WO2011070801A1 - 導電性基板およびその製造方法ならびにタッチパネル - Google Patents

導電性基板およびその製造方法ならびにタッチパネル Download PDF

Info

Publication number
WO2011070801A1
WO2011070801A1 PCT/JP2010/053917 JP2010053917W WO2011070801A1 WO 2011070801 A1 WO2011070801 A1 WO 2011070801A1 JP 2010053917 W JP2010053917 W JP 2010053917W WO 2011070801 A1 WO2011070801 A1 WO 2011070801A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductive
transparent
substrate
conductive film
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/053917
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
小林　裕
典俊 富川
Original Assignee
凸版印刷株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 凸版印刷株式会社 filed Critical 凸版印刷株式会社
Priority to JP2011501835A priority Critical patent/JP4780254B2/ja
Priority to CN201080055742.4A priority patent/CN102652340B/zh
Publication of WO2011070801A1 publication Critical patent/WO2011070801A1/ja
Priority to US13/490,112 priority patent/US20120241199A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Definitions

  • the present invention relates to a conductive substrate used for a touch panel attached as an input device and a method for manufacturing the conductive substrate.
  • a transparent touch panel is attached as an input device on the display of various electronic devices.
  • the touch panel system include a resistance film type and a capacitance type.
  • the capacitance type can be multi-touched and is widely used for mobile devices and the like.
  • the capacitive touch panel has a transparent conductive film in which X-coordinate and Y-coordinate patterns are formed on the front and back surfaces of a substrate, respectively, connected to a circuit through a metal wiring pattern. It has a structure that can detect a voltage change between the membrane.
  • a method for forming the pattern of the transparent conductive film there is a method by photolithography as in Patent Documents 1 to 3.
  • an indium compound having a functional group or site that reacts with light and a tin compound having a similar functional group or site are used as the conductive film forming composition, and pattern exposure is performed.
  • the metal wiring pattern is formed simultaneously with the pattern of the transparent conductive film as in Patent Document 1, or the transparent conductive film using a metal film such as Ag ink or Al as in Patent Document 5 or 6. It is formed by printing or the like on the top.
  • JP-A-1-197911 Japanese Patent Laid-Open No. 2-109205 JP-A-2-309510 JP-A-9-142848 JP 2008-140130 A JP 2008-33777 A
  • Patent Document 1 describes that a metal wiring pattern is formed at the same time as a transparent conductive film pattern, but the metal wiring pattern contains ITO used for the transparent conductive film, and is a rare resource indium. It becomes a problem in that a lot of must be used.
  • the present invention has been made in view of the drawbacks of the prior art, and its object is to review the manufacturing process and to form a transparent conductive film pattern shape and a metal wiring pattern even in a conductive substrate where the pattern shape of the transparent conductive film is inconspicuous. It is to provide a conductive substrate having a high positional accuracy, a manufacturing method thereof, and a touch panel.
  • the invention according to claim 1 is characterized in that a conductive layer and a transparent conductive film are provided in this order from the transparent substrate side on at least one surface of the transparent substrate. It is a substrate.
  • the invention according to claim 2 is the conductive substrate according to claim 1, wherein the transparent conductive film has a conductive pattern region and a non-conductive pattern region.
  • the invention according to claim 3 is the conductive substrate according to claim 2, wherein one or more optical adjustment layers are formed on the surface of the transparent conductive film.
  • the invention according to claim 4 is characterized in that one or more optical adjustment layers are formed only on the surface of the conductive pattern region of the transparent conductive film. It is.
  • a hard coat layer is formed between or on the outermost surface of at least one surface of the conductive substrate. is there.
  • the invention according to claim 6 is characterized in that the sheet resistance value of the conductive layer is 1 ⁇ / ⁇ or less, and the sheet resistance value of the transparent conductive film is 100 ⁇ / ⁇ or more and 700 k ⁇ / ⁇ or less.
  • the invention according to claim 7 is a touch panel using the conductive substrate according to claim 6.
  • the invention according to claim 8 is the conductive laminate according to claim 2, which is bonded to another transparent substrate or another conductive substrate through an adhesive layer.
  • the invention according to claim 9 is characterized in that the sheet resistance value of the conductive layer is 1 ⁇ / ⁇ or less, and the sheet resistance value of the transparent conductive film is 100 ⁇ / ⁇ or more and 700 k ⁇ / ⁇ or less.
  • the invention according to claim 10 is a touch panel using the conductive substrate according to claim 9.
  • An eleventh aspect of the invention includes a conductive substrate comprising a step of forming a conductive layer on at least one surface of a transparent substrate and a step of forming a transparent conductive film on the surface of the conductive layer in this order. It is a manufacturing method.
  • the step of forming a transparent conductive film on the surface of the conductive layer is a step of forming a transparent conductive film having a conductive pattern region and a non-conductive pattern region on the surface of the conductive layer. It is a manufacturing method of the electroconductive board
  • the invention described in claim 13 is the method for manufacturing a conductive substrate according to claim 12, further comprising a step of forming an optical adjustment layer and / or a step of forming a hard coat layer.
  • the invention according to claim 14 is the method for producing a conductive substrate according to claim 13, wherein all steps are performed by a roll-to-roll method.
  • the present invention it is possible to provide a conductive substrate, a manufacturing method thereof, and a touch panel, in which the transparent conductive film and the metal wiring can be easily aligned even in a conductive substrate in which the pattern shape of the transparent conductive film is inconspicuous.
  • FIG. 1 is an explanatory view of a cross-sectional example 1 of the conductive substrate of the present invention.
  • the conductive substrate 4 includes a conductive layer 2 provided on one side of the transparent substrate 1 and a transparent conductive film 3 having no pattern. Since the transparent conductive film 3 does not have a pattern, the conductive substrate 4 in FIG. 1 can be used as a conductive substrate of a resistive touch panel.
  • FIG. 2 is an explanatory view of a cross-sectional example 2 of the conductive substrate of the present invention.
  • the conductive substrate 4 includes a conductive layer 2 provided on one surface of the transparent substrate 1 and a transparent conductive film 3 in which a conductive pattern region 3a and a nonconductive pattern region 3b are formed. Since the transparent conductive film 3 has a pattern, the conductive substrate 4 in FIG. 2 can be used as a conductive substrate of a capacitive touch panel.
  • the conductive pattern region refers to a portion having conductivity in the transparent conductive layer
  • the non-conductive pattern region is a conductivity excluding a portion having conductivity in the transparent conductive layer. The part that does not have.
  • the conductive substrate shown in FIGS. 3 to 10 can be cited in addition to FIG. 3 and 4 are explanatory views of cross-sectional examples 3 and 4 of the conductive substrate of the present invention, respectively.
  • the optical adjustment layer 5 may be provided on the transparent conductive film 3 shown in FIG.
  • the optical adjustment layer 5 may be provided only in the conductive pattern region 3 a of the transparent conductive film 3 depending on the configuration.
  • FIG. 5 and 6 are explanatory views of cross-sectional examples 5 and 6 of the conductive substrate of the present invention, respectively.
  • FIG. 5 by forming the hard coat layer 6 on at least one surface of the conductive substrate 4 shown in FIG. 2, the surface hardness is increased and the substrate is hardly damaged.
  • the hard coat layer 6 is formed on the surface opposite to the side on which the conductive layer 2 is formed is shown.
  • the conductive pattern region 3a and the nonconductive pattern are formed between the conductive layer 2 and the transparent substrate 1.
  • the surface of the transparent conductive film 3 in which the region 3b is formed or the surface of the optical adjustment layer 5 as shown in FIG. 6 can be selected as appropriate.
  • FIG. 7 to 9 are explanatory views of cross-sectional examples 7 to 9 of the conductive laminate of the present invention, respectively.
  • Another transparent substrate 1 ′ is bonded to the hard coat layer 6 side of the conductive substrate 4 shown in FIG. 5 via the adhesive layer 8.
  • the other transparent substrate 1 ′ to be bonded may constitute another conductive substrate 4 ′ having the same configuration as the conductive substrate 4 shown in FIG. 2.
  • a conductive layer 2 and a transparent conductive film 3 in which a conductive pattern region 3a and a nonconductive pattern region 3b are formed are provided on one surface of another transparent substrate 1 ′.
  • the surface of the transparent conductive film 3 of the other conductive substrate 4 ′ and the hard coat layer 6 of the conductive substrate 4 are bonded via the adhesive layer 8.
  • another transparent substrate 1 ′ of another conductive substrate 4 ′ and the transparent substrate 1 of the conductive substrate 4 may be bonded via an adhesive layer 8.
  • the pattern of the transparent conductive film 3 of the conductive substrate 4 and the pattern of the transparent conductive film 3 of the other conductive substrate 4 ′ are preferably patterns orthogonal to each other as will be described later. .
  • FIG. 10 is an explanatory view of a cross-sectional example 10 of the conductive laminate of the present invention.
  • You may provide the pattern of the transparent conductive film orthogonal to the pattern of the transparent conductive film 3 in the surface opposite to the surface in which the transparent conductive film 3 of the transparent substrate 1 of the conductive substrate 4 shown in FIG. 3 was provided. Also in the case of the opposite surface, it is preferable that the transparent conductive film 3 in which the transparent substrate 1, the conductive layer 2, the conductive pattern region 3a, and the non-conductive pattern region 3b are formed in this order.
