit structure (C) is a compound obtained by esterifying (meth) acrylic acid with a polyether, As a seventh aspect, the water-soluble organic particles have a unit structure (A): unit structure (B): unit structure (C) in a molar ratio of 1: 0.
  • the water-soluble organic particles have a unit structure (A): unit structure (B): unit structure (C): unit structure (D) in a molar ratio of 1: 0.01 to 3.00: 0.
  • the photosensitive composition according to any one of the third to sixth aspects which is contained at a ratio of 0.1 to 3.00
  • the poor solvent is a solvent containing ether, ester, hydrocarbon, ketone, aldehyde, or alcohol
  • the poor solvent is a solvent containing propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, ethanol, propanol, isopropanol, or butanol.
  • Photosensitive composition according to as an eleventh aspect the photosensitive composition according to any one of the first to tenth aspects is applied to a substrate and dried to form a photosensitive film, and the film is exposed through a mask.
  • a pattern forming method including a step and a step of developing with a developer;
  • the pattern forming method according to the eleventh aspect further comprising a step of heating after the exposing step,
  • a thirteenth aspect relates to the pattern forming method according to the eleventh aspect or the twelfth aspect, in which the developer is water or an aqueous medium.
  • the photosensitive composition of the present invention contains water-soluble organic particles and a solvent that is a poor solvent for the organic particles, that is, the water-soluble organic particles exist as organic particles without dissolving in the solvent.
  • the photosensitive composition of the present invention is a composition having good dispersibility of water-soluble organic particles without using a dispersion stabilizer, and is uniform on the substrate without being affected by the use of the dispersion stabilizer.
  • a photosensitive film can be formed.
  • the water-soluble organic particles do not dissolve in the poor solvent of the photosensitive composition but maintain the particle property, but dissolve in a developer (for example, water).
  • the photosensitive composition can be easily developed with a developer such as water (for example, water) by applying the photosensitive composition to a substrate, drying, forming a photosensitive film, and exposing through a mask. Yes, pattern formation is possible. For this reason, for example, by using water-soluble organic particles as biocompatible materials or biocompatible materials, it is possible to photo-pattern biocompatible organic particles. For example, if the pattern portion can suppress protein absorption, the cell culture can be controlled by patterning.
  • the photosensitive composition of the present invention can be expected to be applied to medical devices such as cell culture substrates, biochips, biosensors, and microarray chips.
  • FIG. 1 is a diagram showing a 500 ⁇ m ⁇ 500 ⁇ m square pattern formed on a silicon wafer using the photosensitive composition 1 prepared in Example 1.
  • FIG. 2 is a diagram showing an optical micrograph of a 500 ⁇ m ⁇ 500 ⁇ m square pattern formed on a silicon wafer using the photosensitive composition 1 prepared in Example 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing an SEM photograph of a 500 ⁇ m ⁇ 500 ⁇ m square pattern light irradiation part formed on a silicon wafer using the photosensitive composition 1 prepared in Example 1.
  • FIG. 4 is a view showing an SEM photograph of an unirradiated portion of a 500 ⁇ m ⁇ 500 ⁇ m square pattern formed on a silicon wafer using the photosensitive composition 1 prepared in Example 1.
  • the present invention is a photosensitive composition
  • a photosensitive composition comprising water-soluble organic particles and a solvent, wherein the solvent is a poor solvent for the water-soluble organic particles.
  • the water-soluble organic particles are particles obtained by forming a water-soluble organic resin, and preferably have a unit structure (A) for forming organic particles, a unit structure (B) for forming cross-links between particles, and imparting dispersibility.
  • the photosensitive composition further contains a photoacid generator.
  • the water-soluble organic particles preferably include a unit structure (A) for forming organic particles, a unit structure (B) for forming crosslinks between particles, a unit structure (C) for imparting dispersibility, and a photoacid. It consists of a polymer containing the unit structure (D) which has a generating group.
  • the unit structure (B) forms a cross-link between organic particles by a photoacid generator by exposure light during exposure or an acid generated from a photoacid generating group in the unit structure (D), and a developer is used in a later development process. It has a role of forming a pattern without being removed by the above. Further, the portion that has not been irradiated with the exposure light is removed by the developer without being crosslinked.
  • the unit structure (C) is a unit structure having a role necessary for developing good dispersibility without causing aggregation of organic particles in a poor solvent of the photosensitive composition.
  • the unit structure (A) is a unit structure for particle formation, and the unit structure (B) and the unit structure (C), and in some cases, the unit structure (D) are arranged at appropriate intervals in the organic particles. It is a unit structure that also plays a role.
  • the organic particle contained in the photosensitive composition of this invention is comprised by the polymer containing the unit structure which bears each of these characteristics.
  • Examples of the monomer that forms the unit structure (A) for forming organic particles include (meth) acrylic acid amide, N-alkyl (meth) acrylic acid amide, N-aryl (meth) acrylic acid amide, and the like.
  • (meth) acrylic acid represents both methacrylic acid and acrylic acid.
  • alkyl group in the N-alkyl (meth) acrylic acid amide examples include alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, cyclopropyl group, n -Butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, cyclobutyl group, 1-methyl-cyclopropyl group, 2-methyl-cyclopropyl group, n-pentyl group, 1-methyl-n-butyl Group, 2-methyl-n-butyl group, 3-methyl-n-butyl group, 1,1-dimethyl-n-propyl group, 1,2-dimethyl-n-propyl group, 2,2-dimethyl-n- Propyl group, 1-ethyl-n-propyl group, cyclopentyl group, 1-methyl-cyclobutyl group, 2-methyl-cyclobutyl group, 3-
  • aryl group in the N-aryl (meth) acrylic amide examples include aryl groups having 6 to 30 carbon atoms, such as a phenyl group, an o-methylphenyl group, an m-methylphenyl group, a p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, m-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-fluorophenyl group, p-fluorophenyl group, o-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, p-nitrophenyl group, p- Cyanophenyl group, ⁇ -naphthyl group, ⁇ -naphthyl group, o-biphenylyl group, m-biphenylyl group, p-biphenylyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-
  • the monomer that forms the unit structure (B) for the formation of cross-links between particles is a unit structure having a hydroxy group that forms cross-links between particles, such as N-hydroxyalkyl (meth) acrylic acid amide, N-hydroxyaryl.
  • Examples include alkoxyalkyl and alkoxyaryl (meth) acrylate.
  • alkyl group and aryl group in the compound those mentioned as the alkyl group in the above-mentioned N-alkyl (meth) acrylic acid amide and the aryl group in N-aryl (meth) acrylic acid amide can be used.
  • alkoxy group examples include alkoxy groups having 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, s-butoxy group, t- Butoxy group, n-pentoxy group, 1-methyl-n-butoxy group, 2-methyl-n-butoxy group, 3-methyl-n-butoxy group, 1,1-dimethyl-n-propoxy group, 1,2- Dimethyl-n-propoxy group, 2,2-dimethyl-n-propoxy group, 1-ethyl-n-propoxy group, n-hexyloxy group, 1-methyl-n-pentyloxy group, 2-methyl-n-pentyl Oxy group, 3-methyl-n-pentyloxy group, 4-methyl-n-pentyloxy group, 1,1-dimethyl-n-butoxy group, 1,2-dimethyl-n-butoxy group, 1,3-di Til-n-butoxy
  • Examples of the monomer forming the unit structure (C) for imparting dispersibility include a unit structure formed from a compound obtained by esterifying (meth) acrylic acid with a polyether.
