TWM501891U

TWM501891U - 用於製備氰化氫之轉化器

Info

Publication number: TWM501891U
Application number: TW102223409U
Authority: TW
Inventors: John C Caton; Brent J Stahlman; Kevin L Hammack
Original assignee: Invista Tech Sarl
Priority date: 2012-12-18
Filing date: 2013-12-12
Publication date: 2015-06-01
Also published as: CN203683108U

Description

用於製備氰化氫之轉化器

本實用新型係關於包含用於將三元氣體混合物均勻地分佈於觸媒床上方之分佈器板的轉化器。

習慣上，氰化氫(「HCN」)係根據安德盧梭(Andrussow)法或BMA法以工業規模製造。(例如，參見Ullman's Encyclopedia of Industrial Chemistry，第A8卷，Weinheim 1987，第161-163頁)。例如，在安德盧梭法中，HCN可藉由在升高溫度下在反應器中在適宜觸媒存在下使氨與含甲烷氣體及含氧氣體反應來商業製造(美國專利第1,934,838號及第6,596,251號)。硫化合物及甲烷之高級同系物可對甲烷之氧化氨解參數具有效應。例如，參見Trusov,Effect of Sulfur Compounds and Higher Homologues of Methane on Hydrogen Cyanide Production by the Andrussow Method,Russian J.Applied Chemistry,74：10(2001)，第1693-1697頁)。藉由使反應器流出物氣體流與磷酸銨水溶液在氨吸收器中接觸來分離未反應之氨與HCN。將經分離氨純化並濃縮以供再循環用於HCN轉化。通常藉由吸收至水中自經處理反應器流出物氣體流回收HCN。經回收HCN可用進一步精製步驟處理以產生經純化HCN。清潔發展機制項目設計文件表格(Clean Development Mechanism Project Design Document Form)(CDM PDD，第3版)，2006示意性地解釋了安德盧梭HCN製造方法。經純化HCN可用於氫氰化，例如含烯烴基團之氫氰化，或例如1,3-丁二烯及戊烯腈之氫氰化，其可用於製造己二腈(「ADN」)。在BMA法中，HCN係在實質上不存在氧下且在鉑觸媒存在下自甲烷及氨合成，從而產生HCN、氫、氮、殘餘氨及殘餘甲烷。(例如，參見Ullman's Encyclopedia of Industrial Chemistry，第A8卷，Weinheim 1987，第161-163頁)。商業操作人員需要進行方法安全性管理以處置氰化氫之有害性質。(參見Maxwell等人Assuring process safety in the transfer of hydrogen cyanide manufacturing technology,JHazMat 142(2007),677-684)。另外，來自製造設施之HCN製造過程排放物可能要服從於規章，此可影響製造HCN之經濟性。(參見Crump,Economic Impact Analysis For The Proposed Cyanide Manufacturing NESHAP,EPA，2000年5月)。

在製造HCN時，混合氨氣、含甲烷氣體及含氧氣體以形成進給至反應器之三元氣體混合物。三元氣體混合物接觸觸媒床。通常，觸媒床之直徑大於連接至反應器之進料管且三元氣體混合物需要分佈於觸媒床上方。已使用主要用於防止回閃之消焰器來分佈三元氣體混合物，如美國專利第2,620,259號、第6,491,876號及第6,656,442號中所述。美國專利第3,215,495號闡述由惰性耐火粒子層覆蓋之惰性氧化鋁-矽石耐火纖維層，其有助於使進料氣體分佈於觸媒床上方以避免熱點。

美國專利第3,423,185號闡述在反應器中用於支撐金屬絲網觸媒之爐篦，在該反應器中氨及甲烷反應以產生HCN，該爐篦包含諸多水平配置之陶瓷塊，其中貫穿有用於使反應物氣體穿過之孔，該爐篦之上部包含用於支撐絲網觸媒之觸媒接觸構件且該爐篦之下部包含用於跨越反應器之剖面均一地分佈反應物氣體之氣體分佈構件。

美國專利第6,221,327號揭示利用反應區之流通式(flow through)輻射屏蔽所改良之觸媒系統且揭示使用該觸媒系統製造氰化氫之方法。觸媒系統之輻射屏蔽可由兩個或更多個輻射屏蔽層形成。在一些不擔心跨越輻射屏蔽之壓力降之應用中，可使用多個層或較厚屏蔽，以生成此一壓力降，用於進一步改良穿過系統之流動分佈之目的。

美國專利第8,133,458號揭示用於將甲烷、氨及氧以及鹼金屬或鹼土金屬氫氧化物轉化成鹼金屬氰化物或鹼土金屬氰化物之反應器，該轉化係藉由包含具有氣體入口埠之第一級之兩級反應達成，其中該第一級係藉由具有在觸媒材料上提供均勻氣體分佈之分佈器板之錐體來形成，其中該等分佈器板位於反應器之氣體入口埠與觸媒材料之間且分佈器板穿有多個孔，其中分佈器板在氣體流動方向上彼此間隔開，第一分佈器板主要發揮分佈氣體之功能，而最後分佈器板作為熱輻射屏蔽及作為面向觸媒材料之分佈器板起作用，且其中該觸媒材料係以藉由觸媒重量固定之觸媒絲網形式存在。

通常，需要高壓力降以確保三元氣體混合物之充分分佈。然而，高壓力降會造成生產率損失。因此，業內需要反應物氣體在適於製造HCN之觸媒床上方之改良分佈。

相關申請案交叉參考

本申請案主張優先於2012年12月18日提出申請之美國申請案第61/738,684號，其全部內容及揭示內容併入本文中。

本實用新型之一個實施例係關於用於製備氰化氫之轉化器，其包含細長導管，該細長導管用於引入至少一種選自由含甲烷氣體、含氨氣體、含氧氣體及其混合物組成之群之反應物氣體，其中該細長導管產生較佳具有至少25vol.%氧之三元氣體混合物流；反應器容器，其包含用於接收該三元氣體混合物之入口埠、消焰器及觸媒床；及分佈器板，其在該反應器容器內佈置於該入口埠下游及該消焰器上游，該分佈器板之直徑大於該入口埠且小於該反應器容器之最大直徑，其中該分佈器板具有為該分佈器板之總面積之至少50%至80%(例如，50%至75%)之空隙區域，且其中該分佈器板包含與該入口埠之中心點對準之實心區域。在一個態樣中，實心區域與入口埠可同心對準。分佈器板可與三元氣體混合物之流動橫向對準。實心區域可具有圓錐形凸起部分。凸起部分可剛性地固定至分佈器板。轉化器可進一步包含一或多個臂支架，該等臂支架將分佈器板連接至反應器容器之內壁。一或多個臂支架中之每一者皆可安裝至分佈器板之下游表面。空隙區域可由複數個孔界定。複數個孔中之每一孔之直徑可為0.1mm至20mm。消焰器可包含耐火陶瓷材料。耐火陶瓷材料可選自由陶瓷發泡體、陶瓷毯、丸、氧化鋁-矽石耐火非織造毯及其組合組成之群。在一個態樣中，細長導管具有出口，其連接至該反應器容器之入口埠，實心區域之直徑可小於或等於細長導管之出口。分佈器板之直徑可在10cm至290cm範圍內。轉化器可進一步在反應器容器之內壁與分佈器板之圓周之間包含圓周開口。實心區域可藉由一或多個***至少一部分複數個孔中之可移除器件界定，使得分佈器板具有為分佈器板之總面積之50%至80%之空隙區域。一或多個可移除器件可選自由螺栓、鉚釘、螺紋***件、鍛造五金件或其組合組成之群。在一個態樣中，實心區域可包含具有圓錐形狀之凸起部分。凸起部分指向分佈器板安裝。

本實用新型之第二實施例係關於用於製備氰化氫之轉化器，其包含細長導管，該細長導管用於引入至少一種選自由含甲烷氣體、含氨氣體、含氧氣體及其混合物組成之群之反應物氣體，其中該細長導管產生三元氣體混合物流；反應器容器，其包含用於接收該三元氣體混合物之入口埠、消焰器及觸媒床；及分佈器板，其在該反應器容器內佈置於該入口埠下游及該消焰器上游，其中該分佈器板具有由複數個孔界定之空隙區域，該空隙區域係該分佈器板之總面積之50%至80%，且其中該分佈器板包含具有為圓錐形之凸起部分之實心區域。

100‧‧‧HCN合成系統

102‧‧‧轉化器

104‧‧‧細長導管

106‧‧‧反應器容器

108‧‧‧含氧氣體進料流

110‧‧‧含甲烷氣體進料流

112‧‧‧含氨氣體進料流

114‧‧‧三元氣體混合物

116‧‧‧粗製氰化氫產物

118‧‧‧觸媒床

120‧‧‧分佈器板

122‧‧‧消焰器

124‧‧‧輻射屏蔽

126‧‧‧觸媒支撐件總成

128‧‧‧熱交換器

130‧‧‧氨回收區段

132‧‧‧管線

134‧‧‧HCN精製區段

140‧‧‧實心區域

142‧‧‧孔

143‧‧‧區域

150‧‧‧圓周/周邊

141‧‧‧凸起圓錐形狀/圓錐形狀

144‧‧‧入口

146‧‧‧臂支架

148‧‧‧內壁/側壁

152‧‧‧圓周開口

154‧‧‧頂部空間

160‧‧‧點火器孔

圖1係根據目前所主張實用新型之實施例之HCN合成系統的簡化示意性流程圖。

圖2係根據目前所主張實用新型之實施例之分佈器板的俯視圖。

圖3A係根據目前所主張實用新型之實施例之具有圓錐形實心區域之分佈器板的側視圖。

圖3B係圖3A中之分佈器板之透視圖。

圖4係根據目前所主張實用新型之實施例之反應器容器的剖視圖。

本文所用術語僅用於闡述特定實施例之目的而並非意欲限制本實用新型。除非上下文另有明確指示，否則本文所用單數形式「一(a、an)」及「該」亦意欲包括複數形式。應進一步理解，當本說明書中使用術語「包括(comprises及/或comprising)」時，其係指明存在所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件，但並不排除存在或添加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件群、組件及/或其群。

