WO2004086565A1

WO2004086565A1 - 異方導電性コネクターおよび導電性ペースト組成物、プローブ部材並びにウエハ検査装置およびウエハ検査方法

Info

Publication number: WO2004086565A1
Application number: PCT/JP2004/003931
Authority: WO
Inventors: Hisao Igarashi; Katsumi Sato; Kazuo Inoue
Original assignee: Jsr Corporation
Priority date: 2003-03-26
Filing date: 2004-03-23
Publication date: 2004-10-07
Also published as: US20060211280A1; US7311531B2; EP1608040A4; TW200503138A; KR100756120B1; EP1608040A1; KR20050123113A; CN1765032A

Abstract

　ウエハに形成された複数の集積回路の電気的検査において、多数回にわたって繰り返して使用された場合に、長期間にわたって良好な導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる異方導電性コネクターおよびその応用が開示されている。　本発明の異方導電性コネクターは、導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、前記接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属よりなる被覆層が積層されてなり、当該被覆層は高硬度な被覆層であることを特徴とする。

Description

異方導電性コネクタ一および導電性ペースト組成物、プロ一ブ部材並びにウェハ検査装置およびウェハ検査方法

技術分野

明

本発明は、プリン卜回路基板、集積回路装置、ウェハに形成された集積回路、回路の形成された液晶パネルなどの電気的検査を行うために好適に用いられる異方導電性コネク夕一、およびこの異方導電性コネクタ一を得る田ための導電性ペースト組成物、この異方導電性コネクターを具えたプローブ部材、並びにこのプローブ部材を具えたウェハ検査装置およびこのプローブ部材を使用したウェハ検査方法に関する。更に詳しくは、ウェハに形成された集積回路について、プローブ試験やバーンィン試験などの電気的検査を行うために好適に用いられる異方導電性コネク夕一およびこの異方導電性コネクターを得るための導電性ペースト組成物、この異方導電性コネクターを具えたプローブ部材、並びにこのプロ一ブ部材を具えたウェハ検査装置およびこのプローブ部材を使用したウエノ、検査方法に関する。背景技術

一般に、半導体集積回路装置の製造工程においては、例えばシリコンよりなるウェハに多数の集積回路を形成し、その後、これらの集積回路の各々について、基礎的な電気特性を検査することによって、欠陥を有する集積回路を選別するプローブ試験が行われる。このプローブ試験は、例えは 8 5 °Cの温度環境下において行われている。次いで、このゥェノ、を切断することによつて半導体チップが形成され、この半導体チップが ¾1 [のノソケージ内に収納されて封止される。更に、パッケージ化された半導体集積回路装置の各々について、例えば 1 2 5 °Cの高温 iUTFにおいて電気特性を検査することによって、潜在的欠陥を有する半導体集積回路装置を選別するバーンイン試験が行われる。

このようなプロ一プ試験またはノーィン試験などの集積回路の電気的検査においては、検査対象物における被検査電極の各々をテスタ一に電気的に接続するためにプローブ部材が用いられている。このようなプロ一ブ部材としては、被検査電極のパターンに対応するパターンに従つて検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された異方導電性ェラストマ一シートとよりなるものが知られている。

かかる異方導電性エラス卜マーシー卜としては、従来、種々の構造のものが知られており、例えば下記先行文献 1等には、導電性粒子をエラストマ一中に厚み方向に並ぶよう配向した状態で分散して得られる異方導電性エラス卜マ一シ一トし以下-, 「分散型異方導電性エラストマ一シート」という。）が開示され、また、下記先行文献 2等には、導電性粒子をエラストマ一中に厚み方向に並ぶよう配向した状態で不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電部と、これらを相互に ¾縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマ一シート（以下、これを「偏在型異方導電性エラストマ一シート」という。）が開示され、更に、下記先行文献 3等には、導電部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性エラストマ一シートが開示されている。

そして、偏在型異方導電性エラストマ一シートは、検査すべき集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って導電部が形成されているため、分散型異方導電性ェラストマ一シートに比較して、被検査電極の配列ピッチすなわち隣接する被検査電極の中心間距離が小さい集積回路などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼性で達成することができる点で、有利である。

また、これらの異方導電性エラストマ一シートにおいては、当該異方導電 f生エラストマ —シートを製造する際に、磁場の作用によって導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させるために、当該導電性粒子として磁性を示すものを用いることが必要である。また、高い導電性を有し、かつ、その導電性が長時間維持される異方導電性エラストマ一シートを得るためには、導電性粒子としては、それ自体高い導電性を有し、かつ、長時間にわたってィ匕学的に安定なものであることが肝要である。このような観点から、導電性粒子としては、ニッケルなどの強磁性体よりなる芯粒子の表面に金よりなる被覆層が形成されてなるものが使用されている。

ところで-, ウェハに形成された集積回路に対して行われるプロ一ブ試験においては、従来、ウェハに形成された多数の集積回路のうち例えば 1 6個または 3 2個の集積回路からなる集積回路群について一括してプローブ試験を行い、順次、その他の集積回路群についてプロ一ブ試験を行う方法が採用されている。

そして、近年、検査効率を向上させ、検査コストの低減化を図るために、ウェハに形成された多数の集積回路のうち例えば 6 4個若しくは 1 1 8個または全部の集積回路について一括してプローブ試験を行うことが要請されている。

このようなプロープ試験において、検査対象であるゥェハが量産品である場合には、, 当該プローブ試験を行うためのプローブ部材に用いられる異方導電性エラストマ一シ一卜としては、例えば 5万回以上繰り返して使用することが可能な耐久性が求められる。

しかしながら、従来の異方導電性エラストマ一シートにおいては、プローブ試験に例えば 2万回以上繰り返して使用すると導電部の導電性が著しく低下するためその後の試験に供することができず、新たなものに交換することが必要であった。

また、バーンイン試験においては、検査対象である集積回路装置は微小なものであってその取扱いが不便なものであるため、多数の集積回路装置の電気的検査を個別的に行うためには，長い時間を要し、これにより、検査コストが相当に高いものとなる。このような理由から、ウェハ上に形成された多数の集積回路について、それらのバーンイン試験をゥェハの状態で一括して行う WL B I (Wa f e r L e b e l B u r n— i n)試験が ί!¾されている。

このような WL B I試験において、検査対象であるウェハが量産品である場合には、当該 WL B I試験を行うためのプローブ部材に用いられる異方導電性エラストマーシートとしては、例えば 5 0 0回以上繰り返して使用することが可能な耐久性が求められる。し力、しながら、従来の異方導電性エラストマ一シートにおいては、 WL B I試験に例えば 2 0 0回以上繰り返して使用すると、導電部の導電性が著しく低下するため、その後の試験に供することができず、新たなものに交換することが必要であつた。

また、例えばフリップチップ実装法においては、表面電極上に、共晶ハンダ、鉛フリ一ハンダ、高温ハンダ（鉛リッチハンダ）などよりなる半球状の突起電極が形成されてなる半導体チップが用いられており、このような半導体チップを高い効率で得るために、ゥェハの状態で各集積回路における電 @±に突起電極を形成することが行われている。

而して、ウェハのプローブ試験において、用いられる異方導電性エラストマ一シートとしては、検査対象であるウェハが突起状の被検査電極を有するものである場合にも、多数回にわたつて繰り返して使用することが可能な耐久性が求められる。

しかしながら、従来の異方導電性エラストマ一シートにおいては、突起状の被検査電極を有するウェハのプローブ試験に例えば 1万回以上繰り返して使用すると、導電部の導電性が著しく低下するため、その後の試験に供することができず、新たなものに交換することが必要であった。

先行文献 1 ：特開昭 5 1— 9 3 3 9 3号公報

先行文献 2 ：特開昭 5 3 - 1 4 7 7 7 2号公報

先行文献 3 ：特開昭 6 1 - 5 0 9 0 6号公報発明の開示

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、, その第 1の目的は、ゥェハに形成された複数の集積回路の電気的検査において、多数回にわたって繰り返して使用された:^に、長期間にわたって良好な導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる異方導電性コネクタ一を提供することにある。

本発明の第 2の目的は、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査において、ゥェハに形成された集積回路の被検査電極が突起状のものであつても、多数回にわたって繰り返して使用された場合に、長期間にわたって良好な導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる異方導電性コネクタ一を提供することにある。

本発明の第 3の目的は、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査において、当該電気的検査が高温環境下において行われるものであつても、多数回にわたって繰り返して使用された場合に、長期間にわたって良好な導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる異方導電性コネク夕一を提供することにある。

本発明の第 4の目的は、上記の目的に加えて、ウェハに形成された集積回路の被検査電極に直接接触させて多数回にわたって繰り返して使用された場合に、長期間にわたって良好な導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる異方導電性コネクタ一を提供することにある。

本発明の第 5の目的は、回路部品の電気的検査において、当該電気的検査が高温環境下において行われるものであっても、多数回にわたつて繰り返して使用された場合に、長期間にわたつて良好な導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる異方導電性コネクタ一を提供することにある。

本発明の第 6の目的は、上記の異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を形成するために好適な導電性ペースト組成物を提供することにある。本発明の第 7の目的は、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的検査において、多数回にわたつて繰り返して使用された場合に、長期間にわたつて良好な導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られるプローブ部材を提供することにある。本発明の第 8の目的は、上記のプロ一ブ部材を使用して、ウェハに形成された mの集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うウエノ、検査装置およびウエノ、検査方法を提供するしとにある。

本発明者らは、異方導電性コネクターを繰り返して使用した場合に、導電部の導電性が著しく低下する原因について鋭意検討を重ねたところ、導電性粒子における被覆層を構成する金が、金属としての硬度が小さいものであるため、繰り返して使用するに従って、導電性粒子同士の接触および導電性粒子と被検査電極との接触により、当該導電†生粒子におけるネ皮覆層に、剥離、磨耗、変形などが生じる結果、ニッケルなどよりなる芯粒子が表面に露出し、これにより、導電部の導電性が著しく低下することを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成したものである。

本発明の異方導電性コネク夕一は、導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成された弹異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、編己接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属よりなる被覆層が積層されてなり、当該被覆層は高硬度な被覆層であることを特徴とする本発明の異方導電性コネク夕一は、導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、編己接続用導電部に含有された導電性粒子は、 ii性を示す芯粒子の表面に高導電性金属よりなる複数の被覆層が積層されてなり、編己複数の被覆層のうち少なくとも最外層の被覆層は高硬度な被覆層であることを特徴とする。

本発明の異方導電性コネクタ一においては、高硬度な被覆層のピツカ一ス硬度 (HV) が 4 0以上であることが好ましい。

また、導電性粒子におけるビッカース硬度 (H v ) が 4 0以上である被覆層は、 2種類以上の高導電性金属よりなるものであつてもよい。

このような異方導電性コネクタ一においては、導電性粒子におけるピツカ一ス硬度 (Η ν ) が 4 0以上である被覆層は、金とその他の高導電'^属とよりなることが好ましい。また、導電性粒子におけるピツカ一ス硬度 ( H v ) が 4 0以上である被覆層は、 2種類以上の高導電' 属による合金を夕一ゲットとするスパッ夕一法により形成されていてもよい。

また、導電性粒子におけるビッカース硬度 (H v ) が 4 0以上である被覆層は、 2種類以上の高導電性金属成分を含有してなるメツキ液によるメツキ処理により形成されていてもよい。

また、本発明の異方導電性コネクタ一においては厚み方向に伸びる異方導電 HE置用孔が形成されたフレ一ム板を有し、このフレーム板の異方導電膜配置用孔に、弾性異方導電膜が配置され、当該フレーム板に支持されていることが好ましい。

また、本発明の異方導電性コネクターにおいては、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターである場合には、検查対象であるウェハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板を有し、このフレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に、弾性異方導電膜が配置され、当該フレーム板に支持されていることが好ましい。

本発明の導電性べ一スト組成物は、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料と、上記の導電性粒子とを含有してなることを特徴とする。

このような導電性ペースト組成物は、上記の異方導電'性コネク夕一における弾性異方導電膜を形成するために好適なものである。

本発明のプローブ部材は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられるプロ一ブ部材であつて、検査対象であるウェハにおける集積回路の被検査電極のノ、。ターンに対応する,、。夕一ンに従つて検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された、上記の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とする。

本発明のプロ一ブ部材においては、異方導電性コネクタ—が前記フレーム板を具えてなるものである場合には、当該異方導電性コネクタ一におけるフレーム板の線熱膨張係数が 3 X 1 0— ⁵/K以下であり、検査用回路基板を構成する基板材料の線蒙 ¾！彭張係数が 3 X 1 0一⁵/ K以下であることが好ましい。

また、本発明のプローブ部材においては、異方導電性コネクタ一上に、糸騰性シートと、この絶縁性シートをその厚み方向に貫通して伸び、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された複数の電極構造体とよりなるシ一ト状コネクターが配置されていてもよい。

本発明のウェハ検査装置は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をゥェハの状態で行うウェハ検査装置において、

上記のプロ一ブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、検査対象であるウェハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とする。

本発明のウェハの検査方法は、ウェハに形成された複数の集積回路の各々を、上記のプ口一ブ部材を介してテスターに電気的に接続し、当該ウェハに形成された集積回路の電気的検査を実行することを寺徴とする。発明の効果

本発明の異方導電性コネク夕一によれば、弾性異方導電膜における接続用導電部中に含有された導電性粒子は、例えばピツカ一ス硬度 (H v ) が 4 0以上である高硬度な被覆層が形成されてなるものであるため、例えばウェハに形成された集積回路の電気的検査において、多数回にわたって繰り返し使用した場合にも、導電性粒子同士の接触などによって

、導電性粒子における被覆層に、剥離、 ,変形などが生じることが抑制され、その結果、長時間にわたって所要の導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる。

また、被覆層を金と他の高導電 '随属とにより構成することにより、高い導電性を有する接続用導電部が得られると共に、高温環境下において多数回にわたって繰り返して使用された場合にも、導電性粒子の表面が変質することが抑制され、その結果、長期間にわたつて所要の導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる。

また、弾性異方導電膜を支持するフレーム板を設けることにより、変形しにくくて取り扱い易く、ウェハとの電気的接続作業において、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。

また、フレ一ム板として、検査対象であるウェハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域に対応して複数の異方導電膜配置用孔が形成されてなるものを用いることにより、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に配置される弾性異方導電膜は面積が小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜の形成が容易である。し力、も、面積の小さい弾性異方導電膜は、隱歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜の面方向における麵彭張の絶対量が少ないため、フレーム板を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のウェハに対してプローブ試験またはウェハレベルバーンィン試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。本発明の導電性ペースト組成物によれば、上記の異方導電性コネクタ一における弾性異方導電膜を有利に製造することができる。

本発明に係るプローブ部材によれば、上記の異方導電性コネクタ一を具えてなるため、多数回にわたつて繰り返して使用された場合に、長期間にわたって良好な導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる。

本発明に係るウェハ検査装置およびウェハ検査方法によれば、耐久性が高くて使用寿命の長い異方導電性コネクターを有するプローブ部材を使用するため、多数回にわたってゥェハの検査を行う場合において、異方導電性コネクタ一を新たなものに交換する歩渡を少なくすることができ、これにより、高い効率でウェハの検査を行うことができると共に、検査コストの低減ィ匕を図ることができる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明に係る異方導電性コネクターの一例を示す平面図である。