  • This compound is a compound obtained by esterifying the carboxyl group of (meth) acrylic acid with a polyether.
  • the polyether is a compound in which a large number of oxyalkylene units are linked, and the degree of polymerization thereof is, for example, 10 to 200, or 20 to 120.
  • This unit structure (C) is capable of grafting a polymer, and contributes to the good dispersibility exhibited when the produced polymer is converted into organic particles.
  • alkylene group in an oxyalkylene unit the alkylene group induced
  • ethylene and propylene can be used conveniently.
  • the end of the polyether is an alkyl group bonded to an oxygen atom of an ether bond, and the above-described alkyl group is exemplified.
  • a methyl group can be preferably used.
  • unit structure (C) examples include unit structures formed from compounds represented by the following formulas (C-1) and (C-2).
  • R 1 represents an alkylene group of the oxyalkylene unit
  • R 2 represents the terminal alkyl group
  • n represents the degree of polymerization of the oxyalkylene unit and is, for example, 10 to 200, or 20 to 120.
  • a compound represented by the above formula (C-1) a compound in which the carboxyl group of acrylic acid is esterified with a polyether composed of oxyethylene having a polymerization degree of 90 and the terminal is a methyl group is commercially available from NOF Corporation.
  • the names Bremer PME4000 and PME1000 are commercially available.
  • the photosensitive composition further contains a photoacid generator described in detail below.
  • the photoacid generator shown below forms a unit structure (D) having a photoacid generator group by bonding a part of the photoacid generator with a polymer unit structure (for example, acryloyl group or methacryloyl group). It can be used as a sulmonomer.
  • Examples of the photoacid generator used in the photosensitive composition of the present invention include onium salt compounds, sulfonimide compounds, and disulfonyldiazomethane compounds.
  • diphenyliodonium hexafluorophosphate As onium salt compounds effective for KrF excimer laser (wavelength 248 nm) and ArF excimer laser (wavelength 193 nm), diphenyliodonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoronormalbutanesulfonate, diphenyliodonium perfluoronormaloctanesulfonate Iodonium salt compounds such as diphenyliodonium camphorsulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium camphorsulfonate and bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, and triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium Nonafluorono
  • sulfonimide compounds include N- (trifluoromethanesulfonyloxy) succinimide, N- (nonafluoronormalbutanesulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide and N- (trifluoromethanesulfonyloxy) naphthalimide. Can be mentioned.
  • disulfonyldiazomethane compounds effective for KrF excimer laser (wavelength 248 nm) and ArF excimer laser (wavelength 193 nm) include, for example, bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, Examples thereof include bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylbenzenesulfonyl) diazomethane, and methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane.
  • photoacid generators for g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm), and i-line (wavelength 365 nm) compounds represented by the following chemical formulas (2-1) to (2-5) are used. Can be used.
  • the above photoacid generator can be used in combination with the following other photoacid generators in less than 50% by mass of the total photoacid generator.
  • specific examples of such other photoacid generators include triazine compounds, acetophenone derivative compounds, disulfone compounds, diazomethane compounds, sulfonic acid derivative compounds, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts, triarylphosphonium salts, Although an iron arene complex etc. can be used, it is not limited to these.
  • diphenyliodonium chloride diphenyliodonium mesylate, diphenyliodonium tosylate, diphenyliodonium bromide, diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, bis (p-tert- Butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium mesylate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium tosylate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis ( p-tert-butylphenyl) iodonium chloride, bis (p-chlorophenyl) iodonium chloride, bis (p-
  • photoacid generators for g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm) and i-line (wavelength 365 nm) are represented by the following chemical formulas (2-6) to (2-69). Compounds can be used.
  • photoacid generator Only one type of photoacid generator can be used, or two or more types can be used in combination.
  • preferred examples of the water-soluble organic particles include polymers containing combinations of unit structures represented by the following formulas (1) to (7).
  • azobisisobutyronitrile or the like may be used as a polymerization initiator. It can.
  • This polymerization is radical polymerization, and the compound that forms the unit structure (A) to unit structure (D) dissolves, but becomes a poor solvent for the water-soluble organic particles formed after the polymerization.
  • Polymerization is carried out in a solvent.
  • the polymerization temperature is, for example, 60 to 180 ° C. or the reflux temperature of the solvent, and the polymerization time can be performed, for example, from 0.1 to 6 hours.
  • the above-mentioned water-soluble organic particles preferably have a particle size in the range of 10 to 1500 nm, 50 to 1000 nm, or 100 to 800 nm.
  • the solvent used in the present invention is a poor solvent for water-soluble organic particles, that is, does not substantially dissolve the water-soluble organic particles, and dissolves the photoacid generator. Moreover, a solvent with high coating property is preferable.
  • solvents include solvents containing ethers, esters, hydrocarbons, ketones, aldehydes, or alcohols, such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, methyl.
  • solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • solvent in the present invention propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, ethanol, propanol, isopropanol, or butanol is preferable, and propylene glycol monomethyl ether can be particularly preferably used.
  • the solid content in the photosensitive composition of the present invention is, for example, 0.1 to 30% by mass, or 0.1 to 20% by mass, or 1 to 10% by mass. Solid content is what remove
  • the proportion of the water-soluble organic particles in the solid content is, for example, 70 to 100% by mass, or 80 to 99.5% by mass, or 80 to 90% by mass when the water-soluble organic particles have a photoacid generating group. It is. In the case where the water-soluble organic particles do not have a photoacid generating group and separately contain a photoacid generator, the proportion of the water-soluble organic particles in the solid content is, for example, 70 to 99.9% by mass. Or 80 to 95% by mass, or 80 to 98% by mass, and the photoacid generator can be contained in a solid content in a proportion of 0.1 to 20% by mass, or 1 to 10% by mass.
  • the photosensitive composition of the present invention may contain other additives generally added to the photosensitive composition such as a surfactant as other components.
  • the photosensitive composition according to the present invention can contain a basic compound.
  • An amine can be illustrated as a basic compound.
  • a basic compound such as an amine can react with a photoacid generating group or an acid generated from a photoacid generator at the time of exposure to reduce the sensitivity of the photosensitive coating. Further, it is possible to suppress the diffusion of the acid generated from the photoacid generating group in the photosensitive film of the exposed portion or the photoacid generator to the photosensitive coating in the unexposed portion.
  • the amine is not particularly limited.
  • tertiary amines such as isopropanolamine, phenyldiethanolamine, stearyldiethanolamine and diazabicyclooctane
  • aromatic amines such as pyridine and 4-dimethylaminopyridine.
  • primary amines such as benzylamine and normal butylamine, and secondary amines such as diethylamine and dinormalbutylamine are also included.
  • Amine can be used alone or in combination of two or more.
  • the content thereof is 0.001 to 5 parts by mass, for example 0.01 to 1 part by mass, or 0.1 to 0.1 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the solid content of the photosensitive composition. 0.5 parts by mass. If the amine content is greater than the above value, the sensitivity may be too low.
  • the photosensitive composition of the present invention is applied to various substrates (for example, a glass substrate, a ceramic substrate, a plastic substrate, a silicon wafer, etc.) as a base material by an appropriate application method such as a spinner or a coater, and then fired.
  • a photosensitive film is formed.
  • the firing conditions are appropriately selected from firing temperatures of 50 ° C. to 100 ° C. and firing times of 0.1 minutes to 10 minutes.