  • the shape of the transparent substrate 1 used in the present invention includes a plate shape and a film shape.
  • a polymer resin is used in addition to glass.
  • the polymer resin is not particularly limited as long as it has sufficient strength in the film-forming step and the subsequent step and has good surface smoothness.
  • polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyether Examples include sulfone, polysulfone, polyarylate, cyclic polyolefin, and polyimide.
  • the thickness is about 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less in consideration of the thinning of the member and the flexibility of the substrate.
  • the transparent substrate 1 As a material contained in the transparent substrate 1, in addition to the above materials, various additives and stabilizers well-known on the surface of the base material, such as an antistatic agent, an anti-ultraviolet agent, a plasticizer, a lubricant, an easy adhesive, and the like May be used.
  • pretreatment may be performed by corona treatment, low temperature plasma treatment, ion bombardment treatment, chemical treatment, or the like.
  • the conductive layer 2 used in the present invention is a metal wiring pattern connected to a circuit capable of detecting a voltage change, and is formed so as to be in contact with the conductive pattern region 3a of the transparent conductive film 3. Since the conductive pattern region 3 a of the transparent conductive film 3 is transparent and is often a fine pattern for accurately reading position information, the conductive layer 2 is formed of the conductive pattern region 3 a of the transparent conductive film 3. It is necessary to accurately align and form.
  • Examples of the conductive layer 2 include those obtained by patterning a metal film by a method such as photolithography or laser, and those obtained by patterning silver ink, carbon nanotube (CNT), conductive resin, or the like by screen printing or ink jet printing.
  • any method may be used as long as it is a material and a forming technique that can form a thin line of about 100 ⁇ m or less and can obtain sufficient conductivity even if the line is thinned.
  • the conductive layer 2 is preferably provided in the order of the conductive layer 2 and the transparent conductive film 3 from the transparent substrate 1 side.
  • the transparent conductive film 3 By providing the transparent conductive film 3 after the conductive layer 2 is provided, the conductive layer 2 and the transparent conductive layer 3 can be easily aligned.
  • the pattern of the transparent conductive film 3 is transparent and has a fine structure. It is difficult to accurately adjust the position to the position, and this is not preferable.
  • the position adjustment with the transparent conductive film pattern is further facilitated.
  • heat and ultraviolet rays are appropriately used for drying and curing.
  • the sheet resistance of the conductive layer 2 is preferably 1 ⁇ / ⁇ or less. By setting it within this range, sufficient conductivity can be obtained even if the wire is thinned.
  • the sheet resistance can be measured by the four-end needle method or can be calculated from the pattern shape and its resistance value. .
  • the hard coat layer 6 used in the present invention is provided to give the conductive substrate 4 mechanical strength.
  • resin used Resin which has transparency, moderate hardness, and mechanical strength is preferable.
  • a photocurable resin such as a monomer or a crosslinkable oligomer having a tri- or higher functional acrylate that can be expected to be three-dimensionally crosslinked as a main component is preferable.
  • Trifunctional or higher acrylate monomers include trimethylolpropane triacrylate, isocyanuric acid EO-modified triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate Ditrimethylolpropane tetraacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, polyester acrylate and the like are preferable.
  • Particularly preferred are isocyanuric acid EO-modified triacrylates and polyester acrylates. These may be used alone or in combination of two or more.
  • so-called acrylic resins such as epoxy acrylate, urethane acrylate and polyol acrylate can be used in combination.
  • acrylic oligomers such as polyester (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, polyurethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, and silicone (meth) acrylate are preferable.
  • Specific examples include polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, bisphenol A type epoxy acrylate, polyurethane diacrylate, cresol novolac type epoxy (meth) acrylate, and the like.
  • the hard coat layer 6 may contain additives such as other particles and a photopolymerization initiator.
  • the particles to be added include organic or inorganic particles, but it is preferable to use organic particles in consideration of transparency.
  • organic particles include particles made of acrylic resin, polystyrene resin, polyester resin, polyolefin resin, polyamide resin, polycarbonate resin, polyurethane resin, silicone resin, and fluorine resin.
  • the average particle diameter of the particles varies depending on the thickness of the hard coat layer 6, but for the reason of appearance such as haze, the lower limit is 2 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, and the upper limit is 30 ⁇ m or less, preferably 15 ⁇ m or less. use. Further, for the same reason, the particle content is preferably 0.5% by weight or more and 5% by weight or less based on the resin.
  • radical generating photopolymerization initiators include benzoin and its alkyl ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzyl methyl ketal, acetophenone, 2, 2 , -Dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, and other acetophenones, methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-amylanthraquinone and other anthraquinones, thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2, 4 -Thioxanthones such as diisopropylthioxanthone, ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal, benzophenone, 4, 4-
  • tertiary amines such as triethanolamine and methyldiethanolamine
  • benzoic acid derivatives such as 2-dimethylaminoethylbenzoic acid, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, etc. It can be used in combination with a photoinitiator aid or the like.
  • the addition amount of the photopolymerization initiator is 0.1% by weight or more and 5% by weight or less, preferably 0.5% by weight or more and 3% by weight or less with respect to the main component resin. Less than the lower limit is not preferable because the hard coat layer is insufficiently cured. Moreover, when exceeding an upper limit, since yellowing of a hard-coat layer will be produced or a weather resistance will fall, it is unpreferable.
  • the light used for curing the photocurable resin is ultraviolet rays, electron beams, or gamma rays, and in the case of electron beams or gamma rays, it is not always necessary to contain a photopolymerization initiator or a photoinitiating aid. As these radiation sources, high-pressure mercury lamps, xenon lamps, metal halide lamps, accelerated electrons, and the like can be used.
  • the thickness of the hard coat layer 6 is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.5 ⁇ m to 15 ⁇ m. Moreover, it is more preferable that the refractive index is equal to or close to that of the transparent substrate layer 11, and it is preferably about 1.45 or more and 1.75 or less.
  • the hard coat layer 6 is formed by dissolving a resin that is a main component and a material that absorbs ultraviolet rays in a solvent, a die coater, curtain flow coater, roll coater, reverse roll coater, gravure coater, knife coater, bar coater, spin It forms with well-known coating methods, such as a coater and a micro gravure coater.
  • the solvent is not particularly limited as long as it dissolves the main component resin. Specifically, ethanol, isopropyl alcohol, isobutyl alcohol, benzene, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethyl acetate, n-butyl acetate, isoamyl acetate, ethyl lactate, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, Examples include butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, and propylene glycol monomethyl ether acetate. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the optical adjustment layer 5 has a function of making the pattern formed on the transparent conductive film 3 inconspicuous and is a layer for improving visibility.
  • materials such as oxides, sulfides, fluorides, and nitrides can be used.
  • the thin film made of the inorganic compound has a different refractive index depending on the material, and the optical characteristics can be adjusted by forming a thin film having a different refractive index with a specific film thickness.
  • the number of optical functional layers may be a plurality of layers depending on the target optical characteristics.
  • Low refractive index materials include magnesium oxide (1.6), silicon dioxide (1.5), magnesium fluoride (1.4), calcium fluoride (1.3 to 1.4), cerium fluoride ( 1.6), aluminum fluoride (1.3), and the like.
  • titanium oxide (2.4), zirconium oxide (2.4), zinc sulfide (2.3), tantalum oxide (2.1), zinc oxide (2.1) examples include indium oxide (2.0), niobium oxide (2.3), and tantalum oxide (2.2).
  • the numerical value in the parenthesis represents the refractive index.
  • the same resin as the hard coat layer 6 may be used as the optical adjustment layer 5.
  • high refractive index inorganic fine particles such as zirconium oxide and titanium oxide can be dispersed in the resin to increase the refractive index of the resin.
  • the transparent conductive film 3 examples include indium oxide, zinc oxide, and tin oxide, or two or three kinds of mixed oxides thereof, and those added with other additives. -Various materials can be used depending on the application, and are not particularly limited. At present, the most reliable and proven material is indium tin oxide (ITO).
  • ITO indium tin oxide
  • the content ratio of tin oxide doped in indium oxide is selected according to the specifications required for the device. To do.
  • the base material is a plastic film
  • the sputtering target material used to crystallize the thin film for the purpose of increasing the mechanical strength desirably has a tin oxide content of less than 10% by weight.
  • the content ratio of tin oxide is preferably 10% by weight or more.
  • the content ratio of tin oxide is desirably in the range of 3 wt% to 20 wt%.
  • the sheet resistance of the transparent conductive film 3 is preferably 100 ⁇ / ⁇ or more and 700k ⁇ / ⁇ or less. By setting it as this range, it is excellent in durability and permeability, and the contact position can be detected with high accuracy.