図 2は、図 1に示す異方導電性コネク夕一の一部を拡大して示す平面図である。

図 3は、図 1に示す異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 4は、図 1に示す異方導電性コネク夕一における弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。

図 5は、電気抵抗値 Rを測定するための装置の構成を示す説明用断面図である。

図 6は、弾性異方導電 «形用の金型に成形材料が塗布されて成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 7は、弾性異方導電成形用の金型をその一部を拡大して示す説明用断面図である。図 8は、図 6に示す金型の ± および下型の間にスぺーサーを介してフレーム板が配置れた状態を示す説明用断面図である。

図 9は、金型の上型と下型の間に、目的とする形態の成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 1 0は、図 9に示す成形材料層を拡大して示す説明用断面図である。

図 1 1は、. 図 1 0に示す成形材料層にその厚み方向に強度分布を有する磁場が形成された状態を示す説明用断面図である。

図 1 2は、本発明に係る異方導電性コネクタ一を使用したウェハ検査装置の一例における構成を示す説明用断面図である。

図 1 3は、本発明に係るプロ一ブ部材の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。 '

図 1 4は、本発明に係る異方導電性コネク夕一を使用したウェハ検査装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。

図 1 5は、本発明に係る異方導電性コネクタ一の他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 1 6は、本発明に係る異方導電性コネクターの更に他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。

図 1 7は、本発明に係る異方導電性コネクターを使用したウェハ検査装置の更に他の例における構成を示す説明用断面図である。

図 1 8は、実施例で使用した試験用ウェハの上面図である。

図 1 9は、図 1 8に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極領域の位置を示す説明図である。

図 2 0は、図 1 8に示す試験用ウェハに形成された集積回路の被検査電極を示す説明図である。

図 2 1は、難例 1で作製したフレーム板の上面図である。

図 2 2は、図 2 1に示すフレーム板の一部を拡大して示す説明図である。

図 2 3は、実施例 1で作製した金型の成形面を拡大して示す説明図である。

図 2 4は、実施例 5で作製したフレーム板の上面図である。

図 2 5は、 fe例 5で作製した金型の^ を拡大して示す説明用断面図である。

図 2 6は、例 5で作製した金型の成形面を拡大して示す説明図である。〔符号の説明〕

1 プロ—ブ部材 2 異方導電性コネクタ- 3 加圧板 4 ウェハ載置台

5 加熱器 6 ウェハ

7 被検査電極 1 0 フレーム:

1 異方導電膜配置用孔

5 空気流通孔

6 位置決め孔 10

0 A 成形材料層 1 機能部

2 接続用導電部 23

4 突出部 5 被支持部

6 非接続用導電部 27 突出部

0 検査用回路基板 3 1

1 絶緣性シ一ト 40 シート状コネクター電極構造体 43

4 裏面電極部 45

0 チャンバ一 5 1

5 ◦一リング

0 金型 6 1 ト型

2 基板 6 2 a 凹所

3 強磁性体層 64 非磁性体層

4 a, 64 b 凹所

4 c 第 1の非磁性体層

4 d 第 2の非磁性体層

5 下型 6 6 基板

6 a 凹所 6 7, 67 a 強磁性体層 8 非磁性体層 68 a, 68b 凹所 8 c 第 1の非磁性体層

8 d 第 2の非磁性体層 6 9 a , 6 9 b スぺーサ

7 1 セル 7 2 側壁材

7 3 蓋材 7 3 H 貫通孔

7 4 磁石 7 5 電極部

7 6 電気抵抗測定機発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。

〔異方導電性コネクター〕

図 1は、本発明に係る異方導電性コネク夕一の一例を示す平面図、図 2は、図 1に示す異方導電性コネクタ一のを拡大して示す平面図、図 3は、図 1に示す異方導電' f生コネクタ一における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図、図 4は、図 1に示す異方導電性コネク夕一における弾性異方導電膜を拡大して示す説明用断面図である。

図 1に示す異方導電性コネクタ一は、例えば複数の集積回路が形成されたウェハについて当該集積回路の各々の電気的検査をウェハの状態で行うために用いられるものであって、図 2に示すように、それぞれ厚み方向に貫通して伸びる複数の異方導電膜配置用孔 1 1

(破線で示す）が形成されたフレーム板 1 0を有する。このフレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1は、検査対象であるウェハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域のパターンに対応して形成されている。フレーム板 1 0の各異方導電膜配置用孔 1 1 内には、厚み方向に導電性を有する弾性異方導電膜 2 0が、当該フレーム板 1 0の当該異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に支持された状態で、かつ、隣接する弾性異方導電膜 2 0 と互いに独立した状態で配置されている。また、この例におけるフレーム板 1 0には、後述するウェハ検査装置において、減圧方式のカロ圧手段を用いる場合に、当該異方導電性コネク夕一とこれに隣接する部材との間の空気を流通させるための空気流通孔 1 5が形成され、更に、検査対象であるウェハおよび検査用回路基板との位置決めを行うための位置決め孔 1 6が形成されている。

弾性異方導電膜 2 0は、,弾性高分子物質によって形成されており、図 3に示すように、. 厚み方向（図 3において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2と、この接続用導電部 2 2の各々の周囲に形成され、当該接続用導電部 2 2の各々を相互に ¾縁する続用導電部 2 2の各々の周囲に形成され、当該接続用導電部 2 2の各々を相互に終縁する終縁部 2 3とよりなる機能部 2 1を有し、当該機能部 2 1は、フレーム板 1 0の異方導電 SISH置用孔 1 1に位置するよう配置されている。この機能部 2 1における接続用導電部 2 2は、検査対象であるウェハにおける集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置され、当該ウェハの検査において、その被検査電極に電気的に接続されるものである。

機能部 2 1の周縁には、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定支持された被支持部 2 5が、当該機能部 2 1に一体に連続して形成されている。具体的には、この例における被支持部 2 5は、二股状に形成されており、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部を把持するよう密着した状態で固定支持されている。弾性異方導電膜 2 0の機能部 2 1における接続用導電部 2 2には、図 4に示すように、磁性を示す導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部 2 3は、導電性粒子 Pが全く或いは殆ど含有されていないものである。この例においては、弾性異方導電膜 2 0における被支播 152 5には、導電性粒子 Pが含有されている。

また、図示の例では、弾性異方導電膜 2 0における機能部 2 1の両面には、接続用導電部 2 2およびその周辺部分が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部 2 4が形成されている。

フレ一ム板 1 0の厚みは、その材質によって異なるが、 2 0〜6 0 0 mであることが好ましく、より好ましくは 4 0〜4 0 0 mである。

この厚みが 2 0〃m未満である場合には、異方導電性コネクターを使用する際に必要な ¾Sが得られず、耐久性が低いものとなりやすく、また、当該フレーム板 1 ◦の形状が維持される程度の耐性が得られず、異方導電性コネクターの取扱い性が低いものとなる。一方、厚みが 6 0 0 を超える場合には、異方導電膜配置用孔 1 1に形成される弾性異方導電膜 2 0は、その厚みが過大なものとなって、接続用導電部 2 2における良好な導電性および隣接する接続用導電部 2 2間における紙禄性を得ることが困難となることがある。フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1における面方向の形状および寸法は、検査対象であるゥェハの被検査電極の寸法、ピツチおよぴノ、。ターンに応じて設計される。

フレーム板 1 0を構成する材料としては、当該フレーム板 1 0が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の岡 ij性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板 1

0を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレーム板 1 0の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。

フレーム板 1 0を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金銀などの金属またはこれらを 2種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。

フレーム板 1 0を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマ一、ポリイミド樹脂などが挙げられる。

また、絶縁性被膜としては、フッ素樹脂被膜、ポリイミド樹脂被膜、フッ素樹脂やポリイミド樹脂を含む複合被膜、金属酸化物被膜などを用いることができる。

また、フレーム板 1 0は、後述する方法により、弾性異方導電膜 2 0における被支#^ 2 5に導電性粒子 Pを容易に含有させることができる点で、少なくとも異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部すなわち弾性異方導電膜 2 0を支持する部分が磁性を示すもの、具体的にはその飽和磁ィ匕が 0 . l Wb /m² 以上のものであることが好ましく、特に、当該フレーム板 1 0の作製が容易な点で、フレーム板 1 0全体が磁性体により構成されていることが好ましい。

このようなフレーム板 1 0を構成する磁性体の具体例としては、鉄、ニッケル、コバルト若しくはこれらの磁性金属の合金またはこれらの磁' 属と他の金属との合金若しくは合金鋼などが挙げられる。

また、異方導電性コネクターをプローブ試験またはウェハレベルバーンィン試験に用いる場合には、フレーム板 1 0を構成する材料としては、線熱膨張係数が 3 X 1 0 /K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは一 1 X 1 0— ⁷〜 1 X 1 0一⁵/ K、特に好ましくは 1 X 1 0— ⁶〜8 X 1 0一⁶/ Κである。

このような材料の具体例としては、ィンバ一などのィンバー型合金、エリンバ一などのエリンバ一型合金、スーパーインバ—、コバール、 4 2合金などの磁 tt^属の合金または合金鋼などが挙げられる。

弾性異方導電膜 2 0の全厚（図示の例では接続用導電部 2 2における厚み）は、 5 0〜 3 0 0 0 mであることが好ましく、より好ましくは 7 0〜2 5 0 0 m、特に好ましくは 1 0 0〜2 0 0 0 mである。この厚みが 5 0〃m以上であれば、十分な強度を有する弾性異方導電膜 2 0が確実に得られる。一方、この厚みが 3 0 0 0 i m以下であれば、所要の導電性特性を有する接続用導電部 2 が確実に得られる。

図示の例では、突出部 2 4は、弾性異方導電膜 2 0の両面の各々に形成されているが、弾性異方導電膜 2 0の片面にのみ形成されていてもよい。このような突出部 2 4の突出高さは、その合計が当該突出部 2 4における厚みの 1 0 %以上であることが好ましく、より好ましくは 2 0 %以上である。このような突出高さを有する突出部 2 4を形成することにより、小さい加圧力で接続用導電部 2 2が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。

また、突出部 2 4の突出高さは、当該突出部 2 4の最短幅または直径の 1 0 0 %以下であることが好ましく、より好ましくは 7 0 %以下である。このような突出高さを有する突出部 2 4を形成することにより、当該突出部 2 4が加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。

また、被支持部 2 5の厚み（図示の例では二股部分の一方の厚み）は、 5〜6 0 0〃m であることが好ましく、より好ましくは 1 0〜 5 0 0 m、特に好ましくは 2 0〜 4 0 0 i mでめる。

また、被支持部 2 5は二股状に形成されることは必須のことではなく、フレーム板 1 0 の一面のみに固定されていてもよい。

弾性異方導電膜 2 0を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。

液犬シリコーンゴムは、付加型のものであつても縮合型のものであつてもよいが、付加型液犬シリコーンゴムが好ましい。この付加型液状シリコーンゴムは、ビニル基と S i— H結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基および S i— H結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一 ΐ¾ (一成分型) のものと、ビュル基を含有するポリシロキサンおよび S i _H結合を含有するポリシロキサンからなる二液型 (二成分型) のものがあるが、本発明においては、二液型の付加型液状シリコ一ンゴムを用いることが好ましい。

付加型液 4犬シリコーンゴムとしては、その 2 3 °Cにおける粘度が 1 0 0〜 1， 0 0 0 P a · sのものを用いることが好ましく、さらに好ましくは 1 5 0〜8 0 0 P a · s、特に好ましくは 2 5 0〜 5 0 0 P a · sのものである。この粘度が 1 0 0 P a · s未満であるには、後述する弾性異方導電膜 2 0を得るための成形材料において、当該付加型液状シリコーンゴム中における導電性粒子の沈降が生じやすく、良好な保存安定性が得られず、また、成形材料層に平行磁場を作用させたときに、導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向せず、均一な状態で導電性粒子の連鎖を形成することが困難となることがある。一方、この粘度が 1 , 0 0 0 P a · sを超える: には、得られる成形材料が粘度の高いものとなるため、金型内に成形材料層を形成しにくいものとなることがあり、また、成形材料層に平行磁場を作用させても、導電性粒子が十分に移動せず、そのため、導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることが困難となることがある。

このような付加型液状シリコ一ンゴムの粘度は、 B型粘度計によつて測定することができる。

弾性異方導電膜 2 0を液状シリコーンゴムの硬化物（以下、「シリコーンゴム硬化物」という。）によって形成する場合において、当該シリコーンゴム硬化物は、その 1 5 0 °C における圧縮永久歪みが 1 0 %以下であることが好ましく、より好ましくは 8 %以下、さらに好ましくは 6 %以下である。この圧縮永^^みが 1 0 %を超える場合には、得られる異方導電性コネクタ一を高温驟下において繰り返し使用したときには、接続用導電部 2 2における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。

ここで、シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によつて測定することができる。

また、.弾性異方導電膜 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、その 2 3 °Cにおけるデュロメーター A硬度が 1 0〜6 0のものであることが好ましく、さらに好ましくは 1 5〜 6 0、特に好ましくは 2 0〜6 0のものである。このデュロメータ一 A硬度が 1 0未満である^には、カロ圧されたときに、接続用導電部 2 2を相互に絶縁する絶縁部 2 3が過度に歪みやすく、接続用導電部間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメ一夕一 A硬度が 6 0を超える場合には、接続用導電部 2 2に ¾E な歪みを与えるために相当に大きヽ荷重による加圧力が必要となるため、例えば検査対象であるウェハに大きな変形や破壊が生じやすくなる。

ここで、シリコーンゴム硬化物のデュロメ一ター A硬度は、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によつて測定することができる。

また、弾性異方導電膜 2 0を形成するシリコーンゴム硬化物は、その 2 3 °Cにおける引き裂き強度が 8 k N/m以上のものであることが好ましく、さらに好ましくは 1 0 k N/ m以上、より好ましくは 1 5 k N/m以上、特に好ましくは 2 0 k N/m以上のものである。この引き裂き強度が 8 k N/m未満である場合には、弾性異方導電膜 2 0に過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしゃすい。

ここで、シリコーンゴム硬化物の引き裂き弓艘は、 J I S K 6 2 4 9に準拠した方法によつて測定することができる。

このような特性を有する付加型液状シリコーンゴムとしては、信越化学工業株式会ネ ± の液状シリコーンゴム「K E 2 0 0 0」シリーズ、「Κ Ε 1 9 5 0」シリーズ、「Κ Ε 1 9 9 0」シリーズとして巿販されているものを用いることができる。

本発明においては、付加型液状シリコーンゴムを硬ィ匕させるために ¾1の硬化触媒を用いることができる。このような硬ィ匕角虫媒としては、白金系のものを用いることができ、その具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金一不飽和基含有シロキサンコンプレツクス、ビュルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金とし 3—ジビュルテ卜ラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスフアイトと白金とのコンプレックス、ァセチルアセテート白金キレート、環状ジェンと白金とのコンプレツクスなどの公知のものが挙げられる。