  • the firing temperature is 60 ° C. to 90 ° C.
  • the firing time is 1 to 5 minutes.
  • the film thickness of the formed photosensitive film is several nm to several ⁇ m.
  • Exposure uses g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm), i-line (wavelength 365 nm), KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F2 excimer laser (wavelength 157 nm), etc. can do.
  • post-exposure bake can be performed as necessary.
  • the post-exposure heating is performed under conditions appropriately selected from a heating temperature of 100 ° C. to 200 ° C. and a heating time of 1 to 20 minutes.
  • the photosensitive coating obtained from the photosensitive composition is a negative resist, and the exposed portion undergoes a dehydration reaction of hydroxy groups by the acid from the photoacid generator, thereby causing cross-linking between the particles. Occurs to form a crosslinked structure and becomes insoluble in the developer.
  • the developer is water or an aqueous medium.
  • the aqueous medium has a pH near neutral and can also contain additives such as surfactants. However, pure water can be preferably used.
  • Synthesis example 1 5.5 g of acrylamide, 1.5 g of N-hydroxymethyl acrylamide, 1.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 1.5 g of Blemmer PME4000 (trade name, manufactured by NOF Corporation) and 0.13 g of azobisisobutyronitrile.
  • a mixture dissolved in 14.4 g of propylene glycol monomethyl ether was dropped into 24.1 g of propylene glycol monomethyl ether heated to reflux over 2 hours.
  • the obtained dispersion having a solid content of 20% is milky white, and the water-soluble organic particles are particles composed of a polymer corresponding to the polymer having a unit structure represented by the above formula (4).
  • the particle size was 300 to 500 nm (according to SEM observation).
  • Synthesis example 2 5.5 g of acrylamide, 1.5 g of N-hydroxymethylacrylamide, 1.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 0.5 g of Blemmer PME4000 (trade name, manufactured by NOF Corporation) and 0.13 g of azobisisobutyronitrile.
  • a mixture dissolved in 12.9 g of propylene glycol monomethyl ether was dropped into 21.6 g of propylene glycol monomethyl ether heated to reflux over 2 hours.
  • the obtained dispersion having a solid content of 20% is milky white, and the water-soluble organic particles are particles composed of a polymer corresponding to the polymer having a unit structure represented by the above formula (4).
  • the particle size was 500 to 800 nm (according to SEM observation).
  • Synthesis example 3 5.5 g of acrylamide, 1.5 g of N-hydroxymethyl acrylamide, 1.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 3.0 g of Blemmer PME4000 (trade name, manufactured by NOF Corporation) and 0.13 g of azobisisobutyronitrile.
  • a mixture dissolved in 16.7 g of propylene glycol monomethyl ether was dropped into 27.8 g of propylene glycol monomethyl ether heated to reflux over 2 hours.
  • the obtained dispersion having a solid content of 20% is milky white, and the water-soluble organic particles are particles composed of a polymer corresponding to the polymer having a unit structure represented by the above formula (4).
  • the particle size was 100 to 200 nm (according to SEM observation).
  • Synthesis example 4 5.5 g of acrylamide, 1.5 g of N-hydroxymethylacrylamide, 1.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 1.5 g of Blemmer PME1000 (trade name, manufactured by NOF Corporation) and 0.13 g of azobisisobutyronitrile
  • a mixture dissolved in 14.4 g of propylene glycol monomethyl ether was dropped into 24.1 g of propylene glycol monomethyl ether heated to reflux over 2 hours.
  • the obtained dispersion having a solid content of 20% is milky white, and the water-soluble organic particles are particles composed of a polymer corresponding to the polymer having a unit structure represented by the above formula (5).
  • the particle size was 100 to 300 nm (according to SEM observation).
  • Synthesis example 5 5.5 g of acrylamide, 1.5 g of N-methoxymethylmethacrylamide, 1.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 1.5 g of Blemmer PME4000 (trade name, manufactured by NOF Corporation) and 0.13 g of azobisisobutyronitrile was added dropwise to 24.1 g of propylene glycol monomethyl ether heated to reflux over 2 hours.
  • the obtained dispersion having a solid content of 20% is milky white, and the water-soluble organic particles are particles composed of a polymer corresponding to the polymer having a unit structure represented by the above formula (6).
  • the particle size was 300 to 500 nm (according to SEM observation).
  • Synthesis Example 6 5.5 g of acrylamide, 1.5 g of N-hydroxymethyl acrylamide, 1.5 g of Bremer PME4000 (trade name, manufactured by NOF Corporation) and 0.13 g of azobisisobutyronitrile are dissolved in 15.0 g of propylene glycol monomethyl ether. The resulting mixture was dropped into 25.0 g of propylene glycol monomethyl ether heated to reflux over 2 hours. The obtained dispersion having a solid content of 20% is milky white, and the water-soluble organic particles are particles made of a polymer corresponding to the polymer having a unit structure represented by the above formula (1). The particle size was 300 to 500 nm (according to SEM observation).
  • Synthesis example 7 5.5 g of acrylamide, 1.5 g of N-hydroxymethyl acrylamide, 1.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, 1.5 g of Bremer PME4000 (trade name, manufactured by NOF Corporation), TPS-IMA (trade name) (generic name) : Triphenylsulfonium 2-methacryloyloxy-1,1-difluoroethanesulfonate (manufactured by Central Glass Co., Ltd.) 0.01 g and azobisisobutyronitrile 0.13 g dissolved in propylene glycol monomethyl ether 14.4 g The solution was added dropwise to 24.1 g of propylene glycol monomethyl ether heated to reflux over 2 hours.
  • the obtained dispersion having a solid content of 20% is milky white, and the water-soluble organic particles are particles made of a polymer corresponding to the polymer having the unit structure represented by the above formula (7).
  • the particle size was 300 to 500 nm (according to SEM observation).
  • Example 1 To 2 g of the dispersion obtained in Synthesis Example 1, 0.01 g of a photoacid generator PAI-1001 (trade name, a compound represented by the formula (2-35) manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.), propylene glycol monomethyl ether 18. 8 g was added to obtain a dispersion (photosensitive composition 1).
  • a photoacid generator PAI-1001 (trade name, a compound represented by the formula (2-35) manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.), propylene glycol monomethyl ether 18. 8 g was added to obtain a dispersion (photosensitive composition 1).
  • Example 2 To 2 g of the dispersion obtained in Synthesis Example 7, 18.8 g of propylene glycol monomethyl ether was added to obtain a dispersion (photosensitive composition 2).
  • Comparative Example 1 To 2 g of the dispersion obtained in Comparative Synthesis Example 1, 0.01 g of a photoacid generator PAI-1001 (trade name, manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.) and 18.8 g of propylene glycol monomethyl ether were added and the dispersion (photosensitive composition 3) was added. ).
  • FIG. 1 shows a square pattern formed using the photosensitive composition 1 prepared in Example 1, FIG.
  • FIG. 2 shows an optical micrograph of the square pattern
  • FIG. 3 shows an SEM photograph of a light irradiation part of the square pattern
  • FIG. 4 shows SEM photographs of the unirradiated portions of the square pattern.
  • the photosensitive compositions 1 and 2 prepared in Example 1 and Example 2 were able to create an organic particle pattern in the optical microscope and SEM observation, but the photosensitive composition 3 prepared in Comparative Example 1 was on a silicon wafer. Since the organic particles supported on the surface were originally insoluble in water, patterning could not be performed by development with water.
