TWI847450B - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之顯影裝置具備殼體、氣流形成部及基板保持裝置。氣流形成部於殼體之內部空間形成清潔之下降氣流。顯影裝置進而具備複數個噴嘴及劃分機構。複數個噴嘴向由基板保持裝置保持之基板供給處理液。劃分機構於由基板保持裝置保持基板之狀態下，將殼體之內部空間劃分為處理空間與非處理空間。處理空間係包含由基板保持裝置保持之基板之空間。劃分機構包含接住自基板飛散之處理液之杯、具有噴嘴開口及複數個貫通孔且設置於杯之上方之劃分板、及覆蓋噴嘴開口之罩構件。

Description

基板處理裝置

本發明關於一種對基板進行使用處理液之處理之基板處理裝置。

先前，為了對用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光遮罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等各種基板進行使用處理液之特定處理，使用基板處理裝置。

作為該種基板處理裝置，有使用顯影液進行感光性膜之顯影處理之顯影裝置。於顯影液具有強臭氣之情形時，當包含顯影液之氛圍洩漏至顯影裝置之外部時，顯影裝置周邊之作業環境之舒適性降低。為了抑制作業環境之舒適性降低，提案有一種抑制包含顯影液之氛圍洩漏之構成(例如，參照日本專利特開2021-86994號公報)。

日本專利特開2021-86994號公報所記載之顯影裝置具有於殼體內收容有基板保持部、噴嘴、噴嘴罩、收容器及杯之構成。基板保持部構成為可將基板以水平姿勢保持。噴嘴設置於基板保持部之上方之位置，構成為可向由基板保持部保持之基板供給顯影液。噴嘴罩具有圓筒形狀，以俯視下包圍噴嘴且側視下與噴嘴之至少一部分重疊之方式設置。

收容器以於噴嘴罩之下方之位置離開噴嘴罩之方式設置，收容基板保持部之下部。又，收容器具有將殼體內之氛圍排出至殼體外部之排氣部。杯具有於俯視下包圍基板保持部之圓筒形狀，可上下移動地設置。

於基板之顯影處理時，以側視下與噴嘴罩之下端及收容器之上端重疊之方式保持杯。藉此，於殼體內，形成由噴嘴罩、杯及收容器包圍之處理空間，且以包圍處理空間之方式形成非處理空間。於該狀態下，於殼體內形成下降氣流。

於具有上述構成之日本專利特開2021-86994號公報之顯影裝置中，藉由於殼體內部使處理空間內之壓力低於非處理空間之壓力，可抑制包含顯影液之氛圍通過非處理空間漏出至殼體之外部。然而，於日本專利特開2021-86994號公報所記載之顯影裝置中，實際上難以使處理空間之壓力較非處理空間之壓力低至不使處理空間內部之氛圍漏出至非處理空間之程度。

本發明之目的在於提供一種可抑制基板處理裝置周邊之作業環境之舒適性降低之基板處理裝置。

(1)依照本發明之一個方面之基板處理裝置具備：腔室，其具有內部空間；氣流形成部，其向腔室內供給氣體形成下降氣流；基板保持部，其於腔室內保持基板；噴嘴，其自由基板保持部保持之基板之上方之處理位置，向基板供給處理液；及劃分機構，其於由基板保持部保持基板之狀態下，將腔室之內部空間劃分為包含由基板保持部保持之基板之處理空間、與包圍處理空間之至少一部分之非處理空間，且劃分機構包含：處理杯，其於俯視下包圍由基板保持部保持之基板且以側視下與由基板保持部保持之基板重疊之方式設置，形成處理空間；劃分板，其設置於處理杯上方之位置，具有將下降氣流之一部分引導至處理空間之貫通孔、與以俯視下與處理位置重疊之方式形成之噴嘴開口；及蓋構件，其構成為於由基板保持部保持基板且噴嘴位於處理位置之狀態下，容許自噴嘴向基板供給處理液且覆蓋噴嘴開口。

於該基板處理裝置中，於由基板保持部保持基板之狀態下，腔室之內部空間被處理杯及劃分板劃分為處理空間與非處理空間。下降氣流之一部分通過劃分板具有之複數個貫通孔被引導至處理空間。於該情形時，可使供給至處理空間之氣體之量少於供給至非處理空間之氣體之量。藉此，可使處理空間之壓力低於非處理空間之壓力。

若處理空間之壓力低於非處理空間之壓力，則處理空間內之氛圍不易進入非處理空間。因此，即使於處理空間內產生起因於處理液之臭氣之情形時，該臭氣亦不易洩漏至腔室之外部。

再者，於上述構成中，於劃分板形成有噴嘴開口。根據該構成，於噴嘴位於處理位置之狀態下，噴嘴與蓋構件不干涉。又，於噴嘴位於處理位置之狀態下，形成於劃分板之噴嘴開口由蓋構件覆蓋。藉此，自噴嘴向基板供給處理液時，減少處理空間內之氛圍自噴嘴開口漏出至非處理空間之情形。

