WO2000077854A1 - Procede de fabrication de tout ou partie d'un dispositif electronique par jet de matiere - Google Patents

Procede de fabrication de tout ou partie d'un dispositif electronique par jet de matiere Download PDF

Info

Publication number
WO2000077854A1
WO2000077854A1 PCT/FR2000/001551 FR0001551W WO0077854A1 WO 2000077854 A1 WO2000077854 A1 WO 2000077854A1 FR 0001551 W FR0001551 W FR 0001551W WO 0077854 A1 WO0077854 A1 WO 0077854A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductive
manufacturing
jet
drops
insulating material
Prior art date
Application number
PCT/FR2000/001551
Other languages
English (en)
Inventor
Paul Morgavi
Olivier Brunet
Philippe Patrice
Original Assignee
Gemplus
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gemplus filed Critical Gemplus
Priority to AU54122/00A priority Critical patent/AU5412200A/en
Publication of WO2000077854A1 publication Critical patent/WO2000077854A1/fr

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/0775—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for connecting the integrated circuit to the antenna
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401—Structure
    • H01L2224/24011—Deposited, e.g. MCM-D type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405—Shape
    • H01L2224/24051—Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24101—Connecting bonding areas at the same height
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24105—Connecting bonding areas at different heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2499—Auxiliary members for HDI interconnects, e.g. spacers, alignment aids
    • H01L2224/24996—Auxiliary members for HDI interconnects, e.g. spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/24998—Reinforcing structures, e.g. ramp-like support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7615—Means for depositing
    • H01L2224/76151—Means for direct writing
    • H01L2224/76155—Jetting means, e.g. ink jet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7698—Apparatus for connecting with build-up interconnects specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82007—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI] involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting a build-up interconnect during or after the bonding process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/821—Forming a build-up interconnect
    • H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
    • H01L2224/82102—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing using jetting, e.g. ink jet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85444—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85455—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01061—Promethium [Pm]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/15165—Monolayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/013—Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1461—Applying or finishing the circuit pattern after another process, e.g. after filling of vias with conductive paste, after making printed resistors
    • H05K2203/1469—Circuit made after mounting or encapsulation of the components
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Definitions

  • the invention proposes to make all or part of this device by material jet on a base supporting the electronics of said device.
  • the ejected material can be conductive and / or insulating material.
  • connection between the antenna and the metal grid 18 can be made by tin / lead soldering or by conductive bonding or lamination, or by any other suitable known technique.
  • the present invention more particularly provides a method of manufacturing an electronic device of the chip card type making it possible to carry out, online, the steps of isolating, connecting and protecting the chip quickly and precisely.
  • the conductive element is an electronic and / or electrical component chosen from a resistor, a fuse, a choke, a capacitor, an antenna.
  • the insulating material comprises a cationic resin crosslinking with ultraviolet.
  • the invention also applies to a printed circuit board comprising electronic and / or electrical components, conductive tracks, and connection points arranged on a support, characterized in that the tracks and connection points consist of points of conductive material obtained by spraying drops of conductive material.
  • the connections of the components to the conductive tracks or connection points consist of points of conductive material obtained by jet of drops of conductive material.
  • the manufacturing method according to the invention has the advantage of considerably simplifying the connection of the chips to the connection pads of the grid, and more particularly of refining the precision of these connections.
  • the piezo technology constitutes a preferred embodiment.
  • the materials used in the other two techniques must be of low viscosity, and they are generally subject to an electrical potential between the ejection nozzle and the drop of material to be ejected.
  • this protection 71 constitutes a protective film which conforms perfectly to the shape of the micromodule and the thickness of which is much less than the encapsulation drops generally obtained by the conventional “glob top” technique. No milling step is therefore necessary.
  • the third ejection head 75 is preferably of the “piezo” type like the previous, but it can also be thermal or continuous deflected jet for example.
  • the thicknesses of the layers of material deposited respectively for the insulation of the wafers 61, the connection 51 and the protection 71 depend on the resolution and the number of passages of the respective ejection heads 55, 65 and 75. Thus, for a resolution of 600 Dpi, a layer is obtained having a thickness between 4 and 9 ⁇ m, while for a resolution of 80 Dpi, the thickness of the layer will be between 80 and 100 ⁇ m.
  • the process according to the invention thus makes it possible to obtain micromodules of controlled thickness and with a production rate clearly higher than that of conventional processes.
  • FIG. 6 schematically illustrates, in perspective, one of the material deposition steps according to the present invention, in this case the step of isolating the chip wafers.
  • the chips 10 are arranged on the support film 15 in rows of two.
  • a double ejection head 65 comprising a large number of nozzles inject insulating material 60 onto the edges of each chip 10.
  • the use of heads having a large number of ejection nozzles is desirable in order to maintain a production rate greater than or equal to 57,000 pieces per hour.
  • the overall rate will be imposed by the lowest rate step.
  • working frequencies between 2 kHz and 40 kHz, and ejection head resolution between 60 and 600 Dpi, we obtain a minimum rate of 8 chips per second and per channel, for a chip of 10 mm in length .
  • the chips being generally arranged in rows of two on the support film, the minimum rate is 57,600 chips per hour.
  • An integrated circuit chip 10 is transferred into the cavity 120 of a card body 200 previously decorated by contact tracks 19. These tracks 19 are advantageously produced by jet of drops of conductive material according to the method described in the present invention.
  • the conductive tracks Pi, the connection points 8, the resistor R and the antenna A can be produced directly on the support of the card CI by jet of drops of conductive material.
  • FIG. 9 illustrates the application of the method according to the invention to the production of a capacity.
  • a layer of conductive material M can be deposited by jet of drops of conductive material, on which a layer of insulating material deposited by jet of drops of insulating material is superimposed, a second layer of conductive material M deposited using the same process terminating the capacity C.
  • the turns of antenna A are produced by a jet of conductive material on any dielectric support.
  • the use of the material jet makes it possible to perfectly control the shape of the antenna A as well as the spacing between the turns which can be minimized.
  • Connection points 8 are made, also by jet of conductive material, in order to allow connection of the antenna A to another electronic component.
  • an insulating pond 80 is produced, by jet of insulating material, over the turns of the antenna A in order to bring the connection points 8 to a given location.
  • FIGS. 12a and 12b illustrate the application of the method according to the invention to the production of a two-sided module 300 with current leads.
  • FIG. 12a illustrates the rear face 305 of the module and FIG. 12b the front face on which the contacts 306 are located. Perforations 310 are made in the support of the module 300 in order to allow current leads to connect the rear face 305 with the contact pads 11 of the front face 306.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

Procédé de fabrication d'un dispositif électronique, comportant au moins un circuit électronique et/ou électrique, caractérisé en ce que tout ou partie dudit circuit est réalisé par jet de gouttes de matière. L'invention concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'un dispositif électronique portable à circuit intégré, une puce de circuit intégré (10) étant reportée sur un film support (15) muni de plages de connexion (18), caractérisé en ce que la connexion entre les plots de contact (11) de la puce (10) et les plages de connexion (18) du film support (15) est réalisée par jet de matière conductrice (50).

