WO2002037553A1 - Connexion de circuit integre par depôt conducteur a travers un film perfore - Google Patents

Connexion de circuit integre par depôt conducteur a travers un film perfore Download PDF

Info

Publication number
WO2002037553A1
WO2002037553A1 PCT/FR2001/003375 FR0103375W WO0237553A1 WO 2002037553 A1 WO2002037553 A1 WO 2002037553A1 FR 0103375 W FR0103375 W FR 0103375W WO 0237553 A1 WO0237553 A1 WO 0237553A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
face
integrated circuit
contact
communication interface
Prior art date
Application number
PCT/FR2001/003375
Other languages
English (en)
Inventor
Lucile Dossetto
Original Assignee
Gemplus
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gemplus filed Critical Gemplus
Priority to AU2002215091A priority Critical patent/AU2002215091A1/en
Publication of WO2002037553A1 publication Critical patent/WO2002037553A1/fr

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07743—External electrical contacts
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • G06K19/07747—Mounting details of integrated circuit chips at least one of the integrated circuit chips being mounted as a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985—Flexible insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5388—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates for flat cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92142—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92144—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01007—Nitrogen [N]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the invention relates to an integrated circuit module on film that can be transferred to a support body, for the manufacture of intelligent portable objects such as smart cards, electronic label or the like.
  • FIG. 1 smart laptops, as illustrated in document FR.-A-2779851 to which FIG. 1 corresponds.
  • An active face of the chip is turned towards the bottom of the well and of the aluminum connection pads, connect the chip to a communication interface via a connection wire, generally in gold: this connection is called "wire bonding".
  • Pads are here produced in the form of a rigid metallic grid, mounted on a dielectric film with a thickness of the order of 100 to 120 microns, to ensure the maintenance of the entire metallic grid.
  • the tracks are chemically etched directly on the film.
  • the chip is mounted by gluing its back or rear face to the inside of the film.
  • the film has a through hole under each conductive pad, produced by mechanical perforation before the transfer of the grid and the chip. In order to reinforce the mechanical support of the chip, provision is sometimes made for a central metal area on the film.
  • Document US-A-4731645 describes a structure of an intelligent portable object in which a thin support is perforated before the fixing of the chip, while the perforation can be filled with a conductive paste deposited by screen printing: this is the known technique of "via".
  • the tool can be a laser.
  • This technique has the disadvantage of having a significant height. Indeed, it is normally necessary to count a height of 150 microns between the base of the chip (that is to say its active face facing inward) to the top of the loop of connection wires, at which s '' add: the thickness of the ranges of the order of 35 to 70 microns, the thickness of the dielectric, of 100 to 120 microns, the thickness of the chip, of the order of 180 microns, plus the extra thickness of the coating.
  • These cumulative values give an overall height of the module of 600 microns between the contact face of the pads and the crest of the coating, which must be integrated into the thickness of the card.
  • protruding bosses In “flip chip” assemblies, protruding bosses must be provided on the studs of the chip. This slows down manufacturing, increases costs, and so far is not compatible with equipment in the field of intelligent portable objects. We also know that wire welding operations are delicate and likely to cause rejections in manufacturing.
  • a module is thus obtained which integrates compactly on the same film the assembly comprising at least one chip and its electrical interfacing means.
  • the term "communication interface” includes any means allowing access to the integrated circuit, in particular its inputs and outputs for the exchange of signals and, where appropriate, its power supply.
  • the invention relates to a manufacturing process, an assembly method, manufacturing equipment, a module and an intelligent portable object according to the appended claims.
  • FIG. 1 is a sectional view showing the mounting of a chip in a smart card body according to a conventional wire welding technique
  • FIGS. 2a to 2g are simplified sectional views showing the successive steps in the production of an integrated circuit module on film for the manufacture of a smart card, according to a first embodiment of the invention
  • FIG. 3 is a plan view of a communication interface in the form of contact pads produced according to the first embodiment
  • - Figure 4 is a plan view of a communication interface in the form of an antenna on one side of a film according to a variant of the first embodiment
  • - Figures 5a to 5e are simplified sectional and plan views ( Figure 5b) showing the successive stages of production of an integrated circuit module on film according to a second embodiment
  • FIG. 6 is a plan view of a communication interface in the form of contact pads produced according to the second embodiment
  • FIG. 7a to 7c are simplified sectional views showing a variant for the steps of producing a communication interface on the face of a film; and FIG. 8 is a flow diagram which identifies the steps for producing an integrated circuit module in accordance with a preferred embodiment of the invention.
  • a chip 2 is transferred to a well 4 made in the body 6 of the card 1.
  • connection pads 8 made of aluminum, by which it is connected to a communication interface.
  • the latter comprises conductive pads 10 of ohmic contact.
  • Each pad 10 is connected to a corresponding pad 8 of the chip by a connection wire 12.
  • the pads 10 are here produced in the form of a metal grid mounted on a dielectric film 11 with a thickness of the order of 100 to 120 microns , to maintain the entire metal grid.
  • the pads are chemically etched directly on the film 11.
  • the chip 2 is mounted by bonding its back or rear face to the inner side 11a of the film.
  • the film 11 has a through hole 13 under each conductive pad 10 in order to allow the connection wire 12 to be welded on the inner face of its respective pad. These holes 13 are made by mechanical perforation before the postponement of the grid comprising the pads.
  • a central metal pad 10a is normally provided on the film.
  • This central area which is directly in front of chip 2, serves generally of ground plane and connects to the chip also by a connection wire 12 passing through a corresponding hole 13.
  • connection wires are welded to the pads 8 and on the conductive pads inside the hole 13.
  • an insulating and protective material for example an epoxy resin: this protection is called "glob top”.
  • This coating forms a bubble 15 connected on its periphery to the inner side 11a of the film.
  • the well 4 must be deep enough to accommodate the coating bubble 15 covering the chip 2 and the connection wires 12.
  • the portions of the assembly consisting of the film and of the areas outside of the coating bubble 15 are housed in a peripheral bearing 14 of the body of the card 6 to give a good seat. It will be recalled that this structure has the disadvantage of having a significant height.
  • the height is 150 microns between the base of the chip 2 (that is to say its active face 2a facing inward) to the top of the loop 12a of the connection wires.
  • the thickness of the pads 10 of the order of 35 to 70 microns
  • the thickness of the dielectric of 100 to 120 microns
  • the thickness of the chip of the order of 180 microns , the greater the thickness of the coating.
  • a continuous film 18 (FIG. 2a) is provided against which a chip 2 to be inserted is affixed.
  • the film 18 is made of an insulating material such as PET (polyethylene terephthalate) or a material of more recent technology, for example "Thermount” (registered trademark of the Dupont company) which lends itself well to drilling by beam. laser.
  • the thickness of the film is of the order of 25 microns, but this value is not critical and can vary considerably depending on the material chosen and the treatments undergone.
  • An adhesive layer 20 is deposited on the face 18a of the film s intended to receive a chip 2 (FIG. 2b).
  • the adhesive is of the thermoactivatable type, known under the English name "hot melt", or cold activatable of the type known under the name PSA ("pressure sensitive adhesive). It is applied by a spray head 22 or by coating so as to obtain a layer thickness of approximately 10 to 25 microns. If a coating technique is used, it is possible to envisage providing a plastic film, with a thickness of the order of 25 to 50 microns, already with an adhesive.
  • a chip 2 is affixed at regular intervals against the adhesive layer 20, possibly after activation thereof (FIG. 5 2c).
  • the thickness of the chip is typically 180 microns, but it is also possible to provide thinner chips having a thickness of 50 microns or less.
  • the area of the chip is not limited.
  • the chip 2 is oriented with its contact pads 8 (active face 2a) facing the film 18. These pads are in the form of metallized aluminum pads 0 located towards the periphery of the chip, in accordance with conventional technology. They are flush with the active face 2a of the chip in the example, but could also be slightly projecting or recessed.
  • connection vias (FIG. 2d).
  • This operation consists in applying a beam 22 coming from a laser 24 which attacks the face 18b of the film opposite to that 18a carrying the chip 2.
  • the section of the hole 26 formed by the bore corresponds substantially to that of a connection pad 8 of the 0 chip 2.
  • a relative displacement is created step by step between the chip 2 and the laser 24 (arrow FI) so that the latter can position itself and pierce the film 18 plus the layer of adhesive 20 successively above each pad 8.
  • the PET film 18 being transparent, positioning can be carried out by optical location of the pads 8, for example by means of a device of the "Computer Aided Vision” or "VAO" type.
  • the parameters of exposure to the laser beam 23 are established so that the attack is sufficient not only to pierce the film 18 plus adhesive assembly 20, but also to break or destroy the oxide layer present on the surface of the aluminum pad 8.
  • a hole 26 in the film 18 is therefore produced by a single laser beam application operation 23 on the one hand in order to form a via and, on the other hand, the preparation of the surface of the pad 8 to ensure good electrical contact directly on non-oxidized aluminum.
  • interconnection vias 28 and conductors on the surface 30 to produce a communication interface FOG. 2e.
  • the vias 28 are produced by filling the holes 26 in the film 18 with a conductive material, so that each via establishes a conductive junction between the surface of a connection pad 8 and the upper face 18b of the film.
  • the surface conductors 30 establish the connection with a respective via 28 at the upper face 18b.
  • the surface conductors 30 define on the face 18a of the film a pattern 32 of contact pads for a smart card reader, in accordance with ISO standards, each contact pad being electrically connected to a connection pad 8 of the chip 2.
