WO2006104139A1 - マルチコラム型電子ビーム露光装置 - Google Patents

マルチコラム型電子ビーム露光装置 Download PDF

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WO2006104139A1
WO2006104139A1 PCT/JP2006/306271 JP2006306271W WO2006104139A1 WO 2006104139 A1 WO2006104139 A1 WO 2006104139A1 JP 2006306271 W JP2006306271 W JP 2006306271W WO 2006104139 A1 WO2006104139 A1 WO 2006104139A1
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exposure
exposure data
electron beam
column
data
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PCT/JP2006/306271
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Hidefumi Yabara
Kenichi Miyazawa
Tomohiro Sakazaki
Kazuaki Tanaka
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Advantest Corporation
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31774Multi-beam

Definitions

  • the present invention relates to an electron beam exposure apparatus, and more particularly to a multi-column electron beam exposure apparatus in which a plurality of columns are provided on a single wafer to perform exposure processing in parallel.
  • An electron beam exposure apparatus has a feature that resolution is better than that of a photolithography apparatus, but has a problem that exposure throughput is lower than that of a photolithography apparatus!
  • a multi-column type electron beam exposure apparatus is proposed in which a plurality of column cells for irradiating an electron beam to form a pattern on a resist are provided to improve exposure throughput.
  • Each column cell has the same force as that of a single-column electron beam exposure system. Since the entire multi-column processes in parallel, the exposure throughput can be increased by several times the number of columns.
  • Patent Document 1 discloses a multi-column electron beam that corrects pattern data in accordance with the deviation of the optical axis of each column and simultaneously exposes the same pattern on a single wafer. An exposure apparatus is disclosed.
  • the multi-column electron beam exposure apparatus has the following problems.
  • the amount of exposure data necessary for controlling the electron beam is about 18 Gbps.
  • this exposure data for example, if a 20 MHz signal is sent using 25 pairs of twisted pair cables, about 36 wires are required.
  • the weight of the twisted pair cable increases, the vibration propagates, shakes each column, and the exposure electron beam may fluctuate. As a result, a pattern different from the exposure data is formed.
  • the vibration of the twisted pair cable it is possible to bend the twisted pair cable. However, in that case, the transmission load of the analog amplifier becomes heavy, and the exposure throughput deteriorates.
  • Patent Document 2 the main body of the electron beam exposure apparatus is installed in a clean room, a digital control unit is arranged outside the tare room, and a serial transfer optical cable is used between the main unit and the control unit. A configuration for connection is disclosed. However, in Patent Document 2, the description of the specific means of the serial transfer method is taken into consideration for the problem that occurs when using it!
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 11-329322
  • Patent Document 2 JP-A-5-82429
  • the present invention has been made in view of the problems of the related art, and eliminates fluctuation of the exposure electron beam in each column cell, accurately transmits exposure data to the column, and performs exposure with high accuracy. It is an object of the present invention to provide a multi-column type electron beam exposure apparatus that can perform the above-described process.
  • a multi-column electron beam exposure apparatus having a cell and a correction calculation means for calculating exposure data used in the column cell, wherein the correction calculation means includes an exposure data control means and an exposure data for each column cell.
  • the exposure data transmitting means encodes and converts the exposure data corrected by the exposure data control means into serial data, converts the serial data into an optical signal, and transmits the optical data.
  • the exposure data receiving means converts the optical signal into an electrical signal, decodes the encoded exposure data, and converts it into normal data. Solved by Ruchikoramu type electron beam exposure apparatus.
  • the exposure data is converted into serial data by 8B10B encoding, and converted into an optical signal. It is converted and sent. This reduces the number of cables used for exposure data transmission. For example, one cable that would have been required is 36. By reducing the number of cables, each column can be shaken by the vibration of the cable, and the phenomenon of electron beam fluctuations can be prevented.
  • the exposure data transmitting means calculates an error detection code for the exposure data before performing the encoding, and uses the error detection code as the error detection code.
  • the error detection code may be formed as a block for each predetermined number of bits to form an error detection optical transmission frame in which a predetermined number of blocks are multiplexed. It may be calculated for each block representing. Further, the exposure data transmission means calculates a code for error detection with respect to the error detection code, and adds it to the error detection optical transmission frame.
  • a code for example, ECC code
  • ECC code for performing error detection and correction at the time of transmission is calculated based on exposure data so that 1-bit transmission error correction can be performed.
  • a mechanism for detecting whether or not the error detection and correction code itself is correctly transmitted is provided so that the exposure data is transmitted reliably. As a result, it is possible to prevent erroneous exposure data from being transmitted and erroneous exposure processing to be performed, thereby preventing a decrease in throughput.
  • the multi-column electron beam exposure apparatus further includes a stage control unit for controlling a wafer stage, and the exposure data transmitting unit receives a signal having a predetermined cycle from the stage control unit.
  • the exposure data may be transmitted on the basis of the received signal.
  • the exposure data receiving means may receive a signal having a predetermined cycle from the exposure data transmitting means and read out the received exposure data based on the signal. Further, the predetermined period should be longer than the transmission delay time of the exposure data signal sequence generated between the exposure data transmitting means and the exposure data receiving means.
  • transmission and reception of encoded exposure data are performed using a signal having a period longer than the transmission delay time generated between the exposure data transmitting means and the exposure data receiving means.
  • the data is read out.
  • the transmission delay fluctuation time generated for each code included in the transmission delay time can be absorbed, and each column cell reliably receives exposure data and irradiates a predetermined position with an electron beam. It becomes possible.
  • FIG. 1 is a block diagram of a multi-column electron beam exposure apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a block diagram of one column cell of the exposure apparatus according to FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing a signal connection relationship between a correction calculation unit and an analog column control unit.
  • FIG. 4 is a block diagram showing a flow of exposure data processing up to the digital control unit DAC unit.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of an optical transmission frame configuration.
  • FIG. 6 is a block diagram showing the flow of exposure data processing for error detection and correction.
  • FIG. 7 (a) is a diagram illustrating an example of an optical transmission frame before bit shift processing
  • FIG. 7 (b) is a diagram illustrating an example of an optical transmission frame after bit shift processing.
  • FIGS. 8 (a) to 8 (c) are diagrams illustrating a process in which a 1-bit error is distributed to a plurality of blocks.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram of fixed delay.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram of a multi-column electron beam exposure apparatus according to this embodiment.
  • the multi-column electron beam exposure apparatus is roughly classified into an electron beam column 10 and a control unit 20 that controls the electron beam column 10.
  • the electron beam column 10 is composed of a plurality of equivalent column cells 11, for example, 16, for example, to constitute the entire column. All columns 11 is composed of the same units described later. Under the column cells 11, for example, 300 m m a wafer stage 13 mounted with wafers 12 is arranged !, Ru.
  • the control unit 20 includes an electron gun high-voltage power supply 21, a lens power supply 22, a digital control unit 23, a stage drive controller 24, and a stage position sensor 25.
  • the electron gun high-voltage power supply 21 supplies power for driving the electron gun of each column cell 11 in the electron beam column 10.
  • the lens power supply 22 supplies power for driving the electromagnetic lens of each column cell 11 in the electron beam column 10.
