WO2011115395A2 - 광소자 디바이스 및 그 제조 방법 - Google Patents

광소자 디바이스 및 그 제조 방법 Download PDF

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WO2011115395A2
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송태환
전영철
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주식회사 포인트 엔지니어링
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Definitions

  • the present invention relates to an optical device and a method of manufacturing the same.
  • Optical devices refer to devices that generate light by receiving an electrical signal. Such optical devices are used in various fields, and among them, research of optical devices is being actively conducted as the display field grows gradually.
  • LEDs light emitting diodes
  • Such light emitting diodes generate light by a combination of electrons and holes, which inevitably generate heat in addition to light. If the heat of the light emitting diode is not dissipated, there is a risk of device damage and operation efficiency is lowered. Therefore, there is a need for a structure of a device that can easily perform heat radiation of a light emitting diode.
  • the light emitting diode is used as a backlight unit (BLU) of the LCD.
  • BLU backlight unit
  • a plurality of packaged light emitting diode devices are used to form one backlight unit.
  • some of the light emitting diodes do not operate due to short life, failure, damage, or the like, it is difficult to replace only the corresponding light emitting diode device, which causes a problem of inferior work efficiency. Accordingly, there is a case where the entire backlight unit is replaced, in which case unnecessary consumption occurs.
  • the present invention provides an optical device that facilitates heat dissipation of an optical device, and is easily replaced when some of them are provided to form a backlight unit.
  • An optical device comprises a substrate having a fastening groove formed from one surface toward the inside; An insulating layer formed on at least one surface of the surface of the substrate except the surface on which the groove is formed; An electrode layer formed on the insulating layer using at least one method selected from among plasma arc spraying method, cold spraying method, paste method and printing method; An optical element formed on the substrate and electrically connected to the electrode layer; And a protective layer formed on the substrate to surround the optical device and the conductive wire.
  • the fastening groove of the substrate may be formed to correspond to the outer peripheral shape of the bar (bar) of the backlight unit.
  • the insulating layer, the electrode layer, and the optical device may be formed on a surface on the opposite side where the fastening groove of the substrate is formed.
  • the insulating layer, the electrode layer, and the optical device may be formed on the surface of the side portion forming the fastening groove of the substrate.
  • the substrate may be formed to have a rectangular planar shape with one side open.
  • the substrate may be formed with at least one protrusion protruding from the inner surface of the side forming the fastening groove.
  • the substrate may further include an accommodating groove corresponding to the optical device on a surface formed under the optical device.
  • an angle between a side of the substrate forming the groove and a direction in which the substrate is coupled to the backlight unit may be 15 ° or less.
  • the optical device may be coupled to one surface of the substrate in the form of an optical device package.
  • the optical device package may further include: an upper substrate having a plurality of regions electrically separated from each other by an insulating layer formed through the thickness and the insulating layer, and each region electrically connected to the electrode layer; An optical element formed on the substrate; A conductive wire electrically connecting the optical device to at least one region of the substrate; And a protective layer formed on the package substrate to surround the optical device and the conductive wire.
  • the optical device may be coupled to the substrate through solder.
  • the substrate may be formed with a heat sink made of a plurality of projections on at least one of the surface except the surface on which the optical device is formed.
  • a method of manufacturing an optical device includes a substrate material drawing step of drawing a substrate material having a longitudinal direction; A substrate material processing step of cutting the substrate material to form a plurality of substrates having fastening grooves formed inwardly from one surface thereof; Forming an insulating layer by anodizing at least one surface of the substrate; An electrode layer forming step of forming an electrode layer on the insulating layer by using any one method selected from plasma arc spray method, cold spray method, paste method and printing method; Attaching an optical device to at least one surface of the substrate; An electrical connection step of connecting the electrode layer and the optical device through a conductive wire; And a protective layer forming step of forming a protective layer to surround the optical device and the conductive wire.
  • the substrate material drawing step may be that the substrate is drawn in a form in which the groove is formed continuously along the longitudinal direction.
  • the substrate material drawing step may be that the substrate is drawn in the form having a hole therein.
  • the substrate material processing step may be to form the substrate by cutting at least once in the longitudinal direction from the center of the substrate material.
  • the substrate material drawing step may be that the substrate is drawn in the form having a plurality of holes therein.
  • the substrate material drawing step may be that the substrate material is drawn to have a cutting hole between each of the plurality of holes.
  • the substrate material drawing step may be that the substrate material is drawn so that the diameter of the cutting hole is smaller than the diameter of the cutting wheel.
  • the substrate material processing step may be to form the substrate by cutting the substrate material along a path including the cutting hole.
  • the optical device according to the present invention can be provided with a metal having good thermal conductivity, so that heat of the optical device can be easily radiated to the outside.
  • the optical device according to the present invention has a groove and a fastening portion at the bottom of the substrate, so that a plurality of optical device can be coupled to the bar of the backlight unit through the substrate, thereby replacing the optical device Only the bay can be replaced easily.
  • FIG. 1A is a perspective view of an optical device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1A.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a flowchart for explaining a method of manufacturing an optical device according to an embodiment of the present invention.
  • 12A to 19 are diagrams for describing a method of manufacturing an optical device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a perspective view of an optical device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1A.
  • an optical device device 100 may include a substrate 110, an insulating layer 120, an electrode layer 130, an optical device 150, and a conductive wire 160. ), And a protective layer 170.
  • the optical device device 100 according to an embodiment of the present invention may further include a partition wall 140.
  • the substrate 110 is formed based on a plate shape formed in one direction as a whole, and is formed to include a fastening part 111 protruding downward.
  • the substrate 110 supports the optical device 150 and is connected to an external frame or structure.
  • the substrate 110 is any one material selected from copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, aluminum nitride and silicon carbide having excellent thermal conductivity in order to easily transfer the heat of the optical device 150 to the outside. It may be made of.
  • at least one insulating layer 120, an electrode layer 130, a partition wall 140, an optical device 150, a conductive wire 160, and a protective layer 170 are disposed on a single substrate 110. These may each be formed.
  • the substrate 110 includes a fastening groove 110a formed therein from a lower portion thereof, and a bottom surface 110b forming a lower portion of the fastening groove 110a.
  • a configuration of the optical device 150 or the like is formed on a corresponding upper portion of the bottom surface 110b.
  • the fastening part 111 of the substrate 110 protrudes downward from both edges of the substrate 110 to couple the substrate 110 to a bar of a backlight unit (BLU).
  • the planar shape of the substrate 110 has a shape of approximately 'c', that is, a quadrangular shape with one side open.
  • the fastening part 111 is formed along the fastening groove 110a formed from the bottom surface 110b of the substrate 110. Therefore, the backlight unit may be inserted into the fastening groove 110a formed between the fastening portions 111, fixed by the fastening portions 111, and formed in a direct type.
  • the optical device 100 may be coupled to the bar of the backlight unit.
  • the fastening part 111 may increase the surface area of the substrate 110, thereby easily dissipating heat from the optical device 150 transferred to the substrate 110 to the outside.
  • a heat sink may be further formed outside the fastening part 111.
  • the structure of the heat sink is formed in the form of a plurality of protrusions protruding to the outside of the fastening portion 111, it is possible to widen the surface area of the fastening portion 111, and thus to see the heat of the optical element 150 It can dissipate easily.
  • the insulating layer 120 is formed on the substrate 110.
  • the insulating layers 120 are formed in pairs, and are spaced apart from each other on the substrate 110.
  • the insulating layer 120 may be formed by anodizing an upper surface of the substrate 110. That is, the insulating layer 120 may be formed by oxidizing the substrate 110.
  • the insulating layer 120 may be formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
  • the insulating layer 120 may be formed by spraying a ceramic of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or yttrium oxide (Y 2 O 3 ) on the substrate 110 by plasma arc spraying or the like.
  • the insulating layer 120 may be formed by mixing the anodizing and the spray method, and performing anodizing on the upper surface of the substrate 110, and then spraying on the upper portion again.
