TWM537258U - 導電結構及應用其之觸控面板 - Google Patents

Description

導電結構及應用其之觸控面板

本新型係關於一種導電結構，特別係關於一種高電阻率的導電結構及其應用。

典型的觸控面板包含蓋板、觸控感應層以及導線。觸控感應層係設置於蓋板的可視區。導線係設置於蓋板的非可視區，並電性連接觸控感應層。一般來說，觸控感應層包含多個第一電極串以及多個第二電極串。第一電極串與第二電極串相間隔並絕緣，且這兩種電極串的末端均連接著導線，以利將感應到的觸碰訊號傳遞給訊號處理單元。

在某些佈線的形式下，連接第一電極串的導線與連接第二電極串的導線係平行地分佈於蓋板的非可視區上，這樣的佈線方式容易使得這兩種導線之間產生耦合電容，進而增加第一電極串與第二電極串之相交處的電容，導致此相交處的電容可能在未被觸碰前就已經飽和，進而影響此相交處的觸控感應功能。

因此，部分觸控面板還可包含金屬接地結構，此金屬接地結構係設置於連接第一電極串的導線與連接第 二電極串的導線之間，以降低這兩種導線之間的耦合電容，從而降低第一電極串與第二電極串之相交處的電容。

然而，由於金屬接地結構的電阻過低，故當金屬結構與導線的距離過近時，容易與導線短路。

本新型之實施方式所揭露的導電結構既可降低導線之間的耦合電容，還可防止與導線短路。

依據本新型之一實施方式，一種導電結構包含一導電氧化層以及一介電氧化層。介電氧化層係設置於導電氧化層上。導電氧化層與介電氧化層的整體方阻R滿足105歐姆/方≦R≦135歐姆/方。

依據本新型之另一實施方式，一種觸控面板包含一透光蓋板、複數電極串、複數導線以及至少一前述之導電結構。此些電極串係設置於該透光蓋板上並相互絕緣。此些導線分別電性連接此些電極串。前述之導電結構與電極串及導線絕緣，且導電結構之一部分係位於此些導線之間、或此些電極串之一者與此些導線之一者之間。

於上述實施方式中，由於導電氧化層與介電氧化層所共同形成的整體方阻R滿足105歐姆/方≦R≦135歐姆/方，故可提升導電結構之整體電阻率。由於高電阻率的導電結構係位於導線之間或導線與電極串之間，故不僅可藉由其導電性質來降低導線之間或導線與電極串之間的耦合電容，還可藉由其高電阻率性質來防止短路。

依據本新型之另一實施方式，一種觸控面板包含一透光蓋板、一觸控感應層、一內接地結構以及一外接地結構。觸控感應層係設置於透光蓋板上。內接地結構係設置於透光蓋板上，並環繞觸控感應層，並與觸控感應層絕緣。內接地結構之方阻R滿足105歐姆/方≦R≦135歐姆/方。外接地結構環繞內接地結構。內接地結構的電阻率高於外接地結構的電阻率。

於上述實施方式中，由於內接地結構相較於外接地結構為高電阻率的導電結構，相同的長度及橫截面積情況下，內接地結構具有較高的電阻，故可利於靜電放電(ElectroStatic Discharge；ESD)從外接地結構導出觸控面板外，從而避免靜電放電影響導線與觸控感應層。

以上所述僅係用以闡述本新型所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本新型之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

100‧‧‧透光蓋板

110‧‧‧內表面

112‧‧‧不透光區域

114‧‧‧透光區域

120‧‧‧外表面

200‧‧‧觸控感應層

210‧‧‧第一電極串

212‧‧‧第一電極

214‧‧‧第一連接部

220‧‧‧第二電極串

222‧‧‧第二電極

224‧‧‧第二連接部

230‧‧‧絕緣塊

300‧‧‧第一導線

400‧‧‧第二導線

500、500a‧‧‧導電結構

510‧‧‧導電氧化層

520‧‧‧介電氧化層

530‧‧‧接觸界面

600‧‧‧絕緣結構

700‧‧‧接地端

800‧‧‧外接地結構

A‧‧‧相交處

D1、D2‧‧‧長度方向

G1、G2‧‧‧間隙

為讓本新型之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示依據本新型一實施方式之觸控面板的上視圖；第2圖繪示第1圖之觸控面板沿著2-2線的剖面圖；第3圖繪示在不同氧氣通量下所形成之氧化銦錫層的X光繞射圖； 第4圖繪示依據本新型另一實施方式之觸控面板的上視圖；第5圖繪示依據本新型另一實施方式之觸控面板的上視圖；第6圖繪示依據本新型另一實施方式之觸控面板的上視圖；以及第7圖繪示依據本新型另一實施方式之觸控面板的上視圖。

以下將以圖式揭露本新型之複數實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，熟悉本領域之技術人員應當瞭解到，在本新型部分實施方式中，這些實務上的細節並非必要的，因此不應用以限制本新型。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。另外，為了便於讀者觀看，圖式中各元件的尺寸並非依實際比例繪示。

第1圖繪示依據本新型一實施方式之觸控面板的上視圖。第2圖繪示第1圖之觸控面板沿著2-2線的剖面圖。如第1及2圖所示，觸控面板包含透光蓋板100、觸控感應層200、第一導線300、第二導線400以及導電結構500。觸控感應層200、第一導線300、第二導線400與導電結構500係設置於透光蓋板100的相同側，而可被透光蓋板100所覆蓋及保護。觸控感應層200包含第一電極串210以及第二電 極串220。第一電極串210與第二電極串220係設置於透光蓋板100上。第一電極串210具有長度方向D1。第二電極串220具有長度方向D2。第一電極串210之長度方向D1與第二電極串220之長度方向D2相交，且第一電極串210與第二電極串220絕緣，以防止兩者短路。第一導線300電性連接第一電極串210。第二導線400電性連接第二電極串220。至少部分之導電結構500係位於第一導線300與第二導線400之間並與第一導線300及第二導線400分離。換句話說，第一導線300與部分導電結構500相隔間隙G1，且第二導線400與該部分導電結構500相隔間隙G2。

由於第一導線300與第二導線400之間存在著導電結構500，故導電結構500可避免第一導線300與第二導線400直接地產生耦合電容，從而降低第一電極串210與第二電極串220之相交處A的電容。換個方式來說，導電結構500與最靠近導電結構500之第一導線300之間會產生耦合電容C1，導電結構500與最靠近導電結構500之第二導線400會產生耦合電容C2。這兩個耦合電容C1與C2會形成等 效串聯電容，而此等效串聯電容之值為。相較於第 一導線300與第二導線400直接形成的耦合電容，耦合電容C1與C2所形成的等效串聯電容係相對小的。因此，在第一導線300與第二導線400之間配置導電結構500可助於降低第一導線300與第二導線400之間的耦合電容。

此外，導電結構500還可防止與第一導線300及/或第二導線400短路。進一步來說，如第2圖所示，導電結構500包含導電氧化層510以及介電氧化層520。介電氧化層520係設置於導電氧化層510上。導電氧化層510與介電氧化層520的整體電阻率大於至少兩倍的導電氧化層510之材料的電阻率，以利使得導電氧化層510與介電氧化層520的整體方阻R滿足105歐姆/方≦R≦135歐姆/方。換句話說，若導電氧化層510與介電氧化層520所形成之導電結構500的整體電阻率為ρ1，且導電氧化層510之材料的電阻率為ρ2，則滿足ρ1>2*ρ2。

導電結構500之上述電阻率特性係由於導電氧化層510在製作時的氧氣通量所產生的。進一步來說，在導電結構500的製作過程中，可先利用濺鍍的方式，將導電氧化層510的導電材料沉積於透光蓋板100上。在濺鍍的過程中，氧氣通量可被控制而介於20sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute，每分鐘標準毫升)與50sccm之間，較佳為30sccm至40sccm。換句話說，導電氧化層510可為濺鍍成形之結構，此濺鍍成形之結構的形成所採用之氧氣的流量可介於20sccm與50sccm之間，較佳為30sccm至40sccm。當導電氧化層510形成後，介電氧化層520可形成於導電氧化層510上，而與導電氧化層510形成接觸界面530。當導電氧化層510在這樣的氧氣通量下形成後，再於導電氧化層510上形成介電氧化層520時，這兩者的整體電 阻率會大幅超越(超過兩倍)導電氧化層510的材料電阻率。藉由這樣的特性，導電結構500的方阻R可滿足105歐姆/方≦R≦135歐姆/方而具有高電阻率，而利於防止與第一導線300短路、或與第二導線400短路、或與第一導線300及第二導線400均短路。

舉例來說，導電氧化層510可包含透明的氧化鋅(ZnO)層、氧化銦錫(ITO)層、氧化銦鋅(IZO)層、氧化銦鎵鋅(IGZO)層、鋁氧化鋅(AZO)層、氧化銦鋁鋅(IAZO)層或上述任意組合，但本新型不以此為限。介電氧化層520可包含矽氧化物層，如二氧化矽(SiO₂)層或有機氧化物層，但本新型不以此為限。當上述材料之導電氧化層510係以高通量(例如：介於20sccm與50sccm之間)的氧氣形成時，再搭配形成於其上的矽氧化物，可有效提高導電結構500的電阻率，而防止短路問題。

具體來說，於部分實施方式中，導電氧化層510之材料可為氧化銦錫(ITO)，而介電氧化層520之材料可為二氧化矽。換句話說，導電氧化層510可為氧化銦錫層，而介電氧化層520可為二氧化矽層。二氧化矽層係形成於氧化銦錫層上，且在氧化銦錫層之後形成，使得氧化銦錫層與二氧化矽層接觸。在氧化銦錫層的形成過程中，氧氣的流量可介於20sccm與50sccm之間。如此一來，氧化銦錫層與二氧化矽層的整體電阻可達到至少60千歐姆(氧化銦錫層的厚度為60nm)，大於兩倍的氧化銦錫之電阻(約為30千歐姆)。由此可知，當導電氧化層510係以高通量(例如：介於 20sccm與50sccm之間)的氧氣形成時，導電結構500可具有高電阻率。下表列舉導電結構500之實驗組與對照組的電阻，來協助說明高通量氧氣所形成的導電氧化層510，並結合二氧化矽層後，可助於大幅提升導電結構500之電阻率。

於上表中，實驗組之導電結構包含氧化銦錫層與形成於氧化銦錫層上的二氧化矽層，且此氧化銦錫層係在高通量氧氣(例如：介於20sccm與50sccm之間)下形成的；對照組一之導電結構為相同長度及橫截面積的氧化銦錫層，對照組一與實驗組之差異在於對照組一之氧化銦錫層係在低通量氧氣(例如2sccm至3sccm)下形成的，且氧化氧化 銦錫層上不覆蓋二氧化矽層；對照組二之導電結構包含相同長度及橫截面積的氧化銦錫層，且此氧化銦錫層形成過程中的氧氣通量與實驗組之氧氣通量相同，對照組二與實驗組之差異在於對照組二之氧化銦錫層上沒有覆蓋二氧化矽層；對照組三之導電結構包含相同長度及橫截面積的氧化銦錫層與形成於氧化銦錫層上的二氧化矽層，而對照組三與實驗組之差異在於對照組三之氧化銦錫層係在低通量氧氣(例如2sccm至3sccm)下形成的。由上表對照組一與對照組二的對比可得知，當氧化銦錫層係在高通量氧氣下形成時，與低通量氧氣下形成的氧化銦錫層相比，阻值會有小幅提升，但變化不大。由上表對照組一與對照組三的對比可得知，低通量氧氣下形成的氧化銦錫層再結合二氧化矽層，阻值也並沒有大幅變化。由上表實驗組與對照組二、三的對比可得知，當氧化銦錫層係在高通量氧氣下形成時所形成並與二氧化矽層結合后，所形成導電結構之電阻值(如：約介於99.3千歐姆至113.0千歐姆)，大幅地超越當氧化銦錫層係在低通量氧氣下形成並與二氧化矽層結合后，所形成的導電結構之電阻值(如：約介於20.3千歐姆至22.0千歐姆)。本新型之導電結構的方阻R滿足105歐姆/方≦R≦135歐姆/方，而常規的如低通量氧氣下形成的導電結構方阻R為65歐姆/方≦R≦85歐姆/方。因此，當氧化銦錫層係以高通量氧氣形成時，並與二氧化矽層結合后形成的導電結構具有較大的方阻及電阻率，也即同樣的厚度及橫截面積情況下，電阻較大。

部分實施方式中，當導電氧化層510係以高通 量(例如：介於20sccm與50sccm之間)的氧氣形成時，導電氧化層510之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度可大於70%並小於100%。舉例來說，當導電氧化層510為氧化銦錫層時，此氧化銦錫層之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度可大於70%並小於100%。以下以X光繞射資料來幫助說明氧氣通量對結晶度的影響，於此，可參閱第3圖，本圖繪示在不同氧氣通量下所形成之氧化銦錫層的X光繞射圖(XRD圖)。經由本圖之繞射資料的分析可知，氧化銦錫層之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度可藉由氧氣通量來控制，且氧化銦錫層之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度與氧氣通量係大致上正相關的。由於氧氣通量與晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度係大致上正相關的，且氧氣通量與導電結構500之電阻率亦係大致上正相關的，故可藉由結晶度來判斷導電結構500的整體電阻率。舉例來說，若導電結構500之氧化銦錫層之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度大於70%，則可判定導電結構500的電阻率足夠高到能夠防止與第一導線300及/或第二導線400短路。可瞭解到，本文中所述之結晶方向與其對應的結晶度僅為例示，本新型並不以此為限。

於部分實施方式中，如第2圖所示，導電氧化層510比介電氧化層520更靠近透光蓋板100。進一步來說，在導電結構500的製作過程中，係先在高通量氧氣下，將導電氧化層510形成於透光蓋板100上，之後，再於導電氧化層510上形成介電氧化層520，故導電氧化層510會比介電 氧化層520更靠近透光蓋板100。換句話說，導電氧化層510係位於介電氧化層520與透光蓋板100之間。

於部分實施方式中，如第1及2圖所示，透光蓋板100包含內表面110以及外表面120。內表面110與外表面120係相背對的。外表面120可做為使用者的觸控操作面。於部分實施方式中，外表面120上可設置防髒污、防指紋、防刮或抗眩等功能層。內表面110具有不透光區域112以及透光區域114。不透光區域112與透光區域114係相鄰接的。於本實施方式中，不透光區域112為內表面110之外側區域(或周邊區域)，透光區域114為內表面110的內側區域(或中央區域)，而被不透光區域112所圍繞。於部分實施方式中，內表面110及外表面120可為經過化學或物理強化的表面，以提升對透光蓋板100下方的觸控感應層200、第一導線300、第二導線400及導電結構500的保護效果。換句話說，觸控感應層200、第一導線300、第二導線400與導電結構500均係設置於透光蓋板100的內表面110上，而可受透光蓋板100所保護。於部分實施方式中，不透光區域112可藉由在內表面110上設置遮光層(如油墨)來實現，但本新型不以此為限。

於部分實施方式中，如第1及2圖所示，導電結構500係位於內表面110的不透光區域112內。但由於導電結構500之導電氧化層510之材質可為透光導電材料(如氧化銦錫)，且介電氧化層520之材質可為透光介電材料(如二氧化矽)，故導電結構500為透光的，而不會遮蔽其他元件，因此，於部分實施方式中，導電結構500亦可至少部分地位於內表面 110的透光區域114內，而助於擴大透光區域114的面積，亦即，可擴大觸控面板的可視區面積。值得說明的是，當導電結構500位於透光區域114內時，導電結構500之至少一部分可位於第二電極串220與第一導線300之間，以隔開第二電極串220與第一導線300，從而避免第二電極串220與第一導線300直接地產生耦合電容。換句話說，當導電結構500位於透光區域114內時，可兼顧降低第二電極串220與第一導線300之耦合電容的效果與擴大可視區面積的效果。

於部分實施方式中，如第1圖所示，導電結構500與第一導線300在透光蓋板100之內表面110上的投影相交，且導電結構500與第一導線300絕緣，以免使得觸碰訊號產生不必要的外流。舉例來說，觸控面板還包含絕緣結構600。絕緣結構600係位於導電結構500與第一導線300的相交處，並隔開導電結構500與第一導線300，從而使導電結構500與第一導線300絕緣。於部分實施方式中，導電結構500亦與第二導線400及觸控感應層200絕緣，以免使得觸碰訊號產生不必要的外流。進一步來說，只要導電結構500在透光蓋板100之內表面110上的投影係與第一電極串210、第二電極串220、第一導線300或第二導線400在內表面110上的投影相交，則絕緣結構600會位於導電結構500與第一電極串210、第二電極串220、第一導線300或第二導線400之間，以利導電結構500與這些電極串及導線絕緣，以免觸碰訊號產生不必要的外流。

於部分實施方式中，如第1圖所示，第一電極串 210之長度方向D1與第二電極串220之長度方向D2可相互垂直。進一步來說，長度方向D1可為第1圖中的橫軸方向，而長度方向D2可為第1圖中的縱軸方向。第一電極串210可包含複數第一電極212以及複數第一連接部214。這些第一電極212與第一連接部214係沿著長度方向D1交替地排列的。每一第一連接部214連接在長度方向D1上相鄰之兩第一電極212。相似地，第二電極串220可包含複數第二電極222以及複數第二連接部224。這些第二電極222以及第二連接部224係沿著長度方向D2交替地排列的。每一第二連接部224連接在長度方向D2上相鄰之兩第二電極222。於部分實施方式中，觸控感應層200還包含絕緣塊230。絕緣塊230係位於第一電極串210與第二電極串220的相交處A，並隔開第一電極串210與第二電極串220，以使這兩者相絕緣。舉例來說，絕緣塊230可位於第一電極串210的第一連接部214與第二電極串220的第二連接部224之間，以隔開第一連接部214與第二連接部224。於部分實施方式中，第一電極212、第一連接部214、第二電極222與第二連接部224之材料可為氧化銦錫或氧化銦鋅，但本新型不以此為限。

於部分實施方式中，當第一電極串210與第二電極串220之材料為氧化銦錫，且導電氧化層510之材料亦為氧化銦錫時，這兩種氧化銦錫之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度不同。進一步來說，導電氧化層510之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度較高，而具有較高的電阻率，以利防止短路，而由於第一電極串210與第二電極串220並無需刻意考量 與導線之間的短路問題，而可具有較低的電阻率，提高觸控靈敏度，故第一電極串210與第二電極串220之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度可比導電氧化層510之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度低。

第4圖繪示依據本新型另一實施方式之觸控面板的上視圖。如第4圖所示，本實施方式與前述實施方式之間的主要差異在於：本實施方式之觸控面板還包含接地端700。導電結構500電性連接接地端700。如此一來，導電結構500不僅可用來降低第一導線300與第二導線400之間的耦合電容，還可用來做為觸控面板的接地結構。從而防止外部靜電放電(ESD)影響觸控感應層200。

第5圖繪示依據本新型另一實施方式之觸控面板的上視圖。如第5圖所示，本實施方式與第4圖所示實施方式之間的主要差異在於：導電結構500a與前述導電結構500的形狀不同。具體來說，導電結構500a為環狀的，並環繞觸控感應層200。導電結構500a亦電性連接接地端700，而可做為觸控面板的接地結構。換句話說，可用於接地的環狀導電結構500a環繞第一電極串210與第二電極串220，如此可更進一步地防止ESD影響觸控感應層200的觸控功能。

第6圖繪示依據本新型另一實施方式之觸控面板的上視圖。如第6圖所示，本實施方式與第5圖所示實施方式之間的主要差異在於：導電結構500a不電性連接接地端。也就是說，導電結構500a的環狀設計非接地的用途，而主要可起到降低第一導線300與第二導線400之間的耦合 電容之作用。

第7圖繪示依據本新型另一實施方式之觸控面板的上視圖。如第7圖所示，本實施方式與第5圖所示實施方式之間的主要差異在於：本實施方式還包含外接地結構800。外接地結構800環繞導電結構500a，且導電結構500a的電阻率高於外接地結構800的電阻率，藉此可利於大部分ESD從外接地結構800導出觸控面板外，而避免ESD影響觸控感應層200、第一導線300與第二導線400。進一步來說，導電結構500a與外接地結構800均連接接地端700，且導電結構500a係被外接地結構800所環繞，而可做為觸控面板的內接地結構。由於導電結構500a環繞觸控感應層200，且外接地結構800環繞導電結構500a，故導電結構500a比外接地結構800更靠近觸控感應層200。然而，由於導電結構500a的電阻率比外接地結構800的電阻率更高，故當觸控面板中出現ESD時，ESD較容易往電阻率低的外接地結構800前進，而較不易往電阻率高的導電結構500a前進，如此一來，可防止ESD進入導電結構500a，而可進一步地防止ESD影響導電結構500a所環繞的觸控感應層200。

於部分實施方式中，導電結構500a的材料與外接地結構800的材料不同。進一步來說，導電結構500a可如同導電結構500而具有導電氧化層510與介電氧化層520(如第2圖所示)，外接地結構800可為金屬，但本新型不以此為限。由於在高通量的氧氣下所形成的導電氧化層510可使得導電結構500a具有比金屬更高的電阻率，故可利於 使導電結構500a的電阻率高於外接地結構800的電阻率，從而幫助ESD從外接地結構800導出觸控面板外。

於部分實施方式中，外接地結構800環繞第一導線300與第二導線400，以防止ESD影響第一導線300與第二導線400。具體來說，於部分實施方式中，第一導線300與第二導線400係至少部分地位於導電結構500a與外接地結構800之間。

雖然本新型已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本新型之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本新型之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧透光蓋板

110‧‧‧內表面

112‧‧‧不透光區域

114‧‧‧透光區域

200‧‧‧觸控感應層

210‧‧‧第一電極串

212‧‧‧第一電極

214‧‧‧第一連接部

220‧‧‧第二電極串

222‧‧‧第二電極

224‧‧‧第二連接部

230‧‧‧絕緣塊

300‧‧‧第一導線

400‧‧‧第二導線

500‧‧‧導電結構

600‧‧‧絕緣結構

D1、D2‧‧‧長度方向

Claims (15)

1. 一種導電結構，包含：一導電氧化層；以及一介電氧化層，設置於該導電氧化層上，該導電氧化層與該介電氧化層的整體方阻R滿足105歐姆/方≦R≦135歐姆/方。
2. 如請求項1所述之導電結構，其中該導電氧化層之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度大於70%並小於100%。
3. 如請求項1所述之導電結構，其中該導電氧化層包含一透明的氧化鋅層、一氧化銦錫層、一氧化銦鋅層、一氧化銦鎵鋅層、一鋁氧化鋅層、一氧化銦鋁鋅層或上述任意組合。
4. 如請求項1或3所述之導電結構，其中該介電氧化層包含一矽氧化物層或一有機氧化物層。
5. 如請求項1所述之導電結構，其中該導電氧化層為一氧化銦錫層，該介電氧化層為一二氧化矽層，且該氧化銦錫層與該二氧化矽層接觸。
6. 如請求項1或5所述之導電結構，其中該導電氧化層為一濺鍍成形之結構，該濺鍍成形之結構的形 成所採用之氧氣的流量介於20sccm與50sccm之間。
7. 一種觸控面板，包含：一透光蓋板；複數電極串，設置於該透光蓋板上，該些電極串相互絕緣；複數導線，分別電性連接該些電極串；以及至少一如請求項1至6中任一項所述之導電結構，該導電結構與該些電極串及該些導線絕緣，且該導電結構之至少一部分係位於該些導線之間、或該些電極串之一者與該些導線之一者之間。
8. 如請求項7所述之觸控面板，其中該導電氧化層比該介電氧化層更靠近該透光蓋板。
9. 如請求項7所述之觸控面板，其中該導電結構為環狀的，並環繞該些電極串。
10. 如請求項7所述之觸控面板，更包含一接地端，該導電結構電性連接該接地端。
11. 如請求項7所述之觸控面板，更包含一外接地結構，圍繞該導電結構，其中該導電結構之電阻率高於該外接地結構之電阻率。
12. 如請求項7所述之觸控面板，其中該導電結構為透明的，部份或全部位於該觸控面板的可視區。
13. 一種觸控面板，包含：一透光蓋板；一觸控感應層，設置於該透光蓋板上；一內接地結構，設置於該透光蓋板上，並環繞該觸控感應層，並與該觸控感應層絕緣，該內接地結構之方阻R滿足105歐姆/方≦R≦135歐姆/方；以及一外接地結構，環繞該內接地結構，其中該內接地結構的電阻率高於該外接地結構的電阻率。
14. 如請求項13所述之觸控面板，其中該內接地結構包含一導電氧化層以及一介電氧化層，該介電氧化層係設置於該導電氧化層上，其中該導電氧化層之晶體結構在(222)結晶方向上的結晶度大於70%。
15. 如請求項13所述之觸控面板，其中該內接地結構為透明的，部份或全部位於該觸控面板的可視區。