TWM502897U - 增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置 - Google Patents

Description

增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置

本創作係關於觸控板之技術領域，尤指一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置。

近年來平面顯示器產業迅速發展，許多產品也被相繼提出，以追求重量更輕、厚度更薄、體積更小與更加細緻的影像品質。並且發展出了數種的平面顯示器來取代傳統的陰極射線管顯示器(CRT)。習知平面顯示器包括了液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)、電漿顯示器(Plasma Display Panel,PDP)、有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器、場發射顯示器(Field Emission Display,FED)、及真空螢光顯示器(Vacuum Fluorescence Display,VFD)。

在眾多種類的平面顯示器中，有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示技術是極具潛力的新興平面顯示技術。OLED是1987年由美國柯達(Eastman Kodak Co.)公司所發表。其具有厚度薄、重量輕、自發光、低驅動 電壓、高效率、高對比、高色彩飽和度、反應速度快、可撓曲等特色，因此被視為繼TFT-LCD之後，相當被看好的顯示技術。近年來行動通訊、數位產品與數位電視對高畫質全彩平面顯示器的需求急速增加。OLED顯示器不但具有LCD的輕薄、省電與全彩顯示的優點，更具有比LCD更好的廣視角、主動發光、反應速度快的特性。

有機發光二極體(OLED)顯示器包含一對應電極層、一有機發光二極體層、一畫素電極層、一薄膜電晶體層、一反射層、一下基板、及一上基板或封裝層等結構層，其中該有機發光二極體層更包含一電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)、一發光層(emitting layer)、及一電子傳輸子層(electron transporting layer,ETL)。

有機發光二極體之發光原理是藉著外加電場的作用，使電子、電洞分別從對應電極層、畫素電極層注入，電洞經過電洞傳輸子層、電子通過電子傳輸子層之後，進入具有螢光特性的發光層。接著在內部結合產生激發光子，激發光子隨即將能量釋放並回到基態(Ground state)，被釋出的能量會根據不同的發光材料產生不同顏色的光，而造就了OLED的發光現象。

習知的有機發光二極體(OLED)顯示器在上基板下方有一陰極之對應電極層，該對應電極層可隔絕來自上基板上方的雜訊，並接收該畫素電極層之畫素陽極的電流，以控制發光層的發光。在習知的有機發光二極體(OLED)顯示器中，該畫素電極層較佳為陽極層，其對應電極層則 為陰極層。

習知之觸控式平面顯示器係將觸控面板與平面顯示器直接進行上下之疊合，因為疊合之觸控面板為透明之面板，因而影像可以穿透疊合在上之觸控面板顯示影像，再藉由觸控面板作為輸入之媒介或介面。然而這種習知之技藝，因為於疊合時，必須增加一個觸控面板之完整重量，使得平面顯示器重量大幅地增加，不符合現時市場對於顯示器輕薄短小之要求。而直接疊合觸控面板以及平面顯示器時，在厚度上，增加了觸控面板本身之厚度，降低了光線的穿透率，增加反射率與霧度，使螢幕顯示的品質大打折扣。

針對前述之缺點，觸控式平面顯示器改採嵌入式觸控技術。嵌入式觸控技術目前主要的發展方向主要為In-Cell技術。In-Cell Touch技術則是將觸控元件整合於顯示面板之內，使得顯示面板本身就具備觸控功能，因此不需要另外進行與觸控面板貼合或是組裝的製程，這樣技術通常都是由顯示面板廠開發。

就感測方式而言，電容式觸控面板是利用排列之透明電極與人體間的靜電結合引發之電容變化，轉化為電流或電壓來檢測其座標。圖1係一習知單層透明電極結構之示意圖。透明電極11用以偵測透明電極11與手指的靜電結合所引發之電容變化，並由走線12傳輸。圖1的單層透明電極結構其具有節省材料成本及簡化製造工序的優點。然而，圖1的單層透明電極結構有著走線12複雜的缺點，也因為走 線12佔據了部分面積，導致線性度變差。走線12所佔據的部分面積會形成死區(dead area)，亦即在死區無法有效地偵測一手指的觸碰。同時，由於有機發光二極體顯示器的該對應電極層(陰極層)，此會使得觸控訊號被該對應電極層(陰極層)遮罩，而導致In-Cell嵌入式觸控技術難以應用在有機發光二極體顯示器上。因此，習知有機發光二極體液晶顯示面板結構仍有改善的空間。