Description

PROCEDE DE FABRICATION DE TOUT OU PARTIE D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE PAR JET DE MATIERE
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique ou électrique.
L' invention propose de réaliser tout ou partie de ce dispositif par jet de matière sur une base support de l'électronique dudit dispositif. La matière éjectée peut être de la matière conductrice et/ou isolante.
Le jet de matière, dont la direction et la quantité peuvent être parfaitement maîtrisées, permet de réaliser des pistes conductrices, des points de connexion, des protections isolantes sur et autour de puces de circuit intégré. Il est également possible de réaliser une antenne, par exemple, par jet de matière conductrice sur un support isolant, ou une capacité, par exemple, par superposition de couches métalliques et isolantes, ou tout autre dispositif électronique ou électrique connu.
La présente invention concerne plus particulièrement la fabrication d'un dispositif électronique portable, comportant au moins une puce de circuit intégré disposée dans un support et électriquement reliée à des éléments d'interface constitués par un bornier de connexion et/ou par une antenne . Ces dispositifs électroniques portables constituent par exemple des cartes à puce avec et/ou sans contact ou encore des étiquettes électroniques.
Les cartes à puce avec et/ou sans contact sont destinées à la réalisation de diverses opérations telles que, par exemple, des opérations bancaires, des communications téléphoniques, diverses opérations d'identification, ou des opérations de type télébillétique. Les cartes à contact comportent des metallisations affleurant la surface de la carte, disposées a un endroit précis du corps de carte, défini par la norme usuelle ISO 7816. Ces metallisations sont destinées à venir au contact d'une tête de lecture d'un lecteur en vue d'une transmission électrique de données.
Les cartes sans contact comportent une antenne permettant d'échanger des informations avec l'extérieur grâce à un couplage électromagnétique entre l'électronique de la carte et un appareil récepteur ou lecteur. Ce couplage peut être effectué en mode lecture ou en mode lecture/écriture, et la transmission de données s'effectue par radiofrequence ou par hyperfréquence . II existe également des cartes hybrides ou « combicards » qui comportent a la fois des metallisations affleurant la surface de la carte et une antenne noyée dans le corps de la carte. Ce type de carte peut donc échanger des données avec l'extérieur soit en mode contact, soit sans contact.
Telles qu' elles sont réalisées actuellement, les cartes, avec ou sans contact, sont des éléments portables de faible épaisseur et de dimensions normalisées. La norme ISO 7810 définie les dimensions nominale d'une carte de format standard qui correspond à 85 mm de longueur, 54 mm de largeur et à 0.76 mm d'épaisseur moyenne.
La majorité des procédés de fabrication de carte à puce est basée sur l'assemblage de la puce de circuit intégré dans un sous-ensemble appelé micromodule qui est relié à une interface de communication et encarté, c' est à dire place dans une cavité ménagée dans le corps de carte, en utilisant des techniques connues de l'homme du métier. La figure 1 est un schéma synoptique des différentes étapes de fabrication d'un micromodule selon des techniques classiques.
Dans un premier temps, une machine positionne les puces de circuit intègre sur un film support diélectrique ou métallique muni de plages de connexion. Les connexions entre les plots de contact de chaque puce et les plages de connexion correspondantes sont alors réalisées par câblage filaire par exemple, ou par tout autre moyen connu. Une étape de protection suit, dans laquelle chaque puce et ses connexions sont enrobées dans une résine dite d' encapsulation qui doit ensuite être polymerisee dans une etuve pendant un temps donne. Les étapes de positionnement, de connexion et de protection sont généralement réalisées en ligne dans un procède continu. L'étape de polymérisation, longue et nécessitant un appareillage lourd, interrompt cette linéarité avant la découpe des micromodules. Un procédé classique de fabrication est illustré sur la figure 2. Un tel procède consiste a coller une puce de circuit intègre 10 en disposant sa face active avec ses plots de contact 11 vers le haut, et en collant sa face opposée sur une feuille de support diélectrique 15. La feuille diélectrique 15 est elle- même disposée sur une grille de contact 18 telle qu'une plaque métallique en cuivre nickelé et doré par exemple. Des puits de connexion 16 sont pratiqués dans la feuille diélectrique 15 afin de permettre a des fils de connexion 17 de relier les plots de contact 11 de la puce 10 aux points de connexion de la grille 18. Ces fils 17 sont généralement soudes aux deux extrémités par des ultrasons. Selon certaines variantes, il est possible de coller la puce 10, face active vers le haut, directement sur la grille de contact 18, puis de la connecter par câblage filaire 17. Dans une telle variante, la grille 18 est déposée sur un support diélectrique 15 et les plages de contact et de connexion de ladite grille sont définies par gravure chimique ou tout autre moyen connu.
Une étape de protection ou d' encapsulation vient ensuite protéger la puce 10 et les fils de connexion 17 soudés. On utilise généralement une technique appelée « glob top » en terminologie anglaise, qui désigne l'enrobage de la puce par le dessus. Cette technique consiste à verser une goutte de résine 20, à base d' époxy par exemple, thermodurcissable ou à réticulation aux ultraviolets, sur la puce 10 et ses fils de connexion 17.
La figure 3 illustre une variante de réalisation dans laquelle la puce 10 est connectée à la grille métallique 18 selon un procédé de « flip chip » qui désigne une technique connue dans laquelle la puce est retournée .
Dans l'exemple illustré, la puce 10 est connectée à la grille métallique 18 au moyen d'une colle 350 à conduction électrique anisotrope bien connue et souvent utilisée pour le montage de composants passifs sur une surface. Les plots de contact 11 de la puce 10 sont placés en vis à vis des plages de connexions de la grille 18. Cette colle 350 contient en fait des particules conductrices élastiquement déformables qui permettent d'établir une conduction électrique suivant l'axe z (c'est à dire suivant l'épaisseur) lorsqu'elles sont pressées entre les plots de sortie 11 et les plages de connexion de la grille 18, tout en assurant une isolation suivant les autres directions (x, y) .
Dans une variante de réalisation, la connexion électrique entre la puce 10 et la grille 18 peut être améliorée par des bossages 12, en alliage thermofusible de type Sn/Pb ou en polymère conducteur, réalisés sur les plots 11 de la puce 10.
Le support diélectrique 15 avec la puce 10 collée et protégée par la résine 20 est découpé pour constituer un micromodule 100.
Dans le cas d'une carte a puce a contact, le micromodule 100 est encarte dans la cavité d'un corps de carte préalablement décore. Le corps de carte est réalisé selon un procède classique, par exemple par injection de matière plastique dans un moule. La cavité est obtenue soit par fraisage du corps de carte, soit par injection au moment de la fabrication du corps de carte dans un moule adapte.
_' opération d' encartage peut être effectuée par dépôt d'une colle liquide dans la cavité du corps de carte avant report du micromodule.
Une autre technique d' encartage consiste a déposer un film adhésif thermoactivable par lammation à chaud sur le film diélectrique 15 préférentiellement avant la découpe du micromodule 100. Ce dernier est alors encarté dans la cavité du corps de carte et collé en réactivant l'adhésif thermoactivable par pressage à chaud au moyen d'une presse dont la forme est adaptée à celle de la cavité. Dans le cas d'une carte à puce sans contact ou d'une étiquette électronique, le micromodule 100 est connecté à une antenne.