  • the sheet resistance can be measured by the four-end needle method as in the conductive layer 2, or can be calculated from the pattern shape and its resistance value.
  • any film forming method may be used as long as the film thickness can be controlled.
  • the dry method is excellent for forming a thin film.
  • a vacuum vapor deposition method a physical vapor deposition method such as sputtering, or a chemical vapor deposition method such as a CVD method can be used.
  • a sputtering method in which the process is stable and the thin film becomes dense is desirable.
  • the transparent conductive film 3 is patterned as shown in FIG. As shown in FIG. 11 or FIG. 12, the pattern to be formed includes a conductive pattern region 3a represented in black and a non-conductive pattern region 3b represented in white.
  • the conductive pattern region 3a is in contact with the conductive layer 2 and is connected to a circuit capable of detecting a voltage change.
  • the conductive pattern region 3a which is a detection electrode
  • the overall capacitance changes, so that the circuit voltage changes, and the contact position can be determined.
  • Two-dimensional positional information can be obtained by pasting the patterns of FIG. 11 or FIG. 12, combining them so as to be orthogonal to each other as shown in FIG. 13, and connecting them to the voltage change detection circuit.
  • the transparent conductive film 3 preferably has a total light transmittance difference of 1% or less between the conductive pattern region 3a and the non-conductive pattern region 3b of the transparent conductive film 3. Even if different patterns are formed on both surfaces of the conductive substrate, the pattern shape becomes inconspicuous and visibility is improved. Furthermore, it is preferable that the transmission hue b * difference between the conductive pattern region and the non-conductive pattern region is 1.5 or less. When it is in this range, the pattern shape becomes less conspicuous and the visibility is further improved.
  • the pattern shape of the transparent conductive film 3 includes a mesh type pattern in addition to the diamond type pattern as shown in FIG. 11 or FIG. 12, and is as fine as possible in order to accurately read the two-dimensional position information. In addition, it is necessary to accurately align the two patterns.
  • a pattern formation method for the transparent conductive film 3 As a pattern formation method for the transparent conductive film 3, a resist is applied on the transparent conductive film 3, a pattern is formed by exposure and development, and then the transparent conductive film is chemically dissolved, or a chemical reaction in vacuum.
  • the pattern forming method can be appropriately selected depending on the shape, accuracy, etc. of the pattern, but in consideration of pattern accuracy and thinning, a photolithography method is preferable.
  • FIG. 14 shows a pattern forming process of the conductive substrate 4 of the present invention, taking the conductive substrate 4 shown in FIG. 5 as an example.
  • the transparent substrate 1 is prepared (step (a)), and the hard coat layer 6 is formed on one surface (step (b)).
  • the conductive layer 2 is formed at a predetermined position on the surface of the transparent substrate 1 opposite to the hard coat layer 6 (step (c)).
  • a transparent conductive film 3 is formed (step (d)).
  • a resist 7a is applied to the surfaces of the conductive layer 2 and the transparent conductive film 3 (step (e)), a light source for forming a pattern on the transparent conductive film 3, and a pattern mask represented by FIG. 11 or FIG.
  • the transparent substrate coated with the resist 7a is arranged in order, and is exposed with light from the light source to form regions of the resists 7b and 7c (step (f)).
  • Reference numeral 7c denotes a resist exposed to light.
  • the resist 7b which is not exposed is removed with a developing solution (step (g)), and the exposed portion of the transparent conductive film 3 is etched (step (h)).
  • the exposed resist 7c is peeled off to obtain the conductive substrate 4 (step (i)).
  • the method for producing the conductive substrate 4 of the present invention preferably includes the step (c) of forming the conductive layer 2 and the step (d) of forming the transparent conductive film 3 in this order. Since the pattern of the transparent conductive film 3 can be formed on the basis of the position of the conductive layer 2 by forming the conductive layer 2 first, and then forming the pattern by forming the transparent conductive film 3, it is easy to Alignment can be performed. Conversely, when the conductive layer 2 is formed after forming the pattern by forming the transparent conductive film 3, the conductive layer 2 is formed in accordance with the position of the pattern of the transparent conductive film 3 that is transparent and fine. Must be performed, and alignment cannot be performed easily.
  • the sheet of the transparent conductive film 3 formed in advance is used to dry the silver ink forming the conductive layer 2 at a high temperature.
  • the resistance value increases, and the contact position cannot be detected with high accuracy.
  • step (c) of forming the conductive layer 2 it is more preferable to form a marker for alignment at the same time as forming the conductive layer 2. Thereby, when forming the pattern of the transparent conductive film 3 after that, a pattern can be formed using the marker for alignment as a mark.
  • FIG. 14 is a diagram showing each step of a method for forming a pattern using a negative resist, but a pattern may be formed using a positive resist.
  • the conductive substrate 4 of the present invention shown in other drawings can also form the conductive pattern region 3a and the non-conductive pattern region 3b of the transparent conductive film 3 by the above-described steps.
  • the method for manufacturing the conductive substrate 4 of the present invention may include a step of bonding another transparent substrate 1 'to the transparent substrate 1 of the conductive substrate 4 obtained by the step shown in FIG. Further, using the conductive substrate 4 ′ obtained by another process, the surface of the transparent conductive film 3 of the other conductive substrate 4 ′ and the hard coat layer 6 of the conductive substrate 4 are interposed via the adhesive layer 8. The process to paste may be included.
  • the step of forming the conductive layer 2, the step of forming the transparent conductive film 3, or the transparent conductive film 3 having the conductive pattern region 3a and the non-conductive pattern region 3b is formed.
  • the step, the step of forming the optical adjustment layer 5 and the step of forming the hard coat layer 6 are preferably performed by a roll-to-roll method.
  • the conductive substrate 4 can be efficiently produced in large quantities. In particular, it is more preferable to perform each process continuously by a roll-to-roll method.
  • Example 1 A polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries Inc., thickness: 100 ⁇ m) is used as a transparent substrate, and a coating solution for forming a resin layer having the following composition is applied to one surface with a microgravure coater, dried at 60 ° C. for 1 minute, and irradiated with ultraviolet rays. A hard coat layer was formed by curing.
  • composition of resin layer forming coating solution Resin: Purple light UV-7605B (manufactured by Nippon Synthetic Chemical) 100 parts by weight Initiator: Irgacure 184 (manufactured by Ciba Japan) 4 parts by weight Solvent: 100 parts by weight of methyl acetate
  • a conductive layer and an alignment marker were formed on a surface of the transparent substrate opposite to the hard coat layer using silver ink by a screen printer, and dried at 150 ° C. for 30 minutes.
  • an ITO film having a thickness of 25 nm was formed as a transparent conductive film on the conductive layer by sputtering, and then a pattern of the transparent conductive film was formed by photolithography based on the silver ink alignment marker.
  • Example 1 In the case of Example 1, a transparent conductive film with few scratches could be formed by applying a hard coat. Moreover, since the alignment was easy, there was no defect due to pattern shift. The sheet resistance value of the ITO film was stable at 200 ⁇ / ⁇ .
  • Example 2 A polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., thickness: 100 ⁇ m) is used as a transparent substrate. The same conductive layer as 1 and an alignment marker were formed. Next, the same ITO film as in Example 1 was formed to a thickness of 25 nm, and then the SiO 2 film was formed to a thickness of 70 nm as an optical adjustment layer. Then, using the silver ink alignment marker as a reference, SiO 2 and ITO were formed by photolithography. Were etched with the same pattern to obtain a conductive substrate.
  • Example 2 a transparent conductive film with few scratches could be formed by applying a hard coat. Moreover, since the alignment was easy, there was no defect due to pattern shift.
  • the sheet resistance value of the ITO film is stable at 200 ⁇ / ⁇ , and the difference in total light transmittance between the conductive pattern region and the non-conductive pattern region is 0.3% in terms of optical characteristics. A conductive substrate was obtained.
  • a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Industries, Inc., thickness: 100 ⁇ m) is used as a transparent substrate, a hard coat layer similar to that of Example 1 is formed on one surface, and a sputtering method is applied to the opposite surface of the transparent substrate to the hard coat layer.
  • 10 nm of TiO 2 as the optical adjustment layer 56 nm of SiO 2 and 25 nm of ITO film as the transparent conductive film were formed.
  • a conductive pattern region, a non-conductive pattern region, and an alignment marker are formed on the ITO film by a photolithography method, and finally a conductive layer is formed by a screen printer using silver ink. It was dried for a minute to obtain a conductive substrate.
  • the total light transmittance difference between the conductive pattern region and the non-conductive pattern region was 0.7%, and a conductive substrate in which the pattern was difficult to visually recognize was obtained.
  • the alignment marker provided the conductive layer. The screen printing process could not be read, and alignment defects occurred frequently. It was also confirmed that the sheet resistance value of the ITO film, which was 200 ⁇ / ⁇ after film formation, increased to 800 ⁇ / ⁇ due to the high temperature in the silver ink drying process.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

