WO2007064237A1 - Method for forming nano-dimensional clusters and setting ordered structures therefrom - Google Patents

Method for forming nano-dimensional clusters and setting ordered structures therefrom Download PDF

Info

Publication number
WO2007064237A1
WO2007064237A1 PCT/RU2005/000514 RU2005000514W WO2007064237A1 WO 2007064237 A1 WO2007064237 A1 WO 2007064237A1 RU 2005000514 W RU2005000514 W RU 2005000514W WO 2007064237 A1 WO2007064237 A1 WO 2007064237A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
clusters
substrate
solution
formation
nanopores
Prior art date
Application number
PCT/RU2005/000514
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Sergei Nikolaevich Maximovsky
Grigory Avramovich Radutsky
Original Assignee
Sergei Nikolaevich Maximovsky
Radutsky Grigory A
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sergei Nikolaevich Maximovsky, Radutsky Grigory A filed Critical Sergei Nikolaevich Maximovsky
Priority to JP2008543227A priority Critical patent/JP2009521384A/ja
Priority to PCT/RU2005/000514 priority patent/WO2007064237A1/ru
Priority to US12/095,309 priority patent/US8206505B2/en
Priority to CN2005800524913A priority patent/CN101356115B/zh
Priority to EP05825078.8A priority patent/EP1975121A4/en
Publication of WO2007064237A1 publication Critical patent/WO2007064237A1/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/145—Radiation by charged particles, e.g. electron beams or ion irradiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02601—Nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02603—Nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
    • Y10S977/712—Integrated with dissimilar structures on a common substrate formed from plural layers of nanosized material, e.g. stacked structures
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
    • Y10S977/72—On an electrically conducting, semi-conducting, or semi-insulating substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
    • Y10S977/72—On an electrically conducting, semi-conducting, or semi-insulating substrate
    • Y10S977/721—On a silicon substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
    • Y10S977/72—On an electrically conducting, semi-conducting, or semi-insulating substrate
    • Y10S977/722—On a metal substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/701—Integrated with dissimilar structures on a common substrate
    • Y10S977/723—On an electrically insulating substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/763—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less formed along or from crystallographic terraces or ridges
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/764—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less with specified packing density
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/765—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less with specified cross-sectional profile, e.g. belt-shaped
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/775—Nanosized powder or flake, e.g. nanosized catalyst
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/775—Nanosized powder or flake, e.g. nanosized catalyst
    • Y10S977/776—Ceramic powder or flake
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/775—Nanosized powder or flake, e.g. nanosized catalyst
    • Y10S977/777—Metallic powder or flake

Definitions

  • the present invention relates to electronics, and more specifically to a technology for the formation of nanoscale clusters and the creation of nanoelectronic structures from them, used for the transmission, conversion, storage, generation of information signals.
  • a known method of forming nanoscale clusters and creating nanoelectronic structures from them is that the corresponding substances are introduced into nanoscale cavities existing in the structure of some natural or artificial materials (see, for example, abstracts of the XI international conference of semiconductor materials March 22-25, 1999 g., Ohfogd - "And crustallip (amoghous) silisop 3-D bubble lattis ip and suptetis oral matih” VN Bogomolov and others).
  • the voids of the synthetic opal are filled under pressure with a melt or a solution of tellurium to obtain a lattice of tellurium nanoclusters in an opal matrix.
  • the clusters obtained in this way are arranged randomly, as well as nanoscale cavities in the body of the opal, which makes it impossible to create discrete nanoelements that are homogeneous in their electrical and optical properties and organize them into an ordered structure.
  • This method allows the formation of clusters of uniform size and arrange them with the same pitch in the nodes of the two-dimensional lattice.
  • the basis of the invention is the task of creating such a method for the formation of nanoscale clusters and the formation of ordered structures from them, which would allow the formation of clusters both on the surface of the substrate and in its body at a given depth, and create spatial structures from clusters.
  • the problem is solved in that in the method of forming nanoscale clusters and creating ordered structures of them, which consists in introducing the materials from which the clusters form into the substrate from some natural or artificial materials with specified physical parameters, and creating composites with controlled properties, in accordance with the invention, the materials for the formation of clusters are introduced into the substrate material in the composition of the solution, act on the solution at predetermined points of the substrate by laser pulses They form a low-temperature plasma in the zone of the laser spot and create a gaseous medium in the region where the plasma exists to restore the ions of the cluster material in it to a pure material and, as the plasma cools, form clusters in the form of single-crystal quantum dots and wires spliced with the substrate material.
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26) special technologies for introducing into the substrate the material from which the clusters are formed.
  • metals, metalloids and semiconductors are used as materials for the formation of clusters.
  • the substrate is made of a material that is transparent to the laser radiation of the used wavelength and chemically inert to the solution at the temperature of its existence, and the solution is made with the possibility of good wetting of the substrate material, absorption of radiation of a given wavelength and the possibility of the formation of atomic hydrogen when exposed to low temperature plasma.
  • the solution is introduced into many nanopores of natural or artificial origin in the substrate material, the laser beam is focused on a given section of its surface and cause the formation of clusters in the nanopore holes located within the laser spot.
  • the simultaneous formation of nanoscale clusters occurs in all nanopores that are in the zone of the laser spot.
  • the laser beam is focused on different points of the same layer in the body of the substrate and cause the formation of clusters in the channels of nanopores located in this layer.
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26) It is advisable that they form clusters sequentially in several layers of the substrate, starting from the bottom, and create a spatial structure of clusters in the substrate, while between the formation of clusters in adjacent layers the nanopores of the substrate are filled with a solution.
  • nanopores are filled with a solution containing another material.
  • the substrate with through nanopores is placed on the sheet material, the nanopores are filled with a solution, the laser pulses act on the solution, and clusters are formed on the surface of the sheet material opposite the nanopore outlet openings.
  • FIG. 1 illustrates the proposed method in the formation of a two-dimensional lattice of clusters in nanopores of artificial origin
  • FIG. 2 illustrates the proposed method in the formation of a three-dimensional lattice of clusters in nanopores of artificial origin
  • FIG. 3 illustrates the proposed method in the formation of a three-dimensional lattice of intergrown clusters in nanopores of artificial origin
  • FIG. 4 and FIG. 5 illustrate the proposed method when forming on the surface of the substrate ruffled with it wires of a given topology
  • FIG. 6 illustrates the proposed method when a two-dimensional lattice of nanoclusters is formed on the surface of a sheet material
  • FIG. 7 illustrates the proposed method for the formation of nanoclusters inside a layer of organic material deposited on glass
  • FIG. 8 illustrates copper single crystals obtained by the proposed method of high-speed crystallization on a liquid substrate.
  • a two-dimensional lattice of nanopores 3 of the same cross section and predetermined depth perpendicular to the surface 4 of the substrate is made by any known method, in particular by the nanolithography method.
  • SUBSTITUTE SHEET (RULE 26) A solution containing material for forming clusters 5 is introduced into nanopores 3, for example, in the form of a salt of this material. Remove the remains of this solution from the surface 4 of the substrate 1 and cover this surface with a material transparent to laser radiation, for example, glass 6.
  • a laser pulse 2 with a power sufficient to cause a low-temperature plasma to create a gaseous medium in the region of its existence during the action of the pulse during the pulse action is directed through a glass 6 to a solution located in nanopores 3 and a laser pulse 2 with a power sufficient to cause the solution to fill the nanopores 3 within the laser spot.
  • the cluster material is restored to pure material as a result of its crystallization on a liquid substrate in an atmosphere of atomic hydrogen. This is because the composition of the solution is selected with the calculation of the formation of atomic hydrogen when exposed to low-temperature plasma.
  • the cluster crystallizes in a protective atmosphere of atomic hydrogen, which allows it to achieve high-structural perfection with a low concentration of impurities and the absence of processes of its oxidation.
  • FIG. 8 shows copper single crystals obtained by the proposed method of high-speed crystallization on a liquid substrate in a protective atmosphere of atomic hydrogen.
  • the proposed method allows you to create ruffled clusters of different materials in the body of the substrate (Fig. 3). For this, after the formation of clusters in the lower layer of the substrate, the nanopores are filled with a solution containing other material for the formation of clusters.
  • the proposed method allows to obtain wire 7 of any given topology on the surface of the substrate (Fig. 4 and 5). In this case, the solution is introduced into the nanoscale grooves and the process described above is repeated. In this way, it is also possible to obtain spliced wires from two materials, as described above in the preparation of spliced clusters from different materials.
  • the method of formation of nanoscale clusters and the creation of ordered structures from them make it possible to create two- and three-dimensional lattices from single-crystal quantum dots and wires spliced with the substrate material.

Description

Способ образования наноразмерных кластеров и создания из них упорядоченных структур
Настоящее изобретение относится к электронике, а более конкретно - к технологии образования наноразмерных кластеров и создания из них наноэлектронных структур, используемых для передачи, преобразования, хранения, генерации информационных сигналов.
Предшествующий уровень техники
Известен способ образования наноразмерных кластеров и создания из них наноэлектронных структур, заключающийся в том, что соответствующие вещества внедряют в наноразмерные полости, существующие в структуре некоторых природных или искусственных материалов (см., например, тезисы докладов XI международной конференции полупроводниковых материалов 22-25 марта 1999 г., Охfогd - "А сrуstаlliпе (аmогрhоus) siliсоп 3-D bubblе lаttiсе iп а sупtеtiс ораl mаtгiх" В.Н. Богомолов и др.).
В соответствии с этим способом пустоты синтетического опала под давлением заполняют расплавом или раствором теллура и получают решетку из нанокластеров теллура в опаловой матрице.
Однако обеспечить этим способом создание решетки изолированных кластеров сложно из-за сети соединяющих нанопоры каналов.
Этим способом также невозможно создать пространственную структуру из изолированных кластеров, расположенных в нанопорах в различных слоях подложки.
Кроме того, полученные этим способом кластеры расположены случайным образом, также, как и наноразмерные полости в теле опала, из-за чего невозможно создавать однородные по своим электрическим и оптическим свойствам дискретные наноэлементы и организовывать их в упорядоченную структуру.
Известен способ формирования решетки нанокластеров и создание из них двухмерной решетки (см., например, патент РФ N° 2214359 кл 7 В 8 2В 3/00).
Этот способ позволяет образовывать однородные по своим размерам кластеры и располагать их с одинаковым шагом в узлах двухмерной решетки.
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) Однако этот способ технологически сложен, малопроизводителен и не позволяет создать трехмерную решетку из кластеров.
Известен также способ создания металлизированного изображения заданной топологии на листовом материале (см., например, заявку PCT JN° WO 01/38940 A2 кл G 03 F 7/26). В соответствии с этим способом частицы металла под действием импульсов лазерного излучения переносятся со слоя, расположенного на стеклянной пластине над листовым материалом, и оседают на нем.
Однако этим способом невозможно создать на листовом материале кластеры или проволоки в связи с большим размером переносимых на нее частиц.
Раскрытие изобретения
В основу изобретения поставлена задача создания такого способа образования наноразмерных кластеров и формирования из них упорядоченных структур, который позволил бы образовывать кластеры как на поверхности подложки, так и в ее теле на заданной глубине, и создавать из кластеров пространственные структуры.
Поставленная задача решается тем, что в способе образования наноразмерных кластеров и создания их них упорядоченных структур, заключающемся в том, что в подложку из некоторых природных или искусственных материалов с заданными физическими параметрами вводят материалы, из которых образуют кластеры, и создают композиты с управляемыми свойствами, в соответствии с изобретением, материалы для образования кластеров вводят в материал подложки в составе раствора, воздействуют на раствор в заданных точках подложки импульсами лазерного излучения, образуют в зоне лазерного пятна низкотемпературную плазму и создают в области существования плазмы газообразную среду для восстановления в ней ионов материала кластера до чистого материала и, по мере остывания плазмы, образуют кластеры в виде монокристаллических квантовых точек и проволок, сращенных с материалом подложки.
При таком способе образования наноразмерных кластеров и структур из них не нужно специального сложного и дорогостоящего оборудования, а также
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) специальных технологий для внедрения в подложку материала, из которого образуют кластеры.
Целесообразно, что в качестве материалов для образования кластеров используют металлы, металлоиды и полупроводники.
При таком способе образования наноразмерных кластеров и структур из них обеспечиваются условия для образования кластеров в виде монокристаллов.
Целесообразно, что подложку выполняют из материала, прозрачного для лазерного излучения используемой длины волны и химически инертного к раствору при температуре его существования, а раствор выполняют с возможностью хорошего смачивания материала подложки, поглощения излучения данной длины волны и возможности образования атомарного водорода при воздействии на него низкотемпературной плазмой.
При таком способе образования наноразмерных кластеров и структур из них обеспечивается возможность их образования внутри подложки.
Целесообразно, что перед воздействием лазерного излучения на раствор, введенный в материал подложки, ее перекрывают прозрачным для этого излучения материалом.
При таком способе образования наноразмерных кластеров обеспечивается направленное воздействие лазерного излучения на раствор.
Целесообразно, что вводят раствор во множество нанопор природного или искусственного происхождения в материале подложки, фокусируют лазерный луч на заданном участке ее поверхности и вызывают образование кластеров в отверстиях нанопор, расположенных в пределах лазерного пятна.
При таком способе образования наноразмерных кластеров происходит одновременное образование наноразмерных кластеров во всех нанопорах, оказавшихся в зоне лазерного пятна.
Целесообразно, что фокусируют лазерный луч на различные точки одного и того же слоя в теле подложки и вызывают образование кластеров в каналах нанопор, расположенных в этом слое.
Пои таком способе образования наноразмерных кластеров возможно их образование на заданной глубине нанопор.
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) Целесообразно, что образуют кластеры последовательно в нескольких слоях подложки, начиная с нижнего, и создают в подложке пространственную структуру из кластеров, при этом между образованием кластеров в смежных слоях заполняют нанопоры подложки раствором.
При таком способе образования наноразмерных кластеров возможно создание из них пространственной трехмерной структуры.
Целесообразно, что образуют в каждой нанопоре ерошенные кластеры из различных материалов, при этом после образования кластеров из одного материала заполняют нанопоры раствором, содержащим другой материал.
При таком способе образования наноразмерных кластеров возможно создание трехмерной структуры из кластеров, образованных из различных материалов.
Целесообразно, что подложку со сквозными нанопорами размещают на листовом материале, заполняют нанопоры раствором, воздействуют на раствор импульсами лазерного излучения и вызывают образование кластеров на поверхности листового материала напротив выходных отверстий нанопор.
При таком способе образования наноразмерных кластеров возможно создание двухмерной решетки нанокластеров на поверхности листового материала.
Целесообразно, что образуют на поверхности подложки множество протяженных канавок заданной топологии с наноразмерным углублением, заполняют их раствором, содержащим материал для изготовления кластеров, воздействуют на каждую точку канавки импульсом лазерного излучения и вызывают образование проволок в углублениях канавок.
При таком способе образования наноразмерных упорядоченных структур возможно образование ерошенных с материалом подложки проволок произвольной топологии.
Целесообразно, что создают мелкодисперсную связь из органического материала подложки и раствора, наносят ее равномерным слоем на стекло, фокусируют лазерный луч на заданные участки этого слоя, вызывают выделение в нем кластеров в пределах лазерного пятна, полимеризуют нанесенную на стекло пленку и образуют металл - полимерный комплекс.
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) При таком способе образования наноразмерных кластеров упрощается технология создания больших экранов для отображения информации.
Краткое описание чертежей
В дальнейшем изобретение поясняется описанием конкретных, но не ограничивающих настоящее изобретение вариантов осуществления и прилагаемыми чертежами, на которых:
Фиг. 1 иллюстрирует предлагаемый способ при образовании двухмерной решетки кластеров в нанопорах искусственного происхождения;
Фиг. 2 иллюстрирует предлагаемый способ при образовании трехмерной решетки кластеров в нанопорах искусственного происхождения;
Фиг. 3 иллюстрирует предлагаемый способ при образовании трехмерной решетки из сросшихся кластеров в нанопорах искусственного происхождения;
Фиг. 4 и Фиг. 5 (разрез A-A на фиг. 4) иллюстрируют предлагаемый способ при образовании на поверхности подложки ерошенных с ней проволок заданной топологии;
Фиг. 6 иллюстрирует предлагаемый способ при образовании на поверхности листового материала двухмерной решетки нанокластеров;
Фиг. 7 иллюстрирует предлагаемый способ при образовании нанокластеров внутри нанесенного на стекло слоя органического материала;
Фиг. 8 иллюстрирует монокристаллы меди, полученные предлагаемым способом высокоскоростной кристаллизации на жидкой подложке.
Лучшие варианты осуществления изобретения
Предлагаемый способ образования наноразмерных кластеров и создания из них упорядоченных структур осуществляют следующим образом.
В подложке 1 из материала, прозрачного для лазерного излучения 2 используемой длины волны, выполняют любым известным способом, в частности, способом нанолитографии, двухмерную решетку из нанопор 3 одинакового сечения и заданной глубины, перпендикулярных к поверхности 4 подложки.
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) Вводят в нанопоры 3 раствор, содержащий материал для образования кластеров 5, например, в виде соли этого материала. Удаляют с поверхности 4 подложки 1 остатки этого раствора и закрывают эту поверхность прозрачным для лазерного излучения материалом, например, стеклом 6.
Направляют через стекло 6 на находящийся в нанопорах 3 раствор импульс лазерного излучения 2 мощностью, достаточной для возникновения в растворе, заполнившем нанопоры 3, находящиеся в пределах лазерного пятна, низкотемпературной плазмы, создающей в области ее существования в течение действия импульса газообразную среду.
В этой среде происходит восстановление материала кластера до чистого материала в результате его кристаллизации на жидкой подложке в атмосфере атомарного водорода. Это происходит потому, что состав раствора подбирается с расчетом образования атомарного водорода при воздействии на него низкотемпературной плазмы.
В результате кластер кристаллизуется в защитной атмосфере атомарного водорода, что позволяет ему достичь высокоструктурного совершенства при низкой концентрации примесей и отсутствия процессов его окисления.
На фиг. 8 показаны монокристаллы меди, полученные предлагаемым способом высокоскоростной кристаллизации на жидкой подложке в защитной атмосфере атомарного водорода.
Аналогичные процессы происходят при создании трехмерной решетки кластеров (фиг. 2). В этом случае вначале создают кластеры в нижнем слое подложки, а затем, вновь наполнив нанопоры раствором, образуют кластеры в верхнем слое подложки.
Предлагаемый способ позволяет создавать в теле подложки ерошенные кластеры из разных материалов (фиг. 3). Для этого после образования кластеров в нижнем слое подложки, нанопоры заполняют раствором, содержащим другой материал для образования кластеров.
Возможно также предлагаемым способом создать двухмерную решетку кластеров на гладкой поверхности листового материала (фиг. 6).
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26) Для этого подложку 1 со сквозными нанопорами 3 размещают на поверхности листового материала, вводят в нанопоры раствор, накрывают подложку 1 стеклом 6 и повторяют описанный выше процесс.
Предлагаемый способ позволяет получать проволоки 7 любой заданной топологии на поверхности подложки (фиг. 4 и 5). В этом случае раствор вводят в наноразмерные канавки и повторяют описанный выше процесс. Этим способом можно также получать срощенные из двух материалов проволоки, как это описанно выше при получении срощенных кластеров из разных материалов.
Предлагаемым способом возможно создавать кластеры внутри органического материала, нанесенного равномерным слоем 8 на стекло (фиг. 7). В этом случае вначале создают мелкодисперсную смесь из органического материала подложки и раствора, которую наносят равномерным слоем на стекло. При воздействии импульсами лазерного излучения на заданные участки этого слоя происходит взаимодействие мельчайших пузырьков раствора с лазерным лучом. В результате описанных выше процессов в нанесенном на стекло слое образуются кластеры.
Промышленная применимость
Способ образования наноразмерных кластеров и создания из них упорядоченных структур позволяют создавать двух- и трехмерные решетки из монокристаллических квантовых точек и проволок, срощенных с материалом подложки.
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26)

Claims

Формула изобретения
1. Способ образования наноразмерных кластеров и создания из них упорядоченных структур, заключающийся в том, что в подложку из некоторых природных или искусственных материалов с заданными физическими параметрами вводят материалы, из которых образуют кластеры и создают композиты с управляемыми свойствами, отличающийся тем, что материалы для образования кластеров вводят в материал подложки в составе раствора, воздействуют на раствор в заданных точках подложки импульсами лазерного излучения, образуют в зоне лазерного пятна низкотемпературную плазму и создают в области существования плазмы газообразную среду для восстановления в ней ионов материала кластера до чистого материала и, по мере остывания плазмы, образуют кластеры в виде монокристаллических квантовых точек и проволок, срощенных с материалом подложки.
2. Способ по п. I5 отличающийся тем, что в качестве материалов для образования кластеров используют металлы, металлоиды и полупроводники.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложку выполняют из материала, прозрачного для лазерного излучения используемой длины волны и химически инертного к раствору при температуре его существования, а раствор выполняют с возможностью хорошего смачивания материала подложки, поглощения лазерного излучения данной длины волны и возможности образования атомарного водорода при воздействии на него низкотемпературной плазмой.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что перед воздействием лазерного излучения на раствор, введенный в материал подложки, ее перекрывают прозрачным для этого излучения материалом.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что вводят раствор во множество нанопор природного или искусственного происхождения в материале подложки, фокусируют лазерный луч на заданные участки ее поверхности и вызывают образование кластеров в отверстиях нанопор, расположенных в пределах лазерного пятна.
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26)
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что фокусируют лазерный луч на различные точки одного и того же слоя в теле подложки и вызывают образование кластеров в каналах нанопор, расположенных в этом слое.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что образуют кластеры последовательно в нескольких слоях подложки, начиная с нижнего, и создают в подложке пространственную структуру из кластеров, при этом между образованием кластеров в смежных слоях заполняют нанопоры подложки раствором.
8. Способ по п. 7, отличающийся тем, что образуют в каждой нанопоре срощенные кластеры из различных материалов, при этом после образования кластеров из одного материала заполняют нанопоры раствором, содержащим другой материал.
9. Способ по п. 5, отличающийся тем, что подложку со сквозными нанопорами размещают на листовом материале, заполняют нанопоры раствором, воздействуют на раствор импульсами лазерного излучения и вызывают образование кластеров на поверхности листового материала напротив выходных отверстий нанопор.
10. Способ по п. 4, отличающийся тем, что образуют на поверхности подложки множество протяженных канавок заданной топологии с наноразмерным углублением, заполняют их раствором, содержащим материал для изготовления кластеров, воздействуют на каждую точку канавки импульсом лазерного излучения и вызывают образование проволок в углублениях канавок.
11. Способ по п. 3 отличающийся тем, что создают мелкодисперсную смесь из органического материала подложки и раствора, наносят ее равномерным слоем на стекло, фокусируют лазерный луч на заданные участки этого слоя, вызывают выделение в нем кластеров в пределах лазерного пятна, полимеризуют нанесенную на стекло пленку и образуют металл - полимерный комплекс.
ЗАМЕНЯЮЩИЙ ЛИСТ (ПРАВИЛО 26)
PCT/RU2005/000514 2005-11-29 2005-11-29 Method for forming nano-dimensional clusters and setting ordered structures therefrom WO2007064237A1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008543227A JP2009521384A (ja) 2005-11-29 2005-11-29 ナノ寸法クラスターを形成してそこから秩序構造を構築する方法
PCT/RU2005/000514 WO2007064237A1 (en) 2005-11-29 2005-11-29 Method for forming nano-dimensional clusters and setting ordered structures therefrom
US12/095,309 US8206505B2 (en) 2005-11-29 2005-11-29 Method for forming nano-dimensional clusters and setting ordered structures therefrom
CN2005800524913A CN101356115B (zh) 2005-11-29 2005-11-29 形成纳米尺寸簇群并由此建立有序结构的方法
EP05825078.8A EP1975121A4 (en) 2005-11-29 2005-11-29 METHOD FOR THE PRODUCTION OF CLUSTERS WITH NANOA DIMENSIONS AND THE CREATION OF REGULATED STRUCTURES THEREOF

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU2005/000514 WO2007064237A1 (en) 2005-11-29 2005-11-29 Method for forming nano-dimensional clusters and setting ordered structures therefrom

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007064237A1 true WO2007064237A1 (en) 2007-06-07

Family

ID=38092477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2005/000514 WO2007064237A1 (en) 2005-11-29 2005-11-29 Method for forming nano-dimensional clusters and setting ordered structures therefrom

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8206505B2 (ru)
EP (1) EP1975121A4 (ru)
JP (1) JP2009521384A (ru)
CN (1) CN101356115B (ru)
WO (1) WO2007064237A1 (ru)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2646441C1 (ru) * 2016-12-21 2018-03-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" Способ упорядочения расположения наночастиц на поверхности подложки

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068800A (en) * 1995-09-07 2000-05-30 The Penn State Research Foundation Production of nano particles and tubes by laser liquid interaction
WO2001038940A2 (en) 1999-11-24 2001-05-31 Yeda Research And Development Co. Ltd. Method for surface patterning using a focused laser
DE10006905A1 (de) * 2000-02-16 2001-09-06 Boneberg Johannes Optisches Herstellungsverfahren für nanostrukturierte Oberflächen
RU2214359C1 (ru) 2002-09-05 2003-10-20 Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) Способ формирования решетки нанокластеров кремния на структурированной подложке

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0891818A (ja) * 1994-09-16 1996-04-09 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 炭素クラスター含有硬質膜の製造方法
JP3142784B2 (ja) * 1996-11-19 2001-03-07 株式会社三菱総合研究所 半導体微粒子の製造
JP3241629B2 (ja) * 1997-03-31 2001-12-25 株式会社三菱総合研究所 半導体微粒子の製造
US6277740B1 (en) * 1998-08-14 2001-08-21 Avery N. Goldstein Integrated circuit trenched features and method of producing same
TW447013B (en) * 2000-05-18 2001-07-21 Nat Science Council Manufacturing method for self-polymerized silicon quantum dots
US6419998B1 (en) * 2000-06-19 2002-07-16 Mcgrath Thomas Method for deposition of metal catalysts on inert supports
EP1223615A1 (en) * 2001-01-10 2002-07-17 Eidgenössische Technische Hochschule Zürich A method for producing a structure using nanoparticles
JP2003139951A (ja) * 2001-10-31 2003-05-14 Fuji Photo Film Co Ltd 光学異方性薄膜およびその製造方法
AU2003229333A1 (en) * 2002-05-21 2003-12-12 Eikos, Inc. Method for patterning carbon nanotube coating and carbon nanotube wiring
CN1301212C (zh) * 2002-09-17 2007-02-21 清华大学 一维纳米材料方向及形状调整方法
RU2267408C2 (ru) * 2004-02-02 2006-01-10 Сергей Николаевич Максимовский Способ получения металлизированного изображения на листовом материале и устройство для его осуществления

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6068800A (en) * 1995-09-07 2000-05-30 The Penn State Research Foundation Production of nano particles and tubes by laser liquid interaction
WO2001038940A2 (en) 1999-11-24 2001-05-31 Yeda Research And Development Co. Ltd. Method for surface patterning using a focused laser
DE10006905A1 (de) * 2000-02-16 2001-09-06 Boneberg Johannes Optisches Herstellungsverfahren für nanostrukturierte Oberflächen
RU2214359C1 (ru) 2002-09-05 2003-10-20 Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) Способ формирования решетки нанокластеров кремния на структурированной подложке

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1975121A4
V.N. BOGOMOLOV: "A crystalline (amorphous) silicon 3-D bubble lattice in a synthetic opal matrix", XI INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING MATERIALS, 22 March 1999 (1999-03-22)

Also Published As

Publication number Publication date
US20090008833A1 (en) 2009-01-08
CN101356115A (zh) 2009-01-28
CN101356115B (zh) 2011-08-10
US8206505B2 (en) 2012-06-26
EP1975121A4 (en) 2014-01-15
JP2009521384A (ja) 2009-06-04
EP1975121A1 (en) 2008-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3183344B2 (ja) 量子ドット固体および従来型固体のパターン化方法
Jeong et al. Micro‐and Nanopatterning of Halide Perovskites Where Crystal Engineering for Emerging Photoelectronics Meets Integrated Device Array Technology
US6858079B2 (en) Self-assembled photonic crystals and methods for manufacturing same
JP3854620B2 (ja) コロイド自己組立光結晶のパターニング方法及びこれを利用した逆転されたオパール構造の３次元光結晶光導波路の製作方法
US5651818A (en) Photonic band gap materials and method of preparation thereof
US7510946B2 (en) Method for filling of nanoscale holes and trenches and for planarizing of a wafer surface
US20030106487A1 (en) Photonic crystals and method for producing same
US20030148088A1 (en) Light emitting photonic crystals
EP1613549A1 (en) Precisely positioned nanowhiskers and nanowhisker arrays and method for preparing them
EP1339897A2 (en) Method of self-assembly and optical applications of crystalline colloidal patterns on substrates
JP2006334693A (ja) ナノ構造体、多孔質ナノ構造体および機能性ナノ構造体、並びにそれらの製造方法
RU2279400C2 (ru) Способ образования наноразмерных кластеров и создания из них упорядоченных структур
Lee et al. Fabrication of 3D macroporous structures of II− VI and III− V semiconductors using electrochemical deposition
JP4801068B2 (ja) 高屈折率の材料からなるフォトニック結晶の製造方法
JPH10261244A (ja) 微粒子の規則的配列方法および光記録媒体
WO2007064237A1 (en) Method for forming nano-dimensional clusters and setting ordered structures therefrom
KR100803053B1 (ko) 주기적인 패턴을 갖는 산화아연 나노막대 어레이의제조방법
Liu et al. Creating anodic alumina nanochannel arrays with custom‐made geometry
Yasukawa et al. Site-selective metal patterning/metal-assisted chemical etching on GaAs substrate through colloidal crystal templating
KR20080112190A (ko) 나노 크기의 클러스터 형성 및 그로부터 정렬구조를세팅하는 방법
Tiginyanu et al. Template assisted formation of metal nanotubes
RU2462366C1 (ru) Способ создания изображения из монокристаллов в теле листового невпитывающего материала
JP2001004859A (ja) 周期性を示す材料を含む物品を製造する方法
Cheng et al. Atomic layer deposition enabled interconnect technology for vertical nanowire arrays
Wehrspohn et al. The Way to Uniformity in Porous III–V Compounds via Self-Organization and Lithography Patterning

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008543227

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005825078

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087015826

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580052491.3

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12095309

Country of ref document: US