WO2004015762A1

WO2004015762A1 - 異方導電性コネクターおよびプローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法

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Publication number: WO2004015762A1
Application number: PCT/JP2003/010057
Authority: WO
Inventors: Ryoji Setaka; Masaya Naoi; Katsumi Sato
Original assignee: Jsr Corporation
Priority date: 2002-08-09
Filing date: 2003-08-07
Publication date: 2004-02-19
Also published as: ATE367650T1; AU2003254855A1; EP1553623B1; US20060043983A1; CN1675755A; EP1553623A4; KR100715751B1; EP1553623A1; DE60315059D1; US7095241B2; CN100413045C; DE60315059T2; KR20050027252A

Abstract

　多数回にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持される異方導電性コネクターおよびその応用が開示されている。上記の異方導電性コネクターは、厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成されてなる弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、弾性異方導電膜は、接続用導電部の合計の数をＹ、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向にＹ×1gの荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗をＲ1g、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向にＹ×6gの荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗をＲ6gとしたとき、Ｒ1gが１Ω未満の接続用導電部の数が全接続用導電部の数の９０％以上、Ｒ6gが０．１Ω未満の接続用導電部の数が全接続用導電部の数の９５％以上、Ｒ6gが０．５Ω以上の接続用導電部の数が全接続用導電部の数の１％以下である初期特性を有する。

Description

明細書異方導電性コネクターおよぴプロープ部材並びにゥェハ検查装置およびウェハ検査方法

技術分野

本発明は、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために好適に用いることができる異方導電性コネクターおよびこの異方導電性コネクターを具えたプロ一ブ部材、並びにこのプロ一ブ部材を具えたウェハ検查装置およびこのプローブ部材を使用したウェハ検査方法に関し、更に詳しくは

、例えば直径が 8インチ以上のウェハであって、これに形成された集積回路における被検査電極の総数が 5 0 0 0点以上であるものについて、当該集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うために好適に用いることができる異方導電性コネクタ一およびこの異方導電性コネクターを具えたプローブ部材並びにこのプロ一ブ部材を具えたウェハ検査装置およびこのプローブ部材を使用したウェハ検查方法に関する。背景技術

一般に、半導体集積回路装置の製造工程においては、例えばシリコンよりなるウェハに多数の集積回路を形成し、その後、これらの集積回路の各々について、基礎的な電気特性を検査することによって、欠陥を有する集積回路を選別するプローブ試験が行われる。次いで、このウェハを切断することによって半導体チップが形成され、この半導体チップが適宜のパッケージ内に収納されて封止される。更に、パッケージ化された半導体集積回路装置の各々について、高温環境下において電気特性を検査することによって、潜在的欠陥を有する半導体集積回路装置を選別するバーンィン試験が行われる。

このようなプローブ試験またはバーィン試験などの集積回路の電気的検査においては、検査対象物における被検查電極の各々をテスターに電気的に接続するためにプローブ部材が用いられている。このようなプローブ部材としては、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された異方導電性エラストマーシートとよりなるものが知られている。

かかる異方導電性エラストマ一シートとしては、従来、種々の構造のものが知られており、例えば特開昭 5 1 - 9 3 3 9 3号公報等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エラストマ一シート（以下、これを「分散型異方導電性エラストマ一シート」という。）が開示され、また、特開昭 5 3 - 1 4 7 7 7 2号公報等には、導電性磁性体粒子をエラストマ一中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方'導電性エラストマ一シート（以下、これを「偏在型異方導電性エラストマ一シート」という。）が開示され、更に、特開昭 6 1— 2 5 0 9 0 6号公報等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性エラストマーシートが開示されている。

そして、偏在型異方導電性エラストマ一シートは、検査すべき集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従つて導電部が形成されているため、分散型異方導電性エラストマ一シートに比較して、被検査電極の配列ピッチすなわち隣接する被検査電極の中心間距離が小さい集積回路などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼性で達成することができる点で、有利である。

このような偏在型異方導電性エラストマ一シートにおいては、検查用回路基板およぴ検査対象物との電気的接続作業において、それらに対して特定の位置関係をもって保持固定することが必要である。

然るに、異方導電性エラストマ一シートは柔軟で容易に変形しやすいものであつて、その取扱い性が低いものである。しかも、近年、電気製品の小型化あるいは高密度配線化に伴い、これに使用される集積回路装置は、電極数が増加し、電極の配列ピッチが一層小さくなつて高密度化する傾向にある。そのため、検査対象物の被検査電極に対する電気的接続を行う際に、偏在型異方導電性エラストマ一シートの位置合わせおよぴ保持固定が困難になりつつある。

また、バーンイン試験においては、一旦は集積回路装置と偏在型異方導電性ェラストマ一シートとの所要の位置合わせおよび保持固定が実現された場合であつても、温度変化による熱履歴を受けると、熱膨張率が、検査対象である集積回路装置を構成する材料（例えばシリコン）と偏在型異方導電性エラストマ一シートを構成する材料（例えばシリコーンゴム）との間で大きく異なるため、偏在型異方導電性エラストマ一シートの導電部と集積回路装置の被検査電極との間に位置ずれが生じる結果、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されない、という問題がある。

このような問題を解決するため、開口を有する金属製のフレーム板と、このフレーム板の開口に配置され、その周縁部が当該フレーム板の開口縁部に支持された異方導電性シートとよりなる異方導電性コネクターが提案されている（特開平

1 1 - 4 0 2 2 4号公報参照）。

この異方導電性コネクタ一は、一般に、以下のようにして製造される。

図 2 3に示すように、上型 8 0およびこれと対となる下型 8 5よりなる異方導電性エラストマーシート成形用の金型を用意し、この金型内に、開口 9 1を有するフレーム板 9 0を位置合わせして配置すると共に、硬化処理によって弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる成形材料を、フレーム板 9 0の開口 9 1およびその開口縁部を含む領域に供給して成形材料層 9 5を形成する。ここで、成形材料層 9 5に含有されている導電性粒子 Pは、当該成形材料層 9 5中に分散された状態である。

上記の金型における上型 8 0および下型 8 5の各々は、成形すべき異方導電性エラストマーシートの導電部のパターンに対応するパターンに従つて形成された複数の強磁性体層 8 1， 8 6と、これらの強磁性体層 8 1， 8 6が形成された個所以外の個所に形成された非磁性体層 8 2， 8 7とからなる成形面を有し、対応する強磁性体層 8 1， 8 6が互いに対向するよう配置されている。

そして、上型 8 0の上面およひ下型 8 5の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、成形材料層 9 5には、上型 8 0の強磁性体層 8 1とこれに対応する下型 8 5の強磁性体層 8 6との間の部分すなわち導電部となる部分において、それ以外の部分より大きい強度の磁場が当該成形材料層 9 5の厚み方向に作用される。その結果、成形材料層 9 5中に分散されている導電性粒子 Pは、当該成形材料層 9 5における大きい強度の磁場が作用されている部分、すなわち上型 8 0の強磁 'I生体層 8 1とこれに対応する下型 8 5の強磁性体層 8 6 との間の部分に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配向する。そして、この状態で、成形材料層 9 5の硬化処理を行うことにより、導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された複数の導電部と、これらの導電部を相互に絶縁する絶縁部とよりなる異方導電性エラストマーシートが、その周縁部がフレーム板の開口縁部に支持された状態で成形され、以て異方導電性コネクタ一が製造される。

このような異方導電性コネクターによれば、異方導電性ェラストマーシートが金属製のフレーム板に支持されているため、変形しにくくて取扱いやすく、また、予めフレーム板に位置決め用マーク（例えば孔）を形成することにより、集積回路装置の電気的接続作業において、当該集積回路装置に対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、フレーム板を構成する材料として熱膨張率の小さいものを用いることにより、異方導電性シートの熱膨張がフレーム板によって規制されるため、温度変化による熱履歴を受けた場合にも、偏在型異方導電性エラストマ一シートの導電部と集積回路装置の被検査電極との位置ずれが防止される結果、良好な電気的接続状態が安定に維持される。

ところで、ウェハに形成された集積回路に対して行われるプローブ試験においては、従来、多数の集積回路のうち例えば 1 6個または 3 2個の集積回路が形成された複数のエリアにウェハを分割し、一のエリアに形成された全ての集積回路について一括してプローブ試験を行い、順次、その他のエリアに形成された集積回路についてプロ一ブ試験を行う方法が採用されている。

そして、近年、検查効率を向上させ、検査コストの低減化を図るために、ゥェハに形成された多数の集積回路のうち例えば 6 4個若しくは 1 2 4個または全部の集積回路について一括してプローブ試験を行うことが要請されている。一方、バーンイン試験においては、検査対象である集積回路装置は微小なものであってその取扱レ、が不便なものであるため、多数の集積回路装置の電気的検査を個別的に行うためには、長い時間を要し、これにより、検査コストが相当に高いものとなる。このような理由から、ウェハ上に形成された多数の集積回路について、それらのバーンイン試験をウェハの状態で一括して行う WL B I (W a f e r L e b e l B u r n— i n ) 試験が提案されている。

しかしながら、検査対象であるウェハが、例えば直径が 8インチ以上の大型のものであって、その被検査電極の数が例えば 5 0 0 0以上、特に 1 0 0 0 0以上のものである場合には、各集積回路における被検査電極のピッチが極めて小さヽものであるため、プローブ試験または WL B I試験のためのプローブ部材として上記の異方導電性コネクターを適用すると、以下のような問題がある。

すなわち、直径が例えば 8インチ（約 2 0 c m) のウェハを検查するためには、異方導電性コネクタ一として、その異方導電性ェラストマ一シートの直径が 8 インチ程度のものを用いることが必要となる。然るに、このような異方導電性ェラストマーシートは、全体の面積が大きいものであるが、各導電部は微細で、当該異方導電性エラストマーシート表面に占める導電部表面の面積の割合が小さいものであるため、当該異方導電性エラストマ一シートを確実に製造することは極めて困難である。従って、異方導電性エラストマ一シートの製造においては、歩留りが極端に低下する結果、異方導電性エラストマ一シートの製造コストが増大し、延いては検査コス卜が増大する。

また、ウェハのプローブ試験または WL B I試験のためのプローブ部材として上記の異方導電性コネクターを用いる場合には、以下のような問題がある。

プロ一ブ試験においては、前述したように、ウェハを 2つ以上のエリアに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行う方法が採用されている。而して、直径が 8インチまたは 1 2 インチのウェハに高レ、集積度で形成された集積回路についてプロ一ブ試験を行う場合には、一つのウェハについて多数回の検查処理工程が必要となる。従って、多数のウェハについてプローブ試験を行うためには、用いられる異方導電性ェラストマ一シートとして、繰り返し使用における耐久性が高いものであることが要求される。

一方、 WL B I試験においては、異方導電性エラストマ一シートは、その導電部が、検査対象であるウェハにおける被検査電極と検査用回路基板の検査用電極とによって挟圧され、この状態で、長時間高温環境下に晒される。従って、異方導電性エラストマ一シートは、このような過酷な条件下で繰り返し使用された場合においても、高い耐久性を有するものであることが要請される。

このような観点から、ウェハのプローブ試験または W L B I試験に用いられる異方導電性エラストマーシートにおいては、その材質すなわち弾性高分子物質および導電性粒子として耐久性を有するものが選択される。

然るに、異方導電性エラストマ一シートの材質として耐久性を有するものを選択した場合であっても、実際に得られる個々の製品としては、耐久性が低いものとなることが少なくない。これは、異方導電性エラストマ一シートの各導電部において、突出高さ、導電性粒子の配向状態および導電性粒子の割合などにバラッキが生じるためであると考えられる。そして、異方導電性エラストマ一シートに損傷を与えずに、導電部の突出高さ、導電性粒子の配向状態および導電性粒子の割合などを調べる手段としては、目視によって判定する手段以外はなく、このような手段では、客観的な判定をすることができないばかり力 \ 作業自体が極めて煩雑であるため、異方導電性エラストマ一シートの製造コストが増大する、という問題がある。また、異方導電性エラストマ一シートの耐久性は、通常の導通試験では判定することはできないため、当該異方導電性エラストマーシートを使用することによつて初めて耐久性の良否が分かるのが現状である。

また、ウェハを構成する材料例えばシリコンの線熱膨張係数は 3 . 3 X 1 0 - ⁶ ZK程度であり、一方、異方導電性エラストマ一シートを構成する材料例えばシリコーンゴムの線熱膨張係数は 2 . 2 X 1 0 ·¹/Κ程度である。従って、例えば 2 5 °Cにおいて、それぞれ直径が 2 0 c mのウェハおよび異方導電性エラストマ —シートの各々を、 2 0 °Cから 1 2 0 °Cまでに加熱した場合には、理論上、ゥェハの直径の変化は 0 . 0 0 6 6 c mにすぎないが、異方導電性エラストマーシートの直径の変化は 0 . 4 4 c mに達する。

このように、ウェハと異方導電性エラストマ一シートとの間で、面方向における熱膨張の絶対量に大きな差が生じると、異方導電性エラストマーシートの周辺部を、ウェハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有するフレーム板によって固定しても、 WL B I試験を行う場合において、ウェハにおける被検查電極と異方導電性エラストマーシートにおける導電部との位置ずれを防止することは極めて困難である。

また、 WL B I試験のためのプローブ部材としては、例えばウェハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有するセラミックスよりなる検査用回路基板上に、異方導電性エラストマ一シートが固定されてなるものが知られている（例えば特開平 7— 2 3 1 0 1 9号公報，特開平 8— 5 6 6 6号公報等参照）。このようなプローブ部材において、検查用回路基板に異方導電性エラストマーシートを固定する手段としては、例えば螺子等によって異方導電性エラストマーシートにおける周辺部を機械的に固定する手段、接着剤等によって固定する手段などが考えられる。

し力しながら、螺子等によって異方導電性エラストマ一シートにおける周辺部を固定する手段では、前述のフレーム板に固定する手段と同様の理由により、ゥェハにおける被検查電極と異方導電性エラストマ一シートにおける導電部との間の位置ずれを防止することは極めて困難である。

一方、接着剤によって固定する手段においては、検査用回路基板に対する電気的接続を確実に達成するためには、異方導電性エラストマ一シートにおける絶縁部のみに接着剤を塗布することが必要となるが、 WL B I試験に用いられる異方導電性エラストマ一シートは、導電部の配置ピッチが小さく、隣接する導電部間の離間距離が小さいものであるため、そのようなことは実際上極めて困難である。また、接着剤によって固定する手段においては、異方導電性エラストマーシートが故障した場合には、当該異方導電性エラストマ一シートのみを新たなものに交換することができず、検査用回路基板を含むプローブ部材全体を交換することが必要となり、その結果、検査コストの増大を招く。また、異方導電性コネクターを用いてウェハのプローブ試験または W L B I試験を行う場合においては、その異方導電性エラストマ一シートが検查対象であるウェハと検査用回路基板とによつて挟圧されることにより、弾性高分子物質により形成された導電部が加圧変形され、これにより、検查対象であるウェハの被検查電極と検查用回路基板の検査電極との電気的接続が達成される。

検查対象であるゥェハの被検查電極と検查用回路基板の検査電極との電気的接続において、被検査電極の各々の突出高さおよぴ検查電極の各々の突出高さにパラツキが生じている場合には、異方導電†生コネクターにおける導電部の各々に加わる加圧力が異なり、これにより、導電部の各々においては、当該導電部に加わる加圧力の大きさに応じて加圧変形の程度が変化するため、被検査電極と検查用回路基板の検査電極との電気的接続が達成される。以下、このような異方導電性コネクターの機能を「段差吸収能」と称する。

