WO2011132805A1 - 발광다이오드의 코팅 방법 - Google Patents
발광다이오드의 코팅 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011132805A1 WO2011132805A1 PCT/KR2010/002548 KR2010002548W WO2011132805A1 WO 2011132805 A1 WO2011132805 A1 WO 2011132805A1 KR 2010002548 W KR2010002548 W KR 2010002548W WO 2011132805 A1 WO2011132805 A1 WO 2011132805A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- light emitting
- coating
- emitting diode
- light
- coating material
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 112
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 208000037805 labour Diseases 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Definitions
- the present disclosure relates to a method of coating a light emitting diode as a whole, and more particularly, to a method of coating a light emitting diode that can be applied to a process of molding a surface of a light emitting diode.
- FIG. 1 is a view for explaining an example of a conventional method of coating a light emitting diode, the light emitting diode 110 is coated in a fixed state bonded to the mount 120.
- the mount 120 includes a lead frame 130 into which power is introduced, and the light emitting diode 110 is electrically connected to the lead frame 130.
- the thin metal wire 140 is connected, which is referred to as a 'wire bonding process'.
- the coating is performed by dropping the coating material 150 in the form of droplets onto the light emitting diodes 110 in which the wire bonding process is completed.
- the coating material 150 in the form of droplets is cured in a state in which it flows and surrounds the light emitting diodes 110.
- the light emitting diodes 110 are fixed to the mount 120 and the coating is performed after the wire bonding process is completed, if a defect occurs in the coating process, the light emitting diode 110 is disposed together with the mount 120, thereby causing a large loss. .
- the thickness of the light emitting diode 110 is coated is determined by the flow of the coating material in the droplet state, there is a problem that it is almost impossible to form a constant coating thickness.
- a method of coating a light emitting diode including a multilayer semiconductor layer and a bonding pad provided therein comprising: providing a coating material on the light emitting diode; Selectively irradiating light that does not pass through the bonding pad to the coating material in a direction from the multilayer semiconductor layer to the bonding pad to form a cured coating layer on the light emitting diode; And removing the uncured coating material.
- a coating method of a light emitting diode is provided.
- 1 is a view for explaining an example of a coating method of a conventional light emitting diode
- FIGS. 2 to 5 are views for explaining step by step an example of a coating method of a light emitting diode according to the present disclosure
- FIG. 6 is a view for explaining another example of the coating method of the light emitting diode according to the present disclosure.
- FIGS. 2 to 5 are diagrams for explaining an example of a method of coating a light emitting diode according to the present disclosure step by step, the step of placing a plurality of light emitting diodes 10 at a predetermined interval (see Fig. 2), Providing a coating material 20 on the light emitting diodes 10 (see FIG. 3), selectively curing the coating material 20 (see FIG. 4) and uncured coating materials 20c, 20d. Removing (see FIG. 5).
- the light emitting diode 10 includes an n-type semiconductor layer 11c that provides electrons, a p-type semiconductor layer 11a that provides holes, an n-type semiconductor layer 11c, and a p-type semiconductor layer. Interposed between (11a) and provided in a multi-layer structure including an active layer (11b) is generated by the recombination of the provided electrons and holes.
- Examples of the material constituting the multilayer semiconductor layer 11 include a group III nitride semiconductor, a group 2 oxide semiconductor, and a GaAs-based semiconductor used for red light emission.
- the semiconductor layer 11 of the multi-layer structure is grown on the substrate 13 mainly by MOCVD (organic metal vapor growth method).
- the substrate 13 may be a GaN-based substrate used as a homogeneous substrate when a group III nitride semiconductor is grown, and a sapphire substrate, a SiC substrate, or a Si substrate may be used as a heterogeneous substrate.
- bonding pads 15a and 15c are provided on the n-type semiconductor layer 11c and the p-type semiconductor layer 11a, respectively.
- the bonding pads 15a and 15c may be formed of an electrically conductive material and may be formed of a material containing chromium (Cr), and may include a material including titanium (Ti) instead of chromium (Cr). It may be provided. In addition, gold (Au), aluminum (Al) may be provided as a material further containing.
- chromium is most commonly used as the metal material of the photomask, because of good adhesion to quartz or glass, high pattern accuracy, and strong chemical resistance during cleaning. This is because the overall life is long.
