TWM464705U

TWM464705U - 阻層之薄膜化處理裝置

Info

Publication number: TWM464705U
Application number: TW102201573U
Authority: TW
Inventors: Yuji Toyoda; Norihiko Gokan; Noriyuki Kawai; Munetoshi Irisawa; Kunihito Kajiya; Kunihiro Nakagawa
Original assignee: Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority date: 2012-02-10
Filing date: 2013-01-24
Publication date: 2013-11-01
Also published as: CN203376557U

Description

阻層之薄膜化處理裝置

本新型係關於阻層之薄膜化處理裝置。

隨著電氣以及電子零件的小型化、輕量化、多功能化，對於以電路形成用的乾膜阻劑、抗焊劑為首的感光性樹脂(感光性材料)，要求可對應於印刷配線板的高密度化之高解析度。這些感光性材料，是將作為原料的感光性樹脂曝光後顯影，進行圖案形成而製作出。

為了對應於印刷配線板的小型化、高功能化，感光性樹脂具有薄膜化的傾向。感光性樹脂具有塗布液體而使用的類型(液狀阻劑)和乾膜類型(乾膜阻劑)。最近，開發出15μm以下的厚度的乾膜阻劑，其產品化正在進展中。但是，這麼薄的乾膜阻劑，與習知厚度的阻劑相比，密合性以及對凹凸的追隨性不充分，存在產生剝離及空隙等的問題。

為了改善上述問題點，使用厚的感光性樹脂並能夠實現高解析度的各種手段被提出。例如，一種導電圖案的形成方法已被揭示出，是在利用減去法製作導電圖案的方法，其特徵在於，在絕緣層的單面或者兩面設置金屬層形成積層基板，在該積層基板上貼合乾膜阻劑而形成阻層，然後進行阻層的薄膜化步驟，接著，進行電路圖案的曝光步驟、顯影步驟、蝕刻步驟(例如參照專利文獻1)。此外，一種抗焊劑圖案的形成方法被揭示出，是形成抗焊劑圖案的方法，其特徵在於，在具有導電圖案的電路基板上形成由抗焊劑構成的阻層，然後進行阻層的薄膜化步驟，接著進行圖案的曝光步驟，再度進行包含阻層的薄膜化處理的薄膜化步驟(例如專利文獻2以及3)。

薄膜化步驟至少包含：使用鹼性水溶液讓未曝光部的阻層的光交聯性樹脂成分微胞化的微胞化處理(薄膜化處理)、利用pH5~9的鹼性水溶液除去微胞的微胞除去處理、用水清洗表面的水洗處理、除去清洗水的乾燥處理等四階段的處理。而且，利用鹼性水溶液中的薄膜化處理的處理時間來控制薄膜化的進展。但是，在鹼性水溶液中存在氣泡，當該氣泡與未曝光部的阻層的光交聯性樹脂成分接觸時，發生與氣泡接觸的部分的薄膜化的進展受到妨礙的問題。在薄膜化的進展受到妨礙的部分，阻層變厚而殘存，所以在減去法的導電圖案形成中成為蝕刻不良的原因，在抗焊劑的圖案形成中，成為連接焊墊部的接觸不良的原因，都會發生導致生產的良品率下降的問題。

再者，在曝光步驟後，經由包含使用鹼性水溶液的阻層的薄膜化處理的薄膜化步驟，再度進行曝光步驟，接著，再度進行包含使用鹼性水溶液的阻層的薄膜化處理的薄膜化步驟，這種情況下，氣泡的接觸對於阻層薄膜化的阻害變得更為嚴重。在藉由反覆進行曝光步驟和薄膜化步驟而逐步地讓未曝光部的阻層薄膜化時，在形成於阻層的曝光部和未曝光部的邊界的段差部特別容易殘存氣泡，與氣泡接觸的部分之阻層的薄膜化隨後受到妨礙。例如，在反覆進行兩次曝光步驟和包含薄膜化處理的薄膜化步驟的情況，當第二次的薄膜化部與第一次的薄膜化部相同或者位於其內側的區域時，在第二次的薄膜化處理時，在形成於第一次的曝光部和第一次的薄膜化部的邊界處的段差內部有容易殘存氣泡的傾向。

此外，在專利文獻4揭示，將形成有阻層的基板在薄膜化處理液(鹼性水溶液)中浸漬(dip)而將阻層薄膜化的薄膜化處理裝置。對於專利文獻4揭示的薄膜化處理裝置，使用圖式進行說明。圖5以及6是專利文獻4所記載的薄膜化處理裝置的概略剖面圖。圖5是從與基板的搬運方向(MD方向)正交的方向(CD方向)觀察的概略剖面圖，圖6是從基板的搬運方向(MD方向)觀察的概略剖面圖。在該薄膜化處理裝置，利用搬運輥對12將形成有阻層的基板8在浸漬於浸漬槽10中的鹼性水溶液9中的狀態下進行搬運，進行阻層的薄膜化處理。鹼性水溶液9從裝置下部的鹼性水溶液貯藏容器13藉由鹼性水溶液供給泵14而經由鹼性水溶液供給口11被供給至浸漬槽10，使其溢流。溢流後的鹼性水溶液9被回收到鹼性水溶液回收槽30，通過回收管21而從回收管排出口22排出，貯藏於鹼性水溶液貯藏容器13。藉由反覆進行此處理而使鹼性水溶液9在浸漬槽10與鹼性水溶液貯藏容器13之間循環。

在圖5以及6所示的薄膜化處理裝置，當使鹼性水溶液9循環時，在藉由溢流而使鹼性水溶液9從浸漬槽10向鹼性水溶液貯藏容器13落下時，會在鹼性水溶液9中產生氣泡15，該氣泡15藉由鹼性水溶液9的循環而附著於基板8的阻層，阻礙薄膜化的進展，可能會產生使膜厚變得不均的處理不均。

專利文獻1：國際公開第2009/096438號手冊

專利文獻2：日本特開2011-192692號公報

專利文獻3：國際公開第2012/043201號手冊

專利文獻4：日本特開2012-27299號公報。

本新型的課題在於提供一種阻層之薄膜化處理裝置，在能夠解決解析性和追隨性的問題的阻劑圖案的形成方法所使用的阻層之薄膜化處理裝置中，能夠解決氣泡導致的處理不均的問題。

本創作人為解決該課題而進行研究的結果，發現藉由下述手段能夠解決上述課題。

(1)一種阻層之薄膜化處理裝置，具有：浸漬槽，用於利用鹼性水溶液對阻層進行薄膜化處理；搬運輥對，對形成有阻層的基板在浸漬在鹼性水溶液中的狀態下進行搬運，其特徵在於，在阻層之薄膜化處理裝置具有氣泡抑制裝置。

(2)如上述(1)該的阻層之薄膜化處理裝置，具有將鹼性水溶液供給浸漬槽的鹼性水溶液供給口，氣泡抑制裝置是配置在鹼性水溶液供給口和搬運輥對之間的氣泡誘導板。

(3)如上述(1)或(2)該的阻層之薄膜化處理裝置，具有：用於向浸漬槽供給鹼性水溶液的鹼性水溶液供給泵、用於將從浸漬槽溢流的鹼性水溶液送往鹼性水溶液貯藏容器的回收管、及貯藏從浸漬槽溢流的鹼性水溶液的鹼性水溶液貯藏容器，氣泡抑制裝置是配置在鹼性水溶液貯藏容器內部的氣泡誘導板。

(4)如上述(1)~(3)的任一項該的阻層之薄膜化處理裝置，具有：用於向浸漬槽供給鹼性水溶液的鹼性水溶液供給泵、用於將從浸漬槽溢流的鹼性水溶液送往鹼性水溶液貯藏容器的回收管、及貯藏從浸漬槽溢流的鹼性水溶液的鹼性水溶液貯藏容器，氣泡抑制裝置是設置在比鹼性水溶液貯藏容器的鹼性水溶液的液面更下方的回收管排出口。

