TWI847731B - 雙極化背腔天線及其封裝模組與陣列封裝模組 - Google Patents

Abstract

本發明為一種雙極化背腔天線及其封裝模組與陣列封裝模組，包括基材部、磁流饋入結構、電流饋入結構及背腔室，背腔室設在基材部的兩面之間，又磁流饋入結構與電流饋入結構將能量傳遞到背腔室內，使得磁流饋入結構在背腔室輻射第一電磁波，而電流饋入結構在背腔室內輻射第二電磁波，且第一電磁波的電場方向與第二電磁波的磁場方向發生在同一平面上，再者第一電磁波與第二電磁波的極化方向正交。又封裝模組包括雙極化背腔天線、射頻控制晶片及控制電路單元，而陣列封裝模組包括複數個雙極化背腔天線、射頻控制晶片及控制電路單元。

Description

雙極化背腔天線及其封裝模組與陣列封裝模組

本發明有關於天線，尤指一種雙極化背腔天線及其封裝模組與陣列封裝模組。

無線通訊技術的蓬勃發展，使得有關於無線通訊的各方面設計出現了許多挑戰性問題，以天線設計而言，例如臺灣第I481115號發明專利(專利前案)提出了一種天線單元和天線陣列模組，改善了傳統背腔室天線頻寬小、過大反向輻射及不必要的表面波輻射等問題。 然而，專利前案只提供單一輸入源及單一極化方向的電磁波，並未考慮到雙極化設計問題。

因此，如何在此種背腔室天線架構下，以雙重輸入源以及雙極化的設計需求，能夠在同一平面的相同水平高度下，實現高隔離度以及消除外部干擾的目標，將是目前亟待解決的問題。

有鑑於先前技術的問題，本發明的目的在於提供雙極化背腔天線，此雙極化背腔天線還可以進一步與射頻元件整合成封裝模組，且可以達到寬頻的高隔離度、寬頻、隔離環境干擾及單一方向輻射等目的。

根據本發明之目的，提供一種雙極化背腔天線，包括基材部、磁流饋入結構、電流饋入結構及背腔室，其中基材部具有相對的第一面及第二面，第一面設有第一金屬層，基材部的第二面設有第二金屬層，第二金屬層設有一輻射開口，在基材部的兩面之間圍繞輻射開口的外圍設有複數個第一導電貫穿孔，複數個第一導電貫穿孔電性連接第一金屬層與第二金屬層以形成背腔室。磁流饋入結構設在第二面，磁流饋入結構以磁流饋入輻射開口，以令輻射開口輻射出第一極化方向的第一電磁波。電流饋入結構設在第二面，電流饋入結構以電流饋入輻射開口，以令輻射開口輻射出第二極化方向的第二電磁波，第二極化方向與第一極化方向為正交。且磁流饋入結構與電流饋入結構共同在背腔室包圍的區域內輻射第一電磁波與第二電磁波，且第一電磁波的電場方向與第二電磁波的磁場方向發生在同一平面上。

其中，輻射開口設於第二金屬層上，使得第二金屬層對應於輻射開口的位置為鏤空區域，並露出基材部的第二面，輻射開口的其中兩個相對應側邊分別為第一側及第二側。

其中，磁流饋入結構包括耦合開口、跨越開口及第一導體，耦合開口設於第二面相鄰第一側的位置，第二金屬層對應於耦合開口的位置為鏤空區域，並露出基材部的第二面，耦合開口的一端連接第一側，耦合開口的另一端朝向遠離輻射開口的方向延伸。跨越開口設於第二面跨過耦合開口的兩端之間的位置上，使得第二金屬層對應於跨越開口的位置為鏤空區域，並露出基材部的第二面。第一導體設在跨越開口內，並且穿過耦合開口的兩端之間，第一導體接收並傳遞一第一饋入源，令第一饋入源耦合到耦合開口，並經由耦合開口傳遞到輻射開口，以於輻射開口的邊緣以磁流輻射出第一電磁波。

