TWM508789U - 晶片提籃 - Google Patents
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Description
本創作係與半導體製程裝置有關；特別是指一種半導體製程中所使用的提籃。
於現今競爭激烈的半導體產業中，如何提升產品的良率與生產技術，以降低生產過程中所產生的異常損失，是各家廠商所追求的目標之一。
而於半導體晶片(晶圓)的製造過程中，通常需要經過一道以上的洗淨(分離)製程，以將晶片上所不需要的物質分離去除。舉例來說，於LED擴散製程，為了摻雜(Doping)如硼、磷等元素於晶片上，可選用擴散均勻度良好、較能方便控制摻雜濃度與PN接面深度的固態源擴散，將固態的擴散源貼合於各個晶片之間。而後，隨著擴散過程的進行，於晶片的周圍所生成的氧化層會將各晶片彼此黏合，而形成一落落的晶片組。因此，為了將造成各晶片黏合的氧化層洗去，以使各晶片分離，必須要將待洗淨的晶片放置於提籃中，再放置於酸洗槽內，以例如氫氟酸(HF)的酸液浸泡和噴嘴沖洗，將不需要的氧化層分離去除。
如圖1所示，為習用的提籃1，其中，晶片組S係放置於提籃1內，再以擋塊2將各落晶片組S之間的空隙填滿。然而，請參閱圖2所示，於洗淨的製程中，晶片組S表面的氧化層逐漸剝離之後，晶片組S分離成一片一片的晶片W，其中，由於擋塊2係以矽材質製成，而且並非固定
於提籃1內，而在各晶片W所傾斜的方向不一致的情況下，容易提升各晶片W之間碰撞的機會，以及擋塊2與晶片W之間碰撞機會，不但會造成晶片的破片率上升，影響晶片的良率，在上述碰撞中所產生矽碎片，更會殘留於酸洗槽中，導致酸洗槽堵塞，再循環使用酸液時，噴嘴亦容易堵塞，而影響洗淨的效率。如此一來，勢必得提高清潔酸洗槽的清洗頻率，而有提高生產成本之弊。
除此之外，提籃1的側板1a高度幾乎與放置於其容置空間的晶片W齊平，如此一來，在產線人員拿取晶片W時，未能提供有足夠的空間供產線人員穩固地夾取晶片W周緣，而有不慎滑落之虞，提升了破片的風險。
有鑑於此，本創作之目的在於提供一種晶片提籃，可有效降低晶片的破片率、延長酸洗槽的清洗週期；並且提升晶片清洗效率，進而縮短晶片的清洗週期。
緣以達成上述目的，本創作所提供晶片提籃用以放置至少一晶片，該晶片提籃包括：一籃體以及一擋板。該籃體具有一容置空間，該晶片係放置於該容置空間內，該籃體具有一嵌接部；該擋板，具有一嵌入部，該擋板之嵌入部以可拆離的方式與該嵌接部結合。
本創作之效果在於透過該擋板抵靠該晶片，以限制該晶片於該容置空間的位置，而可降低製程的破片率，並且具有提升晶片清洗效率，縮短晶片的清洗週期，以及延長酸洗槽的清洗週期等功效。
[習用技術]
1‧‧‧提籃
1a‧‧‧側板
2‧‧‧擋塊
S‧‧‧晶片組
W‧‧‧晶片
[本創作]
100‧‧‧晶片提籃
10‧‧‧籃體
12‧‧‧底板
12a‧‧‧插槽
14a‧‧‧短側板
14b‧‧‧長側板
16‧‧‧承載座
16a‧‧‧弧面
18‧‧‧支撐件
19‧‧‧提把
20‧‧‧擋板
22‧‧‧主板體
22a‧‧‧條形孔
24‧‧‧下凸片
30‧‧‧擋板
32‧‧‧主板體
32a‧‧‧圓形孔
34‧‧‧下凸片
36‧‧‧上凸片
40‧‧‧擋板
42‧‧‧主板體
42a‧‧‧圓形孔
44‧‧‧下凸片
46‧‧‧上凸片
D1‧‧‧第一水平寬度
D2‧‧‧第二水平寬度
H‧‧‧晶片長度
H1‧‧‧第一高度
H2‧‧‧第二高度
H3‧‧‧第三高度
L‧‧‧水平線
W‧‧‧晶片
W1‧‧‧晶片
θ‧‧‧傾斜角度
圖1係習用提籃的局部剖視圖。
圖2係習用提籃的局部剖視圖，揭露洗去晶片上的氧化層後，各晶片傾斜方向不一致的情形。
圖3係本創作第一較佳實施例晶片提籃的立體圖。
圖4係圖3的A-A’方向剖視圖，揭露晶片放置於容置空間時與側板以及擋板的長度關係。
圖5係本創作上述較佳實施例晶片提籃的側視圖，揭露各晶片於籃體中傾倒方向一致。
圖6係本創作第二較佳實施例之擋板的正視圖。
圖7係本創作第三較佳實施例之擋板的正視圖。
圖8係另一種晶片型態(pseudo square)的正視圖，揭示認定晶片長度的基準。
為能更清楚地說明本創作，茲舉較佳實施例並配合圖式詳細說明如后，請參圖3及圖4所示，為本創作第一較佳實施例之晶片提籃100，其包含一籃體10以及複數擋板20。
該籃體10包括有一底板12、二短側板14a、二長側板14b、二承載座16、一支撐件18以及一提把19。該底板12具有複數個嵌接部，該些嵌接部於本實施例中為插槽12a。該些短側板14a以及該些長側板14b沿著該底板12的周緣設置，而該些短、長側板14a,14b與該底板12所圍繞區域形成一容置空間用以放置晶片W。
該二承載座16分別具有一弧面16a，該二承載座16係設置於該底板12上，且各該弧面16a朝向同一圓心。在晶片W放置於該容置空間時，該二承載座16可承載該晶片W，以防止晶片W橫向位移。
該支撐件18係設置於該底板12的底部一側，以使該籃體10的底板12與水平線L產生3~5度的傾斜角度Θ(圖5參照)，而該傾斜角度Θ係有利於晶片W放置於該容置空間時，晶片W傾斜的方向一致，以減少晶片W因碰撞而碎裂的機會。該提把19係連結於該籃體10的短側板14a上，供使用者握持。
該擋板20於本實施例中係以塑膠(例如：聚乙烯)的材質製成，製成。該擋板20包含有一主板體22以及一嵌入部，該主板體22具有二對稱設置的條形孔22a，該二條形孔22a貫通該主板體22的二表面。在於晶片提籃100放入酸洗槽進行洗淨製程時，該二條形孔22a的作用在於，減少該晶片W與該擋板20貼合時，兩者之間所產生的附著力。因此，在酸洗槽中，當酸液或是純水噴射至晶片提籃100中的晶片W以及擋板20時，透過該二條形孔22a，可利於晶片W與擋板20分離。其中，該擋板20的材質並不限於聚乙烯，其係可因應酸洗槽中不同種類的酸液，而由其他種類之抗(耐)酸的材質所製成，例如以鐵氟龍(Teflon)所製成。
該嵌入部連結於該主板體22的下方一端，於本實施例中，該嵌入部為一下凸片24，用於以可拆離的方式***該底板12之插槽12a中。藉此，當晶片W放置於籃體10的容置空間時，該擋板20可插設於適當的插槽12a中，並支撐該晶片W，避免晶片W滑動。
再請參照圖4所示，該晶片W具有一晶片長度H，該長側板14b具有一第一高度H1；該晶片W擺放於該籃體10之容置空間後，部分突出於該些長側板14b的頂緣，且突出的部分為一第二高度H2；該晶片W擺放於該籃體10之容置空間後，部分突出於該擋板20頂緣，且突出的部分
為一第三高度H3。其中，該晶片長度H分別與該第一高度H1、該第二高度H2以及該第三高度H3符合以下關係：1. 0.7≦H1/H≦0.8；2. 0.2≦H2/H≦0.3；3. 0.2≦H3/H≦0.35；透過上述配合晶片長度H而設計的側板以及擋板高度，藉由降低側板以及擋板高度的設計方式，使晶片W放置於籃體10的容置空間時，自該籃體10適當地裸露出晶片周緣的一部份，俾使產線人員更容易抓取晶片W周緣。如此，不但能提升產線人員作業上的便利性，更能降低產線人員因拿取晶片W的角度過小，而致使晶片W滑落而破片的機會。
請參閱圖5所示，於洗淨製程完成後，由於該籃體10的底板12與水平線L具有傾斜角度θ，以及各該擋板20的支撐，而能輔助該些晶片W所傾斜的方向一致，而不容易彼此碰撞而損壞。
另請參閱圖6所示，為本創作第二較佳實施例的擋板30，其包括有一主板體32、一下凸片34以及一上凸片36，該主板體32具有一第一水平寬度D1，且該主板體32具有二圓形孔32a，該二圓形孔32a的功能與前述第一實施例相同，於此不再贅述。另外，該主板體32具有兩端，其中一端連接該下凸片34，另一端連接該上凸片36，該下凸片34構成嵌入部，該上凸片36自該主板體32向一側漸縮而具有一第二水平寬度D2，其中，該第一水平寬度D1大於該第二水平寬度D2。如此一來，透過縮減該上凸片36的寬度，可減少產線人員拿取晶片時，誤取擋板的機會，提升作業效率。
另參閱圖7所示，為本創作第三較佳實施例的
擋板40，其包括有一主板體42、一下凸片44以及一上凸片46，該主板體42具有一第一水平寬度D1，且該主板體42具有二橢圓形孔42a，該二橢圓形孔42a的功能與前述第一、第二實施例相同，於此不再贅述。另外，該主板體42具有兩端，其中一端連接該下凸片44，另一端連接該上凸片46，該下凸片44構成嵌入部，該上凸片46具有一第二水平寬度D2，其中，該第一水平寬度D1大於該第二水平寬度D2。如此一來，透過縮減該上凸片46的寬度，可減少產線人員拿取晶片時，誤取擋板的機會，提升作業效率。
以上所述僅為本創作較佳可行實施例而已，上述籃體的嵌接部並不限於設置於底板上的插槽，其嵌接部亦可為設置於籃體之側板的一凹槽，而擋板的嵌入部則可為設置於主板體兩側翼板，如此一來，擋板同樣能透過翼板而與凹槽以可拆離的方式結合。
除此之外，上述晶片的晶片長度係以圓形晶片而定，請參閱圖8所示，若晶片W1為方形或者是類方形(Pseudo Square)時，其晶片長度h為其方長。
是以，本創作之晶片提籃，由於不再使用由矽製成的擋塊，而採用以塑膠材質的擋板20取代，因此，並不會有因碰撞而產生矽碎片的情況發生，而能降低酸洗槽噴嘴堵塞的機會，而能延長酸洗槽的清洗週期；而且，基於本創作之晶片提籃的巧思，可使其所容置的晶片均勻地接觸酸液，如此一來，一方面可清洗晶片表面更為潔淨之外，另一方面又能降低其清洗時間、縮短清洗週期的效果。
再一提的是，本創作之晶片提籃並不限定僅應用於洗淨、分離的製程中，舉凡其他須經過酸洗的製程，當然亦可應用本創作之晶片提籃。
舉凡應用本創作說明書及申請專利範圍所為
之等效變化，理應包含在本創作之專利範圍內。
100‧‧‧晶片提籃
10‧‧‧籃體
12‧‧‧底板
12a‧‧‧插槽
14a‧‧‧短側板
14b‧‧‧長側板
16‧‧‧承載座
16a‧‧‧弧面
18‧‧‧支撐件
19‧‧‧提把
20‧‧‧擋板
22‧‧‧主板體
22a‧‧‧條形孔
24‧‧‧下凸片
Claims (9)
- 一種晶片提籃，用以放置至少一晶片，該晶片提籃包括：一籃體，具有一容置空間，該晶片係放置於該容置空間內，該籃體具有一嵌接部；以及一擋板，具有一嵌入部，該擋板之嵌入部以可拆離的方式與該嵌接部結合。
- 如請求項1所述之晶片提籃，其中該籃體包括有一底板與複數側板沿著該底板周緣設置，該底板與該些側板所圍繞區域形成該容置空間，該底板具有該嵌接部；其中該晶片具有一晶片長度H，該些側板具有一第一高度H1，該晶片長度H與該第一高度H1符合以下關係：0.7≦H1/H≦0.8。
- 如請求項1所述之晶片提籃，其中該籃體包括有一底板與複數側板沿著該底板周緣設置，該底板與該些側板所圍繞區域形成該容置空間，該底板具有該嵌接部；其中該晶片具有一晶片長度H，該晶片擺放於該籃體之容置空間後，部分突出於該些側板頂緣，且突出的部分為一第二高度H2，該晶片長度H與該第二高度H2符合以下關係：0.2≦H2/H≦0.3。
- 如請求項1所述之晶片提籃，其中該籃體包括有一底板與複數側板沿著該底板周緣設置，該底板與該些側板所圍繞區域形成該容置空間，該底板具有該嵌接部；其中該晶片具有一晶片長度H，該晶片擺放於該籃體之容置空間後， 部分突出於該擋板頂緣，且突出的部分為一第三高度，該晶片長度H與該第三高度H3符合以下關係：0.2≦H3/H≦0.35。
- 如請求項1至4中任一項所述之晶片提籃，其中該嵌接部為一插槽；該嵌入部為一下凸片，該下凸片***該插槽中。
- 如請求項5所述之晶片提籃，其中該擋板包括有一主板體及一上凸片，該主板體具有相對的兩端，其中一端具有該下凸片，另一端連接該上凸片，該主板體具有一第一水平寬度，該上凸片具有一第二水平寬度，該第一水平寬度大於該第二水平寬度。
- 如請求項2至4中任一項所述之晶片提籃，更包含有一支撐件設置於該籃體之該底板，用以使該底板與水平線存在3~5度的傾角。
- 如請求項1所述之晶片提籃，其中該擋板具有至少一孔，該孔貫通該擋板之二表面，用以減少該晶片與該擋板貼合時產生的附著力。
- 如請求項1所述之晶片提籃，其中該擋板的材質為塑膠。
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