  • the photosensitive composition of the present invention is a material that can be applied to a substrate and dried to form a photosensitive film, which can be patterned by exposure and development, and can be patterned.

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Abstract

【課題】感光性組成物を基材に塗布し乾燥し、感光性被膜を形成し、露光と現像によるパターン形成が可能な材料と、そのパターニング方法を提供する。 【解決手段】水溶性有機粒子及び溶媒を含み、該溶媒が水溶性有機粒子に対して貧溶媒である感光性組成物。好ましくは水溶性有機粒子が、有機粒子形成のための単位構造(A)、粒子間架橋形成のための単位構造(B)、及び分散性付与のための単位構造(C)を含むポリマーからなり、更に該組成物が光酸発生剤を含む、前記感光性組成物。或いは水溶性有機粒子が、有機粒子形成のための単位構造(A)、粒子間架橋形成のための単位構造(B)、分散性付与のための単位構造(C)、及び光酸発生基を有する単位構造(D)を含むポリマーからなる、前記感光性組成物。また前記感光性組成物を基材に塗布し乾燥し、感光性被膜を形成する工程、マスクを介して該被膜を露光する工程、及び現像液で現像する工程を含むパターン形成方法。

Description

感光性有機粒子
 本願発明は光パターニング可能な水溶性有機微粒子を含む感光性組成物、及びそれを用いたパターニング方法に関する。
 従来から親水性モノマー、(メタ)アクリルアミド系モノマー、及び架橋性不飽和モノマー(例えばポリアクリレート化合物)からなるモノマーを、モノマーは溶解するが生成するポリマーは溶解しない溶媒中で重合する有機微粒子の製造方法が開示されている(特許文献1及び特許文献2を参照)。
 上記文献において、架橋性不飽和モノマーは分子内架橋を行うモノマーであり、上記製造方法により架橋された粒子(ポリマー)の分散液が形成される。これらモノマーの中で親水性モノマーは生成重合体(微粒子)の分散安定化の効果を示すものと考えられる。得られるポリマーは0.03~1μmであり、これらの親水性有機微粒子を用いた組成物を基材に被覆することにより、親水性に優れた被膜を形成することが可能となり、該組成物は親水化処理剤、液晶スペーサ、カラム充填材、耐汚染性塗料などへの利用が検討されている。
特開平8-003251号公報 特開平8-120003号公報
 本願発明は光パターニング可能な感光性組成物を提供する。本願発明は水溶性有機粒子及び溶媒を含み、該溶媒が水溶性有機粒子に対して貧溶媒である感光性組成物である。
 本願発明の感光性組成物を基材に塗布し乾燥し、感光性被膜を形成し、露光と現像によるパターン形成が可能な材料と、そのパターニング方法を提供する。
 すなわち本願発明は、第1観点として、水溶性有機粒子及び溶媒を含み、該溶媒が水溶性有機粒子に対して貧溶媒である感光性組成物、
 第2観点として、水溶性有機粒子が、有機粒子形成のための単位構造(A)、粒子間架橋形成のための単位構造(B)、及び分散性付与のための単位構造(C)を含むポリマーからなり、前記組成物が更に光酸発生剤を含む、第1観点に記載の感光性組成物、
 第3観点として、水溶性有機粒子が、有機粒子形成のための単位構造(A)、粒子間架橋形成のための単位構造(B)、分散性付与のための単位構造(C)、及び光酸発生基を有する単位構造(D)を含むポリマーからなる、第1観点に記載の感光性組成物、
 第4観点として、上記単位構造(A)を形成するモノマーが、(メタ)アクリル酸アミド、N-アルキル(メタ)アクリル酸アミド、又はN-アリール(メタ)アクリル酸アミドである、第2観点又は第3観点に記載の感光性組成物、
 第5観点として、上記単位構造(B)を形成するモノマーが、N-ヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸アミド、N-ヒドロキシアリール(メタ)アクリル酸アミド、N-アルコキシアルキル(メタ)アクリル酸アミド、N-アルコキシアリール(メタ)アクリル酸アミド、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアリール、(メタ)アクリル酸アルコキシアルキル、又は(メタ)アクリル酸アルコキシアリールである、第2観点又は第3観点に記載の感光性組成物、
 第6観点として、上記単位構造(C)を形成するモノマーが、(メタ)アクリル酸をポリエーテルによりエステル化した化合物である、第2観点又は第3観点に記載の感光性組成物、
 第7観点として、水溶性有機粒子が、単位構造(A):単位構造(B):単位構造(C)をモル比で、1:0.01~3.00:0.0001~0.1の割合で含有するものである、第2観点乃至第6観点のいずれか1項に記載の感光性組成物、
 第8観点として、水溶性有機粒子が、単位構造(A):単位構造(B):単位構造(C):単位構造(D)をモル比で、1:0.01~3.00:0.0001~0.1:0.1~3.00の割合で含有するものである、第3観点乃至第6観点のいずれか1項に記載の感光性組成物、
 第9観点として、貧溶媒がエーテル、エステル、炭化水素、ケトン、アルデヒド、又はアルコールを含む溶媒である、第1観点乃至第8観点のいずれか1項に記載の感光性組成物、
 第10観点として、貧溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、又はブタノールを含む溶媒である、第1観点乃至第8観点のいずれか1項に記載の感光性組成物、
 第11観点として、第1観点乃至第10観点のいずれか1項に記載の感光性組成物を基材に塗布し乾燥し、感光性被膜を形成する工程、マスクを介して該被膜を露光する工程、及び現像液で現像する工程を含むパターン形成方法、
 第12観点として、露光する工程の後、加熱を行う工程を更に含む、第11観点に記載のパターン形成方法、
 第13観点として、現像液が水、又は水性媒体である、第11観点又は第12観点に記載のパターン形成方法、に関する。
 本発明の感光性組成物は、水溶性有機粒子と該有機粒子にとって貧溶媒となる溶媒を含有し、すなわち該水溶性有機粒子は溶媒に溶解することなく有機粒子として存在する。そして本発明の感光性組成物は、分散安定剤を使用することなく水溶性有機粒子の分散性が良好な組成物であり、分散安定剤の使用による影響を受けることなく、基材上に均一な感光性被膜を形成することができる。
 また本発明の感光性組成物において、上記水溶性有機粒子は感光性組成物の貧溶媒中では溶解せずに粒子性を保っているが、現像液(例えば水)では溶解する。このため、上記感光性組成物を基材に塗布し、乾燥し、感光性被膜を形成し、マスクを介して露光を行うことにより、水などの現像液で容易に現像(例えば水)可能であり、パターン形成が可能である。
 このため、例えば水溶性有機粒子を生体適合性材料、又は生体適合性材料を含有するものとすることにより、生体適合性有機粒子を光パターニングすることが可能である。このパターンは例えばパターン部分がタンパク質の吸収を抑制できれば、細胞培養をパターニングによりコントロールすることが可能となる。
 この様に本発明の感光性組成物は、細胞培養基材、バイオチップ、バイオセンサー、マイクロアレイチップなどの医療用機器への適用が期待できる。
図1は、実施例1で調製した感光性組成物1を用いてシリコンウエハ上に形成した500μm×500μmのスクエアパターンを示す図である。 図2は、実施例1で調製した感光性組成物1を用いてシリコンウエハ上に形成した500μm×500μmのスクエアパターンの光学顕微鏡写真を示す図である。 図3は、実施例1で調製した感光性組成物1を用いてシリコンウエハ上に形成した500μm×500μmのスクエアパターンの光照射部のSEM写真を示す図である。 図4は、実施例1で調製した感光性組成物1を用いてシリコンウエハ上に形成した500μm×500μmのスクエアパターンの未照射部のSEM写真を示す図である。
 本願発明は水溶性有機粒子及び溶媒を含み、該溶媒が水溶性有機粒子に対して貧溶媒である感光性組成物である。
 前記水溶性有機粒子は、水溶性有機樹脂が粒子化したものであり、好ましくは有機粒子形成のための単位構造(A)、粒子間架橋形成のための単位構造(B)、及び分散性付与のための単位構造(C)を含むポリマーからなるものであり、この場合、上記感光性組成物は更に光酸発生剤を含む。
 或いは前記水溶性有機粒子は、好ましくは有機粒子形成のための単位構造(A)、粒子間架橋形成のための単位構造(B)、分散性付与のための単位構造(C)、及び光酸発生基を有する単位構造(D)を含むポリマーからなるものである。
 上記単位構造(B)は露光中に露光光により光酸発生剤、又は単位構造(D)における光酸発生基から発生する酸により有機粒子同士の架橋を形成し、後の現像処理でも現像液により除去されずにパターンを形成する役割を有するものである。また露光光の照射を受けなかった部分は架橋されずに現像液により除去される。
 上記単位構造(C)は感光性組成物の貧溶媒中で、有機粒子同士の凝集を生じずに良好な分散性を発現させるために必要な役割をもつ単位構造である。
 また、単位構造(A)は粒子形成のための単位構造であり、また、有機粒子中において適切な間隔で単位構造(B)と単位構造(C)、場合により更に単位構造(D)を配置させるる役割をも担う単位構造である。
 これらの各特性を担う単位構造を含むポリマーにより、本発明の感光性組成物中に含まれる有機粒子が構成される。
 有機粒子形成のための上記単位構造(A)を形成するモノマーとしては(メタ)アクリル酸アミド、N-アルキル(メタ)アクリル酸アミド、N-アリール(メタ)アクリル酸アミド等が挙げられる。なお本明細書において(メタ)アクリル酸とはメタクリル酸とアクリル酸の双方を表す。