作為該等之結果，可抑制基板處理裝置周邊之作業環境之舒適性降低。

(2)基板處理裝置可進而具備使噴嘴於處理位置、與由基板保持部保持之基板之側方之待機位置之間移動的噴嘴驅動部。於該情形時，於未進行基板之處理之狀態下，可將噴嘴保持於待機位置。藉此，於噴嘴位於待機位置之狀態下，可進行虛擬分配等之處理。因此，防止不需要之處理液自位於處理位置之噴嘴落下、及位於處理位置之噴嘴之前端部乾燥等，抑制發生基板之處理不良。

(3)基板處理裝置可進而具備支持噴嘴且支持蓋構件的支持體，噴嘴驅動部亦可藉由使支持體移動或旋轉，而使噴嘴及蓋構件移動。於該情形時，於噴嘴於待機位置與處理位置之間移動時，噴嘴與蓋構件一體移動。因此，可防止噴嘴與蓋構件之干涉。

(4)基板處理裝置可進而具備將處理空間之氛圍排出至腔室之外部的排氣部。於該情形時，藉由排出處理空間之氛圍，可容易地使處理空間之壓力低於非處理空間之壓力。

(5)劃分板可具有自噴嘴開口之內緣向上方延伸之第1壁部，蓋構件具有俯視下大於噴嘴開口之蓋本體部、與自蓋本體部之外緣向下方延伸之第2壁部，於噴嘴開口被蓋構件覆蓋時，第2壁部以俯視下包圍第1壁部之至少一部分，側視下與第1壁部之至少一部分重疊且不與劃分板接觸之方式受保持。

於該情形時，因於噴嘴開口由蓋構件覆蓋時，蓋構件不與劃分板接觸，故抑制因複數個構件接觸而產生微粒。又，根據上述構成，於噴嘴開口由蓋構件覆蓋時，於位於劃分板之第1壁部之內側之空間、與位於蓋構件之第2壁部之側方之空間之間，形成由第1壁部及第2壁部夾持之間隙空間。藉此，與不存在第1壁部及第2壁部之情形相比，減少處理空間之氛圍通過噴嘴開口流出至非處理空間之情形。

(6)劃分機構可進而包含以俯視下包圍劃分板，自劃分板之外緣向下方延伸且俯視下包圍處理杯之上部之方式形成的筒構件，處理杯構成為，可以轉變為側視下該處理杯之上部離開筒構件之第1狀態、與側視下該處理杯之上部與筒構件重疊之第2狀態之方式，於上下方向升降。

於該情形時，於由基板保持部保持基板之狀態下，處理杯成為第2狀態，藉此，由處理杯、劃分板及筒構件自非處理空間劃分包圍基板之處理空間。此時，於處理空間與非處理空間之間，形成由筒構件及處理杯之上部夾持之間隙空間。藉此，與不存在筒構件之情形相比，減少處理空間之氛圍自處理杯與劃分板之間流出至非處理空間。又，根據上述構成，藉由將處理杯設為第1狀態，可對基板保持部交接基板。

(7)基板保持部構成為，於自噴嘴向基板供給處理液時，可使所保持之基板以水平姿勢旋轉，劃分板具有大於由基板保持部保持之基板之圓板形狀，於劃分板定義有俯視下包含該劃分板之中心且具有一半徑之圓形狀之中央區域、與俯視下包含該劃分板之外周端部、且於劃分板之半徑方向具有與一半徑相等之寬度之圓環形狀之外周區域之情形時，複數個貫通孔分散形成於劃分板，形成於劃分板之外周區域之貫通孔之數量，可大於形成於劃分板之中央區域之貫通孔之數量。

於該情形時，於處理空間中，可相對於引導至基板之中央部分之下降氣流之量，增大引導至處理杯之內周面附近之下降氣流之量。藉此，抑制於基板旋轉時於處理杯之內周面附近產生上升氣流。因此，於處理空間中，抑制供給至基板之處理液於基板之外周端部附近朝向上方飛散。

(8)基板保持部構成為，於自噴嘴向基板供給處理液時，可使保持之基板以水平姿勢旋轉，劃分板具有大於由基板保持部保持之基板之圓板形狀，劃分板之噴嘴開口與由基板保持部保持之基板之中央部分對向，於劃分板定義有俯視下以該劃分板之中心為基準且包圍噴嘴開口之假想圓之情形時，複數個貫通孔之一部分可以遍及假想圓全體空出恆定或大致恆定之間隔排列之方式分散配置。

於該情形時，於處理空間中，可相對於引導至與劃分板之噴嘴開口對向之基板之中央部分之下降氣流之量，增大引導至處理杯之內周面全體附近之下降氣流之量。藉此，抑制於基板旋轉時於處理杯之內周面附近產生上升氣流。因此，於處理空間中，抑制供給至基板之處理液於基板之外周端部附近朝向上方飛散。

