単極単投スィ ッチ、 単極双投スィ ッチ及び多極多投スィ ッチ 技術分野
この発明は、 高周波信号の伝播を制御する単極単投スィ ッチ、 単極双 投スィ ツチ及び多極多投スィ ツ明チに関するものである。 背景技術 書
第 1図は例えば、 "H i gh— p owe r mi c r owav e t r a n s m i t— r e c e i v e sw i t c h w i t h s e r i e s a nd s hun t G a A s F E T s" , I E I CE T r a n s . E L E C TR ON, F e b . 1 9 9 2に示された従来の単極双 投スィ ッチを示す回路図である。
第 1図に示す単極双投スィ ッチは、 入力端子 l a、 出力端子 l b、 出 力端子 l c、 F E T (電界効果トランジスタ) 2 a、 F E T 2 b、 イ ン ダク夕 3 a、 インダク夕 3 b、 線路 4及びグラン ド 5を備えている。 F E T 2 aの ドレイ ンは入力端子 l aに接続され、 ソースは出力端子 l c に接続されている。 インダク夕 3 aの一方の端子は入力端子 1 aに接続 され、 他方の端子は出力端子 1 cに接続されている。 線路 4の一方の端 子は入力端子 1 aに接続され、 他方の端子は出力端子 1 bに接続されて いる。 F E T 2 bのドレイ ンは出力端子 1 bに接続され、 ソースはグラ ン ド 5に接続されている。 イ ンダク夕 3 bの一方の端子は出力端子 1 b に接続され、 他方の端子はグラン ド 5に接続されている。
次に動作について説明する。
第 1図において、 F E T 2 a及び F E T 2 bはゲートに印加する電圧
によりオン状態とオフ状態を切り換えるスィ ッチとして動作する。 F E T 2 aのゲートに ドレイン電圧及びソース電圧と同電位のゲート電圧を 印加すると、 F E T 2 aはオン状態となり抵抗性を示す。 一方、 F E T 2 aのゲートにピンチオフ電圧以下の電圧を印加すると、 F E T 2 aは オフ状態となり容量性を示す。 F E T 2 bも同様の動作をする。
第 2図は第 1図における F E T 2 a及び F E T 2 bをオフ状態とした ときの等価回路図である。 第 2図に示すように、 FE T 2 aをオフ状態 としたときには、 F E T 2 aのドレイン又はソース 6 aとソース又は ド レイン 6 bとの間に、 並列に接続されたオフ容量 9、 オフ抵抗 1 0と、 寄生インダク夕 8とが直列に接続された状態となる。 F E T 2 bをオフ 状態としたときも同様である。
第 3図は第 1図における FE T 2 a及び F E T 2 bをオン状態とした ときの等価回路図である。 第 3図に示すように、 F E T 2 aをオン状態 としたときには、 F E T 2 aの ドレイ ン又はソース 6 aとソース又は ド レイン 6 bとの間に、 オン抵抗 7及び寄生ィンダクタ 8が直列に接続さ れた状態となる。 F E T 2 bをオン状態としたときも同様である。
第 1図において、 F E T 2 a及び F E T 2 bをオフ状態にした場合、 すなわち、 F E T 2 a及び F E T 2 bの等価回路図が第 2図である場合 を考える。 この単極双投スィ ツチの使用周波数 f 1において、 寄生ィ ン ダク夕 8のリアクタンス成分がオフ容量 9のリアクタンス成分に比べて 十分小さく、 オフ抵抗 1 0が十分大きく、 f 1 = 1 / ~ ( F E T 2 aの オフ容量 9のキャパシタンス) X (イ ンダク夕 3 aのイ ンダク夕ンス) = 1 /Γ ( F Ε Τ 2 bのオフ容量 9のキャパシタンス) X (イ ンダク タ 3 bのイ ンダク夕ンス) の関係である場合、 入力端子 1 aから見た出力 端子 1 bのインピーダンスは低くなり、 入力端子 1 aから見た出力端子 l cのインピーダンスは高くなる。 このとき、 入力端子 1 aから入力さ
れた高周波信号は出力端子 1 bに出力される。
また、 第 1図において、 F E T 2 a及び F E T 2 bをオン状態にした 場合、 すなわち、 F E T 2 a及び F E T 2 bの等価回路図が第 3図であ る場合を考える。 このとき、 入力端子 1 aから見た出力端子 1 bのイン ビーダンスは高くなり、 入力端子 1 aから見た出力端子 1 cのインピー ダンスは低くなる。 このとき、 入力端子 1 aから入力された高周波信号 は出力端子 1 cに出力される。
従来の単極双投スィ ツチは以上のように構成されており、 高耐電力を 得るために F E T 2 a及び F E T 2 bのゲート幅を大きくすると、 寄生 インダク夕 8のリアクタンス成分がオフ容量 9のリアクタンス成分に対 して無視できない大きさになり、 かつ、 オフ抵抗 1 0が小さくなるため に、 F E T 2 a及び F E T 2 bをオフ状態にしたときに入力端子 1 aか ら出力端子 1 bに伝播する高周波信号の伝播損失が大きくなり、 入力端 子 1 aから出力端子 1 cへの高周波信号のアイソレーションが低下する という課題があつた。
この従来例では、 単極双投スィ ッチについて述べて'いるが、 単極単投 スィツチや多極多投スィ ツチでも同様の課題があつた。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、 マイ クロ波帯又はミ リ波帯にて、 高耐電力でかつ高周波信号の伝播損失が少 なくアイソレーションが低下しない特性を持つ単極単投スィ ッチ、 単極 双投スィ ツチ及び多極多投スィ ツチを得ることを目的とする。 発明の開示
この発明に係る単極単投スィ ツチは、 入力端子と出力端子間の高周波 信号の伝播を制御するものにおいて、 電界効果トランジスタの ドレイン 及びソースにインダク夕を並列に接続した第 1の電界効果トランジスタ
スィ ツチを複数個並列に接続し、 上記各電界効果トランジスタのゲート に印加する電圧により上記各電界効果トランジス夕のオン状態とオフ状 態を切り換え、 上記高周波信号の周波数において、 上記各電界効果トラ ンジス夕のオフ容量とそれそれ接続されている上記各ィンダク夕が並列 共振するように構成するものである。
この発明により、 高耐電力でかつ入力端子から出力端子への高周波信 号の伝播損失を小さくすることができ、 入力端子から出力端子への高周 波信号のアイソレーションを低下させないという効果が得られる。 図面の簡単な説明
第 1図は従来の単極双投スィ ツチを示す回路図である。
第 2図は第 1図における電界効果トランジス夕をオフ状態としたとき の等価回路図である。
第 3図は第 1図における電界効果トランジス夕をオン状態としたとき の等価回路図である。
第 4図はこの発明の実施の形態 1による単極単投スィ ツチの構成を示 す回路図である。
第 5図は第 4図における電界効果トランジスタをオフ状態としたとき の等価回路図である。
第 6図は第 4図における電界効果トランジスタをオン状態としたとき の等価回路図である。
第 7図はこの発明の実施の形態 2による単極単投スィ ツチの構成を示 す回路図である。
第 8図は第 7図における電界効果トランジスタをオフ状態にしたとき の等価回路図である。 .