  • the shape of the pads 30 (here six in number) as well as their dimensions correspond to a pre-established geometry in accordance with this standard.
  • the pads 30 At the junction with the vias 28, the pads 30 have leads 30a which constitute narrowed paths allowing a certain mechanical flexibility.
  • the pads 30 also have narrow perforated portions 30b in the shape of a crescent to give better tolerance to possible twists.
  • the core 32a of the set of pads 32 is not metallized, and makes it possible to view the chip 2 through the transparency of the film 18. All the electrical elements of a contact chip card are therefore brought together in a very thin module, the chip 2 and the contact pads 30 being respectively on the opposite faces of the film 18.
  • the surface conductors 30 define on the face 18a of the film an antenna 34 in the form of an induction loop.
  • This arrangement thus makes it possible to produce a card of the contactless type, where the supply of the chip and the exchange of data are carried out by a radio link according to established techniques.
  • this antenna can have other shapes, and include more than one turn. It is also possible to provide that the conductors 30 establish a junction with an antenna which is located on the support of the card.
  • a metallization technique is used by direct deposition of conductive material, for example based on silver.
  • This deposit can be obtained by a process, called an exemption process, according to which the conductive material is applied by means of one or more hollow needles 36 connected to an injection device 38 (FIG. 2e).
  • the injection assembly is controlled to move relative to the film 18 (arrow F2) of material to fill the holes 26 and to form the patterns of the communication interface 32 or 34, and possibly other conductive elements .
  • Printing is then carried out by conductive inkjet using a print head, as with a conventional inkjet printer. It is thus possible to design the patterns 32 or 34 of the surface conductors 30 in computer form and to print them on the face 18a of the film.
  • the filling of the holes 26 to form the vias 28 is obtained by allowing the print head to act at this level for a longer period of time, in order to obtain the necessary volume of material. driver.
  • Other printing techniques can also be envisaged, such as pad printing, screen printing, flexography, etc.). Whatever the technique used, the desired thickness can be obtained for the layers forming the conductors on the surface 30, for example in a range of 10 to 100 microns.
  • the film 18 is cut out (FIG. 2f).
  • this operation is carried out by an oscillating blade 40 (arrow F3) which cuts the ribbon 18 into modules 42, each comprising the chip 2 and the pattern 32 or 34 of conductors 30.
  • the cutting can also be carried out by a punch / die tool.
  • the cutting can also be carried out in the direction of the length of the film if necessary.
  • the module 42 is delimited exactly by the periphery of the pattern 32 of conductors 30.
  • Each card body 6 intended to receive a section 42 comprises a central well 44 adapted to accommodate the chip 2, and a bearing 46 around the well adapted to accommodate the pattern 32 or 34 of conductors 30 so that the latter are flush with the surface 6a of the card body.
  • the depth of the bearing 46 from this surface 6a is therefore substantially equal to the sum of the thicknesses of the adhesive layer 20, of the film 18 and of the conductors 30, the well 44 being even deeper by the thickness of the chip 2.
  • the adhesive layer 20 is activated (by applying heat and / or pressure) and this is applied directly against the bearing 46. If necessary, an adhesive can also be applied beforehand to the back 2b of the chip or to the bottom of the well 44.
  • the adhesive layer 20 may not be able to be provided to ensure the dual function of bonding the chip to the film 18 and bonding the film to the card body 6. This impossibility could in particular be due to the fact that the thickness of the adhesive layer 20 would otherwise be too great to allow correct drilling by laser beam.
  • the additional adhesive may for example be of the heat-activated type or of the cyanoacrylate family. 5 In FIGS.
  • a second embodiment of the invention differs from the first mode mainly by the fact that the conductors on the surface 30 are, at least in part, deposited on the face 18a of the film before the drilling step , their junction with the vias 28 being carried out subsequently.
  • the parts of the stages and of the produced elements which are common with the first embodiment are designated by the same references and will not be described again for the sake of brevity.
  • an adhesive layer 48 for example of the heat-activated or cross-linkable type, the thickness of which is of the order of 10 to 20 microns, is deposited on the upper face 18b of the film 5 18.
  • connection grid 50 is affixed at regular space on this face 18b which includes the pattern 32 of the connection pads 30 similar to that described with reference to FIG. 3.
  • the various connection pads 0 are provisionally linked together by a frame perimeter 52 so as to form an integral unit.
  • the technique for manufacturing such a connection grid 50 is known in itself.
  • the grid can be produced by stamping or cutting from a metal sheet with a thickness of the order of 10 to 100 microns. Once positioned, the connection grid is glued to the film 18 by activation of the adhesive layer 48. It is also possible to glue a solid grid and then carry out chemical etching to obtain the pattern. In this case, the frame 52 is no longer necessary.
  • a step of depositing an adhesive layer 20 on the opposite face 18a of the film and bonding a chip 2 is carried out as in the steps described above with reference to FIGS. 2b and 2c.
  • the order of the transfer of the grid and the chip is arbitrary; one can just as easily provide the adhesive 20 and the fixing of the chip 2 before sticking the lead grid.
  • the chip 2 is glued directly in front of the heart 32a of the pattern of the connection pads, with each pad 8 of the chip slightly offset towards the center relative to the end of the feed 30a of its connection pad (FIG. 5c).
  • the heart of the pattern 32 forms an open space 32a which does not cover the film 18. It is therefore easy to position the chip 2 by optical guidance directly under the heart of the pattern, by example using a computer-aided vision (VAO) device.
  • VAO computer-aided vision
  • the film 18 is pierced step directly above the connection pads 8 of the chip.
  • This operation is carried out by a beam 22 emitted by a laser 24, as described above with reference to FIG. 2d.
  • the beam also pierces the layer of adhesive 48 on the face 18b of the film.
  • this piercing step also has the effect of eliminating any oxide layer on the surface of the studs 8.
  • the drilling operation is immediately linked with a "metallization" step consisting in forming the vias 28 and the electrical junction of the latter with the corresponding leads 32a (FIG. 5e).
  • This sequence aims to minimize the exposure time of the pads 8 for the reasons given above.
  • the steps of drilling and forming the vias 28 can be carried out in a vacuum or nitrogen tunnel.
  • This metallization step is carried out in a similar manner to that described with reference to FIG. 2e.
  • the same materials and dispensing techniques are used in particular by one or more needles 36 connected to a deposit injection device 38, or by printing of conductive ink.
  • the deposit only concerns the filling of the holes 26 and the overflow of the latter (portion 28a) to establish the junction with the leads 30a.
  • the operations of cutting the film 18 into modules 42 equipped with chip 2 and connection grid 50 are carried out, and the inserting by following the steps already described with reference to FIGS. 2f and 2g.
  • the frame 52 is removed from the grid during the film cutting operation.
  • Figure 6 shows the surface of the electrical connections on the finished product.
  • the deposits 28 by dispensing or conductive ink jet form substantially oval pads which cover the pads 8 of the chip 2 and the leads 30a of the pads 30.
  • this second embodiment allows other connection patterns to be produced. on the face 18b of the film, and in particular an antenna 34 (FIG. 4) for producing a card of the contactless type.
  • connection pads 30 it is possible to form the connection pads 30 not with a precut or stamped grid 50, but by depositing a metallization on the upper face 18b of the film, followed by a chemical attack to form the desired pattern, as shown in Figures 7a to 7c.
  • a conductive layer 30 'having the desired thickness for the pads 30 is uniformly deposited on the upper face 18a of the film. This deposition can be carried out in the liquid, semi-liquid phase, or by vapor phase evaporation.
  • the deposit is in the form of a paste containing a charge of conductive particles and a photosensitive agent which fixes the charge when it is exposed to ultraviolet radiation.
  • a mask 54 is placed on this deposit which hides the parts to be removed, and the assembly is exposed to ultraviolet UV radiation.
  • the unbound paste 30 ' is removed by means of a chemical bath in order to keep the pattern of the connection pads.
  • the portions of the film which must not be covered can be masked beforehand. Instead of masking to obtain the pattern, it is possible, as a variant, to deposit on the entire surface and then to carry out selective withdrawals by chemical etching according to the desired pattern, using a photosensitive material applied to the surface of the film.
  • FIG. 8 is a flowchart which summarizes the operations for producing the module 42 in accordance with an embodiment of the present invention.
  • step E80 for fixing the chip 2 on a first face 18a of the film, with the connection pads 8, or similar means forming contacts of the chip, facing this first face.
  • step E81 the operation of perforating the holes 26 in the film 18 is then carried out.
  • the communication interface 30, 32 or 34 is produced (step E82).
  • steps E80 and E82 respectively for fixing the chip and for producing the communication interface, is arbitrary, and will depend in particular on the design of the production line. It is therefore possible to make the communication interface on the film 18 before fixing the chip 2.
  • step E84 of interconnecting the contacts 8 of the chip 2 with the communication interface 30, 32, 34 is then carried out through the thickness of the film 18.
  • the module thus produced can be the subject of an application (step E86), for example by carrying out inserting steps for the manufacture of smart cards.
  • the invention has remarkable advantages and characteristics, including:
  • connection pads by conductive ink jet without having to deposit the insulation of the wafer and the periphery of the chip beforehand
  • the invention is in no way limited to smart cards. It has many other applications that can benefit from an extra flat integrated circuit module for surface mounting:
  • the film 18 forming the substrate in the case of the module is to be considered as a body - in the sense that a smart card has a plastic card body - not belonging to a sub-assembly such as a module to be inserted, but to a usable electronic device such as L
  • this film 18 is the body of a smart ticket or an electronic label.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)

