WO2011095560A2 - Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung des scheibenförmigen grundmaterials einer solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen silizium-solarzelle - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung des scheibenförmigen grundmaterials einer solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen silizium-solarzelle Download PDF

Info

Publication number
WO2011095560A2
WO2011095560A2 PCT/EP2011/051596 EP2011051596W WO2011095560A2 WO 2011095560 A2 WO2011095560 A2 WO 2011095560A2 EP 2011051596 W EP2011051596 W EP 2011051596W WO 2011095560 A2 WO2011095560 A2 WO 2011095560A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
base material
solar cell
laser radiation
crystalline
laser
Prior art date
Application number
PCT/EP2011/051596
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2011095560A3 (de
Inventor
Paul Alexander Harten
Original Assignee
Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg filed Critical Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg
Priority to KR1020127020486A priority Critical patent/KR20120120283A/ko
Priority to DE112011100422T priority patent/DE112011100422A5/de
Priority to JP2012551625A priority patent/JP2013519224A/ja
Priority to US13/576,464 priority patent/US20130119030A1/en
Priority to CN2011800133065A priority patent/CN102859676A/zh
Publication of WO2011095560A2 publication Critical patent/WO2011095560A2/de
Publication of WO2011095560A3 publication Critical patent/WO2011095560A3/de

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the non-uniformity is eliminated by a device according to the invention.
  • the illumination is precisely adjusted in the proposed device by the micro-optically beam-shaped diode laser illumination so that a spatially uniform processing temperature and correspondingly spatially uniform, mechanical, electrical and electro-optical properties of the solar cell are ensured (layer thicknesses, carrier lifetime, cell efficiency).
  • the laser light sources 4a, 4b comprise drive means or can be connected to drive means which can control the operation of the laser light sources 4a, 4b, in particular their turn-on times or pulse durations.
  • pulse durations between 1 ns and 1 s come into consideration.
  • the device further comprises schematically indicated first and second optical means 5a, 5b.
  • the optical means 5a, 5b each comprise homogenizers, which may comprise, for example, a plurality of cylinder lens arrays, in particular crossed with respect to one another, and a field lens.
  • the optical means 5a, 5b may each further comprise lenses for beam shaping.
  • the outgoing of the optical means 5a, 5b laser radiation 6a, 6b is indicated by dashed lines.
  • the laser radiation 6a substantially perpendicular to the top of the silicon wafer and the laser radiation 6b impinges substantially perpendicular to the underside of the silicon wafer.
  • the laser radiation 6a, 6b can also impinge at an angle not equal to 0 ° on the top and / or the bottom.
  • FIG. 1 An alternative embodiment is sketched in FIG. There are used instead of circumferential frame 9, 10 with central recess plates 14, 15 without central recess.
  • the loading of the top and the bottom of the silicon wafer 11 with laser radiation 6a, 6b takes place exclusively through the plates 14, 15 therethrough.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Furnace Charging Or Discharging (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