硬化触媒の使用量は、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、付加型液状シリコーンゴム 1 0 0重量部に対して 3〜 1 5重量部である。また、付加型液 4犬シリコ一ンゴム中には、付加型液状シリコーンゴムのチクソト口ピー性の向上、粘度調整、導電性粒子の分散安定性の向上、或いは高い強度を有する基材を得ることなどを目的として、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリ力、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。

このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない弾性異方導電膜 20における接続用導電咅! 522および被支 ί#§β25に含有される導電性粒子 Ρとしては、磁'性を示す芯粒子 (以下、「磁性芯粒子」ともいう。 ) の表面に、 1層または 2層以上の高導電 ¾ ^属ょりなる被覆層が形成されてなるものが用いられる。ここで、「高導電性金属」とは、, 0°Cにおける導電率が 5 X 1 0⁶ Ω— 'm— ¹以上のものをいう導電性粒子 Pを得るための磁性芯粒子はその数平均粒子径が 3〜 50〃mのものであることが好ましい。

ここで、磁1芯粒子の数平均粒子径は、レーザ一回折散乱法によつて測定されたものをいう。

上記数平均粒子径が 3 m以上であれば、カロ圧変形が容易で、抵抗値が低くて接続信頼性の高い接続用導電部 2 2が得られやすい。一方、上記数平均粒子径が 50〃m以下であれば、微細な接続用導電部 2 2を容易に形成することができ、また、得られる接続用導電部 2は、安定な導電性を有するものとなりやすい。

また、磁性芯粒子は、その BET比表面積が 1 0〜 1 5 0 Om² /kgであることが好ましく、より好ましくは 20〜1 00 Om² /kg、特に好ましくは 5 0〜5 0 Om² / kgである。 '

この BET比表面積が 1 Om² /kg以上であれば、当該磁性芯粒子はメツキ可能な領域が十分に大きいものであるため、当該磁性芯粒子に所要の量のメツキを確実に行うことができ、従って、導電性の大きい導電性粒子 Pを得ることができると共に、当該導電性粒子 P間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、この BET比表面積が 1 5 00 m² /kg以下であれば、当該磁性芯粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。

また、磁性芯粒子は、その粒子径の変動係数が 5 0%以下のものであることが好ましく、より好ましくは 4 0 %以下、更に好ましくは 3 0 %以下、特に好ましくは 20 %以下のものである。

ここで、粒子径の変動係数は、式：（σ/Dn) X 1 0 0 (但し、 σは、粒子径の標準偏差の値を示し、 Dnは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである上記粒子径の変動係数が 5 0 %以下であれば、粒子径の均一'性が大きいため、導電性のバラツキの小さい接続用導電部 2 2を形成することかできる。

翻 ' 芯粒子を構成する材料としては、鉄ニッケル、コバルト、これらの金属を銅、樹脂にコ一ティングしたものなどを用いことができるが、その飽和磁化が 0 . 1 Wb m² 以上のものを好ましく用いることができ、より好ましくは 0 . 3 Wb /m²以上、特に好ましくは 0 . 5 Wb /m² 以上のものであり、具体的には、鉄、ニッケル、コバルトまたはそれらの合金を挙げることができる。

この飽和磁化が 0 . 1 Wb /m² 以上であれば、後述する方法によって、当該弾性異方導電膜 2 0を形成するための成形材料層中において導電性粒子 Pを容易に移動させることができ、これにより、当誠形材料層における接続用導電部となる部分に、導電性粒子 P を確実に移動させて導電性粒子 Pの連鎖を形成することができる。

本発明においては、導電性粒子 Pにおける被覆層が 1層である場合には、当該被覆層は、例えばビッカース硬度 (H v ) が 4 0以上、好ましくは 5 0以上の高硬度なものとされ、導電性粒子 Ρにおける被覆層が 2層以上である；には、それらのうち少なくとも最外層の被覆層（以下、「表面被覆層」という。）は、例えばビッカース硬度 (H v ) が 4 0 以上、好ましくは 1 5 0以上の高硬度なものとされる。

このような被覆層は、単一の金属により構成されていても 2種以上の金属によって構成されていてもよい。また、 2種類以上の金属により被覆層を構成する: には、ピッカース硬度 (H v ) が 4 0以上の金属のみを用いる必要はなく、被覆層全体としてのピツカ一ス硬度 (H v ) が 4 0以上であれば、ビッカース硬度 (H v ) が 4 0以上の金属とそれ以外の金属例えば金との合金よりなるものであってもよく、ビッカース硬度 (H v ) が 4 0 以上の金属よりなる金属相がそれ以外の金属例えば金よりなる金属相中に分散された相分離構造を有するものであつてもよい。

ビッカース硬度 (H v ) が 4 0以上の高導電性金属としては、.パラジュゥム、ロジウム、ルテニウム、イリジユウム、白金、タングステン、ニッケル、コバルト、クロムまたはこれらの合金などを用いることができ、これらの中では、ィ匕学的に安定でかつ高い導電率を有する点でパラジュゥム、ロジウム、ルテニウム、イリジユウム、白金を用いるが好ましい。 ' また、ピツカ一ス硬度 (Hv) が 40以上の金属と金との合金としては、金'パラジュゥム合金、金 ·銅合金、白金 ·金合金、ニッゲルゃコバルトを 0. 1〜 1. 0 %含有する硬質金などを用いることができ、これらの中では、ィ匕学的に安定でかつ高い導電率を有する点で、金 ·パラジュゥム合金、ニッケルゃコバルトを 0. 1〜 1. 0 %含有する硬質金を用いることが好ましい。

また、 2層以上の被覆層を有する導電性粒子においては、表面被覆層以外の被覆層（以下、「中間被覆層」という。 ) を構成する金属としては，特に限定されるものではないが、極めて高い導電性を有する点で、銀、銅、金を用いることが好ましく、特に、ィ匕学的に安定である点で金が好ましい。

導電性粒子 Pは、磁性芯粒子の質量に対する被覆層の質量（2層以上の被覆層を有する場合にはその合計の質量）の割合〔（被覆層の質量/芯粒子の質量） X 100〕が 15質量％以上のものであることが好ましく、より好ましくは 25〜35質量％である。

被覆層の質量の割合が 15質量⁰ /₀未満である場合には、得られる異方導電性コネクタ一を高温環境下に繰り返し使用したとき、当該導電性粒子 Pの導電性が著しく低下して所要の導電性を維持することが困難となることがある。

また、導電性粒子 Pは、下記の数式によって算出される被覆層の厚み tが 4 Onm以上のものであることが好ましく、より好ましくは 100〜20 Onmである。

t= 〔1/ (Sw · p) 〕 X 〔N/ (1-N) 〕

〔但し、 tは被覆層の厚み（m)、 Swは芯粒子の BET比表面積（m² /kg)、 )は被覆層を構成する金属の比重 (kg/m³ ) 、 Nは（被覆層の質量/導電性粒子全体の質量）の値を示す。〕

上記の数式は、次のようにして導かれたものである。

(a)磁性芯粒子の重量を Mp (kg) とすると、磁性芯粒子の表面積 S (m² ) は、 S = S w Mp 式 ( 1 )

によって求められる。

(b)被覆層の質量を m (kg) とすると、当該被覆層の体積 V (m³ ) は、

式 (2)

によって求められる。

(c) ここで、被覆層の厚みが導電性粒子の表面全体にわたって均一なものであると仮定すると、 t=V/Sであり、これに上記式（ 1) および式 (2) を代入すると、被覆層の厚み tは、

t = (m io) / (S w Mp ) =m/ (Sw . · Mp) 式（3) によって求められる。

(d) また、 Nは、導電性粒子全体の質量に対する被覆層の質量の比であるから、この N の値は、

N=m/ (Mp+m) 式 (4)

によって求められる。

(e) この式 (4 ) の右辺における分子 ·分母を Mpで割ると、

N= (m/Mp) / ( 1 +m/Mp) となり、両辺に ( 1 +m/Mp) をかけると、 N ( 1 +m/Mp) =m/Mp、更には、

N + N (m/Mp) =m/M となり、 N (m/Mp) を右辺に移行すると、

N=m/Mp-N (m/Mp) = (m/Mp) ( 1 _N) となり、両辺を ( 1一 N) で割ると、

N/ ( 1— N) =m/Mpとなり、

従って、磁性芯粒子の質量 Mpは、

Mp =m/ 〔N/ ( 1一 N) ] =m ( 1一 N) /N 式（ 5 )

によって求められる。

(f) そして、式（3) に式（5) を代入すると、

t = 1/ CSw - p · ( 1一 N) /N]

= 〔 1/ (Sw · p) 〕 x CN/ ( 1 -N) )

が導かれる。

この被覆層の厚み tが 4 O nm以上であれば、当該異方導電性コネクターを高温環境下に繰り返し使用した場合において、磁性芯粒子を構成する物質や被検査電極を構成する物質が被覆層中に移行しても、当該導電性粒子 Pの表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子 Pの導電性が著しく低下することがなく、所期の導電性が維持される。

また、導電'性粒子 Fは、その BET比表面積が 1 0〜1 5 0 Om² /kgであることが好ましい。この B E T比表面積が 1 O m² /k g以上であれば、被覆層の表面積が十分に大きいものであるため、高導電性金属の総重量が大きい被覆層を形成することができ、従って、導電性の大きいを粒子を得ることができると共に、当該導電性粒子 P間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、この B E T比表面積が 1 5 0 O m² / k g以下であれば、当該導電性粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わつた際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。

また、導電性粒子 Pの数平均粒子径は、 3〜5 0 mであることが好ましく、より好ましくは 6〜 1 5 mである。

このような導電性粒子 pを用いることにより、得られる弾性異方導電膜 2 0は、カロ圧変形が容易なものとなり、また、当該弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2において導電性粒子 P間に十分な電気的接触が得られる。

また、導電性粒子 Pの形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した 2次粒子による塊状のものであることが好ましい。

また、導電性粒子 Pは、下記に示す電気抵抗値 Rが 0 . 3 Ω以下となるものであることが好ましく，より好ましくは 0 . 1 Ω以下のものである。

電気抵抗値 R：導電性粒子 6 gと液状ゴム 8 gとを混練することによつてペース卜組成物を調製し、このべ一スト組成物を、 0 . 5 mmの離間距離で互いに対向するよう配置された、それぞれ径が l mmの一対の電極間に配置し、当該一対の電極間に 0 . 3 Tの磁場を作用させ、この状態で当該一対の電極間の電気抵抗値が安定するまで放置したときの当該電気抵抗値。

具体的には、この電気抵抗値 Rは、以下のようにして測定される。

図 5は、電気抵抗値 Rを測定するための装置であり、 7 1は試料室 Sを形成するセラミック製のセルであって、筒状の側壁材 7 2と、それぞれ中央に貫通孔 7 3 Hを有する一対の蓋材 7 3とにより構成されている。 7 4は導電性を有する一対の磁石であって、それそ、れ表面から突出する、蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Hに適合する形状の電極部 7 5を有し、この電極部 7 5が蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Hに嵌合された状態で、当該蓋材 7 3に固定されている。 7 6は電気抵抗測定機であって、一対の磁石 7 4の各々に接続されている。セル 7 1 の試料室 Sは、直径 d 1が 3 mm、厚み d 2が 0 . 5 mmの円板状であり、蓋材 7 3の貫通孔 7 3 Hの内径すなわち磁石 7 4の電極部 7 5の直径 rは 1 mmである。

そして、セル 7 1の試料室 Sに、上記のペースト組成物を充填し、磁石 7 4の電極部 7 5間に当該試料室 Sの厚み方向に 0 - 3 Tの平行磁場を作用させながら、.電気抵抗測定機 7 6によって磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値を測定する。その結果、ペースト組成物中に分散されていた導電性粒子が、平行磁場の作用により磁石 7 4の電極部 7 5間に集合し、更には厚み方向に並ぶよう配向し、この導電性粒子の移動に伴って、磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値が低下した後安定状態となり、, このときの電気抵抗値を測定する。ペースト組成物に平行磁場を作用させてから、磁石 7 4の電極部 7 5間の電気抵抗値が安定状態に達するまでの時間は、導電性粒子の種類によって異なるが、通常、ペースト組成物に平行磁場を作用させてから 5 0 0秒間経過した後における電気抵抗値を電気抵抗値 Rとして測定する。

この電気抵抗値 Rが 0 . 3 Ω以下であれば、高い導電性を有する接続用導電部 2 2が確実に得られる。

導電性粒子 Pの含水率は、 5質量⁰ /₀以下であることが好ましく、より好ましくは 3質量 %以下、さらに好ましくは 2質量⁰ /₀以下、特に好ましくは 1質量⁰ /₀以下である。このような条件を満足することにより、成形材料の調製または弾性異方導電膜 2 0の形成において、硬化処理する際に気泡が生ずることが防止または抑制される。

また、導電性粒子 Pは、その表面がシランカツプリング剤などのカツプリング剤で処理されたものあってもよい。導電性粒子 Pの表面がカツプリング剤で処理されることにより、当該導電性粒子 Pと弾性高分子物質との接着性が高くなり、その結果、耐久性が高い導電性材料が得られる。

カツプリング剤の使用量は、導電性粒子 Fの導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子 Pの表面におけるカップリング剤の被覆割合（導電性粒子の表面積に対する力ップリング剤の被覆面積の割合）が 5 %以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上記被覆率が 7〜 1 0 0 %、さらに好ましくは 1 0 - 1 0 0 %、特に好ましくは 2 0〜 1 0 0 %となる量である。

このような導電性粒子 pは、例えは以下の方法によって得ることができる。

先ず、強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより、所要の粒子径を有する磁' 芯粒子を調製する。ここで、粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によつて ί亍うことができる。

また、分級処理の具体的な条件は、目的とする磁性芯粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。

次いで、磁' 芯粒子に対して表面酸化膜除去処理を行い-.更に、例えば純水によって表面洗浄処理することにより、磁性芯粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去する。そして、必要に応じて、磁性芯粒子に対して酸化防止処理を行った後当該磁性芯粒子の表面に高導電性金属よりなる被覆層を形成し、更に必要に応じて分級処理することによって、導電性粒子が得られる。ここで、磁性芯粒子の表面酸化膜除去処理の具体的な方法としては、塩酸などの酸による処理方法を利用することができる。

また、磁性芯粒子の酸ィ匕防止処理の具体的な方法としては、水溶性フラーレンなどによる処理方法を利用することができる。

また、被覆層を形成する方法としては、特に限定されず種々の方法を利用することができ、例えば置換メツキ法や化学還元メツキの無電解メツキ法、電気メツキ法などの湿式法、スパッ夕一法、蒸着法などの乾式法を用いることができ、これらの中では、無電解メツキ法、電気メツキ法、スパッ夕一法を好適に利用することができる。

ィ匕学還元メツキ法や置換メツキ縛の無電解メツキ法によって被覆層を形成する方法について説明すると、先ず、メツキ液中に、酸処理および洗浄処理された磁' 芯粒子を添加してスラリ一を調製し、このスラリ一を攪拌しながら当該磁' 芯粒子の無電解メツキを行う。次いで、スラリ一中の粒子をメツキ液から分離し、その後、当該粒子を例えば純水によつて洗浄処理することにより、磁性芯粒子の表面に高導電 ' 属よりなる被覆層が形成されてなる導電性粒子が得られる。