異方導電性コネクターの段差吸収能は、導電部を形成する弾性高分子物質の有する加圧変形性により生ずるものであることから、全ての！ ¾検査電極に対する電気的接続を達成するためには、被検査電極の各々の突出高さの差および検查電極の各々の突出高さの差が大きければ大きいほど、大きい加圧力が必要となり、また、被検查電極の各々の突出高さの差およぴ検査電極の各々の突出高さの差が過大であるときには、全ての被検査電極に対する電気的接続を達成することが困難となる。

また、異方導電性コネクターにおける弾性高分子物質により形成された各導電部には、それらの突出高さにバラツキが生じていることがある。

導電部の各々の突出高さの差が大きい異方導電性コネクタ一は、段差吸収能が低いものであるため、このような異方導電性コネクターによって、検査対象であるウェハの全ての被検査電極に対する電気的接続を達成するためには、相当に大きい加圧力が必要となり、或いは、全ての被検査電極に対する電気的接続を達成することが困難となる。

検査対象であるウェハが、例えば直径が 8ィンチ以上の大面積のものであって、その被検査電極の数が例えば 5 0 0 0以上、特に 1 0 0 0 0以上のものである場合には、当該ウェハの検査に用いられる異方導電性コネクタ一としては、その導電部の数が極めて多いものが必要となる。そのため、このようなウェハを検査するための異方導電性コネクタ一は、検查時において、全ての被検査電極に対する電気的接続を達成するために大きい加圧力で加圧される。そして、全ての被検查電極に対する電気的接続を達成するためには、被検査電極の各々の突出高さの差および検査電極の各々の突出高さの差が大きければ大きいほど、一層大きい加圧力が必要となる。

また、ウェハ検査用のプローブ部材としては、検査用回路基板上に異方導電性コネクターおよびシート状コネクターがこの順で配置されてなるものが知られている。このプローブ部材におけるシート状コネクタ一は、メツキによって形成された突起状の表面電極（バンプ）を有し、この表面電極が被検査電極に接触することにより、当該被検查電極に対する電気的接続が達成される。そして、このようなシート状コネクターの表面電極には、その突出高さにパラツキが生じており、しかも、表面電極の各々の突出高さの差が比較的大きいものであるため、このようなシート状コネクターを有するプローブ部^ tにおいては、異方導電性コネクターの段差吸収能が極めて重要となる。

直径が 8ィンチ以上の大面積で被検查電極の数が極めて多いウェハの検查においては、全ての被検查電極に対して電気的接続を達成するために必要な加圧力が大きくなると、当該ウェハを検査するためのウェハ検查装置に搭載される加圧機構として、大型のものが必要となり、その結果、ウェハ検査装置全体が大型のものとなる。そのため、ウェハ検查装置に用いられるプローブ部材としては、小さい加圧力で全ての被検查電極に対して電気的接続を達成することかできるものであることが望まれている。従って、このようなプローブ部材に用いられる異方導電性コネクタ一としては、各導電部の突出高さの差が小さく、段差吸収能が高く、小さレ、加圧力で全ての被検查電極に対して電気的接続を達成することができるものであることが望まれている。発明の開示本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第 1の目的は、多数回にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持される異方導電性コネクターを提供することにある。

本発明の第 2の目的は、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査をゥェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターにおいて、検查対象であるウェハが、例えば直径が 8インチ以上の大面積のものであって、形成された集積回路における被検査電極のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、多数回にわたつて繰り返し使用した場合や高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたつて良好な導電性が維持される異方導電性コネクターを提供することにある。

本発明の第 3の目的は、上記の目的に加えて、更に、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持される異方導電性コネクターを提供することにある。

本発明の第 4の目的は、検査対象であるウェハが、例えば直径が 8インチ以上の大面積のものであって、形成された集積回路における被検查電極のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、し力も、多数回にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持され、熱的耐久性が高くて長い使用寿命が得られるプローブ部材を提供することにある本発明の第 ₅の目的は、上記のプローブ部材を使用して、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うウェハ検査装置およびウェハ検査方法を提供することにある。

本発明の第 6の目的は、直径が 8インチまたは 1 2インチのウェハに高い集積度で形成された集積回路についてプローブ試験を行う場合において、繰り返し使用における耐久性の高い異方導電性コネクタ一およびプローブ部材を提供することにある。

本発明の第 7の目的は、大面積のウェハに高い集積度で形成された、突起状電極を有する集積回路について電気的検查を行う場合において、繰り返し使用における耐久性の高い異方導電性コネクターおよびプロ一プ部材を提供することにある。

本発明の第 8の目的は、例えば直径が 8ィンチ以上の大面積で、 5 0 0 0以上の被検查電極を有するウェハの検查においても、小さい加圧力で全ての被検查電極に対して電気的接続が達成されるプローブ部材およびウェハ検查装置を構成することができる段差吸収能の高い異方導電性コネクターを提供することにある。本発明の異方導電性コネクタ一は、厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成されてなる弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、

前記弾性異方導電膜は、その接続用導電部の合計の数を Yとし、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向に Y X 1 gの荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗を R _{t e}とし、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向に Y X 6 g の荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗をとしたとき、 R _{l g}の値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 0 %以上であり、 R _{6 e}の値が 0 . 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 5 %以上であり、 R _{6 g}の値が 0 . 5 Ω以上である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 1 %以下である初期特性を有することを特徴とする。

また、本発明の異方導電性コネクタ一は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターにおいて、

検査対象であるウェハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検查電極が配置された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、このフレーム板の各異方導電膜配置用孔内に配置され、当該異方導電膜配置用孔の周辺部に支持された複数の弾性異方導電膜とよりなり、

前記弾性異方導電膜の各々は、検査対象であるウェハに形成された集積回路における被検査電極に対応して配置された、磁性を示す導電性粒子が密に含有されてなる厚み方向に伸びる複数の接続用導電部、およびこれらの接続用導電部を相互に絶縁する絶縁部を有する機能部と、この機能部の周縁に一体に形成され、前記フレーム板における異方導電膜配置用孔の周辺部に固定された被支持部とよりなり、

前記弾性異方導電膜は、その接続用導電部の合計の数を Yとし、当該弹性異方導電膜に対してその厚み方向に Y X 1 gの荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗を R _{l g}とし、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向に Y X 6 g の荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗を R _{6 g}としたとき、 R _{l s}の値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 0 %以上であり、 R _{S g}の値が 0 . 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 5 %以上であり、 R _{6 g}の値が 0 . 5 Ω以上である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 1 %以下である初期特性を有することを特徴とする。

本発明の異方導電性コネクターにおいては、前記フレーム板の線熱膨張係数が 3 X 1 0 /K以下であることが好ましい。

本発明のプローブ部材は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うために用いられるプローブ部材であって、

検査対象であるウェハに形成された集積回路における被検査電極のパターンに対応するパターンに従つて検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された上記の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。

本発明のプロ一ブ部材においては、前記異方導電性コネクターにおけるフレーム板の線熱膨張係数が 3 X 1 0 ⁵/K以下であり、前記検査用回路基板を構成する基板材料の線熱膨張係数が 3 X 1 0— ⁵ZK以下であることが好ましい。

また、前記異方導電 14コネクター上に、絶縁性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクターが配置されていてもよい。

本発明のゥェハ検查装置は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うウェハ検査装置において、上記のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、検查対象であるウェハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とする。

本発明のウェハ検查方法は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々を、上記のプロ一ブ部材を介してテスターに電気的に接続し、当該ウェハに形成された集積回路の電気的検査を実行することを特徴とする。

上記の異方導電性コネクターによれば、弾性異方導電膜は、特定の初期特性を有するものであるため、多数回 fcわたって繰り返し使用した場合や高温環境下において繰り返し使用した場合においても、接続用導電部の電気抵抗が著しく増大することがなく、長期間にわたって所要の導電性が維持される。

また、上記のウェハ検査用の異方導電性コネクターによれば、フレーム板には、検查対象であるウェハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検查電極が形成された電極領域に対応して複数の異方導電膜配置用孔が形成されており、当該異方導電膜配置用孔の各々に、弾性異方導電膜が配置されているため、変形しにくくて取り扱い易く、ウェハとの電気的接続作業において、当該ゥェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。

また、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に配置される弾性異方導電膜は面積が小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜の形成が容易である。しかも、面積の小さい弾性異方導電膜は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のゥェハに対して W L B I試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

上記の異方導電性コネクタ一によれば、各接続用導電部の突出高さの差が小さく、段差吸収能が大きく、小さい加圧力で検查対象であるウェハにおける全ての被検查電極に対する電気的接続が達成される。

上記の段差吸収能の高い異方導電性コネクターを用いて構成されるプローブ部材およびウェハ検查装置によれば、直径が 8ィンチ以上の大面積で、 5 0 0 0以上のネ皮検查電極を有するウェハの検查において、小さい加圧力で全ての被検查電極に対して電気的接続を達成することができる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図である。図 2は、図 1に示す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図である図 3は、図 1に示す異方導電性コネクタ一における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 4は、図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。

図 5は、電気抵抗値 Rを測定するための装置の構成を示す説明用断面図である図 6は、弾性異方導電膜成形用の金型に成形材料が塗布されて成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 7は、弾性異方導電成形用の金型をその一部を拡大して示す説明用断面図である。

図 8は、図 6に示す金型の上型および下型の間にスぺーサーを介してフレーム板が配置された状態を示す説明用断面図である。

図 9は、金型の上型と下型の間に、目的とする形態の成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 1 0は、図 9に示す成形材料層を拡大して示す説明用断面図である。

図 1 1は、図 1 0に示す成形材料層にその厚み方向に強度分布を有する磁場が形成された状態を示す説明用断面図である。図 1 2は、本発明に係る異方導電性コネクターを使用したウェハ検査装置の一例における構成を示す説明用断面図である。

図 1 3は、本発明に係るプローブ部材の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。

図 1 4は、本発明に係る異方導電性コネクターを使用したウェハ検査装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。

図 1 5は、本発明に係る異方導電性コネクターの他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 1 6は、本発明に係る異方導電性コネクターの更に他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 1 7は、実施例で使用した試験用ウェハの上面図である。

図 1 8は、図 1 7に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。

図 1 9は、図 1 7に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極を示す説明図である。

図 2 0は、実施例で作製したフレーム板の上面図である。

図 2 1は、図 2 0に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。図 2 2は、実施例で作製した金型の成形面を拡大して示す説明図である。図 2 3は、従来の異方導電性コネクターを製造する工程において、金型內にフレーム板が配置されると共に、成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

〔符号の説明〕

1 プローブ部材 2 異方導電性コネクター

3 加圧板 4 ウェハ載置台

5 加熱器 6 ウェハ

7 被検査電極 1 0 フレーム板

1 1 異方導電膜配置用孔

1 5 空気流通孔 6 6 位置決め孔 2 0 弾性異方導電膜 OA 成形材料層 21 機能部

2 接続用導電部 23 絶縁部

4 突出部 25 被支持部 6 非接続用導電部 27 突出部

0 検査用回路基板 3

0 シート状コネクター 41 絶縁性シート 2 電極構造体 4

4 裏面電極部 4

0 チャンノー 5

5 O—リング

0 金型 6 1 上型

2 基板 6 3 強磁性体層 4 非磁性体層 6 4 a 凹所

5 下型 6 6 基板

7 強磁性体層 6 8 非磁性体層 8 a 凹所

9 a, 69 b スぺーサー

1 セル 7 2 {

3 蓋材 73H 貫通孔 4 磁石 75 電極部

6 電気抵抗測定機

0 上型 8 1 強磁性体層 2 非磁性体層 8 5 下型

6 強磁性体層 8 7 非磁性体層 0 フレーム板 9 1 開口

5 成形材料層 P 導電性粒子発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

〔異方導電性コネクター〕

図 1は、本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図、図 2は、図 1に示す異方導電性コネクターの一部を拡大して示す平面図、図 3は、図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す平面図、図 4は、図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。

図 1に示す異方導電性コネクタ一は、例えば複数の集積回路が形成されたゥェハについて当該集積回路の各々の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられるものであって、図 2に示すように、それぞれ厚み方向に貫通して伸びる複数の異方導電膜配置用孔 1 1 (破線で示す）が形成されたフレーム板 1 0を有する。このフレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1は、検査対象であるウェハに形成された全ての集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して形成されている。フレーム板 1 0の各異方導電膜配置用孔 1 1内には、厚み方向に導電性を有する弾性異方導電膜 2 0が、当該フレーム板 1 0の当該異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に支持された状態で、つ、隣接する弾性異方導電膜 2 0と互いに独立した状態で配置されている。また、この例におけるフレーム板 1 0には、後述するウェハ検査装置において、減圧方式の加圧手段を用いる場合に、当該異方導電性コネクターとこれに隣接する部材との間の空気を流通させるための空気流通孔 1 5が形成され、更に、検査対象であるウェハおよび検査用回路基板との位置決めを行うための位置決め孔 1 6が形成されている。

弾性異方導電膜 2 0は、弾性高分子物質によって形成されており、図 3に示すように、厚み方向（図 3において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2と、この接続用導電部 2 2の各々の周囲に形成され、当該接続用導電部 2 2の各々を相互に絶縁する絶縁部 2 3とよりなる機能部 2 1を有し、当該機能部 2 1は、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1.に位置するよう配置されている。この機能部 2 1における接続用導電部 2 2は、検査対象であるウェハに形成された集積回路における被検查電極のパターンに対応するパターンに従って配置され、当該ウェハの検査において、その被検査電極に電気的に接続されるものでめる。

機能部 2 1の周縁には、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定支持された被支持部 2 5が、当該機能部 2 1に一体に連続して形成されている。具体的には、この例における被支持部 2 5は、二股状に形成されており、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持されている。

弾性異方導電膜 2 0の機能部 2 1における接続用導電部 2 2には、図 4に示すように、磁性を示す導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部 2 3は、導電性粒子 Pが全く或いは殆ど含有されていないものである。この例においては、弾性異方導電膜 2 0における被支持部 2 5には、導電性粒-子 Pが含有されている。

また、図示の例では、弾性異方導電膜 2 0における機能部 2 1の両面には、接続用導電部 2 2およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部 2 4が形成されている。

フレーム板 1 0の厚みは、その材質によって異なるが、 2 5〜6 0 0 μ πιであることが好ましく、より好ましくは 4 0〜4 0 0 μ τηである。

この厚みが 2 5 / m未満である場合には、異方導電性コネクターを使用する際に必要な強度が得られず、耐久性が低いものとなりやすく、また、当該フレーム板 1 0の形状が維持される程度の剛性が得られず、異方導電性コネクターの取扱い性が低いものとなる。一方、厚みが 6 0 0 を超える場合には、異方導電膜配置用孔 1 1に形成される弾性異方導電膜 2 0は、その厚みが過大なものとなつて、接続用導電部 2 2における良好な導電性および隣接する接続用導電部 2 2間における絶縁性を得ることが困難となることがある。

フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1における面方向の形状おょぴ寸法は、検査対象であるウェハの被検査電極の寸法、ピッチおよびパターンに応じて設計される。フレーム板 1 0を構成する材料としては、当該フレーム板 1 0が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板 1 0を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレーム板 1 0の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。

フレーム板 1 0を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジゥム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属またはこれらを 2種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。

フレーム板 1 0を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。

また、フレーム板 1 0は、後述する方法により、弾 1"生異方導電膜 2 0における被支持部 2 5に導電性粒子 Pを容易に含有させることができる点で、少なくとも異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部すなわち弾性異方導電膜 2 0を支持する部分が磁性を示すもの、具体的にはその飽和磁化が 0 . l Wb Zm² 以上のものであることが好ましく、特に、当該フレーム板 1 0の作製が容易な点で、フレーム板 1 0全体が磁性体により構成されていることが好ましい。

このようなフレーム板 1 0を構成する磁性体の具体例としては、鉄、二ッケル

、コバルト若しくはこれらの磁性金属の合金またはこれらの磁性金属と他の金属との合金若しくは合金鋼などが挙げられる。

また、異方導電性コネクターを WL B I試験に用いる場合には、フレーム板 1 0を構成する材料としては、線熱膨張係数が 3 X 1 0—⁵/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは一 1 X 1 0 ⁷〜 1 X 1 cr ⁵ZK：、特に好ましくは1 1 0 - 6〜8ズ 1 0 ⁶ノ Kである。

このような材料の具体例としては、ィンパーなどのィンバー型合金、ェリンバ一などのエリンバー型合金、スーパーィンパー、コパール、 4 2合金などの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。

本発明の異方導電生コネクターにおいて、弾性異方導電膜 2 0は、下記（1 ) 〜下記（3) に示す初期特性を有するものとされる。

( 1 ) 接続用導電部 22の合計の数を Yとし、当該弾性異方導電膜 20に対してその厚み方向に YX 1 gの荷重を加えた状態における接続用導電部 22の電気抵抗を R_lgとしたとき、の値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 90%以上であること。

R_lgの値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 90%未満である場合には、多数回にわたつて繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときに、所要の導電性を維持することが困難となる。

(2) 弾性異方導電膜 20に対してその厚み方向に YX 6 gの荷重を加えた状態における接続用導電部 22の電気抵抗を R_6gとしたとき、 R_6gの値が 0. 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 95 %以上であること。尺_6!!の値が0. 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 95 %未満である場合には、多数回にわたって繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときに、所要の導電性を維持することが困難となる

(3) R_6gの値が 0. 5 Ω以上である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 1 %以下、好ましくは 0. 5 %以下、より好ましくは 0. 1 %以下、特に好ましくは 0%であること。

R_Bgの値が 0. 5 Ω以上である接続用導電部の数が過大に存在する場合には、当該異方導電性コネクターをウェハの検査に実際に使用することができない。弾性異方導電膜 20は、その全厚（図示の例では接続用導電部 22における厚み）は、 50〜2000 μπιであることが好ましく、より好ましくは 70〜 10 00 m、特に好ましくは 80〜500 Aimである。この厚みが 50 μ m以上であれば、十分な強度を有する弾性異方導電膜 20が確実に得られる。一方、この厚みが 2000 μ m以下であれば、所要の導電性特性を有する接続用導電部 22 が確実に得られる。

突出部 24の突出高さは、その合計が当該突出部 24における厚みの 10%以上であることが好ましく、より好ましくは 20%以上である。このような突出高さを有する突出部 2 4を形成することにより、小さい加圧力で接続用導電部 2 2 が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。

また、突出部 2 4の突出高さは、当該突出部 2 4の最短幅または直径の 1 0 0 %以下であることが好ましく、より好ましくは 7 0 °/₀以下である。このような突出高さを有する突出部 2 を形成することにより、当該突出部 2 4が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。

また、被支持部 2 5の厚み（図示の例では二股部分の一方の厚み）は、 5〜2 5 0 μ ηιであることが好ましく、より好ましくは 1 0〜1 5 0 μ τα、特に好ましくは 1 5〜： ί θ θ μ mである。

また、被支持部 2 5は二股状に形成されることは必須のことではなく、フレーム板 1 0の一面のみに固定されていてもよい。

弾性異方導電膜 2 0を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のをものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。 - 液状シリコーンゴムは、付加型のものであっても縮合型のものであってもよいが、付加型液状シリコーンゴムが好ましい。この付加型液状シリコーンゴムは、ビュル基と S i一 H結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基および S i — H結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のものと、ビュル基を含有するポリシロキサンおょぴ S i —H結合を含有するポリシロキサンからなる二液型（二成分型）のものがあるが、本発明においては、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。

付加型液状シリコーンゴムとしては、その 2 3 °Cにおける粘度が 1 0 0〜1， 2 5 0 P a · sのものを用いることが好ましく、さらに好ましくは 1 5 0〜8 0 0 P a · s、特に好ましくは 2 5 0〜5 0 0 P a · sのものである。この粘度が 1 0 0 P a · s未満である場合には、後述する弾性異方導電膜 2 0を得るための成形材料において、当該付加型液状シリコーンゴム中における導電性粒子の沈降が生じやすく、良好な保存安定性が得られず、また、成形材料層に平行磁場を作用させたときに、導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向せず、均一な状態で導電性粒子の連鎖を形成することが困難となることがある。一方、この粘度が 1 2 5 O P a · sを超える場合には、得られる成形材料が粘度の高いものとなるため、金型内に成形材料層を形成しにくいものとなることがあり、また、成形材料層に平行磁場を作用させても、導電性粒子が十分に移動せず、そのため、導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることが困難となることがある。

このような付加型液状シリコーンゴムの粘度は、 B型粘度計によって測定することができる。

弾性異方導電膜 2 0を液状シリコーンゴムの硬化物（以下、「シリコーンゴム硬化物」という。）によって形成する場合において、当該シリコーンゴム硬化物は、その 1 5 0 °Cにおける圧縮永久歪みが 1 0 %以下であることが好ましく、より好ましくは 8 %以下、さらに好ましくは 6 %以下である。この圧縮永久歪みが 1 0 %を超える場合には、得られる異方導電性コネクタ一を高温環境下において繰り返し使用したときには、接続用導電部 2 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。

ここで、シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によって測定することができる。

また、弾性異方導電膜 2 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、その 2 3 °Cにおけるデュロメーター A硬度が 1 0〜6 0のものであることが好ましく、さらに好ましくは 1 5〜 6 0、特に好ましくは 2 0〜 6 0のものである。このデュ口メ一ター A硬度が 1 0未満である場合には、加圧されたときに、接続用導電部 2 2 を相互に絶縁する絶縁部 2 3が過度に歪みやすく、接続用導電部 2 2間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメーター A硬度が 6 0を超える場合には、接続用導電部 2 2に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重による加圧力が必要となるため、例えば検查対象であるウェハに大きな変形や破壌が生じやすくなる。

ここで、シリコーンゴム硬化物のデュロメーター A硬度は、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によって測定することができる。また、弾性異方導電膜 2 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、その 2 3 °Cにおける引き裂き強度が 8 k NZm以上のものであることが好ましく、さらに好ましくは 1 0 k N/m以上、より好ましくは 1 5 k NZm以上、特に好ましくは 2 0 k N/m以上のものである。この引き裂き強度が 8 k NZm未満である場合には、弾性異方導電膜 2 0に過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしゃすい。

ここで、シリコーンゴム硬化物の引き裂き強度は、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によって測定することができる。

このような特性を有する付加型液状シリコーンゴムとしては、信越化学工業株式会社製の液状シリコーンゴム「Κ Ε 2 0 0 0」シリーズ、「Κ Ε 1 9 5 0」シリーズとして市販されているものを用いることができる。

本発明においては、付加型液状シリコーンゴムを硬化させるために適宜の硬化触媒を用いることができる。このような硬化触媒としては、白金系のものを用いることができ、その具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金一不飽和基含有シ口キサンコンプレックス、ビニノレシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と 1， 3ージビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスフアイ卜と白金とのコンプレックス、ァセチルァセテート白金キレート、環状ジェンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。

硬化触媒の使用量は、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、付加型液状シリコーンゴム 1 0 0質量部に対して 3〜1 5 質量部である。

また、付加型液状シリコーンゴム中には、付加型液状シリコーンゴムのチクソトロピー性の向上、粘度調整、導電性粒子の分散安定性の向上、或いは高い強度を有する基材を得ることなどを目的として、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エア口ゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。

このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない。

弾性異方導電膜 20における接続用導電部 22および被支持部 25に含有される導電性粒子 Pとしては、磁性を示す芯粒子（以下、「磁性芯粒子」ともいう。 ) の表面に高導電性金属が被覆されてなるものを用いることが好ましい。

ここで、「高導電性金属」とは、 0°Cにおける導電率が 5 X 10⁶ Ω tin—¹以上のものをいう。

導電性粒子 Pを得るための磁性芯粒子は、その数平均粒子径が 3〜 40 μ mのものであることが好ましい。

ここで、磁性芯粒子の数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。

上記数平均粒子径が 3 m以上であれば、加圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い接続用導電部 22が得られやすい。一方、上記数平均粒子径が 40 μπι以下であれば、微細な接続用導電部 22を容易に形成することができ、また、得られる接続用導電部 22は、安定な導電性を有するものとなりやすい。また、磁性芯粒子は、その BET比表面積が 10〜50 Om² /k gであることが好ましく、より好ましくは 20〜 500m² /k g、特に好ましくは 50〜 40 Om² /k gである。

この B E T比表面積が 10 m² /k g以上であれば、当該磁性芯粒子はメッキ可能な領域が十分に大きいものであるため、当該磁性芯粒子に所要の量のメツキを確実に行うことができ、従って、導電性の大きい導電性粒子 Pを得ることができると共に、当該導電性粒子 P間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、この BET比表面積が 50 Om² /k g以下であれば、当該磁性芯粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高、導電性が保持される。

また、磁性芯粒子は、その粒子径の変動係数が 50 %以下のものであることが好ましく、より好ましくは 40%以下、更に好ましくは 30%以下、特に好ましくは 20%以下のものである。ここで、粒子径の変動係数は、式： ZDn) X I 00 (但し、 σは、粒子径の標準偏差の値を示し、 Dnは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。

上記粒子径の変動係数が 50%以下であれば、粒子径の均一性が大きいため、導電性のバラツキの小さい接続用導電部 22を形成することができる。

磁性芯粒子を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂にコーティングしたものなどを用いることができるが、その飽和磁化が 0. lWbZm² 以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは 0 . 3Wb/m² 以上、特に好ましくは 0. 5Wbノ m² 以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金を挙げることができる。この飽和磁化が 0. lWbZm² 以上であれば、後述する方法によって、当該弾性異方導電膜 20を形成するための成形材料層中において導電性粒子 Pを容易に移動させることができ、これにより、当該成形材料層における接続用導電部となる部分に、導電性粒子 Pを確実に移動させて導電性粒子 Pの連鎖を形成することができる。

磁性芯粒子の表面に被覆される高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いることが好ましい。

導電性粒子 Pは、芯粒子に対する高導電性金属の割合〔（高導電性金属の質量 /芯粒子の質量） X 100〕が 15質量％以上であることが好ましく、より好ましくは 25〜35質量⁰ /₀である。

高導電性金属の割合が 15質量％未満である場合には、得られる異方導電性コネクターを高温環境下に繰り返し使用したとき、当該導電性粒子 Pの導電性が著しく低下する結果、所要の導電性を維持することができない。

また、導電性粒子 Pは、下記の式（1) によって算出される、高導電性金属による被覆層の厚み tが 50 nm以上のものであることが好ましく、より好ましくは 100〜 200 nmのものである。

式（1) t = 11/ (Sw - _P) 〕 X N/ (1一 N) 〕〔但し、 tは高導電性金属による被覆層の厚み（m) 、 Swは芯粒子の BET比表面積（m² /k g) 、 pは高導電性金属の比重（k g/m³ ) 、 Nは（高導電性金属の質量 Z導電性粒子全体の質量）の値を示す。〕

上記の式（1) は、次のようにして導かれたものである。

( i ) 磁性芯粒子の質量を Mp (k g) とすると、磁性芯粒子の表面積 S (m² ) は、

S = S w · Mp 式（2)

によって求められる。

(ii) 高導電性金属による被覆層の質量を m (k g) とすると、当該被覆層の体積 V (m³ ) は、

V = m/ p 式 ( ύ )

によって求められる。

(iii ) ここで、被覆層の厚みが導電性粒子の表面全体にわたって均一なものであると仮定すると、 t =VZSであり、これに上記式 (2) および式 (3) を代入すると、被覆層の厚み tは、

t = (m/ β ) / (Sw · Mp) = / (S w · p - Mp) 式 (4) によって求められる。

(iv) また、 Nは、導電性粒子全体の質量に対する被覆層の質量の比であるから、この Nの値は、

N=m/ (Mp +m) 式（5)

によって求められる。 .

(v) この式（5) の右辺における分子 ·分母を Mpで割ると、

N- (m/Mp) / (1 +m/Mp) となり、両辺に（1 +m/Mp) をかけると、

N ( 1 +m/Mp) =m/Mp 更には、

N + N (rn/Mp) =m/Mpとなり、 N (m/Mp) を右辺に移行すると、 N=m/'Mp - N (m/Mp) = (m/Mp) (1一 N) となり、両辺を (1 — N) で割ると、 N/ (1一 N) =m/Mpとなり、

従って、磁性芯粒子の質量 Mpは、

Mp =mZ 〔N/ (1 -N) 〕 =m (1— N) /N 式 (6) によって求められる。

(vi) そして、式（4) に式（6) を代入すると、

t = 1/ [S w · _Ρ · (1一 Ν) /Ν〕

= [1/ (Sw · p) ) X [N/ (1 -N) 〕

が導かれる。

この被覆層の厚み tが 50 nm以上であれば、当該異方導電性コネクターを高温環境下に繰り返し使用した場合において、磁性芯粒子を構成する強磁性体が被覆層を構成する高導電性金属中に移行しても、当該導電性粒子 Pの表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子 Pの導電性が著しく低下することがなく、所期の導電性が維持される。

また、導電性粒子 Pは、その BET比表面積が 10〜50 Om² /k gであることが好ましい。

この BET比表面積が 1 Om² /k g以上であれば、被覆層の表面積が十分に大きいものであるため、高導電性金属の総質量が大きレ、被覆層を形成することができ、従って、導電性の大きい粒子を得ることができると共に、当該導電性粒子 P間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、この B E T比表面積が 500m² /k g以下であれば、当該導電性粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。

また、導電性粒子 Pの数平均粒子径は、 3〜40 μπιであることが好ましく、より好ましくは 6〜 25 μιηである。

このような導電性粒子 Ρを用いることにより、得られる弾性異方導電膜 20は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該弾性異方導電膜 20における接続用導電部 22において導電性粒子 Ρ間に十分な電気的接触が得られる。

また、導電性粒子 Ρの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した 2次粒子による塊状のものであることが好ましい。

また、導電性粒子 Pは、下記に示す電気抵抗値 Rが 0 . 3 Ω以下となるものであることが好ましく、より好ましくは 0 . 1 Ω以下のものである。

電気抵抗値 R：導電性粒子 0 . 6 gと液状ゴム 0 · 8 gとを混練することによつてペースト組成物を調製し、このペースト組成物を、 0 . 5 mmの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が l mmの一対の電極間に配置し、当該一対の電極間に 0 . 3 Tの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。

具体的には、この電気抵抗 ί直 Rは、以下のようにして測定される。

図 5は、電気抵抗値 Rを測定するための装置であり、 7 1は試料室 Sを形成するセラミック製のセルであって、筒状の側壁材 7 2と、それぞれ中央に貫通孔 7 3 Ηを有する一対の蓋材 7 3とにより構成されている。 7 4は導電性を有する一対の磁石であって、それぞれ表面から突出する、蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Ηに適合する形状の電極部 7 5を有し、この電極部 7 5が蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Ηに嵌合された状態で、当該蓋材 7 3に固定されている。 7 6は電気抵抗測定機であって、一対の磁石 7 4の各々に接続されている。セル 7 1の試料室 Sは、直径 d 1が 3 mm、厚み d 2が 0 . 5 mmの円板状であり、蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Hの内径すなわち磁石 7 4の電極部 7 5の直径 rは l mmである。

そして、セル 7 1の試料室 Sに、上記のペースト組成物を充填し、磁石 7 4の電極部 7 5間に当該試料室 Sの厚み方向に 0 . 3 Tの平行磁場を作用させながら、電気抵抗測定機 7 6によって磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値を測定する。その結果、ペースト組成物中に分散されていた導電性粒子が、平行磁場の作用により磁石 7 4の電極部 7 5間に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配向し、この導電性粒子の移動に伴って、磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値が低下した後安定状態となり、このときの電気抵抗値を測定する。ペースト組成物に平行磁場を作用させてから、磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値が安定状態に達するまでの時間は、導電性粒子の種類によって異なるが、通常、ペースト組成物に平行磁場を作用させてから 5 0 0秒間経過した後における電気抵抗値を電気抵抗値 Rとして測定する。

この電気抵抗値 Rが 0 . 3 Ω以下であれば、高い導電性を有する接続用導電部 2 2が確実に得られる。

導電性粒子 Pの含水率は、 5質量 °/₀以下であることが好ましく、より好ましくは 3質量％以下、さらに好ましくは 2質量％以下、特に好ましくは 1質量％以下である。このような条件を満足することにより、成形材料の調製または弾性異方導電膜 2 0の形成において、硬化処理する際に気泡が生ずることが防止または抑制される。

また、導電性粒子 Pは、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤で処理されたものあってもよい。導電性粒子 Pの表面がカツプリング剤で処理されることにより、当該導電性粒子 Pと弾性高分子物質との接着性が高くなり、その結果、耐久性が高い導電性材料が得られる。

カツプリング剤の使用量は、導電性粒子 Pの導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子 Pの表面におけるカップリング剤の被覆割合（導電性粒子の表面積に対するカツプリング剤の被覆面積の割合）が 5 %以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上記被覆率が 7〜 1 0 0 °/₀、さらに好ましくは 1 0〜1 0 0 °/₀、特に好ましくは 2 0〜1 0◦%となる量である。

このような導電性粒子 Pは、例えは以下の方法によって得ることができる。先ず、強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより、所要の粒子径を有する磁性芯粒子を調製する。

ここで、粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。

また、分級処理の具体的な条件は、目的とする磁性芯粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。

次いで、磁性芯粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆することによつて、導電性粒子が得られる。

ここで、磁性芯粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸などを挙げることができる。

高導電性金属を磁性芯粒子の表面に被覆する方法としては、無電解メツキ法、置換メツキ法等を用いることができる力これらの方法に限定されるものではない。

無電解メツキ法または置換メツキ法によって導電性粒子を製造する方法について説明すると、先ず、メツキ液中に、酸処理および洗浄処理された磁性芯粒子を添加してスラリーを調製し、このスラリーを攪拌しながら当該磁性芯粒子の無電解メツキまたは置換メツキを行う。次いで、スラリー中の粒子をメツキ液から分離し、その後、当該粒子を例えば純水によつて洗浄処理することにより、磁性芯粒子の表面に高導電性金属が被覆されてなる導電性粒子が得られる。

また、磁性芯粒子の表面に下地メツキを行って下地メツキ層を形成した後、当該下地メッキ層の表面に高導電性金属よりなるメツキ層を形成してもよい。下地メツキ層およびその表面に形成されるメツキ層を形成する方法は、特に限定されないが、無電解メツキ法により、磁性芯粒子の表面に下地メツキ層を形成し、その後、置換メツキ法により、下地メツキ層の表面に高導電性金属よりなるメツキ層を形成することが好ましい。

無電解メツキまたは置換メツキに用いられるメツキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。

また、磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する際に、粒子が凝集することにより、粒子径の大きい導電性粒子が発生することがあるため、必要に応じて、導電†生粒子の分級処理を行うことが好ましく、これにより、所期の粒子径を有する導電性粒子が確実に得られる。

導電性粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の磁性芯粒子を調製するための分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。機能部 2 1の接続用導電部 2 2における導電性粒子 Pの含有割合は、体積分率で 1 0〜 6 0 %、好ましくは 1 5〜 5 0 %となる割合で用いられることが好ましい。この割合が 1 0 %未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい接続用導電部 2 2が得られないことがある。一方、この割合が 6 0 %を超える場合には、得られる接続用導電部 2 2は脆弱なものとなりやすく、接続用導電部 2 2として必要な弹性が得られないことがある。

また、被支持部 2 5における導電性粒子 Pの含有割合は、弾性異方導電膜 2 0 を形成するための成形材料中の導電性粒子の含有割合によつて異なるが、弹性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2のうち最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子 Pが含有されることが確実に防止される点で、成形材料中の導電性粒子の含有割合と同等若しくはそれ以上であることが好ましく、また、十分な強度を有する被支持部 2 5が得られる点で、体積分率で 3 0 %以下であることが好ましい。

上記の異方導電性コネクタ一は、例えば以下のようにして製造することができる。

先ず、検查対象であるウェハにおける集積回路の被検查電極が形成された電極領域のパターンに対応して異方導電膜配置用孔 1 1が形成された磁性金属よりなるフレーム板 1 0を作製する。ここで、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1を形成する方法としては、例えばエッチング法などを利用することができる。次いで、付加型液状シリコーンゴム中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる、弾性異方導電膜成形用の成形材料を調製する。そして、図 6に示すように、弾性異方導電性膜成形用の金型 6 0を用意し、この金型 6 0における上型 6 1およぴ下型 6 5の各々の成形面に、所要のパターンすなわち形成すべき弾性異方導電膜の配置パターンに従って成形材料を塗布することによつて成形材料層 O A を形成する。

ここで、金型 6 0について具体的に説明すると、この金型 6 0は、上型 6 1およびこれと対となる下型 6 5が互いに対向するよう配置されて構成されている。上型 6 1においては、図 7に拡大して示すように、基板 6 2の下面に、成形すべき弾性異方導電性膜 2◦の接続用導電部 2 2の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層 6 3が形成され、この強磁性体層 6 3以外の個所には、非磁性体層 6 4が形成されており、これらの強磁性体層 6 3および非磁性体層 6 4によって成形面が形成されている。また、上型 6 1の成形面には、成形すべき弾' (4 異方導電膜 2 0における突出部 2 4に対応して凹所 6 4 aが形成されている。一方、下型 6 5においては、基板 6 6の上面に、成形すべき弾性異方導電膜 2 0の接続用導電部 2 2の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層 6 7 が形成され、この強磁性体層 6 7以外の個所には、非磁性体層 6 8が形成されており、これらの強磁性体層 6 7およぴ非磁性体層 6 8によつて成形面が形成されている。また、下型 6 5の成形面には、成形すべき弾性異方導電膜 2 0における突出部 2 4に対応して凹所 6 8 aが形成されている。

上型 6 1およぴ下型 6 5の各々における基板 6 2， 6 6は、強磁性体により構成されていることが好ましく、このような強磁性体の具体例としては、鉄、鉄一ニッケル合金、鉄—コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属が挙げられる。この基板 6 2， 6 6は、その厚みが 0 . 1〜 5 0 mmであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。

また、上型 6 1および下型 6 5の各々における強磁性体層 6 3， 6 7を構成する材料としては、鉄、鉄—ニッケル合金、鉄一コバルト合金、ニッケル、コパノレトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体層 6 3， 6 7は、その厚みが 1 0 μ πι以上であることが好ましい。この厚みが 1 Ο μ πι以上であれば、成形材料層 2 O Aに対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることができ、この結果、当該成形材料層 2 O Aにおける接続用導電部 2 2となる部分に導電性粒子を高密度に集合させることができ、良好な導電性を有する接続用導電部 2 2が得らる。

また、上型 6 1およぴ下型 6 5の各々における非磁性体層 6 4， 6 8を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィ一の手法により容易に非磁性体層 6 4， 6 8を形成することができる点で、放射線によって硬化された高分子物質を好ましく用いることができ、その材料としては、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。

上型 6 1および下型 6 5の成形面に成形材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷法を用いることが好ましい。このような方法によれば、成形材料を所要のパターンに従って塗布することが容易で、しかも、適量の成形材料を塗布することができる。

次いで、図 8に示すように、成形材料層 2 O Aが形成された下型 6 5の成形面上に、スぺーサー 6 9 aを介して、フレーム板 1 0を位置合わせして配置すると共に、このフレーム板 1 0上に、スぺーサー 6 9 bを介して、成形材料層 2 O A が形成された上型 6 1を位置合わせして配置し、更に、これらを重ね合わせることにより、図 9に示すように、上型 6 1と下型 6 5との間に、目的とする形態（形成すべき弾性異方導電膜 2 0の形態）の成形材料層 2 O Aが形成される。この成形材料層 2 0 Aにおいては、図 1 0に示すように、導電性粒子 Pは成形材料層 2 O A全体に分散された状態で含有されている。

このようにフレーム板 1 0と上型 6 1およぴ下型 6 5との間にスぺ一サー 6 9 a , 6 9 bを配置することにより、目的とする形態の弾性異方導電膜を形成することができると共に、隣接する弾性異方導電膜同士が連結することが防止されるため、互いに独立した多数の弾性異方導電膜を確実に形成することができる。その後、上型 6 1における基板 6 2の上面および下型 6 5における基板 6 6の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、上型 6 1およぴ下型 6 5が強磁性体層 6 3， 6 7を有するため、上型 6 1の強磁性体層 6 3 とこれに対応する下型 6 5の強磁性体層 6 7との間においてその周辺領域より大きい強度を有する磁場が形成される。その結果、成形材料層 2 O Aにおいては、当該成形材料層 2 0 A中に分散されていた導電性粒子 Pが、図 1 1に示すように、上型 6 1の強磁性体層 6 3とこれに対応する下型 6 5の強磁性体層 6 7との間に位置する接続用導電部 2 2となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向する。以上において、フレーム板 1 0が磁性金属よりなるため、上型 6 1および下型 6 5の各々とフレーム板 1 0との間においてその付近より大きい強度の磁場が形成される結果、成形材料層 2 O Aにおけるフレーム板 1 0の上方おょぴ下方にある導電性粒子 Pは、上型 6 1の強磁性体層 6 3と下型 6 5の強磁性体層 6 7との間に集合せず、フレーム板 1 0の上方および下方に保持されたままとなる。

そして、この状態において、成形材料層 2 O Aを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電†生粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の接続用導電部 2 2が、導電性粒子 Pが全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部 2 3によって相互に絶縁された状態で配置されてなる機能部 2 1と、この機能部 2 1の周辺に連続して一体に形成された、弾性高分子物質中に導電性粒子 Pが含有されてなる被支持部 2 5とよりなる弾性異方導電膜 2 0が、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に当該被支持部 2 5 が固定された状態で形成され、以て異方導電性コネクターが製造される。

以上において、成形材料層 2 0 Aにおける接続用導電部 2 2となる部分および被支持部 2 5となる部分に作用させる外部磁場の強度は、平均で 0 . 1〜 2 . 5 テスラとなる大きさが好ましい

成形材料層 2 O Aの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。加熱により成形材料層 2 O Aの硬化処理を行う場合には、電磁石にヒーターを設ければよレ、。具体的な加熱温度おょぴ加熱時間は、成形材料層 2 O Aを構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子 Pの移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。

上記の異方導電性コネクターによれば、弾性異方導電膜 2 0は、特定の初期特性を有するものであるため、高温環境下において繰り返し使用した場合においても、接続用導電部 2 2の電気抵抗が著しく増大することがなく、長期間にわたつて所要の導電性を維持することができる。

また、弾性異方導電膜 2 0には、接続用導電部 2 2を有する機能部 2 1の周縁に被支持部 2 5が形成されており、この被支持部 2 5がフレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検查対象であるウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。

また、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の各々は、検査対象であるゥェハに形成された集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して形成されており、当該異方導電膜配置用孔 1 1の各々に配置される弾性異方導電膜 2 0は面積が小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜 2 0の形成が容易である。しかも、面積の小さい弾性異方導電膜 2 0は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板 1 0を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のウェハに対して WL B I試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

また、上記の異方導電性コネクタ一は、その弾性異方導電膜 2 0の形成において、成形材料層 2 0 Aにおける被支持部 2 5となる部分に例えば磁場を作用させることによつて当該部分に導電性粒子 Pが存在したままの状態で、当該成形材料層 2 O Aの硬化処理を行うことにより得られるため、成形 t料層 2 O Aにおける被支持部 2 5となる部分すなわちフレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部の上方および下方に位置する部分に存在する導電性粒子 Pが、接続用導電部 2 2となる部分に集合することがなく、その結果、得られる弹性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2のうち最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子 Pが含有されることが防止される。従って、成形材料層 2 O A中の導電性粒子 Pの含有量を少なくする必要もないので、弾性異方導電膜 2 0の全ての接続用導電部 2 2について、良好な導電性が確実に得られると共に隣接する接続用導電部 2 2との絶縁性が確実に得られる。

また、フレーム板 1 0に位置決め孔 1 6が形成されているため、検查対象であるウェハまたは検査用回路基板に対する位置合わせを容易に行うことができる。また、フレーム板 1 0に空気流通孔 1 5が形成されているため、後述するゥェハ検查装置において、プローブ部材を押圧する手段として減圧方式によるものを利用した場合には、チャンバ一内を減圧したときに、異方導電性コネクターと検查用回路基板との間に存在する空気がフレーム板 1 0の空気流通孔 1 5を介して排出され、これにより、異方導電性コネクターと検査用回路基板とを確実に密着させることができるので、所要の電気的接続を確実に達成することができる。〔ウェハ検査装置〕

図 1 2は、本発明に係る異方導電性コネクターを用いたウェハ検查装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。このウェハ検査装置は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をゥェハの状態で行うためのものである。

図 1 2に示すウェハ検查装置は、検査対象であるウェハ 6の ί皮検査電極 7の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブ部材 1を有する。このプローブ部材 1においては、図 1 3にも拡大して示すように、検査対象であるウェハ 6の被検查電極 7のパターンに対応するパターンに従って複数の検查電極 3 1が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板 3 0を有し、この検査用回路基板 3 0の表面には、図 1〜図 4に示す構成の異方導電性コネクター 2が、その弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々が検查用回路基板 3 0の検查電極 3 1の各々に対接するよう設けられ、この異方導電性コネクター 2の表面（図において下面）には、絶縁性シート 4 1に検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7 のパターンに対応するパターンに従つて複数の電極構造体 4 2が配置されてなるシート状コネクター 4 0が、当該電極構造体 4 2の各々が異方導電性コネクター 2の弹性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々に対接するよう設けられている。

また、プローブ部材 1における検查用回路基板 3 0の裏面（図において上面）には、当該プローブ部材 1を下方に加圧する加圧板 3が設けられ、プローブ部材 1の下方には、検査対象であるウェハ 6が載置されるウェハ載置台 4が設けられており、加圧板 3およびウェハ载置台 4の各々には、加熱器 5が接続されている検査用回路基板 3 0を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フヱノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナ等のセラミックス材料などが挙げられる。

また、 W L B I試験を行うためのウェハ検查装置を構成する場合には、線熱膨張係数が 3 X 1 0—⁵/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは 1 X 1 0— 7〜； L X 1 0— ⁵ZK、特に好ましくは 1 X 1 CT ⁶〜6 X 1 0— ^β/Κであるこのような基-板 $ί料の具体例としては、パイレックスガラス、石英ガラス、ァルミナ、ベリリア、炭化ケィ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などが挙げられる。

プローブ部材 1におけるシート状コネクター 4 0について具体的に説明すると、このシート状コネクター 4 0は、柔軟な絶縁性シート 4 1を有し、この絶縁性シート 4 1には、当該絶縁性シート 4 1の厚み方向に伸びる複数の金属よりなる電極構造体 4 2が、検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って、当該絶縁性シート 4 1の面方向に互いに離間して配置されている。