(5)如上述(1)~(4)的任一項該的阻層之薄膜化處理裝置，具有將鹼性水溶液供給浸漬槽的鹼性水溶液供給口，氣泡抑制裝置是配置於浸漬槽的超音波產生裝置。

(6)如上述(1)~(5)的任一項該的阻層之薄膜化處理裝置，具有：用於向浸漬槽供給鹼性水溶液的鹼性水溶液供給泵、用於將從浸漬槽溢流的鹼性水溶液送往鹼性水溶液貯藏容器的回收管、及貯藏從浸漬槽溢流的鹼性水溶液的鹼性水溶液貯藏容器，氣泡抑制裝置是配置於鹼性水溶液貯藏容器的超音波產生裝置。

(7)如上述(1)~(6)的任一項該的阻層之薄膜化處理裝置，具有：用於向浸漬槽供給鹼性水溶液的鹼性水溶液供給泵、用於將從浸漬槽溢流的鹼性水溶液送往鹼性水溶液貯藏容器的回收管、及貯藏從浸漬槽溢流的鹼性水溶液的鹼性水溶液貯藏容器，氣泡抑制裝置是配置在浸漬槽中的比鹼性水溶液的液面低的位置的鹼性水溶液噴出口。

能夠提供一種阻層之薄膜化處理裝置，在能夠解決解析性和追隨性的問題的阻劑圖案的形成方法中所使用的阻層之薄膜化處理裝置中，能夠解決氣泡導致的處理不均的問題。

1‧‧‧絕緣層

2‧‧‧導體配線

3‧‧‧阻層

4‧‧‧光罩

5‧‧‧活性光線

6‧‧‧連接焊墊

7‧‧‧金屬層

8‧‧‧基板

9‧‧‧鹼性水溶液

10‧‧‧浸漬槽

11‧‧‧鹼性水溶液供給口

12‧‧‧搬運輥對

13‧‧‧鹼性水溶液貯藏容器

14‧‧‧鹼性水溶液供給泵

15‧‧‧氣泡

16‧‧‧氣泡誘導板(1)

17‧‧‧供給泵吸入口

18‧‧‧氣泡誘導板(2)

19‧‧‧氣泡誘導板(3)

20‧‧‧超音波產生裝置(1)

21‧‧‧回收管

22‧‧‧回收管排出口

23‧‧‧鹼性水溶液的液面

24‧‧‧閥

25‧‧‧超音波產生裝置(2)

26‧‧‧凸緣

27‧‧‧鹼性水溶液噴出口

28‧‧‧噴出口用供給泵

29‧‧‧供給管

30‧‧‧鹼性水溶液回收槽

圖1a~e是表示使用本新型的阻層之薄膜化處理裝置進行的阻劑圖案的形成方法的一例的剖面步驟圖。

圖2a~d是表示使用本新型的阻層之薄膜化處理裝置進行的阻劑圖案的形成方法的一例的剖面步驟圖。

圖3a~f是表示使用本新型的阻層之薄膜化處理裝置進行的阻劑圖案的形成方法的一例的剖面步驟圖。

圖4a~f是表示使用本新型的阻層之薄膜化處理裝置進行的阻劑圖案的形成方法的一例的剖面步驟圖。

圖5是表示習知技術的薄膜化處理裝置的概略剖面圖。

圖6是表示習知技術的薄膜化處理裝置的概略剖面圖。

圖7是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖8是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖9是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖10是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖11是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖12是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖13是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖14是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖15是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖16是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖17是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

圖18是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。

以下詳細說明本新型的阻層之薄膜化處理裝置。

使用圖1~4說明使用本新型的阻層之薄膜化處理裝置進行的阻劑圖案的形成方法。

使用圖1說明利用減去法形成導電圖案時的阻劑圖案的形成方法(1)。

〔圖1a〕準備在絕緣層1上設置有金屬層7的積層基板。

〔圖1b〕積層基板上形成鹼性顯影型的阻層3。

〔圖1c〕一邊抑制氣泡向阻層3附著，一邊利用鹼性水溶液將阻層3薄膜化(薄膜化步驟)。

〔圖1d〕利用活性光線5對進行薄膜化後的阻層3進行圖案曝光(曝光步驟)。

〔圖1e〕利用顯影將未曝光部的阻層3除去(顯影步驟)。

如此，能夠形成圖1e所示般沒有氣泡導致的薄膜化的處理不均的阻劑圖案。在圖1e之後，在蝕刻步驟中，對沒有被阻劑圖案覆蓋的金屬層7進行蝕刻，藉此得到導電圖案。

使用圖2說明使用了抗焊劑的阻劑圖案的形成方法(2)。

〔圖2a〕準備在絕緣層1上形成有導體配線2以及連接焊墊6的電路基板。

〔圖2b〕在電路基板上形成鹼性顯影型的阻層3。

〔圖2c〕利用活性光線5對於應實施薄膜化的區域以外的部分的阻層3進行曝光(曝光步驟)。

〔圖2d〕一邊抑制氣泡附著於阻層3一邊利用鹼性水溶液將未曝光部的阻層3薄膜化，直到阻層3的厚度變得比連接焊墊6的厚度更薄(薄膜化步驟)。

如此，能夠形成如圖2d所示般沒有氣泡導致的薄膜化的處理不均，導體配線2被阻層3被覆且連接焊墊6從阻層3露出的多段構造的阻劑圖案。

使用圖3說明利用減去法形成導電圖案形成時的阻劑圖案的形成方法(3)。

〔圖3a〕準備在絕緣層1上設置有金屬層7的積層基板。

〔圖3b〕在積層基板上形成鹼性顯影型的阻層3。

〔圖3c〕利用活性光線5對於應實施薄膜化的區域以外的部分的阻層3進行曝光(第一次的曝光步驟)。

〔圖3d〕一邊抑制氣泡附著於阻層3一邊利用鹼性水溶液將未曝光部的阻層3薄膜化(薄膜化步驟)。

〔圖3e〕利用活性光線5對於應實施顯影的區域以外的部分的阻層3進行曝光(第二次的曝光步驟)。

〔圖3f〕利用顯影將未曝光部的阻層3除去(顯影步驟)。

如此，能夠形成如圖3f所示般沒有氣泡導致的薄膜化的處理不均，具有局部被薄膜化的阻層3的多段構造的阻劑圖案。接著，在蝕刻步驟中，對沒有被阻劑圖案覆蓋的金屬層7進行蝕刻，藉此得到導電圖案。

使用圖4說明使用抗焊劑的阻劑圖案的形成方法(4)。

〔圖4a〕準備在絕緣層1上形成有導體配線2以及連接焊墊6的電路基板。

〔圖4b〕在電路基板上形成鹼性顯影型的阻層3。

〔圖4c〕利用活性光線5對於應實施第一次薄膜化的區域以外的部分的阻層3進行曝光(第一次的曝光步驟)。

〔圖4d〕一邊抑制氣泡附著於阻層3一邊利用鹼性水溶液將未曝光部的阻層3薄膜化，直到阻層3的厚度變成連接焊墊6的厚度以上(第一次的薄膜化步驟)。

〔圖4e〕利用活性光線5對於應實施第二次薄膜化的區域以外的部分的阻層3進行曝光(第二次的曝光步驟)。

〔圖4f〕一邊抑制氣泡附著於阻層3一邊利用鹼性水溶液將未曝光部的阻層3薄膜化，直到阻層3的厚度變成比連接焊墊6的厚度更薄(第二次的薄膜化步驟)。

如此，能夠形成如圖4f所示般沒有氣泡導致的薄膜化的處理不均，導體配線2被阻層3被覆且連接焊墊6從阻層3露出的多段構造的阻劑圖案。

作為基板能夠舉出：印刷配線板用基板、引線架用基板、將印刷配線板用基板或引線架用基板加工而獲得的電路基板。

作為印刷配線板用基板，例如可以舉出撓性基板、剛性基板。撓性基板的絕緣層的厚度為5~125μm，在其兩面或者單面設置1~35μm的金屬層而成為積層基板，可撓性大。絕緣層的材料通常使用聚醯亞胺、聚醯胺、聚苯硫、聚對苯二甲酸乙二醇脂、液晶聚合物等。在絕緣層上具有金屬層的材料可以使用藉由下述方法製造的材料：利用黏著劑貼合的黏著法、在金屬箔上塗布樹脂液的澆鑄法、在利用濺鍍及蒸鍍法形成在樹脂薄膜上的厚度數nm的薄的導電層(種子層)上利用電鍍形成金屬層的濺鍍/電鍍法，利用熱壓機進行貼合的層疊法等的任一個。作為金屬層的金屬能夠使用銅、鋁、銀、鎳、鉻、或者其等的合金等的任意金屬，一般為銅。

剛性基板可以舉出：在紙基材或者玻璃基材上浸漬環氧樹脂或者酚醛樹脂等而構成絕緣性基板，將絕緣性基板重疊成絕緣層，在其單面或者兩面載置金屬箔，藉由加熱及加壓進行積層之設有金屬層的積層基板。此外，可以舉出：在內層配線圖案加工後積層預成形料、金屬箔等而製作的多層用的屏蔽板，具有貫通孔及非貫通孔的多層板。厚度為60μm~3.2mm，根據作為印刷配線板的最終使用形態而選定其材質和厚度。作為金屬層的材料可以舉出銅、鋁、銀、金等，一般為銅。這些印刷配線板用基板的例記載於《印刷電路技術便覽-第二版》((社)印刷電路學會編，1987年刊，日刊工業新聞社發刊)及《多層印刷電路手冊》(J.A.Scarlett編，1992年刊，(株)近代化學社發刊)。

作為引線架用基板能夠舉出鐵鎳合金、銅系合金等的基板。

電路基板，是在絕緣性基板上形成有銅等的金屬構成的用於連接半導體晶片等的電子零件的連接焊墊的基板。也可以形成有導體配線。製作電路基板的方法可以舉出例如減去法、半加成法、加成法。在減去法中，例如在上述的印刷配線板用基板上形成蝕刻阻劑圖案，進行曝光步驟、顯影步驟、蝕刻步驟、阻劑剝離步驟而製作電路基板。

作為阻劑能夠使用鹼性顯影型的阻劑。此外，無論是液狀阻劑還是乾膜阻劑，只要是能夠藉由鹼性水溶液(薄膜化處理液)施以薄膜化、且能夠藉由比薄膜化處理液更低濃度的鹼性水溶液、即顯影液進行顯影的阻劑，則可以使用任意的阻劑。鹼性顯影型的阻劑包含光交聯性樹脂成分。光交聯性樹脂成分例如含有鹼性可溶性樹脂、光聚合性化合物、光聚合起始劑等。此外也可以含有環氧樹脂、熱硬化劑、無機填充物等。

作為鹼性可溶性樹脂可以舉出：例如丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、環氧系樹脂、胺基系樹脂、胺基環氧系樹脂、醇酸系樹脂、酚醛系樹脂等的有機高分子。其中，較佳為將具有乙烯性不飽和雙鍵的單體(聚合性單體)進行聚合(自由基聚合等)而得到的樹脂。這些鹼性水溶液可溶的聚合體，可以單獨使用也可以組合兩種以上地使用。作為這樣的具有乙烯性不飽和雙鍵的單體，例如可以舉出：苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯、p-乙基苯乙烯、p-甲氧基苯乙烯、p-乙氧基苯乙烯、p-氯苯乙烯、p-溴苯乙烯等的苯乙烯衍生物；雙丙酮丙烯醯胺等的丙烯醯胺；丙烯腈；乙烯-n-丁基醚等的乙烯醇的酯類；(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、 2,2,2-三氟乙基(甲基)丙烯酸酯、2,2,3,3-四氟丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、α-溴(甲基)丙烯酸、α-氯(甲基)丙烯酸、β-呋喃基(甲基)丙烯酸、β-苯乙烯基(甲基)丙烯酸等的(甲基)丙烯酸單酯；馬來酸、馬來酸酐、馬來酸單甲酯、馬來酸單乙酯、馬來酸單異丙酯等的馬來酸系單體；富馬酸酸、肉桂酸、α-氰化肉桂酸、衣康酸、巴豆酸、丙炔酸等。

作為光聚合性化合物可以舉出：例如讓多價醇與α,β-不飽和羧酸反應而得到的化合物；雙酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物；讓縮水甘油基含有化合物與α,β-不飽和羧酸反應而得到的化合物；在分子內具有胺甲酸酯鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物等的胺甲酸酯單體；壬基苯氧基聚乙烯氧基丙烯酸酯；γ-氯-β-羥丙基-β′-(甲基)丙烯醯氧基乙基-o-酞酸酯、β-羥烷基-β′-(甲基)丙烯醯氧基烷基-o-酞酸酯等的酞酸系化合物；(甲基)丙烯酸烷基酯、EO、PO變性壬苯基(甲基)丙烯酸酯等。在此，EO以及PO表示乙烯氧化物以及丙烯氧化物，EO變性後的化合物是具有乙烯氧化物基的嵌段構造的化合物，PO變性後的化合物是具有丙烯氧化物基的嵌段構造的化合物。這些光聚合性化合物可以單獨地、或者也可以組合兩種以上地使用。

作為光聚合起始劑可以舉出：二苯甲酮、 N,N′-四甲基-4,4′-二胺基二苯甲酮(米其勒酮)、N,N′-四乙基-4,4′-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4′-二甲胺基二苯酮、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1、2-甲基-1-〔4-(甲硫基)苯〕-2-嗎啉基-丙酮-1等的芳香族酮；2-乙基蒽醌、菲醌、2-三級丁基蒽醌、十八甲基蒽醌、1,2-苯並蒽醌、2,3-苯並蒽醌、2-苯蒽醌、2,3-二苯蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、2,3-二甲基蒽醌等的醌類；安息香甲醚、安息香***、安息香苯醚等的安息香醚化合物；安息香、甲基安息香、乙基安息香等的安息香化合物；苄基二甲基縮酮等的苄基衍生物；2-(o-氯苯)-4,5-二苯咪唑二聚體、2-(o-氯苯)-4,5-二(甲氧基苯)咪唑二聚體、2-(o-氟苯基)-4,5-二苯咪唑二聚體,2-(o-甲氧基苯)-4,5-二苯咪唑二聚體、2-(p-甲氧基苯)-4,5-二苯咪唑二聚體等的2,4,5-三芳基咪唑二聚體；9-苯基吖啶、1,7-雙(9,9′-吖啶)庚烷等的吖啶衍生物；N-苯甘氨酸、N-苯甘氨酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2,4,5-三芳基咪唑二聚體中的兩個2,4,5-三芳基咪唑的芳基的置換基，可以是相同且對稱的化合物，也可以是不同而非對稱的化合物。此外，也可以如二乙基噻噸酮和對二甲胺基苯甲酸的組合那樣將噻噸酮系化合物和3級叔胺化合物組合。這些單獨地、或者組合兩種以上地使用。

環氧樹脂有時作為硬化劑而使用。讓其與鹼性可溶性樹脂的羧酸反應而進行交聯，實現耐熱性及耐藥品性的特性的提高，但由於羧酸和環氧在常溫下也發生反應，所以保存穩定性差，鹼性顯影型的抗焊劑一般大多採用在使用前混合的2液性形態。有時也使用無機填充物，可以舉出例如滑石、硫酸鋇、二氧化矽等。

在基板的表面形成阻層的方法為任意方法都可以，可以舉出例如網版印刷法、輥塗法、噴霧法、浸漬法、簾幕式塗布法、棒塗法、氣刀法、熱熔法、凹版印刷法、刷毛塗布法、膠版印刷法。乾膜阻劑的情況下，較佳為使用層疊法。

在曝光步驟中，對阻層照射活性光線。能夠使用：以氙燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、超高壓水銀燈、UV螢光燈作為光源的反射圖案曝光，使用光罩的單面、兩面接觸式曝光、近接方式、投影方式及雷射掃描曝光等。進行掃描曝光時，能夠藉由讓UV雷射、He-Ne雷射、He-Cd雷射、氬雷射、氮雷射、紅寶石雷射、YAG雷射、氮雷射、色素雷射、準分子雷射等的雷射光源對應於發光波長實施SHG波長轉換後的掃描曝光，或者利用液晶開閉器、微透鏡陣列開閉器的掃描曝光而進行曝光。

在顯影步驟中，利用顯影液對未曝光部的阻層進行顯影。與薄膜化步驟不同，將未曝光部的阻層完全地除去。作為顯影方法，一般是使用與所使用的阻層對應的顯影液向基板表面噴射噴霧的方法。作為顯影液，使用比用於薄膜化處理的薄膜化處理液(鹼性水溶液)更低濃度的鹼性水溶液。作為顯影液(低濃度鹼性水溶液)，一般為0.3~3質量%的碳酸鈉水溶液。

在蝕刻步驟中，能夠使用《印刷電路技術便覽》((社)日本印刷電路工業會編，1987年刊行，(株)日刊工業新聞社刊)記載的方法等。蝕刻液只要是能夠溶解除去金屬層、又至少阻層具有耐受性者即可。一般在金屬層使用銅的情況，能夠使用氯化鐵水溶液，氯化銅水溶液等。

作為阻層的薄膜化步驟是包含：利用鹼性水溶液讓阻層中的光交聯性樹脂成分微胞化的微胞化處理(薄膜化處理)、接著利用pH5~9的鹼性水溶液除去微胞的微胞除去處理的步驟。再者，也能夠包含：利用水洗將沒有去除乾淨的阻層表面及殘存附著的鹼性水溶液沖洗的水洗處理、除去清洗水的乾燥處理。

作為薄膜化處理液使用的鹼性水溶液例如可以舉出：鋰、鈉或者鉀等的鹼金屬矽酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬碳酸鹽、銨磷酸鹽、銨碳酸鹽等的無機鹼性化合物的水溶液，及單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、環己胺、四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、三甲基-2-羥乙基氫氧化銨(膽鹼)等的有機鹼性化合物的水溶液。上述無機鹼性化合物以及有機鹼性化合物也可以作為混合物而使用。

鹼性化合物的含有量能夠使用0.1質量%以上 50質量%以下。此外，為了讓阻層表面更加均勻地薄膜化，也可以在鹼性水溶液中添加硫酸鹽、亞硫酸鹽。作為硫酸鹽或者亞硫酸鹽可以舉出鋰、鈉或者鉀等的鹼金屬硫酸鹽或者亞硫酸鹽，鎂、鈣等的鹼土類金屬硫酸鹽或者亞硫酸鹽。

作為鹼性水溶液，在其中特別是，包含選自鹼金屬碳酸鹽、鹼金屬磷酸鹽、鹼金屬氫氧化物、鹼金屬矽酸鹽的無機鹼性化合物、以及選自TMAH、膽鹼的有機鹼性化合物中的至少一種，且該無機鹼性化合物以及有機鹼性化合物的含有量為5~25質量%的鹼性水溶液，因此能夠讓表面更加均勻地薄膜化，所以能夠適切地使用。在未達5質量%時，薄膜化的處理中有時容易產生不均。此外，如果超過25質量%，則容易引起無機鹼性化合物的析出，可能使液體的經時穩定性、作業性變差。更佳鹼性化合物的含有量為7~17質量%，特佳為8~13質量%。較佳鹼性水溶液的pH為10以上。此外，也能夠適宜地添加界面活性劑、消泡劑、溶劑等。

使用鹼性水溶液的薄膜化處理，藉由在浸漬槽中的鹼性水溶液中浸漬(dip)形成有阻層的基板而進行。浸漬處理以外的處理方法容易在鹼性水溶液中產生氣泡，該產生的氣泡充能在薄膜化處理中附著於阻層表面，而使膜厚會變得不均一。

在使用本新型的阻劑槽的薄膜化處理裝置的阻劑圖案的形成方法，由阻層形成後的厚度和利用鹼性水溶液處理使阻層被薄膜化的量，來決定阻層的厚度。此外，能夠在0.01~500μm的範圍內自由地調整薄膜化量。

本新型的阻層之薄膜化處理裝置具有：利用鹼性水溶液對阻層進行薄膜化處理的浸漬槽、及將形成有阻層的基板在浸漬在鹼性水溶液中的狀態下進行搬運的搬運輥對。而且，其特徵在於，為了抑制在基板的阻層上附著氣泡而具有氣泡抑制裝置。使用圖7~17說明本新型的阻層之薄膜化處理裝置。

作為氣泡抑制裝置的一例舉出氣泡誘導板。氣泡誘導板是用於直接地或者間接地抑制在鹼性水溶液中產生的氣泡在薄膜化處理時附著於阻層。例如，在使用鹼性水溶液的阻層的薄膜化處理中，設置於浸漬槽內，直接地抑制產生的氣泡附著於阻層。此外，在用於在與浸漬槽之間讓鹼性水溶液循環的鹼性水溶液貯藏容器內設置氣泡誘導板，對從浸漬槽溢流的鹼性水溶液藉由鹼性水溶液貯藏容器回收時所產生的氣泡進行誘導，而間接地抑制氣泡向阻層附著。

圖7~9是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖。圖7以及8是從CD方向觀察的概略剖面圖，圖9是從MD方向觀察的概略剖面圖。這些薄膜化處理裝置，藉由搬運輥對12對形成有阻層的基板8以浸漬在浸漬槽10中的鹼性水溶液9中的狀態進行搬運，進行阻層的薄膜化處理。鹼性水溶液9，從裝置下部的鹼性水溶液貯藏容器13利用鹼性水溶液供給泵14經由鹼性水溶液供給口11被供給至浸漬槽10，並使其溢流。溢流後的鹼性水溶液9被回收至鹼性水溶液回收槽30，並通過回收管21而從回收管排出口22貯藏於鹼性水溶液貯藏容器13，藉此在浸漬槽10和鹼性水溶液貯藏容器13之間循環。

圖7~9所示的薄膜化處理裝置，是在鹼性水溶液供給口11和搬運輥對12之間設置氣泡誘導板(1)16。利用氣泡誘導板(1)16，將在薄膜化處理裝置內的鹼性水溶液循環過程中產生的氣泡15，向比薄膜化處理中的形成有阻層的基板8更靠薄膜化處理裝置寬度方向的外側的區域誘導，能夠防止其向搬運中的形成有阻層的基板8附著。

設置於浸漬槽10內的氣泡誘導板(1)16的設置位置，只要是在從上觀察浸漬槽10時鹼性水溶液供給口11被氣泡誘導板(1)16的區域遮住而變得看不見的位置關係即可。此外，氣泡誘導板(1)16的設置高度，只要是浸漬槽10內的鹼性水溶液供給口11和搬運輥對12之間的高度則可以為任意的高度。

關於氣泡誘導板(1)16的大小，相對於薄膜化處理裝置的搬運方向，長度方向只要為鹼性水溶液供給口11的直徑以上、浸漬槽10的長度以下的範圍即可。相對於薄膜化處理裝置的搬運方向，如果長度方向未達鹼性水溶液供給口11的直徑，誘導氣泡的能力可能不足。相對於薄膜化處理裝置的搬運方向，寬度方向只要為形成有阻層的基板8的寬度以上、未達浸漬槽10的寬度即可。相對於薄膜化處理裝置的搬運方向，如果寬度方向未達形成有阻層的基板8的寬度，誘導氣泡的能力可能不足。

圖10~12是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖，是從MD方向觀察的概略剖面圖。圖10~12所示的薄膜化處理裝置，是在鹼性水溶液貯藏容器13內部設置氣泡誘導板(2)18或者氣泡誘導板(3)19。鹼性水溶液9通過回收管21而從回收管排出口22往鹼性水溶液貯藏容器13排出時產生的氣泡15，被氣泡誘導板(2)18或者氣泡誘導板(3)19遮蔽，向在液體中上浮的方向誘導。如此，能夠抑制從供給泵吸入口17吸入氣泡15，能夠防止其向搬運中的形成有阻層的基板8附著。

設置於鹼性水溶液貯藏容器13內的氣泡誘導板的設置位置，是從回收管排出口22排出的鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點與供給泵吸入口17之間的位置。此外，設置於鹼性水溶液貯藏容器13內的氣泡誘導板，依其設置方法能夠分為氣泡誘導板(2)18和氣泡誘導板(3)19這兩種。如圖10所示，氣泡誘導板(2)18其上端比鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度低，將下端固定設置在鹼性水溶液貯藏容器13的底面。此外，如圖11所示，氣泡誘導板(3)19，以其上端比鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度高、下端與鹼性水溶液貯藏容器13的底面完全不接觸的方式、或者一部分不接觸的方式被固定設置。氣泡誘導板(2)18和氣泡誘導板(3)19縱使是分別單體地使用時也能夠得到氣泡誘導效果，但是藉由例如圖12所示般組合地加以利用，能夠提高氣泡誘導效果。再者，也能夠將氣泡誘導板(2)18和氣泡誘導板(3)19組合多片而使用，如此能夠得到更大的氣泡誘導效果。

氣泡誘導板的材料能夠使用對於鹼性水溶液具有耐受性的各種材料。具體而言能夠使用：聚乙烯、聚丙烯、硬質聚氯乙烯、丙烯腈．丁二烯．苯乙烯(ABS)樹脂、聚苯乙烯樹脂等的合成樹脂，玻璃纖維強化聚丙烯、玻璃纖維強化環氧樹脂等的纖維強化塑膠，鈦、赫斯特合金(註冊商標)等的耐腐蝕性金屬材料等的材料。其中，基於容易加工較佳為使用硬質聚氯乙烯。

氣泡誘導板的形狀能夠形成為圓形、橢圓形、正方形及長方形等的四邊形、五邊形、六邊形等的多邊形、由直線和弧線構成的任意的形狀等，但基於容易加工和設置較佳為正方形或長方形。再者，在氣泡誘導板(1)16的薄膜化裝置搬運方向的起點和終點的端部能夠向下地設置凸緣26。圖8表示從側面(CD方向)觀察設置有凸緣26的薄膜化處理裝置時的概略剖面圖。藉由在氣泡誘導板(1)16上設置凸緣26，相對於薄膜化處理裝置搬運方向，能夠提高向寬度方向的氣泡誘導效果。此外，藉由使氣泡誘導板(1)16相對於薄膜化處理裝置搬運方向在寬度方向上呈V字型傾斜，能夠沿寬度方向更優先地誘導氣泡。圖9表示從正面(MD方向)觀察使氣泡誘導板(1)16相對於薄膜化處理裝置搬運方向在寬度方向上呈V字型傾斜時的薄膜化處理裝置時的概略剖面圖。再者，在組合圖8和圖9所示的構造的氣泡誘導板(1)(即設置凸緣和V字型加工)時，能夠進一步提高氣泡誘導效果而更佳。

作為氣泡抑制裝置的另外一例，是在比貯藏於鹼性水溶液貯藏容器的鹼性水溶液的液面更下方所設置的回收管排出口。即，使鹼性水溶液的送液所使用的回收管之回收管排出口的高度，低於送液對象之鹼性水溶液貯藏容器中的鹼性水溶液的液面位置的方法。在從上方向下方搬運鹼性水溶液時，如果回收管排出口比下方的鹼性水溶液的液面更下方，則在回收管排出口和下方的鹼性水溶液的液面之間，鹼性水溶液不易與空氣接觸，所以能夠抑制氣泡的產生。

圖13及14所示的薄膜化處理裝置，是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖，是從MD方向觀察的概略剖面圖。圖13以及14所示的薄膜化處理裝置，是將回收管21的回收管排出口22設置為比鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液的液面23更下方。到達鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的瞬間的鹼性水溶液9不致與空氣接觸，所以能夠抑制空氣進入鹼性水溶液9中而產生發泡。如此，能夠防止氣泡15向搬運中的形成有阻層的基板8附著。

回收管排出口22是回收管21的端部，是往鹼性水溶液貯藏容器13的注入口。回收管排出口22設置為比鹼性水溶液貯藏容器13內部的鹼性水溶液的液面23更低。在此，將鹼性水溶液供給泵14啟動而使鹼性水溶液9循環以前的回收管21被空氣充滿，所以循環剛開始後的鹼性水溶液9從回收管排出口22到達鹼性水溶液貯藏容器13的瞬間產生氣泡15。其後，只要持續進行循環就變得不會產生氣泡15，所以藉由在鹼性水溶液供給泵14啟動後的一定時間才開始進行薄膜化處理，能夠防止氣泡15向搬運中的形成有阻層的基板8附著。

此外，還存在從鹼性水溶液供給泵14剛啟動後讓回收管21內部完全被鹼性水溶液9充滿的方法。例如，如圖14所示，在鹼性水溶液貯藏容器13內，在鹼性水溶液的液面23和回收管排出口22之間的位置設置閥24。在薄膜化處理裝置的鹼性水溶液9的循環開始前關閉閥24，當比閥24更上部的回收管21被鹼性水溶液9充滿後打開閥24，藉此能夠自循環剛開始後使鹼性水溶液9充滿循環中的回收管21內部。藉由該方法，在本新型的薄膜化處理裝置中，能夠抑制鹼性水溶液9從回收管21的回收管排出口22向鹼性水溶液貯藏容器13注入時產生氣泡15，能夠防止氣泡15向搬運中的形成有阻層的基板8附著。

作為氣泡抑制裝置的另外一例，是超音波產生裝置(sonicator、ultrasonic generator)。藉由在鹼性水溶液中使用超音波產生裝置而利用超音波，能夠讓鹼性水溶液振動、對流，能夠使在液體中浮游的氣泡以及附著於阻層的氣泡在空氣中上浮而脫泡。超音波產生裝置能夠設置在浸漬槽內、鹼性水溶液貯藏容器內。

圖15所示的薄膜化處理裝置是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖，是從MD方向觀察的概略剖面圖。圖15所示的薄膜化處理裝置，是在浸漬槽10內設置有超音波產生裝置(1)20。藉由在浸漬槽10內設置超音波產生裝置(1)20，不僅能夠讓從鹼性水溶液供給口11供給至浸漬槽10的鹼性水溶液9中所混入的氣泡在空氣中上浮，縱使在混入的氣泡已經附著於阻層時，也能夠利用超音波的振動將其除去，能夠防止氣泡附著於形成有阻層的基板8。特別地，在反覆進行曝光步驟和包含使用鹼性水溶液的薄膜化處理的薄膜化步驟而逐步地將未曝光部的阻層薄膜化時，雖容易在形成於阻層的曝光部和未曝光部的邊界的段差內部殘留氣泡，但能夠藉由超音波使段差內部的氣泡也馬上在空氣中上浮。

圖16所示的薄膜化處理裝置是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖，是從MD方向觀察的概略剖面圖。此外，圖16所示的薄膜化處理裝置，是在鹼性水溶液貯藏容器13內設置有超音波產生裝置(2)25。利用超音波產生裝置(2)25，將鹼性水溶液9從回收管排出口22向鹼性水溶液貯藏容器13貯藏時產生的氣泡，在尚未到達供給泵吸入口17的期間讓其在空氣中上浮，能夠防止其向搬運中的形成有阻層的基板8附著。

說明超音波產生裝置。利用超音波除去液體中的氣泡的方法，與真空減壓方式、離心分離方式、氣旋方式等相比，液體的溫度變化小，此外在照射超音波之後馬上就有效果，在簡便且即效性方面優異。超音波產生裝置可以是超音波振動的振盪頻率固定，也能以某頻率變化的週期使頻率改變而進行振盪。例如在鹼性處理液循環而存在液體流動時，均勻地提供振動變得重要，所以較佳為一邊讓頻率改變一邊振盪。此外，較佳為也能夠一邊讓振盪輸出改變一邊振盪。

超音波產生裝置(1)20的設置位置，較佳為在浸漬槽10內的鹼性水溶液9中位於鹼性水溶液供給口11附近的浸漬槽10底部。此外，超音波產生裝置(2)25較佳為位於從回收管排出口22排出的鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點與供給泵吸入口17之間的位置。

超音波產生裝置的設置個數，能夠對應於薄膜化處理的形成有阻層的基板的尺寸、浸漬槽或者鹼性水溶液貯藏容器的容量而適宜地選擇。較佳為以向形成有阻層的基板均勻地照射超音波、且使從振動件振盪的超音波的分佈不重疊的方式設置。

作為氣泡抑制裝置的另外一例，舉出鹼性水溶液噴出口。在浸漬槽中，藉由從比鹼性水溶液的液面低的位置向阻層表面噴出鹼性水溶液，而在阻層表面產生鹼性水溶液的液流，如此能夠抑制氣泡向阻層附著。

圖17所示的薄膜化處理裝置是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖，是從CD方向觀察的概略剖面圖。圖17所示的薄膜化處理裝置，是在浸漬槽10內設置鹼性水溶液噴出口27，該鹼性水溶液噴出口 27將從噴出口用供給泵28通過供給管29供給的鹼性水溶液9向形成有阻層的基板8噴出。利用從鹼性水溶液噴出口27噴出的鹼性水溶液9的水壓，使與形成有阻層的基板8接觸的鹼性水溶液9不斷地產生液流，能夠防止在薄膜化處理裝置內的鹼性水溶液循環過程中產生的氣泡15在搬運中附著於形成有阻層的基板8。

說明鹼性水溶液噴出口。鹼性水溶液噴出口 27位於比浸漬槽10的鹼性水溶液9的液面低的位置，設置於能夠向薄膜化處理中的形成有阻層的基板8的上下表面噴出鹼性水溶液9的位置。在圖17中鹼性水溶液供給泵14和噴出口用供給泵28分別地設置了兩個，但也可以利用一個泵向鹼性水溶液供給口11和鹼性水溶液噴出口27的雙方供給鹼性水溶液9。

說明從鹼性水溶液噴出口噴出的壓力、流量。噴出的鹼性水溶液的壓力較佳為0.01~0.5MPa，更佳為0.05~0.3MPa，特佳為0.1~0.3MPa。鹼性水溶液的供給流量較佳為阻層每1cm² 為0.03~1.0L/min，更佳為0.05~1.0L/min，特佳為0.1~1.0L/min。噴出的鹼性水溶液的壓力及阻層每1cm² 的鹼性水溶液的供給流量如果不足，在薄膜化處理裝置內的鹼性水溶液循環過程中產生的氣泡可能附著於薄膜化處理中的形成有阻層的基板。另一方面，如果壓力及供給流量過大，則浸漬槽內的鹼性水溶液的液流變得劇烈，產生新的氣泡的可能性變高。此外，供給所需要的泵等的零件變大，變得需要大型化的裝置。再者，縱使壓力及供給流量變得必要以上地過大，對防止氣泡對薄膜化處理中的形成有阻層的基板的附著產生的影響可能也不改變。

鹼性水溶液噴出口的形狀只要能夠滿足上述壓力、流量則沒有特別的限制，能夠從各種形狀的噴淋噴嘴、將配管及管切斷後的剖面及在其上開設的孔等噴出鹼性水溶液而使用。鹼性水溶液噴出口的方向，為了高效率地在薄膜化處理中的阻層表面產生液流，相對於與阻層表面垂直的方向，宜從傾斜的方向噴出。

供給管29，是將藉由噴出口用供給泵28吸入的鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9導向鹼性水溶液噴出口27的管。只要能夠從噴出口用供給泵28將鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9導向鹼性水溶液噴出口27即可，供給管29的形狀及粗細及長度能夠自由地決定。此外，供給管29的根數可以為一根，也可以為多根。

本新型的氣泡抑制裝置也可以單獨地使用，也可以進行各種組合地使用。例如，當在浸漬槽內和鹼性水溶液貯藏容器內的雙方都抑制氣泡的產生時，較佳為在浸漬槽內以及鹼性水溶液貯藏容器內設置氣泡誘導板，進一步在鹼性水溶液貯藏容器內的適當的位置設置回收管排出口。浸漬槽內的氣泡誘導板的設置，縱使在鹼性水溶液貯藏容器內產生的氣泡從鹼性水溶液供給口被帶入浸漬槽，也能夠在氣泡正要附著於阻層表面之前予以防止，所以特別地有效。在圖案的曝光步驟後利用薄膜化步驟對未曝光部薄膜化，並再度進行圖案的曝光步驟，接著再度利用薄膜化步驟進行薄膜化而形成阻層的段差構造的情況，浸漬槽中的超音波產生裝置及鹼性水溶液噴出口的設置特別地有效。

圖18所示的薄膜化處理裝置是表示本新型的薄膜化處理裝置的一例的概略剖面圖，是從MD方向觀察的概略剖面圖。在圖18所示的薄膜化處理裝置，作為氣泡抑制裝置，是並用氣泡誘導板(1)16以及氣泡誘導板(2)18及氣泡誘導板(3)19、和設置在比鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23更下方的回收管排出口22。

說明阻層之薄膜化處理裝置中的浸漬槽10以及鹼性水溶液回收槽30。關於鹼性水溶液9的循環，是從鹼性水溶液供給口11向浸漬槽10內供給鹼性水溶液9，從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9被回收至鹼性水溶液回收槽30。被回收至鹼性水溶液回收槽30的鹼性水溶液9，通過回收管21被導向鹼性水溶液貯藏容器13，從供給泵吸入口17通過鹼性水溶液供給泵14被再度從鹼性水溶液供給口11送往浸漬槽10內而進行循環。

鹼性水溶液9的溫度，能夠利用設置於鹼性水溶液貯藏容器13內的加溫用加熱器、讓冷卻水循環的冷卻管等而進行控制。溫度控制用的溫度計，較佳為不僅設置在鹼性水溶液貯藏容器13內也設置在浸漬槽10中，藉此能夠將循環路徑內的鹼性水溶液9的溫度保持為一定。浸漬槽10的大小，只要在利用搬運輥對12對形成有阻層的基板8進行搬運而進行薄膜化處理時，能使鹼性水溶液與阻層接觸的大小則沒有特別的限制，能夠自由地決定。此外，鹼性水溶液回收槽30的形狀及大小，只要能夠回收從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9即可，能夠自由地決定。

搬運輥對12的形狀以及材質只要能夠搬運形成有阻層的基板則沒有特別的限制，能夠利用例如聚烯烴(聚丙烯等)、聚氯乙烯、氟類樹脂(鐵氟龍(註冊商標)等)等。此外，搬運輥對12的設置位置以及根數只要能夠搬運形成有阻層的基板8即可，並不限定於圖示的設置位置以及根數。

回收管21，是將從浸漬槽10溢流而被回收至鹼性水溶液回收槽30的鹼性水溶液9導向鹼性水溶液貯藏容器13的管。只要能夠將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9導向鹼性水溶液貯藏容器13，回收管21的形狀、粗細、長度能夠自由地決定。此外，回收管21的根數可以為一根也可以為多根。

鹼性水溶液供給口11的較佳直徑，根據浸漬槽10的容量而改變，通常為10~40mm。此外，鹼性水溶液供給口11的位置，只要在浸漬槽10的底部則在哪裡都可以。鹼性水溶液供給口11為一個時，基於浸漬槽10內的鹼性水溶液9的循環效率，較佳為位於浸漬槽10底部的中央附近。此外，如果將鹼性水溶液供給口11設置在浸漬槽10側面，則鹼性水溶液9內的氣泡15的移動變得複雜，藉由氣泡抑制裝置抑制氣泡可能變得困難。此外，如果將鹼性水溶液供給口11設置在浸漬槽10上部，則鹼性水溶液9供給時產生新的氣泡15的可能性變高。

阻層之薄膜化處理裝置所使用的材料沒有特別的限定。與鹼性水溶液接觸的零件，能夠使用對於鹼性水溶液具有耐受性的各種材料。

在阻層的薄膜化步驟的微胞化處理(薄膜化處理)，利用鹼性水溶液將阻層中的光交聯性樹脂成分微胞化後，在微胞除去處理，利用含有比該鹼性水溶液更稀薄的鹼性化合物的pH5~9的水溶液將微胞除去，使阻層的薄膜化進展。在水溶液的pH未達5時，溶入到水溶液中的阻層成分會凝集，可能成為不溶性的泥狀沉澱物而附著於薄膜化後的阻層表面。另一方面，如果水溶液的pH超過9，則促進阻層的溶解擴散，容易在面內產生處理不均所以不理想。此外，水溶液的pH能夠使用硫酸、磷酸、鹽酸等進行調整。此外，作為pH5~9的水溶液的供給方法，基於阻層的溶解擴散速度和液供給的均一性，最佳為噴霧方式。噴霧壓較佳為0.01~0.5MPa，更佳為0.02~0.3MPa。再者，噴霧的方法，為了在阻層表面高效率地形成液流，相對於與阻層表面垂直的方向，宜從傾斜的方向噴射。

在利用pH5~9的水溶液除去微胞後，進一步利用水洗處理沖洗沒有完全除去的阻層表面及殘存附著的鹼性水溶液。作為水洗處理的方法，基於擴散速度和液供給的均一性，較佳為噴霧方式。

在乾燥處理，能夠使用熱風乾燥、室溫送風乾燥的任一種，但較佳為使用鼓風機將大量的空氣送氣，從氣體狹縫噴嘴向阻層表面噴吹高壓的空氣而將表面上的水除去。

實施例

以下根據實施例進一步詳細說明本新型，但本新型不限定於該實施例。

(實施例1)

向印刷配線板用基板(絕緣層1：玻璃基材環氧樹脂，金屬層7：銅箔，面積510mm×340mm，銅箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化學社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY,INC.)製，商品名：CCL-E170)使用乾膜阻劑用層壓裝置而熱壓接乾膜阻劑(日立化成工業社(Hitachi Chemical Co.,Ltd.)製，商品名：RY3625，厚度25μm)，形成阻層3。

接著，剝離乾膜阻劑的載體薄膜，然後作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)利用下述薄膜化處理裝置(圖7)從鹼性水溶液供給口11供給鹼性水溶液9並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖7)，具有搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10，在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11，在鹼性水溶液供給口11的正上方設置有搬運方向的長度500mm、寬度400mm的氣泡誘導板(1)16。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

利用光學顯微鏡觀察薄膜化後的阻層3的表面，能夠確認沒有處理不均的平滑的表面。

(實施例2)

接著，剝離乾膜阻劑的載體薄膜，然後作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)利用下述薄膜化處理裝置(圖8)從鹼性水溶液供給口11供給鹼性水溶液9並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖8)，具有搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10，在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11，在鹼性水溶液供給口11的正上方設置有搬運方向的長度250mm、寬度400mm的氣泡誘導板(1)16，在氣泡誘導板的搬運方向的起點和終點的端部安裝有高度10mm的凸緣26。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(實施例3)

接著，剝離乾膜阻劑的載體薄膜，然後作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)利用下述薄膜化處理裝置(圖9)從鹼性水溶液供給口11供給鹼性水溶液9並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖9)，具有搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10，在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11，在鹼性水溶液供給口11的正上方設置有搬運方向的長度250mm、寬度400mm、寬度方向的中央部和端部的高低差為30mm的V字形的氣泡誘導板(1)16。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

利用光學顯微鏡觀察薄膜化後的阻層3的表面，能夠確認為沒有處理不均的平滑的表面。

(實施例4)

接著，剝離乾膜阻劑的載體薄膜，然後作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)利用下述薄膜化處理裝置從鹼性水溶液供給口11供給鹼性水溶液9並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置，具有搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10，在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11，在鹼性水溶液供給口11的正上方設置有搬運方向的長度20mm、寬度340mm且寬度方向的中央部和端部的高低差為60mm的V字形的氣泡誘導板(1)16，在氣泡誘導板的搬運方向起點和終點的端部安裝有高度60mm的凸緣26。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(比較例1)

接著，剝離乾膜阻劑的載體薄膜，然後作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)利用下述薄膜化處理裝置(圖5~6)從鹼性水溶液供給口11供給鹼性水溶液9並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖5~6)，具有搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10，在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

利用光學顯微鏡觀察薄膜化後的阻層3的表面，產生了被認為起因於氣泡附著之無數個處理不均。

(實施例5)

向印刷配線板用基板(絕緣層1：玻璃基材環氧樹脂，金屬層7：銅箔，面積510mm×340mm，銅箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化學社(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY,INC.)製，商品名：CCL-E170)使用乾膜阻劑用層壓裝置而熱壓接乾膜阻劑(日立化成工業社(Hitachi Chemical Co.,Ltd.)製，商品名：RY3625，厚度 25μm)，形成阻層3。

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖10)藉由鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13供給至浸漬槽10，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖10)設置有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9從鹼性水溶液回收槽30導向鹼性水溶液貯藏容器13內部的回收管21；搬運方向的長度為700mm、寬度950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；設置在與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離350mm的高度位置的回收管排出口22；設置在鹼性水溶液貯藏容器13側面且與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置的供給泵吸入口17；在與從回收管排出口22排出的鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點距離200mm的位置(與供給泵吸入口17距離500mm的位置)，固定於鹼性水溶液貯藏容器13底部的高度200mm、寬度700mm、厚度10mm的氣泡誘導板(2)18。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(實施例6)

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖11)藉由鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13供給至浸漬槽10，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖11)設置有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9從鹼性水溶液回收槽30導向鹼性水溶液貯藏容器13內部的回收管21；搬運方向的長度為700mm、寬度950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；設置在與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離350mm的高度位置的回收管排出口22；設置在鹼性水溶液貯藏容器13側面且與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置的供給泵吸入口17；在與從回收管排出口22排出的鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點距離200mm的位置(與供給泵吸入口17距離500mm的位置)，固定於與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm高度位置的高度200mm、寬度700mm、厚度10mm的氣泡誘導板(3)19。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(實施例7)

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖12)藉由鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13供給至浸漬槽10，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖12)具有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9從鹼性水溶液回收槽30導向鹼性水溶液貯藏容器13內部的回收管21；搬運方向的長度為700mm、寬度950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；設置在與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離350mm的高度位置的回收管排出口22；設置在鹼性水溶液貯藏容器13側面且與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置的供給泵吸入口17；在與從回收管排出口22排出的鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點距離200mm的位置(與供給泵吸入口17距離500mm的位置)，固定於鹼性水溶液貯藏容器13底部的高度200mm、寬度700mm、厚度10mm的氣泡誘導板(2)18；在與從回收管排出口22排出的鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點距離350mm的位置(與供給泵吸入口17距離350mm的位置)，固定於與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置之高度200mm、寬度700mm、厚度10mm的氣泡誘導板(3)19。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(比較例2)

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖5~6)藉由鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13供給至浸漬槽10，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖5~6)設置有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9從鹼性水溶液回收槽30導向鹼性水溶液貯藏容器13內部的回收管21；搬運方向的長度為700mm、寬度950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；設置在與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離350mm的高度位置的回收管排出口22；設置在鹼性水溶液貯藏容器13側面且與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置的供給泵吸入口17。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(實施例8)

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖13)藉由鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13供給至浸漬槽10，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖13)設置有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9從鹼性水溶液回收槽30導向鹼性水溶液貯藏容器13內部的回收管21；搬運方向的長度為700mm、寬度950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；設置在與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離150mm的高度位置的回收管排出口22；設置在鹼性水溶液貯藏容器13側面且與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置的供給泵吸入口17。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。又阻層3的薄膜化處理，是在讓鹼性水溶液供給泵14啟動後經過了一個小時才進行。

(實施例9)

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖14)藉由鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13供給至浸漬槽10，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖14)設置有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9從鹼性水溶液回收槽30導向鹼性水溶液貯藏容器13內部的回收管21；搬運方向的長度為700mm、寬度950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；設置在與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離150mm的高度位置的回收管排出口22；設置在與回收管22距離50mm的高度位置的閥24；設置在鹼性水溶液貯藏容器13側面且與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置的供給泵吸入口17。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。又阻層3的薄膜化處理，是在讓鹼性水溶液供給泵14啟動後經過了一個小時才進行。另外，在開始阻層3的薄膜化處理時進行以下操作，將安裝於回收管21的閥24關閉後，讓鹼性水溶液供給泵13啟動，在藉由從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9將回收管21的內部完全充滿後，將閥24打開。

(實施例10)

接著，在剝離乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖15)藉由鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13向浸漬槽10供給，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖15)設置有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11，在從鹼性水溶液供給口11向搬運方向前側離開150mm、向寬度方向右側離開150mm的位置處設置1台超音波產生裝置(1)20，在向搬運方向後側離開150mm、向寬度方向左側離開150mm的位置處設置1台超音波產生裝置(1)20。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(實施例11)

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖16)藉由鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13供給至浸漬槽10，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖16)設置有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9從鹼性水溶液回收槽30導向鹼性水溶液貯藏容器13內部的回收管21；搬運方向的長度為700mm、寬度950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；設置在與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離350mm的高度位置的回收管排出口22；設置在鹼性水溶液貯藏容器13側面且與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置的供給泵吸入口17；與從回收管排出口22排出的鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點距離200mm的位置(與供給泵吸入口17距離500mm的位置)之超音波產生裝置(2)25。供給泵運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(實施例12)

接著，使用長度10mm、線寬100μm的線以100μm間隔並列21根而構成的曝光原稿用光罩4進行第一次的接觸式曝光(曝光量80mJ/cm² )。

在曝光後，剝離乾膜阻劑的載體薄膜，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置利用鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13向浸漬槽10供給，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行第一次的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置，具有搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10，在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11，在從鹼性水溶液供給口11向搬運方向前側偏離150mm、向寬度方向右側偏離150mm的位置設置1台超音波產生裝置(1)20，在向搬運方向後側偏離150mm、向寬度方向左側偏離150mm的位置設置1台超音波產生裝置(1)20。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬15秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為16μm。

接著，使用長度10mm、線寬100μm的線以 100μm間隔並列21根而構成的曝光原稿用光罩4進行第二次的接觸式曝光。此時，相對於第一次的接觸式曝光的方向，以將光罩旋轉90°的狀態下進行接觸式曝光(曝光量80mJ/cm² )。

在曝光後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9) 使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，與第一次同樣地一邊進行超音波照射一邊進行第二次的薄膜化處理。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬15秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為8μm。

能夠確認邊長100μm的四方形的阻層3的薄膜化部共有400處形成，在各薄膜化部都沒有發生氣泡導致的薄膜化的處理不均。

(比較例3)

除了在第二次的薄膜化處理中不進行超音波照射以外，以與實施例12相同的方法將阻層3薄膜化。能夠確認到邊長100μm的四方形的阻層3的薄膜化部共有400處形成，但產生氣泡導致的薄膜化的處理不均而變為厚膜的部位發生150處。

(比較例4)

除了在第一次、第二次的薄膜化處理中都沒有進行超音波照射以外，以與實施例12相同的方法將阻層3薄膜化。能夠確認到邊長100μm的四方形的阻層3的薄膜化部共有400處形成，但產生氣泡導致的薄膜化的處理不均而變為厚膜的部位發生159處。

(實施例13)

對印刷配線板用基板(絕緣層1：玻璃基材環氧樹脂，金屬層7：銅箔，面積50mm×50mm，銅箔厚度18μm，基材厚度0.4mm)利用減去法製作導體配線2的長度20mm、導體配線2的寬度100μm、導體配線2間的距離100μm的電路基板。接著，將抗焊劑(田村製作所社(TAMURA CORPORATION)製，商品名：DSR-330S32-21)的主劑和硬化劑混合後，使用塗布器對上述電路基板上的全面進行塗布，進行70℃、30分鐘的乾燥。如此，形成從絕緣層1表面到阻層3表面的膜厚為50μm的阻層3。

接著，將與導體配線2的起點和終點對應的部分視為連接焊墊6，使用曝光原稿用光罩4進行第一次的接觸式曝光(曝光量300mJ/cm² )，該曝光原稿用光罩4具有：對距離與起點和終點對應的部分的端200μm以外的區域照射活性光線5的圖案。

在曝光後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9) 使用10質量%的偏矽酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置利用鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13向浸漬槽10供給，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行第一次的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置，具有搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10，在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11，在從鹼性水溶液供給口11向搬運方向前側偏離150mm、向寬度方向右側偏離150mm的位置處設置1台超音波產生裝置(1)20，在向搬運方向後側偏離150mm、向寬度方向左側偏離150mm的位置處設置1台超音波產生裝置(1)20。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬40秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為29μm。

接著，將與導體配線2的起點和終點對應的部分視為連接焊墊6，使用曝光原稿用光罩4進行第二次的接觸式曝光(曝光量300mJ/cm² )，該曝光原稿用光罩4具有：對距離與起點和終點對應的部分的端100μm以外的區域照射活性光線5的圖案。

在曝光後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9) 使用10質量%的偏矽酸鈉水溶液(液溫度25℃)，與第一次同樣地一邊進行超音波照射一邊進行第二次的薄膜化處理。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中將阻層3浸漬40秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為8μm。此時可確認，第二次的薄膜化後的阻層3表面在比導體配線2更下方，而使導體配線2露出。

能夠確認到藉由使阻層3薄膜化而露出的導體配線2共有200處，在各薄膜化部中都沒有產生氣泡導致的薄膜化的處理不均。

(比較例5)

除了在第二次的薄膜化處理中不進行超音波照射以外，以與實施例13相同的方法將阻層3薄膜化。

能夠確認藉由將阻層3薄膜化而露出的導體配線2，但發生氣泡導致的薄膜化的處理不均而使導體配線2無法完全露出的部位有70處。

(比較例6)

除了在第一次、第二次的薄膜化處理中都沒有進行超音波照射以外，以與實施例13相同的方法將阻層3薄膜化。

能夠確認藉由將阻層3薄膜化而露出的導體配線2，但發生氣泡導致的薄膜化的處理不均而使導體配線2無法完全露出的部位有78處。

(實施例14)

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖17)從鹼性水溶液供給口11和鹼性水溶液噴射口27供給鹼性水溶液9並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖17)具有：搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10；在浸漬槽10底面的中央部的直徑20mm的鹼性水溶液供給口11；貯藏從浸漬槽10溢流並被鹼性水溶液回收槽30回收的鹼性水溶液9的搬運方向的長度為700mm、寬度950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；在浸漬槽10內具有鹼性水溶液噴出口27，該鹼性水溶液噴出口27將鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9從噴出口用供給泵28通過供給管29向形成有阻層3的基板8噴出。來自鹼性水溶液噴出口27的鹼性水溶液的供給被調整壓力0.2MPa，且阻層3的每1cm² 的供給流量為0.2L/min，使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。

(實施例15)

接著，在剝離了乾膜阻劑的載體薄膜後，作為薄膜化處理液(鹼性水溶液9)使用10質量%的碳酸鈉水溶液(液溫度25℃)，使用下述薄膜化處理裝置(圖18)，利用鹼性水溶液供給泵14將鹼性水溶液9從鹼性水溶液貯藏容器13向浸漬槽10供給，並使其溢流，藉此一邊讓鹼性水溶液9循環一邊進行阻層3的薄膜化處理。該薄膜化處理裝置(圖18)，具有搬運方向的長度為500mm、寬度750mm、深度200mm的浸漬槽10，在浸漬槽10底面的中央部具有直徑20mm的鹼性水溶液供給口11，在鹼性水溶液供給口11的正上方設置有搬運方向的長度20mm、寬度340mm、寬度方向的中央部和端部的高低差為60mm的V字型形狀的氣泡誘導板(1)16，在氣泡誘導板的搬運方向的起點和終點的端部安裝有高度60mm的凸緣26(未圖示)，具有將從浸漬槽10溢流的鹼性水溶液9從鹼性水溶液回收槽30導向鹼性水溶液貯藏容器13內部的回收管21；且具備有：搬運方向的長度為700mm、寬度 950mm、深度600mm的鹼性水溶液貯藏容器13；設置在與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離150mm的高度位置的回收管排出口22；設置在鹼性水溶液貯藏容器13側面且與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度位置的供給泵吸入口17；在與從回收管排出口22排出的鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點距離200mm的位置(與供給泵吸入口17距離500mm的位置)，固定於鹼性水溶液貯藏容器13底部的高度200mm、寬度700mm、厚度10mm的氣泡誘導板(2)18；在與從回收管排出口22排出鹼性水溶液9和鹼性水溶液貯藏容器13內的鹼性水溶液9接觸的點距離350mm的位置(與供給泵吸入口17距離350mm的位置)，固定於與鹼性水溶液貯藏容器13底部距離50mm的高度的位置之高度200mm、寬度700mm、厚度10mm的氣泡誘導板(3)19。使阻層3位於基板8的下表面，以在鹼性水溶液9中浸漬30秒的狀態利用搬運輥對12進行搬運，在微胞除去處理、水洗處理、乾燥處理後測定阻層3的薄膜化部的厚度，為12μm。鹼性水溶液供給泵14運轉時的鹼性水溶液貯藏容器13中的鹼性水溶液的液面23的高度，是與鹼性水溶液貯藏容器13的底面距離250mm。又阻層3的薄膜化處理在讓鹼性水溶液供給泵14啟動後經過了一個小時才進行。

本新型的阻層之薄膜化處理裝置能夠應用於：在印刷配線板及引線架中的電路基板的製作、或者具有覆晶晶片連接用的連接焊墊之封裝基板的製作中形成阻劑圖案的用途。