WO2008038535A1 - Poudre composite de particules d'argent et son procédé de production - Google Patents

Poudre composite de particules d'argent et son procédé de production Download PDF

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WO2008038535A1
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Kozo Ogi
Yutaka Hisaeda
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Dowa Electronics Materials Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to fine silver particle powder (particularly having a particle size on the order of nanometers), more specifically, a wiring forming material for forming a fine circuit pattern such as a wiring forming material by an ink jet method, a vacuum forming material, Silver particle powder, silver particle powder dispersion liquid suitably used for film forming material that substitutes film formation by sputtering, which is a film process, and film formation material that substitutes film formation by wet, which is a wet process It relates to a silver fired film.
  • a wiring forming material for forming a fine circuit pattern such as a wiring forming material by an ink jet method, a vacuum forming material, Silver particle powder, silver particle powder dispersion liquid suitably used for film forming material that substitutes film formation by sputtering, which is a film process, and film formation material that substitutes film formation by wet, which is a wet process It relates to a silver fired film.
  • Conventional technology Conventional technology
  • the specific surface area becomes very large, so that the interface between gas and liquid becomes extremely large even though it is solid. Therefore, the properties of the surface greatly affect the properties of the solid material.
  • metal particle powder it is known that the melting point is drastically lower than that in the Balta state, which makes it possible to draw finer wiring than particles in the ⁇ order, and low temperature sintering. It has the advantage that it can be done.
  • silver particle powder has low resistance and high weather resistance, and the price of metal is cheap compared to other precious metals, so it is a next-generation wiring material with fine wiring width. Especially expected.
  • the thick film paste method is widely used as a method for forming electrodes and circuits of electronic components and the like.
  • a thick film paste is a material in which glass frit, inorganic oxide, etc. are dispersed in an organic vehicle in addition to metal powder. After this paste is formed into a predetermined pattern by printing or dipping, 500 ° C. Heat at a temperature of C or higher to burn off organic components and sinter the particles into conductors.
  • the adhesion between the wiring formed by the thick film paste method and the substrate is caused by the glass frit that has been softened and fluidized during the firing process wetting the substrate, and also in the sintered metal film that forms the wiring.
  • the oxide oxide and copper oxide on the alumina substrate form a reactive oxide with the substrate (chemical) Adhesion is also secured by bonding.
  • nano-sized particles can be sintered at low temperature.
  • silver nanoparticles can be sintered at 300 ° C or lower. If only the nanoparticle sintering is considered, firing can be performed at a temperature higher than 300 ° C. However, firing at a high temperature can be used due to the heat resistance of the substrate on which electrodes and circuits are formed.
  • the firing temperature is 300 ° C or lower, preferably 250 ° C or lower, more preferably 200 ° C or lower, and even more preferably 100 ° C or lower. Become advantageous.
  • the firing temperature is as low as 300 ° C or less, even if glass frit is added according to the conventional thick film paste method, the glass frit does not soften and flow, so the substrate is not wetted.
  • the problem of poor adhesion to the substrate arises.
  • adhesion on various substrates such as a glass substrate and a polyimide film substrate is inferior, an improvement in adhesion to a glass substrate or a polyimide film substrate is desired.
  • Patent Document 1 For adhesion to the substrate, a paste containing a metal fine particle dispersion in which metal fine particles are dispersed in an organic solvent and a silane coupling agent is applied onto a glass substrate and baked at a temperature of 250 to 300 ° C.
  • Patent Document 2 a method of using particles having an average particle size of 0.5 to 20 ⁇ m and an average particle size of 1 to 100 nm, dispersing them in a thermosetting resin, and taking close contact with the thermosetting resin
  • Patent Document 2 a method using a metal colloid having the lowest exothermic peak at 300 ° C or lower
  • Patent Document 3 a method using a metal colloid having the lowest exothermic peak at 300 ° C or lower
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-1 791 25
  • Patent Document 2 International Publication No. 02/035554 Pamphlet
  • Patent Document 3 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-1 76455 Problems to be solved by the invention
  • Patent Document 1 a paste containing a metal fine particle dispersion in which metal fine particles are dispersed in an organic solvent and a silane coupling agent is applied onto a glass substrate, and baked at a temperature of 250 to 30 ° C. As a result, it is said that it has excellent adhesion to a glass substrate, and a high-density, low-resistance metal thin film can be obtained.
  • an organic vehicle in which high molecular weight ethyl cellulose is dissolved is not added to the ink. Therefore, a temperature of 500 ° C. or higher is not particularly required during baking, and baking at 300 ° C. or lower is also possible.
  • a silane coupling agent is added to the ink, there is a problem in terms of changes in ink viscosity over time, and there is also a problem that it is difficult to establish conduction between the substrate and the wiring (metal thin film).
  • Patent Document 2 particles having an average particle size of 0.5 to 20 ⁇ and an average particle size of 1 to 100 nm are used in combination, and these are dispersed in a thermosetting resin and adhered with the thermosetting resin. It can be taken. Baking at 300 ° C or less is possible because adhesion is secured with a thermosetting resin. However, if an organic substance remains, an insulator layer is formed on the formed wiring, or the wiring is When placed in a vacuum atmosphere, there is a concern that the reliability of the circuit may decrease due to expansion of the dielectric layer due to desorption of organic components or environmental pollution of the vacuum atmosphere. In addition, since it contains a resin, it is difficult to reduce the viscosity of the paste.
  • Patent Document 3 states that a highly conductive and tough film can be obtained by heating at a low temperature by using a metal colloid having the lowest exothermic peak at 300 ° C. or lower.
  • the specific resistance after baking at 200 ° C is 1 ⁇ ⁇ cm or more, and there is a problem that the resistance is high when applied to wiring.
  • An object of the present invention is to solve such a problem, and without forming a silane force pulling agent or a thermosetting resin when forming an electrode or a circuit by using a silver particle powder dispersion, it is possible to achieve the above.
  • the purpose is to remarkably improve the adhesion to glass substrates and polyimide film substrates by low-temperature firing below ° C, and to obtain a fired film with low resistance suitable for wiring applications. In other words, it aims to achieve both improved adhesion and low resistance.
  • the silver particle powder dispersion here includes a high viscosity silver particle powder dispersion called a so-called paste.
  • an organic protective layer composed of an amine compound having a molecular weight of 100 to 1,000 having one or more unsaturated bonds in one molecule is provided on the surface of the silver particle, and TEM (transmission type) (Electron microscope) Average particle size measured by observation D Silver particle powder A having a TEM of 50 nm or less, fatty acid having a molecular weight of 100 to 1000, and amine compound having a molecular weight of 100 to 1000, and the fatty acid and amine compound At least one of the particles has an organic protective layer, which is a compound having one or more unsaturated bonds in one molecule, on the surface of the silver particles, and the average particle size D TEM is 50 nm or less.
  • An improved silver particle composite powder is provided.
  • This silver particle composite powder has an exothermic peak by differential thermal analysis in the range of 200-400 ° C and 400-600. (With a range of.
  • the average particle diameter DTEM measured by TEM observation is obtained by measuring the diameter of 300 independent particles that do not overlap from the image magnified 600,000 times observed by TEM and calculating the average value. It is done. The largest particle diameter (major axis) measured on the image is adopted as the particle diameter of each particle.
