TWM472242U - 觸控面板 - Google Patents

Description

觸控面板

本新型創作是有關於一種觸控面板，且特別是有關於一種可降低架橋結構之反射率的觸控面板。

隨著資訊技術、無線行動通訊和資訊家電的快速發展與應用，為了達到攜帶便利、體積輕巧化以及操作人性化的目的，許多資訊產品已由傳統的鍵盤或滑鼠等輸入裝置，轉變為使用觸碰面板作為輸入裝置。

以電容式觸控面板為例，習知的電容式觸控面板包括基板以及設置於基板上的多個第一感測串列、多個第二感測串列與多個絕緣圖案。這些第一感測串列與這些第二感測串列分別具有不同的延伸方向並彼此交錯，且這些第一感測串列與這些第二感測串列透過設置於兩者交錯處的絕緣圖案而彼此電性絕緣。

一般而言，各第一感測串列與各第二感測串列分別由多個感測墊與連接部所構成，其中考量到觸控面板的應用範疇(例如與顯示面板搭配使用)，感測墊的材質通常選用光穿透率佳的透明 導電材質。另外，由於這些第一感測串列的連接部與這些第二感測串列的連接部相互交錯，這些第一感測串列與這些第二感測串列的其中一者的連接部需要以不同於感測墊的製作步驟來製作。通常這樣的連接部會以導電良好的金屬架橋來構成，其中金屬架橋跨越絕緣圖案並將位於金屬架橋相對兩端的感測墊電性連接。然而，由於金屬架橋的反射率遠大於第一感測串列以及第二感測串列中以透明導電材質製作的感測墊的反射率(金屬架橋的反射率通常超過50%)，使得觸控面板的視效受到影響。

本新型創作提供一種觸控面板，其具有良好的視效。

本新型創作的觸控面板，其包括基板、多個第一感測串列、多個第二感測串列以及多個光學匹配堆疊結構。這些第一感測串列配置於基板上，且各第一感測串列沿第一方向延伸。各第一感測串列包括多個第一感測墊以及多個橋接結構，各橋接結構將相鄰兩個第一感測墊沿第一方向串接。這些第二感測串列電性絕緣於這些第一感測串列，並配置於基板上，且各第二感測串列沿第二方向延伸，其中第一方向與第二方向相交。各第二感測串列包括多個第二感測墊以及多個連接部，且各連接部將相鄰兩個第二感測墊沿第二方向串接。各光學匹配堆疊結構配置於各橋接結構面向使用者的表面上，以降低觀看方向上光線在橋接結構所在區域的反射率，其中各光學匹配堆疊結構包括第一光學匹配圖 案以及第二光學匹配圖案，且第二光學匹配圖案配置於第一光學匹配圖案與橋接結構之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的各光學匹配堆疊結構配置於基板與各橋接結構之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一光學匹配圖案的消光係數為k1，折射率為n1，且0.2*n1<k1<2*n1，而第二光學匹配圖案的消光係數為k2，折射率為n2，且k2<0.05*n2。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括絕緣層，且絕緣層配置於這些第一感測串列與這些第二感測串列之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的這些橋接結構以及這些光學匹配堆疊結構位在絕緣層與基板之間，使各連接部跨越對應的橋接結構以電性連接相鄰兩個第二感測墊。

在本新型創作的一實施例中，上述的各第一光學匹配圖案配置於基板上，且第二光學匹配圖案覆蓋於第一光學匹配圖案以及基板上。各橋接結構位在絕緣層與第二光學匹配圖案之間，使各連接部跨越對應的橋接結構以電性連接相鄰兩個第二感測墊。

在本新型創作的一實施例中，上述的這些連接部位在絕緣層與基板之間，其中各光學匹配堆疊結構跨越對應的連接部，且各橋接結構覆蓋於各光學匹配堆疊結構上。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括消 光層，且這些第一感測串列以及這些第二感測串列位於消光層與基板之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括消光層，且這些第一感測串列以及這些第二感測串列位於消光層與這些第二光學匹配圖案之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括覆蓋於基板上的消光層，且消光層位於基板與這些第一感測串列之間以及基板與這些第二感測串列之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的側壁與光學匹配堆疊結構的側壁切齊。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構包括第一圖案，且第一圖案的材質包括金、銀、銅、鋁、鉻、鉑、銠、鉬、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者，或者第一圖案為多層堆疊的導電層，且導電層的材質包括上述至少二者。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構更包括第二圖案，且第二圖案位於第一圖案與對應的光學匹配堆疊結構之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的第二圖案的消光係數與第一光學匹配圖案的消光係數相同，且第二圖案的折射率與第一光學匹配圖案的折射率相同。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構更包括 位於第一圖案上的第三圖案，且第一圖案位於第三圖案與對應的光學匹配堆疊結構之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的各光學匹配堆疊結構的側壁被橋接結構包覆。