【課題】製造工程を見直し、透明導電膜のパターン形状が目立たない導電性基板においても、透明導電膜パターン形状と金属配線パターンの位置精度が高い導電性基板およびその製造方法並びにタッチパネルを提供する。 【解決手段】導電性基板４は、透明基板１の少なくとも片面に、導電層２と、透明導電膜３とを透明基板１側からこの順序で備える。また、導電性基板４の製造方法は、透明基板１の少なくとも片面に、導電層２を形成する工程と、導電層２の表面に透明導電膜３を形成する工程とをこの順に備える。

Description

導電性基板およびその製造方法ならびにタッチパネル
　本発明は、入力デバイスとして取り付けられるタッチパネルに用いられる導電性基板及び導電性基板の製造方法に関する。
　近年、様々な電子機器のディスプレイ上に入力デバイスとして、透明なタッチパネルが取り付けられている。タッチパネルの方式としては、抵抗膜式、静電容量式等が挙げられる。特に、静電容量式はマルチタッチが可能であり、モバイル機器などの用途に多く採用されている。
　静電容量式のタッチパネルは、基板の表面及び裏面にそれぞれＸ座標及びＹ座標のパターンを形成した透明導電膜が金属配線パターンを介して回路に接続され、表面の透明導電膜と裏面の透明導電膜との間の電圧変化を検知できるような構造となっている。透明導電膜のパターンの形成方法としては、特許文献１から３のようにフォトリソグラフィによる方法がある。他の方法としては、特許文献４のように、導電膜形成用組成物として、光に反応する官能基或いは部位を有するインジウム化合物及び同様な官能基或いは部位を有する錫化合物を用い、パターン露光を行う方法や、特許文献５のように、レーザー光によるパターン形成を行う方法などがある。また、金属配線パターンは、特許文献１のように、透明導電膜のパターンと同時に形成される場合や、特許文献５又は６のように、ＡｇインクやＡｌなどの金属膜を用いて透明導電膜上に印刷等で形成される。
特開平１－１９７９１１号公報 特開平２－１０９２０５号公報 特開平２－３０９５１０号公報 特開平９－１４２８８４号公報 特開２００８－１４０１３０号公報 特開２００８－３３７７７号公報
　しかしながら、特許文献１から３のようなフォトリソグラフィによる方法により、透明導電膜のパターンを形成した後に、特許文献５又は６のような金属配線のパターンを印刷するとき、透明導電膜のパターンがパターン形状を目立たなくさせるために微細な構成をとる場合、透明導電膜のパターン上に金属配線パターンを合わせこむための位置決め用マーカーが読み取れず、透明導電膜のパターンと金属配線パターンがずれてしまう問題がある。一方、特許文献１には、金属配線パターンを透明導電膜のパターンと同時に形成することが記載されているが、金属配線パターンに透明導電膜に用いるＩＴＯが含まれており、希少資源であるインジウムを多く使用しなければならない点で問題となる。
　本発明は、かかる従来技術の欠点に鑑みてなされたもので、その目的は、製造工程を見直し、透明導電膜のパターン形状が目立たない導電性基板においても、透明導電膜パターン形状と金属配線パターンの位置精度が高い導電性基板およびその製造方法並びにタッチパネルを提供することにある。
　課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、透明基板の少なくとも片面に、導電層と、透明導電膜とを前記透明基板側からこの順序で備えることを特徴とする導電性基板である。
　請求項２に記載の発明は、前記透明導電膜が導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を有することを特徴とする請求項１に記載の導電性基板である。
　請求項３に記載の発明は、前記透明導電膜の表面に１又は２層以上の光学調整層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の導電性基板である。
　請求項４に記載の発明は、前記透明導電膜の導電性パターン領域の表面のみに１又は２層以上の光学調整層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の導電性基板である。
　請求項５に記載の発明は、前記導電性基板の少なくとも片面の何れかの層の間又は最表面にハードコート層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の導電性基板である。
　請求項６に記載の発明は、前記導電層のシート抵抗の値が１Ω／□以下であり、前記透明導電膜のシート抵抗の値が１００Ω／□以上７００ｋΩ／□以下であることを特徴とする請求項５に記載の導電性基板である。
　請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の導電性基板を用いたタッチパネルである。
　請求項８に記載の発明は、粘着層を介して、他の透明基板又は他の導電性基板に貼合されていることを特徴とする請求項２に記載の導電性積層体である。
　請求項９に記載の発明は、前記導電層のシート抵抗の値が１Ω／□以下であり、前記透明導電膜のシート抵抗の値が１００Ω／□以上７００ｋΩ／□以下であることを特徴とする請求項８に記載の導電性基板である。
　請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の導電性基板を用いたタッチパネルである。
　請求項１１に記載の発明は、透明基板の少なくとも片面に、導電層を形成する工程と、前記導電層の表面に透明導電膜を形成する工程とをこの順に備えることを特徴とする導電性基板の製造方法である。
　請求項１２に記載の発明は、前記導電層の表面に透明導電膜を形成する工程が、前記導電層の表面に導電性パターン領域および非導電性パターン領域を有する透明導電膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の導電性基板の製造方法である。
　請求項１３に記載の発明は、さらに、光学調整層を形成する工程及び／又はハードコート層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の導電性基板の製造方法である。
　請求項１４に記載の発明は、全ての工程をロールトゥロール方式により行うことを特徴とする請求項１３に記載の導電性基板の製造方法である。
　本発明によれば、透明導電膜のパターン形状が目立たない導電性基板においても、透明導電膜と金属配線の位置合わせが容易な導電性基板およびその製造方法並びにタッチパネルの提供が可能となる。
本発明の導電性基板の断面例１の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例２の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例３の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例４の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例５の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例６の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例７の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例８の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例９の説明図である。 本発明の導電性基板の断面例１０の説明図である。 透明導電膜のパターン例（Ｘ座標）の説明図である。 透明導電膜のパターン例（Ｙ座標）の説明図である。 透明導電膜のパターン例のＸ座標とＹ座標との位置関係の説明図である。 本発明の導電性基板のパターン形成工程例の説明図である。
　以下、本発明を実施するための形態を、図面を用いながら説明する。なお、本発明は、以下に記載する実施の形態に限定されうるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更等の変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれるものである。
　図１は、本発明の導電性基板の断面例１の説明図である。導電性基板４は、透明基板１の片面に設けられた導電層２と、パターンを有しない透明導電膜３とから構成される。透明導電膜３はパターンを有しないため、図１の導電性基板４は、抵抗膜式タッチパネルの導電性基板として用いることができる。
　図２は、本発明の導電性基板の断面例２の説明図である。導電性基板４は、透明基板１の片面に設けられた導電層２と、導電性パターン領域３ａ及び非導電性パターン領域３ｂを形成した透明導電膜３とから構成される。透明導電膜３はパターンを有するため、図２の導電性基板４は、静電容量式タッチパネルの導電性基板として用いることができる。ここで、導電性パターン領域とは、透明導電層のうち、導電性を有する部分のことをいい、非導電性パターン領域とは、透明導電層のうち、導電性を有する部分を除いた導電性を有しない部分のことをいう。
　本発明の静電容量式タッチパネルの導電性基板としては、図２の他に、図３から１０までの導電性基板が挙げられる。図３及び４は、それぞれ本発明の導電性基板の断面例３及び４の説明図である。図３のように、図２に示した透明導電膜３上に光学調整層５を設けてもよい。また、図４のように、構成によっては、透明導電膜３の導電性パターン領域３ａのみに光学調整層５を設けてもよい。
　図５及び６は、それぞれ本発明の導電性基板の断面例５及び６の説明図である。図５のように、図２に示した導電性基板４の少なくとも一方の面にハードコート層６を形成することにより、表面硬度が高くなり、傷のつきにくい基板となる。ここでは、導電層２を形成した側と反対の面に、ハードコート層６を形成する例を示したが、導電層２と透明基板１との間、導電性パターン領域３ａ及び非導電性パターン領域３ｂを形成した透明導電膜３の表面、又は、図６のように光学調整層５の表面など適宜選択できる。
　図７から９は、それぞれ本発明の導電性積層体の断面例７から９の説明図である。図５で示した導電性基板４のハードコート層６側に粘着層８を介し、他の透明基板１’を貼合している。ここで、貼合する他の透明基板１’は、図２に示した導電性基板４と同じ構成の他の導電性基板４’を構成していてもよい。具体的には、図８のように、他の透明基板１’の片面に、導電層２と、導電性パターン領域３ａ及び非導電性パターン領域３ｂを形成した透明導電膜３とを設けた他の導電性基板４’を用い、他の導電性基板４’の透明導電膜３の表面と、導電性基板４のハードコート層６とを粘着層８を介して貼合する。また、図９のように、他の導電性基板４’の他の透明基板１’と、導電性基板４の透明基板１とを粘着層８を介して貼合してもよい。図８又は９の場合、導電性基板４の透明導電膜３のパターンと、他の導電性基板４’の透明導電膜３のパターンとは、後述するように互いに直交するパターンであることが好ましい。
