WO2012120798A1 - 化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子 - Google Patents

化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子 Download PDF

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compound semiconductor
light emitting
semiconductor substrate
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高橋　雅宣
健滋 酒井
池田　淳
篠原　政幸
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信越半導体株式会社
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table

Definitions

  • the present invention relates to a compound semiconductor substrate, a method of manufacturing a compound semiconductor substrate, and a light emitting element, and more specifically, to stably supply a light emitting element that can suppress an increase in forward voltage due to energization and can realize high luminance.
  • the present invention relates to a compound semiconductor substrate, a method for manufacturing the compound semiconductor substrate, and a light emitting element.
  • a light-emitting element in which a light-emitting layer and a current diffusion layer are formed on a GaAs substrate is conventionally known.
  • a light emitting device is known in which a light emitting layer composed of four elements of AlGaInP and a current diffusion layer composed of GaP are formed on a GaAs substrate.
  • a relatively thin current diffusion layer (hereinafter referred to as a thin film current diffusion layer) was formed on the light-emitting layer side by metal organic vapor phase epitaxy (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, hereinafter simply referred to as MOVPE).
  • MOVPE Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • the GaP current diffusion layer may be grown to a thickness of about 200 ⁇ m as a whole.
  • the light-absorbing GaAs substrate is removed and a light-transmitting GaP substrate is bonded instead.
  • a light-emitting element that can sufficiently reduce the element series resistance at the junction interface and has good switching response has been known (Patent Literature). 1).
  • the above-described direct-junction light-emitting element has a concentration of impurities such as oxygen and carbon at the junction interface between the quaternary light-emitting layer and the GaP substrate that is not constant for each production batch. It was found that it was not stable. Further, such an impurity such as oxygen and carbon at the junction interface diffuses to the quaternary light emitting layer side when energized and compensates for carriers. As a result, it has been found that the forward voltage is increased, and the lifetime characteristics of the manufactured light emitting device with respect to the forward voltage are deteriorated.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and even when impurities such as oxygen and carbon are generated at the junction interface between the quaternary light emitting layer and the GaP substrate, the forward voltage increases when energized.
  • Compound semiconductor substrate capable of suppressing deterioration of lifetime characteristics with respect to forward voltage of a light emitting device manufactured thereby, and a method for manufacturing the same, and a light emitting device manufactured from such a compound semiconductor substrate are provided. .
  • At least (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (where 0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) is formed on the n-type GaP window layer.
  • a compound semiconductor substrate in which a p-type GaP layer as a current diffusion layer is stacked on a main surface (first main surface) opposite to the main surface (second main surface) on the n-type GaP window layer side
  • the Al composition is lower between the n-type GaP
  • the range of the value of x that determines the composition of the n-type cladding layer made of (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P is 0.7 ⁇ x ⁇ 1.0
  • the range of the value of x ′′ that determines the composition of the impurity diffusion suppression layer made of Al x ′′ Ga 1-x ′′ ) y ′′ In 1-y ′′ P is preferably 0.5 ⁇ x ′′ ⁇ 0.7.
  • the impurity diffusion suppression layer preferably has a thickness of 0.01 ⁇ m or more.
  • the impurity diffusion suppression layer is formed in this way, it is possible to more reliably suppress an increase in forward voltage after energization.
  • the present invention also provides a light emitting device manufactured from the compound semiconductor substrate of the present invention.
  • the light emitting device manufactured in this way has a very good lifetime characteristic with respect to the forward voltage, and can be used for a long time in a high luminance state.
  • At least an n - type cladding layer made of (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (where 0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) on an n-type GaAs substrate, (Al x ′ Ga 1 -X ′ ) y ′ In 1-y ′ P (where 0 ⁇ x ′ ⁇ 1, 0 ⁇ y ′ ⁇ 1) and (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (where , A step of epitaxially growing a quaternary light emitting layer in which p-type cladding layers of 0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) are sequentially laminated, and a side opposite to the n-type GaAs substrate side of the quaternary light emitting layer A step of epitaxially growing a p-type GaP layer as a current diffusion layer on the main surface (first main surface), a step of removing the n-type GaAs substrate from the
  • the quaternary light emitting layer is epitaxially grown, or the impurity diffusion suppression layer is laminated on the second main surface side of the quaternary light emitting layer before the n-type GaP window layer is bonded. Bonding the impurity diffusion suppression layer and the n-type GaP window layer to manufacture a compound semiconductor substrate in which the impurity diffusion suppression layer is formed between the n-type GaP window layer and the quaternary light emitting layer.
  • a method for producing a compound semiconductor substrate is provided.
  • the impurity diffusion suppression layer can be surely formed between the n-type GaP window layer and the quaternary light emitting layer. Thereby, an increase in the forward voltage when energized is suppressed, and a compound semiconductor substrate serving as a raw material for a light-emitting element having good lifetime characteristics with respect to the forward voltage can be manufactured.