 上記N-アルキル(メタ)アクリル酸アミドにおけるアルキル基としては炭素原子数1~10のアルキル基が挙げられ、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、1,1-ジメチル-n-プロピル基、1,2-ジメチル-n-プロピル基、2,2-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロプロピル基、2,3-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、1,1-ジメチル-n-ブチル基、1,2-ジメチル-n-ブチル基、1,3-ジメチル-n-ブチル基、2,2-ジメチル-n-ブチル基、2,3-ジメチル-n-ブチル基、3,3-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、1,1,2-トリメチル-n-プロピル基、1,2,2-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、1,2-ジメチル-シクロブチル基、1,3-ジメチル-シクロブチル基、2,2-ジメチル-シクロブチル基、2,3-ジメチル-シクロブチル基、2,4-ジメチル-シクロブチル基、3,3-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-i-プロピル-シクロプロピル基、2-i-プロピル-シクロプロピル基、1,2,2-トリメチル-シクロプロピル基、1,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、2,2,3-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基及び2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基等が挙げられる。
 上記N-アリール(メタ)アクリル酸アミドにおけるアリール基としては炭素原子数6~30のアリール基が挙げられ、例えばフェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、o-クロルフェニル基、m-クロルフェニル基、p-クロルフェニル基、o-フルオロフェニル基、p-フルオロフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、p-ニトロフェニル基、p-シアノフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、o-ビフェニリル基、m-ビフェニリル基、p-ビフェニリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基及び9-フェナントリル基等が挙げられる。
 粒子間架橋形成のための上記単位構造(B)を形成するモノマーは、粒子間の架橋形成を行うヒドロキシ基を有する単位構造であり、N-ヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸アミド、N-ヒドロキシアリール(メタ)アクリル酸アミド、N-アルコキシアルキル(メタ)アクリル酸アミド、N-アルコキシアリール(メタ)アクリル酸アミド、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアリール、(メタ)アクリル酸アルコキシアルキル、(メタ)アクリル酸アルコキシアリール等が挙げられる。
 これらに化合物におけるアルキル基やアリール基は上述のN-アルキル(メタ)アクリル酸アミドにおけるアルキル基やN-アリール(メタ)アクリル酸アミドにおけるアリール基として挙げた基を用いることができる。
 アルコキシ基は炭素原子数1~10のアルコキシ基が挙げられ、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、1-メチル-n-ブトキシ基、2-メチル-n-ブトキシ基、3-メチル-n-ブトキシ基、1,1-ジメチル-n-プロポキシ基、1,2-ジメチル-n-プロポキシ基、2,2-ジメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-n-プロポキシ基、n-ヘキシルオキシ基、1-メチル-n-ペンチルオキシ基、2-メチル-n-ペンチルオキシ基、3-メチル-n-ペンチルオキシ基、4-メチル-n-ペンチルオキシ基、1,1-ジメチル-n-ブトキシ基、1,2-ジメチル-n-ブトキシ基、1,3-ジメチル-n-ブトキシ基、2,2-ジメチル-n-ブトキシ基、2,3-ジメチル-n-ブトキシ基、3,3-ジメチル-n-ブトキシ基、1-エチル-n-ブトキシ基、2-エチル-n-ブトキシ基、1,1,2-トリメチル-n-プロポキシ基、1,2,2,-トリメチル-n-プロポキシ基、1-エチル-1-メチル-n-プロポキシ基、及び1-エチル-2-メチル-n-プロポキシ基等が挙げられる。
 分散性付与のための上記単位構造(C)を形成するモノマーとしては、(メタ)アクリル酸をポリエーテルによりエステル化した化合物より形成される単位構造が挙げられる。この化合物は(メタ)アクリル酸のカルボキシル基をポリエーテルでエステル化させた化合物である。ポリエーテルとはオキシアルキレン単位が多数連結したものであり、その重合度は例えば10~200、又は20~120である。この単位構造(C)はポリマーをグラフト化させることができ、生成したポリマーが有機粒子化した時に示す良好な分散性に寄与する。
 また、オキシアルキレン単位におけるアルキレン基としては上述のアルキル基から誘導されるアルキレン基が挙げられ、例えばエチレン、プロピレンが好適に用いることができる。ポリエーテルの末端はエーテル結合の酸素原子に結合したアルキル基であり、上述のアルキル基が例示される。例えばメチル基は好ましく用いることができる。
 このような単位構造(C)としては、下記式(C-1)及び式(C-2)で表される化合物から形成される単位構造を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 式(C-1)及び式(C-2)中、R1は上記オキシアルキレン単位のアルキレン基を表し、R2は上記の末端アルキル基を表す。nはオキシアルキレン単位の重合度を示し、例えば10~200、又は20~120である。
 上記式(C-1)で表される化合物として、アクリル酸のカルボキシル基を重合度90のオキシエチレンからなるポリエーテルでエステル化して末端をメチル基とした化合物は、日油(株)から商品名ブレンマーPME4000、PME1000として市販されている。
 前記水溶性有機粒子が単位構造(A)乃至単位構造(C)を含むポリマーからなるとき、上記感光性組成物は更に下記に詳述する光酸発生剤を含む。
 また以下に示す光酸発生剤は、光酸発生剤の一部をポリマーの単位構造(例えばアクリロイル基や、メタクリロイル基)と結合させることにより、光酸発生基を有する単位構造(D)を形成スルモノマーとして用いることができる。
 本発明の感光性組成物に用いられる光酸発生剤は、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、及びジスルホニルジアゾメタン化合物等が挙げられる。
 KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)に有効なオニウム塩化合物としてはジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロノルマルオクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホネート及びビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート等のヨードニウム塩化合物、及びトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロノルマルブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のスルホニウム塩化合物等が挙げられる。
 スルホンイミド化合物としては、例えばN-(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(ノナフルオロノルマルブタンスルホニルオキシ)スクシンイミド、N-(カンファースルホニルオキシ)スクシンイミド及びN-(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ナフタルイミド等が挙げられる。
 KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)に有効なジスルホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p-トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4-ジメチルベンゼンスルホニル)ジアゾメタン、及びメチルスルホニル-p-トルエンスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。
 また、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)、i線(波長365nm)用の光酸発生剤としては以下の化学式(2-1)~(2-5)で表される化合物を用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 上記の光酸発生剤は、更に以下のその他の光酸発生剤を光酸発生剤全体の50質量%未満で組み合わせて使用することも可能である。それらその他の光酸発生剤としては、具体例としては、トリアジン系化合物、アセトフェノン誘導体化合物、ジスルホン系化合物、ジアゾメタン系化合物、スルホン酸誘導体化合物、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリールホスホニウム塩、鉄アレーン錯体などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。具体的には、例えばジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムメシレート、ジフェニルヨードニウムトシレート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムメシレート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムトシレート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス(p-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムクロリド、ビス(p-クロロフェニル)ヨードニウムクロリド、ビス(p-クロロフェニル)ヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムクロリド、トリフェニルスルホニウムブロミド、トリ(p-メトキシフェニル)スルホニウムテトラフルオロボレート、トリ(p-メトキシフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ(p-エトキシフェニル)スルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルホスホニウムクロリド、トリフェニルホスホニウムブロミド、トリ(p-メトキシフェニル)ホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ(p-メトキシフェニル)ホスホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ(p-エトキシフェニル)ホスホニウムテトラフルオロボレートが挙げられる。