本創作之目的主要係在提供一增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其可將In-Cell嵌入式觸控技術應用在有機發光二極體顯示器上，同時可較習知技術更準確地偵測觸碰位置。

依據本創作之一特色，本創作提出一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，包括一上基板、一下基板、一薄膜電晶體層、一畫素電極層、一感應電極層、及一對應電極層。該下基板與該上基板呈平行配置，並將一有機發光顯示材料層夾置其間。該薄膜電晶體層，佈植於該下基板面向顯示材料層之一面，該薄膜電晶體層包含有複數個薄膜電晶體與複數條閘極驅動線及複數條資料驅動線。該畫素電極層包含有複數個畫素電極，佈植於該薄膜電晶體層與該顯示材料層之間，每一畫素電極分別連接至一薄膜電晶體之源/汲極。該感應電極層佈植於該下基板與該顯示材料層之間，其包含有複數 個觸控感應電極。該對應電極層於非相對應於該複數個畫素電極之區域佈植複數個開孔，俾使電力線穿越。

依據本創作之另一特色，本創作提出一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，包括一封裝層、一下基板、一薄膜電晶體層、一畫素電極層、一感應電極層、及一對應電極層。該下基板與該封裝層呈平行配置，並將一有機發光顯示材料層夾置其間。該薄膜電晶體層佈植於該下基板面向顯示材料層之一面，該薄膜電晶體層包含有複數個薄膜電晶體與複數條閘極驅動線及複數條資料驅動線。該畫素電極層包含有複數個畫素電極，佈植於該薄膜電晶體層與該顯示材料層之間，每一畫素電極分別連接至一薄膜電晶體之源/汲極。該感應電極層佈植於該下基板與該顯示材料層之間，其包含有複數個觸控感應電極。該對應電極層於非相對應於該複數個畫素電極之區域佈植複數個開孔，俾使電力線穿越。

11‧‧‧透明電極

12‧‧‧走線

200‧‧‧增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置

210‧‧‧上基板

220‧‧‧下基板

230‧‧‧顯示材料層

240‧‧‧薄膜電晶體層

250‧‧‧畫素電極層

260‧‧‧感應電極層

270‧‧‧對應電極層

280‧‧‧遮光層

290‧‧‧彩色濾光層

300‧‧‧保護層

241‧‧‧畫素驅動電路

2411‧‧‧閘極

2413‧‧‧汲/源極

2415‧‧‧源/汲極

251‧‧‧陽極畫素電極

271‧‧‧開孔

261‧‧‧增益大於零之放大器

263‧‧‧阻抗

231‧‧‧電洞傳輸子層

233‧‧‧發光層

235‧‧‧電子傳輸子層

31-1~31-N‧‧‧導電金屬網格

310、320‧‧‧導電金屬線

32-1~32-N‧‧‧走線

410‧‧‧觸控接地

420‧‧‧電源接地

450‧‧‧虛線區域

510‧‧‧選擇開關組

520‧‧‧電容偵測電路

550‧‧‧接地阻抗

700,800,900,1000,1100,1200,1300‧‧‧內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置

670‧‧‧畫素電極層

650‧‧‧對應電極層

671‧‧‧陰極畫素電極

630‧‧‧顯示層

631‧‧‧電洞傳輸子層

635‧‧‧電子傳輸子層

710‧‧‧閘極線子層

720‧‧‧資料線子層

933-1‧‧‧紅色發光層

933-2‧‧‧藍色發光層

933-3‧‧‧綠色發光層

A‧‧‧橢圓

1010‧‧‧封裝層

圖1係一習知單層透明電極結構之示意圖。

圖2係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機 發光二極體觸控顯示裝置之疊層示意圖。

圖3係本創作感應電極層的示意圖。

圖4A係本創作導電金屬線與開孔位置的立體示意圖。

圖4B係本創作的對應電極開孔之一實施例示意圖。

圖5係本創作的該增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置的等效電路圖。

圖6係本創作選擇開關組的運作示意圖。

圖7係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置之另一疊層示意圖。

圖8係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置之又一疊層示意圖。

圖9係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置之再一疊層示意圖。

圖10係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置之另一疊層示意圖。

圖11係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置之另一疊層示意圖。

圖12係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置之另一疊層示意圖。

圖13係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置之另一疊層示意圖。

圖2係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置200之疊層示意圖。該增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置200包括一上基板210、一下基板220、一顯示材料層230、一薄膜電晶體層240、一畫素電極層250、一感應電極層 260、一對應電極層270、一遮光層280、一彩色濾光層290、及一保護層300。於圖2中，該畫素電極層250係一陽極層，該對應電極層270係一陰極層。

該上基板210及該下基板220較佳為玻璃基板或高分子薄膜基板，該上基板210及該下基板220以平行成對之配置將該顯示材料層230夾置於二基板110,120之間。該顯示材料層230為一有機發光顯示材料層。

該薄膜電晶體層240佈植於該下基板220面向顯示材料層230之一面，該薄膜電晶體層240包含有複數個畫素驅動電路241與複數條閘極驅動線(圖未示)及複數條資料驅動線(圖未示)。每一個畫素驅動電路241係對應至一畫素，依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號，用以驅動對應之畫素驅動電路241，進而執行顯示操作。該複數條閘極驅動線及該複數條源極驅動線定義出複數個畫素區域，每一個畫素區域係對應至一個透光區塊。

依畫素驅動電路241設計的不同，例如2T1C係由2薄膜電晶體與1儲存電容設計而成畫素驅動電路，6T2C係由6薄膜電晶體與2儲存電容設計而成畫素驅動電路。畫素驅動電路241中最少有一薄膜電晶體的閘極2411連接至一條閘極驅動線，依驅動電路設計的不同，控制電路中最少有一薄膜電晶體的汲/源極2413連接至一條資料驅動線，畫素驅動電路241中最少有一薄膜電晶體的源/汲極2415連接至該畫素電極層250中的一個對應的陽極畫素電極251。於圖2中，該畫素電極251係一陽極畫素電極。

該畫素電極層250包含有複數個畫素電極251，佈植於該薄膜電晶體層240與該顯示材料層230之間，每一畫素電極251分別連接至一薄膜電晶體之源/汲極2415。

該感應電極層260佈植於該下基板220與該顯示材料層230之間，其包含有複數個觸控感應電極(圖未示)。

該對應電極層270於非相對應於該複數個畫素電極251之區域佈植複數個開孔271，俾使電力線穿越。

該遮光層(black matrix)280係位於該第一基板210之面對該有機發光顯示材料層230一側的表面，如圖2所示，該遮光層280係由複數條遮光線281所構成。該複數條遮光線條281設置於一第一方向(X-軸方向)及一第二方向(Y-軸方向)，以形成複數個透光區塊。該等複數條遮光線281係由黑色絕緣材質所構成。該複數條遮遮光線281係依該薄膜電晶體層280的閘極驅動線與源極驅動線的相對位置而設置。該第一方向與該第二方向係互相垂直，故該遮光層280又稱為黑矩陣(black matrix)。

該彩色濾光層290位於該遮光層280之面向該顯示材料層230一側。該保護層300位於該遮光層280之面向該顯示材料層230一側。

該顯示材料層230包含一電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)231、一發光層(emitting layer)233、及一電子傳輸子層(electron transporting layer,ETL)235。該顯示層230較佳產生白光，並使用該彩色濾光層(color filter)290過濾而產生紅、藍、綠三原色。

圖3係本創作感應電極層260的示意圖。如圖2及圖3所示，該感應電極層260佈植於該下基板220與該顯示材料層230之間。該感應電極層260含有複數個觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )。其中，每一觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )係對應複數個畫素電極251，且每一觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )所對應之對應電極層270上係佈植有至少一開孔271。

該複數個觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )可為多邊形、圓形、橢圓形、星形、楔形、幅射形、三角形、五角形、六角形、八角形、矩形或方形。該複數個觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )係由導電金屬線之網格所形成。其中，形成該複數個觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )的導電金屬網格之導電金屬線係佈植在該對應電極層270之複數個開孔271的相對位置處。

該導電金屬線係鉻、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、鋅、錫、合金、上述材料之合金或使用氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、及氧化鋰(Li2O)與鋁(Al)組合而成。

如圖3所示，於該感應電極層260中，該複數個觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )之每一個導電金屬網格31-1~31-N係由複數條導電金屬線310所構成，其中，每一個導電金屬網格311經由一導電金屬線320連接，以傳輸觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )所感測的電氣訊號。

如圖3所示，該感應電極層260中的該複數條 導電金屬線310、320係以該第一方向(X)及該第二方向(Y)設置。其中，該第一方向係垂直第二方向。該複數條導電金屬線310、320係分成一第一組導電金屬線310、及一第二組導電金屬線320，該第一組導電金屬線310形成N個多邊型的導電金屬網格31-1~31-N，其中，N為自然數。在每一個多邊型的導電金屬網格31-1~31-N中的導電金屬線係電氣連接在一起，而任兩個多邊型的導電金屬網格31-1~31-N之間並未連接，以在該感應電極層260形成有單層感應觸控圖型結構。

於本實施例中，該複數個觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )係分別由該N個多邊型的導電金屬網格31-1~31-N所構成。該N個多邊型的導電金屬網格31-1~31-N係以長方形為例子，且該複數條導電金屬線310、320的位置係佈植在該對應電極層270之複數個開孔271的相對位置處。由於本創作於該對應電極層270之適當位置佈植複數個開孔271，故本創作之對應電極層270不會像習知的對應電極層會遮蔽觸控訊號，因此本創作技術可將In-Cell嵌入式觸控技術應用在有機發光二極體(OLED)顯示器上。

於其他實施例中，導電金屬線310、320係佈植在複數條閘極驅動線及複數條資料驅動線之相對位置處，其中，閘極驅動線及資料驅動線係熟於平面顯示器技術所知者，故不再詳述。

該第二組感應導體線320形成N個走線32-1~32-N，該N個走線的每一個走線係與一對應的多邊型 的導電金屬網格31-1~31-N電氣連接，而每一個走線32-1~32-N之間並未連接。

如圖2所示，該增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置200更包含有至少一個增益大於零之放大器261，該放大器261電氣交連至該感應電極層260與該對應電極層270之間。於該放大器261之輸出端與該對應電極層270之間可設置一阻抗263。該阻抗263較佳為一電容器，以阻隔觸控訊號之直流成分流至該對應電極層270。

該增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置200更包含顯示於圖6中之一選擇開關組510及一電容偵測電路520。該選擇開關組510依序將選定之至少一個的觸控感應電極上之觸控訊號交連至該增益大於零之放大器261，經該放大器261處理後輸出至該對應電極層270。

圖4A係本創作導電金屬線與開孔位置的立體示意圖。其係圖3中橢圓A處的放大圖。如圖4A所示，該複數條導電金屬線310、320的位置係佈植在該對應電極層270之複數個開孔271的相對位置處。由於該對應電極層270係用來接收畫素電極251來的電流，故該在該對應電極層270相對於畫素電極251處不可設置開孔271。如圖4A所示，虛線區域450處係相對於畫素電極251，故不可在虛線區域450設置開孔271。每一觸控感應電極所對應之對應電極層270上係佈植有至少一開孔271即可。為增加手指與觸控感應電 極S1,S2,S3,...,S_N 之間的電力線，亦可如圖4A一般，在避開畫素電極251的區域，設置多個開孔271。圖4B係本創作的對應電極開孔之一實施例之示意圖，其係利用絕緣層高低差來剝離對應電極/陰極層，藉以產生裂隙之孔洞271，該實施例可獲得較大之連續孔洞271以利更多電力線穿透，並且簡化製程。

圖5係本創作的該增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置200的等效電路圖。如圖5所示，該放大器261之增益較佳為1，該對應電極層270會經由一接地阻抗550耦接至一電源接地420。該對應電極層270所耦接之電源接地420係不同於該感應電極層260所耦接之觸控接地410。由於該對應電極層270的面積很大，所以該對應電極層270與觸控接地410之間會存在一電容C_CG 。圖6係本創作選擇開關組510的運作示意圖。該選擇開關組510連接至該複數個觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )及一電容偵測電路520。該選擇開關組510依序將選定之至少一個的觸控感應電極上之觸控訊號交連至該增益大於零之放大器261，經該放大器261處理後輸出至該對應電極層270。

如圖5及圖6所示，該選擇開關組510將選定的觸控感應電極S1上之觸控訊號交連至該增益大於零之放大器261，經該放大器261處理後輸出至該對應電極層270。如圖5的等效電路，其係由觸控接地410看過去，由於該接地阻抗550耦接至一電源接地420，所以於該等效電路中並不會看到。該放大器261之增益G較佳為一；當其增益為一 時，該對應電極層270與選定之觸控感應電極S1之電位差為零，即兩者之電位同步起伏且同電位，兩者之間的電容效應等效為零，C_CS1 =0。

承上述，當一手指觸碰觸控感應電極S1時，由於觸控感應電極S1與該對應電極層270之間的電容(C_CS1 )已等效為0。故原本經由C_CS1 連結而來的一大串電容包袱也消失殆盡，龐大面積之對應電極所感應到的巨大訊號也無法再經C_CS1 交連到觸控感應電極S1，觸控感應電極S1上的電容僅由手指與觸控感應電極S1之間的電容C_fs1 及觸控感應電極S1與觸控接地410之間的電容C_S1G 決定。由圖5可知，手指與觸控感應電極S1之間的電容C_fs1 會因上述電容等效消除之處置而在感應訊號中佔有較多成分，因此本創作技術可較習知技術更準確地偵測與分辨觸碰位置。

圖7係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置700之另一疊層示意圖。圖7係類似於圖2但主要差別在於畫素電極層670與對應電極層650的陰陽極性對調。亦即，於圖7中，該畫素電極層670係一陰極層，該對應電極層650係一陽極層。圖7中的該畫素電極層670具有複數個畫素電極671，於圖7中，該畫素電極671係一陰極畫素電極。每一個畫素電極671係與該薄膜電晶體層240的該畫素驅動電路241之一個畫素驅動電晶體對應，亦即該複數個陰極畫素電極的每一個陰極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路241之該畫素驅動電晶體之源/汲極2415連接，以形成一特定顏色的畫素電 極，例如紅色畫素電極、綠色畫素電極、或藍色畫素電極。

於圖7中，不僅該畫素電極層670與該對應電極層650的陰陽極性對調，同時為了配合該畫素電極層670與該對應電極層650，該顯示層630的電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)631與電子傳輸子層(electron transporting layer,ETL)635的位置亦對調。該畫素電極層670具有複數個畫素電極671，該複數個畫素電極671的每一個畫素電極係與對應的該畫素驅動電路之畫素驅動電晶體之源/汲極連接。

於此實施例中，該增益大於零之放大器261的輸出係連接至該對應電極層650。當進行觸控感應偵測時，該選擇開關組510將一個觸控感應電極所感應到的一感應訊號經該增益大於零之放大器261放大後產生一同相位複製感應訊號並施加於該對應電極層650，以降低該觸控感應電極與該對應電極層650之間的電容效應。

圖8係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置800之又一疊層示意圖。圖8係類似於圖2但主要差別在於感應電極層260設置於薄膜電晶體層240中的一閘極線子層710及一資料線子層720。感應電極層260設置於閘極線子層710及一資料線子層720的相關技術可參見本案創作人所申請並已經公開之M473556公告案。

圖9係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置900之再一疊層示意 圖。圖9係類似於圖2但主要差別在於感應電極層260設置於該畫素電極層250中。亦即在該畫素電極251之間設置該複數條導電金屬線310、320，藉此在畫素電極層250中形成複數個觸控感應電極(S1,S2,S3,...,S_N )。

圖10係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置1000之另一疊層示意圖。圖10係類似於圖2但主要差別在於：在圖10中，使用紅色發光層933-1、藍色發光層933-2、綠色發光層933-3，因此無須使用彩色濾光層(color filter)、遮光層(black matrix)、及保護層。於其他實施例中，由於沒有彩色濾光層(color filter)、遮光層(black matrix)、及保護層，故上基板已非絕對必要，可直接將水氧阻障材料以化學氣相沉積法、濺鍍法、或蒸鍍法在發光材料層上方形成一封裝層(thin film encapsulation layer)1010即可。此實施例尤其適宜可撓曲之有機發光二極體觸控顯示面板。

圖11係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置1100之另一疊層示意圖。圖11係類似於圖7但主要差別在於：在圖11中，使用紅色發光層933-1、藍色發光層933-2、綠色發光層933-3，因此無須使用彩色濾光層(color filter)、遮光層(black matrix)、及保護層。

圖12係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置1200之另一疊層示意圖。圖12係類似於圖8但主要差別在於：在圖12中，使用 紅色發光層933-1、藍色發光層933-2、綠色發光層933-3，因此無須使用彩色濾光層(color filter)、遮光層(black matrix)、及保護層。

圖13係本創作一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置1300之另一疊層示意圖。圖13係類似於圖9但主要差別在於：在圖13中，使用紅色發光層933-1、藍色發光層933-2、綠色發光層933-3，因此無須使用彩色濾光層(color filter)、遮光層(black matrix)、及保護層。

由前述說明可知，本創作於該對應電極層270設置有複數個開孔，不會遮蔽觸控訊號，因此本創作技術可將In-Cell嵌入式觸控技術應用在有機發光二極體(OLED)顯示器上。本創作在偵測手指觸碰位置時，將選定偵測中之觸控感應電極S1的感應訊號，經由該至少一個增益大於零之放大器261而產生同相位複製感應訊號，並將該同相位複製感應訊號施加於該對應電極層270，使該觸控感應電極S1與該對應電極層270有相同的電位，因此讓該觸控感應電極S1與該對應電極層270之間的電容等效為0。手指與觸控感應電極S1之間的電容會因此而在感應訊號中佔有較多成分，因此本創作技術可較習知技術更準確地偵測觸碰位置。同時為避免施加於該對應電極層270的該同相位複製感應訊號干擾顯示面板，又將該對應電極層270之顯示訊號的電源與接地420和該感應電極層260及至少一個增益大於零之放大器261的電源與觸控接地410分開。如此既可增加偵 測觸碰位置的準確度，又不會干擾顯示畫質。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限于上述實施例。

200‧‧‧內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置

210‧‧‧上基板

220‧‧‧下基板

230‧‧‧顯示材料層

240‧‧‧薄膜電晶體層

250‧‧‧畫素電極層

260‧‧‧感應電極層

270‧‧‧對應電極層

280‧‧‧遮光層

290‧‧‧彩色濾光層

300‧‧‧保護層

241‧‧‧畫素驅動電路

2411‧‧‧閘極

2413‧‧‧汲/源極

2415‧‧‧源/汲極

251‧‧‧陽極畫素電極

271‧‧‧開孔

261‧‧‧增益大於零之放大器

263‧‧‧電容

231‧‧‧電洞傳輸子層

233‧‧‧發光層

235‧‧‧電子傳輸子層

Claims (18)

1. 一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，包括：一上基板；一下基板，其與該上基板呈平行配置，並將一有機發光顯示材料層夾置其間；一薄膜電晶體層，佈植於該下基板面向顯示材料層之一面，該薄膜電晶體層包含有複數個薄膜電晶體與複數條閘極驅動線及複數條資料驅動線；一畫素電極層，包含有複數個畫素電極，佈植於該薄膜電晶體層與該顯示材料層之間，每一畫素電極分別連接至一薄膜電晶體之源/汲極；一感應電極層，佈植於該下基板與該顯示材料層之間，其包含有複數個觸控感應電極；以及一對應電極層，該對應電極層於非相對應於該複數個畫素電極之區域佈植複數個開孔，俾使電力線穿越。
2. 如申請專利範圍第1項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其更包含有至少一個增益大於零之放大器，該放大器電氣交連至該感應電極層與該對應極層之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其更包含有一選擇開關組，該選擇開關組依序將選定之至少一個的觸控感應電極上之觸控訊號交連至該增益大於零之放大器，經該放大器處理後輸出至該對應電極層。
4. 如申請專利範圍第3項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，該對應電極層所耦接之電源接地係不同於該感應電極層與該增益大於零的放大器所耦接之電源接地。
5. 如申請專利範圍第4項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，每一觸控感應電極係對應複數個畫素電極，且該對應電極層於相對每一觸控感應電極之位置皆佈植有至少一開孔。
6. 如申請專利範圍第1項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，該複數個觸控感應電極為多邊形、圓形、橢圓形、星形、楔形、幅射形、三角形、五角形、六角形、八角形、矩形或方形。
7. 如申請專利範圍第6項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，該複數個觸控感應電極係由導電金屬線之網格所形成，該導電金屬線係鉻、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、鋅、錫、合金、上述材料之合金或使用氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、及氧化鋰(Li2O)與鋁(Al)組合而成。
8. 如申請專利範圍第7項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，形成該複數個觸控感應電極的導電金屬網格之導電金屬線係佈植在該對應電極層之複數個開孔的相對位置處。
9. 如申請專利範圍第7項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，形成該複數個觸控感應電極的導電金屬網格之導電金屬線係佈植在該複數條閘極驅動線及該複數條資料驅動線之相對位置處。
10. 一種增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，包括：一封裝層；一下基板，其與該封裝層呈平行配置，並將一有機發光顯示材料層夾置其間；一薄膜電晶體層，佈植於該下基板面向顯示材料層之一面，該薄膜電晶體層包含有複數個薄膜電晶體與複數條閘極驅動線及複數條資料驅動線；一畫素電極層，包含有複數個畫素電極，佈植於該薄膜電晶體層與該顯示材料層之間，每一畫素電極分別連接至一薄膜電晶體之源/汲極；一感應電極層，佈植於該下基板與該顯示材料層之間，其包含有複數個觸控感應電極；以及一對應電極層，該對應電極層於非相對應於該複數個畫素電極之區域佈植複數個開孔，俾使電力線穿越。
11. 如申請專利範圍第10項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其更包含有至少一個增益大於零之放大器，該放大器電氣交連至該感應電極層與該對應電極層之間。
12. 如申請專利範圍第11項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其更包含有一選擇開關組，該選擇開關組依序將選定之至少一個的觸控感應電極上之觸控訊號交連至該增益大於零之放大器，經該放大器處理後輸出至該對應電極層。
13. 如申請專利範圍第12項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，該對應電極 層所耦接之電源接地係不同於該感應電極層與該增益大於零的放大器所耦接之電源接地。
14. 如申請專利範圍第13項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，每一觸控感應電極係對應複數個畫素電極，且該對應電極層於相對每一觸控感應電極之位置皆佈植有至少一開孔。
15. 如申請專利範圍第10項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，該複數個觸控感應電極為多邊形、圓形、橢圓形、星形、楔形、幅射形、三角形、五角形、六角形、八角形、矩形或方形。
16. 如申請專利範圍第15項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，該複數個觸控感應電電極係由導電金屬線之網格所形成，該導電金屬線係鉻、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、鋅、錫、合金、上述材料之合金或使用氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、及氧化鋰(Li2O)與鋁(Al)組合而成。
17. 如申請專利範圍第15項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，形成該複數個觸控感應電極的導電金屬網格之導電金屬線係佈植在該對應電極層之複數個開孔的相對位置處。
18. 如申請專利範圍第15項所述之增加觸控位置分辨能力之內嵌式有機發光二極體觸控顯示裝置，其中，形成該複數個觸控感應電極的導電金屬網格之導電金屬線係佈植在該複數條閘極驅動線及該複數條資料驅動線之相對位置處。