WO2007052396A1

WO2007052396A1 - 多層配線基板及び多層配線基板の製造方法

Info

Publication number: WO2007052396A1
Application number: PCT/JP2006/316025
Authority: WO
Inventors: Tokuo Yoshida; Akiyosi Fujii; Tatuya Fujita
Original assignee: Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date: 2005-10-31
Filing date: 2006-08-14
Publication date: 2007-05-10
Also published as: US20100071951A1; US8129628B2

Abstract

　本発明の多層配線基板は、下層配線（８）と、下層配線（８）上に層間絶縁層（９）を介して形成された上層配線（１０）とを備え、層間絶縁層（９）に、上層配線（８）と下層配線（１０）とを連絡するコンタクトホール（１１）が形成されており、コンタクトホール（１１）を形成する内壁（１３）に囲まれた領域が、互いに異なる線幅を有する領域としての太線領域（１３Ａ）及び突出領域（１３Ｂ・１３Ｃ）が連結された線幅領域を有するようになっているので、コンタクトホール（１１）にて形成されたインク焼成物（１２）の膜厚分布は、突出領域（１３Ｂ・１３Ｃ）でせり上がるような分布になり、下層配線（８）と上層配線（１０）との間で、信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。

Description

明細書

多層配線基板及び多層配線基板の製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、多層配線形成方法及び多層配線基板に関するものであり、より詳しくはインクジェット技術を用いた多層配線基板及び多層配線基板の製造方法に関する。背景技術

[0002] 従来の多層配線形成方法は、配線形成工程、及びコンタクトホール形成工程を含んでいる。そして、配線形成工程及びコンタクトホール形成工程のそれぞれについて、デポジション工程、フォトリソグラフイエ程、エッチング工程、及び剥離工程が行われる。

[0003] 以下、従来の多層配線形成方法について、図 17 (a)〜(j)に基づいて説明する。

図 17 (a)〜 (j)は、従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[0004] 図 17 (a)に示すように、従来の多層配線形成方法では、スパッタ法によりガラス基板 101上にスパッタ膜 102を形成する。このスパッタ膜 102が下層配線部になる。その後、図 17 (b)に示すように、スパッタ膜 102を所望の形状に加工するために、スパッタ膜 102を覆うように、所望のパターンを有するフォトレジスト 103を配置する（フォトリソグラフイエ程)。そして、図 17 (c)に示すように、フォトレジスト 103のパターンに基づいて、スパッタ膜 102をエッチングする（エッチング工程)。さらに、図 17 (d)に示すように、フォトレジスト 103を除去する（剥離工程)。このようにして、ガラス基板 101に、所望の形状を有するスパッタ膜 102 (下層配線部）が形成される。

[0005] 次に、ガラス基板 101に形成されたスパッタ膜 102 (下層配線部）の上に、上層配線部と接続するためのコンタクトホールを形成する。まず、図 17 (e)に示すように、絶縁膜デポジション工程にて、スパッタ膜 102を覆うように絶縁膜 104を形成する。そして、図 17 (f)に示すように、絶縁膜 104における所望の位置にコンタクトホールを形成するために、絶縁膜 104を覆うように、所望のパターンを有するフォトレジスト 105を配置する（フォトリソグラフイエ程)。そして、図 17 (g)に示すように、フォトレジスト 105 の所望のパターンに基づいて、絶縁膜 104をエッチングし、コンタクトホール 106を形成する（エッチング工程)。さらに、図 17 (h)に示すように、フォトレジスト 105を除去する (剥離工程)。

[0006] さらに、剥離工程後、図 17 (i)に示すように、スパッタ法により、絶縁膜 104に形成されたコンタクトホール 106に配線材料を埋め込む（埋め込み配線配線材料デポジション工程)。このコンタクトホール 106内に埋め込まれた配線材料力もなる層力上層配線部と下層配線部とを接続する結線部 107となる。そして、図 17 (j)に示すように、埋め込み配線配線材料デポジション工程において絶縁膜 104上に形成された余分なスパッタ膜をエッチングにより除去し、結線部 107を露出させる（エツチノック工程)。さらに、エッチバック工程後、ここでは図示していないが、絶縁膜 104上に上層配線部を形成する。このようにして、下層配線部と上層配線部とを接続する結線部が形成される。

[0007] さらに、上記従来の多層配線形成方法の他には、例えば特許文献 1 (特開昭 58— 176949号公報（1983年 10月 17日公開））に記載の多層配線形成方法が挙げられる。特許文献 1に記載の多層配線形成方法では、スルーホール部のみが凸状に残るように、第 1金属配線膜をメサエッチングしている。そして、メサエッチングにより形成された第 1金属配線膜の凸状部が露出するように有機膜を塗布した後、第 2金属配線膜を形成している。これにより、第 1金属配線膜—第 2金属配線膜間の結線部（凸状部）において、断切れなどの不良が発生することなぐ信頼性の高いスルーホール結線が形成できる。

[0008] また、上層配線部と下層配線部とを接続する結線部を形成する方法としては、コンタクトホールに配線材料を埋め込む方法以外に、以下の方法が提案されて、る。

[0009] すなわち、図 18 (a)〜（c)に示すように、インクジェット法により、コンタクトホールに配線材料からなる液滴を滴下し、該液滴を焼成することにより結線部を形成する方法が提案されている。

[0010] し力しながら、上述した従来の多層配線形成方法には、以下の問題が生じる。

[0011] まず、図 17 (a)〜①に示した多層配線形成方法では、スパッタ法により、コンタクトホール 106に配線材料を埋め込むことにより、結線部 107を形成している。このコンタタトホール 106は、非常に狭い領域である。このため、図 17 (i)に示すように、非常に狭いコンタクトホールを配線材料で埋め込む場合、形成された結線部 107は、コンタタトホール 106の断面形状 (逆テーパ形状になる、アスペクト比大)等の下地の影響によりボイドゃ断線が生じるおそれがある。それゆえ、図 17 (a)〜(； j)に示した多層配線形成方法では、上層配線部と下層配線部との間の結線部 107にボイドや断線などが生じ、上層配線部と下層配線部との間の結線部 107の信頼性に問題がある。

[0012] また、インクジェット法により、コンタクトホールに配線材料力もなる液滴を滴下し、該液滴を焼成することにより結線部を形成する方法においても、上層配線部と下層配線部との間の結線部の信頼性に問題がある。従来のコンタクトホールの形状は、図 1 8 (a)に示すように、上層配線部側から見て四角形の形状である。このような四角形の形状を有するコンタクトホールに液滴を滴下し焼成した場合、焼成により形成された結線部の断面は、図 18 (b)に示すように、歪な形状になってしまう。このため、この結線部では、上層配線部との接触が不完全になってしまう。さらに、図 18 (c)に示すように、コンタクトホールがさらに深く形成された場合、液滴の滴下'焼成により形成された結線部の断面は、さらに歪な形状になり、上層配線部との接触が不完全になってしまう。

発明の開示

[0013] 本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能な多層配線基板及び多層配線基板の製造方法を提供することにある。

[0014] 本願発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、互いに異なる線幅を有する領域が連結した線幅領域に対し、配線材料を含む液滴を滴下すると、細線領域 (相対的に線幅が小さい領域)と太線領域湘対的に線幅が大きい領域)とで、液滴の焼成物に膜厚差が生じるというインク挙動特性を見出し、本発明を完成させるに至った。

[0015] すなわち、本発明の多層配線基板は、上記の課題を解決するために、下層配線と、下層配線上に層間絶縁層を介して形成された上層配線とを備え、上記層間絶縁層に、上層配線と下層配線とを連絡するコンタクトホールが形成された多層配線基板であって、上記コンタクトホールを形成する内壁に囲まれた領域力互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するようになってヽることを特徴としてヽる。 [0016] 上記の構成によれば、上記コンタクトホールを形成する内壁に囲まれた領域力互 V、に異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するようになって!/、る。このようなコンタクトホールに配線材料を含む液滴を滴下すると、滴下された液滴は、上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域でせり上がるようになる。その結果、相対的に線幅が小さい領域における液滴の焼成物の膜厚は、相対的に線幅が大きい領域における液滴の焼成物の膜厚よりも大きくなる。すなわち、液滴の焼成物の膜厚分布は、相対的に線幅が小さい領域でせり上がったような膜厚分布になる。

[0017] したがって、上記の構成によれば、従来のコンタクトホール形状（図 18 (a)に示されたコンタクトホール形状)を有する多層配線基板と比較して、液滴の焼成物が上層配線と良好に接触する。それゆえ、下層配線と上層配線との間で、信頼性の高い多層配線間結線 (液滴の焼成物）を得ることが可能になる。

[0018] また、本発明の多層配線基板は、上記の課題を解決するために、下層配線と、下層配線の上方に形成された上層配線とを備えた多層配線基板であって、上記下層配線は、配線材料を含む液滴を滴下することにより形成されているとともに、下層配線の配線パターン力互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域からなり、上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域が、上記下層配線の上層配線と重なる領域に配されて、ることを特徴として、る。

[0019] 上記の構成によれば、上記下層配線は、配線材料を含む液滴を滴下することにより形成されているとともに、下層配線の配線パターン力互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域力なり、上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域力上記下層配線の上層配線と重なる領域に配されているので、上述のインク挙動特性により相対的に線幅が小さい領域でせり上がった液滴の焼成物が、上層配線と接触するようになる。したがって、上記の構成によれば、下層配線と該下層配線と導通する結線部とを同時に作成することが可能な多層配線基板を実現できる。

[0020] それゆえ、上記の構成によれば、製造工程を短縮でき、かつ信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。 [0021] また、本発明の多層配線基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、層間絶縁層に、上層配線と下層配線とを連絡するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、上記コンタクトホール内に配線材料を含む液滴を滴下することにより、上層配線と下層配線とを導通する結線部を形成する結線部形成工程とを含む多層配線基板の製造方法であって、上記コンタクトホール形成工程では、コンタクトホールを形成する内壁に囲まれた領域が、互！ヽに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するように、コンタクトホールを形成することを特徴として、る。