Abstract

La fabrication d"un module à circuit intégré (42) pour objet portable intelligent (1) tel que carte à puce, étiquette électronique ou analogues. Après avoir fixé un circuit intégré (2) sur une première face (18a) d"un film (18), le circuit intégré (2) ayant au moins un contact électrique (8) tourné vers cette face (18a) on prévoit : le perçage du film (18) en face de chaque contact à connecter, à partir de la seconde face (18b) du film et des moyens de guidage optique par exemple au moyens d"un dispositif de visualisation assisté par ordinateur (VAO) ; les moyens de perçage comportant un laser.

Description

CONNEXION DE CIRCUIT INTEGRE PAR DEPOT CONDUCTEUR A TRAVERS UN FILM PERFORE
L'invention concerne un module de circuit intégré sur film pouvant être reporté sur un corps de support, pour la fabrication d'objets portables intelligents tels que cartes à puce, étiquette électronique ou analogues.
Dans ces objets, portables intelligents, comme illustré dans le document FR.-A-2779851 auquel correspond la figure 1. Une face active de la puce est tournée vers le fond du puits et des plots de connexion en aluminium, relient la puce à une interface de communication via un fil de connexion, généralement en or : cette connexion est appelée "wire bonding". Des plages sont ici réalisées en forme de grille métallique rigide, montée sur un film diélectrique d'une épaisseur de l'ordre de 100 à 120 microns, pour assurer le maintien de l'ensemble de la grille métallique.
Dans une variante, les plages sont gravées chimiquement directement sur le film. La puce est montée par collage de son dos ou face arrière sur la côté intérieur du film. Le film comporte un trou traversant sous chaque plage conductrice, réalisé par perforation mécanique avant le report de la grille et de la puce. Afin de renforcer le support mécanique de la puce, on prévoit parfois une plage métallique centrale sur le film.
Citons ici le document "Microwave multichip modules using low cost microwave chips on flex packaging technologies ; pages 262-267 ; IEEE ; Piscataway ; NJ ; Usa", qui se rapporte aux assemblages pourvus de composants micro-ondes collés sur un film pόly imide pourvu d'un motif et ensuite en capsulé. Ce document prévoit le perçage de vias par laser, en regard de la face du composant, opposée au motif du film, pour la liaison entre Jes étages d'empilement de l'assemblage. Cet assemblage ne vise pas un module pour objet portable intelligent, mais en fait une structure proche d'une puce à plusieurs étages d'écriture.
Le document DE19830540, il décrit également une telle structure proche d'une puce à plusieurs étages d'écriture.
Le document US-A-4246595 propose le perçage d'un film synthétique flexible et résistant à la chaleur, avant que ce film ne reçoive une puce.
Le document US-A-4731645 décrit une structure d'objet portable intelligent où un support fin est perforé préalablement à la fixation de la puce, tandis que la perforation peut être remplie d'une pâte conductrice déposée par sérigraphie : il s'agit de la technique connue du "via". Pour les perçages fins, l'outil peut être un laser.
Le document US-A-5877544 décrit une structure où la puce et ses connexions filaires sont protégées par une barrière collée sur le film, puis remplie d'une résine : cette protection est appelée "dam and fill". Dans ce document, les trous sont remplacés par des espacements continus entre des bandes. Ces bandes sont collées sur la grille perforée, avant montage de la puce. Le document JP-A-10138671 (Abrégé) montre une carte à puce souple, et ne décrit pas de perçage préalable au montage de la puce.
Citons aussi le document FR-A-2779851 qui décrit une connexion par dispense de matière conductrice dite "wire déposition". Il montre en outre un montage dit "flip chip" de la puce avec sa face active vers le film, ses plots étant revêtus de bossages en saillie de la face active dits "bumps".
Dans les montages où la face arrière de la puce est fixée au substrat, dit montage en "die attach", les connexions de la puce doivent être protégées. Le puits doit être suffisamment profond pour loger la bulle d'enrobage recouvrant la puce et les fils de connexion. Les portions de l'ensemble constitué du film et des plages en dehors de la bulle d'enrobage sont logées dans un palier périphérique du corps de la carte pour conférer une bonne assise.
Cette technique a l'inconvénient de présenter une hauteur importante. En effet, il faut normalement compter une hauteur de 150 microns entre la base de la puce (c'est-à-dire sa face active tournée vers l'intérieur) jusqu'au sommet de la boucle des fils de connexion, à laquelle s'ajoutent : l'épaisseur des plages de l'ordre de 35 à 70 microns, l'épaisseur du diélectrique, de 100 à 120 microns, l'épaisseur de la puce, de l'ordre 180 microns, plus la surépaisseur de l'enrobage. Ces valeurs cumulées donnent une hauteur globale du module de 600 microns entre la face de contact des plages et la crête de l'enrobage, laquelle devant être intégrée dans l'épaisseur de la carte. Dans les montages en "flip chip", des bossages saillants doivent être apportés sur les plots de la puce. Ceci ralentit la fabrication, augmente les coûts, et jusqu'à présent n'est pas compatible avec les équipements dans le domaine des objets portables intelligents. On sait par ailleurs que les opérations de soudage par fils sont délicates et susceptibles de provoquer des rejets en fabrication.
On obtient ainsi un module qui intègre de façon compacte sur un même film l'ensemble comprenant au moins une puce et ses moyens d'interfaçage électrique. Notons que le terme "interface de communication" comprend tout moyen permettant d'accéder au circuit intégré, notamment ses entrées et sorties pour l'échange de signaux et, le cas échéant, son alimentation électrique.
A cet effet, l'invention a pour objets un procédé de fabrication, une méthode d'assemblage, un équipement de fabrication, un module et un objet portable intelligent selon les revendications jointes.
Des modes de réalisation de l'invention sont décrits à titre d'exemple en référence aux dessins annexés dans lesquels :
- la figure 1 est une vue en coupe montrant le montage d'une puce dans un corps de carte à puce selon une technique classique de soudage par fils ;
- les figures 2a à 2g sont des vues simplifiées en coupe montrant les étapes successives dans la réalisation d'un module de circuit intégré sur film pour la fabrication d'une carte à puce, selon un premier mode de réalisation de l'invention ;
- la figure 3 est une vue en plan d'une interface de communication sous forme de plages de contact réalisées selon le premier mode de réalisation ;
- la figure 4 est une vue en plan d'une interface de communication sous forme d'antenne sur une face d'un film selon une variante du premier mode de réalisation ; - les figures 5a à 5e sont des vues simplifiées en coupe et en plan (figure 5b) montrant les étapes successives de réalisation d'un module de circuit intégré sur film selon un deuxième mode de réalisation ;
- la figure 6 est une vue en plan d'une interface de communication sous forme de plages de contact réalisées selon le deuxième mode de réalisation ;
- les figures 7a à 7c sont des vues simplifiées en coupe montrant une variante pour les étapes de réalisation d'une interface de communication sur la face d'un film ; et - la figure 8 est un organigramme qui identifie les étapes de réalisation d'un module de circuit intégré conformément à un mode de réalisation préféré de l'invention.
Revenons d'abord sur la figure 1. Une puce 2 est reportée dans un puits 4 ménagé dans le corps 6 de la carte 1.
La puce 2 comporte sur sa face active 2a tournée vers le fond du puits 4 des plots de connexion 8 en aluminium, par lesquels elle est reliée à une interface de communication. Dans l'exemple, cette dernière comprend des plages conductrices 10 de contact ohmique. Chaque plage 10 est reliée à une plot correspondante 8 de la puce par un fil de connexion 12. Les plages 10 sont ici réalisées en forme de grille métallique montée sur un film diélectrique 11 d'une épaisseur de l'ordre de 100 à 120 microns, pour assurer le maintien de l'ensemble de la grille métallique. Dans une variante, les plages sont gravées chimiquement directement sur le film 11. La puce 2 est montée par collage de son dos ou face arrière sur la côté intérieur lia du film. Le film 11 comporte un trou traversant 13 sous chaque plage conductrice 10 afin de permettre au fil de connexion 12 d'être soudé sur la face intérieure de sa plage respective. Ces trous 13 sont réalisés par perforation mécanique avant le report de la grille comportant les plages.
Afin d'assurer un support mécanique renforcé de la puce 2, on prévoit normalement une plage métallique centrale 10a sur le film. Cette plage centrale, qui est directement en face de la puce 2, sert généralement de plan de masse et se connecte à la puce également par un fil de connexion 12 traversant un trou 13 correspondant.
Les extrémités respectives des fils de connexion sont soudées aux plots 8 et sur les plages conductrices à l'intérieur du trou 13. Une fois les connexions réalisées, il est nécessaire d'enrober la puce 2 et les fils 12 avec un matériau isolant et protecteur, par exemple une résine en époxy : cette protection est appelée "glob top". Cet enrobage forme une bulle 15 reliée sur son pourtour à la côté intérieur lia du film. Le puits 4 doit être suffisamment profond pour loger la bulle d'enrobage 15 recouvrant la puce 2 et les fils de connexion 12. Les portions de l'ensemble constitué du film et des plages en dehors de la bulle d'enrobage 15 sont logées dans un palier périphérique 14 du corps de la carte 6 pour conférer une bonne assise. On rappelle que cette structure a l'inconvénient de présenter une hauteur importante. En effet, la hauteur est de 150 microns entre la base de la puce 2 (c'est-à-dire sa face active 2a tournée vers l'intérieur) jusqu'au sommet de la boucle 12a des fils de connexion. A cette hauteur, s'ajoutent : l'épaisseur des plages 10, de l'ordre de 35 à 70 microns, l'épaisseur du diélectrique, de 100 à 120 microns, l'épaisseur de la puce, de l'ordre 180 microns, plus la surépaisseur de l'enrobage. Ces valeurs cumulées donnent une hauteur globale du module de 600 microns entre la face de contact des plages 10 et la crête de l'enrobage 15, laquelle hauteur devant être intégrée dans l'épaisseur de la carte. Maintenant, un premier mode de réalisation de l'invention rest décrit par référence aux figures 2a à 2g, qui montrent les étapes successives dans la réalisation d'un module de circuit intégré et de son report pour la fabrication d'une carte à puce.
En début de procédé, on prévoit un film continu 18 (figure 2a) contre lequel sera apposée une puce 2 à encarter. Le film 18 est en matériau isolant tel que le PET (polyéthylène téréphtalate) ou un matériau de technologie plus récente, par exemple le "Thermount" (Marque déposée de la société Dupont) qui se prête bien à un perçage par faisceau laser. Dans l'exemple, l'épaisseur du film est de l'ordre de 25 microns, mais cette valeur n'est pas critique et peut varier considérablement en fonction du matériau choisi et des traitements subis.
On dépose une couche d'adhésif 20 sur la face 18a du film s destinée à recevoir une puce 2 (figure 2b). L'adhésif est du type thermoactivable, connu sous l'appellation anglo-saxonne "hot melt", ou activable à froid du type connu sous l'appellation PSA ("pressure sensitive adhésif). Il est appliqué par une tête de pulvérisation 22 ou par enduction de manière à obtenir une épaisseur de couche d'environ 10 à 0 25 microns. Si une technique d'enduction est utilisée, on peut envisager de prévoir un film en matière plastique, d'une épaisseur de l'ordre 25 à 50 microns, déjà doté d'un adhésif.
Ensuite, on appose une puce 2 à intervalle régulier contre la couche d'adhésif 20, éventuellement après activation de celle-ci (figure 5 2c). L'épaisseur de la puce est typiquement de 180 microns, mais il est aussi possible de prévoir des puces plus minces ayant une épaisseur de 50 microns ou moins. La superficie de la puce n'est pas limitée.
La puce 2 est orientée avec ses plots de contact 8 (Face active 2a) tournées vers le film 18. Ces plots se présentent sous la forme de plages 0 métallisées en aluminium situées vers la périphérie de la puce, conformément à une technologie classique. Elles affleurent la Face active 2a de la puce dans l'exemple, mais pourraient aussi être légèrement en saillie ou en retrait.
Après le collage de la puce 2 sur le film 18, on procède au perçage 5 de dernier à l'aplomb des plots de contact 8 pour pouvoir ensuite former des vias de connexion (figure 2d). Cette opération consiste à appliquer un faisceau 22 provenant d'un laser 24 qui attaque la face 18b du film opposée à celle 18a portant la puce 2. La section du trou 26 formé par le perçage correspond sensiblement à celle d'une plot de connexion 8 de la 0 puce 2.
On crée un déplacement relatif pas à pas entre la puce 2 et le laser 24 (flèche FI) afin que celui-ci puisse se positionner et percer le film 18 plus la couche d'adhésif 20 successivement au-dessus de chaque plot 8. Le film 18 en PET étant transparent, le positionnement peut s'effectuer par repérage optique des plots 8, par exemple au moyen d'un appareil du type "Vision Assistée par Ordinateur" ou "VAO".
Avantageusement, les paramètres d'exposition au faisceau laser 23 sont établis de sorte que l'attaque soit suffisante non seulement pour percer l'ensemble film 18 plus adhésif 20, mais aussi pour rompre ou détruire la couche d'oxyde présente en surface de la plot d'aluminium 8. On réalise donc par une seule opération d'application de faisceau laser 23 d'une part un trou 26 dans le film 18 en vue de former un via et, d'autre part, la préparation de la surface de la plot 8 pour assurer un bon contact électrique directement sur de l'aluminium non oxydé.
Une fois le perçage réalisé pour l'ensemble des plots 8 de la puce 2, on procède à une opération combinée de formation de vias d'interconnexion 28 et de conducteurs en surface 30 pour réaliser une interface de communication (figure 2e). On réalise les vias 28 en remplissant les trous 26 dans le film 18 avec un matériau conducteur, de sorte que chaque via établit une jonction conductrice entre la surface d'une plot de connexion 8 et la face supérieure 18b du film. Les conducteurs en surface 30 établissent la liaison avec un via respectif 28 au niveau de la face supérieure 18b. Dans l'exemple illustré à la figure 3, les conducteurs en surface 30 définissent sur la face 18a du film un motif 32 de plages de contact pour un lecteur de carte à puce, conformément aux normes ISO, chaque plage de contact étant reliée électriquement à une plot de connexion 8 de la puce 2. La forme des plages 30 (ici au nombre de six) ainsi que leurs dimensions correspondent à une géométrie préétablie conforme à cette norme. Au niveau de la jonction avec les vias 28, les plages 30 présentent des amenées 30a qui constituent des chemins rétrécis autorisant une certaine souplesse mécanique. Les plages 30 présentent également des portions étroites ajourées 30b en forme de croissant pour conférer une meilleure tolérance à d'éventuelles torsions. Le cœur 32a de l'ensemble 32 de plages n'est pas métallisé, et permet de visualiser la puce 2 à travers la transparence du film 18. On réunit donc dans un module très fin l'ensemble des éléments électriques d'une carte à puce à contact, la puce 2 et les plages de contact 30 étant respectivement sur les faces opposées du film 18.