  • an impurity diffusion suppression layer having an Al composition lower than that of the n-type cladding layer is formed between the n-type GaP window layer and the quaternary light emitting layer. Even when impurities such as oxygen and carbon diffuse at the junction interface between the n-type GaP window layer and the quaternary light-emitting layer when a light-emitting element manufactured from such a compound semiconductor substrate is energized, the impurity diffusion Since it is captured by the suppression layer, an increase in forward voltage can be suppressed.
  • the impurity diffusion suppressing layer is laminated on the n-type GaAs substrate before epitaxially growing the quaternary light emitting layer, and then the quaternary light emitting layer is epitaxially grown on the impurity diffusion suppressing layer, or the quaternary light emitting layer is formed. If the impurity diffusion suppression layer is laminated on the two main surfaces before the n-type GaP window layer is bonded, the impurity diffusion suppression layer is surely interposed between the n-type GaP window layer and the quaternary light emitting layer. It is possible to manufacture a high-quality compound semiconductor substrate on which is formed. Furthermore, a light-emitting element manufactured from such a compound semiconductor substrate has good lifetime characteristics with respect to a forward voltage, and thus can be used for a long time in a high luminance state.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a compound semiconductor substrate of the present invention.
  • the compound semiconductor substrate 1 of the present invention shown in FIG. 1 suppresses n-type impurity diffusion consisting of (Alx ′′ Ga1 -x ′′ ) y ′′ In1 -y ′′ P on an n-type GaP window layer (GaP substrate) 2.
  • a layer 3 is formed, and a light emitting layer 4 is formed on the impurity diffusion suppression layer 3.
  • a p-type GaP thin film current diffusion layer 5 is formed on the light emitting layer 4 by the MOVPE method, and a p-type GaP thick film current diffusion layer 6 is formed thereon by the HVPE method.
  • Examples of the light emitting layer 4 include an n-type cladding layer 41 made of (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (where 0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1), non-doped (Al x ′ Ga 1-x ′ ) y ′ In 1-y ′ P (where 0 ⁇ x ′ ⁇ 1, 0 ⁇ y ′ ⁇ 1) active layer 42, (Al x Ga 1-x ) y In 1-y A quaternary light-emitting layer 4 in which p-type cladding layers 43 of P (where 0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) are sequentially stacked can be formed.
  • non-doped means “not to add dopants positively”, and includes a dopant component inevitably mixed in the manufacturing process of the compound semiconductor substrate (for example, 1.0 ⁇ 10 13). (About 1.0 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 ) is not excluded.
  • the Al composition of the impurity diffusion suppression layer 3 made of (Al x ′′ Ga 1-x ′′ ) y ′′ In 1-y ′′ P is (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P
  • the n-type cladding layer 41 is formed so as to be smaller than the Al composition. That is, the value x ′′ that determines the composition of the impurity diffusion suppression layer 3 only needs to be smaller than the value x that determines the composition of the n-type cladding layer 41.
  • the value range of x ′′ is 0.5 ⁇ x. ′′ ⁇ 0.7, and the value range of x can be 0.7 ⁇ x ⁇ 1.0.
  • the film thickness of the impurity diffusion suppression layer 3 is 0.01 ⁇ m or more because an increase in forward voltage after energization can be more reliably suppressed.
  • the film thickness is preferably 4 ⁇ m or less. If the film thickness is 4 ⁇ m or less, it is possible to suppress the deterioration of quality characteristics due to the stress and dislocation affecting the active layer.
  • impurities such as oxygen and carbon at the junction interface between the n-type GaP window layer 2 and the quaternary light emitting layer 4 are quaternary light emitting layers. 4, the carrier voltage is compensated to increase the forward voltage, and the life characteristics with respect to the forward voltage may be deteriorated.
  • the impurity diffusion suppression layer 3 is formed between the n-type GaP window layer 2 and the quaternary light emitting layer 4 in the present invention, even if the impurities diffuse, It is not captured and reaches the quaternary light emitting layer 4. For this reason, it can suppress that a forward voltage rises and can make a lifetime characteristic favorable.
  • the light emitting element 10 as shown in FIG. 2 can be manufactured using such a compound semiconductor substrate 1.
  • a first electrode 11 for applying a light emission driving voltage to the quaternary light emitting layer 4 is formed at substantially the center on the thick film current diffusion layer 6 of the compound semiconductor substrate 1 shown in FIG.
  • a region around the first electrode 11 is a light extraction region from the quaternary light emitting layer 4.
  • the second electrode 12 is formed on the entire surface of the n-type GaP window layer 2 on the second main surface side.
  • a bonding pad 13 made of Au or the like for bonding an electrode wire is disposed at the center of the first electrode 11.
  • the light-emitting element 10 manufactured in this way has a good lifetime characteristic with respect to a forward voltage, and can be used for a long time in a high luminance state.
  • various layers may be inserted between the above layers of the compound semiconductor substrate 1 in the present invention as necessary.
  • Step 1 an n-type GaAs substrate is prepared as a growth substrate, cleaned, and then placed in a MOVPE reactor, and an n-type GaAs buffer layer is epitaxially grown on the n-type GaAs substrate by 0.1 to 1.0 ⁇ m.