- the substrate 13 on which the semiconductor layer 11 of the multilayer structure is grown is referred to as a so-called epi-wafer, and the light emitting diode 10 is formed by a process of cutting an epi wafer.
- the process of cutting the epi wafer is performed using a laser or diamond cutting machine.
- the plurality of light emitting diodes 10 separated by the process of cutting the epi wafer is attached to the fixing member 30 to prevent movement of the light emitting diodes.
- the fixing member 30 is made of a light-transmissive substrate coated with an adhesive or a stretchable material (eg, transparent tape).
- the interval between the plurality of light emitting diodes 10 attached to the fixing member 30 may be widened by stretching the fixing member 30.
- a process of arranging the separated plurality of light emitting diodes 10 according to the performance through a performance test may be added, and in this process, the light emitting diodes 10 may be arranged to form a gap between the light emitting diodes 10.
- the coating material 20 is applied to the light emitting diodes 10 disposed on the fixing member 30 by a predetermined interval.
- the coating material 20 is applied to a thickness covering the light emitting diodes 10.
- the coating material 20 is provided with a photocurable material that is cured by light.
- Examples of the photocurable material include UV epoxy and UV-patternable polymer, and may be provided with a resin that may be cured or patterned by light.
- the coating material 20 is preferably provided with a photocurable material that is cured by light in the ultraviolet region.
- the curable material is divided into a photocurable resin and a thermosetting resin.
- Thermosetting resins are resins cured by heat (or infrared rays) and have stable characteristics and reliability.
- the curing time is longer than that of the photocurable resin, and there is a disadvantage that it cannot be used when patterning is required or to be locally cured.
- the photocurable resin is generally a resin cured by ultraviolet rays, so that curing is performed in a short time, so that the process time may be shortened and local curing may be required or patterning may be used.
- the coating material 20 may be mixed with a phosphor 23 for changing the wavelength of the light emitted from the active layer (11b).
- a photo mask 40 is provided under the fixing member 30 for the selective curing of the applied coating material 20.
- the photo mask 40 may have a window A partitioned into a number corresponding to the plurality of light emitting diodes 10, that is, light aligned with an interval between the light transmitting region and the plurality of light emitting diodes 10. It does not have the mask pattern of the area B.
- the plurality of windows A are provided to be aligned with the plurality of light emitting diodes 10, and the light emitting diodes 10 are positioned inside the outline of each window A.
- a predetermined horizontal gap W is formed between the outline of each window A and the side surface of the light emitting diode 10 corresponding thereto.
- Light is preferably provided with light in the ultraviolet region.
- the coating material 20a on each side of the light emitting diode 10 is cured by a part of the light passing through the window A, and the coating material 20b on the top surface of the light emitting diode 10 is formed by the window A.
- FIG. And light transmitted through the light emitting diode 10.
- the coating material 20c at intervals between the respective light emitting diodes 10 is kept uncured by the region B through which light cannot pass.
- the coating material 20d on the bonding pads 15a and 15c among the coating materials on the upper surface of the light emitting diode 10 is kept uncured because light is blocked by the bonding pads 15a and 15c.
- the bonding pads 15a and 15c function as a kind of photo mask.
- the difficulty of forming the mask pattern corresponding to the bonding pads 15a and 15c having a very small size can be eliminated, and the labor cost is reduced because the mask pattern corresponding to the bonding pads 15a and 15c is not required.
- the yield of the coating process can be greatly improved.
- the thickness of the coating material 20a is coated on the side of the light emitting diode 10 according to the horizontal distance (W) between the outline of each window (A) and the side of the light emitting diode 10 corresponding thereto. Is determined.
- the thickness of the coating material 20a on the side surface of the light emitting diode 10 may be optimized by adjusting the horizontal spacing W between the outline of the window A and the side surface of the light emitting diode 10.
- the light is preferably irradiated in a direction perpendicular to the bonding pads 15a and 15c from the bottom of the multilayer semiconductor layer 11 so that the side coating thickness of the light emitting diode 10 is constant.
- the wire bonding process may be performed after the coating process is completed.
- FIG. 6 is a view for explaining another example of the coating method of the light emitting diode according to the present disclosure, in order to control the thickness of the coating material 20 applied to the light emitting diode 10, the coating material 20 is fixed member ( There is a difference from the above-described example in that the flow preventing film 35 which is prevented from continuously flowing in the direction parallel to the 30 is provided around the fixing member 30.