  • the present invention also provides a dispersion of silver particle composite powder obtained by dispersing the above-described silver particle composite powder in a nonpolar or small polar liquid organic medium having a boiling point of 60 to 300 ° C.
  • a dispersion of silver particle composite powder obtained by dispersing the above-described silver particle composite powder in a nonpolar or small polar liquid organic medium having a boiling point of 60 to 300 ° C.
  • a manufacturing method is provided for mixing so that Silver particle powder A has a heat generation peak by differential thermal analysis in the range of 400-600 ° C, and silver particle powder B has an exothermic peak by differential thermal analysis in the range of 200-400 ° C and 400 ° C. In a range of ⁇ 600 ° C.
  • the silver particle powder of the present invention can be obtained by subjecting the glass substrate to a low temperature firing at 300 ° C or lower.
  • a low-resistance silver fired film that has good adhesion to a polyimide film substrate and is suitable for wiring applications is realized.
  • silane coupling agent since it does not contain a silane coupling agent, it is possible to provide an ink with little problem of change with time, and since it does not contain a thermosetting resin, it can provide an ink with low viscosity.
  • the inventors of the present invention have so far conducted trials for producing silver particle powders by a liquid phase method, and in an alcohol having a boiling point of 85 to 150 ° C., silver nitrate has been converted to 85 to 150 ° C.
  • a method for producing silver particle powder that undergoes a reduction treatment in the presence of an organic protective agent composed of an amine compound having a molecular weight of 100 to 400 at a temperature of C, for example.
  • an organic protective agent composed of an amine compound having a molecular weight of 100 to 400 at a temperature of C, for example.
  • a silver compound typically silver carbonate or silver oxide
  • the inventors have formed a silver particle powder having a broad particle size distribution in which an organic protective layer of this “fatty acid” and “amine compound” is formed without using “fatty acid”.
  • an organic protective layer of this “fatty acid” and “amine compound” is formed without using “fatty acid”.
  • the silver particle composite powder of the present invention comprises silver particle powder A (hereinafter sometimes simply referred to as “powder A”) in which the organic protective layer is “amin compound”, and the organic protective layer is “fatty acid” and “ammine compound”. ”Silver particle powder B (hereinafter sometimes simply referred to as“ powder B ”). Both powders A and B have an average particle diameter measured by TEM observation of 50 nm. The following refined ones are used. Therefore, the DTEM of this silver particle composite powder is also less than 50 nm. More preferably, it is 30 nm or less, and more preferably 20 nm or less, particularly when used for inkjet.
  • the lower limit of the average particle size D TEM is not specified, but for example, particles with a diameter of 3 nm or more can be used.
  • the average particle diameter DTEM is the molar ratio of alcohol or polyol ZA ⁇ , the molar ratio of organic protective agent ZA g, the molar ratio of reducing auxiliary agent A g, and the temperature rise during the reduction reaction. It can be controlled by speed, stirring power, type of silver compound, type of alcohol or polyol, type of reduction trapping agent, type of organic protective agent, and the like. [Alcohol or polyol]
  • the silver particle powders A and B used in the present invention can be obtained by reducing the silver compound in one or more liquids of alcohol or polyol.
  • the alcohol or polyol functions as a medium and a reducing agent.
  • examples of such alcohols include propyl alcohol, n -butanol, isobutanol, sec-butinoleanoreconole, hexinoreanoreconole, heptinoreanoreconole, octylalconole, allyl alcohol, crotino Rareanolol, cyclopentanol, etc.
  • the polyol diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene dallicol and the like can be used. Of these, isobutanol and n-butanol are preferred.
  • the silver particles constituting the silver particle composite powder of the present invention are those whose surfaces are covered with an organic protective layer.
  • the organic protective layer is formed by allowing an organic protective agent to coexist in the reduction reaction in alcohol or polyol.
  • the structure of the organic protective layer differs between the silver particle powders A and B used as materials.
  • Silver particle powder In powder A an “amine compound” having at least one unsaturated bond is used as an organic protective agent.
  • silver particle powder B uses “fatty acid” and “amine compound” as organic protective agents, and at least one of them is composed of a substance having one or more unsaturated bonds.
  • the fatty acid used for the powder B and the amine compound used for the powders A and B substances having a molecular weight of 100 to 100 are employed.
  • the molecular weight is less than 100, a sufficient effect of suppressing the aggregation of particles cannot be obtained.
  • the molecular weight is too large, even when the aggregation suppressing power is high, when the silver particle composite powder dispersion is applied and fired, sintering between particles is hindered and the resistance of the wiring becomes high. Depending on the condition, it may lose conductivity. For this reason, it is necessary to use fatty acids and amine compounds having molecular weights of 100 or less. It is more preferable to use one having a molecular weight of 100 to 400.
  • Typical fatty acids that can be used in powder B include, for example, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, normitreic acid, and myristoleic acid. These may be used alone or in combination.
  • the amine compound used in the powders A and B it is preferable to use a primary amine. Examples of typical amine compounds include hexanolamine, hexylamine, 2-ethylhexylamine, dodecylamine, octylamine, laurylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, oleylamine, and octadecylamine. These may be used alone or in combination.
  • powder A and B can use the same type of amine compound or different types.
  • silver compounds such as various silver salts and silver oxides can be used as the raw material for silver.
  • silver chloride, silver nitrate, silver oxide, silver carbonate and the like can be mentioned, but it is desirable to use silver nitrate industrially.
  • a reduction scavenger can be used when the reduction reaction proceeds in the synthesis.
  • the molecular weight is 10 0 to 1 0 0 0
  • the amine compounds can be used. Among amine compounds, it is desirable to use a secondary or tertiary amine compound having a strong reducing power.
  • the reduction auxiliary agent has a low particle aggregation inhibiting effect when the molecular weight is less than 100, and the silver particle powder has a high aggregation inhibiting ability when the molecular weight exceeds 1000.
  • amine compounds that can be used in the present invention include diisopropyl pyramine, diethanolamine, diphenylamine, dioctylamine, triethylamine, triethanolamine, N, N-dibutylethanolamine. In particular, diethanolamine and triethanolamine are preferred.
  • non-polar or low-polar liquid organic medium having a boiling point of 60 to 300 ° C.
  • “non-polar or low polarity” means that the relative dielectric constant at 25 ° C. is 15 or less, more preferably 5 or less. When the relative dielectric constant exceeds 15, the dispersibility of the silver particles deteriorates and may settle, which is not preferable.
  • Various liquid organic media can be used depending on the intended use of the dispersion, but hydrocarbons can be preferably used.
  • Aliphatic hydrocarbons such as dodecane, tridecane, hexane, heptane, and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, decalin, and tetralin can be used.
  • These liquid organic media may be used alone or in combination of two or more, and may be a mixture such as kerosene.
  • polar organics such as alcohols, ketons, ethers, esters, etc. within a range where the relative dielectric constant of the mixed liquid organic medium at 25 ° C is 15 or less. Media may be added.
  • Silver particle powders A and B used in the present invention are either alcohol or polio. , ⁇ FTlinger.
  • the silver compound is synthesized by reduction treatment in the presence of an organic protective agent.