(9)噴嘴可進而包含向由基板保持部保持之基板噴射包含氣體與處理液之液滴之混合流體的雙流體噴嘴。於該情形時，可進行使用包含氣體與液體之混合流體之基板之處理。

(10)自噴嘴供給至基板之處理液可進而包含有機溶劑。於該情形時，可進行使用包含有機溶劑之處理液之基板之處理。

以下，參照圖式，且對本發明之實施形態之基板處理裝置進行說明。於以下之說明中，基板意指於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等使用之FPD(Flat Panel Display)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光遮罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。

作為基板處理裝置之一例，說明顯影裝置。於本實施形態中，成為顯影處理之對象之基板具有正面及背面。又，於本實施形態之顯影裝置中，於基板之正面朝向上方、基板之背面朝向下方之狀態下，保持基板之背面(下表面)，對基板之正面(上表面)進行顯影處理。

於基板之正面之至少中央部形成有曝光處理後之感光性膜。上述感光性膜例如係負型之感光性聚醯亞胺膜。作為溶解曝光後之負型感光性聚醯亞胺膜之顯影液，可使用包含環己酮或環戊酮等之有機溶劑。又，作為清洗液，可使用包含異丙醇或丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA：Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)等之有機溶劑。

另，於本實施形態中，「基板之顯影處理」意指藉由將顯影液供給至形成於基板之主面之曝光處理後之感光性膜，將該感光性膜之一部分溶解。

＜1＞顯影裝置之構成 圖1係用於說明本發明之一實施形態之顯影裝置之概略構成之模式性立體圖。如圖1所示，顯影裝置1基本上具有於殼體CA內收容有2個液體處理單元LPA、LPB之構成。於圖1中，以虛線顯示2個液體處理單元LPA、LPB之概略形狀。液體處理單元LPA、LPB之構成之細節予以後述。

殼體CA具有於水平面內於一方向延伸之大致長方體之箱形狀。具體而言，殼體CA藉由將第1側壁板1w、第2側壁板2w、第3側壁板3w、第4側壁板4w、底板5w及頂板6w安裝於未圖示之框架而形成。於以下之說明中，將於水平面內與殼體CA延伸之方向平行之方向適當地稱為第1方向D1，將水平面內與第1方向D1正交之方向適當地稱為第2方向D2。2個液體處理單元LPA、LPB以於殼體CA內排列於第1方向之方式，配置於底板5w上。

第1及第2側壁板1w、2w具有矩形之板形狀，以於上下方向及第1方向D1平行且互相對向之方式設置。第3及第4側壁板3w、4w具有矩形之板形狀，以於上下方向及第2方向D2平行且相互對向之方式設置。

於第2側壁板2w，形成有用以於殼體CA內部與殼體CA外部之間搬送基板之2個搬入搬出口ph。2個搬入搬出口ph分別形成於第2側壁板2w中第2方向D2上與液體處理單元LPA、LPB對向之2個部分。頂板6w中以排列於第1方向D1之方式，形成有2個開口op1。頂板6w中之2個開口op1之開口率以與將殼體CA之上端全體向上方開放之狀態相同之程度設定得足夠大。

以分別將頂板6w之2個開口op1封閉之方式，於頂板6w之上方設置有2個過濾器FL。另，2個過濾器FL亦可設置於頂板6w之正下方。圖1中，2個過濾器FL由粗之單點劃線顯示。2個過濾器FL例如為ULPA(Ultra Low Penetration Air：超低滲透空氣)過濾器，安裝於構成殼體CA之未圖示之框架或頂板6w。於殼體CA之頂板6w，以包圍2個過濾器FL之方式設置有空氣導件AG。圖1中，以雙點劃線顯示空氣導件AG。

於殼體CA之外部設置有氣體供給部10。氣體供給部10例如為空氣控制單元，於顯影裝置1之電源接通之期間，以滿足預設條件之方式調整溫度及濕度等空氣之狀態。又，氣體供給部10將調整狀態後之空氣藉由管道DU供給至空氣導件AG。於該情形時，空氣導件AG將自氣體供給部10供給之空氣通過2個過濾器FL引導至頂板6w之2個開口op1。藉此，經調整溫度及濕度等後之清潔空氣供給至殼體CA內，於殼體CA之整個內部空間SP全產生下降氣流。

於殼體CA之外部進而設置有2個流體供給部11。各流體供給部11包含顯影液供給源、清洗液供給源、氣體供給源及各種流體關聯機器，通過流體供給路徑12將顯影液、清洗液及氣體供給至液體處理單元LPA、LPB。於圖1中，以單點劃線表示流體供給路徑12。另，於本實施形態中，流體供給路徑12由1個或複數個配管及閥等構成。

顯影裝置1進而具有控制部90。控制部90例如包含CPU(Central Processing Unit：中央運算處理裝置)及記憶體、或微型電腦，控制液體處理單元LPA、LPB及2個流體供給部11。控制部90之細節予以後述。