 また、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)、i線(波長365nm)用のその他の光酸発生剤としては以下の化学式(2-6)~(2-69)で表される化合物を用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 光酸発生剤は一種のみを使用することができ、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
 本発明において、水溶性有機粒子の好ましい例として、以下の式(1)乃至式(7)に示す単位構造の組み合わせを含むポリマーが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 本発明において、水溶性有機粒子は前述の単位構造(A)乃至単位構造(C)をモル比で単位構造(A):単位構造(B):単位構造(C)=1:0.01~3.00:0.0001~0.1の割合で含有することができる。
 また、水溶性有機粒子は前述の単位構造(A)乃至単位構造(D)をモル比で単位構造(A):単位構造(B):単位構造(C):単位構造(D)=1:0.01~3.00:0.0001~0.1:0.000001~0.1の割合で含有することができる。
 前記単位構造(A)、単位構造(B)、及び単位構造(C)、場合により更に(D)を含むポリマーを重合する際、重合開始剤として、アゾビスイソブチロニトリル等を用いることができる。
 この重合はラジカル重合であり、上記単位構造(A)乃至単位構造(D)を形成することとなる化合物は溶解するが、重合後に形成される水溶性有機粒子に対して貧溶媒となる後述する溶媒中で重合が行われる。重合温度は例えば、60~180℃、又は溶媒の還流温度であり、重合時間は例えば0.1~6時間で行うことができる。
 上記水溶性有機粒子はその粒子径が10~1500nm、又は50~1000nm、又は100~800nmの範囲とすることが好ましい。
 本発明において用いられる溶媒は、水溶性有機粒子に対して貧溶媒、すなわち水溶性有機粒子を実質的に溶解しないであり、かつ光酸発生剤を溶解するものである。また好ましくは塗布性が高い溶媒が挙げられる。このような溶媒としてはエーテル、エステル、炭化水素、ケトン、アルデヒド、又はアルコールを含む溶媒が挙げられ、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、メチルイソブチルカルビノール、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエテルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸イソプロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸アミル、ギ酸イソアミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸イソプロピル、酪酸ブチル、酪酸イソブチル、ヒドロキシ酢酸エチル、3-メトキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メトキシプロピルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、及びブタノール等を挙げることができる。これらの溶剤は単独で、または二種以上の組み合わせで使用することができる。
 中でも本発明における溶媒として、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、又はブタノールが好ましく、特にプロピレングリコールモノメチルエーテルを好ましく用いることができる。
 本発明の感光性組成物中における固形分は、例えば0.1~30質量%、又は0.1~20質量%、又は1~10質量%である。固形分とは感光性樹脂組成物の全成分から溶媒(貧溶媒)を除いたものである。
 固形分中に占める水溶性有機粒子の割合は、該水溶性有機粒子が光酸発生基を有する場合は、例えば70~100質量%、又は80~99.5質量%、又は80~90質量%である。
 そして、該水溶性有機粒子が光酸発生基を有さず、別途光酸発生剤を含有する場合は、固形分中に占める水溶性有機粒子の割合は、例えば、70~99.9質量%、又は80~95質量%、又は80~98質量%であり、光酸発生剤は固形分中で0.1~20質量%、又は1~10質量%の割合で含有することができる。
 本発明の感光性組成物にはその他の成分として界面活性剤等、感光性組成物に一般に添加されるその他添加剤を含有することができる。
 また本発明に係る感光性組成物は、塩基性化合物を含有することができる。塩基性化合物としてはアミンを例示することができる。塩基性化合物を添加することにより、感光性組成物より形成された感光性被膜の露光時の感度調節を行うことができる。即ち、アミン等の塩基性化合物が露光時に光酸発生基、又は光酸発生剤より発生した酸と反応し、感光性被膜の感度を低下させることが可能である。また、露光部の感光性被膜中の光酸発生基、又は光酸発生剤より生じた酸の未露光部の感光性被膜への拡散を抑えることができる。
 上記アミンとしては、特に制限はないが、例えば、トリエタノールアミン、トリブタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリノルマルプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリノルマルブチルアミン、トリ-tert-ブチルアミン、トリノルマルオクチルアミン、トリイソプロパノールアミン、フェニルジエタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、及びジアザビシクロオクタン等の3級アミンや、ピリジン及び4-ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミンを挙げることができる。更に、ベンジルアミン及びノルマルブチルアミン等の1級アミンや、ジエチルアミン及びジノルマルブチルアミン等の2級アミンも挙げられる。
 アミンは単独または二種以上の組合せで使用することができる。アミンが使用される場合、その含有量としては、感光性組成物の固形分100質量部に対して、0.001乃至5質量部、例えば0.01乃至1質量部、又は、0.1乃至0.5質量部である。アミンの含有量が前記値より大きい場合には、感度が低下しすぎる場合がある。
 以下、本発明の感光性組成物の使用、すなわち該組成物を用いたパターン形成方法について説明する。
 まず基材として各種基板(例えば、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板、シリコンウエハー等)の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明の感光性組成物を塗布し、その後、焼成する(乾燥させる)ことにより感光性被膜を形成する。焼成する条件としては、焼成温度50℃~100℃、焼成時間0.1分~10分間の中から適宜選択される。好ましくは、焼成温度60℃~90℃、焼成時間1~5分間である。ここで、形成される感光性被膜の膜厚としては数nm~数μmである。
 次に、該感光性被膜に対して所定のマスクを介して露光を行う。露光にはg線(波長436nm)、h線(波長405nm)、i線(波長365nm)、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)及びF2エキシマレーザー(波長157nm)等を使用することができる。
 露光後、必要に応じて露光後加熱(post exposure bake)を行なうこともできる。露光後加熱は、加熱温度100℃~200℃、加熱時間1~20分間から適宜選択された条件で行われる。
 次いで、現像液によって現像を行う。本発明において、上記感光性組成物より得られる感光性被膜はネガ型レジストであり、露光された部分は光酸発生剤からの酸によりヒドロキシ基の脱水反応が起こり、これにより粒子間の架橋が起こり架橋構造を形成し、現像液に不溶となる。
 現像液は水、又は水性媒体である。水性媒体は中性付近のpHを有し、界面活性剤等の添加剤も含むこともできる。しかし、純水を好ましく用いることができる。
 以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
合成例1
 アクリルアミド5.5g、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド1.5g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.0g、ブレンマーPME4000(商品名、日油(株)製)1.5gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.13gをプロピレングリコールモノメチルエーテル14.4gに溶解させた混合物を、加熱還流しているプロピレングリコールモノメチルエーテル24.1gの中に2時間かけて滴下した。得られた固形分20%の分散液は乳白色であり、水溶性有機粒子が上記式(4)に示す単位構造を有するポリマーに相当するポリマーからなる粒子であり、得られた水溶性有機粒子の粒子径は300~500nmであった(SEM観察による)。
