WO2005123987A1

WO2005123987A1 - スズ系めっき皮膜及びその形成方法

Info

Publication number: WO2005123987A1
Application number: PCT/JP2005/009784
Authority: WO
Inventors: Chun Wah Jimmy Kwok; Yim Wah Rosaline Kwok; Yutaka Nakagishi
Original assignee: Rambo Chemicals (H.K.) Ltd.; Okuno Chemical Industries Co., Ltd.
Priority date: 2004-06-21
Filing date: 2005-05-27
Publication date: 2005-12-29
Also published as: EP1767672A1; KR20070026832A; CN1969064A; EP1767672A4; TW200604387A; US20080050611A1; JP2006009039A

Abstract

　本発明は、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された下層と、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された上層からなる二層構造のめっき皮膜からなる、ウィスカー成長が抑制されたスズ系めっき皮膜を提供するものである。本発明のスズ系めっき皮膜は、鉛を含有しないスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜であり、ウィスカーの発生が長期間抑制され、しかも煩雑な工程を経ること無く比較的容易に形成することが可能である。

Description

明細書

スズ系めつき皮膜及びその形成方法

技術分野

[0001] 本発明は、ゥイスカー成長が抑制されたスズ系めつき皮膜及びその形成方法に関する。

背景技術

[0002] Sn— Pbめっきは、めっき皮膜の外観が良好で、はんだ付け性に優れ、更に、めつき浴の管理も比較的容易であることから、従来から、はんだめつきと称されて、電気- 電子部品のめっきに広く利用されている。し力しながら、近年、廃棄された電子部品のはんだが酸性雨等により溶出し、地下水の汚染源となることが指摘されている。特に、人体に有害な鉛は、作業環境や排水処理に問題があることから、鉛を含有しな V、錫合金の開発が急務となって!/、る。

[0003] はんだ付け性に優れた低融点の鉛フリー Sn合金めつきとしては、例えば、 Ag、 Cu、 Ιη、 Τ1、 Ζη等を含む錫合金めつきが知られている（例えば、下記特許文献 1参照)。

[0004] し力しながら、この様な鉛を含まない錫合金めつき液を用いてめっき皮膜を形成すると、めっき皮膜にはゥイスカーと呼ばれるひげ状の単結晶が発生しやすくなる。電気 ·電子部品等に形成しためっき皮膜にゥイスカーが発生すると、回路や端子のショートを引き起こして、電気'電子部品の性能や信頼性を著しく低下させる。このため、電気 ·電子部品のめっき皮膜では、ゥイスカーの発生を防止することが重要な課題となっている。

[0005] コストやめつき浴の管理の手間を考慮すると、スズ単独による電気めつきが有利であるが、めっき表面のゥイスカー発生による短絡を防止できないため、電気'電子部品のめっきには、通常、そのままでは利用されていない。

[0006] スズめっき又はスズ合金めつきのゥイスカー防止方法としては、めっき後に溶融処理を施す方法が知られている。し力しながら、溶融処理は、コストがかかる上、複雑な形状には不向きで被処理物の形状が限られるという問題がある。

[0007] また、めっき処理を行った後、リン酸水溶液を用いて化学的後処理を行う方法も知られている。しかしながら、スズ又はスズ合金めつき皮膜を形成した電子部品を量産する場合には、後処理液が汚染されやすぐ後処理液が一旦汚染されると、めっき皮膜の性能が低下するという問題点がある。

特許文献 1 :特開平 8— 13185号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0008] 本発明は、上記した従来技術の現状に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、鉛を含有しないスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜であって、ゥイスカーの発生が長期間抑制され、しかも煩雑な工程を経ること無く比較的容易に形成可能なスズ系めっき皮膜を提供することである。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明者は、上記した目的を達成すべく鋭意研究を重ねてきた。その結果、スズめつき皮膜又はスズ合金めつき皮膜からなる下層と、この上に形成された比較的膜厚の薄いスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜からなる上層からなる二層構造のスズ系めつき皮膜によれば、ゥイスカーの発生を長期間防止することが可能となることを見出した。更に、上層のめっき皮膜の合金組成を適宜設定することによって、全体としてのめっき皮膜の物性に大きく影響を及ぼすことなぐリフロー温度を任意に設定することが可能となることを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。

[0010] 即ち、本発明は、下記のゥイスカー成長が抑制されたスズ系めつき皮膜及びその形成方法を提供するものである。

1. コノレト、銅、ビスマス、銀及びインジウム力もなる群力選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下及びスズ 95重量％以上力ゝらなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された下層と、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群力選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下及びスズ 95重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜によって形成された上層からなる二層構造のめっき皮膜からなる、ゥイスカー成長が抑制されたスズ系めつき皮膜。

2. 下層の膜厚が 0. 1〜20 μ mであり、上層の膜厚が 0. 025〜5 μ mである上記項 1に記載のスズ系めつき皮膜。

3. 下層がつや消し又は半光沢のスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜であり、上層が光沢又は半光沢のスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜である上記項 1又は 2に記載のスズ系めつき皮膜。

4. 下層がつや消し状のスズめっき皮膜であり、上層が光沢スズ合金めつき皮膜である上記項 1〜3のいずれかに記載のスズ系めつき皮膜。

5. 二層構造のスズ系めつき皮膜の下層の下に、更に、（l) Ni若しくは Cuからなる下地めつき層、（2) Sn、 Sn—Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn—Bi合金、 Sn—Ag合金若しくは Sn— In合金力もなる下地めつき層、又は（3) Ni若しくは Cuからなるめっき層の上に、 Sn、 Sn—Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn—Bi合金、 Sn—Ag合金若しくは Sn In合金力もなるめっき層が形成された二層からなる下地めつき層、を有する上記項 1〜4のいずれかに記載のスズ系めつき皮膜。

6. 上記項 1〜5のいずれか〖こ記載されたスズ系めつき皮膜が基材上に形成された物品。

7. 基材上に、電気めつき法又は無電解めつき法によって、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウム力なる群力選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下及びスズ 95重量％以上力もなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を下層として形成した後、電気めつき法又は無電解めつき法によって、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウム力なる群力選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下及びスズ 9 5重量％以上力ゝらなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を上層として形成することを特徴とする、ゥイスカー成長が抑制されたスズ系めつき皮膜の形成方法。

8. 基材上に、ノリア層として、（l) Ni若しくは Cuからなる下地めつき層、（2) Sn、 S n—Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn—Bi合金、 Sn—Ag合金若しくは Sn— In合金からなる下地めつき層、又は（3) Ni若しくは Cu力もなるめっき層の上に、 Sn、 Sn—Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn—Bi合金、 Sn—Ag合金若しくは Sn— In合金力なるめっき層が形成された二層からなる下地めつき層を、電気めつき法又は無電解めつき法によつて形成した後、上記項 7の方法によって、下層としてのスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜を形成し、次いで、上層としてのスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成することを特徴とするスズ系めつき皮膜の形成方法。

[0011] 本発明のスズ系めつき皮膜は、コノレト、銅、ビスマス、銀及びインジウム力もなる群力も選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下とスズ 95重量％以上力もなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜によって形成された下層と、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウム力もなる群力も選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下とスズ 95重量％以上力ゝらなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜によって形成された上層からなる二層構造を有するものである。

[0012] この様な二層構造のスズ系皮膜によれば、上層として非常に膜厚の薄いスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成するだけで、下層がスズめっき皮膜及びスズ合金めつき皮膜のいずれの場合にもゥイスカーの発生を長期間抑制することができる。

[0013] 上層及び下層の各めつき皮膜は、それぞれ光沢、半光沢、つや消し状 (マット状）の何れでもよぐ目的に応じて適宜選択すればよい。

[0014] 特に、下層については、スズめっき皮膜であることが好ましい。また、下層は、半光沢又はつや消し状であることが好ましぐつや消し状であることがより好ましい。この様な半光沢又はつや消し状のスズめっき皮膜は、結晶粒径が大きく応力の緩和効果が大きいために、ゥイスカーの発生を効果的に抑制することができる。また、下層がスズ合金めつき皮膜である場合にも、上記した二層構造であることによってゥイスカーが発生し難くなり、更に、リフロー温度の変動や、ハンダ付け性の低下、クラッキング発生などの問題が生じ難くなる。このため、スズ合金めつき皮膜のみを形成する場合と比較して、合金組成についての厳密な制御が不要となり、めっき操作が容易となる。

[0015] 上層は、光沢又は半光沢のスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜であることが好ましぐ特に光沢めつき皮膜であることが好ましい。このような光沢又は半光沢めつき皮膜は、結晶粒径が小さいために細孔を塞ぐことができる。また、比較的硬度の高い皮膜であるために、皮膜の表面にキズが付き難い。これらにより、ゥイスカーの発生をより一層効果的に防止することができる。

[0016] 下層が半光沢又はつや消し状のスズ又はスズ合金めつき皮膜であって、上層として光沢又は半光沢のスズ又はスズ合金めつき皮膜を形成する場合には、全体としての硬度を増加させることなぐ内部応力及びクラックの発生を抑制することができる。特に、下層がつや消し状のスズめっき皮膜であり、上層が光沢スズ合金めつき皮膜であることが好ましい。

[0017] また、上層としてスズ合金めつき皮膜を形成する場合には、スズ合金の合金組成を調整することによって、リフロー温度を任意に設定することができ、使用目的に応じたリフロー温度の皮膜を容易に得ることができる。この場合、全体をスズ合金めつき単層で形成する場合と比較して、上層として形成されるスズ合金めつき層の膜厚が薄いために、合金組成が比較的安定であり、リフロー温度の制御が容易である。また、この様な構成によれば、上層として非常に膜厚の薄いスズ合金層を形成すればよいために、下層として形成されるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜の物性に対して大きな影響を及ぼすことなぐリフロー温度のみを任意に設定することができる。

[0018] 上層として形成される光沢又は半光沢のスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜は、例えば、粒度調整剤などの添加剤を含む公知のスズめっき浴又はスズ合金めつき浴を用いて形成することができる。

[0019] 下層として形成するスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜の膜厚については、特に限定的ではないが、通常、 0. 1〜20 /ζ πι程度とすることが好ましい。特に、被めつき物がコネクターである場合には、下層は 1. 5〜5 m程度であることが好ましぐ 2. 5〜5 m程度であることがより好ましい。被めつき物が IC部品、リードフレームなどである場合には、下層は 8〜20 m程度であることが好ましぐ 10〜15 m程度であることがより好ましい。

[0020] また、上層として形成するスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜の膜厚についても特に限定的ではないが、下層と比べて膜厚を薄くすることが好ましぐ通常、 0. 02 5〜5 m程度とすることが好ましい。尚、上層の膜厚は、上記した範囲内であって、下層の膜厚の 50%程度以下であることが好ましぐ 25%程度以下であることがより好ましい。

[0021] 上記した二層構造のスズ系めつき皮膜において、スズめっき皮膜及びスズ合金めつき皮膜を形成する方法については特に限定はなぐ従来力公知のスズめっき浴又はスズ合金めつき浴を用いて、常法に従って目的とするスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜を形成すればよい。めっき浴の種類としては、電気めつき浴及び無電解めつき浴のいずれでもよい。

[0022] 例えば、電気めつき浴としては、有機スルホン酸浴、硫酸浴、ピロリン酸浴、酒石酸浴等の各種の公知のスズめっき浴、スズ合金めつき浴等を用いることができる。これらの各めつき浴の具体的な組成については特に限定的ではなぐ目的とするスズめつき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成できるものであれば何れも使用できる。

[0023] 有機スルホン酸浴としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、メタノールスルホン酸、エタノールスルホン酸、フエノールスルホン酸、ナフトールスルホン酸などを含有するめつき浴を用いることができる。電気スズめっき液の浴組成の一例として、メタンスルホン酸浴の組成例を挙げると、次の通りである。

[0024] メタンスノレホン酸 100〜250mlZl

メタンスルホン酸スズ（300gZl水溶液として）

100〜350mlZl

光沢剤 0. l〜2gZl

湿潤剤 30〜： LOOOgZl

添加剤 (粒度調整剤） 0. l〜5gZl

スズ合金めつき皮膜を形成する場合には、上記したスズめっき液に、更に、スズと合金化するための金属成分を含むメタンスルホン酸金属塩等の金属塩を添加すればよい。例えば、スズ一コバルト合金を形成する場合には、メタンスルホン酸コバルト等のコバルト塩を、金属分の濃度として、 20mgZl〜1500mgZl程度の範囲で添加すればよい。この様な添加量の範囲から、目的とする合金組成に応じて、金属塩の添カロ量を適宜決めればよい。

[0025] めっき条件についても特に限定的ではないが、例えば、浴温を 5〜65°C程度として

、陰極電流密度を l〜50AZdm²程度とすればよい。

[0026] また、フープ、噴流などによる高速めつき法を採用してもよぐノレスめつき法を採用しても良い。

[0027] スズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成するための前処理については、特に限定はなく常法に従えばよい。

[0028] 例えば、常法に従って脱脂処理を行!、、必要に応じて、化学研磨、エッチング等を行った後、下層としてのスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成し、引き続き上層としてのスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成すればよい。

[0029] 上記した二層構造力なるスズ系めつき皮膜と基材との間には、必要に応じて、ノリァ層として、 Ni又は Cu力もなる下地めつき層、又は Sn、 Sn— Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn— Bi合金、 Sn—Ag合金若しくは Sn— In合金力もなる下地めつき層を形成しても良い。或いは、 Ni又は Cuからなる下地めつき層を形成した後、 Sn、 Sn— Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn— Bi合金、 Sn— Ag合金又は Sn— In合金力なる下地めつき層を形成しても良い。

[0030] これらの内で、 Ni又は Cuからなる下地めつき層は、結晶粒径の大きい半光沢又はつや消し状であることが好ましい。この様な下地めつき層を形成することによって、応力を緩和する効果がより大きくなる。更に、該下地めつき層は、基材と一緒になつて中間金属層を形成し、基材からの内部応力、基材等からの浸入力等によるウイスカ一の成長を抑制することができる。 Ni又は Cu力もなる下地めつき層の厚さは、 0. 1〜 10 μ m程度であることが好ましぐ 0. 1〜2 μ m程度であることがより好ましい。

[0031] Sn、 Sn—Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn—Bi合金、 Sn—Ag合金又は Sn—In合金からなる下地めつき層は、結晶粒径の小さい光沢又は半光沢のめっき皮膜であることが好ましい。この様な下地めつき層を形成することによって細孔を塞ぐことができ、ウイスカーの成長を抑制することができる。また、製造装置や組み立て工程の関係等により、ノリア層として Niめっき層を形成できない場合には、この下地めつき層と基材とから中間金属層が形成され、基材からの内部応力、基材等からの浸入力等によるゥイスカーの成長を抑制することができる。 Sn、 Sn— Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn— Bi合金、 Sn— Ag合金又は Sn— In合金からなる下地めつき層の厚さは、 0. 01〜3 /ζ πι程度であることが好ましぐ 0. 01〜1 m程度であることがより好ましい。また、 Sn—Co 合金、 Sn— Cu合金、 Sn— Bi合金、 Sn— Ag合金及び Sn— In合金におけるスズの含有率は、 60重量％程度以上であることが好まし、。

[0032] バリア層としての下地めつき層の形成方法については特に限定はなぐ従来から公知のめっき浴を用いて、常法に従って目的とするめつき皮膜を形成すればよい。めつき浴の種類としては、電気めつき浴及び無電解めつき浴の、ずれでもよ、。 [0033] 被めつき物の材質については特に限定はなぐ上記しためっき皮膜を形成可能な材質であればよい。例えば、銅、銅合金、鉄、鉄合金等を例示できる。また、非導電性材料に電気めつきを行う場合には、例えば、無電解めつき等により表面を金属で被覆して導電性を付与した後、電気めつきを行えばよ!、。

[0034] 被めつき物の種類、形状などについても特に限定的ではないが、例えば、リードフレーム、半導体パッケージ、チップ部品等のはんだ付けが要求される電子部品が代表的な被めつき物である。

[0035] また、上記した方法によって二層構造のスズ系めつき皮膜を形成した後、必要に応じて、化学的後処理を行うことができる。

[0036] 化学的後処理としては、公知の方法に従えば良ぐ例えば、第三リン酸ソーダを 30

〜70gZl程度含有する水溶液中に 30〜50°C程度で 5秒〜 60秒程度浸漬する方法を例示できる。

発明の効果

[0037] 本発明の二層構造のスズ系めつき皮膜によれば、従来のスズ又はスズ合金の単層力もなるめっき皮膜と比較して、ゥイスカーの成長を大きく抑制することができ、信頼性の高い電気.電子部品を得ることができる。

[0038] 特に、この様な構成において、上層がスズ合金めつき皮膜である場合には、膜厚が薄いために合金組成が安定ィ匕され、リフロー温度の制御が容易となる。また、スズ合金めつき皮膜の膜厚が薄いために、下層のめっき皮膜の物性などにほとんど影響を及ぼすことなぐリフロー温度のみを調整することが可能である。

[0039] また、下層として、半光沢又はつや消し状 (無光沢）のスズめっき皮膜又はスズ合金めっき層を形成し、この上に、半光沢又は光沢のスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成する場合には、下層として存在する膜厚の厚い半光沢又はつや消しめつき層の存在により、全体としての応力が緩和され、更に、硬度の高い表面層の存在によって、キズが付きに《なり、ゥイスカーの成長防止効果が極めて良好となる。

図面の簡単な説明

[0040] [図 1]真鍮板上に純スズめっき層とスズ—コバルトめっき層を形成した試料を室温で放置した後の走査型電子顕微鏡 (SEM)写真の電子データをプリントアウトした図面 [図 2]真鍮板上に純スズめっき層を形成した試料を室温で放置した後の走査型電子顕微鏡 (SEM)写真の電子データをプリントアウトした図面。

[図 3]リン青銅板上につや消し状のスズめっき層とスズ—コバルト合金めつき層を形成した試料を高湿、高温条件下に放置した後のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡写真の電子データをプリントアウトした図面。発明を実施するための最良の形態

[0041] 以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。

[0042] 実施例 1

基材として 6. 5 X 10cmの真鍮板を用い、電解脱脂処理を行った後、酸水溶液中に常温で 1分間浸漬して活性化処理を行い、次いで、メタンスルホン酸 70%水溶液を 1 0重量％の濃度で含有する水溶液中に浸漬した。

[0043] 次!、で、下記組成の電気スズめっき浴を用いて、厚さ約 3 μ mの光沢スズめっき皮膜を形成した。

(スズめっき浴組成）

メタンスノレホン酸 175ml/l

メタンスノレホン酸スズ 45gZl (スズ金属量として）

湿潤剤 lOOgZl

光沢剤 0. 3g/l

添加剤 (粒度調整剤） 0. 5g/l

(めっき条件）

浴温：室温

陰極電流密度： 1 OA/dm²

めっき時間： 1分

次いで、下記組成の電気スズーコバルトめっき浴を用いて、厚さ 1. 25 /z mのスズ —コバルトめっき皮膜を形成した。合金めつき皮膜の組成は、スズ 99. 5重量％とコノノレト 0. 5重量⁰ /。であった。

(スズコバルトめっき浴組成）メタンスルホン酸コバルト 400mg/l (コバルト金属量として) 硫酸スズ 45gZl (スズ金属量として)

98%H SO lOOml/1

2

湿潤剤 80g/l

光沢剤 0. 3g/l

添加剤 (粒度調整剤) 0. 5g/l

(めっき条件）

浴温： 15°C

陰極電流密度： 15A/dm²

めっき時間： 0. 3分

以上の方法によって、真鍮板上に、厚さ約 3 mの純スズめっき層と厚さ 1. 25 m のスズーコバルトめっき層からなる二層構造のスズ系めつき皮膜を形成した。

[0044] この様にして得られた試料について、室温で 5ヶ月放置した後のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡 (SEM)写真（500倍)を図 1に示す。

[0045] また、比較として、上記方法と同様にして、真鍮板上に厚さ 3 μ mの純スズめっき皮膜のみを形成した試料について、室温で 5ヶ月放置した後のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡 (SEM)写真（500倍)を図 2に示す。

[0046] 図 1と図 2の比較から明らかなように、純スズめっき皮膜のみを形成した試料（図 2) では、 5ヶ月経過後に多数のゥイスカーが発生したのに対して、純スズめっき層上に非常に膜厚の薄いスズ一コバルトめっき層を形成した試料（図 1)については、 5ヶ月経過後にも、ほとんどゥイスカーが発生して、な、ことが判る。

[0047] 実施例 2

基材として 6. 5 X 10cmのリン青銅板を用い、実施例 1と同様の方法で前処理を行つた後、下記組成の電気スズめっき浴を用いて、厚さ約 11 mのつや消し (無光沢)スズめっき層を形成した。

(つや消しスズめつき浴組成）

メタンスノレホン酸 175ml/l

メタンスノレホン酸スズ 45gZl (スズ金属量として）添加剤 (粒度調整剤） 0. 5g/l

(めっき条件）

浴温：室温

陰極電流密度： 1 OA/dm²

めっき時間： 2. 4分

次いで、実施例 1と同様の条件で、上層として厚さ 1. 25 mのスズ一コバルト合金めっき層を形成した。

得られた試料はつや消し状の外観を有するものである力上層として結晶粒径が小さく硬度の高いスズ一コバルト合金めつき層が存在することによって、皮膜の表面硬度が高くなつており、非常にキズが付きにくいものであった。この試料を湿度 85%、温度 85°Cの高湿、高温条件下に、 500時間放置した後のめっき皮膜表面の走査型電子顕微鏡写真（300倍)を図 3に示す。この写真から明らかな様に、つや消し状のスズめっき層上にスズーコバルト合金からなる上層を形成した試料についても、優れたゥイスカーの成長抑制効果を有することが確認できた。

Claims

請求の範囲

[1] コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウム力なる群力選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下及びスズ 95重量％以上力もなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜によって形成された下層と、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウム力もなる群力も選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下及びスズ 95重量％以上力もなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜によって形成された上層からなる二層構造のめつき皮膜からなる、ゥイスカー成長が抑制されたスズ系めつき皮膜。

[2] 下層の膜厚が 0. 1〜20 μ mであり、上層の膜厚が 0. 025-5 μ mである請求項 1に記載のスズ系めつき皮膜。

[3] 下層がつや消し又は半光沢のスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜であり、上層が光沢又は半光沢のスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜である請求項 1に記載のスズ系めつき皮膜。

[4] 下層がつや消し状のスズめっき皮膜であり、上層が光沢スズ合金めつき皮膜である請求項 1に記載のスズ系めつき皮膜。

[5] 二層構造のスズ系めつき皮膜の下層の下に、更に、（l) Ni若しくは Cuからなる下地めっき層、（2) Sn、 Sn—Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn—Bi合金、 Sn—Ag合金若しくは Sn— In合金力もなる下地めつき層、又は（3) Ni若しくは Cuからなるめっき層の上に、 Sn、 Sn—Co合金、 Sn— Cu合金、 Sn—Bi合金、 311—八₈合金若しくは311—111 合金力なるめっき層が形成された二層からなる下地めつき層、を有する請求項 1に記載のスズ系めつき皮膜。

[6] 請求項 1〜5のいずれかに記載されたスズ系めつき皮膜が基材上に形成された物品

[7] 基材上に、電気めつき法又は無電解めつき法によって、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウム力なる群力選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下及びスズ 9 5重量％以上力ゝらなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を下層として形成した後、電気めつき法又は無電解めつき法によって、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジゥム力なる群力選択される少なくとも一種の金属 5重量％以下及びスズ 95重量 %以上カゝらなるスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を上層として形成することを特徴とする、ゥイスカー成長が抑制されたスズ系めつき皮膜の形成方法。

基材上に、バリア層として、（l) Ni若しくは Cuからなる下地めつき層、（2) Sn、 Sn-C o合金、 Sn— Cu合金、 Sn—Bi合金、 Sn—Ag合金若しくは Sn—In合金からなる下地めつき層、又は（3) Ni若しくは Cu力もなるめっき層の上に、 Sn、 Sn— Co合金、 Sn — Cu合金、 Sn—Bi合金、 Sn—Ag合金若しくは Sn—In合金力もなるめっき層が形成された二層からなる下地めつき層を、電気めつき法又は無電解めつき法によって形成した後、請求項 7の方法によって、下層としてのスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成し、次いで、上層としてのスズめっき皮膜又はスズ合金めつき皮膜を形成することを特徴とするスズ系めつき皮膜の形成方法。