＜2＞液體處理單元之構成 (1)液體處理單元LPA、LPB之構成之概要 圖1之2個液體處理單元LPA、LPB除了設置成一部分構成要件以正交於第1方向D1之面(鉛直面)為基準相互對稱之點以外，具有基本相同之構成。以下，代表2個液體處理單元LPA、LPB說明液體處理單元LPA之構成。圖2係用於說明圖1之液體處理單元LPA之構成之一部分分解立體圖，圖3係用於說明圖2之液體處理單元LPA之一部分構成之模式性俯視圖，圖4係用於說明圖2之液體處理單元LPA之一部分構成之模式性縱剖視圖。於圖2～圖4中，以虛線顯示處理對象之基板W。

如圖2所示，液體處理單元LPA包含劃分板100、筒構件200、噴嘴臂單元300、噴嘴驅動部400及待機匣500。又，液體處理單元LPA進而包含杯40、升降驅動部49、收容器50、排氣管61、排液管62、基板保持裝置70及吸引裝置78。於圖2中，為了容易理解複數個構成要件之構造，將液體處理單元LPA之複數個構成要件中之一部分構成要件與其他構成要件以上下分離之狀態顯示。具體而言，於圖2中，以上下分離之狀態顯示包含劃分板100、筒構件200、噴嘴臂單元300、噴嘴驅動部400及待機匣500之一部分構成要件、與包含杯40、收容器50及基板保持裝置70之其他構成要件。於圖3及圖4中，作為液體處理單元LPA之一部分之構成，分別顯示杯40、收容器50及基板保持裝置70之模式性俯視圖及模式性縱剖視圖。另，於圖2所記載之劃分板100中，省略後述之複數個貫通孔H(圖8)之圖示。

(2)杯40及收容器50 於圖1之殼體CA內，收容器50固定於底板5w(圖1)上。如圖2所示，收容器50包含側壁部51及底部52。側壁部51具有圓環形狀之水平剖面，以依恆定之內徑及恆定之外徑於上下方向延伸之方式形成。底部52以將側壁部51之下端閉塞之方式形成。

於底部52形成有2個貫通孔。於底部52之一貫通孔之形成部分連接有排氣管61。排氣管61將殼體CA內之氛圍引導至設置於殼體CA外部之未圖示之排氣裝置。於容器50中，排氣管61之端部(開口端)位於較底部52更上方。

又，底部52中，於另一貫通孔之形成部分進而連接有排液管62。排液管62於基板W之顯影處理時，如後述般將自杯40流至收容器50之底部之液體(顯影液及清洗液)引導至設置於殼體CA外部之未圖示之排液裝置。於容器50中，排液管62之端部(開口端)位於較排氣管61之端部更下方。

於收容器50內收容基板保持裝置70之至少下部。具體而言，基板保持裝置70包含吸附保持部71、旋轉馬達72及馬達罩79(圖4)。於圖2及圖3中，省略馬達罩79之圖示。如圖3所示，旋轉馬達72以俯視下位於收容器50之中央之方式固定於底部52上。如圖4所示，於旋轉馬達72，以朝向上方延伸之方式設置有旋轉軸73。於旋轉軸73之上端設置有吸附保持部71。吸附保持部71突出至較收容器50之上端更上方。

如圖2所示，於收容器50之外部設置有吸引裝置78。吸附保持部71構成為藉由吸引裝置78動作，可吸附基板W之背面中央部。藉由吸附保持部71吸附基板W之背面中央部，將基板W於收容器50之上方之位置以水平姿勢保持。又，於由吸附保持部71吸附保持基板W之狀態下，藉由旋轉馬達72動作，基板W以水平姿勢旋轉。

如圖4所示，馬達罩79具有大致碗形狀，以開放之大徑部分朝向下方之方式固定於收容器50。於馬達罩79之上端中央部形成有可***旋轉軸73之貫通孔。馬達罩79於旋轉軸73***至該馬達罩79之上端中央部之貫通孔之狀態下，自上方覆蓋旋轉馬達72之除旋轉軸73外之上端部分與於水平面內包圍旋轉馬達72之恆定寬度之空間。於馬達罩79之外周端部與側壁部51之內周面之間形成有恆定寬度之間隙。

此處，上述排氣管61之端部位於馬達罩79之下方。藉此，於基板W之顯影處理時，防止自收容器50之上方落下之液體(顯影液及清洗液)進入排氣管61之內部。

如圖2所示，於收容器50內，除基板保持裝置70之下部外，還收容杯40之至少下端。此處，杯40構成為可於收容器50內於上下方向移動。又，杯40包含筒狀壁部41及液體接收部42。筒狀壁部41及液體接收部42各自具有圓環形狀之水平剖面，以至少於上下方向延伸之方式設置。如圖3所示，杯40構成為俯視下包圍基板保持裝置70。