Vorrichtung zur Wärmebehandlung des scheibenförmigen Grundmaterials einer Solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen Silizium-Solarzelle, wobei die Vorrichtung mindestens eine Laserlichtquelle (4a, 4b) umfasst.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung des scheibenförmigen Grundmaterials einer Solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen Silizium-Solarzelle
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Wärmebehandlung des scheibenförmigen Grundmaterials einer Solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen Silizium-Solarzelle, gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung zur Wärmebehandlung des scheibenförmigen Grundmaterials einer Solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen Silizium-Solarzelle, gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 8.
Das der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Problem ist die Angabe eines Verfahrens der eingangs genannten Art und die Schaffung einer Vorrichtung der eingangs genannten Art die effektiver und/oder kostengünstiger sind.
Diese Probleme werden hinsichtlich des Verfahrens durch ein Verfahren der eingangs genannten Art mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 sowie hinsichtlich der Vorrichtung durch eine Vorrichtung der eingangs genannten Art mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 8 gelöst. Die Unteransprüche betreffen bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung.
Es gibt eine Menge sehr unterschiedlich aufgebauter Solarzellentypen. Diese Anmeldung behandelt insbesondere kristalline und polykristalline Silizium-Solarzellen. Das sind gleichmäßig dicke, quadratische Silizium-Scheiben mit den Abmessungen H x B x T (in der Regel):
H = 80 … 220 µm x B = 125 … 210 mm x T = 125 … 210 mm
Es geht um die Wärmebehandlung dieses Typs Solarzellen zwecks Ausheizen von Lösungsmitteln und unmittelbar anschließendem Eindiffundieren von Dotierstoffen sowie dem gleichzeitigen Eindiffundieren und Sintern von Metallisierungsflächen. Stand der Technik für die Wärmebehandlung sind Band-Öfen mit ca. 10 m Länge und ca. 1 m Breite (ca. 10 qm Standfläche) und elektrischer Anschlussleistung von bis zu 100 kW. Die in dieser Anmeldung vorgeschlagene Laserlösung würde mit einer Größenordnung weniger Stellfläche und einer Größenordnung weniger Anschlussleistung auskommen.
Die Wärmebehandlung dieses Typs Solarzellen ist eine komplexe Angelegenheit, denn es finden eine Reihe voneinander abhängiger Prozesse nacheinander, zum Teil aber auch parallel und überlappend, unter einem zeitlich kontinuierlichen und komplexen Heizprofil statt. Diese Prozesse besitzen alle einen starken Einfluss auf die Effizienz der Solarzelle und beeinflussen entscheidend die Wirtschaftlichkeit der Solarzelle.
Derzeit ist es erklärtes Ziel der Hersteller dieses Typs von Solarzellen, auf eine Taktzeit von einer Sekunde zu kommen. D.h. jede Sekunde soll eine fertige Solarzelle die Fertigung verlassen. Um diese Taktzeit kostengünstig zu realisieren, sind Verfahren, welche die Solarzelle abrastern (Scan-Verfahren) aufgrund der langsameren Prozessgeschwindigkeit weniger geeignet. Besser eignen sich solche Verfahren, die eine simultane Bearbeitung der gesamten Solarzelle erlauben. Diese simultane Beleuchtung ist mit diversen Anordnungen homogenisierter Laserdioden oder Laserdiodenbarren räumlich sehr präzise einstellbar möglich (Freistrahler oder fasergekoppelte Module). Die Präzision bei der Beleuchtung ermöglicht eine geometrisch exakte Ausleuchtung der Solarzelle, so dass das gesamte Licht zur Beleuchtung und Erwärmung genutzt wird (räumliche Präzision, Energieeffizienz).
In der Vergangenheit haben bereits Untersuchungen zur schnellen simultanen optischen Wärmebehandlung von Solarzellen mit Blitzlampen stattgefunden. Analog zur den etablierten Verfahren aus der Halbleiterproduktion liefen diese Untersuchungen unter dem aus der Halbleiterei bekannten Oberbegriff „RTP“ ab (Rapid Thermal Processing).
Die Untersuchungen ergaben, dass RTP zwar einige technische Vorteile verspricht, aber in den entscheidenden Fragen Durchsatz und Prozesskosten die Band-Öfen nicht schlagen konnte. Daher ist Solarzellen-RTP derzeit in keiner Serienproduktion zu finden. Diese Hürden lasen sich durch den Einsatz von homogenisierten Laserdiodenanordnungen überwinden: Deren Modulierbarkeit im µs-Bereich stellt genügend Heizdynamik innerhalb einer Taktperiode (1 s) zur Verfügung (zeitliche Präzision). Die um eine Größenordnung geringere Anschlussleistung der Laserlösung sorgt für entsprechend geringere Betriebskosten im Vergleich zum Band-Ofen.
Eine weitere wichtige Randbedingung in der Solarzellenproduktion stellt die Gleichmäßigkeit der Prozessierung über die gesamte Fläche der Solarzelle dar. Ungleichmäßigkeiten können die Effizienz und damit die Wirtschaftlichkeit der Solarzelle reduzieren (Beispiel: gleichmäßige ganzflächige Rückseitenkontaktierung der Solarzelle mit eindiffundierter Aluminium-Paste). Bei Öfen und Blitzlampenanordnungen stellt die gleichförmige Erhitzung eine ständige Herausforderung dar, weil diese Heizmechanismen starker Alterung unterliegen und so auf ständiges Vermessen und Nachjustieren angewiesen sind. Dieser Nachteil wird in der Anmeldung durch den Einsatz präzise automatisch geregelter homogenisierter Laserdioden behoben (räumliche und zeitliche Präzision).
