WO1992006224A1 - Verfahren und einrichtung zum beschichten von teilen - Google Patents

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WO1992006224A1
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Gerda Mutschler
Günter Schneider
Gerhard Waller
Gerhard Benz
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Robert Bosch Gmbh
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    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges

Definitions

  • the invention relates to a method and a device for coating parts according to the preamble of claims 1 and 5.
  • the chemically pre-cleaned parts are freed from contamination by a sputter etching process within a vacuum chamber.
  • the surface of the components is exposed to an intensive bombardment of ions, which removes approx. 50 to 100 n from the surface.
  • the efficiency of this process is inversely related to the process pressure and directly related to the number of available ions.
  • the layer that forms should be exposed to constant ion bombardment, which on the one hand removes loosely adhering layer parts and on the other hand causes a compaction of the layer (ion plating effect).
  • a large number of ions is required at a low process pressure.
  • the current solutions for process step 1 are direct voltage or high-frequency glow discharges which are coupled directly to the components or plasma sources such as sputter cathodes or arc discharges from which the ions are drawn onto the component. All of these methods have specific problems such as high process pressure in the recipient, low plasma ionization or difficult component coupling to the high frequency.
  • the plasma density is often very low and mostly dependent on the coating rate, so that the ion bombardment of the layer and the coating rate cannot be selected independently.
  • the method according to the invention with the characterizing features of the main claim has the advantage that a high ion density can be generated even at low pressures by introducing a plasma etching device which generates a plasma according to the principle of electron cyclotron resonance. In this way it is possible to run the etching process very efficiently at process pressures of less than 10 Pa. Furthermore, the transition from etching to coating can take place without any interruption in the process and can be controlled independently as a result of the pressure compatibility of the plasma source with conventional shielding sources and the physical independence of the plasma source and coating source. In addition, both the improved etching process before the coating and the increased ion bombardment during the coating mean that the temperature of the substrates can be reduced and thus temperature-sensitive parts can also be coated.
  • Magnetic fields which originate from magnets attached in the device, force the moving electrons of the plasma into a circular path and thus increase the ion density in the space in front of the magnets due to the increased collision rate.
  • microwave energy coupled in by the microwave antennas is selected in its frequency so that it is in resonance with the electrons moving on circular orbits, a large ion density in the plasma is achieved by the optimal energy absorption.
  • the antenna length limits the antenna length to approx. 1/4 of the wavelength of the microwave radiation avoids mutual interference between the antennas and reduces the load and the resulting heating of the coaxial lines. If the antennas are surrounded by waveguides, the output of which points in the direction of a magnet, it is achieved that the coupled microwave power is directed almost completely onto the area in front of the magnet.
  • a force component acts on the ions, which directs them to the parts to be coated.
  • the application of a high-frequency potential makes it possible to expose non-conductive parts to increased ion bombardment, with frequencies in the 100 KHz range being sufficient.
  • an electron cyclotron resonance plasma source in a coating system is a very advantageous method with which a plasma can be generated at very low pressures, which serves as an ion supplier for an etching and coating process.
  • a plasma can be generated at very low pressures, which serves as an ion supplier for an etching and coating process.
  • FIG. 1 shows a top view in a simplified representation of a coating system with two coating stations.
  • FIGS. 2 and 3 show a magnet arrangement and a microwave antenna.
  • a microwave antenna with a waveguide is shown in section in FIG. description
  • Figure 1 shows a coating system 10, which is surrounded by an airtight outer jacket 12.
  • the coating system 10 has a pump 14 with which the system can be evacuated. Flanged onto the outer jacket 12, two coating positions 16 are diametrically opposed, which are equipped with known magnetron sputter cathodes 18.
  • the coating system 10 also has a rotating basket 20 for receiving parts (not shown) to be coated, which extends almost over the entire height of the coating system 10 and is centrally rotatably fastened.
  • each magnet 22 consists of three mutually parallel rows of individual magnets 26, 28, 30, which are arranged with alternating magnetization and are parallel to the axis of the coating system 10 extend, pie two outer magnet rows 26, 30, which are of the same magnetization orientation, have a greater length than the middle magnet row and are each at the upper and our ends via a magnet. 32 or 34 of the same orientation connected. This results in a localization of the magnetic field on a toroidal area in front of the magnet 22.