如圖4所示，液體接收部42之外徑及內徑隨著自液體接收部42之上端朝向下方而逐漸擴大。液體接收部42之下端之外徑(液體接收部42之最大外徑)小於收容器50之側壁部51之內徑。因此，於液體接收部42之外周端部與側壁部51之內周面之間形成有恆定寬度之間隙。筒狀壁部41形成為以恆定之內徑及恆定之外徑自液體接收部42之上端朝向上方延伸。

如圖2所示，於圖1之殼體CA內，於收容器50之附近設置升降驅動部49。升降驅動部49包含馬達或氣缸等驅動機構，藉由支持杯40、且使杯40上下移動，使杯40轉變為第1狀態與第2狀態。杯40之第1狀態及第2狀態予以後述。

(3)噴嘴驅動部400及待機匣500 於圖1之殼體CA內，噴嘴驅動部400以於第1方向D1上與收容器50相鄰之方式設置。噴嘴驅動部400包含具有旋轉軸401之馬達與致動器。致動器包含氣缸、液壓缸或馬達等，以使具有旋轉軸401之馬達可於上下方向移動之方式，將該馬達支持於底板5w(圖1)上。旋轉軸401位於噴嘴驅動部400之上端部。

於圖1之殼體CA內，於底板5w(圖1)上進而設置有待機匣500。噴嘴驅動部400及待機匣500於收容器50之側方之位置空出間隔排列於第2方向D2。待機匣500具有於第2方向D2延伸恆定長度之箱形狀。於待機匣500之上表面形成有複數個待機孔510(圖10)，該等待機孔510用於收容後述之複數個噴嘴310(圖6)之噴射部310c(圖6)。

於待機匣500連接有於複數個噴嘴310(圖6)待機時，將自複數個噴嘴310(圖6)噴射之液體或落下之液體排出至殼體CA外部之排液管(未圖示)。又，於待機匣500連接有將該待機匣500內部之氛圍排出至殼體CA外部之排氣管(未圖示)。

(4)噴嘴臂單元300 於旋轉軸401之上端部安裝有噴嘴臂單元300。噴嘴臂單元300具有於安裝於旋轉軸401之上端部之狀態下，於與旋轉軸401不同之方向直線狀延伸之長條形狀。噴嘴臂單元300主要由複數個(本例中為6個)噴嘴310、支持體320及罩構件330構成。

圖5係圖2之噴嘴臂單元300之立體圖，圖6係於特定鉛直面(平行於噴嘴臂單元300所延伸之方向之鉛直面)切斷噴嘴臂單元300之縱剖視圖。於圖5中，為了便於理解噴嘴臂單元300之內部構造，以將罩構件330與其他構成要件分離之狀態顯示。

支持體320例如藉由對被剪切加工或雷射加工為特定形狀之一塊金屬板進行適當彎折加工而製作。或，藉由螺固或焊接等將加工為特定形狀之複數塊金屬板連接而製作。又，支持體320以於一方向延伸之方式形成，具有一端部321及另一端部322。又，支持體320以自一端部321之附近朝向另一端部322空出間隔排列之方式，具有3個噴嘴固定部323。於3個噴嘴固定部323各者安裝有2個噴嘴310。再者，支持體320具有配管固定部324及2個罩安裝部325。配管固定部324位於另一端部322之附近。關於配管固定部324及罩安裝部325予以後述。

設置於各噴嘴固定部323之2個噴嘴310中之一者用於向基板W供給顯影液。又，設置於各噴嘴固定部323之2個噴嘴310中之另一者用於向基板W供給清洗液。又，本實施形態之所有噴嘴310各者係可噴射液體及氣體之混合流體之軟噴霧式雙流體噴嘴。因此，各噴嘴310具有用於向該噴嘴310內導入液體及氣體之2個流體導入部310a、310b、及噴射混合流體之噴射部310c。

各噴嘴310以噴射部310c朝向下方之狀態固定於支持體320。於該狀態下，於各噴嘴310之上端部設置有用於向該噴嘴310內導入液體之流體導入部310a。又，於各噴嘴310之側部設置有用於向該噴嘴310內導入氣體之流體導入部310b。

於各噴嘴310之流體導入部310a，連接用於向該噴嘴310供給液體(於本例中為顯影液或清洗液)之配管311之一端。又，於各噴嘴310之流體導入部310a，連接用於向該噴嘴310供給氣體(於本例中為氮氣)之配管312之一端。配管311、312由具有柔軟性之樹脂材料形成。作為該種樹脂材料，例如有PTFE(聚四氟乙烯)、PVC(聚氯乙烯)、PPS(聚苯硫醚)、PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)等。

於噴嘴驅動部400之旋轉軸401之上端部安裝有支持體320之另一端部322。於該狀態下，於支持體320之長度方向之大致中央部形成有水平且平坦之支持面SS。複數個配管311、312各者之一部分於支持面SS上，以自與該配管連接之噴嘴310朝向配管固定部324延伸之方式設置。

配管固定部324由支持面SS之一部分構成。於配管固定部324中，捆紮有複數個配管311、312。於該狀態下，於構成配管固定部324之支持面SS上，螺固具有倒U字形狀之配管固定片329。藉此，複數個配管311、312於支持體320之另一端部322附近固定。複數個配管311、312中自配管固定部324向支持體320之外側延伸之部分以被捆紮之狀態收容於筒狀捆束構件391之內部。筒狀捆束構件391例如由橡膠或樹脂形成，具有柔軟性。

罩構件330具有下方開放之箱形狀。具體而言，本例之罩構件330由上表面部331、一端面部332、另一端面部333、一側面部334及另一側面部335構成。上表面部331具有俯視下較後述之劃分板100之噴嘴開口110(圖7)大之長方形狀。一端面部332、另一端面部333、一側面部334及另一側面部335分別自上表面部331之外緣之4邊向下方延伸。一端面部332及另一端面部333相互對向，一側面部334及另一側面部335相互對向。於另一端面部333形成有缺口333N。

如上所述，支持體320具有2個罩安裝部325。2個罩安裝部325位於支持體320之上端。於各罩安裝部325形成有螺孔。於罩構件330之上表面部331中，於與支持體320之2個罩安裝部325對應之2個部分形成有貫通孔331h。

於支持體320安裝複數個噴嘴310，複數個配管311、312連接於複數個噴嘴310，且複數個配管311、312固定之狀態下，罩構件330安裝於支持體320。具體而言，罩構件330之2個貫通孔331h定位於支持體320之2個罩安裝部325上，將罩構件330螺固於支持體320。

藉此，由罩構件330自上方及側方覆蓋支持體320中自一端部321至另一端部322附近之部分。另一方面，支持體320之剩餘部分通過形成於罩構件330之另一端面部333之缺口333N而引出。如此，支持體320之一部分收容於罩構件330內。又，由支持體320支持之複數個噴嘴310之一部分收容於罩構件330內。再者，由支持體320支持之複數個配管311、312之一部分收容於罩構件330內。於圖5中，用雙點劃線顯示安裝於支持體320時之罩構件330之狀態。

此處，於支持體320中，配管固定部324位於支持體320之另一端部322與罩構件330之另一端面部333之間。配管固定片329以自罩構件330引出之複數個配管311、312不與另一端面部333之缺口333N之內緣接觸之方式，將複數個配管311、312捆紮並固定於配管固定部324。

如圖6所示，於罩構件330安裝於支持體320之狀態下，除流體導入部310a外之各噴嘴310之大部分向罩構件330之下方突出。

(5)劃分板100及筒構件200 圖7係圖2之劃分板100及筒構件200之外觀立體圖，圖8係圖2之劃分板100及筒構件200之俯視圖。如圖7及圖8所示，筒構件200具有圓筒形狀，經由未圖示之托架固定於殼體CA(圖1)之一部分。筒構件200之內徑大於杯40之筒狀壁部41(圖3)之外徑。又，筒構件200以俯視下筒構件200之中心軸與杯40之中心軸一致或大體一致之方式定位。藉此，例如於杯40上升之情形時，可防止杯40與筒構件200接觸且將杯40之上端部***筒構件200內。

劃分板100具有大致圓板形狀，以於筒構件200之上端部附近且與筒構件200之整個內周面相接之方式，安裝於筒構件200。於劃分板100之大致中央部形成有於第1方向D1延伸之長方形之噴嘴開口110。噴嘴開口110於基板W之顯影處理時，與由基板保持裝置70保持之基板W之中央部分對向。如圖7所示，與劃分板100中之噴嘴開口110之形成部分，形成有自噴嘴開口110之內緣向上方延伸恆定長度(例如5 mm～10 mm左右)之壁部111。

又，如圖8所示，於劃分板100，以遍及除噴嘴開口110外之劃分板100之全體分散之方式形成有複數個貫通孔H。形成於劃分板100之複數個貫通孔H之數量及大小考慮後述之處理空間SPa(圖15)與非處理空間SPb(圖15)之間之壓力之關係而定。

關於複數個貫通孔H之配置，具體而言，如圖8由虛線所示，於俯視下以劃分板中心100C為基準定義特定間距之同心圓(複數個假想圓vc1)。於該情形時，複數個貫通孔H以等間隔排列於各假想圓vc1上之方式分散形成。又，形成於複數個假想圓vc1中最大之假想圓vc1上之貫通孔H之數量，大於形成於其他假想圓vc1上之貫通孔H之數量。又，於本例中，僅複數個假想圓vc1中最大之假想圓vc1包圍噴嘴開口110全體。因此，於最大之假想圓vc1，以遍及該假想圓vc1全體空出恆定間隔排列之方式，形成有複數個貫通孔H。

再者，如圖8以粗雙點劃線所示，定義以劃分板中心100C為中心，具有劃分板100之半徑之1/2之半徑之假想圓vc2。此處，於以假想圓vc2之內側區域為中央區域A1、以假想圓vc2之外側區域為外周區域A2之情形時，形成於外周區域A2之貫通孔H之數量大於形成於中央區域A1之貫通孔H之數量。

(6)噴嘴臂單元300之動作 如上所述，噴嘴臂單元300安裝於噴嘴驅動部400之旋轉軸401。因此，當噴嘴驅動部400之馬達於上下方向移動時，噴嘴臂單元300於上下方向移動。又，當噴嘴驅動部400之馬達動作時，噴嘴臂單元300以旋轉軸401為中心於水平面內旋轉。藉此，噴嘴臂單元300之複數個噴嘴310於未進行對基板W之顯影處理之期間，保持於由基板保持裝置70保持之基板W之側方之待機位置P1。又，複數個噴嘴310於進行對基板W之顯影處理之期間，保持於由基板保持裝置70保持之基板W之上方之處理位置P2。於圖2，分別用空白箭頭顯示待機位置P1及處理位置P2。

圖9～圖12係用於說明複數個噴嘴310於待機位置P1與處理位置P2之間移動時之噴嘴臂單元300之動作之圖。於圖9～圖12中，複數個噴嘴310自待機位置P1移動至處理位置P2時之噴嘴臂單元300及其周邊構件之狀態按照時間序列依序以外觀立體圖顯示。另，於圖9～圖12所記載之劃分板100中，亦與圖2之例同樣，省略複數個貫通孔H之圖示。

首先，如圖9所示，於複數個噴嘴310位於待機位置P1之狀態下，噴嘴臂單元300位於劃分板100及筒構件200之側方，以平行於第2方向D2延伸之狀態受保持。此時，噴嘴臂單元300以複數個噴嘴310之噴射部310c(圖6)收容於待機匣500之複數個待機孔510(圖10)內之方式定位。

當噴嘴驅動部400於圖9之狀態下開始動作時，如圖10以粗實線箭頭所示，噴嘴臂單元300與旋轉軸401一起上升至較筒構件200更上方之高度位置。藉此，將複數個噴嘴310之噴射部310c(圖6)自待機匣500之複數個待機孔510(圖10)引出。

其次，噴嘴驅動部400之旋轉軸401旋轉特定角度(於本例中為90°)。藉此，如圖11以粗實線箭頭所示，噴嘴臂單元300以旋轉軸401為中心旋轉。藉此，噴嘴臂單元300以平行於第1方向D1延伸之狀態受保持。此時，噴嘴臂單元300以俯視下罩構件330與劃分板100之噴嘴開口110重疊之方式定位。

其次，噴嘴驅動部400之旋轉軸401下降。藉此，如圖12以粗實線箭頭所示，罩構件330下降。此時，噴嘴臂單元300之高度位置以罩構件330不與劃分板100接觸但充分靠近之方式調整。藉此，減少噴嘴開口110中氣體之流通。如此，於劃分板100之噴嘴開口110由罩構件330覆蓋之狀態下，複數個噴嘴310保持於處理位置P2。

自噴嘴臂單元300向外側延伸之複數個配管311、312之部分由筒狀捆束構件391捆紮。如圖9～圖12所示，於圖1之殼體CA內，於該殼體CA之一部分(例如底板5w)設置有用於固定筒狀捆束構件391之一部分之固定部392。固定部392將自噴嘴臂單元300延伸之筒狀捆束構件391之一部分固定於殼體CA。藉此，位於噴嘴臂單元300與固定部392之間之複數個配管311、312由筒狀捆束構件391可變形地捆紮。因此，圖1之殼體CA內部中之複數個配管311、312之處理性提高。又，因筒狀捆束構件391具有柔軟性，故噴嘴臂單元300之移動及旋轉之自由度不受筒狀捆束構件391限制。另，由筒狀捆束構件391捆紮之複數個配管311、312於固定部392之附近自筒狀捆束構件391引出，連接於圖1之流體供給部11之流體供給路徑12。

(7)杯40之動作 於顯影裝置1中，於對液體處理單元LPA、LPB搬入搬出基板W時，杯40維持第1狀態。另一方面，於由基板保持裝置70保持之基板W之顯影處理時，杯40維持第2狀態。對杯40之第1狀態及第2狀態進行說明。

圖13係液體處理單元LPA、LPB之杯40處於第1狀態時之顯影裝置1之模式性縱剖視圖，圖14係液體處理單元LPA、LPB之杯40處於第2狀態時之顯影裝置1之模式性縱剖視圖。於圖13及圖14中，以虛線表示位於待機位置P1之噴嘴臂單元300。又，於圖13及圖14中，省略液體處理單元LPA、LPB之複數個構成要件中之一部分構成要件之圖示。