Bei dynamischer Erwärmung mit zeitlich variablem Temperaturprofil mit Öfen oder Blitzlampenanordnungen ist immer ein Randeffekt zu beobachten, da selbst bei exakt gleichförmiger Erwärmung die Ränder der Solarzelle mit nur 180° Wärmeleitung sich stärker aufheizen, als die inneren Bereiche mit 360° Wärmeleitung. Diese ungleichförmige Erwärmung lässt sich durch eine mit optischer Strahlformung präzise voreingestellte, gezielt ungleichförmige Bestrahlung der Solarzelle vermeiden, d.h. mehr Intensität in der Mitte und weniger Intensität am Rand sorgen für eine gleichmäßige Temperaturverteilung selbst unter einem zeitlich variablen Temperaturprofil.
Zusätzlich zur Vermeidung von Randeffekten kann die Strahlformung für zusätzliche, gezielt räumlich unterschiedliche Erhitzungsprofile mit vordefinierten „heißeren“ und „kälteren“ Regionen auf der Solarzelle genutzt werden. (Beispiel: Fingerstrukturen zur Vorderseitenkontaktierung auf der Solarzelle).
Ein transparenter Halter der Solarzelle aus Quarzglas als Teil der Vorrichtung hält hohe Temperaturen bis zur Schmelzgrenze von Silizium aus, aber lässt das Diodenlaserlicht zum Heizen der Solarzelle durch. Der Halter kann gleichzeitig optische Funktionen übernehmen als Teil der optischen Strahlformung zur räumlich präzise gesteuerten Ausleuchtung der Solarzelle.
Eine komplette Laserheizanlage würde aus folgenden Funktionseinheiten bestehen:
1. Zellhandling mit Eingangspuffer
2. Zellbearbeitung (Laser, Strahlformung, Zellhalter, Absaugung)
3. Ausgangspuffer mit Zellhandling
So lässt sich die Anlage in den „Fluss“ moderner Inline-Solarzellenfabriken nahtlos integrieren.
Die Vorrichtung zeichnet sich aus durch eine Rampensteilheit von mehr als 100.000.000 K/s und bietet damit einen zusätzlichen Freiheitsgrad bei der Prozessauslegung. Dies geht weit über den Stand der Technik mit herkömmlichen Öfen mit Rampensteilheiten von einigen 100 K/s hinaus und ist bislang so nicht erreichbar. Der Vorteil besteht in einer besseren Kontrolle und Modulierbarkeit des Temperaturverlaufs der Wärmebehandlung.
Die hohe Rampensteilheit der Vorrichtung ergibt sich aus der Funktionsweise der 2. Funktionseinheit (Liste Funktionseinheiten: siehe weiter oben im Text) der Vorrichtung, nämlich der Zellbearbeitung (Laser, Strahlformung, Zellhalter, Absaugung). Die Stromversorgung des Lasers mit Strahlformung ist nämlich so ausgelegt, dass eine Pulsansteuerung mittels kommerziell verfügbaren elektronischen Pulsgeneratoren mit Anstiegs- und Abfallszeiten von 10 µs und variabel einstellbaren Pulsdauern (> 10 µs) und variablen Pulswiederholraten erfolgen kann.
Die Anmelderin hat im eigenen Applications Center mit vergleichbaren Laserquellen mit Strahlformung bereits Silizium-Wafer für die Chip-Produktion erhitzt und dabei einen Temperaturunterschied von > 1000 K innerhalb einer Aufheizdauer von 10 µs erzielt. Das ergibt einen Temperaturgradienten (Rampensteilheit) von 100.000.000 K/s.
Erste begrenzte Fortschritte und Weiterentwicklungen im Bereich der Hochstrom-Kurzpuls-Elektronik mit Pulsdauern im Nanosekundenbereich lassen weitere Reduktionen der Pulsdauern und der Anstiegs- und Abfallzeiten bei kommerziell verfügbaren Stromversorgungen für Hochleistungsdiodenlasern als wahrscheinlich erscheinen.
In Doktorarbeit von Ji Youn Lee, Fraunhofer ISE, Freiburg, 2003 ist bereits untersucht und gezeigt worden, dass eine mehrfache RTP-Behandlung bei kristallinen Silizium-Solarzellen längere Ladungsträgerlebensdauer und damit bessere Solarzelleneffizienz erzielen kann. Mit der vorgeschlagenen Vorrichtung lässt sich diese Mehrfachbehandlung erweitern, d.h. eine größere Anzahl von schnellen thermischen Behandlungsschritten innerhalb einer kürzeren Gesamtdauer realisieren. Beispiel: In der Doktoratrbeit Ji Youn Lee, Fraunhofer ISE, Freiburg, 2003 sind zwei Wiederholungen von mehr als einer Sekunde Dauer beschrieben. Mit der hier beschriebenen Vorrichtung könnten in einer Sekunde ohne weiteres 1.000 Wiederholungen durchlaufen werden. Über eine hohe Anzahl schneller Temperaturwechsel wären andere, bisher nicht erreichbare Materialeigenschaften erzielbar.
In der Produktion von Halbleiterbauteilen („Chips“) gehören kurze Temperaturüberhöhungen („Spike-Anneal“) bereits zum Stand der Produktionstechnik. Dies ist bisher bei der Herstellung von Solarzellen nach Wissen des Autors bisher nicht untersucht worden. Die hier beschriebene Vorrichtung erlaubt es, neuartigen Prozesse ähnlich dem bekannten Spike-Anneal aus der Halbleiterproduktion für die Herstellung von Solarzellen zu erschließen, um weitere Steigerungen der Solarzellen-Performance zu erzielen. Ein Vorteile des Spike-Anneal in der Halbleiterbauteilfertigung ist das diffusionsfreie Ausheilen von Kristallfehlern. Mit der vorgeschlagenen Vorrichtung ließe sich das diffusionsfreie Ausheilen von Kristallfehlern auch für Solarzellen nutzbar machen.
