TWM556405U - 晶圓切割後暫時性擴張裝置 - Google Patents

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TWM556405U
TWM556405U TW106214674U TW106214674U TWM556405U TW M556405 U TWM556405 U TW M556405U TW 106214674 U TW106214674 U TW 106214674U TW 106214674 U TW106214674 U TW 106214674U TW M556405 U TWM556405 U TW M556405U
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Chuan-Zhang Wang
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Wang Chuan Zhang
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Abstract

本新型為一種晶圓切割後暫時性擴張裝置,其包括一平台、一滑台、第一壓缸、一第二壓缸以及一壓座,該滑台可滑動的設置於該平台上,且該滑台直立貫穿有一容孔,該兩壓缸設置於該滑台的頂面且位於該容孔的後側,該壓座跨設於該平台上且位於該滑台的上方,該壓座包括一支撐座、一升降壓缸以及一壓合單元,該支撐座為一開口朝下的U字型座體,該升降壓缸直立伸設於該支撐座頂面,而該壓合單元與該升降壓缸的一壓缸桿固接,藉此,本新型可與一治具搭配使用,並降低治具的損壞率。

Description

晶圓切割後暫時性擴張裝置
本新型涉及一種機台裝置,尤指一種晶圓切割後暫時性擴張裝置。
一般的半導體晶圓片,在完成試驗後,再將晶圓分割成多個晶片,在切割後,該多個晶片緊密貼靠,然而,該晶圓在切割為多個晶片的過程中,會產生粉屑,在製程過程中,必須將粉屑清除,否則會影響封裝製程的乾淨程度。
因此,現有業者開發出一擴張環來清除製程過程中的粉屑,該擴張環包括一環狀的本體以及一薄膜,該薄膜為具有彈性且受熱會進行收縮,透過薄膜具有彈性的特性,操作人員可利用現有機器裝置將薄膜進行擴張,使得多個晶片間的間隙放大而能進行清潔,然而,現有的機器裝置在將擴張環薄膜擴張過程中,並未搭配治具使用,容易將擴張環的薄膜損壞,因此,現有的機器裝置誠有改良之必要。
為解決現有機器裝置將薄膜進行擴張的過程中,容易將擴張環的薄膜損壞的缺失,本新型的主要目的在於提供一種晶圓切割後暫時性擴張裝置,本新型主要利用第一壓缸及該第二壓缸設置於該滑台的頂面,以及該壓合單元的設置,藉以讓晶圓切割後暫時性擴張治具可順利的使用,並降低治具的損壞率。
本新型解決先前技術問題所提出的晶圓切割後暫時性擴張裝置,其包括:   一平台;   一滑台,該滑台可滑動的設置於該平台上,且該滑台直立貫穿有一容孔;   一第一壓缸,該第一壓缸設置於該滑台的頂面且位於該容孔的後側;   一第二壓缸,該第二壓缸設置於該滑台的頂面且位於該容孔的後側,且該第二壓缸與該第一壓缸為間隔相面對設置;以及   一壓座,該壓座跨設於該平台上且位於該滑台的上方,該壓座包括一支撐座、一升降壓缸以及一壓合單元,該支撐座為一開口朝下的U字型座體,該升降壓缸直立伸設於該支撐座頂面,而該壓合單元與該升降壓缸的一壓缸桿固接。
前述的晶圓切割後暫時性擴張裝置,其中該壓合單元包括多個壓制件,該多個壓制件環繞間隔設置於該壓合單元的底面。
前述的晶圓切割後暫時性擴張裝置,其中該壓合單元進一步包括四按壓件,該四按壓件亦環繞間隔設置於該壓合單元的底面,且該四按壓件對應設置於該四壓制件的外部。
前述的晶圓切割後暫時性擴張裝置,其中該壓合單元進一步包括四按制件,該四按制件亦環繞間隔設置於該壓合單元的底面,且各按制件位於兩對應的按壓件之間。
前述的晶圓切割後暫時性擴張裝置,其進一步包括兩軌道,該兩軌道水平間隔設置於該平台的頂面,且該滑台可滑動地設置於該兩軌道上。
前述的晶圓切割後暫時性擴張裝置,其中該滑台於該容孔的周緣凸設有一定位銷。
本新型的技術手段可獲得的功效增進為:本新型主要透過該第一壓缸及該第二壓缸設置於該滑台的頂面,以及該壓合單元的設置,藉以讓該擴張環的本體外周緣卡設於該基底環的兩結合凸部、推動凸部及卡設凸部,使得該擴張環的薄膜持續維持被向下撐開而呈擴張狀,達到方便操作且降低治具損壞率的效果。
為能詳細瞭解本新型的技術特徵及實用功效,並可依照新型內容來實現,玆進一步以如圖式所示的較佳實施例,詳細說明如后:
本新型所提供的晶圓切割後暫時性擴張裝置的較佳實施例係如圖1至圖3所示,其包括一平台10、兩軌道20、滑台30、一第一壓缸40、一第二壓缸50以及一壓座60,其中:
該平台10係一水平設置的矩形板體,該兩軌道20水平間隔設置於該平台10的頂面,且該兩軌道20相互平行設置,該滑台30可滑動地設置於該兩軌道20上,該滑台30接近前側邊處直立貫穿設有一容孔31,並該滑台30於該容孔31的周緣凸設有一定位銷32,該第一壓缸40及該第二壓缸50設置於該滑台30的頂面,並位於該容孔31的後側,且該第一壓缸40與該第二壓缸50為間隔設置。
該壓座60跨設於該平台10上且位於該滑台30的上方,該壓座60包括一支撐座61、一升降壓缸62以及一壓合單元63。該支撐座61為一開口朝下的U字型座體,該升降壓缸62直立伸設於該支撐座61的頂面,而該壓合單元63與該升降壓缸62的壓缸桿固接,該壓合單元63包括四壓制件631、四按壓件632以及四按制件633,該四壓制件631環繞間隔設置於該壓合單元63的底面,該四按壓件632亦環繞間隔設置於該壓合單元63的底面,且該四按壓件632對應設置於該四壓制件631的外部,該四按制件633亦環繞間隔設置於該壓合單元63的底面,且各按制件633位於兩對應的按壓件632之間。
如圖3所示,本新型操作時主要與一晶圓切割後暫時性擴張治具搭配使用,以下先簡略描述晶圓切割後暫時該性擴張治具的構造,該晶圓切割後暫時性擴張治具包括一擴張環70以及一組配件80,其中:
該擴張環70包括一金屬製成的本體71以及一薄膜72,該本體71為圓環狀,且該本體71的外周緣凹設有至少兩缺口711以及至少三斷口712,該至少兩缺口711為環繞間隔設置,且該至少兩缺口711均為三角形凹槽狀,各斷口712為一直線狀的開口。該薄膜72緊密地貼附於該本體71的表面,使得該薄膜72呈現一繃緊狀態,該薄膜72的底面具有黏性,且該薄膜72具有彈性,此外,該薄膜72在高溫狀態下,會呈現緊縮狀態。
該組配件80與該擴張環70相結合,該組配件80包括一基座81以及一組配環82,該基座81包括一基底環811以及至少三承載座812,該基底環811的外環周面徑向朝外凸設有兩定位部813、一推動部814以及一卡設部815,該兩定位部813的外環周面凹設有一定位凹槽8131,且各定位部813的底面向下凸設有一結合凸部8132,該結合凸部8132為一L形的彎折片體,且該結合凸部8132的開口朝向該基底環811的圓心,該推動部814的底面凸設有一推動凸部8141,該推動凸部8141亦為一L形的彎折片體,且該推動凸部8141的開口朝向該基底環811的圓心,該卡設部815的頂面凸設有一卡設凸部8151,該卡設凸部8151亦為一L形的彎折片體,且該卡設凸部8151的開口朝向該基底環811的圓心,該擴張環70的本體71外周緣卡設於該基底環811的兩結合凸部8132、推動凸部8141及卡設凸部8151。