　図１０は、本発明の導電性積層体の断面例１０の説明図である。図３で示した導電性基板４の透明基板１の透明導電膜３を設けた面の反対の面に、透明導電膜３のパターンと直交する透明導電膜のパターンを設けてもよい。この反対の面の場合も、透明基板１、導電層２及び導電性パターン領域３ａ及び非導電性パターン領域３ｂを形成した透明導電膜３の順に構成されることが好ましい。
　次に本発明の導電性基板４の構成部分について詳細に説明する。なお、他の導電性基板４’については、導電性基板４と同等のものとして扱う。
　本発明で用いる透明基板１の形状は、板状、フィルム状などが挙げられる。透明基板１の材料としては、ガラスの他、高分子樹脂が用いられる。高分子樹脂としては成膜工程および後工程において十分な強度があり、表面の平滑性が良好であれば、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリアリレート、環状ポリオレフィン、ポリイミド等が挙げられる。その厚さは部材の薄型化と基板の可撓性とを考慮し、１０μｍ以上２００μｍ以下程度のものが用いられる。
　透明基板１の含有される材料としては、上記材料の他に、基材の表面に周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などが使用されてもよい。薄膜との密着性を改善するため、前処理としてコロナ処理、低温プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などを施してもよい。
　なお、他の透明基板１’についても透明基板１と同等のものとして扱う。
　本発明で用いる導電層２は、電圧変化を検知できる回路に接続されている金属配線パターンであり、透明導電膜３の導電性パターン領域３ａと接するように形成される。透明導電膜３の導電性パターン領域３ａは透明であり、かつ、精度よく位置情報を読み取るために微細なパターンであることが多いため、導電層２は、透明導電膜３の導電性パターン領域３ａと正確に位置合わせを行い形成することが必要である。
　導電層２のとしては、金属膜をフォトリソグラフィやレーザー等による方法でパターニングしたもの、銀インキ、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、導電性樹脂などをスクリーン印刷やインクジェット印刷によりパターン形成したものなどが挙げられるが、およそ１００μｍ以下の細線が形成でき、細線化しても十分な導電性が得られる材料、形成技術であれば、いかなる方法を用いてもかまわない。また、金属膜、銀インキ、ＣＮＴ又は導電性樹脂などのパターンには、その他の材料を組み合わせて導電層２を形成してもよい。
　導電層２は、透明基板１側から、導電層２、透明導電膜３の順に設けることが好ましい。導電層２を設けた後に透明導電膜３を設けることにより、導電層２と透明導電層３との位置合わせが容易に行うことができる。逆に、透明基板１側から、透明導電膜３、導電層２の順に設けた場合、透明導電膜３のパターンが透明でかつ微細な構成であるため、導電層３を透明導電膜３のパターンの位置に精度よく合わせ込むことが困難であり、好ましくない。
　また、導電層２とは別に、位置合わせ用のマーカーを形成しておくことにより、透明導電膜パターンとの位置調整がさらに容易となる。材料によっては、乾燥や硬化のために熱や紫外線を適宜用いる。
　導電層２のシート抵抗については、１Ω／□以下の導電性があることが好ましい。この範囲にすることにより、細線化しても十分な導電性が得られる。なお、シート抵抗は、四端針法により測定するか、あるいはパターン形状とその抵抗値から算出することができる。。
　本発明で用いるハードコート層６は、導電性基板４に機械的強度を持たせるために設けられる。用いられる樹脂としては、特に限定はしないが、透明性と適度な硬度と機械的強度を持つ樹脂が好ましい。具体的には３次元架橋の期待できる３官能以上のアクリレートを主成分とするモノマー又は架橋性オリゴマーのような光硬化性樹脂が好ましい。
　３官能以上のアクリレートモノマーとしては、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ポリエステルアクリレート等が好ましい。特に好ましいのは、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレートおよびポリエステルアクリレートである。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用しても構わない。また、これら３官能以上のアクリレートの他にエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリオールアクリレート等のいわゆるアクリル系樹脂を併用することが可能である。
　架橋性オリゴマーとしては、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレート等のアクリルオリゴマーが好ましい。具体的にはポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ポリウレタンのジアクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等がある。
　ハードコート層６は、その他粒子、光重合開始剤等の添加剤を含有してもよい。
　添加する粒子としては、有機又は無機の粒子が挙げられるが、透明性を考慮すれば、有機粒子を用いることが好ましい。有機粒子としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂などからなる粒子が挙げられる。
　粒子の平均粒径は、ハードコート層６の厚みによって異なるが、ヘイズ等の外観上の理由により、下限として２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、上限としては３０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下のものを使用する。また、粒子の含有量も同様の理由で、樹脂に対し、０．５重量％以上５重量％以下であることが好ましい。
　光重合開始剤を添加する場合、ラジカル発生型の光重合開始剤として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、２、２、－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、などのアセトフェノン類、メチルアントラキノン、２－エチルアントラキノン、２－アミルアントラキノンなどのアントラキノン類、チオキサントン、２、４－ジエチルチオキサントン、２、４－ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類、ベンゾフェノン、４、４－ビスメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類及びアゾ化合物などがある。これらは単独または２種以上の混合物として使用でき、さらにはトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミンなどの第３級アミン、２－ジメチルアミノエチル安息香酸、４－ジメチルアミノ安息香酸エチルなどの安息香酸誘導体等の光開始助剤などと組み合わせて使用することができる。
　上記光重合開始剤の添加量は、主成分の樹脂に対して０．１重量％以上５重量％以下であり好ましくは０．５重量％以上３重量％以下である。下限値未満ではハードコート層の硬化が不十分となり好ましくない。また、上限値を超える場合は、ハードコート層の黄変を生じたり、耐候性が低下したりするため好ましくない。光硬化型樹脂を硬化させるのに用いる光は紫外線、電子線、あるいはガンマ線などであり、電子線あるいはガンマ線の場合、必ずしも光重合開始剤や光開始助剤を含有する必要はない。これらの線源としては高圧水銀灯、キセノンランプ、金属ハライドランプや加速電子などが使用できる。
　また、ハードコート層６の厚みは、特に限定されないが、０．５μｍ以上１５μｍ以下の範囲が好ましい。また、透明基板層１１と屈折率が同等もしくは近似していることがより好ましく、１．４５以上１．７５以下程度が好ましい。
　ハードコート層６の形成方法は、主成分である樹脂と紫外線を吸収する材料を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーター等の公知の塗布方法で形成する。
　溶剤については、上記の主成分の樹脂を溶解するものであれば特に限定しない。具体的には、溶剤として、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、等が挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　光学調整層５として、透明導電膜３に形成されたパターンを目立たなくする機能を有し、視認性を向上させるための層である。無機化合物を用いる場合、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などの材料が使用可能である。上記無機化合物からなる薄膜は、その材料により屈折率が異なり、その屈折率の異なる薄膜を特定の膜厚で形成することにより、光学特性を調整することが可能となる。なお、光学機能層の層数としては、目的とする光学特性に応じて、複数層あってもよい。
　屈折率の低い材料としては、酸化マグネシウム（１．６）、二酸化珪素（１．５）、フッ化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３～１．４）、フッ化セリウム（１．６）、フッ化アルミニウム（１．３）などが挙げられる。また、屈折率の高い材料としては、酸化チタン（２．４）、酸化ジルコニウム（２．４）、硫化亜鉛（２．３）、酸化タンタル（２．１）、酸化亜鉛（２．１）、酸化インジウム（２．０）、酸化ニオブ（２．３）、酸化タンタル（２．２）が挙げられる。但し、上記括弧内の数値は屈折率を表す。
　一方、光学調整層５として、ハードコート層６と同様な樹脂を用いてもよい。この場合、酸化ジルコニウムや酸化チタン等の高屈折率無機微粒子を樹脂に分散させて、樹脂の屈折率を高めることができる。
　透明導電膜３は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、または、それらの２種類もしくは３種類の混合酸化物、さらには、その他添加物が加えられた物等が挙げられるが、目的・用途により種々の材料が使用でき、特に限定されるものではない。現在のところ、最も信頼性が高く、多くの実績のある材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。