合成例2
 アクリルアミド5.5g、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド1.5g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.0g、ブレンマーPME4000(商品名、日油(株)製)0.5gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.13gをプロピレングリコールモノメチルエーテル12.9gに溶解させた混合物を、加熱還流しているプロピレングリコールモノメチルエーテル21.6gの中に2時間かけて滴下した。得られた固形分20%の分散液は乳白色であり、水溶性有機粒子が上記式(4)に示す単位構造を有するポリマーに相当するポリマーからなる粒子であり、得られた水溶性有機粒子の粒子径は500~800nmであった(SEM観察による)。
合成例3
 アクリルアミド5.5g、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド1.5g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.0g、ブレンマーPME4000(商品名、日油(株)製)3.0gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.13gをプロピレングリコールモノメチルエーテル16.7gに溶解させた混合物を、加熱還流しているプロピレングリコールモノメチルエーテル27.8gの中に2時間かけて滴下した。得られた固形分20%の分散液は乳白色であり、水溶性有機粒子が上記式(4)に示す単位構造を有するポリマーに相当するポリマーからなる粒子であり、得られた水溶性有機粒子の粒子径は100~200nmであった(SEM観察による)。
合成例4
 アクリルアミド5.5g、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド1.5g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.0g、ブレンマーPME1000(商品名、日油(株)製)1.5gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.13gをプロピレングリコールモノメチルエーテル14.4gに溶解させた混合物を、加熱還流しているプロピレングリコールモノメチルエーテル24.1gの中に2時間かけて滴下した。得られた固形分20%の分散液は乳白色であり、水溶性有機粒子が上記式(5)に示す単位構造を有するポリマーに相当するポリマーからなる粒子であり、得られた水溶性有機粒子の粒子径は100~300nmであった(SEM観察による)。
合成例5
 アクリルアミド5.5g、N-メトキシメチルメタクリルアミド1.5g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.0g、ブレンマーPME4000(商品名、日油(株)製)1.5gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.13gをプロピレングリコールモノメチルエーテル14.4gに溶解させた混合物を、加熱還流しているプロピレングリコールモノメチルエーテル24.1gの中に2時間かけて滴下した。得られた固形分20%の分散液は乳白色であり、水溶性有機粒子が上記式(6)に示す単位構造を有するポリマーに相当するポリマーからなる粒子であり、得られた水溶性有機粒子の粒子径は300~500nmであった(SEM観察による)。
合成例6
 アクリルアミド5.5g、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド1.5g、ブレンマーPME4000(商品名、日油(株)製)1.5gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.13gをプロピレングリコールモノメチルエーテル15.0gに溶解させた混合物を、加熱還流しているプロピレングリコールモノメチルエーテル25.0gの中に2時間かけて滴下した。得られた固形分20%の分散液は乳白色であり、水溶性有機粒子が上記式(1)に示す単位構造を有するポリマーに相当するポリマーからなる粒子であり、得られた水溶性有機粒子の粒子径は300~500nmであった(SEM観察による)。
合成例7
 アクリルアミド5.5g、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド1.5g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.0g、ブレンマーPME4000(商品名、日油(株)製)1.5g、TPS-IMA(商品名)(一般名:トリフェニルスルホニウム2-メタクリロイルオキシ-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、セントラル硝子(株)製)0.01gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.13gをプロピレングリコールモノメチルエーテル14.4gに溶解させた混合物を、加熱還流しているプロピレングリコールモノメチルエーテル24.1gの中に2時間かけて滴下した。得られた固形分20%の分散液は乳白色であり、水溶性有機粒子が上記式(7)に示す単位構造を有するポリマーに相当するポリマーからなる粒子であり、得られた水溶性有機粒子の粒子径は300~500nmであった(SEM観察による)。
比較合成例1
 アクリルアミド10g、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド2.7g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.8g、ブレンマーPME4000(商品名、日油(株)製)2.7g、アクリル酸0.9gおよびアゾビスイソブチロニトリル0.23gをプロピレングリコールモノメチルエーテル30.9gに溶解させた混合物を、加熱還流しているプロピレングリコールモノメチルエーテル31.5gの中に2時間かけて滴下した。得られた固形分20%の分散液は乳白色であり、有機粒子が下記(1-1)に示す単位構造を有するポリマーに相当するポリマーからなる粒子であり、得られた有機粒子の粒子径は200~300nmであった(SEM観察による)。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
実施例1
 合成例1で得た分散液2gに光酸発生剤PAI-1001(商品名、みどり化学(株)製、式(2-35)で表される化合物)0.01g、プロピレングリコールモノメチルエーテル18.8gを加え分散液(感光性組成物1)とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
実施例2
 合成例7で得た分散液2gにプロピレングリコールモノメチルエーテル18.8gを加え分散液(感光性組成物2)とした。
比較例1
 比較合成例1で得た分散液2gに光酸発生剤PAI-1001(商品名、みどり化学(株)製)0.01g、プロピレングリコールモノメチルエーテル18.8gを加え分散液(感光性組成物3)とした。
[パターニング試験]
 実施例1で調製した感光性組成物1を、シリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布し、ホットプレート上において80℃で1分間プリベークして、水溶性有機粒子をシリコンウェハ上に担持させた。次いで、i線アライナーPLA-501((株)キヤノン製、露光量は100mJ/cm2)を用いて、マスクを介して露光した。次いで、ホットプレート上において、190℃で10分間露光後ベーク(PEB)し、水で60秒間暴露させ、乾燥して500μm×500μmのスクエアパターンを形成した。図1に実施例1で調製した感光性組成物1を用いて形成したスクエアパターンを、図2に該スクエアパターンの光学顕微鏡写真を、図3に該スクエアパターンの光照射部のSEM写真を、図4に該スクエアパターンの未照射部のSEM写真を、それぞれ示す。
 同様に実施例2で調製した感光性組成物2及び比較例1で調製した感光性組成物3を用いて上記実施例1と同様にパターニング試験を行った。
 実施例1及び実施例2で調製した感光性組成物1及び2は、光学顕微鏡やSEM観察において、有機粒子パターンを作成できたが、比較例1で調製した感光性組成物3はシリコンウェハ上に担持させた有機粒子がもともと水に不溶であるため、水による現像処理ではパターニングできなかった。
 本願発明の感光性組成物は基材に塗布し乾燥し、感光性被膜を形成し、露光と現像によるパターン形成が可能な材料であり、パターニングが可能である。

Claims (13)

  1. 水溶性有機粒子及び溶媒を含み、該溶媒が水溶性有機粒子に対して貧溶媒である感光性組成物。
  2. 水溶性有機粒子が、有機粒子形成のための単位構造(A)、粒子間架橋形成のための単位構造(B)、及び分散性付与のための単位構造(C)を含むポリマーからなり、前記組成物が更に光酸発生剤を含む、請求項1に記載の感光性組成物。
  3. 水溶性有機粒子が、有機粒子形成のための単位構造(A)、粒子間架橋形成のための単位構造(B)、分散性付与のための単位構造(C)、及び光酸発生基を有する単位構造(D)を含むポリマーからなる、請求項1に記載の感光性組成物。
  4. 上記単位構造(A)を形成するモノマーが、(メタ)アクリル酸アミド、N-アルキル(メタ)アクリル酸アミド、又はN-アリール(メタ)アクリル酸アミドである、請求項2又は請求項3に記載の感光性組成物。
  5. 上記単位構造(B)を形成するモノマーが、N-ヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸アミド、N-ヒドロキシアリール(メタ)アクリル酸アミド、N-アルコキシアルキル(メタ)アクリル酸アミド、N-アルコキシアリール(メタ)アクリル酸アミド、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアリール、(メタ)アクリル酸アルコキシアルキル、又は(メタ)アクリル酸アルコキシアリールである、請求項2又は請求項3に記載の感光性組成物。
