WO2005020252A1

WO2005020252A1 - 高周波用磁心及びそれを用いたインダクタンス部品

Info

Publication number: WO2005020252A1
Application number: PCT/JP2004/012317
Authority: WO
Inventors: Teruhiko Fujiwara; Akiri Urata; Akihisa Inoue
Original assignee: Nec Tokin Corporation
Priority date: 2003-08-22
Filing date: 2004-08-20
Publication date: 2005-03-03
Also published as: EP1610348A1; US20060170524A1; EP1610348B1; US7170378B2; JP4828229B2; JPWO2005020252A1; EP1610348A4

Abstract

高周波用磁心は、一般式、（Ｆｅ１−ａ−ｂＮｉａＣｏｂ）１００−ｘ−ｙ−ｚ（Ｍ１−ｐＭ’ｐ）ｘＴｙＢｚ［但し、０≦ａ≦０．３０、０≦ｂ≦０．５０、０≦ａ＋ｂ≦０．５０、０≦ｐ≦０．５、１原子％≦ｘ≦５原子％、１原子％≦ｙ≦１２原子％、１２原子％≦ｚ≦２５原子％とし、且つ２２≦（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦３２、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた少なくとも１種、Ｍ’はＺｎ，Ｓｎ，Ｒ（ＲはＹを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも１種、及びＴはＡｌ，Ｓｉ，Ｃ，Ｐから選ばれた少なくとも１種］で表わされる組成を備えた軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で１０％以下のバインダを混合した混合物の成形体からなる。インダクタンス部品は、高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で１ターン以上巻回して成る。

Description

高周波用磁心及びそれを用いたィンダク夕ンス部品技術分野：

本発明は、主として軟磁性材料を用いた高周波用磁心及びそれを用いたィンダクタンス部品に関する。

明

背景技術：

従来、一般的に高周波用磁心の材料と田しては、主にソフトフェライト，高珪素鋼，アモルファス，圧紛磁心等が使用されてい書る。これらの材料が使用される理由は、ソフトフェライトの場合のように材料自体の比抵抗が高いためか、或いはその他の金属材料の場合のように薄板化したり、粉末化して、材料自体の比抵抗が低くても渦電流を小さくできるためである。又、これらの材料は、使用される周波数や用途で使い分けられるが、その理由を抜粋して説明すると、ソフトフエライトのように比抵抗が高い材料では飽和磁束密度が低く、高珪素鋼のように飽和磁束密度が高い材料では比抵抗が低く、飽和磁束密度及び比抵抗の何れにおいても高い磁性材料が提供されていないことによる。

ところで、最近の各種電子機器の急激な小型化と高機能化に伴い、コイル' トランスには小型化と同時に大きな直流電流下におけるインダクタンスが求められており、それを達成するには磁心の飽和磁束密度と高周波での損失特性を同時に向上させることが必要視されている。また、巻線コイルの電気抵抗に起因する銅損によってコイル · トランスの発熱量も増大しており、この温度上昇を抑制するための方法も求められている。

しかしながら、ソフトフェライトの場合、飽和磁束密度を向上させることは検討されてはいるものの、殆ど改善されていないのが実情である。又、高珪素鋼やアモルファスの場合、材料自体の飽和磁束密度は高いものの、高周波帯域用に対応させるためには、高周波帯域になればなる程、薄板化しなければならず、これらの材料を用いた積層磁心は占積率が低下して飽和磁束密度の低下を招くこともある。更に、圧紛磁心の場合、微細な粉末の粒子間に絶縁物質を挿入することによって高比抵抗化を計り、しかも高密度成形をすれば高飽和磁束密度を達成できる可能性はあるが、使用される軟磁性粉末の飽和磁化を高める事や粉末間の絶縁を取りながら高密度に成形体を成形する方法が現状において確立されていない等の難題がある。

そこで、こうした問題、特に飽和磁束密度及び比抵抗の何れも高い磁性材料が得難いという問題、を改善するものとして、軟磁性粉末として金属ガラス粉末を用い、その粉末に絶縁材を混合した後、常温以上の温度で成形体を成形することにより、比較的良好な周波数特性を有して高透磁率な軟磁性材料を得るための圧紛磁心及びその製造方法（特開 2001— 189211号公報、以下特許文献 1、と呼ぶ、参照）が提案されている。

ここで、一般に金属ガラスと総称される合金系は各種存在するが、軟磁性材料として使用されるのは Fe系合金に限定され、更にそれを大きく分類すれば、 F ePCBS i Ga系と FeS i BM (Mは遷移金属）系とになる。特許文献 1は、前者の FePCBS i Ga系の合金を使用したものであり、その軟磁性材料によれば、高比抵抗及び高飽和磁束密度を達成でき良好な磁気特性が得られるとの開示がある。因みに、後者の F e S i BM系合金組成を開示したもの（特開 200 2- 194514号公報、特開平 11一 131199号公報、以下、夫々特許文献 2，特許文献 3と呼ぶ、参照）も知られており、更にその軟磁性材料を磁心に使用する旨を開示したもの（特開平 11— 74111号公報、以下、特許文献 4 と呼ぶ、参照）もある。

一方、卷線コイルと金属粉末とを一体化して小型化し直流重畳特性を改善する旨を開示したもの（特開平 04— 286305号公報、及び特開 2002— 30 5108号公報、以下、夫々特許文献 5及 6と呼ぶ、参照）もある。

上述した高周波用磁心として好適な軟磁性材料の場合、例えば、特許文献 1に開示された F e PCBS i G a系のものでは、比較的良好な周波数特性を有して高透磁率な磁気特性が得られるが、 G a等の高価な金属を使用する必要があるため、材料自体がコスト高になって工業化の促進を阻害するという問題があり、又特許文献 2や特許文献 3に開示され、且つ特許文献 4で磁心への適用が検討されている F e S i BM系のものでは、材料自体の経済性に優れるという利点はあるが、高比抵抗及び高磁束密度を得るための手法が示されておらず（これはその合金系に適合した成形体の成形方法が見い出されていないことが原因と推定される）、現状では高周波用磁心やそれを用いたインダクタンス部品への適用が困難であるという問題がある。また、特許文献 5や特許文献 6にはコイルの小型化について開示されているが、従来の金属軟磁性材料を使用しているため損失の低減が充分ではない。

本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その目的は、高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性材料による安価な高周波用磁心及びそれを用いたインダクタンス部品を提供することにある。発明の開示：

本発明によれば、一般式、（F _{e i}— _a— _bN i _aC o_b) ₁₀₀__x__y__z

xT_yB_z [但し、 0≤a≤0. 30、 0≤b≤ 0. 50、 0≤a + b≤0. 50、 0≤p≤0. 5、 1原子％≤x≤5原子％、 1原子％≤y≤ 1 2原子％、 1 2原子％≤z≤25原子％とし、且つ 22≤ (x + y + z) ≤3 2、 Mは Z r, Nb, T a, H f , Mo, T i , V， C r， Wから選ばれた少なくとも 1種、 M'は Zn, S n, R (Rは Yを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも 1種、及び Tは A 1 , S i , C, Pから選ばれた少なくとも 1種] で表わされる合金組成を備えた軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で 1 0 %以下のバインダを混合した混合物の成形体からなることを特徴とする高周波用磁心が得られる。

また、本発明の高周波用磁心において、 A 1， C, Pの総量は質量比で 0. 5% 以下である事が好ましく、また、前記成形体の粉末充填率が 50 %以上で 1. 6 X 1 0⁴AZmの磁界を印可した時の磁束密度が 0. 5 T以上であり，且つ比抵杭が 1 X 1 0⁴ Ω cm以上であることがより好ましい。

さらに、本発明の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で 5 %以下混合した混合物を金型で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が 7 0 %以上で 1. 6 X 1 0⁴A/ mの磁界を印加したときの磁束密度が 0. 7 5T以上であり、且つ比抵抗が 1 Ω c m以上であることが好ましい。

さらに、本発明の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で 3 %以下混合した混合物を該バインダの軟化点以上の温度条件下の金型で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が 8 0 %以上で 1 . 6 X 1 0 ⁴ A/mの磁界を印加したときの磁束密度が 0 . 9 T以上で、且つ比抵抗が 0 . 1 Ω c m以上であることが好ましい。

また、本発明の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で 1 %以下混合した混合物を該軟磁性金属ガラス粉末の過冷却液体領域の温度で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が 9 0 %以上で 1 . 6 X 1 0 ⁴ AZmの磁界を印加したときの磁束密度が 1 . 0 T以上で、且つ比抵抗が 0 . 0 1 Ω c m以上であることが好ましい。

また、本発明の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末は、水アトマイズ法又はガスアトマイズ法で作製され、少なくとも粒子の 5 0 %以上が 1 0 ； m以上であることが好ましい。

また、本発明の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末の中心粒径よりも細かい中心粒径であって、力、つ硬度が低い軟磁性合金粉末を体積比で 5 % 〜5 0 %添加したことが好ましい。

また、本発明の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末のァスぺク卜比（長軸 Z短軸）が 1〜3の範囲内であることが好ましい。

また、本発明の高周波用磁心において、前記成形体は、成形後に合金粉末のキユリ一点以上で熱処理され、且つ該合金粉末の粒子間の介在物の少なくとも一部に S i 0₂を含有することが好ましい。

また、本発明によれば、前記いずれか一つの高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で 1ターン以上巻回して成ることを特徴とするィンダクタンス部品が得られる。ここで、本発明のインダクタンス部品において、前記高周波用磁心の磁路の一部にギヤップが設けられていることが好ましい。

また、本発明によれば、前記高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末は、最大粒径が篩径で 4 5 m以下で中心粒径が 3 0 / m以下であることを特徴とする高周波用磁心が得られる。ここで、本発明の高周波用磁心において、 A 1 , C, Pの総量は重量比で 0. 5%以下であることが好ましい。

また、本発明の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末の中心粒径よりも細かい中心粒径、かつ硬度が小さい軟磁性合金粉末を体積比で 5 %〜 5 0 %添加したことが好ましい。

ここで、本発明の前記いずれか一つに記載の高周波用磁心と、磁性体内に封じ込まれた巻線コイルとを備え、前記巻線コイルは加圧成形を施されて一体化されていることを特徴とするインダクタンス部品が得られる。

また、本発明の前記いずれか一つのインダク夕ンス部品において、高周波磁心の粉末充填率が 50%以上で 500 kHz以上における Q (1/t an <5) のピ —ク値が 40以上であることが好ましい。

また、本発明の前記いずれか一つのインダクタンス部品において、前記高周波磁心の粉末最大粒径が篩径で 45 以下で中心粒径が 20 xm以下であって、 1 MHz以上における Q (1/t an δ) のピーク値が 50以上であることが好ましい。

また、本発明の前記いずれか一つのインダク夕ンス部品において、 600 以下で熱処理が施されていることが好ましい。図面の簡単な説明：

第 1図は本発明の高周波用磁心の基本構成に係る一例を示した外観斜視図；第 2図は第 1図に示す高周波用磁心に卷線を施して成るインダクタンス部品を示した外観斜視図；

第 3図は本発明の高周波用磁心の基本構成に係る他例を示した外観斜視図；第 4図は第 3図に示す高周波用磁心に巻線を施して成るインダクタンス部品を示した外観斜視図；及び

第 5図は本発明のィンダク夕ンス部品の基本構成の一例を示した外観斜視図である。発明を実施するための最良の形態：

本発明について更に詳細に説明する。本発明者等は、種々検討の結果、経済性に優れる軟磁性金属ガラス粉末として、

F e S i BMM' (M=Z r , Nb, Ta, Hf, Mo, T i， V, C r , Wから選ばれた少なくとも 1種、 M'=Zn, Sn， R (但し、 Rは Yを含む希土類金属）から選ばれた一種以上）系の（Fe， Co, N i) ― (A 1 , S i , C, P) — B— MM'の合金組成を規定するように選択すれば、磁気特性及びガラス形成性能の優れた粉末が得られ、その粉末に酸化処理や絶縁コーティングを施したものを金型等を用いて適当な成形方法で成形体を得るように成形することで圧粉磁心を作製すれば、この圧粉磁心が広帯域で優れた透磁率特性を示す従来に無い優れた性能を持つ髙透磁率圧粉磁心となり、結果として高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性材料による高周波用磁心を安価に作製できることを見い出した。又、この高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で 1ターン以上巻回して作製されるィンダクタンス部品においても、従来に無く安価で高性能なものとして作製できることを見出した。

また、本発明者等は、上記組成式で表される軟磁性金属ガラス粉末の粒径を限定することによって、更に高周波における磁心損失に優れた圧粉磁心となることを見出した。又、この高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で 1ターン以上巻回して作製されるインダク夕ンス部品においても、従来に無く安価で高性能なものとして作製できることを見出した。また、巻線コイルが磁性体内に封じ込まれている状態で加圧成形し一体化することによって、高周波で大電流に対応したィンダク夕ンス部品が得られることを見出した。

ここで成形体の比抵抗を高めるため、成形前の合金粉末を大気中で酸化熱処理しても良いし、又成形体を高密度に成形するため、バインダである樹脂の軟化点以上の温度で成形しても良く、更に成形体を高密度化するため合金粉末の過冷却液体領域で成形しても良い。

具体的に言えば、軟磁性金属ガラス粉末については、合金組成式が（F_{e i}— _a — _bN i _aCo_b) _{1 0 0}-x-y-z (M_1--PM'_P) _xT_yB_z [但し、 0≤a≤0. 30、 0≤b≤0. 50、 0≤a + b≤0. 50、 0≤p≤0. 50、 1Μ %≤χ≤ 5原子％、 1原子％≤y≤l 2原子％、 12原子％≤ z≤25原子％とし、且つ 22≤ (x + y+ z) ≤32、 Mを Z r , Nb, Ta, Hf， Mo, T i , V, C r, Wから選ばれた少なくとも 1種とし、 M'を Zn， S n, R (伹し、 Rは Y を含む希土類金属）から選ばれた 1種以上とし、 Tを A l， S i， C, Pから選ばれたすくなくとも 1種とする] で表わされるものとし、この軟磁性金属ガラス粉末に対して質量比で所定量のバインダを混合した混合物を成形することで成形体を得るようにすれば良い。

ここでの軟磁性金属ガラス粉末の合金組成について説明すれば、主成分である F eは磁性を担う元素であり、高い飽和磁束密度を得るために必須である。この F eの一部は各々又は合計で 0〜 0. 5の範囲の割合で N i , C oと置換することが可能であり、この置換成分がガラス形成性能を向上させる効果がある。但し N iは置換の割合を 0〜 0. 3とする。特に C oは、同時に飽和磁束密度も改善する効果が期待される。これら F e及びその置換元素の総量は、合金粉末全体の 6 8原子％以上で 7 8原子％以下の範囲とするが、その理由は 6 8原子％以上でないと磁心の飽和磁束密度が低過ぎて有用性が失われ、 7 8原子％以上であると結晶化により磁心の透磁率とコアロスとが低下するためである。

M元素については、ガラス形成性能を向上させるために必要な遷移金属元素であり、 Z r, Nb, Ta, H f , Mo, T i , V, C r, "Wから選ばれた 1種以上とするが、 M元素の含有量は 1原子％以上で 5原子％以下の範囲とする。その理由は、 1原子％未満であればガラス形成性能が落ちて透磁率とコアロスとが著しく劣化し、 5原子％を超えると飽和磁束密度が低下し、有用性が失われるためである。ここで、 M元素の 0〜0. 5の割合を Z n, S n, R (但し、 Rは Yを含む希土類金属）で置換する事によって、ガラス形成能を劣化させずに F e, C o, N iの比率を高める事が出来るため飽和磁束密度を改善することができる。

3 1及び；6は、軟磁性金属ガラス粉末を作製するために必須の元素であり、 S iは 1原子％以上で 1 2原子％以下の範囲とし、 Bは 1 2原子％以上で 2 5原子％以下の範囲とする。その理由は、 S iが 1原子％未満であったり、或いは 1 2原子％を超える場合や Bが 1 2原子％未満であったり、或いは 2 5原子％を超える場合には、何れもガラス形成性能が落ちて安定した軟磁性金属ガラス粉末を作製することができないためである。尚、ここで S iは、 A l , P， Cと置換することができるが A 1 , P, Cの総量を 0. 5質量％以下としたのは、この範囲を超えるとアモルファス形成能が著しく劣化するので所定の特性が得られないためである。

又、軟磁性金属ガラス粉末については、水アトマイズ法か、或いはガスアトマィズ法で作製されたものとし、少なくとも粒径の 5 0 %以上が 1 0 μ πι以上であるものとすることが好ましい。特に水アトマイズ法は、合金粉末を安価に大量に製造する方法として確立されており、この方法で粉末を製造できるのは工業的に非常に大きな利点である。但し、従来のアモルファス組成の場合、以上の合金粉末は結晶化するために磁気特性が著しく劣化し、結果として製品歩留が著しく劣化するので工業化の妨げとなっていたが、本発明の軟磁性金属ガラス粉末の合金組成は 1 5 0 m以下であれば容易にガラス化 (アモルファス化) するため、製品歩留も高くコスト面で非常に有利である。加えて、水アトマイズ法で作製された合金粉末は、粉末表面に適度な酸化被膜が既に形成されているので、これに樹脂を混合して成形体を成形すると比抵抗の高い磁心が容易に得られる。因みに、ここで説明した水ァトマイズ法で作製した合金粉末やガスァトマイズ法で作製した合金粉末の何れにおいても、使用する合金粉末の結晶化温度以下とする温度条件下において大気中で熱処理すれば、更に良好な酸化被膜が形成されて磁心にしたときの比抵抗を高められる効果があり、これによつて磁心のコア口スを低減することができる。

一方、更に高周波用途のインダクタンス部品に対して、微細な粒径の金属粉末を用いて渦電流損失を低減出来る事は分かっているが、従来公知の合金組成では中心粒径が 3 0 以下になると製造時に粉末の酸化が著しくなり、一般的な水ァ卜マイズ装置で作製した粉末では所定の特性が得られにくいという欠点がある。しかし、金属ガラス粉末は合金の耐食性に優れているため微細な粉末でも酸素量の少ない優れた特性の粉末が比較的容易に製造できる利点を有する。

次に、成形体の成形方法については、基本的に軟磁性金属ガラス粉末に質量比で 1 0 %以下のシリコーン樹脂等のパインダを混合し、金型を用いたり、或いはモールド成形により成形体を得れば良く、この成形体は粉末充填率が 5 0 %以上で 1 . 6 X 1 0 ⁴AZmの磁界を印加したときの磁束密度;^ 0 . 5 T以上であり、且つ比抵抗が 1 X 1 0 ⁴ Ω c m以上の高周波用磁心となる。尚、ここでのバインダの添加量について、質量比で 10%以下とした理由は、 10%を超えると飽和磁束密度がフェライトと同等かそれ以下になり、磁心の有用性が失われるためである。又、成形体は、軟磁性金属ガラス粉末に対してパインダを質量比で 5%以下混合した混合物を金型で圧縮成形することで得ても良く、この場合の成形体は、粉末充填率が 70 %以上で 1. 6X 10⁴ A/mの磁界を印加したときの磁束密度が 0. 75T以上であり、且つ比抵抗が 1 Ω c m以上となる。磁束密度が 0. 75 T以上で、且つ比抵抗が 1 Ω cm以上であると、センダストによる磁心よりも良好な特性となり、有用性が更に高まる。更に、成形体は、軟磁性金属ガラス粉末に対してバインダを質量比で 3 %以下混合した混合物をバインダの軟化点以上の温度条件下の金型で圧縮成形することで得ても良く、この場合の成形体は、粉末充填率が 80 %以上で 1. 6X 10⁴AZmの磁界を印加したときの磁束密度が 0. 9 T以上で、且つ比抵抗が 0. 1 Ω cm以上となる。磁束密度が 0. 9 T以上で、且つ比抵抗が 0. 1 Ω cm以上であると、現在市販されているどの圧紛磁心よりも良好な特性となり、有用性が更に高まる。加えて、成形体は、軟磁性金属ガラス粉末に対してバインダを質量比で 1 %以下混合した混合物を軟磁性金属ガラス粉末の過冷却液体領域の温度範囲で圧縮成形することで得ても良く、この場合の成形体は、粉末充填率が 90 %以上で 1. 6X 10⁴ AZmの磁界を印加したときの磁束密度が 1. 0T以上で、且つ比抵抗が 0. O l Qcm以上となる。磁束密度が 1. 0T以上で、且つ比抵抗が 0. O l Qcm以上になると、実用領域ではアモルファス及び高珪素鋼鈑の積層コアとほぼ同等の磁束密度を示すようになるが、ここでの成形体の方がヒステリシス損失が小さく、比抵抗の高い分だけコアロス特性が格段に優れるので、磁心としては更に有用性が高まる。更に、これらの高周波用磁心を成す成形体については、歪取り熱処理として、成形後にキュリ一点以上の温度条件下で熱処理を施せば、コアロスが更に低下し、磁心としての有用性が更に高まる。このとき、合金粉末の粒子間の絶縁性を維持するため、粒子間の介在物の少なくとも一部に S i 0₂が含まれていれば望ましい（或いは介在物の全部が S 10₂であっても良い）。

ところで、このような高周波用磁心に対し、必姜に応じて磁路の一部にギヤップを設けた上で巻線を少なくとも巻回数で 1ターン以上巻回してィンダク夕ンス部品を作製すれば、高磁界において高い透磁率を示す優れた特性を持つ製品を製造することができる。

第 1図は、本発明の高周波用磁心 1の基本構成の一例を示した外観斜視図である。第 1図では、上述した軟磁性金属ガラス粉末を用いた高周波用磁心 1を円環板状に形成した様子を示している。

第 2図は、この高周波用磁心 1に巻線を施して成るインダクタンス部品を示した外観斜視図である。第 2図では、円環板状の高周波用磁心 1に対し、巻線 3を所定の巻回数で巻回してリード線引き出し部分 3 a , 3 bを含むようにインダク夕ンス部品 1 0 1を作製した様子を示している。

第 3図は、本発明の高周波用磁心 1の基本構成の他例を示した外観斜視図である。第 3図では、上述した軟磁性金属ガラス粉末を用いた高周波用磁心 1を円環板状に形成した上、磁路の一部にギャップ 2を設けた様子を示している。なお、ギャップ 2は空隙もしくは絶縁材を充填して形成される。また、絶縁材としては、耐熱性の絶縁シートなどが好適である。

第 4図は、このギャップ 2を持つ高周波用磁心 1に卷線 3を施して成るインダクタンス部品 1 0 1を示した外観斜視図である。第 4図では、ギャップ 2を持つ円環板状の高周波用磁心 1に対し、巻線 3を所定の巻回数で巻回してリード線引き出し部分 3 a , 3 bを含むようにィンダクタンス部品を作製した様子を示している。

また、上記金属ガラス組成であって最大粒径が篩径で 4 5 /im以下で中心粒径が 3 0 im以下の軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で 1 0 %以下のバインダを混合した混合物を成形することで圧粉磁心を作製すれば、高周波で極めて低い損失特性を示す従来に無い優れた性能を持つ圧粉磁心となり、これに巻線を施すことよつて Q特性の優れたィンダク夕ンス部品が得られる。更に巻線コィルが磁性体内に封じ込まれている状態で加圧成形し一体化することによって、高周波で大電流に対応したィンダクタンス部品が得られる。

ここで、粉末粒径を規定した理由を具体的に言えば、最大粒径が篩径で 4 5 / mを超えると高周波領域での Q 性が劣化するためであって、更に中心粒径が 3 0 m以下でないと 5 0 0 k H z以上での Q特性が 4 0を超えない。更に、中心粒径が 20 m以下でないと 1 MHz以上での Q値が 50以上にならないためである。金属ガラス粉末は合金自体の比抵抗が従来材料に比較して 2〜10倍程度高いので同じ粒径であっても Q特性が高くなる利点が有る。また、 Q特性が同じで構わないのであれば使用可能な粒径範囲を広く取る事で粉末製造コストを低減することが可能となる。

第 5図は、本発明の高周波用インダクタンス部品の基本構成の一例を示した外観斜視図である。第 5図を参照すると、上述した軟磁性金属ガラス粉末によって、長尺状の板材（帯材） 5を板面方向（図では水平方向）に巻回して巻線コイル 7 を作製し、これを磁性粉末とバインダとの混合物からなる磁性体 8内に封じ込まれている状態で加圧成形し一体化したィンダク夕ンス部品 103を形成している。巻線コイル 7の板材 7の磁性体 8の両端面に突出した部分をリ一ド端子としている。なお、板材 5の卷回される部分の表面全体には、絶縁被覆 6が施されている。ここで、幾つかの実施例並びに比較例を挙げ、本発明の高周波用磁心及びそれを用いたインダクタンス部品について、製造工程を含めて具体的に説明する。

(実施例 1〜 36、比較例 1〜13)

先ず、粉末作製工程として、 Fe, S i, B, Nb及びその置換元素の純金属元素材料を所定の組成になるように秤量し、これらを用いて一般的な水アトマイズ法により各種軟磁性合金粉末を作製した。但し、ミッシュメタルは混合希土類金属であって、ここでは La 30%， Ce 50%, Nd 15%, その他希土類元素残部のものを使用した。

次に、成形体作製工程として、得られた合金粉末をそれぞれ粉径が 45

下のものに分級してからバインダとしてシリコーン樹脂を質量比で 5%混合した後、外径 Φ_ουτ=27mmX内径 φ_ΙΝ=14mmの溝を持つ金型を使用し、高さが 5mmになるように室温で圧力 14. 7X 10⁸ P aを加えることにより各種成形体を成形した。

更に、得られた各種成形体を樹脂硬化した後、各種成形体の重量及び寸法を測定してから適当な巻回数で卷線を施して各種インダク夕ンス部品（第 2図に示される形態のものとする）を作製した。

次に、各種試料のインダクタンス部品について、 LCRメーターを用いて 1 00 k H zのィンダクタンス値から透磁率を求め、更に直流磁気特性測定装置を用いて 1. 6 X 10⁴ A/mの磁界を印加したときの飽和磁束密度を測定すると共に、各磁心の上下面を研磨して X線回折（XRD) の測定を行うことで相を観察したところ、下記表 1に示されるような結果となった。

但し、下記表 1では各種試料の組成比を示している他、 XRDの測定で得られた XRDパターンにおいて、ガラス相特有のブロードなピークしか検出されないものをガラス相とし、又結晶に起因する鋭いピークがブロードなピークと共に観察されたものを（ガラス +結晶）相とし、ブロードなピークが見られず鋭いピークのみの場合を結晶相と判断した。尚、ガラス相が得られた組成の試料については DSCによる熱分析として、ガラス遷移温度及び結晶化温度の測定を行い、全ての試料について過冷却液体温度 ΔΤχが 30Κ以上であることを確認した。各種成形体（磁心）の比抵抗を直流 2端子法で測定したところ、比抵抗はすべての試料が 1 Ω c m以上の良好な値を示していることも確認した。

DS Cの昇温速度は 4 OK/m i nである。実施例 1〜 3と比較例 1〜 2より、 N b量が 3〜 6 %のときガラス相を有する磁心が得られる事が分かる。しかし、比較例 2の Nb 6%の場合には磁束密度が 0. 75T以下と低い事が分かる。実施例 4〜 10と比較例 3〜 6より、 S i量が 1以上及び B量が 25以下で F e量が 68〜78のときガラス相を有する磁心が得られる事が分かる。実施例 1 1〜 16と比較例 7〜 8より、 F eの一部を N i , Coで置換する事により、 Nb 1 %でも金属ガラス粉末が得られている事が分かる。しかし、置換量が N iで 0. 3, 。0で0. 5を超えると磁束密度の改善効果が見られない事が分かる（実施例 1との比較において）。また、実施例 1 7〜20に示す通り、 N iと C oは複合添加しても良いし、また Nbの代わりに Ta， Moを使用しても同様の効果が得られる事が分かる。

実施例 2 1〜 24と比較例 9〜 10より、 Nb量が 1 %では高透磁率が得られるガラス相が形成出来ないが、 2 %以上ではガラス相が形成出来る事が分かる。また、 Nbを Znで置換する事によって飽和磁束密度が向上するが、その置換の割合が 0. 5を超えるとガラス相が形成出来なくなる事が分かる。表 1

表 2

また、 Z nと N bの合計添加量については、実施例 25 26と比較例 1 1 12より、 5%以下が適当である事が分かる。実施例 27 28より、 Z n の代わりに S nまたはミッシュメタルを添加しても同様の効果が得られる事が分かる。実施例 29 31より、 Feの一部をN i Coで置換しても、同様の効果が得られる事が分かるし、複合添加しても良い事が分かる。また、実施例 32 33に示す通り、 Nbの代わりに Ta, M oを使用しても同様の効果が得られる事が分かる。また、実施例 34〜36と比較例 1 3に示す通り、 A 1 , C, Pを添加することも可能であるが、 0. 5質量％を超えるとァモルファス形成能が著しく劣化することが分かる。

(実施例 37 )

(F e。.₈N i。Co。.₂) ₇₅S i ₄B ₂。Nb iの組成を有する合金粉末を水アトマイズ法で作製した。得られた粉末を 75 以下に分級し、 XRDの測定を行いガラス相特有のブロードなピークを確認した。次に、 DSCにて熱分析を行い、ガラス遷移温度および結晶化温度の測定を行い、 ΔΤχが 35Kである事が分かった。次に、この粉末をガラス遷移温度よりも低い 450°Cで 0. 5 時間大気中で熱処理し、粉末表面に酸化物を形成させた。次に、この粉末を使用してシリコーン樹脂を 1 0%, 5 %, 2. 5 %, 1 %, 0. 5%混合した。これらの粉末を Φ 27 X φ 14の金型を用いてそれぞれ室温，樹脂の軟化温度より高い 1 50°C，本金属ガラス粉末の過冷却液体領域である 550°Cの 3条件でそれぞれ成形し、粉末充填率、直流磁気特性によって磁束密度、直流の比抵抗を測定した結果を下記表 3に示す。

表 3

試料樹脂量成形温度粉末磁束密度/ τ 比抵抗

N 0. (%) 充填率％ at 1.6X10⁴ A/m Ω c m

1 0. 5 曰 69. 0 0. 92 ≥1 00

2 1 // 69. 9 0. 93 ≥1 00

3 2. 5 // 70. 8 0. 94 ≥1 00

4 5 II 70. 3 0. 94 ≥1 00

5 1 0 52. 0 0. 66 ≥1 0⁴

6 0. 5 1 50°C 80. 8 1. 1 0 5

7 1 // 81. 5 1. 1 1 1 0

8 2. 5 // 82. 2 1. 1 2 1 5

9 5 ff 70. 8 0. 94 ≥1 00

1 0 1 0 II 52. 5 0. 67 ≥1 0⁴

1 1 0. 5 550°C 95. 5 1. 33 0. 1

1 2 1 // 92. 4 1. 28 0. 5

1 3 2. 5 " 82. 7 1. 1 3 1 0

1 4 5 ff 7 1. 2 0. 95 ≥ 1 00

1 5 1 0 rf 52. 2 0. 67 ≥1 0⁴ 上記表 3よりバインダ一が 5 %を越える時は比抵抗がフェライト磁心に匹敵する≥10⁴の高い値が得られるが、成形温度を高くしてもその効果は見られず室温での成形で充分である。次に、バインダーが 5%の時も、 1 Ω c m以上の高い比抵抗が得られるが、室温での成形で充分である。次に、バインダー量が 2. 5%の時は、 150°Cで成形すると飛躍的に粉末充填率が改善され磁束密度が高く、しかも 0. 1 Ω cm以上の比抵抗が得られる事が分かる。次に、バインダ一量が 1%と 0. 5%の時は 550°Cで成形した時に飛躍的に粉末充填率が改善され飽和磁束密度が高く、しかも 0. 01 Ω cm以上の比抵抗が得られる事が分かる。

(実施例 38)

実施例 38では、？6733

の組成を有する合金粉末を水ァ 1、マイズ法により粉末作製した後、得られた粉末を粒径が 75 m以下のものに分級してから X R Dの測定を行い、ガラス相特有のプロ一ドなピークを確認した。又、 DSCにて熱分析を行い、ガラス遷移温度及び結晶化温度の測定を行い、ガラス化開始温度 ΔΤχが 35Kであることを確認した。次に、この粉末をガラス遷移温度よりも低い温度条件 450でに保ち、 0. 5時間大気中で熱処理して粉末表面に酸化物を形成させた。

更に、この酸化物が形成された粉末を使用してバインダとしてシリコーン樹脂を質量比で、それぞれ 10%, 5%, 2. 5%, 1 %, 0. 5%混合し、これらの粉末を外径 φ。_υτ=27mmX内径 φ_ΙΝ=14mmの溝を持つ金型を使用し、高さが 5 mmになるようにそれぞれ室温，樹脂の軟化温度より高い 150°C, 軟磁性金属ガラス粉末の過冷却液体領域である 550°Cの 3つの条件下でそれぞれ圧力 11. 8X 10⁸P aを加えることにより各種成形体を成形した。

次に、得られた各種成形体を樹脂硬化した後、各種成形体の重量及び寸法を測定してから適当な巻回数で巻線を施して各種インダク夕ンス部品（第 2図に示される形態のものとする）を作製した。

次に、各種試料（No. 1-15) のインダクタンス部品について、粉末充填率％、直流磁気特性による磁束密度 (a t 1. 6 X 10⁴A/m) 、直流の比抵抗 Ω c mを測定したところ、下記表 4に示されるような結果となった。表 4

上記表 4からは、バインダの添加量（樹脂量）が 5%を越えるときは比抵抗がフェライト磁心に匹敵する≥ 10⁴の高い値が得られるが、成形温度を高くしてもその効果は見られずに室温程度の成形条件で充分であることが判る。又、樹脂量が 5%のときにも、 1 Ω cm以上の高い比抵抗が得られるが、同様に室温での成形で充分であることが判る。更に、樹脂量が 2. 5%のときには、 150°Cで成形すると飛躍的に粉末充填率が改善されて磁束密度が高くなり、しかも 0. 1 Ω cm以上の比抵抗が得られることが判る。加えて、樹脂量が 1%のとき、及び 0. 5 %のときは 550 で成形すると飛躍的に粉末充填率が改善されて飽和磁束密度が高くなり、しかも、 0. 01 Ω cm以上の比抵抗が得られることが判る。

(実施例 39)

実施例 37のうち試料 No 12を用いて、各種の磁心材料とインダクタンス特性を測定した。また、同一の合金粉末と製造工程で作製した磁心を 500^で0. 5時間窒素雰囲気中で熱処理した試料のインダク夕ンス特性についても示した。ただし、インダクタンス値は規格化のため透磁率を求め比較した。比較した磁心材料はセンダスト, 6. 5 %珪素鋼，鉄系アモルファスである。表 5

注） * 磁路の 1部に G a pを挿入した電源仕様のため。上記表 5より、本発明のィンダク夕ンス部品は、アモルファスを用いたインダクタンス部品と同等の磁束密度を有しながら、センダストを用いたインダクタンス部品よりも低いコアロス特性を示すので、非常に優れたインダクタンス部品として使用できる事が分かる。また、熱処理した磁心を用いたインダクタンス部品では更に透磁率とコァロスが向上する事が確認された。

(実施例 40)

実施例 40では、先の実施例 38にあっての試料 N o. 12に該当する材料を用いてィンダク夕ンス部品を作製し、又同じ合金粉末と製造工程とにより作製した高周波用磁心を 500°Cで 0. 5時閒窒素雰囲気中で熱処理したもの、更に比較としてセンダス卜， 6. 5 %珪素鋼， F e系アモルファスによる磁心材料でそれぞれ作製したインダクタンス部品（第 4図に示したように磁路の一部にギヤップを持つ形態を含む）について、直流磁気特性による磁束密度（a t l. 6X 1 0⁴A/m) 、直流の比抵抗 Qcm、インダクタンス値の規格化のため透磁率、コアロス ( 20 k H z 0. IT) を測定したところ、下記表 6に示されるような結果となった。表 6

上記表 6からは、本発明のインダクタンス部品は、磁心に Fe系アモルファスを用いたィンダクタンス部品の場合とほぼ同等な磁束密度を有しながら、磁心にセンダストを用いたィンダク夕ンス部品の場合よりも低いコアロスを示すので、非常に優れた特性を持つことが判る。又、熱処理を施した磁心を用いたインダクタンス部品では、更に透磁率とコアロスとが向上していることが確認され、一層優れた特性を持つようになることが判る。

(実施例 41)

実施例 41では、 Fe₇₃S i ₇B₁₇Nb₃の組成を有する合金粉末を水アトマイズ法により粉末作製した後、得られた粉末を粒径が 45 m以下のものに分級してから XRDの測定を行い、ガラス相特有のブロードなピークを確認した。又、 DSCにて熱分析を行い、ガラス遷移温度及び結晶化温度の測定を行い、過冷却温度範囲 ΔΤχが 35Kであることを確認した。次に、以下の合金組成の水アトマイズ粉末を標準篩で 20 以下に篩った粉末を表 7に示す比率で混合した。更に、この粉末を使用してバインダとしてシリコーン樹脂を質量比でそれぞれ 1. 5%混合し、これらの粉末を外径 Φ_ουτ=27mmx内径 Φ _ΙΝ=14mmの溝を持つ金型を使用し、高さが 5 mmになるように室温でそれぞれ圧力 11. 8 X 10⁸P aを加えることにより各種成形体を成形した。成形後に 500°CAr 中で熱処理した。次に、得られた各種成形体を樹脂硬化した後、各種成形体の重量及び寸法を測定してから適当な卷回数で巻線を施して各種インダク夕ンス部品（第 2図に示される形態のものとする）を作製した。

次に、各種試料のインダクタンス部品について、粉末充填率％、透磁率、コアロス（20 kHz 0. IT) を測定したところ、下記表 7に示されるような結果となった。

表 7

上記表 7からは、本発明のインダク夕ンス部品は、金属ガラス粉末にそれよりも粒径の細かい軟磁性粉末を添加する事によって粉末充填率が改善され、それによって透磁率が向上する事を示している。一方、添加量が 50%を超えると改善効果が薄れて、またコアロス特性が著しく劣化することから、添加量は 50%以下が望ましい事が分かる。

(実施例 42)

実施例 42では、 Fe₇₃S i ₇ B ₇N b ₃の組成を有する合金粉末を水ァトマイズ法により各種製造条件を変化させる事によって、下記表 8に示すようなァスぺクト比を有する粉末を作製した後、得られた粉末を粒径が 45 m以下のものに分級してから X R Dの測定を行い、ガラス相特有のブロードなピークを確認した。又、 DSCにて熱分析を行い、ガラス遷移温度及び結晶化温度の測定を行い、過冷却温度範囲△ T Xが 35 Kであることを確認した。

更に、この粉末を使用してバインダとしてシリコーン樹脂を質量比でそれぞれ 3. 0%混合し、これらの粉末を外径 φ_ουτ=27mmX内径 φ_ΙΝ=14mmの溝を持つ金型を使用し、高さが 5mmになるように室温でそれぞれ圧力 14. 7 X 10⁸P aを加えることにより各種成形体を成形した。成形後に 500°CAr 中で熱処理した。

次に、得られた各種成形体を樹脂硬化した後、各種成形体の重量及び寸法を測定してから適当な巻回数で卷線を施して各種インダクタンス部品（第 2図に示される形態のものとする）を作製した。

次に、各種試料のインダクタンス部品について、粉末充填率％、透磁率を測定したところ、下記表 8に示されるような結果となった。表 8

上記表 8からは、本発明のインダクタンス部品は、金属ガラス粉末のァスぺクト比を高くする事によって透磁率が向上する事を示している。一方、アスペクト比が 3. 0を超えると粉末充填率の低下の影響によって透磁率が劣化することから、粉末のァスぺクト比は 3以下が望ましい事が分かる。

(実施例 43)

先ず、粉末作製工程として、工業用として一般的に使用されている原料を用いて Fe S i ₉B₁₄Nb₃の組成になるように秤量し、これらを用いて高圧水アトマィズ法により中心粒径の異なる軟磁性合金の微粉末を作製した。

次に、成形体作製工程として、得られた合金粉末を各種の標準篩で篩う事によつて下記表 9に示すような粉末を作製してからバインダとしてシリコーン樹脂を質量比で 3 %混合した後、 1 OmmX 10 mmの金型に粉末と共に成形した際に巻線コイルが成形体の丁度中心に来る様に配置した外径 Φ。_υτ= 8, 内径 φ _ΙΝ = 4mmに高さ 2mmの巻線コイルとともに、高さが 4mmになるように室温で圧力 4. 9 X 10⁸P aを加えることにより成形体を成形した。次に 150°Cで樹脂硬化を行なった。なお、試料 No. 5の条件については、部品形状のまま 50 0°C, 0. 5Hr窒素中で熱処理した試料も作製した。

次に、各種試料のインダクタンス部品について、 LCRメーターを用いて各周波数におけるィンダク夕ンスと抵抗の測定から求めた 1 MH zのィンダク夕ンス値と Qのピーク周波数とその値を求めたところ、下記表 9に示されるような結果となった。

次に、同じ試料のインダクタンス部品について、一般的な DC/DCコンパ一ターの評価キッ卜を使用して電源変換効率を測定した結果を示す。測定条件は、入力 12V，出力 5V, 駆動周波数 300 kHz, 出力電流は 1 Aであった。表 9

上記表 9から分かる通り、本発明のインダクタンス部品は、篩粒径が 45 m 以下で中心粒径を 30 im以下とする事によって、 Qのピーク周波数が 500 k H z以上で、かつ 40以上の値が得られ、その時に電源変換効率は 80 %以上の良好な結果が得られた。また、篩粒径が 45 m以下で中心粒径が 20 /im以下とする事によって、 Qのピーク周波数が 1 MHz以上で、かつ 50以上の値が得られ、その時に電源変換効率は 85%以上の更に良好な結果が得られた。また、インダクタンス部品を熱処理する事によって更に変換効率が向上する事が分かる。以上述べたように、本発明の高周波用磁心は、経済性に優れる軟磁性金属ガラス粉末として、 (F e， Co, N i) ― (A 1， S i， C， P) _B— MM' (M =Z r , Nb, Ta, Hi, Mo, T i , V, C r, Wから選ばれた少なくとも一種、 M'=Zn, Sn, R (但し、 Rは Yを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも一種）の合金組成を規定するように選択して磁気特性及びガラス形成性能の優れた粉末を得ることを可能としており、しかもその粉末に酸化処理や絶縁コ一ティングを施したものを金型等を用いて適当な成形方法で成形体を得るように成形することで圧粉磁心を作製するようにしているため、広帯域で優れた透磁率特性を示す従来に無い高透磁率圧粉磁心が得られ、結果として高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性材料による高周波用磁心を安価に作製できるようになり、この高周波用磁心に対して卷線を少なくとも巻回数で 1ターン以上巻回して成るィンダク夕ンス部品においても、従来に無く安価で高性能なものとして作製できるため、工業上において極めて有益となる。

また、本発明において、上記金属ガラス粉末の最大粒径が篩径で 45 zm以下，中心粒径が 30 m以下、更に望ましくは 20 以下の粉末を用いた時には、更に高周波における損失特性が極めて低い圧紛磁心が得られ、この高周波用磁心に対して巻線を少なくとも 1ターン以上巻回してなるインダクタンス部品は Q特性が極めて優れるので電源効率を向上させる事が可能となり、工業上において非常に有益となる。

更に、本発明において、上記金属ガラス粉末の最大粒径が篩径で 45 im以下，中心粒径が 30 xm以下、更に望ましくは 20； m以下の粉末を、巻線コイルが磁性体内に封じ込まれている状態で加圧成形し一体化することによって、金属ガラス特有の優れた磁心特性に加えて、巻線コイルに流れる電流に起因する発熱は金属磁性体を通じて放熱されるため、その相乗効果によって同じ形状で有ればより定格電流を高めたィンダク夕ンス部品が得られる。本発明の高周波用磁心は、高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性金属ガラス材料により安価に得られる上、これに卷線を施して成るィンダク夕ンス部品についても、従来に無く高周波帯域での磁気特性が優れたものとなることにより、安価に高性能な従来に無い高透磁率圧粉磁心を作製でき、各種電子機器の電源用部品であるチヨークコイル，トランス等のィンダクタンス部品を提供することができる。

また、本発明の微細な粒径の粉末で成形された高周波用磁心を用いれば、更に高周波用において高性能のインダク夕ンス部品を作製出来る。

更に、これらの微細な粒径の粉末で成形された高周波用磁心において、巻線コィルが磁性体内に封じ込まれているとともに加圧成形を施されて一体化する事によって、小型で大電流に対応したインダクタンス部品を作製出来る。産業上の利用可能性：

本発明の高周波用磁心は、高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性金属ガラス材料により安価に得られる上、これに巻線を施して成るインダクタンス部品についても、従来に無く高周波帯域での磁気特性が優れたものとなることにより、安価に高性能な従来に無い髙透磁率圧粉磁心を作製できるので、各種電子機器の電源用部品であるチョークコイル，トランス等への適用が好適である。

Claims

請求の範囲

1. 一般式、（F_{e i}__a__bN i _aCo_b) 丄。。一 _z (M^— _PM，_P) _xT_yB₂ [但し、 0≤a≤0. 30、 0≤b≤0. 50、 0≤a + b≤0. 50、 0≤p

≤0. 5、 1原子％≤x≤5原子％、 1原子％≤y≤ 12原子％、 12原子％≤ z≤25原子％とし、且つ 22≤ (x + y + z) ≤32、 Mは Z r， Nb, T a, H f , Mo, T i, V, Cr， Wから選ばれた少なくとも 1種、 M，は Zn， Sn， R (Rは Yを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも 1種、及び Tは A l， S i， C, Pから選ばれた少なくとも 1種] で表わされる組成を備えた軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で 10 %以下のバインダを混合した混合物の成形体からなることを特徴とする高周波用磁心。

2. 請求項 1に記載の高周波用磁心において、 A l, C， Pの総量は質量比で 0. 5%以下である事を特徴とする高周波用磁心。

3. 請求項 1又は 2に記載の高周波用磁心において、前記成形体の粉末充填率が 50 %以上で 1. 6X 10⁴ A/mの磁界を印可した時の磁束密度が 0 - 5 T以上であり，且つ比抵抗が 1X 10⁴ Ω cm以上であることを特徴とする高周波用磁心。

4. 請求項 1〜3の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で 5 %以下混合した混合物を金型で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が 7 0 %以上で 1. 6X 10⁴ A/mの磁界を印加したときの磁束密度が 0. 75 T 以上であり、且つ比抵抗が 1 Ω c m以上であることを特徴とする高周波用磁心。

5. 請求項 1〜4の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で 3 %以下混合した混合物を該バインダの軟化点以上の温度条件下の金型で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が 80 %以上で 1. 6 X 10⁴ A/mの磁界を印加したときの磁束密度が 0. 9T以上で、且つ比抵抗が 0. I Qcm以上であることを特徴とする高周波用磁心。

6. 請求項 1〜5の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で 1 %以下混合した混合物を該軟磁性金属ガラス粉末の過冷却液体領域の温度で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が 9 0 %以上で 1 . 6 X 1 0 ⁴ AZmの磁界を印加したときの磁束密度が 1 . 0 T以上で、且つ比抵抗が 0 . 0 1 Ω c m 以上であることを特徴とする高周波用磁心。

7 . 請求項 1〜6の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末は、水ァトマイズ法又はガスァトマイズ法で作製され、少なくとも粒子の 5 0 %以上が 1 0 m以上であることを特徴とする高周波用磁心。

8 . 請求項 1〜 7の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末の中心粒径よりも細かい中心粒径であって、かつ硬度が低ぃ軟磁性合金粉末を体積比で 5 %〜 5 0 %添加する事を特徴とする高周波用磁心。

9 . 請求項 1〜8の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末のアスペクト比（長軸/短軸）が 1〜3の範囲内であることを特徴とする高周波用磁心。

1 0 . 請求項:！〜 9の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心において、前記成形体は、成形後に合金粉末のキュリー点以上で熱処理され、且つ該合金粉末の粒子間の介在物の少なくとも一部に S i〇₂を含有することを特徴とする高周波用磁心。

1 1 . 請求項 1〜 1 0の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末は、最大粒径が篩径で 4 5 以下で中心粒径が 3 0 Z^ m以下であることを特徴とする高周波用磁心。

1 2 . 請求項 1〜 1 1の内のいずれか一つに記載の高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で 1ターン以上巻回して成ることを特徴とするインダクタンス部品。

1 3 . 請求項 1 2に記載のィンダクタンス部品において、前記高周波用磁心の磁路の一部にギヤップが設けられていることを特徴とするィンダクタンス部品。

1 4. 請求項 1 1に記載の高周波用磁心を備え、巻線コイルが磁性体内に封じ込まれているとともに加圧成形を施されて一体化してあることを特徴とするィンダク夕ンス部品。

15. 請求項 14に記載のインダクタンス部品において、前記高周波磁心の粉末充填率が 50 %以上で 500 kHz以上における Q (1/t an (5) のピーク値が 40以上であることを特徴とするィンダクタンス部品。

16. 請求項 14又は 15に記載のインダクタンス部品において、高周波磁心の粉末最大粒径が篩径で 45 ^m以下で中心粒径が 20； m以下であって、 1 MHz以上における Q (1/t an <3) のピ一ク値が 50以上であることを特徴とするインダクタンス部品。

17. 請求項 14-16の内のいずれか一つに記載のィンダクタンス部品において、 600°C以下で熱処理を施されていることを特徴とするインダクタンス部品。 .