  • the magnets 22 consist of Sm-Co and meet the electron cyclotron resonance condition approx. 1 cm in front of their surface (magnetic field strengths 87.5 mT at 2.45 GHz) ).
  • Microwave antennas 36 are attached in the immediate vicinity, laterally or directly in front of the magnets 22, the antenna rods 38 of which extend parallel to the axis of the coating system 10.
  • the Microwave antennas 36 are guided through the bottom of the coating system 10 by means of a vacuum feed-through 40 (FIG. 3).
  • a vacuum feed-through 40 At the outer end 42 of the microwave antenna 36, as seen from the coating system 10, there is a coaxial cable connection 44 via which the microwave antenna 36 is connected to a microwave generator (not shown).
  • a line 46 leads from the cable connection 44 to the antenna rod 38, from where the microwave is emitted into the coating system 10.
  • the microwave antenna 36 is provided below the antenna rod 38 with a vapor protection 48 in the form of a round plate.
  • the length of the antenna rods 38 is approximately 3 to 4 cm, which corresponds to approximately a quarter of the wavelength of the microwave radiation fed in.
  • the microwave is directed onto the magnets 22 by means of hollow conductors 52 surrounding the antenna rods 38 (FIG. 4).
  • the ions generated can be pulled out of the plasma by applying a high negative potential (approx. 0.5 to 1 kV) to the rotating basket and thus to the parts to be coated, and can be used for sputter etching of the substrates.
  • a high-frequency potential approximately 0.5 to 1 kV
  • the rotary basket 20 transfers the parts into the coating positions in front of the magnetron sputtering cathodes 18.
  • the electron cyclotron resonance plasma sources achieve the following:
  • layer deposition also takes place outside the actual coating zones 54.
  • layer-forming gases eg acetylene
  • layer deposition also takes place outside the actual coating zones 54.
  • layer-forming gases eg acetylene
  • layer-forming gases eg acetylene
  • sputter sources a known technique for producing, for example, metal-containing carbon layers. Since this layer deposition from the gas phase must be in equilibrium with the metal deposition in front of the magnetron sputtering cathodes 18, the latter can be operated with higher output, which leads overall to higher coating rates and thus to shorter coating times.
  • An extremely efficient electron cyclotron resonance plasma source which can also be retrofitted in almost any coating recipient, essentially contains the individual parts: one or more magnets 22, the length of which is appropriate to the height of the coating system 10, which is approximately 1 cm above their surface meet the electron cyclotron resonance condition and are provided with a vapor protection 24; Microwave antennas 36, with a coaxial connection 44, a vacuum feed-through 40, an evaporation protection 48 and a short antenna rod 38. Waveguide elements 52 can be provided to improve the efficiency.
  • a plasma can be generated which can serve as an ion supplier for both etching and coating processes.
  • the pressure range in which the plasma is ignited is compatible with the conventional magnetron sputtering or electron beam evaporation devices.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum Beschichten von tribologisch hochbeanspruchten Teilen insbesondere von Komponenten von Kraftstoffeinspritzeinlagen. Es wird vorgeschlagen, in die Beschichtungsanlage (10) eine oder mehrere Plasmaätzvorrichtungen einzubauen, die nach dem Prinzip der Mikrowellen-Elektron-Zyklotron-Resonanz arbeiten. Die zu beschichtenden Teile können dadurch vor dem Beschichten durch einen Sputter-Ätzprozeß, der unter sehr guten Vakuumbedingungen abläuft, gereinigt werden.

Description

,
Verfahren und Einrichtung zum Beschichten von Teilen
Stand der Technik
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Einrichtung zum Beschichten von Teilen nach der Gattung der Ansprüche 1 und 5.
In einem bevorzugten Anwendungsgebiet, dem Werkzeugbau, wird die Veredelung von Werkzeugen mit verschleißarmen, harten Schichten schon seit einigen Jahren durchgeführt. Will man die bekannten Verfahren wie Aufdampf- oder Sputtertechnik auf die Beschichtung von tribologisch, d. h. durch Reibung und Verschleiß, hoch beanspruchten Bauteilen übertragen, z. B. auf Komponenten von Kraftstoffeinspritz- anlagen, so ist neben den Verschleißeigenschaften der Schicht eine reproduzierbar gute Schichthaftung von großer Bedeutung.