[0022] 上記の構成によれば、上記コンタクトホール形成工程では、コンタクトホールを形成する内壁に囲まれた領域が、互！ヽに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するように、コンタクトホールを形成するので、結線部形成工程にて滴下された液滴は、上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さ、領域でせり上がるようになる。その結果、相対的に線幅が小さい領域における結線部の膜厚は、相対的に線幅が大きい領域における結線部の膜厚よりも大きくなる。すなわち、結線部の膜厚分布は、相対的に線幅が小さい領域でせり上がったような膜厚分布になる。

[0023] したがって、上記の構成によれば、結線部が上層配線と良好に接触する。それゆえ、下層配線と上層配線との間で、信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。

[0024] また、本発明の多層配線基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板上に隔壁を形成し、隔壁に囲まれた領域が、互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域となるように隔壁をかたどる隔壁形成工程と、上記隔壁に囲まれた領域に、配線材料を含む液滴を滴下し、下層配線を形成する配線形成工程と、さらに、上記下層配線の上方に、上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅力ヽさヽ領域と重なるように、上層配線を形成する上層配線形成工程とを含むことを特徴としている。

[0025] 特許文献 1に記載された多層配線形成方法では、断線のな!ヽ信頼性の高!、上層配線部と下層配線部との間の結線を得ることが可能である。しかしながら、この方法では、スルーホール部のみを凸状に残すために、フォトリソ技術を用いて第 1金属配線膜のスルーホール部にマスク層を形成する工程、及びメサエッチング工程と!/ヽつた複数の工程が必要になる。このため、特許文献 1に記載された多層配線形成方法では、作業効率の低下やコストの上昇を招くことになる。

[0026] し力しながら、上記の構成によれば、このような作業効率の低下やコストの上昇という問題を招来しない。

[0027] 上記の構成によれば、隔壁形成工程にて、基板上に隔壁を形成し、隔壁に囲まれた領域が、互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域となるように隔壁をかたどるので、配線形成工程にて配線材料を含む液滴を滴下する際に、液滴が上述のインク挙動特性を示すことになる。すなわち、滴下された液滴が、互いに異なる線幅を有する領域のうち、相対的に線幅が小さい領域でせり上がるようになる。そして、上記の構成によれば、上層配線形成工程にて、上記下層配線の上方に、上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域と重なるように、上層配線を形成するので、相対的に線幅が小さい領域でせり上がった液滴の焼成物が、上層配線と接触するようになる。したがって、上記の構成によれば、下層配線と該下層配線と導通する結線部とを同時に作成することが可能になる。なお、上記の構成では、互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域が、結線部として形成され、互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が大きい領域が、下層配線として形成される。

[0028] また、上記の構成によれば、隔壁形成工程にて隔壁を形成するために 1回フォトリソグラフィを行えば、下層配線と該下層配線に接続する結線部とを同時に作成することができる。すなわち、上述したインク挙動特性を利用することで、従来よりも製造工程を省略することができる。このため、上記の構成によれば、製造工程を短縮でき、力つ信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。

[0029] 本発明のさらに他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって十分わかるであろう。

図面の簡単な説明

[0030] [図 1(a)]互いに異なる線幅を有する領域が連結したパターンとしての突出パターンに対しインクを滴下した場合におけるインク挙動特性を示しており、突出パターンの構成を示す平面図である。

圆 1(b)]図 1 (a)に示す突出パターンにインクを滴下することにより形成されたインク焼成物の膜厚分布を示すグラフである。

[図 2(a)]互いに異なる線幅を有する領域が連結したパターンとしての括れパターンに対しインクを滴下した場合におけるインク挙動特性を示しており、括れパターンの構成を示す平面図である。

圆 2(b)]図 2 (a)に示す括れパターンにインクを滴下することにより形成されたインク焼成物の膜厚における線幅比依存性を示すグラフである。

圆 3(a)]本発明の実施の一形態の多層配線基板の構成を示す上面図である。

[図 3(b)]図 3 (a)における Π— Π'断面図である。

[図 4(a)]コンタクトホール領域が突出領域を 4つ有する場合における、本多層配線基板の構成を示す上面図である。

[図 4(b)]図 4 (a)における ΠΙ— ΠΓ断面図である。

[図 5(a)]コンタクトホール領域が突出領域を 3つ有する場合における、本多層配線基板の構成を示す上面図である。

[図 5(b)]図 5 (a)における IV— IV'断面図である。

[図 6(a)]コンタクトホール領域が突出領域を 2つ有する場合における、コンタクホール内にコンタクト補助材が設けられた多層配線基板の構成を示す断面図である。

[図 6(b)]コンタクトホール領域が突出領域を 4つ有する場合における、コンタクホール内にコンタクト補助材が設けられた多層配線基板の構成を示す断面図である。

[図 6(c)]コンタクトホール領域が突出領域を 3つ有する場合における、コンタクホール内にコンタクト補助材が設けられた多層配線基板の構成を示す断面図である。

[図 7(a)]コンタクトホール領域が括れパターンを有した場合における本多層配線基板の構成を示す上面図である。

[図 7(b)]図 7 (a)における V— V'断面図である。

[図 8(a)]コンタクトホール領域が括れパターンを有した場合における本多層配線基板の別の構成を示す上面図である。

[図 8(b)]図 8 (a)における VI— VI'断面図である。 [図 9(a)]コンタクトホール領域が括れパターンを有した場合における本多層配線基板のさらに別の構成を示す上面図である。

[図 9(b)]図 9 (a)における VII— VII'断面図である。

[図 10(a)]図 7 (a)及び図 7 (b)に示されるコンタクトホール領域である場合における、コンタクホール内にコンタクト補助材が設けられた多層配線基板の構成を示す断面図である。

[図 10(b)]図 8 (a)及び図 8 (b)に示されるコンタクトホール領域である場合における、コンタクホール内にコンタクト補助材が設けられた多層配線基板の構成を示す断面図である。

[図 10(c)]図 9 (a)及び図 9 (b)に示されるコンタクトホール領域である場合における、コンタクホール内にコンタクト補助材が設けられた多層配線基板の構成を示す断面図である。

圆 11(a)]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

圆 11(b)]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

圆 11(c)]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

圆 11(d)]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

圆 11(e)]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

圆 11(D]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

圆 11(g)]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

圆 11(h)]基板に形成された配線ガイドを示す平面図である。

[図 12]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法におけるバンク形成工程にて形成される線路の形状の一例を示し、（a)〜（d)は、突出パターンを有する線路を示す平面図であり、（e)〜(h)は、（a)〜(d)に示される線路を形成した場合に製造される多層配線基板の A— A'断面図であり、 (i)〜 (1)は、括れパターンを有する線路を示す平面図であり、（m)〜(p)は、（i)〜(l)に示される線路を形成した場合に製造される多層配線基板の B— B'断面図である。

[図 13]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法におけるバンク形成工程にて形成される線路の形状のさらに他の一例を示し、（a)及び (b)は、突出パターンを有する線路を示す平面図であり、（c)及び (d)は、（a)及び (b)に示される線路を形成した場合に製造される多層配線基板の A—A'断面図であり、（e)及び (f)は、括れバターンを有する線路を示す平面図であり、（g)及び (h)は、（e)及び (f)に示される線路を形成した場合に製造される多層配線基板の B— B'断面図である。

圆 14(a)]線路が突出パターンを有する場合に、バンク形成工程にて形成される線路におけるインクの滴下位置を模式的に示す説明図である。

圆 14(b)]線路が括れパターンを有する場合に、バンク形成工程にて形成される線路におけるインクの滴下位置を模式的に示す説明図である。

[図 15]液晶表示装置におけるゲート配線とソース配線との配置を示す平面図である。

[図 16(a)]本発明の実施の他の形態の多層配線形成方法により、ゲート配線及びソース配線を形成した場合の、図 15の液晶表示装置におけるゲート配線及びソース配線の膜厚分布を示す A— A'断面図である。

[図 16(b)]従来技術 (スパッタ法）により、ゲート配線及びソース配線を形成した場合の、図 15の液晶表示装置におけるゲート配線及びソース配線の膜厚分布を示す A— A'断面図である。

[図 17(a)]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 17(b)]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 17(c)]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 17(d)]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 17(e)]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 17(β]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。 [図 17(g)]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 17(h)]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 17(0]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 17(j)]従来の多層配線形成方法の各種工程を示した断面図である。

[図 18(a)]従来の多層配線基板の構成を示す上面図である。

[図 18(b)]図 18 (a)における X—X'断面図である。

[図 18(c)]コンタクホールの深さがさらに深くなつた多層配線基板の構成を示す断面図である。

発明を実施するための最良の形態

[0031] 〔実施の形態 1〕

本発明の実施の一形態について説明すれば、以下の通りである。

[0032] 本実施形態の多層配線形成方法は、配線材料カゝらなる液滴を滴下することにより、配線を形成する方法に関するものである。本願発明者は、互いに異なる線幅を有する領域が連結した線幅領域に対し、配線材料を含む液滴（以下、単にインクと記す）を滴下すると、細線領域 (相対的に線幅が小さい領域）と太線領域 (相対的に線幅が大きい領域)とで、インクの焼成物に膜厚差が生じるというインク挙動特性を見出した

[0033] 以下、上記インク挙動特性について、図 1 (a) · (b)及び図 2 (a) · (b)に基づいて説明する。図 1 (a) · (b)は、互いに異なる線幅を有する領域が連結したパターンとしての突出パターン (ゲートパターン）に対しインクを滴下した場合におけるインク挙動特性を示しており、図 1 (a)は、突出パターンの構成を示す平面図であり、図 1 (b)は、上記突出パターンにインクを滴下し得られたインク焼成物の I Γ断面における膜厚分布を示すグラフである。