- the flow preventing film 35 is formed to be higher than the thickness of the light emitting diode 10, in which case the thickness of the coating material 20 may be controlled by the amount of the coating material 20 supplied for the application of the light emitting diode 10.
- the thickness of the coating material 20 may be controlled by the amount of the coating material 20 supplied for the application of the light emitting diode 10.
- the coating method of the light emitting diode characterized in that the coating material provided on the bonding pad is not cured. This is made possible by irradiating light curing the coating material on the bottom surface of the light emitting diode.
- the bonding pad serves as a kind of mask.
- the step of forming a cured coating layer is a method of coating a light emitting diode, characterized in that for selectively irradiating light to the coating material using a photo mask provided under the multi-layer semiconductor layer.
- the photomask has at least one window partitioned so as to correspond to one light emitting diode and has light transmitted therethrough, and the thickness of the cured coating layer formed on the side of the light emitting diode is equal to the horizontal gap of the window and the multilayer semiconductor layer.
- a coating method of a light emitting diode characterized in that provided with a plurality of light emitting diodes, arranged apart by a predetermined interval.
- the plurality of light emitting diodes are fixed integrally by the light transmitting member, and the step of forming the cured coating layer is a photo mask provided under the light transmitting member, which is partitioned so as to correspond to the plurality of light emitting diodes one-to-one and transmits light.
- a method of coating a light emitting diode comprising irradiating light selectively to a coating material using a photomask having two windows.
- the coating material includes a phosphor, and the bonding pad is coated with a light emitting diode, characterized in that provided with an electrically conductive material containing chromium (Cr).
- the plurality of light emitting diodes are fixed integrally by the light transmissive member, and the step of forming the cured coating layer is a pattern formed on the lower surface of the light transmissive member.
- Method of coating a light emitting diode characterized in that for selectively irradiating light to the coating material using a pattern comprising a.
- the bonding pad provided in the light emitting diode is used as a kind of photo mask, the cost and labor required to manufacture a separate photo mask for removing the coating material on the upper portion of the bonding pad is reduced. Removal can greatly improve yield.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 개시는 다층구조 반도체층 및 그에 구비된 본딩 패드를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법에 있어서, 발광다이오드 위에 코팅물질을 구비하는 단계; 본딩 패드를 투과하지 못하는 광을 다층구조 반도체층에서 본딩 패드를 향하는 방향으로 코팅물질에 선택적으로 조사하여 발광다이오드에 경화된 코팅층을 형성하는 단계; 및 경화되지 않은 코팅물질을 제거하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법에 관한 것이다.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 발광다이오드의 코팅 방법에 관한 것으로, 특히 발광다이오드의 표면을 몰딩하는 공정에 적용될 수 있는 발광다이오드의 코팅 방법에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 발광다이오드의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 도면으로서, 발광다이오드(110)는 마운트(120)에 접착되어 고정된 상태에서 코팅된다.
마운트(120)는 전원이 도입되는 리드프레임(130)을 포함하며, 발광다이오드(110)는 리드프레임(130)과 전기적으로 연결된다. 일반적으로 가는 금속선(140)을 이용하여 연결되는데, 이를 '와이어 본딩 공정'이라 한다.
코팅은 와이어 본딩 공정이 완료된 발광다이오드(110)에 액적(droplet) 형태의 코팅물질(150)을 떨어뜨리는 방법으로 진행된다.
액적 형태의 코팅물질(150)은 유동되어 발광다이오드(110)를 감싸는 상태로 경화된다.
이에 의해 발광다이오드(110)의 코팅이 완료된다.
이 경우, 발광다이오드(110)가 마운트(120)에 고정되고 와이어 본딩 공정이 완료된 후에 코팅이 이루어지므로, 코팅 공정에서 불량이 발생되면 마운트(120)와 함께 폐기되므로 큰 손실이 발생되는 문제가 있었다.
또한, 마운트(120)마다 액적 상태의 코팅 물질을 공급하여야 하므로, 코팅 공정에 많은 공수가 들어가 수율이 떨어지는 문제가 있었다.