また、 2層以上の被覆層を形成する場合には、例えば無電解メツキ法により、磁性芯粒子の表面に中間被覆層を形成し、その後、電気メツキ法により、中間被覆層の表面に表面被覆層を形成することが好ましい。

無電解メツキ法に用いられるメツキ液としては、特に限定されるものではなく、種々の市販のものを用いることができる。

また、磁性芯粒子の表面に高導電性金属を被覆する際に、粒子が凝集することにより、粒子径の大きい導電性粒子が発生することがあるため、必要に応じて、導電性粒子の分級処理を行うことが好ましく、これにより、所期の粒子径を有する導電性粒子が確実に得られる。

導電性粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の磁性芯粒子を調製するための分級処理に用ヽられる分級装置として例示したものを挙げることができる。

機能部 2 1の接続用導電部 2 2における導電性粒子 Pの含有割合は、体積分率で 1 0〜 6 0 %、好ましくは 1 5〜5 0 %となる割合で用いられることが好ましい。この割合が 1 0 %未満の場合には、,十分に電気抵抗値の小さレ、接続用導電部 2 2が得られないことがある。一方、この割合が 6 0 %を超える場合には、得られる接続用導電部 2 2は脆弱なものとなりやすく、接続用導電部 2 2として必要な弾性が得られないことがある。

また、被支持部 2 5における導電性粒子 Pの含有割合は、弾性異方導電膜 2 0を形成するための成形材料中の導電性粒子の含有割合によつて異なるが、弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2のうち最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子 Pが含有されることが確実に防止される点で、成形材料中の導電性粒子の含有割合と同等若しくはそれ以上であることが好ましく、また、十分な弓娘を有する被支持部 2 5が得られる点で、体積分率で 3 0 %以下であることが好ましい。

上記の異方導電性コネクタ一は、例えば以下のようにして製造することができる。先ず、検査対象であるウェハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域のパ夕一ンに対応して異方導電膜配置用孔 1 1が形成された磁性金属よりなるフレーム板 1 0 を作製する。ここで、フレーム板 1 0の異方導電 ϋ@Η置用孔 1 1を形成する方法としては、例えばエツチング法などを利用することができる。

次いで、硬ィヒされて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に上記の導電性粒子が分散されてなる導電性ペースト組成物を調製する。そして、図 6に示すように、弾性異方導電

'隱成形用の金型 6 0を用意し、この金型 6 0における上型 6 1および下型 6 5の各々の成形面に、弾性異方導電膜用の成形材料として上記の導電性べ一スト組成物を、所要のパ夕一ンすなわち形成すベき弾性異方導電膜の配置パターンに従つて塗布することによって成形材料層 2 O Aを形成する。

ここで、金型 6 0について具体的に説明すると、この金型 6 0は-.上型 6 1およびこれと対となる下型 6 5が互いに対向するよう配置されて構成されている。

上型 6 1においては、図 7に拡大して示すように、基板 6 2の下面に、成形すべき弾性異方導電'隨 2 0の接続用導電部 2の配置ノ、。ターンに対掌なノ、"ターンに従つて強磁性体層 6 3が形成され、この強磁性体層 6 3以外の個所には、非磁性体層 6 4が形成されており、これらの強磁性体層 6 3および非磁性体層 6 4によって成形面が形成されている。また ± 6 1の成形面には、成形すべき弾性異方導電膜 2 0における突出部 2 4に対応して凹所 6 4 aが形成されている。

一方、下型 6 5においては、基板 6 6の上面に、成形すべき弾性異方導電膜 2 0の接続用導電咅 P 2 2の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層 6 7カ形成され、この強磁性体層 6 7以外の個所には、非磁性体層 6 8が形成されており、これらの強磁性体層 6 7および非磁性体層 6 8によって成形面が形成されている。また、下型 6 5の成形面には、成形すべき弾性異方導電膜 2 0における突出部 2 4に対応して凹所 6 8 a力形成されている。

上型 6 1および下型 6 5の各々における基板 6 2 , 6 6は、強磁性体により構成されていることが好ましく、このような強磁性体の具体例としては、鉄、鉄一ニッケル合金、鉄 —コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁 '^属が挙げられる。この基板 6 2 , 6 6は、その厚みが 0 . 1〜 5 0 mmであることが好ましく、表面が平滑で、ィ匕学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。

また、 ± 6 1および下型 6 5の各々における強磁性体層 6 3 , 6 7を構成する材料としては、鉄、鉄一ニッケル合金、鉄一コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁½ 属を用いることができる。この強磁性体層 6 3， 6 7は、その厚みが 1 0 a m以上であることが好ましい。この厚みが 1 0 im以上であれば、成形材料層 2 O Aに対して、十分な弓敏分布を有する磁場を作用させることができ、この結果、当該成形材料層 2 O Aにおける接続用導電部 2 2となる部分に導電性粒子を高密度に集合させることができ、良好な導電性を有する接続用導電部 2 2が得られる。

また、 ± 6 1および下型 6 5の各々における非磁性体層 6 4 , 6 8を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィ一の手法により容易に非磁性体層 6 4 , 6 8を形成することができる点で、放射線によつて硬化された高分子物質を好ましく用いることができ、その材料としては、例えばァクリル系のドライフィルムレジスト、ェポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。上型 6 1および下型 6 5の成形面に成形材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷法を用いることが好ましい。このような方法によれば、成形材料を所要のパターンに従つて塗布することが容易で、しかも、適量の成形材料を塗布することができる。

次いで、図 8に示すように、成形材料層 2 O Aが形成された下型 6 5の成形面上に、スぺ一サ一 6 9 aを介して、フレーム板 1 0を位置合わせして配置すると共に、. このフレーム板 1 0上に、スぺーサ一 6 9 bを介して、成形材料層 2 O Aが形成された上型 6 1を位置合わせして配置し、更に、これらを重ね合わせることにより、図 9に示すように、 ± 6 1と下型 6 5との間に、目的とする形態 (形成すベき弾性異方導電膜 0の形態) の成形材料層 2 0 Aが形成される。この成形材料層 2 0 Aにおいては、図 1 0に示すように、導電性粒子 Pは成形材料層 2 0 A全体に分散された状態で含有されている。

このようにフレーム板 1 0と上型 6 1および下型 6 5との間にスぺーサー 6 9 a , 6 9 bを配置することにより、目的とする形態の弹性異方導電膜を形成することができると共に、隣接する弾性異方導電膜同士が連結することが防止されるため、互いに独立した多数の弾性異方導電膜を確実に形成することができる。

その後、上型 6 1における基板 6 2の上面および下型 6 5における基板 6 6の T に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、上型 6 1および下型 6 5が弓磁性体層 6 3 , 6 7を有するため、上型 6 1の強磁性体層 6 3とこれに対応する下型 6 5 の強磁性体層 6 7との間においてその周辺領域より大きい強度を有する磁場が形成される。その結果、成形材料層 2 O Aにおいては、当該成形材料層 2 O A中に分散されていた導電性粒子が、図 1 1に示すように、上型 6 1の強磁性体層 6 3とこれに対応する下型 6 5の強磁性体層 6 7との間に位置する接続用導電部 2 2となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向する。以上において、フレーム板 1 0が磁性金属よりなるため、上型 6 1および下型 6 5の各々とフレーム板 1 0との間においてその付近より大きい弓 t¾の磁場が形成される結果、成形材料層 2 O Aにおけるフレーム板 1 0の上方および下方にある導電性粒子 Pは、上型 6 1の強磁性体層 6 3と下型 6 5の強磁性体層 6 7との間に集合せず、フレーム板 1 0の上方および下方に保持されたままとなる。

そして、この状態において、成形材料層 2 O Aを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子 Pが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の接続用導電部 2 2が、導電性粒子 Pが全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部 2 3によって相互に緣された状態で配置されてなる機能部 2 1と、この機能部 2 1の周辺に連続して一体に形成された、弾性高分子物質中に導電性粒子 Pが含有されてなる被支持部 2 5とよりなる弾性異方導電膜 0が、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に当該被支持部 2 5が固定された状態で形成され、以て異方導電性コネクターが製造される。

以上において、成形材料層 2 O Aにおける接続用導電部 2 2となる部分および被支 2 5となる部分に作用させる外部磁場の強度は、平均で 0 . 1〜 2 . 5テスラとなる大きさが好ましい。

成形材料層 2 O Aの硬化処理は、使用される材料によって選定されるが、通常、加 »理によって行われる。加熱により成形材料層 2 O Aの硬化処理を行う場合には、電磁石にヒー夕一を設ければよい。具体的なカロ熱温度および加熱時間は、成形材料層 2 O Aを構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子 Pの移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。

上記の異方導電性コネクターによれば、弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2 中に含有された導電性粒子 Pは、ビッカース硬度 (H v ) が 4 0以上である被覆層が形成されてなるものであるため、例えばウェハに形成された集積回路の電気的検査において、多数回にわたって繰り返し使用した場合にも、導電性粒子 Ρ同士の接触などによって、導電性粒子 Ρにおける被覆層に、剥離、摩耗、変形などが生じることが抑制され、その結果、長時間にわたって所要の導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる。

また、導電性粒子 Fとして、金と他の高導電性金属とよりなるものを用いることにより、高い導電性を有する接続用導電部が得られると共に、高温 i fTfにおいて多数回にわたつて繰り返して使用された場合にも、導電性粒子の表面が変質することが抑制され、その結果、長期間にわたって所要の導電性が維持され、従って、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる。

また、導電性粒子 Pとして、その被覆層 2 0の質量の割合が芯粒子の質量に対して 1 5 質量⁰ /₀以上で、当該高導電性金属による被覆層の厚み tが 4 O nm以上のものを用いることにより、高温環境下において繰り返して使用した場合に、導電性粒子 Fにおける磁性芯粒子を構成する物質や被検査電極を構成する物質が被覆層中に移行しても、当該導電性粒子 Fの表面には、高導電性金属が高い割合で存在するので、当該導電性粒子 Pの導電性が著しく低下することがなく、その結果、長期間にわたって所要の導電性が維持され、従つて、耐久性が高くて長い使用寿命が得られる。

また、弾性異方導電膜 2 0には、接続用導電部 2 2を有する機能部 2 1の周縁に被支持部 2 5が形成されており、この被支持部 2 5がフレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1 の周辺部に固定されているため、変形しにくくて取扱いやすく、検査対象であるウェハとの電気的接続作業において-。当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができる。

また、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の各々は、検¾¾象であるウェハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域に対応して形成されており、当該異方導電膜配置用孔 1 1の各々に配置される弾性異方導電膜 2 0は面積が小さいものでよいため、個々の弾性異方導電膜 2 0の形成が容易である。し力、も、面積の小さい弾性異方導電膜 2 0は、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板 1 0を構成する材料として線麵彭張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張がフレーム板によって確実に規制される。従って、大面積のウェハに対して WL B I試験またはプローブ試験を行うにおいても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

また、フレーム板 1 0として磁性を示すものを用いることにより、弾性異方導電膜 2 0 の形成において、成形材料層 2 O Aにおける被支持部 2 5となる部分に例えば磁場を作用させることによつて当該部分に導電性粒子 Pが存在したままの状態で、当形材料層 2 O Aの硬化処理を行うことができるため、成形材料層 2 O Aにおける被支持部 2 5となる部分すなわちフレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部の上方および下方に位置する部分に存在する導電性粒子が、接続用導電咅となる部分に集合することがなく、その結果、得られる弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2のうち最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子 Pが含有されることが防止される。従って、成形材料層 2 0 A中の導電性粒子 Pの含有量を少なくする必要もないので、弾性異方導電膜 2 0の全ての接続用導電部 2 2について、良好な導電性が確実に得られると共に隣接する接続用導電部 2 2との絶縁性が確実に得られる。

また、フレーム板 1 0に位置決め孔 1 6が形成されているため、検査対象であるウェハまたは検査用回路基板に対する位置合わせを容易に行うことができる。

また、フレーム板 1 0に空気流通孔 1 5が形成されているため、後述するウェハ検査装置において、プローブ部材を押圧する手段として減圧方式によるものを利用したには

、チャンバ一内を減圧したときに、異方導電性コネクターと検査用回路基板との間にする空気がフレーム板 1 0の空気流通孔 1 5を介して排出され、これにより-.異方導電性コネクタ一と検査用回路基板とを確実に密着させることができるので、所要の電気的 ί妾続を確実に達成することができる。

〔ウェハ検査装置〕

図 1 2は、本発明に係る異方導電性コネクタ一を用いたウェハ検査装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。このウエノ、検査装置は、ウェハに形成されたネの集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をゥェハの状態で行うためのものである。

図 1 2に示すウェハ検査装置は、検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7の各々とテス夕一との電気的接続を行うプローブ部材 1を有する。このプロ一ブ部材 1においては、図 1 3にも拡大して示すように、検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極 3 1が表面（図において下面）形成された検査用回路基板 3 0を有し、この検査用回路基板 3 0の表面には、図 1〜図 4に示す構成の異方導電性コネクター 2が、その弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々が検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1の各々に対接するよう設けられ、この異方導電性コネクタ一 2の表面（図において下面）には、絶縁性シ一ト 4 1に検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7のパターンに対応するパターンに従って複数の電極構造体 4 2が配置されてなるシ —ト状コネクタ一 4 0が、当該電極構造体 4 2の各々が異方導電性コネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の各々に対接するよう設けられている。

また、プロ一ブ部材 1における検査用回路基板 3 0の裏面（図において上面）には、当該プローブ部材 1を下方にカロ圧するカロ圧板 3が設けられ、プローブ部材 1の下方には、検查対象であるウェハ 6が載置されるウェハ載置台 4が設けられており、加圧板 3およびゥエノヽ載置台 4の各々には、カロ熱器 5が接続されている。

検査用回路基板 3 0を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補弓虽型フエノ一ル樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補弓鍵ビスマレイミドトリァジン樹脂等の複合樹脂材料、ガラス、二酸化挂素、アルミナ等のセラミックス材料など力、'挙げられる。

また、 WL B I試験またはプローブ試験を行うためのウェハ検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が 3 X 1 0—⁵/K以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは 1 X 1 0 -⁷〜 1 X 1 0 /1く、特に好ましくは 1 X 1 0一⁶〜 6 X 1 0一⁶/ Κである。このような基板材料の具体例としては、パイレックス (登録商標) ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケィ素、窒化アルミニウム、.窒ィ匕ホウ素など挙げられる。プロ一ブ部材 1におけるシート状コネクタ一 4 0について具体的に説明すると、このシ —ト状コネクタ一 4 0は、柔軟な絶縁性シート 4 1を有し、この絶縁性シート 4 1には、当該 ¾縁性シート 4 1の厚み方向に伸びる複数の金属よりなる電極構造体 4 2が、検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7のパターンに対応するパタ一ンに従って、当該絶縁性シート 4 1の面方向に互いに離間して配置されている。

電極構造体 4 2の各々は、絶縁性シート 4 1の表面（図において下面）に露出する突起状の表面電極部 4 3と、絶縁性シート 4 1の裏面に露出する板状の裏面電極部 4 4とが、糸禄性シ一ト 4 1の厚み方向に貫通して伸びる短絡部 4 5によって互いに一体に連結されて構成されている。