Mit der vorgeschlagenen Vorrichtung ließe sich die thermische Behandlung in schnell aufeinander folgenden Stufen durchführen. Die stufenweise Erhöhung oder Absenkung der Temperatur der Solarzelle während des Feuerungs- oder des Trocknungsprozesses erlaubt eine präzisere Kontrolle über den Ablauf der Wärmebehandlung.
In der Doktorarbeit Ji Youn Lee, Fraunhofer ISE, Freiburg, 2003 ist untersucht und gezeigt worden, dass eine ungleichförmige Beleuchtung während des schnellen Oxidationsprozesses („RTO“) zu einer ungleichförmigen Oxidschichtdicke und damit einer ungleichförmigen Ladungsträgerlebensdauer und letztlich ungleichförmiger Solarzelleneffizienz führt.
Eine gleichförmige Beleuchtung ist notwendig, da Temperaturvariationen von 10° Celsius bei der Erhitzung der Solarzelle schon deutliche Unterschiede in der elektrischen Charakteristik der Solarzelle erzeugen. Bei einer Solarzellentemperatur während des Feuerungsprozesses von 1000° Celsius stellen 10° Celsius eine Temperaturvariation von 1% dar. Das führt direkt zu der Anforderung, dass die Beleuchtungsvariation ebenfalls nicht größer als 1% sein darf unter Berücksichtigung der Diffusion der eingetragenen Lichtenergie im Silizium innerhalb der Beleuchtungsdauer.
Die Ungleichförmigkeit wird durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung eliminiert. Die Beleuchtung wird in der vorgeschlagenen Vorrichtung durch die mikrooptisch strahlgeformte Diodenlaserbeleuchtung präzise so eingestellt, dass eine räumlich gleichförmige Bearbeitungstemperatur und entsprechend räumlich gleichförmige, mechanische, elektrische und elektro-optische Eigenschaften der Solarzelle gewährleistet sind (Schichtdicken, Ladungsträgerlebensdauern, Zelleffizienz) .
Im Nachfolgenden werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Abbildungen detailliert beschrieben. Darin zeigen:
Fig. 1 eine schematische perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
Fig. 2 eine schematische perspektivische Ansicht einer zweiten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung;
Fig. 3 eine schematische perspektivische Ansicht der Halterungen des Grundmaterials einer Solarzelle;
Fig. 4 eine Draufsicht auf eine der Halterungen gemäß Fig. 3;
Fig. 5 eine Fig. 4 entsprechende Draufsicht auf eine alternative Ausführungsform einer Halterung.
In den Figuren sind gleiche oder funktional gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Die in Fig. 1 abgebildete erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung umfasst eine Mehrzahl von Halterungen 1, die in Nachfolgenden unter Bezugnahme auf die Figuren 3 bis 5 noch detailliert beschrieben werden. Die einzelnen Halterungen 1 haltern jeweils eine der als Grundmaterial für eine Solarzelle dienenden Siliziumscheiben.
Die einzelnen Halterungen 1 sind über geeignete Verbindungsmittel 2 miteinander verbunden, so dass eine Vielzahl von miteinander verbundenen Halterungen 1 in einer Förderrichtung 3 gleichzeitig nach rechts in Fig. 1 bewegt werden können.
Die Vorrichtung umfasst weiterhin zwei Laserlichtquellen 4a, 4b, die beispielsweise jeweils eine Laserdiode oder eine Mehrzahl von Laserdioden, insbesondere einen Laserdiodenbarren oder einen Stack von Laserdiodenbarren umfassen. Aus kommerziellen Gründen kann die Wellenlänge der Laserlichtquelle 4a, 4b im Bereich zwischen 800 nm und 1100 nm liegen. Es sind jedoch durchaus auch Laserlichtquellen 4a, 4b mit längeren und insbesondere auch mit kürzeren Wellenlängen einsetzbar.
Weiterhin umfassen die Laserlichtquellen 4a, 4b Ansteuermittel oder können mit Ansteuermitteln verbunden werden, die den Betrieb der Laserlichtquellen 4a, 4b, insbesondere deren Anschaltzeiten beziehungsweise Pulsdauern steuern können. Es kommen insbesondere Pulsdauern zwischen 1 ns und 1 s in Betracht.
Die Vorrichtung umfasst weiterhin schematisch angedeutete erste und zweite Optikmittel 5a, 5b. Die Optikmittel 5a, 5b umfassen dabei jeweils Homogenisatoren, die beispielsweise eine Mehrzahl von insbesondere zueinander gekreuzten Zylinderlinsenarrays und eine Feldlinse umfassen können. Die Optikmittel 5a, 5b können jeweils weiterhin Linsen zur Strahlformung umfassen. Die von den Optikmitteln 5a, 5b ausgehende Laserstrahlung 6a, 6b ist durch gestrichelte Linien angedeutet.
Die ersten, der ersten Laserlichtquelle 4a zugeordneten Optikmittel 5a sind so gestaltet, dass die von den Halterungen 1 gehalterten Siliziumscheiben ganzflächig von oben ausgeleuchtet werden (siehe die beispielhaft mit einer flächigen Intensitätsverteilung 6 beaufschlagte Oberseite der Siliziumscheibe der unter den ersten Optikmitteln befindlichen Halterung 1). Die zweiten, der zweiten Laserlichtquelle 4b zugeordneten Optikmittel 5b sind so gestaltet, dass die von den Halterungen 1 gehalterten Siliziumscheiben ganzflächig von unten ausgeleuchtet werden. Die gesamte Belichtungsdauer soll dabei insbesondere höchstens 1 s betragen, um eine Taktrate von 1 s einzuhalten.