또한, 발광다이오드(110)가 코팅되는 두께는 액적 상태인 코팅 물질의 유동에 의해 결정되므로 일정한 코팅 두께를 형성하는 것이 거의 불가능한 문제가 있었다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 다층구조 반도체층 및 그에 구비된 본딩 패드를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법에 있어서, 발광다이오드 위에 코팅물질을 구비하는 단계; 본딩 패드를 투과하지 못하는 광을 다층구조 반도체층에서 본딩 패드를 향하는 방향으로 코팅물질에 선택적으로 조사하여 발광다이오드에 경화된 코팅층을 형성하는 단계; 및 경화되지 않은 코팅물질을 제거하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 발광다이오드의 코팅 방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 2 내지 도 5는 본 개시에 따른 발광다이오드의 코팅 방법의 일 예를 단계별로 설명하는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 발광다이오드의 코팅 방법의 다른 예를 설명하는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 2 내지 도 5는 본 개시에 따른 발광다이오드의 코팅 방법의 일 예를 단계별로 설명하는 도면으로서, 복수의 발광다이오드(10)를 소정의 간격만큼 떨어뜨려 위치시키는 단계(도 2 참조.), 발광다이오드(10) 위에 코팅물질(20)을 구비하는 단계(도 3 참조.), 코팅물질(20)을 선택적으로 경화시키는 단계(도 4 참조.) 및 경화되지 않은 코팅물질(20c,20d)을 제거하는 단계(도 5 참조.)를 포함한다.
도 2를 참조하면, 발광다이오드(10)는 전자를 제공하는 n형 반도체층(11c)과, 정공을 제공하는 p형 반도체층(11a)과, n형 반도체층(11c) 및 p형 반도체층(11a) 사이에 개재되며 제공된 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 발생되는 활성층(11b)을 포함하는 다층구조로 구비된다.
다층구조의 반도체층(11)을 구성하는 물질은 3족 질화물 반도체, 2족 산화물 반도체, 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체를 예로 들 수 있다.
다층구조의 반도체층(11)은 기판(13) 위에 주로 MOCVD(유기금속기상성장법)에 의해 성장된다.
기판(13)은 3족 질화물 반도체가 성장되는 경우 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용될 수 있다.
한편, n형 반도체층(11c) 위와, p형 반도체층(11a) 위에는 각각 본딩 패드(15a,15c)가 구비된다.
본딩 패드(15a,15c)는 와이어 본딩을 위한 구성으로 전기 전도성 물질로 구비되며, 크롬(Cr)을 포함하는 물질로 구비되는 것이 바람직하며, 크롬(Cr) 대신 티타늄(Ti)을 포함하는 물질로 구비될 수 있다. 그 밖에 금(Au), 알루미늄(Al) 등이 더 함유된 물질로 구비될 수 있다.
이에 의해, 본딩 패드(15a,15c)를 통해 빛이 투과되는 것이 방지되며, 추후 설명하는 본딩 패드(15a,15c)의 포토 마스크로서의 기능이 향상될 수 있다.
구체적으로, 포토 마스크의 금속 재료로는 크롬(Cr)이 가장 많이 사용되는데, 그 이유로는 쿼츠(quartz) 나 글래스 등에의 접착력이 좋고 패턴의 정밀도가 높으며, 세정시에 화학 약품에 강한 특성을 보이는 등 전체적으로 수명이 길기 때문이다.
여기서, 다층구조의 반도체층(11)이 성장된 기판(13)을 소위 '에피 웨이퍼(Epi-wafer)'라 하며, 발광다이오드(10)는 에피 웨이퍼를 절단하는 공정에 의해 형성된다.
에피 웨이퍼를 절단하는 공정은 레이저 또는 다이아몬드 커팅기를 이용하여 진행된다.
에피 웨이퍼를 절단하는 공정에 의해 분리된 복수 개의 발광다이오드(10)는 고정부재(30)에 부착되어 제각각 움직이는 것이 방지된다.
고정부재(30)는 접착제가 도포된 투광성의 기판이나 연신 가능한 물질(예: 투명테이프)로 구비된다.
고정부재(30)에 부착된 복수 개의 발광다이오드(10) 사이의 간격은 고정부재(30)를 연신시킴으로써 넓혀질 수 있다.
이와 달리, 분리된 복수 개의 발광다이오드(10)를 성능검사를 통해 성능에 따라 배열시키는 공정이 추가될 수 있는데, 이 과정에서 발광다이오드(10) 사이의 간격이 형성되도록 배열될 수 있다.
다음으로, 도 3을 참조하면, 고정부재(30) 위에 소정의 간격만큼 떨어져 배치된 발광다이오드(10)에 코팅물질(20)이 도포된다.