電極構造体 4 2の各々は、絶縁性シート 4 1の表面（図において下面）に露出する突起状の表面電極部 4 3と、絶縁性シート 4 1の裏面に露出する板状の裏面電極部 4 4とが、絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通して伸びる短絡部 4 5によつて互いに一体に連結されて構成されている。

絶縁性シート 4 1としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだク口スに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。

また、絶縁性シート 4 1の厚みは、当該絶縁性シート 4 1が柔軟なものであれば特に限定されないが、 1 0〜 5 0 ιηであることが好ましく、より好ましくは 1 0〜2 5 μ mである。電極構造体 4 2を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体 4 2としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、 2種以上の金属の合金よりなるものまたは 2種以上の金属が積層されてなるものであってもよい。

また、電極構造体 4 2における表面電極部 4 3および裏面電極部 4 4の表面には、当該電極部の酸化が防止されると共に、接触抵抗の小さい電極部が得られる点で、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されていることが好ましい。

電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の突出高さは、ウェハ 6の被検査電極 7に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、 1 5〜 5 0 /i mであることが好ましく、より好ましくは 1 5〜 3 0 μ mである。また、表面電極部 4 3の径は、ウェハ 6の被検查電極の寸法およびピッチに応じて設定されるが、例えば 3 0〜8 0 μ πιであり、好ましくは 3 0〜5 0 μ πιである。

電極構造体 4 2における裏面電極部 4 4の径は、短絡部 4 5の径より大きく、かつ、電極構造体 4 2の配置ピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、異方導電性コネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2に対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。また、裏面電極部 4 4の厚みは、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、 2 0〜5 0 / mであることが好ましく、より好ましくは 3 5〜5 0 μ πιである。

電極構造体 4 2における短絡部 4 5の径は、十分に高い強度が得られる点で、 3 0〜8 0 μ πιであることが好ましく、より好ましくは 3 0〜 5 0 /i mである。シート状コネクター 4 0は、例えば以下のようにして製造することができる。すなわち、絶縁性シート 4 1上に金属層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シート 4 1に対して、レーザ加工、ドライエツチング加工等によって、当該絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、形成すべき電極構造体 4 2のパターンに対応するパターンに従って形成する。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィーおよびメツキ処理を施すことによって、絶縁性シート 4 1の貫通孔内に金属層に一体に連結された短絡部 4 5を形成すると共に、当該絶縁性シート 4 1の表面に、短絡部 4 5に一体に連結された突起状の表面電極部 4 3を形成する。その後、積層材料における金属層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、裏面電極部 4 4を形成して電極構造体 4 2を形成し、以てシート状コネクター 4 0が得られる。

このような電気的検査装置においては、ウェハ載置台 4上に検査対象であるゥェハ 6が载置され、次いで、加圧板 3によってプローブ部材 1が下方に加圧されることにより、そのシート状コネクター 4 0の電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の各々が、ウェハ 6の被検查電極 7の各々に接触し、更に、当該表面電極部 4 3の各々によって、ウェハ 6の被検査電極 7の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々は、検査用回路基板 3 0の検查電極 3 1とシート状コネクター 4 0 の電極構造体 4 2の表面電極部 4 3とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該接続用導電部 2 2にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウェハ 6の被検查電極 7と検查用回路基板 3 0の検査電極 3 1との電気的接続が達成される。その後、加 ^¾器 5によって、ウェハ載置台 4および加圧板 3を介してウェハ 6が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウェハ 6における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

このようなウェハ検査装置によれば、前述の異方導電性コネクター 2を有するプローブ部材 1を介して、検查対象であるウェハ 6の被検查電極 7に対する電気的接続が達成されるため、被検査電極 7のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、高温環境下において繰り返し使用した場合にも、所要の電気的検査を長期間にわたつて安定して実行することができる。

また、異方導電性コネクター 2における弹性異方導電膜 2 0は、それ自体の面積が小さいものであり、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板 1 0を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜 2 0の面方向における ¾膨張がフレーム板によって確実に規制きれる。従って、大面積のゥェハに対して WL B I試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

図 1 4は、本発明に係る異方導電性コネクターを用いたウェハ検查装置の他の例における構成の概略を示す説明用断面図である。

このウェハ検查装置は、検査対象であるウェハ 6が収納される、上面が開口した箱型のチャンバ一 5 0を有する。このチャンバ一 5 0の側壁には、当該チャンバー 5 0の内部の空気を排気するための排気管 5 1が設けられており、この排気管 5 1には、例えば真空ポンプ等の排気装置（図示省略）が接続されている。チャンバ一 5 0上には、図 1 2に示すウェハ検査装置におけるプローブ部材 1 と同様の構成のプローブ部材 1が、当該チャンバ一 5 0の開口を気密に塞ぐよう配置されている。具体的には、チャンパ一 5 0における側壁の上端面上には、弹性を有する O—リング 5 5が密着して配置され、プローブ部材 1は、その異方導電性コネクター 2およぴシート状コネクター 4 0がチャンバ一 5 0内に収容され、かつ、その検査用回路基板 3 0における周辺部が O—リング 5 5に密着した状態で配置されており、更に、検査用回路基板 3 0が、その裏面（図において上面 ) に設けられた加圧板 3によつて下方に加圧された状態とされている。

また、チャンパ一 5 0および加圧板 3には、加熱器 5が接続されている。このようなウェハ検查装置においては、チャンバ一 5 0の排気管 5 1に接続された排気装置を駆動させることにより、チャンバ一 5 0内が例えば 1 0 0 0 P a 以下に減圧される結果、大気圧によって、プローブ部材 1が下方に加圧される。これにより、 O—リング 5 5が弾性変形するため、プローブ部材 1が下方に移動する結果、シ一ト状コネクター 4 0の電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の各々によって、ウェハ 6の被検査電極 7の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々は、検査用回路基板 3 0の検查電極 3 1とシート状コネクター 4 0の電極構造体 4 2の表面電極部 4 3とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該接続用導電部 2 2にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウェハ 6の被検査電極 7と検查用回路基板 3 0の検查電極 3 1との電気的接続が達成される。その後、加熱器 5によって、チャンパ一 5 0および加圧板 3を介してウェハ 6が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウェハ 6における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

このようなウェハ検査装置によれば、図 1 2に示すウェハ検査装置と同様の効果が得られ、更に、大型の加圧機構が不要であるため、検査装置全体の小型化を図ることができると共に、検査対象であるウェハ 6が例えば直径が 8ィンチ以上の大面積のものであっても、当該ウェハ 6全体を均一な力で押圧することができる。しかも、異方導電性コネクター 2におけるフレーム板 1 0には、空気流通孔 1 5が形成されているため、チャンパ一 5 0内を減圧したときに、異方導電性コネクター 2と検查用回路基板 3 0との間に存在する空気が、異方導電性コネクタ一 2におけるフレーム板 1 0の空気流通孔 1 5を介して排出され、これにより、異方導電性コネクター 2と検査用回路基板 3 0とを確実に密着させることができるので、所要の電気的接続を確実に達成することができる。

〔他の実施の形態〕

本発明は、上記の実施の形態に限定されず、次のような種々の変更を加えることが可能である。

( 1 ) 異方導電性コネクターにおいては、弾性異方導電膜 2 0には、接続用導電部 2 2以外に、ウェハにおける被検査電極に電気的に接続されない非接続用導電部が形成されていてもよい。以下、非接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターについて説明する。

図 1 5は、本発明に係る異方導電性コネクターの他の例における弹性異方導電膜を拡大して示す平面図である。この異方導電性コネクターの弾性異方導電膜 2 0においては、その機能部 2 1に、検查対象であるウェハの被検查電極に電気的に接続される厚み方向（図 1 5において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2力被検査電極のパターンに対応するパターンに従って 2列に並ぶよう配置され、これらの接続用導電部 2 2の各々は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていな、絶縁部 2 3によって相互に絶縁されている。

そして、接続用導電部 2 2が並ぶ方向において、最も外側に位置する接続用導電部 2 2とフレーム板 1 0との間には、検査対象であるウェハの被検查電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電部 2 6が形成されている。この非接続用導電部 2 6は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって、接続用導電部 2 2と相互に絶縁されている。

また、図示の例では、弾性異方導電膜 2 0における機能部 2 1の両面には、接続用導電部 2 2およびその周辺部分が位置する個所並びに非接続用導電部 2 6およびその周辺部分が位置する個所に、それら以外の表面から突出する突出部 2 4 および突出部 2 7が形成されている。

機能部 2 1の周縁には、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定支持された被支持部 2 5が、当該機能部 2 1に一体に連続して形成されており、この被支持部 2 5には、導電性粒子が含有されている。

その他の構成は、基本的に図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターの構成と同様である。

図 1 6は、本発明に係る異方導電性コネクタの更に他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。この異方導電性コネクターの弹性異方導電膜 2 0においては、その機能部 2 1に、検查対象であるウェハの被検查電極に電気的に接続される厚み方向（図 1 6において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2が、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って並ぶよう配置され、これらの接続用導電部 2 2の各々は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって相互に絶縁されている。

これらの接続用導電部 2 2のうち中央に位置する互いに隣接する 2つの接続用導電部 2 2は、その他の互いに隣接する接続用導電部 2 2間における離間距離より大きい離間距離で配置されている。そして、中央に位置する互いに隣接する 2 つの接続用導電部 2 2の間には、検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電部 2 6が形成されている。この非接続用導電部 2 6は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3 によって、接続用導電部 2 2と相互に絶縁されている。

その他の具体的な構成は、基本的に図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターの構成と同様である。

図 1 5に示す異方導電性コネクターおよぴ図 1 6に示す異方導電性コネクターは、図 7に示す金型の代わりに、成形すべき弾性異方導電性膜 2 0の接続用導電部 2 2およぴ非接続用導電部 2 6の配置パターンに対応するパターンに従って強磁性体層が形成され、この強磁性体層以外の個所には、非磁性体層が形成された上型および下型からなる金型を用いることにより、前述の図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターを製造する方法と同様にして製造することができる。

すなわち、このような金型によれば、上型における基板の上面おょぴ下型における基板の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、当該上型およぴ当該下型の間に形成された成形材料層においては、当該成形材料層における機能部 2 1となる部分に分散されていた導電性粒子が、接続用導電部 2 2となる部分および非接続用導電部 2 6となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向し、一方、成形材料層におけるフレーム板 1 0の上方および下方にある導電性粒子は、フレーム板 1 0の上方および下方に保持されたままとなる。そして、この状態において、成形材料層を硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の接続用導電部 2 2および非接続用導電部 2 6が、導電性粒子が全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部 2 3によって相互に絶縁された状態で配置されてなる機能部 2 1と、この機能部 2 1の周辺に連続して一体に形成された、弾性高分子物質中に導電性粒子が含有されてなる被支持部 2 5とよりなる弾性異方導電膜 2 0力 S、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に当該被支持部 2 5が固定された状態で形成され、以て異方導電性コネクターが製造される。

図 1 5に示す異方導電性コネクターにおける非接続用導電部 2 6は、弾性異方導電膜 2 0の形成において、成形材料層における非接続用導電部 2 6となる部分に磁場を作用させることにより、成形材料層における最も外側に位置する接続用導電部 2 2となる部分とフレーム板 1 0との間に存在する導電性粒子を、非接続用導電部 2 6となる部分に集合させ、この状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うことにより得られる。そのため、当該弾性異方導電膜 2 0の形成において、導電性粒子が、成形材料層における最も外側に位置する接続用導電部 2 2となる部分に過剰に集合することがない。従って、形成すべき弾性異方導電膜 2 0が、比較的多数の接続用導電部 2 2を有するものであっても、当該弾性異方導電膜 2 0における最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子が含有されることが確実に防止される。

また、図 1 6に示す異方導電性コネクターにおける非接続用導電部 2 6は、弾性異方導電膜 2 0の形成において、成形材料層における非接続用導電部 2 6となる部分に磁場を作用させることにより、成形材料層における大きい離間距離で配置された隣接する 2つの接続用導電部 2 2となる部分の間に存在する導電性粒子を、非接続用導電部 2 6となる部分に集合させ、この状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うことにより得られる。そのため、当該弾性異方導電膜 2 0の形成において、導電性粒子が、成形材料層における大きい離間距離で配置された隣接する 2つの接続用導電部 2 2となる部分に過剰に集合することがない。従って、形成すべき弾性異方導電膜 2 0が、それぞれ大きい離間距離で配置された 2っ以上の接続用導電部 2 2を有するものであっても、それらの接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子が含有されることが確実に防止される。

( 2 ) 異方導電性コネクターにおいては、弹性異方導電膜 2 0における突出部 2 4は必須のものではなく、一面または両面が平坦面のもの、或いは凹所が形成されたものであってもよい。

( 3 ) 弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の表面には、金属層が形成されていてもよい。

( 4 ) 異方導電性コネクターの製造において、フレーム板 1 0の基材として非磁性のものを用いる場合には、成形材料層 2 O Aにおける被支持部 2 5となる部分に磁場を作用させる方法として、当該フレーム板 1 0における異方導電 II莫配置用孔 1 1の周辺部に磁性体をメッキしてまたは磁性塗料を塗布して磁場を作用させる手段、金型 6 0に、弾性異方導電膜 2 0の被支持部 2 5に対応して強磁性体層を形成して磁場を作用させる手段を利用することができる。

( 5 ) 成形材料層の形成において、スぺーサーを用いることは必須のことではなく、他の手段によって、上型および下型とフレーム板との間に弾性異方導電膜成形用の空間を確保してもよい。

( 6 ) プローブ部材においては、シート状コネクター 4 0は、必須のものではなく、異方導電性コネクター 2における弾性異方導電膜 2 0が検査対象であるゥェハに接触して電気的接続を達成する構成であってもよレ、。

( 7 ) 本発明の異方導電性コネクタ一は、そのフレーム板の異方導電膜配置用孔、検查対象であるウェハに形成された一部の集積回路における被検査電極が配置された電極領域に対応して形成され、これらの異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜が配置されたものであってもよい。

このような異方導電性コネクターによれば、ウェハを 2以上のエリアに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプ口ーブ試験を行うことができる。

すなわち、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材を使用したウェハの検査方法においては、ウェハに形成された全ての集積回路について一括して行うことは必須のことではな！/、。

パーンィン試験においては、集積回路の各々に必要な検査時間が数時間と長いため、ウェハに形成された全ての集積回路について一括して検査を行えば高い時間的効率が得られるが、プローブ試験においては、集積回路の各々に必要な検査時間が数分間と短いため、ウェハを 2以上のエリアに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプローブ試験を行っても、十分に高い時間的効率が得られる。

このように、ウェハに形成された集積回路について、分割されたエリア毎に電気的検查を行う方法によれば、直径が 8インチまたは 1 2インチのウェハに高い集積度で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検査を行う方法と比較して、用いられる検查用回路基板の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。

そして、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプローブ部材は、繰り返し使用における耐久性が高いものであるため、ウェハに形成された集積回路について、分割されたエリア毎に電気的検査を行う方法に用いる場合には、異方導電性コネクターに故障が生じて新たなものに交換する頻度が小さくなるので、検查コストの低減化を図ることができる。

( 8 ) 本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプロ一ブ部材は、アルミ二ゥムよりなる平面状の電極を有する集積回路が形成されたウェハの検査の他に、金またははんだなどよりなる突起状電極（バンプ）を有する集積回路が形成されたウェハの検査に用いることもできる。

金やはんだなどよりなる電極は、アルミニウムよりなる電極に比較して、表面に酸化膜が形成されにくいものであるため、このような突起状電極を有する集積回路が形成されたウェハの検査においては、酸化膜を突き破るために必要な大きな荷重で加圧することが不要となり、シート状コネクターを用いずに、異方導電性コネクターの接続用導電部を被検查電—極に直接接触させた状態で検查を実行することができる。被検查電極である突起状電極に異方導電性コネクターの接続用導電部を直接接触させた状態でウェハの検查を行う場合においては、当該異方導電性コネクターを繰り返し使用すると、その接続用導電部が突起状電極によつて加圧されることにより摩耗したり永久的に圧縮変形したりする結果、当該接続用導電部には、電気抵抗の増加や被検査電極に対する接続不良が発生するため、高い頻度で異方導電性コネクターを新たなものに交換することが必要であった。

而して、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプロ一ブ部材によれば、繰り返し使用における耐久性が高いものであるため、検査対象であるウェハが、直径が 8インチまたは 1 2インチであって高い集積度で集積回路が形成されたものであっても、長期間にわたって所要の導電性が維持され、これにより、異方導電性コネクターを新たなものに交換する頻度が少なくなるので、検査コストの低減化を図ることができる。

〈実施例〉

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

〔試験用ウェハの作製〕

図 1 7に示すように、直径が 8ィンチのシリコン（線熱膨張係数 3 . 3 X 1 0 - K) 製のウェハ 6上に、それぞれ寸法が 8 mm X 8 mmの正方形の集積回路 Lを合計で 3 9 3個形成した。ウェハ 6に形成された集積回路 Lの各々は、図 1 8に示すように、その中央に被検査電極領域 Aを有し、この被検査電極領域 Aには、図 1 9に示すように、それぞれ縦方向（図 1 9において上下方向）の寸法が 2 0 0 μ mで横方向（図 1 9において左右方向）の寸法が 5 0 μ mの矩形の 5 0 個の被検査電極 7が 1 0 0 のピッチで横方向に一列に配列されている。また、この'ウェハ 6全体の被検查電極 7の総数は 1 9 6 5 0個であり、全ての被検査電極は、当該ウェハ 6の周縁部に形成された共通の引出し電極（図示省略）に電気的に接続されている。以下、このウェハを「試験用ウェハ W l」という。また、集積回路（L ) における 5 0個の被検査電極（7 ) のうち最も端の被検查電極（7 ) 力ら数えて 1個おきに 2個ずつを互いに電気的に接続し、引出し電極を形成しなかったこと以外は、試験用ウェハ W1と同様の構成の 393個の集積回路（L) をウェハ（6) 上に形成した。このウェハ全体の被検查電極の総数は 19650個である。以下、このウェハを「試験用ウェハ W2」という。

また、直径が 6インチのシリコン製のウェハ上に、それぞれ寸法が 6. 5mm X 6. 5 mmの正方形の集積回路 Lを合計で 225個形成した。ウェハに形成された集積回路の各々は、その中央に被検査電極領域を有し、この被検查電極領域には、それぞれ縦方向の寸法が 100 mで横方向の寸法が 50 μ mの矩形の 5 0個の被検查電極が 100 μπιのピッチで横方向に二列（一列の被検查電極の数が 25個）に配列されている。縦方向に隣接する被検査電極の間の離間距離は、 350 μπιである。また、 50個の被検查電極のうち 2個ずつが互いに電気的に接続されている。このウェハ全体の被検查電極の総数は 1 1 250個であり、全ての被検査電極は、当該ウェハの周縁部に形成された共通の引出し電極に電気的に接続されている。以下、このウェハを「試験用ウェハ W3」という。

また、集積回路における 50個の被検査電極のうち 2個ずつを互いに電気的に接続し、引出し電極を形成しなかったこと以外は、試験用ウェハ W3と同様の構成の 225個の集積回路をウェハ上に形成した。このウェハ全体の被検查電極の総数は 1 1 250個である。以下、このウェハを「試験用ウェハ W4」という。

〔磁性芯粒子の調製〕

( 1 ) 磁性芯粒子 [A] の調製：

市販のニッケル粒子 (We s t a i m社製，「F C 1000」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子 [A] を調製した。

日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア TC — 1 5N」によって、ニッケル粒子 2 k gを、比重が 8. 9、風量が 2. 5m³ m i n、口一ター回転数が 1， 600 r p mゝ分級点が 25 μ m、ニッケル粒子の供給速度が 1 6 g Zm i nの条件で分級処理し、二ッケル粒子 1. 8 k gを捕集し、更に、このニッケル粒子 1. 8 k gを、比重が 8. 9、風量が 2. 5 m 3 m i n、ローター回転数が 3， 000 r p m、分級点、カ 10 m、エッケノレ粒子の供給速度が 14 g /m i nの条件で分級処理し、二ッケル粒子 1. 5 k g を捕集した。

次いで、筒井理化学機器株式会社製の音波ふるい器「SW—20AT^」によつて、空気分級機によって分級されたニッケル粒子 120 gを更に分級処理した。具体的には、それぞれ直径が 200 mmで、開口径が 25 ^ m、 20 ^ m、 1 6 imおよび 8 μπιの 4つのふるいを上からこの順で 4段に重ね合わせ、ふるいの各々に直径が 2 mmのセラミックボール 10 gを投入し、最上段のふるい（開口径が 25 μιη) にニッケル粒子 20 gを投入し、 55Hzで 12分間および 1 25Hzで 15分間の条件で分級処理し、最下段のふるい（開口径が 8 // m) に捕集されたニッケル粒子を回収した。この操作を合計で 25回行うことにより、磁性芯粒子 [A] 110 gを調製した。

得られた磁性芯粒子 [A] は、数平均粒子径が 10 μπι、粒子径の変動係数が 10%、 BET比表面積が 0. 2 X 10³ m² /k g、飽和磁化が 0. 6Wb/ m² であった。

(2) 磁性芯粒子 [B] 〜磁性芯粒子 [H] の調製：

空気分級機および音波ふるい器の条件を変更したこと以外は磁性芯粒子 [A] の調製と同様にして、下記の磁性芯粒子 [B] 〜磁性芯粒子 [H] を調製した。磁性芯粒子 [B] ：

数平均粒子径が 12 μ m、粒子径の変動係数が 30%、 BE T比表面積が 0. 1 X 10³ m² Zk g、飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [C] ：

数平均粒子径が 10 μ m、粒子径の変動係数が 10 %、 B E T比表面積が 0. 03 X 10³ m² /k g、飽和磁化が 0. 6WbZm² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [D] ：

数平均粒子径が 9 μ m、粒子径の変動係数が 28%、 BE T比表面積が 0. 0 5 X 10³ m² /k g、飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。磁性芯粒子 [E] ：

数平均粒子径が 6 μ m、粒子径の変動係数が 30%、 B E T比表面積が 0. 5 X 10³ m² /k g、飽和磁化が 0. 6WbZm² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [F] ：

数平均粒子径が 10 μ m、粒子径の変動係数が 20 %、 B E T比表面積が 0. 05 X 10³ m² /k g、飽和磁化が 0. 6Wb/m² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [G] ：

数平均粒子径が 10 m、粒子径の変動係数が 15 %、 B E T比表面積が 0. 1 5 X 10³ m- /k g, 飽和磁化が 0. SWbZm² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

磁性芯粒子 [H] ：

数平均粒子径が 8 μ m、粒子径の変動係数が 25%、 B E T比表面積が 0. 1 5 X 10³ m² Zk g、飽和磁ィ '匕が 0. 6WbZm² であるニッケルよりなる磁性芯粒子。

〔導電性粒子の調製〕

( 1 ) 導電性粒子 [ a ] の調製：

粉末メツキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子 [A] 100 gを投入し、更に、 0 . 32 Nの塩酸水溶液 2 Lを加えて攪拌し、磁性芯粒子 [A] を含有するスラリ一を得た。このスラリーを常温で 30分間攪拌することにより、磁性芯粒子 [A ] の酸処理を行い、その後、 1分間静置して磁性芯粒子 [A] を沈殿させ、上澄み液を除去し。

次いで、酸処理が施された磁性芯粒子 [A] に純水 2 Lを加え、常温で 2分間攪拌し、その後、 1分間静置して磁性芯粒子 [A] を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返すことにより、磁性芯粒子 [A] の洗浄処理を行った。

そして、酸処理おょぴ洗浄処理が施された磁性芯粒子 [A] に、金の含有割合が 20 gZLの金メッキ液 2 Lを加え、処理層内の温度を 90°Cに昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子 [A] に対して金の置換メツキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、導電性粒子 [ a] を調製した。

このようにして得られた導電性粒子 [a] に純水 2 Lを加え、常温で 2分間攪拌し、その後、 1分間静置して導電性粒子 [a] を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返し、その後、 90°Cに加熱した純水 2 Lを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性粒子 [a] を回収した。そして、この導電性粒子 [a] を、 90°Cに設定された乾燥機によって乾燥処理した。

得られた導電性粒子 [a] は、数平均粒子径が 12 μιη、 BET比表面積が 0 . 25 X 10³ m² /k g、被覆層の厚み tが 111 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [a] 全体の質量）の値 Nが 0. 3、電気抵抗値が 0. 025 Ωであった。

(2) 導電性粒子 [b] の調製：

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [B] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は、導電性粒子 [a] の調製と同様にして導電性粒子

[b] を調製した。

得られた導電性粒子 [b] は、数平均粒子径が 13/zm、 BET比表面積が 0 . 12 X 10³ m² /k g、被覆層の厚み tが 146 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [b] 全体の質量）の値 Nが 0. 22、電気抵抗値 R が 0. 1 Ωであった。

(3) 導電性粒子 [c] の調製：

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [C] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は、導電性粒子 [a] の調製と同様にして導電性粒子

[c] を調製した。

得られた導電性粒子 [ c ] は、数平均粒子径が 14 m、 B E T比表面積が 0 . 04 Xl 0³ m² /k g、被覆層の厚み tが 192 n m、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [c] 全体の質量）の値 Nが 0. 10、電気抵抗値 R が 0. 12 Ωであった。

(4) 導電性粒子 [d] の調製：

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [D] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は、導電性粒子 [a] の調製と同様にして導電性粒子

[d] を調製した。 .

得られた導電性粒子 [d] は、数平均粒子径が 10 ^ m、 BET比表面積が 0 . 06 X 10³ m² Zk g、被覆層の厚み tが 90 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [d] 全体の質量）の値 Nが 0. 08、電気抵抗値が 0. 15 Ωであった。

( 5 ) 導電性粒子 [ e ] の調製：

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [E] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は、導電性粒子 [a] の調製と同様にして導電性粒子

[e] を調製した。

得られた導電性粒子 [e] は、数平均粒子径が 7 ;um、 8£丁比表面積が0. 7 X 10³ m² Zk g、被覆層の厚み tが 58 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [e] 全体の質量）の値 Nが 0. 35、電気抵抗値 Rが 0. 25 Ωであった。

(6) 導電性粒子 [f ] の調製：

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [F] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は、導電性粒子 [a] の調製と同様にして導電性粒子 [f ] を調製した。

得られた導電性粒子 [f ] は、数平均粒子径が 1 l / m、 BET比表面積が 0 . 06 X 10³ m² Zk g、被覆層の厚み tが 128 nm、（被覆層を形成する金の質量） Z (導電性粒子 [f ] 全体の質量）の値 Nが 0. 11、電気抵抗値 R が 0. 18 Ωであった。

(7) 導電性粒子 [g] の調製：磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [G] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は、導電性粒子 [a] の調製と同様にして導電性粒子 [g] を調製した。

得られた導電性粒子 [g] は、数平均粒子径が 12 ^ m、 BET比表面積が 0 . 17 X 10³ m² Zk g、被覆層の厚み tが 135 nm、（被覆層を形成する金の質量） / (導電性粒子 [g] 全体の質量）の値 Nが 0. 28、電気抵抗値 R が 0. 015 Ωであった。

( 8 ) 導電性粒子 [ h ] の調製：

磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [H] を用い、金メッキ液中の金の含有割合を変更したこと以外は、導電性粒子 [a] の調製と同様にして導電性粒子 Ch] を調製した。 '

得られた導電性粒子 [h] は、数平均粒子径が 10 μ m、 BET比表面積が 0 . 16 X 10³ m² g、被覆層の厚み tが 61 nm、（被覆層を形成する金の質量） Z (導電性粒子 [g] 全体の質量）の値 Nが 0. 15、電気抵抗値尺が 0. 08 Ωであった。

調製した導電性粒子の特性および当該導電性粒子に使用した磁性芯粒子の特性を、下記表 1にまとめて示す。

翻した酣立子の特注導電性粒子の特 ¾

数平均粒子径の BET脑面積食醒化数平均 BET藤臓被 as (金 ©H»

禾羣 m ¾iチ丫圣 (m- / kg) (wb/m²) (m' /kg) の厚み (専電性雖体の霞）

導電性粒子 ( m) (%) (urn) (nm) の値 N (Ω)

[a] [A] 1 0 1 0 0.2X10³ 0. 6 1 2 0.25 xlO³ 1 1 1 0. 3 0.0 2 5

[b] [B] 1 2 30 0.1 χΐο³ 0. 6 1 3 0.1 2 XlO³ 1 46 0. 22 0.1

[c] [C] 1 0 1 0 0.03X10³ 0. 6 1 4 0.04X10³ 1 92 0. 1 0.1 2

[d] [D] 9 28 0.05 X10³ 0. 6 1 0 0.06 xlO³ 90 0. 08 0.1 5

[e] [E] 6 30 0.5 X10³ 0. 6 7 0.7 xlO³ 58 0. 35 0.25

[f] [F] 1 0 20 0.05 X10³ 0. 6 1 1 0.06 xlO³ 1 28 0. 1 1 0.1 8

[g] [G] 1 0 1 5 0.1 5 X10³ 0. 6 1 2 0.1 7 xlO³ 1 35 0. 28 0.0 1 5

[h] [H] 8 25 0.1 5 X10³ 0. 6 1 0 0.1 6 xlO³ 6 1 0. 1 5 0.08

:»1 〔高分子物質形成材料〕

高分子物質形成材料として、 A液の粘度が 2 5 O P a · sで、 B液の粘度が 2 5 0 P a · sである二液型の付加型液状シリコーンゴムであって、硬化物の 1 5 0 °Cにおける永久圧縮歪みが 5 %、硬化物のデュロメーター A硬度が 3 2、硬化物の引裂強度が 2 5 k N/mのものを用意した。この付加型液状シリコーンゴムを「シリコーンゴム（1 ) 」とする。

また、上記の付加型液状シリコーンゴムの特性は、次のようにして測定した。

( i ) 付加型液状シリコーンゴムの粘度：

B型粘度計により、 2 3士 2 °Cにおける粘度を測定した。

(ii) シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：

二液型の付加型液状シリコーンゴムにおける A液と B液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行つた後、 1 2 0 °C、 3 0分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが 1 2 . 7 mm, 直径が 2 9 mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、 2 0 0 °C、 4時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、 J I S K 6 2 4 9に準拠して 1 5 0土 2 °Cにおける圧縮永久歪みを測定した。

(iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度：

上記（ii) と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが 2 . 5 m mのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、 J I S K 6 2 4 9に準拠して 2 3土 2 °Cにおける引裂強度を測定した。

(iv) デュロメーター A硬度：

上記（iii)と同様にして作製されたシートを 5枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、 J I S K 6 2 4 9に準拠して 2 3 ± 2 °Cにおけるデュ口メーター A硬度を測定した。

[WL B I試験用異方導電性コネクターの製造〕

( 1 ) フレーム板の作製： 56 図 20および図 21に示す構成に従い、下記の条件により、試験用ウェハ W2 における各被検査電極領域に対応して形成された 393の異方導電膜配置孔を有する直径が 8ィンチのフレーム板を合計で 80枚作製した。

このフレーム板 10の材質はコバール（飽和磁化 1. 4Wb/m² ，線熱膨張係数 5 X 1 0— で、その厚みは、 60 μπιである。

異方導電膜配置用孔 1 1の各々は、その横方向（図 20およ.ぴ図 21において左右方向）の寸法が 5250 μ mで縦方向（図 20および図 21において上下方向）の寸法が 320 /zmである。

縦方向に隣接する異方導電膜配置用孔 1 1の間の中央位置には、円形の空気流入孔 15が形成されており、その直径は 1000 /imである。

(2) スぺーサ一の作製：

下記の条件により、試験用ゥェハ W 2における被検查電極領域に対応して形成された複数の貫通孔を有する弹¾1異方導電膜成形用のスぺ一サーを 2枚作製した。これらのスぺ一サーの材質はステンレス (SUS 304) で、その厚みは 20 μ mである。

各被検査電極領域に対応する貫通孔は、その横方向の寸法が 6000 μ mで縦方向の寸法が 1 200 μιηである。

(3) 金型の作製：

図 7および図 22に示す構成に従い、下記の条件により、弾性異方導電膜成形用の金型を作製した。

この金型における上型 6 1および下型 65は、それぞれ厚みが 6 mmの鉄よりなる基板 62， 66を有し、この基板 62, 66上には、試験用ウェハ W1における被検査電極のパターンに対応するパターンに従ってニッケルよりなる接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (6 7) および非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a (67 a) が配置されている。具体的には、接続用導電部形成用の強磁性体層 63 (67) の各々の寸法は 40 μ m (横方向） X 200 μ m (縦方向） X 100 /zm (厚み）で、 50個の強磁性体層 63 (67) が 100 μ のピッチで横方向に一列に配列されている。また、強磁性体層 63 (67) が並ぶ方向 7

57 において、最も外側に位置する強磁性体層 6 3 (6 7) の外側には、非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (6 7 a) が配置されている。各強磁性体層 6 3 a (6 7 a) の寸法は、 6 0 μ m (横方向） X 20 0 μ m (縦方向） X 1 0 0 μ m (厚み）である。

そして、 5 0個の接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 (6 7) および 2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (6 7 a) が形成された領域が、試験用ウェハ W2における被検査電極領域に対応して合計で 3 9 3個形成され、基板全体で 1 9 6 5 0個の接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 (6 7) および 7 8 6個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (6 7 a) が形成されている。また、非磁性体層 6 4 (6 8) は、ドライフィルムレジストを硬化処理することによって形成され、接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 (6 7) が位置する凹所 6 4 a (6 8 a) の各々の寸法は、 6 0 m (横方向） X 2 1 0 m (縦方向） X 2 5 m (深さ) で、非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (6 7 a ) が位置する凹所 6 4 b (6 8 b) の各々の寸法は、 9 0 /i m (横方向） X 2 6 0 μ ΐα (縦方向） X 2 5 m (深さ）で、凹所以外の部分の厚みは 1 2 5 m ( 回所部分の厚み 1 0 0 μ m) である。

(4) 異方導電性コネクター（A 1 ) 〜（A 1 0) の作製：

上記のフレーム板、スぺーサ一および金型を用い、以下のようにしてフレーム板に弾性異方導電膜を形成した。

シリコーンゴム（1) 1 0 0質量部に、導電性粒子 [a] 3 0質量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、弹性異方導電膜成形用の成形材料を調製した。

上記の金型の上型および下型の表面に、調製した成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、形成すべき弾性異方導電膜のパターンに従って成形材料層を形成し、下型の成形面上に、下型側のスぺーサーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、上型側のスぺーサーを介して上型を位置合わせして重ねた。

そして、上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、強磁性体層の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に 2Tの磁場を作用させながら、 1 00°C、 1時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜を形成した。

得られた弾性異方導電膜について具体的に説明すると、弾性異方導電膜の各々は、横方向の寸法が 6000 μ m、縦方向の寸法が 1200 μ mである。弾性異方導電膜の各々における機能部には、 50個の接続用導電部が 100 mのピッチで横方向に一列に配列されており、接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 4 0 m、縦方向の寸法が 200 μ m、厚みが 150 μ mであり、機能部における絶縁部の厚みが 100 μπιである。また、横方向において最も外側に位置する接続用導電部とフレーム板との間には、非接続用導電部が配置されている。非接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 60 μ m、縦方向の寸法が 200 μ m、厚みが 150 である。また、弾性異方導電膜の各々におけるネ皮支持部の厚み（二股部分の一方の厚み）は 20 mである。

以上のようにして、 10枚のフレーム板の各々に弾性異方導電膜を形成し、合計で 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクタ一を異方導電性コネクター（A1) 〜異方導電性コネクター（A10) とする。

また、異方導電性コネクター（A1) 〜異方導電性コネクター（A10) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確霄忍された。

(5) 異方導電性コネクター（B 1) 〜（B 10) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [b] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（A1) 〜（A10) と同様にして 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（B 1) 〜異方導電性コネクター（B 10) という。

また、異方導電性コネクター（B 1) 〜異方導電性コネクター（B 10) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察した 3010057

59 ところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(6) 異方導電性コネクター（C 1) 〜（C 10) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [c] を用いたこと以外は、異方導電 †生コネクター（A1) 〜（A10) と同様にして 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（C 1) 〜異方導電性コネクター（C10) という。

また、異方導電性コネクター（C 1) 〜異方導電性コネクター（C 10) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(7) 異方導電性コネクタ一（D1) 〜（D 10) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [d] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（A1) 〜（A10) と同様にして 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（D 1) 〜異方導電性コネクター（D10) という。

また、異方導電性コネクター（D 1) 〜異方導電性コネクター（D 10) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(8) 異方導電性コネクター（E1) 〜（E 10) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [e] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（A1) 〜（A10) と同様にして 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（E 1) 〜異方導電性コネクター（E 10) という。

また、異方導電性コネクター（E 1) 〜異方導電性コネクター（E 10) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部およぴ機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(9) 異方導電性コネクター（F 1) 〜（F 10) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [f ] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（A1) 〜（A10) と同様にして 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（F 1) 〜異方導電性コネクター（F10) という。

また、異方導電性コネクター（F 1) 〜異方導電性コネクター（F 10) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部おょぴ機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(10) 異方導電性コネクター（G1) 〜（G10) の作製：

導電' !·生粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [g] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（A1) 〜（A10) と同様にして 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（G 1) 〜異方導電性コネクター（G10) とレ、う。

また、異方導電性コネクター（G 1) 〜異方導電性コネクター（G10) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(11) 異方導電性コネクター（HI) 〜（H10) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [h] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（A1) 〜（A10) と同様にして 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（H 1) 〜異方導電性コネクター（H10) という。

また、異方導電性コネクター（HI) 〜異方導電性コネクター（H10) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。〔プローブ試験用異方導電性コネクターの製造〕

( 1 ) フレーム板の作製：

下記の条件により、上記の試験用ウェハ W 3における各被検査電極領域に対応して形成された 225の異方導電膜配置孔を有する直径が 6インチのフレーム板を作製した。

このフレーム板の材質はコパール（飽和磁化 1. 4Wb/m² ，線熱膨張係数 5 X 10— ⁶ZK) で、その厚みは、 80 μπιである。

異方導電膜配置用孔の各々は、その横方向の寸法が 2740 μ mで縦方向の寸法が 600 μπιである。

縦方向に隣接する異方導電膜配置用孔の間の中央位置には、円形の空気流入孔が形成されており、その直径は 1000 / mである。

(2) スぺーサ一の作製：

下記の条件により、試験用ウェハ W 2における被検查電極領域に対応して形成された複数の貫通孔を有する弾性異方導電膜成形用のスぺーサーを 2枚作製したこれらのスぺーサ一の材質はステンレス（SUS 304) で、その厚みは 30 / mである o

各被検查電極領域に対応する貫通孔は、その横方向の寸法が 3500 /xmで縦方向の寸法が 1400 imである。

(3) 金型の作製：

下記の条件により、弾性異方導電膜成形用の金型を作製した。

この金型における上型およぴ下型は、それぞれ厚みが 6 mmの鉄よりなる基板を有し、この基板上には、試験用ウェハ W 3における被検查電極のパターンに対応するパターンに従ってニッケルよりなる接続用導電部形成用の強磁性体層およぴ非接続用導電部形成用の強磁性体層が配置されている。具体的には、接続用導電部形成用の強磁性体層の各々の寸法は 50 μ m (横方向） X 100 m (縦方向） X 100 m (厚み）で、 50個の強磁性体層が 100 μ mのピッチで横方向に二列（一列の強磁性体層の数が 25個で、縦方向に隣接する強磁性体層の間 10057

62 の離間距離が 3 50 μ m) に配列されている。また、強磁个生体層が並ぶ方向において、最も外側に位置する強磁性体層の外側には、非接続用導電部形成用の強磁性体層が配置されている。この強磁性体層の寸法は、 50 μπι (横方向） Χ 20 0 μΐη (縦方向） X l O O ^um (厚み）である。

そして、 50個の接続用導電部形成用の強磁性体層および 2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層が形成された領域が、試験用ウェハ W2における被検查電極領域に対応して合計で 2 25個形成され、基板全体で 1 1 2 50個の接続用導電部形成用の強磁性体層および 450個の非接続用導電部形成用の強磁性体層が形成されている。

また、非磁性体層は、ドライフィルムレジストを硬化処理することによって形成され、接続用導電部形成用の強磁性体層が位置する凹所の各々の寸法は、 50 μτα (横方向） Χ ΐ Ο Ο μπι (縦方向） Χ 2 5 μπι (深さ）で、非接続用導電部形成用の強磁性体層が位置する凹所の各々の寸法は、 5 0 111 (横方向） Χ 20 0 μ m (縦方向) X 2 5 μπι (深さ) で、凹所以外の部分の厚みは 1 2 5 μ m ( 四所部分の厚み 1 00 ^m) である。

(4) 異方導電性コネクター（Al l) 〜（A20) の作製：

上記のフレーム板、スぺーサ一おょぴ金型を用い、以下のようにしてフレーム板に弾性異方導電膜を形成した。

シリコーンゴム（1) 1 00質量部に、導電性粒子 [a] 3 0質量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、弾性異方導電膜成形用の成形材料を調製した。

上記の金型の上型および下型の表面に、調製した成形材料をスクリーン印刷によって塗布することにより、形成すべき弾性異方導電膜のパターンに従って成形材料層を形成し、下型の成形面上に、下型側のスぺ一サーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、上型側のスぺーサーを介して上型を位置合わせして重ねた。

そして、上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、強磁性体層の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に 2 Tの磁場を作用させながら、 1 TJP2003/010057

63

00°C、 1時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜を形成した。

得られた弾性異方導電膜について具体的に説明すると、弾性異方導電膜の各々は、横方向の寸法が 3500 m、縦方向の寸法が 1400 μ mである。弾性異方導電膜の各々における機能部には、 50個の接続用導電部が 100 / mのピッチで横方向に二列（一列の接続用導電部の数が 25個で、縦方向に隣接する接続用導電部の間の離間距離が 350 μ m) に配列されており、接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 50 // m、縦方向の寸法が 100 m、厚みが 190〃 mであり、機能部における絶縁部の厚みが 140 μΐηである。また、横方向において最も外側に位置する接続用導電部とフレーム板との間には、非接続用導電部が配置されている。非接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 50 μιη、縦方向の寸法が 200 μ m、厚みが 190 μ mである。また、弾性異方導電膜の各々における被支持部の厚み（二股部分の一方の厚み）は 30 / mである。

以上のようにして、 10枚のフレーム板の各々に弾性異方導電膜を形成し、合計で 10枚の異方導電性コネクターを製造した。以下、これらの異方導電性コネクタ一を異方導電性コネクタ一（Al l) 〜異方導電性コネクター（A20) とする。

また、異方導電性コネクター（Al l) 〜異方導電性コネクター（A20) の各々について、弾性異方導電膜の被'支持部およぴ機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(5) 異方導電性コネクター（D 11) 〜（D20) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [d] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（Al l) 〜（A20) と同様にして 10枚の異方導電性コネクタ一を製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター ( D 11) 〜異方導電性コネクター（D 20) という。

また、異方導電性コネクター（D l 1) 〜異方導電性コネクター（D 20) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

(6) 異方導電性コネクター（E 1 1) 〜（E20) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [e] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（Al l) 〜（A20) と同様にして 10枚の異方導電性コネクタ一を製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（ E 11) 〜異方導電性コネクター（E20) という。

また、異方導電 1"生コネクター（E 11) 〜異方導電性コネクター（E 20) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒-子がほとんど存在していないことが確認された。

(7) 異方導電性コネクタ一（G11) 〜 (G20) の作製：

導電性粒子 [a] の代わりに導電性粒子 [g] を用いたこと以外は、異方導電性コネクター（Al l) 〜（A20) と同様にして 10枚の異方導電性コネクタ一を製造した。以下、これらの異方導電性コネクターを異方導電性コネクター（ G 11) 〜異方導電性コネクター（G20) とレヽう。

また、異方導電性コネクター（G11) 〜異方導電性コネクター（G20) の各々について、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

CWL B I試験用検査用回路基板の作製〕

基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数 4. 8 X10"⁶/K) を用レ、、試験用ウェハ W 2における被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が 30 cmX 30 c mの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が 60 μπιで縦方向の寸法が 200 μπιである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板 Tl」という。

〔プローブ試験用検査用回路基板の作製〕基板材料としてガラス繊維補強型エポキシ樹脂を用い、試験用ウェハ W4における被検查電極のパターンに対応するパターンに従つて検查電極が形成された検查用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が 1 6 c m X 1 6 c mの矩形であり、その検查電極は、横方向の寸法が 5 0 mで縦方向の寸法が Ι Ο Ο μ πιである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板 Τ 2」という

[WL B I試験用シート状コネクターの作製〕

厚みが 2 0 μ πιのポリイミドよりなる絶縁性シートの一面に厚みが 1 5 μ mの銅層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シートに対してレーザ加工を施すことによって、当該絶縁性シートの厚み方向に貫通する、それぞれ直径が 3 0 / mの 1 9 6 5 0個の貫通孔を、試験用ウェハ W 2における被検查電極のパターンに対応するパターンに従って形成した。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィ一およびニッケルメツキ処理を施すことによつて、絶縁性シートの貫通孔内に銅層に一体に連結された短絡部を形成すると共に、当該絶縁性シートの表面に、短絡部に一体に連結された突起状の表面電極部を形成した。この表面電極部の径は 4 0 mであり、絶縁性シートの表面からの高さは 2 0 mであった。その後、積層材料における銅層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、 6 0 πι Χ 2 1 0 // mの矩形の裏面電極部を形成し、更に、表面電極部おょぴ裏面電極部に金メッキ処理を施すことによって電極構造体を形成し、以てシート状コネクターを製造した。以下、このシート状コネクターを「シート状コネクター M l」という。

〔プローブ試験用シート状コネクターの作製〕

厚みが 2 0 mのポリイミドょりなる絶縁性シートの一面に厚みが 1 5 μ mの銅層が積層されてなる積層材料を用意し、この積層材料における絶縁性シートに対してレーザ加工を施すことによって、当該絶縁性シートの厚み方向に貫通する、それぞれ直径が 3 0 μ ιηの 1 1 2 5 0個の貫通孔を、試験用ウェハ W 2における被検查電極のパターンに対応するパターンに従って形成した。次いで、この積層材料に対してフォトリソグラフィ一およびニッケルメツキ処理を施すことによつて、絶縁性シートの貫通孔内に銅層に一体に連結された短絡部を形成すると共に、当該絶縁性シートの表面に、短絡部に一体に連結された突起状の表面電極部を形成した。この表面電極部の径は 40 μ πιであり、絶縁性シートの表面からの高さは 20 μταであった。その後、積層材料における銅層に対してフォトエッチング処理を施してその一部を除去することにより、 20 /zmX 60 mの矩形の裏面電極部を形成し、更に、表面電極部および裏面電極部に金メッキ処理を施すことによって電極構造体を形成し、以てシート状コネクターを製造した。以下、このシート状コネクターを「シート状コネクター M2」という。

〔弾性異方導電膜の初期特性試験〕

(1) WLB I試験用異方導電性コネクター：

以下のようにして、異方導電性コネクター（A1) 〜（A 1 0) 、異方導電性コネクター（B 1) 〜（B 1 0) 、異方導電性コネクター (C 1) 〜（C 10) 、異方導電性コネクター（D 1) 〜（D 1 0) 、異方導電性コネクター（E 1) 〜（E 1 0) 、異方導電性コネクター（F 1) 〜（F 1 0) 、異方導電性コネクター（G 1) 〜（G 1 0) および異方導電性コネクター（H I) 〜（H 1 0) の各々における弾性異方導電膜の初期特性を測定した。

試験用ウェハ W1を試験台に配置し、この試験用ウェハ W1上に異方導電性コネクターをその接続用導電部の各々が当該試験用ウェハ W 1の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクター上に、検査用回路基板 T 1をその検查電極の各々が当該異方導電性コネクターの接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 T 1を下方に 1 9. 6 5 k gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で 1 g) で加圧した。そして、室温（2 5°C) 下において、検査用回路基板 Tにおける 1 9 6 5 0 個の検查電極と試験用ウェハ W 1の引出し電極との間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値を異方導電性コネクターにおける接続用導電部の R の値として記録し、 R_lgが 1 Ω未満である接続用導電部の数を求め、全接続用導電部における R t _gが 1 Ω未満である接続用導電部の割合を算出した。

また、検査用回路基板 T 1を加圧する荷重を 1 1 7. 9 k g (接続用導電部 1 個当たりに加わる荷重が平均で 6 g ) に変更したこと以外は上記と同様にして検査用回路基板 T 1における 19650個の検查電極と試験用ウェハ W1の引出し電極との間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値を異方導電性コネクターにおける接続用導電部の R_6gとして記録し、 R_egが 0. 1 Ω未満である接続用導電部の数およびが 0. 5 Ω以上である接続用導電部の数を求め、全接続用導電部における R_6gが 0. 1 Ω未満である接続用導電部の割合おょぴ R が 0 . 5 Ω以上である接続用導電部の割合を算出した。

以上、結果を表 2および表 3に示す。

〔表 2〕

差替え用紙（規則 26) 〔表 3〕

差替え用紙（規則 26) (2) プローブ試験用異方導電性コネクター：

以下のようにして、異方導電性コネクター（Al l) 〜（A20) 、異方導電性コネクター（D1 1) 〜（D 20) 、異方導電性コネクター（E 1 1) 〜（E 20) およぴ異方導電性コネクター（Gl 1) 〜（G20) の各々における弾性異方導電膜の初期特性を測定した。

試験用ウェハ W3を試験台に配置し、この試験用ウェハ W 3上に異方導電性コネクターをその接続用導電部の各々が当該試験用ウェハ W 3の被検查電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクタ一上に、検査用回路基板 T 2をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 T 2を下方に 1 1. 25 k gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で 1 g ) で加圧した。そして、室温（25°C) 下において、検查用回路基板 T 2における 1 1 25 0個の検查電極と試験用ウェハ W 3の引出し電極との間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値を異方導電性コネクターにおける接続用導電部の R の値として記録し、 R_lsが 1 Ω未満である接続用導電部の数を求め、全接続用導電部における R t _sが 1 Ω未満である接続用導電部の割合を算出した。

また、検査用回路基板 T 2を加圧する荷重を 67. 5 k g (接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で 6 g) に変更したこと以外は上記と同様にして検査用回路基板 T 2における 1 1 250個の検査電極と試験用ウェハ W3の引出し電極との間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値を異方導電性コネクタ一における接続用導電部の R_6gとして記録し、 R_Sgが 0. 1 Ω未満である接続用導電部の数およぴが 0. 5 Ω以上である接続用導電部の数を求め、全接続用導電部における R_6gが 0. 1 Ω未満である接続用導電部の割合および R_6sが 0. 5 Ω以上である接続用導電部の割合を算出した。

以上、結果を表 4に示す。〔表 4〕

差替え用紙（規則 26) PC蘭 003脑 57

7 2

〔高温環境下における耐久性試験〕

( 1 ) 試験 1 ：

下記表 5に示す異方導電性コネクターについて、以下のようにして、高温環境下における耐久性試験を行った。

試験用ウェハ W 2を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ゥェハ W 2上に異方導電性コネクターをその接続用導電部の各々が当該試験用ウェハ W 2の被検查電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクタ一上に、検査用回路基板 T 1をその検查電極の各々が当該異方導電性コネクターの接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 T 1を下方に 1 5 8 k gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8 g ) で加圧した。次いで、試験台を 1 2 5 °Cに加熱し、試験台の温度が安定した後、検查用回路基板 T 1における 1 9 6 5 0個の検査電極について、異方導電性コネクターおよび試験用ウェハ W 2を介して互いに電気的に接続された 2個の検查電極の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値の 2分の 1 の値を異方導電性コネクターにおける接続用導電部の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。その後、この状態で 1時間放置し、次いで、試験台を室温まで冷却し、その後、検査用回路基板に対する加圧を解除した。

そして、上記の操作を 1サイクルとして、合計で 5 0 0サイクル連続して行つた。

以上において、接続用導電部の導通抵抗が 1 Ω以上のものについては、ウェハに形成された集積回路の電気的検査において、これを実際上使用することが困難である。

以上の結果を下記表 5に示す。また、下記表 5において、実施例として表示されている異方導電性コネクタ一は、 R _{l g}の値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 0 %以上、 R の値が 0 . 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 5 %以上、および R _{6 g}の値が 0 . 5 Ω以上である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 0 %である初期特性を有するもので PC漏 003/010057

73 ある。

(2) 試験 2 ：

下記表 6に示す異方導電性コネクターについて、以下のようにして、高温環境下における耐久性試験を行つた。

試験用ウェハ W2を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ゥェハ W2上に、シート状コネクター Mlをその表面電極部が当該試験用ウェハの被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状コネクター M 1 上に異方導電性コネクターをその接続用導電部がシート状コネクター Mlにおける裏面電極部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に：検査用回路基板 T 1を下方に 158 k gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8 g) で加圧した。次いで、試験台を 125°Cに加熱し、試験台の温度が安定した後、検査用回路基板 T 1における 19650個の検査電極について、異方導電性コネクターおよび試験用ゥェハ W 2を介して互レ、に電気的に接続された 2個の検查電極の間の電気抵抗を順次測定することにより、異方導電性コネクタ一における接続用導電部の導通抵抗を記録し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。その後、この状態で 1時間放置し、次いで、試験台を室温まで冷却し、その後、検査用回路基板に対する加圧を解除した。

そして、上記の操作を 1サイクルとして、合計で 500サイクル連続して行つた。

以上において、接続用導電部の導通抵抗が 1 Ω以上のものについては、ウェハに形成された集積回路の電気的検査において、' これを実際上使用することが困難である。

以上の結果を下記表 6に示す。また、下記表 6において、実施例として表示されている異方導電性コネクタ一は、 R_lgの値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 90%以上、 R_6gの値が 0. 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 95%以上、および R_Sgの値が 0. 5 Ω以上である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 0 %である初期特性を有するものでる。

:*5

¾6 ( 3 ) 考察：

表 5およぴ表 6の結果から明らかなように、実施例に係る異方導電性コネクタ一によれば、弾性異方導電膜における接続用導電部のピッチが小さいものであつても、当該接続用導電部には良好な導電性が得られ、しかも、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、更に、高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって良好な導電性が維持されることが確認された。

また、実施例に係る異方導電性コネクターによれば、被検査電極の数が多いゥェハに対する電気的接続作業を、シート状コネクタ一を介して行った場合にも、小さい加圧力で全ての被検査電極に対して電気的接続を達成することができ、段差吸収能の高いものであることが確認された。

〔繰り返し使用における耐久性試験〕

( 1 ) 試験 3 ：

下記表 7に示す異方導電性コネクターについて、以下のようにして、繰り返し使用における耐久性試験を行つた。

試験用ウェハ W 4を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ゥェハ W 4上に異方導電性コネクタ一をその接続用導電部の各々が当該試験用ゥェハ W 4の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクタ一上に、検査用回路基板 T 2をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 T 2を下方に 9 0 k gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 8 g ) で加圧した。そして、室温（2 5 °C) 下において、異方導電性コネクターにおける接続用導電部の導通抵抗を測定し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。以上の操作を「操作（ i ) 」とする。

次いで、検査用回路基板 T 2を加圧したままの状態で、試験台の温度を 8 5 °C に昇温して 1分間保持した後、異方導電性コネクターにおける接続用導電部の導通抵抗を測定し、導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を求めた。そして、検査用回路基板に対する加圧を解除し、その後、試験台を室温まで冷却した。以上の操作を「操作 (ii) 」とする。

そして、上記の操作（i) および操作（ii) を 1サイクルとして、合計で 50 000サイクル連続して行った。

85°Cにおける導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電部の数を下記表 7に示す。また、下記表 7において、実施例として表示されている異方導電性コネクターは、 R _gの値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 90 % 以上、 R_sgの値が 0. 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 95%以上、および R_6gの値が 0. 5 Ω以上である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 0. 1 %以下である初期特性を有するものである。

瞰 ¾-

8 5 °Cにおける導通抵抗が 1 Ω以上である接続用導電音 15の数（個）

———― _ サイクル数

方性コネクタ ~~ 1 1 000 5 0 0 0 1 0000 20000 30000 0000 50000

(A l l ) 0 0 0 0 0 0 0 0

実

(A 1 8 ) 0 0 0 0 0 0 0 0

施

(G i l ) 0 0 0 0 0 0 6 4 8

例

(G 1 4 ) 0 0 0 0 0 0 4 1 6

(D I D 0 0 0 5 2 5 3 6 2 9 3 4 > 5000 測定せず

比

(D 1 2 ) 0 4 8 8 2 7 6 2 3 2 6 8 > 5000 測定せず

較

(E l l ) 0 0 2 6 1 5 2 2 5 64 > 5000 測定せず測定せず

例

(E I 2 ) 0 2 4 8 3 2 8 > 5000 測定せず測定せず測定せず

∞

〕 ( 2 ) 考察：

表 7の結果から明らかなように、実施例に係る異方導電性コネクターによれば、弾性異方導電膜における接続用導電部のピッチが小さいものであっても、当該接続用導電部には良好な導電性が得られ、しかも、多数回にわたって繰り返し使用した場合にも、良好な導電性が維持されることが確認された。

また、実施例に係る異方導電性コネクターによれば、被検査電極の数が多いゥェハに対する電気的接続作業を、シート状コネクターを介して行った場合にも、小さい加圧力で全ての被検查電極に対して電気的接続を達成することができ、段差吸収能の高いものであることが確認、された。発明の効果

本発明に係る異方導電性コネクターによれば、弾性異方導電膜は、特定の初期特性を有するものであるため、多数回にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下において繰り返し使用した場合においても、接続用導電部の電気抵抗が著しく増大することがなく、長期間にわたって所要の導電性を維持することができるまた、本発明に係るウェハ検査用の異方導電性コネクターによれば、弹性異方導電膜には、接続用導電部を有する機能部の周縁に被支持部が形成されており、この被支持部がフレーム板の異方導電膜配置用孔の周辺部に固定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおょぴ保持固定を容易に行うことができるまた、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々は、検査対象であるウェハにおける集積回路の被検查電極が形成された電極領域に対応して形成されており、当該異方導電膜配置用孔の各々に配置される弾性異方導電膜は面積が小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜の形成が容易である。しかも、面積の小さい弾性異方導電膜は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のウェハに対して WL B I 試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

本発明に係るプローブ部材によれば、検査対象であるウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、多数回にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下において繰り返し使用した場合にも、長期間にわたって所要の導電性を維持することができる。

本発明に係るウェハ検査装置およびウェハ検査方法によれば、上記のプローブ部材を介して、検査対象であるウェハの被検査電極に対する電気的接続が達成されるため、被検查電極のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、多数回にわたって繰り返し使用した場合や高温環境下において繰り返し使用した場合にも、所要の電気的検査を長期間にわたって安定して実行することができる。

本発明に係る異方導電性コネクターによれば、各接続用導電部の突出高さの差が小さく、段差吸収能が大きく、小さい加圧力で検査対象であるウェハにおける全ての被検査電極に対する電気的接続を達成することができる。

本発明に係る段差吸収能の高レ、異方導電性コネクターを用いて構成されるプロ一ブ部材およびウェハ検査装置によれば、直径が 8インチ以上の大面積で、 5 0 0 0以上の被検査電極を有するウェハの検查において、小さい加圧力で全ての被検査電極に対して電気的接続を達成することができる。

Claims

求の範囲

1 . 厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成されてなる弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、

前記弾性異方導電膜は、その接続用導電部の合計の数を Yとし、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向に Y X 1 gの荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗を R _{i g}とし、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向に Y X 6 g の荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗を R _{6 s}としたとき、 R _{l g}の値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 0 %以上であり、 R _{6 E}の値が 0 . 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 5 %以上であり、 R _{6 s}の値が 0 . 5 Ω以上である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 1 %以下である初期特性を有することを特徴とする異方導電性コネクタ

2 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターにおいて、検査対象であるウェハに形成された全てのまたは一部の集積回路における被検查電極が配置された電極領域に对応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板と、このフレーム板の各異方導電膜配置用孔内に配置され、当該異方導電膜配置用孔の周辺部に支持された複数の弾性異方導電膜とよりなり、

前記弾性異方導電膜は、その接続用導電部の合計の数を Yとし、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向に Y X 1 gの荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗を R _{l s}とし、当該弾性異方導電膜に対してその厚み方向に Y X 6 g の荷重を加えた状態における接続用導電部の電気抵抗を R _{6 g}としたとき、 R _{l s}の値が 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 0 %以上であり、！^ ^の値が。. 1 Ω未満である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 9 5 %以上であり、 1 _{6 6}の値が0 . 5 Ω以上である接続用導電部の数が全接続用導電部の数の 1 %以下である初期特性を有することを特徴とする異方導電性コネクタ

3 . フレーム板の線熱膨張係数が 3 X 1 0 ⁵/K以下であることを特徴とする請求の範囲第 2項に記載の異方導電性コネクター。

4 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられるプロ一ブ部材であって、

検查対象であるウェハに形成された集積回路における被検查電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された、請求の範囲第 2項または第 3項に記載の異方導電性コネクタ一とを具えてなることを特徴とするプローブ部材。

5 . 異方導電性コネクターにおけるフレーム板の線熱膨張係数が 3 X 1 0 VK 以下であり、検査用回路基板を構成する基板材料の線熱膨張係数が 3 X 1 0 ⁵/ K以下であることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載のプローブ部材。

6 . 異方導電性コネクタ一上に、絶縁性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、被検查電極のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の電極構造体とよりなるシート状コネクターが配置されていることを特徴とする請求の範囲第 4項または第 5項に記載のプローブ部材。

7 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検查をウェハの状態で行うゥェハ検查装置において、

請求の範囲第 4項乃至第 6項のいずれかに記載のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、検查対象であるウェハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とするゥェハ検査装置。

8 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々を、請求の範囲第 4項乃至第 6項のいずれかに記載のプローブ部材を介してテスターに電気的に接続し、当該ゥェハに形成された集積回路の電気的検査を実行することを特徴とするウェハ検查方法。