　最も一般的な透明導電材料である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を透明導電膜３として用いる場合、酸化インジウムにドープされる酸化スズの含有比はデバイスに求められる仕様に応じて、任意の割合を選択する。例えば、基材がプラスチックフィルムの場合、機械強度を高める目的で薄膜を結晶化させるために用いるスパッタリングターゲット材料は、酸化スズの含有比が１０重量％未満であることが望ましく、薄膜をアモルファス化しフレキシブル性を持たせるためには、酸化スズの含有比は１０重量％以上が望ましい。また、薄膜に低抵抗が求められる場合は、酸化スズの含有比は３重量％から２０重量％の範囲が望ましい。
　透明導電膜３のシート抵抗については、１００Ω／□以上７００ｋΩ／□以下の導電性があることが好ましい。この範囲にすることにより、耐久性及び透過性に優れ、接触位置を精度よく検知することができる。なお、シート抵抗については、導電層２と同様に、四端針法により測定するか、あるいはパターン形状とその抵抗値から算出することができる。
　光学調整層５に無機化合物を用いる場合、および透明導電膜３の製造方法としては、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法でも良く、なかでも薄膜の生成には乾式法が優れている。これには真空蒸着法、スパッタリング等の物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いることができる。特に大面積に均一な膜質の薄膜を形成するために、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が望ましい。
　透明導電膜３には、図１１又は図１２のようなパターンを施す。図１１又は図１２のように、形成されるパターンは、黒色で表した導電性パターン領域３ａと、白色で表した非導電性パターン領域３ｂとからなる。導電性パターン領域３ａは、導電層２と接しており、電圧変化を検知できる回路に接続されている。人の指等が検出電極である導電性パターン領域３ａに接近すると、全体の静電容量が変化することから回路の電圧が変動し、接触位置の判定ができる。図１１又は図１２のパターンを貼り合せ、図１３のように互いに直交するように組み合わせ、電圧変化検知回路と接続することにより、２次元の位置情報が得られる。
　また、透明導電膜３は、透明導電膜３の導電性パターン領域３ａ及び非導電性パターン領域３ｂとの全光線透過率の差が１％以下であることが好ましい、この範囲である場合、導電性基板の両面に異なるパターンを形成しても、パターン形状が目立たなくなり、視認性が向上する。さらに、導電性パターン領域と非導電性パターン領域との透過色相ｂ＊差が１．５以下であることが好ましい。この範囲である場合、パターン形状がさらに目立たなくなり、視認性がより向上する。
　透明導電膜３のパターン形状は、図１１又は図１２のようなダイヤモンド型パターンのほかに、メッシュ型パターン等があり、２次元の位置情報を正確に読み取るためには、可能な限り微細なパターンを形成し、かつ、２枚のパターンについて正確に位置合わせを行うことが必要である。
　透明導電膜３のパターン形成方法としては、透明導電膜３上にレジストを塗布し、パターンを露光・現像により形成した後に透明導電膜を化学的に溶解させるフォトリソグラフィによる方法、真空中で化学反応により気化させる方法、レーザーにより透明導電膜を昇華させる方法、などが挙げられる。パターン形成方法は、パターンの形状、精度等により適宜選択できるが、パターン精度、細線化を考慮し、フォトリソグラフィによる方法が好ましい。
　本発明の導電性基板４のパターン形成工程を、図５に示す導電性基板４を例に、図１４に示す。まず、透明基板１を用意し（工程（ａ））、一方の面にハードコート層６を形成する（工程（ｂ））。透明基板１のハードコート層６とは反対の面に、所定の位置に導電層２を形成する（工程（ｃ））。さらに透明導電膜３を成膜する（工程（ｄ））。次に、導電層２および透明導電膜３の表面にレジスト７ａを塗布し（工程（ｅ））、透明導電膜３にパターンを形成するための光源、図１１あるいは図１２に代表されるパターンマスク、レジスト７ａを塗布した透明基板を順に配置し、光源の光により露光し、レジスト７ｂおよび７ｃの領域を作る（工程（ｆ））。なお、７ｃは、光により感光したレジストである。次いで、感光していないレジスト７ｂを現像液により除去し（工程（ｇ））、透明導電膜３の露出部分をエッチングする（工程（ｈ））。最後に感光したレジスト７ｃを剥離して導電性基板４を得る（工程（ｉ））。
　本発明の導電性基板４の製造方法は、導電層２を形成する工程（ｃ）と透明導電膜３を成膜する工程（ｄ）とをこの順に備えることが好ましい。先に導電層２を形成し、ついで透明導電膜３を成膜してパターンを形成することにより、導電層２の位置を基準に透明導電膜３のパターンを形成することができるため、容易に位置合わせを行うことができる。逆に、透明導電膜３を成膜してパターンを形成した後に導電層２を形成した場合、透明であり、かつ微細な形状の透明導電膜３のパターンの位置に合わせて導電層２を形成しなければならず、容易に位置合わせを行うことができない。また、透明導電膜３を成膜してパターンを形成した後に導電層２を形成した場合、導電層２を形成する銀インキを高温で乾燥させるため、先に成膜した透明導電膜３のシート抵抗の値が増大してしまい、精度よく接触位置を検知することができなくなる。
　導電層２を形成する工程（ｃ）では、導電層２を形成すると同時に、位置合わせ用のマーカーを形成しておくことがより好ましい。これにより、その後透明導電膜３のパターンを形成する際に位置合わせ用のマーカーを目印にパターンを形成することができる。
　図１４は、ネガ型のレジストを用いてパターンを形成する方法の各工程を示した図であるが、ポジ型のレジストを用いてパターンを形成してもよい。
　他の図に示した本発明の導電性基板４も同様に、上記各工程により、透明導電膜３の導電性パターン領域３ａ及び非導電性パターン領域３ｂを形成することができる。
　本発明の導電性基板４の製造方法は、図１４に示した工程により得られた導電性基板４の透明基板１に他の透明基板１’を貼合する工程を含んでいてもよい。また、他の工程により得られた導電性基板４’を用い、他の導電性基板４’の透明導電膜３の表面と、導電性基板４のハードコート層６とを粘着層８を介して貼合する工程を含んでいてもよい。
　本発明の導電性基板４の製造方法は、導電層２を形成する工程、透明導電膜３を形成する工程又は導電性パターン領域３ａ及び非導電性パターン領域３ｂを有する透明導電膜３を形成する工程、光学調整層５を形成する工程並びにハードコート層６を形成する工程をそれぞれロールトゥロール方式により行うことが好ましい。これにより、導電性基板４を効率よく大量に生産することができる。特に、各工程を連続してロールトゥロール方式により行うことがより好ましい。
　次に実施例及び比較例について説明する。
＜実施例１＞
　透明基板としてポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用い、一方の面に、下記組成の樹脂層形成用塗液をマイクログラビアコーターで塗布し、６０℃で１分間乾燥させ、紫外線により硬化させることで、ハードコート層を形成した。
［樹脂層形成用塗液の組成］
　樹脂　　　：　　紫光　ＵＶ－７６０５Ｂ（日本合成化学社製）　　　１００重量部
　開始剤　　：　　イルガキュア１８４（チバ・ジャパン社製）　　　　　　４重量部
　溶剤　　　：　　酢酸メチル　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００重量部
　透明基板のハードコート層とは反対面に、銀インキを用いてスクリーン印刷機により導電層および位置合わせ用マーカーを形成し、１５０℃３０分間乾燥させた。次に、導電層上にスパッタリング法により、透明導電膜としてＩＴＯ膜を２５ｎｍ成膜した後、銀インキの位置合わせ用マーカーを基準に、フォトリソグラフィ法により透明導電膜のパターンを形成した。
　実施例１の場合、ハードコートを塗工したことにより、傷の少ない透明導電膜が形成できた。また、位置合わせが容易であったことから、パターンずれによる欠陥が無かった。ＩＴＯ膜のシート抵抗の値は２００Ω／□で安定していた。
＜実施例２＞
　透明基板としてポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用い、一方の面に、実施例１と同様のハードコート層を形成し、透明基板のハードコート層とは反対面に、実施例１と同様の導電層および位置合わせ用マーカーを形成した。次に、実施例１と同様のＩＴＯ膜を２５ｎｍ成膜後、光学調整層として、ＳｉＯ２を７０ｎｍ成膜した後、銀インキの位置合わせ用マーカーを基準に、フォトリソグラフィ法によりＳｉＯ２およびＩＴＯを同じパターンでエッチングし、導電性基板を得た。
　実施例２の場合、ハードコートを塗工したことにより、傷の少ない透明導電膜が形成できた。また、位置合わせが容易であったことから、パターンずれによる欠陥が無かった。ＩＴＯ膜のシート抵抗の値は２００Ω／□で安定しており、光学特性に関しても導電性パターン領域と非導電性パターン領域の全光線透過率差は０．３％で、パターンの視認し難い導電性基板が得られた。
＜比較例＞
　透明基板としてポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用い、一方の面に、実施例１と同様のハードコート層を形成し、透明基板のハードコート層とは反対面に、スパッタリング法により光学調整層としてＴｉＯ２を１０ｎｍ、ＳｉＯ２を５６ｎｍ、透明導電膜としてＩＴＯ膜を２５ｎｍそれぞれ成膜した。次に、フォトリソグラフィ法により、ＩＴＯ膜に導電性パターン領域、非導電性パターン領域および位置合わせ用マーカーを形成し、最後に銀インクを用いてスクリーン印刷機により導電層を形成し、１５０℃３０分間乾燥させ、導電性基板を得た。
　比較例の場合、導電性パターン領域と非導電性パターン領域の全光線透過率差は０．７％とパターンの視認し難い導電性基板が得られたが、位置合わせ用マーカーが導電層を設けるスクリーン印刷工程で読み取れず、位置合わせ欠陥が多発した。また、銀インキの乾燥工程での高温により、成膜後２００Ω／□だったＩＴＯ膜のシート抵抗の値が８００Ω／□へ増大したことが確認された。
１…透明基板
１’…他の透明基板
２…導電層
３…透明導電膜
３ａ…導電性パターン領域
３ｂ…非導電性パターン領域
４…導電性基板
４’…他の導電性基板
５…光学調整層
６…ハードコート層
７ａ、７ｂ…レジスト
７ｃ…感光したレジスト
８…粘着層

Claims (14)

  1. 　透明基板の少なくとも片面に、導電層と、透明導電膜とを前記透明基板側からこの順序で備えることを特徴とする導電性基板。
  2. 　前記透明導電膜が導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を有することを特徴とする請求項１に記載の導電性基板。
  3. 　前記透明導電膜の表面に１又は２層以上の光学調整層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の導電性基板。
  4. 　前記透明導電膜の導電性パターン領域の表面のみに１又は２層以上の光学調整層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の導電性基板。
  5. 　前記導電性基板の少なくとも片面の何れかの層の間又は最表面にハードコート層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の導電性基板。
  6. 　前記導電層のシート抵抗の値が１Ω／□以下であり、前記透明導電膜のシート抵抗の値が１００Ω／□以上７００ｋΩ／□以下であることを特徴とする請求項５に記載の導電性基板。
  7. 　請求項６に記載の導電性基板を用いたタッチパネル。
  8. 　粘着層を介して、他の透明基板又は他の導電性基板に貼合されていることを特徴とする請求項２に記載の導電性積層体。
  9. 　前記導電層のシート抵抗の値が１Ω／□以下であり、前記透明導電膜のシート抵抗の値が１００Ω／□以上７００ｋΩ／□以下であることを特徴とする請求項８に記載の導電性基板。
  10. 　請求項９に記載の導電性基板を用いたタッチパネル。
  11. 　透明基板の少なくとも片面に、導電層を形成する工程と、
    　前記導電層の表面に透明導電膜を形成する工程と
    をこの順に備えることを特徴とする導電性基板の製造方法。
  12. 　前記導電層の表面に透明導電膜を形成する工程が、前記導電層の表面に導電性パターン領域および非導電性パターン領域を有する透明導電膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の導電性基板の製造方法。
  13. 　さらに、光学調整層を形成する工程及び／又はハードコート層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の導電性基板の製造方法。
  14. 　全ての工程をロールトゥロール方式により行うことを特徴とする請求項１３に記載の導電性基板の製造方法。
PCT/JP2010/053917 2009-12-10 2010-03-09 導電性基板およびその製造方法ならびにタッチパネル WO2011070801A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011501835A JP4780254B2 (ja) 2009-12-10 2010-03-09 導電性基板およびその製造方法ならびにタッチパネル
CN201080055742.4A CN102652340B (zh) 2009-12-10 2010-03-09 导电性基板及其制造方法、导电性叠层体以及触摸面板
US13/490,112 US20120241199A1 (en) 2009-12-10 2012-06-06 Conductive substrate, method of manufacturing the same and touch panel

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-280201 2009-12-10
JP2009280201 2009-12-10

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/490,112 Continuation US20120241199A1 (en) 2009-12-10 2012-06-06 Conductive substrate, method of manufacturing the same and touch panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011070801A1 true WO2011070801A1 (ja) 2011-06-16

Family

ID=44145357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/053917 WO2011070801A1 (ja) 2009-12-10 2010-03-09 導電性基板およびその製造方法ならびにタッチパネル

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20120241199A1 (ja)
JP (2) JP4780254B2 (ja)
KR (1) KR101641402B1 (ja)
CN (1) CN102652340B (ja)
TW (1) TWI499829B (ja)
WO (1) WO2011070801A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074220A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Toppan Printing Co Ltd 透明導電膜、ポインティングデバイス及び透明導電膜の製造方法
CN102419651A (zh) * 2011-08-05 2012-04-18 牧东光电（苏州）有限公司 基于薄板玻璃触控面板及其制造方法
JP2013012016A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Dexerials Corp 透明電極素子、情報入力装置、および電子機器
EP2541380A3 (en) * 2011-06-30 2013-04-24 Samsung Display Co., Ltd. Touch screen panel
JP2013143058A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネルセンサおよびその製造方法
JP2013222123A (ja) * 2012-04-18 2013-10-28 Mitsubishi Electric Corp 表示装置およびその製造方法
JP2013232389A (ja) * 2011-06-30 2013-11-14 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 透明導電性物品
WO2014132623A1 (ja) * 2013-02-27 2014-09-04 凸版印刷株式会社 タッチパネル、及び、タッチパネルの製造方法
JP2014523030A (ja) * 2011-06-29 2014-09-08 エルジー イノテック カンパニー リミテッド タッチパネル及びその製造方法
JP2015069508A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 凸版印刷株式会社 タッチパネル
WO2015111327A1 (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 コニカミノルタ株式会社 透明導電体
JP2015184638A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 リンテック株式会社 ハードコートフィルム
WO2016117610A1 (ja) * 2015-01-20 2016-07-28 旭硝子株式会社 透明導電性積層体
JP2016153963A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 大日本印刷株式会社 タッチパネル

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5797025B2 (ja) * 2011-06-20 2015-10-21 日東電工株式会社 静電容量タッチパネル
CN103049143A (zh) * 2011-10-13 2013-04-17 佳晶光电（厦门）有限公司 一种电容式触控面板及其制造方法
JP5646433B2 (ja) * 2011-10-31 2014-12-24 日本写真印刷株式会社 導電シート及びその製造方法
JP5234868B1 (ja) * 2011-12-28 2013-07-10 日本写真印刷株式会社 光学機能付き静電容量方式タッチセンサー
KR101989144B1 (ko) * 2012-04-06 2019-06-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 및 박막의 패터닝 방법, 박막 트랜지스터 기판 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR101360404B1 (ko) 2012-05-02 2014-02-11 서강대학교산학협력단 잉크젯 프린팅을 이용한 모듈형 마이크로유체 종이 칩의 제작방법
WO2014020656A1 (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 株式会社麗光 透明導電フィルム及びタッチパネル
TWI472977B (zh) * 2012-09-13 2015-02-11 Rtr Tech Technology Co Ltd 觸控面板及其製造方法
US9477354B2 (en) * 2012-11-16 2016-10-25 3M Innovative Properties Company Conductive trace hiding materials, articles, and methods
JP6207846B2 (ja) 2013-03-04 2017-10-04 富士フイルム株式会社 透明導電性フィルムおよびタッチパネル
JP5964273B2 (ja) * 2013-05-27 2016-08-03 日東電工株式会社 タッチパネルセンサ
JP6014551B2 (ja) * 2013-05-27 2016-10-25 日東電工株式会社 タッチパネルセンサ
JP6275961B2 (ja) 2013-06-26 2018-02-07 富士フイルム株式会社 光学フィルム及び表示装置
KR102130592B1 (ko) * 2013-09-09 2020-07-06 엘지전자 주식회사 터치 패널, 그리고 터치 패널용 도전층의 제조 방법
CN105144045B (zh) * 2013-11-04 2017-10-31 Lg化学株式会社 导电结构及其制造方法
JP2015095070A (ja) * 2013-11-12 2015-05-18 凸版印刷株式会社 タッチパネルおよびその製造方法
WO2015076572A1 (ko) * 2013-11-20 2015-05-28 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
WO2015122392A1 (ja) * 2014-02-13 2015-08-20 コニカミノルタ株式会社 透明導電体とその製造方法
CN106663505B (zh) * 2014-11-05 2018-01-23 日本写真印刷株式会社 电气配线构件的制造方法、以及电气配线构件
JP5974075B2 (ja) * 2014-12-26 2016-08-23 日本写真印刷株式会社 タッチパネル
JP6733693B2 (ja) * 2018-03-19 2020-08-05 Smk株式会社 タッチパネルの製造方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08272530A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Nitto Denko Corp タッチパネル
JP2000285736A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Casio Comput Co Ltd 電極基板
JP2003128437A (ja) * 2001-10-18 2003-05-08 Sharp Corp 積層型透明導電膜および光電変換素子
JP2004034312A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Mitsui Chemicals Inc 透明導電性フィルムの製造方法
JP2006056117A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Sony Corp 透明導電性積層体及びこれを用いたタッチパネル
JP2006344479A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法
JP2007308688A (ja) * 2006-04-20 2007-11-29 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用ネガ型感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法
JP2008288102A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Fujifilm Corp 透明導電性フイルム、透明導電性フイルムの製造方法、透明電極フイルム、色素増感太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子及び電子ペーパー
JP2009016179A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Kaneka Corp 透明導電膜とその製造方法
JP2009114478A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Kaneka Corp 透明導電膜の製造方法
JP2009135099A (ja) * 2007-11-09 2009-06-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd フレキシブル透明導電フィルムとフレキシブル機能性素子及びその製造方法
JP2009218034A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性フィルム及びタッチパネル

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01197911A (ja) 1988-01-30 1989-08-09 Unitika Ltd 導電性薄膜の製造法
JPH02109205A (ja) 1988-10-18 1990-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透明導電膜の形成方法
JP2899891B2 (ja) 1989-05-23 1999-06-02 富士写真フイルム株式会社 透明導電性フイルム積層体及び透明導電性パターンの形成方法
JPH09142884A (ja) 1995-09-08 1997-06-03 Dainippon Printing Co Ltd 透明導電膜形成用組成物及び透明導電膜の形成方法
JPH1144887A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Toppan Printing Co Ltd 表示装置用反射電極基板
JP4099841B2 (ja) * 1998-01-09 2008-06-11 凸版印刷株式会社 透明電極
US7477242B2 (en) * 2002-05-20 2009-01-13 3M Innovative Properties Company Capacitive touch screen with conductive polymer
US7151532B2 (en) * 2002-08-09 2006-12-19 3M Innovative Properties Company Multifunctional multilayer optical film
US6887917B2 (en) * 2002-12-30 2005-05-03 3M Innovative Properties Company Curable pressure sensitive adhesive compositions
JP2006072694A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd タッチパネル
US20090160819A1 (en) * 2004-09-10 2009-06-25 Kuniaki Sasaki Touch panel and method for manufacturing film material for touch panel
JP2006310195A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Tdk Corp 透明導電体
JP2007073498A (ja) * 2005-08-09 2007-03-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 導電性積層体
JP4624462B2 (ja) * 2006-03-08 2011-02-02 シャープ株式会社 表示装置
JP2008033777A (ja) 2006-07-31 2008-02-14 Optrex Corp 電極基板、電極基板の製造方法、表示装置および表示装置の製造方法
JP4332174B2 (ja) 2006-12-01 2009-09-16 アルプス電気株式会社 入力装置及びその製造方法
JP2008145525A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Seiko Epson Corp 液晶装置及び電子機器
JP4667471B2 (ja) * 2007-01-18 2011-04-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
TWI377497B (en) * 2008-11-05 2012-11-21 Au Optronics Corp Touch-sensing substrate, color filter substrate and touch-sensing liquid crystal display
JP5484891B2 (ja) * 2009-03-04 2014-05-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08272530A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Nitto Denko Corp タッチパネル
JP2000285736A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Casio Comput Co Ltd 電極基板
JP2003128437A (ja) * 2001-10-18 2003-05-08 Sharp Corp 積層型透明導電膜および光電変換素子
JP2004034312A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Mitsui Chemicals Inc 透明導電性フィルムの製造方法
JP2006056117A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Sony Corp 透明導電性積層体及びこれを用いたタッチパネル
JP2006344479A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法
JP2007308688A (ja) * 2006-04-20 2007-11-29 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電膜形成用ネガ型感光性塗布液及び透明導電パターン膜とその製造方法
JP2008288102A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Fujifilm Corp 透明導電性フイルム、透明導電性フイルムの製造方法、透明電極フイルム、色素増感太陽電池、エレクトロルミネッセンス素子及び電子ペーパー
JP2009016179A (ja) * 2007-07-04 2009-01-22 Kaneka Corp 透明導電膜とその製造方法
JP2009114478A (ja) * 2007-11-02 2009-05-28 Kaneka Corp 透明導電膜の製造方法
JP2009135099A (ja) * 2007-11-09 2009-06-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd フレキシブル透明導電フィルムとフレキシブル機能性素子及びその製造方法
JP2009218034A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Toppan Printing Co Ltd 透明導電性フィルム及びタッチパネル

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074220A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Toppan Printing Co Ltd 透明導電膜、ポインティングデバイス及び透明導電膜の製造方法
JP2014523030A (ja) * 2011-06-29 2014-09-08 エルジー イノテック カンパニー リミテッド タッチパネル及びその製造方法
US9933890B2 (en) 2011-06-29 2018-04-03 Lg Innotek Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing the same
US9433089B2 (en) 2011-06-29 2016-08-30 Lg Innotek Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing the same
US10592043B2 (en) 2011-06-29 2020-03-17 Lg Innotek Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing the same
US10310666B2 (en) 2011-06-29 2019-06-04 Lg Innotek Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing the same
US10088948B2 (en) 2011-06-29 2018-10-02 Lg Innotek Co., Ltd. Touch panel and method for manufacturing the same
JP2013012016A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Dexerials Corp 透明電極素子、情報入力装置、および電子機器
JP2016189224A (ja) * 2011-06-30 2016-11-04 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． タッチスクリーンパネル
JP2013232389A (ja) * 2011-06-30 2013-11-14 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 透明導電性物品
US9128569B2 (en) 2011-06-30 2015-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Touch screen panel
US9791964B2 (en) 2011-06-30 2017-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Touch screen panel
US10599253B2 (en) 2011-06-30 2020-03-24 Samsung Dosplay Co., Ltd. Touch screen panel
EP2541380A3 (en) * 2011-06-30 2013-04-24 Samsung Display Co., Ltd. Touch screen panel
CN102419651A (zh) * 2011-08-05 2012-04-18 牧东光电（苏州）有限公司 基于薄板玻璃触控面板及其制造方法
JP2013143058A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネルセンサおよびその製造方法
JP2013222123A (ja) * 2012-04-18 2013-10-28 Mitsubishi Electric Corp 表示装置およびその製造方法
US10716218B2 (en) 2012-04-18 2020-07-14 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method for manufacturing the same
WO2014132623A1 (ja) * 2013-02-27 2014-09-04 凸版印刷株式会社 タッチパネル、及び、タッチパネルの製造方法
JP2015069508A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 凸版印刷株式会社 タッチパネル
WO2015111327A1 (ja) * 2014-01-24 2015-07-30 コニカミノルタ株式会社 透明導電体
JP2015184638A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 リンテック株式会社 ハードコートフィルム
JPWO2016117610A1 (ja) * 2015-01-20 2017-10-26 旭硝子株式会社 透明導電性積層体
WO2016117610A1 (ja) * 2015-01-20 2016-07-28 旭硝子株式会社 透明導電性積層体
JP2016153963A (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 大日本印刷株式会社 タッチパネル

Also Published As

Publication number Publication date
KR101641402B1 (ko) 2016-07-20
TWI499829B (zh) 2015-09-11
US20120241199A1 (en) 2012-09-27
TW201120519A (en) 2011-06-16
JP4888608B2 (ja) 2012-02-29
KR20120114260A (ko) 2012-10-16
CN102652340B (zh) 2014-07-16
CN102652340A (zh) 2012-08-29
JPWO2011070801A1 (ja) 2013-04-22
JP2011253546A (ja) 2011-12-15
JP4780254B2 (ja) 2011-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4888608B2 (ja) 導電性基板およびその製造方法ならびにタッチパネル
JP4683164B1 (ja) 透明導電性積層体およびその製造方法ならびに静電容量式タッチパネル
US9983708B2 (en) Transparent conductive laminates and touch panels having transparent conductive laminates
US10031631B2 (en) Transfer film, method for producing transfer film, transparent laminate, method for producing transparent laminate, capacitance-type input device, and image display device
WO2015045408A1 (ja) タッチパネル
WO2014132623A1 (ja) タッチパネル、及び、タッチパネルの製造方法
WO2014129171A1 (ja) 透明導電性フィルム及びこれを備えたタッチパネル並びに表示デバイス
JP2010002984A (ja) 平坦膜およびその製造方法、並びにそれを用いたタッチパネル表示装置およびその製造方法
JP2013109682A (ja) 透明導電性積層体の製造方法ならびに静電容量式タッチパネル
JP5652079B2 (ja) 透明導電性積層体及びその製造方法
JP6308211B2 (ja) タッチパネル
JP2013191069A (ja) 透明導電性積層体およびタッチパネル
JP5691334B2 (ja) 透明導電性積層体の製造方法
WO2014076798A1 (ja) 透明導電パターンの形成方法、タッチパネルの製造方法及び導電性転写フィルム
JP6476578B2 (ja) タッチパネル
JP2015184994A (ja) 透明導電性積層体および透明導電性積層体を備えたタッチパネル
JP6375603B2 (ja) 透明導電性積層体
JP2014174857A (ja) 透明導電性積層体およびその製造方法
JP2013190852A (ja) 導電性積層体の加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080055742.4

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011501835

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10835724

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127014923

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10835724

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1