  6. 上記単位構造(C)を形成するモノマーが、(メタ)アクリル酸をポリエーテルによりエステル化した化合物である、請求項2又は請求項3に記載の感光性組成物。
  7. 水溶性有機粒子が、単位構造(A):単位構造(B):単位構造(C)をモル比で、1:0.01~3.00:0.0001~0.1の割合で含有するものである、請求項2乃至請求項6のいずれか1項に記載の感光性組成物。
  8. 水溶性有機粒子が、単位構造(A):単位構造(B):単位構造(C):単位構造(D)をモル比で、1:0.01~3.00:0.0001~0.1:0.1~3.00の割合で含有するものである、請求項3乃至請求項6のいずれか1項に記載の感光性組成物。
  9. 貧溶媒がエーテル、エステル、炭化水素、ケトン、アルデヒド、又はアルコールを含む溶媒である、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の感光性組成物。
  10. 貧溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、又はブタノールを含む溶媒である、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の感光性組成物。
  11. 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の感光性組成物を基材に塗布し乾燥し、感光性被膜を形成する工程、マスクを介して該被膜を露光する工程、及び現像液で現像する工程を含むパターン形成方法。
  12. 露光する工程の後、加熱を行う工程を更に含む、請求項11に記載のパターン形成方法。
  13. 現像液が水、又は水性媒体である、請求項11又は請求項12に記載のパターン形成方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012242556A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
CN105492670A (zh) * 2013-08-30 2016-04-13 日产化学工业株式会社 纤维形成用组合物及使用该纤维的生物相容性材料
JPWO2015056789A1 (ja) * 2013-10-17 2017-03-09 日産化学工業株式会社 感光性繊維およびその製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202146720A (zh) * 2015-04-22 2021-12-16 日商日產化學工業有限公司 感光性纖維及纖維圖案之形成方法
KR102306740B1 (ko) 2017-07-14 2021-09-28 미쯔비시 케미컬 주식회사 열가소성 수지 조성물, 성형체, 및 차량용 부품

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH083251A (ja) 1994-06-20 1996-01-09 Kansai Paint Co Ltd 親水性架橋重合体微粒子及びその製造方法
JPH08120003A (ja) 1994-10-24 1996-05-14 Kansai Paint Co Ltd 親水性架橋重合体微粒子及びその製造方法
JP2004037955A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Kunihiro Ichimura 感活性エネルギー線樹脂組成物、感活性エネルギー線樹脂フィルム及び該フィルムを用いるパターン形成方法
JP2004109951A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Japan Science & Technology Corp 偏光カラーフィルターとその製造方法
JP2005070579A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Japan Science & Technology Agency 光照射又は熱処理による蛍光特性の変化を利用する書き換え可能な光メモリー材料
JP2005271576A (ja) * 2004-01-09 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版及びそれを用いた平版印刷方法
JP2010197996A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Jsr Corp 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3440047A (en) * 1964-08-10 1969-04-22 Gen Aniline & Film Corp Photopolymer offset printing plates of the etch type
US4772646A (en) * 1986-11-17 1988-09-20 Halliburton Company Concentrated hydrophilic polymer suspensions
US6130303A (en) * 1988-12-19 2000-10-10 Cytec Technology Corp. Water-soluble, highly branched polymeric microparticles
US5368931A (en) * 1991-07-10 1994-11-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lithographic printing plate precursor of direct image type
JPH05173011A (ja) * 1991-12-24 1993-07-13 Oji Kako Kk カラーフィルター
US20060293425A1 (en) 2003-08-26 2006-12-28 Japan Science And Technology Agency Method for producing functional polyimide fine particle and rewritable memory material utilizing change in fluorescence characteristics caused in fluorescence characteristics caused by light irradiation or heat treatment
US20050153239A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method using the same
JP2006271576A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Aruze Corp 遊技機
JP2012013906A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Sanyo Chem Ind Ltd 感光性樹脂組成物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH083251A (ja) 1994-06-20 1996-01-09 Kansai Paint Co Ltd 親水性架橋重合体微粒子及びその製造方法
JPH08120003A (ja) 1994-10-24 1996-05-14 Kansai Paint Co Ltd 親水性架橋重合体微粒子及びその製造方法
JP2004037955A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Kunihiro Ichimura 感活性エネルギー線樹脂組成物、感活性エネルギー線樹脂フィルム及び該フィルムを用いるパターン形成方法
JP2004109951A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Japan Science & Technology Corp 偏光カラーフィルターとその製造方法
JP2005070579A (ja) * 2003-08-27 2005-03-17 Japan Science & Technology Agency 光照射又は熱処理による蛍光特性の変化を利用する書き換え可能な光メモリー材料
JP2005271576A (ja) * 2004-01-09 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版原版及びそれを用いた平版印刷方法
JP2010197996A (ja) * 2009-01-30 2010-09-09 Jsr Corp 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2698669A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012242556A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Fujifilm Corp パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
CN105492670A (zh) * 2013-08-30 2016-04-13 日产化学工业株式会社 纤维形成用组合物及使用该纤维的生物相容性材料
US9957644B2 (en) 2013-08-30 2018-05-01 Nissan Chemical Industries, Ltd. Fiber-forming composition and bio-compatible material using said fiber
JPWO2015056789A1 (ja) * 2013-10-17 2017-03-09 日産化学工業株式会社 感光性繊維およびその製造方法

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