絶縁性シート 4 1としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。

また、絶縁性シー卜 4 1の厚みは、当該絶縁性シート 4 1が柔軟なものであれば特に限定されないが、 1 0〜5 0 mであることが好ましく、より好ましくは 1 0〜2 5 mでる。

電極構造体 4 2を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、電極構造体 4 2としては、全体が単一の金属よりなるものであっても、, 2種以上の金属の合金よりなるものまたは 2種以上の金属が積層されてなるものであつてもよい。

また、電極構造体 4 2における表面電極部 4 3および裏面電極部 4 4の表面には、当該電極部の酸化が防止されると共に、接触抵抗の小さい電極部が得られる点で、金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属«が形成されていることが好ましい。

電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の突出高さはウェハ 6の被検査電極 7に対して安定な電気的接続を達成することができる点で, 1 5〜 5 0 ,u mであることが好ましく、より好ましくは 1 5〜 3 0 Li mである。また、表面電極部 4 3の径は、ウェハ 6の被検査電極の寸法およびピッチに応じて設定されるが-,例えば 3 0〜8 0 であり-,好ましくは 3 0〜5 0 mである。

電極構造体 4 2における裏面電極部 4 4の径は、短絡部 4 5の径ょり大きく、かつ、電極構造体 4 2の配置ピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、異方導電性コネクタ一 1の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2に対しても安定な電気的接続を確実に達成することができる。また、裏面電極部 4 4の厚みは、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、 2 0〜 5 0 であることが好ましく、より好ましくは 3 0〜4 0 u mである。

電極構造体 4 2における短絡部 4 5の径は、十分に高い強度が得られる点で、 3 0〜8 0 であることが好ましく、より好ましくは 3 0〜5 0 mである。

シ一卜状コネクター 4 0は、例えば以下のようにして製造することができる。

すなわち、絶縁性シート 4 1上に金属層が積 J1されてなる積層材料を用意し、この材料における絶縁性シート 4 1に対して、レーザ加工、ドライエッチング加工等によって、当該絶縁性シート 4 1の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を、形成すべき電極構造体 4 2のパターンに対応するパターンに従って形成する。次いで、この積層材料に対してフォ卜リソグラフィ一およびメッキ処理を施すことによって、絶縁性シート 4 1の貫通孔内に金属層に一体に連結された短絡部 4 5を形成すると共に、当該絶縁性シート 4 1の表面に、短絡部 4 5に一体に連結された突起状の表面電極部 4 3を形成する。その後、積 Jf材料における金属層に対してフォトエッチング処理を施してそのを除去することにより、裏面電極部 4 4を形成して電極構造体 4 2を形成し、以てシート状コネクタ一 4 0が得られ。

このような電気的検査装置におレ、ては、ゥエノヽ載置台 4上に検査対象であるウェハ 6が載置され、次いで、力 [J圧板 3によってプローブ部材 1が下方に加圧されることにより、そのシート状コネクター 4 0の電極構造体 4 2における表面電極部 4 3の各々が、ウエノヽ 6 の被検査電極 7の各々に接触し、更に、当該表面電極部 4 3の各々によって、ウェハ 6の被検査電極 7の各々が加圧される。この状態においては、—異方導電性コネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における接続用導電咅！ 52 2の各々は検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1 とシート状コネクタ一 4 0の電極構造体 4 2の表面電極部 4 3とによつて挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該接続用導電部 2 2にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウェハ 6の被検査電極 7と検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1との電気的接続が達成される。その後、カロ熱器 5によって、ウェハ載置台 4および加圧板 3を介してウェハ 6が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウェハ 6における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

このようなウェハ検査装置によれば、耐久性が高くて使用寿命の長い異方導電性コネクター 2を有するプローブ部材 1を具えてなるため、多数回にわたってウェハの検査を行う ^において、異方導電性コネクター 2を新たなものに交換する頻搜を少なくすることができ、これにより、高い効率でウェハの検査を行うことができると共に、検査コストの低減化を図ることができる。

また、被検査電極 7のピッチが小さいものであっても、当該ウェハに対する位置合わせおよび保持固定を容易に行うことができ、しかも、高温環境下において繰り返し使用した ^にも、所要の電気的検査を長期間にわたつて安定して実行することができる。

また、異方導電性コネクタ一 2における弾性異方導電膜 2 0は、それ自体の面積が小さいものであり、熱履歴を受けた場合でも、当該弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張の絶対量が少ないため、フレーム板 1 0を構成する材料として線熱膨張係数の小さいものを用いることにより、弾性異方導電膜 2 0の面方向における熱膨張がフレーム板によつて確実に規制される。従って、大面積のウェハに対して WL B I試験を行う場合においても、良好な電気的接続状態を安定に維持することができる。

図 1 4は、本発明に係る異方導電性コネクターを用いたウェハ検査装置の他の例における構成の概略を示す説明用断面図である。

このウェハ検査装置は、検査対象であるウェハ 6が収納される、上面が開口した箱型のチャンバ一 5 0を有する。このチャンバ一 5 0の側壁には、当該チャンバ一 5 0の内部の空気を排気するための排気管 5 1が設けられており、この排気管 5 1には、例えば真空ポンプ等の排気装置（図示省略）が接続されている。

チャンバ一 5 0上には、図 1 2に示すウェハ検査装置におけるプロ一ブ部材 1と同様の構成のプローブ部材 1が、当該チャンバ一 5 0の開口を気密に塞ぐよう配置されている。具体的には、チャンバ一 5 0における側壁の上端面上には、弾性を有する 0—リング 5 5 が密着して配置され、, プローブ部材 1は、その異方導電性コネクター 2およびシート状コネクター 4 0がチヤンバ一 5 0内に収容され、かつ、その検査用回路基板 3 0における周辺部が 0—リング 5 5に密着した状態で配置されており、更に、検査用回路基板 3 0が、その裏面 (図において上面) には設けられたカロ圧板 3によって下方に加圧された状態とされている。

また、チャンバ一 5 0および力 B圧板 3には、加熱器 5が接続されている。

このようなウェハ検査装置においては、チャンバ一 5 0の排気管 5 1に接続された排気装置を駆動させることにより、チャンバ一 5 0内が例えば 1 0 0 0 P a以下に減圧される結果、大気圧によって、プローブ部材 1が下方に加圧される。これにより、〇一リング 5 5が弾性変形するため、プローブ部材 1が下方に移動する結果、シート状コネクター 4 0 の電極構造体 4 における表面電極部 4 3の各々によって、ウエノヽ 6の被検査電極 7の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター 2の弾性異方導電膜 2 0における ί妾続用導電部 2 2の各々は、検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1とシート状コネク夕一 4 0の電極構造体 4 2の表面電極部 4 3とによつて挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該接続用導電部 2 2にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウェハ 6の被検査電極 7と検査用回路基板 3 0の検査電極 3 1との電気的接続が達成される。その後、カロ熱器 5によって、チャンバ一 5 0および加圧板 3を介してウェハ 6が所定の温度にカロ熱され、この状態で、当該ウェハ 6における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。

このようなウェハ検査装置によれば、図 1 2に示すウェハ検査装置と同様の効果が得られ、更に、大型の加圧機構が不要であるため、.検査装置全体の小型化を図ることができると共に、検査対象であるウェハ 6が例えば直径が 8ィンチ以上の大面積のものであっても、当該ウェハ 6全体を均一な力で押圧することができる。しかも、異方導電性コネクター 2におけるフレーム板 1 0には、空気流通孔 1 5が形成されているため、チャンバ一 5 0 内を減圧したときに、異方導電性コネクター 2と検査用回路基板 3 0との間に存在する空気が、異方導電性コネクタ一 2におけるフレーム板 1 0の空気流通孔 1 5を介して排出され、これにより、異方導電性コネクタ一 2と検査用回路基板 3 0とを確実に密着させることができるので、所要の電気的接続を確実に達成することができる。

〔他の実施の形態〕

本発明は、上記のの形態に限定されず、次のような種々の変更を加えることが可能である。

( 1 )異方導電性コネクタ一においては、弾性異方導電膜 2 0には、接続用導電部 2 2以外に、ウェハにおける被検査電極に電気的に接続されなレ、非接続用導電部が形成されていてもよい。以下、非接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターについて説明する。

図 1 5は、本発明に係る異方導電性コネクターの他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。この異方導電性コネクターの弾性異方導電膜 2 0においては、その機能部 2 1に、検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続される厚み方向（図

1 5において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2が、被検査電極のパ夕 ―ンに対応するパターンに従って 2列に並ぶよう配置され、これらの接続用導電部 2 の各々は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって相互に絶縁されている。

そして、接続用導電部 2 2が並ぶ方向において、最も外側に位置する接続用導電部 2 2 とフレーム板 1 0との間には、検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電部 2 6が形成されている。この非接続用導電部 2 6は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって、接続用導電部 2 2と相互に糸縁されている。

また、図示の例では、弾性異方導電膜 2 0における機能部 2 1の両面には、接続用導電部 2 およびその周辺部分が位置する個所並びに非接続用導電部 2 6およびその周辺部分が位置する個所に、それら以外の表面から突出する突出部 2 4および突出部 2 7力形成されている。

機能部 2 1の周縁には、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定支持された被支持部 2 5が、当該機能部 2 1に一体に連続して形成されており、この被支持部 2 5には、導電性粒子が含有されている。

その他の構成は、的に図 1〜図 4に示す異方導電性コネク夕一の構成と同様である図 1 6は、本発明に係る異方導電性コネクターの更に他の例における弾性異方導電膜を拡大して示す平面図である。この異方導電'性コネクターの弾性異方導電膜 2 0においては、その機能部 2 1に、検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続される厚み方向 (図 1 6において紙面と垂直な方向）に伸びる複数の接続用導電部 2 2が、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って並ぶよう配置され、これらの接続用導電部 2 2の各々は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって相互に絶縁されているこれらの接続用導電部 2 2のうち中央に位置する互いに隣接する 2つの接続用導電部 2 2は、その他の互いに隣接する接続用導電部 2 2間における離間距離より大きい離間距離で配置されている。そして、中央に位置する互いに隣接する 2つの接続用導電部 2 2の間には、検査対象であるウェハの被検査電極に電気的に接続されない厚み方向に伸びる非接続用導電咅 6が形成されている。この非接続用導電部 2 6は、磁性を示す導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されてなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていない絶縁部 2 3によって、接続用導電部 2 2と相互に絶縁されている。

また、図示の例では、弾性異方導電膜 2 0における機能部 2 1の両面には、接続用導電部 2 2およびその周辺部分が位置する個所並びに非接続用導電部 2 6およびその周辺部分が位置する個所に、それら以外の表面から突出する突出部 2 4および突出部 2 7が形成されている。

機能部 2 1の周縁には、フレーム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に固定支持された被支持部 2 5が-' 当該機能部 2 1に一体に連続して形成されており、この被支持部 2 5には、導電性粒子が含有されている。

その他の具体的な構成は、基本的に図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターの構成と同様である。

図 1 5に示す異方導電性コネクターおよび図 1 6に示す異方導電性コネクタ一は、図 7 に示す金型の代わりに、成形すべき弾性異方導電'隨 2 0の接続用導電部 2 2および非接続用導電部 2 6の配置パターンに対応するパターンに従って強磁性体層が形成され、この強磁性体層以外の個所には、非磁性体層が形成された上型および下型からなる金型を用いることにより、前述の図 1〜図 4に示す異方導電性コネクターを製造する方法と同様にして製造することができる。

すなわち、このような金型によれば、上型における基板の上面および下型における基板の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、当該上型および当該下型の間に形成された成形材料層においては、当該成形材料層における機能部 2 1となる部分に分散されていた導電性粒子が、接続用導電部 2 2となる部分および非接続用導電部 2 6となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向し、一方、成形材料層におけるフレーム板 1 0の上方および下方にある導電性粒子は、フレーム板 1 0の上方および下方に保持されたままとなる。

そして、この状態において、成形材料層を硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の接続用導電部 2 2および非接続用導電部 2 6が、導電性粒子が全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部 2 3によって相互に絶縁された状態で配置されてなる機能部 2 1と、この機能部 2 1の周辺に連続して一体に形成された、弾性高分子物質中に導電性粒子が含有されてなる被支辭 2 5とよりなる弾性異方導電膜 2 0が、フレーム板 1 0の異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に当該被支持部 2 5が固定された状態で形成され、以て異方導電性コネクターが製造される。

図 1 5に示す異方導電性コネクターにおける非接続用導電部 2 6は、弾性異方導電膜 2 0の形成において、成形材料層における非接続用導電部 2 6となる部分に磁場を作用させることにより、成形材料層における最も外側に位置する接続用導電部 2 2となる部分とフレーム板 1 0との間に存在する導電性粒子を、非接続用導電部 2 6となる部分に集合させ、この状態で、当該成形材料層の硬化処理を行うことにより得られる。そのため，, 当該弾性異方導電膜 2 0の形成において、導電性粒子が、成形材料層における最も外側に位置する接続用導電部 2 2となる部分に過剰に集合することがない。従って、形成すべき弾性異方導電膜 2 0が、比較的多数の接続用導電部 2 2を有するものであっても、当該弾性異方導電膜 2 0における最も外側に位置する接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子が含有されることが確実に防止される。

また、図 1 6に示す異方導電性コネクターにおける非接続用導電部 2 6は、弾性異方導電膜 2 0の形成において、成形材料層における非接続用導電部 2 6となる部分に磁場を作用させることにより、成形材料層における大きい離間距離で配置された隣接する 1つの接続用導電部 2 となる部分の間にする導電性粒子を、非接続用導電部 2 6となる部分に集合させ、この状態で、当,形材料層の硬化処理を行うことにより得られる。そのため、. 当該弾性異方導電膜 2 0の形成において、,導電性粒子が、,成形材料層における大きい離間距離で配置された隣接する 2つの接続用導電部 2 2となる部分にに集合することがない。従って、形成すべき弾性異方導電膜 2 0が、それぞれ大きい離間距離で配置された 2つ以上の接続用導電部 2 2を有するものであっても、それらの接続用導電部 2 2に、過剰な量の導電性粒子が含有されることが確実に防止される。

( 2 )異方導電性コネクターにおいては、弾性異方導電膜 2 0における突出部 2 4は必須のものではなく、一面または] ¾が平坦面のもの、或いは凹所が形成されたものであってもよい。

( 3 )弾性異方導電膜 2 0における接続用導電部 2 2の表面には、金属層あるいは D L C (ダイヤモンドライクカーボン）層が形成されていてもよい。

( 4 )本発明の異方導電性コネクターの用途は、ウェハの検査に限定されるものではなく、半導体チップ、パッケージ化された集積回路装置などの電子部品の検査に用いられるコネクタ一や、電子部品の実装に用いられるコネクターとしても有用である。

( 5 )異方導電性コネクターの製造において、フレ一ム板 1 0の基材として非磁性のものを用いる場合には、成形材料層 2 O Aにおける被支持部 2 5となる部分に磁場を作用させる方法として、当該フレ一ム板 1 0における異方導電膜配置用孔 1 1の周辺部に磁性体をメツキしてまたは磁¾¾料を塗布して磁場を作用させる手段、金型 6 0に、弾性異方導電膜 2 0の被支持部 2 5に対応して強磁性体層を形成して磁場を作用させる手段を利用することができる。