L'antenne peut être réalisée sur un support isolant constitué par du PVC ou au PE ou tout autre matériau adapté (Polychlorure de Vinyle, Poly Ethylène) . Elle est constituée d'un matériau conducteur, et peut être déposée en bobine, par sérigraphie d' encre conductrice, ou par gravure chimique d'un métal déposé sur un support isolant. Elle peut présenter la forme d'une spirale ou tout autre motif selon les applications souhaitées .
La connexion entre l'antenne et la grille métallique 18 peut être réalisée par soudure étain/plomb ou par collage conducteur ou lamination, ou par tout autre technique connue adaptée.
Le corps de la carte sans contact est alors réalisée par lamination à chaud de films plastiques pour avoir l'épaisseur finale ou par coffrage d'une résine entre des feuilles diélectriques séparées par une entretoise.
Dans le cas d'une étiquette électronique, l'antenne, dans sa forme définitive, est choisie par moulage du corps de l'étiquette autour de l'électronique ou par lamination de films plastiques ou encore par insertion dans un boîtier plastique.
Il s'avère que ces technologies connues de fabrication présentent un grand nombre d'opérations entraînant un coût élevé.
En particulier, l'étape de connexion entre les plots de contact de la puce de les plages de connexion de la grille métallique nécessite un appareillage précis et lourd. En effet, les machines de soudure ultrasons utilisées pour un câblage filaire sont encombrantes et onéreuses. De même, la connexion selon le procédé dit de « flip chip », bien que de plus en plus utilisé, nécessite des conditions opératoires lourdes et des étapes préliminaires telles que la réalisation de bossages, ou bumps en terminologie anglaise, qui constituent des prolongements en matériau conducteur des plots de contact de la puce. En outre, la puce doit être retournée.
De plus, lorsqu'une protection par résine est réalisée, il est généralement nécessaire de procéder au fraisage de la résine pour adapter sa forme et son épaisseur, ce qui constitue une opération longue, délicate, coûteuse et stressante pour la puce.
En outre, les résines utilisées sont généralement des résines thermiques, un passage en étuve étant alors nécessaire pour polymériser la protection, ce qui représente une étape coûteuse en temps et en matériel. De plus, l'étape de polymérisation interrompt la linéarité de la fabrication entre les étapes d' encapsulation et de découpe des micromodules, ce qui ralentit nécessairement la cadence de production.
Le but de la présente invention est de pallier aux inconvénients de l'art antérieur.
A cet effet, la présente invention propose un procédé de fabrication d'un dispositif électronique ou électrique réalisé en tout ou partie par jet de gouttes de matière.
La présente invention propose plus particulièrement un procédé de fabrication d'un dispositif électronique de type carte à puce permettant de réaliser, en ligne, les étapes d' isolation, de connexion et de protection de la puce rapidement et avec précision.
En outre, l'invention permet principalement de simplifier l'étape de connexion de la puce en réalisant la connexion par un jet de matière conductrice. La présente invention concerne un procède de fabrication d'un dispositif électronique, comportant au moins un circuit électronique et/ou électrique, caractérise en ce que tout ou partie dudit circuit est réalise par et de gouttes de matière.
Selon une caractéristique, ledit circuit comporte des éléments ou composants conducteurs dont tout ou partie est réalise par et de gouttes de matière conductrice . Selon une autre caractéristique ledit circuit comporte des éléments isolants ou zones isolantes dont tout ou partie est réalise par et de gouttes de matière isolante.
Selon les applications, l'élément conducteur est choisi parmi une piste conductrice, un circuit conducteur, une connexion, un plot ou point de connexion .
Selon d'autres applications, l'élément conducteur est un composant électronique et/ou électrique choisi parmi une résistance, un fusible, une self, une capacité, une antenne.
Selon une autre caractéristique, la matière isolante constitue une protection mécanique ou constitue une isolation électrique d'un élément conducteur ou semi-conducteur.
Selon une application, ladite matière isolante est disposée entre les plans conducteurs d'une capacité ou condensateur .
L' invention concerne plus particulièrement un procède de fabrication, une puce de circuit intègre étant reportée sur un film muni de points de connexion, caractérise en ce que les connexions entre les plots de contact de la puce et les points de connexion sont réalisées par et de gouttes de matière conductrice. L'invention s'applique également à un procédé de fabrication, une puce de circuit intégré étant reportée sur un support, caractérisé en ce qu' il comporte en outre une étape d' isolation des tranches de puce, l'isolation étant réalisée par jet de gouttes de matière isolante.
L' invention concerne également un procédé de fabrication, une puce de circuit intégré étant reportée sur un support et connectée à des points de connexion, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape d'enrobage par une matière protectrice de la puce et de ses connexions, ledit enrobage étant réalisée par jet de gouttes de matière isolante.
Selon une variante de réalisation, la matière conductrice comporte des particules métalliques.
Selon une autre variante de réalisation, la matière conductrice comporte un matériau polymère conducteur.
Selon une variante de réalisation, la matière isolante comporte une résine cationique à réticulation aux ultraviolets.
Selon une autre variante de réalisation, la matière isolante comporte une résine thermo-polymérisable .
Selon un mode de réalisation préférentiel, les jets de gouttes de matière sont réalisés au moyen d'une tête d'éjection piézoélectrique.
Selon un autre mode de réalisation, les jets de gouttes de matière sont réalisés au moyen d'une tête d'éjection thermique.
Selon un autre mode de réalisation, les jets de gouttes de matière sont réalisés au moyen d'une tête d'éjection à jet continu dévié.
Selon un mode de réalisation, les têtes d'éjection comportent une pluralité de buses de manière à effectuer un unique passage par puce. Selon un autre mode de réalisation, le support se déplace de manière indexée, les têtes d'injection effectuant alors plusieurs passages sur chaque puce.
L' invention concerne également un procédé de fabrication, caractérisé en ce que tout ou partie d'un élément ou composant électronique est réalisé sur un support, simultanément à sa connexion à des points de connexion, par jet de gouttes de matière conductrice.
Selon une caractéristique, les points de connexion se situent sur un autre composant électronique.
Selon une autre application du procédé, une pluralité de puces de circuit intégré étant disposées sur un support, les connexions entre les puces, espacées les unes des autres, sont réalisées par jet de gouttes de matière conductrice.
Selon une variante de réalisation, une pluralité de puces de circuit intégré étant disposées sur un support, les connexions entre les puces, empilées les unes sur les autres, sont réalisées par jet de gouttes de matière conductrice.
Selon une caractéristique de la variante précédente, un dépôt de matière isolante entre les faces actives de chaque puce empilées est réalisé par jet de gouttes de matière isolante. Selon une autre application du procédé, un pont isolant est réalisé entre des pistes conductrices croisées par jet de gouttes de matière isolante.
Selon une autre application du procédé, un support diélectrique perforé portant des plages de contact d'un module électronique et des amenées de courant étant réalisées sur la face opposée, lesdites amenées sont réalisées par jet de gouttes de matière conductrice à travers les perforations. L'invention concerne en outre un dispositif électronique comportant un circuit électronique et/ou électrique, caractérisé en ce que tout ou partie dudit circuit se compose de points de matière obtenus par jet de gouttes de matière.