  • an n-type impurity diffusion suppression layer 3 made of (Al x ′′ Ga 1-x ′′ ) y ′′ In 1-y ′′ P is formed on the n-type GaAs buffer layer to a thickness of 0.01 ⁇ m. It forms so that it may become the above.
  • the quaternary light emitting layer 4 is made of (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P and has a thickness of 0.8 to 4.0 ⁇ m.
  • the value of x ′′ that determines the Al composition of the impurity diffusion suppression layer 3 is made smaller than the value of x that determines the Al composition of the n-type cladding layer 41.
  • the range of the value of x ′′ Can be 0.5 ⁇ x ′′ ⁇ 0.7, and the range of the value of x can be 0.7 ⁇ x ⁇ 1.0.
  • each layer is performed by a known MOVPE method.
  • source gas used as each component source of Al, Ga, In, and P
  • Al source gas trimethylaluminum (TMAl), triethylaluminum (TEAl), etc.
  • Ga source gas trimethylgallium (TMGa), triethylgallium (TEGa), etc.
  • In source gas trimethylindium (TMIn), triethylindium (TEIn), etc.
  • P source gas trimethyl phosphorus (TMP), triethyl phosphorus (TEP), phosphine (PH 3 ), etc.
  • dopant gas trimethyl phosphorus (TMP), triethyl phosphorus (TEP), phosphine (PH 3 ), etc.
  • P-type dopant Mg source biscyclopentadienyl magnesium (Cp 2 Mg), etc.
  • Zn source dimethyl zinc (DMZn), diethyl zinc (DEZn), etc.
  • N-type dopant Si source silicon hydride such as monosilane.
  • step 4 the process proceeds to step 4, and the p-type GaP thin film current diffusion layer 5 having a thickness of 0.5 to 10 ⁇ m is heteroepitaxially grown on the p-type cladding layer 43 by the MOVPE method to obtain an MO epitaxial wafer. Further, a p-type GaP thick film current diffusion layer 6 having a thickness of 5 ⁇ m to 200 ⁇ m is vapor-phase grown on the MO epitaxial wafer by the HVPE method.
  • the reaction of the following formula (1) is performed by introducing hydrogen chloride onto the metal Ga while heating and maintaining the metal Ga, which is a group III element, at a predetermined temperature in the container. Then, GaCl is generated and supplied onto the substrate together with H 2 gas which is a carrier gas. Ga (liquid) + HCl (gas) ⁇ GaCl (gas) + 1 / 2H 2 (gas) (1)
  • the growth temperature is set to, for example, 640 ° C. or more and 860 ° C. or less.
  • P which is a group V element, supplies, for example, phosphine (PH 3 ) together with H 2 as a carrier gas onto the substrate.
  • Zn which is a p-type dopant is supplied in the form of dimethylzinc (DMZn), and forms a p-type GaP epitaxial layer by a reaction represented by the following formula (2).
  • DMZn dimethylzinc
  • the n-type GaAs substrate and the n-type GaAs buffer layer are removed by etching or the like.
  • the n-type GaP window layer (GaP substrate) 2 is bonded to the impurity diffusion suppression layer 3 exposed by the removal of the n-type GaAs substrate, and the compound semiconductor substrate 1 is manufactured.
  • the impurity diffusion suppression layer 3 is not laminated between the n-type GaAs substrate and the quaternary light emitting layer 4 as described above, but the second main surface side of the quaternary light emitting layer 4 is removed after the GaAs substrate is removed. Further, after the impurity diffusion suppression layer 3 is laminated before the n-type GaP window layer 2 is bonded, the compound semiconductor substrate 1 can be manufactured by bonding the impurity diffusion suppression layer 3 and the n-type GaP window layer 2 together. . An n-type GaInP layer may be sandwiched between the second main surface side of the quaternary light emitting layer and the n-type GaP substrate.
  • the light emitting device 10 can be manufactured as follows after the above steps are completed.
  • the first electrode 11 and the second electrode 12 are formed by vacuum vapor deposition, and the bonding pad 13 is further disposed on the first electrode 11, and baking for electrode fixing is performed at an appropriate temperature.
  • the chip is formed by dicing, and the second electrode 12 is fixed to a terminal electrode (not shown) that also serves as a support by using a conductive paste such as an Ag paste, while Au Au is bonded to the bonding pad 13 and another terminal electrode.
  • a light-emitting element 10 as shown in FIG. 2 can be manufactured from the compound semiconductor substrate 1 by bonding a manufactured wire and further forming a resin mold.
  • a compound semiconductor substrate as shown in FIG. 1 was manufactured as follows.
  • MOVPE Metal Organic Chemical Vapor Deposition
  • an n-type GaAs buffer layer of 0.5 ⁇ m, a quaternary light emitting layer of 3.0 ⁇ m, and a p-type GaP thin film current diffusion layer of 2.5 ⁇ m are sequentially epitaxially grown on a 280 ⁇ m thick n-type GaAs substrate.
  • the n-type GaP window having a thickness of 200 ⁇ m is formed on the second main surface side of the quaternary light emitting layer from which the n-type GaAs substrate has been removed, that is, on the main surface opposite to the n-type cladding layer of the impurity diffusion suppression layer. Bond the layers.
  • TMGa trimethylgallium
  • TIn trimethylindium
  • TMAl trimethylaluminum
  • PH 3 phosphine
  • AsH 3 arsine
  • the film thickness of the impurity diffusion suppression layer is (1) 0 ⁇ m (that is, no impurity diffusion suppression layer is formed), (2) 0.01 ⁇ m, (3) 0.3 ⁇ m, and (4) 1.5 ⁇ m.
  • Standard level compound semiconductor substrates were manufactured, and first and second electrodes were formed on these four level compound semiconductor substrates to produce LED lamps.
  • a 50 mA current was passed through the LED lamp thus manufactured at a temperature of 85 ° C. for 100 hours. The results at this time are shown in Table 1 below.
  • FIG. 3 shows the relationship between the energization time and the forward voltage change rate in each LED lamp at this time.
  • the forward voltage increased only by 0.3% in (2), and by 0.1% in (3), and did not increase at all in (4). That is, an increase in the forward voltage was suppressed, and a stable forward voltage value could be obtained for a long time.

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Abstract

　本発明は、少なくとも、ｎ型ＧａＰ窓層上に（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰからなるｎ型クラッド層と、活性層及びｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、４元発光層の、ｎ型ＧａＰ窓層側の主表面（第二主面）の反対側となる主表面（第一主面）上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、ｎ型ＧａＰ窓層と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもＡｌ組成の低い、（Ａｌｘ"Ｇａ１－ｘ"）ｙ"Ｉｎ１－ｙ"Ｐ（ただし、０＜ｘ"＜ｘ＜１，０＜ｙ"＜１）からなる不純物拡散抑制層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板である。これにより、４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板を提供する。

Description

化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子
　本発明は化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子に関し、具体的には、通電による順方向電圧の上昇を抑制し、かつ高輝度を実現できる発光素子を安定して供給するための化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子に関する。
　
　ＧａＡｓ基板上に、発光層と電流拡散層とを形成した発光素子が従来知られている。
　例えばＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＩｎＰの４元からなる発光層とＧａＰからなる電流拡散層とを形成した発光素子が知られている。このＧａＰ電流拡散層は、発光層側に有機金属気相成長法（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ法、以下単にＭＯＶＰＥ法という）により比較的薄い電流拡散層（以下、薄膜電流拡散層という）を形成した後に、ハイドライド気相成長法（Ｈｙｄｒｉｄｅ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ法、以下単にＨＶＰＥ法という）により比較的厚い電流拡散層（以下、厚膜電流拡散層という）を形成することによって作製することができる。例えば、全体として２００μｍ程度の厚さにまでＧａＰ電流拡散層が成長されることがある。
　さらに、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光素子の更なる高輝度化を実現するために、光吸収性のＧａＡｓ基板を除去して、代わりに光透過性のＧａＰ基板を接合する。その接合界面に高濃度にドーピングされたＩｎＧａＰ中間層を形成することにより、接合界面における素子直列抵抗を十分に低減でき、またそのスイッチング応答性も良好な発光素子が従来知られている（特許文献１）。
　
特開２００７－３２４５５１号公報
　本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、上記のような直接接合型発光素子は、４元発光層とＧａＰ基板の接合界面における酸素、炭素等の不純物濃度が製造バッチ毎に一定とならずに安定していないことが判った。
　また、このような接合界面の酸素、炭素等の不純物は、通電を行うと４元発光層側へ拡散しキャリアを補償してしまう。これによって順方向電圧を上昇させ、製造された発光素子の順方向電圧に対する寿命特性を悪化させることが判った。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生したとしても、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって製造された発光素子の順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及びその製造方法、並びにこのような化合物半導体基板から製造された発光素子を提供する。
　上記目的を達成するために、本発明では、少なくとも、ｎ型ＧａＰ窓層上に（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層、（Ａｌｘ′Ｇａ１－ｘ′）ｙ′Ｉｎ１－ｙ′Ｐ（ただし、０＜ｘ′＜１，０＜ｙ′＜１）からなる活性層及び（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、該４元発光層の、前記ｎ型ＧａＰ窓層側の主表面（第二主面）の反対側となる主表面（第一主面）上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、前記ｎ型ＧａＰ窓層と前記４元発光層との間に、前記ｎ型クラッド層よりもＡｌ組成の低い、（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐ（ただし、０＜ｘ″＜ｘ＜１，０＜ｙ″＜１）からなる不純物拡散抑制層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板を提供する。
　このように、ｎ型ＧａＰ窓層と４元発光層との間に不純物拡散抑制層が形成された化合物半導体基板であれば、このような化合物半導体基板から製造された発光素子に通電した際に、ｎ型ＧａＰ窓層と４元発光層との間にある接合界面における酸素、炭素等の不純物が拡散したとしても、不純物拡散抑制層により捕獲され、４元発光層まで到達してしまうことはない。このため、順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって製造された発光素子の順方向電圧に対する寿命特性が悪化することを抑制することができる。
　またこのとき、前記（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰからなるｎ型クラッド層の組成を決定するｘの値の範囲が０．７≦ｘ＜１．０であり、前記（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐからなる不純物拡散抑制層の組成を決定するｘ″の値の範囲が０．５≦ｘ″＜０．７であることが好ましい。
　また、前記不純物拡散抑制層は、膜厚が０．０１μｍ以上であることが好ましい。
　このように不純物拡散抑制層が形成されれば、より確実に通電後の順方向電圧の上昇を抑制することができる。
　また本発明は、本発明の化合物半導体基板から製造されたことを特徴とする発光素子を提供する。
　このように製造された発光素子であれば、順方向電圧に対する寿命特性が非常に良好であるため、高輝度な状態で長期間使用することができる。
　少なくとも、ｎ型ＧａＡｓ基板上に（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層、（Ａｌｘ′Ｇａ１－ｘ′）ｙ′Ｉｎ１－ｙ′Ｐ（ただし、０＜ｘ′＜１，０＜ｙ′＜１）からなる活性層及び（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層を順次積層した４元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、前記４元発光層の、前記ｎ型ＧａＡｓ基板側と反対側となる主表面（第一主面）上に、電流拡散層としてｐ型ＧａＰ層をエピタキシャル成長させる工程と、前記４元発光層からｎ型ＧａＡｓ基板を除去する工程と、該ｎ型ＧａＡｓ基板が除去された側の前記４元発光層の主表面（第二主面）側にｎ型ＧａＰ窓層を貼り合わせる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記ｎ型ＧａＡｓ基板上に、前記４元発光層をエピタキシャル成長させる前に前記ｎ型クラッド層よりもＡｌ組成の低い、（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐ（ただし、０＜ｘ″＜ｘ＜１，０＜ｙ″＜１）からなる不純物拡散抑制層を積層し、その後該不純物拡散抑制層上に前記４元発光層をエピタキシャル成長させるか、または前記４元発光層の第二主面側に、前記ｎ型ＧａＰ窓層を貼り合わせる前に前記不純物拡散抑制層を積層することによって、前記貼り合わせ工程において、前記不純物拡散抑制層とｎ型ＧａＰ窓層を貼り合わせ、前記ｎ型ＧａＰ窓層と前記４元発光層との間に前記不純物拡散抑制層が形成された化合物半導体基板を製造することを特徴とする化合物半導体基板の製造方法を提供する。
　このような製造方法であれば、ｎ型ＧａＰ窓層と４元発光層との間に確実に前記不純物拡散抑制層を形成することができる。これによって、通電した際の順方向電圧の上昇が抑制され、順方向電圧に対する寿命特性の良好な発光素子の原料となる化合物半導体基板を製造することができる。
　以上説明したように、本発明の化合物半導体基板は、ｎ型ＧａＰ窓層と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもＡｌ組成の低い不純物拡散抑制層が形成されているため、このような化合物半導体基板から製造された発光素子に通電した際に、ｎ型ＧａＰ窓層と４元発光層との間にある接合界面における酸素、炭素等の不純物が拡散したとしても、不純物拡散抑制層で捕獲されるため、順方向電圧の上昇を抑制することができる。
　またｎ型ＧａＡｓ基板上に、４元発光層をエピタキシャル成長させる前に前記不純物拡散抑制層を積層し、その後該不純物拡散抑制層上に４元発光層をエピタキシャル成長させるか、または４元発光層の第二主面側に、ｎ型ＧａＰ窓層を貼り合わせる前に前記不純物拡散抑制層を積層することとすれば、確実にｎ型ＧａＰ窓層と４元発光層との間に前記不純物拡散抑制層が形成された高品質の化合物半導体基板を製造することができる。
　さらにこのような化合物半導体基板から製造された発光素子は、順方向電圧に対する寿命特性が良好であるため、高輝度の状態で長期間使用することができる。
　
本発明の化合物半導体基板の概略断面図の一例を示した図である。 本発明の発光素子の概略断面図の一例を示した図である。 実験例において、不純物拡散抑制層の厚さを変えた４水準のＬＥＤランプにおける通電時間と順方向電圧の変化率の関係を示した図である。 本発明の化合物半導体基板の製造方法の工程フローの一例を示した図である。
　以下に本発明の実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
　図１は、本発明の化合物半導体基板の一例を示す概略図である。図１に示す本発明の化合物半導体基板１は、ｎ型ＧａＰ窓層（ＧａＰ基板）２上に（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐからなるｎ型不純物拡散抑制層３が形成され、該不純物拡散抑制層３の上に発光層４が形成されている。
