WO2006056555A2 - Stromrichteranordnung - Google Patents

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WO2006056555A2
WO2006056555A2 PCT/EP2005/056078 EP2005056078W WO2006056555A2 WO 2006056555 A2 WO2006056555 A2 WO 2006056555A2 EP 2005056078 W EP2005056078 W EP 2005056078W WO 2006056555 A2 WO2006056555 A2 WO 2006056555A2
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power
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converter
power semiconductor
substrate
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Eric Baudelot
Reinhold Bayerer
Richard Kenney
Herbert Leibold
Kenneth Thompson
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Siemens Aktiengesellschaft
Infineon Technologies Ag
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Publication date
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    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors

Definitions

  • the invention relates to a converter arrangement with at least one power converter and a converter housing.
  • the power converter is a device for converting electrical energy of a certain appearance (voltage, phase number or frequency) into electrical energy of a different appearance.
  • the power converter is for example a rectifier, an inverter or an inverter.
  • the power converter is composed of various components (components).
  • the power converter has several power components.
  • Power component of the power converter for example, a circuit breaker, which consists of several
  • Power semiconductor components (controllable valves, semiconductor valves) is composed.
  • Another power component of the power converter is, for example, a DC link or a component of the DC link.
  • the component of the intermediate circuit is, for example, an intermediate circuit capacitor.
  • the power converter also has at least one component with which control pulses for the power semiconductor components of the circuit breaker are generated. This component is called an electrical control unit.
  • the power semiconductor components installed in a power converter are combined to form a power semiconductor module.
  • the power semiconductor devices are on a substrate
  • the Applied (carrier body) and electrically connected in a corresponding manner For an internal connection the Contacts of the power semiconductor devices in the power semiconductor module are used bonding wires. For electrical insulation, the bonding wires and the power semiconductor components are cast in a potting compound.
  • the potting compound is for example silicone.
  • the potted power semiconductor module is arranged in a separate power semiconductor housing. The power semiconductor housing serves to protect the power semiconductor module and at the same time acts as a carrier of electrical connections.
  • Contacting by means of bonding wires is known from WO 03/030247 A.
  • the contact surfaces of a power semiconductor component arranged on a substrate are contacted over a large area and in a planar manner.
  • an insulating film is laminated onto the power semiconductor component.
  • the contact surfaces of the power semiconductor component are exposed and subsequently electrically contacted by metal deposition on the contact surfaces and on regions of the insulating film.
  • the power semiconductor housing and other components of the power converter are arranged in a common converter housing. This results in a complex power converter arrangement, in which the
  • Power semiconductor components and the other components of the power converter separated from each other are arranged in separate housings.
  • the object of the present invention is to show a possibility according to which a simple and compact converter arrangement is accessible.
  • a power converter arrangement is specified with at least one power converter and at least one power converter housing, wherein the power converter is a Power component having at least one power semiconductor component, the power converter housing having an interior in which the power semiconductor component of the power component of the power converter is arranged in the interior of the power converter housing at least one further
  • Power component of the power converter is arranged and an electrical contact surface of the power semiconductor device and the other power component of the power converter by means of an arranged on the power semiconductor component electrical insulation foil are electrically isolated from each other.
  • the insulating film is designed so that contact surfaces of the power semiconductor component to be contacted electrically are accessible or can be electrically contacted.
  • the insulating film contains openings through which the contact surfaces are accessible. It is also conceivable that the insulation film has electrical plated-through holes (vias) for electrically contacting the contact surfaces of the power semiconductor components.
  • Due to the insulation film can be dispensed with additional insulation measures, such as the casting with silicone.
  • additional insulation measures such as the casting with silicone.
  • the power semiconductor housing can be dispensed with the power semiconductor housing.
  • Power semiconductor devices is unhoused, so without its own housing, arranged in the converter housing. This results in a simpler and more compact converter arrangement compared to the prior art.
  • the insulation film can be glued on.
  • the insulating film is laminated on the power semiconductor device and on the substrate.
  • the lamination preferably takes place without adhesive.
  • the insulation film is not glued on.
  • the electrical contacting of the contacts of the power semiconductor component of the power semiconductor module is preferably planar, that is not via bonding wires.
  • the insulating effect of the insulating film can be fully utilized. A large-area contact is possible. Due to the planar contacting, the power semiconductor components are contacted with low inductance. With the planar contacting, a more robust construction compared to contacting with bonding wires is also accessible.
  • Line semiconductor devices are combined on a substrate to form a power semiconductor module.
  • a DCB (direct copper bonding) substrate is provided, on which the power semiconductor components required for the power semiconductor module are applied by means of an electrically conductive connection means and electrically connected in a corresponding manner via electrical conductor tracks.
  • the DCB substrate has a support layer of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN). Both sides are electrically conductive copper layers applied, which are configured to strip conductors.
  • the electrically conductive connection means is for example a solder or an electrically conductive adhesive.
  • the power semiconductor components are soldered or glued. The application of a
  • NKT Low temperature connection technology
  • the power semiconductor components are not only electrically contacted, they are also mechanically fixed on the substrate. It is also conceivable that only an electrical contact is made with the electrically conductive connection means. There is no mechanical fixation of the power semiconductor components. This is achieved, for example, with an electrically conductive paste (conductive paste).
  • an insulating film for example, a plastic film with polyimide (polyimide film), laminated.
  • the lamination takes place for example under vacuum.
  • a vacuum press is used.
  • lamination under vacuum creates a particularly strong and intimate connection between the power semiconductor devices and the insulating film or between the substrate and the insulating film.
  • the lamination follows
  • Temperature treatment step This is to be applied when an insulating film is laminated with an insulating material that is only partially polymerized (crosslinked).
  • the temperature treatment step advances the polymerization (crosslinking) of the insulation material. This increases a strength of the connection between the insulating film and the power semiconductor components or the substrate.
  • the laminated insulation film takes over the positioning and / or the mechanical fixing of the power semiconductor components on the substrate.
  • the contacts to be electrically contacted are
  • Power semiconductor components exposed For this purpose, for example, a photolithography method is performed. Alternatively, a laser ablation procedure is used. In both methods indicated by material removal a window is produced in the insulation film. The respective contact of the respective power semiconductor component is exposed through the window. Subsequently, electrically conductive material is deposited on the contact. To form electrical conductors on the insulating film, the electrically conductive material is deposited on the insulating film. The deposition takes place from a vapor phase and / or liquid phase. For the deposition from the vapor phase, for example, a physical (Physical Vapor Deposition, PVD) or a chemical (Chemical Vapor Deposition, CVD) vapor deposition method is used.
  • PVD Physical Vapor Deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • Separation from the liquid phase takes place electrolytically.
  • An electrolytic deposition is performed.
  • vapor deposition and electrolytic deposition are performed.
  • Individual process steps can be carried out several times, so that required layer thicknesses are produced.
  • different Clausmetallmaschines füren can be generated, which assume different functions. The result is a multi-layer structure with superposed sectionmetallmaschines slaughteren.
  • the electrically conductive material is deposited in a structured manner, for example with the aid of a mask, so that the conductor tracks necessary for contacting the electrical contacts of the power semiconductor components are produced. It is also conceivable that only after the deposition of a structuring of an electrically conductive coating produced by the deposition, the electrical connection lines on the insulating film and on the
  • a film thickness (film thickness) of the insulating film required for this purpose is selected.
  • the necessary film thickness depends on various factors, for example the insulation material of the insulating film or the conditions under which the power converter arrangement is operated. It has proven to be advantageous if the insulation film has a film thickness selected from the range of from 50 ⁇ m to 500 ⁇ m inclusive and in particular from the range from 100 ⁇ m to 300 ⁇ m inclusive.
  • the insulation film has a multi-layer structure comprising at least two partial insulation films arranged one above the other. Thereby it is possible to achieve an efficient insulation effect even with a relatively lower total film thickness of the insulation film.
  • Power semiconductor components can be arranged in the interior of the converter housing in addition to the power components of any electrical components or mechanical components made of electrically conductive material. These components can be sold separately as self-supporting
  • Power component a current busbar for electrical contacting of the power semiconductor device.
  • the power bus has at least one supply bus bar for providing a supply voltage for one of the contacts of the
  • a plurality of supply busbars for electrically contacting a plurality of contacts of the power semiconductor component are present.
  • a supply busbar can supply the contacts of a plurality of power semiconductor components with the necessary voltage.
  • the current busbar is designed such that a current flow necessary for the operation of the power semiconductor components of the power component is ensured.
  • the further power component is a DC link component of a DC link of the power converter.
  • the DC link component is in particular an intermediate circuit capacitor.
  • the intermediate circuit capacitor configured differently.
  • the DC link capacitor is an electrolytic capacitor.
  • a DC link capacitor in the form of a multilayer capacitor The multilayer capacitor can be designed as a separate component. It is also conceivable that the multi-layer capacitor is integrated in the power semiconductor module.
  • a DC link capacitor is not always necessary, because there are also converter topologies that can dispense with the use of a DC link capacitor.
  • the substrate limits the interior of the converter housing.
  • the power converter housing together with the substrate form the interior, in which the power component is arranged with the power semiconductor components.
  • the power converter housing and the substrate can be permanently connected to each other.
  • the substrate is glued or otherwise connected to a portion of the power converter housing.
  • the power converter housing and the substrate are detachably connected to each other. This means that there is a connection between the substrate and the converter housing, which can be solved nondestructively.
  • the detachable connection is realized for example by a pressure, screw or plug contact.
  • the pressure contact is made for example by means of a spring contact.
  • Converter housing to be directly connected.
  • the power converter housing and the substrate are indirectly connected to each other.
  • the substrate is applied to a carrier body, which in turn is releasably connected to the power converter housing.
  • the substrate is adhered to the carrier body with the aid of an adhesive. It is also conceivable that the substrate is soldered to the carrier body.
  • the carrier body itself is then releasably connected by a pressure or screw contact with the power converter housing.
  • the substrate is thermally conductively connected to a cooling device.
  • the cooling device can be configured such that a cooling fluid is conducted past the substrate.
  • the substrate is made of a thermally conductive material, such as alumina or aluminum nitride, efficient heat dissipation from the power semiconductor devices across the substrate to the cooling fluid of the cooling device occurs.
  • the cooling device is a heat sink.
  • the substrate is adhered to the heat sink with the aid of a thermally conductive adhesive.
  • efficient heat dissipation takes place from the power semiconductor components via the substrate and via the adhesive to the heat sink.
  • the heat sink can take over the function of the carrier body, which is connected to the substrate.
  • the power converter housing may be releasably bonded.
  • the heat sink is part of the converter housing. The heat sink is in the
  • Converter housing integrated.
  • the heat sink, the converter housing and the substrate are arranged with the power semiconductor components such that the interior of the converter housing is also limited by the substrate with the power semiconductor devices. Efficient heat dissipation from the power semiconductor components in the interior of the converter housing to the outside takes place via the heat sink.
  • the power converter housing is preferably made of an electrically insulating material.
  • the electrically insulating material is, for example, a Plastic. So that the electrical components of the power converter can be contacted, which are located in the Immenraum the converter housing, at least one electrical connection is integrated into the converter housing.
  • the converter housing therefore preferably has at least one electrical connection for electrical contacting of the power component and / or for electrical contacting of the further power component.
  • the electrical connection of the converter housing is part of the Stromverschienung. For example, it can be ensured that the open contact points to be contacted by the
  • Power semiconductor module and the electrical connections of the converter housing are arranged such that by bringing the power semiconductor module and the
  • Converter housing the electrical connections to the contact points of the power semiconductor module are produced.
  • Converter housing other components of the converter must be included, which are necessary for the operation of the converter.
  • this further component is a control device for electrically controlling the power semiconductor component or the
  • control device is not arranged in the interior of the converter housing but outside the converter housing. Connectors located in the converter housing control the power semiconductor devices.
  • the power converter assembly can be manufactured by simply matching the power component and the power converter housing. This can be called the "Lego Principle".
  • FIG. 1 shows a converter arrangement
  • FIG. 2 shows a power component in the form of a
  • the converter housing 3 is made of a plastic.
  • a power component 21 having a plurality of power semiconductor components 22 is arranged in the interior 31 of the converter housing 3.
  • the power semiconductor components 22 are combined on a DCB substrate 6 to form a power semiconductor module 23.
  • the DCB substrate consists of a carrier layer 61 made of aluminum oxide and electric power layers 62 and 63 of copper applied on both sides.
  • the conductor layer 62, to which the power semiconductor components 22 are soldered, is structured to form corresponding conductor paths.
  • Each of the power semiconductor components 22 is soldered such that a contact surface 24 of the line semiconductor component 22 pointing away from the substrate 6 results (FIG. 2).
  • the power semiconductor components are adhesively bonded, connected by means of low-temperature connection technology or merely electrically contacted by means of a conductive paste, ie not mechanically fixed.
  • an insulating film 7 of polyimide is laminated under vacuum.
  • the insulation film 7 is laminated on the substrate 6 and the power semiconductor components 22 in such a way that a surface contour 25 of the power semiconductor component 22 and a surface contour 64 of the substrate 6 are imaged in a surface contour 72 of the insulation film 7 which faces away from the substrate 6 and the power semiconductor component 22 .
  • the mechanical fixing of the power semiconductor component 22 takes place on the substrate 6 through the laminated insulating film 7.
  • the opening of the window 71 is carried out by laser ablation.
  • the planar electrical contacting of the contact surface 24 is produced by a multilayer deposition 26 of electrically conductive material.
  • planar contacting of the power semiconductor components 22 of the power semiconductor module 23 ensures that certain contact surfaces 24 of the power semiconductor components 22 are electrically contacted. At the same time it is ensured that more, not shown electrical
  • the power component 21 in the form of the
  • Power semiconductor module 23 is arranged in the interior 31 of the converter housing 3.
  • the substrate 6 of the power semiconductor module 23 with the power converter housing 3 is detachably connected to each other.
  • the substrate 6 is not directly with the
  • Converter housing 3 connected.
  • the substrate 6 is applied to a cooling device in the form of a heat sink 4.
  • the application is carried out by sticking using a thermally conductive adhesive.
  • This heat sink 4 is screwed to the power converter housing 3 (screw 41).
  • the substrate 6 and the power converter housing 3 are connected to each other directly by means of a screw.
  • the releasable connection is made by a spring contact.
  • further power components 81 of the power converter 2 are included in the interior 31 of the converter housing 3 .
  • One of the further power components 81 is a power bus 82 for electrically contacting the Power semiconductor components 22 of the power semiconductor module 23.
  • Another power component 81 of the power converter 2 is also a component of a necessary for the operation of the power converter DC link 83. This component is a DC link capacitor 84th
  • the interior 31 of the converter housing 3 are further components 91 of the power converter 2 to be integrated. These other components 91 u.a. an electrical control device 92 (control unit).
  • the power converter housing 3 additionally includes electrical connections 32. These electrical connections 32 are used for electrical contacting of the power component 21, the further power component 81 and the electrical power
  • Power semiconductor devices 22 provided on the substrate 6. In this case, contact points 26 of the power component 21 are openly accessible. The power component 21 is adhered to the heat sink 4.
  • Converter housing 3 screwed.
  • the structure and the converter housing 3 is brought together such that in the interior 31 of the converter housing 3, the power component 21, the further power component 81 and the further component 91 of the power converter 2 are arranged.
  • the heat sink 4 forms part of a converter housing 3.
  • the interior 31 of the converter housing 3 is bounded by the substrate 6 of the power component 21 or of the power semiconductor module 23.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Stromrichteranordnung (1) mit mindestens einem Stromrichter(2) und mindestens einem Stromrichtergehäuse (3), wobei der Stromrichter eine Leistungskomponente (21) mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (22) aufweist, das Stromrichtergehäuse einen Innenraum (31) aufweist, in dem das Leistungshalbleiterbauelement der Leistungskomponente des Stromrichters angeordnet ist, im Innenraum des Stromrichtergehäuses mindestens eine weitere Leistungskomponente (81) des Stromrichters angeordnet ist und eine elektrische Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements und die weitere Leistungskomponente des Stromrichters mit Hilfe einer auf dem Leistungshalbleiterbauelement angeordneten elektrischen Isolationsfolie (7) elektrisch voneinander isoliert sind. Die Leistungskomponente ist beispielsweise ein Leistungsschalter. Der Leistungsschalter wird ungehäust im Stromrichtergehäuse angeordnet. Ein Verguss des Leistungsschalters mit Silikon ist nicht notwendig. Es resultiert ein einfacher und kompakter Aufbau.

Description

Beschreibung
Stromrichteranordnung
Die Erfindung betrifft eine Stromrichteranordnung mit mindestens einem Stromrichter und einem Stromrichtergehäuse. Der Stromrichter ist ein Gerät zur Umformung von elektrischer Energie einer bestimmten Erscheinungsform (Spannung, Phasenzahl oder Frequenz) in elektrische Energie einer anderen Erscheinungsform. Der Stromrichter ist beispielsweise ein Gleichrichter, ein Wechselrichter oder ein Umrichter.
Der Stromrichter setzt sich aus verschiedenen Komponenten (Bauelementen) zusammen. So weist der Stromrichter beispielsweise mehrere Leistungskomponenten auf. Eine
Leistungskomponente des Stromrichters ist beispielsweise ein Leistungsschalter, der aus mehreren
Leistungshalbleiterbauelementen (steuerbare Ventile, Halbleiterventile) zusammengesetzt ist. Eine weitere Leistungskomponente des Stromrichters ist beispielsweise ein Zwischenkreis bzw. ein Bestandteil des Zwischenkreises. Der Bestandteil des Zwischenkreises ist beispielsweise ein Zwischenkreiskondensator.
Neben den Leistungskomponenten weist der Stromrichter auch mindestens eine Komponente auf, mit der Steuerimpulse für die Leistungshalbleiterbauelemente des Leistungsschalters generiert werden. Diese Komponente wird als elektrisches Steuergerät bezeichnet.
Üblicherweise sind die in einem Stromrichter verbauten Leistungshalbleiterbauelemente zu einem Leistungshalbleitermodul zusammengefasst. Bei dem Leistungshalbleitermodul sind die Leistungshalbleiterbauelemente auf einem Substrat
(Trägerkörper) aufgebracht und in entsprechender Weise elektrisch verschaltet. Für eine interne Verbindung der Kontakte der Leistungshalbleiterbauelemente im Leistungshalbleitermodul werden Bonddrähte verwendet. Zur elektrischen Isolierung sind die Bonddrähte und die Leistungshalbleiterbauelemente in eine Vergussmasse eingegossen. Die Vergussmasse ist beispielsweise Silikon. Das vergossene Leistungshalbleitermodul ist in einem eigenen Leistungshalbleitergehäuse angeordnet. Das Leistungshalbleitergehäuse dient dem Schutz des Leistungshalbleitermoduls und fungiert gleichzeitig als Träger elektrischer Anschlüsse. Eine Alternative zur
Kontaktierung mittels Bonddrähten ist aus der WO 03/030247 A bekannt. Dabei werden die Kontaktflächen eines auf einem Substrat angeordneten Leistungshalbleiterbauelements großflächig und planar kontaktiert. Zur Kontaktierung wird eine Isolationsfolie auf das Leistungshalbleiterbauelement auflaminiert. Durch Erzeugen von Fenstern in der Isolationsfolie werden die Kontaktflächen des Leistungshalbleiterbauelements freigelegt und nachfolgend durch Metallabscheidung auf den Kontaktflächen und auf Bereichen der Isolationsfolie elektrisch kontaktiert.
Das Leistungshalbleitergehäuse und weitere Komponenten des Stromrichters, beispielsweise elektrische Anschlüsse oder Kondensatoren, sind in einem gemeinsamen Stromrichtergehäuse angeordnet. Somit ergibt sich eine komplexe Stromrichteranordnung, bei der die
Leistungshalbleiterbauelemente und die weiteren Komponenten des Stromrichters separiert voneinander in eigenen Gehäusen angeordnet sind.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Möglichkeit aufzuzeigen, gemäß der eine einfache und kompakte Stromrichteranordnung zugänglich ist.
Zur Lösung der Aufgabe wird eine Stromrichteranordnung mit mindestens einem Stromrichter und mindestens einem Stromrichtergehäuse angegeben, wobei der Stromrichter eine Leistungskomponente mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement aufweist, das Stromrichtergehäuse einen Innenraum aufweist, in dem das Leistungshalbleiterbauelement der Leistungskomponente des Stromrichters angeordnet ist, im Innenraum des Stromrichtergehäuses mindestens eine weitere
Leistungskomponente des Stromrichters angeordnet ist und eine elektrische Kontaktfläche des Leistungshalbleiterbauelements und die weitere Leistungskomponente des Stromrichters mit Hilfe einer auf dem Leistungshalbleiterbauelement angeordneten elektrischen Isolationsfolie elektrisch voneinander isoliert sind. Die Isolationsfolie ist dabei so gestaltet, dass elektrisch zu kontaktierende Kontaktflächen des Leistungshalbleiterbauelements zugänglich sind bzw. elektrisch kontaktiert werden können. Beispielsweise enthält die Isolationsfolie Öffnungen, über die die Kontaktflächen zugänglich sind. Denkbar ist auch, dass die Isolationsfolie elektrische Durchkontaktierungen (Vias) zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktflächen der Leistungshalbleiterbauelemente aufweist.
Durch die Isolationsfolie kann auf zusätzliche Isolationsmaßnahmen, beispielsweise der Verguss mit Silikon, verzichtet werden. Darüber hinaus kann auf das Leistungshalbleitergehäuse verzichtet werden. Das Leistungshalbleiterbauelement bzw. das Leistungshalbleitermodul mit mehreren
Leistungshalbleiterbauelementen wird ungehäust, also ohne eigenes Gehäuse, im Stromrichtergehäuse angeordnet. Es resultiert eine im Vergleich zum Stand der Technik einfachere und kompaktere Stromrichteranordnung.
In einer besonderen Ausgestaltung ist das
Leistungshalbleiterbauelement auf einem Substrat angeordnet und die Isolationsfolie derart auf dem
Leistungshalbleiterbauelement und dem Substrat aufgebracht, dass eine Oberflächenkontur des Leistungshalbleiterbauelements und/oder eine Oberflächenkontur des Substrats in einer Oberflächenkontur der Isolationsfolie abgebildet sind, die dem
Leistungshalbleiterbauelement und/oder dem Substrat abgekehrt ist. Die Isolationsfolie kann dabei aufgeklebt sein. Vorzugsweise ist die Isolationsfolie auf dem Leistungshalbleiterbauelement und auf dem Substrat auflaminiert. Das Auflaminieren erfolgt vorzugsweise ohne Klebstoff. Die Isolationsfolie wird nicht aufgeklebt.
Die elektrische Kontaktierung der Kontakte des Leistungshalbleiterbauelements des Leistungshalbleitermoduls erfolgt bevorzugt planar, also nicht über Bonddrähte. Dadurch kann die Isolationswirkung der Isolationsfolie voll ausgenutzt werden. Eine großflächige Kontaktierung ist möglich. Durch die planare Kontaktierung sind die Leistungshalbleiterbauelemente niederinduktiv kontaktiert. Mit der planaren Kontaktierung ist auch ein im Vergleich zu einer Kontaktierung mit Bonddrähten robusterer Aufbau zugänglich.
Im Folgenden wird die Erzeugung eines
Leistungshalbleitermoduls mit elektrischer Isolationsfolie und planarer Kontaktierung der Kontakte der Leistungshalbleiterbauelemente des Leistungshalbleitermoduls näher beschreiben: Es sollen mehrere
Leitungshalbleiterbauelemente auf einem Substrat zu einem Leistungshalbleitermodul zusammengefasst werden. Zum Herstellen des Leistungshalbleitermoduls wird beispielsweise ein DCB(Direct Copper Bonding) -Substrat bereitgestellt, auf dem die für das Leistungshalbleitermodul benötigten Leistungshalbleiterbauelemente mit Hilfe eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels aufgebracht und in entsprechender Weise über elektrische Leiterbahnen elektrisch verschaltet werden. Das DCB-Substrat weist eine Trägerschicht aus Aluminiumoxid (AI2O3) oder Aluminiumnitrid (AlN) auf. Beidseitig sind elektrisch leitende Kupferschichten aufgebracht, die zu Leiterbahnen ausgestaltet sind. Das elektrisch leitfähige Verbindungsmittel ist beispielsweise ein Lot oder ein elektrisch leitfähiger Klebstoff. Die Leistungshalbleiterbauelemente werden aufgelötet oder aufgeklebt. Die Anwendung einer
Niedertemperaturverbindungstechnik (NVT) ist ebenfalls denkbar. Mit den beschriebenen Verfahren werden die Leistungshalbleiterbauelemente nicht nur elektrisch kontaktiert, sie werden auch auf dem Substrat mechanisch fixiert. Denkbar ist auch, dass mit dem elektrisch leitfähigen Verbindungsmittel lediglich ein elektrischer Kontakt hergestellt wird. Es erfolgt keine mechanische Fixierung der Leistungshalbleiterbauelemente. Dies gelingt beispielsweise mit einer elektrisch leitfähigen Paste (Leitpaste) .
Auf die auf das Substrat aufgelöteten
Leistungshalbleiterbauelemente wird eine Isolationsfolie, beispielsweise eine Kunststofffolie mit Polyimid (Polyimidfolie) , auflaminiert. Das Auflaminieren erfolgt beispielsweise unter Vakuum. Dazu wird beispielsweise eine Vakuumpresse verwendet. Durch das Auflaminieren unter Vakuum entsteht eine besonders feste und innige Verbindung zwischen den Leistungshalbleiterbauelementen und der Isolationsfolie bzw. zwischen dem Substrat und der Isolationsfolie. Gegebenfalls folgt dem Auflaminieren ein
Temperaturbehandlungsschritt. Dies ist dann anzuwenden, wenn eine Isolationsfolie mit einem Isolationsmaterial auflaminiert wird, das nur teilweise polymerisiert (vernetzt) ist. Durch den Temperaturbehandlungsschritt wird die Polymerisierung (Vernetzung) des Isolationsmaterials vorangetrieben. Dies erhöht eine Stärke der Verbindung zwischen der Isolationsfolie und den Leistungshalbleiterbauelementen bzw. dem Substrat. Insbesondere bei Verwendung einer Leitpaste übernimmt die auflaminierte Isolationsfolie die Positionierung und/oder die mechanische Fixierung der Leistungshalbleiterbauelemente auf dem Substrat.
Nach dem Auflaminieren der Isolationsfolie werden die elektrisch zu kontaktierenden Kontakte der
Leistungshalbleiterbauelemente freigelegt. Dazu wird beispielsweise ein Photolithographieverfahren durchgeführt. Alternativ dazu wird ein Laserablationsverfahren eingesetzt. Bei beiden angegebenen Verfahren wird durch Materialabtrag ein Fenster in der Isolationsfolie erzeugt. Der jeweilige Kontakt des jeweiligen Leistungshalbleiterbauelements wird durch das Fenster freigelegt. Nachfolgend wird elektrisch leitendes Material auf dem Kontakt abgeschieden. Zur Bildung elektrischer Leiterbahnen auf der Isolationsfolie wird das elektrisch leitende Material auch auf der Isolationsfolie abgeschieden. Das Abscheiden erfolgt aus einer Dampfphase und/oder flüssigen Phase. Zum Abscheiden aus der Dampfphase wird beispielsweise ein physikalisches (Physical Vapour Deposition, PVD) oder ein chemischen (Chemical Vapour Deposition, CVD) Dampfabscheideverfahren eingesetzt. Ein
Abscheiden aus der flüssigen Phase erfolgt elektrolytisch. Es wird ein elektrolytisches Abscheiden durchgeführt. Bevorzugt werden Dampfabscheideverfahren und elektrolytisches Abscheiden durchgeführt. Einzelne Verfahrensschritte können mehrmals durchgeführt werden, so dass benötigte Schichtdicken erzeugt werden. Ebenso können verschiedene Teilmetallisierungsschichten erzeugt werden, die unterschiedliche Funktionen übernehmen. Es resultiert ein Mehrschichtaufbau auf mit übereinander angeordneten Teilmetallisierungsschichten. Die
Teilmetallisierungsschichten bestehen beispielsweise aus Titan, einer Titan-Wolfram-Legierung und aus Kupfer. Es resultiert eine Schichtfolge Ti/TiW/Cu. Die Teilmetallisierungsschicht aus Titan fungiert als Haftvermittlungsschicht, die Teilmetallisierungsschicht aus der Titan-Wolfram-Legierung als Sperrschicht für Kupfer-Ionen und die Kupferschicht als so genannte Seedlayer, also als Keimschicht für ein nachfolgendes elektrolytisches (galvanisches) Abscheiden einer relativ dicken Kupferschicht. Die galvanisch abgeschiedene, relativ dicke Kupferschicht wird beispielsweise benötigt, um eine im Betrieb des Stromrichters notwendige Stromtragfähigkeit der planaren Verbindungsleitungen zu gewährleisten.
Das elektrisch leitende Material wird strukturiert abgeschieden, beispielsweise mit Hilfe einer Maske, so dass die für die Kontaktierung der elektrischen Kontakte der Leistungshalbleiterbauelemente notwendigen Leiterbahnen erzeugt werden. Denkbar ist auch, dass erst nach dem Abscheiden eine Strukturierung einer durch das Abscheiden erzeugten elektrisch leitenden Beschichtung die elektrischen Verbindungsleitungen auf der Isolationsfolie und auf den
Kontakten der Leistungshalbleiterbauelemente erzeugt werden.
Um eine effiziente elektrische Isolierung mit Hilfe der Isolationsfolie zu erzielen, wird eine dafür notwendige Folienstärke (Foliendicke) der Isolationsfolie gewählt. Die notwendige Folienstärke hängt von verschiedenen Faktoren ab, beispielsweise vom Isolationsmaterial der Isolationsfolie oder von den Bedingungen, unter denen die Stromrichteranordnung betrieben wird. Es hat sich als vorteilhaft herausgestellt, wenn die Isolationsfolie eine aus dem Bereich von einschließlich 50 μm bis einschließlich 500 μm und insbesondere eine aus dem Bereich von einschließlich 100 μm bis einschließlich 300 μm ausgewählte Folienstärke aufweist.
Um eine notwendige Isolationswirkung der Isolationsfolie zu erzielen, kann eine einzige, möglichst dicke Isolationsfolie auflaminiert werden. Eine entsprechende Isolationswirkung kann aber auch mit mehreren, übereinander gestapelten Teilisolationsfolien erzielt werden. Die Isolationsfolie weist einen Mehrschichtaufbau aus mindestens zwei übereinander angeordneten Teilisolationsfolien auf. Dadurch ist es möglich, eine effiziente Isolationswirkung auch bei einer relativ niedrigeren Gesamtfolienstärke der Isolationsfolie zu erzielen.
Durch die effiziente elektrische Isolierung der
Leistungshalbleiterbauelemente können im Innenraum des Stromrichtergehäuses neben den Leistungskomponenten beliebige elektrische Komponenten oder mechanische Komponenten aus elektrisch leitendem Material angeordnet sein. Diese Komponenten können separat als selbständig tragende
Komponenten ausgestaltet sein. Denkbar ist auch, dass diese Komponenten auf einem eigenen Substrat, beispielsweise einem PCB(Printed Circuit Board) -Substrat, realisiert sind.
In einer besonderen Ausgestaltung ist die weitere
Leistungskomponente eine Stromverschienung zur elektrischen Kontaktierung des Leistungshalbleiterbauelements. Die Stromverschienung weist mindestens eine Versorgungsstromschiene zum Bereitstellen einer Versorgungsspannung für einen der Kontakte des
Leistungshalbleiterbauelements auf. Vorzugsweise sind mehrere Versorgungsstromschienen zur elektrischen Kontaktierung mehrerer Kontakte des Leistungshalbleiterbauelements vorhanden. Dabei kann eine Versorgungsstromschiene die Kontakte mehrerer Leistungshalbleiterbauelemente mit der notwendigen Spannung versorgen. Die Stromverschienung ist derart ausgelegt, dass ein für den Betrieb der Leistungshalbleiterbauelemente der Leistungskomponente notwendiger Stromfluss gewährleistet ist.
In einer weiteren Ausgestaltung ist die weitere Leistungskomponente eine Zwischenkreiskomponente eines Zwischenkreises des Stromrichters. Dies bedeutet, dass im Innenraum des Stromrichtergehäuses auch der Zwischenkreis oder Bestandteile des Zwischenkreises angeordnet werden. Die Zwischenkreiskomponente ist insbesondere ein Zwischenkreiskondensator. Je nach Stromrichtertopologie ist der Zwischenkreiskondensator unterschiedlich ausgestaltet. Beispielsweise ist der Zwischenkreiskondensator ein Elektrolytkondensator. Denkbar ist auch ein Zwischenkreiskondensator in Form eines Mehrschichtkondensators. Der Mehrschichtkondensator kann als separates Bauelement ausgeführt sein. Denkbar ist auch, dass der Mehrschichtkondensator im Leistungshalbleitermodul integriert ist. Ein Zwischenkreiskondensator ist allerdings nicht immer notwendig, denn es gibt auch Stromrichtertopologien, die auf die Verwendung eines Zwischenkreiskondensators verzichten können.
In einer besonderen Ausgestaltung begrenzt das Substrat den Innenraum des Stromrichtergehäuses. Dies bedeutet, dass das Stromrichtergehäuse zusammen mit dem Substrat den Innenraum bilden, in dem die Leistungskomponente mit den Leistungshalbleiterbauelementen angeordnet ist. Das Stromrichtergehäuse und das Substrat können dabei bleibend miteinander verbunden sein. Beispielsweise ist das Substrat auf einen Teil des Stromrichtergehäuses geklebt oder anderweitig verbunden. Vorzugsweise sind das Stromrichtergehäuse und das Substrat lösbar miteinander verbunden. Dies bedeutet, dass eine Verbindung zwischen dem Substrat und dem Stromrichtergehäuse besteht, die zerstörungsfrei gelöst werden kann. Die lösbare Verbindung wird beispielsweise durch einen Druck-, Schraub- oder Steckkontakt realisiert. Der Druckkontakt wird beispielsweise mit Hilfe eines Federkontakts hergestellt.
Durch die lösbare Verbindung können das Substrat und das
Stromrichtergehäuse direkt miteinander verbunden sein. Es ist aber auch denkbar, dass das Stromrichtergehäuse und das Substrat indirekt miteinander verbunden sind. Dazu ist das Substrat auf einem Trägerkörper aufgebracht, der seinerseits mit dem Stromrichtergehäuse lösbar verbunden ist.
Beispielsweise ist das Substrat auf den Trägerkörper mit Hilfe eines Klebstoffs aufgeklebt. Denkbar ist aber auch, dass das Substrat an den Trägerkörper aufgelötet ist. Der Trägerkörper selbst ist dann durch einen Druck- oder Schraubkontakt mit dem Stromrichtergehäuse lösbar verbunden.
In einer besonderen Ausgestaltung ist das Substrat mit einer Kühlvorrichtung thermisch leitend verbunden. Die Kühlvorrichtung kann derart ausgestaltet sein, dass ein Kühlfluid am Substrat vorbeigeleitet wird. Wenn das Substrat aus einem thermisch leitfähigen Material besteht, beispielsweise Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid, erfolgt eine effiziente Wärmeableitung von den Leistungshalbleiterbauelementen über das Substrat zum Kühlfluid der Kühlvorrichtung.
In einer besonderen Ausgestaltung ist die Kühlvorrichtung ein Kühlkörper. Beispielsweise ist das Substrat mit Hilfe eines thermisch leitfähigen Klebstoffs auf dem Kühlkörper aufgeklebt. Dadurch erfolgt eine effiziente Wärmeableitung von den Leistungshalbleiterbauelementen über das Substrat und über den Klebstoff hin zum Kühlkörper. Der Kühlkörper kann dabei die Funktion des Trägerkörpers übernehmen, der mit dem Substrat verbunden ist. An den Kühlkörper kann das Stromrichtergehäuse lösbar gebunden sein. Zu einer effizienten Wärmeableitung ist der Kühlkörper Bestandteil des Stromrichtergehäuses. Der Kühlkörper ist in das
Stromrichtergehäuse integriert. Dabei sind der Kühlkörper, das Stromrichtergehäuse und das Substrat mit den Leistungshalbleiterbauelementen derart angeordnet, dass der Innenraum des Stromrichtergehäuses auch von dem Substrat mit den Leistungshalbleiterbauelementen begrenzt ist. Über den Kühlkörper erfolgt eine effiziente Wärmeableitung von den Leistungshalbleiterbauelementen im Innenraum des Stromrichtergehäuses nach außen.
Aus Isolierungsgründen ist das Stromrichtergehäuse vorzugsweise aus einem elektrisch isolierenden Material. Das elektrisch isolierende Material ist beispielsweise ein Kunststoff. Damit die elektrischen Komponenten des Stromrichters kontaktiert werden können, die sich im Immenraum des Stromrichtergehäuses befinden, ist mindestens ein elektrischer Anschluss in das Stromrichtergehäuse integriert. Vorzugsweise weist das Stromrichtergehäuse daher mindestens einen elektrischen Anschluss zur elektrischen Kontaktierung der Leistungskomponente und/oder zur elektrischen Kontaktierung der weiteren Leistungskomponente auf.
Über den elektrischen Anschluss kann beispielsweise ein elektrischer Steueranschluss eines der
Leistungshalbleiterbauelemente kontaktiert sein. In einer besonderen Ausgestaltung ist der elektrische Anschluss des Stromrichtergehäuses Bestandteil der Stromverschienung. So kann beispielsweise dafür gesorgt werden, dass die zu kontaktierenden, offenen Kontaktstellen des
Leistungshalbleitermoduls und die elektrischen Anschlüsse des Stromrichtergehäuses derart angeordnet sind, dass durch ein Zusammenbringen des Leistungshalbleitermoduls und des
Stromrichtergehäuses die elektrischen Verbindungen zu den Kontaktstellen der Leistungshalbleitermoduls hergestellt werden.
Wie bereits angedeutet, können im Innenraum des
Stromrichtergehäuses weitere Komponenten des Stromrichters enthalten sein, die für den Betrieb des Stromrichters notwendig sind. Vorzugsweise ist diese weitere Komponente eine Steuereinrichtung zur elektrischen Steuerung des Leistungshalbleiterbauelements bzw. der
Leistungshalbleiterbauelemente. Denkbar ist auch, dass die Steuereinrichtung nicht im Innenraum des Stromrichtergehäuses sondern außerhalb des Stromrichtergehäuses angeordnet ist. Über Anschlüsse, die sich im Stromrichtergehäuse befinden, werden die Leistungshalbleiterbauelemente gesteuert. Zusammenfassend ergeben sich mit der Erfindung folgende wesentlichen Vorteile:
Mit der Erfindung ist eine einfache und kompakte Stromrichteranordnung zugänglich.
- Durch die Verwendung von Leistungsmodulen mit auflaminierten Isolationsfolien kann auf eine zusätzliche Isolierung durch Silikonverguss verzichtet werden.
- Durch die Integration verschiedener Funktionalitäten in das Stromrichtergehäuse bzw. den Innenraum des Stromrichtergehäuses erfolgt eine zusätzliche Verdichtung der Komponenten des Stromrichters .
Durch die Verwendung einer Leistungskomponente (z.B. Leistungshalbleitermodul) mit offen liegenden Kontaktstellen und einem Stromrichtergehäuse, in das die weitere Leistungskomponente und entsprechende Anschlüsse integriert sind, kann die Stromrichteranordnung durch einfaches Zusammenbringen der Leistungskomponente und des Stromrichtergehäuses hergestellt werden. Dies kann als „Lego-Prinzip" bezeichnet werden.
Anhand mehrerer Ausführungsbeispiele und der dazugehörigen Figuren wird die Erfindung im Folgenden näher beschrieben. Die Figuren sind schematisch und stellen keine maßstabsgetreuen Abbildungen dar.
Figur 1 zeigt eine Stromrichteranordnung.
Figur 2 zeigt eine Leistungskomponente in Form eines
Leistungshalbleitermoduls im seitlichen Querschnitt.
Gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel liegt eine
Stromrichteranordnung 1 mit einem Stromrichter 2 und einem Stromrichtergehäuse 3 vor (Figur 1) . Das Stromrichtergehäuse 3 ist aus einem Kunststoff. Im Innenraum 31 des Stromrichtergehäuses 3 ist eine Leistungskomponente 21 mit mehreren Leistungshalbleiterbauelementen 22 angeordnet. Die Leistungshalbleiterbauelemente 22 sind auf einem DCB-Substrat 6 zu einem Leistungshalbleitermodul 23 zusammengefasst.
Das DCB-Substrat besteht aus einer Trägerschicht 61 aus Aluminiumoxid und beidseitig aufgebrachte elektrische Leistungsschichten 62 und 63 aus Kupfer. Die Leitungsschicht 62, auf die die Leistungshalbleiterbauelemente 22 aufgelötet sind, ist zu entsprechenden Leitungsbahnen strukturiert.
Jedes der Leistungshalbleiterbauelemente 22 ist derart aufgelötet, dass eine vom Substrat 6 wegweisende Kontaktfläche 24 des Leitungshalbleiterbauelements 22 resultiert (Figur 2) . In alternativen Ausführungsformen sind die Leistungshalbleiterbauelemente aufgeklebt, mittels Niedertemperaturverbindungstechnik verbunden oder mittels einer Leitpaste lediglich elektrisch kontaktiert, also nicht mechanisch fixiert.
Zur großflächigen, planaren elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche 24 des Leistungshalbleiterbauelements 22 ist eine Isolationsfolie 7 aus Polyimid unter Vakuum auflaminert. Die Isolationsfolie 7 ist dabei derart auf dem Substrat 6 und dem Leistungshalbleiterbauelementen 22 auflaminiert, dass eine Oberflächenkontur 25 des Leistungshalbleiterbauelements 22 und eine Oberflächenkontur 64 des Substrats 6 in einer Oberflächenkontur 72 der Isolationsfolie 7 abgebildet ist, die dem Substrat 6 und dem Leistungshalbleiterbauelement 22 abgekehrt ist. Bei Verwendung einer Leitpaste erfolgt die mechanische Fixierung des Leistungshalbleiterbauelements 22 auf dem Substrat 6 durch die auflaminierte Isolationsfolie 7. Durch Öffnen eines Fensters 71 in der Isolationsfolie 7 ist der Kontakt bzw. die Kontaktfläche 24 des
Leistungshalbleiterbauelements 22 freigelegt. Das Öffnen des Fensters 71 erfolgt durch Laserablation. Die planare elektrische Kontaktierung der Kontaktfläche 24 wird durch eine mehrschichtige Abscheidung 26 von elektrisch leitendem Material erzeugt.
Durch die planare Kontaktierung der Leistungshalbleiterbauelemente 22 des Leistungshalbleitermoduls 23 ist gewährleistet, dass bestimmte Kontaktflächen 24 der Leitungshalbleiterbauelemente 22 elektrisch kontaktiert werden. Gleichzeitig ist dafür gesorgt, dass weitere, nicht dargestellte elektrische
Kontaktflächen der Leistungshalbleiterbauelemente 22 von weiteren Leistungskomponenten 81 des Stromrichters 2 elektrisch isoliert sind.
Die Leistungskomponente 21 in Form des
Leistungshalbleitermoduls 23 ist im Innenraum 31 des Stromrichtergehäuses 3 angeordnet. Dazu ist das Substrat 6 des Leistungshalbleitermoduls 23 mit dem Stromrichtergehäuse 3 lösbar miteinander verbunden. Gemäß einer ersten Ausführungsform ist das Substrat 6 nicht direkt mit dem
Stromrichtergehäuse 3 verbunden. Das Substrat 6 ist auf einer Kühlvorrichtung in Form eines Kühlkörpers 4 aufgebracht. Das Aufbringen erfolgt durch Aufkleben mit Hilfe eines thermisch leitfähigen Klebstoffs. Dieser Kühlkörper 4 ist mit dem Stromrichtergehäuse 3 verschraubt (Verschraubung 41) . Dadurch wird der indirekte, lösbare Kontakt zwischen dem Substrat 6 und dem Stromrichtergehäuse 3 hergestellt. Gemäß einer nicht dargestellten, alternativen Ausführungsform, sind das Substrat 6 und das Stromrichtergehäuse 3 direkt mit Hilfe eines Schraubkontakts miteinander verbunden. Alternativ dazu ist die lösbare Verbindung durch einen Federkontakt hergestellt.
Im Innenraum 31 des Stromrichtergehäuses 3 sind weitere Leistungskomponenten 81 des Stromrichters 2 enthalten. Eine der weiteren Leistungskomponenten 81 ist eine Stromverschienung 82 zur elektrischen Kontaktierung der Leistungshalbleiterbauelemente 22 des Leistungshalbleitermoduls 23. Eine weitere Leistungskomponente 81 des Stromrichters 2 ist auch ein Bestandteil eines für den Betrieb des Stromrichters notwendigen Zwischenkreises 83. Dieser Bestandteil ist ein Zwischenkreiskondensator 84.
Dadurch, dass in dem beschriebenen Leistungshalbleitermodul 23 eine elektrische Isolierung der Leistungskomponente 21 mit den Leistungshalbleiterbauelemente 22 durch die auflaminierte Isolationsfolie 7 gewährleistet ist, wird kein zusätzliches Gehäuse zur elektrischen Isolierung der Leistungskomponente 21 benötigt. Es genügt, ein einziges Stromrichtergehäuse 3 zur Aufnahme aller für den Stromrichter 2 benötigten Leistungskomponenten 21 und 81 bereitzustellen.
Der Innenraum 31 des Stromrichtergehäuses 3 sind weitere Komponenten 91 des Stromrichters 2 zu integriert. Diese weiteren Komponenten 91 u.a. eine elektrische Steuereinrichtung 92 (Steuergerät) .
Das Stromrichtergehäuse 3 beinhaltet zusätzlich elektrische Anschlüsse 32. Diese elektrischen Anschlüsse 32 dienen der elektrischen Kontaktierung der Leistungskomponente 21, der weiteren Leistungskomponente 81 und der elektrischen
Kontaktierung der Steuerkomponente 92, das auf einem PCB- Substrat (93) aufgebracht ist.
Zum Herstellen der Stromrichteranordnung 1 wird die Leistungskomponente 21 mit den
Leistungshalbleiterbauelementen 22 auf dem Substrat 6 bereitgestellt. Dabei sind Kontaktstellen 26 der Leistungskomponente 21 offen zugänglich. Die Leistungskomponente 21 wird auf den Kühlkörper 4 aufgeklebt.
Mit den offen liegenden Kontaktstellen 27 der Leistungskomponente 21 werden weitere Leitungskomponenten 81 des Stromrichters 2 bzw. weitere Komponenten 91 kontaktiert. Die Kontaktierung erfolgt mittels Federkontakt 28. Der so erzeugte Aufbau aus Leistungskomponente 21, weiteren Leistungskomponenten 81, weiteren Komponenten 91 und Kühlkörper 4 wird über den Kühlkörper 4 mit dem
Stromrichtergehäuse 3 verschraubt. Dabei wird der Aufbau und das Stromrichtergehäuse 3 derart zusammengebracht, dass im Innenraum 31 des Stromrichtergehäuses 3 die Leistungskomponente 21, die weitere Leistungskomponente 81 und die weitere Komponente 91 des Stromrichters 2 angeordnet sind. Der Kühlkörper 4 bildet einen Bestandteil Stromrichtergehäuses 3. Der Innenraum 31 des Stromrichtergehäuses 3 ist vom Substrat 6 der Leistungskomponente 21 bzw. des Leistungshalbleitermoduls 23 begrenzt.

Claims

Patentansprüche
1. Stromrichteranordnung (1) mit mindestens einem Stromrichter (2) und mindestens einem Stromrichtergehäuse (3) , wobei der Stromrichter (2) eine Leistungskomponente (21) mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (22) aufweist, das Stromrichtergehäuse (3) einen Innenraum (31) aufweist, in dem das Leistungshalbleiterbauelement (22) der Leistungskomponente (21) des Stromrichters (2) angeordnet ist, im Innenraum (31) des Stromrichtergehäuses (3) mindestens eine weitere Leistungskomponente (81) des Stromrichters (2) angeordnet ist und eine elektrische Kontaktfläche (24) des Leistungshalbleiterbauelements (22) und die weitere Leistungskomponente (81) des Stromrichters (2) mit Hilfe einer auf dem Leistungshalbleiterbauelement (22) angeordneten elektrischen Isolationsfolie (7) elektrisch voneinander isoliert sind.
2. Stromrichteranordnung nach Anspruch 1, wobei das Leistungshalbleiterbauelement (22) auf einem Substrat (6) angeordnet ist und die Isolationsfolie (7) derart auf dem Leistungshalbleiterbauelement (22) und dem
Substrat (6) aufgebracht ist, dass eine
Oberflächenkontur (25) des
Leistungshalbleiterbauelements (22) und/oder eine Oberflächenkontur (64) des Substrats (6) in einer
Oberflächenkontur (72) der Isolationsfolie (7) abgebildet sind, die dem Halbleiterbauelement (22) und/oder dem Substrat (6) abgekehrt ist.
3. Stromrichteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Isolationsfolie (7) auf dem Leistungshalbleiterbauelement (22) und auf dem Substrat (6) auflaminert ist.
4. Stromrichteranordnung nach Anspruch 3, wobei das Leistungshalbleiterbauelement (22) durch die
Isolationsfolie (7) auf dem Substrat (6) fixiert ist.
5. Stromrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die weitere Leistungskomponente (81) eine Stromverschienung (82) zur elektrischen Kontaktierung des Leistungshalbleiterbauelements (22) ist.
6. Stromrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die weitere Leistungskomponente (81) eine Zwischenkreiskomponente (83) eines Zwischenkreises des Stromrichters ist.
7. Stromrichteranordnung nach Anspruch 6, wobei die Zwischenkreiskomponente (83) ein Zwischenkreiskondensator (84) ist.
8. Stromrichteranordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 1, wobei das Substrat (6) den Innenraum (31) des Stromrichtergehäuses (3) begrenzt.
9. Stromrichteranordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 8, wobei das Stromrichtergehäuse (3) und das Substrat (6) lösbar miteinander verbunden sind.
10. Stromrichteranordnung nach einem der Ansprüche 2 bis 9, wobei das Substrat (6) mit einer Kühlvorrichtung (4) thermisch leitend verbunden ist.
11. Stromvorrichtung nach Anspruch 10, wobei die Kühlvorrichtung (4) ein Bestandteil des Stromrichtergehäuses (3) ist.
12. Stromrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Stromrichtergehäuse (3) mindestens einen elektrischen Anschluss (32) aufweist zur elektrischen Kontaktierung der Leistungskomponente (21) und/oder zur elektrischen Kontaktierung der weiteren Leistungskomponente (81) .
13. Stromrichteranordnung nach Anspruch 12, wobei der elektrische Anschluss (32) ein elektrischer Steueranschluss des Leistungshalbleiterbauelements (22) ist.
14. Stromrichteranordnung nach Anspruch 13, wobei der elektrische Anschluss (32) Bestandteil der Stromverschienung (82) ist.
15. Stromrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei im Innenraum (31) des Stromrichtergehäuses (3) oder außerhalb des Stromrichtergehäuses (3) eine Steuereinheit (91) zur elektrischen Steuerung des Leistungshalbleiterbauelements (22) der Leistungskomponente (21) angeordnet ist.
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DE (1) DE102004056984A1 (de)
WO (1) WO2006056555A2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112544127A (zh) * 2018-05-25 2021-03-23 米巴能源控股有限公司 具有定义的转载路径的功率结构组件和用于制造的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007033288A1 (de) * 2007-07-17 2009-01-22 Siemens Ag Elektronisches Bauelement und Vorrichtung mit hoher Isolationsfestigkeit sowie Verfahren zu deren Herstellung

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3406420A1 (de) * 1983-02-28 1984-08-30 Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A., Agrate Brianza, Mailand/Milano Halbleiter-leistungsvorrichtung mit mehreren parallel geschalteten, gleichen elementen
EP0262530A1 (de) * 1986-09-23 1988-04-06 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelemente mit Leistungs-MOSFET und Steuerschaltung
EP0379616A1 (de) * 1989-01-26 1990-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement mit übereinander montierten Halbleiterkörpern
US5637922A (en) * 1994-02-07 1997-06-10 General Electric Company Wireless radio frequency power semiconductor devices using high density interconnect
DE19617055C1 (de) * 1996-04-29 1997-06-26 Semikron Elektronik Gmbh Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise
DE19806017A1 (de) * 1997-03-05 1998-09-10 Lg Semicon Co Ltd Halbleiter-Multichip-Modul
US5994739A (en) * 1990-07-02 1999-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Integrated circuit device
DE19902462A1 (de) * 1999-01-22 2000-08-10 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Chip-on-Chip-Aufbau
DE10038968A1 (de) * 2000-08-10 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit wenigstens zwei Halbleiterkörpern und einem Kühlkörper
DE10141877A1 (de) * 2001-08-28 2003-03-27 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil und Konvertereinrichtung
WO2003030247A2 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum kontaktieren elektrischer kontaktflächen eines substrats und vorrichtung aus einem substrat mit elektrischen kontaktflächen

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3460973B2 (ja) * 1999-12-27 2003-10-27 三菱電機株式会社 電力変換装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3406420A1 (de) * 1983-02-28 1984-08-30 Sgs-Ates Componenti Elettronici S.P.A., Agrate Brianza, Mailand/Milano Halbleiter-leistungsvorrichtung mit mehreren parallel geschalteten, gleichen elementen
EP0262530A1 (de) * 1986-09-23 1988-04-06 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelemente mit Leistungs-MOSFET und Steuerschaltung
EP0379616A1 (de) * 1989-01-26 1990-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement mit übereinander montierten Halbleiterkörpern
US5994739A (en) * 1990-07-02 1999-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Integrated circuit device
US5637922A (en) * 1994-02-07 1997-06-10 General Electric Company Wireless radio frequency power semiconductor devices using high density interconnect
DE19617055C1 (de) * 1996-04-29 1997-06-26 Semikron Elektronik Gmbh Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise
DE19806017A1 (de) * 1997-03-05 1998-09-10 Lg Semicon Co Ltd Halbleiter-Multichip-Modul
DE19902462A1 (de) * 1999-01-22 2000-08-10 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Chip-on-Chip-Aufbau
DE10038968A1 (de) * 2000-08-10 2002-03-07 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit wenigstens zwei Halbleiterkörpern und einem Kühlkörper
DE10141877A1 (de) * 2001-08-28 2003-03-27 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil und Konvertereinrichtung
WO2003030247A2 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum kontaktieren elektrischer kontaktflächen eines substrats und vorrichtung aus einem substrat mit elektrischen kontaktflächen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112544127A (zh) * 2018-05-25 2021-03-23 米巴能源控股有限公司 具有定义的转载路径的功率结构组件和用于制造的方法
US11489453B2 (en) 2018-05-25 2022-11-01 Miba Energy Holding Gmbh Power module with defined charge-reversal path and production method

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004056984A1 (de) 2006-06-08
WO2006056555A3 (de) 2006-07-27

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