Selon une caractéristique, les points de matière présentent une résolution supérieure ou égale à 60 Dpi.
Selon une variante, ledit dispositif comporte des éléments conducteurs dont tout ou partie se compose de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière.
Selon une autre variante, ledit dispositif comporte en outre des éléments isolants ou zones isolantes dont tout ou partie se compose de points de matière isolante obtenus par jet de gouttes de matière.
Selon les applications, l'élément conducteur est choisi parmi une piste conductrice, un circuit conducteur, une connexion, un plot ou un point de connexion. Selon une autre application, l'élément conducteur est un composant électronique et/ou électrique.
Selon les applications, le composant est choisi parmi une résistance, un fusible, une self, une capacité, une antenne. Selon une caractéristique, la matière isolante constitue une protection mécanique d' éléments conducteurs .
Selon une application, la matière isolante constitue une isolation électrique d'éléments conducteurs.
Selon une application, la matière isolante est disposée entre les plans conducteurs d' une capacité ou d'un condensateur. Selon une autre application, la matière isolante constitue un support du dispositif tel qu'une carte, ou un film support, ou un enrobage.
Selon une caractéristique, le circuit comporte au moins une puce de circuit intégré.
Selon une variante de réalisation, le circuit comporte une pluralité de puce de circuit intégré empilées, les connexions entre lesdites puces se composant de points de matière conductrice obtenus par jet de matière.
Selon une autre variante, circuit comporte en outre une isolation entre les faces actives de chaque puce empilée, l'isolation se composant de points de matière isolante obtenus par et de matière. L'invention s'applique en outre a un module électronique biface comportant des plages de contact sur un support diélectrique, le support comportant des perforations respectivement au niveau de chaque plage de contact et comportant des amenées de courant sur la face opposée du support à travers lesdites perforations, caractérisé en ce que les amenées de courant se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de matière.
L'invention s'applique également à un élément conducteur tel qu'une antenne ou une résistance, caractérisé en ce que tout ou partie dudit élément et sa connexion se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière.
L'invention concerne de même un dispositif électronique portable tel qu'une carte à puce à contact, caractérise en ce que les plages de contact de la carte se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de matière. L' invention concerne de même un dispositif électronique portable tel qu'une carte à puce sans contact ou tel qu'une étiquette électronique, caractérisé en ce que l'antenne et la connexion des plots de contact de la puce à l'antenne se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de matière .
L'invention s'applique en outre à un circuit imprimé comprenant des pistes conductrices déposées sur un support, caractérisé en ce que les pistes se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière conductrice.
L'invention s'applique de même à une carte de circuit imprimé comportant des composants électroniques et/ou électriques, des pistes conductrices, et des points de connexion disposés sur un support, caractérisé en ce que les pistes et les points de connexion se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière conductrice. Selon une caractéristique, les connexions des composants aux pistes conductrices ou points de connexion se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière conductrice.
Selon une autre caractéristique, les composants sont protégés par une couche de matière isolante constituée de points de matière isolante obtenus par jet de gouttes de matière isolante.
La présente invention permet d'obtenir, avec un procédé simple et économique un micromodule électronique de faible épaisseur.
L'utilisation d'un jet de matière permet en effet de contrôler parfaitement la forme et le volume des éléments du dispositif. En particulier, le procède selon l'invention permet de réaliser les étapes d' isolation, de connexion et de protection en ligne de manière continue, avec une technologie commune et sans aucun contact avec le support et les puces de circuit intègre.
En outre, le procède est entièrement digital, un changement dans le motif de connexion, dans la taille des puces ou dans le positionnement des puces sur le film ne nécessite aucun changement de matériel, mais seulement une modification du programme de commande des tête d' éjection de matière.
De plus, les matières utilisées pour les étapes d' isolation, de connexion et de protection sont de nature permettant une polymérisation (si nécessaire) rapide a l'air libre ou par exposition aux ultraviolets .
En outre, le procède de fabrication selon l'invention présente l'avantage de simplifier considérablement la connexion des puces aux plages de connexion de la grille, et plus particulièrement d'affiner la précision de ces connexions.
De plus, les étapes d' encapsulation et de fraisage sont supprimées au profit d'une étape de protection réalisée par jet de matière isolante. La protection ainsi obtenu constitue alors un film épousant parfaitement la forme du micromodule et dont l'épaisseur est minimisée. Le procède permet de contrôler le volume de la protection obtenue et ainsi le volume global du composant. Enfin, le procède selon l'invention permet d'atteindre des cadences supérieures a 57000 pièces par heure, contre 6000 pièces par heure dans un procède de fabrication classique. D'autres particularités et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui suit donnée à titre d'exemple illustratif et non limitatif et faite en référence aux figures annexées dans lesquelles :
La figure 1, déjà décrite, est un schéma synoptique des étapes de fabrication d'un micromodule selon un procédé classique ; La figure 2, déjà décrite, est un schéma en coupe transversale illustrant un procédé traditionnel de fabrication d'un micromodule ; La figure 3, déjà décrite, est un schéma en coupe transversale illustrant un procédé traditionnel de fabrication d'un micromodule avec une variante de réalisation dans la connexion de la puce ;
La figure 4, est un schéma synoptique des étapes de fabrication du procédé selon la présente invention l'invention ; - La figure 5 illustre schématiquement le déroulement des étapes du procédé de fabrication selon la présente invention ;
La figure 6 est un schéma en perspective d'une des étapes du procédé de fabrication selon la présente invention ;
La figure 7 illustre l'application du procédé selon l'invention à une carte à puce ; La figure 8 illustre l'application du procédé selon l'invention à une carte de circuit imprimé ;
- La figure 9 illustre l'application du procédé selon l'invention à une capacité ; La figure 10 illustre une vue en coupe de l'application du procède selon l'invention a un empilement de puces ;
La figure 11 illustre l'application du procède selon l'invention a une antenne ; - Les figures 12a et 12b illustrent respectivement la face arrière et la face avant d'un module biface obtenu par le procède selon l'invention.
La description qui suit se réfère plus particulièrement a un procède de fabrication d'un dispositif électronique portable du type carte a puce ou étiquette électronique.
En se référant a la figure 4, le procède selon l'invention propose de réaliser les étapes de connexion et de protection en continu avec la même technologie.
Tel que cela est connu de l'art antérieur, des puces de circuit intègre sont positionnées sur un film support diélectriques muni de plages de connexion, ou directement sur une grille métallique. Une étape d'isolation est mentionnée. Elle est indispensable dans le cas ou le semi-conducteur de la puce de circuit intègre utilisée présente une tranche conductrice. Dans le cas contraire, cette étape est supprimée . De même, une étape de polymérisation est mentionnée après chaque étape du procède. La polymérisation est nécessaire selon le type de matière utilisée pour réaliser ces différentes étapes. Preferentiellement, des matériaux sans polymérisation ou a polymérisation rapide a l'air libre ou aux ultraviolets sont utilises dans le cadre de ce procède.
Enfin, l'étape de protection peut être supprimée dans le cas d'un report du micromodule obtenu dans un corps de carte par un procède connu de surmoulage. En se référant a la figure 5, le film support 15 comporte des plages de connexion 18 et des puces de circuit intègre 10 reportées selon des techniques classiques . L' invention propose principalement de réaliser la connexion 51 entre les plots de contact 11 de chaque puce 10 et les plages de connexion 18 par jet de matière conductrice 50. Cette matière conductrice 50 peut être composée de particules métalliques ou d'un polymère conducteur, par exemple.
Une tête d' éjection 55 dépose un jet de matière conductrice 50 de manière a réaliser une connexion 51 reliant chaque plot αe contact 11 d'une puce a la plage de connexion 18 correspondante. Avantageusement, le jet de matière conductrice 50 permet d'obtenir une connexion 51 fine et précise, quelque soit le motif des plages de connexion 18. En effet, il est possible d' imprimer un chemin de conduction non linéaire pour réaliser une connexion 51. Preferentiellement, une tête d' éjection 55 comportant une pluralité de buses utilisant une technologie piézoélectrique, ou « piezo », est utilisée pour réaliser les connexions 51. Cette technologie est avantageusement indépendante de la viscosité des matériaux a injecter et elle ne met pas en contact le matériau éjecté et les électrodes de mise en œuvre de la tête.
En outre, les tête d' éjection de type « piezo » sont actuellement parmi les plus rapides, et il est courant d'atteindre des fréquences disponibles de 12.24 et 40 kHz, ce qui permet de garantir des vitesses d'éjection de gouttes suffisamment rapides pour des applications industrielles. La résolution des buses de la tête d'éjection 55 est préferentiellement élevée, de 300 à 600 Dpi (Dot per inch en unité de mesure anglaise, points par pouce) , afin de garantir un tracé de piste de connexion 51 précis et dense si nécessaire.
Cette résolution des buses peut cependant évoluée avec la technique future.
L'isolation des tranches de chaque puce (si nécessaire) est préferentiellement réalisée par jet de matière isolante 60. Cette matière isolante 60 peut être composée d'une résine cationique à réticulation aux ultraviolets, par exemple, ou d'une résine de type thermopolymérisable, par exemple.
Une résine thermopolymérisable est chauffée avant d'être éjectée, et refroidi au contact du support 15 et de l'air ambiant. Une telle résine polymérise donc rapidement à l'air libre et son utilisation ne ralentit pas la cadence de production.
Dans le cas où une résine à réticulation aux ultraviolets est utilisée, une étape intermédiaire de polymérisation est alors réalisée, dans la continuité du procédé de fabrication, par un passage en ligne sous des lampes à ultraviolets.
Le jet de matière isolante 60 permet de bien maîtriser l'épaisseur et l'emplacement de la protection 61 déposée.
Une deuxième tête d'éjection 65 est alors utilisée. Cette tête 65 peut également être une tête « piézo » ou une tête d'éjection à jet continu dévié, ou une tête d'éjection thermique, par exemple.
Néanmoins, la technologie « piézo » constitue un mode de réalisation préférentiel. En effet, les matériaux utilisés dans les deux autres techniques doivent être de faible viscosité, et ils sont généralement soumis a un potentiel électrique entre la buse d' éjection et la goutte de matière a éjecter.
La resolution αes ouses de la tête d' éjection 65 peut être une resolution dite basse, par exemple de 65 a 100 Dpi. En effet, le niveau de précision n'est pas aussi important que αans la réalisation des connexions
51.
La protection de l'ensemble du micromodule (si nécessaire) est également réalisée par la technique du jet de matière.
Une troisième tête d' éjection 75 délivre un et de matière isolante 70 recouvrant l'ensemble de la face active de la puce 10 et les connexions 51.
Avantageusement, cette protection 71 constitue un film de protection épousant parfaitement la forme du micromodule et dont l'épaisseur est largement inférieure aux gouttes d' encapsulation généralement obtenues par la technique classique du « glob top ». Aucune étape de fraisage n' est par conséquent nécessaire.
Du fait que les différentes buses de la tête d' éjection 75 peuvent être commandées individuellement, la forme géométrique et l'épaisseur de la protection 71 seront parfaitement contrôlées. Il est ainsi possible de réaliser un enrobage de protection de la puce 10 et de ses connexions 51 qui corresponde a un volume complémentaire de la cavité dans laquelle le micromodule sera place, comme la cavité d'un corps de carte par exemple. La matière isolante 70 utilisée peut être une résine thermopolymérisable, par exemple.
La troisième tête d' éjection 75 est preferentiellement de type « piezo » comme les précédentes, mais elle peut également être thermique ou a jet continu dévie par exemple.
Les épaisseurs des couches de matière déposées respectivement pour l'isolation des tranches 61, la connexion 51 et la protection 71 dépendent de la résolution et du nombre de passage des têtes d' éjection 55, 65 et 75 respectives. Ainsi, pour une resolution de 600 Dpi, on obtient une couche présentant une épaisseur comprise entre 4 et 9 μm, alors que pour une resolution de 80 Dpi, l'épaisseur de la couche sera comprise entre 80 et 100 μm.
Le procède selon l'invention permet ainsi d'obtenir des micromodules d'épaisseur maîtrisée et avec une cadence de fabrication nettement supérieure a celle des procèdes classiques.
La figure 6 illustre schematiquement, en perspective, une des étape de dépôt de matière selon la présente invention, en l'occurrence l'étape d'isolation des tranches de puce. Selon un mode de réalisation préférentiel, les puces 10 sont disposées sur le film support 15 par rangée de deux.
Une double tête d' éjection 65 comprenant un important nombre de buses injectent de la matière isolante 60 sur les tranches de chaque puce 10.
Les trois têtes d' éjection 55, 65, 75 sont préferentiellement placées dans des systèmes en ligne afin de garantir une cadence de production maximale.
Selon les spécificités des têtes d' éjection 55, 65, 75 utilisées, différents types de montage peuvent être envisages pour la chaîne de production.
Par exemple, dans le cas ou le film support 15 défile de manière continue, l'utilisation de têtes présentant un grand nombre de buses d'éjection est souhaitable afin de tenir une cadence de production supérieure ou égale à 57000 pièces à l'heure.
Dans le cas où le film support 15 se déplace de façon indexée, l'utilisation de têtes présentant un petit nombre de buses d'éjection peut être envisageable sans compromettre la cadence de production. Il est alors possible dans ce cas de déplacer les têtes en plusieurs passages au dessus de chaque puce.
Il est évident que la cadence sera supérieure avec un film défilant en continu et des têtes d'éjection comportant un grand nombre de buses, néanmoins de telles têtes sont plus coûteuses.
Les étapes du procède de fabrication selon l'invention étant réalisées en série, la cadence globale sera imposée par l'étape de cadence la plus faible. Avec des fréquences de travail comprises entre 2 kHz et 40 kHz, et des résolution de tête d'éjection comprises entre 60 et 600 Dpi, on obtient une cadence minimale de 8 puces par seconde et par voie, pour une puce de 10 mm de longueur. Ainsi, les puces étant généralement disposées par rangées de deux sur le film support, la cadence minimale est de 57600 puces à 1' heure .
Les fréquences de travail et les résolutions des buses des têtes d'éjection sont susceptibles d'évoluer avec la technique future.
La résolution des points de matière dépend de l'application que l'on souhaite réaliser.