　そして該発光層４上に、ＭＯＶＰＥ法によりｐ型ＧａＰ薄膜電流拡散層５が形成され、さらにその上にＨＶＰＥ法によりｐ型ＧａＰ厚膜電流拡散層６が形成されている。
　前記発光層４としては、例えば（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層４１、ノンドープ（Ａｌｘ′Ｇａ１－ｘ′）ｙ′Ｉｎ１－ｙ′Ｐ（ただし、０＜ｘ′＜１，０＜ｙ′＜１）からなる活性層４２、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層４３が順次積層された４元発光層４とすることができる。
　なお、ここでいう「ノンドープ」とは、「ドーパントの積極添加を行わない」という意味であり、化合物半導体基板の製造工程上、不可避的に混入するドーパント成分の含有（例えば１．０×１０１３～１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度）をも排除するものではない。
　また、ここで前記（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐからなる不純物拡散抑制層３のＡｌ組成は、前記（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰからなるｎ型クラッド層４１のＡｌ組成より小さくなるように形成される。すなわち、前記不純物拡散抑制層３の組成を決定するｘ″の値が前記ｎ型クラッド層４１の組成を決定するｘの値より小さければ良く、例えばｘ″の値の範囲を０．５≦ｘ″＜０．７とし、ｘの値の範囲を０．７≦ｘ＜１．０とすることができる。
　さらに、前記不純物拡散抑制層３の膜厚を０．０１μｍ以上とすれば、より確実に通電後の順方向電圧の上昇を抑制することができるため好ましい。また、膜厚は４μｍ以下が好ましい。膜厚が４μｍ以下であれば応力及び転位が活性層に影響して品質特性が悪化してしまうことを抑止できる。
　このような化合物半導体基板１から製造された発光素子に通電した際に、ｎ型ＧａＰ窓層２と４元発光層４との間にある接合界面における酸素、炭素等の不純物が４元発光層４へ拡散し、キャリアを補償して順方向電圧を上昇させ、順方向電圧に対する寿命特性を悪化させる可能性がある。
　しかし、本発明ではｎ型ＧａＰ窓層２と４元発光層４との間に、前記不純物拡散抑制層３が形成されているので、前記不純物は、拡散したとしても前記不純物拡散抑制層３により捕獲され、４元発光層４まで到達してしまうことはない。このため、順方向電圧が上昇することを抑制し、寿命特性を良好なものとすることができる。
　また、このような化合物半導体基板１を用いて、図２に示すような発光素子１０を製造することができる。
　この発光素子１０においては、図１に示した化合物半導体基板１の厚膜電流拡散層６上の略中央に、４元発光層４に発光駆動電圧を印加するための第一電極１１が形成され、該第一電極１１の周囲の領域が４元発光層４からの光取出領域とされている。また、ｎ型ＧａＰ窓層２の第二主面側には第二電極１２が全面に形成されている。また、第一電極１１の中央部に電極ワイヤを接合するためのＡｕ等にて構成されたボンディングパッド１３が配置されている。
　このように製造された発光素子１０は、順方向電圧に対する寿命特性が良好であり、高輝度の状態で長期間使用することができる。
　尚、本発明における化合物半導体基板１の上記各層の間に、必要に応じて種々の層が挿入されても良い。
　以下、図１に示した化合物半導体基板１の製造方法について、図４に示したフロー図を参照しながら説明する。
　まず工程１に示すように、成長用基板としてｎ型ＧａＡｓ基板を準備し、洗浄した後、ＭＯＶＰＥリアクターに入れ、前記ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓバッファ層を０．１～１．０μｍエピタキシャル成長させる。
　次いで、工程２に示すようにｎ型ＧａＡｓバッファ層上に（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐからなるｎ型不純物拡散抑制層３を、膜厚が０．０１μｍ以上となるように形成する。
　次に工程３に示すように前記不純物拡散抑制層３上に、４元発光層４として（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰからなる厚さ０．８～４．０μｍのｎ型クラッド層４１、（Ａｌｘ′Ｇａ１－ｘ′）ｙ′Ｉｎ１－ｙ′Ｐからなる厚さ０．４～２．０μｍの活性層４２及び（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰからなる厚さ０．８～４．０μｍのｐ型クラッド層４３を、この順序にてエピタキシャル成長させる。
　尚、このとき不純物拡散抑制層３のＡｌ組成を決定するｘ″の値を、ｎ型クラッド層４１のＡｌ組成を決定するｘの値よりも小さくなるようにする。例えばｘ″の値の範囲を０．５≦ｘ″＜０．７とし、ｘの値の範囲を０．７≦ｘ＜１．０とすることができる。
　尚、上記各層のエピタキシャル成長は、公知のＭＯＶＰＥ法により行なわれる。Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐの各成分源となる原料ガスとしては、これらに限定されるわけではないが、例えば以下のようなものを使用できる。
・Ａｌ源ガス：トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）など。
・Ｇａ源ガス：トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）など。
・Ｉｎ源ガス：トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）など。
・Ｐ源ガス：トリメチルリン（ＴＭＰ）、トリエチルリン（ＴＥＰ）、ホスフィン（ＰＨ３）など。
　また、ドーパントガスとしては、以下のようなものを使用できる。
（ｐ型ドーパント）
・Ｍｇ源：ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）など。
・Ｚｎ源：ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）など。
（ｎ型ドーパント）
・Ｓｉ源：モノシランなどのシリコン水素化物など。
　次に工程４に進み、ｐ型クラッド層４３上に厚さ０．５～１０μｍのｐ型ＧａＰ薄膜電流拡散層５をＭＯＶＰＥ法によりヘテロエピタキシャル成長させ、ＭＯエピタキシャルウエーハを得る。更に、前記ＭＯエピタキシャルウエーハ上に厚さ５μｍ～２００μｍのｐ型ＧａＰ厚膜電流拡散層６を、ＨＶＰＥ法で気相成長する。