[0034] 図 1 (a)に示すように、突出パターン 1は、太線領域 2と細線領域 3とを有している。

太線領域 2は線幅 2aを有しており、細線領域 3は線幅 3aを有している。線幅 2aは線幅 3aよりも大きくなつている。また、突出パターン 1では、細線領域 3が太線領域 2から長さ Bだけ突出した構成になっている。なお、ここでいう「パターン」とは、インクの滴下 •焼成により得られたインク焼成物のパターン (配線パターン)以外に、インクを滴下するための線路のパターンも含む。

[0035] このような突出パターン 1に、インクを滴下し焼成すると、インク焼成物は太線領域 2 と細線領域 3とで膜厚差が生じる。図 1 (b)に示すように、 I Γ断面におけるインク焼成物の膜厚は、線幅 2aを有する太線領域 2よりも線幅 3aを有する細線領域 3が大きくなつている。すなわち、 Ι—Γ断面におけるインク焼成物の膜厚分布は、相対的に線幅が狭い細線領域 3でインク焼成物がせり上がったような分布になる。

[0036] 以上のように、本願発明者は、突出ノターンにインクを滴下すると、滴下されたインク焼成物が細線領域でせり上がるというインク挙動特性を見出した。

[0037] また、本願発明者は、上記インク挙動特性は括れパターンに対しインクを滴下した場合にも生じることを見出した。括れパターンに対しインクを滴下した場合におけるィンク挙動特性について、図 2 (a) · (b)に基づいて以下に説明する。

[0038] 図 2 (a) · (b)は、互いに異なる線幅を有する領域が連結した線幅領域としての括れノターンに対しインクを滴下した場合におけるインク挙動特性を示しており、図 2 (a) は、括れパターンの構成を示す平面図であり、図 2 (b)は、上記括れパターンにインクを滴下することにより形成されたインク焼成物の膜厚における線幅比依存性 (太線領域 5の線幅 5a及び太線領域 7の線幅 7aを 40 m (—定）として細線領域 6の線幅 6a を変化させた時の各領域の膜厚)を示すグラフである。

[0039] 図 2 (a)に示すように、括れパターン 4は、太線領域 5と細線領域 (括れ領域) 6と太線領域 7とを有している。太線領域 5及び太線領域 7はそれぞれ、線幅 5a及び線幅 7 aを有しており、細線領域 6は線幅 6aを有している。線幅 5a及び線幅 7aは線幅 3aよりも大きくなつている。すなわち、括れパターン 4は、細線領域 6の部分が括れた構成になっている。また、図 2 (a)では、線幅 5aは、線幅 7aと同じになっている。

[0040] このような括れパターン 4に、インクを滴下し焼成すると、インク焼成物は太線領域 5 及び太線領域 7と細線領域 6とで膜厚差が生じる。すなわち、インク焼成物の膜厚分布は、相対的に線幅が狭い細線領域 6でインク焼成物がせり上がったような分布になる。

[0041] また、図 2 (b)に示すように、細線領域 6のインク焼成物の膜厚は、太線領域 5と細線領域 6との間の線幅比に依存した線幅比依存性を示す。すなわち、細線領域 6のインク焼成物と太線領域 5のインク焼成物との間の膜厚差は、太線領域 5と細線領域 6との間の線幅比（線幅 5aZ線幅 6a)が大きくなるに従って大きくなつている。図 2 (b )では、太線領域 5の線幅 5a及び太線領域 7の線幅 7aを 40 μ m (—定）として細線領域 6の線幅 6aを変化させている。このとき、太線領域 5及び太線領域 7のインク焼成物の膜厚は、細線領域 6の線幅が変化しても、ほぼ一定になっている。これに対し、細線領域 6におけるインク焼成物の膜厚は、細線領域 6の線幅 6aが小さくなるに従つて大きくなつている。

[0042] また、このようなインク焼成物の膜厚の線幅比依存性は、図 1に示された突出パターンにおいても見られる。すなわち、図 1 (a)において、細線領域 3のインク焼成物の膜厚は、太線領域 2と細線領域 3との間の線幅比 (線幅 2aZ線幅 3a)が大きくなるに従つて大きくなつている。

[0043] なお、「線幅」を規定する方向は、上記「相対的に線幅が小さい領域」及び「相対的に線幅が大きい領域」それぞれにおいて、その長手方向（伸長方向）に対して垂直な方向である。すなわち、線幅領域が突出パターンを有している場合、図 1に示すように、細線領域 (突出領域） 3の線幅 3aは、細線領域 3の長手方向に対し垂直な方向で規定される幅である。一方、太線領域 2の線幅 2aは、太線領域 2の長手方向に対し垂直な方向で規定される幅である。

[0044] また、線幅領域が括れパターンを有して、る場合、図 2 (a)に示すように、細線領域

(括れ領域) 6の線幅 6aは、細線領域 6の長手方向に対し垂直な方向で規定される幅である。一方、太線領域 5 · 7の線幅 5a ' 7aは、太線領域 5 · 7の長手方向に対し垂直な方向で規定される幅である。

[0045] また、上記「相対的に線幅が小さ!/、領域」または「相対的に線幅が大き!/、領域」が、正方形等といった長手方向を規定できないような対称形状である場合、上記「線幅」は、対称形状の幅を規定する方向と平行な方向で規定される。

[0046] 本実施形態の多層配線基板は、上述したインク挙動特性を利用したものである。このインク挙動特性を利用することにより、接続信頼性の高い多層配線結線を得ることが可能になる。以下、本実施形態の多層配線基板について、図 3 (a) · 0))〜図5 (_&) • (b)に基づヽて説明する。図 3 (a) · (b)は、本実施形態の多層配線基板の構成を示しており、図 3 (a)は、上面図であり、図 3 (b)は、 03 (a)における II II'断面図である。

[0047] 図 3 (a)及び図 3 (b)に示すように、本実施形態の多層配線基板 (以下、本多層配線基板と記す）は、下層配線 8と上層配線 10とを備えている。そして、本多層配線基板では、下層配線 8と上層配線 10との間に、層間絶縁層 9が設けられている。また、層間絶縁層 9には、下層配線 8と上層配線 10とを接続 (連結)するためのコンタクトホール 11が形成されている。

[0048] また、コンタクトホール 11内には、インク焼成物 12が形成されている。インク焼成物 12は、コンタクトホール 11にインクを滴下'焼成することにより得られるものである。そして、インク焼成物 12が、下層配線 8と上層配線 10とに接触することにより、下層配線 8と上層配線 10とが電気的に接続することになる。

[0049] 本多層配線基板では、コンタクトホール領域が上記突出パターンを有している。ここでいう「コンタクトホール領域」とは、コンタクトホール 11を形成する内壁 13により囲まれた領域のことをいう。図 3 (a)に示すように、コンタクトホール領域は、太線領域 13A と突出領域 13Bと突出領域 13Cとからなり、太線領域 13Aと突出領域 13Bと突出領域 13Cとが互いに連結されている。突出領域 13B及び突出領域 13Cは、太線領域 1 3A力も突出したようになつている。そして、突出領域 13B' 13Cの線幅は、太線領域 13Aの線幅よりも小さくなつている。なお、本多層配線基板におけるコンタクトホール領域は、該コンタクトホール領域の少なくとも一部分力互いに線幅が異なる線幅領域であればよい。

[0050] 本多層配線基板の製造方法は、層間絶縁層 9に、上層配線 10と下層配線 8とを連絡するコンタクトホール 11を形成するコンタクトホール形成工程と、コンタクトホール 1 1内に配線材料を含む液滴 (インク）を滴下することにより、上層配線 10と下層配線 8 とを導通する結線部を形成する結線部形成工程とを含むものである。

[0051] そして、コンタクトホール形成工程では、コンタクトホール 11を形成する内壁 13に囲まれた領域 (コンタクトホール領域）力互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するように、コンタクトホールを形成して、る。

[0052] このようなコンタクトホール 11にインクを滴下すると、滴下されたインクは、突出領域 13B及び突出領域 13Cでせり上がる。その結果、図 3 (b)に示すように、突出領域 13 B及び突出領域 13Cにおけるインク焼成物 12の膜厚は、太線領域 13Aにおけるインク焼成物 12の膜厚よりも大きくなつている。すなわち、インク焼成物 12の膜厚分布は、突出領域 13B及び突出領域 13Cでインク焼成物 12がせり上がったような分布になる。

[0053] したがって、本多層配線基板では、図 18 (a)に示されたコンタクトホール形状を有する多層配線基板と比較して、インク焼成物 12が上層配線 10と良好に接触する。それゆえ、下層配線 8と上層配線 10との間で、信頼性の高い多層配線間結線 (インク焼成物 12)を得ることが可能になる。

[0054] また、図 3 (a)に示されたコンタクトホール領域は、突出領域を 2つ有する構成であつた。し力しながら、本多層配線基板におけるコンタクトホール領域は、突出領域を少なくとも 1つ有する構成であれば、特に限定されるものではない。コンタクトホール領域が突出領域を少なくとも 1つ有する構成であれば、上述の突出パターンにおけるインク挙動特性を示し、信頼性の高、多層配線間結線を得ることが可能になる。

[0055] 以下、コンタクトホール領域が突出領域を 4つあるいは 3つ有する場合における、本多層配線基板の構成について、図 4 (a) · (b)及び図 5 (a) · (b)に基づいて説明する。図 4 (a) · (b)は、コンタクトホール領域が突出領域を 4つ有する場合における、本多層配線基板の構成を示し、図 4 (a)は、上面図であり、図 4 (b)は、図 4 (a)における III — III'断面図である。また、図 5 (a) · (b)は、コンタクトホール領域が突出領域を 3つ有する場合における、本多層配線基板の構成を示し、図 5 (a)は、上面図であり、図 5 (b)は、図 5 (a)における IV— IV'断面図である。

[0056] 図 4 (a)及び図 4 (b)に示すように、本多層配線基板では、下層配線 8と上層配線 1 0'との間に、層間絶縁層 9'が設けられている。また、層間絶縁層 9'には、下層配線 8と上層配線 10'とを接続するためのコンタクトホール 11，が形成されて!、る。そして、コンタクトホール 11 '内には、インク焼成物 12が形成されている。また、上層配線 10' は、図 4 (a)に示すように、十字路の配線パターンになっており、コンタクトホール 11，は、上層配線 10'における十字路配線パターンの交差部に設けられている。

[0057] また、図 4 (a)に示すように、コンタクトホール領域は、太線領域 13'Aと突出領域 13 ' Β〜13' Εとからなり、太線領域 13'Aと突出領域13' B〜13' Eとが互ぃに連結されている。突出領域 13' Β〜13' Εはそれぞれ、太線領域 13'Α力も突出したようになつている。そして、突出領域 13' Β〜13' Εの線幅は、太線領域 13' Αの線幅よりも小さくなつている。

[0058] このようなコンタクトホール 11，にインクを滴下すると、滴下されたインクは、突出領域 13 ' B〜13' Eでせり上がる。その結果、図 4 (b)に示すように、突出領域 13' B〜1 3，Eにおけるインク焼成物 12の膜厚は、太線領域 13， Aにおけるインク焼成物 12の膜厚よりも大きくなつている。すなわち、インク焼成物 12の膜厚分布は、突出領域 13 ， B〜 13 ' Eでインク焼成物 12がせり上がったような分布になる。

[0059] したがって、本多層配線基板では、インク焼成物 12が上層配線 10'の 4点で接触すること〖こなる。それゆえ、図 4 (a) · (b)に示された多層配線基板では、コンタクトホール 11 '内に形成されたインク焼成物 12が、より一層上層配線 10'と接触することになる。このため、下層配線 8と上層配線 10'との間で、より信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。

[0060] また、図 4 (a) · (b)に示された多層配線基板では、上層配線 10'は十字路配線パターンを有している力上層配線 10'の配線パターンは、十字路配線パターンに限定されるものではない。特に、上層配線 10'が十字路配線パターンを有している場合、コンタクトホール領域は上層配線パターンに合わせた形状となっている。それゆえ、上層配線が細線である場合にも対応でき、かつ、低抵抗なコンタクトホールの形成が可會になる。

[0061] さらに、本多層配線基板におけるコンタクトホール領域は、突出領域を 3つ有していてもよい。図 5 (a)及び図 5 (b)に示すように、層間絶縁層 9'には、下層配線 8と上層配線 10' 'とを接続するためのコンタクトホール 11 ' 'が形成されている。また、上層配線 10，，は、図 5 (a)に示すように、 T字路の配線パターンになっており、コンタクトホール 11 ' 'は、上層配線 10'，における T字路配線パターンの分岐部に設けられている

[0062] また、図 5 (a)に示すように、コンタクトホール領域は、太線領域 13' ' Aと突出領域 1 3' ' Β〜13' ' Dと力もなり、太線領域 13'，Αと突出領域 13' ' Β〜13' ' Dとが互いに連結されている。突出領域 13' ' Β〜13' ' Dはそれぞれ、太線領域 13'，Aから突出したようになっている。そして、突出領域 13' ' Β〜13' ' Dの線幅は、太線領域 13'， Αの線幅よりも小さくなつて!/、る。

[0063] このようなコンタクトホール 11 ' 'にインクを滴下すると、滴下されたインクは、突出領域 13 ' ' Β〜13' ' Dでせり上がる。その結果、図 5 (b)に示すように、突出領域 13' ' B 〜13，，Dにおけるインク焼成物 12の膜厚は、太線領域 13，， Aにおけるインク焼成物 12の膜厚よりも大きくなつている。すなわち、インク焼成物 12の膜厚分布は、突出領域 13 ' ' Β〜13' ' Dでインク焼成物 12がせり上がったような分布になる。

[0064] 図 5 (a) · (b)に示された多層配線基板では、インク焼成物 12が上層配線 10'，の 3 点で接触することになり、下層配線 8と上層配線 10' 'との間で、信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。

[0065] また、図 5 (a) · (b)に示された多層配線基板では、上層配線 10'，は T字路配線パターンを有しているが、上層配線 10' 'の配線パターンは、 T字路配線パターンに限定されるものではない。特に、上層配線 10' 'が T字路配線パターンを有している場合、コンタクトホール領域は上層配線パターンに合わせた形状となっている。それゆえ、上層配線が細線である場合にも対応でき、かつ、低抵抗なコンタクトホールの形成が可能になる。

[0066] また、コンタクトホールがより微細なパターンで形成されている場合、あるいは、コンタクトホールがよりアスペクト比が大きくなるように形成されて!、る場合には、本多層配線基板は、図 6 (a)〜（c)に示すように、コンタクトホール内に、さらにコンタクト補助材が設けられていてもよい。なお、図 6 (a)〜（c)は、さらにコンタクホール内にコンタクト補助材が設けられた多層配線基板の構成を示す断面図であり、図 6 (a)は、コンタクトホール領域が突出領域を 2つ有する場合を示し、図 6 (b)は、コンタクトホール領域が突出領域を 4つ有する場合を示し、図 6 (c)は、コンタクトホール領域が突出領域を 3つ有する場合を示す。

[0067] 図 6 (a)〜図 6 (c)に示すように、本多層配線基板では、コンタクトホール 11内にコンタクト補助材 14が形成されている。そして、コンタクト補助材 14の上に、さらにインク焼成物 12、またはスパッタ膜が形成されている。 [0068] コンタクト補助材 14は、インク焼成物 12と上層配線 10との接触を補助するものである。コンタクトホール 11がよりアスペクト比が大きくなるように形成されていると、インクは上層配線 10にまでせり上がらな、場合がある。コンタクトホール 11内にコンタクト補助材 14が形成されていると、滴下されたインクは上層配線 10までせり上がるようになる。そして、このインクを焼成したインク焼成物 12は、上層配線 10と接触するようになる。

[0069] なお、コンタクト補助材 14は、コンタクトホール 11にコンタクト補助材 14の材料を含む液滴を滴下することにより、形成されるものである。コンタクト補助材 14の材料としては、例えば金属ナノ粒子含有インクが挙げられる。

[0070] 図 4 (a) · (b)及び図 5 (a) · (b)に示された多層配線基板は、コンタクトホール領域が突出パターンを有している構成であった。し力しながら、本多層配線基板におけるコンタクトホール領域は、上述したインク挙動特性を有するような構成であれば、特に限定されるものではない。例えば、コンタクトホール領域が括れパターンを有している構成であってもよい。また、コンタクトホール領域力突出パターンと括れパターンとを組み合わせたような構成であってもよ、。

[0071] 以下、コンタクトホール領域が括れパターンを有して、る構成にっ、て、図 7 (a) · ( 1))〜図9 (_&) · (b)に基づいて説明する。図 7は、コンタクトホール領域が括れパターンを有した場合における本多層配線基板の構成を示し、図 7 (a)は、上面図であり、図 7 (b)は、図 7 (a)における V— V'断面図である。

[0072] 図 7 (a)及び図 7 (b)に示すように、本多層配線基板では、下層配線 18と上層配線 110との間に、層間絶縁層 19が設けられている。層間絶縁層 19には、コンタクトホール 111が形成されている。そして、コンタクトホール 111内には、インク焼成物 12が形成されている。

[0073] 図 7 (a)に示すように、コンタクトホール領域は、括れ領域 113 Aと太線領域 113Β· 113Cと力らなり、括れ領域 113Αと太線領域 113B- 113Cとが互!、に連結されて!ヽる。すなわち、このコンタクトホール領域は、括れ領域 113Αで括れた括れパターンとなっている。そして、括れ領域 113Αの線幅は、太線領域 113B' 113Cの線幅よりも小さくなつている。 [0074] このようなコンタクトホール 111にインクを滴下すると、滴下されたインクは、括れ領域 113Aでせり上がる。その結果、図 7 (b)に示すように、括れ領域 113Aにおけるィンク焼成物 12の膜厚は、太線領域 113B. 113Cにおけるインク焼成物 12の膜厚よりち大さくなる。

[0075] このため、本多層配線基板では、インク焼成物 12が上層配線 110と良好に接触する。それゆえ、下層配線 18と上層配線 110との間で、信頼性の高い多層配線結線を得ることが可能になる。

[0076] また、本多層配線基板におけるコンタクトホール領域は、図 7 (a) · (b)に示すコンタタトホール領域に限定されるものではない。例えば、図 8 (a) · (b)または図 9 (a) · (b) に示されるようなコンタクトホール領域であってもよい。

[0077] 図 8 (a)に示すように、本多層配線基板では、層間絶縁層 19'に、下層配線 18と上層配線 110'とを接続するためのコンタクトホール 111 'が形成されている。また、上層配線 110'は、図 8 (a)に示すように、十字路の配線パターンになっており、コンタクトホール 111 'は、上層配線 110'における十字路配線パターンの交差部に設けられている。

[0078] 図 8 (a)に示すように、コンタクトホール領域は、括れ領域 113 ' Aと太線領域 113' B〜113' Eとからなり、括れ領域 113'Aと太線領域113' B〜113' Eとが互ぃに連結されている。括れ領域 113' Aは、上層配線 110'の配線パターンに沿った十字路のパターンになっており、この十字路の交差部と上層配線 110'の十字路配線パターンの交差部とがー致するようになっている。そして、括れ領域 113' Aの上層配線 110 ，に沿ったパターンの端部 (十字路パターンの端部）にそれぞれ、太線領域 113' B〜 113' Eが形成されている。また、括れ領域 113' Aの線幅は、太線領域 113' B〜11 3， Eの線幅よりも小さくなつて!/、る。

[0079] このようなコンタクトホール 111，にインクを滴下すると、滴下されたインクは、括れ領域 113' Aでせり上がる。その結果、図 8 (b)に示すように、括れ領域 113' Aにおけるインク焼成物 12の膜厚は、太線領域 113， B〜 113， Eにおけるインク焼成物 12の膜厚よりも大きくなる。

[0080] また、上層配線が T字路の配線パターンを有して、る場合、図 9 (a)に示すようなコンタクトホール領域であってもよ！/、。

[0081] 図 9 (a)に示すように、層間絶縁層 19"に、下層配線 18と上層配線 110' 'とを接続するためのコンタクトホール 111 ' 'が形成されている。同図に示すように、本多層配線基板では、上層配線 110'，は、 T字路の配線パターンになっており、コンタクトホール 111 ' 'は、上層配線 110'，における T字路配線パターンの分岐部に設けられている。

[0082] また、図 9 (a)に示すように、コンタクトホール領域は、括れ領域 113' ' Aと太線領域 113，，B〜113，，Dと力らなり、括れ領域 113，， Aと太線領域 113，，B〜113，，Dとが互いに連結されている。括れ領域 113'，Aは、上層配線 110' 'の配線パターンに沿った T字路のパターンになっており、この T字路の分岐部と上層配線 110' 'の十字路配線パターンの分岐部とがー致するようになっている。そして、括れ領域 113' Ά の上層配線 110'，に沿ったパターンの端部 (T字路パターンの端部）にそれぞれ、太線領域 113' ' Β〜113 ' ' Dが形成されている。また、括れ領域 113' ' Αの線幅は、太線領域 113，，B〜113，，Dの線幅よりも小さくなつている。

[0083] このようなコンタクトホール 111 ' 'にインクを滴下すると、滴下されたインクは、括れ領域 113" Aでせり上がる。その結果、図 9 (b)に示すように、括れ領域 113" Aにおけるインク焼成物 12の膜厚は、太線領域 113，，B〜113，，Dにおけるインク焼成物 1 2の膜厚よりも大きくなる。

[0084] また、コンタクトホール領域力上記のように、括れパターンを有している場合でも、コンタクトホール内に、さらにコンタクト補助材が設けられていてもよい。図 10 (a)〜（c )は、さらにコンタクホール内にコンタクト補助材が設けられた多層配線基板の構成を示す断面図であり、図 10 (a)は、図 7 (a) · (b)に示されるコンタクトホール領域である場合を示し、図 10 (b)は、図 8 (a) · (b)に示されるコンタクトホール領域である場合を示し、図 10 (c)は、図 9 (a) · (b)に示されるコンタクトホール領域である場合を示す。

[0085] 図 10 (a)〜図 10 (c)に示すように、本多層配線基板では、コンタクトホール 111内にコンタクト補助材 14'が形成されている。そして、コンタクト補助材 14'の上に、さらにインク焼成物 12、またはスパッタ膜が形成されて、る。

[0086] コンタクト補助材 14'は、インク焼成物 12と上層配線 110との接触を補助するものである。コンタクトホール 111がよりアスペクト比が大きくなるように形成されていると、ィンクは上層配線 10にまでせり上がらな!/、場合がある。コンタクトホール 111内にコンタタト補助材 14'が形成されていると、滴下されたインクは上層配線 110までせり上がるようになる。そして、このインクを焼成したインク焼成物 12は、上層配線 110と接触するよつになる。

[0087] また、本多層配線基板は、上記コンタクトホール領域における「互いに線幅が異なる領域のうち相対的に線幅が大きい領域」に滴下されたインクの焼成物を「下層配線」とした構成であってもよい。このような構成では、例えば図 3に示されるコンタクトホール領域のうち太線領域 13Aに滴下されたインク焼成物 12が、「下層配線」に該当する。太線領域 13Aにインクを滴下すると、上述したように、インク焼成物 12の膜厚分布は、突出領域 13B及び突出領域 13Cでインク焼成物 12がせり上がったような分布になる。すなち、太線領域 13Aではインク焼成物がせり上がらないような分布になる。本多層配線基板では、この太線領域 13Aに滴下されたインクの焼成物を「下層配線」として利用することが可能である。

[0088] これにより、「下層配線」（例えば図 3 (a)における太線領域 13Aに滴下されたインクの焼成物）と下層配線と上層配線とを接続する結線部（例えば図 3 (a)における突出領域 13Β· 13Cに滴下されたインクの焼成物）とを同時に形成することが可能になる。

[0089] 〔実施の形態 2〕

本発明の実施の他の形態について説明する。

[0090] 上記実施の形態 1の多層配線基板は、コンタクトホール領域力互いに異なる線幅を有する領域が連結したパターンを有する構成であった。そして、このコンタクトホール領域に滴下 '焼成されたインク焼成物が、上述のインク挙動特性を示すことにより、信頼性の高い多層配線間結線を実現している。し力しながら、上述のインク挙動特性の利用例は、これに限定されるものではない。本実施形態では、上述のインク挙動特性を利用した別の例について説明する。

[0091] 本実施形態では、上述のインク挙動特性を、インクジェット技術を用いた多層配線形成方法 (多層配線基板の製造方法）に利用している。本実施形態の多層配線形成方法では、インクジェット技術により、多層配線を形成するに際し、下層配線と該下層配線に接続するコンタクトホール配線 (結線部）とを同時に作成することが可能になる。以下、本実施形態の多層配線形成方法について説明する。

[0092] 本実施形態の多層配線基板の製造方法 (以下、本多層配線形成方法と記す）は、図 l l (a)〜(h)に示すように、バンク（隔壁)形成工程 21、親撥水処理工程 22、配線材料塗布工程 23、焼成工程 24、剥離工程 25、層間絶縁膜塗布工程 26、及びエツチバック工程 27からなる。

[0093] (バンク（隔壁)形成工程 21)

このバンク形成工程 21では、配線材料塗布工程 23のための配線ガイドを形成する。後段の配線材料塗布工程 23では、インクジェット技術によりインクを滴下することにより配線が形成される。したがって、ここでは、配線形成領域にインクの吐出（滴下）により適切にインクが塗布されるために配線ガイドを形成する。なお、図 11 (a)は、本多層配線基板が備えるガラス基板に形成された配線ガイドを示す断面図である。図 11 (h)は、本多層配線基板が備えるガラス基板に形成された配線ガイドを示す平面図である。

[0094] 図 11 (a)に示すように、バンク形成工程 21では、レジスト材料を用い、フォトリソダラフィにより基板 31上にバンク 32を形成する。このバンク 32は、後段の配線材料塗布工程 23にてインクを滴下する際に、その液流を規制する配線ガイドである。そして、基板 31上に形成されたバンク 32の内壁に囲まれた領域が、下層配線を形成する線路 33となる。すなわち、線路 33は、形成する下層配線パターンに沿ったガイドである

[0095] 本多層配線形成方法では、バンク形成工程にぉ、て、互いに異なる線幅を有する領域が連結したパターンになるように配線ガイドを形成している。これにより、後段の配線材料塗布工程にてインクを滴下する際に、インクが上述のインク挙動特性を示すことになる。すなわち、インクが、互いに異なる線幅を有する領域のうち、相対的に線幅が小さ!/、領域がせり上がるようになる。

[0096] 図 11 (h)は、下層配線を形成する線路が突出パターンを有する場合における構成例を示している。図 11 (h)に示すように、線路 33は、配線形成領域 34と突出領域 35 とを有している。そして、突出領域 35は、配線形成領域 34から突出したようになっている。そして、突出領域 35の線幅 35aは、配線形成領域 34の線幅 34aよりも小さくなつている。後段の配線材料塗布工程 23にて、このような線路 33にインクを滴下すると、滴下されたインクは、突出領域 35でせり上がる。そして、後段の焼成工程 24にて、インクの焼成を行うことにより、下層配線とコンタクトホール配線 (結線部）とを同時に形成することが可能になる。

[0097] なお、基板 31としては一般的にはガラス基板が用いられる。しかしながら、基板 31 は、液晶素子を構成する目的において、所望の透明性、機械的強度等の必要特性を有するものであれば、特に限定されるものではない。例えば、基板 31は、プラスチック基板であってもよヽ。

[0098] また、バンク 32を形成するための榭脂組成物としては、レジスト材料を用いて、るが、感光性アクリル系榭脂を用いてもよい。感光性アクリル系榭脂を用いる場合、感光性アクリル系榭脂は透明であるので、後段の剥離工程を行う必要がなぐ製造工程の短縮を図ることができる。

[0099] また、バンク 32により形成された線路 33のパターユング方法としては、フォトリソダラフィ技術が好適に用いられる。また、バンク形成工程 21では、感光性アクリル榭脂を数/ z mオーダーのスペース幅でパター-ングを行っている。さらに、このパター-ングにより形成されたバンク 32の膜厚は、数千 A (数百 nm)〜数 μ mとなって、る。

[0100] (親撥水処理工程 22)

親撥水処理工程 22は、バンク 32あるいは線路 33に親撥水性を付与するためのェ程である。より具体的には、線路 33にインクに対して濡れ易い性質 (親水性)を付与する一方、バンク 32にインクに対し弾き易い性質 (撥水性)を付与する工程である。

[0101] この親撥水処理工程 22では、バンク 32あるいは線路 33に対して、 SF、または CF

6 等のフッ素系ガスを用いたプラズマ処理を行うことで、バンク 32あるいは線路 33に

4

親撥水性を付与している。

[0102] (配線材料塗布工程 23)

配線材料塗布工程 23を図 11 (c)に示す。配線材料塗布工程 23では、パターン形成装置 (不図示）を使用し、基板 31上の線路 33に対して配線材料力もなるインク 36 を滴下する。本実施形態においては、線路 33に滴下されたインク 36は、上述のインク挙動特性により、突出領域 35でせり上がるようになる。

[0103] また、本多層配線形成方法では、上記親撥水処理工程 22にて、バンク 32あるいは線路 33に親撥水性を付与している。このため、滴下位置 (着弾位置）がずれて、インク 36がバンク 32に滴下された場合でも、インク 36は、バンク 32の撥水膜で撥水し、線路 33へ引き込まれることになる。

[0104] また、インク 36は、金属ナノ粒子を含有した金属ナノ粒子含有インクである。また、インク 36の組成は、大半力 Sインク溶媒であり、固形分 (金属ナノ粒子）は数 vol%〜10 vol%である。インク 36に含まれる金属ナノ粒子として、銀 (Ag)系、銅（Cu)系及びァルミ-ゥム (A1)系粒子が好適である。

[0105] また、インク溶媒として、極性材料からなる溶媒、あるいは非極性材料からなる溶媒の何れの溶媒を用いてもよ!ヽ。インク溶媒として極性材料からなる溶媒を用いる場合、その極性材料としては、例えば、メチルカルビトール、またはブチルカルビトールが挙げられる。また、インク溶媒として非極性材料力もなる溶媒を用いる場合、その非極性材料としては、例えばテトラデカンが挙げられる。

[0106] (焼成工程 24)

配線材料塗布工程 23後、図 11 (d)に示すように、焼成処理を施し、インク 36中のインク溶媒成分を除去することにより下層配線及びコンタクトホール配線 (結線部）を同時に形成する。なお、焼成工程 24において、線路 33の配線形成領域 34に滴下されたインク 36の焼成物が、最終的に下層配線 37になる。一方、線路 33の突出領域 35に滴下されたインク 36の焼成物力最終的に上層配線と下層配線とを接続するコンタクトホール配線 (結線部） 38となる。

[0107] なお、焼成工程 24では、真空中、大気中、 N雰囲気中、または N /O混合比を

2 2 2 変えた雰囲気中で、インク溶媒の沸点以上の温度で焼成している。

[0108] (剥離工程 25)

剥離工程 25では、線路 33を形成するバンク 32を剥離 '除去する。

[0109] この工程により、基板 31に、配線形成領域 34に滴下されたインク 36の焼成物からなる下層配線 37、及び突出領域 35に滴下されたインク 36の焼成物力もなるコンタクトホール配線 38が露出された状態になる。 [0110] (層間絶縁膜塗布工程 26)

剥離工程 25後、下層配線及びコンタクトホール配線が形成された基板 31に層間絶縁膜 39を塗布する。

[0111] 層間絶縁膜 37として、例えば SOG (Spin On Glass)膜を用いてもよい。 SOG膜は、塗布法（SOD ;Spin On Deposition)により形成したシリコン酸化膜であり、塗布シリコン酸ィ匕膜とも呼ばれるものである。層間絶縁膜 39として SOG膜を用いた場合、スピンコーティングによる簡便な方法 (塗布法)で層間絶縁膜を形成することが可能になる。また、層間絶縁膜 39を形成する方法としては、化学気相成長（CVD ; Chemical Vapo r Deposition )法、または、スパッタ法によりシリコン酸ィ匕膜 (SiO膜)を形成する方法

2

であってもよい。

[0112] (エッチバック工程 27)

層間絶縁膜 39を形成した後、いわゆるエッチバックと称する技術により層間絶縁膜

39全面にエッチングを施して、層間絶縁膜 39表面を平坦ィ匕する。なお、このエッチングは、コンタクトホール配線 38が露出するまで行われる。

[0113] さらに、エッチバック工程後、ここでは図示していないが、コンタクトホール配線 38が露出された層間絶縁膜 39表面に上層配線を形成する。なお、この上層配線は、従来のスパッタ法により形成されて、てもよ、し、インクジェット技術により形成されて!ヽてもよい。

[0114] 以上のように、本多層配線形成方法において、バンク形成工程にて、互いに異なる線幅を有する領域が連結した線幅パターンになるように、下層配線を形成する線路を形成している。それゆえ、配線材料塗布工程にてインクを滴下する際に、インクが上述のインク挙動特性を示すことになる。すなわち、インクが、互いに異なる線幅を有する領域のうち、相対的に線幅が小さい領域でせり上がるようになり、下層配線と該下層配線と導通するコンタクトホール配線 (結線部）とを同時に作成することが可能になる。なお、本多層配線形成方法においては、互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域力コンタクトホール配線として形成され、互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が大きい領域力下層配線として形成されて!、ることは言うまでもな!/、。 [0115] 従来の多層配線形成方法は、配線形成工程、及びコンタクトホール形成工程を含んでいる。そして、配線形成工程及びコンタクトホール形成工程のそれぞれについて、デポジション工程、フォトリソグラフイエ程、エッチング工程、及び剥離工程が行われる。これに対し、本多層配線形成方法は、バンク形成工程にてバンクを形成するために 1回フォトリソグラフィを行えば、下層配線と該下層配線に接続するコンタクトホール配線 (結線部）とを同時に作成することができる。

[0116] すなわち、本多層配線形成方法では、上述したインク挙動特性を利用することで、コンタクトホールを形成するためのデポジション工程、フォトリソグラフイエ程、エツチング工程、及び剥離工程を省略することができる。このため、本多層配線形成方法によれば、製造工程を短縮でき、かつ信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。

[0117] また、本多層配線形成方法では、先に、下層配線と該下層配線に接続するコンタクトホール配線 (結線部）とを同時に作成し (バンク形成工程〜剥離工程)、その後層間絶縁膜を形成している (層間絶縁膜塗布工程)。このため、段差被覆性のよい層間絶縁膜が得られる。従来の多層配線形成方法では、層間絶縁膜を形成した後、スパッタ法により、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール領域に配線材料を埋め込んでいる。この場合、コンタクトホールの断面形状 (逆テーパ形状になる、アスペクト比大）等の下地の影響により、層間絶縁膜の段差被覆性が悪くなる。その結果、従来の多層配線基板の製造方法では、ボイドゃ断線が生じるおそれがある。これに対し、本多層配線形成方法では、層間絶縁膜塗布工程にて、コンタクトホール領域 (コンタクトホール配線が形成された領域)以外の広ヽ領域に、層間絶縁膜を塗布してヽるので、コンタクトホールの断面形状 (通常、逆テーパ形状になる）等の下地の影響を受けにくくなる。その結果、段差被覆性がよい層間絶縁膜が得られる。

[0118] なお、図 l l (a)〜(h)では、バンク形成工程 21にて、線路 33が突出パターンになるようにバンク 32を形成していた。しカゝしながら、バンク形成工程にて形成される線路は、上記の突出パターンに限定されるものではない。上記インク挙動特性を示し、かつ互いに異なる線幅を有する領域が連結した線幅領域を有して!/、ればよ!/、。例えば、バンク形成工程にて形成される線路が括れパターンを有してヽる構成であってもよい。また、バンク形成工程にて形成される線路が、突出パターンと括れパターンとを組み合わせたような構成であってもよ!/、。

[0119] また、バンク形成工程にて形成される線路は、上記線幅領域のうち相対的に線幅力、さ、領域と上層配線との重なり部分が大きくなるように形成されて、ることが好ましい。これにより、線幅領域のうち相対的に線幅が小さい領域に滴下されたインクの焼成物（コンタクトホール配線）と上層配線との接触面積が大きくなる。その結果、下層配線と上層配線とを導通するコンタクトホール配線が低抵抗になり、かつ電流密度が低下することにより、断線が起きにくい多層配線基板を実現できる。

[0120] 以下、バンク形成工程にて形成される線路が、線幅領域のうち相対的に線幅が小さヽ領域と上層配線との重なり部分が大きくなるように形成された場合にっ、て、図 1 2及び図 13に基づいてさらに詳細に説明する。図 12中の（a)〜(p)は、本多層配線形成方法におけるバンク形成工程にて形成される線路の形状の一例を示し、図 12 中の（a)〜（d)は、突出パターンを有する線路を示す平面図であり、図 12中の（e)〜 (h)は、図 12中の（a)〜（d)に示される線路を形成した場合に製造される多層配線基板の A—A'断面図であり、図 12中の (i)〜(l)は、括れパターンを有する線路を示す平面図であり、図 12中の (m)〜(p)は、図 12中の (i)〜(l)に示される線路を形成した場合に製造される多層配線基板の B— B'断面図である。なお、図 12中の（a)〜 (d)、及び図 12中の（i)〜(l)では、上層配線と下層配線との配置の関係を分力りやすくするため、上層配線を明記している。

[0121] 図 12中の（a)に示すように、線路 133は、配線形成領域 134と突出領域 135とを有している。そして、突出領域 135は、配線形成領域 134に対し垂直に 3通路で突出したような形状になっている。また、上層配線 140は、少なくとも突出領域 135と重なるように形成されている。なお、「重なる」とは、基板上に投影した正射影が一致することを指すものとする。

[0122] このような線路 133にインクを滴下すると、滴下されたインクは、突出領域 135でせり上がる。そして、上記焼成工程にて、インクの焼成を行うことにより、下層配線 137とコンタクトホール配線 138とを同時に形成することが可能になる。なお、線路 133において、配線形成領域 134に滴下されたインクの焼成物が下層配線 137になり、突出領域 138に滴下されたインクの焼成物がコンタクトホール配線 138になる。その後、層間絶縁膜塗布工程、エッチバック工程を経て、コンタクトホール配線 138と接続するように上層配線 140を形成することで、本多層配線基板が製造される。

[0123] 図 12中の（a)に示すように、製造された多層配線基板では、下層配線 137と同時に形成されたコンタクトホール配線 138が上層配線 140と接続している。そして、下層配線 137と上層配線 140との間には、層間絶縁膜 139が設けられている。この層間絶縁膜 139は、上記層間絶縁膜塗布工程にて形成されるものである。また、上層配線 140には、さらにパッシベーシヨン膜 141が形成されている。パッシベーシヨン膜 1 41は、水分の吸湿を防ぐという機能を有する。また、ノッシベーシヨン膜 141は、例えば SiN膜等を CVD法により堆積することにより、上層配線 140上に形成される。

[0124] また、突出領域は、図 12中の（b)に示すような「ョ」字形状であってもよい。すなわち、突出領域 135'は、配線形成領域 134'に対し垂直に 3通路で突出し、突出した 3 通路が互いに合流するように垂直に折れ曲がった形状であってもよい。このような形状を有する線路 133'〖こインクを滴下した場合においても、図 12中の（b)に示すように、下層配線 137'と同時に形成されたコンタクトホール配線 138'が上層配線 140' と接触した構成とすることが可能である。

[0125] また、突出領域は、図 12中の（c)に示すような形状であってもよい。すなわち、突出領域 135' 'は、配線形成領域 134' 'に対し垂直にジグザグに伸長した形状であってもよい。また、突出領域は、図 12中の（d)に示すような形状であってよい。すなわち、突出領域 135' ' 'は、配線形成領域 134' ' 'に対し「S」の字状に伸長した形状であつてもよい。

[0126] 突出領域が図 12中の（c)または (d)に示すような形状であっても、図 12中の (g)または (h)に示すように、上層配線と下層配線とを接続するコンタクトホール配線を形成することが可能である。

[0127] また、バンク形成工程にて形成される線路が括れパターンを有する場合、線路の形状としては、図 12中の (i)〜(l)に示すような形状が挙げられる。

[0128] 図 12中の（i)に示すように、線路 233は、配線形成領域 234と括れ領域 235とを有しており、括れ領域 235で括れた構成になっている。そして、括れ領域 235は、配線形成領域 234の線幅よりも小さい線幅を有し、かつ配線形成領域 234の長手方向と平行に伸長した 3つの通路を有している。また、上層配線 240は、少なくとも括れ領域 235と重なるように形成されて!ヽる。

[0129] このような線路 233にインクを滴下すると、滴下されたインクは、括れ領域 235でせり上がる。そして、上記焼成工程にて、インクの焼成を行うことにより、下層配線 237とコンタクトホール配線 238とを同時に形成することが可能になる。なお、線路 233において、配線形成領域 234に滴下されたインクの焼成物が下層配線 237になり、括れ領域 235に滴下されたインクの焼成物がコンタクトホール配線 238になる。その後、層間絶縁膜塗布工程、エッチバック工程を経て、コンタクトホール配線 238と接続するように上層配線 240を形成することで、本多層配線基板が製造される。

[0130] 図 12中の (m)に示すように、製造された多層配線基板では、下層配線 237と同時に形成されたコンタクトホール配線 238が上層配線 240と接続している。そして、下層配線 237と上層配線 240との間には、層間絶縁膜 239が設けられている。この層間絶縁膜 239は、上記層間絶縁膜塗布工程にて形成されるものである。また、上層配線 240には、さらにパッシベーシヨン膜 241が形成されている。パッシベーシヨン膜 2 41は、水分の吸湿を防ぐという機能を有する。また、ノッシベーシヨン膜 241は、例えば SiN膜等を CVD法により堆積することにより、上層配線 240上に形成される。

[0131] また、括れ領域は、図 12中の (j)に示すような形状であってもよい。すなわち、括れ領域 235'は、配線形成領域 234'の線幅よりも小さい線幅を有し、かつ配線形成領域 234'の長手方向と平行に伸長した 3つの通路に加え、該 3つの通路に対し垂直に横切る通路を有している。このような形状を有する線路 234'にインクを滴下した場合においても、図 12中の（n)に示すように、下層配線 237'と同時に形成されたコンタクトホール配線 238'が上層配線 240'と接触した構成とすることが可能である。

[0132] また、括れ領域は、図 12中の（k)に示すような形状であってもよい。同図に示すように、括れ領域 235' 'は、配線形成領域 234' 'の線幅よりも小さい線幅を有し、かつ配線形成領域 234'，の長手方向と平行にジグザグに伸長した 2つの通路を有している。

[0133] また、また、括れ領域は、図 12中の（1)に示すような形状であってよい。同図に示すように、括れ領域 235 ' ' 'は、配線形成領域 234' "の線幅よりも小さい線幅を有し、かつ配線形成領域 234' ' 'の長手方向と平行に「S」の字状に伸長した 1つの通路を有している。

[0134] 括れ領域が図 12中の（k)または (1)に示すような形状であっても、図 12中の（o)または (P)に示すように、上層配線と下層配線とを接続するコンタクトホール配線を形成することが可能である。

[0135] また、図 12中の（a)〜(p)では、上層配線と下層配線とが互いに直交して配置されている場合における線路の形状を説明した力線路の形状は、これに限定されるものではない。例えば、図 13中の（a)〜(h)に示すような、上層配線と下層配線とが互いに直交して配置されていない場合にも、本多層配線形成方法を適用することができる。図 13中の（a)〜 (h)は、本多層配線形成方法におけるバンク形成工程にて形成される線路の形状のさらに他の一例を示し、図 13中の（a)及び (b)は、突出パターンを有する線路を示す平面図であり、図 13中の（c)及び (d)は、図 13中の（a)及び (b) に示される線路を形成した場合に製造される多層配線基板の A— A'断面図であり、図 13中の（e)及び (f)は、括れパターンを有する線路を示す平面図であり、図 13中の (g)及び (h)は、図 13中の（e)及び (f)に示される線路を形成した場合に製造される多層配線基板の B— B'断面図である。

[0136] 図 13中の（a)に示すように、上層配線 340は「く」の字状に折れ曲がって形成されており、下層配線 337は、上層配線 340の折れ曲がり部で重なるように配置されている。このように下層配線 337と上層配線 340とが配置されている場合、同図に示すように、突出領域 335は、上層配線 340の折れ曲がり部の形状に沿うような形状で、配線形成領域 334から突出して形成されている。

[0137] また、図 13中の（b)に示すように、上層配線 340'が十字路に形成されている場合には、突出領域 335 'は、上層配線 340 'の十字路の形状に沿うような形状で、配線形成領域 334'から突出して形成されている。

[0138] 突出領域が図 13中の（a)または (b)に示すような形状であっても、図 13中の（c)または (d)に示すように、上層配線と下層配線とを接続するコンタクトホール配線を形成することが可能である。 [0139] また、バンク形成工程にて形成される線路が括れパターンを有する場合、線路としては、図 13中の（e)及び (f)に示すような形状が挙げられる。

[0140] 図 13中の（e)に示すように、上層配線 440が「く」の字状に折れ曲がって形成される場合、配線形成領域 434は、上層配線 440の「く」の字状に折れ曲がった折れ曲がり部を避けるように形成されている。そして、括れ領域 435は、配線形成領域 434の線幅よりも小さ、線幅を有し、上層配線 440が折れ曲がった方向と反対方向に折れ曲力 Sつて形成されている。

[0141] さらに、図 13中の（f)に示すように、上層配線が配置された場合においても、本多層配線形成方法を適用することができる。図 13中の (f)では、上層配線 440 'が分岐しており、分岐した上層配線 440'が、下層配線 437'の一部分と平行に重なるように配置されている。このような場合、配線形成領域 434'は、上層配線 440 'の分岐した分岐部で分断されるように形成されている。また、括れ領域 435 'は、配線形成領域 4 34 'の線幅よりも小さい線幅を有し、「コ」の字状に形成されている。また、括れ領域 4 35 'は、上層配線 440'の分岐した分岐部と重なるように形成されている。

[0142] 突出領域が図 13中の（e)または (f)に示すような形状であっても、図 13中の (g)または (h)に示すように、上層配線と下層配線とを接続するコンタクトホール配線を形成することが可能である。

[0143] また、本多層配線形成方法の配線材料塗布工程にお!ヽて、インクの滴下方法は、特に限定されるものではない。バンク形成工程にて形成される線路において、インクの滴下位置を、相対的に線幅が小さい領域のみにしても、相対的に線幅が大きい領域のみにしても、上述のインク挙動性を示す。以下、図 14 (a) · (b)に基づいて、インクの滴下方法について、さらに詳細に説明する。図 14 (a) · (b)は、バンク形成工程にて形成される線路におけるインクの滴下位置を模式的に示す説明図であり、図 14 (a)は、線路が突出パターンを有する場合を示し、図 14 (b)は、線路が括れパターンを有する場合を示す。

[0144] 図 14 (a)に示すように、バンク形成工程にて形成される線路が突出パターンである場合、インクの滴下位置として領域 aまたは領域 bが挙げられる。そして、インクの滴下方法としては、 (1)領域 aにのみインクを滴下し、領域 bへインクを伸ばす方法

(2)領域 aと領域 bとの両方にインクを滴下する方法

が挙げられる。上記（1)または（2)の何れの方法でインクを滴下しても、上述のインク挙動性を示す。

[0145] また、図 14 (b)に示すように、バンク形成工程にて形成される線路が括れパターンである場合、インクの滴下位置として領域 (I)、領域 (11)、または領域 (III)が挙げられる。そして、インクの滴下方法としては、

(3)領域 (I)、領域 (11)、及び領域 (III)にインクを滴下する方法

(4)領域 (I)のみにインクを滴下し、領域 (II)及び領域 (III)へインクを伸ばす方法

(5)領域 (II)のみにインクを滴下し、領域 (I)及び領域 (III)へインクを伸ばす方法

(6)領域 (III)のみにインクを滴下し、領域 (I)及び領域 (Π)へインクを伸ばす方法

(7)領域 (I) (III)にインクを滴下し、細線部の領域 (II)へインクを伸ばす方法が挙げられる。上記（3)〜（7)の何れの方法でインクを滴下しても、上述のインク挙動性を示す。

[0146] また、本実施形態の多層配線形成方法は、液晶表示装置におけるゲート配線及びソース配線の形成に適用することができる。以下、本実施形態の多層配線形成方法を液晶表示装置の製造方法に適用した例について、図 15及び図 16 (a) · (b)に基づいて説明する。図 15は、液晶表示装置におけるゲート配線とソース配線との配置を示す平面図である。

[0147] 液晶表示装置は、画素がマトリクス状に配された表示素子と、駆動回路としてのソースドライバおよびゲートドライバと、電源回路等とを備えている。上記各画素には、表示素子およびスイッチング素子が設けられている。また、上記表示素子には、複数のゲート配線と、各ゲート配線にそれぞれ交差する複数のソース配線とが設けられ、これらゲート配線およびソース配線の組み合わせ毎に、上記画素が設けられて、る。

[0148] 図 15に示すように、液晶表示装置は、ゲート配線 20とソース配線 21とが互いに交差した構成となっている。通常、ゲート配線 20とソース配線 21との交差領域 22は、配線間容量を低減させるために、ゲート配線 20、ソース配線 21の何れかの配線が括れた構成になっている。すなわち、交差領域 22において、ゲート配線 20、ソース配線 2 1の何れかが括れパターンを有する構成になっている。なお、図 15では、ソース配線 21が括れパターンを有する構成になつている。

[0149] 従来技術 (スパッタ法）により、ゲート配線及びソース配線を形成した場合、図 16 (b )に示すように、ゲート配線 20及びソース配線 21は、交差領域 22において、膜厚が一定になる。このため、ソース配線 21の括れ部の配線抵抗値が上昇してしまう。尚、図 16 (a) · (b)は、図 15の A— A，の断面図を表す。

[0150] 一方、本実施形態の多層配線形成方法により、ゲート配線及びソース配線を形成した場合、ソース配線 21の括れ部の抵抗値の上昇を抑えることが可能になる。上記バンク形成工程にて、基板上にソース配線 21を形成するための配線ガイドを形成する。この際、基板上に形成された配線ガイドは括れパターンを有しているので、配線材料塗布工程にて配線材料カゝらなるインクを配線ガイドに滴下すると、滴下されたィンクは、上述のインク挙動特性により、配線ガイドの括れ部でせり上がるようになる。そして、上記焼成工程にて焼成処理を施す。その結果、形成されたソース配線 21は、図 16 (a)に示すように、交差領域 (括れ部） 22において膜厚が厚くなる。そして、ソース配線 21の括れ部の幅を制御し、交差領域 22におけるソース配線 21を所望の膜厚にすることにより、製造工程を増やすことなぐソース配線 21の括れ部の配線抵抗値の上昇を抑えることが可能になる。また、ソース配線 21の括れ部の膜厚を制御する事で、従来よりも括れ部の線幅を細くする事もできるため、ゲートソース間の容量をより低容量ィ匕することもできる。

[0151] 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなぐ請求の範囲に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

[0152] 本発明の多層配線基板は、以上のように、上記コンタクトホールを形成する内壁に囲まれた領域が、互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するようになって!/、る構成である。

[0153] また、本発明の多層配線基板の製造方法は、以上のように、上記コンタクトホール形成工程では、コンタクトホールを形成する内壁面に囲まれた領域力互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するように、コンタクトホールを形成する構成である。

[0154] それゆえ、従来のコンタクトホール形状（図 18 (a)に示されたコンタクトホール形状）を有する多層配線基板と比較して、液滴の焼成物が上層配線と良好に接触する。それゆえ、下層配線と上層配線との間で、信頼性の高い多層配線間結線 (液滴の焼成物）を得ることが可能になる。

[0155] また、本発明の多層配線基板では、さらに、上記コンタクトホール内に、上層配線との接触を補助するコンタクト補助材が形成されていることが好ましい。

[0156] コンタクトホールがよりアスペクト比が大きくなるように形成されていると、滴下された液滴は上層配線にまでせり上がらない場合がある。上記の構成によれば、コンタクトホール内に上層配線との接触を補助するコンタクト補助材が形成されているので、コンタクトホールがよりアスペクト比が大きくなるように形成されている場合でも、滴下された液滴は上層配線までせり上がるようになる。そして、この液滴の焼成物は、上層配線と接触するようになる。

[0157] それゆえ、上記の構成によれば、コンタクトホールがよりアスペクト比が大きくなるように形成されている場合においても、下層配線と上層配線との間で、信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。

[0158] また、本発明の多層配線基板は、以上のように、上記下層配線は、配線材料を含む液滴を滴下することにより形成されているとともに、下層配線の配線パターン力互 V、に異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域からなり、上記互!、に異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域が、上記下層配線の上層配線と重なる領域に配されて、る構成である。

[0159] また、本発明の多層配線基板の製造方法は、以上のように、基板上に隔壁を形成し、隔壁に囲まれた領域が、互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域となるように隔壁を力どる隔壁形成工程と、上記隔壁に囲まれた領域に、配線材料を含む液滴を滴下し、下層配線を形成する配線形成工程と、さらに、上記下層配線の上方に、上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域と重なるように、上層配線を形成する上層配線形成工程とを含む構成である。

[0160] それゆえ、上述のインク挙動特性により相対的に線幅が小さい領域でせり上がった液滴の焼成物が、上層配線と接触するようになる。したがって、下層配線と該下層配線と導通する結線部とを同時に作成することが可能な多層配線基板を実現できる。このため、製造工程を短縮でき、かつ信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。

[0161] また、本発明の多層配線基板では、上記線幅領域は、互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域が外側へ突出した突出パターンを有していてちょい。

[0162] また、本発明の多層配線基板では、上記線幅領域は、互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さ、領域で括れた括れパターンを有して、てもよ、。

[0163] また、本発明の多層配線基板の製造方法では、さら〖こ、上記配線形成工程後に、下層配線が形成された基板に層間絶縁膜を塗布する層間絶縁膜塗布工程を含むことが好ましい。

[0164] 上記の構成によれば、先に、配線形成工程にて下層配線と該下層配線に接続する結線部とを同時に作成し、その後、層間絶縁膜塗布工程にて、層間絶縁膜を形成している。このため、段差被覆性のよい層間絶縁膜が得られる。つまり、層間絶縁膜塗布工程にて、結線部以外の広い領域に、層間絶縁膜を塗布しているので、コンタクトホールの断面形状 (逆テーパ形状になる、アスペクト比大)等の下地の影響を受けにくくなる。その結果、従来の多層配線基板の製造方法と比較して、段差被覆性がよい層間絶縁膜が得られる。

[0165] 本発明の多層配線基板の製造方法では、さらに、上記隔壁形成工程後に、隔壁が形成されてヽなヽ基板上には親水処理を施す一方、隔壁表面には撥水処理を施す親撥水処理工程を含むことが好まヽ。

[0166] これにより、配線形成工程にて配線材料を含む液滴を滴下する際に、滴下位置がずれて、液滴が隔壁に滴下された場合でも、液滴は、隔壁表面で撥水し、隔壁に囲まれた領域へ引き込まれることになる。このため、上記の構成によれば、配線形成ェ程にて、より効率的に、隔壁に囲まれた領域へ配線材料を含む液滴を滴下することが可能になる。

[0167] 尚、発明を実施するための最良の形態の項においてなした具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなぐ本発明の精神と次に記載する特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。産業上の利用の可能性

本発明においては、以上のように、下層配線と上層配線との間で、信頼性の高い多層配線間結線を得ることが可能になる。それゆえ、本発明は、インクジェット装置を用いた配線形成技術、カラーフィルタ形成技術、あるいは画素電極形成技術に適用することがでさる。

Claims

請求の範囲

[1] 下層配線と、下層配線上に層間絶縁層を介して形成された上層配線とを備え、上記層間絶縁層に、上層配線と下層配線とを連絡するコンタクトホールが形成された多層配線基板であって、

上記コンタクトホールを形成する内壁に囲まれた領域が、互、に異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するようになって！/ヽることを特徴とする多層配線基板。

[2] さらに、上記コンタクトホール内に、上層配線との接触を補助するコンタクト補助材が形成されて、ることを特徴とする請求の範囲 1に記載の多層配線基板。

[3] 下層配線と、下層配線の上方に形成された上層配線とを備えた多層配線基板であつて、

上記下層配線は、配線材料を含む液滴を滴下することにより形成されてヽるとともに、下層配線の配線パターン力互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域からなり、

上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さい領域が、上記下層配線の上層配線と重なる領域に配されていることを特徴とする多層配線基板。

[4] 上記線幅領域は、互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さ、領域が外側へ突出した突出パターンを有することを特徴とする請求の範囲 1〜3のいずれカ 1項に記載の多層配線基板。

[5] 上記線幅領域は、互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さ、領域で括れた括れパターンを有することを特徴とする請求の範囲 1〜4の何れ力 1項に記載の多層配線基板。

[6] 層間絶縁層に、上層配線と下層配線とを連絡するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、

上記コンタクトホール内に配線材料を含む液滴を滴下することにより、上層配線と下層配線とを導通する結線部を形成する結線部形成工程とを含む多層配線基板の製造方法であって、

上記コンタクトホール形成工程では、コンタクトホールを形成する内壁に囲まれた領域力互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域を有するように、コンタタトホールを形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。

[7] 基板上に隔壁を形成し、隔壁に囲まれた領域が、互いに異なる線幅を有する領域が連結された線幅領域となるように隔壁をかたどる隔壁形成工程と、

上記隔壁に囲まれた領域に、配線材料を含む液滴を滴下し、下層配線を形成する配線形成工程と、

さらに、上記下層配線の上方に、上記互いに異なる線幅を有する領域のうち相対的に線幅が小さ、領域と重なるように、上層配線を形成する上層配線形成工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

[8] さらに、上記配線形成工程後に、下層配線が形成された基板に層間絶縁膜を塗布する層間絶縁膜塗布工程を含むことを特徴とする請求の範囲 7に記載の多層配線基板の製造方法。

[9] さらに、上記隔壁形成工程後に、隔壁が形成されていない基板上には親水処理を施す一方、隔壁表面には撥水処理を施す親撥水処理工程を含むことを特徴とする請求の範囲 7または 8に記載の多層配線基板の製造方法。