Ainsi, pour une connexion, la resolution peut être supérieure ou égale à 600 Dpi, alors que pour une isolation des tranches de la puce, la résolution peut être comprise entre 200 et 300 Dpi, et pour une protection mécanique par enrobage dans une résine, la résolution peut être seulement supérieure ou égale à 60 Dpi .
Dans le cas d'une connexion à 600 Dpi, et en fonction du matériau conducteur utilisé, les points obtenus peuvent présenter une épaisseur variant entre 4 et 9 μm avec un diamètre d'environ 60 μm. La connexion peut en outre être composée de plusieurs couches de points de matière conductrice.
La figure 7 illustre l'application du procédé selon l'invention à la réalisation d'une carte à puce.
Une puce de circuit intègre 10 est reportée dans la cavité 120 d'un corps de carte 200 préalablement décorée par des pistes de contact 19. Ces pistes 19 sont avantageusement réalisées par jet de gouttes de matière conductrice selon le procède décrit dans la présente invention.
Lors du report du micromodule 100 constitué par la puce 10 et par ses plages de connexions 18, ces dernières seront en liaison avec les plages de contact 19 pour une communication électrique.
Ainsi, dans une telle application, les pistes de contact 19, les plages de connexions 18 et les pistes de connexion entre ces éléments conducteurs peuvent être réalisés en tout ou partie par jet de gouttes de matière conductrice selon le procédé de l'invention.
La figure 8 illustre l'application du procédé selon l'invention à la réalisation d'une carte de circuit imprimé . Dans l'exemple illustré, une telle carte comporte des pistes conductrices Pi, des points de connexion 8 et un emplacement réserve 9 pour une puce de circuit intégré. Une telle carte peut également comporter au moins une capacité C, une résistance R et une antenne A.
Les pistes conductrices Pi, les points de connexions 8, la résistance R et l'antenne A peuvent être réalisés directement sur le support de la carte CI par jet de gouttes de matière conductrice.
Ces composants, ainsi que la puce, peuvent être protégés par enrobage dans une matière isolante déposée par jet de goutte de matière isolante. La carte de circuit imprimé CI peut également comprendre une capacité C réalisée selon le procédé de 1' invention .
La figure 9 illustre l'application du procédé selon l'invention à la réalisation d'une capacité. Une couche en matériau conducteur M peut être déposée par jet de gouttes de matière conductrice, sur laquelle on superpose une couche de matière isolante déposée par jet de gouttes de matière isolante, une deuxième couche en matériau conducteur M déposée de selon le même procédé terminant la capacité C.
Les électrodes El et E2 peuvent également être réalisée selon le procédé de jet de matière de la présente invention.
La figure 10 illustre l'application du procédé selon l'invention à la réalisation d'un empilement de puces de circuit intégré.
Une puce 10 de circuit intégré est reportée sur un support 15 muni de points de connexion 18. Une isolation des tranches de la puce 10 peut être réalisée selon le procède de l'invention par jet de matière isolante 61, puis la puce 10 est connectée aux points de connexion 18 par jet de matière conductrice 51. Une protection peut alors être réalisée par jet de matière isolante 71. Une seconde puce 10' , de dimensions inférieures à celle de la précédente, peut être reportée sur la première 10 et connectée aux pistes conductrices 51 de la première puce 10. On peut ainsi réaliser, avec le procédé selon l'invention, un empilement de puces de circuit intégré, connectées entre elles par jet de matière conductrice et protégées par enrobage dans de la matière isolante déposée par jet de matière. La pile de puces de circuit intégré ainsi obtenu est compacte et facile à connecter.
La figure 11 illustre l'application du procédé selon l'invention à la réalisation d'une antenne.
Les spires de l'antenne A sont réalisées par jet de matière conductrice sur un support diélectrique quelconque. L'utilisation du jet de matière permet de maîtriser parfaitement la forme de l'antenne A ainsi que l'espacement entre les spires qui peut être minimisé . Des points de connexion 8 sont réalisés, également par jet de matière conductrice, afin de permettre la connexion de l'antenne A à un autre composant électronique .
Selon le motif choisi, un pond isolant 80 est réalisé, par jet de matière isolante, par dessus les spires de l'antenne A afin d'amener les points de connexion 8 à un emplacement donné.
Les figures 12a et 12b illustrent l'application du procédé selon l'invention à la réalisation d'un module biface 300 avec des amenées de courant.
La figure 12a illustre la face arrière 305 du module et la figure 12b la face avant sur laquelle se trouve les contacts 306. Des perforations 310 sont réalisées dans le support du module 300 afin de permettre à des amenées de courant de connecter la face arrière 305 avec les plots de contact 11 de la face avant 306.
Selon l'invention, ces amenées de courant sont réalisées par jet de matière conductrice à travers les perforations 310.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique, comportant au moins un circuit électronique et/ou électrique, caractérisé en ce que tout ou partie dudit circuit est réalisé par jet de gouttes de matière.
2. Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que ledit circuit comporte des éléments ou composants conducteurs dont tout ou partie est réalisé par jet de gouttes de matière conductrice.
3. Procédé de fabrication selon la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que ledit circuit comporte des éléments isolants ou zones isolantes dont tout ou partie est réalisé par jet de gouttes de matière isolante .
. Procédé de fabrication selon la revendication 2 caractérisé en ce que l'élément conducteur est choisi parmi une piste conductrice, un circuit conducteur, une connexion, un plot ou point de connexion.
5. Procédé de fabrication selon la revendication 2 caractérisé en ce que l'élément conducteur est un composant électronique et/ou électrique.
6. Procédé de fabrication selon la revendication 5 caractérisé en ce que le composant est choisi parmi une résistance, un fusible, une self, une capacité, une antenne.
7. Procédé de fabrication selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite matière isolante constitue une protection mécanique ou constitue une isolation électrique d'un élément conducteur ou semi-conducteur.
8. Procède de fabrication selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite matière isolante est disposée entre les plans conducteurs d'une capacité ou d'un condensateur.
9. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1, 2 ou 4, une puce de circuit intégré (10) étant reportée sur un support (15) muni de points de connexion (18), caractérise en ce que les connexions entre les plots de contact (11) de la puce (10) et les points de connexion (18) sont réalisées par jet de gouttes de matière conductrice (50).
10. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1, 3, 7 ou 9, une puce de circuit intégré (10) étant reportée sur un support (15), caractérisé en ce qu' il comporte en outre une étape d'isolation des tranches de puce (10), l'isolation (71) étant réalisée par jet de gouttes de matière isolante (70) .
11. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1, 3, 7, 9 ou 10, une puce de circuit intégré (10) étant reportée sur un support (15) et connectée à des points de connexion (18), caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape d'enrobage par une matière isolante protectrice de la puce (10) et de ses connexions (51), ledit enrobage (61) étant réalisée par et de gouttes de matière isolante (60).
12. Procédé de fabrication selon la revendication 9, caractérisé en ce que la matière conductrice comporte des particules métalliques.
13. Procédé de fabrication selon la revendication 9, caractérisé en ce que la matière conductrice comporte un matériau polymère conducteur.
14. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 10 a 11, caractérise en ce que la matière isolante comporte une résine cationique à réticulation aux ultraviolets.
15. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 10 à 11, caractérisé en ce que la matière isolante comporte une résine thermopolymérisable .
16. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 9 a 11, caractérisé en ce que les jets de gouttes de matière conductrice et isolante sont réalisés au moyen de têtes d' éjection piézoélectrique (55, 65, 75) .
17. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 10 à 11, caractérisé en ce que les jets de gouttes de matière isolante sont réalisés au moyen de têtes d'éjection thermique (65, 75) .
18. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 10 à 11, caractérisé en ce que les jets de gouttes de matière isolante sont réalisés au moyen de têtes d'éjection à jet continu dévié (65, 75).
19. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 16 à 18, caractérisé en ce que les têtes d'éjection (55, 65, 75) comportent une pluralité de buses de manière à effectuer un unique passage par puce ( 10) .
20. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 16 à 18, le support (15) se déplaçant de manière indexée, caractérisé en ce que les têtes d'injection (55, 65, 75) effectuent plusieurs passages sur chaque puce (10) .
21. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 2 ou 4 à 6, caractérisé en ce que tout ou partie d'un élément ou composant électronique est réalisé sur un support, simultanément à sa connexion à des points de connexion, par jet de gouttes de matière conductrice.
22. Procédé de fabrication selon la revendication 21, caractérisé en ce que les points de connexion se situent sur un autre composant électronique.
23. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 2 ou , une pluralité de puces de circuit intégré étant disposées sur un support, caractérisé en ce que les connexions entre les puces, espacées les unes des autres, sont réalisées par jet de gouttes de matière conductrice.
24. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 à 2 ou 4, une pluralité de puces de circuit intégré étant disposées sur un support, caractérisé en ce que les connexions entre les puces, empilées les unes sur les autres, sont réalisées par jet de gouttes de matière conductrice.
25. Procède de fabrication selon la revendication 24, caractérise en ce qu'un dépôt de matière isolante entre les faces actives de chaque puce empilées est réalisé par jet de gouttes de matière isolante.
26. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 ou 3, caractérisé en ce qu'un pont isolant, situé entre des pistes conductrices croisées, est réalisé par et de gouttes de matière isolante.
27. Procédé de fabrication selon l'une des revendication 1 à 2 ou 4 , un support diélectrique perforé portant des plages de contact d'un module électronique et des amenées de courant étant réalisées sur la opposée, caractérisé en ce que lesdites amenées sont réalisées par jet de gouttes de matière conductrice à travers les perforations.
28. Dispositif électronique comportant un circuit électronique et/ou électrique, caractérisé en ce que tout ou partie dudit circuit se compose de points de matière obtenus par jet de gouttes de matière.
29. Dispositif électronique selon la revendication 28, caractérisé en ce que les points de matière présentent une résolution supérieure ou égale à 60 Dpi.
30. Dispositif électronique selon l'une des revendications 28 ou 29, caractérisé en ce que ledit dispositif comporte des éléments conducteurs dont tout ou partie se compose de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière.
31. Dispositif électronique selon l'une des revendications 28 ou 29, caractérise en ce que le dispositif comporte des éléments isolants ou zones isolantes dont tout ou partie se compose de points de matière isolante obtenus par jet de gouttes de matière.
32. Dispositif électronique selon la revendication
30, caractérise en ce que l'élément conducteur est choisi parmi une piste conductrice, un circuit conducteur, une connexion, un plot ou un point de connexion .
33. Dispositif électronique selon la revendication
30, caractérise en ce que l'élément conducteur est un composant électronique et/ou électrique.
34. Dispositif électronique selon la revendication
33, caractérise en ce que le composant est choisi parmi une résistance, un fusible, une self, une capacité, une antenne .
35. Dispositif électronique selon la revendication
31, caractérise en ce que la matière isolante constitue une protection mécanique d'éléments conducteurs.
36 Dispositif électronique selon la revendication 31, caractérise en ce que la matière isolante constitue une isolation électrique d'éléments conducteurs.
37. Dispositif électronique selon la revendication 36, caractérise en ce que la matière isolante est disposée entre les plans conducteurs d'une capacité ou d'un condensateur.
38. Dispositif électronique selon la revendication 31, caractérise en ce que la matière isolante constitue un support du dispositif tel qu'une carte, ou un film support, ou un enrobage.
39. Dispositif électronique selon l'une des revendications 28 ou 29, caractérise en ce que le circuit comporte au moins une puce de circuit intégré.
40. Dispositif électronique selon la revendication 39, caractérise en ce que le circuit comporte une pluralité de puce de circuit intègre empilées, les connexions entre lesdites puces se composant de points de matière conductrice obtenus par jet de matière.
41. Dispositif électronique selon la revendication 40, caractérise en ce que le circuit comporte en outre une isolation entre les faces actives de chaque puce empilée, l'isolation se composant de points de matière isolante obtenus par jet de matière.
42. Module électronique biface comportant des plages de contact sur un support diélectrique, le support comportant des perforations respectivement au niveau de chaque plage de contact et comportant des amenées de courant sur la face opposée du support à travers lesdites perforations, caractérise en ce que les amenées de courant se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de matière.
43. Elément conducteur tel qu'une antenne ou une résistance, caractérise en ce que tout ou partie dudit élément et sa connexion a des points de connexion se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de matière.
44. Dispositif électronique portable tel qu'une carte à puce a contact, caractérisé en ce que les plages de contact (19) de la carte, se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de matière .
45. Dispositif électronique portable tel qu'une carte à puce sans contact ou tel qu'une étiquette électronique, caractérisé en ce que l'antenne et la connexion des plots de contact (11) de la puce (10) à l'antenne se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de matière.
46. Circuit imprimé comprenant des pistes conductrices déposées sur un support, caractérise en ce que les pistes se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière conductrice .
47. Carte de circuit imprimé comportant des composants électroniques et/ou électriques, des pistes conductrices, et des points de connexion disposés sur un support, caractérisé en ce que les pistes et les points de connexion se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière conductrice .
48. Carte selon la revendication 47, caractérisé en ce que les connexions des composants aux pistes conductrices ou points de connexion se composent de points de matière conductrice obtenus par jet de gouttes de matière conductrice.
49. Carte selon la revendication 47, caractérisé en ce que les composants sont protégés par une couche de matière isolante constituée de points de matière isolante obtenus par jet de gouttes de matière isolante .
PCT/FR2000/001551 1999-06-15 2000-06-07 Procede de fabrication de tout ou partie d'un dispositif electronique par jet de matiere WO2000077854A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU54122/00A AU5412200A (en) 1999-06-15 2000-06-07 Method for making all or part of an electronic device by material jet spraying