　ＨＶＰＥ法は、具体的には、容器内にてＩＩＩ族元素である金属Ｇａを所定の温度に加熱保持しながら、その金属Ｇａ上に塩化水素を導入することにより、下記（１）式の反応によりＧａＣｌを生成させ、キャリアガスであるＨ２ガスとともに基板上に供給する。
Ｇａ（液体）＋ＨＣｌ（気体）　　→　　ＧａＣｌ（気体）＋１／２Ｈ２（気体）‥‥（１）
　成長温度は例えば６４０℃以上８６０℃以下に設定する。また、Ｖ族元素であるＰは、例えばホスフィン（ＰＨ３）をキャリアガスであるＨ２ともに基板上に供給する。さらに、ｐ型ドーパントであるＺｎは、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）の形で供給して、下記（２）式のような反応によってｐ型ＧａＰエピタキシャル層を形成するものである。
ＧａＣｌ（気体）＋ＰＨ３（気体）
→ＧａＰ（固体）＋ＨＣｌ（気体）＋Ｈ２（気体）‥‥（２）
　次に、工程５に示すようにエッチング等によりｎ型ＧａＡｓ基板及びｎ型ＧａＡｓバッファ層を除去する。そして工程６に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板除去によって露出した不純物拡散抑制層３にｎ型ＧａＰ窓層（ＧａＰ基板）２を貼り合せ、化合物半導体基板１を製造する。
　また、上記のようにｎ型ＧａＡｓ基板と４元発光層４との間に不純物拡散抑制層３を積層するのではなく、ＧａＡｓ基板を除去した後、４元発光層４の第二主面側に、ｎ型ＧａＰ窓層２を貼り合わせる前に不純物拡散抑制層３を積層した後に、不純物拡散抑制層３とｎ型ＧａＰ窓層２とを貼り合わせて化合物半導体基板１を製造することもできる。
　また、４元発光層の第二主面側とｎ型ＧａＰ基板との間にｎ型ＧａＩｎＰ層を挟んでも良い。
　また、これに限定されるわけではないが、以上の工程が終了した後に以下のようにして発光素子１０を製造することができる。
　真空蒸着法により第一電極１１及び第二電極１２を形成し、更に第一電極１１上にボンディングパッド１３を配置して、適当な温度で電極定着用のベーキングを施す。その後、ダイシングによりチップ化し、第二電極１２をＡｇペースト等の導電性ペーストを用いて支持体を兼ねた図示しない端子電極に固着する一方、ボンディングパッド１３と別の端子電極とにまたがる形態でＡｕ製のワイヤをボンディングし、更に樹脂モールドを形成することによって、上記化合物半導体基板１から、図２に示したような発光素子１０を製造することができる。
　
　以下、実験例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　
（実験例）
　まず、以下のようにして図１に示すような化合物半導体基板を製造した。
　ＭＯＶＰＥ法により、厚さ２８０μｍのｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓバッファ層０．５μｍ、４元発光層３．０μｍ、ｐ型ＧａＰ薄膜電流拡散層２．５μｍを順次エピタキシャル成長させる。前記４元発光層は、（Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５）０．４５Ｉｎ０．５５Ｐ（すなわち、ｘ＝０．８５）からなるｎ型クラッド層０．８μｍ、（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．４５Ｉｎ０．５５Ｐからなる活性層０．６μｍ、（Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５）０．４５Ｉｎ０．５５Ｐからなるｐ型クラッド層１．６μｍを順次エピタキシャル成長させることにより構成される。
　このとき、前記ｎ型ＧａＡｓバッファ層と４元発光層（ｎ型クラッド層）との間に、（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．４５Ｉｎ０．５５Ｐ（すなわち、ｘ″＝０．５）からなるｎ型不純物拡散抑制層を積層する。その後、ＨＶＰＥ法により厚さ１５０μｍのｐ型ＧａＰ厚膜電流拡散層を前記ｐ型ＧａＰ薄膜電流拡散層上にエピタキシャル成長させ、ｎ型ＧａＡｓ基板の除去を行い、該ｎ型ＧａＡｓ基板が除去された４元発光層の第二主面側、すなわち不純物拡散抑制層のｎ型クラッド層と反対側の主表面に厚さ２００μｍのｎ型ＧａＰ窓層を接合させる。
　尚、上記エピタキシャル成長の原料ガスとしては、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、ホスフィン（ＰＨ３）及びアルシン（ＡｓＨ３）を使用した。
　このとき、不純物拡散抑制層の膜厚が（１）０μｍ（すなわち、不純物拡散抑制層を形成しない）、（２）０．０１μｍ、（３）０．３μｍ、（４）１．５μｍである４水準の化合物半導体基板を製造し、これら４水準の化合物半導体基板に第一及び第二電極を形成して、ＬＥＤランプを作成した。
　このように製造されたＬＥＤランプに温度８５℃で１００時間、５０ｍＡの電流を流した。このときの結果を下記表１に示す。また、このときの前記各ＬＥＤランプにおける通電時間と順方向電圧の変化率との関係を図３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　このように、（１）のように不純物拡散抑制層の無い化合物半導体基板から製造されたＬＥＤランプに通電すると、接合界面の不純物が４元発光層へ拡散してしまい、これら不純物がキャリアを補償してしまう。このため、通電時間が長ければ長いほど順方向電圧が上昇してしまい、１００時間通電した場合には約６％も順方向電圧が上昇してしまった。
　しかし、（２）～（４）のように不純物拡散抑制層が形成された化合物半導体基板から製造されたＬＥＤランプに通電した場合は、接合界面における酸素、炭素等の不純物が拡散したとしても不純物拡散抑制層に捕獲されるため、４元発光層へと到達してしまうことはほとんどない。このため、１００時間通電した場合であっても、（２）では０．３％、（３）では０．１％しか順方向電圧は上昇せず、（４）では全く上昇しなかった。すなわち、順方向電圧の上昇が抑制され長時間に渡って安定した順方向電圧値を得ることができた。
　なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。上述の実施の形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様の効果を奏するものはいかなるものであっても、本発明の技術的範囲に包含されることは無論である。

Claims (5)

  1. 　少なくとも、ｎ型ＧａＰ窓層上に（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層、（Ａｌｘ′Ｇａ１－ｘ′）ｙ′Ｉｎ１－ｙ′Ｐ（ただし、０＜ｘ′＜１，０＜ｙ′＜１）からなる活性層及び（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、該４元発光層の、前記ｎ型ＧａＰ窓層側の主表面（第二主面）の反対側となる主表面（第一主面）上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、
    　前記ｎ型ＧａＰ窓層と前記４元発光層との間に、前記ｎ型クラッド層よりもＡｌ組成の低い、（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐ（ただし、０＜ｘ″＜ｘ＜１，０＜ｙ″＜１）からなる不純物拡散抑制層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。
    　
  2. 　前記（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰからなるｎ型クラッド層の組成を決定するｘの値の範囲が０．７≦ｘ＜１．０であり、前記（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐからなる不純物拡散抑制層の組成を決定するｘ″の値の範囲が０．５≦ｘ″＜０．７であることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体基板。
    　
  3. 　前記不純物拡散抑制層は、膜厚が０．０１μｍ以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の化合物半導体基板。
    　
  4. 　前記請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の化合物半導体基板から製造されたことを特徴とする発光素子。
    　
  5. 　少なくとも、ｎ型ＧａＡｓ基板上に（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層、（Ａｌｘ′Ｇａ１－ｘ′）ｙ′Ｉｎ１－ｙ′Ｐ（ただし、０＜ｘ′＜１，０＜ｙ′＜１）からなる活性層及び（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層を順次積層した４元発光層をエピタキシャル成長させる工程と、
    　前記４元発光層の、前記ｎ型ＧａＡｓ基板側と反対側となる主表面（第一主面）上に、電流拡散層としてｐ型ＧａＰ層をエピタキシャル成長させる工程と、
    　前記４元発光層からｎ型ＧａＡｓ基板を除去する工程と、
    　該ｎ型ＧａＡｓ基板が除去された側の前記４元発光層の主表面（第二主面）側にｎ型ＧａＰ窓層を貼り合わせる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、
    　前記ｎ型ＧａＡｓ基板上に、前記４元発光層をエピタキシャル成長させる前に前記ｎ型クラッド層よりもＡｌ組成の低い、（Ａｌｘ″Ｇａ１－ｘ″）ｙ″Ｉｎ１－ｙ″Ｐ（ただし、０＜ｘ″＜ｘ＜１，０＜ｙ″＜１）からなる不純物拡散抑制層を積層し、その後該不純物拡散抑制層上に前記４元発光層をエピタキシャル成長させるか、または前記４元発光層の第二主面側に、前記ｎ型ＧａＰ窓層を貼り合わせる前に前記不純物拡散抑制層を積層することによって、前記貼り合わせ工程において、前記不純物拡散抑制層とｎ型ＧａＰ窓層を貼り合わせ、前記ｎ型ＧａＰ窓層と前記４元発光層との間に前記不純物拡散抑制層が形成された化合物半導体基板を製造することを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6512369B1 (ja) * 2017-09-21 2019-05-15 住友電気工業株式会社 半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10190052A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Sharp Corp 半導体発光素子
JP2004153241A (ja) * 2002-10-11 2004-05-27 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2009177027A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板並びに発光素子
WO2009116232A1 (ja) * 2008-03-17 2009-09-24 信越半導体株式会社 化合物半導体基板及びそれを用いた発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法
JP2010087270A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子
JP2010153496A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子
JP2010171272A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10190052A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Sharp Corp 半導体発光素子
JP2004153241A (ja) * 2002-10-11 2004-05-27 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2009177027A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板並びに発光素子
WO2009116232A1 (ja) * 2008-03-17 2009-09-24 信越半導体株式会社 化合物半導体基板及びそれを用いた発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法
JP2010087270A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子
JP2010153496A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子
JP2010171272A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子

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