有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料、その製造方法及び有機エレク トロルミネッセンス素子
技術分野
[0001] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料、その製造方法及び有機エレ タトロルミネッセンス素子に関する。 背景技術
[0002] 有機エレクト口ルミネッセンス素子(以下、有機 EL素子)は、一対の電極の間に少な くとも有機発光層を狭持してなる発光素子であり、陽極カゝら注入された正孔と陰極か ら注入された電子が、有機発光層内で再結合することによって生じるエネルギーを発 光として取り出す素子である。
有機 EL素子は自発光素子であり、高効率発光 ·低コスト ·軽量 ·薄型等の様々な特 性を持っため、近年盛んに開発が行われている。
[0003] 有機 EL素子の課題として、駆動に伴い発光輝度が低下する現象があり、この輝度 の劣化を抑制するために様々な改良が試みられている。
例えば、ルブレンのような、多環縮合芳香族を中心骨格に持つような材料は、有機 EL素子の発光材料、例えば、ホストやドーパントとして用いることができる。しかしな がら、これらの多環縮合芳香族化合物、とりわけ芳香環が 3つ以上縮合したィ匕合物は 、光や熱により異性ィ匕したり、酸素やラジカル等と反応しやすいことが知られている。
[0004] 具体的に、多環縮合芳香族化合物は、蒸着時に加えられる熱等により酸化物を生 じることが把握されている。これに対し、酸化物の量を質量スペクトル測定にて定量し 、酸ィ匕物をできるだけ含まないような条件下で有機 EL素子を製造することにより、有 機 EL素子の発光半減寿命等が改善できることが開示されている (特許文献 1)。 特許文献 1 :特開 2000— 100566号公報
[0005] 本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、より有機 EL素子の発光寿命を改 善できる有機 EL素子用材料を提供することを目的とする。
発明の開示
課題を解決するための手段
[0006] 本発明者らが鋭意研究した結果、構造異性体であるトランス体とシス体の混合物か らなる有機 EL素子用材料であっては、トランス体がシス体よりも多く含有されて!、る 場合に有機 EL素子の発光寿命を改善できることを見出し、本発明を完成させた。
[0007] 本発明によれば、以下の有機 EL素子用材料等が提供される。
1.構造異性体であるトランス体又はシス体の構造をとりうる材料力もなり、前記材料 におけるトランス体の含有量がシス体よりも多い有機エレクト口ルミネッセンス素子用 材料。
2.前記素子用材料におけるトランス体 (t)とシス体 (c)の比率 (tZc)が 2以上である 1記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料。
3.前記材料が、下記式 (I)で表される構造を有する 1記載の有機エレクト口ルミネッ センス素子用材料。
[化 1]
(式中、 Ar1及び Ar2は、核炭素数 6〜40の置換もしくは無置換のァリール基、又は 核原子数 5〜40の置換もしくは無置換のへテロアリール基である。また、!^〜 は水 素、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1〜20のアルコキシ基、核炭素数 6〜40の 置換もしくは無置換のァリール基、核原子数 5〜40の置換もしくは無置換のへテロア リール基、ハロゲン原子、シァノ基又は-トロ基である。!^〜 は、それぞれ同じでも 異なっていてもよく、隣接するもの同士、互いに飽和もしくは不飽和の環構造を形成 してもよい。 Ar1と Ar2は、互いに構造異性体を形成する関係にある。 )
4.前記式 (I)の Ar
1及び Ar
2が下記式 (Π)で表わされるァリール基である 3記載の有 機エレクト口ルミネッセンス素子用材料。
(式中、 X1は構造異性体を形成する基であり、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1 〜20のアルコキシ基、核炭素数 6〜40の置換もしくは無置換のァリール基、核原子 数 5〜40の置換もしくは無置換のへテロアリール基、ハロゲン原子、シァノ基又は-ト 口基である。 X2〜X5は、それぞれ独立に水素、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1〜20のアルコキシ基、核炭素数 6〜40の置換もしくは無置換のァリール基、核原 子数 5〜40の置換もしくは無置換のへテロアリール基、ハロゲン原子、シァノ基又は ニトロ基である。 〜 5は、それぞれ同じでも異なってもよぐ隣接するもの同士、互 V、に飽和もしくは不飽和の環構造を形成してもよ!/、。 )
5.一対の電極と、前記電極間に有機発光層を含む単層又は複数層の有機層とを有 し、前記有機層が、 1〜4のいずれかに記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子用材 料を含有する有機エレクト口ルミネッセンス素子。
6.前記有機層の発光帯域が前記有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料を含有す る 5記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
7.前記発光層が前記有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料を含有する 5記載の 有機エレクト口ルミネッセンス素子。
8.前記発光層が前記有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料を、主要な材料として 含有する 7記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
9.構造異性体であるトランス体及びシス体からなる混合物を加熱処理することにより 、前記混合物におけるトランス体 (t)とシス体 (c)の比率 (tZc)を 2以上にする有機ェ レクト口ルミネッセンス素子用材料の製造方法。
本発明によれば、有機 EL素子の構成材料として好適な構造異性体材料を提供で きる。
また、本発明によれば、上記有機 EL素子用材料の製造方法を提供できる。
図面の簡単な説明
[0009] [図 1]本発明の有機 EL素子の一実施形態を示す概略断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0010] はじめに、本発明の有機 EL素子用材料について説明する。
本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料は、構造異性体であるトランス体 又はシス体の構造をとりうる材料であって、トランス体の含有量がシス体よりも多いこと を特徴とする。この材料はトランス体及びシス体の混合体力ゝらなる場合と、トランス体 のみカゝらなる場合がある。トランス体をより多く含む有機 EL材料では、発光半減寿命 や発光効率を向上できる。
本明細書において、「構造異性体」とは、分子構造的には等価な構造を有している 力 分子構造内に存在する立体障害により別種の分子として存在しうる分子のことで ある。互いに構造異性体にある分子同士は、分子量や構造式は一致するが、立体的 な配置が異なるので物性は異なっていることが多い。これらは通常の素子の使用環 境下、例えば、室温'大気下の条件では、互いに別の種類として存在するが、光や熱 、触媒存在下では励起状態を経由して互いに構造を入替え、より安定な分子構造を 有する方に構造を変えることが知られて 、る。
[0011] 構造異性体としては、シス体、トランス体が存在する。有機化学では、炭素環式ィ匕 合物において環がほぼ平面構造をとりうると考えられるとき、この環に結合している置 換基の環平面に対する相対位置の相違によって立体異性が起こる。置換基が環面 に対して同側にある場合をシス体、反対側にある場合をトランス体という。即ち、ここで 言うシス体とは、構造異性体が生じるような立体障害を有する基が、同一方向に存在 するような特徴を有する分子構造を言う。逆にトランス体は、そのような立体障害基が 互 ヽに別の方向に存在する分子構造を言う。
[0012] 例えば、 9位と 10位に結合した 2つのフエニル基が立体的に嵩高い置換基 Xdを有 しているアントラセン誘導体の場合、通常の使用環境下では、下記式に示す二つの 構造が等価に存在し得る。このうち(a)の構造を持つものをシス体、(b)の構造を持 つものをトランス体と呼ぶ。
[化 3]
( a ) シス体 ( b ) トランス体
[0013] 本発明の有機 EL素子用材料では、シス体よりもトランス体の方がより多く含有され ている。即ち、トランス体 (t)とシス体 (c)の比率 (tZc)は、 1よりも大きい。比率 (tZc )は、好ましくは 2以上、より好ましくは 5以上である。比率 (tZc)の上限値はなぐトラ ンス体のみであればさらに好まし 、。
尚、比率 (tZc)は、 HPLC測定での面百値の比を意味する。
[0014] これらトランス体とシス体の比率は、様々な方法で測定することができる。例えば H
NMRを用いて特定の H原子に着目し、そのピーク強度を比較することによって tZ cを求めることができる。また、他の方法として、高速液体クロマトグラフィ (HPLC)測 定によるトランス体及びシス体の面百値の比較によっても求めることができる。本明細 書にお 、ては、後者の高速液体クロマトグラフィ (HPLC)測定による。
[0015] 本発明の有機 EL素子材料の具体例としては、下記式 (I)で表される構造を有する 化合物が挙げられる。
[化 4]
式 (I)において、八 、 Ar
2は核炭素数 6〜40の置換もしくは無置換のァリール基、 又は核原子数 5〜40の置換もしくは無置換のへテロアリール基である。また、 1^〜1
は水素、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1〜20のアルコキシ基、核炭素数 6〜 40の置換もしくは無置換のァリール基、核原子数 5〜40の置換もしくは無置換のへ テロアリール基、ハロゲン原子、シァノ基又は-トロ基である。!^〜 は、それぞれ同 じでも異なっていてもよぐ隣接するもの同士、互いに飽和もしくは不飽和の環構造を 形成してもよい。但し、 Ar
1と Ar
2は互いに構造異性体を形成する関係にある。
[0017] 式 (I)において、 Ar1及び Ar2は、好ましくは下記式 (Π)で表されるァリール基である
[化 5]
[0018] 式中、 X1は構造異性体を形成する基であり、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1〜20のアルコキシ基、核炭素数 6〜40の置換もしくは無置換のァリール基、核原 子数 5〜40の置換もしくは無置換のへテロアリール基、ハロゲン原子、シァノ基又は ニトロ基である。 X2〜X5は、それぞれ独立に水素、炭素数 1〜20のアルキル基、炭 素数 1〜20のアルコキシ基、核炭素数 6〜40の置換もしくは無置換のァリール基、 核原子数 5〜40の置換もしくは無置換のへテロアリール基、ハロゲン原子、シァノ基 又は-トロ基である。 〜 5は、それぞれ同じでも異なってもよぐ隣接するもの同士 、互いに飽和もしくは不飽和の環構造を形成してもよい。 )
[0019] 式 (I)と式 (Π)にお!/、て、 1^1〜 及び 1〜 5を示すァルキル基として、例えば、メ チル、ェチル、 n—プロピル、 i—プロピル、 n—ブチル、 s—ブチル、 tーブチル、 n— ペンチル、シクロペンチル、 n—へキシル、シクロへキシル、ァダマンチル基等がある 。この中でも、メチル、ェチル、 n—プロピル、 i—プロピル、 t—ブチル基が好ましい。
[0020] 式 (I)と式 (Π)にお!/、て、 1^1〜 及び 1〜 5を示すァルコキシ基として、例えば、メ トキシ、エトキシ、 i—プロピルォキシ、 n—ブトキシ、 s—ブトキシ、 t—ブトキシ、 n—ぺ ントキシ、シクロペントキシ、 n—へキシルォキシ、シクロへキシルォキシ基等がある。 この中でも、メトキシ基が好ましい。
[0021] 式 (I)と式 (Π)において、 1^1〜 及び 1〜 5を示すァリール基として、例えば、フエ -ル、ナフチル、フエナンスリル、アントラセ-ル、ピレニル、クリセ-ル、フルォレニル 、フルオランテュル基等がある。この中でも、フエ-ル基が好ましい。
[0022] 式 (I)と式 (Π)にお!/、て、!^〜 及び Χ Χ5を示すヘテロァリール基として、例え ば、ピロ一リル、フラニル、チォフエニル、イミダゾリル、ベンゾフラニル、ベンゾチオフ ェニル、カルバゾリル、ピリジ -ル、キノキサ -ル基等がある。この中でも、チォフエ- ル、ピリジ-ル基が好ましい。
[0023] 式 (I)と式 (Π)にお!/、て、!^〜 及び Χ Χ5を示すハロゲン原子としては、フッ素、 塩素が好ましい。
式 (I)と式 (Π)において、隣接する!^〜 及び 〜 5が形成する飽和もしくは不飽 和の環構造としては、ベンゼン環、シクロへキサン環等がある。
以下、式 (I)で示される化合物の具体例を示す。
[0024] [化 6]
「Me」はメチル基を、「tBu」はターシャリーブチル基を意味する
本発明の有機 EL素子用材料は、構造異性体を有する化合物の合成条件を適宜 調整することにより製造できる。通常、合成された化合物はシス体とトランス体の混合 物として得られる。
ところで、構造異性体は、通常の使用環境下では構造異性の変化を起こさないの で、トランス体とシス体の比 (tZc)が変化することはない。しかしながら、構造異性体 は光の照射、加熱又は触媒の存在等により、励起状態を経由して異性化を起こすこ とがある。本発明者らが鋭意研究した結果、構造異性体を有する化合物に占めるトラ ンス体の割合をより多くするためには、合成して得られた化合物を加熱処理すること が有効であることがわ力 た。本発明の有機 EL素子用材料は、通常の保存状態、即 ち、遮光条件下室温での保存では構造異性の変化を起こさない。
[0026] 構造異性体を有する化合物である有機 EL素子用材料にぉ ヽて、トランス体をより 多くするための加熱処理の温度は、好ましくは 200〜400°C、より好ましくは 250〜3
50°Cである。加熱処理の時間は化合物により適宜調整する必要があるものの、通常
1〜50時間であり、 1〜10時間が好ましい。
このような加熱処理をすることにより、有機 EL素子用材料のトランス体とシス体の比 率 (tZc)を 2以上にすることができる。
[0027] 尚、加熱処理を実施する際には、酸ィ匕物の発生を防止する観点から、乾燥窒素や アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、大気圧、又は大気圧以上に加圧して行うこと が好ましい。逆に、不活性ガス雰囲気に置換した後、 10_2Pa〜: LO_6Paの真空下で 、加熱処理又は昇華精製を行ってもよい。
また、酸化反応は光、特に紫外線の照射により促進される場合があるので (文献例 : Bull. Chemn. Soc. Jpn 61 (1988) p. 1057— 1062)、カロ熱処理中は遮光して 行なうことがさらに好ましい。
[0028] 次に、本発明の有機 EL素子について説明する。
本発明の有機 EL素子は、一対の電極と、それら電極に挟持されてなる少なくとも有 機発光層を含む単層又は複数層の有機層力 なる。
[0029] 図 1は本発明の有機 EL素子の一実施形態を示す概略断面図である。
有機 EL素子 1では、基板(図示せず)上に陽極 10、正孔注入層 20、正孔輸送層 3 0、発光層 40、電子輸送層 50、陰極 60がこの順に積層されている。この素子におい て、有機層は正孔注入層 20、正孔輸送層 30、発光層 40及び電子輸送層 50からな る積層構造となっている。
[0030] 本発明の有機 EL素子では、有機層の少なくとも 1層に、上述した本発明の有機 EL 素子用材料を含有する。これにより、有機 EL素子の発光効率及び寿命が向上する。 本発明の有機 EL素子用材料を含有して ヽる有機層にお ヽて、当該材料の含有量 は、各有機層の有する機能を考慮して調整するが、 1〜: LOOmol%の範囲が好まし い。特に好ましくは 50〜: LOOmol%である。
有機 EL素子用材料は、好ましくは発光帯域に存在することが好ましぐ特に、発光 層に使用されることが好ま 、。
尚、発光帯域とは、実際に励起状態を経由して発光が生じる領域を意味する。
[0031] また、発光層が上記の有機 EL素子用材料を、主要な材料として含有していること が好ましい。これにより、正孔と電子がバランスよく再結合し、安定な発光が得られる。 尚、「主要な材料として含有する」とは、発光層全体に占める有機 EL素子用材料の 含有量が 50mol%以上、好ましくは 80mol%以上であることを意味する。
[0032] 本発明の有機 EL素子は、上述したとおり、本発明の有機 EL素子用材料が有機層 の少なくとも 1層に使用されていればよい。従って、素子の構成は上記実施形態 1に 限定されるものではなぐ例えば、以下に示す(1)〜(15)の構成を有していてもよい
(1)陽極 Z発光層 Z陰極
(2)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z陰極
(3)陽極 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極
(4)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極
(5)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z付着改善層 Z陰極
(6)陽極 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極 (図 1)
(7)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層 Z陰極
(8)陽極 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注入層 Z陰極
(9)陽極 Z絶縁層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極
do)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極
(11)陽極 Z無機半導体層 Z絶縁層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極
(12)陽極 z絶縁層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z絶縁層 Z陰極
(13)陽極 z正孔注入層 z正孔輸送層 z発光層 z電子輸送層 z絶縁層 z陰極
(14)陽極 Z絶縁層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注 入層 Z陰極
(15)陽極 z絶縁層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z電子注 入層 Z絶縁層 Z陰極
[0033] これらの中で、通常 (4)、 (6)、 (7)、(8)、(12)、(13)及び(15)の構成が好ましく 用いられる。
以下、本発明の有機 EL素子を構成する各部材について説明する。
[0034] (透光性基板)
本発明の有機 EL素子は透光性の基板上に作製する。ここで ヽぅ透光性基板は有 機 EL素子を支持する基板であり、 400〜700nmの可視領域の光の透過率が 50% 以上で、平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ 石灰ガラス、ノ リウム 'ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケィ酸ガラス、ホウ ケィ酸ガラス、ノ リウムホウケィ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板として は、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフアイ ド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
尚、光取り出し方向の反対側に支持基板が位置する場合には透光性は不要である
[0035] (陽極)
有機 EL素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うもの であり、陽極側に透明性を必要とする場合は、酸化インジウム錫合金 (ITO)、酸化錫 (NESA)、酸化インジウム亜鉛合金 (登録商標 IZO)、金、銀、白金、銅等が適用で きる。また、透明性を必要としない、反射型電極とする場合には、それらの金属の他 に、アルミニウム、モリブデン、クロム、ニッケル等の金属や合金を使用することもでき る。これら材料は単独で用いることもできる力 これら材料同士の合金や、その他の元 素を添加した材料も適宜選択して用いることができる。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させる
こと〖こより作製することができる。
発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率は 10%よ り大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百 ΩΖ口以下が好ましい。 陽極の膜厚は材料にもよる力 通常 10nm〜l μ m、好ましくは 10〜200nmの範囲 で選択される。
[0036] (発光層)
有機 EL素子の発光層は以下の機能を併せ持つものである。
(1)注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入'輸送層より正孔を注入することがで き、陰極又は電子注入'輸送層より電子を注入することができる機能
(2)輸送機能;注入した電荷 (電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(3)発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
[0037] 尚、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよぐまた正 孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷 を移動することが好ましい。
[0038] 発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、 LB法等の公知の 方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。 ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、 溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通 常この分子堆積膜は、 LB法により形成された薄膜 (分子累積膜)とは凝集構造、高 次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭 57— 51781号公報に開示されているように、榭脂等の結着剤と材料 化合物とを溶剤に溶力して溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜ィ匕するこ とによっても、発光層を形成することができる。
[0039] 発光層に用いられる材料は、上述した本発明の有機 EL素子用材料が好ましい。し 力しながら、この材料に限定されるものではない。具体例として、式 (III)で示される材 料を発光材料として用いることができる。
[化 7]
\ V ノ n (III)
(式中、 Arは核炭素数 6〜50の芳香族環もしくは核原子数 5〜50の複素芳香族環 であり、 Xは置換基であり、 mは 1〜5の整数、 nは 0〜6の整数である。 )
[0040] Arを示す芳香族環及び複素芳香族環として、具体的には、フ -ル環、ナフチル 環、アントラセン環、ビフエ二レン環、ァズレン環、ァセナフチレン環、フノレ才レン環、 フエナントレン環、フノレオランテン環、ァセフエナンスリレン環、トリフエ-レン環、ピレ ン環、タリセン環、ベンズアントラセン環、ナフタセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタ フェン環、ペンタセン環、テトラフエ-レン環、へキサフェン環、へキサセン環、ルビセ ン環、コロネン環、トリナフチレン環、ピロール環、インドール環、力ルバゾール環、イミ ダゾール環、ベンズイミダゾール環、ォキサジァゾール環、トリァゾール環、ピリジン環 、キノキサリン環、キノリン環、ピリミジン環、トリアジン環、チォフェン環、ベンゾチオフ ェン環、チアンスレン環、フラン環、ベンゾフラン環、ピラゾール環、ピラジン環、ピリダ ジン環、インドリジン環、キナゾリン環、フエナント口リン環、シロール環、ベンゾシロー ル環等が挙げられる。
[0041] 好ましくはフエ-ル環、ナフチル環、アントラセン環、ァセナフチレン環、フルオレン 環、フエナントレン環、フルオランテン環、トリフエ-レン環、ピレン環、タリセン環、ベン ズアントラセン環、ペリレン環が挙げられる。
[0042] Xを示す置換基として、具体的には、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香 族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置 換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ 基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原 子数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリール チォ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のカルボキシル基、置換又は無置換の スチリル基、ハロゲン基、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である。
[0043] 置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基の例としては、フエニル基、 1 ナフチル基、 2 ナフチル基、 1 アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1 フエナントリル基、 2 フエナントリル基、 3 フエナントリル基、 4 フエナントリル基
、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル 基、 1ーピレ-ル基、 2 ピレ-ル基、 4ーピレ-ル基、 2 ビフヱ-ルイル基、 3 ビフ ェ-ルイル基、 4—ビフエ-ルイル基、 p ターフェ-ルー 4—ィル基、 p ターフェ- ルー 3—ィル基、 p ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ターフェ-ルー 4—ィル基、 m —ターフェ-ルー 3—ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィル基、 o トリル基、 m—トリ ル基、 ρ トリル基、 p—t—ブチルフエ-ル基、 p— (2—フエ-ルプロピル)フエ-ル 基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル基、 4ーメチルー 1 アン トリル基、 4,ーメチルビフエ-ルイル基、 4"—tーブチルー p—ターフェ-ルー 4ーィ ル基、 2 フルォレ -ル基、 9, 9 ジメチルー 2 フルォレ -ル基、 3 フルオランテ ニル基等が挙げられる。
[0044] 好ましくはフエニル基、 1 ナフチル基、 2 -ナフチル基、 9 -フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1ーピレ-ル基、 2 ピレ -ル基、 4 ピレ-ル基、 2 ビフエ-ルイル基、 3 ビフエ-ルイル基、 4 ビフエ- ルイル基、 o トリル基、 m—トリル基、 ρ トリル基、 p— t—ブチルフエ-ル基、 2—フ ルォレ-ル基、 9, 9 ジメチルー 2 フルォレ -ル基、 3 フルオランテュル基等が 挙げられる。
[0045] 置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基の例としては、 1—ピロリ ル基、 2 ピロリル基、 3 ピロリル基、ピラジュル基、 2 ピリジ-ル基、 3 ピリジ- ル基、 4 ピリジ-ル基、 1 インドリル基、 2 インドリル基、 3 インドリル基、 4ーィ ンドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリル基 、 2 イソインドリル基、 3 イソインドリル基、 4 イソインドリル基、 5 イソインドリル 基、 6 イソインドリル基、 7 イソインドリル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾ フラ-ル基、 3—べンゾフラ-ル基、 4一べンゾフラ-ル基、 5—べンゾフラ-ル基、 6 一べンゾフラ-ル基、 7 べンゾフラ-ル基、 1 イソべンゾフラ-ル基、 3 イソベン ゾフラ-ル基、 4 イソべンゾフラ-ル基、 5—イソべンゾフラ-ル基、 6—イソべンゾフ ラ-ル基、 7—イソべンゾフラ-ル基、キノリル基、 3—キノリル基、 4 キノリル基、 5— キノリル基、 6 キノリル基、 7 キノリル基、 8 キノリル基、 1 イソキノリル基、 3—ィ ソキノリル基、 4 イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリ
ル基、 8 イソキノリル基、 2 キノキサリニル基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリ -ル基、 1一力ルバゾリル基、 2—力ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾ リル基、 9一力ルバゾリル基、 1 フエナンスリジ-ル基、 2 フエナンスリジ-ル基、 3 フエナンスリジ-ル基、 4 フエナンスリジ-ル基、 6—フエナンスリジ-ル基、 7—フ ェナンスリジ-ル基、 8 フエナンスリジ-ル基、 9 フエナンスリジ-ル基、 10 フエ ナンスリジニル基、 1—アタリジニル基、 2—アタリジニル基、 3—アタリジニル基、 4— アタリジ-ル基、 9—アタリジ-ル基、 1, 7 フエナンスロリン一 2—ィル基、 1, 7 フ ェナンスロリン— 3—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 7 フエナンス 口リン— 5—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 6—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 8 —ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 9—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 10—ィル 基、 1, 8 フエナンスロリンー2—ィル基、 1, 8 フエナンスロリンー3—ィル基、 1, 8 —フエナンスロリン一 4—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 8 フエナ ンスロリン一 6—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 7—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン —9—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 2— ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 9 フ ェナンスロリン— 7—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 8—ィル基、 1, 9 フエナンス 口リン— 10—ィル基、 1, 10—フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 10—フエナンスロリ ン— 3—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 5 ーィル基、 2, 9 フエナンスロリン 1ーィル基、 2, 9 フエナンスロリンー3 ィル基 、 2, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9— フエナンスロリン一 6—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 7—ィル基、 2, 9 フエナン スロリン— 8—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 10—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン — 1—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 3—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 4—ィ ル基、 2, 8—フエナンスロリンー5—ィル基、 2, 8—フエナンスロリンー6—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 7—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 9—ィル基、 2, 8 フエ ナンスロリン— 10—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 1—ィル基、 2, 7 フエナンス 口リン一 3—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 4—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 5
ーィル基、 2, 7 フエナンスロリンー6—ィル基、 2, 7 フエナンスロリンー8 ィル基 、 2, 7 フエナンスロリン— 9—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1—フ ェナジ-ル基、 2—フエナジ-ル基、 1—フエノチアジ-ル基、 2—フエノチアジ-ル基 、 3 フエノチアジ-ル基、 4 フエノチアジ-ル基、 10 フエノチアジ-ル基、 1—フ エノキサジ-ル基、 2 フエノキサジ-ル基、 3 フエノキサジ-ル基、 4 フエノキサ ジニル基、 10 フエノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォ キサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザニル基、 2 チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2 メチルピロ一 ルー 3—ィル基、 2—メチルピロール— 4—ィル基、 2—メチルピロール— 5—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3 メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3 メチルピロ一 ルー 4—ィル基、 3—メチルピロール— 5—ィル基、 2— t—ブチルピロール— 4—ィル 基、 3—(2 フエ-ルプロピル)ピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチルー 1 インドリル基 、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2—メチルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インド リル基、 2 tーブチルー 1 インドリル基、 4 tーブチルー 1 インドリル基、 2 t ブチル - 3—インドリル基、 4— t ブチル - 3—インドリル基等が挙げられる。
置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基の例としては、メチル基、ェチル 基、プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、 s ブチル基、イソブチル基、 tーブ チル基、 n ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキ シメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチ ル基、 1, 2 ジヒドロキシェチル基、 1, 3 ジヒドロキシイソプロピル基、 2, 3 ジヒド 口キシ一 t—ブチル基、 1, 2, 3 トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1—クロ口 ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1, 2—ジクロロェチル基、 1 , 3 ジクロロイソプロピル基、 2, 3 ジクロロ一 t—ブチル基、 1, 2, 3 トリクロ口プロ ピル基、ブロモメチル基、 1 ブロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブ チル基、 1, 2 ジブロモェチル基、 1, 3 ジブロモイソプロピル基、 2, 3 ジブロモ t ブチル基、 1, 2, 3 トリブロモプロピル基、ョードメチル基、 1ーョードエチル基 、 2 ョードエチル基、 2 ョードイソブチル基、 1, 2 ジョードエチル基、 1, 3 ジョ ードイソプロピル基、 2, 3 ジョード— t—ブチル基、 1, 2, 3 トリョードプロピル基、
アミノメチル基、 1 アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2—ァミノイソブチル基、 1, 2 ジアミノエチル基、 1, 3 ジァミノイソプロピル基、 2, 3 ジアミノー t—ブチル基 、 1, 2, 3 トリァミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエチル基、 2 シァノエチ ル基、 2 シァノイソブチル基、 1, 2 ジシァノエチル基、 1, 3 ジシァノイソプロピ ル基、 2, 3 ジシァノ— t—ブチル基、 1, 2, 3 トリシアノプロピル基、ニトロメチル基 、 1 -トロェチル基、 2— -トロェチル基、 2— -トロイソブチル基、 1, 2—ジニトロェ チル基、 1, 3 ジ-卜口イソプロピル基、 2, 3 ジ-卜口— t—ブチル基、 1, 2, 3—卜!; ニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキ シル基、 4ーメチルシクロへキシル基、 1ーァダマンチル基、 2 ァダマンチル基、 1 ノルボルニル基、 2—ノルボル-ル基等が挙げられる。
置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基は OYで表される基であり、 Yの例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、 s ブチル基、イソブチル基、 t ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へ プチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキ シェチル基、 2 ヒドロキシイソブチル基、 1, 2 ジヒドロキシェチル基、 1, 3 ジヒド ロキシイソプロピル基、 2, 3 ジヒドロキシ一 t—ブチル基、 1, 2, 3 トリヒドロキシプ ロピノレ基、クロロメチノレ基、 1 クロロェチノレ基、 2—クロロェチノレ基、 2—クロロイソブ チル基、 1, 2 ジクロロェチル基、 1, 3 ジクロロイソプロピル基、 2, 3 ジクロロ一 t ブチル基、 1, 2, 3 トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 ブロモェチル基、 2 ブロモェチル基、 2 ブロモイソブチル基、 1, 2 ジブロモェチル基、 1, 3 ジブ ロモイソプロピル基、 2, 3 ジブ口モー t ブチル基、 1, 2, 3 トリブロモプロピル基 、ョードメチル基、 1ーョードエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1, 2 ジョードエチル基、 1, 3 ジョードイソプロピル基、 2, 3 ジョードー tーブチ ル基、 1, 2, 3 トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1 アミノエチル基、 2 ァミノ ェチル基、 2 ァミノイソブチル基、 1, 2 ジアミノエチル基、 1, 3 ジァミノイソプロ ピル基、 2, 3 ジアミノー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリァミノプロピル基、シァノメチル 基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1, 2—ジシァ ノエチル基、 1, 3 ジシァノイソプロピル基、 2, 3 ジシァノー t ブチル基、 1, 2, 3
—トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1— -トロェチル基、 2— -トロェチル基、 2 -トロイソブチル基、 1 , 2 ジ-トロェチル基、 1 , 3 ジ-トロイソプロピル基、 2, 3 —ジニトロ— t—ブチル基、 1 , 2, 3 トリ-トロプロピル基等が挙げられる。
[0048] 置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のァラルキル基の例としては、ベンジル基、 1 —フエ-ルェチル基、 2—フエ-ルェチル基、 1—フエ-ルイソプロピル基、 2—フエ- ルイソプロピル基、フエ-ルー t ブチル基、 a ナフチルメチル基、 1 α ナフチ ルェチル基、 2 - a—ナフチルェチル基、 1 - a—ナフチルイソプロピル基、 2— a ナフチルイソプロピル基、 13 ナフチルメチル基、 1— β ナフチルェチル基、 2 β ナフチルェチル基、 1 - β ナフチルイソプロピル基、 2— β ナフチルイソ プロピル基、 1 ピロリルメチル基、 2—(1 ピロリル)ェチル基、 ρ メチルベンジル 基、 m—メチルベンジル基、 o—メチルベンジル基、 p クロ口べンジル基、 m—クロ口 ベンジル基、 o クロ口べンジル基、 p ブロモベンジル基、 m ブロモベンジル基、 o ブロモベンジル基、 p ョードベンジル基、 m—ョードベンジル基、 o ョードベンジ ル基、 ρ ヒドロキシベンジル基、 m—ヒドロキシベンジル基、 o ヒドロキシベンジル 基、 p ァミノべンジル基、 m—ァミノべンジル基、 o ァミノべンジル基、 p 二トロべ ンジル基、 m—-トロベンジル基、 o -トロベンジル基、 p シァノベンジル基、 m— シァノベンジル基、 o シァノベンジル基、 1—ヒドロキシ一 2—フエ-ルイソプロピル 基、 1—クロ口一 2—フエ-ルイソプロピル基等が挙げられる。
[0049] 置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基は OY'と表され、 Y, の例としてはフエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—ァ ントリル基、 9 アントリル基、 1—フエナントリル基、 2—フエナントリル基、 3 フエナン トリル基、 4 フエナントリル基、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタ セ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1ーピレ-ル基、 2 ピレ-ル基、 4ーピレ-ル基、 2 —ビフエ-ルイル基、 3—ビフエ-ルイル基、 4—ビフエ-ルイル基、 ρ ターフェ-ル —4—ィル基、 ρ ターフェ-ルー 3—ィル基、 ρ ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—タ 一フエ-ルー 4—ィル基、 m—ターフェ-ルー 3—ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィ ル基、 o トリル基、 m—トリル基、 ρ トリル基、 p—t—ブチルフエ-ル基、 p— (2—フ ェ-ルプロピル)フエ-ル基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル
基、 4ーメチルー 1 アントリル基、 4,ーメチルビフエ-ルイル基、 4"—tーブチルー p —ターフェ-ルー 4—ィル基、 2 ピロリル基、 3 ピロリル基、ピラジュル基、 2 ピリ ジ-ル基、 3 ピリジ-ル基、 4 ピリジ-ル基、 2 インドリル基、 3 インドリル基、 4 —インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリ ル基、 3—イソインドリル基、 4 イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインド リル基、 7 イソインドリル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ-ル基、 3— ベンゾフラ-ル基、 4一べンゾフラ-ル基、 5—べンゾフラ-ル基、 6—べンゾフラ-ル 基、 7 べンゾフラ-ル基、 1 イソべンゾフラ-ル基、 3 イソべンゾフラ-ル基、 4 イソべンゾフラ-ル基、 5—イソべンゾフラ-ル基、 6—イソべンゾフラ-ル基、 7—イソ ベンゾフラ-ル基、 2 キノリル基、 3 キノリル基、 4 キノリル基、 5 キノリル基、 6 キノリル基、 7 キノリル基、 8 キノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノリル基、 4 イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—ィ ソキノリル基、 2 キノキサリニル基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル基、 1 カルバゾリル基、 2—力ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 1 フエナンスリジ-ル基、 2 フエナンスリジ-ル基、 3 フエナンスリジ-ル基、 4 フエ ナンスリジ-ル基、 6—フエナンスリジ-ル基、 7—フエナンスリジ-ル基、 8—フエナン スリジ-ル基、 9 フエナンスリジ-ル基、 10 フエナンスリジ-ル基、 1—アタリジ- ル基、 2 アタリジ-ル基、 3 アタリジ-ル基、 4 アタリジ-ル基、 9 アタリジ-ル 基、 1, 7 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 7 —フエナンスロリン一 4—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 7 フエナ ンスロリン一 6—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 8—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン —9—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 2— ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 8 フ ェナンスロリン— 7—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 9—ィル基、 1, 8 フエナンス 口リン— 10—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 5—ィル 基、 1, 9 フエナンスロリン— 6—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 7—ィル基、 1, 9
—フエナンスロリン一 8—ィル基、 1 , 9 フエナンスロリン一 10—ィル基、 1 , 10 フエ ナンスロリン— 2—ィル基、 1 , 10 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1 , 10 フエナンス 口リン— 4—ィル基、 1 , 10 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 1—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 4—ィル 基、 2, 9 フエナンスロリンー5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリンー6—ィル基、 2, 9 —フエナンスロリン一 7—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 8—ィル基、 2, 9 フエナ ンスロリン一 10—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 1—ィル基、 2, 8 フエナンスロリ ン— 3—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 5— ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 6—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 7—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 9—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 10—ィル基、 2, 7— フエナンスロリン一 1—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 3—ィル基、 2, 7—フエナン スロリン— 4—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン —6—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 8—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 9—ィ ル基、 2, 7 フエナンスロリン 10—ィル基、 1 フエナジ-ル基、 2 フエナジ-ル 基、 1 フエノチアジ-ル基、 2 フエノチアジ-ル基、 3 フエノチアジ-ル基、 4ーフ エノチアジ-ル基、 1 フエノキサジ-ル基、 2 フエノキサジ-ル基、 3 フエノキサ ジニル基、 4 フエノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォ キサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザニル基、 2 チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2 メチルピロ一 ルー 3—ィル基、 2—メチルピロール— 4—ィル基、 2—メチルピロール— 5—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3 メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3 メチルピロ一 ルー 4—ィル基、 3—メチルピロール— 5—ィル基、 2— t—ブチルピロール— 4—ィル 基、 3—(2 フエ-ルプロピル)ピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチルー 1 インドリル基 、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2—メチルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インド リル基、 2 tーブチルー 1 インドリル基、 4 tーブチルー 1 インドリル基、 2 t ブチル - 3—インドリル基、 4— t ブチル - 3—インドリル基等が挙げられる。
置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基は SY"と表され、 Y"の 例としてはフエ-ル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アント
リル基、 9 アントリル基、 1—フエナントリル基、 2—フエナントリル基、 3—フエナントリ ル基、 4 フエナントリル基、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ -ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1—ピレ-ル基、 2 ピレ-ル基、 4 ピレ-ル基、 2— ビフエ-ルイル基、 3—ビフエ-ルイル基、 4—ビフエ-ルイル基、 p ターフェ-ルー 4ーィル基、 p ターフェ-ルー 3—ィル基、 p ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ター フエ-ルー 4—ィル基、 m—ターフェ-ルー 3—ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィル 基、 o トリル基、 m—トリル基、 ρ トリル基、 p— t—ブチルフエ-ル基、 p— (2—フエ -ルプロピル)フエ-ル基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル 基、 4ーメチルー 1 アントリル基、 4,ーメチルビフエ-ルイル基、 4"—tーブチルー p —ターフェ-ルー 4—ィル基、 2 ピロリル基、 3 ピロリル基、ピラジュル基、 2 ピリ ジ-ル基、 3 ピリジ-ル基、 4 ピリジ-ル基、 2 インドリル基、 3 インドリル基、 4 —インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリ ル基、 3—イソインドリル基、 4 イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインド リル基、 7 イソインドリル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ-ル基、 3— ベンゾフラ-ル基、 4一べンゾフラ-ル基、 5—べンゾフラ-ル基、 6—べンゾフラ-ル 基、 7 べンゾフラ-ル基、 1 イソべンゾフラ-ル基、 3 イソべンゾフラ-ル基、 4 イソべンゾフラ-ル基、 5—イソべンゾフラ-ル基、 6—イソべンゾフラ-ル基、 7—イソ ベンゾフラ-ル基、 2 キノリル基、 3 キノリル基、 4 キノリル基、 5 キノリル基、 6 キノリル基、 7 キノリル基、 8 キノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノリル基、 4 イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基、 8—ィ ソキノリル基、 2 キノキサリニル基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル基、 1 カルバゾリル基、 2—力ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 1 フエナンスリジ-ル基、 2 フエナンスリジ-ル基、 3 フエナンスリジ-ル基、 4 フエ ナンスリジ-ル基、 6—フエナンスリジ-ル基、 7—フエナンスリジ-ル基、 8—フエナン スリジ-ル基、 9 フエナンスリジ-ル基、 10 フエナンスリジ-ル基、 1—アタリジ- ル基、 2 アタリジ-ル基、 3 アタリジ-ル基、 4 アタリジ-ル基、 9 アタリジ-ル 基、 1, 7 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 7 —フエナンスロリン一 4—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 7 フエナ
ンスロリン一 6—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 8—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン —9—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 2— ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 8 フ ェナンスロリン— 7—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 9—ィル基、 1, 8 フエナンス 口リン— 10—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 5—ィル 基、 1, 9 フエナンスロリン— 6—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 7—ィル基、 1, 9 —フエナンスロリン一 8—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 10—ィル基、 1, 10 フエ ナンスロリン— 2—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 10 フエナンス 口リン— 4—ィル基、 1 , 10 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 1—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 4—ィル 基、 2, 9 フエナンスロリンー5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリンー6—ィル基、 2, 9 —フエナンスロリン一 7—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 8—ィル基、 2, 9 フエナ ンスロリン一 10—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 1—ィル基、 2, 8 フエナンスロリ ン— 3—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 5— ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 6—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 7—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 9—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 10—ィル基、 2, 7— フエナンスロリン一 1—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 3—ィル基、 2, 7—フエナン スロリン— 4—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン —6—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 8—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 9—ィ ル基、 2, 7 フエナンスロリン 10—ィル基、 1 フエナジ-ル基、 2 フエナジ-ル 基、 1 フエノチアジ-ル基、 2 フエノチアジ-ル基、 3 フエノチアジ-ル基、 4ーフ エノチアジ-ル基、 1 フエノキサジ-ル基、 2 フエノキサジ-ル基、 3 フエノキサ ジニル基、 4 フエノキサジニル基、 2—ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォ キサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザニル基、 2 チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2 メチルピロ一 ルー 3—ィル基、 2—メチルピロール— 4—ィル基、 2—メチルピロール— 5—ィル基、
3 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3 メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3 メチルピロ一 ルー 4—ィル基、 3—メチルピロール— 5—ィル基、 2— t—ブチルピロール— 4—ィル 基、 3—(2 フエ-ルプロピル)ピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチルー 1 インドリル基 、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2—メチルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インド リル基、 2 tーブチルー 1 インドリル基、 4 tーブチルー 1 インドリル基、 2 t ブチル - 3—インドリル基、 4— t ブチル - 3—インドリル基等が挙げられる。
[0051] 置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のカルボキシル基は COOZと表され、 Zの例 としてはメチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、 s ブチル 基、イソブチル基、 t ブチル基、 n ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基 、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル 基、 2 ヒドロキシイソブチル基、 1, 2 ジヒドロキシェチル基、 1, 3 ジヒドロキシイソ プロピル基、 2, 3 ジヒドロキシー t ブチル基、 1, 2, 3 トリヒドロキシプロピル基、 クロロメチノレ基、 1—クロロェチノレ基、 2—クロロェチノレ基、 2—クロロイソブチノレ基、 1, 2 ジクロロェチル基、 1, 3 ジクロロイソプロピル基、 2, 3 ジクロロ一 t—ブチル基 、 1, 2, 3 トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 ブロモェチル基、 2 ブロモェ チル基、 2 ブロモイソブチル基、 1, 2 ジブロモェチル基、 1, 3 ジブロモイソプロ ピル基、 2, 3 ジブ口モー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリブロモプロピル基、ョードメチ ル基、 1ーョードエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1, 2—ジョ 一ドエチル基、 1, 3 ジョードイソプロピル基、 2, 3 ジョードー t—ブチル基、 1, 2 , 3 トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1—アミノエチル基、 2 アミノエチル基、 2 ーァミノイソブチル基、 1, 2 ジアミノエチル基、 1, 3 ジァミノイソプロピル基、 2, 3 —ジァミノ一 t—ブチル基、 1, 2, 3 トリァミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノ ェチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1, 2—ジシァノエチル基、 1 , 3 ジシァノイソプロピル基、 2, 3 ジシァノー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリシアノプ 口ピル基、ニトロメチル基、 1 -トロェチル基、 2— -トロェチル基、 2— -トロイソブ チル基、 1, 2 ジ-トロェチル基、 1, 3 ジ-トロイソプロピル基、 2, 3 ジ-トロ— t —プチル基、 1, 2, 3 トリ-トロプロピル基等が挙げられる。
[0052] 置換又は無置換のスチリル基の例としては、 2 フエ-ルー 1 ビュル基、 2, 2 ジ
フエ-ル— 1—ビュル基、 1, 2, 2—トリフエ-ル— 1—ビュル基等が挙げられる。
[0053] ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
[0054] mは、好ましくは 1〜2である。 nは、好ましくは 0〜4である。 m≥2の時は、(III)内の
Arはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。同様に、 n≥2の時は、(III)内の Xはそ れぞれ同じでも異なって 、てもよ!/、。
[0055] 発光層に用いられる材料として、さらに好ましくは下記式 (IV)に示されるアントラセ ン誘導体が挙げられる。
A1 - L A2 (IV)
(式中、 A1及び A2は、それぞれ置換若しくは無置換のモノフエ-ルアントリル基又は 置換若しくは無置換のジフエニルァルアントリル基を示し、それらは互いに同一でも 異なっていてもよぐ Lは単結合又は二価の連結基を示す。 )
[0056] 他に式 (V)に示されるアントラセン誘導体が挙げられる。
A3 - An - A4 (V)
(式中、 Anは置換若しくは無置換の二価のアントラセン残基を示し、 A3及び A4は、そ れぞれ置換若しくは無置換の一価の縮合芳香族環基又は置換若しくは無置換の炭 素数 12以上の非縮合環系ァリール基を示し、それらはたがいに同一でも異なってい てちよい。 )
[0057] 式 (IV)で表されるアントラセン誘導体としては、例えば式 (IV— a)又は式 (IV— b)で 表されるアントラセン誘導体を好ましく挙げることができる。
[化 8]
(式中、 Rdl〜R4Uは、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シクロアルキル基,置
換してもよいァリール基,アルコキシル基,ァリーロキシ基,アルキルアミノ基,ァリー ルァミノ基又は置換してもよい複素環式基を示し、 a及び bは、それぞれ 1〜5の整数 を示し、それらが 2以上の場合、 R31同士又は R32同士は、それぞれにおいて、同一で も異なっていてもよい。また、 R31同士又は R32同士が結合して環を形成していてもよ いし、 R33と R34、 R35と R36、 R37と R38、 R39と R4は互いに結合して環を形成していても よい。 L1は単結合又は—O—、—S—、—N (R)—(Rはアルキル基又は置換してもよ ぃァリール基である)又はァリーレン基を示す。 )
[0058] [ィ匕 9]
(式中、 R41〜 uは、それぞれ独立に水素原子,アルキル基,シクロアルキル基,置 換してもよいァリール基,アルコキシル基,ァリーロキシ基,アルキルアミノ基,ァリー ルァミノ基又は置換してもよい複素環式基を示し、 c d, e及び fは、それぞれ 1〜5の 整数を示し、それらが 2以上の場合、 R41同士、 R42同士、 R46同士又は R47同士は、そ れぞれにおいて、同一でも異なっていてもよぐまた R41同士、 R42同士、 R46同士又は R47同士が結合して環を形成していてもよいし、 R43と R44、 R48と R49がたがいに結合し て環を形成していてもよい。 L2は単結合又は— O—、— S―、— N (R) - (Rはアルキ ル基又は置換してもよいァリール基である)又はァリーレン基を示す。 )
尚、ここで置換してもよいとは、置換又は無置換を意味する。
[0059] 上記式(IV— a)及び(IV— b)において、 R31〜R5の内のアルキル基としては炭素 数 1〜6のもの力 シクロアルキル基としては炭素数 3〜6のもの力 ァリール基として は炭素数 5〜18のもの力 アルコキシル基としては炭素数 1〜6のもの力 ァリーロキ
シ基としては炭素数 5〜18のもの力 ァリールアミノ基としては炭素数 5〜16のァリー ル基で置換されたァミノ基力 複素環式基としてはトリアゾール基,ォキサジァゾール 基,キノキサリン基,フラ-ル基ゃチェ-ル基等が好ましく挙げられる。
[0060] また、 L1及び L2の内の—N (R) における Rで示されるアルキル基としては炭素数 1〜6のもの力 ァリール基としては炭素数 5〜18のものが好ましい。
[0061] 発光層にはさらに蛍光性ィ匕合物をドーパントとして少量添加し、発光性能を向上さ せることが可能である。このようなドーパントは、それぞれ長寿命な発光材料として公 知のものを用いることが可能である力 式 (VI)で示される材料を発光材料のドーパン ト材料として用いることが望まし 、。
[化 10]
(式中、 A ^Ar は置換又は無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基、置換又は無 置換のスチリル基である。 )
[0062] 置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基の例としては、フエニル基、 1 ナフチル基、 2 ナフチル基、 1 アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1 フエナントリル基、 2 フエナントリル基、 3 フエナントリル基、 4 フエナントリル基 、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル 基、 1ーピレ-ル基、 2 ピレ-ル基、 4ーピレ-ル基、 2 ビフヱ-ルイル基、 3 ビフ ェ-ルイル基、 4—ビフエ-ルイル基、 p ターフェ-ルー 4—ィル基、 p ターフェ- ルー 3—ィル基、 p ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ターフェ-ルー 4—ィル基、 m —ターフェ-ルー 3—ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィル基、 o トリル基、 m—トリ ル基、 ρ トリル基、 p—t—ブチルフエ-ル基、 p— (2—フエ-ルプロピル)フエ-ル 基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル基、 4ーメチルー 1 アン
トリル基、 4,ーメチルビフエ-ルイル基、 4"—tーブチルー p—ターフェ-ルー 4ーィ ル基、 2 フルォレ -ル基、 9, 9 ジメチルー 2 フルォレ -ル基、 3 フルオランテ ニル基等が挙げられる。
[0063] 好ましくはフエニル基、 1 ナフチル基、 2 ナフチル基、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1ーピレ-ル基、 2 ピレ -ル基、 4 ピレ-ル基、 2 ビフエ-ルイル基、 3 ビフエ-ルイル基、 4 ビフエ- ルイル基、 o トリル基、 m—トリル基、 ρ トリル基、 p— t—ブチルフエ-ル基、 2—フ ルォレ-ル基、 9, 9 ジメチルー 2 フルォレ -ル基、 3 フルオランテュル基等が 挙げられる。
置換又は無置換のスチリル基の例としては、 2—フエ-ルー 1 ビュル基、 2, 2—ジ フエ-ル— 1—ビュル基、 1, 2, 2—トリフエ-ル— 1—ビュル基等が挙げられる。
[0064] pは 1〜4の整数である。尚、 p≥2の時、(VI)内の Ar12、 Ar13はそれぞれ同じでも異 なっていてもよい。
[0065] (正孔輸送層:正孔注入層)
正孔輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正 孔移動度が大きぐイオンィ匕エネルギーが通常 5. 5eV以下と小さい。このような正孔 輸送層としてはより低 ヽ電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに 正孔の移動度が、例えば 104〜106VZcmの電界印加時に、少なくとも 10_4cm2/ V·秒であれば好ましい。
[0066] 正孔輸送材料の具体例として、例えば、トリァゾール誘導体 (米国特許 3, 112, 19 7号明細書等参照)、ォキサジァゾール誘導体 (米国特許 3, 189, 447号明細書等 参照)、イミダゾール誘導体 (特公昭 37— 16096号公報等参照)、ポリアリールアル カン誘導体 (米国特許 3, 615, 402号明細書、同第 3, 820, 989号明細書、同第 3 , 542, 544号明細書、特公昭 45— 555号公報、同 51— 10983号公報、特開昭 51 — 93224号公報、同 55— 17105号公報、同 56— 4148号公報、同 55— 108667 号公報、同 55— 156953号公報、同 56— 36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体 及びピラゾロン誘導体 (米国特許第 3, 180, 729号明細書、同第 4, 278, 746号明 細書、特開昭 55— 88064号公報、同 55— 88065号公報、同 49— 105537号公報
、同 55— 51086号公報、同 56— 80051号公報、同 56— 88141号公報、同 57— 4 5545号公報、同 54— 112637号公報、同 55— 74546号公報等参照)、フエ-レン ジァミン誘導体 (米国特許第 3, 615, 404号明細書、特公昭 51— 10105号公報、 同 46— 3712号公報、同 47— 25336号公報、特開昭 54— 53435号公報、同 54— 110536号公報、同 54— 119925号公報等参照)、ァリールァミン誘導体 (米国特許 第 3, 567, 450号明細書、同第 3, 180, 703号明細書、同第 3, 240, 597号明細 書、同第 3, 658, 520号明細書、同第 4, 232, 103号明細書、同第 4, 175, 961 号明細書、同第 4, 012, 376号明細書、特公昭 49— 35702号公報、同 39— 2757 7号公報、特開昭 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報、同 56— 22437号 公報、***特許第 1, 110, 518号明細書等参照)、ァミノ置換カルコン誘導体 (米国 特許第 3, 526, 501号明細書等参照)、ォキサゾール誘導体 (米国特許第 3, 257, 203号明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体 (特開昭 56— 46234号 公報等参照)、フルォレノン誘導体 (特開昭 54— 110837号公報等参照)、ヒドラゾン 誘導体 (米国特許第 3, 717, 462号明細書、特開昭 54— 59143号公報、同 55— 5 2063号公報、同 55— 52064号公報、同 55— 46760号公報、同 55— 85495号公 報、同 57— 11350号公報、同 57— 148749号公報、特開平 2— 311591号公報等 参照)、スチルベン誘導体 (特開昭 61— 210363号公報、同第 61— 228451号公報 、同 61— 14642号公報、同 61— 72255号公報、同 62— 47646号公報、同 62— 3 6674号公報、同 62— 10652号公報、同 62— 30255号公報、同 60— 93455号公 報、同 60— 94462号公報、同 60— 174749号公報、同 60— 175052号公報等参 照)、シラザン誘導体 (米国特許第 4, 950, 950号明細書)、ポリシラン系(特開平 2 204996号公報)、ァ-リン系共重合体 (特開平 2— 282263号公報)、特開平 1 211399号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー(特にチォフェンオリゴマ 一)等を挙げることができる。
また、下記式で表される化合物も正孔輸送材料として好適である。
[化 11]
[式中、 Ar 〜Ar , Ar 〜Ar , Ar 〜Ar は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 50の芳香族基、又は核原子数 5〜50の複素芳香族基であり、 a'〜 、 p'〜r 'はそ れぞれ 0〜3の整数である。 Ar27と Ar28、 Ar29と Ar3°、 Ar31と Ar32はそれぞれ互いに 連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。 ]
[0068] [化 12]
[式中、 A!^〜 Ar3。は置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基、又は核原 子数 5〜50の複素芳香族基であり、 Lは連結基であり、単結合、もしくは置換もしくは 無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基、又は核原子数 5〜50の複素芳香族基である 。 X'は 0〜5の整数である。 Ar36と Ar37は互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を 形成してもよ ヽ。 ]
[0069] 正孔輸送層の他、さらに正孔の注入を助けるために別途正孔注入層を設けること が好ましい。正孔注入層の材料としては本発明の有機 EL用材料単独でもよいし、他
の材料と混合して用いてもょ ヽ。他の材料としては正孔輸送層と同様の材料を使用 することができる力 ボルフイリンィ匕合物(特開昭 63— 2956965号公報等に開示の もの)、芳香族第三級アミンィ匕合物及びスチリルアミンィ匕合物 (米国特許第 4, 127, 4 12号明細書、特開昭 53— 27033号公報、同 54— 58445号公報、 ^154- 149634 号公報、同 54— 64299号公報、同 55— 79450号公報、同 55— 144250号公報、 同 56— 119132号公報、同 61— 295558号公報、同 61— 98353号公報、同 63— 295695号公報等参照)、特に芳香族第三級ァミン化合物を用いることが好ましい。
[0070] また米国特許第 5, 061, 569号に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内に 有する、例えば 4, 4,—ビス(N— (1—ナフチル)—N—フエ-ルァミノ)ビフエ-ル(N PD)、また特開平 4— 308688号公報に記載されているトリフエ-ルァミンユニットが 3 つスターバースト型に連結された 4, 4,, 4"—トリス(N— (3—メチルフエ-ル)— N— フエ-ルァミノ)トリフエ-ルァミン(MTDATA)等を挙げることができる。
[0071] また、芳香族ジメチリディン系化合物の他、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔 注入層の材料として使用することができる。
[0072] 正孔注入層又は正孔輸送層は、例えば、上述した化合物を真空蒸着法、スピンコ ート法、キャスト法、 LB法等の公知の方法により薄膜ィ匕することにより形成することが できる。正孔注入層、正孔輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は 5ηπ!〜 5 mである。正孔注入、輸送層は正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有していれ ば、上述した材料の一種又は二種以上力もなる一層で構成されてもよいし、又は前 記正孔注入、輸送層とは別種の化合物カゝらなる正孔注入、輸送層を積層したもので あってもよい。
[0073] 尚、有機半導体層も正孔輸送層の一部であるが、これは発光層への正孔注入又は 電子注入を助ける層であって、 10_1 SZcm以上の導電率を有するものが好適であ る。このような有機半導体層の材料としては、含チォフェンオリゴマーゃ特開平 8—1 93191号公報に開示してある含ァリールァミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含 ァリールァミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
[0074] (電子注入層)
電子注入層(電子輸送層と表記する場合もある)は、発光層への電子の注入を助け
る層であって、電子移動度が大きい。また、付着改善層は、この電子注入層の中で 特に陰極との付着がょ 、材料カゝらなる層である。電子注入層に用いられる材料として は、 8—ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。
[0075] 上記 8—ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、ォキシン
(一般に 8—キノリノール又は 8—ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートォ キシノイドィ匕合物が挙げられる。
例えば発光材料の項で記載した Alqを電子注入層として用いることができる。
[0076] 一方ォキサジァゾール誘導体としては、以下の式で表される電子伝達ィ匕合物が挙 げられる。
[化 13]
(式中 Ar41, Ar42, Ar43, Ar45, Ar46, Ar49はそれぞれ置換又は無置換のァリール基 を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また Ar44, Ar47, Ar48は 置換又は無置換のァリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なって 、てもよ ヽ o )
[0077] ここでァリール基としてはフエ-ル基、ビフエ-ル基、アントラ-ル基、ペリレニル基、 ピレニル基が挙げられる。またァリーレン基としてはフエ-レン基、ナフチレン基、ビフ ェ-レン基、アントラ-レン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。また置 換基としては炭素数 1〜10のアルキル基、炭素数 1〜10のアルコキシ基又はシァノ 基等が挙げられる。この電子伝達ィ匕合物は薄膜形成性のものが好まし 、。
[0078] 上記電子伝達性ィ匕合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
[0079] [化 14]
また、下記式で表される化合物も使用できる,
[化 15]
(A A3は、窒素原子又は炭素原子であり、 Rは、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール基、置換基を有してレヽてもよレ、炭素数 3〜60のへテロアリール基、 炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1〜20のハロアルキル基、炭素数 1〜20のアル
コキシ基であり、 n'は 0から 5の整数であり、 nが 2以上の整数であるとき、複数の Rは 互いに同一又は異なっていてもよい。
[0081] また、隣接する複数の R基同士で互いに結合して、置換又は無置換の炭素環式脂 肪族環、あるいは、置換又は無置換の炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
Ar51は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール基、置換基を有してい てもよい炭素数 3〜60のへテロアリール基であり、
Ar52は、水素原子、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 1〜20のハロアルキル基 、炭素数 1〜20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール 基、置換基を有して 、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリール基であり、
ただし、 Ar51、 Ar52のいずれか一方は置換基を有していてもよい炭素数 10〜60の 縮合環基、置換基を有して 、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロ縮合環基である。
L11, L12、 L13は、それぞれ単結合、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60の縮 合環、置換基を有して!/、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロ縮合環又は置換基を有して いてもよいフルォレニレン基である。 )
[0082] ·下記式で表されるで表される含窒素複素環誘導体
HAr— L — Ar — Ar
(式中、 HArは、置換基を有していてもよい炭素数 3〜40の含窒素複素環であり、
L1'は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリーレン基、置換基を 有して 、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリーレン基又は置換基を有して!/、てもよ!/ヽ フノレオレニレン基であり、
Ar1'は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60の 2価の芳香族炭化水素基であり
Ar2'は、置換基を有して!/、てもよ 、炭素数 6〜60のァリール基又は、
置換基を有して 、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリール基である)。
[0083] ·下記式で表されるシラシクロペンタジェン誘導体
(式中、 Q1及び Q2は、それぞれ独立に炭素数 1から 6までの飽和若しくは不飽和の 炭化水素基、アルコキシ基、ァルケ-ルォキシ基、アルキ-ルォキシ基、ヒドロキシ基 、置換若しくは無置換のァリール基、置換若しくは無置換のへテロ環又は Q1及び Q2 が結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、 R21〜R24は、それぞれ独立 に水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数 1から 6までのアルキル基、アルコキ シ基、ァリールォキシ基、パーフルォロアルキル基、パーフルォロアルコキシ基、アミ ノ基、アルキルカルボ-ル基、ァリールカルボ-ル基、アルコキシカルボ-ル基、ァリ ールォキシカルボ-ル基、ァゾ基、アルキルカルボ-ルォキシ基、ァリールカルボ- ルォキシ基、アルコキシカルボ-ルォキシ基、ァリールォキシカルボ-ルォキシ基、 スルフィエル基、スルフォ-ル基、スルファ-ル基、シリル基、力ルバモイル基、ァリー ル基、ヘテロ環基、ァルケ-ル基、アルキ-ル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、 ホルミルォキシ基、イソシァノ基、シァネート基、イソシァネート基、チオシァネート基、 イソチオシァネート基もしくはシァノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の 環が縮合した構造である。 )
·下記式で表されるシラシクロペンタジェン誘導体
[化 17]
(式中、 Q3及び Q4は、それぞれ独立に炭素数 1から 6までの飽和もしくは不飽和の炭 化水素基、アルコキシ基、ァルケ-ルォキシ基、アルキ-ルォキシ基、置換もしくは 無置換のァリール基、置換もしくは無置換のへテロ環又は Q3及び Q4が結合して飽和 もしくは不飽和の環を形成した構造であり、 R25〜R28は、それぞれ独立に水素、ハロ
ゲン、置換もしくは無置換の炭素数 1から 6までのアルキル基、アルコキシ基、ァリー ルォキシ基、パーフルォロアルキル基、パーフルォロアルコキシ基、アミノ基、アルキ ルカルボ-ル基、ァリールカルボ-ル基、アルコキシカルボ-ル基、ァリールォキシ カルボニル基、ァゾ基、アルキルカルボニルォキシ基、ァリールカルボニルォキシ基 、アルコキシカルボ-ルォキシ基、ァリールォキシカルボ-ルォキシ基、スルフィエル 基、スルフォ-ル基、スルファ-ル基、シリル基、力ルバモイル基、ァリール基、ヘテロ 環基、ァルケ-ル基、アルキ-ル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルォキ シ基、イソシァノ基、シァネート基、イソシァネート基、チオシァネート基、イソチオシァ ネート基、もしくはシァノ基又は隣接した場合には置換もしくは無置換の環が縮合し た構造である(但し、 R25及び R28がフエ-ル基の場合、 Q3及び Q4は、アルキル基及 びフエ-ル基ではなぐ R25及び R28がチェ-ル基の場合、 Q3及び Q4は、一価炭化水 素基を、 R26及び R27は、アルキル基、ァリール基、ァルケ-ル基又は R36及び R37が 結合して環を形成する脂肪族基を同時に満たさない構造であり、 R25及び R28がシリ ル基の場合、 R26及び R27、 Q3及び Q4は、それぞれ独立に、炭素数 1から 6の一価炭 化水素基又は水素原子でなぐ R25及び R26でベンゼン環が縮合した構造の場合、 Q 3及び Q4は、アルキル基及びフエ-ル基ではない)。 )
·下記式で表されるボラン誘導体
[化 18]
(式中、 R51〜R58及び Q8は、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭 化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又は ァリールォキシ基を示し、 Q5、 Q6及び Q7は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の 炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はァリールォキ
シ基を示し、 Q7と Q8の置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよぐ uは 1〜3 の整数を示し、 uが 2以上の場合、 Q7は異なってもよい。但し、 uが 1、 Q5、 Q6及び R4 力 Sメチル基であって、 R58が水素原子又は置換ボリル基の場合、及び uが 3で Q7がメ チル基の場合を含まない。)
[0086] ·下記式で示される化合物
[化 19]
(式中、 Q9, Q1C>は、それぞれ独立に、下記式で示される配位子を表し、 L14は、ハロ ゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル 基、置換もしくは無置換のァリール基、置換もしくは無置換の複素環基、 ORa (Ra は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキ ル基、置換もしくは無置換のァリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。)又 は— O Ga— QU (Q12) (Q11及び Q12は、 Q9及び Q10と同じ意味を表す。)で示され る配位子を表す。 )
[0087] [化 20]
(式中、環 A4及び A5は、置換基を有してよい互いに縮合した 6員ァリール環構造であ る。)
本発明の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、
還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性 化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれ ば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、 アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、 アルカリ土類金属のハロゲンィ匕物、希土類金属の酸ィ匕物又は希土類金属のハロゲン 化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機 錯体力 なる群力 選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
[0089] また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、 Na (仕事関数: 2. 36eV) 、K (仕事関数: 2. 28eV)、Rb (仕事関数: 2. 16eV)及び Cs (仕事関数: 1. 95eV) 力 なる群力 選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、 Ca (仕事関数: 2. 9eV) 、 Sr (仕事関数: 2. 0〜2. 5eV)、及び Ba (仕事関数: 2. 52eV)力 なる群力 選択 される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が 2. 9eV以下のも のが特に好ましい。
これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、 K、 Rb及び Csからなる群から選択さ れる少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、 Rb又は Csであり、最も好 ましいのは、 Csである。
[0090] これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高ぐ電子注入域への比較的少量の添 加により、有機 EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事 関数が 2. 9eV以下の還元性ドーパントとして、これら 2種以上のアルカリ金属の組み 合わせも好ましぐ特に、 Csを含んだ組み合わせ、例えば、 Csと Na、 Csと K、 Csと R b又は Csと Naと Kとの組み合わせであることが好ましい。
Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子 注入域への添カ卩により、有機 EL素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られ る。
[0091] 本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層 をさらに設けてもよい。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上さ せることができる。
このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲ
ナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる 群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層 力 Sこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されて ヽれば、電子注入性をさらに 向上させることができる点で好まし 、。
[0092] 具体的に、好まし 、アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、 Li 0、 LiO、 Na
2 2
S、 Na Se及び NaOが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、
2
例えば、 CaO、 BaO、 SrO、 BeO、 BaS、及び CaSeが挙げられる。また、好ましいァ ルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、 LiF、 NaF、 KF、 LiCl、 KC1及び NaCl 等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲンィ匕物としては、例えば、 CaF、 BaF、 SrF、 MgF及び BeFといったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン
2 2 2 2 2
化物が挙げられる。
[0093] また、電子輸送層を構成する半導体としては、 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Al、 Ga、 In、 Li、 Na、 Cd、 Mg、 Si、 Ta、 Sb及び Znの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又 は酸ィ匕窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜で あることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均 質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる 尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ 土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロ ゲンィ匕物等が挙げられる。
[0094] (陰極)
陰極としては仕事関数の小さい (4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこ れらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例とし ては、ナトリウム、ナトリウム一カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム '銀 合金、アルミニウム/酸ィ匕アルミニウム、アルミニウム 'リチウム合金、インジウム、希土 類金属等が挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成さ
せること〖こより、作製することができる。
[0095] ここで発光層からの発光を陰極力 取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は 1
0%より大きくすることが好ましい。
また陰極としてのシート抵抗は数百 Ω Z口以下が好ましぐ膜厚は通常 ΙΟηπ!〜 1 μ m、好ましくは 50〜200nmである。
[0096] (絶縁層)
有機 ELは超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じ やすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが 好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸ィ匕アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチ ゥム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カル シゥム、弗化カルシウム、弗化セシウム、炭酸セシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン 、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテ ユウム、酸ィ匕バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもょ ヽ。
[0097] (有機 EL素子の作製例)
以上例示した材料及び方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び 必要に応じて電子注入層等を形成し、さらに陰極を形成することにより有機 EL素子 を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機 EL素子を作 製することちでさる。
[0098] 以下、透光性基板上に陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極が順次 設けられた構成の有機 EL素子の作製例を記載する。
まず適当な透光性基板上に陽極材料力もなる薄膜を 1 μ m以下、好ましくは 10〜2 OOnmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極 を作製する。
次に、この陽極上に正孔輸送層を設ける。正孔輸送層の形成は、前述したように真 空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 LB法等の方法により行うことができる力 均質 な膜が得られやすぐかつピンホールが発生しにくい等の点力 真空蒸着法により形
成することが好ましい。
[0099] 真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物( 正孔輸送層の材料)、目的とする正孔輸送層の結晶構造や再結合構造等により異な る力 一般に蒸着源温度 50〜450°C、真空度 10一7〜 10_3torr、蒸着速度 0. 01〜 50nmZ秒、基板温度— 50〜300°C、膜厚 5nm〜5 μ mの範囲で適宜選択すること が好ましい。
[0100] 次に、正孔輸送層上に発光層を設ける。発光層の形成も、所望の有機発光材料を 用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発 光材料を薄膜ィ匕することにより形成できるが、均質な膜が得られやすぐかつピンホ ールが発生しにく 、等の点から真空蒸着法により形成することが好まし 、。真空蒸着 法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、 一般的に正孔輸送層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
[0101] 次にこの発光層上に電子輸送層を設ける。正孔輸送層、発光層と同様、均質な膜 を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔輸送層、 発光層と同様の条件範囲力 選択することができる。
[0102] 最後に陰極を積層して有機 EL素子を得ることができる。
陰極は金属力も構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。し 力 下地の有機物層を製膜時の損傷力も守るためには真空蒸着法が好ましい。 これまで記載してきた有機 EL素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰 極まで作製することが好ま 、。
[0103] 尚、本発明の有機 EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真 空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の 有機 EL素子用材料を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法 (MBE 法)、又は材料を溶媒に解かした溶液を使用したデイツビング法、スピンコーティング 法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で 形成することができる。
[0104] 本発明の有機 EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄 すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすぐ逆に厚すぎると高い印加電圧が必要とな
り効率が悪くなるため、通常は数 nmから 1 μ mの範囲が好ましい。
[0105] 有機 EL素子は電極間に電圧を印加することによって発光する。有機 EL素子に直 流電圧を印加する場合、陽極を +、陰極を一の極性にして、 5〜40Vの電圧を印加 すると発光が観測できる。尚、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は 全く生じない。また、交流電圧を印加した場合には陽極が +、陰極が一の極性にな つた時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよ!、。
[実施例]
[0106] 以下、本発明の有機 EL素子用材料及び有機 EL素子について、実施例をもとに詳 細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない
[0107] [有機 EL素子用材料]
製造例 1
以下の工程により、構造異性体を有する化合物 (TH— 01)を合成した。以下、説 明する。
[化 21]
ジオール体 TH— 0 1
TH— 01の合成
アルゴン雰囲気下、 2, 4 ジフエ-ルァミン 24. 5gに 3N塩酸水 300mLを加え、ォ ィルバスにて 60°Cに加熱し、 4時間撹拌して塩酸塩(白色懸濁液)にした。
この白色懸濁液を食塩 氷バスにて 5°C以下まで冷却し、撹拌下、亜硝酸ナトリウ ム 8. 27gを含む水溶液 60mLを 30分かけて滴下した。この際、液温が 10°Cを超え
ないようにした。生成した赤褐色溶液を 5°Cでさらに 1時間撹拌し、ジァゾ -ゥム塩溶 液を調製した。
ビーカーに沃化カリウム 60gを含む水溶液 180mLを調整し、撹拌下、調製したジ ァゾ-ゥム塩溶液を 30分かけて少しずつ添加した。窒素ガスの発生が収まるまで、さ らに 30分撹拌した後、塩化メチレン 200mLを加えて生成物を溶解した。
少量の亜硫酸水素ナトリウムを添加して副生した沃素を分解したのち、有機層を分 離し、炭酸ナトリウム水、及び水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を 減圧留去し、カラムクロマトで精製して、 2, 4—ジフエ二ル沃化ベンゼン 29. 4g (収率 82. 5%)を得た c
[0109] 2, 4ージフエ-ル沃化ベンゼン 27. 4gを、アルゴン雰囲気下、脱水トルエン 180m Lと脱水エーテル 60mLに溶解し、ドライアイス -アセトンバスで— 45°Cに冷却した。 そこに、 2. 44Mの nブチルリチウム—nへキサン溶液 31mLを 15分かけて滴下し、温 度をゆっくり― 10°Cまで上げて、さらに 1時間撹拌した。
そこに、 5, 12—ナフタセンキノン 7. 75gを 30分力ゝけて少量ずつ添カロし、その後、 室温まで徐々に温度を上げ、さらに 5時間撹拌した。
氷水で 0°Cまで冷却し、メタノール 60mLを滴下した。生成した粉末を濾取し、冷メ タノールで数回洗浄し、真空乾燥して、白色粉末を得た。トルエン 200mLをカ卩えて 1 時間加熱 '懸洗し、室温まで冷却した。濾過、冷トルエン洗浄、及び真空乾燥し、ジ オール体の白色粉末 15. lg (収率 69. 8%)を得た。
[0110] 以下の反応は、アルゴン吹き込み管を備えたフラスコをアルミホイルで遮光して実 施した。上記のジオール体 14. 42gに脱気したテトラヒドロフラン (THF) 450mLをカロ え、アルゴンを吹き込みながら室温で撹拌し、溶解した。その後、オイルバスで 40°C まで加温した。ここに二塩化スズ · 2水和物 45. lgを含む濃塩酸水溶液 150mLを 90 分かけて滴下した。その後、オイルバス温度を 70°Cまで上げ、還流下、さらに 2時間 撹拌し、室温まで冷却した。
2Lビーカーをアルミホイルで遮光し、蒸留水 1Lを入れ、アルゴン気流を流して脱 気した。このなかに反応液を添加し、 30分撹拌した。析出した黄色粉末を濾過して取 り、再度蒸留水 1L中に入れて撹拌'洗浄した。濾過し、メタノールで十分に洗浄した
後に真空乾燥した。これをアルゴンを吹き込んで脱気したアセトン 250mLにて加熱 懸洗し、濾過 ·真空乾燥し、目的とする TH— 01のオレンジ一黄色粉末 12. 70g (収 率 92. 7%)を得た。
[0111] TH— 01及び後述する試料 A— Cについて、トランス体とシス体の比率 (tZc)を測 定した。測定は、高速液体クロマトグラフィ (HPLC)により、下記の条件にて行った。
試料調整:遮光下、脱気した BHT入り THFにて溶解
カラム :Inertsil ODSIII
溶離液 :ァセトニトリル ZTHF (85Z25)
検出器 : UV 254nm
HPLCを測定して得られるチャートの、各ピークの持つ面積の比率 (面百値)から比 率 (tZc)を算出した。
その結果、加熱処理前の TH— 01ではトランス体とシス体の比率 (tZc)が 0. 01で あった。従って、この TH— 01は本発明の比較例に相当するので、以下、比較例 1と する。
[0112] 比較例 2
製造例で作製した TH— 01 (10. Og)を昇華精製装置に仕込み、窒素置換した後 、遮光下、 5 X 10_4Paに減圧し、加熱温度 320〜340°Cで昇華精製した。処理時間 は 1時間とした。得られた昇華精製物 (8. 6g)を試料 Aとする。試料 Aの比率 (tZc) は 1. 0であった。
[0113] 実施例 1
比較例 2で得た試料 A(6. Og)を、再度昇華精製装置に仕込み、窒素置換した後、 遮光下、 5 X 10_4Paに減圧し、加熱温度 320〜340°Cで昇華精製した。処理時間 は 1時間とした。得られた昇華精製物(5. 3g)を試料 Bとする。試料 Bの比率 (tZc) は 2. 2であった。
[0114] 実施例 2
実施例 1で得た試料 B (3. Og)を、再度昇華精製装置に仕込み、窒素置換した後、 遮光、常圧下、温度 320〜340°Cで 2時間加熱した。加熱処理した試料を試料じと する。試料 Cの比率 (tZc)は 99であった。
加熱処理をして!/ヽな ヽ TH— 01、及び昇華精製又は加熱処理した試料 A— Cにつ いて、以下の有機 EL素子を作製し、評価した。
[0115] [有機 EL素子]
実施例 3
25mm X 75mm X 1. 1mm厚の ITO透明電極付きガラス基板(ジォマティック社製 )をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 3 0分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し 、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下 記化合物 Η232を膜厚 60nmに成膜した。この H232膜は、正孔注入層として機能 する。
さらに、下記化合物 H001を膜厚 10nmに成膜した。この H001膜は正孔輸送層と して機能する。
その後、ホスト材料として実施例 1で作製した試料 Bを膜厚 40nmに蒸着し成膜した 。同時にドーパントとして、下記化合物 RD01をホスト材料に対して蒸着速度比で 1% になるように蒸着した。この膜は発光層として機能する。
この膜上に膜厚 30nmの下記化合物 Alqを成膜した。これは、電子輸送層として機 能する。この後、 LiFを lnm蒸着し、電子注入層を形成した。この LiF膜上に金属 A1 を蒸着させ金属陰極を形成し有機 EL素子を形成した。
[0116] この有機 EL素子について、 lOmAZcm2にて素子を駆動した時の発光効率 LZJ ( cdZA)、及び素子を初期輝度 5000nit、室温、 DC定電流にて駆動したときの、輝 度が 10%減少する時間(10%減寿命)を測定した。結果を表 1に示す。
尚、いずれの有機 EL素子の発光色も赤色だった。
[化 22]
RD 01 A 1 q
[0117] 実施例 4 比較例 3, 4
ホスト材料として表 1に示す材料を使用した他は、実施例 3と同様にして有機 EL素 子を作製し、評価した。結果を表 1に示す。
[0118] [表 1]
t/c : トランス体 (t) とシス体 (C) の比率
産業上の利用可能性
本発明の有機 EL素子用材料は、有機 EL素子の構成材料、特に発光層の材料と して好適に使用できる。
本発明の有機 EL素子は、平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源、携帯
電話、 PDA、カーナビゲーシヨン、車のインパネ等の表示部、照明等に好適に使用 できる。