在本新型創作的一實施例中，上述各光學匹配堆疊結構的光穿透率大於30%。

在本新型創作的一實施例中，上述的光線在橋接結構所在區域的反射率小於20%。

在本新型創作的一實施例中，上述當各第一光學匹配圖案的膜厚為150Å，且各第二光學匹配圖案的膜厚為500Å時，光線在橋接結構所在區域的反射率小於10%。

在本新型創作的一實施例中，上述的各第一感測墊位於各光學匹配堆疊結構與基板之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的各橋接結構的側壁被對應的這些第一感測墊所覆蓋並接觸。

在本新型創作的一實施例中，上述的各光學匹配堆疊結構的光穿透率大於各橋接結構的光穿透率。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一感測墊以及第二感測串列的材質包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鍺鋅氧化物，或者第一感測墊以及第二感測串列是分別由網格狀金屬所構成，或者第一感測墊以及第二感測串列為多層堆疊的導電層，且導電層的材質包括銦錫氧化物、銦鋅氧 化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物及網格狀金屬的其中至少二者。

在本新型創作的一實施例中，上述的各第一感測墊以及各第二感測串列分別由網格狀金屬所構成，且這些光學匹配堆疊結構更配置於這些第一感測墊以及這些第二感測串列面向使用者的表面上。

在本新型創作的一實施例中，上述的基板具有觸控區以及位於觸控區之至少一側的周圍區，且觸控面板更包括裝飾層，並且裝飾層位於周圍區內。

在本新型創作的一實施例中，上述的裝飾層位於基板上與這些第一感測串列以及這些第二感測串列相同的一側。

在本新型創作的一實施例中，上述的裝飾層位於基板上與這些第一感測串列以及這些第二感測串列相對的一側。

在本新型創作的一實施例中，上述的觸控面板更包括承板，其中承板位於基板上與這些第一感測串列以及這些第二感測串列相對的一側，且裝飾層配置於承板上，並位於基板與承板之間，其中裝飾層在基板上的正投影位於周圍區內。

在本新型創作的一實施例中，上述的基板是彩色濾光(color filter)基板、矩陣(array)基板或者是有機發光顯示器(OLED)的封裝蓋板。

基於上述，本新型創作的觸控面板在對應於橋接結構的區域設置光學匹配堆疊結構，並透過對光學匹配堆疊結構之光學參數(包括消光係數以及折射率)的設計，來改善橋接結構所在位置 反射率過高的問題。如此一來，當光線朝向觸控面板照射時，光線在橋接結構所在區域的反射率可大幅降低。因此，觸控面板可具有良好的視效，也就是使用者不容易察覺橋接結構的輪廓。

為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100、200、300、400、500、600、700、800‧‧‧觸控面板

110、810‧‧‧基板

120、520、820‧‧‧第一感測串列

122、522‧‧‧第一感測墊

124、524‧‧‧多個橋接結構

124a、524a‧‧‧第一圖案

124b、524b‧‧‧第二圖案

124c、524c‧‧‧第三圖案

130、530、830‧‧‧第二感測串列

132、532‧‧‧第二感測墊

134、534‧‧‧多個連接部

140、540、840‧‧‧絕緣層

142、542‧‧‧絕緣結構

150、150A、550、850‧‧‧光學匹配堆疊結構

152、552‧‧‧第一光學匹配圖案

154、154A、554‧‧‧第二光學匹配圖案

160、560‧‧‧消光層

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

G‧‧‧間隙

H1、H2、Ha、Hb、Hc‧‧‧膜厚

L‧‧‧光線

S1、S2‧‧‧表面

A1‧‧‧觸控區

A2‧‧‧周圍區

A-A’、B-B’、C-C’、D-D’‧‧‧剖線

圖1是依照本新型創作的第一實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。

圖2A及圖2B分別是圖1中剖線A-A’及剖線B-B’的剖面示意圖。

圖3A及圖3B是依照本新型創作的第二實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖4A及圖4B是依照本新型創作的第三實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖5A及圖5B是依照本新型創作的第四實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖6是依照本新型創作的第五實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。

圖7A及圖7B分別是圖6中剖線C-C’及剖線D-D’的剖面示意圖。

圖8A及圖8B是依照本新型創作的第六實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖9A及圖9B是依照本新型創作的第七實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖10A及圖10B是依照本新型創作的第八實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。

圖11是依照本新型創作第九實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。

圖1是依照本新型創作的第一實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。圖2A及圖2B分別是圖1中剖線A-A’及剖線B-B’的剖面示意圖。請參照圖1，本實施例的觸控面板100包括基板110、多個第一感測串列120、多個第二感測串列130以及多個光學匹配堆疊結構150。

基板110用以承載這些第一感測串列120、這些第二感測串列130以及這些光學匹配堆疊結構150。在本實施例中，這些第一感測串列120、這些第二感測串列130以及這些光學匹配堆疊結構150例如是配置於基板110的同一表面S1上。此外，基板110的材質可為玻璃、藍寶石玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、碳酸丙烯酯(propylene carbonate，PC)、三乙醯纖維素 (cellulose triacetate，TAC)或其組合。

