WO2007077652A1

WO2007077652A1 - 偏光素子およびその製造方法

Info

Publication number: WO2007077652A1
Application number: PCT/JP2006/318780
Authority: WO
Inventors: Makoto Okada; Kayoko Fujimura
Original assignee: Nalux Co., Ltd.
Priority date: 2005-12-28
Filing date: 2006-09-21
Publication date: 2007-07-12
Also published as: JP2009085974A

Abstract

　製造方法が簡単で量産に適した、光ピックアップ装置などに使用される小型の偏光素子を提供する。本発明による偏光素子は、所定の周期Λで基板上に配置された格子を備え、光の波長をλ、格子面に対する入射角度をθ0として　Λ（ｃｏｓθ0）＜λ である。格子の凸部（１１１）上に凸部の屈折率よりも高い屈折率の材料からなる層（１１３）を積層し、格子の凸部以外の部分には当該高い屈折率の材料からなる層を積層していない。

Description

偏光素子およびその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、偏光分離素子、 1/4波長板などを含む偏光素子およびその製造方法に関する。特に、コンパクト 'ディスクおよびデジタル 'バーサタル'ディスク用の 2波長で使用することのできる、量産に適した偏光素子およびその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 一般に、光ピックアップ装置などに使用される小型の偏光素子には種々の種類がある。（1)キューブ型に代表される、多層膜を含むガラス素子 (たとえば、特開 2004-1 17760号公報)、（2)構造性複屈折を利用したサブ波長格子 (光の波長以下の周期を有する格子)素子、 (3)有機複屈折材料力もなる回折格子を用いた素子 (たとえば、特開 2003-43254号公報)、（4)回折格子と液晶高分子材料を用いた素子 (たとえば、特開平 10-265531号公報）などである。

[0003] (1)について、特開 2004-117760号公報に記載された例では、多層膜を用いて光の入射角度をブリュースター角（P波の反射率が 0となる入射角度）に近づけることで偏光ビームスプリッタを作成している。このような方法では、多層膜を形成するために複数の蒸着工程が必要となり生産性が悪ぐまた複数の複雑な機能を持たすことができない。

[0004] (2)は、格子周期が波長と同程度かそれ以下の構造を作成することによって偏光依存性を持たせる方法である。この方法では、サブ波長格子によって大きな複屈折を持たすことができる力ほとんどの場合、高アスペクト比の格子構造が必要となり生産が困難である。

[0005] (3)につ、て、特開 2003-43254号公報に記載された例では、複屈折材料上に構成した格子の凹部に等方性材料を充填するという構成になっている。しかし、格子の形成にエッチング工程が必要で量産性が悪ぐまた両面で構成される回折格子の場合、位置合わせが難しいなど複雑な工程を必要とする。

[0006] (4)は、回折格子の凹部に液晶高分子を含んだ材料を充填する力、あるいはこの材料で膜を形成することで偏光素子を作成する方法である。これは、液晶高分子の配向方向によって光学特性に偏光依存性があることを利用している。したがって、所定の性能を得るためには液晶の配向方向をそろえなければならず、個々の素子にラビング処理等の配向処理が必要であり、量産性に優れて!/、な!/、。

[0007] このように、いずれの種類の偏光素子も製造方法が煩雑であり、量産に適したものではない。

[0008] ここで、回折格子による偏光素子の原理について説明する。図 11は、回折格子による偏光に依存するビーム分離機能の原理にっ、て説明する図である。図 11において、屈折率が nlの媒質から n2の媒質に光が進む。境界には、周期 Λの格子が形成されている。

[0009] 光には TE偏光（s偏光）、 TM偏光 (p偏光）と呼ばれる偏光がある。回折格子に光が入射する場合に、格子の溝に対して電界が平行に振動する方向の偏光を TE偏光と呼び、電界が垂直に (磁界が平行に）振動する方向の偏光を TM偏光と呼ぶ。

[0010] 回折格子が波長えに対し、入射角度 0 、周期 Λを用いて次式の条件が満たされ

0

たとき、

Acos θ < λ (1)

0

その回折格子構造は、光にとって有効屈折率 η で表される薄膜構造内を進行してい eff

るように認識される。このとき有効屈折率 n

effは、入射光の偏光方向によって異なり、第

1次近似では次式で書き表される。

[0011] [数 1]

TE偏光： V(l— + fn₂

ここで、 fは周期 Λに対する図 11における山側部分（凸部）の比を表す。

上式から、 1以外では、各々の偏光に対する有効屈折率の値が異なっていることがわカゝる。

各々の偏光状態による有効屈折率の違ヽの物理的意味は、光の波長よりも極めて小さい構造体を光が通過する際、構造体は散乱などを生じさせる遮蔽物として捉えられる。結果として遮蔽物を通過するのにエネルギー損失が生じ、その影響が有効屈折率として現われてヽると考えることができる。

[0013] この条件の下で各々の偏光成分における有効屈折率 n =n または n =n (ただし eff TE eff T n ≠n )のいずれかが、異なる媒質を進行する光の屈折の関係式 (Snellの式)から

TE T

変形される次式

[数 2]

« , sin Θ _Q > n _eff ( 4 ) を満たすと、その偏光方向をもつ入射光は有効屈折率 n のもつ薄膜層を通過できな eff

くなる。この状態は図 11において、有効屈折率 n のもつ薄膜層での屈折角度 θ 1が eff

ほぼ 90° に達しており、 n2側への層に光が移動できない状態に相当する。結果的に、入射したエネルギーの発散先として、反射光が生じることとなる。

[0014] 以上、いずれか一方の偏光方向の光が格子構造から認識される有効屈折率 n の eff 効果によって (4)式が成立すると、微小周期による偏光素子が実現することになる。

[0015] 上述のように、格子部において周期を波長以下に設定することにより、電磁波として表される光は進行に伴って、回折波が生じないため、波の重ね合わせとして表現される回折効果として認識されなくなる。波の進行に対して格子部は屈折率変化の対象としてみなされ、電磁波に与える効果は仮想的な屈折率をもつ材質内での進行と同等の性質を与える。この結果、特定の波長帯域において薄膜層と同様の効果をもたらす。格子部を仮想的な屈折率をもつ材質と仮定する手法は有効屈折率法と呼ばれている。たとえば、 Wanji Yu et al.， 'Polarization— Multiplexed Diflractive Optical El ements Fabricated by Subwavelength Structures", Vol.41 , Issue 1 /January 2002/Ap pl.Opt.96-100(2002)には格子形状から有効屈折率を求めるための式が記述されて V、る。有効屈折率層は格子部の周期に対する山部の比によって有効屈折率の値が決定される。また、入射光に認識される有効屈折率の値はその偏光方向により異なる。したがって、波長以下の周期を持つ格子を利用することにより、回折格子に、偏光に依存する分離機能を持たせることが出来る。 [0016] このように、サブ波長格子は偏光素子として機能するが、上記のように、製造方法が簡単で量産に適した、偏光素子としてのサブ波長格子は開発されていない。

発明の開示

[0017] 上記の背景の下で、製造方法が簡単で量産に適した、光ピックアップ装置などに使用される小型の偏光素子に対するニーズがある。

[0018] 本発明による偏光素子は、所定の周期 Λで基板上に配置された格子を備え、光の波長をえ、格子面に対する入射角度を 0

0として

Λ (cos θ ) < λ

0

である。格子の凸部上に凸部の屈折率よりも高い屈折率の材料力なる層を積層し、格子の凸部以外の部分には当該高、屈折率の材料からなる層を積層して、な、。

[0019] 本発明においては、格子の凸部上に凸部の屈折率よりも高い屈折率の材料力もなる層を積層し、格子の凸部以外の部分には当該高い屈折率の材料からなる層を積層していないので、格子深さの、格子凸部の幅に対する比（アスペクト比）を小さくすることがでさる。

[0020] 本発明による偏光素子の製造方法は、所定の周期 Λで基板上に配置された格子であって、光の波長をえ、格子面に対する入射角度を Θ

0として

Λ (cos Θ ) < λ

0

である、格子を金型によって成形するステップと、格子の凸部上に、凸部を構成する材料の屈折率よりも高い屈折率の材料からなる層を積層するステップと、を含む。格子の凸部以外の部分には当該高い屈折率の材料力なる層を積層しない。

[0021] 本発明においては、格子の凸部上に凸部の屈折率よりも高い屈折率の材料力もなる層を積層し、格子の凸部以外の部分には当該高い屈折率の材料からなる層を積層しないので、格子深さの、格子凸部の幅に対する比（アスペクト比）を小さくすることができる。

図面の簡単な説明

[0022] [図 1]本発明の一実施形態による偏光素子の形状を示す図である。

[図 2]本発明の一実施形態による、偏光素子の製造方法を示す流れ図である。

[図 3]本発明の一実施形態による、偏光素子の製造方法を説明するための図である [図 4]本発明の一実施形態による偏光分離素子の構成を示す図である。

[図 5]格子深さ aを基準値力も約 10パーセント変化させた場合の、 TM波および TE波の透過効率の変化を示す図である。

[図 6]高い屈折率の材料力もなる層の厚さ bを基準値力も約 10パーセント変化させた場合の、 TM波および TE波の透過効率の変化を示す図である。

[図 7]入射角を 0度から 7度まで変化させた場合の、 TM波および TE波の透過効率の変化を示す図である。

[図 8]本発明の一実施形態による 1/4波長板の構成を示す図である。

[図 9]高い屈折率の材料力もなる層の厚さ bに対して、入射した光の位相変化を示す図である。

[図 10]本発明の偏光素子を使用した光ピックアップシステムの構成を示す図である。

[図 11]回折格子による偏光に依存するビーム分離機能の原理について説明する図である。

発明を実施するための最良の形態

[0023] 図 1は、本発明の一実施形態による偏光素子の形状を示す図である。偏光素子は、基板上に配置された格子カゝらなる。格子の凸部 1 1 1は、平坦な頭部を有し、平坦な頭部上に凸部の屈折率よりも高い屈折率の材料力もなる層 1 13が積層されている。当該格子の当該平坦な頭部以外の部分には当該高い屈折率の材料力なる層が積層されていない。

[0024] 格子周期、格子凸部の高さ (格子深さ）、高い屈折率の材料からなる層の厚さおよび格子凸部の幅をそれぞれ、 a、 b、 cおよび dであらわす。

[0025] 回折格子に入射する光の入射角度を Θ 、波長をえとすると、格子周期 aは、以下

0

の条件を満たす必要がある。

[0026] a (cos θ ) < λ

ο

回折格子に対して光を垂直に入射させる場合は、入射角度は、 0度であるので、 a< λ

となる。したがって、可視光に対して aは、ほぼ、 0. 4マイクロメータ以下である。 [0027] 格子の幅 dの、格子周期 aに対する比率をデューティ比という。

[0028] 図 1において、格子凸部 111の断面は矩形とした力たとえば、台形であってもよい

。格子凸部 111の断面を台形とした場合に、格子の幅 dは、台形の上底の長さと下底の長さの平均値としてもよ、。

[0029] 格子は、アクリルやポリオレフインなどの合成樹脂で形成してもよ、。格子凸部の屈折率は、 1. 48力も 1. 62の範囲である。

[0030] 凸部の屈折率よりも高い屈折率の材料力もなる層 113は、酸ィ匕チタン (たとえば、 Ti

O )などで形成してもよい。層 113の屈折率は、 2. 0から 2. 6の範囲である。格子凸

2 5

部の頭部上に、凸部の屈折率よりも高い屈折率の材料からなる層を積層するのは、格子深さ bの、格子凸部の幅 dに対する比（アスペクト比）をできるだけ小さくするためである。アスペクト比を小さくする理由は、後で説明する。当該高い屈折率と格子凸部の屈折率との差が 0. 65以上であるのが好ましい。

[0031] 図 2は、本発明の一実施形態による、偏光素子の製造方法を示す流れ図である。また、図 3は、本発明の一実施形態による、偏光素子の製造方法を説明するための図である。

[0032] 図 2のステップ S010において、格子用金型を加工する。格子用金型は、 Ni、 NiP、 Si、 WC、 SiC、 SiO など金属やガラスなど力もなる。加工には、電子描画装置ゃェ

2

ツチング装置などの微細加工装置を使用する。図 3の（a)は、加工後の金型 121の構成を示す図である。

[0033] 図 2のステップ S020において、金型によって格子を成形する。図 3の（b)は、金型 1 21の形状を格子の材料に転写して格子を成形する際の、金型 121と格子の材料との関係を示す図である。転写方法としては、射出成形法、溶融再転写技術、インプリント法などがある。上記の方法で転写を行うには、格子深さ bの、格子凸部の幅 dに対する比（アスペクト比）が、 3. 0以下であるの好ましい。アスペクト比が 3より大きい場合には、上記の方法で適切に転写を行うのが困難である。

[0034] 図 2のステップ S030にお、て、格子を金型から離型する。図 3の（c)は、離型後の格子 111の形状を示す図である。

[0035] 図 2のステップ S040において、格子の凸部の頭部上に、格子を形成する材料の屈折率よりも高い屈折率の材料を蒸着させる。格子の谷部には、材料が蒸着しないようにする。格子の谷部の幅は、（a— d)である。格子深さ bの、谷部の幅 (a— d)に対する比が、 1. 0以上であると、格子の谷部に材料が蒸着しない。蒸着方法としては、スパッタ蒸着法、真空蒸着法などがある。図 3の (d)は、蒸着後の格子の形状を示す図である。

[0036] 図 4は、本発明の一実施形態による偏光分離素子の構成を示す図である。偏光分離素子においては、 2種類の格子群 101および 103が交互に配置されている。 2種類の格子群 101および 103における TE波、 TM波に対する有効屈折率は一般に異なるので、 2種類の格子群 101および 103は複屈折をもつ物質とみなせる。また、格子形状により有効屈折率が変化する。そこで、 2種類の格子群 101および 103の格子形状を変化させ、ある偏光状態に対しては、 2種類の格子群 101および 103の有効屈折率がほぼ等しくなるようにする。

[0037] たとえば、 2種類の格子群 101および 103の配列をひとつの仮想格子とみなし、当該仮想格子に対する TM波を考える。この偏光状態に対して、 2種類の格子群 101 および 103の有効屈折率がほぼ等しくなるようにする。この場合に、 TM波にとって、偏光分離素子は、一様な材質力なるのと等しぐ TM波は偏光分離素子を透過する。 TE波にとって、 2種類の格子群 101および 103の有効屈折率は異なるので、偏光分離素子は、格子と等しぐ TE波は偏光分離素子によって回折する。このとき、回折格子の深さ bと蒸着膜厚 cを、 0次光の透過光がなくなるように設計すれば、 TM偏光は透過させ、 TE偏光は遮光する偏光分離素子を構成することができる。

[0038] 図 4にしたがって、本実施形態の偏光分離素子の構成を説明する。

[0039] 偏光分離素子は、基板上に 2種類の格子群 101および 103を設けたものである。

基板面上に任意の XY直交座標を定める。第 1の格子群 101は、基板上に、 Y方向に伸びる格子凸部を X方向に周期 0. 25マイクロメータで配置したものである。第 2の格子群 103は、基板上に、 X方向に伸びる格子凸部を Y方向に周期 0. 4マイクロメータで配置したものである。第 1の格子群 101と第 2の格子群 103とは、 X方向に交互に周期 3. 7マイクロメータで配置される。第 1の格子群 101と第 2の格子群 103との周期的な配置は、第 1の格子群 101を Y方向に伸びる格子凸部とし、第 2の格子群 1 03を格子凸部以外の部分とする仮想格子とみなすことができる。

[0040] 入射する光の波長をえ、格子面に対する入射角度を Θ として、第 1の格子群 101

0

の格子周期および第 2の格子群 103の格子周期は、

X / cos Θ

0

よりも小さくなるようにする。たとえば、入射する光の波長えは、デジタル 'バーサタル

'ディスク用波長 0. 66マイクロメータまたは、コンパクト 'ディスク用波長 0. 785マイク口メータとする。格子面に対する入射角度 Θ を、 0度すると

0

λ / cos θ

0

は、 0. 66マイクロメータまたは、 0. 785マイクロメータとなる。第 1の格子群 101の格子周期 0. 25マイクロメータおよび第 2の格子群 103の格子周期 0. 4マイクロメータは、 0. 66マイクロメータまたは、 0. 785マイクロメータよりも小さくなる。

[0041] 表 1は、本実施形態の偏光分離素子のパラメータを示す表である。右側 4列は各格子郡における蒸着層の有効屈折率を示す。表 1において、 ΤΕ偏光および ΤΜ偏光は、周期 3. 7マイクロメータの仮想格子に関する偏光方向である。また、 ΤΜ偏光の光は、基板の格子を備える面力入射され、 ΤΕ偏光の光は基板の格子のない面から入射されるものとした。

[0042] [表 1]

[0043] 本実施形態の偏光分離素子において、格子深さ (格子高さ） aは、 0. 46マイクロメータ、高い屈折率の材料力もなる層（蒸着膜層）の厚さ bは、 0. 51マイクロメータとした。ここで、格子エッジ角度とは、図 1の αで示す角度である。

[0044] 第 1の格子群において、格子深さ bの、格子凸部の幅 dに対する比（アスペクト比）は、 2. 3である。第 2の格子群においても、アスペクト比は、 2. 3である。このように、格子凸部のアスペクト比が 3以下であるので、格子の製造が比較的容易である。これに対して、蒸着膜層を設けない場合は、格子凸部のアスペクト比が 9以上となり、格子の製造が困難となる。

[0045] デジタル 'バーサタル'ディスク用波長 0. 66マイクロメータ、およびコンパクト 'ディスク用波長 0. 785マイクロメータの光の TM波に対して、第 1の格子群と第 2の格子群とはほぼ等しい屈折率を示す。したがって、 TM波は偏光分離素子を透過する。

[0046] デジタル 'バーサタル'ディスク用波長 0. 66マイクロメータ、およびコンパクト 'ディスク用波長 0. 785マイクロメータの光の TE波に対して、第 1の格子群と第 2の格子群とは異なる屈折率を示す。したがって、 TE波は仮想格子によって回折される。

[0047] 図 5は、格子深さ aを基準値力も約 10パーセント変化させた場合の、 TM波および T E波の透過効率の変化を示す図である。

[0048] 図 6は、高い屈折率の材料力もなる層の厚さ bを基準値力も約 10パーセント変化させた場合の、 TM波および TE波の透過効率の変化を示す図である。

[0049] 図 7は、入射角を 0度から 7度まで変化させた場合 oの o、 TM波および TE波の透過効率の変化を示す図である。

[0050] 図 5乃至図 7から、デジタル'バーサタル'ディスク用波長 0. 66マイクロメータ、およびコンパクト.ディスク用波長 0. 785マイクロメータの光の TM波は、ほぼ 90パーセント透過し、デジタル 'バーサタル'ディスク用波長 0. 66マイクロメータ、およびコンパクト 'ディスク用波長 0. 785マイクロメータの光の TE波は、ほぼ 90乃至 95パーセント透過しない。また、入射角力^度から 7度までの範囲で、透過率の入射角依存性はほとんど見られない。

[0051] 図 8は、本発明の一実施形態による 1/4波長板の構成を示す図である。 1/4波長板は、表 2に示すパラメータを有する格子力もなる。表 2の右側 4列は格子の各部分における有効屈折率を示す。図 8に示すように、入射光の偏光方向に対して、格子の向きを 45度傾ける。

[0052] [表 2] 格子 λ =0.66 λ =0.79 格子深さ ·

格子周期デューティェッジ

格子膜厚

比角度 TE TM TE TM ( μ mノ

(° )

格子

0. 4 0. 24 0. 60 90. 00 1 .369 1 .279 1 .355 1 .263 部分

蒸着膜

0. 4 0. 24 0. 60 2.203 1 .777 2.059 1 .643 部分 [0053] 格子深さ bの、格子凸部の幅 dに対する比（アスペクト比）は、 1. 0である。このように、格子凸部のアスペクト比が 3以下であるので、格子の製造が比較的容易である。これに対して、蒸着膜層を設けない場合は、格子凸部のアスペクト比が 8以上となり、格子の製造が困難となる。

[0054] 図 9は、高い屈折率の材料力もなる層（蒸着膜)の厚さ cに対して、入射した光の位相変化を示す図である。 cを 0. 375マイクロメータとすれば、デジタル 'バーサタル' ディスク用波長 0. 66マイクロメータ、およびコンパクト 'ディスク用波長 0. 785マイク口メータの光に対して、位相変化はほぼ 90度となる。

[0055] 図 10は、本発明の偏光素子を使用した光ピックアップシステムの構成を示す図である。図 10において、レーザ光源 201から発したビームは、 0次回折光として偏光分離素子 203を透過し、 1Z4波長板 205および対物レンズ 207を経てディスク（DVD または CD) 209に至る。ディスク 209で反射されたビームは、対物レンズ 207および 1 Z4波長板 205を経由して偏光分離素子 203に戻る。ビームは、偏光分離素子 203 によって 1次回折光として回折され、フォトダイオード 211および 213によって検出される。

[0056] レーザ光源 201の発する光は、 TM偏光 (p偏光）されたものであり、ほぼ 90%の効率で 0次回折光として偏光分離素子 203を透過する。この光は、 1Z4波長板 205によって円偏光に変換される。この光がディスク 209で反射されて、 1Z4波長板 205を逆方向に通過すると、 TE偏光（s偏光）された光となる。偏光分離素子 203は、この T E偏光は、 1次回折光が約 30%、一 1次回折光が約 30%、 0次回折光が 10%以下で、残りはより高次の回折光となる。

[0057] ここで、レーザ光源 201は、二波長半導体レーザユニットであってもよい。本発明の実施形態による偏光分離素子 203および 1Z4波長板 205は、デジタル'バーサタル 'ディスク用波長 0. 66マイクロメータおよびコンパクト 'ディスク用波長 0. 785マイクロメータに対して、ほぼ同様の特性を示すので、両方の波長に使用することができる。

Claims

請求の範囲

[I] 所定の周期 Λで基板上に配置された格子を備え、光の波長をえ、格子面に対する入射角度を 0 0として

Λ (cos θ ) < λ

0

であり、格子の凸部上に凸部の屈折率よりも高い屈折率の材料からなる層を積層し、格子の凸部以外の部分には当該高い屈折率の材料力なる層を積層していない偏光素子。

[2] 格子が合成樹脂からなる請求項 1に記載の偏光素子。

[3] 当該高い屈折率の材料が、酸ィ匕チタンである請求項 1または 2に記載の偏光素子。

[4] 当該高い屈折率の材料力もなる層が、蒸着により積層されたものである請求項 1から 3の、ずれかに記載の偏光素子。

[5] 格子深さの、格子凸部の幅に対する比が 3以下である請求項 1から 4のいずれかに記載の偏光素子。

[6] 格子深さの、格子谷部の幅に対する比が 1. 0以上である請求項 1から 5のいずれかに記載の偏光素子。

[7] 当該高い屈折率と格子凸部の屈折率との差が 0. 65以上である請求項 1から 6のいずれかに記載の偏光素子。

[8] 所定の周期 Λで基板上に配置された格子であって、光の波長をえ、格子面に対する入射角度を 0 0として

Λ (cos θ ) < λ

0

である、格子を金型によって成形するステップと、

格子の凸部上に、凸部を構成する材料の屈折率よりも高い屈折率の材料力もなる層を積層するステップと、を含み、格子の凸部以外の部分には当該高い屈折率の材料力なる層を積層しない偏光素子の製造方法。

[9] 格子が合成樹脂からなる請求項 8に記載の製造方法。

[10] 当該高い屈折率の材料が、酸ィ匕チタンである請求項 8または 9に記載の製造方法。

[II] 当該高い屈折率の材料力もなる層を、蒸着により積層する請求項 8から 10のいずれかに記載の製造方法。

[12] 格子深さの、格子凸部の幅に対する比が 3以下である請求項 8から 11のいずれかに記載の製造方法。

[13] 格子深さの、格子谷部の幅に対する比が 2. 5以上である請求項 8から 12のいずれかに記載の製造方法。

[14] 当該高い屈折率と格子凸部の屈折率との差が 0. 65以上である請求項 8から 13の V、ずれかに記載の製造方法。

[15] 基板面上に任意の XY直交座標を定めた場合に、基板上に、 Y方向に伸びる格子凸部を X方向に第 1の周期 Λで配置した第 1の格子群と、 X方向に伸びる格子凸部を Y方向に第 2の周期 Λで配置した第 2の格子群とを、 X方向に交互に第 3の周期

2

Λで配置した偏光分離素子であって、第 1の格子群および第 2の格子群が、請求項

3

1から 7のいずれかに記載の偏光素子力なり、進行方向が X軸を含む面内である光の所定の偏光波に対して、第 1の格子群と第 2の格子群の有効屈折率がほぼ等しぐ別の偏光波に対して、第 1の格子群と第 2の格子群の有効屈折率は異なり、当該別の偏光波に対して、第 1の格子群と第 2の格子群は、仮想格子として機能するように構成され、仮想格子面に対する入射角度を Θ として、第 3の周期 Λが

0 3

X / COS Θ

0

よりも大きい偏光分離素子。

[16] コンパクト 'ディスクおよびデジタル 'バーサタル'ディスク用の 2波長で使用することのできる、請求項 15に記載の偏光分離素子。