Es ist dabei möglich, dass die Laserstrahlung 6a im Wesentlichen senkrecht auf die Oberseite der Siliziumscheibe und die Laserstrahlung 6b im Wesentlichen senkrecht auf die Unterseite der Siliziumscheibe auftrifft. Alternativ können die Laserstrahlungen 6a, 6b auch jeweils unter einem Winkel ungleich 0° auf die Oberseite und/oder die Unterseite auftreffen.
Insbesondere kann dabei die Oberseite der Siliziumscheibe mit einer ersten Laserstrahlung 6a beaufschlagt werden und die Unterseite der Siliziumscheibe mit einer zweiten Laserstrahlung 6b beaufschlagt wird, wobei die erste und die zweite Laserstrahlung 6a, 6b sich hinsichtlich einer oder mehrerer Eigenschaften unterscheiden können, um unterschiedliche Prozesse in der Oberseite und der Unterseite der als Grundmaterial für eine Solarzelle dienenden Siliziumscheibe auszulösen.
Die Pulsform kann jeweils zeitlich strukturiert sein, so dass auf eine Vorheizphase geringerer Intensität eine gegebenenfalls kurze Phase höherer Intensität folgt. Auf diese Phase höherer Intensität kann beispielsweise wiederum eine längere Phase geringerer Intensität folgen, um Diffusionsprozessen Vorschub zu leisten. Die Pulsform ist wiederholbar bereit zu stellen, so dass in der „Inline-Fertigungslinie“ die gleiche Pulsform für jede Siliziumscheibe im Durchlauf identisch bereitsteht. Bei einer Taktzeit von 1 s ist die Pulsform daher mit einer Frequenz von 1 Hz zu wiederholen.
Während des Beleuchtungsvorgangs kann die Förderung der miteinander verbundenen Halterungen 1 in Förderrichtung 3 angehalten werden. Es besteht aber auch die Möglichkeit, dass die Förderung während des Beleuchtungsvorgangs ununterbrochen fortgesetzt wird. In diesem Fall können die Laserlichtquellen 4a, 4b zusammen mit den Optikmitteln 5a, 5b ein Stück weit mit der gerade zu beleuchtenden Siliziumscheibe mitgeführt werden und vor dem Beginn der Beleuchtung der nächsten Siliziumscheibe wieder zurückgeführt werden.
Die Leistungsdichte kann auf den Siliziumoberflächen etwa in einem Bereich zwischen 0,1 und 30 kW/cm2 gewählt werden.
Es besteht die Möglichkeit, eine ungleichförmige Erwärmung der Siliziumscheiben dadurch zu vermeiden, dass eine mit optischer Strahlformung präzise voreingestellte, gezielt ungleichförmige Bestrahlung der Solarzelle gewährleistet wird. Insbesondere mehr Intensität in der Mitte und weniger Intensität am Rand der Siliziumscheibe sorgen für eine gleichmäßige Temperaturverteilung selbst unter einem zeitlich variablen Temperaturprofil.
Zusätzlich zur Vermeidung von Randeffekten kann die Strahlformung für zusätzliche, gezielt räumlich unterschiedliche Erhitzungsprofile mit vordefinierten „heißeren“ und „kälteren“ Regionen auf der Solarzelle genutzt werden. (Beispiel: Fingerstrukturen zur Vorderseitenkontaktierung auf der Solarzelle).
Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 unterscheidet sich von demjenigen gemäß Fig. 1 lediglich dadurch, dass die Oberseite und die Unterseite der Siliziumscheibe nicht jeweils simultan ganzflächig ausgeleuchtet werden, sondern sukzessive durch eine wandernde linienförmige Intensitätsverteilung 8. Die Optikmittel 5a, 5b sind daher etwas anders ausgebildet, um eine mehr oder weniger scharfe Linie zu erzeugen.
Vorteilhaft hierbei ist es, dass die Bewegung der miteinander verbundenen Halterungen 1 genutzt werden kann, um die Linie über die Oberflächen der Siliziumscheiben zu scannen. Nachteilig dabei ist es, dass für die zeitliche Modulation des Laserlichts weniger Zeit zur Verfügung steht.
Fig. 3 zeigt zwei über Verbindungsmittel 2 miteinander verbundene Halterungen 1. Eine jede der Halterungen 1 umfasst einen oberen Rahmen 9 und einen unteren Rahmen 10 aus einem für die verwendete Laserwellenlänge transparenten Material. Beispielsweise kommt Quarz als geeignetes Material in Betracht. Die aufzuheizende Siliziumscheibe 11 ist zwischen den beiden Rahmen 9, 10 angeordnet.
In Fig. 4 und Fig. 5 ist die Siliziumscheibe 11 mit einem rechteckigen Umriss dargestellt. Es besteht dabei durchaus die Möglichkeit, dass die Siliziumscheibe anders als schematisch skizziert einen quadratischen Umriss aufweist.
Die Halterung umfasst weiterhin zwei Klammern 12, die die Rahmen 9, 10 von oben und von unten an die Siliziumscheibe 11 drücken. Fig. 4 zeigt, dass die Klammern 12 jeweils nur soweit von außen auf die Rahmen 9, 10 ragen, dass sie maximal bis an den Rand 13 der Siliziumscheibe 11 heranragen, diesen aber nicht überragen. Auf diese Weise wird gewährleistet, dass die Ober- und die Unterseite der Siliziumscheibe 11 ganzflächig und dabei teilweise durch die Rahmen 9, 10 hindurch mit Laserstrahlung 6a, 6b beaufschlagt werden können.
Eine alternative Ausführungsform ist in Fig. 5 skizziert. Dort werden anstelle umlaufender Rahmen 9, 10 mit mittiger Aussparung Platten 14, 15 ohne mittige Aussparung verwendet. Die Beaufschlagung der Ober- und der Unterseite der Siliziumscheibe 11 mit Laserstrahlung 6a, 6b geschieht dabei ausschließlich durch die Platten 14, 15 hindurch.

Claims (17)

  1. Verfahren zur Wärmebehandlung des scheibenförmigen Grundmaterials einer Solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen Silizium-Solarzelle, dadurch gekennzeichnet, dass in mindestens einem Verfahrensschritt das Grundmaterial, insbesondere das kristalline oder polykristalline Silizium, eine Wärmebehandlung vermittels Laserstrahlung (6a, 6b) erfährt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite und die Unterseite des Grundmaterials gleichzeitig mit Laserstrahlung (6a, 6b) beaufschlagt werden.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Laserstrahlung (6a, 6b) aus zeitlich strukturierten Pulsen besteht oder zeitlich strukturierte Pulse umfasst.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite und/oder die Unterseite des Grundmaterials simultan vollflächig mit Laserstrahlung (6a, 6b) beaufschlagt werden.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite und/oder die Unterseite des Grundmaterials durch eine sich sukzessive über die gesamte Fläche bewegende linienförmige Intensitätsverteilung der Laserstrahlung (6a, 6b) beaufschlagt werden.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite und/oder die Unterseite des Grundmaterials mit einer größeren Intensität der Laserstrahlung (6a, 6b) in der Mitte und einer geringeren Intensität der Laserstrahlung (6a, 6b) am Rand beaufschlagt werden.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberseite des Grundmaterials mit einer ersten Laserstrahlung (6a) beaufschlagt wird und dass die Unterseite des Grundmaterials mit einer zweiten Laserstrahlung (6b) beaufschlagt wird, wobei die erste und die zweite Laserstrahlung (6a, 6b) sich hinsichtlich einer oder mehrerer Eigenschaften unterscheiden, um unterschiedliche Prozesse in der Oberseite und der Unterseite des Grundmaterials auszulösen.
  8. Vorrichtung zur Wärmebehandlung des scheibenförmigen Grundmaterials einer Solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen Silizium-Solarzelle, wobei mit der Vorrichtung insbesondere das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 durchgeführt werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung mindestens eine Laserlichtquelle (4a, 4b) umfasst.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung mindestens eine Halterung (1) für das scheibenförmige Grundmaterial umfasst.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Halterung (1) zumindest teilweise im Wellenlängenbereich der verwendeten Laserstrahlung (6a, 6b) transparent ist.
  11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Halterung (1) zumindest teilweise aus Quarz besteht.
  12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Halterung (1) einen, vorzugsweise zwei Rahmen (9, 10) aus einem im Wellenlängenbereich der verwendeten Laserstrahlung (6a, 6b) transparenten Material umfasst.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das zu erwärmende Grundmaterial zwischen den beiden Rahmen (9, 10) gehaltert werden kann.
  14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Halterung (1) eine, vorzugsweise zwei Platten (14, 15) aus einem im Wellenlängenbereich der verwendeten Laserstrahlung (6a, 6b) transparenten Material umfasst.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das zu erwärmende Grundmaterial zwischen den beiden Platten (14, 15) gehaltert werden kann.
  16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung mehrere Halterungen umfasst, die durch geeignete Verbindungsmittel (2) miteinander verbunden sind.
  17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung Optikmittel (5a, 5b umfasst, die die von der mindestens einen Laserlichtquelle (4a, 4b) ausgehende Laserstrahlung (6a, 6b) auf die Oberseite und/oder die Unterseite des Grundmaterials aufbringen können.
PCT/EP2011/051596 2010-02-03 2011-02-03 Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung des scheibenförmigen grundmaterials einer solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen silizium-solarzelle WO2011095560A2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020127020486A KR20120120283A (ko) 2010-02-03 2011-02-03 태양 전지의 웨이퍼형 기본 재료의 열처리 방법 및 장치
DE112011100422T DE112011100422A5 (de) 2010-02-03 2011-02-03 Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung des scheibenförmigen Grundmaterials einer Solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen Silizium-Solarzelle
JP2012551625A JP2013519224A (ja) 2010-02-03 2011-02-03 太陽電池セル、特に結晶または多結晶シリコン太陽電池セルのディスク状基板材料を熱処理するための方法および装置
US13/576,464 US20130119030A1 (en) 2010-02-03 2011-02-03 Method and apparatus for heat treating the wafer-shaped base material of a solar cell, in particular a crystalline or polycrystalline silicon solar cell
CN2011800133065A CN102859676A (zh) 2010-02-03 2011-02-03 用于对太阳能电池的片状基本材料进行热处理的方法和装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010006654 2010-02-03
DE102010006654.0 2010-02-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2011095560A2 true WO2011095560A2 (de) 2011-08-11
WO2011095560A3 WO2011095560A3 (de) 2012-06-21

Family

ID=44355862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2011/051596 WO2011095560A2 (de) 2010-02-03 2011-02-03 Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung des scheibenförmigen grundmaterials einer solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen silizium-solarzelle

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130119030A1 (de)
JP (1) JP2013519224A (de)
KR (1) KR20120120283A (de)
CN (1) CN102859676A (de)
DE (1) DE112011100422A5 (de)
WO (1) WO2011095560A2 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101902887B1 (ko) * 2011-12-23 2018-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지의 제조 방법
DE102013103422B4 (de) 2013-04-05 2022-01-05 Focuslight Technologies Inc. Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung mit einer linienförmigen Intensitätsverteilung
WO2015095742A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Xenon Corporation Continuous flash lamp sintering
WO2015174347A1 (ja) * 2014-05-12 2015-11-19 株式会社日本製鋼所 レーザアニール装置、レーザアニール処理用連続搬送路、レーザ光照射手段およびレーザアニール処理方法
EP3182465B1 (de) 2015-12-18 2020-03-11 Lg Electronics Inc. Verfahren zur herstellung von solarzellen
KR102591880B1 (ko) * 2015-12-18 2023-10-24 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지의 제조 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5956775A (ja) * 1982-09-27 1984-04-02 Toshiba Corp 太陽電池の製造方法
JPS63170976A (ja) * 1987-01-09 1988-07-14 Fujitsu Ltd ａ−Ｓｉ光ダイオ−ドの製造方法
KR100299292B1 (ko) * 1993-11-02 2001-12-01 이데이 노부유끼 다결정실리콘박막형성방법및그표면처리장치
JPH10189450A (ja) * 1996-12-27 1998-07-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US6217972B1 (en) * 1997-10-17 2001-04-17 Tessera, Inc. Enhancements in framed sheet processing
US6180871B1 (en) * 1999-06-29 2001-01-30 Xoptix, Inc. Transparent solar cell and method of fabrication
JP4827276B2 (ja) * 1999-07-05 2011-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザー照射装置、レーザー照射方法及び半導体装置の作製方法
TW494444B (en) * 1999-08-18 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Laser apparatus and laser annealing method
US6573531B1 (en) * 1999-09-03 2003-06-03 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods using sequential lateral solidification for producing single or polycrystalline silicon thin films at low temperatures
JP2002231628A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
US7390689B2 (en) * 2001-05-25 2008-06-24 President And Fellows Of Harvard College Systems and methods for light absorption and field emission using microstructured silicon
JP2006237042A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Seiko Epson Corp レーザーアニール装置、これを用いた半導体薄膜の製造方法、および薄膜トランジスター
JP2006310792A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Kyocera Corp 加熱炉及びこれを用いた太陽電池素子の製造方法
WO2008127807A1 (en) * 2007-03-09 2008-10-23 University Of Virginia Patent Foundation Systems and methods of laser texturing of material surfaces and their applications
JP2007208174A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Fujifilm Corp レーザアニール技術、半導体膜、半導体装置、及び電気光学装置
WO2008104346A2 (en) * 2007-02-27 2008-09-04 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Continuous coating installation and methods for producing crystalline thin films and solar cells
WO2009035421A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Laserresearch (S) Pte Ltd Single laser system for manufacture of thin film solar cell
US7800081B2 (en) * 2007-11-08 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Pulse train annealing method and apparatus
US20090120924A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Stephen Moffatt Pulse train annealing method and apparatus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None