Bei diesen vakuumtechnischen Beschichtungsprozessen sind zwei Ver¬ fahrensschritte für die Schichtha tung entscheidend:
1. Die chemisch vorgereinigten Teile werden durch einen Sputter- ätzprozeß innerhalb einer Vakuumkammer von Kontaminationen befreit. Dazu wird die Oberfläche der Bauteile einem intensiven Beschüß von Ionen ausgesetzt, durch den ca. 50 bis 100 n von der Oberfläche abgetragen werden. Die Effizienz dieses Prozesses steht dabei im umgekehrten Ver¬ hältnis zum Prozeßdruck und im direkten Verhältnis zur Zahl der verfügbaren Ionen.
2. Während der Beschichtung sollte die sich bildende Schicht einem ständigen Ionenbeschuß ausgesetzt sein, der zum einen lose haftende Schichtteile wieder entfernt, zum anderen eine Kompak- tierung der Schicht bewirkt (Ionplating-Effekt) . Auch hier ist eine große Ionenzahl bei geringem Prozeßdruck ge¬ fordert.
Die heute gängigen Lösungen für den Verfahrensschritt 1. sind Gleichspannungs- oder Hochfrequenz-Glimmentladungen, welche direkt an die Bauteile angekoppelt sind bzw. Plasmaguelllen wie Sputter- kathoden oder Bogenentladungen, aus denen die Ionen auf das Bauteil gezogen werden. All diese Verfahren haben spezifische Probleme wie hoher Prozeßdruck im Rezipienten, geringe Plasmaionisierung oder schwierige Bauteilankβpplung an die Hochfrequenz.
Während des Beschichtungsprozesses ist bei den heute üblichen Beschichtungsverfahren die Plasmadichte oft recht gering und meist abhängig von der Beschichtungsrate, so daß der Ionenbeschuß der Schicht und die Beschichtungsrate nicht unabhängig gewählt werden können.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß durch das Ein¬ bringen einer Plasmaätzvorrichtung, die ein Plasma nach dem Prinzip der Elektron-Zyklotron-Resonanz erzeugt auch bei niedrigen Drücken eine hohe lonendichte generiert werden kann. Auf diese Weise ist es möglich, den Ätzprozeß bei Prozeßdrücken kleiner 10 Pa sehr effizient ablaufen zu lassen. Des weiteren kann der Übergang vom Ätzen zum Beschichten in Folge der Druckkompatibilität der Plasmaquelle mit herkömmlichen Beschientungsquellen sowie der physikalischen Unabhängigkeit von Plasmaquelle und Beschichtungs- guelle ohne Prozeßunterbrechung ablaufen und unabhängig gesteuert werden. Außerdem führen sowohl der verbesserte Ätzprozeß vor der Beschichtung als auch der verstärkte Ionenbeschuß während der Beschichtung dazu, daß die Temperatur der Substrate gesenkt werden kann und somit auch temperaturempfindliche Teile beschichtet werden können.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vor¬ teilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der im Hauptanspruch angegebenen Einrichtung möglich.
Magnetfelder, die von in der Einrichtung angebrachten Magneten her¬ rühren, zwingen den sich bewegenden Elektronen des' Plasmas eine kreisförmige Bahn auf und erhöhen somit wegen der erhöhten Stoßrate die Ionendichte im Raum vor den Magneten.
Wenn die von den Mikrowellenantennen eingekoppelte Mikrowellen¬ energie in ihrer Frequenz so gewählt wird, daß sie in Resonanz mit den sich auf kreisförmigen Bahnen bewegenden Elektronen ist, wird durch die optimale Energieaufnahme eine große Ionendichte im Plasma erreicht.
Das Begrenzen der Antennenlänge auf ca. 1/4 der Wellenlänge der Mikrowellenstrahlung vermeidet eine gegenseitige Beeinflussung der Antennen untereinander und verringert die Belastung und die daraus resultierende Erwärmung der koaxialen Leitungen. Werden die Antennen von Hohlleitern umgeben, deren Ausgang in Rich¬ tung eines Magneten weist, so wird erreicht, daß die eingekoppelte Mikrowellenleistung fast vollständig auf den Bereich vor den Magneten gelenkt wird.