  • organic protective agent When synthesizing powder A, “amine compounds” are used as organic protective agents, and “fatty acids” are not used.
  • synthesizing powder B “fatty acid” and “amine compound” are used as the organic protective agent.
  • a range of 1 is more preferred.
  • the concentration of Agion in the liquid can be set to 5 O mm o 1 / L or more, for example, about 50 to 50 O mm o 1 / L. .
  • the reduction reaction is carried out under heating at 80 to 20 ° C., preferably 85 to 150 ° C. in the synthesis of both powders A and B. It may be carried out under reflux conditions in which evaporation and condensation of alcohol or polyol as a medium and reducing agent are repeated.
  • the above-mentioned reduction aid can be used.
  • the reduction aid should be added near the end of the reduction reaction, and the addition amount of the reduction aid should be in the range of 0.1 to 20 in terms of molar ratio to silver.
  • the silver nanoparticle suspension after the reaction (slurry immediately after the reaction) is subjected to, for example, steps such as washing, dispersion, and classification according to the procedure shown in the following examples, and then the silver particle powder used in the present invention is used. It can be a dispersion of A or B.
  • a silver particle composite powder of the present invention is obtained by preparing synthesized silver particle powders A and B (the synthesis method is not particularly defined, but for example, synthesized as described above) and mixing them.
  • the dispersion liquid of the silver particle composite powder of the present invention can be obtained by mixing and stirring the liquid organic medium in which they are dispersed.
  • A: B 2.5 ::! ⁇ 1: It may be specified in the range of 2: 2.5: 1 ⁇ 1: 1.
  • a thermal peak corresponding to the material of the organic protective layer can be observed by differential thermal analysis.
  • an exothermic peak corresponding to the amine compound is observed in the range of 400 to 600 ° C.
  • an exothermic peak corresponding to the amine compound is observed in the range of 400 to 600 ° C, and an exothermic peak corresponding to the fatty acid is 200 to 400 ° C. Observed in the range below C.
  • the silver particle composite powder of the present invention is a wiring forming material for forming a fine circuit pattern, for example, a wiring forming material by an ink jet method, or a film forming material that substitutes for film formation by the sputtering which is a vacuum film forming process. It is suitable as a film-forming material or the like that substitutes for film-forming by wet plating, which is a wet process.
  • the silver particle composite powder of the present invention can be used as a wiring forming material for LSI substrate wiring, FPD (flat panel display) electrodes, wiring applications, as well as for embedding fine trenches, via holes, and contact holes. Is preferred.
  • the dispersion liquid is not limited to the ink jet method, but can be applied to various coating methods such as spin coating, datebing, and blade coating, and can also be applied to screen printing.
  • a dispersion in which the silver particle composite powder of the present invention is dispersed is applied onto a substrate, and then fired to obtain a fired silver film. Firing is performed in an oxidizing atmosphere.
  • the oxidizing atmosphere is a non-reducing atmosphere, and includes a so-called atmospheric atmosphere at normal pressure, a reduced pressure atmosphere, or an atmosphere in which oxygen is slightly introduced into an inert gas atmosphere.
  • the firing temperature can be as low as 1 ° C. to 300 ° C. However, the minimum temperature at which silver sintering occurs varies somewhat depending on the average particle size DTEM and the state of the coating. In the case of a coating that does not sinter at 100 ° C, it is fired in the range of the lower limit temperature at which sintering occurs to 30 ° C.
  • the firing apparatus is not particularly limited as long as the above atmosphere and temperature can be realized.
  • a hot air circulation dryer, a benolet type firing furnace, an IR firing furnace, and the like can be exemplified.
  • the firing time it is desirable to hold the substrate on which the coating film is formed in the above temperature range for 10 minutes or more, and more preferably 60 minutes or more.
  • a magnet and a reducing agent, 64 g of isobutanol, are combined with 23 g of oleic acid, a fatty acid as an organic protective agent, 110 g of oleylamine, a primary amin compound, and 14 g of silver nitrate crystals as a silver compound.
  • the mixture was stirred with a stirrer to dissolve the silver nitrate.
  • This liquid is transferred to a container equipped with a refluxer and placed in an oil path. While nitrogen gas is blown into the container as an inert gas at a flow rate of 40 OmL / min, the liquid is lOOrpm with a magnetic stirrer.
  • the mixture was heated with stirring at a rotational speed and refluxed at a temperature of 108 ° C for 6 hours. In this case, the rate of temperature rise to 108 ° C was 2 ° C / min.
  • 25 mg of the silver particle dispersion was weighed into an alumina pan and measured from room temperature to 90 ° C at a heating rate of 10 ° CZ.
  • a TG-DTA 200 0 type measuring instrument manufactured by Mac Science Z Bruker Ax was used.
  • This dispersion is applied to a glass substrate by a spin coating method to form a coating film, and left at room temperature for 5 minutes. Then, the glass substrate having this coating film is heated to 200 ° C. Placed on top and held for 60 minutes, firing was carried out to obtain a fired silver film.
  • the obtained silver fired film was examined for adhesion to the substrate and volume resistance by the following methods.
  • volume resistance was calculated. The value was determined. As a result, the volume resistivity of the fired silver film of this example was found to be 4.5 ⁇ ⁇ cm. This volume resistance value is applied to the wiring of the substrate as a silver conductive film. It is evaluated that it has suitable low resistance characteristics.
  • the adhesion of the fired silver film of this example was 100 100, and the volume resistance value was 4.2 ⁇ ⁇ cm. As in Example 1, good adhesion and low resistance characteristics were confirmed.
  • the adhesion of the fired silver film of this example was 100/100, and the volume resistance value was 4.8 ⁇ ⁇ cm. As in Example 1, good adhesion and low resistance characteristics were confirmed.
  • Example 2 The experiment was performed under the same conditions as in Example 2 except that the baking apparatus was changed from a hot plate to a hot-air dryer and the baking temperature was 250 ° C.
  • the adhesion of the fired silver film of this example was 100 100, and the volume resistance value was 4.2 ⁇ ⁇ cm.
  • the adhesion and low resistance characteristics were confirmed.
  • Example 2 An experiment was performed under the same conditions as in Example 1 except that only the dispersion A obtained in Example 1 was used to form a silver fired film.
  • Example 2 An experiment was performed under the same conditions as in Example 1, except that only the dispersion B obtained in Example 1 was used to form a silver fired film.
  • the adhesion of the fired silver film of this example was good at 100/100, but the volume resistance value was 6.8 ⁇ ⁇ cm, which was inferior to that of the example.