配置於基板110上的這些第一感測串列120分別沿第一方向D1延伸且彼此電性絕緣。此外，配置於基板110上的這些第二感測串列130分別沿第二方向D2延伸且彼此電性絕緣，其中第一方向D1與第二方向D2相交。在本實施例中，第一方向D1例如是垂直於第二方向D2，但本新型創作不限於此。

各第一感測串列120包括多個第一感測墊122以及多個橋接結構124，且各橋接結構124將相鄰兩個第一感測墊122沿第一方向D1串接。此外，各第二感測串列130包括多個第二感測墊132以及多個連接部134，且各連接部134將相鄰兩個第二感測墊132沿第二方向D2串接。在本實施例中，各連接部134例如與各橋接結構124彼此交錯。

此外，觸控面板100可進一步包括絕緣層140，且絕緣層140配置於這些第一感測串列120與這些第二感測串列130之間，以使這些第一感測串列120與這些第二感測串列130彼此電性絕緣。具體而言，本實施例的絕緣層140例如包括多個島狀的絕緣結構142，且這些絕緣結構142分別配置於彼此交錯的各橋接結構124與各連接部134之間，但本新型創作並不用以限定絕緣層140的形狀。在其他實施例中，絕緣層140也可以是條狀的絕緣結構或是整面地覆蓋於觸控區(即這些第一感測串列120與這些第二感測串列130所在的區域)中，甚至視設計需求而延伸至觸控區外。此外，絕緣層140的材質例如為有機材料或透明光阻，其折射率 約落在1.5至1.9的範圍內，而其膜厚約落在1um(微米)至2um的範圍內。

請參照圖1、圖2A及圖2B，在本實施例中，於基板110上形成這些第一感測串列120、這些第二感測串列130、絕緣層140以及這些光學匹配堆疊結構150的順序例如是：首先，形成這些光學匹配堆疊結構150。其次，形成第一感測串列120的各橋接結構124。接著，形成絕緣層140。然後，形成這些第一感測串列120的第一感測墊122以及第二感測串列130。

換言之，本實施例的第一感測串列120的第一感測墊122與第二感測串列130的第二感測墊132以及連接部134可以是同時形成且可具有相同的材質，且第二感測串列130的第二感測墊132以及連接部134例如是一體成形。在本實施例中，第一感測墊122以及第二感測串列130的材質例如是金屬氧化物，如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其它合適的氧化物。然而，在其他實施例中，第一感測墊122以及第二感測串列130的材質也可分別由網格狀金屬所構成。或者，第一感測墊122以及第二感測串列130可以為多層的導電層，且導電層的材質例如包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物的其中至少二者。

另一方面，本實施例的第一感測串列120的各橋接結構124與第一感測墊122以及第二感測串列130不為同時形成，且各橋接結構124的材質不同於第一感測墊122的材質。舉例而言， 本實施例的各橋接結構124例如包括第一圖案124a，其中第一圖案124a的材質例如是金、銀、銅、鋁、鉻、鉑、銠、鉬、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者。或者，第一圖案124a也可以是多層堆疊的導電層，且導電層的材質包括上述至少二者。此外，考量到觸控面板100的感測靈敏度，第一圖案124a的膜厚Ha例如是大於1000Å，以維持一定的導電性。

各光學匹配堆疊結構150配置於各橋接結構124面向使用者的表面上。在本實施例中，基板110之相對於其承載元件的表面S1的表面S2例如為觸控面，換言之，使用者在操作觸控面板100時是位於表面S2的一側。因此，本實施例的各光學匹配堆疊結構150例如配置於基板110與各橋接結構124之間，但本新型創作不限於此。在其他實施例中，當表面S1為觸控面時，各橋接結構124則配置於基板110與各光學匹配堆疊結構150之間。

進一步而言，各光學匹配堆疊結構150包括第一光學匹配圖案152以及第二光學匹配圖案154，且第二光學匹配圖案154配置於第一光學匹配圖案152與橋接結構124之間，其中本實施例的第一光學匹配圖案152以及第二光學匹配圖案154具有實質上相同的輪廓，並且光學匹配堆疊結構150與橋接結構124(第一圖案124a)具有實質上相同的輪廓。具體而言，本實施例的各橋接結構124的第一圖案124a的側壁例如是與第一光學匹配圖案152以及第二光學匹配圖案154的側壁切齊。

在本實施例中，這些橋接結構124以及這些光學匹配堆疊結構150位在絕緣層140與基板110之間，使各連接部134跨越對應的橋接結構124以電性連接相鄰兩個第二感測墊132。此外，各橋接結構124以及光學匹配堆疊結構150的側壁被對應的這些第一感測墊122所覆蓋並接觸(如圖2A所示)，而各絕緣結構140的側壁被對應的這些連接部134所覆蓋並接觸(如圖2B所示)。

在習知技術中，以金屬材料製作連接兩相鄰感測墊的橋接結構，而此金屬橋接結構亦稱為金屬架橋。金屬架橋的反射率高，造成光線在金屬架橋處大部分被反射，而導致觸控面板的視效不好(例如是在金屬架橋所在的區域看到亮點)。據此，本實施例透過在橋接結構124面向使用者的一側設置光學匹配堆疊結構150，並藉由使第一圖案124a與光學匹配堆疊結構150之折射率以及消光係數相匹配，藉以降低第一圖案124a(橋接結構124)所在區域的反射率。

具體而言，由於第一圖案124a具有相對低的光穿透率，而光學匹配堆疊結構150的光穿透率相對大於第一圖案124a的光穿透率。因此，當光線L由基板110朝向第一感測串列120照射時，光線L會穿過光學匹配堆疊結構150並照射至第一圖案124a。也就是說，光學匹配堆疊結構150並非刻意用來阻擋光線L的構件，而是可以允許光線L通過的構件。舉例而言，光學匹配堆疊結構的光穿透率例如大於30%。另外，由於第一圖案124a可提供一反射面，因此光線L不容易通過第一圖案124a，也就是說，光 線L照射至第一圖案124a時，將容易受到第一圖案124a的阻擋。因此，本實施例可以不用考慮位於第一圖案124a上方的膜層對光線L所造成的反射作用，而可以僅考慮位於基板110與第一圖案124a間的光學匹配堆疊結構150的反射率，來判斷在橋接結構124所在位置處的視效。

在本實施例中，第一光學匹配圖案152的消光係數為k1，折射率為n1，且0.2*n1<k1<2*n1，而第二光學匹配圖案154的消光係數為k2，折射率為n2，且k2<0.05*n2。因此，當光線L朝向觸控面板100照射時，本實施例可降低光線L在橋接結構124所在區域的反射率，並使得光線L在橋接結構124所在區域的反射率小於20%。在一實施例中，當各第一光學匹配圖案152的膜厚H1為150Å，且各第二光學匹配圖案154的膜厚H2為500Å時，光線L在橋接結構124所在區域的反射率可進一步縮減並小於10%。

上述第一光學匹配圖案152的材質例如是金、銀、銅、鋁、鉻、鉑、銠、鉬、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者，或者第一光學匹配圖案152也可以是多層堆疊的導電層，且導電層的材質例如包括上述至少二者。此外，第二光學匹配圖案154的材質例如是金屬氧化物、氧化矽(SiO_x )、氮化矽(SiN_x )、氮氧化矽(SiNO_x )或上述至少二者的混合物。所述金屬氧化物可以為鈦氧化物(TiO_x )、五氧化二鉭(Ta₂ O₅ )、鈮氧化物(Nb₂ O_x )、氧化鋁(Al₂ O₃ )、銦錫氧化物(ITO)、 銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或其組合。

由於本實施例的光學匹配堆疊結構150可藉由雙層結構(指由第一光學匹配圖案152與第二光學匹配圖案154彼此堆疊的雙層結構)降低光線L在橋接結構124所在區域的反射率，因此，相比於現有技術由高、低折射率彼此交替堆疊的至少四層光學膜來降低光線在金屬架橋所在區域的反射率，本實施例可縮減光學匹配堆疊結構150的製程所需的時間，並簡化製程的繁瑣度。

此外，本實施例的光學匹配堆疊結構150以光學匹配(指消光係數與折射率的設計)的方式取代傳統以遮光的方式(例如配置遮光層)降低光線L在橋接結構124所在區域的反射率，因此本實施例觸控面板100除了可降低反射率而提升視效之外，還可兼具美觀。

在本實施例中，各橋接結構124可進一步包括第二圖案124b以及第三圖案124c，其中第一圖案124a位於第二圖案124b以及第三圖案124c之間。具體而言，第二圖案124b位於第一圖案124a與對應的光學匹配堆疊結構150之間，而第三圖案124c位於第一圖案124a上，且第一圖案124a位於第三圖案124c與對應的光學匹配堆疊結構150之間。

第二圖案124b可以用來保護第一圖案124a、增加橋接結構124的結構強度，且其還可以用來增加第一圖案124a與對應的光學匹配堆疊結構150之間的附著性。在一實施例中，當第二圖案124b的消光係數與第一光學匹配圖案152的消光係數相同，且 第二圖案124b的折射率與第一光學匹配圖案152的折射率相同時，第二圖案124b還可具有光學匹配的功效。如此一來，可進一步降低光線L在橋接結構124所在區域的反射率，並提升觸控面板100的視效。

另一方面，第三圖案124c也可以用來保護第一圖案124a、增加橋接結構124的結構強度並避免第一圖案124a氧化等。此外，第三圖案124c還可以用來增加第一圖案124a與絕緣結構140之間的附著性。因此，第三圖案124c可選用具較佳附著效果的材質，例如是與第二圖案124b相同的材質。另外，第二圖案124b以及第三圖案124c的膜厚Hb、Hc例如是小於1000Å。

須說明的是，上述第一實施例的第一感測墊122以及第二感測串列130的材質雖以金屬氧化物進行說明，但本新型創作不限於此。在一實施例中，當第一感測墊122以及第二感測串列130分別由網格狀金屬所構成時，或者是採用與橋接結構124相同材質所構成時，上述的光學匹配堆疊結構150可進一步位於第一感測墊122以及第二感測串列130面向使用者的表面上(也就是位於使用者與第一感測墊以及第二感測串列之間)，以降低觸控面板的反射率。

另一方面，除了橋接結構124會影響觸控面板100的視效之外，這些第一感測串列120以及這些第二感測串列130也可能影響觸控面板100的視效。圖3A及圖3B是依照本新型創作的第二實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。請參照圖3A及圖3B， 本實施例的觸控面板200在圖2A及圖2B的觸控面板100的架構下進一步製作消光層160，其中消光層160例如是全面地覆蓋於觸控面板200的觸控區(即第一感測串列120與第二感測串列130所在的區域)上，且這些第一感測串列120以及這些第二感測串列130位於消光層160與基板110之間，但本新型創作不限於此。舉例而言，在其他實施例中，消光層160也可以是覆蓋於基板110上，且位於基板110與這些第一感測串列120之間以及基板110與這些第二感測串列130之間。此外，消光層160的材質可以是一般的絕緣材質，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、矽鋁氧化物或上述的組合。

透過消光層160的設置，光線L在感測墊(包括第一感測墊122以及第二感測墊132)之間的間隙G(請參照圖1)與感測串列(指第一感測串列120與第二感測串列130)兩者之間的反射率差異可獲得補償。如此一來，可降低這些第一感測串列120以及這些第二感測串列130對於人眼的可視性，而進一步提升觸控面板200的視效。

在前述第一、第二實施例中，各橋接結構124的側壁與第一光學匹配圖案152的側壁及第二光學匹配圖案154的側壁切齊，但本新型創作並不限於此。圖4A及圖4B是依照本新型創作的第三實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。本實施例的觸控面板300與圖2A及圖2B的觸控面板100具有相似的膜層，且相似的膜層具有相似的功效，於此便不再贅述。與觸控面板100不同 的是，本實施例的觸控面板300的這些光學匹配堆疊結構150A的這些第一光學匹配圖案152配置於基板110上，且第二光學匹配圖案154A覆蓋於這些第一光學匹配圖案152以及基板110上。

具體而言，本實施例的第一感測串列120(包括第一感測墊122以及橋接結構124)以及第二感測串列130(包括第二感測墊132以及連接部134)配置於第二光學匹配圖案154A上，並且第一感測墊122以及第二感測串列與基板110結構上分離，即本實施例的第一感測墊122以及第二感測串列130未與基板110物理性(physically)接觸。此外，各橋接結構124設置於各第一光學匹配圖案152的上方。並且，本實施例的第一光學匹配圖案152與橋接結構124具有實質上相同的輪廓。具體而言，本實施例的各第一光學匹配圖案152的側壁例如是與各橋接結構124的側壁切齊。

透過將光學匹配堆疊結構150A設置於橋接結構124面向使用者的表面上(例如是位於基板110與橋接結構124之間)，並透過上述實施例的光學匹配常數(指消光係數以及折射率)的設計，本實施例可降低光線L在橋接結構124所在區域的反射率，藉以使得光線L朝向觸控面板300照射時，光線L在橋接結構124所在區域的反射率大幅降低。因此，觸控面板300可具有良好的視效。

圖5A及圖5B是依照本新型創作的第四實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。請參照圖5A及圖5B，本實施例在圖4A及圖4B的觸控面板300的架構下進一步製作消光層160，其中消光層160例如是全面地覆蓋於觸控面板400的觸控區(即第一感測串 列120與第二感測串列130所在的區域)上，且這些第一感測串列120以及這些第二感測串列130位於消光層160與基板110之間，但本新型創作不限於此。舉例而言，在其他實施例中，消光層160也可以是覆蓋於基板110上，且位於基板110與這些第一感測串列120之間以及基板110與這些第二感測串列130之間。

透過消光層160的設置，使光線L在感測墊(包括第一感測墊122以及第二感測墊132)之間的間隙G(請參照圖1)與感測串列(指第一感測串列120與第二感測串列130)兩者之間的反射率差異獲得補償。如此一來，可降低第一感測串列120與第二感測串列130對於人眼的可視性，而進一步提升觸控面板400的視效。

圖6是依照本新型創作的第五實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。圖7A及圖7B分別是圖6中剖線C-C’及剖線D-D’的剖面示意圖。請參照圖6、圖7A及圖7B，本實施例的觸控面板500與前述觸控面板100具有相似的膜層、相似的材料以及相似的功效。兩者的差異主要在於，觸控面板500的這些第一感測串列520、這些第二感測串列530、絕緣層540以及這些光學匹配堆疊結構550的形成順序為：首先，形成這些第一感測串列520的第一感測墊522以及這些第二感測串列530。其次，形成絕緣層540(包括多個絕緣結構542)。接著，形成這些光學匹配堆疊結構550。然後，形成第一感測串列520的各橋接結構524。上述第一感測串列520、第二感測串列530、絕緣層540以及光學匹配堆疊結構550的材質以及構造可參照前述觸控面板100的第一感 測串列120、第二感測串列130、絕緣層140以及光學匹配堆疊結構150的材質及構造，於此便不再贅述。

與觸控面板100不同的是，本實施例的這些連接部534位在這些絕緣結構540與基板110之間，其中各光學匹配堆疊結構550跨越對應的連接部534，且各橋接結構524配置於對應的光學匹配堆疊結構550上，以電性連接相鄰兩個第一感測墊522。亦即是，本實施例的各連接部534的部分區域被對應的橋接結構524所覆蓋(如圖7B所示)，且第一感測墊522的部分區域位於各橋接結構524的光學匹配圖案524b與基板110之間(如圖7A所示)。

另外，本實施例的各光學匹配堆疊結構550與橋接結構524具有實質上相同的輪廓。具體而言，各橋接結構524的側壁例如是與光學匹配堆疊結構550的側壁切齊。在本實施例中，各橋接結構524是透過對應的光學匹配堆疊結構550來電性連接相鄰兩個第一感測墊522，因此，本實施例的光學匹配堆疊結構550的材質需具備導電性。詳言之，光學匹配堆疊結構550的第一光學匹配圖案552的材質例如是與前述第一光學匹配圖案152以及第一圖案124a的材質相同，而第二光學匹配圖案554的材質例如是選自前述第二光學匹配圖案154的材質中具有導電性的材質，例如金屬氧化物。

然而，本新型創作並不用以限定各光學匹配堆疊結構550需與橋接結構524具有實質上相同的輪廓。圖8A及圖8B是依照本新型創作的第六實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。請參照 圖8A及8B，本實施例的各光學匹配堆疊結構550的側壁例如是被橋接結構524的一部份包覆。如此一來，各橋接結構524可以與相鄰兩個第一感測墊522直接接觸，而可以不用透過光學匹配堆疊結構550來電性連接相鄰兩個第一感測墊522。因此，在圖8A及8B的實施例中，觸控面板600的光學匹配堆疊結構550的材質可與圖1中的光學匹配堆疊結構150的材質相同。亦即是，本實施例的第二光學匹配圖案554的材質可以是金屬氧化物、氧化矽(SiO_x )、氮化矽(SiN_x )、氮氧化矽(SiNO_x )或上述至少二者的混合物。

在圖7A、圖7B與圖8A、圖8B的實施例中，透過光學匹配堆疊結構550的設置，以及光學匹配堆疊結構550在上述實施利之光學參數(指消光係數與折射率)的設計下，光線L在橋接結構524所在區域的反射率也可小於20%。也就是說，本實施例也可藉由橋接結構524與光學匹配堆疊結構550的折射率的匹配，來降低光線L在橋接結構524所在區域的反射率，並使得光線L朝向觸控面板500、600照射時，光線L在橋接結構524所在區域的反射率大幅降低。如此一來，觸控面板500、600可具有良好的視效。

圖9A及圖9B是依照本新型創作的第七實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。圖10A及圖10B是依照本新型創作的第八實施例的一種觸控面板的剖面示意圖。請參照圖9A至圖10B，在圖9A、圖9B、圖10A及圖10B的實施例中，可進一步於圖7A、 圖7B與圖8A、圖8B的觸控面板500、600的架構下製作消光層560，且消光層560例如位於基板110與這些第一感測串列520(包括第一感測墊522以及橋接結構524)之間以及基板110與這些第二感測串列530(包括第二感測墊532以及連接部534)之間，但本新型創作不限於此。舉例而言，在其他實施例中，消光層160也可以全面地覆蓋於觸控面板700、800的觸控區(即第一感測串列520與第二感測串列530所在的區域)上，且這些第一感測串列520以及這些第二感測串列530位於消光層560與基板110之間。

透過消光層560的設置，光線L在感測墊(包括第一感測墊522以及第二感測墊532)之間的間隙G(請參照圖6)與感測串列(指第一感測串列520與第二感測串列530)兩者之間的反射率差異可獲得補償。如此一來，可降低第一感測串列520與第二感測串列530對於人眼的可視性，而進一步提升觸控面板700、800的視效。

須說明的是，在上述的第一至第八實施例中，雖皆以基板110相對於元件配置面(即表面S1)的表面S2為觸控面，並且光學匹配堆疊結構150、550配置於基板110與橋接結構124、524之間，但本新型創作並不限於此。在其他實施例中，當基板110配置感測串列(包括第一感測串列及第二感測串列)的表面S1為觸控面時，橋接結構則例如是配置於光學匹配堆疊結構與基板110之間，即光學匹配堆疊結構配置於橋接結構面向使用者的表面上。

舉例而言，觸控面板100、200、300、400、500、600、 700、800的基板110可為顯示面板的一基板，例如是彩色濾光基板、矩陣基板或者是有機發光顯示器的封裝蓋板。透過將觸控面板100、200、300、400、500、600、700、800與顯示面板整合在一起，可使觸控顯示面板更為輕薄。以下以基板110為彩色濾光基板進行說明。以外掛式(on cell)觸控顯示面板為例，彩色濾光圖案(未繪示)與感測串列分別位於基板110相對的兩表面。此時，由於感測串列所在的表面S1為觸控面，因此，橋接結構124、524配置於光學匹配堆疊結構150、550與基板110之間。反之，若以內嵌式(in cell)觸控顯示面板為例，彩色濾光圖案與感測串列皆位於基板110的表面S1的一側，且感測串列例如是位於彩色濾光圖案與表面S1之間。此時，由於表面S2為觸控面，因此，光學匹配堆疊結構150、550配置於基板110與橋接結構124、524之間。

圖11是依照本新型創作第九實施例的一種觸控面板的局部上視示意圖。請參照圖11，本實施例的觸控面板800包括基板810、多個第一感測串列820以及多個第二感測串列830，其中基板810可作為蓋板(cover lens)使用。也就是說，在實際操作時，這些第一感測串列820、這些第二感測串列830以及絕緣層840位於基板810的內表面，而使用者觸碰的是基板810的外表面。具體而言，基板810具有觸控區A1以及位於觸控區A1的至少一側的周圍區A2，且這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830位於觸控區A1內。在本實施例中，這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830可採用前述第一至第八實施例的任一者 中相似構件的配置關係，且本實施例的觸控面板800可進一步包括絕緣層840以使這些第一感測串列820與這些第二感測串列830電性絕緣。再者，本實施例的觸控面板800也可選擇性地包括前述的消光層(未繪示)以提升觸控面板800的視效。

與前述實施例的差異在於，本實施例的觸控面板800還包括裝飾層850，其中裝飾層850位於周圍區A2內。具體地，裝飾層850例如是用來遮蔽位於周圍區A2內的訊號傳輸走線或者遮光元件(未繪示)。在其他實施例中，周圍區A2內也可視設計需求而設置觸控元件。

在本實施例中，裝飾層850例如位於基板810上與這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830相同的一側。也就是說，本實施例的裝飾層810、這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830位於基板810的同一表面(內表面)上。然而，在其他實施例中，裝飾層850也可以設置在基板810上與這些第一感測串列820以及這些第二感測串列830相對的一側，也就是裝飾層850也可以位於基板810的外表面(觸控面)上。另外，在其他實施例中，觸控面板800可進一步包括承板(未標示)，且裝飾層850配置在承板上並面向基板810，且對應於基板810的周圍區A2貼附於基板810上。換言之，在承板與基板810接合後，裝飾層850會位於基板810與承板之間，其中裝飾層850在基板810上的正投影位於周圍區A2內。

綜上所述，本新型創作的觸控面板在橋接結構面向使用 者的表面上設置光學匹配堆疊結構，並透過對光學匹配堆疊結構的光學參數(包括消光係數以及折射率)的設計，來改善橋接結構反射率過高的問題。因此，當光線朝向觸控面板照射時，本新型創作可降低光線在橋接結構所在區域的反射率與光線在橋接結構以外區域的反射率的差異性，進而使觸控面板具有良好的視效。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧觸控面板

110‧‧‧基板

120‧‧‧第一感測串列

122‧‧‧第一感測墊

124‧‧‧多個橋接結構

124a‧‧‧第一圖案

124b‧‧‧第二圖案

124c‧‧‧第三圖案

134‧‧‧多個連接部

140‧‧‧絕緣結構

142‧‧‧絕緣結構

150‧‧‧光學匹配堆疊結構

152‧‧‧第一光學匹配圖案

154‧‧‧第二光學匹配圖案

H1、H2、Ha、Hb、Hc‧‧‧膜厚

L‧‧‧光線

S1、S2‧‧‧表面

A-A’‧‧‧剖線

Claims (29)

1. 一種觸控面板，包括：一基板；多個第一感測串列，配置於該基板上，各該第一感測串列沿一第一方向延伸，各該第一感測串列包括多個第一感測墊以及多個橋接結構，各該橋接結構將相鄰兩個第一感測墊沿該第一方向串接；多個第二感測串列，電性絕緣於該些第一感測串列，並且該些第二感測串列配置於該基板上，各該第二感測串列沿一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向相交，各該第二感測串列包括多個第二感測墊以及多個連接部，且各該連接部將相鄰兩個第二感測墊沿該第二方向串接；以及多個光學匹配堆疊結構，各該光學匹配堆疊結構配置於各該橋接結構面向使用者的表面上，以降低觀看方向上光線在該橋接結構所在區域的反射率，其中各該光學匹配堆疊結構包括一第一光學匹配圖案以及一第二光學匹配圖案，且該第二光學匹配圖案配置於該第一光學匹配圖案與該橋接結構之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該光學匹配堆疊結構配置於該基板與各該橋接結構之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該第一光學匹配圖案的消光係數為k1，折射率為n1，且0.2*n1<k1<2*n1，而該第二光學匹配圖案的消光係數為k2，折射率為n2，且k2< 0.05*n2。
4. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一絕緣層，該絕緣層配置於該些第一感測串列與該些第二感測串列之間。
5. 如申請專利範圍第4項所述的觸控面板，其中該些橋接結構以及該些光學匹配堆疊結構位在該些絕緣層與該基板之間，使各該連接部跨越對應的該橋接結構以電性連接相鄰兩個第二感測墊。
6. 如申請專利範圍第4項所述的觸控面板，其中各該第一光學匹配圖案配置於該基板上，且該第二光學匹配圖案覆蓋於該第一光學匹配圖案以及該基板上，各該橋接結構位在該絕緣層與該第二光學匹配圖案之間，使各該連接部跨越對應的該橋接結構以電性連接相鄰兩個第二感測墊。
7. 如申請專利範圍第4項所述的觸控面板，其中該些連接部位在該絕緣層與該基板之間，其中各該光學匹配堆疊結構跨越對應的連接部，且各該橋接結構覆蓋於各該光學匹配堆疊結構上。
8. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一消光層，該些第一感測串列以及該些第二感測串列位於該消光層與該基板之間。
9. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一消光層，該些第一感測串列以及該些第二感測串列位於該消光層與該些第二光學匹配圖案之間。
10. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，更包括一消光 層，覆蓋於該基板上，且位於該基板與該些第一感測串列之間以及該基板與該些第二感測串列之間。
11. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的側壁與該光學匹配堆疊結構的側壁切齊。
12. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構包括一第一圖案，且該第一圖案的材質包括金、銀、銅、鋁、鉻、鉑、銠、鉬、鈦、鎳、銦、錫或其合金、或上述金屬的氮化物、氧化物、氮氧化物的至少其中一者，或者該第一圖案為一多層堆疊的導電層，且該導電層的材質包括上述至少二者。
13. 如申請專利範圍第12項所述的觸控面板，其中各該橋接結構更包括一第二圖案，位於該第一圖案與對應的該光學匹配堆疊結構之間。
14. 如申請專利範圍第13項所述的觸控面板，其中該第二圖案的消光係數與該第一光學匹配圖案的消光係數相同，且該第二圖案的折射率與該第一光學匹配圖案的折射率相同。
15. 如申請專利範圍第12項所述的觸控面板，其中各該橋接結構更包括一第三圖案，位於該第一圖案上，且該第一圖案位於該第三圖案與該光學匹配堆疊結構之間。
16. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該光學匹配堆疊結構的側壁被該橋接結構包覆。
17. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該光學匹配堆疊結構的光穿透率大於30%。
18. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該光線在該橋接結構所在區域的反射率小於20%。
19. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中當各該第一光學匹配圖案的膜厚為150Å，且各該第二光學匹配圖案的膜厚為500Å時，該光線在該橋接結構所在區域的反射率小於10%。
20. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該第一感測墊位於各該光學匹配堆疊結構與該基板之間。
21. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該橋接結構的側壁被對應的該些第一感測墊所覆蓋並接觸。
22. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該光學匹配堆疊結構的光穿透率大於各該橋接結構的光穿透率。
23. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該第一感測墊以及該第二感測串列的材質包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鍺鋅氧化物，或者該第一感測墊以及該第二感測串列是分別由網格狀金屬所構成，或者該第一感測墊以及該第二感測串列為一多層堆疊的導電層，且該導電層的材質包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物及網格狀金屬的其中至少二者。
24. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中各該第一感測墊以及各該第二感測串列分別由網格狀金屬所構成，且該些光學匹配堆疊結構更配置於該些第一感測墊以及該些第二感測串列面向使用者的表面上。
25. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該基板具有一觸控區以及一位於該觸控區之至少一側的周圍區，且該觸控面板更包括一裝飾層，該裝飾層位於該周圍區內。
26. 如申請專利範圍第25所述的觸控面板，其中該裝飾層位於該基板上與該些第一感測串列以及該些第二感測串列相同的一側。
27. 如申請專利範圍第25項所述的觸控面板，其中該裝飾層位於該基板上與該些第一感測串列以及該些第二感測串列相對的一側。
28. 如申請專利範圍第25所述的觸控面板，更包括一承板，該承板位於該基板上與該些第一感測串列以及該些第二感測串列相對的一側，且該裝飾層配置於該承板上，並位於該基板與該承板之間，其中該裝飾層在該基板上的正投影位於該周圍區內。
29. 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板，其中該基板是彩色濾光基板、矩陣基板或者是有機發光顯示器的封裝蓋板。