코팅물질(20)은 발광다이오드(10)를 덮는 두께로 도포된다.
이때, 도포된 코팅 물질(20)이 소정의 두께를 갖도록 코팅물질(20)의 도포 속도를 적절히 조절하는 것이 필요하다.
한편, 코팅물질(20)을 도포하는 속도가 빠를 경우 도포된 코팅물질(20)이나 복수 개의 발광다이오드(10) 사이의 간격에 기포가 생길 수 있으므로 이를 방지하기 위한 코팅물질(20)의 도포 속도를 적절히 조절하는 것이 필요하다.
코팅물질(20)은 빛에 의해 경화되는 광경화성 물질로 구비된다.
광경화성 물질은 UV epoxy, UV-patternable polymer를 예로 들 수 있으며, 이 밖에 광에 의해 경화 또는 패터닝될 수 있는 수지로 구비될 수 있다.
특히, 코팅물질(20)은 자외선 영역의 빛에 의해 경화되는 광경화성 물질로 구비되는 것이 바람직하다.
일반적으로, 경화성 물질(수지)은 광경화성 수지와 열경화성 수지로 나누어진다. 열경화성 수지는 열(또는 적외선)에 의해 경화되는 수지로서 안정적인 특성 및 신뢰성을 갖는다. 반면에 광경화성 수지에 비하여 경화 시간이 오래 걸리고, 패터닝이 요구되거나 국부적으로 경화시키고자 할 때에는 사용할 수 없는 단점이 있다.
이에 비해 광경화성 수지는 일반적으로 자외선에 의해 경화되는 수지로서 짧은 시간에 경화가 이루어지므로 공정 시간이 단축되고 국부적 경화가 요구되거나, 패터닝이 요구되는 경우에도 사용될 수 있는 장점이 있다.
한편, 코팅물질(20)에는 활성층(11b)에서 방출되는 빛의 파장을 변화시키는 형광체(23)가 혼입될 수 있다.
이에 의해, 발광다이오드(10)에서 방출되는 빛의 색이 다양하게 연출될 수 있다.
다음으로, 도 4를 참조하면, 도포된 코팅물질(20)의 선택적인 경화를 위해 고정부재(30)의 하부에 포토 마스크(40)가 구비된다.
포토 마스크(40)는, 복수 개의 발광다이오드(10)에 대응되는 수로 구획된 윈도우(A), 즉 빛이 투과되는 영역과, 복수 개의 발광다이오드(10) 사이의 간격에 정렬되는 빛이 통과하지 못하는 영역(B)의 마스크 패턴을 가진다.
복수 개의 윈도우(A)는 복수 개의 발광다이오드(10)와 정렬되도록 구비되며, 각 윈도우(A)의 외곽선의 내부에 발광다이오드(10)가 위치된다.
이에 의해, 각 윈도우(A)의 외곽선과 그에 대응되는 발광다이오드(10)의 측면 사이에 소정의 수평 간격(W)이 형성된다.
다음으로, 포토 마스크(40)의 하부로부터 발광다이오드(10)의 상부를 향하는 방향으로 코팅물질(20)의 경화를 위한 빛이 조사된다.
빛은 자외선 영역의 빛으로 구비되는 것이 바람직하다.
이에 의해, 각각의 발광다이오드(10) 측면의 코팅물질(20a)은 윈도우(A)를 투과한 빛의 일부에 의해 경화되며, 발광다이오드(10)의 상면의 코팅물질(20b)은 윈도우(A) 및 발광다이오드(10)를 투과한 빛에 의해 경화된다. 그러나, 각각의 발광다이오드(10) 사이 간격의 코팅물질(20c)은 빛이 통과하지 못하는 영역(B)에 의해 경화되지 않은 상태로 유지된다.
한편, 발광다이오드(10)의 상면의 코팅물질 중 본딩 패드(15a,15c) 위의 코팅물질(20d)은 빛이 본딩 패드(15a,15c)에 의해 차단되므로 경화되지 않은 상태로 유지된다.
여기서, 본딩 패드(15a,15c)는 일종의 포토 마스크로서 기능을 하게 된다.
따라서, 크기가 매우 작은 본딩 패드(15a,15c)에 대응되는 마스크 패턴 형성의 어려움이 해소될 수 있으며, 본딩 패드(15a,15c)에 대응되는 마스크 패턴을 형성할 필요가 없어지므로 공수가 절감되어 코팅 공정의 수율을 크게 향상시킬 수 있다.
