WO2011052479A1 - 光電変換モジュール - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Definitions
- the present invention relates to a photoelectric conversion module.
- a photoelectric conversion module using polycrystalline, microcrystalline, or amorphous silicon is known.
- a photoelectric conversion module having a structure in which microcrystalline or amorphous silicon thin films are stacked has attracted attention from the viewpoint of resource consumption, cost reduction, and efficiency.
- FIG. 7 shows a schematic cross-sectional view of the basic configuration of the photoelectric conversion module 100.
- the photoelectric conversion module 100 generally has a structure in which a transparent electrode 12, a photoelectric conversion unit 14, and a back electrode 16 are laminated on a transparent substrate 10 such as glass, and power is supplied by making light incident from the transparent substrate 10. generate.
- a photoelectric conversion module photoelectric conversion elements are integrated in series and in parallel, and a current collecting electrode 18 for collecting current from these elements is formed on the back electrode 16 of the element at the panel end of the photoelectric conversion module 100. Is done.
- a technique for adjusting the height of the solder dip lead in order to increase the strength of the solder material used for the current collecting electrode 18 or the like is disclosed (for example, see Patent Document 1).
- the interface between the back electrode 16 and the photoelectric conversion unit 14 has a weak bonding force, and when the collecting electrode 18 is formed on the back electrode 16, the back electrode 16 may be peeled off together with the collecting electrode 18. As a result, the photoelectric conversion module 100 may be damaged, or the photoelectric conversion efficiency may be reduced.
- One aspect of the present invention is a photoelectric conversion module, in which a transparent conductive layer, a power generation layer, and a back electrode are sequentially stacked on a substrate, and a current generated by the photoelectric conversion element is collected. And the collector electrode is formed across the back electrode and at least one of the transparent conductive layer and the substrate.
- peeling of the back electrode of the photoelectric conversion module can be suppressed.
- the photoelectric conversion module 200 in the present embodiment includes a substrate 20, a transparent conductive layer 22, a photoelectric conversion unit 24, a back electrode 26, The first current collecting electrode 28 and the second current collecting electrode 30 are included.
- 2 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG.
- FIG. 3 is a sectional view taken along line YY in FIG.
- FIG. 4 is a sectional view taken along line ZZ in FIG.
- the substrate 20 is a transparent substrate having an optical characteristic that transmits light having a wavelength used for photoelectric conversion by the photoelectric conversion unit 24.
- the transparent conductive layer 22 is doped with tin oxide (SnO2), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), etc. with tin (Sn), antimony (Sb), fluorine (F), aluminum (Al), etc.
- a transparent conductive oxide (TCO) can be used.
- a slit S1 is formed in order to connect the photoelectric conversion elements in series.
- the slit S1 can be formed by laser processing.
- laser processing it is preferable to use a YAG laser having a wavelength of 1064 nm.
- the slit S1 can be formed by adjusting the power of the laser beam emitted from the laser device, irradiating from the transparent conductive layer 22 side, and continuously scanning in the direction of the slit S1.
- the laser for forming the slit S1 may be irradiated from the substrate 20 side.
- a slit S2 is formed in the transparent conductive layer 22 in order to connect the photoelectric conversion elements in parallel.
- the slit S2 can be formed by laser processing.
- laser processing it is preferable to use a YAG laser having a wavelength of 1064 nm.
- the slit S2 can be formed by adjusting the power of the laser beam emitted from the laser device, irradiating from the transparent conductive layer 22 side, and continuously scanning in the direction of the slit S2.
- the laser for forming the slit S2 may be irradiated from the substrate 20 side.
- the photoelectric conversion unit 24 receives light transmitted through the substrate 20 and the transparent conductive layer 22 and performs photoelectric conversion.
- the photoelectric conversion unit 24 includes a semiconductor layer that is PN-junction or PIN-junction.
- the photoelectric conversion unit 24 is not particularly limited, and examples thereof include an amorphous silicon (a-Si) photoelectric conversion unit, a microcrystalline ( ⁇ c-Si) photoelectric conversion unit, and a tandem structure thereof.
- the photoelectric conversion unit 24 can be formed using plasma CVD or the like.
- a slit S3 is formed to connect the photoelectric conversion elements in series.
- the slit S3 is formed up to the surface of the transparent conductive layer 22 along the direction of the slit S1 at a position near the slit S1 and not overlapping the slit S1.
- the slit S3 can be formed by laser processing. For the laser treatment, it is preferable to use a YAG laser (double harmonic) having a wavelength of 532 nm.
- the slit S3 can be formed by adjusting the power of the laser beam, irradiating from the substrate 20 side, and scanning in the direction of the slit S3.
- the back electrode 26 is provided on the back side of the photoelectric conversion module 200 in order to output electric power from the photoelectric conversion unit 24.
- the back electrode 26 is formed so as to cover the photoelectric conversion unit 24 and the slit S3.
- the back electrode 26 is preferably a reflective metal.
- a stacked structure of a reflective metal and a transparent conductive oxide (TCO) is also preferable.
- the reflective metal silver (Ag), aluminum (Al) or the like can be used.
- a slit S4 is formed in order to connect the photoelectric conversion elements in series.
- the slit S4 is formed up to the surface of the transparent conductive layer 22 so as to divide the photoelectric conversion unit 24 and the back electrode 26 along the direction of the slits S1 and S3 in the vicinity of the slit S3 and not overlapping the slits S1 and S3. Is done.
- the slit S4 is formed by laser processing. For the laser treatment, it is preferable to use a YAG laser (double harmonic) having a wavelength of 532 nm.
- the slit S4 can be formed by adjusting the power of the laser beam, irradiating from the substrate 20 side, and scanning in the direction of the slit S4.
- a slit S5 is formed in the back electrode 26 in order to connect the photoelectric conversion elements in parallel.
- the slit S5 is formed along the slit S2 so as to overlap the slit S2.
- the slit S5 is formed up to the surface of the substrate 20 so as to divide the photoelectric conversion unit 24 and the back electrode 26 formed in the slit S2.
- the slit S5 is formed by laser processing. For the laser treatment, it is preferable to use a YAG laser (double harmonic) having a wavelength of 532 nm.
- the slit S5 can be formed by adjusting the power of the laser beam, irradiating from the substrate 20 side, and scanning in the direction of the slit S5.
- the removal region A is formed so that the photoelectric conversion unit 24 and the back electrode 26 at the panel end of the photoelectric conversion module 200 are also removed to leave the transparent conductive layer 22.
- the removal region A can be formed by laser processing. For the laser treatment, it is preferable to use a YAG laser (double harmonic) having a wavelength of 532 nm.
- the removal region A can be formed by adjusting the power of the laser beam, irradiating from the substrate 20 side, and scanning in the direction of the panel edge.
- 1st current collection electrode 28 is formed in order to collect the output electric power of the photoelectric conversion element which is divided in parallel with slits S2 and S5. Therefore, the 1st current collection electrode 28 is formed ranging over slit S2, S5 so that the back surface electrode 26 of the panel edge part of the photoelectric conversion module 200 may be connected in parallel.
- the first collector electrode 28 is formed across the removal region A from the back electrode 26. That is, the first current collecting electrode 28 is formed from the surface of the back electrode 26 to the surface of the transparent conductive layer 22 through the back electrode 26 and the side surface of the photoelectric conversion unit 24. At this time, the first current collecting electrode 28 may be formed so as not to reach the slits S1, S3, S4 (particularly the slit S4).
- the first current collecting electrode 28 may be configured to include a material having sufficient conductivity for current collection.
- the first current collecting electrode 28 may be, for example, a conductive tape in which a conductive substance is mixed on the surface or inside, a line-shaped solder, a silver paste coated by a screen printing method, or the like.
- the first current collecting electrode 28 from the back surface electrode 26 to the removal region A, it is possible to prevent the back surface electrode 26 from being peeled off from the interface with the photoelectric conversion unit 24. This is because the adhesiveness at the interface between the transparent conductive layer 22 and the first current collecting electrode 28 in the removal region A is good, so that the back electrode 26 is peeled off from the photoelectric conversion unit 24 by the first current collecting electrode 28. It is assumed that this is because of In particular, it is preferable that the area of the transparent conductive layer 22 is larger than the area on the back electrode 26. Thereby, the effect of suppressing peeling can be obtained more strongly.
- the first current collecting electrode 28 it is preferable to form the first current collecting electrode 28 so as to cover the end portion of the transparent conductive layer 22 in the removal region A. Thereby, infiltration of moisture and the like from the outside of the photoelectric conversion module 200 can be prevented by the first current collecting electrode 28, and deterioration of the transparent conductive layer 22 can be suppressed.
- the second current collecting electrode 30 is an electrode for connecting the first current collecting electrode 28 to the connector 202 as shown in FIG.
- the second current collecting electrode 30 electrically connects the first current collecting electrode 28 and the connector 202, and may be configured to include a material having sufficient conductivity for current collection.
- the second current collecting electrode 30 may be, for example, a conductive tape in which a conductive material is mixed on the surface or inside, solder formed by screen printing, or the like.
- the second current collecting electrode 30 is preferably provided with an insulating material 32 sandwiched between the first current collecting electrode 28 and the connector 202 so as not to contact the back electrode 26 or the photoelectric conversion unit 24.
- the second current collecting electrode 30 it is preferable to extend the second current collecting electrode 30 to the position above the first current collecting electrode 28 formed in the removal region A.
- the back electrode 26 and the photoelectric conversion unit 24 are compared with the case where the second current collecting electrode 30 extends only to the first current collecting electrode 28 formed on the back electrode 26. Peeling can be suppressed.
- the removal region A may be formed by removing the transparent conductive layer 22 and leaving only the substrate 20.
- the first collector electrode 28 is formed across the substrate 20 in the removal region A from the back electrode 26. Even in such a configuration, it is possible to prevent the back electrode 26 from being peeled off from the interface with the photoelectric conversion unit 24. Also in this case, since the adhesiveness of the interface between the substrate 20 and the first current collecting electrode 28 in the removal region A is good, the back surface electrode 26 may be peeled off from the photoelectric conversion unit 24 by the first current collecting electrode 28. This is presumed to be suppressed.
- the island portion B may be formed by leaving at least one of the photoelectric conversion unit 24 and the back electrode 26 on the panel end side from the removal region A. Thereby, it can suppress that a water
- the island portion B is formed by leaving at least one of the photoelectric conversion unit 24 and the back electrode 26 on the panel end side from the removal region A. A similar effect can be obtained.
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Abstract
【課題】光電変換モジュールの裏面電極の剥がれを抑制する。 【解決手段】基板２０上に、透明導電層２２、光電変換ユニット２４及び裏面電極２６を順に積層してなる光電変換素子と、光電変換素子で生成される電流を集電するための第１集電電極２８とを設ける。このとき、第１集電電極２８は、裏面電極２６とパネル端部の除去領域Ａの透明導電層２２とに跨って形成する。
Description
本発明は、光電変換モジュールに関する。
多結晶、微結晶またはアモルファスシリコンを用いた光電変換モジュールが知られている。特に、微結晶またはアモルファスシリコンの薄膜を積層した構造を有する光電変換モジュールは、資源消費の観点、コストの低下の観点および効率化の観点から注目されている。
図７に、光電変換モジュール１００の基本構成の断面模式図を示す。光電変換モジュール１００は、一般的に、ガラス等の透明基板１０上に透明電極１２、光電変換ユニット１４及び裏面電極１６を積層した構造を有し、透明基板１０から光を入射させることによって電力を発生させる。このような光電変換モジュールでは、光電変換素子が直列・並列に集積され、それらの素子から集電するための集電電極１８が光電変換モジュール１００のパネル端部の素子の裏面電極１６上に形成される。また、集電電極１８等に用いられるハンダ材の強度を高めるために、ハンダディップリードの高さを調整する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、裏面電極１６と光電変換ユニット１４との界面は接合力が弱く、裏面電極１６上に集電電極１８を形成した場合に集電電極１８と共に裏面電極１６が剥がれてしまうおそれがある。その結果、光電変換モジュール１００の破損を招いたり、光電変換効率の低下を招いたりする可能性がある。
本発明の１つの態様は、光電変換モジュールであって、基板上に、透明導電層、発電層及び裏面電極を順に積層してなる光電変換素子と、光電変換素子で生成される電流を集電するための集電電極と、を備え、集電電極は、裏面電極と、透明導電層及び基板の少なくとも一方と、に跨って形成されている。
本発明によれば、光電変換モジュールの裏面電極の剥がれを抑制することができる。
本実施の形態における光電変換モジュール２００は、図１の平面図及び図２，図３，図４の断面図に示すように、基板２０、透明導電層２２、光電変換ユニット２４、裏面電極２６、第１集電電極２８及び第２集電電極３０を含んで構成される。なお、図２は、図１のラインＸ－Ｘに沿った断面図である。図３は、図１のラインＹ－Ｙに沿った断面図である。図４は、図１のラインＺ－Ｚに沿った断面図である。
基板２０は、光電変換ユニット２４で光電変換に利用される波長の光を透過する光学特性を有する透明基板とする。基板２０は、例えば、ガラス、プラスチック等を用いる。透明導電層２２は、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等に錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、フッ素（Ｆ）、アルミニウム（Ａｌ）等をドープした透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を用いることができる。
透明導電層２２には、光電変換素子を直列に接続するためにスリットＳ１を形成する。スリットＳ１は、レーザ加工により形成することができる。レーザ加工は、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザを用いることが好適である。レーザ装置から出射されるレーザビームのパワーを調整して透明導電層２２側から照射し、連続してスリットＳ１の方向に走査することによってスリットＳ１を形成することができる。なお、スリットＳ１を形成するためのレーザは、基板２０側から照射してもよい。
また、透明導電層２２には、図１に示すように、光電変換素子を並列に接続するためにスリットＳ２を形成する。スリットＳ２は、レーザ加工により形成することができる。レーザ加工は、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザを用いることが好適である。レーザ装置から出射されるレーザビームのパワーを調整して透明導電層２２側から照射し、連続してスリットＳ２の方向に走査することによってスリットＳ２を形成することができる。なお、スリットＳ２を形成するためのレーザは、基板２０側から照射してもよい。
光電変換ユニット２４は、基板２０及び透明導電層２２を透過した光を受けて光電変換を行う。光電変換ユニット２４は、ＰＮ接合又はＰＩＮ接合された半導体層で構成される。光電変換ユニット２４は、特に限定されるものではないが、例えば、アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）光電変換ユニット、微結晶（μｃ－Ｓｉ）光電変換ユニット又はそれらのタンデム構造が挙げられる。光電変換ユニット２４は、プラズマＣＶＤ等を用いて形成することができる。
光電変換ユニット２４には、光電変換素子を直列に接続するためにスリットＳ３を形成する。スリットＳ３は、スリットＳ１の近傍であってスリットＳ１に重ならない位置にスリットＳ１の方向に沿って透明導電層２２の表面まで形成する。スリットＳ３はレーザ処理により形成することができる。レーザ処理は、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザ（２倍高調波）を用いることが好適である。レーザビームのパワーを調整して基板２０側から照射し、スリットＳ３の方向に走査することによってスリットＳ３を形成することができる。
裏面電極２６は、光電変換ユニット２４から電力を出力するために光電変換モジュール２００の裏面側に設けられる。裏面電極２６は、光電変換ユニット２４及びスリットＳ３を被うように形成される。裏面電極２６は、反射性金属とすることが好適である。また、反射性金属と透明導電性酸化物（ＴＣＯ）との積層構造とすることも好適である。反射性金属としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等が使用できる。また、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）としては、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等が使用できる。
裏面電極２６には、光電変換素子を直列に接続するためにスリットＳ４を形成する。スリットＳ４は、スリットＳ３の近傍であってスリットＳ１及びＳ３に重ならない位置にスリットＳ１，Ｓ３の方向に沿って光電変換ユニット２４及び裏面電極２６を分割するように透明導電層２２の表面まで形成される。スリットＳ４はレーザ処理にて形成する。レーザ処理は、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザ（２倍高調波）を用いることが好適である。レーザビームのパワーを調整して基板２０側から照射し、スリットＳ４の方向に走査することによってスリットＳ４を形成することができる。
また、裏面電極２６には、図１に示すように、光電変換素子を並列に接続するためにスリットＳ５を形成する。スリットＳ５は、スリットＳ２に重ね合わせてスリットＳ２に沿って形成する。スリットＳ５は、スリットＳ２内に形成された光電変換ユニット２４及び裏面電極２６を分割するように基板２０の表面まで形成される。スリットＳ５はレーザ処理にて形成する。レーザ処理は、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザ（２倍高調波）を用いることが好適である。レーザビームのパワーを調整して基板２０側から照射し、スリットＳ５の方向に走査することによってスリットＳ５を形成することができる。
また、スリットＳ１，Ｓ３，Ｓ４の方向に沿って、光電変換モジュール２００のパネル端部の光電変換ユニット２４及び裏面電極２６も除去して透明導電層２２を残すように除去領域Ａを形成する。除去領域Ａは、レーザ処理にて形成することができる。レーザ処理は、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザ（２倍高調波）を用いることが好適である。レーザビームのパワーを調整して基板２０側から照射し、パネル縁の方向に走査することによって除去領域Ａを形成することができる。
第１集電電極２８は、スリットＳ２，Ｓ５によって並列に分割された光電変換素子の出力電力を集電するために形成される。したがって、第１集電電極２８は光電変換モジュール２００のパネル端部の裏面電極２６を並列に接続するようにスリットＳ２，Ｓ５に跨って形成する。このとき、第１集電電極２８は、裏面電極２６から除去領域Ａに跨って形成される。すなわち、第１集電電極２８は、裏面電極２６の表面から裏面電極２６及び光電変換ユニット２４の側面を介して透明導電層２２の表面まで形成される。このとき、第１集電電極２８は、スリットＳ１，Ｓ３，Ｓ４（特にスリットＳ４）に到達しない程度に形成すればよい。
第１集電電極２８は、集電に十分な導電性を有する材料を含んで構成されればよい。第１集電電極２８は、例えば、導電性物質が表面や内部に混入されている導電性テープ、ライン状のハンダ、スクリーン印刷法等で銀ペーストを塗布したもの等とすることができる。
このように、第１集電電極２８を裏面電極２６から除去領域Ａに跨って形成することによって、裏面電極２６が光電変換ユニット２４との界面から剥がれてしまうことを抑制することができる。これは、除去領域Ａの透明導電層２２と第１集電電極２８との界面の密着性は良好であるので、第１集電電極２８によって裏面電極２６が光電変換ユニット２４から引き剥がされることが抑制されるためであると推考される。特に、裏面電極２６上の面積より透明導電層２２の面積を広く形成することが好適である。これにより剥がれの抑制効果をより強く得ることができる。また、第１集電電極２８を除去領域Ａにおける透明導電層２２の端部も覆うように形成することが好適である。これにより、光電変換モジュール２００の外部からの水分等の浸入を第１集電電極２８により防ぐことができ、透明導電層２２が劣化することを抑制することができる。
第２集電電極３０は、図４に示すように、第１集電電極２８をコネクタ２０２へ接続するための電極である。第２集電電極３０は、第１集電電極２８とコネクタ２０２とを電気的に接続するものであり、集電に十分な導電性を有する材料を含んで構成されればよい。第２集電電極３０は、例えば、導電性物質が表面や内部に混入されている導電性テープやスクリーン印刷等で形成されたハンダ等とすることができる。第２集電電極３０は、第１集電電極２８とコネクタ２０２との間において裏面電極２６や光電変換ユニット２４と接触しないように絶縁材３２を挟んで設けることが好適である。
このとき、第２集電電極３０を除去領域Ａに形成された第１集電電極２８上まで延設することが好適である。このような構成とすることで、第２集電電極３０を裏面電極２６上に形成された第１集電電極２８までしか延設しなかった場合に比べて、裏面電極２６と光電変換ユニット２４との剥がれを抑制することができる。
また、図５に示すように、除去領域Ａは透明導電層２２も除去して基板２０のみを残したものとしてもよい。この場合、第１集電電極２８は、裏面電極２６から除去領域Ａの基板２０に跨って形成される。このような構成においても、裏面電極２６が光電変換ユニット２４との界面から剥がれてしまうことを抑制することができる。この場合も、除去領域Ａの基板２０と第１集電電極２８との界面の密着性は良好であるので、第１集電電極２８によって裏面電極２６が光電変換ユニット２４から引き剥がされることが抑制されるためであると推考される。
さらに、図６に示すように、除去領域Ａよりもパネル端部側に光電変換ユニット２４及び裏面電極２６の少なくとも一方を残して島部Ｂを形成してもよい。これにより、パネル端部から水分が侵入して第１集電電極２８やパネル内部の光電変換ユニット２４に劣化が及ぶことを抑制することができる。図５に示したように除去領域Ａに基板２０のみを残す場合にも、除去領域Ａよりもパネル端部側に光電変換ユニット２４及び裏面電極２６の少なくとも一方を残して島部Ｂを形成することによって同様の効果が得られる。
１０ 透明基板、１２ 透明電極、１４ 光電変換ユニット、１６ 裏面電極、１８ 集電電極、２０ 基板、２２ 透明導電層、２４ 光電変換ユニット、２６ 裏面電極、２８ 第１集電電極、３０ 第２集電電極、３２ 絶縁材、１００，２００ 光電変換モジュール、２０２ コネクタ。
Claims (5)
- 基板上に、透明導電層、発電層及び裏面電極を順に積層してなる光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成される電流を集電するための集電電極と、を備え、
前記集電電極は、前記裏面電極と、前記透明導電層及び前記基板の少なくとも一方と、
に跨って形成されていることを特徴とする光電変換モジュール。 - 請求項１に記載の光電変換モジュールであって、
前記集電電極は、前記裏面電極上の面積より、前記透明導電層及び前記基板上の面積が広いことを特徴とする光電変換モジュール。 - 請求項１又は２に記載の光電変換モジュールであって、
前記集電電極の外側に前記透明導電層、前記発電層及び前記裏面電極の少なくとも１つが残された島部を有することを特長とする光電変換モジュール。 - 請求項１又は２に記載の光電変換モジュールであって、
前記集電電極は、前記透明導電層上に形成されている場合に前記透明導電層の端部も覆うように形成されていることを特徴とする光電変換モジュール。 - 請求項１～４のいずれか１つに記載の光電変換モジュールであって、
前記集電電極からさらに集電を行う電極を備え、
当該電極は、前記透明導電層及び前記基板の少なくとも一方の上に形成された前記集電電極上に跨って形成されていることを特徴とする光電変換モジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010800358740A CN102473758A (zh) | 2009-10-30 | 2010-10-21 | 光电转换模块 |
| US13/389,892 US20120138143A1 (en) | 2009-10-30 | 2010-10-21 | Photoelectric conversion module |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009-250042 | 2009-10-30 | ||
| JP2009250042A JP4889779B2 (ja) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | 光電変換モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2011052479A1 true WO2011052479A1 (ja) | 2011-05-05 |
Family
ID=43921902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2010/068610 WO2011052479A1 (ja) | 2009-10-30 | 2010-10-21 | 光電変換モジュール |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120138143A1 (ja) |
| JP (1) | JP4889779B2 (ja) |
| CN (1) | CN102473758A (ja) |
| WO (1) | WO2011052479A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102496635A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-06-13 | 友达光电股份有限公司 | 太阳能电池模块 |
| JP2013074117A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Kyocera Corp | 光電変換モジュール |
| WO2014119441A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130077010A (ko) * | 2011-12-29 | 2013-07-09 | 주성엔지니어링(주) | 태양전지 및 태양전지의 제조방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077385A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP2001127322A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池用リード線半田付け装置 |
| JP2001135836A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜のスクライブ方法、その装置及び太陽電池モジュール |
| JP2002124690A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JP2009200445A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Sharp Corp | 太陽光発電システム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5660645A (en) * | 1994-04-28 | 1997-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module |
| JP4966848B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2012-07-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
-
2009
- 2009-10-30 JP JP2009250042A patent/JP4889779B2/ja active Active
-
2010
- 2010-10-21 WO PCT/JP2010/068610 patent/WO2011052479A1/ja active Application Filing
- 2010-10-21 US US13/389,892 patent/US20120138143A1/en not_active Abandoned
- 2010-10-21 CN CN2010800358740A patent/CN102473758A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077385A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP2001127322A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池用リード線半田付け装置 |
| JP2001135836A (ja) * | 1999-11-02 | 2001-05-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜のスクライブ方法、その装置及び太陽電池モジュール |
| JP2002124690A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JP2009200445A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Sharp Corp | 太陽光発電システム |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013074117A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Kyocera Corp | 光電変換モジュール |
| CN102496635A (zh) * | 2011-10-20 | 2012-06-13 | 友达光电股份有限公司 | 太阳能电池模块 |
| US8981209B2 (en) | 2011-10-20 | 2015-03-17 | Au Optronics Corporation | Photovoltaic module |
| WO2014119441A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102473758A (zh) | 2012-05-23 |
| JP2011096880A (ja) | 2011-05-12 |
| JP4889779B2 (ja) | 2012-03-07 |
| US20120138143A1 (en) | 2012-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201080035874.0 Country of ref document: CN |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10826611 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13389892 Country of ref document: US |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 10826611 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |