WO2009151144A1

WO2009151144A1 - 共重合体及びそれを用いた高分子発光素子

Info

Publication number: WO2009151144A1
Application number: PCT/JP2009/060974
Authority: WO
Inventors: 後藤修; 浅田浩平
Original assignee: 住友化学株式会社; サメイション株式会社
Priority date: 2008-06-13
Filing date: 2009-06-10
Publication date: 2009-12-17
Also published as: KR20110041463A; EP2289966A1; JP5471048B2; JP2010018790A; CN102056960A; US20110127512A1; EP2289966A4; TW201008975A

Abstract

式（Ｉ－１）で示される繰り返し単位からなるブロック（Ａ’）、及び／又は式（Ｉ－１）で示される繰り返し単位と式（ＩＩ）で示される繰り返し単位とを含むブロック（Ａ）を有する共重合体。〔式中、Ｘ¹、Ｘ² 及びＸ³ は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ（Ｒ⁷）＝Ｃ（Ｒ⁸）－を表し、ｍ及びｎは、同一であっても相異なっていてもよく、２又は３を表す。複数個あるＸ¹ は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個あるＸ³ は、同一であっても相異なっていてもよい。〕－Ａｒ¹－（ＩＩ）〔式中、Ａｒ¹ はアリーレン基を表す。〕

Description

共重合体及びそれを用いた高分子発光素子技術分野

本発明は、共重合体及びそれを用いた高分子発光素子に関する。背景技術明

高分子発光素子に用いる材料として様田々な高分子化合物が検討されており、その例として、繰り返し単位としてァリーレン基であるフルオレン一ジィル基と式

(M) で示される基とを有するランダム共重合体が知られている（特表 2 0 0 4 - 5 3 4 8 6 3号公報）。

発明の開示

しかしながら、上記のランダム共重合体を高分子発光素子に用いたとき、高分子発光素子が発光する寿命は、未だ十分なものではなかった。

本発明の目的は、長期間発光する高分子発光素子を与えうる共重合体を提供することにある。本発明は第一に、式（1— 1 ) で示される繰り返し単位からなるブロック（A ' ) 、及び又は式（1— 1 ) で示される繰り返し単位と式（I I ) で示される繰り返し単位とを含むブロック（A) を有する共重合体を提供する。

〔式中、 X ¹、 X²及び X³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は一 C (R⁷ ) = C (R⁸ ) —を表し、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷及び R⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表し、 m及び nは、同一であっても相異なっていてもよく、 2又は 3を表す。複数個ある R¹は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個ある R²は、同一であつても相異なっていてもよい。複数個ある R⁵は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個ある R⁶は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個ある X¹は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個ある X³は、同一であっても相異なっていてもよい。〕

一 (A r ¹ ) 一 ( I I )

〔式中、 A r ¹はァリーレン基を表す。〕本発明は第二に、前記共重合体と、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料力らなる群から選ばれる 1種以上の材料とを含有する組成物を提供する。本発明は第三に、前記共重合体と溶媒とを含有する組成物を提供する。本発明は第四に、前記共重合体又は前記組成物を含有する薄膜を提供する。本発明は第五に、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に前記共重合体又は前記組成物を含む有機層を有する高分子発光素子を提供する。本発明は第六に、前記高分子発光素子を用いた面状光源及び照明、並びに前記高分子発光素子をバックライトとする液晶表示装置を提供する。本発明は第七に、前記共重合体を含む活性層を有する有機トランジスタを提供する。本発明は第八に、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた前記共重合体を含む有機層とを有する光電変換素子を提供する。本発明は第九に、 ^—A—W²で示される化合物のみを縮合重合させる力 \ W A— W²で示される化合物と W¹— A r ¹— W²で示される化合物とを縮合重合させる力、 ^^—八ー^^で示される化合物と^^—八一^^で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを、縮合重合させることによりブロック（Α ' ) 及び/又はブロック（Α) を有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法を提供する。

(式中、 — Α—は式（1— 1 ) で示される繰り返し単位又は式（1—2 ) で示される繰り返し単位を表し、 A r ¹は前記と同じ意味を表し、 W¹及び W²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）本発明は第十に、 W¹— A— W²で示される化合物のみを縮合重合させる力 \ W ¹— A— W²で示される化合物と W¹— A r ¹ _W²で示される化合物とを縮合重合させる力、 W¹— A— W²で示される化合物と W¹— A r ¹ _W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、 W¹— Ar¹— W²で示される化合物及び W¹— A r ²— W²で示される化合物とを縮合重合させるか、この第一の化合物と、 W'—Ar¹— W²で示される化合物、 W¹— Ar²_W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることによりブロック（Α' ) 及び Ζ又はブロック（Α) とブロック（Β) とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法を提供する

(式中、 —Α—は式（1— 1) で示される繰り返し単位又は式（1—2) で示される繰り返し単位を表し、 A r¹は前記と同じ意味を表し、 A r ²は 2価の芳香族ァミン残基を表し、 W¹及び W²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）本発明は第十一に、 W^—A—W²で示される化合物のみを縮合重合させるか、 W¹— A— W²で示される化合物と W¹— A r ¹— W²で示される化合物とを縮合重合させる力、 W'—A— W²で示される化合物と W¹— Ar¹— W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、 W¹— A r ¹— W²で示される化合物と W'_A r ² _ W²で示される化合物とを縮合重合させる力、 W¹ _ A r ¹ _ W²で示される化合物と W¹— A r ²— W²で示される化合物と縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第二の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物とこの第二の化合物とを縮合重合させることによりプロック (Α' ) 及び Ζ又はブロック（Α) とブロック（Β) とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法を提供する。

(式中、一 Α—は式（1— 1) で示される繰り返し単位又は式（1 _2) で示される繰り返し単位を表し、 A r¹及び A r ²は前記と同じ意味を表し、 W¹及び W² は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。 ) 発明を実施するための形態

<ブロック（Α' ) 、ブロック（Α) >

本発明の共重合体は、式（I一 1 ) で示される繰り返し単位からなるブロック (Α' ) 、及び Ζ又は式（1— 1 ) で示される繰り返し単位と式（ I I ) で示される繰り返し単位とを含むブロック（Α) を有するが、式（1— 1 ) で示される繰り返し単位と式（I I ) で示される繰り返し単位とを含むブロック（Α) を有することが好ましい。式（1— 1 ) 中、 X¹、 X²及び X³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は一 C (R⁷ ) = C (R⁸ ) —を表し、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷及び R⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が例示される。アルキル基は、非置換のアルキル基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアルキル基を意味し、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキル基でもよい。アルキル基の炭素原子数は、通常 1〜2 0、好ましくは 1〜1 5、より好ましくは 1〜1 0である。アルキル基としては、例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、 s—ブチル基、 t _ プチル基、ペンチル基、イソアミル基、へキシル基、シクロへキシル基、へプチル基、ォクチル基、 2—ェチルへキシル基、ノニル基、デシル基、 3 , 7—ジメチルォクチル基、ドデシル基、トリフルォロメチル基、ペンタフルォロェチル基、パーフルォロブチル基、パーフルォ口へキシル基、パーフルォロォクチル基等が挙げられる。アルコキシ基は、非置換のアルコキシ基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアルコキシ基を意味し、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルコキシ基でもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、通常 1〜2 0、好ましくは 1〜 1 5、より好ましくは 1〜1 0である。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルォキシ基、イソプロピルォキシ基、ブトキシ基、ィソブトキシ基、 s —ブトキシ基、 t —ブトキシ基、ペンチルォキシ基、へキシルォキシ基、シクロへキシルォキシ基、ヘプチルォキシ基、ォクチルォキシ基、 2 —ェチルへキシルォキシ基、ノ-ルォキシ基、デシルォキシ基、 3， 7—ジメチルォクチルォキシ基、ドデシルォキシ基、トリフルォロメトキシ基、ペンタフルォロエトキシ基、パーフルォロブトキシ基、パーフルォ口へキシルォキシ基、パ一フルォロォクチルォキシ基、メトキシメチルォキシ基、 2—メトキシェチルォキシ基等が挙げられる。アルキルチオ基は、非置換のアルキルチオ基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアルキルチオ基を意味し、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアルキルチオ基でもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、通常 1〜2 0、好ましくは 1〜1 5、より好ましくは 1〜1 0である。アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、ェチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソプチルチオ基、 s—ブチルチオ基、 tーブチルチオ基、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、シクロへキシルチオ基、へプチルチオ基、ォクチルチォ基、 2—ェチルへキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、 3 , 7—ジメチルォクチルチオ基、ドデシルチオ基、トリフルォロメチルチオ基等が挙げられる。ァリール基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子 1個を除いた残りの原子団であり、非置換のァリール基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基、カルボニル基、カルボキシル基等で置換されたァリール基を意味する。置換基の数は 1個でも複数個でもよく、複数個の置換基は同一であっても相異なっていてもよい。ァリール基には、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が単結合又は 2価の有機基、例えば、ビニレン基等のアルケニレン基を介して結合したものも含まれる。ァリール基の炭素原子数は、通常 6〜 6 0、好ましくは 7〜 4 8、より好ましくは 7〜3 0である。ァリール基としては、例えば、フエニル基、 C ₁〜C _{1 2}アルコキシフエニル基（じ，〜。，は、炭素原子数 1〜1 2であることを示す。以下も同様である。）、〜。^アルキルフエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 _アントラセニル基、 2—アントラセニル基、 9 _アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられ、中でもじ！〜じ^アルコキシフエニル基、 C ₁〜C _{1 2}アルキルフヱニル基が好ましレ、。〜じ^アルコキシフエニル基としては、例えば、メトキシフエ二ル基、ェトキシフエ二ノレ基、プロピルォキシフエニル基、イソプロピルォキシフエニル基

、ブチルォキシフエニル基、イソブチルォキシフエニル基、 s—ブチルォキシフェニノレ基、 tーブチノレオキシフエ二ノレ基、ペンチルォキシフエ二ノレ基、へキシルォキシフエニル基、ォクチルォキシフヱニル基等が挙げられる。

C ,〜C _{1 2}アルキルフエニル基としては、例えば、メチルフエニル基、ェチルフエニル基、ジメチルフエニル基、プロピルフエニル基、メシチノレ基、メチルェチルフエニル基、イソプロピルフエニル基、ブチルフエニル基、イソブチルフエニル基、 s—ブチノレフエニル基、 t一ブチルフエニル基、ペンチルフエ-ル基、イソアミノレフエニル基、へキシルフェニル基、ヘプチノレフェニル基、ォクチルフェニル基、ノニルフエニル基、デシルフヱニル基、ドデシルフヱニル基等が挙げられる。 .ァリールォキシ基は、非置換のァリ一ルォキシ基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたァリールォキシ基を意味する

。ァリールォキシ基の炭素原子数は、通常 6〜 6 0、好ましくは 7〜4 8、より好ましくは 7〜 3 0である。ァリールォキシ基としては、例えば、フエノキシ基、 C i〜C _{1 2}アルコキシフエノキシ基、じ！〜じアルキルフエノキシ基、 1—ナフチルォキシ基、 2—ナフチルォキシ基、ペンタフルオロフェニノレオキシ基等挙げられ、中でも C i C アルコキシフエノキシ基、じ！〜。^アルキルフエノキシ基が好ましい。じ,〜。^アルコキシフエノキシ基としては、例えば、メトキシフエノキシ基、エトキシフエノキシ基、プロピルォキシフエノキシ基、イソプロピルォキシフエノキシ基、ブチルォキシフエノキシ基、イソブチルォキシフエノキシ基、 s— ブチルォキシフエノキシ基、 t _ブチルォキシフエノキシ基、ペンチルォキシフエノキシ基、へキシルォキシフエノキシ基、ォクチルォキシフエノキシ基等が挙け'られる。

C ,〜C _{1 2}アルキルフエノキシ基としては、例えば、メチルフエノキシ基、ェチルフエノキシ基、ジメチルフエノキシ基、プロピルフエノキシ基、 1， 3， 5 —トリメチルフエノキシ基、メチルェチルフエノキシ基、イソプロピルフエノキシ基、ブチルフエノキシ基、イソプチルフエノキシ基、 s—ブチルフエノキシ基、 t _ブチルフエノキシ基、ペンチルフエノキシ基、イソアミルフエノキシ基、へキシルフエノキシ基、ヘプチルフエノキシ基、ォクチルフエノキシ基、ノニルフエノキシ基、デシルフエノキシ基、ドデシルフヱノキシ基等が挙げられる。ァリールチオ基は、非置換のァリールチオ基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたァリールチオ基を意味する。ァリ一ルチオ基の炭素原子数は、通常 6〜 6 0、好ましくは 7〜4 8、より好ましくは 7〜 3 0である。ァリ一ルチオ基としては、例えば、フエ-ルチオ基、 C i〜 c₁₂アルコキシフエ二ルチオ基、〜。₁₂アルキルフエ二ルチオ基、 1一ナフチルチオ基、 2—ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられる。ァリールアルキル基は、非置換のァリールアルキル基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたァリールアルキル基を意味する。ァリールアルキル基の炭素原子数は、通常 7〜60、好ましくは 7〜4 8、より好ましくは 7〜 30である。ァリールアルキル基としては、例えば、フェニルー Ci C アルキル基、じ,〜。^アルコキシフエニル— C! C アルキル基、じ,〜。^アルキルフエニル—じ！〜じアルキル基、 1一ナフチル—C , 0^アルキル基、 2—ナフチル— ^〜〇₁₂アルキル基等が挙げられる。ここで、 Ci〜C₁₂アルキル基としては、例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、 s—ブチル基、 t一ブチル基、ぺンチル基、イソアミル基、へキシル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等が挙げられる。ァリールアルコキシ基は、非置換のァリールアルコキシ基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたァリールアルコキシ基を意味する。ァリールアルコキシ基の炭素原子数は、通常 7〜60、好ましくは 7〜48、より好ましくは 7〜 30である。ァリールアルコキシ基としては、例えば、フエニル— C! C^アルコキシ基、じ！〜じアルコキシフエニル一C i C アルコキシ基、 C₁〜C₁₂アルキルフエニル一 C!〜C₁₂アルコキシ基、 1—ナフチル一 C!〜C₁₂アルコキシ基、 2—ナフチル一 C₁〜C₁₂アルコキシ基等が挙げられる。ここで、じ！〜じ^アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルォキシ基、イソプロピルォキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、 s _ブトキシ基、 t一ブトキシ基、ペンチルォキシ基、へキシルォキシ基、シクロへキシルォキシ基、ヘプチルォキシ基、ォクチルォキシ基、 2— ェチルへキシルォキシ基、ノニルォキシ基、デシルォキシ基、 3, 7—ジメチルオタチルォキシ基、ドデシルォキシ基等が挙げられるァリールアルキルチオ基は、非置換のァリールアルキルチオ基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたァリールアルキルチオ基を意味する。ァリールアルキルチオ基の炭素原子数は、通常 7〜60、好ましくは 7〜48、より好ましくは 7〜 30である。ァリールアルキルチオ基としては、例えば、フエニル一 C₁〜C₁₂アルキルチオ基、 C₁〜C₁₂アルコキシフエ二ルー。〖〜じアルキルチオ基、。〖〜じアルキルフエニル— C₁〜C₁₂ アルキルチオ基、 1 _ナフチル— Ci〜C₁₂アルキルチオ基、 2—ナフチル— C! 〜C₁₂アルキルチオ基等が挙げられる。ここで、〜〇₁₂アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、ェチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチォ基、プチルチオ基、イソブチルチオ基、 s—ブチルチオ基、 t—ブチルチオ基、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、シクロへキシルチオ基、へプチルチオ基、ォクチルチオ基、 2—ェチルへキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、 3 ， 7—ジメチルォクチルチオ基、ドデシルチオ基等が挙げられる。ァリールァルケニル基は、非置換のァリールァルケニル基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたァリールァルケ-ル基を意味する。ァリールアルケニル基の炭素原子数は、通常 8〜60、好ましくは 8〜48、より好ましくは 8〜30である。ァリールアルケニル基としては、例えば、フエ二ルー C₂〜C₁₂アルケニル基（C₂〜C₁₂は、炭素原子数 2〜12 であることを示す。以下も同様である。）、 C₁〜C₁₂アルコキシフエ二ルー C₂ 〜C₁₂アルケニル基、 Ci〜C₁₂アルキルフエニル— C₂〜C₁₂アルケニル基、 1 一ナフチル— C₂〜C₁₂ァルケ-ル基、 2—ナフチル— C₂〜C₁₂アルケニル基等が挙げられ、中でもじ,〜。^アルコキシフエニル一 C₂〜C₁₂アルケニル基、 C ₁〜C₁₂アルキルフエニル ₂アルケニル基が好ましい。

C₂〜C₁₂アルケニル基としては、例えば、ビニル基、 1—プロぺニル基、 2 一プロぺニル基、 1—ブテュル基、 2 _ブテニノレ基、 1一ペンテュル基、 2—ぺンテュル基、 1一へキセニル基、 2—へキセニル基、 1一ォクテニル基等が挙げられる。ァリールアルキニル基は、非置換のァリールアルキニル基及び基中の水素原子がハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基等で置換されたァリールアルキニル基を意味する。ァリールアルキニル基の炭素原子数は、通常 8〜60、好ましくは 8〜48、より好ましくは 8〜30である。ァリールアルキニル基としては、例えば、フエニル _C₂〜C₁₂アルキニル基、 Ci C^アルコキシフエニル一C ₂〜C₁₂アルキニル基、じ！〜。^アルキルフエニル— C₂〜C₁₂アルキニル基、

1一ナフチル— C₂〜C₁₂アルキニル基、 2—ナフチル— C₂〜C₁₂アルキニル基等が挙げられ、中でもじ,〜。^アルコキシフエニル一 C₂〜C₁₂アルキ-ル基、 C ,〜 C i ₂アルキルフェニル一 C₂〜 C i ₂アルキニル基が好ましレ、。 C₂〜C₁₂アルキニル基としては、例えば、ェチュル基、 1 _プロピニル基、 2 _プロピニル基、 1—プチニル基、 2—ブチュル基、 1—ペンチニル基、 2— ペンチニル基、 1—へキシェル基、 2—へキシル基、 1—ォクチニル基等が挙げられる。 1価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子 1個を除いた残りの原子団をいい、非置換の 1価の複素環基及び基中の水素原子がアルキル基等の置換基で置換された 1価の複素環基を意味する。 1価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常 4〜60、好ましくは 4〜30、より好ましくは 4〜20である。ここに複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケィ素原子、セレン原子、テルル原子、ヒ素原子等のへテロ原子を含むものをいう。 1価の複素環基としては、芳香族性を有する複素環基が好ましい。 1価の複素環基としては、例えば、チェニル基、〜 ₂アルキルチェニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、 C i C アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジュル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、中でもチェニル基、 C i〜C _{1 2}アルキルチェニル基、ピリジル基、〜じ_{1 2}アルキルピリジル基が好ましい。複素環チォ基は、メルカプト基の水素原子が 1価の複素環基で置換された基を意味する。複素環チォ基としては、例えば、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチォ基、ピラジ二ルチオ基、トリアジ-ルチオ基等のへテロァリ一ルチオ基等が挙げられる。アミノ基は、非置換のァミノ基ならびに基中の水素原子がアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基及び 1価の複素環基からなる群から選ばれる 1又は 2 個の基で置換されたァミノ基（以下、置換アミノ基という。）を意味する。前記アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基、 1価の複素環基に含まれる水素原子は、更にアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基及ぴ 1価の複素環基力らなる群から選ばれる置換基（以下、二次置換基という場合がある。）で置換されていてもよレ、。置換アミノ基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常 1〜6 0、好ましくは 2〜4 8、より好ましくは 2〜4 0である。置換アミノ基としては、例えば、メチルァミノ基、ジメチルァミノ基、ェチルアミノ基、ジェチルァミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプ口ピルァミノ基、ジイソプロピルァミノ基、ブチルァミノ基、イソブチルァミノ基、 s—ブチルァミノ基、 tーブチルァミノ基、ペンチルァミノ基、へキシルァミノ基、ヘプチルァミノ基、ォクチルァミノ基、 2—ェチルへキシルァミノ基、ノニルァミノ基、デシルァミノ基、 3 , 7—ジメチルォクチルァミノ基、ドデシルァミノ基、シクロペンチルァミノ基、ジシクロペンチルァミノ基、シクロへキシルァミノ基、ジシクロへキシルァミノ基、ジトリフルォロメチルァミノ基、フェニルァミノ基、ジフエニルァミノ基、 C i C アルコキシフエニルァミノ基、ジ（。〜じアルコキシフエニル）アミノ基、 C ₁〜C _{1 2}アルキルフエ-ルァミノ基、ジ（^〜。₁₂アルキルフエニル）アミノ基、 1—ナフチルァミノ基、 2—ナフチルァミノ基、ペンタフルオロフェニルァミノ基、ピリジルァミノ基、ピリダジ -ルァミノ基、ピリミジルァミノ基、ピラジニルァミノ基、トリアジ二ノレアミノ基、フエ二ルー Ci C^アルキルアミノ基、 C₁〜C₁₂アルコキシフエニル一 C! C アルキルアミノ基、ジ（じ！〜じアルコキシフエニル一 Ci〜 C₁₂アルキル）アミノ基、 Ci〜C₁₂アルキルフエニル— C,〜C₁₂アルキルアミノ基、ジ（C₁〜C₁₂アルキルフエ-ルー C₁〜C₁₂アルキル）アミノ基、 1ーナフチルー〜アルキルアミノ基、 2—ナフチル一〜じ^アルキルアミノ基等が挙げられる。シリル基は、非置換のシリル基ならびに基中の水素原子がアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基及び 1価の複素環基からなる群から選ばれる 1、 2又は 3個の基で置換されたシリル基（以下、置換シリル基という。）を意味する。前記アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基、 1価の複素環基に含まれる水素原子は、二次置換基で置換されていてもよい。置換シリル基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常 1〜60、好ましくは 3〜48、より好ましくは 3〜40である。置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリェチルシリル基、トリプロビルシリル基、トリ—イソプロピルシリル基、ジメチル—ィソプロビルシリル基、ジェチルーィソプロビルシリル基、 t ーブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、へキシルジメチルシリル基、へプチルジメチルシリル基、ォクチルジメチルシリル基、 2 _ェチルへキシル一ジメチルシリル基、ノ二ルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、 3, 7—ジメチルォクチルージメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェ二ルー C i〜 C i ₂アルキルシリル基、 C i〜 C丄 ₂ァノレコキシフエニル一 C！〜 C , ₂アルキルシリル基、 Ci〜C₁₂アルキルフエニル—じ！〜じアルキルシリル基、 1一ナフチル— C! C アルキルシリル基、 2—ナフチル—じ,〜。^アルキルシリル基、フエニル— Ci C アルキルジメチルシリル基、トリフエ二/レシリル基、トリ一 p—キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフヱ二ルメチルシリル基、 tーブチルジフエニルシリル基、ジメチルフエニルシリル基等が挙げられる。ァシル基は、非置換のァシル基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたァシル基を意味する。ァシル基の炭素原子数は、通常 2〜2 0、好ましくは 2〜1 8、より好ましくは 2〜1 6である。ァシル基としては、例えば、ァセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソプチリル基、ビバロイル基、ベンゾィル基、トリフルォロアセチル基、ペンタフルォロベンゾィル基等が挙げられる。ァシルォキシ基は、非置換のァシルォキシ基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたァシルォキシ基を意味する。ァシルォキシ基の炭素原子数は、通常 2〜2 0、好ましくは 2〜1 8、より好ましくは 2〜1 6である。ァシルォキシ基としては、例えば、ァセトキシ基、プロピオニルォキシ基、ブチリルォキシ基、イソブチリルォキシ基、ビバロイルォキシ基、ベンゾィルォキシ基、トリフルォロアセチルォキシ基、ペンタフルォロベンゾィルォキシ基等が挙げられる

ィミン残基は、式： H— N = C <及び式： — N = C H—の少なくとも一方で表される構造を有するィミン化合物から水素原子 1個を除いた残基を意味する。このようなィミン化合物としては、例えば、アルジミン、ケチミン及びアルジミン中の窒素原子に結合した水素原子がアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基等で置換された化合物が挙げられる。ィミン残基の炭素原子数は、通常 2〜2 0、好ましくは 2〜1 8、より好ましくは 2〜1 6である。ィミン残基としては、例えば、一般式： _ C R' ' = N— R" '又は一般式： — N = C (R' " ) ₂ (式中、 R' 'は、水素原子、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基、ァリールアルケニル基、又はァリールアルキニル基を表し、 R' ' 'は、アルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基

、ァリールアルケニル基、又はァリールアルキニル基を表し、ただし、！ ' ' 'カ 2個存在する場合、それらは同一であっても相異なっていてもよく、 2個の R' ' ，は相互に結合し一体となって 2価の基、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、へキサメチレン基等の炭素原子数 2〜 1 8のアルキレン基として環を形成してもよレ、。 ) で表される基等が挙げられる。ィミン残基の例としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。

(式中、 M eはメチル基を表す。）アミド基は、非置換のアミド基及び基中の水素原子がハロゲン原子等で置換されたアミド基を意味する。アミド基の炭素原子数は、通常 2〜2 0、好ましくは 2〜1 8、より好ましくは 2〜1 6である。アミド基としては、例えば、ホルムアミド基、ァセトアミド基、プロピオアミド基、プチ口アミド基、ベンズアミド基、トリフルォロアセトアミド基、ペンタフルォ口べンズアミド基、ジホルムァミド基、ジァセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルォロアセトアミド基、ジペンタフルォ口べンズアミド基等が例示される。酸ィミド基は、酸ィミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、通常 4〜2 0、好ましくは 4〜 1 8、より好ましくは 4〜1 6である。酸イミド基としては、例えば、以下に示す基等が挙げられる。

(式中、 M eはメチル基を表す。）カルボキシル基は、非置換のカルボキシル基ならびに基中の水素原子がアルキル基、ァリール基、ァリールアルキル基、 1価の複素環基等の置換基で置換されたカルボキシル基（以下、置換カルボキシル基という。）を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常 1〜6 0、好ましくは 2〜4 8、より好ましくは 2〜4 5である。置換カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボ- ル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、 S —ブトキシカルボニル基、 t —ブトキシカルボニル基、ペンチルォキシカルボニル基、へキシルォキシカルボニル基、シクロへキシルォキシカルボニル基、ヘプチルォキシカルボニル基、ォクチルォキシカルボニル基、 2 _ェチルへキシルォキシカルボニル基、ノニルォキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、 3 , 7—ジメチルォクチルォキシカルボニル基、ドデシ/レオキシカルボニル基、トリフルォロメトキシカルボニル基、ペンタフ/レオ口エトキシカルボニル基、パーフルォロブトキシカルボニル基、パーフルォ口へキシルォキシカルボニル基、パーフルォロォクチルォキシカルボニル基、フエノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルォキシカルボニル基等が挙げられる。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（1— 1 ) 中、 R R²、 R³ 、 R⁴、 R⁵及び R⁶は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基又は複素環チォ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基又はァリールォキシ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はァリール基であることがさらに好ましい。式（1— 1 ) 中、 m及び nは、同一であっても相異なっていてもよく、 2又は 3を表す。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、 mと nとが等しいことが好ましく、 m及び nが 2であることがより好ましい。本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させるためには、 X¹、 X²及び X³が、酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。式（1— 1 ) で示される繰り返し単位の例としては、式（1— 1— 1 ) 〜（I - 1-46) で示される繰り返し単位等が挙げられる。

H3C H3C CH3 CH3 CH3 CH3 H3C H₃C

(1-1-16) }>236二 2-- コェコ工コぐェェコェェコ.. |

5 \

-ι-ι)

t'.6090/600ldf/13d /600 ΟΛλ

(式（1— 1— 32) 〜（I— 1—46) 中、 Phは、フエ二ル基を表す。）本発明の共重合体は、ブロック（A) 中に、式（I一 1) で示される繰り返し単位、式（I I) で示される繰り返し単位を、各々、 1種類有していても 2種類以上有していてもよい。本発明の共重合体は、ブロック（Α') 中に、式（ I— 1) で示される繰り返し単位を 1種類有していても 2種類以上有していてもよい

A r ¹で表されるァリ一レン基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子 2個を除いた残りの原子団であり、非置換のァリ一レン基及び置換のァリーレン基を意味する。ァリーレン基には、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が単結合又は 2価の有機基、例えば、ビ二レン基等のアルケニレン基を介して結合したものも含まれる。置換のァリーレン基における置換基は、共重合体の溶解性、蛍光特性、共重合体の合成の行いやすさ、高分子発光素子の耐熱性等の観点から、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリ一ルァルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基、ニトロ基が好ましい。該アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基の例としては、前述の R ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、前述の R ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。ァリーレン基における置換基を除いた部分の炭素原子数は、通常 6〜6 0、好ましくは 6〜2 0、より好ましくは 6〜1 8である。置換基を含めたァリーレン基の全炭素原子数は、通常 6〜 1 0 0、好ましくは 6〜 8 0、より好ましくは 6 〜7 0である。ァリーレン基としては、フエ二レン基（下式 1〜3 ) 、ナフタレン一ジィル基 (下式 4〜1 3 ) 、アントラセン一ジィル基（下式 1 4〜1 9 ) 、ビフエニル一ジィル基（下式 2 0〜2 5 ) 、ターフェ二ルージィル基（下式 2 6〜2 8 ) 、フルオレン—ジィル基（下式 3 6〜3 8 ) 、ベンゾフルオレン一ジィル基（下式 3 9〜4 6 ) 、及び、その他の 2価の縮合多環式芳香族炭化水素基（下式 2 9〜3 5 ) 等が挙げられる。

ϊ

L6090/600Zd£/13d iSI/600Z OAV s

91

L6090/600Zd£/L3d iSI/600Z OAV

43 44 45 46

上記式 1〜4 6中、 Rは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリーノレアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、力ルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表す。該アルキル基、アルコキシ基、ァルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基の例としては、前述の R¹で説明した基と同様の基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、前述の R ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させるためには、式（ I I ) 中、 A r ¹は、式（ I V) で示される基であることが好ましい。

〔式中、 R⁹及び R ^{1 Q}は、同一であっても相異なっていてもよく、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表し、 R ^{1 1}及び R ^{1 2}は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ァルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチォ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表し、 a及び bは、同一であっても相異なっていてもよく、 0〜3の整数を表す。 R⁹が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。 R^{i e}が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。〕式（ I V) 中、 R⁹、 R^{1 0}、 R ^u R ^{1 2}で表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基としては、前述の R¹で説明した基と同様の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、前述の R¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる

本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させるためには、式（I V) 中、 R⁹及び R^1Gが、ァリール基又はアルキル基であることが好ましい。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（I V) 中、 a及び bは、 0又は 1であることが好ましく、 0であることがより好ましい。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（I V) 中、 R¹¹及び R¹²がァルキル基又はァリール基であることが好ましい。式（ I V) で示される基の例としては、下記式（ I V— 1) 〜（ I V— 1 5) で示される基等が挙げられる。

本発明の共重合体が有し得るブロック（A) は、さらに式（I一 2) で示される繰り返し単位を含むことが好ましく、式（1 _2) で示される繰り返し単位を

〔式中、 Y¹ Y²及び Y³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は _C (R'⁷) =C (R'⁸) —を表し、 Rリ、 R'²、 R'³、 R'⁴、 R'⁵、 R'⁶、 R'⁷及び R'⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1 価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表す。〕式（1—2) 中、 Rリ、 R'²、 R'³、 R'⁴、 R，⁵、 R'⁶、 R'⁷及び R'⁸で表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールァルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基としては、前述の R¹で説明した基と同様の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、前述の R¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（1—2) 中、 Rリ、 R'²、 R '³、 R'⁴、 R'⁵及び R'⁶は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基又は複素環チォ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基又はァリールォキシ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はァリール基であることがさらに好ましい。本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させるためには、式（1—2 ) 中、 Y Y²及び Y³が、酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。式（1—2 ) で示される繰り返し単位の例としては、式（1—2— 1 ) 〜（ I — 2— 8 ) で示される繰り返し単位等が挙げられる。

(1-2-5) (1-2-6)

(1-2-7) (1-2-8)

ブロック（A) が式（1—2) で示される繰り返し単位を 2種類含む場合、それらの組み合わせの例としては、式（1 _2— 1) で示される繰り返し単位と式 (1 -2-5) で示される繰り返し単位、式 (1 -2-3) で示される繰り返し単位と式（1—2— 5) で示される繰り返し単位、式（1— 2— 4) で示される繰り返し単位と式（1—2— 5) で示される繰り返し単位、式（1—2— 6) で示される繰り返し単位と式（I一 2— 5) で示される繰り返し単位、式（I一 2 一 1) で示される繰り返し単位と式（1—2— 3) で示される繰り返し単位、式 (1 -2- 1) で示される繰り返し単位と式（1—2— 6) で示される繰り返し単位、式（I一 2— 3) で示される繰り返し単位と式（1— 2— 6) で示される繰り返し単位、式（1 _2_4) で示される繰り返し単位と式（1—2— 7) で示される繰り返し単位等が挙げられる。ブロック（A) が有する全繰り返し単位を 100モルとした場合、式（1— 1 ) で示される繰り返し単位は、 0. 1〜40モルであることが好ましく、式（I —2) で示される繰り返し単位は、 10〜50モルであることが好ましく、式（ I I) で示される繰り返し単位は、 10〜70モルであることが好ましい。

<ブロック（B) >

本発明の共重合体は、高溶解性の観点、薄膜作製が簡便となる観点、共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させる観点からは、式（I I) で示される繰り返し単位と式（I I I) で示される繰り返し単位とを含むブロック（B ) を有することが好ましい。ブロック（B) 中に、式（I I I) で示される繰り返し単位を 2種類以上含んでいてもよい。

— (A r²) — ( I I I)

〔式中、 Ar²は、 2価の芳香族ァミン残基を表す。〕

2価の芳香族ァミン残基とは、芳香族ァミンから芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子 2個を除いた残りの原子団をいい、非置換の 2価の芳香族アミン残基及び置換の 2価の芳香族ァミン残基を意味する。置換の 2価の芳香族アミン残基における置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ァルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基が挙げられる。該アルキル基、アルコキシ基、ァルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基としては、前述の R¹で説明した基と同様の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、前述の R ¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。 2 価の芳香族ァミン残基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常 5〜1 0 0、好ましくは 1 5〜8 0、より好ましくは 1 5〜6 0である。

2価の芳香族ァミン残基としては、例えば、以下の式 4 0：!〜 4 1 2で示される基等が挙げられる。

(式 401〜41 2中、 Rは前記と同じ意味を表す。複数個存在する Rは、同一であっても異なっていてもよい。）高分低電圧駆動において高輝度で発光式（I I I) 中、 Ar ²は式（V_l) で示される基、式（V

あることが好ましい。

(式中、 Ar¹³、 Ar¹⁴、 A r ¹⁵及び A r ¹⁶は、同一であっても相異なっていてもよく、ァリーレン基又は 2価の複素環基を表す。 Ar¹⁷、 Ar¹⁸及び Ar¹⁹は、同一であっても相異なっていてもよく、ァリール基又は 1価の複素環基を表す。 X及び yは、同一であっても相異なっていてもよく、 0又は 1を表し、 0≤x

(式中、 Ar^2Q及び Ar²¹は、同一であっても相異なっていてもよく、 3価の芳香族炭化水素基又は 3価の複素環基を表す。 Ar²²は、ァリール基又は 1価の複素環基を表す。 Z¹は、酸素原子、硫黄原子、 _C (R^Z1) =C (R^Z2) ―、一 C (R^Z3) (R^Z4) 一、 -N (R^Z5) 、一又は直接結合（Ar²°と Ar²¹とを直接つなぐ単結合）を表す。 R^Z1、 R^Z2、 R^Z3、 R^Z4及び R^Z5は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ァリール基又は

1価の複素環基を表す。）

Ar²³— N—— Ar²⁴- (V-3) (式中、 Ar²³は、 3価の芳香族炭化水素基又は 3価の複素環基を表す。 Ar²⁴ 及び Ar²⁵は、同一であっても相異なっていてもよく、ァリーレン基又は 2価の複素環基を表す。 Ζ²は、酸素原子、硫黄原子、一 C (R^Z6) =C (R^Z7) —、 — C (R^Z8) (R²⁹) 一、 -N (R^Z1°) 、一又は直接結合（Ar²³と Ar²⁵とを直接つなぐ単結合）を表す。 R^Z6、 R^Z7、 R^Z8、 R^Z9及び R^Z1°は、同一であつても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ァリール基又は 1価の複素環基を表す。）式（V— 1) 〜（V—3) 中、 Ar¹³、 Ar¹⁴、 Ar¹⁵、 Ar¹⁶、 Ar²⁴及び A r ²⁵で表されるァリーレン基としては、前述の A r ¹で説明した基と同様の基が挙げられる。式（V— 1) 〜（V— 3) 中、 Ar¹³、 Ar"、 Ar¹⁵、 Ar¹⁶、 Ar²⁴及び A r ²⁵で表される 2価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子 2個を除いた残りの原子団をいい、非置換の 2価の複素環基及び基中の水素原子がアルキル基等の置換基で置換された 2価の複素環基を意味する。 2価の複素環基としては、例えば、チォフェン—ジィル基、アルキルチオフヱンージィル基、ピロール一ジィノレ基、 N—じ！〜じ^アルキルピロール一ジィル基、フラン一ジィル基、ピリジン一ジィル基、〜じアルキルピリジン一ジィル基、ピリダジン一ジィル基、ピペリジン一ジィル基、ピリミジン一ジィル基、トリアジン一ジィル基、キノリン一ジィル基、イソキノリン一ジィル基、キノキサリン一ジィル基等が挙げられる。式（V—1) 〜（V— 3) 中、 Ar¹⁷、 Ar¹⁸、 A r ¹⁹及び A r ²²で表されるァリール基、 1価の複素環基としては、前述の R¹で説明した基と同様の基が挙げられる。式（V— 2) 、 (V-3) 中、 Ar²°、 Ar²¹及び Ar²³で表される 3価の芳香族炭化水素基は、非置換又は置換の芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子 3個を除いた残りの原子団を意味する。 3価の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン一トリィル基、ナフタレン一トリィル基、アントラセン一トリィル基、ビフヱ二ルートリイル基、ターフヱニルートリイル基、フルオレン一トリィル基、ベンゾフルオレン一トリィル基等が挙げられる。式（V— 2) 、 (V- 3) 中、 Ar²°、 A r²¹及び A r²³で表される 3価の複素環基とは、複素環式化合物から水素原子 3個を除いた残りの原子団をいい、非置換の 3価の複素環基及び基中の水素原子がアルキル基等の置換基で置換された 3価の複素環基を意味する。 3価の複素環基としては、例えば、チオフユンートリイル基、じ！〜じ^アルキルチオフェン—トリィル基、ピロール—トリィル基、 ^^—じ,〜。^アルキルピロール— トリィル基、フラン—トリィル基、ピリジン一トリィル基、〜じ^アルキルピリジン一トリィル基、ピリダジン一トリィル基、ピぺリジン一トリィル基、ピリミジン—トリィル基、キノリン一トリイル基、イソキノリン一トリィル基、キノキサリン一トリィル基等が挙げられる。式（V— 2) 、 (V- 3) 中、 R^Z1、 R^Z2、 R^Z3、 R^Z4、 R^Z5、 R^Z6、 R^Z7、 R^Z8、 R^Z9及び R^Z1。で表されるアルキル基、ァリール基、 1価の複素環基としては、前述の R¹で説明した基と同様の基が挙げられる。式（V— 2) 、 (V-3) 中、 R^z R^Z2、 R^Z3、 R^Z4、 R^Z5、 R^Z6、 R^Z7、 R^Z8、 R^Z9及び R^Z1°で表されるハロゲン原子としては、前述の R¹で説明した原子と同様の原子が挙げられる。式（V— 2) 中、 Z¹及び Nは、 A r²°環を構成する隣接原子に結合し、 Z¹及び Nは、 A r ²¹環を構成する隣接原子に結合することが好ましい。式（V— 2) 中、 Z²及び Nは、 A r ²³環を構成する隣接原子に結合し、 Z²及び Nは、 A r ²⁵環を構成する隣接原子に結合することが好ましい。本発明の共重合体を用いた高分発光素子における正孔注入及び正孔輸送の機能を強めるためには、式（V_2) 中、 Z¹は、酸素原子、硫黄原子、 _N (R^Z5 ) —であることが好ましい。本発明の共重合体を用いた高分発光素子における正孔注入及び正孔輸送の機能を強めるためには、式（V— 3) 中、 Z²は、酸素原子、硫黄原子、一 N (R^Z1° ) —であることが好ましい。上記式（V_ l) で示される基、式（V_2) で示される基又は式（V— 3) で示される基の例としては、下記式 421〜458等で示される基が挙げられる

It

L6090/600ZdT/13d iSI/600Z OAV

ひ

iSI/600Z OAV 43

ブロック（B ) 中には、式（ I I I ) で示される繰り返し単位を 1種類含んでいても 2種類以上含んでいてもよいが、共重合体中で正孔注入と正孔輸送とを行うためには、 2種類含んでいることが好ましい。ブロック（B ) が式（I I I ) で示される繰り返し単位を 2種類含む場合の繰り返し単位の組み合わせとしては、例えば、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 3で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 4で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 5で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 1 1で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 4で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 5で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 1 1で示される繰り返し単位、式 4 0 4で示される繰り返し単位と式 4 0 5で示される繰り返し単位、式 4 0 4で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、式 4 0 4で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位、式 4 0 4で示される繰り返し単位と式 4 1 1で示される繰り返し単位、式 4 0 5で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、式 4 0 5で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位、式 4 0 5で示される繰り返し単位と式 4 1 1で示される繰り返し単位、式 4 0 6で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位、式 4 0 6で示される繰り返し単位と式 4 1 1で示される繰り返し単位、及び式 4 0 7で示される繰り返し単位と式 4 1 1で示される繰り返し単位の組み合わせが挙げられ、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 3で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 5で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 5で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位、式 4 0 5で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、式 4 0 5で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位、及び式 4 0 6で示される繰り返し単位と式 4 0 7で示される繰り返し単位の組み合わせが好ましく、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 3で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 5で示される繰り返し単位、式 4 0 1で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 5で示される繰り返し単位、式 4 0 3で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位、及び式 4 0 5で示される繰り返し単位と式 4 0 6で示される繰り返し単位の組み合わせがより好ましい。ブロック（B ) が有する全繰り返し単位を 1 0 0モルとした場合、式（I I ) で示される繰り返し単位は、 4 0〜9 0モルであることが好ましく、式（I I I ) で示される繰り返し単位は、 1 0〜6 0モルであることが好ましい。くその他の繰り返し単位 >

本発明の共重合体は、式（ I _ 1 ) 、 ( 1 - 2 ) , ( I I ) 及び（ I I I ) で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含む共重合体であつてもよレ、。式（1— 1 ) 、（1—2 ) 、（I I ) 及び（I I I ) で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位としては、電荷の輸送性を調節するためには、下記式（C ) で示される繰り返し単位が好ましレ、。式（C ) で示される繰り返し単位を含む共重合体は、下記式（C ) で示される繰り返し単位がブロック（A) に含まれることが好ましい。

〔式中、 R³ °及び R^{3 1}は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表し、 X⁴は、酸素原子、硫黄原子又は一 C ( R⁷ ) = C (R⁸ ) - (式中、 R⁷及び R⁸は、前記と同じ意味を表す。）を表す。〕式（C ) 中、 R³ °、 R^{3 1}で表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基としては、前述の R¹で説明した基と同様の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、前述の R¹で説明したハロゲン原子と同様の原子が挙げられる。原料モノマーの合成の容易さの観点からは、式（C ) 中、 1 ^{3 ()}及び1 ^{3 1}は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ァルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基又は複素環チォ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基又はァリールォキシ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はァリール基であることがさらに好ましい。本発明の共重合体を用いた高分子発光素子をより長期間発光させるためには、式（C) 中、 X⁴が硫黄原子又は一 C (R⁷) =C (R⁸) —であることが好ましく、硫黄原子であることがより好ましい。本発明の共重合体は、前記式（1— 1) で示される繰り返し単位を含まない共重合体又は前記式（1— 1) で示される繰り返し単位を有するランダム共重合体よりも、本発明の共重合体を用いた高分子発光素子を作製した際に長期間発光する。 <共重合体〉

本発明の共重合体中の全繰り返し単位の合計数に対して、式（1— 1) で示される繰り返し単位の合計の含有率は、 0. 0 2〜50モル％の範囲であることが好ましく、 0. 5〜40モル⁰ /₀であることがより好ましく、式（1—2) で示される繰り返し単位の合計の含有率は、 0. 5〜 50モル％の範囲であることが好ましく、 5〜50モル％であることがより好ましく、式（I I ) で示される繰り返し単位の含有率は、 1 0モル％〜90モル⁰ /₀の範囲であることが好ましく、 2 0〜80モル％であることがより好ましく、式（I I I ) で示される繰り返し単位の含有率は、 0. 1〜60モル⁰ /₀の範囲であることが好ましく、 5〜50モル %であることがより好ましい。本発明の共重合体が上記式（1— 1) 、（1— 2 ) 、（ I I ) 及び（I I I ) で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位、例えば、式（C) で示される繰り返し単位を含む場合、該繰り返し単位の含有率は、共重合体中の全繰り返し単位の合計数に対して、 1〜50モル。 /₀の範囲であることが好ましく、 5〜40モル％であることがより好ましい。本発明の共重合体を高分子発光素子の発光材料として用いたとき、長寿命で長波長発光の高分子発光素子を与えるためには、式（1— 1) で示される繰り返し単位の合計の含有率が共重合体中の全繰り返し単位の合計に対して、 0. 5〜4 0モル⁰ /₀であることがより好ましく、 1〜 30モル⁰ /₀であることが特に好ましい本発明の共重合体は、高分子発光素子の寿命特性の観点からは、ポリスチレン換算の数平均分子量が、 1 X 1 0³〜1 X 1 0⁷であることが好ましく、 1 X 1 0 ⁴〜： 1 X 1 0⁷であることがより好ましい。本発明の共重合体は、高分子発光素子の寿命特性の観点からは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が、 1 X 1 0³〜1 X 1 0⁷であることが好ましく、 1 X 1 0⁴〜： I X 10⁷であることがより好ましい。本発明の共重合体において、ブロック（A) は、高分子発光素子の寿命特性の観点からは、ポリスチレン換算の数平均分子量が、 1 X 10³〜1 X 10⁵であることが好ましく、 2 X 10³〜1 X 10⁵であることがより好ましい。本発明の共重合体において、ブロック（A) は、高分子発光素子の寿命特性の観点からは、ポリスチレン換算の重量平均分子量が、 1 X 10³〜1 X 10⁵であることが好ましく、 1 X 10⁴〜1 X 10⁵であることがより好ましい。本発明において、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、サィズェクスクルージョンクロマトグラフィー（SEC) を用いて測定することができる。本発明の共重合体は、素子の寿命特性の観点から、式（V I) ：

〔A〕 / 〔B〕 (V I)

(式中、〔A〕は共重合体に含まれるブロック（A) の数及びブロック（Α') の数のうちの最大数（なお、各ブロックの数が同じ場合には、その数である。）を表し、〔Β〕は共重合体に含まれるブロック（Β) の数を表す。）

で示される値が、 0. 1以上 10以下であることが好ましく、 0. 5以上 8以下であることがより好ましい。本発明の共重合体は、素子の寿命特性の観点から、式（V I I ) ：

〔C〕 / CD) (V I I )

(式中、〔C〕はブロック（A) のポリスチレン換算の重量平均分子量及びプロック（Α' ) のポリスチレン換算の重量平均分子量のうちの最大値（なお、各ブロックの重量平均分子量が同じ場合には、その重量平均分子量である。）を表し、〔D〕は共重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量を表す。）

で示される値が 0 . 0 1以上 0 . 8以下であることが好ましく、 0 . 0 5以上 0 . 5以下であることがより好ましい。本発明の共重合体の分子鎖末端に重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、該末端は安定な保護基で保護されていてもよい。保護基としては、主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素一炭素結合を介してァリール基又は複素環基と結合している構造を有するものが挙げられる。具体的には、特開平 9 - 4 5 4 7 8号公報の化 1 0に記載の置換基等が例示される。本発明の共重合体に対する良溶媒としては、クロ口ホルム、塩化メチレン、ジクロロェタン、テトラヒドロフラン、トノレェン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、 n—ブチルベンゼンが例示される。本発明の共重合体の構造や分子量にもよる力通常はこれらの溶媒に共重合体を 0 . 1重量％以上溶解させることができる。本発明の共重合体としては、以下のブロック（A) とブロック（B ) とを組み合わせた共重合体 (AB1〜AB36)が挙げられる。〔共重合体 AB1〕

〔共重合体 AB2〕

〔共重合体 AB3〕

-Kjr "04

η-ΟρΗ«ΐ3 _N w、_s,N^^s

ブロック (A) ュ

H₃C 0 .CH₃ ブロック (B)

〔共重合体 AB4〕

〔共重合体 AB6〕

ブロック (B) 〔共重合体 AB7〕

〔共重合体 AB8〕

〔共重合体 AB9〕

〔共重合体 AB10〕

〔共重合体 AB11〕

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ブロック (A)

ブロック )

〔共重合体 AB12〕

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090/600Zd£/∑3d iSI/600Z OAV

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[9T9V ¾ 軍〕 l7.6090/600Zdf/X3d iSI/600Z OAV

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[ziav ^w L6090/600ZdT/13d iSI/600Z OAV 〔共重合体 AB19〕

〔共重合体 AB20〕

〔共重合体 AB21〕

フロック (A)

ブロック )

〔共重合体 AB22〕

t-C₄H₉ ブロック (B)

19

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〔共重合体 AB28〕

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L6090/600ZdT/13d iSI/600Z OAV

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L6090/600ZdT/13d iSI/600Z OAV ぐ共重合体の製造方法 >

次に本発明の共重合体の製造方法について説明する。

本発明の共重合体（ブロックを有する共重合体）の製造方法としては、例えば、高分子量のブロック（A) を合成し、ここへブロック（B) を構成するモノマ一を添加し重合する方法、あらかじめ高分子量のブロック（A) と高分子量のブロック（B) とを別個に合成し、これらをあわせて重合する方法が挙げられる。後者の方法においては、ブロック（A) とブロック（B) とが直接結合して共重合体となってもよいし、ブロック（A) とブロック（B) の他に、ブロック（ A) とブロック（B) とを連結させる基（連結基）となる化合物、又は別個のブロックを添加することで更に高分子量化した共重合体となってもよレ、。本発明の共重合体の製造方法の一例をより詳細に説明する。

本発明の製造方法の中では、次の（ i ) 〜（V ) のと製造方法が好ましく、（ i ) 〜（ i i i ) の製造方法がより好ましい。以下の（ i ) 〜（V ) において、一 A—は式（1—1) で示される繰り返し単位又は式（1—2) で示される繰り返し単位を表し、 A r¹は前記と同じ意味を表し、 W¹及び W²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。 ( i ) Wi—A_W²で示される化合物のみを縮合重合させる力、 W¹— A— W²で示される化合物と W¹— A r ¹一 W²で示される化合物とを縮合重合させる力、、 W¹ 一 A— W²で示される化合物と W¹— Ai^—W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを、縮合重合させることによりブロック（Α' ) 及び /又はブロック（Α) を有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法 (i i) W¹— A— W²で示される化合物のみを縮合重合させる力、、 W'-A-W² で示される化合物と W¹— A r ¹— W²で示される化合物とを縮合重合させるか、 W¹— A _ W²で示される化合物と W¹— A r ¹— W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、 W¹— Ar'—W²で示される化合物及び W¹— A r ² -W²で示される化合物とを縮合重合させるか、この第一の化合物と、 W¹— Ari—W²で示される化合物と、 \\^ー八1：²—^¥²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることによりブロック（Α' ) 及び又はブロック（Α) とブロック（Β) とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法。

( i i i) W'—A—W²で示される化合物のみを縮合重合させる力、 W'-A- W²で示される化合物と W¹— A r ¹ _ W²で示される化合物とを縮合重合させるか、 W'-A-W²で示される化合物と W¹ _ A r ¹ -W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、 W¹— A r ¹ -W²で示される化合物と W¹— A r ² -W²で示される化合物とを縮合重合させる力、 W¹— Ar¹— W²で示される化合物と W¹ _Ar²— W²で示される化合物と縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させる（その他の化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことにより第二の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物とこの第二の化合物とを縮合重合させる（縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことによりブロック（Α' ) 及び又はブロック（Α ) とブロック（Β) とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法。

( i V) 縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成し、この第一の化合物と、 W'_A— W²で示される化合物のみを縮合重合させるか、 W¹— A— W²で示される化合物と W¹— A r ¹ -W ²で示される化合物とを縮合重合させる（縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことにより縮合重合させることによりブロック（A， ) 及び/又はブロック（A) を有する共重合体を合成するェ程を有する前記共重合体の製造方法。

( V ) W¹— A i^—W²で示される化合物と ^^—A r ²— W²で示される化合物とを縮合重合させる（縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことにより第一の化合物を合成する工程、及びこの第一の化合物と、 W¹— A—W²で示される化合物のみを縮合重合させる力、、 W¹ - A 一 W²で示される化合物と W¹— A r ¹ _W²で示される化合物とを縮合重合させる

(縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物の存在下で縮合重合させてもよい）ことによりブロック（Α ' ) 及び/又はブロック（Α) とブロック（Β ) とを有する共重合体を合成する工程を有する前記共重合体の製造方法。ブロック（Α) 、ブロック（Β ) の分子量の調整は、重合に供するモノマーの化学量論量、触媒の種類、触媒量、塩基又は酸の添加、反応温度、溶媒の種類、溶液濃度等の選択や調節によって行うことができる。前記縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物は、本発明の共重合体中に、式（1— 1 ) 、（I一 2 ) ( I I ) 及び（I I I ) で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を導入するための化合物である。この化合物としては、例えば、下記式（D) で示される化合物が挙げられる。この化合物は、縮合重合後に上記式（C ) で示される繰り返し単位となる。

(式中、 R^3Q、 R³¹及び X⁴は前記と同じ意味を表し、 W³及び W⁴は、それぞれ独立に、縮合重合に関与する置換基を示す。）本発明の共重合体の製造方法において、縮合重合に関与する置換基（W¹ W² 、 W³及び W⁴) としては、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、ァリールスルホ基、ァリールアルキルスルホ基、ホウ酸エステル残基、スルホニゥムメチル基、ホスホニゥムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、一 B ( OH) ₂、ホルミル基、シァノ基、ビニル基等が挙げられる。アルキルスルホ基としては、メタンスルホ基、エタンスルホ基、トリフルォロメタンスルホ基が例示される。

ァリールスルホ基としては、ベンゼンスルホ基、 p—トルエンルホ基が例示される。

ァリールアルキルスルホ基としては、ベンジルスルホ基が例示される。

—

(式中、 Meはメチル基を示し、 E tはェチル基を示す。）スルホユウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

—CH₂ S + Me₂X—、 _CH₂ S+Ph₂X—

(式中、 Xはハロゲン原子を示し、 Meはメチル基を示し、 Phはフエ二ル基を示す。）ホスホニゥムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

—CH₂P+Ph₃X— (式中、 Xはハロゲン原子を示し、 Phはフエ二ル基を示す。）ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。

一 CH₂ P ( = 0) (OR' ) 2

(式中、 R' はアルキル基、ァリール基又はァリールアルキル基を示す。）モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えば Y a ma mo t oカップリング反応等 0価ニッケル錯体（N i ( 0) 錯体）を'用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、ァリールスルホ基、ァリ一ルアルキルスルホ基が好ましく、 S u z u k i力ップリング反応等ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホ基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、 _B (OH) ₂が好ましい。本発明の共重合体の製造は、例えば、原料となるモノマー化合物を有機溶媒に溶解させ、アルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で行うことができる。本発明の共重合体の製造方法として、 "オルガニックリアクションズ（Or g a n i c Re a c t i o n s) " , 第 14卷， 270— 4 90頁，ジョンワイリーアンドサンズ（J o hn Wi l e y&S o n s, I n c. ) , 1965年、 "オノレガニックシンセシス（O r g a n i c S y n t h e s e s) " , コレクティブ第 6卷 (Co l l e c t i v e V o 1 um e V I ) ， 407— 41 1頁，ジョンワイリーアンドサンズ（J o hn Wi l e y&S o n s, I n c. ) , 1988年、ケミカノレレビュー（Ch e m. Re v. ) ，第 95卷， 2457頁（1995年）、ジャーナルォブォノレガノメタリックケミストリー（J. Or g a n ome t. Ch em. ) , 第 576卷， 147頁（1999年）、マクロモレキュラーケミストリーマク口モレキュラーシンポジウム (Ma c r omo l . Ch em. ， Ma c r o, m o 1. S ymp. ) , 第 1 2卷， 229頁（1 987年）等に記載の方法や、 W 02003/007395に記載の方法を参考にすることができる。本発明の共重合体の製造方法において、縮合重合に関与する置換基に応じて、公知の縮合反応を用いることができる。縮合反応としては、適切なモノマーを、 S u z u k iカツプリング反応により重合する方法、 G r i g n a r d反応により重合する方法、ゼロ価ニッケル錯体により重合する方法、 F e C l₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適切な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が例示されるが、 S u z u k iカツプリング反応により重合する方法、 Gr i g n a r d反応により重合する方法、及びゼロ価ニッケル錯体により重合する方法が、共重合体の構造を制御しやすいので好ましレ、。本発明の共重合体の製造方法の中で、好ましい一つの態様は、縮合重合に関与する置換基が、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、ァリールスルホ基及びァリールアルキルスルホ基からなる群から選ばれる基であり、かつ、前記縮合重合がゼロ価ニッケル錯体存在下で行われる製造方法が挙げられる。原料となるモノマー化合物としては、例えば、ジハロゲン化化合物、ビス（ァルキルスルホネート）化合物、ビス（ァリールスルホネート）化合物、ビス（ァリールアルキルスルホネート）化合物、ハロゲン—アルキルスルホネート化合物、ノヽロゲン一ァリールスルホネート化合物、ハロゲン一ァリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート—ァリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート—ァリールアルキルスルホネート化合物、及びァリールスルホネートーァリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。本発明の共重合体の製造方法としては、好ましくは、原料となるモノマー化合物として、例えば、ノヽロゲン一アルキルスルホネート化合物、ハロゲンーァリールスルホネート化合物、ハロゲンーァリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート—ァリ一ルスルホネート化合物、アルキルスルホネート—ァリールアルキルスルホネート化合物、又はァリールスルホネート―ァリールアルキルスルホネート化合物を用いることにより、シーケンスを制御した共重合体を製造する方法が挙げられる。本発明の共重合体の製造方法の中で、他の好ましい態様としては、縮合重合に関与する置換基が、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、ァリールスルホ基、ァリールアルキルスルホ基、 _ B (O H) ₂、及びホウ酸エステル残基からなる群から選ばれる基であり、全原料となるモノマー化合物が有する、ハロゲン原子、アルキルスルホ基、ァリールスルホ基及びァリールアルキルスルホ基のモル数の合計（J ) と、一 B (O H) ₂及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（K) との比（KZ J ) が実質的に 1 (通常、 0 . 7〜1 . 2の範囲）であり、かつ、前記縮合重合がニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて行われる製造方法が挙げられる。原料となるモノマー化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス (アルキルスルホネート）化合物、ビス（ァリールスルホネート）化合物又はビス（ァリールアルキルスルホネート）化合物と、ジホウ酸化合物又はジホウ酸ェステル化合物との組み合わせが挙げられる。縮合重合において、溶媒を用いる場合、この溶媒は、用いる化合物や反応によつても異なるが、一般に副反応を抑制するために、十分に脱酸素処理を施すことが好ましい。縮合重合はアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で進行させることが好ましい。前記溶媒は、脱水処理を施すことが好ましレ、。但し、 S u z u k i力ップリング反応等の水との 2相系での反応の場合にはその限りではない。溶媒としては、ペンタン、へキサン、ヘプタン、オクタン、シクロへキサン、デカリン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、ェチルベンゼン、 n _ブチルベンゼン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素、四塩化炭素、クロロホノレム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロ口ペンタン、ブロモペンタン、クロ口へキサン、ブロモへキサン、クロロシクロへキサン、ブロモシクロへキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロ口ベンゼン、ジクロ口ベンゼン、トリクロ口ベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素、メタノール、エタノール、プロノノール、イソプロノヽ⁰ノーノレ、ブタノール、 t—ブチノレアノレコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテノレ、ジェチルエーテル、メチノレー t —ブチノレエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジォキサン等のエーテル類、トリメチルァミン、トリェチルァミン、 N, N, Ν ' , N ' —テトラメチルエチレンジァミン、ピリジン等のアミン類、 Ν， Ν—ジメチルホルムアミド、 Ν, Ν—ジメチルァセトアミド、 Ν, Ν—ジェチルァセトアミド、 Ν—メチルモルホリンォキシド等のアミド類が例示される。これらの溶媒は単一で、又は混合して用いてもよい。これらの中で、 Y a m a m o t οカップリング反応等ではエーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジェチルエーテルがさらに好ましい。 S u z u k iカップリング反応等の水との 2相系での反応では芳香族炭化水素と水との 2相系が好ましく、トルェン、ェチノレベンゼン、キシレン、メシチレンがさらに好ましい。縮合重合では、反応を促進させるためにアルカリや適切な触媒を添カ卩してもよレ、。これらは用いる反応に応じて選択すればよレ、。該アルカリ又は触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリとしては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の無機塩基；トリェチルァミン等の有機塩基；フッ化セシウム等の無機塩が挙げられる。触媒としては、例えば、パラジウム〔テトラキス（トリフエニルホスフィン）〕、パラジウムアセテート類が挙げられる。アルカリ又は触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆつくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆつくりと添加する方法が例示される。本発明の共重合体を高分子エレクト口ルミネッセンス（E L ) 素子等の高分子発光素子に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマー化合物を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。重合後、得られた共重合体の脱塩処理、脱金属処理、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。 <組成物〉

本発明の共重合体は、高分子発光素子の発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料として用いることができるが、高分子発光素子の特性を改質するために、該共重合体以外の発光材料、正孔輸送材料、及び電子輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも 1種と組み合わせて組成物として用いることができる。本発明の組成物は、前記共重合体と発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料力らなる群から選ばれる 1種以上の材料とを含有する。該発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料には、前記共重合体は含まれない。該組成物は、前記共重合体を 2種類以上含有してもよい。該組成物は、 2種類以上の発光材料を含んでもよく、 2種類以上の正孔輸送材料を含んでもよく、 2種類以上の電子輸送材料を含んでもよく、発光材料及び正孔輸送材料を含んでいてもよく、発光材料及び電子輸送材料を含んでいてもよく、正孔輸送材料及び電子輸送材料を含んでいてもよい。前記発光材料としては、低分子蛍光材料が挙げられ、その例としては、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ピレン、ピレン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シァニン系色素等の色素類、 8—ヒドロキシキノリンを配位子として有する金属錯体、 8—ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族ァミン、テトラフヱニルシクロペンタジェン、テトラフエニルシクロペンタジェン誘導体、テトラフェニルブタジエン、テトラフエ二ルブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケィ素芳香族系、ォキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラァリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロフアン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。これらの発光材料の他にも、特開昭 57 - 51781号公報、特開昭 59- 19439 3号公報等に記載されているものも挙げられる。これらの発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。前記正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及ぴその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、ァリールァミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフエ二ルジァミン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2 , 5—チェ二レンビニレン）及びその誘導体等が挙げられる。これらの正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい

前記電子輸送材料としては、例えば、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及ぴその誘導体、テトラシァノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフヱニルジシァノエチレン及びその誘導体、ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルォレン及びその誘導体等が挙げられる。これらの電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよレ、。本発明の組成物が前記発光材料を含有する場合、該組成物中の該発光材料の割合は、該組成物の全重量に対して、通常、 1重量％〜8 0重量％であることが好ましく、より好ましくは 5重量％〜 6 0重量％である。本発明の組成物が前記正孔輸送材料を含有する場合、該組成物中の該正孔輸送材料の割合は、該組成物の全重量に対して、通常、 1重量％〜8 0重量％であることが好ましく、より好ましくは 5重量。/。〜 6 0重量％である。本発明の組成物が前記電子輸送材料を含有する場合、該組成物中の該電子輸送材料の割合は、該組成物の全重量に対して、通常、 1重量％〜8 0重量％であることが好ましく、より好ましくは 5重量％〜 6 0重量％である。本発明の共重合体と溶媒とを含む組成物は、素子作製時において液状であることが好ましく、典型的には、常圧（即ち、 1気圧）、 2 5 °Cにおいて液状であることが好ましい。該組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。該組成物は、高分子発光素子等の発光素子の作製に有用である。本発明の組成物が溶媒を含有する場合、該組成物中の溶媒の割合は、該組成物の全重量に対して、通常、 1重量％〜9 9 . 9重量％であることが好ましく、より好ましくは 6 0重量％〜9 9 . 9重量％であり、さらに好ましく 9 0重量％〜 9 9 . 8重量。 /₀である。高分子発光素子の作製の際に、本発明の共重合体と溶媒とを含む前記組成物を用いて成膜する場合、前記組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、前記発光材料、正孔輸送材料、電荷輸送材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上有利である。乾燥の際には、 5 0〜1 5 0 °C程度に加温した状態で乾燥させてもよく、 1 0— ³ P a程度に減圧して乾燥させてもよレ前記組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キヤビラリ一コート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗り分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ィンクジヱットプリント法等の印刷法が好ましい。

前記組成物の粘度は印刷法によって異なるが、 2 5 °Cにおいて 0 . 5〜5 0 0 mPa ' sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等、液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が 2 5 °Cにおいて 0 . 5〜2 O mPa · sの範囲であることが好ましレ、。

前記組成物に含まれる溶媒としては、組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロ口ホルム、塩ィ匕メチレン、 1 , 2—ジクロロェタン、 1 , 1 , 2 _トリクロロェタン、クロ口ベンゼン、 o— ジクロロベンゼン等の含塩素溶媒、テトラヒドロフラン、ジォキサン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒、シクロへキサン、メチルシクロへキサン、 n—ペンタン、 n—へキサン、 n—ヘプタン、 n _オクタン、 n—ノナン、 n—デカン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル、メチルベンゾェニト、ェチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒、エチレングリコー^^ エチレングリコーノレモノブチ^/エーテル、エチレングリコーノレモノエチノレエ一テ^/、エチレングリコ一/レモノメチノレエーテル、ジメトキシェタン、プロピレングリコール、ジェトキシメタン、トリエチレングリコールモノェチルエーテル、グリセリン、 1 , 2—へキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノーノレ、イソプロパノール、シクロへキサノール等のアルコール溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒、 N—メチル一 2—ピロリドン、 N, N—ジメチルホノレムアミド等のアミド溶媒が例示される。これらの溶媒は、 1種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を含む構造を有し、かつ融点が 0 °C以下、沸点が 1 0 0 °C以上である有機溶媒を含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。溶媒の種類としては、前記組成物中の溶媒以外の成分の溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒、エステル溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、具体的には、トルエン、キシレン、ェチルベンゼン、ジェチノレベンゼン、トリメチノレベンゼン、メシチレン、 n—プ口ピルベンゼン、 i—プロピルベンゼン、 n—ブチルベンゼン、 i _ブチルベンゼン、 s—ブチノレベンゼン、ァニソー^/、エトキシベンゼン、 1—メチノレナフタレン、シクロへキサン、シクロへキサノン、シクロへキシノレベンゼン、ビシクロへキシノレ、シクロへキセニノレシクロへキサノン、 n—ヘプチノレシクロへキサン、 _n一へキシ /レシクロへキサン、メチルベンゾエート、 2 _プロピノレシクロへキサノン、 2 _ヘプタノン、 3—へプタノン、 4—ヘプタノン、 2—ォクタノン、 2 —ノナノン、 2—デカノン、ジシクロへキシルケトン、ビシクロへキシルメチノレベンゾエー卜が好ましく、キシレン、ァニソール、メシチレン、シクロへキシノレベンゼン、ビシクロへキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも 1種類を含むことがより好ましい。

前記組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、 2種類以上であることが好ましく、 2〜3種類であることがより好ましく、 2種類であることがさらに好ましい。前記組成物に 2種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1種類の溶媒は 2 5 °C において固体状態でもよい。成膜性の観点から、 1種類の溶媒は沸点が 1 8 0 °C 以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点が 1 8 0 °C未満のものであることが好ましく、 1種類の溶媒は沸点が 2 0 0 °C以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点が 1 8 0 °C未満のものであることがより好ましい。粘度の観点から、 6 0 °Cにおいて、組成物から溶媒を除いた成分の 0 . 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、 2種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 2 5 °Cにおいて、組成物から溶媒を除いた成分の 0 . 2重量％以上が溶解することが好ましい。前記組成物に 3種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1又は 2種類の溶媒は 2 5 °Cにおいて固体状態でもよい。成膜性の観点から、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 1 8 0 °C以上の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 1 8 0 °C未満の溶媒であることが好ましく、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 2 0 0 °C以上 3 0 0 °C以下の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 1 8 0 °C未満の溶媒であることがより好ましい。粘度の観点から、 3種類の溶媒のうちの 2種類の溶媒には、 6 0 °Cにおいて、組成物から溶媒を除いた成分の 0 . 2重量％以上が溶解することが好ましく、 3種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 2 5 °Cにおいて、組成物から溶媒を除いた成分の 0 . 2重量。 /₀以上が溶解することが好ましい。' 前記組成物に 2種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、組成物にまれる全溶媒の重量の 4 0〜9 0重量％であることが好ましく、 5 0〜9 0重量％であることがより好ましく、 6 5〜8 5重量％であることがさらに好ましい。本発明の組成物は、前記共重合体、溶媒、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料以外に、その他の任意成分として、安定剤、粘度及び/又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。本発明の組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フエノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。本発明の組成物が含有してもよい粘度及び又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤、及びこれらの組み合わせが挙げられる。前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、該組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタタリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は 5 0万以上が好ましく、 1 0 0万以上がより好ましい。貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。本発明の組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、該組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。

酸化防止剤としては、フヱノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が例示される。酸化防止剤を用いることにより、前記共重合体、溶媒の保存安定性を改善し得る。

<薄膜 >

本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記共重合体を用いてなるものである。薄膜の種類として、発光性,薄膜、導電性薄膜が例示される。薄膜中には、本発明の共重合体に加えて、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる材料を含んでいてもよい。本発明の発光性薄膜は、本発明の共重合体を含有する。該発光性薄膜は、発光材料、正孔輸送材料もしくは電子輸送材料、又はこれらの 2種以上の組み合わせを更に含有してもよい。これらの発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料の具体例は前述の説明のとおりである。発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が 5 0 %以上であることが好ましく、 6 0 %以上であることがより好ましく、 7 0 %以上であることがさらに好ましい。導電性薄膜は、表面抵抗が 1 Κ Ω Ζ口以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が 1 0 0 Ω ロ以下であることがより好ましく、 1 0 Ωノロ以下であることがさらに好ましい。

<高分子発光素子〉

次に、本発明の高分子発光素子について説明する。本発明の高分子発光素子は、陽極と、陰極と、前記共重合体を含み、該陽極及び該陰極の間に設けられた有機層とを有するものである。前記有機層は更に発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、又はこれらの 2種以上の組み合わせを含んでいてもよい。これらの発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料の具体例は前述の説明のとおりである。本発明の高分子発光素子において、前記有機層は発光層であることが好ましい。本発明の高分子発光素子としては、（1)陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、（2)陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、（3)陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。より具体的には、以下の _a ) 〜d ) の構造が例示される a ) 陽極/発光層 Z陰極

b ) 陽極/正孔輸送層発光層陰極

c ) 陽極/発光層ノ電子輸送層 Z陰極

d ) 陽極ノ正孔輸送層 Z発光層/電子輸送層陰極

(ここで、ゾは各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、おのおの独立に 2層以上用いてもよい。発光層の成膜の方法としては、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キヤビラリ一コート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗り分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。高分子発光素子作製の際に、本発明の共重合体を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、前記発光材料、正孔輸送材料、電荷輸送材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上有利である。発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、 1 n m〜l μ πιであり、好ましくは 2 n m〜500 n mであり、さらに好ましくは 5 η π！〜 200 n mである

本発明の高分子発光素子においては、発光層に前記共重合体以外の発光材料を混合して使用してもよい。本発明の高分子発光素子においては、前記共重合体以外の発光材料を含む発光層が、前記共重合体を含む発光層と積層されていてもよレ、。前記共重合体以外の発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シァニン系等の色素類、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族ァミン、テトラフエニルシクロペンタジェン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることができる。発光材料としては、特開昭 57-51781号、同 5 9 - 194393号公報に記載されているものも使用可能である。本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビュル力ルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、ァリールァミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフヱニルジァミン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2， 5 一チェ二レンビニレン）及びその誘導体等が例示される。正孔輸送材料としては、特開昭 63- 70257号公報、同 63-175860号公報、特開平 2-135359号公報、同 2-135 361号公報、同 2- 209988号公報、同 3- 37992号公報、同 3-152184号公報に記載されているものも使用可能である。これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン,及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリ（2， 5—チェ二レンビニレン）及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。ポリビニルカルバゾール及びその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。

、ポリシラン及びその誘導体としては、. ケミカル . レビュー（Chem. Rev. ) 第 89 卷、 1359頁（1989年）、英国特許 GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。ポリシロキサン誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族ァミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法としては、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダ一との混合溶液からの成膜による方法が例示される。高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであればよレ、。該溶媒として、クロ口ホルム、塩化メチレン、ジクロロェタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される

溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キヤビラリ一コート法

、スプレーコート法、. スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗り分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダ一として、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルァクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビュル、ポリシロキサン等が例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば I n n！〜 l /z mであり、好ましくは 2 n m〜 5 0 0 n mであり、さらに好ましくは 5 n n！〜 2 0 0 η mである。 '

本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシァノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフヱニルジシァノエチレン及びその誘導体、ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が例示される。電子輸送材料としては、特開昭 63-70257号公報、同 63- 175860号公報、特開平 2-135359号公報、同 2- 135361号公報、同 2- 209988号公報、同 3- 37992号公報、同 3- 152184号公報に記載されているものも使用可能である。

これらのうち、ォキサジァゾール誘導体、ベンゾキノン及ぴその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルォレン及びその誘導体が好ましく、 2 _ ( 4—ビフヱ二リル）一 5 _ ( 4 _ t —ブチルフエニル）一 1 , 3， 4 _ォキサジァゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（8—キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい

電子輸送層の成膜法としては、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び又は高分子バインダーを溶解させるものであればよい。該溶媒として、クロ口ホルム、塩化メチレン、ジクロロェタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング. 法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キヤビラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズノレコート法等の塗布法を用レヽることができる。パターン形成や多色の塗り分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとしては、ポリ（N—ビュルカルバゾール）、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリ（p—フエ二レンビ-レン）及びその誘導体、ポリ（2 , 5—チェ二レンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアタリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビエル、ポリシロキサン等が例示される。電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくなレ、。従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、 l n m〜l t mであり、好ましくは 2 n m〜5 0 0 n mであり、さらに好ましくは 5 n m〜 2 0 0 n mである。電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがあるさらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファ一層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択すればよい。本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極及び陽極のどちらか一方又は両方に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。例えば、具体的には、以下の e)〜p)の構造が挙げられる。

e) 陽極/電荷注入層 Z発光層 Z陰極

f) 陽極/発光層 Z電荷注入層 Z陰極

g) 陽極電荷注入層ノ発光層電荷注入層陰極

h) 陽極 Z電荷注入層正孔輸送層発光層 Z陰極

i) 陽極正孔輸送層発光層 Z電荷注入層ノ陰極

j) 陽極/電荷注入層正孔輸送層/発光層電荷注入層/陰極

k) 陽極/電荷注入層ノ発光層 Z電荷輸送層陰極

1) 陽極発光層 Z電子輸送層電荷注入層陰極

m) 陽極/電荷注入層発光層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極

n) 陽極 Z電荷注入層正孔輸送層発光層/電荷輸送層 Z陰極

o ) 陽極/正孔輸送層 Z発光層ノ電子輸送層電荷注入層ノ陰極

P ) 陽極/電荷注入層正孔輸送層 Z発光層ノ電子輸送層/電荷注入層陰極電荷注入層の例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層が例示される。上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、 10— ⁵ S/cm以上 10³ Sん m以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、 10— ⁵ Sん m以上 10² Sん m以下がより好ましく、 10- ⁵ S/cm以上 10 ん m以下がさらに好ましい。通常は該導電 14高分子の電気伝導度を 10— ⁵ S/c m以上 10³ Sん m以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればァニオン、電子注入層であればカチオンである。ァニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、ァルキルべゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチォンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニゥムイオン等が挙げられる。電荷注入層の膜厚は、通常、 1 n m〜： 1 0 0 n mであり、 2 n m〜5 0 n n^S 好ましい。電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で選択すればよく、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピロ一ル及びその誘導体、ポリフヱニレンビニレン及びその誘導体、ポリチェ二レンビ二レン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族ァミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が例示される。絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。この絶縁層の平均厚さは、通常、 0 . ：!〜 2 0 n mであり、好ましくは 0 . 5〜： I 0 n m、より好ましくは:！〜 5 n mである。

絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極及び陽極のどちらか一方又は両方に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。具体的には、例えば、以下の q )〜ab) の構造が挙げられる。

q ) 陽極絶縁層発光層 Z陰極

r ) 陽極/発光層 Z絶縁層 Z陰極

s ) 陽極/絶縁層発光層絶縁層/陰極

t ) 陽極/絶縁層正孔輸送層発光層陰極

u )陽極正孔輸送層 Z発光層/絶縁層/陰極

V )陽極絶縁層正孔輸送層/発光層/絶縁層陰極

w)陽極絶縁層発光層電子輸送層陰極

X )陽極ノ発光層電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極

y )陽極ノ絶縁層発光層 Z電子輸送層絶縁層 Z陰極

z )陽極絶縁層 Z正孔輸送層/発光層 Z電子輸送層ノ陰極

aa) 陽極/正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極

ab) 陽極/絶縁層 Z正孔輸送層発光層/電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極本発明の高分子発光素子を形成する基板は、電極及び有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の基板が例示される。不透明な基板の場合には、該基板により近い電極と反対側の電極が透明又は半透明であることが好ましい。本発明において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム ·スズ'ォキサイド（I T O) 、インジウム ·亜鉛'ォキサイド等からなる導電性材料を用いて作成された膜（NESA等）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、 I T O、インジウム '亜鉛'オキサイド、酸化スズが好ましい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メツキ法等が挙げられる。該陽極として、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフエン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができるが、通常、 10 n m〜10 / mであり、好ましくは 20 n m〜： I μ mであり、さらに好ましくは50 11 111〜500 11 111でぁる。陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、力ノレシゥム、ストロンチウム、ノくリウム、ァノレミニゥム、スカンジウム、バナジゥム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち 2つ以上の合金、あるいはそれらのうち 1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち 1つ以上との合金、グラフアイト又はダラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム一銀合金、マグネシウム一インジウム合金、マグネシウム一アルミニウム合金、インジゥムー銀合金、リチウム一アルミニウム合金、リチウム—マグネシウム合金、リチゥムーインジウム合金、カルシウム一アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を 2層以上の積層構造としてもょレ陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して選択することができるが、通常、 ΙΟ η π！〜 lO /z mであり、好ましくは 20 n m〜 1 μ mであり、さらに好ましくは 50 n m〜500 n mである。陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。陰極と有機層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び Z又は保護カバ一を装着することが好ましい。該保護層としては、榭脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スぺーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素ゃァルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリゥム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか 1つ以上の方策をとることが好ましい。本発明の高分子発光素子は、長期間発光する。該期間の評価は、高分子発光素子の用途により異なるが、駆動開始輝度から 7 5 %まで輝度が減少するまでの時間や、駆動開始輝度から 5 0 %まで輝度が減少するまでの時間で評価される。本発明の高分子発光素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば、バックライト等）等の表示装置、電子写真方式プリンタの光源（即ち、プリンターヘッド用材料）、イメージセンサー用材料、光ファイバ一用材料等に用いることができる。本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立に O NZO F Fできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよレ、。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は ¾光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、 T F T等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンビユータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、力ーナピゲ一シヨン、ビデオ力メラのビユーファインダ一等の表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。く有機トランジスタ〉

次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタを説明する。本発明の共重合体は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造は、通常、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は制限されない力ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やブラスチック基板も用いることができる。高分子電界効果トランジスタは、例えば、特開平 5-110069号公報に記載の公知の方法により製造することができる。活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の共重合体を用いることが製造上有利であり好ましレ、。有機溶媒可溶 14の共重合体を溶媒に溶解させてなる溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。封止する方法としては、紫外線（U V) 硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機の S i O N x膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムを U V硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で）行うことが好ましい。 <光電変換素子 > - 次に、光電変換素子について説明する。光電変換素子は太陽電池、光センサー等の用途に用いることができる。ここでは、光電変換素子の一態様である太陽電池について説明する。本発明の共重合体は、太陽電池の材料として、中で,も有機半導体と金属との界面を利用するショットキ一障壁型素子の有機半導体層として、有機半導体と無機半導体との界面又は有機半導体同士の界面を利用する p nヘテロ接合型素子の有機半導体層として、好適に用いることができる。さらに、ドナー ·ァクセプターの接触面積を増大させたバルタへテロ接合型素子における電子供与性高分子、電子受容性高分子として、また、高分子 ·低分子複合系を用いる太陽電池、例えば、電子受容体としてフラーレン誘導体を分散したバルタへテロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子（分散支持体

) として、好適に用いることができる。本発明の共重合体を太陽電池に用いた場合、高い変換効率を得ることができる。

太陽電池の構造としては、 p nヘテロ接合型素子では、オーム性電極、例えば、 I T O上に、 p型半導体層を形成し、さらに、 n型半導体層を積層し、その上にオーム性電極が設けられていればよい。太陽電池は、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては有機光電変換素子としての特性を阻害しなければ材質は制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やブラスチック基板も用いることができる。太陽電池は、例えば、 Synth. Met.， 102， 982 (1999)に記載の方法や Science, 270 1789 (1995)に記載の公知の方法により製造することができる。実施例

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例及び比較例を示すが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。共重合体のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズェクスクルージョンクロマトグラフィー（SEC) (島津製作所製、商品名： LC 一 Ι ΟΑν ρ) により求めた。測定する共重合体は、約ひ. 5重量。 /₀の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、 S ECに 50 μ L注入した。 SECの移動相としてテトラヒドロフランを用い、 0. 6mL/m i nの流速で流した。カラムとして、 TSKg e l S u p e r HM-H (東ソ一製） 2本と TSKg e l Su p e rH2000 (東ソ一製） 1本とを直列に繋げて用いた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名： R I D- 10A) を用いた。

<実施例 1 > [共重合体く P— 1 >の合成]

(ペンタマ一 1の合成）

ペンタマ一 1は、特表 2004— 534863号公報に記載の方法で合成した。

4, 7—ビス（5—ブロモ一4—へキシルチェン一 2—ィル）一2， 1, 3— ベンゾチアジアゾールと 2— (トリブチルスタニル）チォフェンをトルエンに溶解させ、テトラキス（トリフエニルホスフィン）パラジウムの存在下、加熱還流しながら 18時間反応させた。得られた反応物を室温まで冷却し、シリカゲルを通して濾過した。濾液を濃縮してへキサンで再結晶した。

再結晶体を DM Fに溶解させ、さらに N—ブロモスクシンイミドの DM F溶液を滴下して、室温で一晩攪拌した。生成物をろ過してメタノールと脱イオン水で洗浄した。洗浄した生成物をへキサンで再結晶してペンタマ一 1を得た。

(ペンタマ一 1)

(4， 7—ビス（5—ブロモ一4—メチルチオフェン一2—ィル）一2, 1， 3 —ベンゾチアジアゾールの合成）

4, 7—ジブロモ一 2， 1, 3—ベンゾチアジアゾー^^と 4ーメチルチオフエン一 2—ポロニックアシッドをトルエンに溶解させ、酢酸パラジウムとトリフエニルホスフィンの存在下、 2M炭酸ナトリウムを加えて加熱還流し、 4, 7—ビス（4ーメチルチオフェン一 2—ィル）一2， 1, 3 _ベンゾチアジアゾールを合成した。 4， 7—ビス（4 _メチルチェン一 2 _ィル） _2， 1, 3—ベンゾチアジアゾールと N—プロモスクシンィミドを o—ジクロ口ベンゼン中 70°Cで攪拌した。得られた反応物にエタノールを加えた後、室温まで冷却したところ、沈殿物が得られ、その沈殿物を濾過して粗生成物を得た。粗生成物を水とエタノールで洗浄して下記式で表される 4, 7—ビス（5—ブロモー 4—メチルチオフェン一 2—ィル）一2， 1， 3—ベンゾチアジアゾールを得た。

(4， 7—ビス（5—ブロモチォフェン一 2—ィノレ） -2, 1, 3 _ベンゾチアジァゾールの合成） '

4， 7—ジブロモ _ 2， 1, 3 _ベンゾチアジアゾールと 2— （トリプチルスタニル）チォフェンを THFに溶解し、ジクロロビス（トリフエニルホスフィン ) パラジウムの存在下、加熱還流し、 4， 7_ビス（2—チェニル） —2， 1， 3—べンゾチアジアゾールを合成した。 4， 7—ビス（2—チェニル）一2， 1 , 3—べンゾチアジアゾーノレと N—ブロモスクシンイミドを o—ジクロロべンゼン中 140°Cで攪拌した。得られた反応物を室温まで冷却したところ固体が生成したので、その固体を濾過して粗生成物を得た。粗生成物を水とエタノールで洗浄した。粗生成物を o—ジクロロベンゼンで再結晶して、下記式で表される 4, 7—ビス（5—ブロモチォフェン一 2—^ ル）一2, 1， 3—ベンゾチアジアゾ

不活性雰囲気下、 2， 7—ビス（1, 3, 2 _ジォキサボロラン一 2 _ィル） -9, 9—ジへキシルフルオレン（0. 78 g) 、 4， 7—ジブロモ一2, 1, 3—ベンゾチアジアゾール（0. 29 g) 、 4, 7_ビス（5—ブロモー 4—メチルチオフェン一 2—ィル）一2, 1, 3 _ベンゾチアジアゾール（0. 21 g ) 、 4, 7—ビス（5—プロモチォフェン一 2—ィル）一2, 1， 3—ベンゾチアジアゾール（0. 10 g) 、ペンタマ一 1 (0. 1 7 g) 、ジクロ口ビス（トリフエニルホスフィン）パラジウム（3. 9mg) 、メチルトリオクチルアンモニゥムクロライド（商品名： A 1 i q u a t (登録商標） 336、アルドリッチ製）（0. 76 g) 、トルエン（18mL) を混合し、 105°Cに加熱した。こうして得られた反応溶液に 1 7. 5重量％炭酸ナトリウム水溶液（5mL) を滴下し、 1. 5時間還流させ、ブロック（A) を有する化合物を得た。ブロック（ A) のポリスチレン換算数平均分子量は 6. 0 X 10³であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 9 X 10⁴であった。このポリスチレン換算数平均分子量から見積もると、ブロック（A) の重合度は約 20であった。得られたブロック（A) を有する化合物の溶液を、 70°Cまで冷却後、反応溶液に 2， 7—ビス (1， 3, 2—ジォキサボロラン一 2 fル）一9， 9—ジへキシルフルオレン (1. 85 g) 、 2， 7—ジブロモ一 9， 9—ジへキシノレフルオレン（0. 96 g) 、ビス（4—ブロモフエニル）一（4—セカンダリブチルフエニル）一アミン（0. 74 g) 、ジクロ口ビス（トリフエニルホスフィン）パラジウム（7. 5mg) 、トルエン（36mL) を混合し、 105°Cに加熱した。得られた反応溶液に 17. 5重量％炭酸ナトリウム水溶液（9. 7mL) を滴下し、 1 7時間還流させた。そこに、フエニルホウ酸（0. 66 g) を加え、さらに 9時間還流させた。次いで N, N—ジェチルジチォカルバミド酸ナトリウム水溶液を加え 8 0 °Cで 2時間撹拌した。冷却後、水（70mL) で 2回、 3重量％酢酸水溶液（ 7 OmL) で 2回、水（70mL) で 2回洗浄し、有機層をメタノール（850 mL) に滴下したところ沈殿物が生じたので、この沈殿物を濾過後乾燥させて固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（85 OmL) に滴下し、沈殿物を濾過後乾燥させた。得られた共重合体 <P_ 1 >の収量は 2 . 72 gであった。

共重合体 <P_ 1 >のポリスチレン換算数平均分子量は 4. 5 X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 5 X 10⁵であった。共重合体 <P— 1 >は、下記ブロック（A) 及び下記ブロック（B) を有する。ブロック（A) 中、式（I— 1) で示される繰り返し単位の合計の含有率は全繰り返し単位に対して 2モル％で、式（1—2) で示される 2種類の繰り返し単位の含有率は全繰り返し単位に対して 6モル。 /₀である。仕込み原料から求めた共重合体く P— 1〉中のブロック（A) の比率は 32.3モル⁰ /₀であり、ブロック (B) のの含有率は 67. 7モル。 /₀である。

4·0ΐル％ 2ΰΈ)\Λ Z0=EJ %

フロック (B)

15.0モリ U%

<合成例 1 > [共重合体 <P_2>の合成]

不活性雰囲気下、 2, 7—ビス（1, 3, 2 _ジォキサボロラン一 2—ィル） -9, 9—ジへキシノレフルオレン（0. 72 g) 、 4， 7—ジブロモ _ 2， 1, 3—ベンゾチアジアゾール（0. 33 g) 、 4， 7_ビス（5—ブロモ一4—メチルチオフェン一 2—ィル）一2, 1, 3—ベンゾチアジアゾール（0. 18 g ) 、 4, 7_ビス（5—ブロモチォフェン一 2—ィル）一2, 1， 3—ベンゾチアジアゾール（0. 08 g) 、ジクロロビス（トリフエニルホスフィン）パラジゥム（3. 5mg) 、メチルトリオクチルアンモニゥムクロライド（商品名： A 1 i q u a t (登録商標） 336、アルドリッチ製）（0. 22 g) 、トルエン (1 7mL) を混合し、 105°Cに加熱した。得られた反応溶液に 2M 炭酸ナトリウム水溶液（5mL) を滴下し、 2時間還流させ、ブロック（A) を有する化合物を得た。ブロック（A) のポリスチレン換算数平均分子量は 3. 7 X 10 ³であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 8 X 10⁴であった。このポリスチレン換算数平均分子量から見積もると、ブロック（A) の重合度は約 14であった。得られたブロック（A) を有する化合物の溶液を、 70°Cまで冷却後、反応溶液に 2， 7—ビス（1, 3, 2—ジォキサボロラン一2—ィル）ー9， 9 —ジへキシルフルオレン（1. 43 g) 、 2, 7—ジブロモ— 9, 9—ジへキシルフルオレン（0. 62 g) 、ビス（4一ブロモフエニル）一（4—セカンダリブチルフエニル）ーァミン（0. 73 g) 、ジクロロビス（トリフエニルホスフイン）パラジウム（6. Omg) 、メチルトリオクチルアンモニゥムクロライド (商品名： A l i q u a t (登録商標） 336、アルドリッチ製）（0. 37 g ) 、トルエン（30mL) を混合し、 105°Cに加熱した。得られた反応溶液に 2M 炭酸ナトリウム水溶液（8mL) を滴下し、 5時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸（0. 05 g) を加え、さらに 2時間還流させた。次いで、そこに、ジェチルジチア力ルバミン酸ナトリゥム水溶液を加え 80°Cで 2時間撹拌した。冷却後、水（l O OmL) で 2回、 3重量％酢酸水溶液（l O OmL) で 2 回、水（l O OmL) で 2回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（1. 5 L) に滴下し、 1時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた共重合体 <P 一 2 >の収量は 2. 24 gであった。

共重合体く P_ 2〉のポリスチレン換算数平均分子量は 1. 0 X 10⁵であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 7 X 10⁵であった。共重合体 <P_2>は、下記ブロック（A) 及び下記ブロック（B) を有する。ブロック（A) 中、式（I— 1) で示される繰り返し単位を含有せず、式（I -2) で示される繰り返し単位の含有率は全繰り返し単位に対して 6モル％である。仕込み原料から求めた共重合体 <P_ 2 >中のブロック（A) の比率は 28 . 5モル⁰ /₀であり、ブロック（B) のの含有率は 71. 5モル⁰ /₀である。

<合成例 2〉 [共重合体 <P— 3〉の合成]

不活性雰囲気下、 2, 7_ビス（1, 3， 2 _ジォキサボロラン一 2—ィル） —9， 9一ジへキシルフルオレン（1. 42 g) 、 4， 7—ジブロモ一 2， 1, 3—ベンゾチアジアゾール（0. 16 g) 、 4， 7—ビス（5—ブロモー 4ーメチルチオフェン一 2 I レ） -2, 1, 3—ベンゾチアジアゾーノレ（0. 12 g ) 、 4， 7—ビス（5—ブロモチォフェン一 2—ィル）一2, 1, 3—ベンゾチアジアゾール（0. 06 g) 、ペンタマ一 1 (0. 09 g) 、ビス（4—ブロモフエニル）一（4—セカンダリブチルフエニル）一ァミン（0. 41 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9, 9—ジへキシノレフノレオレン（0. 53 g) 、ジクロロビス（トリフエニルホスフィン）パラジウム（6. 3mg) 、メチルトリオクチルアンモニゥムクロライド（商品名 ·· A 1 i q u a t (登録商標） 336、アルドリツチ製）（0. 39 g) 、トルエン（30mL) を混合し、 105°Cに加熱した。得られた反応溶液に 1 7. 5重量％炭酸ナトリウム水溶液（8. 2mL) を滴下し、 3時間還流させた。そこに、フエニルホウ酸（0. 37 g) を加え、さらに 16時間還流させた。次いで N， N—ジェチルジチォカルバミド酸ナトリゥム水溶液を加え 80°Cで 2時間撹拌した。得られた反応溶液を、冷却後、水（40 m L) で 2回、 3重量％酢酸水溶液（mL) で 2回、水（40mL) で 2回洗浄し、有機層をメタノール（450mL) に滴下したところ沈殿物が生じたので、この沈殿物を濾過後乾燥させて固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（450mL) に滴下し、沈殿物を濾過後乾燥させた。得られた共重合体く P— 3 >の収量は 1. 49 gであった。

共重合体 <P_ 3 >のポリスチレン換算数平均分子量は 5. 4 X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 2 X 10⁵であった。共重合体 <P_3〉は、ブロックを有さず、下記の繰り返し単位を共重合体 < P— 1 >と同じ組成比で有するランダム共重合体である。

4.0¾ル¾ 0Έ) % ΟΈ)ΪΛ <実施例 2〉 [組成物の製造]

共重合体く P— 1 >0. 04 2 gをキシレン 2. 958 gに溶解させ、 1. 4 重量％のキシレン溶液 1を製造した。

<合成例 3 > [共重合体 <P_ 5 >の合成]

不活性雰囲気下、 2, 7_ビス（1， 3， 2—ジォキサボロラン _ 2 _ィル） — 9， 9 _ジォクチ^^フノレオレン、ビス（4一ブロモフェニ^^) - (4—セカンダリブチルフエニル）一ァミン、酢酸パラジウム、トリ（2—メチルフエニル）ホスフィン、メチルトリオクチルアンモニゥムクロライド（商品名： A 1 i q u a t (登録商標） 336、アルドリッチ製）、トルエンを混合し、 1 05°Cに加熱した。得られた反応溶液に 2 M 炭酸ナトリウム（Na₂CO₃) 水溶液を滴下し、 4時間還流させた。反応後、フエニルホウ酸を加え、さらに 3時間還流させた。次いで N, N—ジェチルジチォカルバミド酸ナトリゥム水溶液を加え 80 °Cで 4時間撹拌した。得られた反応溶液を冷却後、有機層を水、 3重量％酢酸水溶液、水の順番に洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノールに滴下した後、得られた固体を濾過後乾燥させ、共重合体 <P— 5 >を得た。

共重合体く P— 5 >のポリスチレン換算数平均分子量は 7. 9 X 1 0⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 7 X 1 0⁵であった。共重合体 <P_5 >は、下記の繰り返し単位を有するランダム共重合体である

<実施例 3 > [発光素子の作製と評価]

スパッタ法により 150 nmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジォキシチォフェン） Zポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、商品名： B a y t r o n P) を用いて、スピンコートにより 65 nmの厚みで成膜を行い、ホットプレート上、 20.0°Cで 10分間乾燥させた。次に、共重合体く P— 5 >を 1. 5重量％の濃度でキシレンに溶解させたキシレン溶液を用いてスピンコート法により、 2500 r pmの回転速度で成膜し、酸素濃度及び水分濃度が 10 p pm以下の窒素ガス雰囲気下において 180°Cで 60分間乾燥させた。この基板を窒素ガス雰囲気卞において室温に戻した後、キシレンを基板上に滴下し、 2000 r pmで 30秒間スピンコートをした後、上記で調製したキシレン溶液 1を用いてスピンコート法により 2800 r pmの回転速度で成膜した。膜厚は約 1 20 ηριであった。これを窒素ガス雰囲気下において、 130°Cで 60分間乾燥させた後、陰極としてバリウムを膜厚約 5 nmで蒸着し、次いでァルミ二ゥムを膜厚約 100 nm蒸着した。なお真空度が、 l X l (T⁴P a以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。このようにして蒸着した後、ガラス基板を用いて封止を行って発光素子を作製した。得られた発光素子に電圧を引加することにより、 8. 0Vにおいて 705 nmにピークを有する極めて深赤色の EL発光が得られた。

初期の発光強度が 42 mWZ cm²になる電流密度で定電流駆動したところ、

1 19. 6時間後に発光強度が初期の 75 %となり、 1 75. 7時間後に半減した。 1000 c dZm²の高輝度が 10. 4 Vの低電圧で得られた。 8. 0Vの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが 705 nmである蛍光を発し、その時の輝度は 245 c dZm²であった。発光効率は、 7. 2 Vで最大値を示し、 0. 26 c dZAであった。

<比較例 1 >

キシレン溶液 1に代えて共重合体 < P— 3 >の 1. 4重量⁰ /₀キシレン溶液を用い、スピンコート法の回転速度を 2800 r pmに代えて 1 100 r pmとする以外は、実施例 3と同様にして発光素子を作製した。

得られた発光素子に電圧を引加することにより、 705 nmにピークを有する深赤色の E L発光が得られた。

初期の発光強度が 42 mWZ c m²になる電流密度で定電流駆動したところ、

42. 9時間後に発光強度が初期の 75%となった。 l O O O c dZm²の輝度が得られる電圧が 1 1. 9 Vと、実施例 3と比較すると高電圧であった。 8. 0 Vの電圧を印加すると、発光波長のピークトップが 705 nmである蛍光を発し、その時の輝度は 136 c dZm²であった。発光効率は、 4. 8 Vで最大値を示し、 0. 1 5 c dZAであった。

<比較例 2〉

キシレン溶液 1に代えて共重合体 < P_ 2〉の 1. 4重量⁰ /₀キシレン溶液を用レヽ、スピンコート法の回転速度を 2800 r pmに代えて 1400 r pmとする以外は、実施例 3と同様にして発光素子を作製した。

得られた発光素子に電圧を引加することにより、 8. 0¥印加時に67511111 にピークを有する赤色の EL発光が得られ、発光波長は実施例 3と比較して短波長であった。

初期の発光強度が 42 mWノ c m²になる電流密度で定電流駆動したところ、

53. 4時間後に発光強度が初期の 75%となり、 95. 5時間後に半減した。 <実施例 4> [共重合体 <P— 4 >の合成]

不活性雰囲気下、 2， 7_ビス（1， 3, 2—ジォキサボロラン—2—ィル）一 9, 9—ジォクチルフルオレン（0. 88 g) 、 4, 7—ジブロモ一 2， 1， 3—ベンゾチアジアゾール（0. 29 g) 、 4， 7—ビス（5—ブロモー 4—メチルチオフェン一 2—ィル） —2, 1， 3—ベンゾチアジアゾール（0. 32 g ) 、ペンタマ一 1 (0. 1 7 g) 、ジクロ口ビス（トリフエニルホスフィン）パラジウム（3. 9mg) 、メチルトリオクチルアンモニゥムクロライド（商品名： A 1 i q u a t (登録商標） 336、アルドリツチ製）（ 0. 70 g ) 、トルェン（18mL) を混合し、 105°Cに加熱した。得られた反応溶液に 1 7. 5 重量％炭酸ナトリウム水溶液（5mL) を滴下し、 1. 5時間還流させ、ブロック（A) を有する化合物を得た。ブロック（A) のポリスチレン換算数平均分子量は 5. 5 X 10³であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 4 X 10⁴であった。このポリスチレン換算数平均分子量から見積もると、ブロック（A) の重合度は約 1 7であった。得られたブロック（A) を有する化合物を、 70°Cまで冷却後、反応溶液に 2, 7_ビス（1, 3， 2—ジォキサボロラン— 2—ィル ) — 9， 9—ジォクチルフルオレン（1. 99 g) 、 2, 7—ジブロモ一 9， 9 —ジオタチノレフノレオレン（1. 10 g)'、ビス（4—ブロモフエニル）一（4— セカンダリブチルフエニル）一ァミン（0. 74 g) 、ジクロロビス（トリフエニルホスフィン）パラジウム（7. 5mg) 、トルエン（36mL) を混合し、 105 °Cに加熱した。得られた反応溶液に 1 7. 5重量％炭酸ナトリゥム水溶液 (9. 7mL) を滴下し、 6時間還流させた。そこに、フエニルホウ酸（0. 6 6 g) を加え、さらに 9時間還流させた。次いで N， N—ジェチルジチォカルバミド酸ナトリゥム水溶液を加え 85 °Cで 2時間撹拌した。得られた反応溶液を冷却後、水（70mL) で 2回、 3重量％酢酸水溶液（70mL) で 2回、水（7 OmL) で 2回洗浄し、有機層をメタノール（1200mL) に滴下したところ沈殿物が生じたので、この沈殿物を濾過後乾燥させて固体を得た。この固体をトルェンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール（150 OmL) に滴下し、沈殿物を濾過後乾燥させた。得られた共重合体 <P— 4 >の収量は 3. 30 gであった。共重合体 <P— 4〉のポリスチレン換算数平均分子量は 5. 7 X 10⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 3 X 10⁵であった。共重合体 < P_ 4 >は、下記ブロック（A) 及び下記ブロック（B) を有する。ブロック（A) 中、式（1— 1) で示される繰り返し単位の合計の含有率は全繰り返し単位に対して 2モル％で、式（1—2) で示される繰り返し単位の含有率は全繰り返し単位に対して 6モル％である。仕込み原料から求めた共重合体 < P— 4>、中のブロック（A) の比率は 32. 3モル⁰ /₀であり、ブロック（B) のの含有率は 67. 7モル⁰ /₀である。

15.0モル％産業上の利用可能性

本発明の共重合体を用レ、れば、長期間発光する高分子発光素子を製造できるため、本発明は工業的に極めて有用である。

Claims

請求の

1. 式（1— 1) で示される繰り返し単位からなるブロック（Α') 、及び又は式（1— 1) で示される繰り返し単位と式（I I) で示される繰り返し単位と

〔式中、 X X²及び X³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は— C (R⁷) =C (R⁸) —を表し、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷及び R⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表し、 m及び nは、同一であっても相異なっていてもよく、 2又は 3を表す。複数個ある R¹は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個ある R²は、同一であつても相異なっていてもよい。複数個ある R⁵は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個ある R⁶は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個ある X¹は、同一であっても相異なっていてもよい。複数個ある X³は、同一であっても相異なっていてもよい。〕

- (Ar¹) - (I I)

〔式中、 A r¹はァリーレン基を表す。〕

2. 式（1— 1) で示される繰り返し単位と式（I I) で示される繰り返し単位とを含むブロック（A) を有する請求項 1に記載の共重合体。

3. m及び nが、 2である請求項 1又は 2に記載の共重合体。

4· X X²及び X³が、硫黄原子である請求項 1〜3のいずれかに記載の共重合体。

5. A r ¹が、式（I V) で示される基である請求項 1〜4のいずれかに記載の共重合体。

〔式中、 R⁹及び R^{1 ()}は、同一であっても相異なっていてもよく、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ケリールアルケニル基、ァリールアルキ-ル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表し、 R^{1 1}及び R ^{1 2}は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、ァ

. ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリ一ルチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチォ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表し、 a及び bは、同一であっても相異なっていてもよく、 0〜 3の整数を表す。 R⁹が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。 R ^{1 Q}が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なっていてもよい。〕

6. ブロック（A) I さらに、式（I一 2) で示される繰り返し単位を 2種類。

〔式中、 Υ^ι、 Υ²及び Υ³は、同一であっても相異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子又は一 C (R'⁷) =C (R，⁸) —を表し、 R"、 R'²、 R'³、 R'⁴、 R'⁵、 R'⁶、 R'⁷及び R'⁸は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールアルケニル基、ァリールアルキニル基、 1 価の複素環基、複素環チォ基、アミノ基、シリル基、ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、カルボキシル基、シァノ基又はニトロ基を表す。〕

7. Υ Y²及び Y³が、硫黄原子である請求項 6に記載の共重合体。

8. さらに、式（I I) で示される繰り返し単位と式（I I I) で示される繰り返し単位とを含むブロック（B) を有する請求項 1〜7のいずれかに記載の共重合体。

- (Ar²) - (I I I)

〔式中、 A r ²は 2価の芳香族ァミン残基を表す。〕

9. A が、式（V— 1) で示される基、式（V— 2) で示される基又は式（ V-3) で示される基である請求項 8に記載の共重合体。

(式中、 A Γ².。及び A r ²¹は、同一であっても相異なっていてもよく、 3価の芳香族炭化水素基又は 3価の複素環基を表す。 Ar²²は、ァリール基又は 1価の複素環基を表す。 Z¹は、酸素原子、硫黄原子、 _C (R^Z1) =C (R^Z2) 一、一

C (R^Z3) (RZ⁴) —、 — N (R^Z5) ―、又は直接結合を表す。 R^z R^Z2、 R ^Z3、 R^Z4及び R^Z5は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲ）

(式中、 Ar²³は、 3価の芳香族炭化水素基又は 3価の複素環基を表す。 Ar²⁴ 及び A r ²⁵は、同一であっても相異なっていてもよく、ァリーレン基又は 2価の複素環基を表す。 Z²は、酸素原子、硫黄原子、一 C (R^Z6) =C (R²⁷) 一、 -C (R^Z8) (R^Z9) ―、 -N (R^Z1°) ―、又は直接結合を表す。 R^Z6、 R^Z7 、 R^Z8、 R^Z9及び R^Z1°は、同一であっても相異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ァリール基又は 1価の複素環基を表す。）

10. ブロック（B) 力 S、式（I I I) で示される繰り返し単位を 2種類以上含む請求項 8又は 9に記載の共重合体。

11. ポリスチレン換算の重量平均分子量が、 1 X 10³〜1 X 10⁷である請求項 1〜： I 0のいずれかに記載の共重合体。

12. 共重合体中の全繰り返し単位の合計を 100モル％とレた場合に、式（ I — 1) で示される繰り返し単位を 0. 5モル％以上、 40モル。 /₀以下有する請求項 1〜： L 1のいずれかに記載の共重合体。

13. ブロック（A) 又はブロック（Α') のポリスチレン換算の重量平均分子量力 1 X 10³〜1 X 10⁵である請求項 1〜1 2のいずれかに記載の共重合体。

14. 式（V I ) で示される値が、 0. 1以上、 10以下である請求項 8〜 13 のいずれかに記載の共重合体。

〔Α〕 Ζ 〔Β〕 (V I)

(式中、〔Α〕は共重合体に含まれるブロック（Α) の数及びブロック（Α') の数のうちの最大数を表し、〔Β〕は共重合体に含まれるブロック（Β) の数を表す。）

15. 式（V I I) で示される値が 0. 01以上、 0. 8以下である請求項 1〜 13のいずれかに記載の共重合体。

〔C〕 / CD] (V I I)

(式中、〔C〕はブロック（A) のポリスチレン換算の重量平均分子量及びプロック（Α') のポリスチレン換算の重量平均分子量のうちの最大値を表し、〔D 〕は共重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量を表す。）

16. 請求項 1〜 1 5のいずれかに記載の共重合体と、該共重合以外の、発光材料、正孔輸送材料及び電子輸送材料からなる群から選ばれる 1種以上の材料とを含有する組成物。

17. 請求項 1〜 1 5のいずれかに記載の共重合体を少なくとも 2種類含有する請求項 1 6に記載の組成物。

18. 請求項 1〜1 5のいずれかに記載の共重合体と溶媒とを含有する組成物。

19. 請求項 1〜 1 5のいずれかに記載の共重合体を含有する薄膜。

20. 請求項 1 6又は 1 7に記載の組成物を含む薄膜。

21. 発光性である請求項 1 9又は 2 0に記載の薄膜。

22. 導電性である請求項 1 9又は 2 0に記載の薄膜。

23. 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に請求項 1〜1 5のいずれかに記載の共重合体を含む有機層を有する高分子発光素子。

24. 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に請求項 1 6又は 1 7に記載の組成物を含む有機層を有する高分子発光素子。

25. 有機層が、発光層である請求項 2 3又は 2 4に記載の高分子発光素子。

26. 請求項 2 3〜2 5のいずれかに記載の高分子発光素子を用いた面状光源。

27. 請求項 2 3〜2 5のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとする液晶表示装置。

28. 請求項 2 3〜2 5のいずれかに記載の高分子発光素子を用いた照明。

29. 請求項 1〜 1 5のいずれかに記載の共重合体を含む活性層を有する有機トランジスタ。

30. 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた請求項 1〜1 5のいずれかに記載の共重合体を含む有機層とを有する光電変換素子。

31. Wi—A—W²で示される化合物のみを縮合重合させる力、 W¹— A— W²で示される化合物と W¹— A r ¹ _W²で示される化合物とを縮合重合させるか、 W¹ — A— W²で示される化合物と W¹— A r ¹一 W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及び

この第一の化合物と、縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを、縮合重合させることによりブロック（Α ' ) 及び/又はブロック（Α) を有する共重合体を合成する工程

を有する請求項 1〜 1 5のいずれかに記載の共重合体の製造方法。

(式中、一 Α _は式（1— 1 ) で示される繰り返し単位又は式（I—2 ) で示される繰り返し単位を表し、 A r ¹は前記と同じ意味を表し、 W¹及び W²は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。）

32. W¹— A—W²で示される化合物のみを縮合重合させる力、 W¹ _ A— W²で示される化合物と W¹— A t ¹—W²で示される化合物とを縮合重合させる力、、 W¹ 一 A—W²で示される化合物と W¹— A r ¹—W²で示される化合物及ぴ縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、及び

この第一の化合物と、 W¹— A r ¹ -W²で示される化合物及び W¹ _ A r ² _ W² で示される化合物とを縮合重合させるか、この第一の化合物と、 W¹— A r ¹— W ²で示される化合物、 W¹— A r ²— W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることによりブロック（Α ' ) 及び又はブロック（Α) とブロック（Β ) とを有する共重合体を合成する工程を有する請求項 8〜 1 5のいずれかに記載の共重合体の製造方法。

(式中、 — Α—は式（1— 1 ) で示される繰り返し単位又は式（1—2 ) で示される繰り返し単位を表し、 A r ¹及び A r ²は前記と同じ意味を表し、 W¹及び W² は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。 )

33. W¹ _ A _W²で示される化合物のみを縮合重合させる力 \ W¹— A—W²で示される化合物と W¹ - A r ¹ _W²で示される化合物とを縮合重合させる力、、 W¹ _ A _ W²で示される化合物と W¹— A r ¹— W²で示される化合物及び縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物を縮合重合させることにより第一の化合物を合成する工程、

W¹— A r ¹— W²で示される化合物と W¹— A r ²—W²で示される化合物とを縮合重合させるか、 W¹— A r ¹— W²で示される化合物と W¹— A r ²— W²で示される化合物と縮合重合に関与する 2個の置換基を有する化合物とを縮合重合させることにより第二の化合物を合成する工程、及び

の第一の化合物とこの第二の化合物とを縮合重合させることによりブロック (Α ' ) 及び又はブロック（Α) とブロック（Β ) とを有する共重合体を合成する工程

を有する請求項 8〜1 5のいずれかに記載の共重合体の製造方法。

(式中、 —Α—は式（1— 1 ) で示される繰り返し単位又は式（1—2 ) で示される繰り返し単位を表し、 A r ¹及ぴ A r ²は前記と同じ意味を表し、 W¹及び W² は、同一であっても相異なっていてもよく、縮合重合に関与する置換基を表す。 )