( 6 )成形材料層の形成において、スぺーサーを用いることは必須のことではなく、他の手段によって、,上型および下型とフレーム板との間に弾性異方導電膜成形用の空間を確保してもよい。

( 7 ) プローブ部材 1においては、シート状コネクタ一 4 0は、必須のものではなく、図 1 7に示すように、例えば検査対象であるウェハ 6の被検査電極 7がハンダょりなる半球状の突起電極である： ^·には、プローブ部材 1は、異方導電性コネク夕一 2における弾性異方導電膜 2 0がウエノヽ 6に接触して電気的接続を達成する構成のものであつてもよい。

( 8 ) 本発明の異方導電性コネク夕一または本発明のプロ一プ部材を使用したウェハの検査方法においては、ウェハに形成された全ての集積回路について一括して行うことは必領のことではない。

バーンイン試験においては、集積回路の各々に必要な検査時間が数時間と長いためゥェハに形成された全ての集積回路について一括して検査を行えば高い時間的効率が得られるが、プローブ試験においては、集積回路の各々に必要な検査時間が数分間と短いため、ウェハを 2以上のエリアに分割し、分割されたエリア毎に、当該エリアに形成された集積回路について一括してプロ一ブ試験を行うこともできる。

このように、ウェハに形成された集積回路について、分割されたエリア每に電気的検査を行う方法によれば、直径が 8インチまたは 1 2インチのウェハに高い集 «®で形成された集積回路について電気的検査を行う場合において、全ての集積回路について一括して検查を行う方法と比較して、用いられる検査用回路基板の検査電極数や配線数を少なくすることができ、これにより、検査装置の製造コストの低減化を図ることができる。

そして、本発明の異方導電性コネクターまたは本発明のプロ一ブ部材は、繰り返し使用における耐久性が高いものであるため、ウェハに形成された集積回路について、分割されたエリァ毎に電気的検査を行う方法に用いる場合には、異方導電性コネクターに故障が生じて新たなものに交換する頻度が少なくなるので、検査コス卜の低減ィ匕を図ることができる。

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

また、以下の実施例において、付加型液状シリコーンゴムの物性および導電性粒子における被覆層の物性は、次のようにして測定した。

( 1 )付加型液状シリコーンゴムの粘度：

B型粘度計により、 2 3 ± 2 °Cにおける粘度を測定した。

( 2 ) シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：

二,の付加型液状シリコーンゴムにおける A液と B液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、 1 20°C、 30分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが 1 2. 7mm . 直径が 2 9mmのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して

. 2 00°C. 4時間の条件でボストキユアを行つた。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、 J I S K 6 24 9に準拠して 1 5 0 ± 2 °Cにおける圧縮永久歪みを測定した。

(3) シリコーンゴム硬化物の引裂強度：

上記（ 2 ) と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが 2. 5 mmのシートを作製した。このシ一卜から打ち抜きによつてクレセント形の試験片を作製し、 J I S K 6249に準拠して 2 3土 2°Cにおける引裂弓を測定した。

(4) デュロメ一ター A硬度：

上記（3) と同様にして作製されたシートを 5 ね合わせ、得られた積体を試験片として用い、 J I S K 6 24 9に準拠して 2 3± 2°Cにおけるデュロメーター Α硬度を測定した。

( 5 )導電性粒子の被覆層のビッ力ース硬度：

導電性粒子の被覆層のビッ力ース硬度は、 1 mmの厚みの平坦なニッゲル板上に、導電性粒子の被覆層と同様の方法（メツキ或いはスパッ夕一）によって被覆層を形成し、この被覆層について、 J I S Z 2 244に準拠してビッカース硬度を測定した。

なお、形成される被覆層の厚みは、 J I S Z 2 244に準拠して設定されるが、スパッ夕一により被覆層を形成する^には、厚みの大きい被覆層を形成することが困難なるため、 0. 5〜 1 mの範囲内で設定した。

〔磁' 芯粒子の調製例 1〕

市販のニッケル粒子 (We s t a i m社製，「FC 1 00 0」 ) を用い、以下のようにして磁性芯粒子 [A] を調製した。

コアンダ効果を利用した空気分級機 (日鉄鉱業社製，「エルボージェット分級機 E J 一 L一 3型」）によって-. ニッケル粒子 2 kgを、比重 8. 9、ェジヱクタ一圧 0. 2M Pa、カットポイント F 6 m、 M 1 2 m、ニッケル粒子の供給速度 1. 47 kg/h rの設定条件で分級処理して捕集することにより、磁性芯粒子 1. 4 kgを調製した。この磁性芯粒子を「磁性芯粒子 [A]」とする。

得られた磁芯粒子 [A] は、数平均粒子径が 8. 5 m、粒子径の変動係数が 31% 、 B E T比表面積が 0. 45x l 0³ m² /kg、飽和磁化が 0. 6 Wb /m² であつた

〔磁性芯粒子の調製例 2〕

市販のニッケル粒子 (We s t a i m社製，「SF 300」 ) を、そのまま磁' | 芯粒子 [B] とした。

この磁性芯粒子 [B] は、数平均粒子径が 26. 9 m.粒子径の変動係数が 33 %、 BET比表面積が 0. 19 X 10³ in² /kg、飽和磁化が 0. 6Wb/m^z であった。〔導電性粒子の調製例 1〕

( 1 )磁鎖立子の表面酸化膜除去処理：

粉末処理槽内に、磁性芯粒子 [A] 100 gを投入し、更に、 3. 2 Nの塩酸水溶液 2 Lを加えて攪拌し、磁性芯粒子 [A] を含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で 30分間攪拌することにより、磁性芯粒子 [A] の表醒化膜除去処理を行い、その後、 1分間静置して磁性芯粒子 [A] を沈殿させ、上澄み液を除去した。

次いで、表醒化膜除去処理が施された磁性芯粒子 [A] に純水 2 Lを加え、常温で 2 分間攪拌し、その後、 1分間静置して磁' 芯粒子 [A] を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返すことにより、磁性芯粒子 [A]の表面洗浄処理を行った。 ( 2 )磁立子の酸化防止処理：

表碰化膜除去処理および表面洗浄処理が施された磁性芯粒子 [A] に、水溶性フラーレン（三菱商事，「 PEG—フラーレン」）の 0. 5質量⁰ /₀7]溶液を加えて攪拌することにより、磁性芯粒子 [A] を含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で 30分間攪拌することにより、磁性芯粒子の酸ィ匕防止処理を行い、その後、 1分間静置して磁性芯粒子 [A] を沈殿させ、上澄み液を除去した。

( 3 ) 中間被覆層の形成：

酸ィ匕防1½理が施された磁性芯粒子 [A] を粉体メツキ装置の処理槽内に投入し、金の含有割合が 20 g /Lの金メッキ液 (田中貴金属工業社製，「レク卜口レス」 ) を加え、, 処理槽内の温度を 90°Cに昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子 [A] に対して金の無電解メツキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、磁性芯粒子の表面に金よりなる中間被覆層が形成されてなる中間体粒子を調製した。次いで、処理槽内に純水 2 Lを加え、常温で 1分間攪拌した後、 1分間静置して粒子をさせ、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返すことにより、中間体粒子の表面洗浄処理を行った。

( 4 )表面被覆層の形成：

メッシュ状の電極を配置した粉体電気メツキ装置の処理槽内に、金の含有量が 1 5 g / Lおよびコバルトの含有量が 2 g /Lの金一コバルト合金メッキ液 (曰本高純度化学 (株 )製，「オーロラブライ卜 H S— 1 5」）を投入した。次いで、金一コバルト合金メツキ液を攪拌しながら、当該金一コバルト合金メッキ液に中間体粒子を添カロし、当該中間体粒子に対して金一コバルト合金の電気メツキを行うことにより、磁 f 芯粒子の表面に金よりなる中間被覆層を介して金一コバルト合金（コバルトの含有割合が 1 %) よりなる表面被覆層が形成されてなる導電性粒子を調製した。

次いで、処理槽内に純水 2 Lを加え、常温で 2分間攪拌した後、 1分間静置して粒子をさせ、上澄み液を除去した。次いで、処理槽内に純水 2 Lを加え、 9 0 °Cにカロ熱して攪拌して静置した後、上澄み液を除去した。ごの操作を更に繰り返し、その後、導電性粒子を含むスラリーを処理槽内から取り出し、当該スラリ一を濾紙によつて濾過することにより、導電性粒子を回収した。そして、この導電性粒子を、 9 0 °Cに設定された乾燥機によって車燥処理した。

( 5 ) 導電性粒子の分級処理：

導電性粒子を、セラミツク棒の複数個が投入されたボールミル装置内に投入し、 2時間粉砕処理を行った。その後、導電性粒子を、ボールミル装置から取り出し、音波篩器（筒井理化学機器（株）製，「S W— 2 0 AT形」）によって分級処理した。具体的には、それぞれ開口径が 2 0 、 1 6 m、 1 0 の 3つの篩を上からこの順で 3段に重ね合わせ、篩の各々にセラミックボール 7 gを投入し、最上段の篩（開口径が 2 0 ii ) に粉砕処理された導電性粒子を投入し、 1 2 5 H zで 1 5分間の条件で分級処理し、最下段の篩（開口径が 1 0〃m) に補集された導電性粒子を回収した。このような操作を 2回行うことにより、導電性粒子の分級処理を行った。この分級処理した導電性粒子を「導電性粒子 [A 1 ] 」とする。導電 t生粒子 [A 1 ] は、数平均粒子径が 8 . 8〃 m、 B E T比表面積が 0 . 3 8 x 1 0 ³ m² /k g、中間被覆層の厚みが 4 2 nm、表面被覆層の厚みが 1 1 (被覆層の合計の厚みが 5 3 z m) ,磁性芯粒子 [A] に対する中間被覆層の割合が 2 7質量⁰ /₀、表面被覆層の割合が 9質量。/。（被覆層の合計の割合が 3 6質量％) 、電気抵抗値 Rが 0 . 0 5 Ωであつた。ま† 中間被覆層のビッ力ース硬度 (H v ) は 2 ( 表面被覆層のピツカ一ス硬度 (H v ) は 2 0 0であった。

〔導電性粒子の調製例 2〕

導電性粒子の調製例 1と同様にして、磁性芯粒子 [A] に対して、表面酸化膜除去処理、表面洗浄処理および酸化防止処理を行い、その後、真空乾燥機によって、 1 5 0 °C、 1 X 1 0— ³ P a、 1 0時間の条件で乾燥処理を行った。次いで、この磁性芯粒子 [A] を、粉体スパッタ一装置（日新製鋼社製）の処理槽内に投入し、金よりなるターゲッ卜をセッ卜した。その後、磁性芯粒子 [A] を攪拌しながら、処理槽内の空気を雰囲気圧が 1 X 1 (T³ P aとなるまで排気し、当該処理槽内にアルゴンガスを雰囲気圧が 1 X 1 0— となるよう導入した。そして、この状態で、磁性芯粒子 [A] に対してスパッター処理を行うことにより、金よりなる被覆層が形成されてなる中間体粒子を調製した。

次いで、中間体粒子を冷却した後、処理槽から取り出し、当該中間体粒子をエタノール中に投入して攪拌し、 2分間静置した後、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返すことにより、中間体粒子の洗浄処理を行った。その後、 8 0 °Cのオーブンによって中間体粒子の乾燥処理を行った。

この中間体粒子を、粉体スパッター装置（日新製鋼社製）の処理槽内に投入し、ロジゥムよりなる夕一ゲットをセッ卜した。その後、中間体粒子を攪拌しながら、処理槽内の空気を雰囲気圧が 1 X 1 0— ³ P aとなるまで排気し、当理槽内にアルゴンガスを雰囲気圧が l x l 0— ' P aとなるよう導入した。そして、この状態で、中間体粒子に対してスパッ夕一処理を行ってロジウムよりなる表面被覆層を形成することにより、導電性粒子を調し/こ。

次いで、導電性粒子を冷却した後、処理槽から取り出し、当該導電性粒子をエタノール中に投入して攪拌し、 2分間静置した後、上澄み液を除去した。この操作を更に 2回繰り返すことにより、導電性粒子の洗浄処理を行った。その後、 8 0 °Cのオーブンによって導電性粒子の乾燥処理を行った。そして、導電性粒子の調製例 1と同様にして導電性粒子の分級処理を行った。この導電性粒子を「導電性粒子 [A 2 ] 」とする。

得られた導電性粒子 [A2] は数平均粒子径が 8· 9〃m、 BET比表面積が0. 3

7X 10³ m^z /kg. 中間被覆層の厚みが 40 ιιπκ表面被覆層の厚みが 1 1 nm (被覆層の合計の厚みが 5 1 nm)、磁性芯粒子 [A] に対する中間被覆層の割合が 26質量 %.表面被覆層の割合が 6質量％ (被覆層の合計の割合が 32質量。/。）、電気抵抗値 Rが 0. 07 であった。また中間被覆層のピツカ一ス硬度（Hv) は 2 1、表面被覆層のビッカース硬度 (Ην) は 800であった。

〔導電性粒子の調製例 3〕

導電性粒子の調製例 2において、金よりなる夕ーゲッ卜の代わりに銀よりなるタ一ゲットを用いたこと以外は、導電性粒子の調製例 2と同様にして導電性粒子を得た。この導電性粒子を「導電性粒子 [A3] 」とする。

得られた導電性粒子 [A3] は、数平均粒子径が 9. l〃m、 BET比表面積が 0. 3 5 X 10³ m² /k g、中間被覆層の厚みが 37 nm、表面被覆層の厚みが 20 nm (被覆層の合計の厚みが 57nm) 、磁性芯粒子 [A] に対する中間被覆層の割合が 1 5質量 %、表面被覆層の割合が 1 0質量％ (被覆層の合計の割合が 25質量。/。）、電気抵抗値 R が 0. 08Ωであった。また、中間被覆層のビッカース硬度 (Hv) は 24、表面被覆層のピツカ一ス硬度 (Hv) は 800であった。

〔導電性粒子の調製例 4〕

導電性粒子の調製例 2において、金よりなる夕一ゲッ卜の代わりに金とパラジウムとの合金（重量比：金/パラジウム = 9/ 1 ) よりなるターゲットを用い、スパッ夕一処理および洗浄処理の走査を一回としたこと以外は、導電性粒子の調製例 2と同様にして導電性粒子を得た。この導電性粒子を「導電性粒子 [A4] 」とする。

得られた導電性粒子 [A4] は、数平均粒子径が 8. 8 、 88丁比表面積が0. 3 8 X 10³ m² /kg.表面被覆層の厚みが 40 nm (被覆層の合計の厚みが 40 nm) 、磁性芯粒子 [A] に対する表面被覆層の割合が 25質量⁰ /₀ (被覆層の合計の割合が 25 質量⁰ /₀) 、電気抵抗値 Rが 0· 08Ωであった。また、表面 ί皮覆層のビッカース硬度 (Η ν) は 58であった。

〔導電性粒子の調製例 5〕導電性粒子の調製例 1において、金の無電解メツキの処件を変更したことおよび金ーコバルト合金の電気メツキを行わなかったこと以外は同様にして導電性粒子を調製した