該至少三承載座812環繞間隔固接於該基底環811的底面,各承載座812為一截面為梯形的塑膠塊體,且各承載座812的底面向凹設有一安裝溝8121,各安裝溝8121為一弧型的剖溝,且該基底環811於兩相鄰的承載座812之間直立貫穿有一定位長孔816,該組配環82可轉動地卡設於該至少三承載座812的安裝溝8121。
本新型操作使用時,如圖3所示,先將該擴張環70放置於該滑台30上,且該擴張環70位於該容孔31的上方,並將該切割完成的晶圓91黏貼於該擴張環70的薄膜72底面,如圖7與圖8所示,接下來將該組配件80放置於該擴張環70的薄膜72頂面,使得該組配環82貼設於該薄膜72頂面,若該組配件80未放置於適當位置上時,如圖9所示,接下來該第一壓缸40的壓缸桿向右推動該基底環811的推動部814,請參看圖1與圖2,使得該基座81相對該組配環82順時針旋轉,進而讓其中一定位部813的定位凹槽8131與該滑台30的定位銷32相卡設而整位,接下來,如圖1與圖10所示,該壓座60的升降壓缸62的壓缸軸向下伸,使得該壓合單元63壓制於該晶圓切割後暫時性擴張治具上,即該四壓制件631分別穿設該基底環811的定位長孔816,讓該四壓制件631壓制於該組配環82上,且該四按壓件632壓制於該擴張環70之本體71的外周緣,該四按制件633則壓制於該基底環811的外周緣,同時間,該擴張環70的薄膜72被向下撐開而呈擴張狀。
接下來,如圖1與圖11所示,該第二壓缸50的壓缸桿向左推動該推動該基底環811的推動部814,使得該基座81相對該組配環82逆時針旋轉,進一步,該擴張環70的本體71外周緣卡設於該基底環811的兩結合凸部8132、推動凸部8141及卡設凸部8151,讓該擴張環70的薄膜72持續維持被向下撐開而呈擴張狀,接下來如圖12所示,將該組配件80與該擴張環70相結合的組件相對本新型取下,並將該組配件80與該擴張環70相結合的組件翻轉,讓該切割完成的晶圓91朝上設置,此時,因該薄膜72呈一擴張狀態,因此,切割完成的晶圓91中的各晶片的間隙擴大,而可開始進行沖洗步驟,如圖13所示,將該組配件80與該擴張環70相結合的組件放置於一清洗台92上,其中,該清洗台92包括一柱體921以及多數個結合於該柱體921周緣的爪部922,此時,該擴張環70的薄膜72貼附於該柱體921的頂面,並將該組配件80的基座81的兩定位部813、推動部814以及卡設部815結合於該清洗台92的爪部922上,則可利用水柱沖洗該薄膜72上的晶圓91,將該晶圓91中的各晶片間隙的細屑洗去。
完成清洗後,需將該擴張環70相對該組配件80拆離,其步驟如下,如圖5、圖14與圖15所示,先將該組配件80與該擴張環70相結合的組件放置於該滑台30上,接下來將該壓座60的升降壓缸62的壓缸軸向下伸,使得該壓合單元63壓制於該晶圓切割後暫時該性擴張治具上,即該四壓制件631分別穿設該基底環811的定位長孔816,讓該四壓制件631壓制於該組配環82上,且該四按壓件632壓制於該擴張環70之本體71的外周緣,該四按制件633則壓制於該基底環811的外周緣,則該第一壓缸40的壓缸桿向右推動該基底環811的推動部814,使得該基座81相對該組配環82順時針旋轉,進而該擴張環70的本體71外周緣脫離於該基底環811的兩結合凸部8132、推動凸部8141及卡設凸部8151,使得該擴張環70相對該組配件80脫離,再將該擴張環70放置於一烘烤箱(圖未示)中,則該擴張環70的薄膜72回復到繃緊狀態。
本新型主要透過該第一壓缸40及該第二壓缸50設置於該滑台30的頂面,以及該壓合單元63的設置,藉以讓該擴張環70的本體71外周緣卡設於該基底環811的兩結合凸部8132、推動凸部8141及卡設凸部8151,使得該擴張環70的薄膜72持續維持被向下撐開而呈擴張狀,達到方便操作且降低治具損壞率的效果。
以上所述,僅是本新型的較佳實施例,並非對本新型作任何形式上的限制,任何所屬技術領域中具有通常知識者,若在不脫離本新型所提技術方案的範圍內,利用本新型所揭示技術內容所作出局部更動或修飾的等效實施例,並且未脫離本新型的技術方案內容,均仍屬於本新型技術方案的範圍內。
10‧‧‧平台
20‧‧‧軌道
30‧‧‧滑台
31‧‧‧容孔
32‧‧‧定位銷
40‧‧‧第一壓缸
50‧‧‧第二壓缸
60‧‧‧壓座
61‧‧‧支撐座
62‧‧‧升降壓缸
63‧‧‧壓合單元
631‧‧‧壓制件
632‧‧‧按壓件
633‧‧‧按制件
70‧‧‧擴張環
71‧‧‧本體
711‧‧‧缺口
712‧‧‧斷口
72‧‧‧薄膜
80‧‧‧組配件
81‧‧‧基座
811‧‧‧基底環
812‧‧‧承載座
8121‧‧‧安裝溝
813‧‧‧定位部
8131‧‧‧定位凹槽
8132‧‧‧結合凸部
814‧‧‧推動部
8141‧‧‧推動凸部
815‧‧‧卡設部
8151‧‧‧卡設凸部
816‧‧‧定位長孔
82‧‧‧組配環
91‧‧‧晶圓
92‧‧‧清洗台
921‧‧‧柱體
922‧‧‧爪部
圖1係本新型較佳實施例的外觀立體圖。 圖2係本新型較佳實施例的仰視外觀立體圖。 圖3係本新型較佳實施例的局部外觀立體圖。 圖4係一晶圓切割後暫時性擴張治具的外觀立體圖。 圖5係一晶圓切割後暫時性擴張治具的外觀立體分解圖。 圖6係一晶圓切割後暫時性擴張治具的組配件的外觀立體分解圖。 圖7係本新型較佳實施例的操作外觀立體圖。 圖8係本新型較佳實施例的操作俯視圖。 圖9係本新型較佳實施例的另一操作俯視圖。 圖10係本新型較佳實施例的操作前視圖。 圖11係本新型較佳實施例的再一操作俯視圖。 圖12係該晶圓切割後暫時性擴張治具的操作外觀立體圖。 圖13係該晶圓切割後暫時性擴張治具的另一操作外觀立體圖。 圖14係本新型較佳實施例的再一操作俯視圖。 圖15係本新型較佳實施例的再另一操作俯視圖。

Claims (6)

  1. 一種晶圓切割後暫時性擴張裝置,其包括:   一平台;   一滑台,該滑台可滑動的設置於該平台上,且該滑台直立貫穿有一容孔;   一第一壓缸,該第一壓缸設置於該滑台的頂面且位於該容孔的後側;   一第二壓缸,該第二壓缸設置於該滑台的頂面且位於該容孔的後側,且該第二壓缸與該第一壓缸為間隔相面對設置;以及   一壓座,該壓座跨設於該平台上且位於該滑台的上方,該壓座包括一支撐座、一升降壓缸以及一壓合單元,該支撐座為一開口朝下的U字型座體,該升降壓缸直立伸設於該支撐座頂面,而該壓合單元與該升降壓缸的一壓缸桿固接。
  2. 如請求項1所述之晶圓切割後暫時性擴張裝置,其中該壓合單元包括多個壓制件,該多個壓制件環繞間隔設置於該壓合單元的底面。
  3. 如請求項2所述之晶圓切割後暫時性擴張裝置,其中該壓合單元進一步包括多個按壓件,該多個按壓件亦環繞間隔設置於該壓合單元的底面,且各按壓件對應設置於各壓制件的外部。
  4. 如請求項3所述之晶圓切割後暫時性擴張裝置,其中該壓合單元進一步包括多個按制件,各按制件環繞間隔設置於該壓合單元的底面,且各按制件位於兩對應的按壓件之間。
  5. 如請求項4所述之晶圓切割後暫時性擴張裝置,其進一步包括兩軌道,該兩軌道水平間隔設置於該平台的頂面,且該滑台可滑動地設置於該兩軌道上。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之晶圓切割後暫時性擴張裝置,其中該滑台於該容孔的周緣凸設有一定位銷。
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