  • the digital control unit 23 is an electric circuit that controls each part of the column cell 11 and outputs a high-speed deflection output or the like. The number of digital control units 23 corresponding to the number of column cells 11 is prepared.
  • the stage driving controller 24 moves the wafer stage 13 based on the position information from the stage position sensor 25 so that the electron beam is irradiated to a desired position of the wafer 12.
  • the above-described units 21 to 25 are controlled in an integrated manner by an integrated control system 26 such as a workstation.
  • all the column cells 11 are composed of the same column unit.
  • FIG. 2 is a configuration diagram of each column cell 11 used in the multi-column electron beam exposure apparatus.
  • Each column cell 11 is roughly divided into an exposure unit 100 and a column cell control unit 31 that controls the exposure unit 100.
  • the exposure unit 100 includes an electron beam generation unit 130, a mask deflection unit 140, and a substrate deflection unit 150.
  • the electron beam EB generated from the electron gun 101 is converged by the first electromagnetic lens 102, and then passes through the rectangular aperture 103a of the beam shaping mask 103, so that the electron beam EB The cross section is shaped into a rectangle.
  • the electron beam EB is imaged on the exposure mask 110 by the second electromagnetic lens 105 of the mask deflection unit 140. Then, the electron beam EB is deflected to a specific pattern S formed on the exposure mask 110 by the first and second electrostatic deflectors 104 and 106, and the cross-sectional shape thereof is shaped to the shape of the pattern S.
  • the exposure mask 110 has a force that is fixed to the mask stage 123.
  • the mask stage 3 is movable in the horizontal plane, and the deflection range of the first and second electrostatic deflectors 104 and 106 is When using the pattern S that exceeds the area (beam deflection area), the mask stage
  • the third and fourth electromagnetic lenses 108 and 111 arranged above and below the exposure mask 110 play a role of forming an image of the electron beam EB on the substrate by adjusting their current amounts.
  • the electron beam EB that has passed through the exposure mask 110 is returned to the optical axis C by the deflecting action of the third and fourth electrostatic deflectors 112 and 113, and then reduced in size by the fifth electromagnetic lens 114. Small.
  • the mask deflector 140 is provided with first and second correction coils 107 and 109, and the beams generated by the first to fourth electrostatic deflectors 104, 106, 112, and 113 by them. Deflection aberration is corrected.
  • the electron beam EB passes through the aperture 115a of the shielding plate 115 constituting the substrate deflecting unit 150, and is projected onto the substrate by the first and second projection electromagnetic lenses 116 and 121.
  • the image power of the pattern of the exposure mask 110 is transferred to the substrate at a predetermined reduction rate, for example, a reduction rate of 1Z60.
  • the substrate deflecting unit 150 is provided with a fifth electrostatic deflector 119 and an electromagnetic deflector 120, and the deflector 119, 120 deflects the electron beam EB to a predetermined position on the substrate. An image of the pattern of the exposure mask is projected.
  • the substrate deflection unit 150 is provided with third and fourth correction coils 117 and 118 for correcting the deflection aberration of the electron beam EB on the substrate.
  • the column cell control unit 31 includes an electron gun control unit 202, an electron optical system control unit 203, a mask deflection control unit 204, a mask stage control unit 205, a blanking control unit 206, and a substrate deflection control unit 207.
  • the electron gun control unit 202 controls the electron gun 101 to control the acceleration voltage of the electron beam EB, beam emission conditions, and the like.
  • the electron optical system control unit 203 controls the amount of current to the electromagnetic lenses 102, 105, 108, 111, 114, 116, and 121, and the magnification and focus of the electron optical system in which these electromagnetic lenses are configured. Adjust the position.
  • the blanking control unit 206 controls the voltage applied to the blanking electrode 127 to deflect the electron beam EB, which has also generated the pre-exposure start force, onto the shielding plate 115, and to the electron beam EB on the substrate before the exposure. Is prevented from being irradiated.
  • the substrate deflection control unit 207 deflects the electron beam EB onto a predetermined position of the substrate by controlling the voltage applied to the fifth electrostatic deflector 119 and the current amount to the electromagnetic deflector 120. Make sure that The above-described units 202 to 207 are controlled in an integrated manner by an integrated control system 26 such as a workstation.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a signal connection relationship between the correction calculation unit 40 and the analog column control unit 50.
  • a multi-column electron beam exposure system composed of four columns will be described.
  • the correction calculation unit 40 includes a digital control unit 23a to 23d that controls an electron beam irradiated in each column and an integrated digital control unit 41 that controls the digital control units 23a to 23d in an integrated manner.
  • the integrated digital control unit 41 includes an optical receiving unit 43 and a DMUX (demultiplexer) 44.
  • Each digital control unit 23a to 23d includes an exposure data control unit 45a to 45d and an optical transmission unit 46a to
  • the analog column control unit 50 includes column cell control units 31 a to 3 Id that control the column cells 11.
  • Each of the column cell control units 31a to 31d includes optical receivers 61a to 61d.
  • the digital control units 23a to 23d and the column cell control units 31a to 31d are connected by transmission lines 48a to 48d.
  • the integrated digital control unit 41 receives the stage position data, and distributes the received stage position data to the digital control units 23a to 23d. Further, the integrated digital control unit 41 receives the reference clock from the stage control unit 70 and transmits it to the digital control units 23a to 23d.
  • Each digital control unit 23a to 23d controls each exposure data control process corresponding to the electron beam that irradiates each column cell with the stage position data distributed from the integrated digital control unit 41. This is performed by the units 45a to 45d, and transmitted to the optical receivers 61a to 61d via the optical transmitters 46a to 46d.
  • Each column cell control unit 3 la to 3 Id receives the exposure data transmitted from each digital control unit 23 a to 23 d via the light receiving unit 6 la to 6 Id.
  • the correction calculation unit 40 receives the reference clock from the stage control unit 70, distributes the reference clock to the digital control units 23a to 23d, and synchronizes.
  • the reference clock is transmitted by a pulse transformer.
  • the 1M clock is also received as the reference clock. As will be described later, this 1M clock is used as a timing signal for fixed delay of data delay between optical transmission and optical reception.
  • FIG. 4 is a block diagram showing the flow of exposure data processing from the exposure data control unit 45 to the deflection signal conversion / amplification unit 84 of the analog column control unit 50.
  • the optical transmission unit 46 includes an SZP unit 82a that converts a serial signal into a parallel signal, an MUX unit 82b that combines the divided signals into one, and 8B10B encoding so that 8-bit data is sent in 10 bits.
  • the SERDES (Serialize Deserializer) unit 82c converts a parallel signal into a serial signal.
  • the optical receiving unit 61 is a SERDES unit 83a that performs 10B8B decoding of 10-bit data to 8-bit data and converts a serial signal into a parallel signal, a DMUX unit 83b that distributes a signal multiplexed by a multiplexer, and a first-in first-out.
  • the memory FI F083c is composed of a PZS unit 83d that converts parallel signals into serial signals.
  • the deflection signal conversion / amplification unit 84 includes an SZP unit 84a that converts a serial signal into a parallel signal, and a DAC unit 84b that converts digital data into analog data.
  • the shot data corrected by the exposure data control unit 45 is converted into serial data and transmitted to the optical transmission unit 46.
  • the transmitted shot data is converted from serial data to parallel data by the SZP unit 82a, and the signals divided by the MUX unit 82b are combined into an optical transmission frame.
  • 8B10B coding is performed in the SERDES unit 82c to convert parallel data into serial data.
  • the electrical signal is converted to an optical signal and transmitted.
  • the SERDES unit 82c converts an 8-bit width parallel signal into 10-bit serial data.
  • the 8B10B code is used to convert the continuous 8-bit data to the corresponding 10 It is converted to bit data.
  • the transmission side and the reception side can be synchronized and error correction can be performed.
  • a different number of clocks are required for each code, and a fluctuation component is added to the transmission delay.
  • the function of the 8B10B code key makes it possible to correctly receive data on the receiving side without a long "0" or "1" state.
  • the 8B10B code is coded so that the number of “0” and “1” is almost equal to a certain length of data, so that the DC balance is good.
  • the optical receiving unit 61 receives the optical signal transmitted from the optical transmitting unit 46 in the SERDES unit 83a, converts the optical signal into an electrical signal, and converts the 10-bit data by 10B8B decoding. Decrypts into 8-bit data and converts serial data to parallel data. The signal converted into parallel data is reconstructed into deflection unit data by the DMUX unit 83b. The reconstructed data is stored in FIF083c. This data is converted into serial data by the PZS unit 83d, transferred to the deflection signal conversion / amplifying unit 84, converted to parallel data by the SZP unit 84a, and converted to analog data by the DAC unit 84b. Then, based on the converted analog data, an electron beam is irradiated to form a desired pattern.
  • FIG. 5 shows an example of the configuration of the optical transmission frame.
  • FIG. 5 shows twelve optical transmission frames (F1 to F12), and the data of each optical transmission frame is transmitted through one optical fiber cable.
  • the optical transmission frame is obtained by multiplexing exposure data, control codes necessary for SERDES, and the like in the MUX unit 82b.
  • 8 blocks B1 to B8 are multiplexed, and each block consists of 4 bytes of data.
  • block B1 of frame F1 is configured with a control code necessary for 8B10B encoding with SERDES, and block B2 is configured with an 8-bit frame number (FRM) that identifies an optical transmission frame. Is done.
  • blocks B3 to B8 of frame F1 are composed of exposure data for controlling the voltage / current amount of the deflector.
  • the ECC calculation unit 85 generates a code for detecting and correcting a transmission error from the optical transmission frame constituted by the exposure data, and is constituted by this code.
  • An optical transmission frame (for example, F5, FIO, F12 in FIG. 5) for error detection and correction is formed.
  • the error correction code is calculated for each block of the exposure data optical transmission frame, and stored in a predetermined block of the predetermined error detection and correction optical transmission frame. For example, for the 32-bit data in block B3 of frame F1 in Fig. 5, a 1-byte ECC code (Error Correcting Code) is calculated, and the 1-byte area of block B3 in error-detecting / correcting optical transmission frame F5 ( Store in the position 1AA3 in Fig. 5. For example, a Hamming code is used as the ECC code.
  • ECC code Error Correcting Code
  • a check mechanism is further provided so that an error in the ECC check byte itself can be detected.
  • a CRC code is generated from the ECC check byte.
  • the ECC check byte is 9 bytes or CRC16 is generated and stored in a predetermined frame (F12).
  • F12 predetermined frame
  • error detection is also performed for CRC16 code power. If there is no error in the ECC check byte, the ECC check byte is used to check whether the exposure data has been transmitted normally. When a 1-bit error occurs in the exposure data, it is corrected to the correct value by the ECC error correction function. When an error of 2 bits or more is found in the exposure data, the error is notified to the transmission side.
  • 8B10B code is used. Since the 8B 10B code is used, 1 bit error in 10 bits on the transmission path always causes a bit error if 10B8B decoding is performed after transmission. It will end.
  • the bit of the bits constituting the block is shifted by shifting the bit for each bit of the continuous block of the exposure data.
  • the value is converted according to a certain rule.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining bit shift processing of an optical transmission frame.
  • Each block of the optical transmission frame is composed of 32 bits, and each block is composed of consecutive bit positions. In Fig. 7, for simplification of explanation, only one byte of each block is focused.
  • FIG. 7 (a) shows an optical transmission frame that is input to the bit shift unit 86 at a predetermined timing.
  • bit shift continuous optical transmission frames are input to the bit shift unit 86, and are shifted by a predetermined time for each bit position of consecutive blocks in the optical transmission frame and output.
  • the first bit row in Fig. 7 (a) is output so that it is delayed by one block with respect to the zeroth bit row.
  • the second bit row in Fig. 7 (a) is output so that it is delayed by one block with respect to the first bit row.
  • FIG. 7 (b) shows a continuous optical transmission frame after the bit shift. As shown in Fig. 7 (b), the value of each bit of a block composed of 8 bits is regularly distributed to a plurality of other blocks by performing bit shift.
  • Figure 8 shows the distribution of errors when a 1-bit error occurs during exposure data transmission. It is a conceptual diagram explaining making it.
  • the transmitted data is subjected to mBnB decoding, so that it is converted into data completely different from the data before transmission due to a 1-bit error.
  • Fig. 8 (b) it is shown that the data string mBnB decoding block including error bits generated during transmission affects the bit string after conversion. In other words, even a 1-bit error results in a continuous burst error.
  • the position where the electron beam is irradiated can be calculated by predicting the measurement delay or calculation delay. Because of the transmission delay of exposure data, the calculated position cannot be irradiated with the electron beam.
  • the transmission delay can be calculated at that timing, so that it is possible to irradiate the desired position with the electron beam.
  • This delay time is fixed at a time later than the possible transmission delay, so that transmission delay fluctuations can be absorbed.
  • FIG. 9 is a timing chart illustrating transmission delay time absorption.
  • FIG. 9 (a) shows a 10 MHz clock.
  • FIG. 9 (b) shows a 1 MHz reference clock in the optical receiver 61.
  • FIG. 9 (c) shows a 1 MHz reference clock in the optical transmitter 46.
  • the optical receiving unit 61 and the optical transmitting unit 46 receive the 1 MHz reference clock from the stage control unit 70, but the optical transmitting unit 46 has a cable delay, so that the timing is later than that of the optical receiving unit 61.
  • the optical transmitter 46 assembles and transmits data of frame number “0” in the optical transmission frame in synchronization with the rise of the 1 MHz timing signal, as shown in FIG. 9 (d). This data is delayed until it reaches the DMUX unit 83b of the optical receiving unit 61. Therefore, in the optical receiver 61, as shown in FIG. 9 (e), the time for receiving data is shifted. In the receiving unit 61, the data force of the received frame number “0” is also started to be written into the FIF083c. Then, reading is started in synchronization with the rise of the 1 MHz clock shown in Fig. 9 (b). In this way, a constant delay of about 1 ⁇ s can always be established between the SERDES 82c of the optical transmitter 46 and the SERDES 83a of the optical receiver 61.
  • the wafer stage position is measured with a sampling period of ⁇ . Therefore, by making the delay time constant at 1 ⁇ s, it is possible to correct the exposure data of the electron beam to be irradiated in consideration of the position of the wafer stage.
  • the exposure data is subjected to 8B10B encoding processing, converted into serial data, and transmitted by optical communication.
  • the number of transmission cables is reduced, and unlike the case of transmitting parallel data, fluctuations in the electron beam due to transmission cable vibrations can be eliminated.
  • a code for example, ECC code
  • ECC code for performing error detection and correction at the time of transmission is calculated based on the exposure data so that 1-bit transmission error correction can be performed.
  • a mechanism for detecting whether or not the error detection and correction code itself has been transmitted correctly To ensure that correct exposure data is transmitted.
  • the data constituting the frame is bit-shifted to prevent exposure data from becoming a burst error. This prevents erroneous exposure data from being transmitted and incorrect exposure processing, and prevents a decrease in throughput.
  • a common synchronization signal is given from the outside to the optical transmitter and the optical receiver.
  • This synchronization signal is fixed at a time later than the delay time generated between optical transmissions. As a result, it is possible to absorb the transmission delay variation time generated for each encoding included in the transmission delay time and accurately calculate the position where the electron beam is irradiated.
  • the force with a fixed delay time of 1 ⁇ s is not limited to this, and may be, for example, 100 ns.

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Abstract

【課題】各コラムセルにおける露光電子ビームの変動を無くし精度良く露光することができるマルチコラム型電子ビーム露光装置を提供すること。 【解決手段】マルチコラム型電子ビーム露光装置は、一枚のウエハ上に配置され、電子銃と当該電子銃により照射される電子ビームを偏向する偏向手段と露光データを受信する露光データ受信手段とを有する複数のコラムセルと、前記各コラムセルで使用する露光データを算出する補正演算手段40とを有する。前記補正演算手段40は、前記コラムセル毎に露光データ制御手段45と露光データ送信手段46とを有し、前記露光データ送信手段46は、前記露光データ制御手段45で補正した露光データを符号化してシリアルデータに変換し、光信号に変換して送信し、前記露光データ受信手段61は、前記光信号を電気信号に変換し、前記符号化された露光データを復号化して、パラレルデータに変換する。                                                                                 

Description

明 細 書
マルチコラム型電子ビーム露光装置
技術分野
[0001] 本発明は、電子ビーム露光装置に関し、特に、一つのウェハ上に複数のコラムを設 け並列して露光処理をするマルチコラム型電子ビーム露光装置に関する。
背景技術
[0002] 近年、半導体装置等の製造におけるリソグラフイエ程にぉ 、て、微細パターンを形 成するために、電子ビーム露光装置が使用されるようになってきて!/、る。
[0003] 電子ビーム露光装置は、フォトリソグラフィ装置に比べて分解能が良いという特徴を 有して 、るが、フォトリソグラフィ装置に比べて露光スループットが低 、と!/、う問題があ る。これに対し、電子ビームを照射してレジストにパターンを形成するコラムセルを複 数設け、露光スループットを向上させるマルチコラム型電子ビーム露光装置が検討さ れて 、る。各コラムセルはシングルコラムの電子ビーム露光装置のコラムと同等であ る力 マルチコラム全体では並列して処理するため、コラム数倍の露光スループット の増加が可能となる。
[0004] これに関する技術として、特許文献 1には、各コラムの光軸のずれに応じてパターン データを補正して 1枚のウェハに同時に並行して同一のパターンを露光するマルチ コラム型電子ビーム露光装置が開示されている。
[0005] しかし、マルチコラム型電子ビーム露光装置では以下に示す問題点がある。
[0006] 従来のシングルコラム型電子ビーム露光装置において、電子ビームを制御するた めに必要な露光データの情報量は 18Gbps程度となっている。この露光データをコラ ムまで伝送するために、例えば、 25対のツイストペアケーブルを用いて 20MHzの信 号を送るとすると、 36本程度必要となる。
[0007] マルチコラム型電子ビーム露光装置についても、コラムはシングルコラム型電子ビ ーム露光装置のコラムと同等のコラムを使用するため、露光データを各コラムに伝送 するには、それぞれ 36本程度のツイストペアケーブルが必要となる。従って、コラム 数力 例えば 16の場合には、露光データを伝送するために、 600本程度のツイスト ペアケーブルが必要となる。
[0008] このため、ツイストペアケーブルの重量が増加し、振動が伝搬して各コラムを揺らし 、露光電子ビームが変動してしまう場合がある。その結果露光データとは異なるバタ ーンが形成されてしまう。これに対し、ツイストペアケーブルの振動の影響を抑制する ために、ツイストペアケーブルをたわませることも考えられる。しかし、その場合には、 アナログアンプの伝送負荷が重くなり、露光スループットが悪くなつてしまう。
[0009] なお、特許文献 2には、クリーンルーム内に電子ビーム露光装置本体を設置し、タリ ーンルーム外にデジタル制御部等を配置して、本体と制御部の間をシリアル転送方 式光ケーブルを使用して接続する構成が開示されている。しかし、特許文献 2では、 シリアル転送方式の具体的手段についての記載はなぐ使用する際に発生する問題 につ 、て考慮されて!、な!/、。
特許文献 1:特開平 11― 329322号公報
特許文献 2:特開平 5— 82429号公報
発明の開示
[0010] 本発明は、カゝかる従来技術の課題に鑑みなされたものであり、各コラムセルにおけ る露光電子ビームの変動を無くし、露光データを正確にコラムまで伝送し、精度良く 露光することができるマルチコラム型電子ビーム露光装置を提供することである。
[0011] 上記した課題は、一枚のウェハ上に配置され、電子銃と当該電子銃により照射され る電子ビームを偏向する偏向手段と露光データを受信する露光データ受信手段とを 有する複数のコラムセルと、前記コラムセルで使用する露光データを算出する補正演 算手段とを有するマルチコラム型電子ビーム露光装置であって、前記補正演算手段 は、前記コラムセル毎に露光データ制御手段と露光データ送信手段とを有し、前記 露光データ送信手段は、前記露光データ制御手段で補正した露光データを符号ィ匕 してシリアルデータに変換し、当該シリアルデータを光信号に変換して送信し、前記 露光データ受信手段は、前記光信号を電気信号に変換し、前記符号化された露光 データを復号ィ匕して、ノラレルデータに変換することを特徴とするマルチコラム型電 子ビーム露光装置により解決する。
[0012] 本発明では、露光データを 8B10B符号ィ匕してシリアルデータに変換し、光信号に 変換して送信している。これにより、露光データの伝送のために使用するケーブル数 が減る。例えば、 36本必要であったケーブルが 1本で済むようになる。ケーブル数が 少なくて済むことにより、ケーブルの振動によって各コラムが揺れ、電子ビームが変動 すると 、う現象を防止することができる。
[0013] 上記の形態に係るマルチコラム型電子ビーム露光装置において、前記露光データ 送信手段は、前記符号化を行う前に、前記露光データに対するエラー検出用符号を 算出し、前記エラー検出用符号を、予め決められたビット数ごとにまとめてブロックと し、所定の数の該ブロックを多重化したエラー検出用光送信フレームを形成するよう にしてもよぐ前記エラー検出用符号は、前記露光データを表すブロック毎に算出さ れるようにしてもよい。さらに、前記露光データ送信手段は、前記エラー検出用符号 に対するエラー検出のための符号を算出し、前記エラー検出用光送信フレームに付 カロするようにしてちょい。
[0014] 本発明では、露光データを基に伝送時のエラー検出及び訂正を行わせるためのコ ード (例えば ECC符号)を算出し、 1ビットの伝送エラー訂正を行えるようにしている。 さらに、エラー検出及び訂正のためのコード自体が正しく伝送されたか否かを検出す る機構を備え、確実に露光データが伝送されるようにしている。これにより、誤った露 光データが伝送され、誤った露光処理が行われることを防止し、スループットの低下 を防止することができる。
[0015] 上記の形態に係るマルチコラム型電子ビーム露光装置において、更に、ウェハステ ージを制御するステージ制御部を有し、前記露光データ送信手段は、前記ステージ 制御部から所定の周期の信号を受信し、当該信号に基づいて露光データを送信す るようにしてもよい。また、前記露光データ受信手段は、前記露光データ送信手段か ら所定の周期の信号を受信し、当該信号に基づいて、受信した露光データを読み出 すようにしても良い。さらに、前記所定の周期は、前記露光データ送信手段と前記露 光データ受信手段の間で発生する露光データ信号系列の伝送遅延時間より長くす るようにしてちょい。
[0016] 本発明では、露光データ送信手段と露光データ受信手段の間で発生する伝送遅 延時間より長い周期の信号によって、符号化した露光データの送信及び受信したデ ータの読み出しをするようにしている。これにより、伝送遅延時間に含まれる、符号ィ匕 毎に発生する伝送遅延変動時間を吸収することができ、各コラムセルが確実に露光 データを受信して、電子ビームを所定の位置に照射することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]本発明に係るマルチコラム型電子ビーム露光装置の構成図である。
[図 2]図 1に係る露光装置の 1コラムセルの構成図である。
[図 3]補正演算部とアナログコラム制御部との間の信号の接続関係を示した図である
[図 4]デジタル制御部力 DAC部までの露光データの処理の流れを示すブロック図 である。
[図 5]光送信フレーム構成の一例を示す図である。
[図 6]エラー検出 '訂正のための露光データの処理の流れを示すブロック図である。
[図 7]図 7 (a)は、ビットシフト処理前の光送信フレームの一例を示す図であり、図 7 (b )は、ビットシフト処理後の光送信フレームの一例を示す図である。
[図 8]図 8 (a)〜図 8 (c)は、 1ビットのエラーが複数のブロックに分散される処理を説 明する図である。
[図 9]固定遅延化にっ 、ての説明図である。
発明を実施するための最良の形態
[0018] 以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
[0019] はじめに、マルチコラム型電子ビーム露光装置の構成について説明する。次に、露 光データを補正演算部からコラムセル部まで伝送する露光データ伝送部の構成及 び動作について説明する。次に、送信される露光データを構成要素とする光送信フ レームの構成について説明し、最後に、伝送の固定遅延について説明する。
[0020] 図 1は、本実施形態に係るマルチコラム型電子ビーム露光装置の概略構成図であ る。
マルチコラム型電子ビーム露光装置は、電子ビームコラム 10と電子ビームコラム 10を 制御する制御部 20に大別される。このうち、電子ビームコラム 10は、同等なコラムセ ル 11が複数、例えば 16集まって、全体のコラムが構成されている。すべてのコラムセ ル 11は後述する同じユニットで構成されている。コラムセル 11の下には、例えば 300 mmウェハ 12を搭載したウェハステージ 13が配置されて!、る。
[0021] 一方、制御部 20は、電子銃高圧電源 21、レンズ電源 22、デジタル制御部 23、ステ ージ駆動コントローラ 24及びステージ位置センサ 25を有する。これらのうち、電子銃 高圧電源 21は電子ビームコラム 10内の各コラムセル 11の電子銃を駆動させるため の電源を供給する。レンズ電源 22は電子ビームコラム 10内の各コラムセル 11の電磁 レンズを駆動させるための電源を供給する。デジタル制御部 23は、コラムセル 11各 部をコントロールする電気回路であり、ハイスピードの偏向出力などを出力する。デジ タル制御部 23はコラムセル 11の数に対応する分だけ用意される。ステージ駆動コン トローラ 24は、ステージ位置センサ 25からの位置情報を基に、ウェハ 12の所望の位 置に電子ビームが照射されるようにウェハステージ 13を移動させる。上記の各部 21 〜25は、ワークステーション等の統合制御系 26によって統合的に制御される。
[0022] 上述したマルチコラム型電子ビーム露光装置では、すべてのコラムセル 11は同じコ ラムユニットで構成されて 、る。
[0023] 図 2は、マルチコラム型電子ビーム露光装置に使用される各コラムセル 11の構成図 である。
[0024] 各コラムセル 11は、露光部 100と、露光部 100を制御するコラムセル制御部 31とに 大別される。このうち、露光部 100は、電子ビーム生成部 130、マスク偏向部 140及 び基板偏向部 150によって構成される。
[0025] 電子ビーム生成部 130では、電子銃 101から生成した電子ビーム EBが第 1電磁レ ンズ 102で収束作用を受けた後、ビーム整形用マスク 103の矩形アパーチャ 103aを 透過し、電子ビーム EBの断面が矩形に整形される。
[0026] その後、電子ビーム EBは、マスク偏向部 140の第 2電磁レンズ 105によって露光マ スク 110上に結像される。そして、電子ビーム EBは、第 1、第 2静電偏向器 104、 106 により、露光マスク 110に形成された特定のパターン Sに偏向され、その断面形状が パターン Sの形状に整形される。
[0027] なお、露光マスク 110はマスクステージ 123に固定される力 そのマスクステージ 12
3は水平面内において移動可能であって、第 1、第 2静電偏向器 104、 106の偏向範 囲(ビーム偏向領域)を超える部分にあるパターン Sを使用する場合、マスクステージ
123を移動することにより、そのパターン Sをビーム偏向領域内に移動させる。
[0028] 露光マスク 110の上下に配された第 3、第 4電磁レンズ 108、 111は、それらの電流 量を調節することにより、電子ビーム EBを基板上で結像させる役割を担う。