Durch das Anlegen eines negativen Potentials an die zu beschichten¬ den Teile wirkt auf die Ionen eine Kraftkomponente, die sie ver¬ stärkt auf die zu beschichtenden Teile lenkt. Das Anlegen eines hochfrequenten Potentials ermöglicht es, nichtleitende Teile einem erhöhten Ionenbeschuß auszusetzen, dabei reichen Frequenzen im 100 KHz-Bereich aus.
Insgesamt stellt die Integration einer Elektron-Zyklotron-Reso¬ nanz-Plasmaquelle in eine Beschichtungsanläge ein sehr vorteilhaftes Verfahren dar, mit dem bei sehr niedrigen Drücken ein Plasma erzeugt werden kann, welches als Ionenlieferant für einen Atz- und Beschich- tungsprozeß dient. Durch den erfindungsgemäßen Aufbau, der keine räumliche Festlegung der Einzelkomponenten vorsieht und vakuum¬ technisch sehr einfach gestaltet ist, kann es nahezu in jedem Beschichtungsrezipienten auch nachträglich eingebaut werden.
Zeichnung
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dar¬ gestellt und in der nachfolgenden Beschreibung unter Angabe weiterer Vorteile näher erläutert. Es zeigt die Figur 1 eine Draufsicht in vereinfachter Darstellung auf eine Beschichtungsanlage mit zwei Beschichtungsstationen. Die Figuren 2 und 3 zeigen eine Magnet¬ anordnung und eine Mikrowellenantenne. In der Figur 4 ist eine Mikrowellenantenne mit einem Hohlleiter im Schnitt gezeigt. Beschreibung
Die Abbildung 1 'zeigt eine Beschichtungsanlage 10, die von einem luftdichten Außenmantel 12 umgeben ist. Die Beschichtungsanlage 10 weist eine Pumpe 14 auf, mit der sich die Anlage evakuieren läßt. Am Außenmantel 12 angeflanscht liegen sich zwei Beschichtungspositionen- 16 diametral gegenüber, die mit bekannten Magnetron-Sputterkathoden 18 ausgerüstet sind. Die Beschichtungsanlage 10 besitzt ferner einen Drehkorb 20 zur Aufnahme von nicht dargestellten zu beschichtenden Teilen, der sich fast über die gesamte Höhe der Beschichtungsanlage 10 erstreckt und zentral drehbar befestigt ist.
In der Nähe der Beschichtungspositionen 16 befinden sich vier Magnete 22. Diese sind jeweils am Außenmantel 12 befestigt und von von Blechen 24 abgedeckt, welche als Beschichtungsschütz der Magneten 22 dienen. Die Länge der Magneten 22 entspricht ungefähr der Höhe des Drehkorbes 20. In Längsrichtung (Fig. 2) besteht jeder Magnet aus drei zueinander parallelen Reihen von Einzelmagneten 26, 28, 30, die mit abwechselnder Magnetisierung angeordnet sind und sich parallel zur Achse der Beschichtungsanlage 10 erstrecken, pie beiden äußeren Magnetreihen 26, 30, die von gleicher Magnetisie¬ rungsorientierung sind, besitzen eine gegenüber der mittleren Magnetreihe größere Länge und sind am oberen und unseren Ende über jeweils einen Magneter. 32, bzw. 34 gleicher Orientierung verbunden. Hierdurch erhält man eine Lokalisierung des Magnetfelds auf einen torusförmigen Bereich vor dem Magneten 22. Die Magnete 22 bestehen aus Sm-Co und erfüllen ca. 1 cm vor ihrer Oberfläche die Elektron-Zyklotron-Resonanzbedingung (Magnetfeldstärken 87,5 mT bei 2,45 GHz) .
In unmittelbarer Nähe, seitlich oder auch direkt vor den Magneten 22, sind Mikrowellenantennen 36 angebracht, deren Antennenstäbe 38 sich parallel zur Achse der Beschichtungsanlage 10 erstrecken. Die Mikrowellenantennen 36 sind mittels einer Vakuumdurchführung 40 (Figur 3) durch den Boden der Beschichtungsanlage 10 hindurchge¬ führt. Am von der Beschichtungsanlage 10 aus gesehenen äußeren Ende 42 der Mikrowellenantenne 36 befindet sich ein koaxialer Kabel¬ anschluß 44 über den die Mikrowellenantenne 36 mit einem nicht dar¬ gestellten Mikrowellenerzeuger verbunden wird. Vom Kabelanschluß 44 führt eine Leitung 46 zum Antennenstab 38, von wo aus die Mikrowelle in die Beschichtungsanlage 10 abgestrahlt wird. Die Mikrowellen¬ antenne 36 ist unterhalb des Antennenstabs 38 mit einem Bedampfungs- schutz 48 in Form einer runden Platte versehen. Die Länge der Antennenstäbe 38 beträgt ca. 3 bis 4 cm, was ungefähr einem Viertel der Wellenlänge der eingespeisten Mikrowellenstrahlung entspricht.
In den schraffierten Bereichen 50 der Abbildung 1 wird bei
-2 geeigneten Druckbedingungen (P '*^>,10 - 10 Pa) ein Plasma gezündet.
Um die zur Verfügung stehende Mikrowellenleistung besser nützen zu können, wird mittels die Antennenstäbe 38 umschließenden Hohleitern 52 die Mikrowelle auf die Magnete 22 gerichtet (Figur 4).
Es ist ausreichend, die Mikrowellen auf einen Teilbereich des Magneten 22 einzustrahlen. Das dort erzeugte Plasma breitet sich infolge einer Driftbewegung der Elekronen über den gesamten torus- förmigen Bereich des Magnetfeldes aus. Dieser Drift beruht auf einer Kraftkomponente, die in inhomogenen Magnetfeldern auftritt, F* ^B x B*.
Die erzeugten Ionen können durch Anlegen eines hohen negativen Potentials (ca. 0,5 bis 1 kV) an den Drehkorb und damit an die zu beschichtenden Teile aus dem Plasma herausgezogen werden und eine Sputterätzreinigung der Substrate bewirken. Durch Anlegen eines hochfrequenten Potentials an die Substrate ist es auch möglich, nicht leitende Substrate durch Ionenbeschuß zu reinigen. Dabei ist es nicht notwendig mit Frequenzen im Megahertzbereich zu arbeiten. Es reichen vielmehr die einfacher handhabbaren Frequenzen im Bereich von ca. 100 kHz aus, bei denen auf exakte Senderanpassung durch Anpaßnetzwerke verzichtet werden kann.
Unmittelbar nach Beendigung des Atzprozesses, bei dem die zu beschichtenden Teile von Verunreinigungen befreit worden sind, überführt der Drehkorb 20 die Teile in die Beschichtungspositionen vor den Magnetronsputterkathoden 18.
Während des Beschichtungsprozesses wird durch die Elektron-Zy¬ klotron-Resonanz-Plasmaquellen folgendes erreicht:
1. Durch Anlegen einer geringen Grundspannung (20 bis 100 V) an die zu beschichtenden Teile wird ein ständiger Ionenbeschuß bewirkt, der fortlaufend die Oberfläche reinigt und die sich bildende Schicht kompaktiert.
2. Bei Verwendung reaktiver Gase wird in den Plasmazonen 50 eine zusätzliche Aktivierung der Gase erreicht.
3. Bei Verwendung schichtbildender Gase (z. B. Azetylen) findet auch außerhalb der eigentlichen Beschichtszonen 54 eine Schicht- abscheidung statt. (Die gleichzeitige Verwendung schicht- bildender Gase in einem Plasma CVD-Prozeß (Chemical Vapoor Deposition) und von Sputterquellen ist eine bekannte Technik, um z. B. metallhaltige Kohlenstoffschichten herzustellen). Da diese Schichtabscheidung aus der Gasphase im Gleichgewicht sein muß mit der Metallabscheidung vor den Magnetronsputterkathoden 18, können letztere mit höherer Leistung betrieben werden, was insgesamt zu größeren Beschichtungsraten und somit zu geringeren Beschichtungszeiten führt. Eine äußerst effiziente Elektron-Zyklotron-Resonanz-Plasmaquelle, die nahezu in jedem Beschichtungsrezipienten auch nachträglich eingebaut werden kann, enthält im wesentlichen die Einzelteile: Einen oder mehrere Magnete 22, die in ihrer Länge der Höhe der Beschichtungsanlage 10 angemessen sind, die ca. 1 cm über ihrer Oberfläche die Elektron-Zyklotron-Resonanzbedingung erfüllen und mit einem Bedampfungsschutz 24 versehen sind; Mikrowellenantennen 36, mit einem koaxialen Anschluß 44, einer Vakuumdurchführung 40, einem Bedampfungsschutz 48 und einem kurzen Antennenstab 38. Zur Ver¬ besserung der Effizienz können Hohlleiterelemente 52 vorgesehen sein. Mit dieser Plasmaquelle läßt sich ein Plasma erzeugen, welches als lonenlieferant sowohl für Ätz- als auch Beschichtungsprozesse dienen kann. Der Druckbereich, in dem das Plasma gezündet wird, ist kompatibel mit den üblichen Magnetronsputter- bzw. Elektronen¬ strahl-Verdampfungseinrichtungen.

Claims

Ansprüche
1. Verfahren zum Beschichten von tribologisch hoch beanspruchten Teilen, insbesondere von Komponenten von Kraftstoffeinspritz¬ anlagen, vorzugsweise mittels Sputter-Technik, dadurch gekennzeichnet, daß dem Beschichtungsvorgang ein Plasmaätzprozeß vorausgeht, bei dem das Plasma nach dem Prinzip der Elektron-Zyklotron-Resonanz erzeugt wird und daß der Beschichtungs¬
I * vorgang und der Plasmaätzprozeß im gleichen Vakuum erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß während des Beschichtungsvorganges die zu beschichtenden Teile einem Ionen¬ beschuß ausgesetzt werden, wobei die Ionen durch ein mittels Elektron-Zyklotron-Resonanz erzeugten Plasmas generiert werden.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß die Beschichtung mittels schichtbildender Gase in einem Plasma CVD-Prozeß (chemical vapoor deposition) erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung gleichzeitig mittels schichtbildender Gase und Sputter- quellen erfolgt.
5. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung mittels einer oder mehrerer Magnetron-Sputterkathoden (18) und/oder mittels schichtbildender Gase in einem Plasma CVD-Prozeß erfolgt und daß in die Einrichtung (10) eine oder mehrere Plasmaätzvorrichtungen eingebaut sind, die nach dem Prinzip der Elektron-Zyklotron-Resonanz arbeiten.
6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß an einer oder mehreren Stellen der Einrichtungsperipherie (12) Magnete (22) vorzugsweise in der Nähe der Magnetron-Sputterkathoden (18) ange¬ bracht sind.
7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß sich der/die Magnete (22) über fast die gesamte Höhe bzw. Länge der Beschichtungseinrichtung (10) erstrecken.
8. Einrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß in der Nähe der Magnete (22) Mikrowellenantennen (36) zur Einkopplung von Mikrowellen angebracht sind.
9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Mikrowellenantennen (36) kurze Antennenstäbe (38) mit einer Antennenstablänge von ca. 1/4 der Wellenlänge der Mikrowellen¬ strahlung besitzen.
10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß eine oder jede Mikrowellenantenne (36) von einem Hohl¬ leiter (52) umgeben ist, dessen Ausgang in Richtung eines Magneten (22) weist.
11. Einrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß zur Aufnahme der zu beschichtenden Teile ein Drehkorb (20) vorgesehen ist.
12. Einrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß an die zu beschichtenden Teile ein negatives Potential angelegt ist.
13. Einrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß an die zu beschichtenden Teile ein hochfrequentes Potential angelegt ist.
14. Einrichtung nach einer der Ansprüche 5 bis 13, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß in der Beschichtungseinrichtung (10) ein Druck
-2 zwischen 10 und 10 Pa herrscht.
15. Einrichtung nach Anspruch 5, die folgende Teile enthält:
a) Magnete (22), die ca. 1 cm über ihrer Oberfläche die Elektron-Zyklotron-Resonanzbedingung erfüllen, b) Bedampfungsschutz (24) für die Magnete (22), c) Mikrowellenantennen (36) mit einem koaxialen Anschluß (44), einer Vakuumdurchführung (40), einem Bedampfungsschutz (48) und einem kurzen Antennenstab (38),
16. Einrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß ein oder mehrere, die Antennenstäbe (38) umfassende Hohlleiterelemente vorgesehen sind.
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