。この導電†生粒子を「導電性粒子 [A5] 」とする。

得られた導電性粒子 [A5] は、数平均粒子径が 8. 9 nu BET比表面積が0. 3 7 X 10³ m² /k g、被覆層の厚みが 42 um、磁性芯粒子 [A] に対する被覆層の割合が 26質量％、電気抵抗値 Rが 0. 04Ωであった。また、被覆層のビッカース硬度 ( H ) は 20であった。

〔導電性粒子の調製例 6 ]

導電性粒子の調製例 1において、磁性芯粒子 [A] の代わりに磁性芯粒子 [B] を用い、金の無電解メッキの処理条件を変更したことおよび金一コノレ卜合金の電解メッキの処理条件を変更したこと、並びに、導電性粒子の分級処理において、開口径が 20〃m、 1 6 mおよび 10 mの篩の代わりに、開口径が 50〃mおよび 32 umの篩を上からこの順で重ね合わせ、開口径が 32 mの篩に捕集された導電性粒子を回収したこと以外は、同様にして導電性粒子を調製した。この導電性粒子を「導電性粒子 [B 1] 」とする。得られた導電性粒子 [B 1 ] は、数平均粒子径が、 32. 8〃m、 BET比表面積が 0 . 1 2 X 10³ m² /k g、中間被覆層の厚みが 48 nm、表面被覆層の厚みが 5. 5 n m (被覆層の合計の厚みが 54 nm) 、磁性芯粒子 [B] に対する中間被覆層の割合が 1 5質量⁰ /。、表面被覆層の割合が 2質量％ (被覆層の合計の割合が 17質量⁰/。）、電気抵抗値 Rが 0. 03Ωであった。また、中間被覆層のビッカース硬度 (Hv) は 20、表面被覆層のピツカ一ス硬度 (Hv) は 200であった。

〔導電性粒子の調製例 7 ]

導電性粒子の調製例 6において、金の無電解メツキの処理条件を変更したことおよび金 —コバルト合金の電解メツキを行わなかったこと以外は同様にして導電性粒子を調製した。この導電'性粒子を「導電'性粒子 [B 2] 」とする。

得られた導電性粒子 [B 2] は、数平均粒子径が、 32〃πκ BET比表面積が0. 1 4 X 10³ m² /k g、表面被覆層の厚みが 48 nm (被覆層の合計の厚みが 48 nm) 、磁性芯粒子 [B] に対する表面被覆層の割合が 1 5質量⁰ /₀ (被覆層の合計の割合が 1 5 質量⁰ /₀)、電気抵抗値 Rが 0. 03Ωであった。また、表面被覆層のビッカース硬度 (H v) は 20であった。以上、導電性粒子 [A 1 ] 〜導電性粒子 [A5] および導電性粒子 [B 1 ] 子 [B 2 ] の特性を、下記表 1にまとめて示す。

〔表 1〕

〔試験用ウェハの作製〕試験用ウェハ Wl ：

図 1 8に示すように、直径が 8ィンチのシリコン（線熱膨張係数 3. 3 X 1 0 ⁶/K) 製のウェハ 6上に-, それぞれ寸法が 6. 5 mm X 6. 5 mmの正方形の集積回路 Lを合計で 596個形成した。ウェハ 6に形成された集積回路 Lの各々は、図 1 9に示すように、その中央に被検査電極領域 Aを有し、この被検査電極領域 Aには図 20に示すように、それぞれ直径が 80 ,umで高さが 60 mの半球状の半田よりなる 26個の被検査電極 7 が 1 20 mのピッチで横方向に二列 (一列の被検査電極 7の数が 1 3個）に配列されている。縦方向に隣接する被検査電極 7の間の離間距離は、 450 mである。また、 26 個の被検査電極 7のうち 2個ずつが互レヽに電気的に接続されている。このウェハ 6全体の被検査電極 7の総数は 1 5496個である。以下、このウェハを「試験用ウェハ Wl」という。

試験用ウェハ W 2 ：

被検査電極を、寸法が 70〃 m X 220〃 mの矩形の平板状の金よりなるものとしたこと以外は、試験用ウェハ W1と同様の構成の 596個の集積回路を直径が 8インチのシリコン（線麵彭張係数 3. 3 X 10— 6/K)製のウェハ上に形成した。このウェハを「試験用ウェハ W2J という。

試験用ウェハ W 3 ：

直径が 8ィンチのシリコン（線熱膨張係数 3. 3x 10— ⁶/K)製のウェハ上に、それぞれ寸法が 1 3. 0 mmx 6. 2 mmの長方形の集積回路 Lを合計で 186個形成した。ウェハに形成された集積回路の各々は、それぞれ直径が 450 mで高さが 350 mの半球状の半田よりなる 78個の被検査電極が、 800 imのピッチで縦横に（縦方向に 6 個および横方向に 1 3個）配列された被検査電極領域を有する。また、 78個の被検査電極 7のうち 2個ずつが互いに電気的に接続されている。以下、このウェハを「試験用ゥェハ W3」という。

<実施例 1 >

( 1) レーム板：

図 2 1および図 22に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウェハ W1における各被検査電極領域に対応して形成された 596の異方導電 Ilffi置孔を有する直径が 8ィンチのフレーム板を作製した。このフレーム板 1 0の材質はコバール（飽和磁ィ匕 1. 4Wb/m² , 線麵彭張係数 5 X 1 0- ⁶/K) で、その厚みは、 60〃mである。

異方導電膜配置用孔 1 1の各々は、その横方向（図 2 1および図 2 2において左右方向 ) の寸法が 1 800 / mで縦方向（図 2 1およぴ図 22において上下方向）の寸法が 60 0 ,umである。

縦方向に隣接する異方導電 HE置用孔 1 1の間の中央位置には、円形の空気流入孔 1 5 が形成されており、その直径は 1 00 0 ,/jmである。

(2) スぺーサー：

下記の条件により、試験用ウェハ W 1における被検査電極領域に対応して形成された複数の貫通孔を有する弾性異方導電形用のスぺーサーを 2枚作製した。

これらのスぺ一サ一の材質はステンレス（SUS 304 ) で、その厚みは 2 0〃mである。

各被検査電極領域に対応する貫通孔は、その横方向の寸法が 2 50 0 mで縦方向の寸法が 1 4 00 mである。

( 3 )金型：

図 7および図 1 3に示す構成に従い、下記の条件により、弾性異方導電膜成形用の金型を作製した。

この金型における上型 6 1および下型 6 5は、それぞれ厚みが 6 mmの鉄よりなる基板 62, 6 6を有し、この基板 62, 6 6上には、試験用ウェハ W 1における被検査電極のパ夕一ンに対応するパタ一ンに従って二ッゲルよりなる接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 ( 67 ) および非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (67 a) が配置されている。具体的には、接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 ( 67 ) の各々の寸法は 6 O um (横方向） X 200 /m (縦方向） X 1 00 m (厚み）で、 26個の強磁性体層 6 3 ( 67) が 1 2 O wmのピッチで横方向に二列（一列の強磁性体層 63 ( 6 7 ) の数が 1 3 個で、縦方向に隣接する強磁性体層 6 3 ( 6 7 ) の間の離間距離が 4 50 ^im) に配列されている。また、強磁性体層 6 3 ( 6 7 ) が並ぶ方向において、最も外側に位置する強磁性体層 6 3 ( 67 ) の外側には、非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (67 a) が配置されている。各強磁性体層 6 3 a (67 a) の寸法は、 80 m (横方向） X 300 urn (縦方向） X 1 00 m (厚み）である。そして、 6個の接続用導電部形成用の強磁性体層 63 ( 67 ) および 2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (67 a) が形成された領域が、試験用ウェハ W1における被検査電極領域に対応して合計で 5 96個形成され、基板全体で 1 549 6個の接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 ( 67 ) および 1 1 9 2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (6 7 a) が形成されている。また-.非磁性体層 64 ( 68 ) は-, ドラィフィルムレジストを硬化処理することによつて形成され、,接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 ( 67 ) が位置する凹所 64 a (6 8 a) の各々の寸法は、 70〃m (横方向） X 2 1 0 m (縦方向） X 30〃m (深さ）で、非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a (67 a) が位置する凹所 64 b (6 8b) の各々の寸法は、 90 m (横方向） x 2 60 um (縦方向） X 2 5 m (深さ）で、凹所以外の部分の厚みは 75 um (凹所部分の厚み 5 0 u ) である。

( 4 )弾性異方導電膜：

上記のフレーム板、スぺーサ一および金型を用い、以下のようにしてフレーム板に弾性異方導電膜を形成した。

付加型液状シリコーンゴム 1 00重量部に、導電性粒子 [A1] 3 0重量部を添カロして混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、導電性べ一スト組成物を調製し

7<— o

以上において、付加型液状シリコーンゴムとしては、 A液の粘度が 2 5 OP a · sで、 B液の粘度が 2 5 0 P a · sである二液型のものであって、石更化物の 1 5 0。Cにおける永久圧縮歪みが 5 %、硬化物のデュロメーター A硬度が 31、硬化物の引裂強度が 2 5 kN /mのものを用いた。

上記の金型の上型および下型の表面に、弾性異方導電膜用の成形材料として調製した導電性ペースト組成物をスクリーン印刷によって塗布することにより、形成すべき弾性異方導電膜のパターンに従って成形材料層を形成し、下型の成形面上に、下型側のスぺ一サーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、上型側のスぺーサ一を介してト型を位置合わせして重ねた。

そして、上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、強磁性体層の間に位置する部分に、電磁石によって厚み方向に 2 Tの磁場を作用させながら、 1 00°C、 1時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜を形成し、以て、異方導電性コネクタ一を製造した。以下、この異方導電生コネクタ一を「異方導電性コネクター C 1」という。

得られた弾性異方導電膜について具体的に説明すると、弾性異方導電膜の各々は、横方向の寸法が 2 5 0 0 x m.縦方向の寸法が 1 4 0 0〃mである。弾性異方導電膜の各々における機能部には、 1 6個の接続用導電部が 1 2 0〃mのピッチで横方向に二列（一列の接続用導電部の数が 1 3個で、縦方向に隣接する接続用導電部の間の離間距離が 4 5 O m) に配列されており、接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 6 0 w mu縦方向の寸法が 2 0 0 、厚みが 1 6 0 であり、機能部における絶縁部の厚みが 1 0 0 である。また、横方向において最も外側に位置する接続用導電部とフレーム板との間には、非接続用導電部が配置されている。非接続用導電部の各々は、横方向の寸法が 8 0 m、縦方向の寸法が 3 0 0 m、厚みが 1 0 0〃mである。また、弾性異方導電膜の各々における被支持部の厚み（二股部分の一方の厚み）は 2 0〃mである。

得られた異方導電性コネク夕一 C 1の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 % つた。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶緣部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確 ISされ、機能部における絶縁部には導電 f生粒子がほとんど存在していないことが確認された。

〈実施例 2 >

導電性粒子 [A 1 ] の代わりに導電性粒子 [A 2 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 2」という。

得られた異方導電性コネク夕一 C 2の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 % であった。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど; i¾していないことが確認された。

<実施例 3 > 導電性粒子 [A 1 ] の代わりに導電性粒子 [A 3 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクタ一を製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 3」という。

得られた異方導電性コネクター C 3の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 % であった。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

<実施例 4 >

導電性粒子 [A 1 ] の代わりに導電性粒子 [A 4 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクタ一を製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクタ一 C 4」という。

得られた異方導電性コネク夕一 C 4の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 % であった。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支 itSには導電性粒子が存在していることが確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

〈実施例 5 >

( 1 ) フレーム板：

図 2 4に示す構成に従い、下記の条件により、上記の試験用ウェハ W 3における各被検查電極領域に対応して形成された 3 2個の異方導電膜配置孔を有するフレーム板を作製しこのフレーム板 1 0はその材質が 4 , 2ァロイ (飽和磁化 1 . 4 5 Wb /m 2 , 線熱膨張係数 5 X 1 0 - 6 /K ) で、縦横の寸法が 1 3 3 . 5 mmx 5 4 . 8 mmの矢巨形の板状で、その厚みが 1 5 0 ,/j mである。

また、このフレーム板 1 0には、試験用ウェハ W 3における一部の集積回路のパターンに対応して、それぞれ横方向（図 2 4において左右方向）の寸法が 1 1 . 2 mmで縦方向 (図 2 4において上下方向）の寸法が 5. 6mmである 3 2個の異方導電膜配置用孔 1 1 が、縦横に並ぶよう（縦方向に 4個、横方向 8個）形成されている。

また、このフレーム板 1 0の外周縁部には、合計で 1 0個の位置決め用孔 1 6が形成されており、それらの直径はいずれも 3. Ommである。

( 2 ) スぺーサー：

下記の条件により、試験用ウェハ W 3における被検査電極領域に対応して形成された複数の貫通孔を有する弾性異方導電膜成形用のスぺーサ一を 2枚作製した。

これらのスぺ一サ一の材質はステンレス (SUS 3 0 4 ) で、その厚みは-, 3 0 umで ¾> 。

各被検査電極領域に対応する貫通孔は、その横方向の寸法が 1 0 4. 1 mmで縦方向の寸法が 2 6. 4 mmである。

( 3 )金型： '

図 2 5および図 2 6に示す構成に従い、下記の条件により、弾性異方導電膜成形用の金型を作製した。

この金型における上型 6 1および下型 6 5は、それぞれ厚みが 6 mmの鉄よりなり、表面に試験用ウェハ W 3における一部の集積回路に対応して複数の凹所 6 2 a, 6 6 aが形成された基板 6 2， 6 6を有し、この基板 6 2， 6 6の凹所には、試験用ウェハ W 3の一部の集積回路における被検査電極のノ、'ターンに対応するパターンに従つて配置された接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3， 6 7と、試験用ウェハ W 3の一の集積回路における被検査電極に対応する複数の強磁性体層 6 3 , 6 7を取り囲むよう配置された複数の非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a, 6 7 aとが形成されている。これらの基板 6 2 , 6 6および強磁性体層 6 3， 6 3 a, 6 7， 6 7 aは、基板材をエツチングすることによつて形成されたものであり、従って、強磁性体層 6 3, 6 3 a, 6 7， 6 7 aは、基板 6 2 ， 6 6に連続して一体に形成され、その材質は鉄である。

試験用ウェハ W 3の一の集積回路における被検査電極に対応する強磁性体層 6 3 , 6 7 について説明すると、接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3， 6 7の各々の寸法は 3 5 0 urn (直径） X 1 5 0 m (厚み）で、。 7 8個の強磁性体層 6 3， 6 7が 8 0 0 πιのピツチで横方向に 6列（一列の強磁性体層 6 3 , 6 7の数が 1 3個）で配列されている。また、 7 8個の強磁性体層 6 3 , 6 7の周囲には， 4 2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 63 a, 67 aが 800 ^tmのピッチで配置されている。

そして、 78個の接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3， 67および 4 2個の非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a, 67 aが形成された領域が、試験用ウェハ W3における 32個の集積回路 Lの被検査電極領域に対応して合計で 3 2個形成されている。

また、基板 62, 66の凹所 6 2 a, 66 aにおける各強磁性体層 63， 6 3 a, 67 ， 67 aの間には、液状樹脂を硬化処理することによって形成された第 1の非磁'性体層 6 4 c 68 cが設けられ、基板 6 2, 66の表面の凹所 6 2 a, 66 a以外の個所、, 第 1 の非磁 f生体層 64 c, 6 8 cの表面および非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a, 6 7の表面上には、ドライフィルムレジストを硬化処理することによつて形成された第 2の非磁性体層 64 d, 68 dが設けられ、これにより、接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3， 67が位置する個所には凹所 64 a, 68 aが形成されている。一方、非接続用導電部形成用の強磁性体層 6 3 a, 67 aが位置する個所には、凹所が形成されていない。上型 6 1における凹所 64 aの各々の寸法は、 380 m (直径） x 3 um (深さ）、下型 65における 6 8 aの各々の寸法は、 380 m (直径） x 1 00〃m (深さ）である

( 4 )弾性異方導電膜：

付加型液状シリコーンゴム 1 00重量部に、導電性粒子 [B 1 ] 6 7重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、導電性べ一スト組成物を調製し十

以上において、付加型液状シリコーンゴムとしては、 A液の粘度が 25 OPa · sで、 B液の粘度が 2 5 0 Pa · sである二液型のものであって、硬化物の 1 5 0°Cにおける永久圧縮歪みが 5 %、硬化物のデュロメ一ター A硬度が 3 2、硬化物の引裂強度が 25 kN /mのものを用いた。

上記の金型の上型および下型の表面に、弾性異方導電膜用の成形材料として調製した導電性ぺ一スト組成物をスクリーン印刷によって塗布することにより、形成すべき弾性異方導電膜のパターンに従って成形材料層を形成し、下型の成形面上に、下型側のスぺーサーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、 ± 側のスぺーサ一を介して ± を位置合わせして重ねた。

そして、上型および下型の間に形成された成形材料層に対し、強磁性体層の間に位置す. る部分に、電磁石によって厚み方向に 2 Tの磁場を作用させながら、 1 0 0 ；、 1時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に弾性異方導電膜を形成し、以て、異方導電性コネクタ一を製造した。以下、この異方導電性コネクタ一を「異方導電性コネクター C 5」という。

得られた弾性異方導電膜について具体的に説明すると、横方向の寸法が 1 0 4 . i mm 、縦方向の寸法が 2 6 . 4 mmである。弾性異方導電膜の各々における機能部には、 7 8 個の接続用導電部が 8 0 0 mのピッチで横方向に 6列（一列の接続用導電部の数が 1 3 個）に配列されており、接続用導電部の各々は、直径が 3 8 0 m、厚みが 3 4 0 であり、機能部における絶縁部の厚みが 2 1 0〃mである。また、接続用導電部とフレーム板との間には、非接続用導電部が配置されている。非接続用導電部の各々の寸法は、直径が 3 5 0〃m、厚みが 2 1 0 である。また、弾性異方導電膜の各々における被支持部の厚み（二股部分の一方の厚み）は 3 0 mである。

得られた異方導電性コネクタ一 C 5の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 % でめつ 7こ。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることカ確認され、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんど存在していないことが確認された。

賺例 1 >

導電性粒子 [A 1 ] の代わりに導電性粒子 [A 5 ] を用いたこと以外は、実施例 1と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電'性コネクター C 6」という。

得られた異方導電性コネクタ一 C 6の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 % であった。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支 if¾には導電性粒子が存在していることが確言 Sされ、機能部における絶縁部には導電性粒子がほとんどしていないことが確認された。

<比較例 2 >

導電性粒子 [ B 1 ] の代わりに導電性粒子 [ B 2 ] を用いたこと以外は、実施例 5と同様にして異方導電性コネクターを製造した。以下、この異方導電性コネクターを「異方導電 1生コネクタ一 C 7 J という。

得られた異方導電性コネクター C 7の弾性異方導電膜の各々における接続用導電部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部について体積分率で約 3 0 % であつた。

また、弾性異方導電膜の被支持部および機能部における絶縁部を観察したところ、被支持部には導電性粒子が存在していることが確 ISされ、機倉部における糸椽部には導電' f生粒子がほとんど; i¾¾していないことが確認された。

〔異方導電性コネク夕—の評価〕

( 1 )検査用回路基板の作製：

基板材料としてアルミナセラミックス (線熱膨張係数 4 · 8 x 1 0 - ⁶/K) を用い、試験用ウェハ W 1における被検査電極のパ夕一ンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が 3 0 c m x 3 0 c mの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が 6 0 で縦方向の寸法が 2 0 0 u mであり、その表面には金メッキが施されている。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板 T l」という。

また、 »反材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数 4 . 8 X 1 0一⁶/ Κ) を用い、試験用ウェハ W 3における 3 2個（4個 Χ 8個）の集積回路の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が 1 4 O mm X 6 O mmの矩形であり、検査電極の各々は、直径が 4 5 0〃mの円形であり、その表面には金メッキが施されている。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板 T 2」という。

( 2 )試験 1 ：

実施例 1に係る異方導電性コネクタ一 Cし実施例に係る異方導電性コネクタ一 C 2 および比較例 1に係る異方導電性コネク夕一 C 6について、以下の試験を行った。

試験用ウェハ W 1を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ウェハ W 1上 2004/003931

5 5 に異方導電性コネク夕一をその接続用導電部の各々が当該試験用ウェハ W 1の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクター上に、検査用回路基板 Tをその検査電極の各々が当該異方導電性コネクタ一の接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 Tを下方に 1 5 0 k gの荷重（接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 1 0 g ) で 1分間加圧した。そして、室温（ 2 5 °C ) 下において、検査用回路基板 Tにおける 1 5 4 9 6個の検査電極について、異方導電性コネクタ一および試験用ウェハ W 1を介して互いに電気的に接続された 2個の検査電極の間の電気抵抗を順次測定し、測定された電気抵抗値から予め測定された試験用ウェハ W 1 の回路の電気抵抗値を差し引き、その値の 2分の 1の値を異方導電性コネクターにおける接続用導電部の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として測定した。この操作を「操作（ i ) 」とする。次いで、検査用回路基板 Tに対する加圧を解除し、この無加圧の状態で 1 5秒間放置した。この操作を「操作 ( i i ) 」とする。そして、操作（ i ) および操作（i i ) を 1サイクルとして繰り返して行い、操作（i ) において測定された導通抵抗の値が 1 Ωを超えるまでのサイクル数を求めた。

以上において、接続用導電部の導通抵抗が 1 Ω以上のものについては、ウェハに形成された集積回路の電気的検査において、これを実際上使用することが困難である。

以上の結果を下記表 1に示す。

〔表 2〕

( 3 )試験 2 ：

実施例 1に係る異方導電性コネクタ一 C 1、実施例 2に係る異方導電性コネクタ一 C 2 および比較例 1に係る異方導電性コネク夕一 C 6について、試験用ウエノ、 W 1の代わりに試験用ウェハ W 2を用いたこと以外は試験 1と同様にして、異方導電性コネクターにおける接続用導電部の導通抵抗の値が 1 Ωを超えるまでのサイクル数を求めた。結果を下記表

3に示す。

〔表 3〕

( 4 )試験 3 ：

実施例 5に係る異方導電性コネクター C 5および比較例 2に係る異方導電性コネク夕一 C 7について、以下の試験を行った。

試験用ウェハ W 3を、電熱ヒータ一を具えた試験台に配置し、この試験用ウェハ W 3に形成された集積回路のうち隣接する 3 2個（4個 X 8個）の集積回路が形成された領域上に、異方導電性コネクターをその接続用導電部の各々が当該試験用ウェハ W 3の被検査電証に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクタ一上に、検査用回路基板 T 2をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクタ一の接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 T 2を下方に移動させて異方導電性コネク夕一を加圧し、異方導電性コネクターの接続用導電部が導通する最小変位位置を見出した。次いで、検査用回路基板 T 2を最小変位位置から更に 6 0 m下方に変位させ、この状態で 1分間保持した。そして、試験台を 8 5 °Cにカロ熱し、異方導電性コネクターにおける接続用導電部の導通抵抗を測定した。この操作を「操作（ i ) 」とする。次いで、検査用回路基板 T 2に対する力 Π圧を解除し、この無加圧の状態で 1 5秒間放置した。この操作を「操作 (i i ) J とする。そして、操作 ( i ) および操作 (i i ) を 1サイクルとして繰り返して行い、操作（ i ) において測定された導通抵抗の値が 1 Ωを超えるまでのサイクル数を求めた。

この試験 3においては、 3 0 0 0サイクル每に、試験用ウェハ W 3における試験に供される集積回路を変更し、試験ウェハ W 3の全ての集積回路について試験が行われ後には、試験用ウェハ W 3を新たなものに交換して、試験 3を継続した。

以上の結果を表 4に示す。

〔表 4〕

( 5 )試験 4 ：

実施例 1〜 4に係る異方導電性コネクター C 1〜異方導電性コネク夕一 C 4および比較例 1に係る異方導電性コネク夕一 C 6について、以下の試験を行った。

試験用ウェハ W 2を、恒温槽内に設けられた試験台に配置し、この試験用ウェハ W 2上に異方導電性コネク夕一 C 1をその接続用導電部の各々が当該試験用ウェハ W 2の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電性コネクター上に、検査用回路基板 Tをその検査電極の各々が当該異方導電性コネクタ一 C 1の接続用導電部上に位置するよう位置合わせして配置し、更に、検査用回路基板 T 1を下方に 1 5 0 k gの荷重 ( 接続用導電部 1個当たりに加わる荷重が平均で約 1 0 g ) で加圧した。そして、恒温槽内の温度を 1 5 °Cまで上昇させ、 1 2 5 °Cの温度条件下で 4時間加圧保持し、その後、異方導電性コネクタ一における接続用導電部の導通抵抗をとして測定した。この操作を「操作（ i ) 」とする。次いで、温度を室温 ( 3 0。C以下）まで降下させた後、検査用回路基板 T 1に対する加圧を解除し、この無加圧の状態で 1 5分間放置した。この操作を「操作 ( i i ) J とする。そして、操作 ( i ) および操作 ( i i ) を 1サイクルとして繰り返して行い、操作 ( i ) において測定された導通抵抗の値が 1 Ωを超えるまでのサイクル数を求めた。以上において、異方導電性コネクターの接続用導電部の導通抵抗が 1 Ω以上のものについては、ウェハに形成された集積回路の電気的検査において、これを実際上使用することが困難である。以上の,結果を表 5に示す。

〔表 5〕

表 2から表 5の結果から明らかなように、実施例 1〜実施例 5に係る異方導電性コネクターによれば、被検査電極が突起状のものおょぴ平面状のもののいずれであっても、長時間にわたって良好な導電性が維持されることが確認された。

Claims

請求の範囲

1 . 導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネク夕一において、

前記接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属よりなる被覆層が積層されてなり、当該被覆層は度な被覆層であることを特徴とする異方導電性コネクタ一。

2 · 導電性粒子が含有された厚み方向に伸びる複数の接続用導電部が形成された弾性異方導電膜を有する異方導電性コネクターにおいて、

前記接続用導電部に含有された導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に高導電性金属よりなる複数の被覆層が積層されてなり、 Ιΐίϊ己複数の被覆層のうち少なくとも最外層の被覆層は高硬度な被覆層であることを特徴とする異方導電性コネクター。

3 . 高硬度な被覆層のビッカース硬度 (Η ν ) が 4 0以上であることを特徴とする請求の範囲第 1項または第項に記載の異方導電性コネクタ一。

4 . 導電性粒子におけるビッカース硬度 (Η ν ) が 4 0以上である被覆層は、 2種類以上の高導電 ' 属よりなることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の異方導電性コネクタ

5 . 導電性粒子におけるビッカース硬度 (Η ν ) が 4 0以上である被覆層は、金とその他の高導電' 属とよりなることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の異方導電性コネクタ―

6 . 導電性粒子におけるピツカ一ス硬度 (Η ν ) が 4 0以上である被覆層は、 2種類以上の高導電'^属による合金をターゲットとするスパッ夕一法により形成されていることを特徴とする請求の範囲第 4項または第 5項に記載の異方導電性コネクター。

7 . 導電性粒子におけるビッカース硬度 (Η ν ) が 4 0以上である被覆層は、 2禾魏以上の高導電' 属成分を含有してなるメツキ液によるメツキ処理により形成されていることを特徴とする請求の範囲第 4項または第 5項に記載の異方導電性コネクタ一。

8 . 厚み方向に伸びる異方導電膜配置用孔が形成されたフレ一ム板を有し、このフレーム板の異方導電 @Ξ置用孔に、弾性異方導電膜が配置され、当該フレーム板に支持されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 7項のいずれかに記載の異方導電性コネク夕

9 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をゥェハの状態で行うために用いられる異方導電性コネクターであつて、

検査対象であるウェハにおける集積回路の被検査電極が形成された電極領域に対応してそれぞれ厚み方向に伸びる複数の異方導電膜配置用孔が形成されたフレーム板を有し、このフレーム板の異方導電膜配置用孔の各々に、弾性異方導電膜が配置され、当該フレーム板に支持されていることを特徴とする請求の範囲第 1項乃至第 7項のいずれかに記載の異方導電'性コネクター。

1 0 . 硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料と、請求の範囲第 1項乃至第 7項のいずれかに記載の導電性粒子とを含有してなることを特徴とする導電性ペースト組成物

1 1 . 請求の範囲第 1項乃至第 9項のいずれかに記載の異方導電性コネクターにおける弾性異方導電膜を形成するためのものであることを特徴とする請求の範囲第 1 0項に記載の導電性べ—スト組成物。

1 2 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をゥエノヽの状態で行うために用いられるプロ一ブ部材であって、

検査対象であるウェハにおける集積回路の被検査電極のノ、。ターンに対応するパターンに従つて検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面に配置された、請求の範囲第 1項乃至第 9項のいずれかに記載の異方導電性コネクターとを具えてなることを特徴とするフ°口一ブ部材。

1 3 . 請求の範囲第 8項または第 9項に記載の異方導電性コネクタ一を具えてなり、当該異方導電性コネクタ一におけるフレーム板の線熱膨張係数が 3 X 1 0— ⁵/K以下であり、検査用回路基板を構成する基板材料の線熱膨張係数が 3 X 1 0 /K以下であることを特徴とする請求の範囲第 1 2項に記載のプローブ部材。

1 4 . 異方導電性コネクター上に、絶縁性シートと、この絶縁性シ一トをその厚み方向に貫通して伸び、被検査電極の/ ターンに対応する/、"夕一ンに従つて配置された複数の電極構造体とよりなるシ一ト状コネクターが配置されていることを特徴とする請求の範囲第 1

2項または第 1 3項に記載のプローブ部材。

1 5 . ウェハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウェハの状態で行うウェハ検査装置において、

請求の範囲第 1 2項乃至第 1 4項のいずれかに記載のプローブ部材を具えてなり、当該プローブ部材を介して、対象であるウェハに形成された集積回路に対する電気的接続が達成されることを特徴とするゥェハ検査装置。

1 6 . ゥエノヽに形成された複数の集積回路の各々を、.請求の範囲第 1 2項乃至第 1 4項のいずれかに記載のプローブ部材を介してテスタ一に電気的に接続し、当該ウェハに形成された集積回路の電気的検査を実行することを特徴とするウェハ検査方法。