한편, 본 예에서 발광다이오드(10)의 측면에 코팅물질(20a)이 코팅되는 두께는 각 윈도우(A)의 외곽선과 그에 대응되는 발광다이오드(10)의 측면 사이의 수평 간격(W)에 따라 결정된다.
따라서, 윈도우(A)의 외곽선과 발광다이오드(10)의 측면 사이의 수평 간격(W) 조절을 통해 발광다이오드(10)의 측면에 코팅물질(20a)이 코팅되는 두께를 최적화시킬 수 있을 것이다.
또한, 본 예에서 발광다이오드(10)의 측면 코팅 두께가 일정하도록 빛은 다층구조 반도체층(11) 하부로부터 본딩 패드(15a,15c)에 수직한 방향으로 조사되는 것이 바람직하다.
한편, 본 예에서 포토 마스크(40)가 별도로 구비되는 경우에 대해 설명되었으나, 고정부재(30)의 하면에 직접 마스크 패턴을 형성하는 것도 가능할 것이다.
이 경우, 공정이 보다 간단해지게 된다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 경화되지 않은 코팅물질(20c,20d)이 제거된다.
이 과정에서 복수 개의 발광다이오드(10)는 서로 분리된 상태로 코팅되므로, 각각의 발광다이오드(10) 별로 분리를 위한 기계적 공정이 불필요하게 된다.
또한, 본딩 패드(15a,15c) 상부의 코팅물질(20d)도 경화되지 않고 제거되므로, 코팅 공정을 완료한 후 와이어 본딩 공정을 진행할 수 있게 된다.
도 6은 본 개시에 따른 발광다이오드의 코팅 방법의 다른 예를 설명하는 도면으로서, 발광다이오드(10)에 도포되는 코팅물질(20)의 정확한 두께 조절을 위해, 코팅물질(20)이 고정부재(30)와 평행한 방향으로 계속 유동되는 것을 방지하는 흐름방지막(35)이 고정부재(30)의 둘레에 구비되는 점에서 앞서 설명한 예와 차이가 있다.
흐름방지막(35)은 발광다이오드(10)의 두께보다 높게 형성되며, 이 경우 코팅물질(20)의 두께는 발광다이오드(10)의 도포를 위해 공급되는 코팅물질(20)의 양에 의해 조절될 수 있을 것이다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 본딩 패드 위에 구비된 코팅물질은 경화되지 않는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅방법. 이는 발광다이오드의 저면에서 코팅물질을 경화시키는 광이 조사됨으로써 가능해진다. 이때 본딩 패드는 일종의 마스크로서 역할을 하게 된다.
(2) 광은 다층구조 반도체층 하부로부터 본딩 패드에 수직한 방향으로 조사되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법. 이는 경화되지 않은 코팅물질의 제거 시 본딩 패드의 수직방향으로 제거되므로, 와이어 본딩 공정이 보다 용이해지게 된다.
(3) 본딩 패드는 자외선이 투과하지 못하는 전기 전도성 물질로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법. 이에 의해 본딩 패드가 일종을 마스크로 기능하게 되며, 와이어 본딩을 위해 본딩 패드에 대응되는 별도의 마스크 제작에 소요되는 공수를 감소시키게 된다.
(4) 코팅물질은 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(5) 경화된 코팅층 형성단계는 다층구조 반도체층 하부에 구비되는 포토 마스크를 사용하여 코팅물질에 선택적으로 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(6) 포토 마스크는 하나의 발광다이오드와 대응되도록 구획되며 빛이 투과되는 적어도 하나의 윈도우를 가지며, 발광다이오드의 측면에 형성된 경화된 코팅층의 두께는 윈도우의 외곽선과 다층구조 반도체층의 수평간격에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(7) 발광다이오드는 복수 개로 구비되며, 설정된 간격만큼 떨어져 배열되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(8) 복수의 개의 발광다이오드는 투광성 부재에 의해 일체로 고정되며, 경화된 코팅층 형성단계는 투광성 부재의 하부에 구비되는 포토 마스크로써, 복수 개의 발광다이오드와 일대일 대응되도록 구획되며 빛이 투과되는 복수 개의 윈도우를 가지는 포토 마스크를 사용하여 코팅물질에 선택적으로 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(9) 포토 마스크는 투광성 부재의 하면에 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(10) 하나의 발광다이오드의 외곽선은 그와 일대일 대응되는 윈도우의 외곽선 내부에 위치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(11) 코팅물질은 형광체를 포함하며, 본딩 패드는 크롬(Cr)을 포함하는 전기 전도성 물질로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
(12) 복수 개의 발광다이오드는 투광성 부재에 의해 일체로 고정되며, 경화된 코팅층 형성단계는, 투광성 부재의 하면에 형성되는 패턴으로서, 빛이 투과하는 영역(A)과 투과하지 못하는 영역(B)을 포함하는 패턴을 사용하여 코팅물질에 선택적으로 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
본 개시에 따른 하나의 발광다이오드의 코팅 방법에 의하면, 발광다이오드에 구비되는 본딩 패드를 일종의 포토 마스크로 사용하므로 본딩 패드 윗부분의 코팅 물질 제거를 위해 별도의 포토 마스크를 제작하는데 소요되는 비용 및 공수를 제거하여 수율을 크게 향상시킬 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 다른 발광다이오드의 코팅 방법에 의하면, 발광다이오드를 마운트에 고정하거나, 와이어 본딩 공정 전에 코팅하므로 코팅 불량으로 인한 손실이 줄어드는 이점을 가질 수 있다.
또한 본 개시에 따른 또다른 발광다이오드의 코팅 방법에 의하면, 코팅 물질이 복수의 발광다이오드에 동시에 도포된 상태에서 광경화에 의해 코팅이 이루어지므로 코팅 공정에 소요되는 공수를 줄일 수 있다. 따라서, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
Claims (14)
- 다층구조 반도체층 및 그에 구비된 본딩 패드를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법에 있어서,발광다이오드 위에 코팅물질을 구비하는 단계;본딩 패드를 투과하지 못하는 광을 다층구조 반도체층에서 본딩 패드를 향하는 방향으로 코팅물질에 선택적으로 조사하여 발광다이오드에 경화된 코팅층을 형성하는 단계; 및경화되지 않은 코팅물질을 제거하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 1에 있어서,본딩 패드 위에 구비된 코팅물질은 경화되지 않는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅방법.
- 청구항 1에 있어서,광은 다층구조 반도체층 하부로부터 본딩 패드에 수직한 방향으로 조사되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 1에 있어서,코팅물질은 광경화성 수지로 구비되며, 광은 자외선인 것을 특징으로 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 4에 있어서,본딩 패드는 자외선이 투과하지 못하는 전기 전도성 물질로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 1에 있어서,코팅물질은 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 1에 있어서,경화된 코팅층 형성단계는 다층구조 반도체층 하부에 구비되는 포토 마스크를 사용하여 코팅물질에 선택적으로 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 1에 있어서,포토 마스크는 하나의 발광다이오드와 대응되도록 구획되며 빛이 투과되는 적어도 하나의 윈도우를 가지며,발광다이오드의 측면에 형성된 경화된 코팅층의 두께는 윈도우의 외곽선과 다층구조 반도체층의 수평간격에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 1에 있어서,발광다이오드는 복수 개로 구비되며, 설정된 간격만큼 떨어져 배열되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 9에 있어서,복수의 개의 발광다이오드는 투광성 부재에 의해 일체로 고정되며,경화된 코팅층 형성단계는 투광성 부재의 하부에 구비되는 포토 마스크로써, 복수 개의 발광다이오드와 일대일 대응되도록 구획되며 빛이 투과되는 복수 개의 윈도우를 가지는 포토 마스크를 사용하여 코팅물질에 선택적으로 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 10에 있어서,포토 마스크는 투광성 부재의 하면에 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 10에 있어서,하나의 발광다이오드의 외곽선은 그와 일대일 대응되는 윈도우의 외곽선 내부에 위치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 10에 있어서,코팅물질은 형광체를 포함하며,본딩 패드는 크롬(Cr)을 포함하는 전기 전도성 물질로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
- 청구항 9에 있어서,복수 개의 발광다이오드는 투광성 부재에 의해 일체로 고정되며,경화된 코팅층 형성단계는, 투광성 부재의 하면에 형성되는 패턴으로서, 빛이 투과하는 영역(A)과 투과하지 못하는 영역(B)을 포함하는 패턴을 사용하여 코팅물질에 선택적으로 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 코팅 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2010/002548 WO2011132805A1 (ko) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | 발광다이오드의 코팅 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2010/002548 WO2011132805A1 (ko) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | 발광다이오드의 코팅 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2011132805A1 true WO2011132805A1 (ko) | 2011-10-27 |