  • the insulating layer 120 is illustrated as being formed only on the upper portion of the substrate 110, it may be formed to surround the outer periphery of the substrate 110.
  • the insulating layer 120 may be formed only in the remaining portion except for the inside of the fastening portion 111.
  • the insulating layer 120 attaches an insulating sheet such as an Insulated Metal Substrate (IMS) sheet to the upper portion of the substrate 110 instead of performing anodizing. Can be formed.
  • IMS Insulated Metal Substrate
  • the electrode layer 130 is formed on the insulating layer 120.
  • the electrode layer 130 is formed in pairs to correspond to the upper portion of the insulating layer 120.
  • the electrode layer 130 inputs and outputs a signal of the optical device 150 and includes at least one selected from gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), nickel (Ni), and tungsten (W). It can be formed using any one or a combination thereof, using at least one method selected from the plating method (electrolytic plating or electroless plating), plasma arc spray method, cold spray method, paste method and printing method, It is formed on the insulating layer 120.
  • the electrode layer 130 may be formed by attaching a copper foil on top of the insulating layer 120.
  • an additional insulating layer 135 may be further formed on the electrode layer 130.
  • the additional insulating layer 135 is formed to partially surround the outer portion of the electrode layer 130.
  • the additional insulating layer 135 may be protected by preventing the electrode layer 130 from being exposed to the outside.
  • the additional insulating layer 135 may be formed of a photosensitive barrier rib paste (PSR) or a solder resist (SR).
  • the partition wall 140 may be formed on the insulating layer 120.
  • the partition wall 140 protrudes from the upper surface of the insulating layer 120 in the vertical direction.
  • the partition wall 140 is provided in pairs, and are formed at edges of the electrode layer 130, respectively.
  • the partition wall 140 partitions an area for accommodating the protective layer 170.
  • the partition wall 140 may be formed of an epoxy resin having good light reflectance, a photosensitive partition paste (PSR), or a mixture thereof, and may be formed of silicon in some cases.
  • the optical device 150 is formed on the substrate 110.
  • the optical device 150 is formed on the substrate 110, and is formed between the insulating layers 120.
  • the optical device 150 may be attached to the upper surface of the substrate 110 through the paste 151.
  • the optical device 150 may be plated with any one selected from a combination of gold, silver, and nickel copper instead of the paste 151, and by performing an eutectic bonding thereon, the substrate. It is also possible to attach it to the top of 110.
  • the eutectic bonding is performed using gold, tin, or the like, heat of the optical device 150 may be more easily transmitted to the substrate 110.
  • the optical device 150 may emit light and emit light toward the upper portion of the substrate 110.
  • the optical device 150 may be formed of a light emitting diode (LED).
  • the optical device 150 is electrically connected to the electrode layer 130 of the substrate 110 through the conductive wire 160. Therefore, a signal of power input through the substrate 110 is transferred to the optical device 150 through the electrode layer 130.
  • the conductive wire 160 connects the electrode layer 130 with the optical device 150.
  • Two conductive wires 160 may be formed to be connected to each electrode of the optical device 150.
  • the conductive wire 160 is typically formed of gold, copper or aluminum with high electrical conductivity.
  • the conductive wire 160 may be formed by forming a ball bonding region in the optical device 150 at one end and a stitch bonding region in the electrode layer 130 at the other end.
  • the conductive wire 160 may be formed by forming a ball bonding region in the electrode layer 130 at one end and a stitch bonding region in the optical device 150 at the other end.
  • the protective layer 170 is formed on the substrate 110 and is formed in an area partitioned by the partition wall 140.
  • the protective layer 170 is formed to surround the optical device 150 and the conductive wire 160 therein.
  • the protective layer 170 protects the optical device 150 and the conductive wire 160 from external pressure.
  • the protective layer 170 may be formed by mixing a conventional fluorescent material in the epoxy resin.
  • the fluorescent material is excited when the visible light or the ultraviolet light generated from the optical device 150 is applied and is then stabilized to generate the visible light.
  • the protective layer 170 formed of a fluorescent material may convert the light generated from the optical device 150 into red green blue (RGB) light or white light. Therefore, the optical device device 100 according to an embodiment of the present invention can be used as a backlight unit (BLU) of a liquid crystal display panel (Liqiud Crystal Display Panel).
  • BLU backlight unit
  • the optical device device 100 includes a substrate having a high thermal conductivity metal so that heat of the optical device 150 can be easily radiated to the outside. Can be.
  • the groove 110 and the fastening part 111 may be provided below the substrate 110 to allow the plurality of optical devices 150 to be easily coupled to the bar of the backlight unit through the substrate 110.
  • the insulating layer 120, the electrode layer 130, the partition wall 140, and the optical device 150 are formed so that one optical device 150 corresponds to one single substrate 110.
  • the conductive wire 160 and the protective layer 170 may be formed separately.
  • the optical device 100 according to the exemplary embodiment of the present invention may be separately provided and coupled to the bars of the backlight unit. Therefore, it is possible to easily replace only the optical device device 100 of which there is a problem due to short life or failure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention. Parts having the same configuration and operation as those of the foregoing embodiment are denoted by the same reference numerals, and will be described below with emphasis on differences.
  • an optical device device 200 may include a substrate 210, an insulating layer 120, an electrode layer 130, an optical device 150, a conductive wire 160, and protection. Layer 170.
  • the optical device device 200 according to another embodiment of the present invention may further include a partition wall 140.
  • the substrate 210 has a receiving groove 210a formed inward from a surface on which the optical device 150 is seated.
  • the receiving groove 210a is formed to have a size corresponding to the optical device 150.
  • a reflective layer made of silver (Ag) may be further formed on the inclined surface of the accommodating groove 210a.
  • the receiving groove 210a increases the surface area of the substrate 210 so that the substrate 210 can absorb the heat of the optical device 150 more easily, and as a result, the optical device 150 Heat may be easily radiated to the outside through the substrate 210.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • an optical device device 300 may include a substrate 310, an insulating layer 120, an electrode layer 130, an optical device 150, a conductive wire 160, The protective layer 170 is included.
  • the optical device device 300 according to another embodiment of the present invention may further include a partition wall 140.
  • the substrate 310 has a groove 310a formed therein from below.
  • the groove 310a has a bottom surface 310b.
  • the substrate 310 is provided with a protrusion 310c in the middle of the groove (310a).
  • the protrusion 310c protrudes into the groove 310a and allows the substrate 310 to be firmly fastened to the bar of the backlight unit.
  • the angle ⁇ of the groove 310a and the vertical direction of the substrate 310 may be 15 ° or less.
  • the lower limit of the angle ⁇ is not defined because the angle 310 only needs to exist, that is, the groove 310a only needs to be inclined with the vertical direction of the substrate 310.
  • the angle ⁇ exceeds 15 °, the fastening force between the substrate 310 and the bar of the backlight unit is reduced.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • an optical device device 400 may include a substrate 410, an insulating layer 120, an electrode layer 130, an optical device 150, a conductive wire 160, The protective layer 170 is included.
  • the optical device device 300 according to another embodiment of the present invention may further include a partition wall 140.
  • the substrate 410 has a rectangular planar shape with one side open.
  • the substrate 410 has a groove 410a formed therein.
  • the groove 410a is formed inward from the side surface of the substrate 410.
  • a bottom surface 410b is formed in the groove 410a.
  • the bar of the backlight unit may be inserted into the groove 410a from the side of the substrate 410 and fixed by the fastening part 411.
  • the optical device 150 is formed on one of the fastening portions 411 forming the grooves 410a. Therefore, the backlight unit formed by coupling the optical device device 400 to the bar according to another embodiment of the present invention may be formed in the form of a side light source.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • an optical device device 500 may include a substrate 410, an insulating layer 120, an electrode layer 530, an optical device 550, a conductive wire 560, The protective layer 170 is included.