Also Published As

Publication number Publication date
US20130119030A1 (en) 2013-05-16
CN102859676A (zh) 2013-01-02
WO2011095560A3 (de) 2012-06-21
JP2013519224A (ja) 2013-05-23
DE112011100422A5 (de) 2012-11-29
KR20120120283A (ko) 2012-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011095560A2 (de) Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung des scheibenförmigen grundmaterials einer solarzelle, insbesondere einer kristallinen oder polykristallinen silizium-solarzelle
DE112006002027B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen und System zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
DE112012004608B4 (de) Optischer Aufbau zur Linienerzeugung unter Verwendung eines Mikrolinsenarrays
DE112010004232T5 (de) Laserannealingvorrichtung und Laserannealingverfahren
DE102014106472B4 (de) Verfahren zum Strahlungsritzen eines Halbleitersubstrats
DE3136105A1 (de) "verfahren und vorrichtung zum tempern von halbleitern"
DE102016009560B4 (de) Verfahren zur Verbesserung des ohmschen Kontaktverhaltens zwischen einem Kontaktgitter und einer Emitterschicht einer Siliziumsolarzelle
DE102004030268B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements
DE102007009924A1 (de) Durchlaufbeschichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung kristalliner Dünnschichten und Solarzellen sowie Solarzelle
EP3009220B1 (de) Rolle-zu-Rolle-Fertigungsanlage und -verfahren für verkettete kontinuierliche und diskontinuierliche Verarbeitungsprozesse
DE102009059193B4 (de) Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterialien
DE112009003752T5 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung, Laserbearbeitungsverfahren und Herstellungsverfahren einer Fotovoltaikvorrichtung
DE112019001415T5 (de) Trägerplatte für eine lokale Erwärmung in thermischen Verarbeitungssystemen
DE10159170B4 (de) Polarisierungsvorrichtung und -verfahren
EP3341973B1 (de) Verfahren zum stabilisieren einer photovoltaischen silizium-solarzelle
DE10197002B3 (de) Verfahren und System zur Wärmebehandlung
EP2750891B1 (de) Verfahren zum herstellen einer druckschablone für den technischen druck und druckschablone für den technischen druck
WO2016050605A2 (de) Verfahren für das aufwachsen von halbleiterschichten und träger zum aufwachsen von halbleiterschichten
DE102016111236A1 (de) Substrat-Trägerelement für eine Trägerhorde, sowie Trägerhorde und Vorrichtung mit dem Substrat-Trägerelement
DE2621418C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren von Halbleiterplättchen
DE19959862A1 (de) Lasersystem mit steuerbarer Pulsdauer
DE102015114240A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleitersubstrats mittels Laserstrahlung
DE102016118377A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Schicht
DE102016103405A1 (de) Vorrichtung zum Bearbeiten mindestens eines Werkstücks
DE3912056A1 (de) Verfahren zum axialen einstellen der traegerlebensdauer

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180013306.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11702203

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127020486

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012551625

Country of ref document: JP

Ref document number: 112011100422

Country of ref document: DE

Ref document number: 1120111004222

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112011100422

Country of ref document: DE

Effective date: 20121129

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: FESTELLUNG EINES RECHTSVERLUSTS NACH REGEL 112(1) EPUE DATIERT 15.11.2012

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13576464

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11702203

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2