Family
ID=44834318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2010/002548 WO2011132805A1 (ko) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | 발광다이오드의 코팅 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| WO (1) | WO2011132805A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019158648A1 (en) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Signify Holding B.V. | Sealed device with light engine |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040024545A (ko) * | 2001-02-21 | 2004-03-20 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 기판상에 증착된 다중층 구조물에 대한 고분해능포토레지스트 구조화 |
| US6756186B2 (en) * | 2002-03-22 | 2004-06-29 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices |
| KR20090076101A (ko) * | 2008-01-07 | 2009-07-13 | 서울대학교산학협력단 | 발광 다이오드 코팅 방법 |
| JP2009188237A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子アレイチップの製造方法、マイクロレンズ成形型、発光素子ヘッドおよび画像形成装置 |
-
2010
- 2010-04-23 WO PCT/KR2010/002548 patent/WO2011132805A1/ko active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040024545A (ko) * | 2001-02-21 | 2004-03-20 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 기판상에 증착된 다중층 구조물에 대한 고분해능포토레지스트 구조화 |
| US6756186B2 (en) * | 2002-03-22 | 2004-06-29 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices |
| KR20090076101A (ko) * | 2008-01-07 | 2009-07-13 | 서울대학교산학협력단 | 발광 다이오드 코팅 방법 |
| JP2009188237A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光素子アレイチップの製造方法、マイクロレンズ成形型、発光素子ヘッドおよび画像形成装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019158648A1 (en) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Signify Holding B.V. | Sealed device with light engine |
| JP2021508182A (ja) * | 2018-02-19 | 2021-02-25 | シグニファイ ホールディング ビー ヴィＳｉｇｎｉｆｙ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｂ．Ｖ． | ライトエンジンを備える封止デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10714369B2 (en) | Micro device transferring method and micro device transferring apparatus | |
| WO2013151387A1 (ko) | 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 | |
| WO2020013478A1 (ko) | 마이크로 엘이디 디스플레이 및 이의 제작 방법 | |
| WO2009088198A2 (ko) | 발광 다이오드 코팅 방법 | |
| KR20120061376A (ko) | 반도체 발광 소자에 형광체를 도포하는 방법 | |
| WO2011037436A2 (ko) | 발광장치에 사용되는 복합필름, 발광장치 및 그 제조방법 | |
| EP1526574B1 (en) | Semiconductor device, light emitting diode print head and image-forming apparatus using the same | |
| JPH11307878A (ja) | 光入出力素子アレイ装置の製造法 | |
| CN1139984A (zh) | 并列的光学互连接 | |
| WO2021256787A1 (ko) | 복수의 유닛 픽셀을 갖는 발광 모듈, 그것을 제조하는 방법, 및 그것을 갖는 디스플레이 장치 | |
| WO2019112206A1 (ko) | 엘이디 디스플레이 패널 및 그 제조방법 | |
| WO2018139687A1 (ko) | Led 모듈 | |
| US10971890B2 (en) | Micro laser diode transfer method and manufacturing method | |
| EP2643721A2 (en) | Optical printed circuit board and method for manufacturing the same | |
| CN106887507B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| WO2011132805A1 (ko) | 발광다이오드의 코팅 방법 | |
| WO2013081351A1 (ko) | 간접 조명 장치 | |
| WO2013024916A1 (ko) | 파장변환형 발광다이오드 칩 및 그 제조방법 | |
| TWI470840B (zh) | 用於製造複數個半導體組件的方法 | |
| EP4046194A1 (en) | Forming a multicolor phosphor-converted led array | |
| US20200006924A1 (en) | Micro Laser Diode Display Device and Electronics Apparatus | |
| WO2021137625A1 (ko) | 디스플레이 패널, 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| US11749786B2 (en) | Multicolor phosphor-converted LED array | |
| WO2020242175A1 (ko) | 캔틸레버 전극을 갖는 발광 소자, 그것을 갖는 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 | |
| CN113363276B (zh) | 显示面板及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10850288 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 10850288 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |