WO2009054467A1 - 半導体レーザジャイロ - Google Patents
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Abstract
本発明のジャイロは、環状の光軌道(23)を有する共振器を備え光軌道(23)を互いに逆方向に伝播するレーザ光L1およびL2を発生させるレーザ素子(20)と、レーザ光L1およびL2のそれぞれを光軌道23から引き出すための引き出し手段と、引き出されたレーザ光L1とレーザ光L2との周波数差を検出するための検出手段とを備える。共振器の光軌道(23)の部分には、光増幅を生じるアクティブ領域(21)と光増幅を生じないパッシブ領域(22)とが存在する。アクティブ領域(21)の活性層およびパッシブ領域(22)の光ガイド層は、それぞれ、下方のクラッド層と上方のクラッド層とに挟まれている。上方のクラッド層がリッジ状であり、下方のクラッド層が平面状に広がっている。そして、アクティブ領域の活性層と、パッシブ領域の光ガイド層とが、バット-ジョイント構造で結合されている。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007-277609 | 2007-10-25 | ||
JP2007-277610 | 2007-10-25 | ||
JP2007277609A JP2009103646A (ja) | 2007-10-25 | 2007-10-25 | 半導体レーザジャイロ |
JP2007277610A JP2009103647A (ja) | 2007-10-25 | 2007-10-25 | 半導体レーザジャイロ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2009054467A1 true WO2009054467A1 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=40579569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/069262 WO2009054467A1 (ja) | 2007-10-25 | 2008-10-23 | 半導体レーザジャイロ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO2009054467A1 (ja) |
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2008
- 2008-10-23 WO PCT/JP2008/069262 patent/WO2009054467A1/ja active Application Filing
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