[0029] 露光マスク 110を通った電子ビーム EBは、第 3、第 4静電偏向器 112、 113の偏向 作用によって光軸 Cに振り戻された後、第 5電磁レンズ 114によってそのサイズが縮 小される。
[0030] マスク偏向部 140には、第 1、第 2補正コイル 107、 109が設けられており、それらに より、第 1〜第 4静電偏向器 104、 106、 112、 113で発生するビーム偏向収差が補 正される。
[0031] その後、電子ビーム EBは、基板偏向部 150を構成する遮蔽板 115のアパーチャ 1 15aを通過し、第 1、第 2投影用電磁レンズ 116、 121によって基板上に投影される。 これにより、露光マスク 110のパターンの像力 所定の縮小率、例えば 1Z60の縮小 率で基板に転写されることになる。
[0032] 基板偏向部 150には、第 5静電偏向器 119と電磁偏向器 120とが設けられており、 これらの偏向器 119、 120によって電子ビーム EBが偏向され、基板の所定の位置に 露光マスクのパターンの像が投影される。
[0033] 更に、基板偏向部 150には、基板上における電子ビーム EBの偏向収差を補正す るための第 3、第 4補正コイル 117、 118が設けられる。
[0034] 一方、コラムセル制御部 31は、電子銃制御部 202、電子光学系制御部 203、マス ク偏向制御部 204、マスクステージ制御部 205、ブランキング制御部 206及び基板 偏向制御部 207を有する。これらのうち、電子銃制御部 202は電子銃 101を制御し て、電子ビーム EBの加速電圧やビーム放射条件等を制御する。また、電子光学系 制御部 203は、電磁レンズ 102、 105、 108、 111、 114、 116及び 121への電流量 等を制御して、これらの電磁レンズが構成される電子光学系の倍率や焦点位置等を 調節する。ブランキング制御部 206は、ブランキング電極 127への印加電圧を制御 することにより、露光開始前力も発生している電子ビーム EBを遮蔽板 115上に偏向 し、露光前に基板上に電子ビーム EBが照射されるのを防ぐ。 [0035] 基板偏向制御部 207は、第 5静電偏向器 119への印加電圧と、電磁偏向器 120へ の電流量を制御することにより、基板の所定の位置上に電子ビーム EBが偏向される ようにする。上記の各部 202〜207は、ワークステーション等の統合制御系 26によつ て統合的に制御される。
(露光データ伝送部の構成及び動作)
図 3は、補正演算部 40とアナログコラム制御部 50との間の信号の接続関係を示し た図である。ここでは、 4つのコラムで構成されるマルチコラム型電子ビーム露光装置 を対象に説明する。
[0036] 補正演算部 40は、各コラムで照射する電子ビームをコントロールするデジタル制御 部 23a〜23dと各デジタル制御部 23a〜23dを統合して制御する統合デジタル制御 部 41で構成される。
[0037] 統合デジタル制御部 41は光受信部 43と DMUX (デマルチプレクサ) 44で構成さ れている。
[0038] 各デジタル制御部 23a〜23dは、露光データ制御部 45a〜45dと光送信部 46a〜
46dで構成されている。
[0039] アナログコラム制御部 50は、各コラムセル 11を制御するコラムセル制御部 31a〜3 Idで構成されている。各コラムセル制御部 31a〜31dは、光受信機 61a〜61dを有し ている。
[0040] 各デジタル制御部 23a〜23dと各コラムセル制御部 31a〜31dは伝送路 48a〜48 dで接続されている。
[0041] このように構成された補正演算部 40とアナログコラムセル制御部 50の間で露光デ ータの信号の伝送は以下のようにして行われる。
[0042] 統合デジタル制御部 41はステージ位置データを受信し、受信したステージ位置デ 一タを各デジタル制御部 23a〜23dに配信する。また、統合デジタル制御部 41は、 基準クロックをステージ制御部 70から受信し、各デジタル制御部 23a〜23dに送信 する。
[0043] 各デジタル制御部 23a〜23dは、統合デジタル制御部 41から配信されたステージ 位置データを各コラムセルで照射する電子ビームに応じた処理を各露光データ制御 部 45a〜45dで行い、光送信部 46a〜46dを介して各光受信部 61a〜61dに送信す る。
[0044] 各コラムセル制御部 3 la〜3 Idでは、各デジタル制御部 23a〜23dから送信された 露光データを、光受信部 6 la〜6 Idを介して受信する。
[0045] 補正演算部 40は、ステージ制御部 70からリファレンスクロックを受信し、各デジタル 制御部 23a〜23dにリファレンスクロックを分配して同期をとつている。ここで、リファレ ンスクロックは、パルストランスにより伝送している。 1Mクロックもリファレンスクロックと して受信している。この 1Mクロックは、後述するように、光送信一光受信間のデータ 遅延の固定遅延化のためのタイミング信号として使用する。
[0046] 図 4は、露光データ制御部 45からアナログコラム制御部 50の偏向信号変換'増幅 部 84までの露光データの処理の流れを示すブロック図である。
[0047] 光送信部 46は、シリアル信号をパラレル信号に変換する SZP部 82a、分割された 信号を 1つにまとめる MUX部 82b、 8ビット分のデータを 10ビットで送るように 8B10B 符号化を行 、パラレル信号をシリアル信号に変換する SERDES(Serialize De-seriali ze)部 82cで構成される。光受信部 61は、 10ビットデータを 8ビットデータに 10B8B復 号ィ匕しシリアル信号をパラレル信号に変換する SERDES部 83a、マルチプレクサに より多重化した信号を分配する DMUX部 83b、ファーストインファーストアウトメモリ FI F083c、パラレル信号をシリアル信号に変換する PZS部 83dで構成される。偏向信 号変換'増幅部 84は、シリアル信号をパラレル信号に変換する SZP部 84aと、デジ タルデータをアナログデータに変換する DAC部 84bで構成される。
[0048] 露光データ制御部 45で補正されたショットデータはシリアルデータに変換して光送 信部 46に伝送される。光送信部 46では、伝送されたショットデータを SZP部 82aで シリアルデータからパラレルデータに変換し、 MUX部 82bで分割された信号を光送 信フレームにまとめる。その後、 SERDES部 82cで 8B10B符号ィ匕を行い、パラレル データをシリアルデータに変換する。シリアルデータに変換した後、電気信号を光信 号に変換して送信する。
[0049] SERDES部 82cでは、 8ビット幅のパラレル信号を 10ビットのシリアルデータに変 換する。この際に、 8B10B符号ィ匕によって、連続する 8ビットのデータを対応する 10 ビットのデータに変換している。この符号ィ匕を使用することによって、送信側と受信側 との同期をとることができ、誤り訂正をすることができる。なお、この符号化処理の際に 符号ィ匕毎に異なるクロック数が必要となり、伝送遅延に変動成分が付加されてしまう。
[0050] また、 8B10B符号ィ匕の機能により「0」または「1」の状態が長く続くことが無ぐ受信 側で正しくデータを受け取ることができるようになる。さらに、 8B10B符号ィ匕は、ある 長さのデータにっ 、て「0」と「1」の数がほぼ等しくなるように符号ィ匕されるため、 DC バランスが良 、と 、う利点を有して!/、る。
[0051] 光受信部 61では、 SERDES部 83a〖こおいて、光送信部 46から送信された光信号 を受信して光信号を電気信号に変換し、 10B8B復号ィ匕で 10ビットのデータを 8ビット のデータに復号化し、シリアルデータをパラレルデータに変換する。パラレルデータ に変換された信号は DMUX部 83bで偏向単位のデータに再構成する。再構成され たデータは FIF083cに記憶される。このデータは PZS部 83dでシリアルデータに変 換された後、偏向信号変換'増幅部 84に転送され、 SZP部 84aでパラレルデータに 変換され、 DAC部 84bでアナログデータに変換される。その後変換されたアナログ データに基づ 、て電子ビームを照射し、所望のパターンを形成する。
(光送信フレームの構成)
図 5は、光送信フレームの構成の一例を示している。図 5は、 12個の光送信フレー ム(F1〜F12)を示しており、各光送信フレームのデータは、それぞれ一本の光ファ ィバーケーブルで送信される。光送信フレームは、 MUX部 82bにおいて露光データ や SERDESに必要な制御コード等が多重化処理されたものである。各光送信フレー ムは、 8つのブロック(B1〜B8)が多重化され、各ブロックは 4バイトのデータで構成さ れている。
[0052] 例えば、フレーム F1のブロック B1は、 SERDESで 8B10B符号化を行うときに必要 な制御コードで構成され、ブロック B2は、光送信フレームを識別する 8ビットのフレー ム番号(FRM)で構成される。また、フレーム F1のブロック B3から B8は、偏向器の電 圧 ·電流量を制御するための露光データで構成されて!、る。
[0053] このような露光データがデジタル制御部 23からコラムセル制御部 31に確実に伝送 されることが重要となる。電子ビーム露光装置において、誤った露光データがコラム セル制御部 31に送信され、誤った露光をしてしまうと、途中まで正常に露光処理が 行われていたとしても、はじめ力も露光処理を行わなければならなくなる。また、露光 データの受信側で誤り検出を行うためのデータによって、データ伝送の誤りが検出さ れたとき、送信側に再送要求をするが、その間、露光処理が停止するため、露光処 理のスループットが低下してしまう。さらに、露光データの受信側で誤り検出を行うた めのデータが正しく伝送されな力つた場合、誤りを検出することができず、誤りとは認 識されずに露光処理がされてしまうおそれがある。
[0054] このような問題に対処するために、本実施形態では、図 6に示すように、露光データ を多重化した後、 SERDESで 8B10B符号ィ匕を行う前に、エラー検出'訂正に必要な 処理を行っている。
[0055] 本実施形態の光送信フレームでは、 ECC演算部 85において、露光データで構成 される光送信フレームから、伝送誤りの検出や訂正を行うためのコードを生成し、この コードで構成される誤り検出.訂正用の光送信フレーム(例えば、図 5の F5, FIO, F 12)を形成している。
[0056] 誤り訂正用のコードは、露光データ用光送信フレームの各ブロック毎に算出し、所 定の誤り検出'訂正用光送信フレームの所定のブロックに格納する。例えば、図 5の フレーム F1のブロック B3の 32ビットのデータに対し、 1バイトの ECC符号 (Error Corr ecting Code)を算出し、誤り検出'訂正用光送信フレーム F5のブロック B3の 1バイト 領域(図 5の 1AA3の位置)に格納する。 ECC符号として、例えばハミング符号を使 用する。
[0057] ECC符号を付加することにより、伝送後の露光データが 1ビットだけの誤りであれば
、その誤りを訂正できることが保証される。
[0058] なお、 ECC符号ィ匕によって生成される誤り訂正用の符号 (チェックバイト)自体に誤 りが発生すると、露光データの誤り訂正を正しく行うことができず、露光精度が低下し てしまう。
[0059] そのため、本実施形態では、 ECCチェックバイト自体の誤りを検出できるように、更 に、チェック機構を設けている。このチェック機構の一つとして、 ECCチェックバイトか ら CRC符号を生成する。例えば、本実施形態では、 ECCチェックバイト 9バイト分か ら CRC16を生成し、所定のフレーム(F12)に格納している。データの受信側では、 CRC16符合力も誤り検出を行う。 ECCチェックバイトに誤りがなければ、 ECCチエツ クバイトを用いて露光データが正常に伝送された力否かをチェックする。露光データ に 1ビットの誤りが発生したときは、 ECCエラー訂正機能により正しい値に訂正し、露 光データに 2ビット以上の誤りが発見された場合は、送信側にエラーを通知する。
[0060] 次に、上述したエラー検出'訂正を有効に機能させるために必要となるビットシフト 処理について説明する。
[0061] 本実施形態の露光データの伝送においては、 8B10B符号ィ匕を採用している。 8B 10B符号ィ匕を行っているため、伝送路における 10ビット中の 1ビットの誤りは、伝送後 に 10B8B復号ィ匕を行うと、必ずビット誤りが発生し、最大で 8ビットのバースト誤りとな つてしまう。
[0062] このような誤りが発生しないように、本実施形態では、 8B10B符号ィ匕を行う前に露 光データを連続するブロックのビット毎にビットをシフトさせて、ブロックを構成するビッ トの値を一定の規則で変換して 、る。
[0063] 図 7は光送信フレームのビットシフト処理を説明する図である。光送信フレームの各 ブロックは 32ビットで構成され、各ブロックはビット位置を合わせて連続して構成され ている。図 7では、説明の簡略化のために、各ブロックの 1バイト分だけに注目してい る。
[0064] 図 7 (a)は、ビットシフト部 86に所定のタイミングで入力される光送信フレームを示し ている。ビットシフトは、連続する光送信フレームをビットシフト部 86に入力し、光送信 フレームの連続するブロックのビット位置毎に所定の時間ずつ遅らせるようにしてビッ トシフトを行い出力する。図 7 (a)の 1ビット目の行は 0ビット目の行に対して 1ブロック 分遅らせるように出力する。同様に、図 7 (a)の 2ビット目の行は、 1ビット目の行に対し て 1ブロック分遅らせるように出力する。
[0065] 図 7 (b)は、ビットシフトを行った後の連続する光送信フレームを示している。図 7 (b )に示すように、 8ビットで構成されるブロックの各ビットの値は、ビットシフトを行うこと により、規則的に複数の他のブロックに分散される。
[0066] 図 8は、露光データが伝送時に 1ビットのエラーが発生した場合に、エラーを分散さ せることを説明する概念図である。
[0067] nBmB符号ィ匕を採用した場合、伝送されたデータは mBnB復号ィ匕を行うため、 1ビ ットのエラーによって伝送前のデータとは全く異なるデータに変換されることになる。
[0068] 図 8 (a)に示すように、伝送時に 1ビット Eだけエラーが発生したものと仮定する。
図 8 (b)では、伝送時に発生したエラービットが含まれるブロックのデータ力 mBnB 復号ィ匕を行って変換した後のビット列に影響を与えることを示している。すなわち、 1 ビットのエラーであっても、連続したバースト誤りとなってしまう。
[0069] このような場合でも、送信側で行つたビットシフトと逆のビットシフトを行うことにより、 誤りのない部分は正しいデータに復元され、図 8 (c)に示すように、バースト誤りの部 分のデータは、ビットシフトをすることにより誤りが分散されることになる。従って、誤り がーつのブロックに集中することなぐ複数のブロックに 1ビットずつ分散されることに なる。これにより、各ブロック毎に算出された ECC符号によって、誤り訂正をすること が可能になり、露光データを正確に伝送することが可能となる。
(固定遅延について)
次に、伝送遅延の固定遅延について説明する。
[0070] 図 4で説明した露光データの伝送において、伝送遅延時間に符号変換毎に発生 する変動成分があると、計測遅れや演算遅れを予測して電子ビームを照射する位置 を計算しても、露光データの伝送遅延のために、計算した位置に電子ビームを照射 することができなくなってしまう。
[0071] これに対して、予め遅延時間を固定ィ匕しておけば、そのタイミングで伝送遅延も計 算することができるので、電子ビームを所望の位置に照射することが可能となる。この 遅延時間の固定化は、考えられる伝送遅延よりも遅い時間に固定することで、伝送遅 延変動を吸収することができる。
[0072] 図 4に示した露光データの伝送経路のうち、特に、光送信部 46の SERDES部 82c 力も光受信部 61の FIF083cにかけて、露光データの遅延時間の変動が大きいこと がわかった。従って、この区間の遅延時間より遅い時間で遅延させるようにして、伝送 遅延時間を吸収し、露光データの伝送遅延を固定化する。
[0073] 図 9は伝送遅延時間の吸収について説明するタイミングチャートである。 [0074] 図 9 (a)は、 10MHzクロックを示している。図 9 (b)は、光受信部 61での 1MHzリフ アレンスクロックを示している。また、図 9 (c)は光送信部 46での 1MHzリファレンスク ロックを示している。光受信部 61及び光送信部 46は、 1MHzリファレンスクロックをス テージ制御部 70から受信するが、光送信部 46はケーブル遅延があるため、光受信 部 61よりもタイミングが遅くなつている。
[0075] 光送信部 46では、図 9 (d)に示すように、 1MHzタイミング信号の立ち上がりに同期 して光送信フレーム中、フレーム番号" 0"のデータを組み立て送信する。このデータ は光受信部 61の DMUX部 83bに到達するまでに、遅延が発生する。そのため、光 受信部 61では、図 9 (e)に示すように、データを受信する時間がずれている。受信部 61では、受信したフレーム番号" 0"のデータ力も FIF083cへの書込みを開始する。 そして、図 9 (b)に示す 1MHzクロックの立ち上がりに同期して、読み出しを開始する 。このようにして、光送信咅46の SERDES咅 82cと光受信咅 61の SERDES咅 83a の間を、常に、約 1 μ sの一定遅延とすることができる。
[0076] なお、本実施形態のマルチコラム型電子ビーム露光装置では、ウェハステージ位 置の測定を ΙΟΜΗζのサンプリング周期で行っている。従って、遅延時間を 1 μ sで一 定にすることによりウェハステージの位置を考慮して照射する電子ビームの露光デー タを補正することが可能となる。
[0077] また、本実施形態のマルチコラム型電子ビーム露光装置では、光送信部 46a〜46 dと光受信部 61a〜61dの間及びステージ制御部 70と統合デジタル制御部 41の間 で遅延時間が 1 IX sと固定ィ匕され、 4つのコラムすべてについて伝送遅延変動を吸収 することが可能となる。
[0078] 以上説明したように、本実施形態においては、露光データを、 8B10B符号化処理 をしてシリアルデータに変換して光通信により伝送している。これにより、伝送ケープ ル数が減り、パラレルデータを伝送する場合とは異なり、伝送ケーブルの振動による 電子ビームの変動を無くすことができる。
[0079] また、露光データを基に伝送時のエラー検出及び訂正を行わせるためのコード (例 えば ECC符号)を算出し、 1ビットの伝送エラー訂正を行えるようにしている。さらに、 エラー検出及び訂正のためのコード自体が正しく伝送されたか否かを検出する機構 を備え、確実に正しい露光データが伝送されるようにしている。さらにまた、 8B10B符 号ィ匕を採用した場合であっても、フレームを構成するデータをビットシフトすることによ り、露光データがバースト誤りになることを防止している。これにより、誤った露光デー タが伝送され、誤った露光処理が行われることを防止し、スループットの低下を防止 している。
[0080] また、光通信による伝送において、光送信部及び光受信部に外部から共通の同期 信号を与えている。この同期信号は、光伝送間に発生する遅延時間よりも遅い時間 に固定している。これにより、伝送遅延時間に含まれる符号化毎に発生する伝送遅 延変動時間を吸収し、電子ビームを照射する位置を正確に算出することが可能にな る。
[0081] なお、本実施形態では、一定遅延時間を 1 μ sとした力 これに限定されるものでは なぐ例えば 100nsとしてもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 一枚のウェハ上に配置され、電子銃と当該電子銃により照射される電子ビームを偏 向する偏向手段と露光データを受信する露光データ受信手段とを有する複数のコラ ムセルと、
前記コラムセルで使用する露光データを算出する補正演算手段とを有するマルチ コラム型電子ビーム露光装置であつて、
前記補正演算手段は、前記コラムセル毎に露光データ制御手段と露光データ送信 手段とを有し、
前記露光データ送信手段は、前記露光データ制御手段で補正した露光データを 符号ィ匕してシリアルデータに変換し、当該シリアルデータを光信号に変換して送信し 前記露光データ受信手段は、前記光信号を電気信号に変換し、前記符号化され た露光データを復号ィ匕して、ノラレルデータに変換することを特徴とするマルチコラ ム型電子ビーム露光装置。
[2] 前記露光データ送信手段は、前記符号化を行う前に、前記露光データを、予め決 められたビット数ごとにまとめてブロックとし、所定の数の該ブロックを多重化した露光 データ用光送信フレームを形成することを特徴とする請求項 1に記載のマルチコラム 型電子ビーム露光装置。
[3] 前記露光データ送信手段は、前記符号化を行う前に、前記露光データに対するェ ラー検出用符号を算出し、前記エラー検出用符号を、予め決められたビット数ごとに まとめてブロックとし、所定の数の該ブロックを多重化したエラー検出用光送信フレー ムを形成することを特徴とする請求項 1に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置
[4] 前記エラー検出用符号は、前記露光データを表すブロック毎に算出されることを特 徴とする請求項 3に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
[5] 前記露光データ送信手段は、前記エラー検出用符号に対するエラー検出のため の符号を算出し、前記エラー検出用光送信フレームに付加することを特徴とする請 求項 3又は 4に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
[6] 前記露光データ送信手段は、所定の数の前記ブロックをビット位置を合わせて連続 させた前記露光データを、ビット毎に前記連続するブロックの方向にシフトさせること を特徴とする請求項 3から 5のいずれか一項に記載のマルチコラム型電子ビーム露 光装置。
[7] 前記エラー検出用符号は、 ECCコードであることを特徴とする請求項 3に記載のマ ルチコラム型電子ビーム露光装置。
[8] 前記エラー検出のための符号は CRCコードであることを特徴とする請求項 5に記載 のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
[9] 更に、ウェハステージを制御するステージ制御部を有し、
前記露光データ送信手段は、前記ステージ制御部から所定の周期の信号を受信し 、当該信号に基づ ヽて露光データを送信することを特徴とする請求項 1に記載のマ ルチコラム型電子ビーム露光装置。
[10] 前記露光データ受信手段は、前記露光データ送信手段から所定の周期の信号を 受信し、当該信号に基づいて、受信した露光データを読み出すことを特徴とする請 求項 1に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
[11] 前記所定の周期は、前記露光データ送信手段と前記露光データ受信手段の間で 発生する露光データ信号の伝送遅延時間より長いことを特徴とする請求項 9又は請 求項 10に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
[12] 前記補正演算手段は、更に、前記各露光データ制御手段を統合する統合露光デ ータ制御手段を有し、
前記統合露光データ制御手段は、前記所定の周期の信号を、前記ステージ制御 部からパルストランスによって受信し、前記露光データ送信手段に伝送することを特 徴とする請求項 11に記載のマルチコラム型電子ビーム露光装置。
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