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9907588A FR2795234B1 (fr) 1999-06-15 1999-06-15 Procede de fabrication de tout ou partie d'un dispositif electronique par jet de matiere
FR99/07588 1999-06-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2000077854A1 true WO2000077854A1 (fr) 2000-12-21

Family

ID=9546840

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2000/001551 WO2000077854A1 (fr) 1999-06-15 2000-06-07 Procede de fabrication de tout ou partie d'un dispositif electronique par jet de matiere

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU5412200A (fr)
FR (1) FR2795234B1 (fr)
WO (1) WO2000077854A1 (fr)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10113497A1 (de) * 2001-03-20 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für eine integrierte Schaltung
EP1346616A1 (fr) * 2000-12-29 2003-09-24 Allgon Mobile Communications AB Production de systemes d'antennes
EP1381080A2 (fr) 2002-07-09 2004-01-14 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Panneau avec des composants enterrés et méthode de fabrication associée
EP1855514A1 (fr) * 2006-05-10 2007-11-14 AMC Centurion AB Production de systemes d'antennes
CN100377628C (zh) * 2003-03-11 2008-03-26 精工爱普生株式会社 图形的形成方法、图形形成装置以及器件的制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2823011B1 (fr) * 2001-03-30 2004-11-19 Gemplus Card Int Connexion par depot de cordon conductrice sur zone de raccordement delimitee par masque isolant
WO2007107299A1 (fr) * 2006-03-17 2007-09-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Procédé de fabrication d'un composant électronique actif ou passif et composant électronique
US7416938B2 (en) * 2006-03-31 2008-08-26 Intel Corporation Inkjet patterning for thin-film capacitor fabrication, thin-film capacitors fabricated thereby, and systems containing same
US8048691B2 (en) * 2008-06-30 2011-11-01 Konica Minolta Holdings, Inc. Wiring forming method

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0486393A1 (fr) * 1990-11-16 1992-05-20 Centre National De La Recherche Scientifique Procédé sol-gel de dépôt de couches minces par pulvérisation ultrasonore
US5132248A (en) * 1988-05-31 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Direct write with microelectronic circuit fabrication
US5140937A (en) * 1989-05-23 1992-08-25 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for forming three-dimensional article
EP0615285A2 (fr) * 1993-03-11 1994-09-14 Btg International Limited Montage d'un circuit électronique sur un substrat
JPH09245698A (ja) * 1996-03-01 1997-09-19 Canon Inc 電子放出素子、電子源基板、及び画像形成装置の製造方法
US5877093A (en) * 1995-10-27 1999-03-02 Honeywell Inc. Process for coating an integrated circuit device with a molten spray
WO1999019900A2 (fr) * 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Procede de formation d'un dispositif electronique
EP0924756A2 (fr) * 1997-12-16 1999-06-23 Nordson Corporation Procédé pour l'encapsulation d'une puce du type à connexion par fil

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5132248A (en) * 1988-05-31 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Direct write with microelectronic circuit fabrication
US5140937A (en) * 1989-05-23 1992-08-25 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for forming three-dimensional article
EP0486393A1 (fr) * 1990-11-16 1992-05-20 Centre National De La Recherche Scientifique Procédé sol-gel de dépôt de couches minces par pulvérisation ultrasonore
EP0615285A2 (fr) * 1993-03-11 1994-09-14 Btg International Limited Montage d'un circuit électronique sur un substrat
US5877093A (en) * 1995-10-27 1999-03-02 Honeywell Inc. Process for coating an integrated circuit device with a molten spray
JPH09245698A (ja) * 1996-03-01 1997-09-19 Canon Inc 電子放出素子、電子源基板、及び画像形成装置の製造方法
WO1999019900A2 (fr) * 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Procede de formation d'un dispositif electronique
EP0924756A2 (fr) * 1997-12-16 1999-06-23 Nordson Corporation Procédé pour l'encapsulation d'une puce du type à connexion par fil

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 01 30 January 1998 (1998-01-30) *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1346616A1 (fr) * 2000-12-29 2003-09-24 Allgon Mobile Communications AB Production de systemes d'antennes
US7480979B2 (en) 2000-12-29 2009-01-27 Amc Centurion Ab Production of antenna devices
DE10113497A1 (de) * 2001-03-20 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für eine integrierte Schaltung
EP1381080A2 (fr) 2002-07-09 2004-01-14 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Panneau avec des composants enterrés et méthode de fabrication associée
EP1381080A3 (fr) * 2002-07-09 2005-08-03 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Panneau avec des composants enterrés et méthode de fabrication associée
US7707713B2 (en) 2002-07-09 2010-05-04 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Component-embedded circuit board fabrication method
US7793412B2 (en) 2002-07-09 2010-09-14 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Component-embedded board fabrication method
CN100377628C (zh) * 2003-03-11 2008-03-26 精工爱普生株式会社 图形的形成方法、图形形成装置以及器件的制造方法
EP1855514A1 (fr) * 2006-05-10 2007-11-14 AMC Centurion AB Production de systemes d'antennes

Also Published As

Publication number Publication date
FR2795234B1 (fr) 2003-07-18
AU5412200A (en) 2001-01-02
FR2795234A1 (fr) 2000-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0970438B1 (fr) Procede de fabrication de carte a puce ou dispositif electronique analogue
EP0671705B1 (fr) Procédé de fabrication d'une carte hybride
WO1998026372A1 (fr) Procede de realisation d'une carte a memoire electronique sans contact
WO2000055808A1 (fr) Procede de fabrication pour dispositif electronique du type carte sans contact
EP1141887B1 (fr) Procede de fabrication de carte a puce sans contact
EP1076882B1 (fr) Carte a circuit integre comportant un bornier d'interface et procede de fabrication d'une telle carte
EP1151471A1 (fr) Procede de protection de puce de circuit integre
CA2283692A1 (fr) Module electronique pour carte a puce
EP3166143A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif a puce de circuit integre par depot direct de matiere conductrice
EP0772232A1 (fr) Procédé de fabrication d'un ensemble de modules électroniques pour cartes à mémoire électronique
WO2000077854A1 (fr) Procede de fabrication de tout ou partie d'un dispositif electronique par jet de matiere
EP0925553B1 (fr) Procede de fabrication d'un ensemble de modules electroniques pour cartes a memoire sans contact
FR2794266A1 (fr) Procede de fabrication de dispositif electronique portable a circuit integre comportant un dielectrique bas cout
EP1724712A1 (fr) Micromodule, notamment pour carte à puce
EP1084482B1 (fr) Procede de fabrication d'une carte a circuit integre et carte obtenue
FR2779255A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif electronique portable comportant au moins une puce de circuit integre
WO2000031686A1 (fr) Procede de fabrication de carte a puce a contact affleurant utilisant une etape de gravure au laser et carte a puce obtenue par le procede
WO2001009828A1 (fr) Procede de fabrication d'une carte a puce a contact
EP1190379B1 (fr) Procede de fabrication de cartes a puce a contact avec dielectrique bas cout
FR2791471A1 (fr) Procede de fabrication de puces de circuits integres
FR2812428A1 (fr) Procede de fabrication d'un micromodule de carte a puce et carte a puce incluant un tel micromodule
FR2798225A1 (fr) Micromodule electronique et procede de fabrication et d'integration de tels micromodules pour la realisation de dispositifs portatifs
FR2779272A1 (fr) Procede de fabrication d'un micromodule et d'un support de memorisation comportant un tel micromodule
WO2000048250A1 (fr) Procede de fabrication de support de memorisation portable de type carte a puce
WO2002084586A1 (fr) Connexion par depôt de cordon de matiere visqueuse conductrice sur zone de raccordement délimitée par masque isolant

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY CA CH CN CR CU CZ DE DK DM DZ EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR TT TZ UA UG US UZ VN YU ZA ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE BF BJ CF CG CI CM GA GN GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP