TWM492525U - Ic封裝晶片檢測裝置 - Google Patents

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TWM492525U
TWM492525U TW103212459U TW103212459U TWM492525U TW M492525 U TWM492525 U TW M492525U TW 103212459 U TW103212459 U TW 103212459U TW 103212459 U TW103212459 U TW 103212459U TW M492525 U TWM492525 U TW M492525U
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TW
Taiwan
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package
wafer
station
package wafer
rotatable
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TW103212459U
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English (en)
Inventor
bing-long Wang
Gui-Biao Chen
Xin-Cheng Chen
hong-jie Zhang
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Youngtek Electronics Corp
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Description

IC封裝晶片檢測裝置
本創作是關於一種檢測裝置,尤指一種用於檢測並分類封裝IC晶片的檢測裝置。
在半導體製程中,往往會因為一些無法避免的原因而生成細小的微粒或缺陷。隨著半導體製程中元件尺寸的不斷縮小與電路密極度的不斷提高,這些極微小之缺陷或微粒對積體電路品質的影響也日趨嚴重,因此為維持產品品質的穩定,通常在進行各項半導體製程的同時,亦須針對所生產之半導體元件進行缺陷檢測,以根據檢測之結果來分析造成這些缺陷之根本原因,之後才能進一步藉由製程參數的調整來避免或減少缺陷的產生,以達到提升半導體製程良率以及可靠度之目的。
習知技術中所採用的缺陷檢測方法包括下列步驟:首先,進行取樣,也就是選定一半導體晶粒為樣本,來進行後續缺陷檢測與分析工作,接著再進行缺陷檢測。一般而言,大多是利用適當的缺陷偵測機台以大範圍掃描的方式,來偵測該半導體晶粒上之所有缺陷,由於半導體晶粒上之缺陷個數多半相當大,因此在實務上不可能一一以人工的方式以掃描式電子顯微鏡(SEM)掃描後,再進行檢測。因此為了方便起見,多半會先進行一人工缺陷分類,由所偵測到的所有缺陷中,抽樣取出一些較具有代表性之缺陷類型,再讓工程師以人工的方式對所選出之樣本來進行缺陷再檢測,以一步對該等缺陷進行缺陷原因分析,以找出抑制或減少這些缺陷的方法。
本創作提供一種IC封裝晶片檢測裝置,其可用於檢測與分類無引腳的封裝晶片(例如QFN晶片)。
本創作實施例提供一種IC封裝晶片檢測裝置,其包括一轉動傳送單元、一裝載工作站、一檢測工作站及一卸載工作站。轉動傳送單元用於輸送多個IC封裝晶片,其中所述轉動傳送單元具有至少一可旋轉轉盤及多個容置部,多個所述容置部設置於所述可旋轉轉盤上,且每一所述容置部用以容納至少一所述IC封裝晶片。裝載工作站鄰近於所述可旋轉轉盤設置,其中多個所述IC封裝晶片在所述裝載工作站被分別裝載於所述容置部。檢測工作站鄰近於所述可旋轉轉盤設置,其中位於所述容置部上的所述IC封裝晶片在所述檢測工作站進行檢測,以判斷每一所述IC封裝晶片為良好IC封裝晶片或不良IC封裝晶片。卸載工作站鄰近於所述可旋轉轉盤設置,其中所述卸載工作站設有導引件。所述導引件具有入口、出口及連通於所述入口與所述出口之間的傾斜通道,使所述良好IC封裝晶片通過所述傾斜通道而被卸載。
本創作另一實施例提供一種IC封裝晶片檢測裝置,其包括一轉動傳送單元、裝載工作站、檢測工作站與卸載工作站。轉動傳送單元具有第一可旋轉轉盤及多個設置於所述第一可旋轉轉盤上的第一容置部,其中每一所述第一容置部用以選擇性地容納至少一所述IC封裝晶片。另外,轉動傳送單元還具有第二可轉轉盤及多個設置於所述第二可旋轉轉盤上的第二容置部,其中每一所述第二容置部用以選擇性地容納由所述第一可旋轉轉盤所輸送的多個IC封裝晶片中的至少一個。
裝載工作站鄰近所述第一可旋轉轉盤設置,其中多個所述IC封裝晶片在所述裝載工作站被分別裝載於所述第一容置部。檢測工作站,鄰近於所述轉動傳送單元設置,其中位於第一容置部或第二容置部上的IC封裝晶片在檢測工作站進行檢測,以判斷每一IC封裝晶片為良好IC封裝晶片或不良IC封裝晶片。卸載工作站 鄰近於轉動傳送單元設置,其中卸載工作站設有導引件。導引件具有入口、出口及連通於入口與出口之間的傾斜通道,使良好IC封裝晶片通過傾斜通道而被卸載。
總而言之,本創作實施例所提供的IC封裝晶片檢測裝置,其可透過轉動傳送單元以及鄰近於轉動傳送單元所設置的多個工作站,使得本創作的IC封裝晶片檢測裝置可用於檢測無引腳的封裝晶片(例如QFN晶片)。
為了能更進一步瞭解本創作的技術,請參閱以下詳細說明及圖式。然而,所附圖式與附件僅提供參考與說明用,並非用來對本創作加以限制。
1、1’‧‧‧IC封裝晶片檢測裝置
10、10’‧‧‧轉動傳送單元
11’‧‧‧可旋轉轉盤
12’‧‧‧容置部
13’‧‧‧吸排氣兩用開口
11‧‧‧第一可旋轉轉盤
12‧‧‧第一容置部
13‧‧‧第一吸排氣兩用開口
14‧‧‧第二可旋轉轉盤
15‧‧‧第二容置部
16‧‧‧第二吸排氣兩用開口
17、17’‧‧‧承載底盤
20‧‧‧裝載工作站
21‧‧‧輸送單元
22‧‧‧輸送元件
30‧‧‧檢測工作站
30A‧‧‧電性檢測站
31‧‧‧晶片測試模組
310‧‧‧移動吸嘴
311‧‧‧檢測探針
30B‧‧‧表面檢測站
32‧‧‧影像擷取模組
321‧‧‧正面影像擷取元件
322‧‧‧背面影像擷取元件
40‧‧‧晶片方位檢測站
400‧‧‧反射鏡
410‧‧‧影像擷取元件
50‧‧‧晶片方位調整站
500‧‧‧旋轉盤
510‧‧‧調整吸嘴
60‧‧‧不良晶片集中站
60A‧‧‧通行部
60B‧‧‧開口
61‧‧‧分類盒
611~613‧‧‧收集區
70‧‧‧卸載工作站
71‧‧‧導引件
71a‧‧‧入口
71b‧‧‧出口
71c‧‧‧傾斜通道
72‧‧‧捲帶
720‧‧‧包裝槽
73‧‧‧卸載槽
80‧‧‧補料槽
90’‧‧‧打料口
90‧‧‧第一打料口
91‧‧‧第二打料口
3‧‧‧IC封裝晶片
3’‧‧‧良好IC封裝晶片
3”‧‧‧不良IC封裝晶片
3a‧‧‧導電焊墊
4‧‧‧連通道
圖1A為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的上視示意圖。
圖1B為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的第一可旋轉轉盤或第二可旋轉轉盤的立體示意圖。
圖2為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例所使用的IC封裝晶片的立體示意圖。
圖3A為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在電性檢測站被檢測前的側視示意圖。
圖3B為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在電性檢測站被檢測時的側視示意圖。
圖3C為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在電性檢測站被檢測後的側視示意圖。
圖4為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在晶片方位檢測站進行檢測的側視示意圖。
圖5A為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在晶片方位調整站調整擺放方位前的側視示意圖。
圖5B為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在晶片方位調整站調整擺放方位時的側視示意圖。
圖5C為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在晶片方位調整站被旋轉前的側視示意圖。
圖5D為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在晶片方位調整站被旋轉後的側視示意圖。
圖6為本創作的IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例在不良晶片集中站的局部放大圖。
圖7為圖1A的IC封裝晶片檢測裝置沿線H-H線的剖面示意圖。
圖8A為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第二實施例的上視示意圖。
圖8B為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第二實施例的可旋轉轉盤的立體示意圖。
在下文中,將藉由圖式說明本創作之實施例來詳細描述本創作,而圖式中的相同參考數字可用以表示類似的元件。有關本創作之前述及其他技術內容、特點與功效,在以下配合參考圖式之各實施例的詳細說明中,將可清楚地呈現。
以下實施例中所提到的方向用語,例如:「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用來說明,而並非用來限制本創作。並且,在下列各實施例中,採用相同的標號來表示相同或近似的元件。
〔第一實施例〕
請參閱圖1A,其顯示本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的上視示意圖。本創作第一實施例提供一種IC封裝晶片檢測裝置1,其包括轉動傳送單元10、裝載工作站20、檢測工作站30及卸載工作站70,其中裝載工作站20、檢測工作站30及卸載工作站70是環繞並鄰近於轉動傳送單元10設置。
轉動傳送單元10用以輸送多個IC封裝晶片3,並具有第一可旋轉轉盤11、多個設置於第一可旋轉轉盤11上的第一容置部12、第二可旋轉轉盤14及多個設置於第二可旋轉轉盤14上的第二容 置部15,其中每一第一容置部12是用以選擇性地容納至少一IC封裝晶片3,而每一第二容置部15用以選擇性地容納由所述第一可旋轉轉盤11所輸送的多個IC封裝晶片3中的至少一個。
請配合參照圖1B。圖1B顯示本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的第一可旋轉轉盤或第二可旋轉轉盤的立體示意圖。詳細而言,上述的第一容置部12可環繞地設置於第一可旋轉轉盤11的外周圍,以使每一個第一容置部12產生一朝外的第一開口,而每一個IC封裝晶片3可通過每一個朝外的第一開口而進入每一個第一容置部12內。
相似地,配合圖1A與圖1B所示,第二可旋轉轉盤14的外觀可與第一可旋轉轉盤11相同或相似,且第二可旋轉轉盤14鄰近於第一可旋轉轉盤11。第二可旋轉轉盤14上設有多個第二容置部15。舉例來說,上述多個第二容置部15可環繞地設置於第二可旋轉轉盤14的外周圍,以使得每一個第二容置部15產生一朝外的第二開口,而每一個由第一可旋轉轉盤11所輸送來的IC封裝晶片3可通過每一個朝外的第二開口而進入每一個第二容置部15內。
也就是說,在本創作實施例中,多個第一容置部12與多個第二容置部15分別為環繞地開設於第一可旋轉轉盤11及第二可旋轉轉盤14外周緣的多個齒槽。
另外,在本創作實施例中,每一第一容置部12設有一第一吸排氣兩用開口13,而每一第二容置部15設有一第二吸排氣兩用開口16,並且第一吸排氣兩用開口13與第二吸排氣兩用開口16是開設於齒槽內,並與齒槽具有相同的開口方向。
本創作實施例的轉動傳送單元10更包括吸排氣控制單元(未圖示),吸排氣控制單元透過第一吸排氣兩用開口13與第二吸排氣兩用開口16,使IC封裝晶片3被吸附於第一容置部12或第二容置部15內。另外,吸排氣控制單元也可透過第一吸排氣兩用開 口13與第二吸排氣兩用開口16,將IC封裝晶片3吹出第一容置部12或第二容置部15外。
本創作實施例中,轉動傳送單元10更包括一承載底盤17。本實施例中,第一可旋轉轉盤11與第二可旋轉轉盤14是並行設置於承載底盤17上,並可間歇式地相對於承載底盤17轉動。並且,第一可旋轉轉盤11的轉動方向與第二可旋轉轉盤14的轉動方向相同。
在其他實施例中,承載底盤17也可以包括兩個彼此分離的底盤(圖未示),而第一可旋轉轉盤11與第二可旋轉轉盤14是分別設置於彼此分離的底盤(圖未示)上,且第一可旋轉轉盤11與第二可旋轉轉盤14的轉動可以相同或相反,本創作實施例中並不以此為限。
另外,承載底盤17上設有一連通道4,連接於第一可旋轉轉盤11與第二可旋轉轉盤14之間。連通道4可令其中一第一容置部12與其中一第二容置部15相連通,再配合前述的吸排氣控制單元,而使裝載於第一可旋轉轉盤11上的IC封裝晶片3藉由連通道4,被傳送到第二可旋轉轉盤14上的第二容置部15內。
請再參照圖1A,在本創作實施例中,裝載工作站20鄰近於第一可旋轉轉盤11設置,其中多個IC封裝晶片3在裝載工作站20被分別裝載於第一容置部12。詳細而言,裝載工作站20配備有輸送單元21,其具有一輸送元件22。輸送元件22可以是一輸送帶,鄰近於第一可旋轉轉盤11設置,且輸送帶的出口依據不同的時序而依序與第一可旋轉轉盤11上的第一容置部12相連通,以依序將多個IC封裝晶片3分別傳送至輸送帶的出口所對應的每一第一容置部12。簡而言之,輸送元件22可依據不同時序,將多個IC封裝晶片3分別傳送至依序對應的每一第一容置部12內。
檢測工作站30可配設不同的檢測儀器,用以對第一容置部12或第二容置部15內的IC封裝晶片3進行檢測,並根據檢測結果 判斷每一IC封裝晶片3為良好IC封裝晶片3’或是不良IC封裝晶片3”。舉例而言,檢測工作站30可包括電性檢測站30A及表面檢測站30B,以分別對IC封裝晶片3的電性及外觀進行檢測。
在本創作實施例中電性檢測站30A是鄰近於第一可旋轉轉盤11設置,且配備晶片測試模組31,以量測所述IC封裝晶片3的電性。當然,依據不同的測試需求,亦可使用多個晶片測試模組31。詳細而言,請參照圖1A、圖2及圖3A至圖3C,其中圖2顯示本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例所使用的IC封裝晶片的立體示意圖,圖3A至3C顯示本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的封裝晶片檢測步驟的側視流程示意圖。
由圖1C可看出,本創作實施例的IC封裝晶片3可以是一種四方平面無引腳封裝(Quad Flat No lead,QFN)晶片,且每一個IC封裝晶片3具有多個導電焊墊3a。
另外,如圖3A所示,晶片測試模組31包括一組檢測探針311及一移動吸嘴310,其中移動吸嘴310與檢測探針311是分別設置IC封裝晶片3的相反側。檢測探針311用於選擇性地電性接觸IC封裝晶片3的導電焊墊3a,而移動吸嘴310則用於移動所述IC封裝晶片3接觸上述的檢測探針311以進行電性檢測。
在圖3A中,當轉動傳送單元10將每一IC封裝晶片3移動至移動吸嘴310正下方時,移動吸嘴310吸住IC封裝晶片3。接著,在圖3B中,轉動傳送單元10停止轉動,使移動吸嘴310帶動IC封裝晶片3往下移動(如箭頭所示的方向),使多個導電焊墊3a電性接觸到上述多個檢測探針311,以進行電性量測。每一個IC封裝晶片3被量測後的數據會由一處理單元(未圖示)進行處理,以判斷被檢測的IC封裝晶片3為良好IC封裝晶片3’或不良IC封裝晶片3”。
在完成IC封裝晶片3的電性檢測後,在圖3C中,移動吸嘴310帶動IC封裝晶片3往上移動(如箭頭所示的方向),以使得IC 封裝晶片3回復到原來圖3A的位置。此時,轉動傳送單元10轉動以繼續將另一個IC封裝晶片3傳送至電性檢測站30A進行檢測,並重複圖3A至圖3C步驟。
另外,要特別說明的是,若IC封裝晶片3在裝載工作站20被裝載時,擺放的方位錯誤,後續在對IC封裝晶片3進行電性檢測時,電性檢測站30A的檢測探針可能無法與IC封裝晶片3的導電焊墊3a對位,而無法進行量測。
因此,本創作第一實施例的IC封裝晶片檢測裝置1更進一步包括晶片方位檢測站40與晶片方位調整站50,其中晶片方位檢測站40與晶片方位調整站50皆鄰近於第一可旋轉轉盤11設置,並位於裝載工作站20與電性檢測站30A之間。IC封裝晶片3在晶片方位檢測站40被檢測擺放方位是否正確。當IC封裝晶片3的擺放方位不正確時,IC封裝晶片3會在晶片方位調整站50會被調整至正確的擺放方位。
請配合參照圖1A與圖4,其中圖4為本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在晶片方位檢測站進行檢測的側視示意圖。
本創作第一實施例的之晶片方位檢測站40是設有反射鏡400和影像擷取元件410,其中反射鏡400與影像擷取元件410皆位於IC封裝晶片3下方,且影像擷取元件410位於反射鏡400側邊,以透過反射鏡400來擷取IC封裝晶片3的底部影像。
影像擷取元件410所擷取到的底部影像會被傳送至另一處理單元進行影像處理及分析,以判斷IC封裝晶片3在第一容置部12的擺放方位是否正確。
另外,請配合參照圖1A與圖5A至圖5D,其中圖5A至圖5D顯示本創作IC封裝晶片檢測裝置的第一實施例的IC封裝晶片在晶片方位調整站調整擺放方位的流程示意圖。晶片方位調整站50設有旋轉盤500及調整吸嘴510,其中旋轉盤500及調整吸嘴510 是分別設置於IC封裝晶片3的兩相反側。
在圖5A中,當轉動傳送單元10將每一IC封裝晶片3移動至調整吸嘴510下方時,調整吸嘴510吸住IC封裝晶片3。接著,在圖5B中,轉動傳送單元10停止轉動,使調整吸嘴510帶動IC封裝晶片3往下移動(如箭頭所示的方向),接著,在5C中,IC封裝晶片3放置於旋轉盤500上。隨後在圖5D中,藉由旋轉盤500的旋轉,將IC封裝晶片3旋轉至正確的擺放方位。
在調整IC封裝晶片3的擺放方位後,調整吸嘴510帶動IC封裝晶片3往上移動,以使得IC封裝晶片3回復到圖5A的位置。此時,轉動傳送單元10轉動以繼續將IC封裝晶片3傳送至電性檢測站30A進行檢測。
在本創作實施例中,表面檢測站30B是鄰近於第二可旋轉轉盤14設置,並位於電性檢測站30A與卸載工作站70之間。也就是說,經過檢測後的IC封裝晶片3可藉由上述的連通道4由第一可旋轉轉盤11傳送至第二可旋轉轉盤14上的第二容置部15內,再經由第二可旋轉轉盤14的旋轉而被傳送到表面檢測站30B進行外觀檢測。
請參照圖1A,表面檢測站30B設有影像擷取模組32,用以擷取IC封裝晶片3的一正面影像與一底部影像。詳細而言,影像擷取模組32包括分別位於IC封裝晶片3正面影像擷取元件321及背面影像擷取元件322。換言之,使用者可透過正面影像擷取元件321(例如數位相機)來得到IC封裝晶片3上表面的影像資訊,並可透過背面影像擷取元件322(例如數位相機)來得到IC封裝晶片3下表面的影像資訊。影像擷取模組32所擷取到的正面影像及背面影像會傳送至影像處理單元(未圖示)進行比對及分析,以檢測IC封裝晶片3的表面是否有缺陷存在,並藉此篩選出良好IC封裝晶片3’與不良IC封裝晶片3”。
請參照圖1A與圖6,其中圖6顯示本創作的IC封裝晶片檢 測裝置的第一實施例在不良晶片集中站的局部放大圖。本創作實施例中,IC封裝晶片檢測裝置1更包括不良晶片收集站60。不良晶片收集站60鄰近於第二可旋轉轉盤14設置,並位於表面檢測站30B與卸載工作站70之間。在IC封裝晶片3經過電性檢測站30A與表面檢測站30B的檢測後,若被判定為不良IC封裝晶片3”,會在不良晶片收集站60被移出第二可旋轉轉盤14之外。
詳細而言,請參照圖1A,本創作實施例的不良晶片收集站60是在承載底盤17上設有一通行部60A,且通行部60A末端設有一貫穿所述承載底盤17而成的開口60B,以接收不良IC封裝晶片3”。
也就是說,當第二可旋轉轉盤14將不良IC封裝晶片3”傳送到不良晶片收集站60時,吸排氣控制單元會透過第二吸排氣兩用開口16將不良IC封裝晶片3”由第二容置部15吹出,使不良IC封裝晶片3”沿著通行部60A而掉落到開口60B內。
在本創作實施例中,不良晶片收集站60並設有一分類盒61,位於上述開口60B的下方。分類盒61設有多個彼此獨立的收集區611~613,以將不良IC封裝晶片3”依其不良原因分裝於上述的收集區611~613內。
詳細而言,本創作實施例的分類盒61可旋轉地設置於承載底盤17下方,並可相對於承載底盤17轉動,以改變對準開口60B的收集區611~613。
舉例而言,若IC封裝晶片3只通過外觀檢測但未通過電性檢測,而被判定為不良IC封裝晶片3”時,則收集區611會對準開口60B,使這類不良IC封裝晶片3”通過開口60B掉入到收集區611中。若IC封裝晶片3只通過電性檢測但未通過外觀檢測,而被判定為不良IC封裝晶片3”時,則收集區612會對準開口60B,使不良IC封裝晶片3”被投入到收集區612。若IC封裝晶片3皆未通過電性檢測與外觀檢測,則被投入到收集區613。
通過電性檢測與外觀檢測的IC封裝晶片3,會被判定為良好IC封裝晶片3’。上述良好IC封裝晶片3’會被轉動傳送單元10運送至卸載工作站70進行卸載。
請參照圖1A,在本創作實施例中,卸載工作站70是鄰近於第二可旋轉轉盤14設置,且卸載工作站70設有一導引件71及捲帶72,其中捲帶72上設有多個包裝槽720,而導引件71是設於捲帶72上方,以將良好IC封裝晶片3’引導到捲帶72上的包裝槽720內。
請配合參照圖7,其顯示圖1A的IC封裝晶片檢測裝置沿線H-H線的剖面示意圖。詳細而言,導引件71具有入口71a、出口71b及連通於所述入口71a及出口71b之間的傾斜通道71c。捲帶72可相對於導引件71移動,使導引件71的出口71b對準捲帶72上的包裝槽720,使傾斜通道71c連通於包裝槽720,從而使上述良好IC封裝晶片3’通過傾斜通道71c而被卸載。
在本創作實施例中,導引件71的入口開設於導引件71的側表面,而導引件71的出口71b則是開設於導引件71與上述側表面相鄰的底面上。另外,承載底盤17上並設有一卸載槽73,對應導引件71所設置的位置而開設。卸載槽73其中一端對準導引件71的入口71a,而使卸載槽73亦與傾斜通道71c相連通。
當每一個良好IC封裝晶片3’被第二可旋轉轉盤14運送到卸載工作站70時,第二容置部15與卸載槽73的端部相接。此時,吸排氣控制單元透過第二吸排氣兩用開口16將良好IC封裝晶片3’由第二容置部15內排出,使良好IC封裝晶片3’經由卸載槽73進入導引件71的入口。良好IC封裝晶片3’會沿著傾斜通道71c而落入捲帶72上的包裝槽720內,以進行後續的晶片包裝程序。
另外,請參照圖1A,在本創作實施例中,承載底盤17上更設有一補料槽80,用以接收良好IC封裝晶片3’,以作為包裝槽720的補料所用。本創作實施例的補料槽80是鄰近於第二可旋轉 轉盤14而設置,並位於表面檢測站30B與卸載工作站70之間,也就是開設於通行部60A與卸載槽73之間。本創作實施例的補料槽80為十字形溝槽,連通於第二容置部15。
當檢測發現已通過導引件71下方的包裝槽720並未接收到良好IC封裝晶片3’時,吸排氣控制單元可透過第二吸排氣兩用開口16將已檢測通過的良好IC封裝晶片3’排出至補料槽80中,使作業人員可手動或操作機械手臂將補料槽80中的良好IC封裝晶片3’移入空缺的包裝槽720內。
另外,請參照圖1A,本創作實施例的承載底盤17設有貫穿承載底盤17而形成的第一打料口90與第二打料口91。第一打料口90是鄰近於第一可旋轉轉盤11而設置,且位於連通道4與裝載工作站20之間。
詳細而言,當第一可旋轉轉盤11轉動而使第一容置部12重疊於第一打料口90時,在第一容置部12中沒有被傳送到第二可旋轉轉盤14上的IC封裝晶片3會掉落到第一打料口90中,以清空所述第一容置部12。據此,可確保當第一容置部12再度被轉動至裝載工作站20時,可被重新裝填另一IC封裝晶片3。
另外,第二打料口91是鄰近於第二可旋轉轉盤14而設置,用以清除未在卸載工作站70被卸載良好IC封裝晶片3’。據此,可確保當第二容置部15再度被轉動至對準連通道4時,可由第一可旋轉轉盤11接收另一IC封裝晶片3。
〔第二實施例〕
請參閱圖8A與圖8B所示,本創作第二實施例提供一種IC封裝晶片檢測裝置1’,其包括轉動傳送單元10’、裝載工作站20、檢測工作站30及卸載工作站,其中裝載工作站20、檢測工作站30及卸載工作站70是環繞並鄰近於轉動傳送單元10’設置。
由圖8A與圖1A兩者的比較及圖8B與圖1B兩者的比較可知,本創作第二實施例與第一實施例最大的差別在於:第二實施 可以省略其中一可旋轉轉盤(亦即省略第一實施例中的第二可旋轉轉盤14)。
在第二實施例中,轉動傳送單元10’具有至少一可旋轉轉盤11’及多個設置於可旋轉轉盤11’上的容置部12’,其中每一個容置部12’內可選擇性地容納上述多個IC封裝晶片3中的至少一個。
詳細而言,上述的容置部12’可環繞地設置於可旋轉轉盤11’的外周圍,以使每一個容置部12’產生一朝外的開口,而每一個IC封裝晶片3可通過每一個朝外的開口而進入每一個容置部12’內。也就是說,在本實施例中,多個容置部12’為環繞地開設於可旋轉轉盤11’外周緣的多個齒槽。另外,在本實施例中,每一容置部12’設有一吸排氣兩用開口13’,並且吸排氣兩用開口13’是開設於齒槽內,並與齒槽具有相同的開口方向。
在第二實施例中,轉動傳送單元10’包括一承載底盤17’。本實施例中,可旋轉轉盤11’設置於承載底盤17’上,並可間歇式地相對於承載底盤17’轉動。
在第二實施例中,裝載工作站20鄰近於可旋轉轉盤11’設置,其中多個IC封裝晶片3在裝載工作站20被分別裝載於容置部12’。詳細而言,裝載工作站20配備有輸送單元21,其具有一輸送元件22。輸送元件22可以是一輸送帶,鄰近於可旋轉轉盤11’設置,且輸送帶的出口依據不同的時序而依序與可旋轉轉盤11’上的容置部12’相連通,以依序將多個IC封裝晶片3分別傳送至輸送帶的出口所對應的每一容置部12’。簡而言之,輸送元件22可依據不同時序,將多個IC封裝晶片3分別傳送至依序對應的每一容置部12’內。
檢測工作站30可配設不同的檢測儀器,用以對容置部12’內的IC封裝晶片3進行檢測,並根據檢測結果判斷每一IC封裝晶片3為良好IC封裝晶片3’或是不良IC封裝晶片3”。舉例而言,檢測工作站30可包括電性檢測站30A及表面檢測站30B,以分別 對IC封裝晶片3的電性及外觀進行檢測。
在第二實施例中,電性檢測站30A與表面檢測站30B皆鄰近於同一可旋轉轉盤11’設置。電性檢測站30A與表面檢測站30B的所配備的元件可與第一實施例相同,且IC封裝晶片3在電性檢測站30A與表面檢測站30B的檢測方式可第一實施例相同。
另外,在第二實施例中,也同樣設有晶片方位檢測站40與晶片方位調整站50。IC封裝晶片3可在晶片方位檢測站40被檢測擺放方位。當IC封裝晶片3的擺放方位錯誤時,可在晶片方位調整站50進行調整。在第二實施例中,晶片方位檢測站40與晶片方位調整站50所配備的元件可與第一實施例相同。
如同前一實施例,在第二實施例中,IC封裝晶片檢測裝置1’更包括不良晶片收集站60,鄰近於可旋轉轉盤11’設置,以收集不良IC封裝晶片3”。不良晶片收集站60所配備的元件可以和第一實施例相同。在IC封裝晶片3經過電性檢測站30A與表面檢測站30B的檢測後,若被判定為不良IC封裝晶片3”,會在不良晶片收集站60被移出可旋轉轉盤11’之外,並且依照圖6所揭示的方式,使不良IC封裝晶片3”依其不良原因被分裝。
在第二實施例中,在卸載工作站70所配備的元件可和第一實施例相同。也就是說,卸載工作站70設有一導引件71及捲帶72,其中捲帶72上設有多個包裝槽720,而導引件71是設於捲帶72上方,以將良好IC封裝晶片3’引導到捲帶72上的包裝槽720內。
本實施例的導引件71亦可和第一實施例相同,也就是導引件71具有入口71a、出口71b及連通於所述入口及出口之間的傾斜通道71c。捲帶72可相對於導引件71移動,使導引件71的出口71b對準捲帶72上的包裝槽720,使傾斜通道71c連通於包裝槽720,從而使上述良好IC封裝晶片3’通過傾斜通道71c而被卸載。
另外,在第二實施例中,承載底盤17’上也設有補料槽80及打料口90’。補料槽80是位於表面檢測站30B與卸載工作站70 之間,以作為包裝槽720的補料所用。在另一實施例中,補料槽80是位於不良晶片收集站60與卸載工作站70之間。
打料口90’是位於卸載工作站70與裝載工作站20之間,用以清除未在卸載工作站70被卸載的良好LED封裝晶片3’。據此,可確保當容置部12’再度被轉動至裝載工作站20時,可被重新裝填另一IC封裝晶片3。
〔實施例的可能功效〕
綜上所述,本創作實施例所提供的IC封裝晶片檢測裝置,其可透過轉動傳送單元以及鄰近於轉動傳送單元所設置的多個工作站,使得本創作的IC封裝晶片檢測裝置可用於檢測無引腳的封裝晶片(例如QFN晶片)。此外,本創作實施例所提供的IC封裝晶片檢測裝置可利用分類盒將不良IC封裝晶片依其不良原因分裝於不同的收集區內,對於製程工程師而言,有利於加速找出造成不良IC封裝晶片的原因,並可針對這些原因對製程進行改善,以提高IC封裝晶片的良率。
雖然本創作以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本創作,任何熟習相像技藝者,在不脫離本創作之精神和範圍內,所作更動與潤飾之等效替換,仍為本創作之專利保護範圍內。
1‧‧‧IC封裝晶片檢測裝置
10‧‧‧轉動傳送單元
11‧‧‧第一可旋轉轉盤
12‧‧‧第一容置部
13‧‧‧第一吸排氣兩用開口
14‧‧‧第二可旋轉轉盤
15‧‧‧第二容置部
16‧‧‧第二吸排氣兩用開口
17‧‧‧承載底盤
20‧‧‧裝載工作站
21‧‧‧輸送單元
22‧‧‧輸送元件
30‧‧‧檢測工作站
30A‧‧‧電性檢測站
30B‧‧‧表面檢測站
32‧‧‧影像擷取模組
321‧‧‧正面影像擷取元件
322‧‧‧背面影像擷取元件
40‧‧‧晶片方位檢測站
50‧‧‧晶片方位調整站
60‧‧‧不良晶片集中站
60A‧‧‧通行部
60B‧‧‧開口
61‧‧‧分類盒
611~613‧‧‧收集區
70‧‧‧卸載工作站
71‧‧‧導引件
72‧‧‧捲帶
720‧‧‧包裝槽
73‧‧‧卸載槽
80‧‧‧補料槽
90‧‧‧第一打料口
91‧‧‧第二打料口
3‧‧‧IC封裝晶片
3’‧‧‧良好IC封裝晶片
3”‧‧‧不良IC封裝晶片
4‧‧‧連通道

Claims (20)

  1. 一種IC封裝晶片檢測裝置,包括:一轉動傳送單元,用於輸送多個IC封裝晶片,其中所述轉動傳送單元具有至少一可旋轉轉盤及多個容置部,多個所述容置部設置於所述可旋轉轉盤上,且每一所述容置部用以容納至少一所述IC封裝晶片;一裝載工作站,鄰近於所述可旋轉轉盤設置,其中多個所述IC封裝晶片在所述裝載工作站被分別裝載於所述容置部;一檢測工作站,鄰近於所述可旋轉轉盤設置,其中位於所述容置部上的所述IC封裝晶片在所述檢測工作站進行檢測,以判斷每一所述IC封裝晶片為良好IC封裝晶片或不良IC封裝晶片;以及一卸載工作站,鄰近於所述可旋轉轉盤設置,其中所述卸載工作站設有一導引件,所述導引件具有一入口、一出口及一連通於所述入口與所述出口之間的傾斜通道,使所述良好IC封裝晶片通過所述傾斜通道而被卸載。
  2. 如請求項1所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述檢測工作站包括一電性檢測站,所述電性檢測站位於所述裝載工作站與所述卸載工作站之間,並配備一晶片測試模組,以量測所述IC封裝晶片的電性。
  3. 如請求項2所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述晶片測試模組具有一組檢測探針及一移動吸嘴,其中所述移動吸嘴用於移動所述IC封裝晶片,使所述IC封裝晶片接觸該組檢測探針進行電性檢測。
  4. 如請求項2所述的IC封裝晶片檢測裝置,更包括一晶片方位檢測站,其鄰近於所述可旋轉轉盤設置,並位於所述裝載工作站與所述電性檢測站之間,其中所述晶片方位檢測站設有一反射鏡及一影像擷取元件,所述反射鏡與所述影像擷取元件皆位於 所述IC封裝晶片下方,且所述影像擷取元件透過所述反射鏡來擷取所述IC封裝晶片的一底部影像。
  5. 如請求項4所述的IC封裝晶片檢測裝置,更包括一晶片方位調整站,其鄰近於所述可旋轉轉盤設置,並位於所述晶片方位檢測站與所述電性檢測站之間,所述晶片方位調整站設有一調整吸嘴,用於調整所述IC封裝晶片的擺放。
  6. 如請求項2所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述檢測工作站更包括一表面檢測站,所述表面檢測站位於所述電性檢測站與所述卸載工作站之間,且設有一影像擷取模組,以擷取所述IC封裝晶片的一正面影像與一底部影像。
  7. 如請求項1所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述卸載工作站更設有一捲帶,所述捲帶上設有多個包裝槽,所述導引件的所述出口連通於其中一所述包裝槽。
  8. 如請求項7所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述轉動傳送單元更包括一承載底盤,其中至少一所述可旋轉轉盤設置於所述承載底盤上,並間歇式地相對於所述承載底盤轉動。
  9. 如請求項8所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述承載底盤上設有一補料槽,所述補料槽鄰近於所述可旋轉轉盤設置,並位於所述檢測工作站與所述卸載工作站之間,所述補料槽接收所述良好IC封裝晶片,以作為所述包裝槽的補料所用。
  10. 如請求項8所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中多個所述容置部為環繞地開設於所述可旋轉轉盤外周緣的多個齒槽,且所述承載底盤設有貫穿所述承載底盤而形成的一打料口,當所述打料口與所述齒槽重疊時,清除未在所述卸載工作站被卸載的所述IC封裝晶片。
  11. 如請求項8所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述承載底盤上設有一通行部,以接收所述不良IC封裝晶片,且所述通行部末端設有一貫穿所述承載底盤而形成的一開口。
  12. 如請求項11所述的IC封裝晶片檢測裝置,更包括一位於所述開口下方的分類盒,所述分類盒設有多個彼此獨立的收集區,以將所述不良IC封裝晶片依其不良原因以分裝於多個所述收集區內。
  13. 如請求項1所述的IC封裝晶片檢測裝置,所述裝載工作站配備一輸送單元,其具有一輸送元件,所述輸送元件鄰近所述轉動傳送單元,並依據不同時序以將多個所述IC封裝晶片分別傳送至依序對應的每一容置部。
  14. 如請求項1所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中每一所述容置部設有一吸排氣兩用開口。
  15. 一種IC封裝晶片檢測裝置,包括:一轉動傳送單元,用於輸送多個IC封裝晶片,其中所述轉動傳送單元具有:一第一可旋轉轉盤及多個設置於所述第一可旋轉轉盤上的第一容置部,其中每一所述第一容置部用以選擇性地容納至少一所述IC封裝晶片;及一第二可旋轉轉盤及多個設置於所述第二可旋轉轉盤上的第二容置部,其中每一所述第二容置部用以選擇性地容納由所述第一可旋轉轉盤所輸送的多個IC封裝晶片中的至少一個;一裝載工作站,鄰近於所述第一可旋轉轉盤設置,其中多個所述IC封裝晶片在所述裝載工作站被分別裝載於所述第一容置部;一檢測工作站,鄰近於所述轉動傳送單元設置,其中位於所述第一容置部上或位於所述第二容置部上的所述IC封裝晶片在所述檢測工作站進行檢測,以判斷每一所述IC封裝晶片為良好IC封裝晶片或不良IC封裝晶片;以及一卸載工作站,鄰近於所述轉動傳送單元設置,其中所述卸載 工作站設有一導引件,所述導引件具有一入口、一出口及一連通於所述入口與所述出口之間的傾斜通道,使所述良好IC封裝晶片通過所述傾斜通道而被卸載。
  16. 如請求項15所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述檢測工作站包括一電性檢測站,所述電性檢測站鄰近於所述第一可旋轉轉盤設置,且配備一晶片測試模組,以量測所述IC封裝晶片的電性。
  17. 如請求項16所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述檢測工作站更包括一表面檢測站,所述表面檢測站鄰近於所述第二可旋轉轉盤設置,且配備一影像擷取模組,以擷取所述IC封裝晶片的一正面影像與一底部影像。
  18. 如請求項15所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述卸載工作站是鄰近於所述第二可旋轉轉盤設置,且設有一捲帶,所述捲帶上設有多個包裝槽,所述導引件的所述出口連通於其中一所述包裝槽。
  19. 如請求項15所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述轉動傳送單元更包括一承載底盤,其中所述第一可旋轉轉盤與所述第二可旋轉轉盤並行設置於所述承載底盤上,且間歇式地相對於所述承載底盤轉動,且所述第一可旋轉轉盤的轉動方向與所述第二可旋轉轉盤的轉動方向相同。
  20. 如請求項19所述的IC封裝晶片檢測裝置,其中所述承載底盤上更設有一連通道,所述連通道設置於所述第一可旋轉轉盤與所述第二可旋轉轉盤之間,以使其中一所述第一容置部的所述IC封裝晶片經由所述連通道而輸送到其中一所述第二容置部內。
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