其中，跨越開口的一端位於穿過耦合開口，而跨越開口的另端延伸到第二面位於背腔室以外的區域，直到基材部的邊緣。第一導體為第一金屬傳輸線，第一金屬傳輸線由跨越開口的一端延伸到跨越開口的另端，並且沿著基材部的側面延伸到第一面所設的一第一饋入源接收端口，以接收第一饋入源。

其中， 跨越開口的一端位於穿過耦合開口，而跨越開口的另端延伸到第二面位於背腔室以外的區域，第一導體為第一金屬傳輸線，第一金屬傳輸線設在跨越開口內，基材部在跨越開口於背腔室外相對第一金屬傳輸線的位置設有一第二導電金屬孔，第二導電金屬孔的一端連接第一金屬傳輸線，第二導電金屬孔的另端連接第一面所設的第一饋入源接收端口，以接收第一饋入源。

其中，電流饋入結構包括通道開口及第二導體，通道開口設在第二面相鄰第二側的位置，通道開口的一端與輻射開口相通，並且通道開口的一端與耦合開口的一端相對，而通道開口的另端朝向輻射開口之外的位置延伸。第二導體設在第二面位於輻射開口與通道開口內，且與第二側相隔一段間距的位置，第二導體接收並傳遞一第二饋入源到輻射開口內，第二導體在於輻射開口內以電流輻射出第二電磁波。

其中， 通道開口的另端延伸到基材部的邊緣，第二導體為第二金屬傳輸線及第三金屬傳輸線，第二金屬傳輸線設在輻射開口內，第三金屬傳輸線由通道開口的一端連接到第二金屬傳輸線，第三金屬傳輸線的另端延伸到通道開口的另端，並延伸到第二面的邊緣，再沿著基材部的側面延伸到第一面所設的一第二饋入源接收端口，以接收第二饋入源。

其中，通道開口的另端延伸到基材部的於背腔室之外的位置，第二導體為第二金屬傳輸線、第三金屬傳輸線及第三導電金屬孔，第二金屬傳輸線設在輻射開口內，第三金屬傳輸線由通道開口的一端連接到第二金屬傳輸線，第三金屬傳輸線的另端延伸到通道開口的另端，第三導電金屬孔貫穿基材部，且第三導電金屬孔的一端連接第三金屬傳輸線，第三導電金屬孔的另端連接第一面所設的一第二饋入源接收端口，以接收第二饋入源。

根據本發明的目的，提供一種封裝模組，如前述的雙極化背腔天線、射頻控制單元及控制電路單元，射頻控制單元設有複數個第一導電塊，複數個第一導電塊連接雙極化背腔天線，控制電路單元設有複數個第二導電塊，複數個第二導電塊連接雙極化背腔天線，其中複數個第一導電塊的其中之二或者複數個第二導電塊第一導電塊的其中之二，分別為一第一饋入源輸出端口及一第二饋入源輸出端口，第一饋入源輸出端口連接第一饋入源，第二饋入源輸出端口連接第二饋入源。

根據本發明的目的，提供一種陣列封裝模組，封裝模組與陣列封裝模組的差異在於，陣列封裝模組包括複數個雙極化背腔天線，射頻控制單元為一個射頻晶片或者多個射頻晶片，以由單個射頻晶片連接複數個雙極化背腔天線，以控制複數個雙極化背腔天線，或者是射頻控制單元複數個射頻晶片，每一個射頻晶片連接複數個雙極化背腔天線的其中一個，使得每一個射頻晶片個別控制所連接的雙極化背腔天線。

綜上所述，由於磁流饋入結構在第二面上是以磁流輻射方式產生第一電磁波，而電流饋入結構同樣在第二面上以電流輻射方式產生第二電磁波，以避免第一電磁波與第二電磁波之間的電場與磁場的干擾，進而提高了第一電磁波與第二電磁波之間的隔離度。另外，背腔室隔離環境對第一電磁波與第二電磁波的干擾，以及由背腔室約束第一電磁波及第二電磁波朝向單一方向輻射到空間中，如此，當雙極化背腔天線與射頻控制單元及控制電路單元組成的封裝模組時，第一電磁波及第二電磁波將可有效地向外傳播。