  • the optical device device 500 according to another embodiment of the present invention may further include a partition wall 140.
  • the electrode layer 530 is formed on the insulating layer 120.
  • the electrode layer 530 is formed on any one of the pair of insulating layers 120.
  • the electrode layer 530 is connected to any one of the electrodes of the optical device 550.
  • the remaining electrodes of the optical device 550 are directly connected to the substrate 410.
  • the electrode layer 530 is insulated from the substrate 410 through the insulating layer 120, no electrical short occurs.
  • an electrode treatment for electrically connecting the substrate 410 to the bar of the backlight unit may be performed.
  • the optical device 550 is formed on the substrate 410.
  • the optical device 550 is formed between the insulating layer 120.
  • one electrode is formed on the lower surface of the optical device 550, and the electrode is electrically connected to the substrate 410 through the conductive paste 551.
  • the electrode may be connected to the substrate 410 through solder.
  • the conductive wire 560 connects the electrode layer 530 and the optical device 550.
  • the conductive wire 560 connects between one of the electrodes of the optical device 550 and the electrode layer 530.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • an optical device device 600 may include a substrate 610, an insulating layer 120 and 120 ′, an electrode layer 130 and 130 ′, and an optical device 150 and 150. '), Conductive wires 160 and 160', and protective layers 170 and 170 '.
  • the optical device device 600 according to another embodiment of the present invention may further include partitions 140 and 140 '.
  • the substrate 610 may be provided with receiving grooves 610a in the pair of fastening portions 111 forming the fastening grooves 110a, respectively.
  • the same components as the optical devices 150 and 150 ′ are formed in the fastening part 111 of the substrate 610, respectively.
  • the optical device device 600 according to another embodiment of the present invention, the insulating layer (120, 120 '), which is also paired to each of the paired fastening portion 111 of the substrate 610, Electrode layers 130 and 130 ', barrier ribs 140 and 140', optical elements 150 and 150 ', conductive wires 160 and 160' and protective layers 170 and 170 'are formed. Therefore, the optical device device 600 according to another embodiment of the present invention having the substrate 610 may form a backlight unit in both directions.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • an optical device device 700 includes a substrate 110, an insulating layer 120, an electrode layer 130, and an optical device 750 in a package form.
  • the optical device 750 is provided in the form of a package and is formed on the substrate 110.
  • the electrodes of the optical device 750 are connected to the electrode layer 130 through the solder 751.
  • the optical device 750 may be in the form of a conventional optical device, that is, a conventional optical device. Accordingly, the optical device device 700 according to another embodiment of the present invention may increase productivity by coupling the optical device 750 formed in the form of a conventional optical device to the upper portion of the substrate 110.
  • the solder 751 may be formed at the lower portion of the central region as well as the electrode of the optical device 750, and in this case, the heat of the optical device 750 may be easily transferred to the substrate 110. .
  • the substrate 110 is made of aluminum or an aluminum alloy, it may be difficult to form the solder 751 directly on the center of the substrate 110. Therefore, although not separately illustrated, in this case, it is possible to perform plating on any one selected from a combination of gold, silver, and nickel copper on the upper portion of the substrate 110, and form the solder 751 on the upper portion thereof.
  • the soldering can be made while removing the oxide film formed on the surface of the substrate 110.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • an optical device device 800 includes a substrate 410, an insulating layer 120, an electrode layer 130, and an optical device 750.
  • the optical device 750 may be coupled to the upper portion of the substrate 410 through the solder (851). As described above, one of the electrodes of the optical device 750 may be coupled to the electrode layer 130 through the solder 751, and the other electrode may be directly coupled to the substrate 410 through the solder 851. .
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of an optical device according to another embodiment of the present invention.
  • an optical device device 900 may include a substrate 410, an insulating layer 120 and 120 ′, an electrode layer 130 and 130 ′, and an optical device 750 and 750. Contains').
  • An optical device device 900 according to another embodiment of the present invention may include insulating layers 120 and 120 ', electrode layers 130 and 130', and an optical device along fastening portions 411 at both sides of the substrate 410. 750, 750 ') are formed. Accordingly, the optical device device 900 according to another embodiment of the present invention may be combined with a bar of the backlight unit to form a bidirectional backlight unit.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of an optical device device 1000 according to another embodiment of the present invention.
  • an optical device 1000 includes a substrate 110, an insulating layer 120, an electrode layer 130, and an optical device 1050.
  • the optical device 1050 is provided in the form of an optical device package, and is formed on the substrate 110.
  • the electrodes of the optical device 1050 are connected to the electrode layer 130 through the solder 751.
  • the optical device 1050 includes an insulating layer 1053 between the first substrate 1051 and the second substrate 1052 made of aluminum or an aluminum alloy.
  • the insulating layer 1053 is formed by anodizing the aluminum or aluminum alloy.
  • the optical device 1054 is formed on the first substrate 1051 or the second substrate 1052, and is connected to the upper portion of the remaining substrate through the conductive wire 1055, the optical device 1050 in the package form ) Can be formed.
  • heat of the optical device 1054 may be easily transferred downward through the first substrate 1051 and the second substrate 1052.
  • the optical device device 1000 according to another embodiment of the present invention may increase productivity by coupling the optical device 1050 having a package shape to the upper portion of the substrate 110.
  • 11 is a flowchart for explaining a method of manufacturing an optical device according to an embodiment of the present invention.
  • 12A to 19 are diagrams for describing a method of manufacturing an optical device according to an embodiment of the present invention.
  • a method of manufacturing an optical device may include a substrate material drawing step S1, a substrate material processing step S2, an insulation layer forming step S3, and an electrode layer forming step S4. ), A barrier rib forming step S5, an optical device attaching step S6, an electrical connection step S7, and a protective layer forming step S8.
  • a substrate material drawing step S1 a substrate material processing step S2, an insulation layer forming step S3, and an electrode layer forming step S4.
  • a barrier rib forming step S5 an optical device attaching step S6, an electrical connection step S7, and a protective layer forming step S8.
  • the substrate material drawing step S1 may include a substrate material 10 or 10 made of any one material selected from copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, aluminum nitride, and silicon carbide. ', 10' ') is provided and prepared.
  • the substrate material 10 may be drawn to have a rectangular planar shape with one side open and a length along one direction. Therefore, the substrate material 10 is formed with a groove 10a and a bottom surface 10b continuously along the longitudinal direction.
  • the substrate material 10 ′ may have a rectangular planar shape having a hole formed therein, and may be drawn to have a length along one direction. Accordingly, the substrate material 10 ′ is formed with a side surface 10 a ′ that is divided in half to form a groove and a bottom surface 10 b ′ perpendicular to the side surface 10 a ′.
  • the substrate material 10 ′′ may have a rectangular planar shape having a plurality of holes formed therein and may be drawn to have a length along one direction. Accordingly, the substrate material 10 ′′ is divided into half, and thus a side surface 10 a ′′ forming a groove is formed, and a bottom surface 10 b ′′ perpendicular to the side surface 10 a ′′ is formed. In addition, a cutting hole 10c ′′ is provided between the holes, so that the cutting can be easily performed when cutting the substrate material 10 ′′.
  • the substrate material processing step S2 is a step of cutting the substrate materials 10, 10 ′, and 10 ′′ to form a plurality of substrates 110, respectively.
  • the cutting may be performed perpendicular to the longitudinal direction of the substrate material 10.
  • the cutting process is performed once in a direction horizontal to the longitudinal direction of the substrate material 10'.
  • the cutting may be performed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the substrate material 10 '.
  • the cutting is performed at least once in a direction horizontal to the longitudinal direction of the substrate material 10 ′.
  • the cutting may be performed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the substrate material 10 '.
  • a part of the cutting process is made along the cutting hole 10c ′′.
  • the thickness of the cutting wheel (cutting wheel) for performing the cutting process is the same as the diameter of the cutting hole (10c ''), or larger than the diameter of the cutting hole (10c ''). Therefore, while reducing the stress of the cutting wheel, a burr due to the cutting hole 10c ′′ may not be generated after the cutting process.
  • the insulating layer forming step S3 is a step of forming the insulating layer 120 through anodization on the substrate 110.
  • the insulating layer 120 is formed in pairs on the surface opposite to the bottom surface 110b of the fastening groove 110a of the substrate 110, and is spaced apart from each other.
  • the electrode layer forming step S4 is a step of forming the electrode layer 130 on the insulating layer 120.
  • the electrode layer 130 is also located inward from the top surface of the insulating layer 120.
  • the electrode layer 130 may be formed using at least one selected from gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), nickel (Ni), and tungsten (W) or a combination thereof. It is formed on the insulating layer 120 using at least one method selected from the plating method (electrolytic plating or electroless plating), the plasma arc spray method, the cold spray method, the paste method and the printing method.
  • an additional insulating layer 135 may be further formed on the edge of the electrode layer 130 using photosensitive barrier rib paste (PSR) or silicon.
  • PSR photosensitive barrier rib paste
  • the partition wall forming step S5 is a step of forming the partition wall 140 on the insulating layer 120.
  • the partition wall 140 is formed outside the electrode layer 130 and is formed perpendicular to the insulating layer 120.
  • the partition wall 140 may be formed of an epoxy resin having a high light reflectance, a photosensitive barrier rib paste (PSR), or a mixture thereof, and may be formed of silicon in some cases.
  • PSR photosensitive barrier rib paste
  • the attaching of the optical device S6 is attaching the optical device 150 to the upper portion of the substrate 110.
  • the optical device 150 is formed on a surface opposite to the bottom surface 110b of the fastening groove 110a of the substrate 110 and may be attached through a paste 151 or solder.
  • the electrical connection step S7 is a step of connecting the optical device 150 and the electrode layer 120 through the conductive wire 160.
  • the conductive wire 160 is typically formed of gold, silver, copper or aluminum.
  • the protective layer forming step S8 is a step of forming a protective layer 160 by applying a paste containing a fluorescent material in an area partitioned by the partition wall 140. .
  • the protective layer 160 is formed on the substrate 110, and is formed to surround the optical device 150 and the conductive wire 160.
  • the optical device according to the present invention can be provided with a metal having good thermal conductivity, so that heat of the optical device can be easily radiated to the outside.
  • the optical device according to the present invention has a groove and a fastening portion at the bottom of the substrate, so that a plurality of optical device can be coupled to the bar of the backlight unit through the substrate, thereby replacing the optical device Only the bay can be replaced easily.

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Abstract

본 발명에서는 광소자의 열을 용이하게 방열할 수 있는 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 예로, 금속으로 이루어지고, 상면에 광소자가 안착되는 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되고, 상기 광소자를 중심으로 서로 이격되어 형성된 한 쌍의 절연층과, 상기 절연층의 상부에 형성된 한 쌍의 전극층을 포함하는 광소자 기판이 개시된다.

Description

광소자 디바이스 및 그 제조 방법
본 발명은 광소자 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
광소자는 전기적인 신호를 인가받아 빛을 생성하는 소자들을 의미한다. 이러한 광소자들은 다양한 분야에서 이용되고 있으며, 그 중에서도 디스플레이 분야가 점진적으로 성장함에 따라 광소자의 연구가 활발해지고 있다.
그리고 광소자 중에서도 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 기존의 광소자들에 비해 효율이 높고 높은 휘도의 빛을 생성할 수 있기 때문에 사용이 급증하고 있다.
이러한 발광 다이오드는 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는데, 결합시 필연적으로 빛 이외에 열도 함께 생성된다. 그리고 발광 다이오드의 열을 방열하지 않으면, 소자 파손의 위험이 있으며, 동작 효율이 떨어지게 된다. 따라서, 발광 다이오드의 방열을 용이하게 수행할 수 있는 디바이스의 구조가 요구된다.
한편, 발광 다이오드는 LCD의 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)으로 많이 사용되고 있다. 그리고 하나의 백라이트 유닛을 형성하기 위해 패키징된 다수개의 발광 다이오드 디바이스가 사용된다. 그런데 발광 다이오드 중 일부가 수명이 짧거나 불량, 손상 등의 이유로 동작하지 않는 경우, 문제가 있는 해당 발광 다이오드 디바이스만을 교체하기가 어려워 작업 효율이 떨어지는 문제가 있다. 이에 따라, 백라이트 유닛 전체를 교체하는 경우도 있는데, 이 경우 불필요한 소모가 발생하게 된다.
본 발명은 광소자의 방열을 용이하게 수행하고, 다수개로 구비되어 백라이트 유닛을 형성하는 경우 그 중 일부의 교체가 용이한 광소자 디바이스를 제공한다.
본 발명에 따른 광소자 디바이스는 일면으로부터 내부를 향해 체결홈이 형성된 기판; 상기 홈이 형성된 면을 제외한 상기 기판의 표면 중에서 적어도 일면에 형성된 절연층; 상기 절연층의 상부에 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성된 전극층; 상기 기판의 상부에 형성되고, 상기 전극층과 전기적으로 연결된 광소자; 및 상기 광소자와 도전성 와이어를 감싸도록 상기 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 기판의 체결홈은 백라이트 유닛의 바(bar)의 외주연 형상에 맞물리도록 대응되어 형성될 수 있다.
그리고 상기 절연층, 전극층 및 광소자는 상기 기판의 상기 체결홈이 형성된 반대측의 표면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 절연층, 전극층 및 광소자는 상기 기판의 상기 체결홈을 형성하는 측부의 표면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판은 한쪽 변이 개방된 사각형의 평면 형상을 갖도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판은 상기 체결홈을 형성하는 측부의 내면으로부터 돌출된 적어도 하나의 돌기가 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판은 상기 광소자가 형성되는 하부에 형성된 면에 상기 광소자에 대응되는 수용홈이 더 형성될 수 있다.
또한, 상기 홈을 이루는 상기 기판의 측면이 상기 기판이 백라이트 유닛에 결합되는 방향과 이루는 각도는 15°이하일 수 있다.
또한, 상기 광소자는 상기 기판의 일면에 광소자 패키지의 형태로 결합될 수 있다.
또한, 상기 광소자 패키지는 두께를 관통하여 형성된 절연층 및 상기 절연층에 의해 이격되어 상호간에 전기적으로 독립한 복수의 영역을 갖고, 각 영역이 상기 전극층에 전기적으로 연결된 상부 기판; 상기 기판의 상부에 형성된 광소자; 상기 광소자와 기판의 적어도 일 영역을 전기적으로 연결하는 도전성 와이어; 및 상기 광소자 및 도전성 와이어를 감싸도록 상기 패키지 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 광소자는 솔더를 통해 상기 기판에 결합될 수 있다.
또한, 상기 기판은 상기 광소자가 형성된 면을 제외한 표면 중 적어도 하나에 다수개의 돌기로 이루어진 히트 싱크가 형성될 수 있다.
더불어, 본 발명에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법은 길이 방향을 갖는 기판 소재를 인발하는 기판 소재 인발 단계; 상기 기판 소재를 절단하여 일면으로부터 내부를 향해 형성된 체결홈을 갖는 복수개의 기판을 형성하는 기판 소재 가공 단계; 상기 기판의 적어도 일면에 애노다이징을 수행하여 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계; 상기 절연층의 상부에 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나의 방법을 이용하여 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계; 상기 기판의 적어도 일면에 광소자를 부착하는 광소자 부착 단계; 상기 전극층과 상기 광소자를 도전성 와이어를 통해 연결하는 전기적 연결 단계; 및 상기 광소자 및 도전성 와이어를 감싸도록 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 길이 방향을 따라서 상기 홈이 연속적으로 형성된 형태로 인발되는 것일 수 있다.
그리고 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 내부에 홀을 갖는 형태로 인발되는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 가공 단계는 상기 기판 소재의 중심에서 상기 길이 방향을 따라 적어도 한번 절단하여 상기 기판을 형성하는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 내부에 다수의 홀을 갖는 형태로 인발되는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 다수의 홀의 사이마다 절단홀을 구비하도록 상기 기판 소재가 인발되는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 인발 단계는 상기 절단홀의 직경이 컷팅 휠의 직경보다 작도록 상기 기판 소재가 인발되는 것일 수 있다.
또한, 상기 기판 소재 가공 단계는 상기 절단홀을 포함한 경로를 따라 상기 기판 소재를 절단하여 상기 기판을 형성하는 것일 수 있다.
본 발명에 의한 광소자 디바이스는 기판을 열전도성이 좋은 금속으로 구비하여, 광소자의 열이 외부로 용이하게 방열되도록 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 광소자 디바이스는 기판의 하부에 홈과 체결부를 구비하여, 백라이트 유닛의 바(bar)에 다수의 광소자 디바이스가 기판을 통해 결합될 수 있도록 함으로써, 교체가 필요한 광소자 디바이스만을 용이하게 교체할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 사시도이다.
도 1b는 도 1a의 A-A'선 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.
도 12a 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 사시도이다. 도 1b는 도 1a의 A-A'선 단면도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)는 기판(110), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(110)은 전체적으로 일 방향으로 형성된 판상을 기본으로 형성되며, 하부로 돌출된 체결부(111)를 포함하여 형성된다. 상기 기판(110)은 상기 광소자(150)를 지지하며, 외부의 프레임이나 구조물 등과 연결된다. 또한, 상기 기판(110)은 상기 광소자(150)의 열을 외부로 용이하게 전달하기 위해, 열전도도가 우수한 구리, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 질화 알루미늄 및 탄화 규소 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 단일한 하나의 기판(110)의 상부에는 적어도 하나 이상의 상기 절연층(120), 전극층(130), 격벽(140), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)이 각각 형성될 수 있다.
상기 기판(110)은 하부로부터 내부로 형성된 체결홈(110a), 상기 체결홈(110a)의 하부를 이루는 바닥면(110b)을 포함한다. 또한, 상기 광소자(150)등의 구성은 상기 바닥면(110b)의 대응되는 상부에 형성된다.
상기 기판(110)의 체결부(111)는 상기 기판(110)의 양 가장자리로부터 하부를 향해 돌출되어 상기 기판(110)을 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)의 바(bar)와 결합시킨다. 상기 기판(110)의 평면 형상은 대략 'ㄷ'자의 형상 즉, 한쪽 변이 개방된 사각형의 형상으로 이루어진다. 상기 체결부(111)는 상기 기판(110)의 바닥면(110b)으로부터 형성된 체결홈(110a)을 따라 형성된다. 따라서, 백라이트 유닛은 상기 체결부(111)의 사이에 형성된 체결홈(110a)에 삽입되고, 상기 체결부(111)에 의해 고정되어, 직하형 으로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)가 백라이트 유닛의 바에 결합되는 경우, 광소자 디바이스(100)가 백라이트 유닛의 바에 결합되도록 할 수 있다.
또한, 상기 체결부(111)는 상기 기판(110)의 표면적을 증가시켜서, 상기 기판(110)에 전달된 상기 광소자(150)의 열을 외부로 용이하게 방열할 수 있다.
한편, 별도로 도시하지는 않았지만, 상기 기판(110)의 표면적을 더 증가시키기 위해, 상기 체결부(111)의 외측으로 히트싱크(heat sink)가 더 형성될 수도 있다. 상기 히트 싱크의 구조는 상기 체결부(111)의 외측으로 돌출된 다수의 돌기 형태로 이루어져서, 상기 체결부(111)의 표면적을 보다 넓힐 수 있고, 이에 따라 상기 광소자(150)의 열을 보다 용이하게 방열할 수 있다.
상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 절연층(120)은 쌍을 이루어 형성되며, 상기 기판(110)의 상부에서 서로 이격되어 형성된다. 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상면을 애노다이징(anodizing)하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)이 산화되도록 하여 형성될 수 있다. 이 때, 상기 기판(110)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 경우, 상기 절연층(120)은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상부에 산화 알루미늄(Al2O3)이나 산화 이트륨(Y2O3)의 세라믹을 플라즈마 아크 스프레이법 등으로 용사하여 형성될 수도 있다. 또한, 상기 절연층(120)은 상기 애노다이징과 스프레이법을 혼합하여, 상기 기판(110)의 상면에 애노다이징을 수행한 이후, 그 상부에 다시 용사를 수행함으로써 형성되는 것도 가능하다. 또한, 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 상부에만 형성된 것으로 도시되어 있으나, 상기 기판(110)의 외주연을 감싸도록 형성될 수 있다. 물론, 상기 기판(110)의 체결부(111)에 전극이 연결된 경우, 상기 절연층(120)은 상기 체결부(111)의 내측을 제외한 나머지 부분에만 형성되는 것도 가능하다. 다만, 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)이 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 경우, 아노다이징 처리를 하는 대신 IMS(Insulated Metal Substrate) 시트와 같은 절연성 시트를 상기 기판(110)의 상부에 부착함으로써 형성될 수 있다.
상기 전극층(130)은 상기 절연층(120)의 상부에 형성된다. 상기 전극층(130)은 상기 절연층(120)의 상부에 대응하여, 쌍을 이루어 형성된다. 상기 전극층(130)은 상기 광소자(150)의 신호를 입출력하며, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 텅스텐(W) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합을 이용하여 형성될 수 있고, 도금법(전해 도금 또는 무전해 도금), 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여, 상기 절연층(120)의 상부에 형성된다. 또한, 상기 기판(110)이 구리 또는 구리 합금으로 구성되고 상기 절연층(120)이 절연성 시트로 구성된 경우, 상기 전극층(130)은 상기 절연층(120)의 상부에 구리 호일을 부착함으로써 형성될 수 있다.한, 상기 전극층(130)의 상부에는 선택적으로 추가 절연층(135)이 더 형성될 수도 있다. 상기 추가 절연층(135)은 상기 전극층(130)의 외곽을 일부 감싸면서 형성된다. 상기 추가 절연층(135)은 상기 전극층(130)이 외부로 노출되는 것을 방지하여 보호할 수 있다. 상기 추가 절연층(135)은 감광성 격벽 페이스트(PhotoSensitive barrib Rib paste, PSR) 또는 솔더 레지스트(Solder Resistor, SR)로 이루어질 수 있다.
상기 격벽(140)은 상기 절연층(120)의 상부에 형성될 수 있다. 상기 격벽(140)은 상기 절연층(120)의 상면으로부터 수직 방향으로 돌출되어 형성된다. 또한, 상기 격벽(140)은 쌍을 이루어 구비되어, 상기 전극층(130)의 가장자리에 각각 형성된다. 상기 격벽(140)은 상기 보호층(170)을 수용하기 위한 영역을 구획한다. 상기 격벽(140)은 빛 반사율이 좋은 에폭시 수지, 감광성 격벽 페이스트(PSR) 또는 그 혼합물로 형성될 수 있고, 경우에 따라서 실리콘으로 형성될 수도 있다.
상기 광소자(150)는 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(150)는 상기 기판(110)의 상부에 형성되며, 상기 절연층(120)의 사이에 대응하여 형성된다. 상기 광소자(150)는 상기 기판(110)의 상면에 페이스트(151)를 통해 부착될 수 있다. 또한, 상기 광소자(150)는 상기 페이스트(151) 대신 선택적으로 금, 은, 니켈 구리의 조합 중에서 선택된 어느 하나로 도금을 수행하고, 그 상부에 유택틱 본딩(eutactic bonding)을 수행함으로써, 상기 기판(110)의 상부에 부착되는 것도 가능하다. 그리고 상기 유택틱 본딩은 금이나 주석 등을 이용하여 이루어지기 때문에, 상기 광소자(150)의 열이 상기 기판(110)에 보다 용이하게 전달되도록 할 수 있다.
상기 광소자(150)는 발광하여, 상기 기판(110)의 상부로 빛을 내보낼 수 있다. 상기 광소자(150)는 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)로 형성될 수 있다. 또한, 상기 광소자(150)는 상기 도전성 와이어(160)를 통해 상기 기판(110)의 전극층(130)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 기판(110)을 통해 입력된 전원의 신호는 상기 전극층(130)을 통해 상기 광소자(150)로 전달된다.
상기 도전성 와이어(160)는 전극층(130)을 상기 광소자(150)와 연결시킨다. 상기 도전성 와이어(160)는 상기 광소자(150)의 각 전극에 연결되도록 두 개로 형성될 수 있다. 상기 도전성 와이어(160)는 통상적으로 높은 전기 전도도를 갖는 금, 구리 또는 알루미늄으로 형성된다. 상기 도전성 와이어(160)는 일단으로 상기 광소자(150)에 볼 본딩 영역을 형성하고, 타단으로 상기 전극층(130)에 스티치 본딩 영역을 형성하는 방법으로 형성될 수 있다. 물론, 상기 도전성 와이어(160)는 일단으로 상기 전극층(130)에 볼 본딩 영역을 형성하고, 타단으로 상기 광소자(150)에 스티치 본딩 영역을 형성하는 방법으로 형성될 수도 있다.
상기 보호층(170)은 상기 기판(110)의 상부에 형성되고, 상기 격벽(140)에 의해 구획된 영역의 내부에 형성된다. 상기 보호층(170)은 내부에 상기 광소자(150) 및 도전성 와이어(160)를 감싸도록 형성된다. 상기 보호층(170)은 외부의 압력으로부터 상기 광소자(150) 및 도전성 와이어(160)를 보호한다.
또한, 상기 보호층(170)은 에폭시 수지에 통상적인 형광 물질을 혼합하여 형성될 수 있다. 상기 형광 물질은 상기 광소자(150)로부터 발생한 가시광선 또는 자외선을 인가받으면 여기되고, 이후 안정화됨에 따라 가시광선을 발생시킨다. 따라서, 형광 물질로 형성된 상기 보호층(170)은 상기 광소자(150)로부터 발생한 빛을 적녹청(RGB) 광으로 변환하거나, 백색광으로 변환시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)가 액정 표시 패널(Liqiud Crystal Display Panel)의 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU) 등으로 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이 하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)는 기판(110)을 열전도성이 좋은 금속으로 구비하여, 광소자(150)의 열이 외부로 용이하게 방열되도록 할 수 있다. 또한, 기판(110)의 하부에 홈과 체결부(111)를 구비하여, 백라이트 유닛의 바(bar)에 다수의 광소자(150)가 기판(110)을 통해 용이하게 결합되도록 할 수 있다.
또한, 별도로 도시하지는 않았지만, 단일한 하나의 기판(110) 상부에 광소자(150)가 하나가 대응되어 형성되도록 절연층(120), 전극층(130), 격벽(140), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)이 개별적으로 형성될 수도 있다. 그리고 이 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스(100)는 개별적으로 구비되어, 백라이트 유닛의 바에 각각 결합될 수 있다. 따라서, 이 중에서 수명이 짧거나 불량 등으로 문제가 있는 광소자 디바이스(100)만을 용이하게 교체할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다. 앞선 실시예와 동일한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(200)는 기판(210), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(200)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(210)은 상기 광소자(150)가 안착되는 면으로부터 내부를 향해 형성된 수용홈(210a)을 구비한다. 상기 수용홈(210a)은 상기 광소자(150)에 대응하는 크기로 형성된다. 또한, 별도로 도시하지는 않았지만, 상기 수용홈(210a)의 경사면에 은(Ag)으로 이루어진 반사층이 더 형성될 수도 있다. 상기 반사층이 형성된 경우, 상기 광소자(150)의 광이 상기 기판(210)의 반대 방향으로 반사되므로, 상기 광소자(150)의 효율을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 수용홈(210a)은 상기 기판(210)의 표면적을 증가시켜서 상기 기판(210)이 상기 광소자(150)의 열을 보다 용이하게 흡수할 수 있도록 하고, 그 결과 상기 광소자(150)의 열이 상기 기판(210)을 통해 외부로 용이하게 방열되도록 할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(300)는 기판(310), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(300)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(310)은 하부로부터 내부로 형성된 홈(310a)을 구비한다. 또한, 상기 홈(310a)은 바닥면(310b)을 갖는다.
한편, 상기 기판(310)은 상기 홈(310a)의 중간에 돌기(310c)를 구비한다. 상기 돌기(310c)는 상기 홈(310a)의 내부로 돌출되며, 상기 기판(310)이 상기 백라이트 유닛의 바와 단단히 체결될 수 있도록 한다.
그리고 상기 홈(310a)이 상기 기판(310)의 수직 방향과 이루는 각도(θ)는 15°이하일 수 있다. 상기 각도(θ)의 하한을 정하지 않은 이유는 상기 각도(θ)가 존재하기만 하면 즉, 홈(310a)이 상기 기판(310)의 수직 방향과 경사를 이루기만 하면 되기 때문이다. 한편, 상기 각도(θ)가 15°를 초과하는 경우, 상기 기판(310)과 백라이트 유닛의 바 사이의 체결력이 줄어들게 된다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(400)는 기판(410), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(150), 도전성 와이어(160), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(300)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(410)은 한쪽 변이 개방된 사각형의 평면 형상을 갖는다. 상기 기판(410)은 내부에 홈(410a)이 형성된다. 상기 기판(410)은 상기 홈(410a)이 상기 기판(410)의 측면으로부터 내부로 형성된다. 상기 홈(410a)의 내부에는 바닥면(410b)이 형성된다. 따라서, 백라이트 유닛의 바는 상기 기판(410)의 측부로부터 상기 홈(410a)의 내부로 삽입되어 체결부(411)에 의해 고정될 수 있다. 또한, 이 경우 상기 광소자(150)는 상기 홈(410a)을 형성하는 상기 체결부(411) 중 하나의 상부에 형성된다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(400)가 바에 결합되어 형성된 상기 백라이트 유닛은 측면 광원의 형태로 형성될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(500)의 구성을 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(500)는 기판(410), 절연층(120), 전극층(530), 광소자(550), 도전성 와이어(560), 보호층(170)을 포함한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(500)는 격벽(140)을 더 포함할 수도 있다.
상기 전극층(530)은 상기 절연층(120)의 상부에 형성된다. 특히, 상기 전극층(530)은 상기 절연층(120)의 쌍 중에서 어느 하나의 상부에 형성된다. 상기 전극층(530)은 상기 광소자(550)의 전극 중에서 어느 하나와 연결된다. 또한, 이 경우 상기 광소자(550)의 나머지 전극은 상기 기판(410)에 직접 연결된다. 이 경우, 상기 전극층(530)은 상기 절연층(120)을 통해 상기 기판(410)과 절연되기 때문에, 전기적인 단락은 발생되지 않는다. 또한, 이 경우 백라이트 유닛의 바에 상기 기판(410)과 전기적으로 연결되기 위한 전극 처리가 이루어질 수 있음을 물론이다.
상기 광소자(550)는 상기 기판(410)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(550)는 상기 절연층(120)의 사이에 형성된다. 이 때, 상기 광소자(550)는 하면에 일 전극이 형성되고, 상기 전극은 도전성 페이스트(551)를 통해 상기 기판(410)과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 전극은 상기 도전성 페이스트(551) 이외에도 솔더를 통해서 상기 기판(410)에 연결되는 것도 가능하다.
상기 도전성 와이어(560)는 상기 전극층(530)과 상기 광소자(550)를 연결한다. 상기 도전성 와이어(560)는 상기 광소자(550)의 전극 중에서 하나와 상기 전극층(530)의 사이를 연결한다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(600)는 기판(610), 절연층(120, 120'), 전극층(130, 130'), 광소자(150, 150'), 도전성 와이어(160, 160'), 보호층(170, 170')을 포함한다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(600)는 격벽(140, 140')을 더 포함할 수도 있다.
상기 기판(610)은 체결홈(110a)을 이루는 한 쌍의 체결부(111)에 각각 수용홈(610a)을 구비할 수 있다. 또한, 상기 기판(610) 체결부(111)에 상기 광소자(150, 150')와 같은 구성들이 각각 쌍을 이루어 형성된다.
보다 상세히 설명하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(600)는 기판(610)의 쌍을 이룬 체결부(111)의 각각에 역시 쌍을 이룬 절연층(120, 120'), 전극층(130, 130'), 격벽(140, 140'), 광소자(150, 150'), 도전성 와이어(160, 160') 및 보호층(170, 170')이 형성된다. 따라서, 상기 기판(610)을 갖는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(600)는 양방향의 백라이트 유닛을 형성할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(700)는 기판(110), 절연층(120), 전극층(130), 패키지 형태의 광소자(750)를 포함한다.
상기 광소자(750)는 패키지 형태로 구비되어, 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(750)의 전극들은 상기 솔더(751)를 통해 상기 전극층(130)에 연결된다. 상기 광소자(750)는 통상의 광소자 디바이스, 즉, 기존의 광소자 디바이스의 형태일 수 있다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(700)는 기존의 광소자 디바이스 형태로 이루어진 광소자(750)를 기판(110)의 상부에 결합함으로써, 생산성이 높아질 수 있다. 또한, 상기 솔더(751)는 상기 광소자(750)의 전극은 물론 중앙 영역의 하부에도 형성될 수 있으며, 이 경우 상기 광소자(750)의 열을 용이하게 상기 기판(110)에 전달할 수 있다.
그리고, 상기 기판(110)이 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 경우, 상기 기판(110)의 중앙 상부에 바로 상기 솔더(751)가 형성되기 어려울 수 있다. 따라서, 별도로 도시하지는 않았지만, 이 경우 상기 기판(110)의 상부에 먼저 금, 은, 니켈 구리의 조합 중에서 선택된 어느 하나로 도금을 수행하고, 그 상부에 상기 솔더(751)를 형성하는 것이 가능하다. 또한, 별도의 도금없이도 상기 솔더(751)의 재질로서 납과 주석의 합금에 아연(Zn), 안티몬(Sb), 티타늄(Ti), 실리콘(Si), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 등을 미량 첨가하여 이루어진 알루미늄 전용 솔더를 이용함으로써, 상기 기판(110)의 표면에 형성된 산화막을 제거하면서 솔더링이 이루질 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(800)는 기판(410), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(750)를 포함한다.
여기서, 상기 광소자(750)는 솔더(851)를 통해 상기 기판(410)의 상부에 결합될 수 있다. 상기 광소자(750)의 전극 중 하나는 앞서 설명하였듯이, 솔더(751)를 통해 전극층(130)에 결합되고, 나머지 전극은 솔더(851)를 통해 상기 기판(410)에 직접적으로 결합될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 구성을 설명하도록 한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(900)는 기판(410), 절연층(120, 120'), 전극층(130, 130'), 광소자(750, 750')를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(900)는 기판(410)의 양측에 체결부(411)를 따라 절연층(120, 120'), 전극층(130, 130'), 광소자(750, 750')가 형성된다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(900)는 백라이트 유닛의 바와 결합되어, 양방향의 백라이트 유닛을 형성할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(1000)의 구성을 설명하도록 한다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(1000)의 단면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자디바이스(1000)는 기판(110), 절연층(120), 전극층(130), 광소자(1050)를 포함한다.
상기 광소자(1050)는 광소자 패키지의 형태로 구비되어, 상기 기판(110)의 상부에 형성된다. 상기 광소자(1050)의 전극들은 솔더(751)를 통해 상기 전극층(130)에 연결된다. 상기 광소자(1050)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 제 1 기판(1051) 및 제 2 기판(1052)의 사이에 절연층(1053)을 구비한다. 또한, 상기 절연층(1053)은 상기 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 아노다이징(anodizing) 처리하여 이루어진다.
또한, 광소자(1054)가 제 1 기판(1051) 또는 제 2 기판(1052)의 상부에 형성되고, 도전성 와이어(1055)를 통해 나머지 기판의 상부와 연결되어, 상기 패키지 형태의 광소자(1050)를 형성할 수 있다. 또한, 상기 광소자(1054)의 열은 상기 제 1 기판(1051) 및 제 2 기판(1052)을 통해 하부로 용이하게 전달될 수 있다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 광소자 디바이스(1000)는 패키지 형태로 이루어진 광소자(1050)를 기판(110)의 상부에 결합함으로써, 생산성을 높일 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명도록 한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다. 도 12a 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광소자 디바이스의 제조 방법은 기판 소재 인발 단계(S1), 기판 소재 가공 단계(S2), 절연층 형성 단계(S3), 전극층 형성 단계(S4), 격벽 형성 단계(S5), 광소자 부착 단계(S6), 전기적 연결 단계(S7), 보호층 형성 단계(S8)를 포함한다. 이하에서는 도 11의 각 단계들을 도 12a 내지 도 19을 함께 참조하여 설명하도록 한다.
도 11 및 도 12a 내지 도 12c를 참조하면, 상기 기판 소재 인발 단계(S1)는 구리, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 질화 알루미늄 및 탄화 규소 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 기판 소재(10, 10', 10'')를 인발하여 구비하는 단계이다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 상기 기판 소재(10)는 한쪽 변이 개방된 사각형의 평면 형상을 갖고, 일 방향을 따라 길이를 갖도록 인발될 수 있다. 따라서, 상기 기판 소재(10)에는 길이 방향을 따라 연속적으로 홈(10a)과 바닥면(10b)이 형성된다.
또한, 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 기판 소재(10')는 상기 내부에 홀이 형성된 사각형의 평면 형상을 갖고, 일 방향을 따라 길이를 갖도록 인발될 수도 있다. 따라서, 상기 기판 소재(10')에는 이후 반으로 나뉘어 홈을 형성하는 측면(10a'), 상기 측면(10a')에 수직한 바닥면(10b')이 형성된다.
또한, 도 12c에 도시된 바와 같이, 상기 기판 소재(10'')는 내부에 다수개의 홀이 형성된 사각형의 평면 형상을 갖고, 일 방향을 따라 길이를 갖도록 인발될 수도 있다. 따라서, 상기 기판 소재(10'')는 이후 반으로 나뉘에 홈을 형성하는 측면(10a''), 상기 측면(10a'')에 수직한 바닥면(10b'')이 형성된다. 또한, 상기 홀 사이에는 절단홀(10c'')이 구비되어, 이후 상기 기판 소재(10'')를 절단 가공할 때 절단이 용이하게 할 수 있다.
도 11 및 도 13을 참조하면, 상기 기판 소재 가공 단계(S2)는 상기 기판 소재(10, 10', 10'')를 절단 가공하여, 복수개의 기판(110)을 각각 형성하는 단계이다.
도 12a의 기판 소재(10)의 경우, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10)의 길이 방향에 수직하게 이루어질 수 있다.
또한, 도 12b의 기판 소재(10')의 경우, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10')의 길이 방향에 수평한 방향으로 한번 이루어진다. 더불어, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10')의 길이 방향에 수직한 방향으로 이루어질 수 있다.
또한, 도 12c의 기판 소재(10'')의 경우, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10')의 길이 방향에 수평한 방향으로 적어도 한번 이루어진다. 더불어, 상기 절단 가공은 상기 기판 소재(10')의 길이 방향에 수직한 방향으로 이루어질 수 있다. 이 때, 상기 절단 가공 중 일부는 상기 절단홀(10c'')을 따라서 이루어진다. 그리고 절단 가공을 수행하는 컷팅 휠(cutting wheel)의 두께는 상기 절단홀(10c'')의 직경과 동일하거나, 상기 절단홀(10c'')의 직경보다 크다. 따라서, 상기 컷팅 휠의 스트레스는 줄이면서, 절단 가공 이후, 상기 절단홀(10c'')에 의한 버(burr)가 발생하지 않을 수 있다.
도 11 및 도 14를 참조하면, 상기 절연층 형성 단계(S3)는 상기 기판(110)의 상부에 애노다이징을 통하여 절연층(120)을 형성하는 단계이다. 상기 절연층(120)은 상기 기판(110)의 체결홈(110a)의 바닥면(110b)에 반대되는 면에 쌍을 이루어 형성되며, 상호간에 이격되어 형성된다.
도 11 및 도 15를 참조하면, 상기 전극층 형성 단계(S4)는 상기 절연층(120)의 상부에 전극층(130)을 형성하는 단계이다. 상기 전극층(130)은 상기 절연층(120)의 상면에서도 내측으로 위치한다. 상기 전극층(130)은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 텅스텐(W) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합을 이용하여 형성될 수 있으며, 도금법(전해 도금 또는 무전해 도금), 플라즈마 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여, 상기 절연층(120)의 상부에 형성된다. 또한, 상기 전극층(130)의 가장자리 상부에 감광성 격벽 페이스트(PhotoSensitive barrib Rib paste, PSR) 또는 실리콘을 이용하여 추가 절연층(135)이 더 형성될 수도 있다.
도 11 및 도 16을 참조하면, 상기 격벽 형성 단계(S5)는 상기 절연층(120)의 상부에 격벽(140)을 형성하는 단계이다. 상기 격벽(140)은 상기 전극층(130)의 외측에 형성되며, 상기 절연층(120)에 수직하게 형성된다. 상기 격벽(140)은 빛 반사율이 좋은 에폭시 수지, 감광성 격벽 페이스트(PhotoSensitive barrib Rib paste, PSR) 또는 그 혼합물로 형성될 수 있고, 경우에 따라서 실리콘으로 형성될 수도 있다.
도 11 및 도 17을 참조하면, 상기 광소자 부착 단계(S6)는 상기 기판(110)의 상부에 광소자(150)를 부착하는 단계이다. 상기 광소자(150)는 상기 기판(110)의 체결홈(110a)의 바닥면(110b)에 반대되는 면에 형성되며, 페이스트(151) 또는 솔더를 통해서 부착될 수 있다.
도 11 및 도 18을 참조하면, 상기 전기적 연결 단계(S7)는 상기 광소자(150)와 전극층(120)을 도전성 와이어(160)를 통해 연결하는 단계이다. 상기 도전성 와이어(160)는 통상적으로, 금, 은, 구리 또는 알루미늄으로 형성된다.
도 11 및 도 19를 참조하면, 상기 보호층 형성 단계(S8)는 상기 격벽(140)에 의해 구획된 영역의 내부에 형광 물질을 포함하는 페이스트를 도포하여 보호층(160)을 형성하는 단계이다. 상기 보호층(160)은 상기 기판(110)의 상부에 형성되며, 상기 광소자(150) 및 도전성 와이어(160)를 감싸도록 형성된다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 광소자 디바이스 및 그 제조 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
본 발명에 의한 광소자 디바이스는 기판을 열전도성이 좋은 금속으로 구비하여, 광소자의 열이 외부로 용이하게 방열되도록 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 광소자 디바이스는 기판의 하부에 홈과 체결부를 구비하여, 백라이트 유닛의 바(bar)에 다수의 광소자 디바이스가 기판을 통해 결합될 수 있도록 함으로써, 교체가 필요한 광소자 디바이스만을 용이하게 교체할 수 있다.

Claims (20)

  1. 일면으로부터 내부를 향해 체결홈이 형성된 기판;
    상기 홈이 형성된 면을 제외한 상기 기판의 표면 중에서 적어도 일면에 형성된 절연층;
    상기 절연층의 상부에 플라즈마 도금법, 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 형성된 전극층;
    상기 기판의 상부에 형성되고, 상기 전극층과 전기적으로 연결된 광소자; 및
    상기 광소자를 감싸도록 상기 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함하는 광소자 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 체결홈은 백라이트 유닛의 바(bar)의 외주연 형상에 맞물리도록 대응되어 형성된 광소자 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층, 전극층 및 광소자는 상기 기판의 상기 체결홈이 형성된 반대측의 표면에 형성된 광소자 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층, 전극층 및 광소자는 상기 기판의 상기 체결홈을 형성하는 측부의 표면에 형성된 광소자 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 한쪽 변이 개방된 사각형의 평면 형상을 갖도록 형성된 광소자 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 체결홈을 형성하는 측부의 내면으로부터 돌출된 적어도 하나의 돌기가 형성된 광소자 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 광소자가 형성되는 하부에 형성된 면에 상기 광소자에 대응되는 수용홈이 더 형성된 광소자 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈을 이루는 상기 기판의 측면이 상기 기판이 백라이트 유닛에 결합되는 방향과 이루는 각도는 15°이하인 광소자 디바이스.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 광소자는 상기 기판의 일면에 광소자 패키지의 형태로 결합된 광소자 디바이스.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 광소자는 솔더를 통해 상기 기판에 결합된 광소자 디바이스.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 광소자 패키지는
    두께를 관통하여 형성된 절연층 및 상기 절연층에 의해 이격되어 상호간에 전기적으로 독립한 복수의 영역을 갖고, 각 영역이 상기 전극층에 전기적으로 연결된 상부 기판;
    상기 기판의 상부에 형성된 광소자;
    상기 광소자와 기판의 적어도 일 영역을 전기적으로 연결하는 도전성 와이어; 및
    상기 광소자 및 도전성 와이어를 감싸도록 상기 패키지 기판의 상부에 형성된 보호층을 포함하는 광소자 디바이스.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 광소자가 형성된 면을 제외한 표면 중 적어도 하나에 다수개의 돌기로 이루어진 히트 싱크가 형성된 광소자 디바이스.
  13. 길이 방향을 갖는 기판 소재를 인발하는 기판 소재 인발 단계;
    상기 기판 소재를 절단하여 일면으로부터 내부를 향해 형성된 체결홈을 갖는 복수개의 기판을 형성하는 기판 소재 가공 단계;
    상기 기판의 적어도 일면에 애노다이징을 수행하여 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계;
    상기 절연층의 상부에 플라즈마 도금법, 아크 스프레이법, 콜드 스프레이법, 페이스트법 및 프린팅법 중에서 선택된 어느 하나의 방법을 이용하여 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계;
    상기 기판의 적어도 일면에 광소자를 부착하는 광소자 부착 단계;
    상기 전극층과 상기 광소자를 도전성 와이어를 통해 연결하는 전기적 연결 단계; 및
    상기 광소자 및 도전성 와이어를 감싸도록 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계를 포함하는 광소자 디바이스의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 길이 방향을 따라서 상기 홈이 연속적으로 형성된 형태로 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 내부에 홀을 갖는 형태로 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 기판 소재 가공 단계는 상기 기판 소재의 중심에서 상기 길이 방향을 따라 적어도 한번 절단하여 상기 기판을 형성하는 광소자 디바이스의 제조 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판 소재 인발 단계는 상기 기판이 내부에 다수의 홀을 갖는 형태로 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 기판 소재 인발 단계는 상기 다수의 홀의 사이마다 절단홀을 구비하도록 상기 기판 소재가 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판 소재 인발 단계는 상기 절단홀의 직경이 컷팅 휠의 직경보다 작도록 상기 기판 소재가 인발되는 광소자 디바이스의 제조 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판 소재 가공 단계는 상기 절단홀을 포함한 경로를 따라 상기 기판 소재를 절단하여 상기 기판을 형성하는 광소자 디바이스의 제조 방법.
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