Dans l'exemple illustré à la figure 4, les conducteurs en surface 30 définissent sur la face 18a du film une antenne 34 sous forme de boucle à induction. Cette disposition permet ainsi de réaliser une carte du type sans contact, où l'alimentation de la puce et l'échange de données s'effectuent par une liaison hertzienne selon des techniques établies. Bien entendu, cette antenne peut avoir d'autres formes, et comprendre plus d'une spire. II est également possible de prévoir que les conducteurs 30 établissent une jonction avec une antenne qui est située sur le support de la carte.
On peut aussi envisager de former d'autres éléments électriques sur la face 18a du film, par exemple des circuits LC, des composants, une connectique, etc.
Différentes techniques sont envisageables pour réaliser les vias 28 et les conducteurs en surface 30. Dans l'exemple de la figure 2, on utilise une technique de métallisation par dépôt direct de matériau conducteur, par exemple à base d'argent. Ce dépôt peut être obtenu par un procédé, dit de dispense, selon lequel on applique le matériau conducteur au moyen d'une ou de plusieurs aiguilles creuses 36 reliées à un dispositif d'injection 38 (figure 2e). L'ensemble d'injection est piloté pour effectuer des déplacements par rapport au film 18 (flèche F2) de matière à remplir les trous 26 et à former les motifs de l'interface de communication 32 ou 34, et éventuellement d'autres éléments conducteurs.
On peut également prévoir de déposer le matériau conducteur par impression, ce dernier étant alors sous forme "d'encre" conductrice, par exemple à base d'argent. L'impression est alors réalisée par jet d'encre conductrice au moyen d'une tête d'impression, comme avec une imprimante classique à jet d'encre. Il est ainsi possible de concevoir les motifs 32 ou 34 des conducteurs en surface 30 sous forme informatique et de les imprimer sur la face 18a du film. Le remplissage des trous 26 pour former les vias 28 est obtenu en laissant agir plus longuement la tête d'impression à ce niveau, afin d'obtenir le volume nécessaire de matériau conducteur. D'autres techniques d'impression peuvent être également envisagées, comme la tampographie, la sérigraphie, la flexographie, etc.). Quelle que soit la technique utilisée, on peut obtenir l'épaisseur voulue pour les couches formant les conducteurs en surface 30, par exemple dans une plage de 10 à 100 microns.
On note qu'aussitôt après l'étape de perçage du film et de retrait de la couche d'oxyde des plots 8, il est important de minimiser le temps durant lequel les plots de connexion 8 sont exposées à l'environnement, afin que les surfaces nouvellement formées de celles-ci ne s'oxydent pas à nouveau. Éventuellement, on peut prévoir que les étapes de perçage (figure 2d) et de dépôt de matériau conducteur sur la surface des plots 8 (figure 2e) soient réalisées dans un tunnel sous vide ou sous azote pour prévenir toute formation de couche d'oxyde.
Après la réalisation des vias 28 et des conducteurs en surface 30, on procède au découpage du film 18 (figure 2f). Dans l'exemple, cette opération est effectuée par une lame oscillante 40 (flèche F3) qui sectionne le ruban 18 en modules 42, chacun comportant la puce 2 et le motif 32 ou 34 de conducteurs 30. Le découpage peut aussi être réalisé par un outil poinçon/matrice. La découpe peut aussi être réalisée dans le sens de la longueur du film si nécessaire. Dans le cas illustré, le module 42 est délimité exactement par la périphérie du motif 32 de conducteurs 30.
Le module 42 est ensuite transféré par un automate (non représenté) vers une station d'encartage. Chaque corps de carte 6 destiné à recevoir un tronçon 42 comporte un puits central 44 adapté pour loger la puce 2, et un palier 46 autour du puits adapté pour loger le motif 32 ou 34 de conducteurs 30 de sorte que ces derniers affleurent la surface 6a du corps de carte. La profondeur du palier 46 depuis cette surface 6a est donc sensiblement égale à la somme des épaisseurs de la couche d'adhésif 20, du film 18 et des conducteurs 30, le puits 44 étant plus profond encore par l'épaisseur de la puce 2.
Pour le collage du module 42 dans son logement 44,46 de la carte 6, on active la couche d'adhésif 20 (par application de chaleur et/ou de pression) et on applique celle-ci directement contre le palier 46. Au besoin, on peut aussi appliquer au préalable un adhésif sur le dos 2b de la puce ou sur le fond du puits 44.
Dans certaines conditions de fabrication, il se peut que la couche s d'adhésif 20 ne puisse pas être prévue pour assurer la double fonction de collage de la puce sur le film 18 et de collage du film sur le corps de carte 6. Cette impossibilité pourrait notamment être due au fait que l'épaisseur de la couche d'adhésif 20 serait sinon trop importante pour permettre un perçage correct par faisceau laser. On peut alors procéder avant 0 l'encartage (et après le perçage des trous 26) à une étape de dépôt d'un dépôt d'adhésif supplémentaire contre la face 18a du film et/ou sur le palier 46 pour assurer une bonne fixation du module 42 sur le corps de carte 6. L'adhésif supplémentaire peut être par exemple du type thermoactivable ou de la famille des cyanoacrylates. 5 Sur les figures 5a à 5e un deuxième mode de réalisation de l'invention diffère du premier mode principalement par le fait que les conducteurs en surface 30 sont, au moins en partie, déposés sur la face 18a du film avant l'étape de perçage, leur jonction avec les vias 28 étant réalisée ultérieurement. 0 Les parties des étapes et des éléments produits qui sont communes avec le premier mode de réalisation sont désignées par les mêmes références et ne seront pas décrites à nouveau par souci de concision.
A une étape initiale, on dépose sur la face supérieure 18b du film 5 18 une couche d'adhésif 48, par exemple du type thermoactivable ou réticulable, dont l'épaisseur est de l'ordre de 10 à 20 microns (figure 5a).
On appose à espace régulier sur cette face 18b une grille de connexion 50 qui comporte le motif 32 des plages de connexion 30 analogue à celui décrit par référence à la figure 3. Les différentes plages 0 de connexions 30 sont provisoirement liées entre elles par un cadre péri métrique 52 de manière à former un ensemble solidaire. La technique de fabrication d'une telle grille de connexion 50 est connue en elle-même. La grille peut être réalisée par estampage ou découpage à partir d'une feuille métallique d'une épaisseur de l'ordre de 10 à 100 microns. Une fois positionnée, la grille de connexion est collée sur le film 18 par activation de la couche d'adhésif 48. Il est également possible de coller une grille pleine et de réaliser ensuite une gravure chimique pour obtenir le motif. Dans ce cas, le cadre 52 n'est plus nécessaire. Ensuite, on procède à une étape de dépôt de couche d'adhésif 20 sur la face opposée 18a du film et de collage d'une puce 2 comme dans les étapes décrites plus haut par référence aux figures 2b et 2c. On note cependant que l'ordre du report de la grille et de la puce est arbitraire ; on peut tout aussi bien prévoir l'adhésif 20 et la fixation de la puce 2 avant de coller la grille de connexion.
La puce 2 est collée directement en face du cœur 32a du motif des plages de connexion, avec chaque plot 8 de la puce légèrement décalée vers le centre relativement à l'extrémité de l'amenée 30a de sa plage de connexion (figure 5c). On note que, comme dans le premier mode de réalisation, le cœur du motif 32 forme un espace ouvert 32a qui ne recouvre pas le film 18. Il est donc aisé de positionner la puce 2 par guidage optique directement sous le cœur du motif, par exemple au moyen d'un dispositif VAO (vision assistée par ordinateur). Bien entendu, il est également possible d'inverser les étapes de sorte que la puce 2 soit collée avant la grille de connexion 50 sur le film 18.
Ensuite, on procède à l'étape de perçage du film 18 à l'aplomb des plots de connexion 8 de la puce. Cette opération s'effectue par un faisceau 22 émis par un laser 24, comme décrit plus haut par référence à la figure 2d. Dans ce cas, le faisceau transperce aussi la couche d'adhésif 48 sur la face 18b du film. De même que pour le premier mode dé réalisation, cette étape de perçage a aussi pour effet d'éliminer toute couche d'oxyde se trouvant sur la surface des plots 8.
L'opération de perçage est enchaînée aussitôt avec une étape de "métallisation" consistant à former les vias 28 et la jonction électrique de ces derniers avec les amenées correspondantes 32a (figure 5e). Cet enchaînement vise à minimiser le temps d'exposition des plots 8 pour les raisons données plus haut. Comme pour le premier mode de réalisation, les étapes de perçage et de formation des vias 28 peuvent être réalisées dans un tunnel sous vide ou sous azote.
Cette étape de métallisation est réalisée de manière analogue à celle décrite par référence à la figure 2e. On utilise notamment les mêmes matériaux et techniques de dispense par une ou plusieurs aiguilles 36 reliées à un dispositif d'injection 38 de dépôt, ou par impression d'encre conductrice. Cependant, le dépôt ne concerne que le remplissage des trous 26 et le débordement de ces derniers (portion 28a) pour établir la jonction avec les amenées 30a. Ensuite, on procède aux opérations de découpage du film 18 en modules 42 équipés de puce 2 et de grille de connexion 50, et à l'encartage en suivant les étapes déjà décrites par référence aux figures 2f et 2g.
Le retrait du cadre 52 de la grille est effectué lors de l'opération de découpage du film.
La figure 6 montre la surface des connexions électriques sur le produit fini. Les dépôts 28 par dispense ou jet d'encre conductrice forment des plots sensiblement ovales qui recouvrent les plots 8 de la puce 2 et les amenées 30a des plages 30. Bien entendu, ce deuxième mode de réalisation permet de réaliser d'autres motifs de connexion sur la face 18b du film, et notamment une antenne 34 (figure 4) pour la réalisation d'une carte du type sans contact.
En variante, il est possible de former les plages de connexion 30 non pas avec une grille prédécoupée ou estampée 50, mais par dépôt d'une métallisation sur la face supérieure 18b du film, suivie d'une attaque chimique pour former le motif voulu, comme le montre les figures 7a à 7c.
Dans ce cas, on dépose uniformément sur la face supérieure 18a du film une couche conductrice 30' ayant l'épaisseur voulu pour les plages 30. Ce dépôt peut se faire en phase liquide, semi-liquide, ou par évaporation en phase vapeur.
Dans l'exemple, le dépôt est sous forme de pâte contenant une charge de particules conductrices et un agent photosensible qui fixe la charge lorsqu'elle est exposée à un rayonnement ultraviolet. On place sur ce dépôt un masque 54 qui cache les parties devant être retirées, et on expose l'ensemble à un rayonnement ultraviolet UV.
Ensuite, on retire la pâte .30' non fixée au moyen d'un bain chimique afin de garder le motif des plages de connexion. Dans le cas d'un dépôt de métallisation en phase vapeur, on peut masquer au préalable les portions du film ne devant pas être recouvertes. Au lieu de masquer pour obtenir le motif, on peut en variante réaliser un dépôt sur toute la surface et ensuite procéder à des retraits sélectifs par gravure chimique selon le motif désiré, en utilisant un matériau photosensible appliqué sur la surface du film.
Les étapes de perçage et suivantes sont exécutées comme décrit par référence aux figures 2d-2g et 5b-5e.
La figure 8 est un organigramme qui résume les opérations de réalisation du module 42 conformément à un mode de réalisation de la présente invention.
On y retrouve une étape E80 de fixation de la puce 2 sur une première face 18a du film, avec les plots de connexion 8, ou moyens analogues formant des contacts de la puce, tournées vers cette première face. Dans l'exemple, on réalise ensuite l'opération de perforation des trous 26 dans le film 18 (étape E81).
Sur l'autre face (seconde face) 18b du film, on réalise l'interface de communication 30, 32 ou 34 (étape E82).
On note que l'ordre d'exécution des étapes E80 et E82, respectivement de fixation de la puce et de réalisation de l'interface de communication, est arbitraire, et dépendra notamment de la conception de la chaîne de fabrication. On peut donc réaliser l'interface de communication sur le film 18 avant de fixer la puce 2.
L'étape E84 d'interconnexion des contacts 8 de la puce 2 avec l'interface de communication 30, 32, 34 s'effectue alors à travers l'épaisseur du film 18. Le module ainsi réalisé peut faire l'objet d'une application (étape E86), par exemple en procédant à des étapes d'encartage pour la fabrication de cartes à puce.
L'invention présente des avantages et caractéristiques remarquables, dont :
- la possibilité d'utiliser des puces avec des connexions par plots planes, moins coûteuse à réaliser que les connexions par bosses (bumps en terminologie anglo-saxonne),
- l'intégration de la puce et de son interface sur un même support (film) formant un module complet, autonome et prêt à encarter,
- la suppression de l'opération d'enrobage de la puce, celle-ci étant recouverte en position encartée par le film,
- la possibilité de réaliser les plages de connexion par jet d'encre conductrice sans avoir à effectuer un dépôt préalable d'isolation de la tranche et de la périphérie de la puce,
- le décapage de la couche d'oxyde sur les connexions de la puce durant l'étape de perçage et juste avant de recouvrir celles-ci,
- les opérations de fabrication à froid (hormis l'activation des adhésifs), - l'utilisation de matières premières peu coûteuses,
- l'obtention d'un module électronique mince,
- etc.
L'invention n'est nullement limitée aux cartes à puce. Elle troμve de nombreuses autres applications qui peuvent bénéficier d'une module de circuit intégré extra plat pour montage en surface :
- étiquettes électroniques (aussi connues sous le terme anglo- saxon de "tag") sur support souple, par exemple pour remplacer les étiquettes d'identification dé produits classiques à code barre,
- dispositifs d'identification d'animaux domestiques ou de réserve sauvage,
- appareils médicaux,
- etc. Notons également ici que le film 18 formant substrat dans le cas du module, est à considérer comme un corps - au sens ou une carte à puce possède un corps de carte en plastique- appartenant non pas à un sous ensemble tel que module à encarter, mais à un dispositif électronique utilisable tel queL Dans des exemples de l'invention, ce film 18 est le corps d'un ticket intelligent ou d'une étiquette électronique.

Claims

R E V E N D I C AT I O N S
1. Procédé de fabrication d'un module à circuit intégré (42) pour objet portable intelligent tel que carte à puce, étiquette électronique ou analogues ; ce procédé comportant les étapes prévoyant de : fixer un circuit intégré (2) sur une première face (18a) d'un film (18), le circuit s intégré (2) ayant au moins un contact électrique (8) tourné vers la première face (18a) ; réaliser une interface de communication (30;32;34) sur la seconde face (18b) du film (18) ; relier électriquement par dépôt de matériau conducteur (28 ; 30) l'interface de communication (30;32;34) avec au moins un contact électrique (8) à travers l'épaisseur du film ; 0 caractérisé en ce qu'après l'étape de fixation du circuit intégré (2) : on perce le film (18) en face de chaque contact à connecter, à partir de la seconde face (18b) du film et par guidage optique au moyen d'un dispositif de visualisation assisté par ordinateur (VAO) ; le perçage étant effectué avec un faisceau laser qui assure en outre l'élimination 5 d'une couche d'oxyde à la surface du contact (8) du circuit intégré (2).
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, pour relier électriquement l'interface de communication (30 ; 32 ; 34) avec le contact (8), après avoir percé le film (18) en face de ce contact à 0 connecter, on remplit le trou (26) résultant avec le matériau conducteur (28).
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le dépôt de matériau conducteur (28,30) est réalisé par une technique de 5 dispense utilisant une ou plusieurs aiguilles (36) ou une ou plusieurs buses.
4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le dépôt de matériau conducteur (28,30) est réalisé par impression à jet 0 d'encre conductrice.
5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les étapes de réalisation de l'interface de communication (30 ; 32 ; 34) et celle qui relie cette interface avec le contact (8), sont au moins en partie effectuées dans une opération conjointe de dépôt de matériau conducteur (28 ; 30) à la fois sur la seconde face (18b) du film et dans des trous (26) réalisés dans ce dernier en face du contact (8).
6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'interface de communication (30;32;34) est réalisée par report d'un motif conducteur (50) estampé ou découpé d'une feuille métallique et collé sur la seconde face (18b) du film.
7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'interface de communication (30;32;34) est réalisée par sérigraphie ou par dépôt en phase vapeur.
8. Équipement de fabrication d'un module à circuit intégré (42) pour objet portable intelligent tel que carte à puce, étiquette électronique ou analogues ; cet équipement comportant de moyens pour : fixer un circuit intégré (2) sur une première face (18a) d'un film (18), le circuit intégré (2) ayant au moins un contact électrique (8) tourné vers la première face (18a) ; réaliser une interface de communication (30;32;34) sur la seconde face (18b) du film (18) ; relier électriquement par dépôt de matériau conducteur (28 ; 30) l'interface de communication (30;32;34) avec au moins un contact électrique (8) à travers l'épaisseur du film ; caractérisé en ce que les moyens de fixation comportent un organe de perçage du film (18) en face de chaque contact à connecter, à partir de la seconde face (18b) du film et des moyens de guidage optique par exemple au moyens d'un dispositif de visualisation assisté par ordinateur (VAO) ; les moyens de perçage comportant un laser d'élimination d'une couche d'oxyde à la surface du contact (8) du circuit intégré (2).
9. Module (42) pour objet portable intelligent (1) tel que carte à puce, étiquette électronique ou analogues, réalisé selon le procédé conforme à l'une des revendications 1 à 7 et / ou avec un équipement selon la revendication 8 ; ce module comprend : - un film (18) présentant une première face (18a) et une seconde face (18b) ;
- un circuit intégré (2) contre la première face du film ayant au moins un contact électrique (8) tourné vers cette face ;
- une interface de communication (30;32;34) sur la seconde face du film, et
- une interconnexion à travers l'épaisseur du film entre l'interface de communication et le ou les contact(s) du circuit intégré ; l'interface de communication (30 ; 32 ; 34) étant reliée avec le contact (8) du circuit intégré (2) par un trou (26) dans le film (18), en face de chaque contact à connecter, remplit avec un matériau conducteur (28) ; l'interface de communication (30 ; 32 ; 34) et la interconnexion avec le contact (8) du circuit intégré (2) sont formées de matériau conducteur (28,30) qui présente une continuité de matière à la fois sur la seconde face (18b) du film et dans un trou correspondant (26).
10. Module selon la revendication 9, caractérisé en ce que le circuit intégré (2) est fixé contre la première face (18a) du film par collage au moyen d'une couche d'adhésif (20) du type thermoactivable, appliquée sur cette première face.
11. Module selon la revendication 9 ou 10, caractérisé en ce que le film (18) est en matière transparente et d'une épaisseur de l'ordre de l'ordre de 25 microns.
12. Module selon l'une des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que le contact (8) du circuit intégré (2) est sensiblement plan.
13. Méthode d'assemblage d'un module réalisé selon le procédé conforme à l'une des revendications 1 à 7 et / ou avec un équipement selon la revendication 8, avec un corps (6) d'objet portable intelligent (1) tel que carte à puce, étiquette électronique ou analogues ; caractérisé en ce que le circuit intégré (2) étant fixé contre la première face (18a) du film par une couche d'adhésif (20) appliquée sur cette face, on utilise la couche d'adhésif également pour fixer le module (42) au corps de support (6).
14. Objet portable intelligent tel que carte à puce, étiquette électronique ou analogues, qui comporte un module (42) selon l'une des revendications 9 à 12 et / ou réalisé selon le procédé conforme à l'une des revendications 1 à 7 et / ou avec un équipement selon la revendication 8 ; caractérisé en ce qu'il comprend une même couche d'adhésif (20) servant à fixer d'une part le circuit intégré (2) contre la première face (18a) du film et d'autre part le module (42) au corps de support (6).
PCT/FR2001/003375 2000-10-30 2001-10-30 Connexion de circuit integre par depôt conducteur a travers un film perfore WO2002037553A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU2002215091A AU2002215091A1 (en) 2000-10-30 2001-10-30 Integrated circuit connection by conductive deposition through a perforated film

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0013940A FR2816107B1 (fr) 2000-10-30 2000-10-30 Module de circuit integre sur film et son procede de fabrication
FR00/13940 2000-10-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2002037553A1 true WO2002037553A1 (fr) 2002-05-10

Family

ID=8855908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2001/003375 WO2002037553A1 (fr) 2000-10-30 2001-10-30 Connexion de circuit integre par depôt conducteur a travers un film perfore

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU2002215091A1 (fr)
FR (1) FR2816107B1 (fr)
WO (1) WO2002037553A1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11558965B2 (en) * 2017-06-29 2023-01-17 Voestalpine Stahl Gmbh Device and method for producing an electrical connecting contact on a coated metal sheet

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1821241A3 (fr) * 2006-02-15 2008-07-23 Assa Abloy AB Unité de transpondeur sans contact à fréquence hybride, module pour celle-ci et procédé de fabrication de celle-ci
EP1821242A1 (fr) * 2006-02-15 2007-08-22 Assa Abloy Identification Technology Group AB Transpondeur multi-frequences sans contact, son module électronique et procédé pour la fabrication du transpondeur

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4246595A (en) * 1977-03-08 1981-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronics circuit device and method of making the same
US4731645A (en) * 1982-05-14 1988-03-15 U.S. Philips Corporation Connection of a semiconductor to elements of a support, especially of a portable card
JPH10138671A (ja) * 1996-11-12 1998-05-26 Citizen Watch Co Ltd Ｉｃカード用モジュール
US5877544A (en) * 1995-08-23 1999-03-02 Schlumberger Industries Electronic micropackage for an electronic memory card
FR2779851A1 (fr) * 1998-06-12 1999-12-17 Gemplus Card Int Procede de fabrication d'une carte a circuit integre et carte obtenue
DE19830540A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-13 Siemens Ag Elektronischer Schaltungsträger

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4246595A (en) * 1977-03-08 1981-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronics circuit device and method of making the same
US4731645A (en) * 1982-05-14 1988-03-15 U.S. Philips Corporation Connection of a semiconductor to elements of a support, especially of a portable card
US5877544A (en) * 1995-08-23 1999-03-02 Schlumberger Industries Electronic micropackage for an electronic memory card
JPH10138671A (ja) * 1996-11-12 1998-05-26 Citizen Watch Co Ltd Ｉｃカード用モジュール
FR2779851A1 (fr) * 1998-06-12 1999-12-17 Gemplus Card Int Procede de fabrication d'une carte a circuit integre et carte obtenue
DE19830540A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-13 Siemens Ag Elektronischer Schaltungsträger

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. MCNULTY ET AL.: "Microwave Multichip Modules Using Low Cost Microwave Chip on Flex Packaging Technology", PROCEEDINGS OF THE 1998 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MULTICHIP MODULES AND HIGH DENSITY PACKAGING, 15 April 1998 (1998-04-15) - 17 April 1998 (1998-04-17), IEEE, Piscataway, NJ, USA, pages 262 - 267, XP002178310 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 10 31 August 1998 (1998-08-31) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11558965B2 (en) * 2017-06-29 2023-01-17 Voestalpine Stahl Gmbh Device and method for producing an electrical connecting contact on a coated metal sheet

Also Published As

Publication number Publication date
FR2816107B1 (fr) 2003-11-28
FR2816107A1 (fr) 2002-05-03
AU2002215091A1 (en) 2002-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0307773B1 (fr) Procédé de fabrication de modules électroniques, notamment pour cartes à microcircuits
EP0875039B1 (fr) Module electronique sans contact pour carte ou etiquette
EP0688051A1 (fr) Procédé de fabrication et d'assemblage de carte à circuit intégré et carte ainsi obtenue
EP0908843B1 (fr) Carte électronique sans contacts et son procédé de fabrication
EP3201843B1 (fr) Procédé de fabrication de carte à puce et carte à puce obtenue par ce procédé.
EP3437028B1 (fr) Procédés de fabrication de cartes à puce et de supports d'antenne pour carte à puce
WO2017129904A1 (fr) Procédé de fabrication d'un module de carte à puce et d'une carte à puce
EP1724712A1 (fr) Micromodule, notamment pour carte à puce
EP2545503B1 (fr) Dispositif électronique à puce et procédé de fabrication par bobines
EP1436773A1 (fr) Module electronique avec bossage de protection
WO2000025265A1 (fr) Procede de fabrication d'une carte a puce et d'un module electronique destine a etre insere dans une telle carte
WO2002037553A1 (fr) Connexion de circuit integre par depôt conducteur a travers un film perfore
FR2779255A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif electronique portable comportant au moins une puce de circuit integre
EP2866173B1 (fr) Procédé de réalisation d'un circuit électrique et circuit électrique réalisé par ce procédé
FR2810768A1 (fr) Procede de fabrication de cartes a puce hybrides et cartes a puce obtenues par ledit procede
WO2000030032A1 (fr) Procede de fabrication d'une carte a puce hybride par impression double face
FR2795202A1 (fr) Carte et procede de fabrication de cartes ayant une interface de communication a contact et sans contact
FR2786317A1 (fr) Procede de fabrication de carte a puce a contact affleurant utilisant une etape de gravure au laser et carte a puce obtenue par le procede
EP1190379B1 (fr) Procede de fabrication de cartes a puce a contact avec dielectrique bas cout
EP3020068B1 (fr) Module electronique et son procede de fabrication
EP1210690B1 (fr) Dispositif electronique comportant au moins une puce fixee sur un support et procede de fabrication d'un tel dispositif
FR2779272A1 (fr) Procede de fabrication d'un micromodule et d'un support de memorisation comportant un tel micromodule
FR2795203A1 (fr) Module comportant au moins une puce et son interface de communication, objet comportant un module et procede de realisation desdits modules
FR2798225A1 (fr) Micromodule electronique et procede de fabrication et d'integration de tels micromodules pour la realisation de dispositifs portatifs
WO2001008090A1 (fr) Carte a puce et son procede de fabrication

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP