WO2007054111A1 - Sensor for detecting electromagnetic radiation - Google Patents

Sensor for detecting electromagnetic radiation Download PDF

Info

Publication number
WO2007054111A1
WO2007054111A1 PCT/EP2005/012056 EP2005012056W WO2007054111A1 WO 2007054111 A1 WO2007054111 A1 WO 2007054111A1 EP 2005012056 W EP2005012056 W EP 2005012056W WO 2007054111 A1 WO2007054111 A1 WO 2007054111A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sensor
layer
semiconductor layer
sensor according
membrane
Prior art date
Application number
PCT/EP2005/012056
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Holger Vogt
Original Assignee
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. filed Critical Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority to PCT/EP2005/012056 priority Critical patent/WO2007054111A1/en
Publication of WO2007054111A1 publication Critical patent/WO2007054111A1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation

Definitions

  • the present invention relates to a sensor for detecting an electromagnetic radiation as it can be used for example for infrared sensors, night vision devices, infrared cameras or thermal imaging cameras.
  • Sensors for electromagnetic radiation can serve as a single sensor, as pixels for sensor lines or for 2D arrays. Areas of application are pixels for infrared sensors, image recorders for night vision devices, infrared cameras or thermal imaging cameras. Visible light and near infrared sensors have so far mainly been photonic sensors, for example photoresistors, photodiodes as pn or Schottky diodes. Sensors for long-wave infrared are predominantly thermal sensors, for example pyroelectric or resistance bolometers. Resistance bolometer pixels use metals or semiconductors such as Si, SiGe, metal oxides VOx or BST as temperature-dependent resistors.
  • a bolometer serves as an infrared sensor.
  • a thin layer is thermally insulated in the sensor.
  • the thin layer may be suspended as a membrane.
  • An infrared radiation to be detected by the infrared sensor is absorbed in this membrane. This increases the temperature of the membrane. If the membrane is made of a material with finite electrical resistance, it changes depending on the temperature increase and the temperature coefficient of the resistance. See: http://www-leti.cea.fr/commun/AR-2003/ T5-Photodetection / 25-J-LTissot.pdf.
  • the membrane may also be an insulator, for example made of silicon oxide or silicon nitride, on which a resistor is present as a further re thin layer was deposited.
  • insulating layers and an absorber layer are provided in addition to the resistive layer.
  • Bolometers can serve as individual sensors, but can also be constructed as rows or 2D arrays. Lines and arrays are typically produced today using microsystem technology in surface micromachining on a silicon substrate. This is often referred to as Mikrobolomete-r arrays.
  • a preferred wavelength of the infrared radiation to be detected is 8-14 ⁇ m.
  • Common resistance layers which can be used for bolometers are amorphous silicon a-Si as described in US 5,367,167 or vanadium oxide (VOx) as described in US 5,450,053. Both are semiconductor materials whose temperature coefficient is -2% to about -4% per degree K. The temperature dependence of the resistance is exponential. In metals, the coefficient is typically about one order of magnitude smaller and positive.
  • a variety of other materials can be used as resistance layers of a bolometer. These include metals such as Ti, Ni or semiconductors such as polysilicon, silicon germanium or metal oxides such as BST, YBCO and LaMnO 3 .
  • Fig. 4 shows a structure of a prior art infrared sensor as shown at http://www.leti.cea.fr/commun/AR-2003/T5-Photodetection/25-J-Tissot. pdf is shown.
  • the sensor comprises a membrane 400 having a support and an amorphous silicon resistor.
  • the membrane 400 forms a thermometer.
  • the membrane 400 is arranged in an electrically contact-like manner and spaced above a substrate 420 via two contacts 410.
  • P indicates a pixel pitch of the sensor.
  • the thickness of the membrane 400 is 0.1 ⁇ m, and the distance between the surface of the substrate 420 and the membrane 400 is 2.5 ⁇ m.
  • a current is conducted via one of the pads 410 into the resistive layer of the membrane 400 and flows laterally through the resistive layer from the input pad to the other contact 410, which acts as an output pad.
  • Fig. 5 shows another structure of a membrane of a sensor as described in http://www.infraredsolutions.com/html/technology/microbolometerF. shstml is described.
  • the sensor shown in FIG. 5 is configured to detect infrared radiation 150.
  • the sensor has a nitride-vanadium oxide membrane 500.
  • nitride acts as a carrier and vanadium oxide acts as a resistor.
  • Two electrical contacts 510 of the membrane 500 are designed as a tapered spacer. Again, a current is conducted into the membrane and flows laterally through the resistive layer from the input to the output pad.
  • the membrane 500 is disposed over a monolithic bipolar transistor 520. Further, in Fig.
  • two lines 541, 540 are shown, wherein the first line 541 of an X-metal and the second line 540 consists of a Y-metal. Via the lines 540, 541, the transistor 520 may be connected.
  • the membrane 500 is 0.5 ⁇ m thick and 50 ⁇ m long. Furthermore, the membrane 500 is arranged 2.5 ⁇ m above the transistor 520.
  • the present invention provides a sensor for detecting electromagnetic radiation having the following features:
  • a sensor membrane having a semiconductor layer of a doped organic semiconductor material, wherein an electrical resistance of the semiconductor layer is dependent on an incident electromagnetic radiation
  • the present invention is based on the recognition that organic semiconductor layers have properties which enable a substantial improvement of the sensors for detecting electromagnetic radiation according to the prior art.
  • An essential advantage of organic semiconductor layers is that new detector structures become possible.
  • a sensor membrane made of organic calf ⁇ conductor layers allows a potentially higher temperature sensitivity than with the previous used semiconductor layers is possible.
  • Another advantage of organic materials is that organic chemistry allows a virtually unlimited variety of combinations. The long-term stability of the organic layer is even better than with OLEDs, since the sensors are typically built in an evacuated housing due to the thermal insulation.
  • Organic semiconductor layers have developed in recent years to a quality that allows their use in microelectronics and microsystems technology. With increasing use in thin-film electronics TFTs and optoelectronics OLEDs, more and more material combinations will emerge, which are also suitable for use in bolometers.
  • the organic semiconductor layers can be produced from small molecules by vapor deposition or from polymers by spin-coating. Similarly, printing methods similar to inkjet printing are possible. Such organic semiconductor layers are highly pure.
  • organic semiconductor layer are long-term stable in OLEDs.
  • the resistance of the organic semiconductor layers can be adjusted by a suitable p-type or n-type doping.
  • M. Pfeiffer et al . “Doped organic semiconductors: Physics and application in light emitting diodes", Organic Electronics, Vol.
  • the doping of the organic semiconductor causes a drastic reduction of the resistance
  • the resistance of 10 10 ⁇ cm for pthalocyanine is reduced to 10 3 ⁇ cm after doping with 1% F4-TCNQ.
  • the organic semiconductor layers can be contacted with low resistance.
  • Such contacting can be done for example with ITO or aluminum.
  • Good components, such as diodes with ideal shaped characteristic, d. H. A large range of exponential current increases have already been made, as described in D. Gebeyehu, K. Walzer, G. He, M. Pfeiffer, K. Leo, J. Brandt, A. Gerhardt and H. Vestweber: "Highly Efficient Deepening". blue organic light emitting diodes with doped transport layers ", Synthetic Metals 148 (2), pages 205-211 (2005).
  • the semiconductor layer of the sensor membrane is arranged on a carrier layer.
  • the carrier layer may also be an organic material or, alternatively, a non-organic material.
  • a surface of the semiconductor layer ⁇ be covered by a protective layer, which may be an organic protective layer.
  • the carrier layer may consist, for example, of silicon nitride and / or silicon oxide. With suitable stability, the membrane can also consist exclusively of your organic semiconductor or the organic semiconductor with a protective layer.
  • the semiconductor layer is pentacene doped with iodine, as described in Takashi Minakata, Ichiro Nagoya, and Masaru Ozaki: "Highly ordered and conducting thin film of pentacene doped with iodine vapor", Journal of Applied Physics-15. 69, Issue 10, pp. 7,354-7,356 (1991), or from pthalocyanine doped with F4-TCNQ, as described in M. Pfeiffer et al.: Doped organic semiconductors: physics and ap- plication in light emitting diodes ", Organic Electronics, Vol. 4, pages 89-103 (2003).
  • the sensor membrane is arranged at a distance of ⁇ / 4 above a reflection layer and thus represents for an incident wave a very good absorber, adapted to the characteristic impedance of free space, as described in JD Kraus: "Electro - Magnetics ", MacGraw-Hill International Edition, pages 562-565 (1991), which is an infrared absorber
  • the preferred wavelength of the infrared radiation to be detected is 8-14 ⁇ m also be used to detect radiation with a larger and smaller wavelength.
  • the present invention is based on the use of organic semiconductors in bolometers and microbolometer arrays.
  • the sensor according to the invention for detecting an electromagnetic radiation can advantageously be used as a pixel for infrared sensor, image sensor for night vision devices, infrared cameras or thermal imaging cameras.
  • the organic carrier layers and protective layers consist for example of polyimide, parylene or BCB.
  • the organic semiconductor layer consists for example of doped pentacene, pthalocyanine or bathophenanthroline. Many other organic semiconductors are also available Available, as for example in the US pat. 6,812,638 B2 is described.
  • FIG. 1 is a schematic representation of a sensor according to an embodiment of the present invention RETg;
  • FIG. 2 shows a schematic representation of a sensor according to a further exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 3 shows a schematic representation of a sensor membrane according to an exemplary embodiment of the present invention
  • Fig. 5 is a structural view of a sensor according to the. State of the art.
  • Fig. 1 shows an embodiment of a sensor for detecting an electromagnetic radiation.
  • the sensor has a sensor membrane 100.
  • the sensor membrane 100 is a two-layered membrane consisting of a semiconductor chip 102 and a carrier layer 104.
  • the semiconductor layer 102 is connected to a substrate 120 via two contacts 110.
  • the sensor membrane 100 and in particular the semiconductor layer 102 is designed to detect an incident electromagnetic radiation 150.
  • the semiconductor layer 102 is constructed from a doped organic semiconductor material.
  • An electrical resistance of the doped organic semiconductor material of the semiconductor layer 102 is dependent on the incident radiation 150.
  • the electromagnetic radiation 150 may be, for example, an infrared radiation which is absorbed by the sensor membrane 100 and thereby increases the temperature of the sensor membrane 100.
  • the resistance of the semiconductor layer 102 changes. In this way, by measuring the resistance of the semiconductor layer 102, the incident electromagnetic radiation 150 can be deduced.
  • the resistance of the semiconductor layer 102 is measured via the contacts 110.
  • a current is conducted into the semiconductor layer 102 via a first of the two contacts 110 and, after it has flowed through the semiconductor layer 102, is led out again from the other of the two contacts 110.
  • the contacts 110 may be connected in the substrate 120 to a circuit (not shown in the figures) which is designed to detect and output the resistance of the semiconductor layer 102, for example via a voltage measurement or current measurement or the same across the resistance determined to infer incident electromagnetic radiation 150 and to indicate its value.
  • the substrate 120 forms a planar non-conductive background.
  • This substrate may for example consist of a layer of Siiiziumoxid, which lies directly on a bare silicon wafer.
  • the substrate 120 may also be a CMOS wafer that has a polished one having top oxide layer.
  • the CMOS wafer may have all the layers and structures necessary for a subsurface CMOS circuit.
  • the CMOS circuit can be, for example, a readout circuit for the bolometer resistor.
  • the contacts 110 are realized as contact plugs and spacers.
  • the contacts 110 consist for example of CVD tungsten and have a diameter of about 1 micron.
  • the contacts 110 contact a circuit located in the substrate 120 (not shown in the figures).
  • the circuit may be, for example, a sensor evaluation circuit.
  • the contacts 110 are disposed at opposite ends of the membrane 100. In this way, the contacts 110 are maximally spaced apart.
  • the contacts 110 form an electrical connection to the semiconductor layer 102.
  • the contacts 110 act as spacers
  • the membrane 100 is arranged at a predefined distance to a surface of the substrate 120.
  • the membrane 100 is arranged parallel to the surface of the substrate 120.
  • the contacts 110 in the form of the contact plugs pierce the carrier layer 104.
  • the carrier layer 104 may be a nitride layer with a thickness of 100 nanometers to 300 nanometers.
  • the carrier layer 104 serves for electrical and thermal insulation.
  • the carrier layer 104 is carrier of the actual semiconductor layer 102, which consists for example of pentacene or of pthalocyanine doped with F4-TCNQ. In this embodiment, the semiconductor layer 102 is about 50 to 250 nanometers thick.
  • the semiconductor layer 102 is electrically contacted by W plugs of the contacts 110.
  • the Membrane 100 has a distance to substrate 120 of approximately 0.5 to 3 ⁇ m. Due to the distance to the substrate 120, the membrane 100 is thermally insulated from the substrate 100.
  • FIG. 2 shows a schematic illustration of a further exemplary embodiment of a sensor for detecting an electromagnetic radiation.
  • the sensor has a membrane 100 with a semiconductor layer 102, which is arranged on a carrier layer 104. Via contacts 110, the membrane 100 is spaced from the substrate 120.
  • the sensor is again designed to detect an incident electromagnetic radiation 150.
  • the membrane 100 has an additional protective layer 206.
  • the membrane 100 is thus made up of three layers, the uppermost layer being the protective layer 206, the middle layer the semiconductor layer 102 and the lowermost layer the carrier layer 104.
  • the electromagnetic radiation 150 is incident on the top of the protective layer 206.
  • the carrier layer 104 is in turn disposed opposite to a surface 222 of the substrate 120.
  • the surface of the substrate 120 is formed by a reflection layer 222.
  • In the Refletechnischss- chicht 222 may be an aluminum reflector that is disposed on a silicon oxide layer of a silicon slice ⁇ .
  • the substrate 120 is formed by the silicon oxide film disposed on the silicon wafer.
  • the substrate may include a CMOS circuit. From Fig.
  • the reflector layer has deviations around the contacts 110 around interrup ⁇ so that between the contacts 110 and the substrate 120 are formed of aluminum terminals 224th
  • This aluminum connectors can be directly connected to the readout circuit ⁇ .
  • the reflection layer 222 made of aluminum, which lies on the oxide surface of the substrate 120, is about 200 nanometers thick.
  • the organic semiconductor layer 102 of the membrane 100 has an electrical resistance of 377 ⁇ / square.
  • the organic semiconductor layer 102 is about 2.5 microns above the reflective layer 222. This arrangement forms an infrared absorber.
  • the sheet resistance corresponds to that of the wave propagation in air, the reflection layer 222 is ⁇ / 4 away from the conductive layer and represents for the incident wave an adapted to the characteristic impedance of the free space absorber.
  • the membrane 100 consists of the carrier layer 104, which is formed as a nitride layer, thereon the organic semiconductor layer 102 and thereon the protective layer 206, which is formed as an organic protective layer.
  • the nitride layers may be replaced by a series of silicon oxide and silicon nitride layers.
  • the membrane can consist exclusively of the semiconducting organic material.
  • an additional absorber layer for example Pt black, can be applied to the sensor highly doped silicon.
  • FIG. 3 shows a plan view of a sensor membrane 100 with a doped organic semiconductor layer 102 and a carrier layer 104.
  • the membrane 100 consisting of oxide or nitride, has the organic semiconductor layer 102 as a resistor.
  • the resistor made of organic semiconductor is realized as a meander and on the membrane surface between see the contact plugs 110 are arranged.
  • the meandering design of the semiconductor layer 102 increases the resistance of the region of the organic semiconductor layer between the contacts 110.
  • amorphous silicon or silicon nitride plus vanadium oxide are replaced by a membrane of silicon nitride and / or silicon oxide as non-conductive Shin-, then a second layer of a doped organic semiconductor material HaIb-.
  • this membrane can also consist exclusively of the organic semiconductor.
  • layer sequences such as nitride-organic semiconductor-organic protective layer or organic carrier-organic semiconductor-organic protective layer are possible.
  • the organic carrier layers and protective layers consist for example of polyimide, parylene or BCB.
  • the organic semiconductor layer consists for example of doped pentacene, pthalocyanine or bathophenanthroline. Many other organic semiconductors are also available.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

A sensor for detecting electromagnetic radiation has a sensor membrane (100) having a semiconductor layer (102) made from a doped organic semiconductor material, wherein an electrical resistance of the semiconductor layer (102) depends on the incident electromagnetic radiation (150). The sensor also has a device (110) for detecting the resistance of the semiconductor layer (102).

Description

Sensor zum Erfassen einer elektromagnetischen Sensor for detecting an electromagnetic
Strahlungradiation
Beschreibungdescription
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Sensor zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung wie er beispielsweise für Infrarotsensoren, Nachtsichtgeräte, Infrarot- Kameras oder Wärmebildkameras eingesetzt werden kann.The present invention relates to a sensor for detecting an electromagnetic radiation as it can be used for example for infrared sensors, night vision devices, infrared cameras or thermal imaging cameras.
Sensoren für elektromagnetische Strahlung, beispielsweise im Infrarotbereich, können als Einzelsensor, als Pixel für Sensorzeilen oder für 2D-Arrays dienen. Anwendungsgebiete sind Pixel für Infrarotsensoren, Bildaufnehmer für Nachtsichtgeräte, Infrarotkameras oder Wärmebildkameras. Sensoren für sichtbares Licht und nahes Infrarot sind bisher überwiegend photonische Sensoren, beispielsweise Photowiderstände, Photodioden als pn- oder Schottky-Dioden. Senso- ren für langwelliges Infrarot sind überwiegend thermische Sensoren, beispielsweise pyroelektrische oder Widerstands- bolometer. Widerstandsbolometer-Pixel nutzen als temperaturabhängigen Widerstand Metalle oder Halbleiter wie Si, SiGe, Metalloxiden VOx oder BST.Sensors for electromagnetic radiation, for example in the infrared range, can serve as a single sensor, as pixels for sensor lines or for 2D arrays. Areas of application are pixels for infrared sensors, image recorders for night vision devices, infrared cameras or thermal imaging cameras. Visible light and near infrared sensors have so far mainly been photonic sensors, for example photoresistors, photodiodes as pn or Schottky diodes. Sensors for long-wave infrared are predominantly thermal sensors, for example pyroelectric or resistance bolometers. Resistance bolometer pixels use metals or semiconductors such as Si, SiGe, metal oxides VOx or BST as temperature-dependent resistors.
Ein Bolometer dient als Infrarotsensor. Bei einem Bolometer ist eine dünne Schicht thermisch isoliert im Sensor angeordnet. Beispielsweise kann die dünne Schicht als Membran aufgehängt sein. Eine von dem Infrarotsensor zu erfassende Infrarotstrahlung wird in dieser Membran absorbiert. Dadurch erhöht sich die Temperatur der Membran. Besteht die Membran aus einem Material mit endlichem elektrischen Widerstand, so ändert sich dieser abhängig von der Temperaturerhöhung und dem Temperaturkoeffizienten des .Wider- Stands. Siehe dazu: http://www-leti.cea.fr/commun/AR-2003/ T5-Photodetection/25-J-LTissot.pdf. Alternativ kann die Membran auch ein Isolator, beispielsweise aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid sein, auf der ein Widerstand als weite- re dünne Schicht abgeschieden wurde. In anderen Ausführungen sind zusätzlich zur Widerstandsschicht Isolationsschichten und eine Absorberschicht angebracht.A bolometer serves as an infrared sensor. In a bolometer, a thin layer is thermally insulated in the sensor. For example, the thin layer may be suspended as a membrane. An infrared radiation to be detected by the infrared sensor is absorbed in this membrane. This increases the temperature of the membrane. If the membrane is made of a material with finite electrical resistance, it changes depending on the temperature increase and the temperature coefficient of the resistance. See: http://www-leti.cea.fr/commun/AR-2003/ T5-Photodetection / 25-J-LTissot.pdf. Alternatively, the membrane may also be an insulator, for example made of silicon oxide or silicon nitride, on which a resistor is present as a further re thin layer was deposited. In other embodiments, insulating layers and an absorber layer are provided in addition to the resistive layer.
Bolometer können als einzelne Sensoren dienen, aber auch als Zeilen oder 2D-Arrays aufgebaut sein. Zeilen und Arrays werden heute typisch mit Verfahren der Mikrosystemtechnik in Oberflächenmikromechanik auf Siliziumsubstrat hergestellt. Hierbei wird häufig von Mikrobolomete-r-Arrays gesprochen.Bolometers can serve as individual sensors, but can also be constructed as rows or 2D arrays. Lines and arrays are typically produced today using microsystem technology in surface micromachining on a silicon substrate. This is often referred to as Mikrobolomete-r arrays.
Eine bevorzugte Wellenlänge der zu detektierenden Infrarotstrahlung liegt bei 8 - 14 μm.A preferred wavelength of the infrared radiation to be detected is 8-14 μm.
Gängige Widerstandsschichten, die für Bolometer eingesetzt werden können, sind amorphes Silizium a-Si, wie es in der US 5,367,167 beschrieben ist oder Vanadium-Oxid (VOx), wie es in der US 5,450,053 beschrieben ist. Beides sind Halbleitermaterialien, deren Temperaturkoeffizient -2 % bis ca. -4 % pro Grad K beträgt. Die Temperaturabhängigkeit des Widerstands ist exponentiell. In Metallen ist der Koeffizient typisch um ca. eine Größenordnung kleiner und positiv. Eine Vielzahl weiterer Materialien sind als Widerstandsschichten eines Bolometers einsetzbar. Darunter fallen Metalle wie Ti, Ni oder Halbleiter wie Polysilizium, Silizium-Germanium oder Metalloxide wie BST, YBCO und LaMnO3.Common resistance layers which can be used for bolometers are amorphous silicon a-Si as described in US 5,367,167 or vanadium oxide (VOx) as described in US 5,450,053. Both are semiconductor materials whose temperature coefficient is -2% to about -4% per degree K. The temperature dependence of the resistance is exponential. In metals, the coefficient is typically about one order of magnitude smaller and positive. A variety of other materials can be used as resistance layers of a bolometer. These include metals such as Ti, Ni or semiconductors such as polysilicon, silicon germanium or metal oxides such as BST, YBCO and LaMnO 3 .
Fig. 4 zeigt eine Struktur eines Infrarotsensors gemäß dem Stand der Technik, wie er bei http://www- leti.cea.fr/commun/AR-2003/T5-Photodetection/25-J-Tissot. pdf gezeigt ist. Der Sensor weist eine Membran 400 auf, die einen Träger und einen Widerstand aus amorphem Silizium aufweist. Die Membran 400 bildet ein Thermometer-. Die Membran 400 ist über zwei Kontakte 410 elektrisch kontak- tiart und beabstandet über einem Substrat 420 angeordnet. Aus einem, die linke Ecke des Sensors zeigenden vergrößer¬ ten Bildabschnitt ist ein ROIC Input Päd 431 (ROIC; ROIC = readout integrated circuit, Ausleseschaltung (für den Sensor)) des Kontaktes 410 sowie eine thermische Isolierung 430 ersichtlich. P gibt einen Pixel-Pitch des Sensors an. Die Dicke der Membran 400 beträgt 0,1 μm und der Abstand zwischen der Oberfläche des Substrats 420 und der Membran 400 2,5 μm. Ein Strom wird über einen der Pads 410 in die Widerstandsschicht der Membran 400 hineingeleitet und fließt lateral durch die Widerstandsschicht vom Eingangspad zu dem anderen Kontakt 410, der als Ausgangspad fungiert.Fig. 4 shows a structure of a prior art infrared sensor as shown at http://www.leti.cea.fr/commun/AR-2003/T5-Photodetection/25-J-Tissot. pdf is shown. The sensor comprises a membrane 400 having a support and an amorphous silicon resistor. The membrane 400 forms a thermometer. The membrane 400 is arranged in an electrically contact-like manner and spaced above a substrate 420 via two contacts 410. Of one, the left corner of the sensor facing Enlarge ¬ th image portion is a ROIC input Päd 431 (ROIC; ROIC = readout integrated circuit, readout circuit (for the sensor)) of the contact 410 and a thermal insulation 430 can be seen. P indicates a pixel pitch of the sensor. The thickness of the membrane 400 is 0.1 μm, and the distance between the surface of the substrate 420 and the membrane 400 is 2.5 μm. A current is conducted via one of the pads 410 into the resistive layer of the membrane 400 and flows laterally through the resistive layer from the input pad to the other contact 410, which acts as an output pad.
Fig. 5 zeigt eine weitere Struktur einer Membran eines Sensors, wie er bei http://www.infraredsolutions.com/html/ technology/microbolometerF. shstml beschrieben ist. Der in Fig. 5 gezeigte Sensor ist ausgebildet, um eine Infrarot- Strahlung 150 zu erfassen. Dazu weist der Sensor eine Nitrid-Vanadiumoxid-Membran 500 auf. Bei der Membran 500 fungiert Nitrid als Träger und Vanadiumoxid als Widerstand. Zwei elektrische Kontakte 510 der Membran 500 sind als angeschrägter Abstandshalter ausgeführt. Wiederum wird ein Strom in die Membran hineingeleitet und fließt lateral durch die Widerstandsschicht vom Eingangs- zum Ausgangspad. Die Membran 500 ist über einen monolithischen Bipolartransistor 520 angeordnet. Des weiteren sind in Fig. 5 zwei Leitungen 541, 540 gezeigt, wobei die erste Leitung 541 aus einem X-Metall und die zweite Leitung 540 aus einem Y- Metall besteht. Über die Leitungen 540, 541 kann der Transistor 520 angeschlossen sein. Die Membran 500 ist 0,5 um dick und 50 μm lang. Ferner ist die Membran 500 2,5 μm oberhalb des Transistors 520 angeordnet.Fig. 5 shows another structure of a membrane of a sensor as described in http://www.infraredsolutions.com/html/technology/microbolometerF. shstml is described. The sensor shown in FIG. 5 is configured to detect infrared radiation 150. For this purpose, the sensor has a nitride-vanadium oxide membrane 500. In membrane 500, nitride acts as a carrier and vanadium oxide acts as a resistor. Two electrical contacts 510 of the membrane 500 are designed as a tapered spacer. Again, a current is conducted into the membrane and flows laterally through the resistive layer from the input to the output pad. The membrane 500 is disposed over a monolithic bipolar transistor 520. Further, in Fig. 5, two lines 541, 540 are shown, wherein the first line 541 of an X-metal and the second line 540 consists of a Y-metal. Via the lines 540, 541, the transistor 520 may be connected. The membrane 500 is 0.5 μm thick and 50 μm long. Furthermore, the membrane 500 is arranged 2.5 μm above the transistor 520.
Organische Halbleiter sind im Zusammenhang mit Mikrobolome- tern bisher nicht bekannt.Organic semiconductors have hitherto not been known in connection with microbolometers.
In J. -J. Brissot, F. Desvignes, und R. Martres: „Organic Semiconductor Bolometric Target for Infrared Imaging Tubes", IEEE Trans. Electron. Dev., Bd. 20, Nr. 7, Juli 1973, Seiten 613 - 620 wird ein Bolometertarget aus einem organischen Halbleiter in einer Infrarot-empfindlichen Bildaufnehmerröhre genutzt. Die Schicht ist mit 1014 Ωcm bei 700C sehr hochohmig. Sie wird auf beiden Seiten großflächig kontaktiert. Ein Strom kann nur senkrecht zwischen den beiden Elektroden durch die dünne Schicht gemessen werden. Dies liegt daran, dass die eingesetzten organischen Materialien relativ verunreinigt waren. Außerdem ist diese Schicht undotiert.In J. -J. Brissot, F. Desvignes, and R. Martres: "Organic Semiconductor Bolometric Target for Infrared Imaging Tubes", IEEE Trans. Electron. Dev., Vol. 20, No. 7, July 1973, pages 613-620, is a bolometer target from organic semiconductors in an infrared-sensitive Image sensor tube used. The layer is very high-ohmic with 10 14 Ωcm at 70 0 C. It will be contacted extensively on both sides. A current can only be measured vertically between the two electrodes through the thin layer. This is because the organic materials used were relatively contaminated. In addition, this layer is undoped.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen ver- besserten Sensor zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung zu schaffen.It is the object of the present invention to provide an improved sensor for detecting electromagnetic radiation.
Diese Aufgabe wird durch einen Sensor zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung gemäß dem Anspruch 1 gelöst.This object is achieved by a sensor for detecting electromagnetic radiation according to claim 1.
Die vorliegende Erfindung schafft einen Sensor zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung mit folgenden Merkmalen:The present invention provides a sensor for detecting electromagnetic radiation having the following features:
einer Sensormembran mit einer Halbleiterschicht aus einem dotierten organischen Halbleitermaterial, wobei ein elektrischer Widerstand der Halbleiterschicht abhängig von einer einfallenden elektromagnetischen Strahlung ist; unda sensor membrane having a semiconductor layer of a doped organic semiconductor material, wherein an electrical resistance of the semiconductor layer is dependent on an incident electromagnetic radiation; and
einer Einrichtung zum Erfassen des Widerstands der Halbleiterschicht.a device for detecting the resistance of the semiconductor layer.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass organische Halbleiterschichten Eigenschaften aufwei- sen, die eine wesentliche Verbesserung der Sensoren zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung gemäß dem Stand der Technik ermöglichen.The present invention is based on the recognition that organic semiconductor layers have properties which enable a substantial improvement of the sensors for detecting electromagnetic radiation according to the prior art.
Ein wesentlicher Vorteil der organischen Halbleiterschich- ten besteht darin, dass neue Detektorstrukturen möglich werden. Insbesondere ermöglicht eine aus organischen Kalb¬ leiterschichten hergestellte Sensormembran eine potentiell höhere Temperaturempfindlichkeit als dies mit den bisherig eingesetzten Halbleiterschichten möglich ist. Ein weiterer Vorteil organischer Materialien besteht darin, dass die organische Chemie eine nahezu unbegrenzte Kombinationsvielfalt erlaubt. Die Langzeitstabilität der organischen Schicht ist noch besser als bei OLEDs, da wegen der thermischen Isolation die Sensoren typisch in einem evakuierten Gehäuse aufgebaut werden.An essential advantage of organic semiconductor layers is that new detector structures become possible. In particular, a sensor membrane made of organic calf ¬ conductor layers allows a potentially higher temperature sensitivity than with the previous used semiconductor layers is possible. Another advantage of organic materials is that organic chemistry allows a virtually unlimited variety of combinations. The long-term stability of the organic layer is even better than with OLEDs, since the sensors are typically built in an evacuated housing due to the thermal insulation.
Organische Halbleiterschichten haben sich in den- letzten Jahren zu einer Qualität entwickelt, die ihren Einsatz in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik erlaubt. Mit zunehmender Anwendung in der Dünnfilmelektronik TFTs und der Optoelektronik OLED werden immer mehr Materialkombinationen entstehen, die auch für ihren Einsatz in Bolometern geeignet sind.Organic semiconductor layers have developed in recent years to a quality that allows their use in microelectronics and microsystems technology. With increasing use in thin-film electronics TFTs and optoelectronics OLEDs, more and more material combinations will emerge, which are also suitable for use in bolometers.
Intensive Arbeiten an organischen Halbleitern haben zu erheblichen Verbesserungen und neuen Erkenntnissen bei diesen Materialien geführt. Untersuchte Einsatzgebiete sind insbesondere „Plastiktransistoren", d. h. integrierte Schaltungen in organischen Halbleitern und insbesondere die organischen Leuchtdioden OLEDs.Intensive work on organic semiconductors has led to significant improvements and new insights in these materials. Investigated fields of application are in particular "plastic transistors", that is to say integrated circuits in organic semiconductors and in particular the organic light-emitting diode OLEDs.
Die organischen Halbleiterschichten lassen sich aus kleinen Molekülen durch Aufdampfen oder aus Polymeren durch Auf- schleudern herstellen. Ebenso sind Druckverfahren ähnlich dem Tintenstrahldrucken möglich. Solche organischen Halbleiterschichten sind hochrein. In M. Pfeiffer, S. R. Forrest: „Organic Light Emitting Diodes", in: R. Waser (Ed.), Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Wiley VCH (2003) und in T. Kawase u. a.: „All-Polymer Thin Film Transistors Fabricated by High-Resolution Ink-Jet Printing", Proc. IEDM, 623 - 626 (2000), ist gezeigt, dass sich solche organischen Halbleiterschichten strukturieren lassen. In P. Wellmann u. a. : „High-efficiency p-i-n organic light-emibting diodes with long lifetime", Journal of the SID 13/5, Seiten 393 - 397 (2005), ist gezeigt, dass organische Halbleiterschich- ten in OLEDs inzwischen langzeitstabil sind. Insbesondere lässt sich der Widerstand der organischen Halbleiterschichten durch eine geeignete p- oder n-Dotierung einstellen. Wie in M. Pfeiffer u. a.: „Doped organic semiconductors : Physics and application in light emitting diodes", Organic Electronics, Bd. 4, Seiten 89 - 103 (2003), gezeigt ist, bewirkt die Dotierung des organischen Halbleiters eine drastische Reduktion des Widerstands. So wird beispielsweise der Widerstand von 1010 Ωcm bei Pthalozyanin auf 103 Ωcm nach Dotierung mit 1 % F4-TCNQ reduziert.The organic semiconductor layers can be produced from small molecules by vapor deposition or from polymers by spin-coating. Similarly, printing methods similar to inkjet printing are possible. Such organic semiconductor layers are highly pure. In M. Pfeiffer, SR Forrest: "Organic Light Emitting Diodes", R. Waser (Ed.), Nanoelectronics and Information Technology, Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Wiley VCH (2003) and T. Kawase et al. All-Polymer Thin Film Transistor Fabricated by High-Resolution Ink-Jet Printing ", Proc. IEDM, 623-626 (2000), it is shown that such organic semiconductor layers can be patterned. In P. Wellmann et al., "High-efficiency pin organic light-emitting diodes with long lifetime", Journal of the SID 13/5, pages 393-397 (2005), it is shown that organic semiconductor layer are long-term stable in OLEDs. In particular, the resistance of the organic semiconductor layers can be adjusted by a suitable p-type or n-type doping. As shown in M. Pfeiffer et al .: "Doped organic semiconductors: Physics and application in light emitting diodes", Organic Electronics, Vol. 4, pages 89-103 (2003), the doping of the organic semiconductor causes a drastic reduction of the resistance For example, the resistance of 10 10 Ωcm for pthalocyanine is reduced to 10 3 Ωcm after doping with 1% F4-TCNQ.
Damit sind die organischen Halbleiterschichten niederohmig kontaktierbar. Eine solche Kontaktierung kann beispielsweise mit ITO oder Aluminium erfolgen. Gute Bauelemente, beispielsweise Dioden mit ideal geformter Kennlinie, d. h. einem großen Bereich exponentiellen Stromanstiegs wurden bereits hergestellt, wie es in D. Gebeyehu, K. Walzer, G. He, M. Pfeiffer, K. Leo, J. Brandt, A. Gerhardt und' H. Vestweber: „Highly efficient deep-blue organic light emit- ting diodes with doped transport layers", Synthetic Metals 148 (2), Seiten 205 - 211 (2005), ausgeführt ist.Thus, the organic semiconductor layers can be contacted with low resistance. Such contacting can be done for example with ITO or aluminum. Good components, such as diodes with ideal shaped characteristic, d. H. A large range of exponential current increases have already been made, as described in D. Gebeyehu, K. Walzer, G. He, M. Pfeiffer, K. Leo, J. Brandt, A. Gerhardt and H. Vestweber: "Highly Efficient Deepening". blue organic light emitting diodes with doped transport layers ", Synthetic Metals 148 (2), pages 205-211 (2005).
Damit sind die Voraussetzungen geschaffen, diese Materialien in Mikro-Bolometern als temperaturempfindliche halb- leitende Widerstandsschichten einzusetzen.This creates the prerequisites for using these materials in microbolometers as temperature-sensitive semi-conductive resistance layers.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Halbleiterschicht der Sensormembran auf einer Trägerschicht angeordnet. Bei der Trägerschicht kann es sich ebenfalls um ein organisches Material oder alternativ um ein nicht-organisches Material handeln. Weiterhin kann eine Oberfläche der Halbleiter¬ schicht durch eine Schutzschicht abgedeckt sein, bei der es sich um eine organische Schutzschicht handeln kann. Die Trägerschicht kann beispielsweise aus Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxid bestehen. Bei geeigneter Stabilität kann die Membran auch ausschließlich aus dein organischen Halbleiter oder dem organischen Halbleiter mit einer Schutzschicht bestehen. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Halbleiterschicht aus Pentazen, dotiert mit Jod, wie es in Takashi Minakata, Ichiro Nagoya, und Masaru Ozaki: „Highly ordered and con- ducting thin film of pentacene doped with iodine vapor", Journal of Applied Physics - 15. Mai 1991 - Bd. 69, Issue 10, Seiten 7.354 - 7.356 (1991), beschrieben ist oder aus Pthalozyänin, dotiert mit F4-TCNQ, wie es in M. Pfeiffer u. a. : „Doped organic semiconductors: Physics and ..applica- tion in light emitting diodes", Organic Electronics, Bd. 4, Seiten 89 - 103 (2003), beschrieben ist.According to one embodiment, the semiconductor layer of the sensor membrane is arranged on a carrier layer. The carrier layer may also be an organic material or, alternatively, a non-organic material. Furthermore, a surface of the semiconductor layer ¬ be covered by a protective layer, which may be an organic protective layer. The carrier layer may consist, for example, of silicon nitride and / or silicon oxide. With suitable stability, the membrane can also consist exclusively of your organic semiconductor or the organic semiconductor with a protective layer. According to one embodiment, the semiconductor layer is pentacene doped with iodine, as described in Takashi Minakata, Ichiro Nagoya, and Masaru Ozaki: "Highly ordered and conducting thin film of pentacene doped with iodine vapor", Journal of Applied Physics-15. 69, Issue 10, pp. 7,354-7,356 (1991), or from pthalocyanine doped with F4-TCNQ, as described in M. Pfeiffer et al.: Doped organic semiconductors: physics and ap- plication in light emitting diodes ", Organic Electronics, Vol. 4, pages 89-103 (2003).
Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist die Sensormembran in einem Abstand von λ/4 über einer Reflektionsschicht ange- ordnet und stellt somit für eine einfallende Welle einen sehr guten, weil an den Wellenwiderstand des freien Raums angepassten Absorber, dar, wie es in J. D. Kraus: „Electro- magnetics", MacGraw-Hill International Edition, Seiten 562 - 565 (1991), beschrieben ist. Hierbei handelt es sich um einen Infrarot-Absorber. Die bevorzugte Wellenlänge der zu detektierenden Infrarotstrahlung liegt bei 8 - 14 μm. Der erfindungsgemäße Sensor kann jedoch auch zur Erfassung von Strahlungen mit einer größeren und kleineren Wellenlänge eingesetzt werden.According to one embodiment, the sensor membrane is arranged at a distance of λ / 4 above a reflection layer and thus represents for an incident wave a very good absorber, adapted to the characteristic impedance of free space, as described in JD Kraus: "Electro - Magnetics ", MacGraw-Hill International Edition, pages 562-565 (1991), which is an infrared absorber The preferred wavelength of the infrared radiation to be detected is 8-14 μm also be used to detect radiation with a larger and smaller wavelength.
Die vorliegende Erfindung basiert auf der Nutzung von organischen Halbleitern in Bolometern und Mikrobolometer- Arrays. Der erfindungsgemäße Sensor zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung kann vorteilhafterweise als Pixel für Infrarotsensor, Bildaufnehmer für Nachtsichtgeräte, Infrarot-Kameras oder Wärmebildkameras eingesetzt werden.The present invention is based on the use of organic semiconductors in bolometers and microbolometer arrays. The sensor according to the invention for detecting an electromagnetic radiation can advantageously be used as a pixel for infrared sensor, image sensor for night vision devices, infrared cameras or thermal imaging cameras.
Die organischen Trägerschichten und Schutzschichten beste- hen beispielsweise aus Polyimid, Parylen oder BCB. Die organische Haibleiterschicht besteht beispielsweise aus dotiertem Pentazen, Pthalozyänin oder Bathophenanthrolin. Viele andere organische Halbleiter stehen ebenfalls zur Verfügung, wie es beispielsweise in der US pat. 6,812,638 B2 beschrieben ist.The organic carrier layers and protective layers consist for example of polyimide, parylene or BCB. The organic semiconductor layer consists for example of doped pentacene, pthalocyanine or bathophenanthroline. Many other organic semiconductors are also available Available, as for example in the US pat. 6,812,638 B2 is described.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:Preferred embodiments of the present invention will be explained in more detail below with reference to the accompanying drawings. Show it:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Sensors gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin- düng;1 is a schematic representation of a sensor according to an embodiment of the present invention düng;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Sensors gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;FIG. 2 shows a schematic representation of a sensor according to a further exemplary embodiment of the present invention; FIG.
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Sensormembran gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;3 shows a schematic representation of a sensor membrane according to an exemplary embodiment of the present invention;
Fig. 4 einen Sensor gemäß dem Stand der Technik; und4 shows a sensor according to the prior art; and
Fig. 5 eine strukturelle Darstellung eines Sensors gemäß dem. Stand der Technik.Fig. 5 is a structural view of a sensor according to the. State of the art.
In der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden für die in den verschiedenen Zeichnungen dargestellten und ähnlich wirkenden Elemente gleiche oder ähnliche Bezugszeichen verwendet, wobei eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente weggelassen wird.In the following description of the preferred embodiments of the present invention, the same or similar reference numerals are used for the elements shown in the various drawings and similar, and a repeated description of these elements will be omitted.
Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Sensors zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung. Der Sensor weist eine Sensormembran 100 auf. Gemäß diesem Ausführungs- beispiel ist die Sensormembran 100 eine zweischichtige Membran, bestehend aus einer Halbleiterschient 102 und einer Trägerschicht 104. Die Halbleiterschicht 102 ist über zwei Kontakte 110 mit einem Substrat 120 verbunden. Die Sensormembran 100 und insbesondere die Halbleiterschicht 102 ist ausgebildet, um eine einfallende elektromagnetische Strahlung 150 zu erfassen. Dazu ist die HaIb- leiterschicht 102 aus einem dotierten organischen Halbleitermaterial aufgebaut. Ein elektrischer Widerstand des dotierten organischen Halbleitermaterials der Halbleiterschicht 102 ist abhängig von der einfallenden Strahlung 150. Bei der elektromagnetischen Strahlung 150 kann es sich beispielsweise um eine Infrarotstrahlung handeln, die von der Sensormembran 100 absorbiert wird und dadurch die Temperatur der Sensormembran 100 erhöht. Abhängig von der Temperaturerhöhung und einem Temperaturkoeffizienten der Halbleiterschicht 102 ändert sich der Widerstand der Halb- leiterschicht 102. Auf diese Weise kann durch eine Messung des Widerstands der Halbleiterschicht 102 auf die eingefallene elektromagnetische Strahlung 150 rückgeschlossen werden .Fig. 1 shows an embodiment of a sensor for detecting an electromagnetic radiation. The sensor has a sensor membrane 100. According to this exemplary embodiment, the sensor membrane 100 is a two-layered membrane consisting of a semiconductor chip 102 and a carrier layer 104. The semiconductor layer 102 is connected to a substrate 120 via two contacts 110. The sensor membrane 100 and in particular the semiconductor layer 102 is designed to detect an incident electromagnetic radiation 150. For this purpose, the semiconductor layer 102 is constructed from a doped organic semiconductor material. An electrical resistance of the doped organic semiconductor material of the semiconductor layer 102 is dependent on the incident radiation 150. The electromagnetic radiation 150 may be, for example, an infrared radiation which is absorbed by the sensor membrane 100 and thereby increases the temperature of the sensor membrane 100. Depending on the temperature increase and a temperature coefficient of the semiconductor layer 102, the resistance of the semiconductor layer 102 changes. In this way, by measuring the resistance of the semiconductor layer 102, the incident electromagnetic radiation 150 can be deduced.
Die Messung des Widerstands der Halbleiterschicht 102 erfolgt über die Kontakte 110. Dabei wird ein Strom über einen ersten der beiden Kontakte 110 in die Halbleiterschicht 102 hineingeleitet und, nachdem er durch die Halbleiterschicht 102 geflossen ist, von dem anderen der beiden Kontakte 110 wieder herausgeleitet. Die Kontakte 110 können in dem Substrat 120 mit einer Schaltung (in den Figuren nicht gezeigt) verbunden sein, die ausgebildet ist, um den Widerstand der Halbleiterschicht 102 beispielsweise über eine Spannungsmessung oder Strommessung zu ermitteln und auszugeben bzw. gleich über den ermittelten Widerstand auf die eingefallene elektromagnetische Strahlung 150 rückzuschließen und deren Wert anzugeben.The resistance of the semiconductor layer 102 is measured via the contacts 110. In this case, a current is conducted into the semiconductor layer 102 via a first of the two contacts 110 and, after it has flowed through the semiconductor layer 102, is led out again from the other of the two contacts 110. The contacts 110 may be connected in the substrate 120 to a circuit (not shown in the figures) which is designed to detect and output the resistance of the semiconductor layer 102, for example via a voltage measurement or current measurement or the same across the resistance determined to infer incident electromagnetic radiation 150 and to indicate its value.
Das Substrat 120 bildet einen planaren nicht-leitenden Untergrund. Dieser Untergrund kann beispielsweise aus einer Schicht aus Siiiziumoxid bestehen, die direkt auf einer blanken Siliziumscheibe liegt. Bei dem Substrat 120 kann es sich auch um einen CMOS-Wafer handeln, der eine polierte oberste Oxidschicht aufweist. Der CMOS-Wafer kann sämtliche Schichten und Strukturen aufweisen, die für eine CMOS- Schaltung unter der Oberfläche notwendig sind. Die CMOS- Schaltung kann z.B. eine Ausleseschaltung für den Bolome- terwiderstand sein.The substrate 120 forms a planar non-conductive background. This substrate may for example consist of a layer of Siiiziumoxid, which lies directly on a bare silicon wafer. The substrate 120 may also be a CMOS wafer that has a polished one having top oxide layer. The CMOS wafer may have all the layers and structures necessary for a subsurface CMOS circuit. The CMOS circuit can be, for example, a readout circuit for the bolometer resistor.
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel sind die Kontakte 110 als Kontaktstöpsel und Abstandhalter realisiert. Die Kontakte 110 bestehen beispielsweise aus CVD-Wolfram und weisen einen Durchmesser von ca. 1 μm auf. Mittels der Kontakte 110 wird die Membran 100 an zwei lateral gegenüberliegenden Punkten kontaktiert, so dass deren Widerstand gemessen werden kann. Auf der der Membran 100 gegenüberliegenden Seite, kontaktieren die Kontakte 110 eine, sich in dem Substrat 120 befindliche Schaltung (in den Figuren nicht gezeigt) . Bei der Schaltung kann es sich beispielsweise um eine Sensorauswerteschaltung handeln. Gemäß dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Kontakte 110 an entgegengesetzten Enden der Membran 100 angeordnet. Auf diese Weise sind die Kontakte 110 maximal voneinander beabstandet. Die Kontakte 110 bilden eine elektrische Verbindung zu der Halbleiterschicht 102. In dem die Kontakte 110 als Abstandhalter fungieren, ist die Membran 100 in einem vordefinierten Abstand zu einer Oberfläche des Sub- strats 120 angeordnet. Die Membran 100 ist parallel zu der Oberfläche des Substrats 120 angeordnet.According to this embodiment, the contacts 110 are realized as contact plugs and spacers. The contacts 110 consist for example of CVD tungsten and have a diameter of about 1 micron. By means of the contacts 110, the membrane 100 is contacted at two laterally opposite points, so that their resistance can be measured. On the opposite side of the membrane 100, the contacts 110 contact a circuit located in the substrate 120 (not shown in the figures). The circuit may be, for example, a sensor evaluation circuit. According to the embodiment shown in FIG. 1, the contacts 110 are disposed at opposite ends of the membrane 100. In this way, the contacts 110 are maximally spaced apart. The contacts 110 form an electrical connection to the semiconductor layer 102. In which the contacts 110 act as spacers, the membrane 100 is arranged at a predefined distance to a surface of the substrate 120. The membrane 100 is arranged parallel to the surface of the substrate 120.
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel durchstoßen die Kontakte 110 in Form der Kontaktstöpsel die Trägerschicht 104. Die Trägerschicht 104 kann eine Nitridschicht mit einer Dicke von 100 Nanometern bis 300 Nanometern sein. Die Trägerschicht 104 dient zur elektrischen und thermischen Isolation. Die Trägerschicht 104 ist Träger der eigentlichen Halbleiterschicht 102, die beispielsweise aus Pentazen oder aus Pthalozyanin, dotiert mit F4-TCNQ besteht. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Haibleiterschicht 102 ca. 50 bis 250 Nanometer dick. Die Halbleiterschicht 102 wird von W-Stöpseln der Kontakte 110 elektrisch kontaktiert. Die Membran 100 weist einen Abstand zum Substrat 120 von ca. 0,5 bis 3 μm auf. Durch den Abstand zum Substrat 120 wird die Membran 100 thermisch von dem Substrat 100 isoliert.According to this embodiment, the contacts 110 in the form of the contact plugs pierce the carrier layer 104. The carrier layer 104 may be a nitride layer with a thickness of 100 nanometers to 300 nanometers. The carrier layer 104 serves for electrical and thermal insulation. The carrier layer 104 is carrier of the actual semiconductor layer 102, which consists for example of pentacene or of pthalocyanine doped with F4-TCNQ. In this embodiment, the semiconductor layer 102 is about 50 to 250 nanometers thick. The semiconductor layer 102 is electrically contacted by W plugs of the contacts 110. The Membrane 100 has a distance to substrate 120 of approximately 0.5 to 3 μm. Due to the distance to the substrate 120, the membrane 100 is thermally insulated from the substrate 100.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Sensors zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung. Entsprechend zu dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel weist der Sensor eine Membran 100 mit einer Halbleiterschicht 102 auf, - die auf einer Trägerschicht 104 angeordnet ist. Über Kontakte 110 ist die Membran 100 von dem Substrat 120 beabstandet. Der Sensor ist wiederum ausgebildet, um eine einfallende elektromagnetische Strahlung 150 zu erfassen.FIG. 2 shows a schematic illustration of a further exemplary embodiment of a sensor for detecting an electromagnetic radiation. According to the exemplary embodiment shown in FIG. 1, the sensor has a membrane 100 with a semiconductor layer 102, which is arranged on a carrier layer 104. Via contacts 110, the membrane 100 is spaced from the substrate 120. The sensor is again designed to detect an incident electromagnetic radiation 150.
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel weist die Membran 100 eine zusätzliche Schutzschicht 206 auf. Die Membran 100 ist somit aus drei Schichten aufgebaut, wobei die oberste Schicht die Schutzschicht 206, die mittlere Schicht die Halbleiterschicht 102 und die unterste Schicht die Träger- schicht 104 ist. Die elektromagnetische Strahlung 150 fällt auf die Oberseite der Schutzschicht 206 ein. Die Trägerschicht 104 ist wiederum gegenüberliegend zu einer Oberfläche 222 des Substrats 120 angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel wird die Oberfläche des Substrats 120 durch eine Reflektionsschicht 222 gebildet. Bei der Reflektionss- chicht 222 kann es sich um einen Aluminiumreflektor handeln, der auf einer Siliziumoxidschicht einer Silizium¬ scheibe angeordnet ist. In diesem Fall wird das Substrat 120 durch die Siliziumoxidschicht gebildet, die auf der Siliziumscheibe angeordnet ist. Das Substrat kann eine CMOS-Schaltung enthalten. Aus Fig. 2 ist ersichtlich, dass die Reflektorschicht um die Kontakte 110 herum Unterbre¬ chungen aufweist, so dass zwischen den Kontakten 110 und dem Substrat 120 Aluminiumanschlüsse 224 ausgebildet sind. Diese Aluminiumanschlüsse können direkt mit der Auslese¬ schaltung verbunden sein. Die Reflektionsschicht 222 aus Aluminium, die auf der Oxidoberfläche des Substrats 120 liegt, ist ca. 200 Nanome- ter dick. Die organische Halbleiterschicht 102 der Membran 100 hat einen elektrischen Widerstand von 377 Ω/Square. Die organische Halbleiterschicht 102 liegt ca. 2,5 μm oberhalb der Reflektionsschicht 222. Diese Anordnung bildet einen Infrarot-Absorber. Der Schichtwiderstand entspricht dem der Wellenausbreitung in Luft, die Reflektionsschicht 222 ist λ/4 von der leitenden Schicht entfernt und stellt für die einfallende Welle einen an den Wellenwiderstand des freien Raums angepassten Absorber dar.According to this exemplary embodiment, the membrane 100 has an additional protective layer 206. The membrane 100 is thus made up of three layers, the uppermost layer being the protective layer 206, the middle layer the semiconductor layer 102 and the lowermost layer the carrier layer 104. The electromagnetic radiation 150 is incident on the top of the protective layer 206. The carrier layer 104 is in turn disposed opposite to a surface 222 of the substrate 120. In this embodiment, the surface of the substrate 120 is formed by a reflection layer 222. In the Reflektionss- chicht 222 may be an aluminum reflector that is disposed on a silicon oxide layer of a silicon slice ¬. In this case, the substrate 120 is formed by the silicon oxide film disposed on the silicon wafer. The substrate may include a CMOS circuit. From Fig. 2 it can be seen that the reflector layer has deviations around the contacts 110 around interrup ¬ so that between the contacts 110 and the substrate 120 are formed of aluminum terminals 224th This aluminum connectors can be directly connected to the readout circuit ¬. The reflection layer 222 made of aluminum, which lies on the oxide surface of the substrate 120, is about 200 nanometers thick. The organic semiconductor layer 102 of the membrane 100 has an electrical resistance of 377 Ω / square. The organic semiconductor layer 102 is about 2.5 microns above the reflective layer 222. This arrangement forms an infrared absorber. The sheet resistance corresponds to that of the wave propagation in air, the reflection layer 222 is λ / 4 away from the conductive layer and represents for the incident wave an adapted to the characteristic impedance of the free space absorber.
Die Membran 100 besteht aus der Trägerschicht 104, die als Nitridschicht ausgebildet ist, darauf die organische HaIb- leiterschicht 102 und darauf die Schutzschicht 206, die als organische Schutzschicht ausgebildet ist.The membrane 100 consists of the carrier layer 104, which is formed as a nitride layer, thereon the organic semiconductor layer 102 and thereon the protective layer 206, which is formed as an organic protective layer.
In weiteren Ausführungsbeispielen können die Nitridschichten durch eine Folge von Siliziumoxid- und Siliziumnitrid- schichten ersetzt werden. Die Membran kann ausschließlich aus dem halbleitenden organischen Material bestehen. Ebenso ist eine Schichtenfolge „organischer Träger - organischer Halbleiter - organische Schutzschicht" möglich. Auf dem Sensor kann eine zusätzliche Absorberschicht, beispielswei- se Pt-Black aufgebracht werden. Die Kontaktstöpsel 110 können aus einem anderen Metall, z. B. Aluminium oder aus einem hochdotierten Silizium bestehen.In further embodiments, the nitride layers may be replaced by a series of silicon oxide and silicon nitride layers. The membrane can consist exclusively of the semiconducting organic material. Likewise, a layer sequence "organic support - organic semiconductor - organic protective layer" is possible, and an additional absorber layer, for example Pt black, can be applied to the sensor highly doped silicon.
Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf eine Sensormembran 100 mit einer dotierten organischen Halbleiterschicht 102 und einer Trägerschicht 104. Die Membran 100, bestehend aus Oxid oder Nitrid, weist die organische Halbleiterschicht 102 als Widerstand auf. Der Widerstand aus organischem Halbleiter ist als Mäander realisiert und auf der Membranfläche zwi- sehen den Kontaktstöpseln 110 angeordnet. Durch die mäan- derförmige Ausbildung der Halbleiterschicht 102 wird der Widerstand des zwischen den Kontakten 110 befindlichen Bereichs der organischen Halbleiterschicht erhöht. Die vorangegangenen Ausführungsbeispiele weisen alle eine neue, erfindungsgemäße Struktur mit einer halbleitenden organischen Schicht auf der Sensormembran auf.3 shows a plan view of a sensor membrane 100 with a doped organic semiconductor layer 102 and a carrier layer 104. The membrane 100, consisting of oxide or nitride, has the organic semiconductor layer 102 as a resistor. The resistor made of organic semiconductor is realized as a meander and on the membrane surface between see the contact plugs 110 are arranged. The meandering design of the semiconductor layer 102 increases the resistance of the region of the organic semiconductor layer between the contacts 110. The preceding embodiments all have a novel structure according to the invention with a semiconducting organic layer on the sensor membrane.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Ansatz werden bekannte Strukturen aus amorphem Silizium oder Siliziumnitrid plus Vanadiumoxid ersetzt durch eine Membran aus Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxid als nicht-leitendem Träger-, darauf eine zweite Schicht aus einem dotierten organischen HaIb- leitermaterial. Bei geeigneter Stabilität kann diese Membran auch ausschließlich aus dem organischen Halbleiter bestehen. Ebenso sind Schichtfolgen wie Nitrid - organische Halbleiter - organische Schutzschicht oder organischer Träger - organischer Halbleiter - organische Schutzschicht möglich.According to the inventive approach known structures of amorphous silicon or silicon nitride plus vanadium oxide are replaced by a membrane of silicon nitride and / or silicon oxide as non-conductive Träger-, then a second layer of a doped organic semiconductor material HaIb-. With suitable stability, this membrane can also consist exclusively of the organic semiconductor. Likewise, layer sequences such as nitride-organic semiconductor-organic protective layer or organic carrier-organic semiconductor-organic protective layer are possible.
Die organischen Trägerschichten und Schutzschichten bestehen beispielsweise aus Polyimid, Parylen oder BCB. Die organische Halbleiterschicht besteht beispielsweise aus dotiertem Pentazen, Pthalozyanin oder Bathophenanthrolin. Viele andere organische Halbleiter stehen ebenfalls zur Verfügung.The organic carrier layers and protective layers consist for example of polyimide, parylene or BCB. The organic semiconductor layer consists for example of doped pentacene, pthalocyanine or bathophenanthroline. Many other organic semiconductors are also available.
Die in den Ausführungsbeispielen gezeigten Strukturen, Abmessungen oder Materialien sind lediglich beispielhaft gewählt und können durch andere geeignete Strukturen, Größen oder Materialien ersetzt werden. The structures, dimensions or materials shown in the exemplary embodiments are chosen merely by way of example and can be replaced by other suitable structures, sizes or materials.

Claims

Patentansprüche claims
1. Sensor zum Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung mit folgenden Merkmalen:1. A sensor for detecting electromagnetic radiation having the following features:
einer Sensormembran (100) mit einer Halbleiterschicht (102) aus einem dotierten organischen Halbleitermaterial, wobei ein elektrischer Widerstand der Halbleiterschicht abhängig von der einfallenden elektromagne- tischen Strahlung ist; unda sensor membrane (100) having a semiconductor layer (102) of a doped organic semiconductor material, wherein an electrical resistance of the semiconductor layer is dependent on the incident electromagnetic radiation; and
einer Einrichtung (110) zum Erfassen des Widerstands der Halbleiterschicht.a device (110) for detecting the resistance of the semiconductor layer.
2. Sensor gemäß Anspruch 1, wobei die Sensormembran (100) ferner eine elektrisch nicht-leitende Trägerschicht (104) aufweist, auf der die Halbleiterschicht (102) angeordnet ist.2. Sensor according to claim 1, wherein the sensor membrane (100) further comprises an electrically non-conductive support layer (104) on which the semiconductor layer (102) is arranged.
3. Sensor gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Sensormembran (100) ferner eine Schutzschicht (206) aufweist, die auf der Halbleiterschicht (102) angeordnet ist.The sensor according to one of claims 1 or 2, wherein the sensor membrane (100) further comprises a protective layer (206) disposed on the semiconductor layer (102).
4. Sensor gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Einrichtung zum Erfassen einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt (110) aufweist, die die Halbleiterschicht (102) an voneinander lateral beabstandeten Stellen elektrisch kontaktieren.A sensor according to any one of the preceding claims, wherein the means for detecting comprises first and second electrical contacts (110) electrically contacting the semiconductor layer (102) at laterally spaced apart locations.
5. Sensor gemäß Anspruch 4, wobei die Kontakte (110) als Abstandhalter ausgebildet sind, die die Sensormembran5. Sensor according to claim 4, wherein the contacts (110) are formed as spacers, which are the sensor membrane
(100) in einem vordefinierten Abstand zu einer Oberfläche eines Sensorsubstrats (120) halten.(100) at a predefined distance to a surface of a sensor substrate (120).
6. Sensor gemäß Anspruch 5, wobei die Oberfläche des Sensorsubstrats (120) als Reflektionsschicht (222) ausgebildet ist. 6. Sensor according to claim 5, wherein the surface of the sensor substrate (120) as a reflection layer (222) is formed.
7. Sensor gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei die Halbleiterschicht (102) als Mäander zwischen den Kontakten (110) angeordnet ist.7. Sensor according to one of claims 4 to 6, wherein the semiconductor layer (102) is arranged as a meander between the contacts (110).
8. Sensor gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Halbleiterschicht (102) aus dotiertem Penta- zen, Pthalozyanin oder Bathophenanthrolin aufgebaut ist.8. Sensor according to one of the preceding claims, wherein the semiconductor layer (102) zen of doped penta, pthalocyanine or bathophenanthroline is constructed.
9. Sensor gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Halbleiterschicht aus Pentazen dotiert mit Jod oder aus Pthalozyanin dotiert mit F4-TCNQ besteht.9. Sensor according to one of the preceding claims, wherein the semiconductor layer of pentacene doped with iodine or of pthalocyanine doped with F4-TCNQ consists.
10. Sensor gemäß einem der Ansprüche 2 bis 9, wobei die Trägerschicht (104) aus Polyimid, Parylen, BCB oder Pentazen aufgebaut ist oder eine Nitridschicht ist.10. A sensor according to any one of claims 2 to 9, wherein the carrier layer (104) made of polyimide, parylene, BCB or pentacene is constructed or a nitride layer.
11. Sensor gemäß einem der Ansprüche 3 bis 10, wobei die Schutzschicht (106) aus Polyimid, Parylen, BCB oder11. A sensor according to any one of claims 3 to 10, wherein the protective layer (106) of polyimide, parylene, BCB or
Pentazen aufgebaut ist.Pentacene is constructed.
12. Sensor gemäß einem der Ansprüche 2 bis 11, wobei die Trägerschicht (104) eine Dicke von 100 Nanometern bis 300 Nanometern aufweist.12. Sensor according to one of claims 2 to 11, wherein the carrier layer (104) has a thickness of 100 nanometers to 300 nanometers.
13. Sensor gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die HalbleiterSchicht (102) eine Dicke von 50 Nanometern bis 250 Nanometern aufweist.A sensor according to any one of the preceding claims, wherein the semiconductor layer (102) has a thickness of 50 nanometers to 250 nanometers.
14. Sensor gemäß einem der Ansprüche 5 bis 13, wobei die Sensormembran (100) einen Abstand von 0,5 μm bis 3 μm von der Oberfläche des Substrats (120) aufweist.14. A sensor according to any one of claims 5 to 13, wherein the sensor membrane (100) has a spacing of 0.5 microns to 3 microns from the surface of the substrate (120).
15. Sensor gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, ferner mit einem evakuierten Gehäuse, in dem der Sen¬ sor aufgebaut ist. 15. Sensor according to one of the preceding claims, further comprising an evacuated housing in which the sen ¬ sensor is constructed.
PCT/EP2005/012056 2005-11-10 2005-11-10 Sensor for detecting electromagnetic radiation WO2007054111A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2005/012056 WO2007054111A1 (en) 2005-11-10 2005-11-10 Sensor for detecting electromagnetic radiation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2005/012056 WO2007054111A1 (en) 2005-11-10 2005-11-10 Sensor for detecting electromagnetic radiation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007054111A1 true WO2007054111A1 (en) 2007-05-18

Family

ID=36354022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2005/012056 WO2007054111A1 (en) 2005-11-10 2005-11-10 Sensor for detecting electromagnetic radiation

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2007054111A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008145353A1 (en) 2007-05-29 2008-12-04 Pyreos Ltd. Device having a membrane structure for detecting thermal radiation, method of production and use of the device
US7683324B2 (en) * 2006-03-14 2010-03-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Bolometer

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BRISSOT J-J ET AL: "ORGANIC SEMICONDUCTOR BOLOMETRIC TARGET FOR INFRARED IMAGING TUBS", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, IEEE SERVICE CENTER, PISACATAWAY, NJ, US, vol. ED-20, no. 7, 1973, pages 613 - 620, XP009067627, ISSN: 0018-9383 *
PFEIFFER M ET AL: "Controlled p-doping of pigment layers by cosublimation: Basic mechanisms and implications for their use in organic photovoltaic cells", SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL, vol. 63, no. 1, June 2000 (2000-06-01), pages 83 - 99, XP004201249, ISSN: 0927-0248 *
TISSOT, J.L.: "Uncooled Thermal detectors for IR applications", INTERNET ARTICLE, 2003, XP002389921, Retrieved from the Internet <URL:http://www-leti.cea.fr/commun/AR-2003/T5-Photodetection/25-J-LTissot.pdf> *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7683324B2 (en) * 2006-03-14 2010-03-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Bolometer
WO2008145353A1 (en) 2007-05-29 2008-12-04 Pyreos Ltd. Device having a membrane structure for detecting thermal radiation, method of production and use of the device
DE102007024902B4 (en) * 2007-05-29 2010-08-26 Pyreos Ltd. Device with membrane structure for detecting heat radiation, method for producing and using the device
DE102007024902B8 (en) * 2007-05-29 2010-12-30 Pyreos Ltd. Device with membrane structure for the detection of thermal radiation, method for producing and using the device
RU2468346C2 (en) * 2007-05-29 2012-11-27 Пайриос Лтд. Device having membrane structure for detecting thermal radiation, method for production and use thereof
AU2008256413B2 (en) * 2007-05-29 2013-09-12 Pyreos Ltd. Device having a membrane structure for detecting thermal radiation, method of production and use of the device
US9279730B2 (en) 2007-05-29 2016-03-08 Pyreos, Ltd. Device having a membrane structure for detecting thermal radiation, and method for production thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1994384B1 (en) Bolometer having an organic semiconductor layer arrangement
DE68923589T2 (en) Infrared detector.
DE60317349T2 (en) DETECTOR FOR ELECTROMAGNETIC RADIATION WITH INTEGRATED HOUSING CONTAINING TWO OVERLAPPED DETECTORS
DE112006004013B4 (en) Bolometer and method of making a bolometer
DE60119185T2 (en) Thermal infrared detector with a shield to improve the fill factor
DE69732862T2 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT FOR RECORDING INFRARED PICTURES
DE69210735T2 (en) Uncooled infrared detector and manufacturing process therefor
EP2070121B1 (en) High fill-factor sensor with reduced coupling
DE112014002312B4 (en) Integrated infrared radiation imaging device and manufacturing method
CN109427836B (en) Array substrate, X-ray detector, and method for manufacturing the same
DE112011103431T5 (en) Superlattice quantum well lnfrarotdetektor
DE102013001046B3 (en) Detector for infrared and / or THz radiation
WO2007054111A1 (en) Sensor for detecting electromagnetic radiation
KR20210048953A (en) Meta optical device and method of manufacturing the same
DE4221037A1 (en) Pyroelectric or thin film bolometer thermal radiation sensor - has photolithographically-structurable layer with infrared absorption characteristics, several microns in thickness on radiation-receiving surface of sensor over silicon@ substrate.
DE102018206155A1 (en) SOLAR CELL AND PHOTOVOLTAIC MODULE
WO2019001776A1 (en) Sensor device
DE10136005C1 (en) Semiconductor temperature sensor using spreading-resistance principle, has 2 relatively spaced electrodes provided at surface of semiconductor layer
DE102016207551B4 (en) Integrated thermoelectric structure, method for producing an integrated thermoelectric structure, method for operating the same as a detector, thermoelectric generator and thermoelectric Peltier element
WO2009023881A1 (en) Apparatus for converting of infrared radiation into electrical current
DE102014223962A1 (en) Sensor pixel for detecting infrared radiation and method for operating the same
DE19812008A1 (en) Optoelectronic component arrangement consisting of radiation sensitive detector
DE102020200357B4 (en) Detection device for a micromechanical combination sensor
JP7171630B2 (en) Photodetector array, manufacturing method thereof, and imaging device including photodetector array
DE102012216814A1 (en) Infrared photo sensor

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 05816403

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1