第 9図は第 7図における電界効果トランジスタをオン状態としたとき
の等価回路図である。
第 1 0図はこの発明の実施の形態 3による単極単投スィ ツチの構成を 示す回路図である。
第 1 1図は第 1 0図における電界効果トランジスタをオフ状態にした ときの等価回路図である。
第 1 2図は第 1 0図における電界効果トランジス夕をオン状態とした ときの等価回路図である。
第 1 3図はこの発明の実施の形態 4による単極単投スィ ツチの構成を 示す回路図である。
第 1 4図は第 1 3図における電界効果トランジスタをオフ状態とした ときの等価回路図である。
第 1 5図は第 1 3図における電界効果トランジスタをオン状態とした ときの等価回路図である。
第 1 6図はこの発明の実施の形態 5による単極単投スィ ツチの構成を 示す回路図である。
第 1 7図は第 1 6図における電界効果トランジスタをオフ状態とした ときの等価回路図である。
第 1 8図は第 1 6図における電界効果トランジス夕をオン状態とした ときの等価回路図である。
第.1 9図はこの発明の実施の形態 6による単極単投スィ ツチの構成を 示す回路図である。
第 2 0図は第 1 9図における電界効果トランジスタをオフ状態とした ときの等価回路図である。
第 2 1図は第 1 9図における電界効果トランジスタをオン状態とした ときの等価回路図である。
第 2 2図はこの発明の実施の形態 Ίによる単極双投スィ ツチの構成を
示す回路図である。
第 2 3図は第 2 2図における電界効果トランジスタをオフ状態とした ときの等価回路図である。
第 24図は第 2 2図における電界効果トランジスタをオン状態とした ときの等価回路図である。
第 2 5図はこの発明の実施の形態 8による多極多投スィ ツチの構成を 示す回路図である。
第 2 6図は第 2 5図の多極多投スィ ツチの動作を説明する図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 この発明をより詳細に説明するために、 この発明を実施するた めの最良の形態について、 添付の図面に従って説明する。
実施の形態 1..
第 4図はこの発明の実施の形態 1による単極単投スィ ツチの搆成を示 す回路図である。 第 4図に示す単極単投スィ ツチは、 入力端子 1 1 a、 出力端子 l i b、 F E T (電界効果トランジスタ) 1 2 a、 F E T 1 2 b、 イ ンダク夕 1 3 a及びイ ンダク夕 1 3 bを備えている。 FE T 1 2 aとイ ンダク夕 1 3 aの並列接続により第 1の F E Tスィ ツチ 1 4 aを 構成し、 F E T 1 2 bとイ ンダク夕 1 3 bの並列接続により第 1の F E Tスイ ッチ 1 4 bを構成しており、 F E Tスイ ッチ 1 4 a, 14 bの一 方の端子は入力端子 1 1 aに接続され、 他方の端子は出力端子 1 1 bに 接続されている。 このように、 この実施の形態 1では、 第 1の F E Tス イ ッチ 1 4 aと第 1の F E Tスイ ッチ 1 4 bを並列に接続している。
F E T 1 2 a、 F E T 1 2 bを 2個並列に接続することにより、 同じ 耐電力を得るための各ゲ一ト幅を 1 /2にすることができ、 各ゲート幅 を 1/2にすることにより、 この単極単投スィ ツチの使用周波数: にお
いて、 F E T 1 2 a、 F E T 1 2 bの寄生イ ンダク夕のリアクタンス成 分をオフ容量のリアクタンス成分に比べて十分小さ く、 かつオフ抵抗を 十分大きくすることができる。
ここで、 F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bの ドレイ ンは入力端子 1 1 a 又は出力端子 1 1 bに接続してもよく、 F E T 1 2 a及び F E T 1 2 b のソースは出力端子 1 1 b又は入力端子 1 1 aに接続してもよい。
次に動作について説明する。
第 4図において、 F E T 2 a及び F E T 2 bはゲー トに印加する電圧 によ りオン状態とオフ状態を切り換えるスィ ッチとして動作する。
第 5図は第 4図における F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bをオフ状態と したときの等価回路図である。 第 5図に示すように、 F E T 1 2 aをォ フ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容量 1 5 a、 オフ抵抗 1 7 aと、 寄生ィ ンダク夕 1 6 aとが直列に接続された状態となり、 F E T 1 2 bをオフ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容量 1 5 b 、 オフ抵抗 1 7 bと、 寄生ィ ンダク夕 1 6 bとが直列に接続された状態 となる。
この単極単投スィ ツチの使用周波数 f において、 寄生ィ ンダク夕 1 6 a, 1 6 bのリアクタンス成分がオフ容量 1 5 a, 1 5 bのリアク夕ン ス成分に比べて十分小さ く、 かつオフ抵抗 1 7 a , 1 7 bが十分大き く なっており、 f = 1 / (ォフ容量 1 5 aのキャパシタンス) X (イ ン ダク夕 1 3 aのイ ンダク夕ンス) = 1 / (オフ容量 1 5 bのキャパシ 夕ンス) X (イ ンダク夕 1 3 bのイ ンダク夕ンス) の関係である場合、 すなわち、 使用周波数: f において、 オフ容量 1 5 aと並列共振するよう なイ ンダク夕 1 3 aを接続し、 オフ容量 1 5 b と並列共振するようなィ ンダク夕 1 3 bを接続することによ り、 入力端子 1 1 aから見た出力端 子 1 l bのイ ンピーダンスは高くなる。 このとき、 入力端子 1 l aから
入力された高周波信号は出力端子 1 1 bに出力されず、 入力端子 1 l a から出力端子 1 1 bへの高周波信号のアイソレーシヨンは低下しない。 第 6図は第 4図における F E T 1 2 a及び: F E T 1 2 bをオン状態と したときの等価回路図である。 第 6図に示すように、 F E T 1 2 aをォ ン状態としたときには、 オン抵抗 1 8 a及び寄生ィンダク夕 1 6 aが直 列に接続された状態となり、 F E T 1 2 bをオン状態としたときには、 オン抵抗 1 8 b及び寄生ィンダク夕 1 6 bが直列に接続された状態とな る o
この場合、 第 1の F E Tスイ ッチ 14 a, 1 4 bが並列に接続されて いることにより、 入力端子 1 1 aから見た出力端子 1 1 bのインピ一ダ ンスは低くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号 は出力端子 1 1 bに出力され、 入力端子 1 1 aから出力端子 l i bへの 高周波信号の伝播損失を小さくすることができる。
この実施の形態 1では、 高周波信号を入力端子 1 1 aから入力し出力 端子 1 1 bへの出力を制御しているが、 高周波信号を出力端子 1 1わか ら入力し入力端子 1 1 aへ出力する場合にも同様に制御可能である。 また、 この実施の形態 1では、 2個の第 1の F E Tスイ ッチ 1 4 a, 1 4 bを並列に接続し、 各 F E T 1 2 a, 1 2 bのゲート幅を 1/2に しているが、 2個以上の複数個の第 1の F E Tスイ ッチを並列に接続し て、 F E Tの数に応じてゲート幅を狭く してもよい。
以上のように、 この実施の形態 1によれば、 第 1の F E Tスイ ッチ 1 4 a , 1 4 bを 2個並列に接続することにより、 同じ耐電力を得るため の各ゲート幅を 1/2にすることができ、 この単極単投スィ ツチの使用 周波数 f において、 FE T 1 2 a、 F E T 1 2 bの寄生インダク夕 1 6 a, 1 6 bのリアクタンス成分をオフ容量 1 5 a, 1 5 bのリアク夕ン ス成分に比べて十分小さく、 かつオフ抵抗 1 7 a, 1 7 bを十分大きく
することができ、 オフ容量 1 5 a, 1 5 bと並列共振するようなインダ クタ 1 3 a, 1 3 bを接続することにより、 高耐電圧で入力端子 1 1 a から出力端子 1 1 bへの高周波信号のアイソレーシヨンを低下させない と共に、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号の伝播損失 を小さくすることができるという効果が得られる。 実施の形態 2.
第 7図はこの発明の実施の形態 2による単極単投スィ ツチの構成を示 す回路図である。 第 7図に示す単極単投スィ ッチは、 実施の形態 1の第 4図に示す単極単投スィ ツチと同様に、 入力端子 1 1 a、 出力端子 1 1 b、 F E T 1 2 a , F E T 1 2 b、 イ ンダク夕 1 3 a、 イ ンダク夕 1 3 bを備えて、 F E T 1 2 aとイ ンダクタ 1 3 aの並列接続により第 1の F E Tスイ ッチ 1 4 aを構成し、 F E T 1 2 bとインダクタ 1 3 bの並 列接続により第 1の FE Tスイ ッチ 1 4 bを構成しているが、 入力端子 1 1 aと出力端子 1 1 bが直接に接続され、 第 1の E E Tスイ ッチ 1 4 a及び第 1の F E Tスィ ッチ 1 4 bの一方の端子は入力端子 1 l aと出 力端子 1 1 bに接続され、 他方の端子はグラン ド 1 9に接続されている 点が異なっている。 このように、 この実施の形態 2では、 第 1の F E T スイ ッチ 1 4 aと第 1の F E Tスイ ッチ 14 bを並列に接続している。
F E T 1 2 a、 F E T 1 2 bを 2個並列に接続することにより、 同じ 耐電力を得るための各ゲ一ト幅を 1 / 2にすることができ、 各ゲート幅 を 1/2にすることにより、 この単極単投スィ ツチの使用周波数 f にお いて、 F E T 1 2 a、 F E T 1 2 bの寄生インダク夕のリアクタンス成 分をオフ容量のリアクタンス成分に比べて十分小さく、 かつオフ抵抗を 十分大きくすることができる。
ここで、 F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bの ドレイ ンは入力端子 1 1 a
又はグラン ド 1 9に接続してもよく、 F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bの ソースはグラン ド 1 9又は入力端子 1 l aに接続してもよい。
次に動作について説明する。
第 7図において、 F E T 2 a及び F E T 2 bはゲートに印加する電圧 によりオン状態とオフ状態を切り換えるスィ ッチとして動作する。
第 8図は第 7図における F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bをオフ状態に したときの等価回路図である。 第 8図に示すように、 F E T 1 2 aをォ フ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容量 1 5 a、 オフ抵抗 1 7 aと、 寄生ィンダク夕 1 6 aとが直列に接続された状態となり、 F E T 1 2 bをオフ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容量 1 5 b 、 オフ抵抗 1 7 bと、 寄生インダク夕 1 6 bとが直列に接続された状態 となる。
この場合、 この単極単投スィ ッチの使用周波数 f において、 寄生イ ン ダク夕 1 6 a, 1 6 bのリアクタンス成分がオフ容量 1 5 a , 1 5 の リアクタンス成分に比べて十分小さく、 かつオフ抵抗 1 7 a, 1 7 bが 十分大きくなつており、 f = l / (オフ容量 1 5 aのキャパシタンス ) X (イ ンダク夕 1 3 aのイ ンダク夕ンス) = 1 / (オフ容量 1 5 b のキャパシタンス) X (イ ンダク夕 1 3 bのイ ンダク夕ンス) の関係で ある場合、 すなわち、 使用周波数 f において、 オフ容量 1 5 aと並列共 振するようなイ ンダク夕 1 3 aを接続し、 オフ容量 1 5 bと並列共振す るようなインダク夕 1 3 bを接続することにより、 入力端子 1 1 aから 見たグラン ド 1 9のインピーダンスは高くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号は出力端子 1 1 bに出力され、 高周波信 号の伝播損失を小さくすることができる。
第 9図は第 7図における F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bをオン状態と したときの等価回路図である。 第 9図に示すように、 F E T 1 2 aをォ
ン状態としたときには、 オン抵抗 1 8 a及び寄生ィンダク夕 1 6 aが直 列に接続された状態となり、 F E T 1 2 bをオン状態としたときには、 . オン抵抗 1 8 b及び寄生ィンダク夕 1 6 bが直列に接続された状態とな る ο
この場合、 第 1の F E Tスイ ッチ 1 4 a , 1 4 bが並列に接続されて いることにより、 入力端子 1 1 aから見たグラン ド 1 9のインピーダン スは低くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号は グラン ド 1 9に伝搬し出力端子 1 1 bに出力されず、 入力端子 1 1 aか ら出力端子 1 1 bへの高周波信号のアイソレーシヨンを低下させない。 この実施の形態 2では、 高周波信号を入力端子 1 1 aから入力し出力 端子 1 1 bへの出力を制御しているが、 高周波信号を出力端子 1 1 bか ら入力し入力端子 1 1 aへ出力する場合も同様に制御可能である。
また、 この実施の形態 2では、 2個の第 1の F E Tスイ ッチ 1 4 a, 1 4 bを並列に接続し、 各 F E T 1 2 a, 1 2 bのゲート'幅を 1 2 に しているが、 2個以上の複数個の第 1の F E Tスィ ヅチを並列に接続し て、 F E Tの数に応じてゲート幅を狭く してもよい。
以上のように、 この実施の形態 2によれば、 第 1の F E Tスイ ッチ 1 4 a, 1 4 bを 2個並列に接続することにより、 同じ耐電力を得るため の各ゲート幅を 1 / 2にすることができ、 この単極単投スィ ツチの使用 周波数: f において、 F E T 1 2 a、 F E T 1 2 bの寄生インダク夕 1 6 a , 1 6 bのリアクタンス成分をオフ容量 1 5 a , 1 5 bのリアク夕ン ス成分に比べて十分小さく、 かつオフ抵抗 1 7 a, 1 7 bを十分大きく することができ、 オフ容量 1 5 a, 1 5 bと並列共振するようなインダ クタ 1 3 a , 1 3 bを接続することにより、 高耐電圧で入力端子 1 1 a から出力端子 1 1 bへの高周波信号の伝播損失を小さくすることができ ると共に、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号のアイソ
レーシヨンを低下させないという効果が得られる。 実施の形態 3.
第 1 0図はこの発明の実施の形態 3による単極単投スィ ツチの構成を 示す回路図である。 第 1 0図に示す単極単投スィ ツチは、 入力端子 1 1 a、 出力端子 l i b , F E T 2 0、 キャパシ夕 2 1、 インダク夕 2 2を 備えており、 直列に接続された F E T 2 0、 キャパシ夕 2 1と、 インダ クタ 2 2とを並列に接続した第 2の F E Tスィ ッチ 1 4の一方の端子が 入力端子 1 1 aに接続され、 他方の端子が出力端子 1 1 bに接続されて いる。
ここで、 F E T 2 0の ドレインは入力端子 1 1 a又はキャパシ夕 2 1 に接続してもよく、 FE T 2 0のソースはキャパシ夕 2 1又は入力端子 1 1 aに接続してもよい。
次に動作について説明する。
第 1 0図において、 F E T 2 0はゲートに印加する電圧によりオン状 態とオフ状態を切り換えるスィ ッチとして動作する。
第 1 1図は第 1 0図における F E T 2 0をオフ状態にしたときの等価 回路図である。 第 1 1図に示すように、 FE T 2 0をオフ状態としたと きには、 並列に接続されたオフ容量 2 3、 オフ抵抗 24と、 寄生インダ クタ 2 5とが直列に接続された状態となる。
ここで、 この実施の形態 3による単極単投スィ ツチの使用周波数 f 2 において、 f 2 = 1 / 2 " (寄生ィンダク夕 2 5のインダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 1のキャパシタンス) の関係であるとし、 すなわち、 寄生ィンダク夕 2 5と直列共振するようなキャパシ夕 2 1を接続し、 ォ フ容量 2 3とインダク夕 2 2の並列共振を妨げている寄生ィンダク夕 2 5を電気的に打ち消す。 また、 この単極単投スィ ッチの使用周波数 f 2
において、 f 2 = 1 /V" (オフ容量 2 3のキャパシタンス) X (インダ ク夕 2 2のイ ンダク夕ンス) の関係である場合、 すなわち、 オフ容量 2 3と並列共振するようなインダク夕 2 2を接続することにより、 入力端 子 1 1 aから見た出力端子 l i bのインピーダンスは高くなる。 このと き、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号は出力端子 1 1 bに出力 されず、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号のアイソレ —シヨンを低下させない。
第 1 2図は第 1 0図における F E T 2 0をオン状態としたときの等価 回路図である。 第 1 2図に示すように、 F E T 2 0をオン状態としたと きには、 オン抵抗 2 6と寄生インダク夕 2 5とが直列に接続された状態 となる。
ここで、 f 2 = 1 / 2 ΤΓ (寄生イ ンダク夕 2 5のイ ンダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 1のキャパシタンス) の関係であるとし、 すなわち、 寄生ィンダク夕 2 5と直列共振するようなキャパシ夕 2 1を接続するこ とにより、 入力端子 1 1 aから見た出力端子 1 1 bのインピーダンスは 低くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号は出力 端子 1 1 bに出力され、 高周波信号の伝播損失を小さくすることができ る。
なお、 第 1 1図に示す: F E T 2 0がオフ状態の寄生ィンダク夕 2 5の インダクタンスと、 第 1 2図に示す F E T 2 0がオン状態の寄生ィンダ クタ 2 5のイ ンダク夕ンスの値は同じであり、 F E T 2 0のオフ状態と オン状態で寄生ィ ンダク夕 2 5と直列共振するようなキャパシ夕 2 1の キャパシタンスの値は同じである。
この実施の形態 3では、 高周波信号を入力端子 1 1 aから入力し出力 端子 1 1 bへの出力を制御しているが、 高周波信号を出力端子 1 1 bか ら入力し入力端子 1 1 aへ出力する場合も同様に制御可能である。
以上のように、 この実施の形態 3によれば、 単極単投スィッチの使用 周波数 f 2において、 F E T 2 0の寄生ィンダク夕 2 5と直列共振する ようなキャパシ夕 2 1を接続し、 F E T 2 0のオフ容量 2 3のキャパシ 夕ンスと並列共振するようなインダク夕 2 2を接続することにより、 こ の単極単投スィ ツチに高耐電力性を持たせるために F E T 2 0のゲート 幅を大きく した場合においても、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへ の高周波信号のアイソレーションを低下させないと共に、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号の伝播損失を小さくすることがで きるという効果が得られる。 実施の形態 4.
第 1 3図はこの発明の実施の形態 4による単極単投スィ ツチの構成を 示す回路図である。 第 1 3図に示す単極単投スィ ッチは、 実施の形態 3 の第 1 0図に示す単極単投スィ ツチと同様に、 入力端子 1 1 a、 出力端 子 1 1 b F E T 2 0、 キャパシ夕 2 1、 インダクタ 2 2を備えている が、 入力端子 1 l.aと出力端子 1 1 bが直接に接続され、 直列に接続さ れた : F E T 2 0、 キャパシ夕 2 1と、 インダク夕 2 2とを並列に接続し た第 2の: F E Tスイ ッチ 1 4の一方の端子が入力端子 1 1 aと出力端子 1 1 bに接続され、 他方の端子がグラン ド 1 9に接続されている点が異 なっている。
ここで、 F E T 2 0のドレインは入力端子 1 1 a又はキャパシ夕 2 1 に接続してもよく、 F E T 2 0のソースはキャパシ夕 2 1又は入力端子 1 1 aに接続してもよい。 .
次に動作について説明する。
第 1 3図において、 F E T 2 0はゲートに印加する電圧によりオン状 態とオフ状態を切り換えるスィ ッチとして動作する。
第 1 4図は第 1 3図における F E T 2 0をオフ状態としたときの等価 回路図である。 第 1 4図に示すように、 F E T 2 0をオフ状態としたと きには、 並列に接続されたオフ容量 2 3、 オフ抵抗 2 4 と、 寄生イ ンダ クタ 2 5 とが直列に接続された状態となる。
ここで、 この実施の形態による単極単投スィ ツチの使用周波数: f 3 に おいて、 f 3 = 1 / 2 7Γ " (寄生イ ンダク夕 2 5のイ ンダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 1のキャパシタンス) の関係であるとし、 すなわち、 F E T 2 0の寄生ィ ンダク夕 2 5 と直列共振するようなキャパシ夕 2 1 を 接続し、 オフ容量 2 3 とイ ンダク夕 2 2の並列共振を妨げている寄生ィ ンダク夕 2 5 を電気的に打ち消す。 また、 この単極単投スィ ッチの使用 周波数 f 3において、 f 3 = 1 / ~ (オフ容量 2 3のキャパシタンス) X (イ ンダク夕 2 2のイ ンダク夕ンス) の関係である場合、 すなわち、 F E T 2 0のオフ容量 2 3 と並列共振するようなイ ンダク夕 2 2 を接続 することによ り、 入力端子 1 1 aから見たグラン ド 1 9のイ ンピーダン スは高くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号は 出力端子 1 1 bに出力され、 高周波信号の伝播損失を少なくすることが できる。
第 1 5図は第 1 3図における F E T 2 0をオン状態としたときの等価 回路図である。 第 1 5図に示すように、 F E T 2 0をオン状態としたと きには、 オン抵抗 2 6 と寄生イ ンダク夕 2 5 とが直列に接続された状態 となる。
ここで、 この実施の形態による単極単投スィ ツチの使用周波数 f 3 に おいて、 f 3 = 1 / 2 ΤΓ (寄生イ ンダク夕 2 5のイ ンダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 1のキャパシタンス) の関係であるとし、 すなわち、 F Ε Τ 2 0の寄生ィ ンダク夕 2 5 と直列共振するようなキャパシ夕 2 1 を 接続することにより、 入力端子 1 1 aから見たグラン ド 1 9のイ ンピー
ダンスは低くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信 号はグランド 1 9に伝播し出力端子 1 l bに出力されず、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号のアイソレーシヨ ンを低下させな い。
なお、 第 1 4図に示す F E T 2 0がオフ状態の寄生ィンダクタ 2 5の インダク夕ンスと、 第 1 5図に示す FE T 2 0がオン状態の寄生ィンダ クタ 2 5のィンダク夕ンスの値は同じであり、 F E T 2 0のオフ状態と オン状態で寄生ィンダク夕 2 5と直列共振するようなキャパシ夕 2 1の キャパシタンスの値は同じである。
この実施の形態 4では、 高周波信号を入力端子 1 l aから入力し出力 端子 1 1 bへの出力を制御しているが、 高周波信号を出力端子 1 1 bか ら入力し入力端子 1 1 aへ出力する場合も同様に制御可能である。
以上のように、 この実施の形態 4によれば、 単極単投スィ ッチの使用 周波数: f 3において、 寄生インダク夕 2 5と直列共振するようなキャパ シ夕 2 1を接続し、 オフ容量 2 3と並列共振するようなインダク夕 2 2 を接続することにより、 この単極単投スィ ツチに高耐電力性を持たせる ために F E T 2 0のゲート幅を大きく した場合においても、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号の伝播損失を小さくすることが できると共に、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号のァ イソレ一シヨ ンを低下させないという効果が得られる。 実施の形態 5.
第 1 6図はこの発明の実施の形態 5による単極単投スィ ツチの構成を 示す回路図である。 第 1 6図に示す単極単投スィ ツチは、 実施の形態 3 の第 1 0図に示す第 2の F E Tスイ ッチ 1 4を 2個並列に使用したもの であり、 入力端子 1 1 a、 出力端子 l l b、 F E T 1 2 a、 F E T 1 2
b、 イ ンダク夕 1 3 a、 イ ンダク夕 1 3 b、 キャパシ夕 2 7 a、 キャパ シ夕 2 7 bを備えている。 直列に接続された F E T 1 2 a、 キャパシ夕 2 7 aと、 イ ンダク夕 1 3 aとを並列に接続した第 2の F E Tスイ ッチ
14 aと、 直列に接続された F E T 1 2 b、 キャパシ夕 2 7 bと、 .イ ン ダク夕 1 3 bとを並列に接続した第 2の F E Tスィ ツチ 1 4 bの一方の 端子は入力端子 1 1 aに接続され、 他方の端子は出力端子 1 1 bに接続 されている。
次に動作について説明する。
第 1 6図において、 ? 丁 1 2 &及び 丁 1 213は、 ゲー トに印加 する電圧によ りオン状態とオフ状態を切り換えるスィ ッチとして動作す る。
第 1 7図は第 1 6図における F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bをオフ状 態としたときの等価回路図である。 第 1 7図に示すように、 F E T 1 2 aをォフ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容量 1 5 a、 オフ 抵抗 1 7 aと、 寄生ィ ンダク夕 1 6 aとが直列に接続された状態とな り 、 F E T 1 2 bをオフ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容量
1 5 b, オフ抵抗 1 7 bと、 寄生ィ ンダク夕 1 6 bとが直列に接続され た状態となる。
ここで、 この実施の形態による単極単投スィ ツチの使用周波数: f 4に おいて、 Ϊ 4 = 1/ 2 ΤΓ (寄生イ ンダク夕 1 6 aのイ ンダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 7 aのキャパシタンス) = 1/2 ΤΓ (寄生ィ ンダク 夕 1 6 bのイ ンダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 7 bのキャパシタンス) の関係であるとし、 すなわち、 寄生ィ ンダク夕 1 6 aと直列共振するよ うなキャパシ夕 2 7 aを接続し、 オフ容量 1 5 aとイ ンダク夕 1 3 aの 並列共振を妨げている寄生ィ ンダク夕 1 6 aを電気的に打ち消し、 寄生 イ ンダク夕 1 6 bと直列共振するようなキャパシ夕 2 7 bを接続し、 ォ
フ容量 1 5 bとイ ンダクタ 1 3 bの並列共振を妨げている寄生ィ ンダク 夕 1 6 bを電気的に打ち消す。 また、 この単極単投スィ ツチの使用周波 数 f 4において、 f 4 = 1 Ζ (オフ容量 1 5 aのキャパシタンス) X (イ ンダク夕 1 3 aのイ ンダクタンス) = 1 / (オフ容量 1 5 bのキ ャパシ夕ンス) X (イ ンダク夕 1 3 bのイ ンダク夕ンス) の関係である 場合、 すなわち、 オフ容量 1 5 aと並列共振するようなイ ンダク夕 1 3 aを接続し、 オフ容量 1 5 bと並列共振するようなイ ンダク夕 1 3 bを 接続すると、 入力端子 1 1 aから見た出力端子 1 1 bのイ ンピーダンス は高くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号は出 力端子 1 1 bに出力されず、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高 周波信号のアイソレーションは低下しない。
第 1 8図は第 1 6図における F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bをオン状 態としたときの等価回路図である。 第 1 8図に示すように、 F E T 1 2 aをオン状態としたときには、 オン抵抗 1 8 a及び寄生ィ ンダク夕 1 6 aが直列に接続された状態となり、 F E T 1 2 bをオン状態としたとき には、 オン抵抗 1 8 b及び寄生ィンダク夕 1 6 bが直列に接続された状 態となる。
ここで、 単極単投スイ ッチの使用周波数 f 4において、 f 4 = 1/2 ττ " (寄生イ ンダク夕 1 6 aのイ ンダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 7 a のキャパシタンス) = 1/27Γ (寄生ィ ンダク夕 1 6 bのイ ンダク夕 ンス) X (キャパシ夕 2 7 bのキャパシタンス) の関係であるとし、 す なわち、 寄生ィ ンダク夕 1 6 aと直列共振するようなキャパシ夕 2 7 a を接続し、 寄生イ ンダク夕 1 6 bと直列共振するようなキャパシ夕 2 7 bを接続すると、 入力端子 1 1 aから見た出力端子 1 1 bのイ ンビーダ ンスは低くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号 は出力端子 1 1 bに出力され、 高周波信号の伝播損失を少なくするこ と
ができる。
なお、 第 1 7図に示す F E T 1 2 a, 1 2 bがオフ状態の寄生インダ クタ 1 6 a, 1 6 bのインダク夕ンスと、 第 1 8図に示す F E T 1 2 a , 1 2 bがオン状態の寄生インダク夕 1 6 a, 1 6 bのイ ンダク夕ンス の値はそれそれ同じであり、 F E T 1 2 a, 1 2 bのオフ状態とオン状 態で寄生ィンダク夕 1 6 a, 1 6 bと直列共振するようなキャパシ夕 2 7 a , 2 7 bのキャパシタンスの値はそれそれ同じである。
この実施の形態 5では、 高周波信号を入力端子 1 1 aから入力し出力 端子 1 1 bへの出力を制御しているが、 高周波信号を出力端子 1 1 bか ら入力し入力端子 1 1 aへの出力も同様に制御可能である。
また、 この実施の形態 5では、 2個の第 2の F E Tスィ ッチ 1 4 a, 1 4 bを並列に接続しているが、 2個以上の複数個の第 2の F E Tスィ ツチを並列に接続してもよい。
以上のように、 この実施の形態 5によれば、 単極単投スィ ッチの使用 周波数 4において、 寄生ィンダク夕 1 6 aと直列共振するようなキヤ パシ夕 2 7 aを接続し、 寄生ィンダク夕 1 6 bと直列共振するようなキ ャパシ夕 2 7 bを接続し、 オフ容量 1 5 aと並列共振するようなインダ クタ 1 3 aを接続し、 オフ容量 1 5 bと並列共振するようなイ ンダク夕 1 3 bを接続することにより、 この単極単投スィ ツチに高耐電力性を持 たせるために F E T 1 2 a, 1 2 bのゲート幅を大きく した場合におい ても、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号のアイソレー シヨンを低下させず、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信 号の伝播損失を小さくすることができるという効果が得られる。 実施の形態 6.
第 1 9図はこの発明の実施の形態 6による単極単投スィ ツチの構成を
示す回路図である。 第 1 9図に示す単極単投スィ ツチは、 実施の形態 4 の第 1 3図に示す第 2の F E Tスィ ッチ 14を 2個並列に使用したもの であり、 入力端子 1 1 a、 出力端子 l i b、 F E T 1 2 a、 F E T 1 2 b、 インダク夕 1 3 a、 インダク夕 1 3 b、 キャパシ夕 2 7 a、 キャパ シ夕 2 7 b、 グラン ド 1 9を備えている。 直列に接続された F E T 1 2 a、 キャパシ夕 2 7 aと、 ィ ンダクタ 1 3 aとを並列に接続した第 2の F E Tスイ ッチ 14 aと、 直列に接続された F E T 1 2 b、 キャパシ夕 2 7 bと、 インダク夕 1 3 bとを並列に接続した第 2の F E Tスイ ッチ
1 4 bの一方の端子は入力端子 1 1 aと出力端子 1 l bに接続され、 他 方の端子はグランド 1 9に接続されている。
次に動作について説明する。
第 1 9図において、 £ !1 1 2 &及び £ |1 1 213は、 ゲートに印加 する電圧によりオン状態とオフ状態を切り換えるスィ ッチとして動作す る。
第 2 0図は第 1 9図における F E T 1 2 a及び F E T 1 3 bをオフ状 態としたときの等価回路図である。 第 2 ◦図に示すように、 F E T 1 2 aをオフ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容量 1 5 a、 オフ 抵抗 1 7 aと、 寄生インダク夕 1 6 aとが直列に接続された状態となり 、 F E T 1 2 bをオフ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容量
1 5 b、 オフ抵抗 1 7 bと、 寄生インダク夕 1 6 bとが直列に接続され た状態となる。
ここで、 この実施の形態による単極単投スィ ツチの使用周波数 f 4に おいて、 Ϊ 4 = 1/ 2 ΤΓ (寄生イ ンダク夕 1 6 aのイ ンダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 7 aのキャパシタンス) = 1/27Γ (寄生ィンダク 夕 1 6 bのインダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 7 bのキャパシタンス) の関係であるとし、 すなわち、 寄生ィンダク夕 1 6 aと直列共振するよ
うなキャパシ夕 2 7 aを接続し、 オフ容量 1 5 aとイ ンダクタ 1 3 aの 並列共振を妨げている寄生ィ ンダク夕 1 6 aを電気的に打ち消し、 寄生 イ ンダク夕 1 6 bと直列共振するようなキャパシ夕 2 7 bを接続し、 ォ フ容量 1 5 bとイ ンダク夕 1 3 bの並列共振を妨げている寄生ィ ンダク 夕 1 6 bを電気的に打ち消す。 また、 この単極単投スィ ツチの使用周波 数 f 4において、 f 4 = 1 / (ォフ容量 1 5 aのキャパシタンス) X (イ ンダク夕 1 3 aのイ ンダク夕ンス) = 1 / (オフ容量 1 5 bのキ ャパシ夕ンス) X (イ ンダク夕 1 3 bのイ ンダクタンス) の関係である 場合、 すなわち、 オフ容量 1 5 aと並列共振するようなイ ンダク夕 1 3 aを接続し、 オフ容量 1 5 bと並列共振するようなイ ンダクタ 1 3 bを 接続すると、 入力端子 1 1 aから見たグラン ド 1 9のイ ンピーダンスは 高くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号は出力 端子 1 1 bに出力され、 高周波信号の伝播損失を少なく することができ る。
第 2 1図は第 1 9図における F E T 1 2 a及び F E T 1 2 bをオン状 態としたときの等価回路図である。 第 2 1図に示すように、 F E T 1 2 aをオン状態としたときには、 オン抵抗 1 8 a及び寄生ィ ンダク夕 1 6 aが直列に接続された状態となり、 F E T 1 2 bをオン状態としたとき には、 オン抵抗 1 8 b及び寄生ィ ンダク夕 1 6 bが直列に接続された状 態となる。
ここで、 単極単投スイ ッチの使用周波数: f 4において、 f 4 = 1 / 2 (寄生イ ンダク夕 1 6 aのイ ンダク夕ンス) X (キャパシ夕 2 7 a のキャパシタンス) = 1 /2 K ~ (寄生イ ンダク夕 1 6 bのイ ンダク夕 ンス) X (キャパシ夕 2 7 bのキャパシタンス) の関係であるとし、 す なわち、 寄生ィ ンダク夕 1 6 aと直列共振するようなキャパシ夕 2 7 a を接続し、 寄生イ ンダク夕 1 6 bと直列共振するようなキャパシ夕 2 7
bを接続すると、 入力端子 1 1 aから見たグラン ド 1 9のインピーダン スは低くなる。 このとき、 入力端子 1 1 aから入力された高周波信号は グラン ド 1 9に伝播し出力端子 1 1 bには出力されず、 入力端子 1 1 a から出力端子 1 1 bへの高周波信号のアイソレーシヨンは低下しない。 なお、 第 2 0図に示す F E T 1 2 a , 1 2 bがオフ状態の寄生インダ クタ 1 6 a, 1 6 bのインダク夕ンスと、 第 2 1図に示す F E T 1 2 a , 1 2 bがオン状態の寄生インダクタ 1 6 a , 1 6 bのインダク夕ンス の値はそれぞれ同じであり、 F E T 1 2 a, 1 2 bのオフ状態とオン状 態で寄生インダク夕 1 6 a , 1 6 bと直列共振するようなキャパシ夕 2 7 a , 2 7 bのキャパシタンスの値はそれそれ同じである。
この実施の形態 6では、 高周波信号を入力端子 1 1 aから入力し出力 端子 1 1 bへの出力を制御しているが、 高周波信号を出力端子 1 1 bか ら入力し入力端子 1 1 aへ出.力する場合も同様に制御可能である。
また、 この実施の形態 6では、 2個の第 2の F E Tスイ ッチ 1 4 a , 1 4 bを並列に接続しているが、 2個以上の複数個の第 2の F E Tスィ ツチを並列に接続してもよい。
以上のように、 この実施の形態 6によれば、 単極単投スィ ッチの使用 周波数; 4において、 寄生インダク夕 1 6 aと直列共振するようなキヤ パシ夕 2 7 aを接続し、 寄生インダク夕 1 6 bと直列共振するようなキ ャパシ夕 2 7 bを接続し、 オフ容量 1 5 aと並列共振するようなインダ クタ 1 3 aを接続し、 オフ容量 1 5 bと並列共振するようなインダク夕 1 3 bを接続することにより、 この単極単投スィ ツチに高耐電力性を持 たせるために F E T 1 2 a, 1 2 bのゲート幅を大きく した場合におい ても、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波信号の 播損失を 小さくすることができ、 入力端子 1 1 aから出力端子 1 1 bへの高周波 信号のアイソレーシヨンを低下させないという効果が得られる。
実施の形態 7.
第 2 2図はこの発明の実施の形態 7による単極双投スィ ツチの構成を 示す回路図である。 第 2 2図に示す単極双投スィ ツチは、 入力端子 2 8 a、 出力端子 2 8 b、 出力端子 2 8 c、 F E T 2 9 a、 F E T 2 9 b、 F E T 2 9 cヽ イ ンダク夕 30 a、 イ ンダク夕 3 0 b、 イ ンダク夕 3 0 c、 キャパシ夕 3 2、 線路 33及びグラン ド 1 9を備えている。 F E T 2 9 aとイ ンダク夕 3 0 aを並列に接続した第 1の F E Tスィ ツチ 3 1 aと、 FE T 2 9 bとイ ンダク夕 30 bを並列に接続した第 1の F E T スィ ッチ 3 l bの一方の端子は入力端子 2 8 aに接続され、 他方の端子 は出力端子 2 8 cに接続されている。 線路 3 3の一方の端子は入力端子 2 8 aに接続され、 他方の端子は出力端子 2 8 bに接続されている。 直 列に接続された F E T 2 9 c、 キャパシ夕 3 2と、 インダク夕 3 0 cと を並列に接続した第 2の F E Tスイ ッチ 3 1 cの一方の端子は出力端子 2 8 bに接続され、 他方の端子はグラン ド 1 9に接続されている。 こ こ で、 線路 3 3の線路長は使用周波数 f 5において 1Z4波長であるとす る.。
この実施の形態 7では、 実施の形態 1の第 4図に示す第 1の F E Tス イ ッチ 1 4 a, 1 4 bを第 1の F E Tスイ ッチ 3 l a, 3 l bとして使 用し、 実施の形態 4の第 1 3図に示す第 2の F E Tスイ ッチ 1 4を第 2 の F E Tスイ ッチ 3 1 cとして使用している。
次に動作について説明する。
第 2 2図において、 F E T 2 9 a、 F E T 2 9 b及び F E T 2 9 cは ゲートに印加する電圧によりオン状態とオフ状態を切り換えるスィ ッチ として動作する。
第 2 3図は第 2 2図における F E T 2 9 a、 F E T 2 9 b及び F E T
2 9 cをオフ状態としたときの等価回路図である。 第 2 3図に示すよう に、 F E T 2 9 aをオフ状態としたときには、 並列に接続されたオフ容 量 3 4 a、 オフ抵抗 3 5 aと、 寄生ィ ンダク夕 3 6 aとが直列に接続さ れた状態となり、 F E T 2 9 bをオフ状態としたときには、 並列に接続 されたオフ容量 3 4 b、 オフ抵抗 3 5 bと、 寄生ィ ンダク夕 3 6 bとが 直列に接続された状態となり、 F E T 2 9 cをオフ状態としたときには 、 並列に接続されたオフ容量 3 4 c、 オフ抵抗 3 5 c と、 寄生イ ンダク 夕 3 6 c とが直列に接続された状態となる。
ここで、 この実施の形態による単極双投スィ ツチの使用周波数 f 5 に おいて、 f 5 = 1 / 2 7 f (寄生イ ンダク夕 3 6 cのイ ンダクタンス) X (キャパシ夕 3 2のキャパシタンス) の関係で、 f 5 = 1 / 2 7Γ- " ( オフ容量 3 4 cのキャパシタンス) X (イ ンダクタ 3 0 cのイ ンダク夕 ンス) の関係であるとする。
また、 F E T 2 9 a、 F E T 2 9 bを 2個並列に接続することによ り 、 同じ耐電力を得るための各ゲート幅を 1 / 2 にすることができ、 各ゲ 一ト幅を 1ノ 2 にすることによ り、 この単極双投スイ ッチの使用周波数 f 5 において、 F E T 2 9 a、 F E T 2 9 bの寄生イ ンダク夕 3 6 a,
3 6 bのリアクタンス成分をオフ容量 3 4 a, 3 4 bのリアクタンス成 分に比べて十分小さ く、 かつオフ抵抗 3 5 a , 3 5 bを十分大きく する ことができる。
また、 この単極双投スィ ッチの使用周波数 f 5 において、 f 5 = 1 / Λ (オフ容量 3 4 aのキャパシタンス) X (イ ンダク夕 3 0 aのイ ンダ クタンス) = 1 / (オフ容量 3 4 bのキャパシタンス) X (イ ンダク 夕 3 O bのイ ンダク夕ンス) = 1 /V" (オフ容量 3 4 cのキャパシ夕ン ス) X (イ ンダク夕 3 0 cのイ ンダク夕ンス) の関係である場合、 入力 端子 2 8 aから見た出力端子 2 8 bのイ ンピーダンスは低くなり、 入力
端子 2 8 aから見た出力端子 2 8 cのイ ンピーダンスは高くなる。 この とき、 入力端子 2 8 aから入力された高周波信号は出力端子 2 8 bに出 力され、 高周波信号の伝播損失を少なくすることができ、 入力端子 2 8 aから入力された高周波信号は出力端子 2 8 cに出力されず、 入力端子 2 8 aから出力端子 2 8 cへの高周波信号のアイソレーションは低下し ない。
第 24図は第 2 2図における F E T 2 9 a、 F E T 2 9 b及び F E T
2 9 cをオン状態としたときの等価回路図である。 第 24図に示すよう に、 F E T 2 9 aをオン状態としたときにはオン抵抗 3 7 a及び寄生ィ ンダク夕 3 6 aが直列に接続された状態となり、 F E T 2 9 bをオン状 態としたときにはオン抵抗 3 7 b及び寄生ィンダク夕 3 6 bが直列に接 続された状態となり、 F E T 2 9 cをオン状態としたときにはオン抵抗
3 7 c及び寄生ィンダク夕 3 6 cが直列に接続された状態となる。
ここで、 単極双投スイ ッチの使用周波数 f 5において、 f 5 = 1/2
7Γ (寄生インダク夕 3 6 cのインダク夕ンス) X (キャパシ夕 3 2の キャパシタンス) の関係であるとし、 線路 33の線路長は使用周波数 f 5において 1/4波長であるので、 この場合、 入力端子 2 8 aから見た 出力端子 2 8 bのイ ンピーダンスは高くなり、 第 1の F E Tスイ ッチ 3 1 a, 3 1 bが並列に接続されているので、 入力端子 2 8 aから見た出 力端子 2 8 cのインピ一ダンスは低くなる。 このとき、 入力端子 2 8 a から入力された高周波信号は出力端子 2 8 cに出力され、 高周波信号の 伝播損失を少なくすることができると共に、 入力端子 2 8 aから入力さ れた高周波信号は出力端子 2 8 bに出力されず、 入力端子 2 8 aから出 力端子 2 8 bへの高周波信号のアイソレーシヨンは低下しない。
この実施の形態 7における単極双投スィ ヅチでは、 第 1の F E Tスィ ツチ 3 1 a, 3 1 b、 第 2の F E Tスイ ッチ 3 1 cを使用しているが、
実施の形態 1 , 2に示す第 1の F Ε Τスイ ッチにより単極双投スィ ッチ を構成してもよく、 実施の形態 3 , 4, 5 , 6に示す第 2の F E Tスィ ツチにより単極双投スィ ツチを構成してもよく、 実施の形態 1〜 6に示 す第 1の F Ε Τスィ ツチ及び第 2の F Ε Τスィ ツチを適宜組合わせて単 極双投スィ ツチを構成してもよい。
以上のように、 この実施の形態 7によれば、 実施の形態 1から実施の 形態 6で示す単極単投スィ ツチを組み合わせることにより、 単極双投ス ィ ツチを構成することができ、 入力端子 2 8 aから出力端子 2 8 b, 2 8 cへの高周波信号の伝播損失を小さくすることができると共に、 入力 端子 2 8 aから出力端子 2 8 b , 2 8 cへの高周波信号のアイソ レーシ ョンを低下させないと 、う効果が得られる。 実施の形態 8.
第 2 5図はこの発明の実施の形態 8'による多極多投スィ ツチの構成を 示す回路図である。 上記実施の形態 7の第 2 2図においては、 単極双投 スィ ツチに限って説明したが、 上記実施の形態 1から実施の形態 6で示 す単極単投スィ ツチを組み合わせることによって、 例えば、 第 2 5図に 示すような多極多投スィ ツチを構成することもできる。
第 2 5図に示す多極多投スィ ツチは、 入力端子又は出力端子 3 8 a, 3 8 b, 3 8 c , 3 8 d、 F E T 3 9 a , 3 9 b, 3 9 c , 3 9 d、 キ ヤノ ン夕 40 a, 40 b, 40 c , 40 d、 インダク夕 4 1 a, 4 1 b , 4 1 c , 4 1 dを備えている。 F E T 3 9 aとキャパシ夕 40 aとィ ンダク夕 4 1 aにより第 2の F E Tスイ ッチ 42 aを構成し、 F E T 3 9 bとキャパシ夕 40 bとインダク夕 4 l bにより第 2の F E Tスィ ッ チ 42 bを構成し、 F E T 3 9 cとキャパシ夕 40 cとインダク夕 4 1 cにより第 2の F E Tスイ ッチ 42 cを構成し、 F E T 3 9 dとキャパ
シ夕 4 0 dとイ ンダクタ 4 1 dにより第 2の FE Tスィ ッチ 42 dを構 成している。
第 2の F E Tスイ ッチ 42 a, 42 b, 42 c, 42 dの一方の端子 は入力端子又は出力端子 38 a , 3 8 b, 3 8 c , 3 8 dにそれそれ接 続され、 他方の端子同士は全て接続されている。
次に動作について説明する。
第 2 6図は第 2 5図の多極多投スィ ツチの動作を説明する図であり、 各 F E T 3 9 a, 3 9 b,. 3 9 c, 3 9 dのオン、 オフを制御すること により、 所定の入力端子から入力された高周波信号は所定の出力端子に 出力される。
この実施の形態 8における多極多投スイ ッチでは、 第 2の F E Tスィ ツチ 42 a, 4 2 b , 42 c , 42 dを使用しているが、 実施の形態 1 , 2に示す第 1の F E Tスィ ッチにより多極多投スイ ッチを構成しても よく、 実施の形態 3 , 4, 5, 6に示す第 2の F E Tスィ ッチにより多 極多投スィ ツチを構成してもよく、 実施の形態 1〜 6に示す第 1の F E Tスィ ツチ及び第 2の F E Tスィ ツチを適宜組合わせて多極多投スィ ヅ チを構成してもよい。
以上のように、 この実施の形態 8によれば、 実施の形態 1から実施の 形態 6で示す単極単投スィ ツチを組み合わせることにより、 多極多投ス ィ ツチを構成することができ、 各入力端子から各出力端子への高周波信 号の伝播損失を小さくすることができると共に、 各入力端子から各出力 端子への高周波信号のアイソレーシヨンを低下させないという効果が得 られる。 産業上の利用可能性
以上のように、 この発明に係る単極単投スィ ッチ、 単極双投スィ ッチ
及び多極多投スィ ッチは、 高周波信号の伝播損失を小さく し、 高周波信 号のアイソレーションを低下させないものに適している。