本發明之實施例將藉由下文配合相關圖式進一步加以解說。盡可能的，於圖式與說明書中，相同標號係代表相同或相似構件。於圖式中，基於簡化與方便標示，形狀與厚度可能經過誇大表示。可以理解的是，未特別顯示於圖式中或描述於說明書中之元件，為所屬技術領域中具有通常技術者所知之形態。本領域之通常技術者可依據本發明之內容而進行多種之改變與修改。

在本文中除非特別說明，否則對於「第一」、「第二」、「第三」等等序數形容詞的使用為用於描述一種共通物件，只是要指出所指稱的是相似物件的不同存在體，而並未意圖暗示如此描述的物件必須要以時間或空間上的特定順序排列或係有任何其他種順序關係。

如圖1所示，本發明為一種雙極化背腔天線，包括基材部1、磁流饋入結構2、電流饋入結構3及背腔室4，其中基材部1可為介電材料，例如印刷電路板。基材部1具有相對的第一面10及第二面12，第一面10設有第一金屬層100，第一金屬層100可為銅箔或其他的導電金屬。基材部1的第二面12設有第二金屬層120，第二金屬層120設有輻射開口14，使得第二金屬層120對應於輻射開口14的位置為鏤空區域，並露出第二面12，輻射開口14的其中兩個相對應側邊分別為第一側140及第二側142。在基材部1的兩面之間圍繞輻射開口14的外圍設有複數個第一導電貫穿孔16，複數個第一導電貫穿孔16電性連接第一金屬層100與第二金屬層120以共同形成背腔室4。

如圖2~圖4所示，在圖4繪製類似水滴狀形狀表示單一輻射方向，在本發明中，磁流饋入結構2與電流饋入結構3皆設在第二面12，磁流饋入結構2與電流饋入結構3在背腔室4內共同激發，而使得磁流饋入結構2以磁流饋入輻射開口14，令輻射開口14輻射出第一極化方向的第一電磁波，電流饋入結構3以電流饋入輻射開口14，令輻射開口14輻射出第二極化方向的第二電磁波，且第二極化方向與第一極化方向為正交。如此，利用電流饋入結構3與磁流饋入結構2不同共振機制的輻射能量轉換相位差異，來達成高整合度相同操作頻段天線之間具有低耦合/低相關的共存特性優勢，使得磁流饋入結構2所輻射出的第一電磁波與電流饋入結構3所輻射出的第二電磁波之間具有良好的隔離度。此外，由於背腔室4圍繞輻射開口14，使得背腔室4可以隔離周遭環境對第一電磁波與第二電磁波的干擾。同時，第一面10約束了第一電磁波與第二電磁波朝向單一輻射方向，使得第一電磁波及第二電磁波可有效地向外傳播。

再請參閱圖2，在本發明的一些實施例中，磁流饋入結構2包括耦合開口20、跨越開口22及第一導體24，耦合開口20設於第二面12相鄰第一側140的位置，第二金屬層120對應於耦合開口20的位置為鏤空區域，並露出第二面12，耦合開口20的一端連接第一側140，耦合開口20的另一端朝向遠離輻射開口14的方向延伸。跨越開口22設於第二面12跨過該耦合開口20的兩端之間的位置，使得第二金屬層120對應於跨越開口22的位置為鏤空區域，並露出第二面12。第一導體24設在跨越開口22內，並且穿過耦合開口20的兩端之間，第一導體24接收並傳遞第一饋入源，令第一饋入源耦合到耦合開口20，並經由耦合開口22傳遞到輻射開口14，以於輻射開口14以磁流輻射出第一電磁波。

再者，電流饋入結構3包括道開口30及第二導體32，通道開口30設在第二面12相鄰第二側142的位置，通道開口30的一端與輻射開口14相通，並且通道開口30的一端與耦合開口20的一端相對，而通道開口30的另端朝向輻射開口14之外的位置延伸。第二導體32設在第二面12位於輻射開口14與通道開口30內，且與第二側142相隔一段間距的位置，第二導體32接收並傳遞第二饋入源到輻射開口14內，第二導體32在於輻射開口內以電流輻射出第二電磁波。在此需要說明的是，輻射開口14、耦合開口20、跨越開口22、第一導體24、通道開口30以及第二導體32可由原本佈滿整個第二面12的第二金屬層120經過蝕刻所形成，但本發明實際實施時並不限於此。

本發明之第一實施例

請參閱圖2及圖3，跨越開口22的一端位於穿過耦合開口20，而跨越開口22的另端延伸到第二面12位於背腔室4以外的區域，直到基材部1的邊緣。第一導體24為第一金屬傳輸線，第一金屬傳輸線由跨越開口22的一端延伸到跨越開口22的另端，並且沿著基材部1的側面延伸到第一面10所設的一第一饋入源接收端口，以接收第一饋入源。

又，通道開口30的另端延伸到基材部1的邊緣，第二導體32為第二金屬傳輸線320及第三金屬傳輸線322，第二金屬傳輸線320設在輻射開口14內，第三金屬傳輸線322由通道開口30的一端連接到第二金屬傳輸線320，第三金屬傳輸線322的另端延伸到通道開口30的另端，並延伸到第二面12的邊緣，再沿著基材部1的側面延伸到第一面10所設的一第二饋入源接收端口，以接收第二饋入源。

本發明之第二實施例

請參閱圖5，跨越開口22的一端位於穿過耦合開口20，而跨越開口22的另端延伸到第二面12位於背腔室4以外的區域，第一導體24為第一金屬傳輸線，第一金屬傳輸線設在跨越開口22內，基材部1在跨越開口22於背腔室4外相對第一金屬傳輸線的位置，設有一第二導電金屬孔26，第二導電金屬孔26的一端連接第一金屬傳輸線，第二導電金屬孔的另端連接第一面10所設的第一饋入源接收端口，以接收第一饋入源。

在本實施例中，通道開口30的另端延伸到基材部1的於背腔室3之外的位置，第二導體32為第二金屬傳輸線320、第三金屬傳輸線322及第三導電金屬孔324，第二金屬傳輸線320設在輻射開口14內，第三金屬傳輸線322由通道開口30的一端連接到第二金屬傳輸線320，第三金屬傳輸線322的另端延伸到通道開口30的另端，第三導電金屬孔324貫穿基材部1，且第三導電金屬孔324的一端連接第三金屬傳輸線322，第三導電金屬孔324的另端連接第一面10所設的一第二饋入源接收端口，以接收第二饋入源。

在前述的兩個實施例中，第二金屬傳輸線320、第三金屬傳輸線322呈T字型，但本發明在實際實施時，並不限於此。此外，在本發明的實際實施時，電流饋入結構3及磁流饋入結構2的結構，並不限於前述實施例的兩種天線饋入結構，舉凡可以達到在共平面上激發分別產生電流饋入及磁流饋入的電磁波，即是本發明所欲主張的範圍。

請參閱圖5及圖6，本發明為一種封裝模組，包括射頻控制單元5、控制電路單元6及前述的雙極化背腔天線，射頻控制單元5設有複數個第一導電塊50，複數個第一導電塊50連接雙極化背腔天線，控制電路單元6設有複數個第二導電塊60，複數個第二導電塊60連接雙極化背腔天線，其中複數個第一導電塊50的其中之二或者複數個第二導電塊60的其中之二，分別為一第一饋入源輸出端口及一第二饋入源輸出端口，第一饋入源輸出端口連接第一饋入源，第二饋入源輸出端口連接第二饋入源。由此可知，本發明的雙極化背腔天線可以很容易的與射頻控制單元5(如：射頻控制晶片)，並且結合到電子裝置的控制電路單元6(如：電路板)上，適合應用到大量製造上。圖6繪製類似水滴狀形狀表示單一輻射方向。

請參閱圖7，在圖7繪製類似水滴狀形狀表示單一輻射方向。本發明為一種封裝模組，包括射頻控制單元5、控制電路單元6、載板7及前述的雙極化背腔天線，射頻控制單元5設有複數個第一導電塊50，複數個第一導電塊50連接載板7，控制電路單元6設有複數個第二導電塊60，複數個第二導電塊60連接載板7，載板7設有複數個第三導電塊70，複數個第三導電塊70的其中之二，分別為一第一饋入源輸出端口及一第二饋入源輸出端口，第一饋入源輸出端口連接第一饋入源，第二饋入源輸出端口連接第二饋入源。由此可知，本發明的雙極化背腔天線可以經由載板7連接到射頻控制單元5與控制電路單元6，而且載板7、射頻控制單元5及控制電路單元6之間可以相互傳遞訊號。

請參閱圖8，本發明為一種陣列封裝模組，封裝模組與陣列封裝模組的差異在於，陣列封裝模組包括複數個雙極化背腔天線，射頻控制單元5為一個射頻晶片或者多個射頻晶片，以由單個射頻晶片連接複數個雙極化背腔天線，以控制複數個雙極化背腔天線(如圖9所示)，或者是射頻控制單元5複數個射頻晶片，每一個射頻晶片連接複數個雙極化背腔天線的其中一個，使得每一個射頻晶片控制所連接的個別雙極化背腔天線(如圖10所示)。

請參閱圖11所示，為本發明的雙極化背腔天線的頻率與反射損失關係圖，其中S11為電流饋入結構的頻率與反射損失關係曲線，S22為磁流饋入結構的頻率與反射損失關係曲線，S21為電流饋入結構與磁流饋入結構之間的隔離度關係曲線，從S11及S22中可知，在電流饋入結構3及磁流饋入結構2涵蓋60 GHz之ISM 頻段57-64GHz，從S21可知，電流饋入結構3及磁流饋入結構2之間的隔離度大於40dB，表示本發明的電流饋入結構3及磁流饋入結構2之間具有良好的寬頻的隔離度效果，兩者之間的訊號干擾極低。

綜上所述，由於磁流饋入結構2與電流饋入結構3在第二面12上以不同的輻射方式產生第一電磁波及第二電磁波，提高了第一電磁波與第二電磁波之間的隔離度，解決了第一電磁波與第二電磁波之間的干擾問題。另外，背腔室4隔離環境對第一電磁波與第二電磁波的干擾，以及約束第一電磁波及第二電磁波朝向單一方向輻射到空間中，如此，當雙極化背腔天線與射頻控制單元5及控制電路單元6組成的封裝模組時，第一電磁波及第二電磁波將可有效地向外傳播，而且雙極化背腔天線可以很容易地與射頻控制單元5及控制電路單元6相結合，使得本發明適合用於大量生產。

以上所述，僅為舉例說明本發明的較佳實施方式，並非以此限定實施的範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單置換及等效變化，皆屬本發明的專利申請範疇。

1:基材部 10:第一面 100:第一金屬層 12:第二面 120:第二金屬層 14:輻射開口 140:第一側 142:第二側 16:第一導電貫穿孔 2:磁流饋入結構 20:耦合開口 22:跨越開口 24:第一導體 26:第二導電金屬孔 3:電流饋入結構 30:通道開口 32:第二導體 320:第二金屬傳輸線 322:第三金屬傳輸線 324:第三導電金屬孔 4:背腔室 5:射頻控制單元 50:第一導電塊 6:控制電路單元 60:第二導電塊 7:載板 70:第三導電塊

圖1為本發明的雙極化背腔天線之一實施例的立體示意圖； 圖2為圖1省略背腔室的俯視圖； 圖3為圖1的仰視圖； 圖4為圖1的剖面示意圖； 圖5為封裝模組的立體示意圖； 圖6為封裝模組的剖面示意圖； 圖7為另一封裝模組的剖面示意圖； 圖8為陣列封裝模組的立體示意圖； 圖9為陣列封裝模組的之一實施例的俯視示意圖； 圖10為陣列封裝模組的之另一實施例的俯視示意圖； 圖11為雙極化背腔天線的反射損失與頻率關係示意圖。

1:基材部

10:第一面

100:第一金屬層

12:第二面

120:第二金屬層

14:輻射開口

140:第一側

142:第二側

16:第一導電貫穿孔

2:磁流饋入結構

20:耦合開口

22:跨越開口

24:第一導體

3:電流饋入結構

30:通道開口

32:第二導體

4:背腔室

6:控制電路單元

Claims (10)

1. 一種雙極化背腔天線，包括： 一基材部，該基材部具有相對的第一面及第二面，其中該第一面設有一第一金屬層，該基材部的該第二面設有一第二金屬層，該第二金屬層設有一輻射開口，該第二金屬層對應於該輻射開口的位置為鏤空區域，並露出該第二面，該輻射開口的其中兩個相對應側邊分別為一第一側及一第二側； 一背腔室，該背腔室由複數個第一導電貫穿孔、該第一金屬層與該第二金屬層所形成，該複數個第一導電貫穿孔設在該第一金屬層與該第二金屬層之間且圍繞該輻射開口的外圍，該複數個第一導電貫穿孔電性連接該第一金屬層與該第二金屬層； 一磁流饋入結構，設在該第二面，該磁流饋入結構以磁流饋入該輻射開口，以令該輻射開口輻射出一第一極化方向的一第一電磁波；以及 一電流饋入結構，設在該第二面，該電流饋入結構以電流饋入該輻射開口，以令該輻射開口輻射出一第二極化方向的一第二電磁波，該第二極化方向與該第一極化方向為正交； 其中該磁流饋入結構與該電流饋入結構共同在該背腔室內輻射該第一電磁波與該第二電磁波，且該第一電磁波的電場方向與該第二電磁波的磁場方向發生在同一平面上，且由該背腔室隔離環境對該第一電磁波與該第二電磁波的干擾，以及由該第一金屬層約束該第一電磁波及該第二電磁波朝向單一方向輻射到空間中。
2. 如請求項1所述的雙極化背腔天線，其中該磁流饋入結構包括： 一耦合開口，該耦合開口設於該第二面相鄰該第一側的位置，該第二金屬層對應於該耦合開口的位置為鏤空區域，並露出該第二面，且該耦合開口的一端連接該第一側，該耦合開口的另一端朝向遠離該輻射開口的方向延伸； 一跨越開口，設於該第二面跨過該耦合開口的兩端之間的位置上，該第二金屬層對應於該跨越開口的位置為鏤空區域，並露出該第二面；以及 一第一導體，設在該基材部於該跨越開口內，並且穿過該耦合開口的兩端之間； 其中，該第一導體接收並傳遞一第一饋入源，令該第一饋入源耦合到該耦合開口，並經由該耦合開口傳遞到該輻射開口，以於該輻射開口以磁流輻射出該第一電磁波。
3. 如請求項2所述的雙極化背腔天線，其中該跨越開口的一端穿過該耦合開口的兩端之間，而該跨越開口的另端延伸到該第二面位於該背腔室以外的區域，直到該基材部的邊緣，該第一導體為一第一金屬傳輸線，該第一金屬傳輸線由該跨越開口的一端延伸到該跨越開口的另端，並且沿著該基材部的側面延伸到該第一面所設的一第一饋入源接收端口，以接收該第一饋入源。
4. 如請求項2所述的雙極化背腔天線，其中該跨越開口的一端穿過該耦合開口兩端之間，而該跨越開口的另端延伸到該第二面位於該背腔室以外的區域，該第一導體為第一金屬傳輸線，該第一金屬傳輸線設在該跨越開口內，該基材部在該跨越開口於該背腔室外相對該第一金屬傳輸線的位置，設有一第二導電金屬孔，該第二導電金屬孔的一端連接該第一金屬傳輸線，該第二導電金屬孔的另端連接該第一面所設的第一饋入源接收端口，以接收該第一饋入源。
5. 如請求項2所述的雙極化背腔天線，其中該電流饋入結構包括； 一通道開口，設在該第二面相鄰該第二側的位置，該第二金屬層對應於該通道開口的位置為鏤空區域，並露出該第二面，該通道開口的一端與該輻射開口相通，並且該通道開口的一端與該耦合開口的一端相對，而該通道開口的另端朝向該輻射開口之外的位置延伸；以及 一第二導體，設在第二面位於該輻射開口與該通道開口內，且該第二導體與該第二側相隔一段間距的位置，該第二導體接收並傳遞一第二饋入源到該輻射開口內，該第二導體在於該輻射開口內以電流輻射出該第二電磁波。
6. 如請求項5所述的雙極化背腔天線，其中該通道開口的另端延伸到該基材部的邊緣，該第二導體為一第二金屬傳輸線及一第三金屬傳輸線，該第二金屬傳輸線設在該輻射開口內，該第三金屬傳輸線由該通道開口的一端連接到該第二金屬傳輸線，該第三金屬傳輸線的另端延伸到該通道開口的另端，並延伸到該第二面的邊緣，再沿著該基材部的側面延伸到該第一面所設的一第二饋入源接收端口，以接收該第二饋入源。
7. 如請求項5所述的雙極化背腔天線，其中該通道開口的另端延伸到該基材部的於該背腔室之外的位置，該第二導體為一第二金屬傳輸線、一第三金屬傳輸線及一第三導電金屬孔，該第二金屬傳輸線設在該輻射開口內，該第三金屬傳輸線由該通道開口的一端連接到該第二金屬傳輸線，該第三金屬傳輸線的另端延伸到該通道開口的另端，該第三導電金屬孔貫穿該基材部，且該第三導電金屬孔的一端連接該第三金屬傳輸線，該第三導電金屬孔的另端連接該第一面所設的一第二饋入源接收端口，以接收該第二饋入源。
8. 一種封裝模組，包括： 如請求項5所述的雙極化背腔天線； 一射頻控制單元，該射頻控制單元設有複數個第一導電塊；以及 一控制電路單元，該控制電路單元設有複數個第二導電塊； 其中，該複數個第一導電塊的其中之二或者該複數個第二導電塊的其中之二，分別為一第一饋入源輸出端口及一第二饋入源輸出端口，該第一饋入源輸出端口連接該第一饋入源，該第二饋入源輸出端口連接該第二饋入源。
9. 一種封裝模組，包括： 如請求項5所述的雙極化背腔天線； 一射頻控制單元，該射頻控制單元設有複數個第一導電塊； 一控制電路單元，該控制電路單元設有複數個第二導電塊；以及 一載板，該載板設有複數個第三導電塊，複數個第三導電塊的其中之二，分別為一第一饋入源輸出端口及一第二饋入源輸出端口，第一饋入源輸出端口連接第一饋入源，第二饋入源輸出端口連接第二饋入源； 其中，該複數個第一導電塊連接該載板，而該複數個第二導電塊連接該載板。
10. 一種陣列封裝模組，包括： 複數個如請求項5所述的雙極化背腔天線； 一射頻控制單元，該射頻控制單元設有複數個第一導電塊；以及 一控制電路單元，該控制電路單元設有複數個第二導電塊； 其中，該複數個第一導電塊的其中之二或者該複數個第二導電塊，分別為一第一饋入源輸出端口及一第二饋入源輸出端口，該第一饋入源輸出端口連接該第一饋入源，該第二饋入源輸出端口連接該第二饋入源。

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