WO2008000487A1 - Verfahren zur herstellung eines beschichteten gegenstands durch sputtern eines keramischen targets - Google Patents

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WO2008000487A1 PCT/EP2007/005750 EP2007005750W WO2008000487A1 WO 2008000487 A1 WO2008000487 A1 WO 2008000487A1 EP 2007005750 W EP2007005750 W EP 2007005750W WO 2008000487 A1 WO2008000487 A1 WO 2008000487A1
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layer
target
oxygen
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metal oxide
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PCT/EP2007/005750
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Daniel Severin
Matthias Wuttig
Lothar Herlitze
Hansjörg WEIS
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Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co.
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
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    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0676—Oxynitrides

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a coated article by sputtering a ceramic target and an article produced in this way.
  • sputtering For coating objects, such as glasses in the production of insulating glazings, usually the so-called sputtering (sputtering) is used. From a conductive material, which is referred to as a target, material is removed by ion bombardment. This material condenses on a surface of a nearby substrate and thus forms a thin layer on the substrate
  • Substrate surface In many applications it is necessary to arrange a metal oxide layer on the substrate surface. For example, such metal oxide coatings are often used as antireflective coatings in coatings for thermal protection glazings.
  • At least one metal oxide layer is deposited on a substrate to produce a coated article.
  • an oxygen-containing sputtering atmosphere is generated for depositing the substrate.
  • the metal oxide layer is deposited by sputtering a nitrogen-containing ceramic target.
  • Target material directly contained oxygen is still the oxygen can attach to the surface of the target, but it also reduces the unwanted arcing during a sputtering process or completely prevented. It has surprisingly been found that when using nitrogen-containing ceramic targets in an oxygen-containing atmosphere, the deposition of metal oxide layers on the substrate is possible. During the production of the metal oxide layer, oxygen contained in the process gas is incorporated in the layer.
  • the term "metal oxide layer” is understood to mean a predominantly oxidic layer based on the metal of the target. In this case, predominantly oxidic layers are those in which at least 50% of the oxygen which would be required to produce a stoichiometric metal oxide layer is contained in the layer.
  • the nitrogen contained in the target causes the metal atoms on the target surface to be for the most part already saturated by nitrogen bonds.
  • the metal atoms on the target surface are for the most part already saturated by nitrogen bonds.
  • only a few free metal atoms remain, which could take up the oxygen mixed in the reactive gas.
  • the tendency to arcing decreases and the bombardment of the substrate surface is reduced.
  • a relatively high oxygen flow can be adjusted and the hysteresis is significantly mitigated. Since a high oxygen flux can be adjusted, in spite of the nitrogen present in the target material, a predominantly oxidic layer which is optically transparent is deposited on the substrate.
  • the metal oxide layer which is deposited according to the invention from the nitrogen-containing, ceramic target, as an antireflection layer, and it is particularly advantageous to arrange such an antireflection layer below and / or above an infrared-reflecting functional layer.
  • the terms “below” and “above” refer to the arrangement of the layer system on a substrate. In this case, the layer applied adjacent to the substrate is referred to as the lowermost layer. The subsequent layers are thus arranged “above” this lowest layer.
  • the oxygen flow in the coating chamber such that an atomic ratio of oxygen to nitrogen of at least 5 is established in the metal oxide layer. This ensures that the deposited metal oxide layer on the substrate fulfills the required optical properties, in particular with regard to their transparency in the visible range. Due to the reduced hysteresis curve, the oxygen flow in the method according to the invention can be increased until such a layer formation on the substrate results. Because of the effects mentioned above, there is no reason to fear that the process will become unstable.
  • a particularly stable process control can be set if the ceramic target has a Composition of MeN u , wherein u is at least 0.2 and at most 1.2.
  • u is between 0.2 and 1.2, wherein from the nitrogen-containing, ceramic titanium nitride target, a metal oxide layer with the composition TiO x Ny with x ⁇ 1.8 and y ⁇ 0, 2 is deposited. It is particularly preferable for a layer having the composition x> 1.9 and y ⁇ 0.1 to be deposited therefrom.
  • the reaction with the oxygen in the process atmosphere is preferably improved by increasing the oxygen flux in the atmosphere.
  • increased oxygen fluxes in the coating chamber result in the deposition of higher oxygen content oxide metal layers on the substrate.
  • Fig. 1 shows an exemplary structure for a generated by the method according to the invention
  • FIG. 2 shows a greatly simplified illustration of a coating chamber for carrying out the method according to the invention
  • Targets and nitrogenous ceramic targets shows a further comparison of the process parameters when producing metal oxide layers by means of a metallic target and a nitrogen-containing ceramic target.
  • FIG. 5 shows a schematic illustration to illustrate the influence of the target used on the generated structures of a deposited zirconium oxide layer.
  • a layer system is shown as an example, as it is used for thermal insulation glazings.
  • the production of a coated article with the method according to the invention is not limited to the production of such layer systems for
  • Thermal insulation glazing limited. Rather, other layer systems in which a metal oxide layer is used can be produced by the method according to the invention. For example, anti-reflection layers or partial layers of a metal oxide are used for layer systems in spectacle lenses, window glazing, shop windows, solar cells, cover glass for photovoltaic or solar thermal applications. Also architectural glasses in heat protection or sun protection layers or highly reflective
  • Single layers can be produced by the method according to the invention.
  • the layer system 1 shows a layer system 1, which is produced particularly advantageously by the method according to the invention.
  • the layer system 1 is arranged on a substrate 2.
  • the substrate 2 may be, for example, a float glass.
  • other substrate materials such as Plexiglas are conceivable.
  • the layer system 1 also has a second antireflection layer 4.
  • the antireflection layers 3, 4 include one Infrared reflective layer 5 sandwiched.
  • the infrared-reflecting layer 5 is a thin metallic layer, with silver in particular being used as the infrared-reflecting layer.
  • the infrared-reflecting layer 5 forms a functional layer in the layer system 1. Depending on the field of application of the layer system used, ie the reflection in certain wavelength ranges, this functional layer may have different characteristics.
  • the illustrated embodiment relates to a so-called low E coating, as used in thermal insulation glazings.
  • the antireflection layers disposed above and below the infrared reflecting layer 5 may comprise a plurality of sublayers 3.1 and 3.2, and 4.1 and 4.2, respectively.
  • the layer structure of the antireflection layers is not limited to the illustrated two-layer arrangement. In particular, further layers are conceivable for constructing selective layer systems. In this case, on one side or on both sides of the silver layer, an adhesion layer for improving the durability may be arranged.
  • a protective layer 6 is finally applied to the layer stack and thus completes the layer system 1.
  • infrared-reflective layer 5 only a single infrared-reflective layer 5 is provided.
  • layer systems are also conceivable which contain a plurality and then in particular thinner infrared-reflecting layers.
  • the plurality of infrared-reflective layers are then preferably separated from one another by at least one antireflection layer separated, wherein finally on the outermost infrared reflecting layer prior to the deposition of the protective layer, a last antireflection layer is arranged.
  • the method according to the invention is particularly preferably used to deposit the second sub-layer 3.2 of the first antireflection layer 3 and the first sub-layer 4.1 of the second antireflection layer 4 above or below the infrared-reflecting layer 5. This makes it possible to exploit the high mechanical and chemical stability of the metal oxide layer deposited from the nitrogen-containing ceramic target. This forms a diffusion barrier against alkali ions and oxygen.
  • a coating system for carrying out the method according to the invention is shown greatly simplified.
  • a substrate material 2 is arranged in a coating chamber 7, which is evacuated.
  • the substrate material 2 is guided past a first target 8 and a second target 9, so that a uniform layer application is ensured.
  • a voltage source 11 is connected to the two targets 8, 9 and a system housing lying at ground potential, so that between the targets 8, 9 and the substrate material 2, a potential difference is generated.
  • the voltage source 11 is designed as a DC voltage source. Likewise, however, an alternating voltage process is feasible. An AC voltage source is then placed between the two targets 8, 9.
  • the gas located in the coating chamber 7 is sucked off via an evacuation port 12 through a pump (not shown). Controlled by a valve 14, a specific process gas composition is generated in the coating chamber 7 via one or more gas inlets 13.
  • the composition of the process gas depends on the composition of the target material of the targets 8 and 9 and on the desired composition in the metal oxide layer on the substrate 2.
  • FIG. 3 shows the deposition process for a metal oxide layer using the method according to the invention in comparison to a sputtering process of a metallic target in an oxygen-containing atmosphere for producing a metal oxide layer.
  • FIG. 3 a shows the hysteresis behavior both for the use of a metallic target and for the use of a nitrogen-containing ceramic target. It can be seen that in both cases, with increasing oxygen flow in the coating chamber 7, an increase in the power used is required. The rising and the falling edge are shifted against each other. In this context one speaks of hysteresis. It is easy to see that the hysteresis behavior in the case of the ceramic TiN target is significantly less pronounced than when using a titanium metallic target. This is particularly important because it is precisely in this area, which is indicated in FIG. 3a with 15 for the metallic Ti target in economically interesting Deposition rates still a transparent layer can be generated.
  • the hysteresis behavior in the region 16 in which the transition from transparent to absorbent layers takes place is much less pronounced.
  • the curves of the curves for the ceramic TiN target are significantly flatter, so that changes in the process parameters have less effect.
  • Fig. 3b the deposition rate for both a metallic target and for a ceramic, nitrogen-containing target is given.
  • the borderline 17 indicates about the limit, up to which
  • Oxygen flow in the coating chamber 7 absorbent layers are applied.
  • transparent layers are deposited as required to produce an antireflective layer, but at the same time the deposition rate decreases. It can also be clearly seen in FIG. 3b that the transition between absorbing and transparent layers lies in a steep, sloping region when a metallic target is used.
  • the course of the deposition rate when using a nitrogen-containing, ceramic target is higher overall and, in particular, significantly flatter in the transition region from absorbent to optically transparent layers. Together with the improved hysteresis behavior, it follows that the setting of a stable operating point for a nitrogen-containing, ceramic target is much easier possible than for a metallic target.
  • FIG. 3c shows the composition of the resulting metal oxide layer on the substrate 2.
  • a predominantly oxidic layer is a metal oxide layer in which the atomic ratio of oxygen to nitrogen is greater than 3, in particular greater than 5. With an atomic ratio of oxygen to nitrogen of at least 5, it is ensured that optically transparent layers are deposited on the substrate, which can be used in optical layer systems 1 as antireflection layers 3, 4.
  • the incorporation of nitrogen in the deposited layer asymptotically decreases in the direction of 0, while the oxygen content increases sharply.
  • the presence of nitrogen in the target does not degrade the optical layer properties, but it greatly facilitates the sputtering process by preventing arcing as well as reducing bombardment with fast oxygen atoms.
  • the rate normalized to the power used when sputtering nitride targets is approximately 22:15 compared to the sputtering of metallic targets when the first transparently deposited layers, which compares in the figures 3a, 3b of the first respectively right of the boundary line 17 lying samples with each other.
  • setting a stable operating point is difficult because of the steep increase in the negative target voltage with increasing oxygen content in the process atmosphere and an offset, also steep decrease in the negative target voltage with decreasing oxygen content.
  • FIGS. 3a, b and c show that higher oxygen contents are possible in the sputtering gas for ceramic, nitridic targets, the deposition rate being influenced much less negatively than with a metallic target. This results in high deposition rates, while at the same time it can be ensured that the grown-up layer is transparent.
  • FIG. 3 c shows that the deposited layer is mainly applied as an oxide layer.
  • FIG. 4 again shows a normalized deposition rate for both a metallic target and a nitridic ceramic target.
  • the moderate course in the transition from absorbing to transparent layers, which in turn is illustrated by the dividing lines 17, can be clearly seen therein.
  • the deposition rate is only slightly behind, but at the same time the presence of a transparent layer can be ensured.
  • the oxygen content is reduced, an increase in the rate of deposition can be effected, yet a stable process is adjustable, since the deposition rate response, as well as the transition to absorbent layers, is more easily controllable due to the moderate relationship.
  • the layer properties are also positively influenced.
  • the layer properties are also positively influenced.
  • the bombardment on the deposited layer is also greatly reduced by high-energy oxygen ions. Reducing the bombardment simultaneously reduces the mechanical stresses.
  • the use of a nitrogen-containing target thus results in a layer of low mechanical strain, resulting in improved adhesion and thus a more stable layer structure. This can at the same time advantageously in the
  • Layer structure are influenced and, for example, cubic zirconia are deposited.
  • FIG. 5 shows a comparison between the achievable layer structures when using a metallic target (upper half) and a nitrogen-containing, ceramic target (lower half).
  • amorphous zirconium oxide (ZrO x) is deposited over a large area with regard to the proportion of oxygen in the process gas when using a metallic target as a layer on the substrate and becomes larger oxygen content zirconia in a monoclinic phase (area m) is deposited, by means of the inventive method
  • a cubic phase of zirconia are deposited.
  • the oxygen flow interval in which an amorphous zirconium oxide phase is deposited is reduced. This creates additional intervals in which the zirconium oxide is cubically deposited.
  • Crystal structure can be advantageously used, for example, to improve the adhesion of the subsequent layers.
  • the respectively deposited phase by adjusting the oxygen flow when using a nitridic target adjusted so that a phase is established in the deposited layer on which the subsequently applied layer adheres particularly well.
  • nitridic targets also has the advantage that an additional doping to achieve the conductivity of the target is not absolutely necessary.
  • the subgroup nitrides are usually conductive anyway, so that it is not necessary to add further elements which are also incorporated in the layer in an undesirable manner.
  • nitrogen-containing ceramic targets of the composition MeN u have proven to be advantageous, in which u is at least equal to 0.2 and at most equal to 1.2.
  • TiN u targets with u> 0.2 and ⁇ 1.2 have proven to be advantageous, the deposited layer having a composition TiO x N y with x ⁇ 1.8 and y ⁇ 0 2.
  • the oxygen flow in the coating chamber 7 is particularly preferred to set the oxygen flow in the coating chamber 7 such that x yields at least 1.9 and y at most 0.1. As stated above in the explanation of FIG. 3c, a corresponding increase in the oxygen flow is sufficient for this purpose, since the oxygen content in the deposited layer increases simultaneously with the increase in the oxygen content, while the proportion of the stored nitrogen is reduced.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines beschichteten Gegenstands (1) durch Abscheiden mindestens einer Metalloxidschicht (3, 4) auf einem Substrat (2). Zunächst wird in einer Beschichtungskammer eine sauerstoffhaltige Sputteratmosphäre erzeugt. In dieser sauerstoffhaltigen Sputteratmosphäre wird durch Sputtern eines stickstoffhaltigen, keramischen Targets eine Metalloxidschicht auf dem Substrat abgeschieden.

Description

Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Gegenstands durch Sputtern eines keramischen Targets
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Gegenstands durch Sputtern eines keramischen Targets und einen so hergestellten Gegenstand.
Zur Beschichtung von Gegenständen, wie beispielsweise Gläsern bei der Herstellung von Isolierverglasungen, wird üblicherweise das sogenannte Kathodenzerstäuben (Sputtern) eingesetzt. Aus einem leitfähigen Material, welches als Target bezeichnet wird, wird durch Ionenbeschuss Material abgetragen. Dieses Material kondensiert auf einer Oberfläche eines in der Nähe angeordneten Substrats und bildet somit eine dünne Schicht auf der
Substratoberfläche. Bei vielen Anwendungen ist es erforderlich auf der Substratoberfläche eine Metalloxidschicht anzuordnen. Solche Metalloxidschichten werden beispielsweise häufig als Antireflexschichten in Beschichtungen für Wärmeschutzverglasungen verwendet.
Zum Aufbringen der Schichten ist es aus der EP 0 795 623 Al bekannt, in einer reaktiven Prozessatmosphäre von einem metallischen Target Material abzusputtern (zu zerstäuben). In Abhängigkeit von dem Reaktivgas, das z.B. Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff enthält, bildet sich eine Schicht der Zusammensetzung MeOxNyC2 auf der Substratoberfläche aus. Der Sauerstoff-, Stickstoff- und Kohlenstoffgehalt in der Schicht auf der Substratoberfläche steht dabei in einem Zusammenhang mit den Anteilen der entsprechenden Gase in dem Prozessgas. Da einige Prozessparameter empfindlich von der Zusammensetzung des Gases abhängen, wird zur Steuerung des Prozesses der Gasfluss des Prozessgases reguliert. Hierzu werden schnelle Gasdurchflusswächter oder Ventile so angesteuert, dass sich die erwünschten Schichteigenschaften einstellen. In einem sogenannten Hysteresebereich muss zum Erzielen einer hohen Depositionsrate bei gleichzeitig transparenter aufgetragener Schicht das Target als Kathode in einem eigentlich instabilen Bereich betrieben werden.
Auch aus der WO 01/73151 Al ist es bekannt, den Sauerstofffluss bzw. den Sauerstoffpartialdruck während des Abscheidevorgangs zu regeln, um ein stöchiometrisches Oxid auf dem Substrat abzuscheiden. Es kommt jedoch aufgrund der komplexen Zusammenhänge bei Änderungen einzelner Beschichtungsparameter, wie beispielsweise dem Sauerstoffgehalt in dem Prozessgas, zu einer gegenseitigen Beeinflussung mit anderen Parametern, so dass das Einstellen eines stabilen Arbeitspunktes äußerst schwierig ist. Da der Prozess zum Erreichen wirtschaftlich interessanter Depositionsraten in einem instabilen Hysteresebereich ablaufen muss, kann es bei einer schnellen Reaktivgasregelung zu einem Herauskippen des Prozesses aus diesem Hysteresebereich kommen. Damit ändern sich die Rate und die gewünschte Schichtdicke ebenso wie die Interferenzfarbe der Beschichtung. Insbesondere bei wechselnder Substratbelegung ist die Reaktivgasregelung kritisch, da sich bei einem Wechsel der Substratbelegung der Reaktivgasdruck durch die Änderung der Pumpgeometrie rasch ändern kann und somit ein plötzliches Verlassen des eingestellten Prozessfensters auftreten kann.
Aus der EP 1 140 721 Bl ist zudem bekannt, zum Auftragen von Metalloxidschichten sauerstoffhaltige keramische Targetmaterialien zu verwenden. Diese keramischen Targetmaterialien enthalten neben dem Metall, welches Basis für das abzuscheidende Metalloxid ist, bereits einen Sauerstoffanteil. Aufgrund des Sauerstoffanteils in dem Targetmaterial kann das Prozessgas einen geringeren Sauerstoffanteil enthalten. Durch den Sauerstoffanteil in dem Target ist jedoch die untere Grenze des Metall- Sauerstoffgemisches bereits durch das Target festgelegt. Dies erschwert oder verhindert die Herstellung von substöchiometrischen oxidischen Schichten, die bei bestimmten Anwendungen vorteilhaft sind. Sowohl bei der Verwendung sauerstoffhaltiger keramischer Targets als auch bei der Verwendung von metallischen Targets in einer sauerstoffhaltigen Sputteratmosphäre ist es nachteilig, dass sogenanntes Bombardement der Substratoberfläche mit energiereichen Sauerstoffatomen zu einer unerwünschten Beeinflussung der Struktur in der abgeschiedenen Metalloxidschicht führt. Während im Falle sauerstoffhaltiger keramischer Targets unmittelbar aus dem Targetmaterial stammender Sauerstoff durch den Ionenbeschuss während des Sputtervorgangs beschleunigt wird und somit mit hoher kinetischer Energie auf die Substratoberfläche prallt, neigen rein metallische Targets in einer Sauerstoffatmosphäre dazu, an ihrer Oberfläche Sauerstoff anzulagern. Dieser dort angelagerte Sauerstoff wird dann wiederum durch den Ionenbeschuss herausgelöst und trifft mit hoher kinetischer Energie auf die Substratoberfläche. Dieses sogenannte Bombardement führt in beiden Fällen zu dem unerwünschten Auftreten von Spannungen in der abgeschiedenen Schicht. Solche Spannungen wirken sich nachteilig sowohl auf die chemische Stabilität als auch die mechanische Widerstandsfähigkeit aus. Dies betrifft insbesondere auch nachfolgend aufgebrachte Schichten, welche auf einer solchen Antireflexschicht aufgetragen werden.
Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zu schaffen, welches ein vereinfachtes Abscheiden von Metalloxidschichten auf einem Substrat zum Herstellen beschichteter Gegenstände schafft, wobei eine vereinfachte Prozessführung erreicht wird sowie einen mit diesem Verfahren hergestellten Gegenstand zu schaffen.
Die Aufgabe wird durch das erfindungsgemäße Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Erfindungsgemäß wird zum Herstellen eines beschichteten Gegenstands zumindest eine Metalloxidschicht auf einem Substrat abgeschieden. Zum Abscheiden des Substrats wird eine sauerstoffhaltige Sputteratmosphäre erzeugt. In dieser sauerstoffhaltigen Sputteratmosphäre wird die Metalloxidschicht durch Sputtern eines stickstoffhaltigen keramischen Targets abgeschieden. Durch die Verwendung des keramischen, stickstoffhaltigen Targets wird dabei nicht nur das Bombardement verhindert, da weder in dem
Targetmaterial unmittelbar Sauerstoff enthalten ist noch sich der Sauerstoff an der Oberfläche des Targets anlagern kann, sondern es wird auch gleichzeitig das unerwünschte Arcing während eines Sputterprozesses vermindert oder vollständig verhindert. Dabei hat sich überraschender Weise herausgestellt, dass bei Verwendung von stickstoffhaltigen keramischen Targets in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre das Abscheiden von Metalloxidschichten auf dem Substrat möglich ist. Bei der Erzeugung der Metalloxidschicht wird in dem Prozessgas enthaltener Sauerstoff in die Schicht eingelagert. Im Rahmen der Erfindung wird unter der Bezeichnung "Metalloxidschicht" eine überwiegend oxidische Schicht auf Basis des Metalls des Targets verstanden. Überwiegend oxidisch sind dabei solche Schichten, bei denen wenigstens 50 % des Sauerstoffs, der zum Erzeugen einer stöchiometrischen Metalloxidschicht erforderlich wäre, in der Schicht enthalten ist.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es vorteilhaft, dass der in dem Target enthaltene Stickstoff bewirkt, dass die Metallatome an der Targetoberfläche größtenteils bereits durch Stickstoffbindungen abgestättigt sind. Es verbleiben somit nur wenige freie Metallatome, die den in dem Reaktivgas zugemischten Sauerstoff aufnehmen könnten. Infolgedessen sinkt die Neigung zu Arcing und das Bombardement der Substratoberfläche wird reduziert. Damit kann ein relativ hoher Sauerstofffluss eingestellt werden und des Hystereseverhalten wird deutlich abgemildert. Da ein hoher Sauerstofffluss eingestellt werden kann, wird trotz des in dem Targetmaterial vorhandenen Stickstoffs auf dem Substrat eine überwiegend oxidische Schicht abgeschieden, welche optisch transparent ist. Vorteilhafte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen .
So ist es insbesondere vorteilhaft, die Metalloxidschicht, welche erfindungsgemäß aus dem stickstoffhaltigen, keramischen Target abgeschieden wird, als Antireflexschicht vorzusehen, wobei es insbesondere vorteilhaft ist, eine solche Antireflexschicht unterhalb und/oder oberhalb einer Infrarot reflektierenden Funktionsschicht anzuordnen. Die Begriffe "unterhalb" und "oberhalb" beziehen sich dabei auf die Anordnung des Schichtsystems auf einem Substrat. Dabei wird die angrenzend an das Substrat aufgetragene Schicht als unterste Schicht bezeichnet. Die nachfolgenden Schichten werden somit "oberhalb" dieser untersten Schicht angeordnet .
Besonders bevorzugt ist es, den Sauerstofffluss in der Beschichtungskammer so einzustellen, dass sich in der Metalloxidschicht ein Atomverhältnis von Sauerstoff zu Stickstoff von mindestens 5 einstellt. Damit ist gewährleistet, dass die abgeschiedene Metalloxidschicht auf dem Substrat die erforderlichen optischen Eigenschaften insbesondere hinsichtlich ihrer Transparenz im sichtbaren Bereich erfüllt. Aufgrund des abgemilderten Hystereseverlaufs kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren dabei der Sauerstofffluss solange erhöht werden, bis sich eine solche Schichtausbildung auf dem Substrat ergibt. Dabei muss, wegen der vorstehend bereits genannten Effekte, nicht befürchtet werden, dass der Prozess instabil wird.
Insbesondere ergeben sich die Vorteile bei Verwendung von stickstoffhaltigen keramischen Targets eines der Elemente Ti, Zn, Zr, Hf, Nb, Si, Al oder einer Mischung hiervon.
Eine besonders stabile Prozessführung lässt sich einstellen, wenn das keramische Target eine Zusammensetzung von MeNu aufweist, wobei u mindestens 0,2 und höchstens 1,2 ist.
Insbesondere bei der Verwendung von TiNu Targets ist es vorteilhaft, wenn u zwischen 0,2 und 1,2 ist, wobei aus dem stickstoffhaltigen, keramischen Titannitridtarget eine Metalloxidschicht mit der Zusammensetzung TiOxNy mit x ≥ 1,8 und y < 0,2 abgeschieden wird. Besonders bevorzugt wird hieraus eine Schicht mit der Zusammensetzung x > 1,9 und y ≤ 0,1 abgeschieden. Die Reaktion mit dem Sauerstoff in der Prozessatmosphäre lässt sich vorzugsweise durch Erhöhen des Sauerstoffflusses in der Atmosphäre verbessern. Damit führen erhöhte Sauerstoffflüsse in der Beschichtungskammer zum Abscheiden von oxidischen Metallschichten mit höherem Sauerstoffgehalt auf dem Substrat.
Bezüglich des durch das Verfahren herstellbaren bzw. hergestellten Gegenstands wird die Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 9 gelöst.
Vorteilhafte Ausführungsformen sind in der Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen beispielhaften Aufbau für ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugtes
SchichtSystem;
Fig. 2 eine stark vereinfachte Darstellung einer Beschichtungskammer zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens;
Fig. 3 ein Vergleich der Prozessparameter zum Erzeugen von Metalloxidschichten zwischen metallischen
Targets und stickstoffhaltigen keramischen Targets; Fig. 4 ein weiterer Vergleich der Prozessparameter beim Erzeugen von Metalloxidschichten mittels eines metallischen Targets und eines stickstoffhaltigen keramischen Targets; und
Fig. 5 eine schematische Darstellung zur Verdeutlichung des Einflusses des verwendeten Targets auf die erzeugten Strukturen einer abgeschiedenen Zirkonoxidschicht .
In der Fig. 1 ist beispielhaft ein Schichtsystem dargestellt, wie es für Wärmeschutzverglasungen eingesetzt wird. Die Erzeugung eines beschichteten Gegenstands mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist nicht nur auf das Erzeugen solcher Schichtsysteme für
Wärmeschutzverglasungen beschränkt. Vielmehr sind auch andere Schichtsysteme, bei denen eine Metalloxidschicht zum Einsatz kommt, durch das erfindungsgemäße Verfahren erzeugbar. Beispielsweise werden Entspiegelungsschichten oder Teilschichten eines Metalloxids für Schichtsysteme bei Brillengläsern, Fensterverglasungen, Schaufenstern, Solarzellen, Abdeckgläsern für fotovoltaische oder solarthermische Anwendungen eingesetzt. Auch Architekturgläser in Wärmeschutz- oder Sonnenschutzschichten oder hochreflektierende
Einzelschichten sind mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbar.
In der Fig. 1 ist ein Schichtsystem 1 dargestellt, welches besonders vorteilhaft mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergesellt wird. Das Schichtsystem 1 wird auf einem Substrat 2 angeordnet. Das Substrat 2 kann beispielsweise ein Floatglas sein. Ebenso sind andere Substratmaterialien wie beispielsweise Plexiglas denkbar.
Auf dem Substrat 2 wird zunächst eine erste Entspiegelungs- oder Antireflexschicht 3 angeordnet. Das Schichtsystem 1 weist ferner eine zweite Antireflexschicht 4 auf. Die Antireflexschichten 3, 4 schließen eine Infrarot reflektierende Schicht 5 sandwichartig ein. Die Infrarot reflektierende Schicht 5 ist eine dünne metallische Schicht, wobei insbesondere Silber als Infrarot reflektierende Schicht eingesetzt wird. Die Infrarot reflektierende Schicht 5 bildet in dem Schichtsystem 1 eine Funktionsschicht. Je nach Einsatzgebiet des verwendeten Schichtsystems, also der Reflexion in bestimmtem Wellenlängenbereichen kann diese Funktionsschicht unterschiedliche Ausprägungen haben. Das dargestellte Ausführungsbeispiel betrifft eine sogannten Low E-Beschichtung, wie sie bei Wärmeschutzverglasungen eingesetzt wird.
Wie dies durch die gestrichelte Linie in der ersten Antireflexschicht 3 und der zweiten Antireflexschicht 4 gezeigt ist, können die Antireflexschichten, welche oberhalb und unterhalb der Infrarot reflektierenden Schicht 5 angeordnet sind, mehrere Teilschichten 3.1 und 3.2 bzw. 4.1 und 4.2 umfassen. Der Schichtaufbau der Antireflexschichten ist nicht auf die dargestellte zweilagige Anordnung beschränkt. Insbesondere sind zum Aufbau selektiver Schichtsysteme weitere Schichten denkbar. Dabei kann auf einer Seite oder auf beiden Seiten der Silberschicht eine Haftschicht zum Verbessern der Beständigkeit angeordnet sein.
Um den gesamten Schichtstapel vor Witterungseinflüssen oder während der Weiterverarbeitung des beschichteten Gegenstands zu schützen, wird abschließend eine Schutzschicht 6 auf dem Schichtstapel aufgetragen und damit des Schichtsystem 1 komplettiert.
In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist lediglich eine einzelne Infrarot reflektierende Schicht 5 vorgesehen. Es sind jedoch ebenso Schichtsysteme denkbar, die eine Mehrzahl und dann insbesondere dünnere Infrarot reflektierenden Schichten enthalten. Die mehreren Infrarot reflektierenden Schichten werden dann vorzugsweise jeweils durch mindestens eine Antireflexschicht voneinander getrennt, wobei abschließend auf der äußersten Infrarot reflektierenden Schicht vor dem Abscheiden der Schutzschicht eine letzte Antireflexschicht angeordnet ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird insbesondere bevorzugt angewendet, um die zweite Teilschicht 3.2 der ersten Antireflexschicht 3 und die erste Teilschicht 4.1 der zweiten Antireflexschicht 4 oberhalb bzw. unterhalb der Infrarot reflektierenden Schicht 5 abzuscheiden. Damit lässt sich die hohe mechanische und chemische Stabilität der aus dem stickstoffhaltigen keramischen Target abgeschiedenen Metalloxidschicht ausnutzen. Diese bildet eine Diffusionssperre gegen Alkali-Ionen und Sauerstoff.
Durch das Verwenden eines stickstoffhaltigen keramischen Targets werden außerdem mechanische Verspannungen durch Reduktion des Bombardements während des Abscheideprozesses verringert. Somit wird in dem gesamten Schichtsystem 1 die Gesamtverspannung reduziert und damit die Haft-, Abriebsund Waschbeständigkeit des Schichtsystems 1 verbessert. Insbesondere spannungsfrei aufgebrachte Zinkoxidschichten eignen sich z. B. als Aufwachsschicht für Silberschichten. Das erfindungsgemäße Verfahren wird daher insbesondere zur Abscheidung von Zinkoxid oder Zirkoniumoxidschichten eingesetzt. Diese sorgen für einen geringeren Flächenwiderstand der aufgewachsenen Silberschicht.
In der Fig. 2 ist stark vereinfacht eine Beschichtungsanlage zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. In einer Beschichtungskammer 7, welche evakuiert ist, wird ein Substratmaterial 2 angeordnet. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird das Substratmaterial 2 an einem ersten Target 8 und einem zweiten Target 9 vorbeigeführt, so dass ein gleichmäßiger Schichtauftrag gewährleistet wird. Zum Steuern des Sputtervorgangs wird eine Spannungsquelle 11 mit den beiden Targets 8, 9 und einem auf Massepotential liegenden Anlagengehäuse verbunden, so dass zwischen den Targets 8, 9 und dem Substratmaterial 2 eine Potentialdifferenz erzeugt wird. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Spannungsquelle 11 als Gleichspannungsquelle ausgeführt. Ebenso ist jedoch auch ein Wechselspannungsprozess durchführbar. Eine Wechselspannungsquelle wird dann zwischen den beiden Targets 8, 9 angeordnet. Zum Erzeugen der notwendigen Prozessatmosphäre der Beschichtungskammer 7 wird über einen Evakuierungsanschluss 12 das in der Beschichtungskammer 7 befindliche Gas durch eine nicht dargestellte Pumpe abgesaugt. Über eine oder mehrere Gaseinlässe 13 wird durch ein Ventil 14 gesteuert eine bestimmte Prozessgaszusammensetzung in der Beschichtungskammer 7 erzeugt. Die Zusammensetzung des Prozessgases hängt dabei von der Zusammensetzung des Targetmaterials der Targets 8 und 9 sowie von der gewünschten Zusammensetzung in der Metalloxidschicht auf dem Substrat 2 ab.
In der Fig. 3 ist der Abscheideprozess für eine Metalloxidschicht mit dem erfindungsgemäßen Verfahren im Vergleich zu einem Sputterprozess eines metallischen Targets in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre zum Erzeugen einer Metalloxidschicht dargestellt. In der Fig. 3a ist das Hystereseverhalten sowohl für die Verwendung eines metallischen Targets als auch für die Verwendung eines stickstoffhaltigen keramischen Targets dargestellt. Es ist zu erkennen, dass in beiden Fällen mit zunehmendem Sauerstofffluss in der Beschichtungskammer 7 ein Anstieg der eingesetzten Leistung erforderlich ist. Die ansteigende und die abfallende Flanke sind gegeneinander verschoben. Man spricht in diesem Zusammenhang von Hysterese. Es ist gut zu erkennen, dass das Hystereseverhalten im Falle des keramischen TiN-Targets deutlich weniger ausgeprägt ist als bei der Verwendung eines metallischen Titantargets. Dies ist insbesondere deswegen von Bedeutung, da gerade in diesem Bereich, welcher in der Fig. 3a mit 15 für das metallische Ti- Target angegeben ist bei wirtschaftlich interessanten Depositionsraten noch eine transparente Schicht erzeugbar ist .
Dagegen ist bei Verwendung des keramischen TiN-Targets das Hystereseverhalten in dem Bereich 16, in dem der Übergang von transparenten zu absorbierenden Schichten stattfindet, wesentlich weniger stark ausgeprägt. Zudem ist der Verlauf der Kurven für das keramische TiN-Target erheblich flacher, so dass sich Änderungen in den Prozessparametern weniger stark auswirken.
In der Fig. 3b ist die Depositionsrate sowohl für ein metallisches Target als auch für ein keramisches, stickstoffhaltiges Target angegeben. Die Grenzlinie 17 gibt dabei etwa die Grenze an, bis zu welchem
Sauerstofffluss in der Beschichtungskammer 7 absorbierende Schichten aufgetragen werden. Wird der Sauerstofffluss darüber hinaus erhöht, so werden transparente Schichten abgeschieden, wie sie zum Erzeugen einer Antireflexschicht erforderlich sind, allerdings sinkt dabei gleichzeitig die Depositionsrate. Auch in der Fig. 3b ist es deutlich zu erkennen, dass der Übergang zwischen absorbierenden und transparenten Schichten in einem steilen, abfallenden Bereich liegt, wenn ein metallisches Target verwendet wird.
Der Verlauf der Depositionsrate bei der Verwendung eines stickstoffhaltigen, keramischen Targets ist dagegen insgesamt höher und insbesondere im Übergangsbereich von absorbierenden zu optisch transparenten Schichten wesentlich flacher. Zusammen mit dem verbesserten Hystereseverhalten ergibt es sich daraus, dass die Einstellung eines stabilen Arbeitspunktes für ein stickstoffhaltiges, keramisches Target wesentlich einfacher möglich ist als für ein metallisches Target.
Insbesondere ist es möglich, den Sauerstoffgehalt relativ weit zu reduzieren, was zu einer Erhöhung der Abscheiderate führt. Gleichzeitig bleibt der Prozess stabil, da aufgrund des gemäßigten Zusammenhangs mit dem Sauerstofffluss ein plötzliches Herauskippen aus dem Prozessfenster während des Prozesses nicht zu erwarten ist, sofern lediglich kleinere Schwankungen in dem Sauerstofffluss auftreten.
Anders kann bei Verwendung eines metallischen Titantargets bereits eine geringe Änderung des Sauerstoffflusses zu einem Herauskippen des Prozesses aus dem Prozessfenster führen, da der sprunghafte Anstieg der Depositionsrate unmittelbar mit dem Übergang zu absorbierenden Schichten einhergeht .
In der Fig. 3c ist die Zusammensetzung der erhaltenen Metalloxidschicht auf dem Substrat 2 dargestellt. Als überwiegend oxidische Schicht wird eine Metalloxidschicht bezeichnet, bei der das Atomverhältnis von Sauerstoff zu Stickstoff größer als 3, insbesondere größer als 5 ist. Bei einem Atomverhältnis von Sauerstoff zu Stickstoff von mindestens 5 ist es gewährleistet, dass optisch transparente Schichten auf dem Substrat abgeschieden werden, welche in optischen Schichtsystemen 1 als Antireflexschichten 3, 4 einsetzbar sind.
Es ist gut zu erkennen, dass mit zunehmendem Sauerstofffluss in der Beschichtungskammer 7 trotz des
Vorhandenseins von Stickstoff in dem Target das Einlagern von Stickstoff in der abgeschiedenen Schicht asymptotisch in Richtung 0 abnimmt, während der Sauerstoffanteil stark steigt. Das Vorhandensein des Stickstoffs in dem Target verschlechtert somit die optischen Schichteigenschaften nicht, begünstigt aber den Sputterprozess durch das Verhindern von Arcing ebenso wie durch die Reduzierung von Bombardement mit schnellen Sauerstoffatomen erheblich.
In der Fig. 3 ist zu erkennen, dass die auf die eingesetzte Leistung normierte Rate beim Sputtern von nitridischen Targets im Vergleich zum Sputtern von metallischen Targets etwa im Verhältnis 22 zu 15 liegt, wenn man die ersten transparent abgeschiedenen Schichten, welche in den Figuren 3a, 3b der ersten jeweils rechts der Grenzlinie 17 liegenden Proben miteinander vergleicht. Bei metallischen Targets ist aufgrund des steilen Anstiegs der negativen Targetspannung mit zunehmendem Sauerstoffanteil in der Prozessatmosphäre und einer versetzten, ebenfalls steilen Abnahme der negativen Targetspannung bei abnehmendem Sauerstoffgehalt die Einstellung eines stabilen Arbeitspunkts schwierig. Zum Erzielen sinnvoller Abscheideraten ist jedoch die Einstellung eines Arbeitspunkts gerade in diesem Bereich erforderlich.
Ein Vergleich der Figuren 3a, b und c zeigt, dass für keramische, nitridische Targets höhere Sauerstoffanteile in dem Sputtergas möglich sind, wobei die Abscheiderate deutlich weniger negativ beeinflusst wird als bei einem metallischen Target. Daraus ergeben sich hohe Abscheideraten, wobei gleichzeitig sichergestellt werden kann, dass die aufgewachsene Schicht transparent ist. Die Fig. 3c zeigt, dass die abgeschiedene Schicht überwiegend als oxidische Schicht aufgebracht wird.
Die Fig. 4 zeigt noch einmal eine normierte Depositionsrate sowohl für ein metallisches Target als auch für ein nitridisches keramisches Target. Der gemäßigte Verlauf beim Übergang von absorbierenden zu transparenten Schichten, der wiederum durch die Trennlinien 17 verdeutlicht ist, ist darin deutlich zu erkennen. Durch Einstellen eines höheren Sauerstoffgehalts im Prozessgas wird somit erreicht, dass die Abscheiderate nur geringfügig zurückliegt, wobei gleichzeitig aber das Vorliegen einer transparenten Schicht sichergestellt werden kann. Umgekehrt kann bei einer Reduzierung des Sauerstoffanteils eine Erhöhung der Abscheiderate bewirkt werden, wobei dennoch ein stabiler Prozess einstellbar ist, da die Reaktion der Depositionsrate ebenso wie der Übergang hin zu absorbierenden Schichten aufgrund des gemäßigten Zusammenhangs leichter kontrollierbar ist. Neben den prozesstechnisch günstigeren Eigenschaften beim Sputtern von stickstoffhaltigen, keramischen Targets werden auch die Schichteigenschaften positiv beeinflusst. Beispielsweise wird für TiOx eine Erhöhung des Brechnungindex von n < 2,4 auf n > 2,5 bei einer
Wellenlänge von 550 nm erreicht. Neben einer vorteilhaften Erhöhung des Brechnungsindex wird auch das Bombardement auf die abgeschiedene Schicht durch hochenergetische Sauerstoff-Ionen stark reduziert. Dieses Reduzieren des Bombardements reduziert gleichzeitig die mechanischen Spannungen. Die Verwendung eines stickstoffhaltigen Targets resultiert damit in einer Schicht geringer mechanischer Verspannung, wodurch sich eine verbesserte Haftung und damit ein beständigerer Schichtaufbau ergibt. Damit kann gleichzeitig in vorteilhafter Weise die
Schichtstruktur beeinflusst werden und beispielsweise auch kubisches Zirkonoxid abgeschieden werden.
In der Fig. 5 ist ein Vergleich zwischen den erzielbaren Schichtstrukturen bei der Verwendung eines metallischen Targets (obere Hälfte) und eines stickstoffhaltigen, keramischen Targets (untere Hälfte) dargestellt. Während sich über einen großen Bereich hinsichtlich des Sauerstoffanteils im Prozessgas bei der Verwendung eines metallischen Targets amorphes Zirkonoxid (ZrOx) als Schicht auf dem Substrat abscheidet und bei größer werdendem Sauerstoffanteil Zirkonoxid in monokliner Phase (Bereich m) abgeschieden wird, kann mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens auch eine kubische Phase von Zirkonoxid abgeschieden werden. Gegenüber der Verwendung von metallischen Targets ist das Intervall für den Sauerstofffluss, in dem eine amorphe Zirkonoxidphase abgeschieden wird, verkleinert. Dabei entstehen zusätzliche Intervalle, in denen das Zirkonoxid kubisch abgeschieden wird. Eine solche Beeinflussung der
Kristallstruktur kann vorteilhaft eingesetzt werden, um beispielsweise die Haftfähigkeit der nachfolgenden Schichten zu verbessern. Hierzu wird die jeweils abgeschiedene Phase durch Einstellen des Sauerstoffflusses bei der Verwendung eines nitridischen Targets so eingestellt, dass sich eine Phase in der abgeschiedenen Schicht einstellt, auf der die nachfolgend aufzutragende Schicht besonders gut haftet.
Die Verwendung von nitridischen Targets hat zudem den Vorteil, dass eine zusätzliche Dotierung zum Erreichen der Leitfähigkeit des Targets nicht zwingend erforderlich ist. Die Nebengruppennitride sind meist ohnehin leitfähig, so dass auf den Zusatz von weiteren Elementen, welche sich in gegebenenfalls unerwünschter Weise ebenfalls in der Schicht einlagern, nicht erforderlich ist. Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens haben sich insbesondere stickstoffhaltige, keramische Targets der Zusammensetzung MeNu als vorteilhaft herausgestellt, bei denen u mindestens gleich 0,2 und höchstens gleich 1,2 ist. Insbesondere zur Erzeugung von überwiegend oxidischem TiOxNy haben sich TiNu-Targets mit u > 0,2 und < 1,2 als vorteilhaft herausgestellt, wobei die abgeschiedene Schicht eine Zusammensetzung TiOxNy mit x ≥ 1,8 und y < 0,2 aufweist. Besonders bevorzugt ist es, den Sauerstofffluss in der Beschichtungskammer 7 so einzustellen, dass sich x zu mindestens 1,9 und y zu höchstens 0,1 ergibt. Wie es vorstehend bereits bei der Erläuterung der Fig. 3c angegeben wurde, ist hierzu eine entsprechende Erhöhung des Sauerstoffflusses ausreichend, da gleichzeitig mit der Erhöhung des Sauerstoffgehalts der Sauerstoffanteil in der abgeschiedenen Schicht steigt, während der Anteil des eingelagerten Stickstoffs reduziert wird.
Weitere Elemente, mit denen sich aus einem nitridischen, keramischen Target Metalloxidschichten beim Zerstäuben in sauerstoffhaltiger Atmosphäre abscheiden lassen, sind neben den bereits angegebenen Ti, Zn, Zr z. B. Hf, Nb, Si, Al oder Mischungen der Elemente.
Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr sind neben den explizit angegebenen keramischen, stickstoffhaltigen Targets von Titan, Zirkon und Zink auch die Verwendung anderer keramischer, stickstoffhaltiger Targets denkbar.

Claims

Ansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines beschichteten Gegenstands (1) durch Abscheiden zumindest einer Metalloxidschicht (3.1, 3.2, 4.1, 4.2) auf einem Substrat (2) , mit folgenden Verfahrensschritten:
- Erzeugen einer sauerstoffhaltigen Sputteratmosphäre
- Abscheiden der Metalloxidschicht (3.1, 3.2, 4.1, 4.2) durch Sputtern eines stickstoffhaltigen keramischen Targets (8, 9) in der sauerstoffhaltigen Sputteratmosphäre .
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet:, dass auf dem Substrat (2) zumindest eine weitere Funktionsschicht (5) abgeschieden wird, wobei unter und/oder über der weiteren Funktionsschicht (5) zumindest eine Antireflexschicht (3) abgeschieden wird, die zumindest eine Teilschicht (3.1, 3.2) enthält, die als Metalloxidschicht aus dem stickstoffhaltigen, keramischen Target (8, 9) abgeschieden wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Funktionsschicht (5) eine infrarotreflektierende Schicht abgeschieden wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass in der Metalloxidschicht (3.1, 3.2, 4.1, 4.2) das Atomverhältnis von Sauerstoff zu Stickstoff mindestens 5 beträgt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das stickstoffhaltige keramische Target (8, 9) eines der Elemente Ti, Zn, Zr, Hf, Nb, Si, Al oder eine Mischung davon enthält.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das stickstoffhaltige keramische Target (8, 9) die Zusammensetzung MeNu aufweist, wobei u mindestens gleich 0,2 und höchstens gleich 1,2 ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass durch Sputtern eines TiNu Targets (8, 9) mit 0,2<= u <= 1,2 eine Metalloxidschicht der Zusammensetzung TiOxNy mit x >= 1,8 und y <= 0,2 abgeschieden wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass durch Sputtern eines TiNu Targets (8, 9) mit 0,2<= u<= 1,2 eine Metalloxidschicht der Zusammensetzung TiOxNy mit x>=l,9 und y<=0,l abgeschieden wird.
9. Beschichteter Gegenstand, der durch die Merkmale eines der Ansprüche 1 bis 8 herstellbar oder hergestellt ist.
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