諸如「包括(including)」、「包含(comprising)」、「具有(having)」、「含有(containing)」或「涉及(involving)」及其變化形式等用語意欲具有廣泛含義且涵蓋下文所列示之標的物，以及等效形式及未列舉之其他標的物。此外，每當組合物、元件群、製程或方法步驟或任一其他表述前面有過渡性片語「包含(comprising)」、「包括(including)」或「含有(containing)」時，應理解，本文中亦涵蓋在列舉組合物、元件群、製程或方法步驟或任一其他表述之前具有過渡性片語「基本上由……組成」、「由‥.…組成」或「選自由……組成之群」之相同組合物、元件群、製程或方法步驟或任一其他表述。

申請專利範圍中所有構件或步驟附加功能元件之相應結構、材料、動作及等效形式意欲包括任一用於組合所具體主張之其他主張元件實施功能之結構、材料或動作。本實用新型之說明已出於例示及說明之目的加以呈現，但並不意欲具有窮盡性或限定於呈所揭示形式之本實用新型。熟習此項技術者將明瞭許多修改及變化形式，此並不背離本實用新型之範圍及精神。選擇及闡述該(等)實施例以便最佳地解釋本實用新型之原理及實際應用，且使其他熟習此項技術者能夠理解本實用新型，從而得出具有適於所涵蓋之具體用途之各種修改之各種實施例。因此，儘管已依照實施例對本實用新型進行了闡述，但熟習此項技術者將認識到，本實用新型可在修改的情況下實施且在隨附申請專利範圍之精神及範疇內。

現在將詳細地參考某些所揭示標的物。儘管將結合所列舉之申請專利範圍來闡述所揭示標的物，但應理解，其並不意欲將所揭示標的物限定於彼等申請專利範圍。相反，所揭示標的物意欲涵蓋可包括在如由申請專利範圍所界定之目前所揭示標的物之範圍內的所有替代形式、修改及等效形式。

氰化氫(「HCN」)係根據安德盧梭法或藉由BMA法以工業規模製造。在安德盧梭法中，使含甲烷、氨及氧之原材料在高於1000℃之溫度下在觸媒存在下反應以產生包含HCN、氫、一氧化碳、二氧化碳、氮、殘餘氨、殘餘甲烷及水之粗製氰化氫產物。觸媒通常為金屬絲網鉑/銠合金或金屬絲網鉑/銥合金。可使用其他觸媒組合物且包括(但不限於)鉑族金屬、鉑族金屬合金、受支撐之鉑族金屬或受支撐之鉑族金屬合金。亦可使用其他觸媒組態且包括(但不限於)多孔結構、絲網、小片、團塊、單塊、發泡體、浸漬塗層及洗滌塗層。

通常使用天然氣作為甲烷來源，同時可使用空氣、富集氧之空氣或純氧作為氧來源。如熟習此項技術者應瞭解，甲烷之來源可變且可自可再生來源(例如垃圾、農場、來自發酵或或化石燃料(例如天然氣)之生物氣體、油附隨氣體及氣體水合物)獲得，如以下中進一步闡述：VN Parmon,「Source of Methane for Sustainable Development」，第273-284頁；及Derouane編輯Sustainable Strategies for the Upgrading of Natural Gas：Fundamentals,Challenges,and Opportunities(2003)。

通常，圖1顯示HCN合成系統100。通常，HCN係在包含細長導管104及反應器容器106之轉化器102中產生。在安德盧梭法中，將包括含氧氣體進料流108、含甲烷氣體進料流110及含氨氣體進料流112之反應物氣體引入至細長導管104中。應注意，圖1中所示進料位置係示意性的且並不意欲顯示將進給反應物至細長導管104中之順序。在一些實施例中，含甲烷氣體進料流110及含氨氣體進料流112可在引入至細長導管104中之前組合。在一個實施例中，細長導管104可含有一或多個具有凸耳之靜式混合區，該等混合區用於產生充分混合之三元氣體混合物114。在一個實施例中，三元氣體混合物114包含至少25vol.%氧。在一些實施例中，三元氣體混合物114可包含至少28vol.%氧。三元氣體混合物114排出細長導管104並接觸反應器容器106內所含觸媒以形成含有HCN之粗製氰化氫產物116。觸媒可在觸媒床118內。

在接觸觸媒床118之前，三元氣體混合物114接觸分佈器板120。分佈器板120作為衝擊板發揮功能以破壞進入反應器容器106之三元氣體混合物之噴射流。「噴射流」係指集中於一個位置之氣體流。由於反應器容器106之入口小於反應器容器106之直徑，因此三元氣體混合物114易受噴射流影響。噴射流產生在觸媒床上產生熱點之不均一線速度。分佈器板120與反應器容器106之入口埠間隔開且在觸媒床118上游。三元氣體混合物114進入反應器容器106且具有需要破壞之噴射流以避免觸媒床118中之熱點。有利地，本實用新型使用分佈器板 120，其適於破壞三元氣體混合物114之噴射流，且無跨越分佈器板120之顯著壓力降。此防止反應器容器106內之大的壓力降。在一些實施例中，亦可視需要使用分佈器板120來進一步混合三元氣體混合物114。

反應器容器106亦可包含定位於分佈器板120下游之消焰器122、毗鄰觸媒床118之輻射屏蔽124及在觸媒床118下游之觸媒支撐件總成126。

圖1及4中所示之消焰器122可包含填充材料床或支撐於籃(basket)中之陶瓷丸，且在空間上佈置於觸媒床118上游。在消焰器122中可存在陶瓷耐火材料，例如陶瓷丸、陶瓷發泡體、陶瓷纖維毯、氧化鋁-矽石耐火材料、非織造毯、其組合及諸如此類。儘管用於丸床中之丸之大小可廣泛地變化，但丸之直徑通常為1mm至20mm，例如3mm至13mm。在一個實施例中，丸床之深度為至少0.4m，例如，至少0.5m。適宜陶瓷耐火材料組合物之非限制性實例包括至少90wt.%氧化鋁，例如，至少95wt.%氧化鋁。較佳消焰器122含有小於10wt.%之矽石，例如，小於6wt.%之矽石。消焰器122亦提高三元氣體混合物114之混合並產生跨越觸媒床118實質上均一組成之三元氣體混合物114。應注意，使用消焰器122實質上降低經加熱三元氣體混合物114經由自爆燃轉變成***而變得可***之可能性。

消焰器122可幫助跨越觸媒床118均勻地分佈三元氣體。分佈器板120及消焰器122一起操作以提供均勻分佈之三元氣體混合物。有利地，當分佈器板120破壞三元氣體混合物114之噴射流時，達成均勻分佈。若無此過程，則穿過消焰器122之線速度可能不均一且線速度之變動可能引起燃燒，從而在觸媒床中產生熱點或孔。此導致觸媒床上之其他問題，包括HCN產率降低及三元氣體混合物繞過。有利地，藉由使用分佈器板破壞噴射流，可在消焰器122中維持均一線速度。在一個態樣中，穿過觸媒床之速度係至少2m/s，例如，至少5m/s或至少7m/s。可使用更高線速度來提高生產。出於本實用新型之目的，破壞噴射流降低線速度之變動並維持均一線速度。在反應器容器106中之任兩點之間，均一線速度在±5%內變化。

反應器容器106亦可包含用於冷卻粗製氰化氫產物116之熱交換器128，例如，廢熱鍋爐。儘管並未在圖1或4中顯示，但消焰器122、輻射屏蔽124及觸媒支撐件總成126較佳緊靠反應器容器106之內壁，以防止三元氣體混合物繞過。換言之，消焰器122、輻射屏蔽124及觸媒支撐件總成126之平面橫截面面積大於分佈器板120之面積。

氨可在氨回收區段130中自粗製氰化氫產物116回收並經由管線132返回。HCN可進一步在HCN精製區段134中精製至期望用途所需之純度。在一些實施例中，HCN可為含有小於100mpm水之高純度。

將反應物氣體供應至細長導管以提供具有1.2至1.6(例如，1.3至1.5)之氨對氧之莫耳比、1至1.5(例如，1.1至1.45)之氨對甲烷之莫耳比及1至1.25(例如，1.05至1.15)之甲烷對氧之莫耳比的三元氣體混合物。例如，三元氣體混合物可具有1.3之氨對氧及1.2之甲烷對氧之莫耳比。在另一實例性實施例中，三元氣體混合物可具有1.5之氨對氧及1.15之甲烷對氧之莫耳比。三元氣體混合物中之氧濃度可端視該等莫耳比而變化。在一個實施例中，三元氣體包含至少25vol.%氧，例如，至少28vol.%氧。在一些實施例中，三元氣體混合物包含25vol.%至32vol.%氧，例如，26vol.%至30vol.%氧。可使用各種控制系統來調控反應物氣體流。例如，可使用量測反應物氣體進料流之流動速率、溫度及壓力並且允許控制系統向操作人員及/或控制裝置提供壓力及溫度補償流動速率之「即時」回饋的流量計。

熟悉此項技術者應瞭解，上述功能及/或過程可體現為系統、方法或電腦程式產品。例如，功能及/或製程可作為記錄在電腦可讀儲存裝置中之電腦可執行程式指令實施，該裝置在由電腦處理器擷取並執行時，控制計算系統以實施本文所述實施例之功能及/或製程。在一個實施例中，電腦系統可包括一或多個中央處理單元、電腦記憶體(例如，唯讀記憶體、隨機存取記憶體)及資料儲存器件(例如，硬磁碟機)。電腦可執行指令可使用任一適宜之電腦程式設計語言(例如，C++、JAVA等)編碼。因此，本實用新型態樣可呈完全為軟體之實施例(包括韌體、常駐軟體、微程式碼等)或組合軟體與硬體態樣之實施例之形式。

在一個實施例中，進入反應器容器106之三元氣體混合物經充分混合且具有跨越觸媒床之直徑小於0.1或更佳小於0.05且甚至更佳小於0.01之變動係數(CoV)。就範圍而言，CoV可為0.001至0.1或更佳0.001至0.05。CoV定義為標準偏差σ對平均值μ之比率。理想地，CoV會儘可能低，例如小於0.1，例如，0.05。HCN單元可在高於0.1之CoV下操作，且0.2之CoV並不異常，即在0.01至0.2或0.02至0.15範圍內，但在高於0.1下，操作成本較高且HCN產率較低，例如低2%至7%，此表現為在連續商業操作下每年可能損失數百萬美元。分佈器板維持在混合器中達成之低CoV以允許反應器及製程達成較高HCN產率以改良操作性能。

通常，當分佈三元氣體混合物時，預計轉化器且具體而言反應器容器中之壓力降會增加。此對於複雜分佈器板且對於多個分佈器板而言可能尤其如此。使壓力降最小化可降低三元氣體混合物之最大壓力且因此降低在***事件中之潛在壓力。為了幫助分佈，破壞噴射流。實質上均勻地分佈之三元氣體可達成跨越反應器床之平均速度及/或溫度之實質性均一性並避免觸媒床上之熱點。在一個實施例中，反應器容器106中之壓力降小於150kPa，例如，為35至125kPa。除非另外指示為表壓，否則所有壓力皆為絕對壓力。較佳為較小壓力降。

圖2係分佈器板120之上游表面之俯視圖，該分佈器板破壞噴射流以提供跨越反應器床之均一線速度，即在平均線速度之±5%內，且無高壓力降。如所顯示，分佈器板120實質上為圓形，但在其他實施例中，可使用對應於反應器容器之形狀之任一適宜形狀，例如矩形、正方形、卵形、橢圓形、三角形或其他多邊形形狀。在一個實施例中，分佈器板120之直徑大於入口埠且小於反應器容器106之最大內徑。入口埠之內徑可類似於混合容器且通常為5cm至60cm，例如，10cm至35cm。反應器容器106之內徑可端視商用單元而變化，且可在50cm至300cm(例如75cm至200cm)範圍內。實例性分佈器板之直徑可在10cm至290cm(例如，20cm至100cm)範圍內。在一個實施例中，分佈器板120之圓周150不接觸反應器容器106之內壁148，如圖4中所示，從而為三元氣體留出圓周開口以圍繞分佈器板120穿過。分佈器板120可與進入反應器容器之三元氣體混合物之流動橫向對準。分佈器板120包含實心區域140及複數個由區域143間隔開之孔142。在一個態樣中，分佈器板120可經塗佈。在一個態樣中，分佈器板120可實質上平面。在其他實施例中，如圖3A及3B中所示，分佈器板120可在實心區域140中具有凸起圓錐形狀141。分佈器板120之厚度可足以在操作及常規處置期間支撐其自身重量，且可視需要在反應器容器106內變化。在一個實施例中，分佈器板120之厚度可為5mm至20mm，例如，10mm至18mm。

實心區域140可大體佔據分佈器板120之中心點，但與反應器容器之入口埠之中心點對準。在一個優選實施例中，實心區域140可與反應器之入口埠之中心點同心對準。實心區域140打破三元氣體混合物之噴射流以幫助穿過及圍繞分佈器板120均勻地分佈三元氣體混合物。另外，實心區域140可防止三元氣體混合物在觸媒床中產生熱點。

實心區域140之形狀可對應於分佈器板120之形狀。在一些實施例中，實心區域140之形狀可類似於反應器之入口埠。實心區域140之直徑可近似於或小於反應器之入口埠之直徑。應理解，當實心區域140並非實質上圓形時，術語直徑可指實心區域140之形狀之最大內徑。

出於本實用新型之目的，實心區域140之直徑較佳小於或等於分佈器板120之直徑。分佈器板120之直徑(X )及實心區域140之直徑(y )可滿足以下關係：0.1<<0.7，例如，0.15<<0.6，0.2<<0.5，或更佳0.25<<0.35。此係相同關係，無論實心區域140是否為平面或凸起。當實心區域140之直徑過小時，三元氣體混合物之噴射流之破壞可能並不充分，且另外，三元氣體混合物之分佈可能並不充分。實心區域140之面積係分佈器板之總面積之小於25%，例如，小於20%。有利地，此允許本實用新型分佈器板破壞噴射流，同時仍提供具有跨越觸媒床之直徑小於0.1之低CoV的三元氣體混合物。

在一個實施例中，實心區域140可不包含孔。實心區域140可藉由用諸如焊接材料等適宜材料或黏附至分佈器板120之金屬片填充孔來形成。在一些實施例中，螺栓、鉚釘、螺紋***件、鍛造五金件或其他此類可移動器件可視需要置於孔中以界定實心區域140。此提供可調節實心區域140，該區域可視需要經重新定位以跨越觸媒床分佈三元氣體混合物。另外，螺栓、鉚釘或其他此類可移除器件可視需要經替換及清潔以去除實心區域或分佈器板之表面上之任何沈積物。

如圖3A及3B中所示，實心區域140可具有為圓錐形狀141之凸起部分。凸起部分可為實心或空心。圓錐形狀141直接剛性地固定至分佈器板120。當三元氣體混合物114進入頂部空間154時，圓錐形狀141使該混合物在接觸分佈器板120前偏轉。因此，圓錐形狀141亦可稱為預擴散器。圓錐形狀141可佔據一部分或整個實心區域140。在一個實施例中，圓錐形狀141之高度可小於分佈器板之半徑。圓錐形狀可為直錐形或斜錐形。圓錐形狀之頂點可為尖形、圓形、正方形、鈍形、傾斜形等。尖形之刀形頂點可能較佳。圓錐形狀之邊可係平滑的且向分佈器板120逐漸成錐形。圓錐形狀之各邊之傾斜度或角度可為5°至75°，例如，10°至60°。

在可選實施例中，實心區域140中之凸起部分可具有其他具有多個表面之形狀，例如角錐形狀或棱形。替代圓錐形狀可為具有正方形頂點或平坦頂點之圓柱形或梯形。

複數個孔142界定為分佈器板120之總面積之至少50%至80%(例如，50%至75%)之空隙區域。50%至80%空隙區域之範圍有利地允許本實用新型達成跨越分佈器板120小於1kPa(例如，小於0.5kPa)之低壓力降。因此，破壞噴射流對反應器容器106中之總體壓力降具有最小影響。孔142之數量不受限制且可變化以達成期望空隙區域。孔之模式可為同心模式、成列對準模式、交錯模式，或呈格柵模式，例如斜方格柵、正方形格柵、六角形格柵、矩形格柵、平行四邊形格柵或等邊格柵。例如，在六角形格柵模式中，空隙區域之理論限制為約90%。該模式中之孔可均勻地間隔。孔142可以任一適宜方式製得，例如，由分佈器板120鑽孔或沖孔。孔142可為銳邊緣、倒棱邊緣或輻射式邊緣。孔之間之區域143可為平面。複數個孔142中之每一孔之直徑可為1mm至20mm，例如，5mm至18mm或12至15mm。在一個實施例中，每一孔可具有類似直徑。當使用不同大小之孔時，較大孔可靠近分佈器板120之外圓周。孔之間之區域143可實質上為平面。在一個實施例中，將分佈器板機械加工或拋光成約125微英吋(3.2微米)之表面粗糙度(rms)。

在一個實施例中，穿過分佈器板120之孔142之壁可實質上平行以允許三元氣體混合物穿過且可幫助跨越觸媒床均勻地分佈三元氣體混合物。視情況，壁可自上游表面至下游表面或下游表面至上游表面以5°至60°之角度成錐形。

如圖4中所示，分佈器板120在反應器容器106內佈置於入口144下游以及消焰器122及觸媒床118上游。分佈器板120可在頂部空間154中，使得分佈器板120與入口144及消焰器122由一或多個臂支架146間隔開。在一個實施例中，分佈器板120間隔遠離入口，使得圓周開口152等於或大於入口面積。一或多個臂支架146連接至分佈器板120之下游表面且安裝至反應器容器106之側壁148。臂支架146之數量可在1至10(例如，3至8)之間變化。

在較佳實施例中，分佈器板120可焊接(例如，定位焊接)至臂支架146及反應器容器106之表面之內部。此提供圓周開口152。在可選實施例中，分佈器板120可滑動配合至反應器容器106之內部表面或可擱置在環形支撐環上。

圖4中所示之圓錐形狀141與入口144之中心點對準，較佳同心對準。分佈器板120亦可與入口144之中心點對準。

分佈器板120之周邊150可為圓形或正方形。周邊150不接觸側壁148且界定側壁148與分佈器板120之間之圓周開口152。當穿過並圍繞分佈器板120分佈三元氣體混合物114時，三元氣體混合物可流動穿過圓周開口152。在一個實施例中，圓周開口152之面積可等於或大於分佈器板120之總面積。因此，圓周開口152之面積可大於空隙區域，例如，為空隙區域之至少兩倍或三倍。此可允許大部分三元氣體混合物圍繞分佈器板120穿過。

為了提供反應器容器106中之低壓力降，需要藉由具有較少板來減小分佈器板120之總表面積。一個分佈器板120足以破壞噴射流。因此，較佳在反應器容器106中具有一個分佈器板120，但當分佈器板之表面積不增加壓力降時，可使用更多板。

亦應在轉化器中且具體而言在反應器容器中避免在不利操作條件下爆燃或***之風險及影響。本文所用術語「爆燃」係指燃燒波相對於火焰正前方之不燃氣體以次音速速度傳播。「***」係指燃燒波相對於火焰正前方之不燃氣體以超音速速度傳播。緩燃通常引起中等壓力升高，而爆燃可引起非尋常壓力升高。本實用新型藉由破壞噴射流來提供有利溶液以達成跨越觸媒床之三元氣體混合物之均勻分佈，同時使反應器容器中之壓力降最小化。

用於分佈器板120之構築材料可有所變化且可為任一與三元氣體混合物相容之材料，其能夠耐受反應器容器中之設計溫度及壓力而不會顯著降解，且不會促進觸媒床之前之三元氣體混合物中之氣體的反應。在一個實施例中，分佈器板可由不銹鋼構築材料構築，該等材料包括(但不限於)310SS、316SS及316L。

消焰器122在空間上佈置於觸媒床118上方以在二者之間提供間隔。消焰器淬滅因反應容器內之回閃所致之任一上游燃燒。分佈器板120可防止噴射流燃燒穿過消焰器122。陶瓷發泡體可沿界定內反應室之外殼之至少一部分內壁及觸媒佈置。當關斷反應器時，陶瓷發泡體使得因觸媒收縮所致之進料氣體繞過最小化。佈置於觸媒床上方之陶瓷發泡體發揮功能以使三元氣體體積最小化，降低壓力降並淬滅反應器操作期間形成之自由基。套管佈置在外殼之每一出口中且在觸媒床與廢熱鍋爐之上部之間提供流體連通。具有實質上呈蜂房狀之組態以降低跨越底部支撐件(undersupport)之壓力降的底部支撐件實質上毗鄰觸媒床之下部表面佈置。

在觸媒床118中進行產生HCN之反應。用於安德盧梭法之觸媒床118中之適宜觸媒含有VIII族金屬。VIII族金屬包括鉑、銠、銥、鈀、鋨或釕且觸媒可為該等金屬、該等金屬之混合物或該等金屬中之兩者或更多者之合金。在製造HCN之許多情況下採用基於觸媒之總重量含有50wt.%至100wt.%鉑之觸媒。然而，基於觸媒之總重量含有至少85wt.%鉑及至多15wt.%銠或至少90wt.%鉑及至多10wt.%銠之金屬、混合物或合金經常係較佳觸媒。

觸媒床118可呈以下形式：一或多層金屬絲網、絲網或適於進行該反應之其他填充或定向結構，例如波紋結構。在實例性實施例中，觸媒床118呈具有各種網目大小之織造絲網層形式。絲網之層數及網目大小及金屬絲直徑可端視該方法之特定操作參數而變化。通常，然而，當採用複數層金屬絲網作為觸媒床118時，所提供之金屬絲網具有16至31個開口/線性cm之網目大小且具有0.076mm至0.228mm之金屬絲直徑。

點火器孔160延伸穿過輻射屏蔽124。點火器孔160使點火器能夠觸及觸媒床118之上表面並點燃觸媒床118。可使用在輻射屏蔽124中無需孔之其他點火技術。觸媒床118之點火將在下文中進行詳細闡述。

將額外材料層(例如絲網)置於點火器孔160底部以增加點火器孔區域中之壓力降以便均衡跨越觸媒床118之直徑之壓力降。由此提供之觸媒床118具有跨越觸媒床118之整個表面及結構實質上均一之壓力降。亦即，觸媒床118在點火器孔160下方之部分(即，額外材料層)之寬度實質上等於點火孔160之寬度。儘管額外材料層已在本文中稱為「絲網」，但應理解，該材料可為跨越垂直於穿過轉化器102之氣體反應物之流動方向之剖面增加速度剖面之均一性的任一類型材料。例如，若觸媒床118由丸形成，則額外材料層亦可由丸、材料片、絲網或相同或類似材料之任何組合形成。

返回至細長導管104，可存在一或多個用於混合反應物氣體以形成三元氣體混合物114之混合器(未顯示)。該等混合器經成形並定大小以能夠充分地且快速地混合反應物氣體。混合器可為以本文所述之方式發揮功能之任一混合器。在本實用新型實踐中可採用之混合器之非限制性實例係二元混合器、三元混合器、環狀混合器(bustle mixer)、靜式混合器及諸如此類。混合器之尺寸可廣泛地變化且將在很大程度上取決於反應器容器106之容量。

在一個實施例中，使用生成渦流之凸耳混合器提供實質上均一之混合物。VORTAB®係用於高效率靜式混合器之適宜被動混合元件，其作為HEV(高效率渦流)產品線之一部分購自Chemineer公司。通常，HEV混合器包含梯形凸耳，該等梯形凸耳以一定角度安裝至混合器外殼並生成具有交替旋轉之尖端渦流，從而以最小壓力損失混合穿過之流體流，同時維持與紊流相關之相對平坦之速度剖面。

在一個實施例中，混合器可包含具有一或多列之靜式混合區，每列具有一或多個凸耳，該等凸耳適於產生混合反應物氣體之渦流。凸耳可為正方形或矩形。為了避免任一額外壓力降，混合器應在細長導管中小於150kPa(例如，小於125kPa或小於35kPa)之壓力降達成充分混合。

用於本實用新型目的之充分混合之三元氣體具有跨越觸媒床之直徑小於0.1或更佳小於0.05且甚至更佳小於0.01之CoV。就範圍而言，CoV可為0.001至0.1或更佳0.001至0.05。低CoV有益地增加轉化成HCN之反應物之生產率。充分混合之三元氣體有利地增加HCN之生產率並回報較高HCN產率。當CoV超過0.1時，反應物氣體之濃度可超出觸媒床之安全操作範圍。例如，當在三元氣體中在較高氧濃度下操作時，較大CoV可產生導致回閃之氧增加。另外，當CoV較大時，觸媒床可能暴露於較多甲烷，此可導致碳沈積物之聚集。碳沈積物可縮短觸媒壽命並降低性能。因此，對於較大CoV可能具有較高原材料要求。

在一個實施例中，混合器亦可包含可選的整流器(未顯示)。可選整流器可具有在氣體進料流接觸靜式混合區之前對準流之組態。整流器亦可圍繞導管之整個區域分佈氣體並實質上防止反應物氣體向下直接穿過導管之中部。在使用整流器時，其可鄰近每一入口埠且在靜式混合器遠端定位。

在含氧來源中使用高氧濃度(即，低濃度之惰性物質，例如氮)提供降低原本為處理大量惰性氮所需之下游裝備之大小及操作成本之機會。在一個實施例中，含氧氣體包含大於21vol.%之氧，例如大於28vol.%之氧、大於80vol.%、大於90vol.%、大於95vol.%或大於99vol.%之氧。在本文中為清楚起見，每當使用術語「富集氧之空氣」時，該術語皆意欲涵蓋大於21vol.%直至且包括100vol.%(即，純氧)之氧含量。每當使用術語「含氧氣體進料流」時，該術語皆意欲涵蓋21vol.%直至且包括100vol.%(即，純氧)之氧含量。由於使用含氧氣體進料流或純氧，因此其包含量將比空氣少且因此分佈器板中之孔將較不可能堵塞。

根據上文闡述，可明瞭本實用新型非常適於實施目標及獲得本文所提及之優點以及目前所提供揭示內容中固有之優點。儘管已出於本揭示內容之目的闡述本實用新型之較佳實施例，但應理解，可做出熟習此項技術者可容易地想到且在本實用新型精神內達成之變化。

可藉由參考以下實例來進一步理解本實用新型。

實例1

如圖4中所圖解說明，將具有複數個用以界定70%空隙區域之孔的分佈器板置於內部直徑為137.16cm(54英吋)之反應器容器之頂部空間中。將分佈器板靠近內徑為22.86cm(9英吋)之塔頂入口放置。分佈器板係由310SS構築且具有9.53mm(3/8英吋)之厚度。每一孔具有11.11mm(7/16英吋)之平均直徑。分佈器板係由複數個臂保持，該等臂焊接至反應器容器之內壁以對準分佈器板並提供大於分佈器板之圓周區域。分佈器板具有與反應器容器之入口同心對準之實心區域且含有凸起部分。實心區域係分佈器板之總面積之小於25%。凸起部分係圓錐形狀。

將反應物氣體引入至進給塔頂入口之混合區。使用純氧作為含氧氣體。以1：1.2之甲烷對氧之莫耳比及1：1.5之氨對氧之莫耳比進給反應物氣體，以產生含有約28.5vol.%氧之三元氣體混合物。混合容器充分地混合反應物氣體以達成變動係數(CoV)跨越觸媒床之直徑小於0.1的三元氣體混合物。以7m/s之平均線氣體速度將三元氣體混合物引入至反應器容器中。在破壞三元氣體混合物之噴射流後，三元氣體混合物進一步藉由穿過含有陶瓷丸之籃之消焰器來分佈。在三元氣體混合物接觸觸媒床之前，消焰器將其進一步分佈。在安德盧梭法反應條件下，跨越分佈器板之壓力降小於1kPa。分佈器板破壞三元氣體之噴射流並提供穿過消焰器及觸媒床之均一線速度。因此，不形成熱點。在破壞噴射流時，分佈器板維持藉由混合容器達成之小於0.1之CoV。

比較實例A

在實例1之反應器容器之頂部空間中，未***分佈器板。以至少7m/s之穿過反應器之平均氣體線速度下，三元氣體混合物形成氣體噴流。當噴射流接觸觸媒之上表面時，噴射流具有22.86cm至25.4cm(9英吋至10英吋)之直徑，此類似於塔頂入口之內徑。此指示氣體噴流並未跨越觸媒之表面分佈且可在觸媒床及消焰器上產生熱點。觀察到CoV為0.2。HCN產率為7%，小於具有分佈器板之實例1。

比較實例B

在反應器容器之頂部空間中，***多個板。多個板具有一系列孔。至少一個板不為平面。在與實例1相同之條件下，將來自實例1之三元氣體混合物進給至反應器中且反應器容器中之壓力降大於150 kPa。

比較實例C

使用美國專利第8,133,458之實例1中所述之傳統反應器形成HCN，該傳統反應器不具有分佈器板或輻射保護且其中觸媒支撐件較為簡單，沒有擴展觸媒支撐件之可能性。此外，藉由直接用水淬滅熱反應氣體來去除熱。利用12vol.%氨、13vol.%天然氣、75vol.%空氣、4巴之壓力、25tN/m2d之特定觸媒負載及16個1024網目之90/10Pt/Rh觸媒絲網來運行觸媒，其中金屬絲直徑為0.076mm。觸媒中之經量測溫度係1050℃。

運轉期(campaign length)為70天，效率為50-55%(氨至HCN之轉化率)。如美國專利第8,133,458號中所報導，因觸媒中之裂紋而終止運轉。

實例2

將實例1之具有圓錐形中心區段之分佈器板安裝在實例1之反應器中。觸媒支撐件在其他方面與比較實例C相同且反應器在相同條件下運行。運轉期為100天，效率為60-65%。在針織觸媒包裝件中未觀察到皺折或裂紋，且運行內之CoV平均為0.05至0.1。相對於比較實例C，觀察到約7%之HCN產率改良。