Description

明 細 書 銀粒子複合粉末およびその製造法 技術分野
本発明は、 微細な （特に粒子径がナノメートルオーダーの） 銀粒子粉末、 詳 しくは、 微細な回路パターンを形成するための配線形成用材料例えばインクジ エツト法による配線形成用材料や、 真空成膜プロセスであるスパッタリングに よる成膜を代替する膜形成用材料、 および湿式プロセスであるめつきによる成 膜を代替する成膜材料等に好適に用いられる銀粒子粉末、 銀粒子粉末分散液お ょぴ銀焼成膜に関する。 従来技術
固体物質の大きさが n mオーダー （ナノメートルオーダー） になると比表面 積が非常に大きくなるために、 固体でありながら気体や液体の界面が極端に大 きくなる。 したがって、 その表面の特性が固体物質の性質を大きく左右する。 金属粒子粉末の場合は、 融点がバルタ状態のものに比べ劇的に低下することが 知られており、そのために μπιオーダーの粒子に比べて微細な配線の描画が可能 になり、 しかも低温焼結できるなどの利点を具備するようになる。 金属粒子粉 末の中でも銀粒子粉末は、 低抵抗でかつ高い耐候性をもち、 金属の価格も他の 貴金属と比較して安価であることから、 微細な配線幅をもつ次世代の配線材料 として特に期待されている。
電子部品などの電極や回路を形成するための方法として厚膜ペースト法が広 く用いられている。 厚膜ペーストは、 金属粉末に加えて、 ガラスフリット、 無 機酸化物等を有機ビヒクル中に分散させたものであり、 このペーストを印刷や ディッビングによって所定のパターンに形成した後、 5 0 0 °C以上の温度で加 熱して有機成分を焼き飛ばし、 粒子同士を焼結させて導体とする。 厚膜ペース ト法により形成される配線と基板との密着は、 焼成工程で軟化 ·流動したガラ スフリットが基板を濡らすことにより、 また、 配線を形成する金属の焼結膜中 にも軟化 '流動したガラスフリットが浸透すること （ガラスボンド） により、 さらには、 アルミナ基板上では、 酸化銅や酸化カドミウム等の無機酸化物が基 板と反応性酸化物を形成すること （ケミカルボンド） によっても、 密着が確保 される。
従来の厚膜ペーストで用いられるミクロンサイズの粒子と比較して、 ナノサ ィズの粒子は低温で焼結でき、 例えば銀のナノ粒子であれば 300°C以下での 焼結が可能である。 ナノ粒子の焼結のみについて考えれば、 300°Cより高い 温度で焼成を行うこともできるが、 高温での焼成では、 電極や回路の形成対象 となる基板の耐熱性による制約により、 使用可能な基板の種類が限定されるこ とに加えて、 低温焼結性というナノ粒子の特徴を生かせない点で不利である。 対象となる基板の種類を増やすためには、 焼成温度は 300°C以下、 好ましく は 250 °C以下、 より好ましくは 200 °C以下、 更に好ましくは 100 °C以下 と、 低温であればある程有利になる。
焼成温度が 300°C以下と低い場合には、 従来の厚膜ペースト法の手法に則 つてガラスフリットを添加しても、 ガラスフリットが軟化 ·流動しないために 基板を濡らすことがなく、 その結果、 基板に対する密着が劣るという問題が生 じる。 特にガラス基板やポリイミドフィルム基板を始めとする各種基板での密 着性が劣るため、 ガラス基板もしくはポリイミドフィルム基板等との密着性改 善が望まれる。
基板への密着に関しては、 有機溶剤に金属微粒子が分散された金属微粒子分 散液およびシランカツプリング剤を含むペーストをガラス基板上に塗布し、 2 50〜300°Cの温度で焼成する方法 （特許文献 1)、 平均粒子径 0.5〜20μ mと平均粒子径 1〜 100 n mの粒子を併用し、 これらを熱硬化性樹脂中に分 散させて、 熱硬化性樹脂で密着を取る方法 （特許文献 2)、 300°C以下に最低 の発熱ピークを有する金属コロイドを用いる方法 （特許文献 3) 等が提案され ている。
特許文献 1 ：特開 2004— 1 791 25号公報
特許文献 2 ：国際公開第 02/035554号パンフレツト
特許文献 3 ：特開 2003— 1 76455号公報 発明が解決しょうとする課題
特許文献 1では、 有機溶剤に金属微粒子が分散された金属微粒子分散液およ ぴシランカツプリング剤を含むペーストをガラス基板上に塗布し、 2 5 0〜3 0 o °cの温度で焼成することでガラス基板上への優れた密着性を示し、 かつ高 密度で低抵抗の金属薄膜を得られるとしている。 この方法では、 高分子量のェ チルセルロース等を溶解した有機ビヒクルをインクに添カ卩していない。 よって、 焼成時に 5 0 0 °C以上の温度が特に必要はなく、 3 0 0 °C以下での焼成も可能 である。 しかし、 シランカップリング剤をインク中に添加するため、 インク粘 度の経時変化の点で問題があり、 基板と配線 （金属薄膜） の間で導通を取りに くいという問題もある。
特許文献 2では、平均粒子径 0 . 5〜 2 0 μπιと平均粒子径 1〜 1 0 0 n mの粒 子を併用し、 これらを熱硬化性樹脂中に分散させて、 熱硬化性樹脂で密着を取 ることができるとしている。 熱硬化性樹脂で密着性を確保しているため 3 0 0 °C以下での焼成が可能であるが、 有機物が残存すると、 形成した配線上に誘 電体層を形成した場合や、 配線が真空雰囲気中に置かれた場合には、 有機成分 の脱離による誘電体層の膨れや真空雰囲気の環境汚染などに起因する回路の信 頼性低下が懸念される。 また、 樹脂を含むため、 ペーストの低粘度化が困難で あるという問題がある。
特許文献 3では、 3 0 0 °C以下に最低の発熱ピークを有する金属コロイドを 用いることで、 低温で加熱して高導電性かつ強靭な皮膜を得ることができると している。 しかし、 2 0 0 °C焼成での比抵抗は 1 Ο μΩ · c m以上であり、 配線 に適用するには抵抗が高いという問題がある。
本発明はこのような問題を解決することを課題としたものであり、 銀粒子粉 末分散液による電極や回路の形成に際して、 シラン力ップリング剤や熱硬化性 樹脂を加えることなく、 3 0 0 °C以下の低温焼成で、 ガラス基板やポリイミド フィルム基板等に対する密着性を顕著に改善すること、 および配線用途にも適 した抵抗の低い焼成膜を得ることを目的とする。 すなわち密着'性向上と低抵抗 化の両立を図ろうというものである。 なお、 ここでいう銀粒子粉末分散液は、 いわゆるペーストと呼ばれる高粘度の銀粒子粉末分散液を含む。 課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、 本発明では、 1分子中に 1個以上の不飽和結合 を有する分子量 100〜 1 000のアミン化合物からなる有機保護層を銀粒子 表面に有し、 TEM (透過型電子顕微鏡） 観察により測定される平均粒子径 D TEMが 50 n m以下である銀粒子粉末 Aと、分子量 100〜 1000の脂肪酸お ょぴ分子量 100〜1000のァミン化合物からなり、 前記脂肪酸およびアミ ン化合物の少なくとも一方は 1分子中に 1個以上の不飽和結合を有する化合物 である有機保護層を銀粒子表面に有し、平均粒子径 DTEMが 50 nm以下である 銀粒子粉末 Bと、 が混合された銀粒子複合粉末が提供される。 銀粒子粉末 Aと 銀粒子粉末 Bの配合割合は、 銀の質量比で例えば A： B = 3 ： 1〜1 ： 3の範 囲である。 この銀粒子複合粉末は、 示差熱分析による発熱ピークを 200〜4 00 °C未満の範囲と 400〜 600。(の範囲とに有する。
ここで、 TEM観察により測定される平均粒子径 DTEMは、 TEMにより観察 される 60万倍に拡大した画像から重なっていない独立した粒子 300個の径 を測定して平均値を算出することにより求められる。 各粒子の粒子径は、 画像 上で測定される最も大きい径 （長径） を採用する。
また本発明では、 上記の銀粒子複合粉末を、 沸点が 60〜300°Cの非極性 もしくは極性の小さい液状有機媒体に分散させてなる銀粒子複合粉末の分散液 が提供される。 この分散液を基板上に塗布して塗膜を形成し、 その後、 前記塗 膜を焼成することにより、 基板との密着性が良く、 配線用途に適した低抵抗の 銀焼成膜が実現される。 その際の焼成は、 酸化雰囲気中、 300°C以下で、 且 つ銀の焼結が生じる温度域で実施できる。
このような銀粒子複合粉末の製造法として、 上記の銀粒子粉末 Aと銀粒子粉 末 Bを、 それらの配合割合が、 銀の質量比で A： B=3 ： 1〜1 ： 3の範囲と なるように混合する製造法が提供される。 銀粒子粉末 Aは示差熱分析による発 熱ピークを 400〜 600°Cの範囲に有するものであり、 前記銀粒子粉末 Bは 示差熱分析による発熱ピークを 200〜4 00°C未満の範囲と 400〜6 0 0 °Cの範囲とに有するものである。
本発明の銀粒子粉末は、 300°C以下の低温焼成によって、 ガラス基板ゃポ リイミ ドフィルム基板等に対する良好な密着性を有し、 かつ配線用途に適した 低抵抗の銀焼成膜が実現される。 また、 シランカップリング剤を含有しないた め、 経時変化の問題の少ないインクが提供可能であり、 熱硬化性樹脂を含有し ないため粘度の低!/、インクが提供可能である。 発明の好ましい態様
本発明者らはこれまでに、 液相法で銀の粒子粉末を製造する試験を重ね、 沸 点が 8 5〜1 5 0 °Cのアルコール中で、 硝酸銀を、 8 5〜1 5 0 °Cの温度で例 えば分子量 1 0 0〜4 0 0のァミン化合物からなる有機保護剤の共存下で還元 処理する銀粒子粉末の製造法を開発した。 また、 沸点が 8 5 °C以上のアルコー ルまたはポリオール中で、 銀化合物 （代表的には炭酸銀または酸化銀） を、 8 5 °C以上の温度で例えば分子量 1 0 0〜4 0 0の脂肪酸からなる有機保護剤の 共存下で還元処理する銀粒子粉末の製造法を開発した。 これらの手法によると、 非常に分散性の良い銀ナノ粒子の粉末が得られる。
しかし、 これらの方法で得られた銀粒子粉末の分散液を基板上に塗布して塗 膜を形成し、 その後、 前記塗膜を焼成することにより銀焼成膜を得た場合、 基 板に対する密着性が必ずしも十分であるとは言えないことがわかってきた。 そ こで種々検討の結果、 上記のような還元処理によって銀粒子を合成する際、 有 機保護剤として 「脂肪酸」 と 「ァミン化合物」 を複合添加したとき、 合成され る銀粒子の粒度分布をブロードなものにすることができ、 そのような銀粒子粉 末をフイラ一に使用した銀焼成膜では、 基板との密着性が顕著に改善されるこ とが確認された。 ところが、 この場合、 得られた銀焼成 S臭の電気抵抗があまり 低いとは言えず、 配線用途ではさらに低抵抗化の技術開発が望まれた。
発明者らはさらに研究を進めた結果、 この 「脂肪酸」 と 「ァミン化合物」 の 有機保護層を形成させたブロードな粒度分布を有する銀粒子粉末を、 「脂肪酸」 を用いないで形成させた 「ァミン化合物」 の有機保護層をもつ銀粒子粉末と共 に使用したとき、 優れた密着性が維持されるとともに、 抵抗に関しても大幅に 改善されることが明らかなつた。
以下、 本発明を特定するための事項について説明する。 〔平均粒子径 DTEM〕
本発明の銀粒子複合粉末は、 有機保護層が 「ァミン化合物」 である銀粒子粉 末 A (以下単に 「粉末 A」 ということがある） と、 有機保護層が 「脂肪酸」 お よび 「ァミン化合物」 である銀粒子粉末 B (以下単に 「粉末 B」 ということが ある） が混合されてなるものであるが、 粉末 A、 Bとも、 T E M観察により測 定される平均粒子径 DTEMは 5 0 n m以下に微細化されたものを使用する。 した がって、 この銀粒子複合粉末の DTEMも 5 0 n m以下である。 3 0 n m以下であ ることがより好ましく、 特にインクジェット用に使用する場合は、 2 0 n m以 下であることが一層好ましレ、。平均粒子径 DTEMの下限については特に規定して いないが、 例えば 3 n m以上のものが採用できる。 銀粒子粉末 A、 Bそれぞれ の製造において、平均粒子径 DTEMはアルコールまたはポリオール Z A §のモル 比、 有機保護剤 ZA gのモル比、 還元補助剤ノ A gのモル比、 還元反応時の昇 温速度、 撹拌力、 銀化合物の種類、 アルコールまたはポリオールの種類、 還元 捕助剤の種類、 有機保護剤の種類等によりコントロールすることができる。 〔アルコールまたはポリオール〕
本発明で使用する銀粒子粉末 A、 Bは、 いずれもアルコールまたはポリオ一 ルの 1種または 2種以上の液中で銀化合物を還元することによって得られる。 アルコールまたはポリオールは、 媒体およぴ還元剤として機能する。 このよう なアルコールとしては、 プロピルアルコール、 n—ブタノール、 イソブタノー ノレ、 s e cーブチノレアノレコーノレ、 へキシノレアノレコーノレ、 ヘプチノレアノレコーノレ、 ォクチルアルコーノレ、 ァリルアルコール、 クロチノレアノレコール、 シクロペンタ ノール等が使用できる。 またポリオールとしては、 ジエチレングリコール、 ト リエチレングリコール、 テトラエチレンダリコール等が使用できる。 中でもィ ソブタノール、 n—ブタノールが好適である。
〔有機保護層および有機保護剤〕
本発明の銀粒子複合粉末を構成する銀粒子は、 表面が有機保護層で覆われた ものである。 その有機保護層は、 アルコールまたはポリオール中での還元反応 に際し、 有機保護剤を共存させることによって形成される。 ただし、 有機保護 層の構成は、 素材として用いる銀粒子粉末 Aと Bとで異なっている。 銀粒子粉 末 Aでは、 有機保護剤として不飽和結合を 1個以上有する 「ァミン化合物」 を 使用する。 一方、 銀粒子粉末 Bでは、 有機保護剤として 「脂肪酸」 と 「ァミン 化合物」 を使用し、 こらのうち少なくとも一方は不飽和結合を 1個以上有する 物質で構成する。
粉末 Bに使用する脂肪酸、 および粉末 A、 Bに使用するァミン化合物は、 い ずれも分子量が 1 0 0〜1 0 0 0である物質を採用する。 分子量が 1 0 0未満 のものでは粒子の凝集抑制効果が十分に得られない。 一方、 分子量が大きすぎ ると、 凝集抑制力は高くても銀粒子複合粉末の分散液を塗布して焼成するとき に粒子間の焼結が阻害されて配線の抵抗が高くなってしまい、 場合によっては、 導電性をもたなくなることもある。 このため、 脂肪酸、 ァミン化合物とも分子 量 1 0 0 0以下のものを使用する必要がある。 分子量 1 0 0〜4 0 0のものを 使用することがより好ましい。
粉末 Bに使用できる代表的な脂肪酸として、例えばォレイン酸、 リノール酸、 リノレン酸、 ノ ルミ トレイン酸、 ミ リス トレイン酸が挙げられる。 これらは単 独で使用してもよく、 複合して使用しても構わない。 また、 粉末 A、 Bに使用 するアミン化合物としては第 1級ァミンを使用することが好ましい。 代表的な ァミン化合物として、 例えばへキサノールァミン、 へキシルァミン、 2—ェチ ルへキシルァミン、 ドデシルァミン、 ォクチルァミン、 ラウリルァミン、 テト ラデシルァミン、 へキサデシルァミン、 ォレイルァミン、 ォクタデシルァミン が挙げられる。 これらについても、 単独で使用してもよく、 複合して使用して も構わない。 また、 粉末 Aと Bとで、 同じ種類のァミン化合物を使用してもよ いし、 異なる種類としてもよレ、。
〔銀化合物〕
粉末 A、 Bとも、 銀の原料としては、 各種銀塩や銀酸化物等の銀化合物が使 用できる。 例えば塩化銀、 硝酸銀、 酸化銀、 炭酸銀等が挙げられるが、 工業的 には硝酸銀を使用することが望ましい。
〔還元補助剤〕
粉末 A、 Bとも、 その合成において還元反応を進行させるに際しては、 還元 捕助剤を使用することができる。 還元補助剤としては分子量 1 0 0〜 1 0 0 0 のァミン化合物を使用することができる。 アミン化合物の中でも還元力の強い 第 2級または第 3級のアミン化合物を使用することが望ましい。 還元補助剤に ついても有機保護剤と同様、 分子量が 1 0 0未満では粒子の凝集抑制効果が低 く、 また、 分子量が 1 0 0 0を超えるものでは凝集抑制力は高くても銀粒子粉 末の分散液を塗布して焼成するときに粒子間の焼結を阻害して配線の抵抗が高 くなつてしまレ、、 場合によっては、 導電性をもたなくなることもあるので、 こ れらは適さない。 本発明で使用できる代表的なァミン化合物として、 ジイソプ 口ピルァミン、 ジエタノールァミン、 ジフエニルァミン、 ジォクチルァミン、 トリェチルァミン、 トリエタノールァミン、 N、 N—ジブチルエタノールアミ ンを例示できる。 特に、 ジエタノールァミン、 トリエタノールァミンが好適で ある。
〔液状有機媒体〕
還元により合成された銀粒子粉末 Aまたは Bを分散させた分散液を作るため に、 本発明では、 沸点が 6 0〜 3 0 0 °Cの非極性もしくは極性の小さい液状有 機媒体を用いる。 ここで、 「非極性もしくは極性の小さい」 というのは 2 5 °Cで の比誘電率が 1 5以下であることを指し、 より好ましく 5以下である。 比誘電 率が 1 5を超える場合、 銀粒子の分散性が悪化し沈降することがあり、 好まし くない。 分散液の用途に応じて各種の液状有機媒体が使用できるが、 炭化水素 系が好適に使用でき、 とくに、 イソオクタン、 n—デカン、 イソドデカン、 ィ ソへキサン、 n—ゥンデカン、 n—テトラデカン、 n—ドデカン、 トリデカン、 へキサン、 ヘプタン等の脂肪族炭化水素、 ベンゼン、 トルエン、 キシレン、 ェ チルベンゼン、 デカリン、 テトラリン等の芳香族炭化水素等が使用できる。 こ れらの液状有機媒体は 1種類または 2種類以上を使用することができ、 ケロシ ンのような混合物であっても良い。 更に、 極性を調整するために、 混合後の液 状有機媒体の 2 5 °Cでの比誘電率が 1 5以下となる範囲でアルコール系、 ケト ン系、 エーテル系、 エステル系等の極性有機媒体を添カ卩しても良い。
次に本発明の銀粒子粉末の製造法を説明する。
〔銀粒子粉末 A、 Bの合成〕
本発明で使用する銀粒子粉末 A、 Bは、 いずれも、 アルコールまたはポリオ , Λ FT„
ール中で、 銀化合物を、 有機保護剤の共存下で還元処理することによって合成 される。粉末 Aを合成する際には、有機保護剤に「ァミン化合物」を使用し、 「脂 肪酸」 は使用しない。 粉末 Bを合成する際には、 有機保護剤に 「脂肪酸」 と 「ァ ミン化合物」を使用するが、その配合割合は、例えばモル比において、 [脂肪酸]：
[ァミン化合物] = 0 . 0 2 ： 1〜 1 ： 1の範囲とすればよく、 0. 1 ： ：！〜 1 ：
1の範囲がより好ましい。 粉末 A、 Bいずれの合成に際しても、 液中の A gィ オン濃度は 5 O mm o 1 / L以上とすることができ、 例えば 5 0〜5 0 O mm o 1 / L程度とすればよい。
還元反応は、 粉末 A、 Bいずれの合成に際しても 8 0〜2 0 0 °C、 好ましく は 8 5〜1 5 0 °Cの加熱下で行わせる。 媒体兼還元剤であるアルコールまたは ポリオールの蒸発と凝縮を繰り返す還流条件下で実施するとよい。 還元を効率 的に行うために上記の還元補助剤を使用することができる。 種々検討の結果、 還元補助剤は還元反応の終了近くで添加するのがよく、 還元補助剤の添加量は 銀に対するモル比で 0 . 1〜 2 0の範囲とするのがよい。
反応後の銀ナノ粒子の懸濁液 （反応直後のスラリー） は、 例えば、 後述の実 施例に示すような手順で洗浄 ·分散 ·分級等の工程を経て、 本発明に使用する 銀粒子粉末 Aまたは Bの分散液とすることができる。
〔混合〕
合成された銀粒子粉末 Aおよび B (合成方法は特に規定されないが、 例えば 上記のようにして合成されたもの） を用意し、 これらを混合することにより本 発明の銀粒子複合粉末が得られる。 上記の方法で合成された粉末 A、 Bを使用 する場合、 それらが分散している液状有機媒体を混合 ·撹拌することで、 本発 明の銀粒子複合粉末の分散液が得られる。 銀粒子粉末 Aと銀粒子粉末 Bの配合 割合は、 銀の質量比で例えば A： B = 3 ： ：！〜 1 ： 3の範囲とすることができ る。 A : B = 2. 5 ： ：!〜 1 ： 2の範囲に規定してもよく、 2 . 5 ： 1〜1 ： 1 .
5に規定することもできる。
粉末 Aの割合が少なすぎると抵抗の低い銀焼成膜が得られにくく、 粉末 Bの 割合が少なすぎると密着性の良い銀焼成膜が得られにくい。 このような実験結 果から、 粉末 Aは銀焼成膜の低抵抗化をもたらす作用を有すると考えられる。 そのメカニズムは未解明であるが、 再現性のある低抵抗化作用が確かめられて いる。 一方、 粉末 Βは銀焼成膜の基板に対する密着性を改善する作用を有する と考えられる。
〔示差熱分析による発熱ピーク〕
銀粒子粉末 Α、 Βとも、 示差熱分析によって有機保護層の物質に対応した発 熱ピークを観測することができる。 銀粒子粉末 Αの場合、 ァミン化合物に対応 した発熱ピークが 4 0 0〜 6 0 0 °Cの範囲に観測される。 銀粒子粉末 Bの場合 は、 ァミン化合物に対応した発熱ピークが 4 0 0〜6 0 0 °Cの範囲に観測され ることに加え、 脂肪酸に対応した発熱ピークが 2 0 0〜 4 0 0 °C未満の範囲に 観測される。
〔本発明の銀粒子複合粉末の用途〕
本発明の銀粒子複合粉末は、 微細な回路パターンを形成するための配線形成 用材料例えばインクジエツト法による配線形成用材料や、 真空成膜プロセスで あるスノ ッタリングによる成膜を代替する膜形成用材料、 および湿式プロセス であるめつきによる成膜を代替する成膜材料等にとして好適である。 また本発 明の銀粒子複合粉末は L S I基板の配線や F P D (フラットパネルデイスプレ ィ） の電極、 配線用途、 さらには微細なトレンチ、 ビアホール、 コンタクトホ ールの埋め込み等の配線形成材料としても好適である。 低温焼成が可能である ことからフレキシブルなフィルム上への電極形成材料として適用でき、 エレク トロュクス実装においては接合材として用いることもできる。 導電性皮膜とし て電磁波シールド膜や、 透明導電膜等の分野での光学特性を利用した赤外線反 射シールド等にも適用できる。 低温焼結性と導電性を利用して、 ガラス基板上 へ印刷 *焼成し、 自動車ウィンドウの防曇用熱線等にも好適である。 一方、 分 散液としては、 インクジェット法に限らず、 スピンコート、 デイツビング、 ブ レードコート等各種塗布方法に適用可能で、 スクリーン印刷等にも適用可能で ある。
〔焼成〕
本発明の銀粒子複合粉末が分散した分散液を基板上に塗布し、 その後、 焼成 することによって銀焼成膜が得られる。 焼成は、 酸化雰囲気中で行う。 ここで いう酸化雰囲気は、 非還元性の雰囲気であり、 常圧のいわゆる大気雰囲気や、 減圧雰囲気、 あるいは不活性ガス雰囲気にわずかに酸素を導入した雰囲気も含 む。 焼成温度は 1 ◦ 0〜 3 0 0 °Cといった低温とすることができる。 ただし、 平均粒子径 DTEMや、塗膜の状態によって、銀の焼結が起きる下限温度は多少変 動する。 1 0 0 °Cで焼結が生じない塗膜の場合は、 焼結が生じる下限温度〜 3 0 o°cの範囲で焼成する。
焼成装置は、 上記雰囲気、 および温度が実現できるものであれば特に限定さ れない。 例えば、 熱風循環式乾燥器、 ベノレト式焼成炉、 I R焼成炉などが例示 できる。 フィルム基板 （例えばポリイミドフィルム基板） 上に配線や電極を形 成する場合、 生産性を考慮すると、 バッチ式でなく、 大量生産に向くロールツ 一ロール方式に対応した連続焼成が可能な装置を用いることが好ましい。 焼成 時間は、 塗膜を形成した基板を上記温度域に 1 0分以上保持することが望まし く、 6 0分以上保持することがより好ましい。 実施例
[実施例 1 ]
〔銀粒子粉末 Aの合成〕
媒体兼還元剤であるィソブタノール 6 4 gに、 有機保護剤として第 1級アミ ン化合物であるォレイルァミン 1 7 6 g、 銀化合物として硝酸銀結晶 2 2 gと を添加し、 マグネットスターラーにて撹拌して硝酸銀を溶解させた。 この液を 還流器のついた容器に移してオイルバスに載せ、 容器内に不活性ガスとして窒 素ガスを 4 0 O m L /m i nの流量で吹込みながら、 該液をマグネットスター ラーにより 1 0 0 r p mの回転速度で撹拌しつつ加熱し、 1 0 8 °Cの温度で 5 時間還流を行った。 その際 1 0 8 °Cに至るまでの昇温速度は 2 °C/m i nとし 十 /'
反応終了後のスラリーについて、 以下の手順で洗浄、 分散および分級の工程 を実施した。
〔洗浄工程〕
[ 1 ] 反応後のスラリー 4 O m Lを、 遠心分離器 （日立ェ機株式会社製の C F 7D2) を用いて 3000 r pmで 30分固液分離し、 上澄みを廃棄する。
[2] 沈殿物に極性の大きいメタノール 4 OmLを加えて超音波分散機で分散 させる。
[3] 前記の [1] → [2] を 3回繰り返す。
[4] 前記の [1] を実施して上澄みを廃棄し、 沈殿物を得る。
〔分散工程〕
[1] 前記の洗浄工程を経た沈殿物に極性の小さいテトラデカン 4 OmL添加 する。
[2] 次いで超音波分散機にかける。
〔分級工程〕
[1] 分散工程を経た銀粒子とテトラデカン 4 OmLの混合物を前記と同様の 遠心分離器を用いて 3000 r pmで 30分間固液分離する。
[2] 上澄み液を回収する。
この上澄み液が銀粒子粉末 Aの分散液である。 これを 「分散液 A」 と呼ぶ。 〔銀粒子粉末 Bの合成〕
媒体兼還元剤であるィソブタノール 64 gに、 有機保護剤として脂肪酸であ るォレイン酸 23 gと第 1級ァミン化合物であるォレイルァミン 110 g、 銀 化合物として硝酸銀結晶 14 gとを添カ卩し、 マグネットスターラーにて撹拌し て硝酸銀を溶解させた。 この液を還流器のついた容器に移してオイルパスに載 せ、 容器內に不活性ガスとして窒素ガスを 40 OmL/m i nの流量で吹込み ながら、 該液をマグネットスターラーにより l O O r pmの回転速度で撹拌し つつ加熱し、 108 °Cの温度で 6時間還流を行った。 その際 108°Cに至るま での昇温速度は 2°C/m i nとした。
反応終了後のスラリーについて、 上記と同様の手順で洗浄、 分散および分級 の工程を実施した。 分級工程の [2] を終了して得られた上澄み液が銀粒子粉 末 Bの分散液である。 これを 「分散液 B」 と呼ぶ。
以上のようにして得られた銀粒子粉末 Aおよび Bについて、 前述の方法で T EM観察により平均粒子径 DT画を求め、 また、 下記の方法で示差熱分析により 発熱ピークを測定した。. 〔示差熱分析〕
銀粒子分散液を 2 5 m g、 アルミナパンに秤量し、 昇温速度 1 0 °CZ分で室 温から 9 0 0°Cまで測定した。 測定には TG— DTA 2 0 0 0型測定器 （マツ クサイエンス Zブルカーエイエックス社製） を用いた。
その結果、 銀粒子粉末 Aは、平均粒子径 DTEM= 8.411 mであり、示差熱分析 による発熱ピークは 4 6 5 °Cに観測された。 また、 銀粒子粉末 Bは、 平均粒子 径 DTEM= 3.7 nmであり、示差熱分析による発熱ピークは 1 7 1 °C、 2 8 2°C、 および 44 1 °Cに観測された。
次に、 上記の手順で得られた分散液 Aと、 分散液 Bを、 銀の質量比で A： B = 3 ： 2の割合で混合し、 撹拌することにより、 本例の銀粒子複合粉末を含む 分散液を得た。 この分散液をガラス基板にスピンコート法で塗布して塗膜を形 成し、 室温にて 5分放置した後、 この塗膜を有するガラス基板を 2 0 0°Cに調 整したホットプレートの上に置き、 そのまま 6 0分保持することにより焼成を 行い、 銀焼成膜を得た。
得られた銀焼成膜について、 以下の方法で基板との密着性、 および体積抵抗 を調べた。
〔密着性試験〕
銀焼成膜上に、カッターにより 1 mm角の升目を 1 0 0個作製し、その上に、 粘着力が幅 2 5 mmあたり約 8 Nのセロハン粘着テープ （J I S Z 15 2 2) を圧着したあと剥離させ、 残存する升目の数を数えた。 100個の升目が全て 残存している場合を最も密着性が良好であるとして 100Z100と表示し、 100個の升目が全て剥離している場合を最も密着性が不良であるとして 0Z 1 0 0と表示する密着性評価法において、 本例の銀焼成膜の密着性は 10 0 100であり、 良好であった。
〔体積抵抗値〕
表面抵抗測定装置 （三菱化学製 L o r e s t a HP) により測定された表面 抵抗と、 蛍光 X線膜厚測定器 (S I I社製 S F T 9 2 0 0) で得られた膜厚か ら、 計算により体積抵抗値を求めた。 その結果、 本例の銀焼成膜の体積抵抗値 は 4.5μΩ · cmと求まった。 この体積抵抗値は、 銀導電膜として基板の配線に 適した低抵抗特性を有していると評価されるものである。
[実施例 2]
実施例 1と同じ分散液 Aと分散液 Bを使用し、 その混合比を銀の質量比で A： B=l ： 1としたこと以外、 実施例 1と同条件で実験を行った。
その結果、 本例の銀焼成膜の密着性は 100 100であり、 また、 体積抵 抗値は 4.2μΩ· cmであった。 実施例 1と同様、 良好な密着性と低抵抗特性が 確認された。
[実施例 3]
実施例 1と同じ分散液 Aと分散液 Bを使用し、 その混合比を銀の質量比で A ·· B=2 ： 1としたこと以外、 実施例 1と同条件で実験を行った。
その結果、 本例の銀焼成膜の密着性は 100/100であり、 また、 体積抵 抗値は 4.8μΩ· cmであった。 実施例 1と同様、 良好な密着性と低抵抗特性が 確認された。
[実施例 4]
焼成装置をホットプレートから熱風式乾燥機に変更し、 焼成温度を 250°C としたこと以外、 実施例 2と同条件で実験を行った。
その結果、 本例の銀焼成膜の密着性は 100 100であり、 また、 体積抵 抗値は 4.2μΩ· cmであった。 実施例 2と同様、 良好な密着性と低抵抗特性が 確認された。
[比較例 1]
実施例 1で得られた分散液 Aのみを使用して銀焼成膜を形成したこと以外、 実施例 1と同条件で実験を行った。
その結果、本例の銀焼成膜の体積抵抗値は 2.4 μΩ· cmと良好であったもの の、 密着性が 0ノ 100と悪かった。 [比較例 2]
実施例 1で得られた分散液 Bのみを使用して銀焼成膜を形成したこと以外、 実施例 1と同条件で実験を行った。
その結果、 本例の銀焼成膜の密着性は 1 0 0 / 1 0 0と良好であつたが、 体 積抵抗値が 6 . 8 μΩ · c mと実施例のものより劣つた。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 1分子中に 1個以上の不飽和結合を有する分子量 1 0 0〜 1 0 0 0のアミ ン化合物からなる有機保護層を銀粒子表面に有し、 T EM観察により測定され る平均粒子径 DTEM力 S 5 011 m以下である銀粒子粉末 Aと、分子量 1 0 0〜 1 0 0 0の脂肪酸および分子量 1 0 0〜 1 0 0 0のアミン化合物からなり、 前記脂 肪酸おょぴァミン化合物の少なくとも一方は 1分子中に 1個以上の不飽和結合 を有する化合物である有機保護層を銀粒子表面に有し、平均粒子径 DTEMが 5 0 n m以下である銀粒子粉末 Bが混合された銀粒子複合粉末。
2. 銀粒子粉末 Aと銀粒子粉末 Bの配合割合が、銀の質量比で A： B = 3： 1〜 1 ： 3の範囲である請求項 1に記載の銀粒子複合粉末。
3. 示差熱分析による発熱ピークを 2 0 0〜4 0 0°C未満の範囲と 4 0 0〜6 0 0 °cの範囲とに有する銀粒子複合粉末。
4. 請求項 1〜 3のいずれかに記載の銀粒子複合粉末を、沸点が 6 0〜 3 0 0 °C の非極性もしくは極性の小さい液状有機媒体に分散させてなる銀粒子複合粉末 の分散液。
5. 1分子中に 1個以上の不飽和結合を有する分子量 100〜 1 000のアミ ン化合物からなる有機保護層を銀粒子表面に有し、 T E M観察により測定され る平均粒子径 DTEMが 5 0 n m以下である銀粒子粉末 Aと、分子量 1 0 0〜 1 0 0 0の脂肪酸および分子量 1 0 0〜 1 0 0 0のアミン化合物からなり、 前記脂 肪酸おょぴァミン化合物の少なくとも一方は 1分子中に 1個以上の不飽和結合 を有する化合物である有機保護層を銀粒子表面に有し、平均粒子径 DTEMが 5 0 n m以下である銀粒子粉末 Bを、 銀粒子粉末 Aと銀粒子粉末 Bの配合割合が、 銀の質量比で A： B= 3 ： 1〜1 ： 3の範囲となるように混合する、 銀粒子複 合粉末の製造法。
6. 前記銀粒子粉末 Aは示差熱分析による発熱ピークを 4 0 0〜6 0 0 °Cの範 囲に有するものであり、 前記銀粒子粉末 Bは示差熱分析による発熱ピークを 2 0 0〜4 0 0 °C未満の範囲と 4 0 0〜6 0 0 °Cの範囲とに有するものである請 求項 5に記載の銀粒子複合粉末の製造法。
7. 請求項 4に記載の銀粒子粉末の分散液を基板上に塗布して塗膜を形成し、そ の後、 前記塗膜を焼成することにより得られる銀焼成膜。
8. 請求項 4に記載の銀粒子粉末の分散液を基板上に塗布して塗膜を形成し、そ の後、前記塗膜を、酸化雰囲気中、 3 0 0 °C以下で焼成する銀焼成膜の製造法。
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