如圖13所示，當杯40處於第1狀態時，位於收容器50之內部。即，當杯40處於第1狀態時，側視下與收容器50重疊，離開筒構件200。因此，當杯40處於第1狀態時，可自杯40及收容器50之側方對基板保持裝置70進行接取。藉此，可將自顯影裝置1之外部搬入之基板W載置於液體處理單元LPA、LPB之吸附保持部71上。又，可取出載置於液體處理單元LPA、LPB之吸附保持部71上之基板W，將其搬出至顯影裝置1之外部。

杯40之高度(上下方向之尺寸)以大於上下方向上之筒構件200與收容器50之間之距離之方式設定。如圖14所示，當杯40處於第2狀態時，側視下與筒構件200之下端部及收容器50之上端部重疊。此時，杯40之上端部與筒構件200之下端部附近之內周面接近。又，杯40之下端部與收容器50之上端部附近之內周面接近。

(8)形成於殼體CA內之處理空間及非處理空間 於基板W之顯影處理時，杯40保持第2狀態，且噴嘴臂單元300之複數個噴嘴310配置於處理位置P2。圖15係基板W之顯影處理時之顯影裝置1之模式性縱剖視圖。如圖15所示，於基板W之顯影處理時，於液體處理單元LPA、LPB各者，複數個噴嘴310配置於處理位置P2(圖12)，罩構件330覆蓋劃分板100之噴嘴開口110。藉此，殼體CA之內部空間SP由液體處理單元LPA、LPB之劃分板100、筒構件200、罩構件330、杯40及容器50，劃分為處理空間SPa與非處理空間SPb。處理空間SPa係包含由基板保持裝置70保持之基板W之空間，非處理空間SPb係包圍處理空間SPa之空間。

如圖15以空白箭頭所示，將清潔空氣自上方持續供給至非處理空間SPb。又，供給至非處理空間SPb之清潔空氣之一部分通過劃分板100之複數個貫通孔H(圖8)供給至處理空間SPa。藉此，於殼體CA內，於2個處理空間SPa及非處理空間SPb分別形成清潔之下降氣流。

形成各處理空間SPa之杯40之液體接收部42之內周面於水平面內包圍由基板保持裝置70保持之基板W。藉此，於基板W之顯影處理時自複數個噴嘴310供給至基板W之顯影液及清洗液之大部分由液體接收部42之內周面接住，並引導至收容器50。另一方面，未由液體接收部42接住而於基板W周圍飛散之顯影液或清洗液之飛沫藉由形成於處理空間SPa內之下降氣流引導至收容器50。

當基板W於處理空間SPa內藉由基板保持裝置70旋轉時，有於基板W之周緣部附近產生沿杯40及筒構件200之內周面自下方朝向上方之氣流(上升氣流)之情形。於該情形時，當包含顯影液或清洗液之飛沫之氛圍於處理空間SPa內上升時，該等飛沫有可能附著於劃分板100之下表面及筒構件200之內周面。又，該等飛沫有可能再次附著於基板W。

因此，如使用圖8所說明，於基板W上定義有同心圓之情形時，劃分板100以形成於最大之假想圓vc1上之貫通孔H之數量大於形成於其他假想圓vc1上之貫通孔H之數量之方式製作。再者，劃分板100以遍及包圍噴嘴開口110之最大之假想圓vc1全體依恆定間隔分散配置複數個貫通孔H之方式製作。或，於劃分板100上已定義中央區域A1與外周區域A2之情形時，劃分板100以形成於外周區域A2之貫通孔H之數量大於形成於中央區域A1之貫通孔H之數量之方式製作。

根據劃分板100之上述構成，於處理空間SPa中，可相對於被引導至基板W之中央部分之下降氣流之量，增大引導至杯40之內周面附近之下降氣流之量。尤其，於遍及包圍噴嘴開口110之最大之假想圓vc1全體以恆定間隔分散配置複數個貫通孔H之情形時，可遍及杯40之內周面整周於其附近形成下降氣流。藉此，於基板W旋轉時，抑制於杯40之內周面附近產生上升氣流。因此，於處理空間SPa中，抑制供給至基板W之顯影液或清洗液於基板W之外周端部附近朝向上方飛散。其結果，抑制顯影液或清洗液之飛沫附著於劃分板100之下表面及筒構件200之內周面。又，抑制顯影液或清洗液再附著於基板W。

如圖15所示，於殼體CA內形成處理空間SPa及非處理空間SPb之情形時，處理空間SPa內之壓力與非處理空間SPb內之壓力之間產生差異。對該原因進行說明。

如上所述，自上方持續向處理空間SPa及非處理空間SPb供給清潔空氣。然而，可自殼體CA之上方進入處理空間SPa之下降氣流之量受劃分板100限制。又，於顯影裝置1中，用於將殼體CA內之氛圍排出之排氣管61之端部位於收容器50之內部空間，即處理空間SPa。因此，處理空間SPa內之氛圍被積極地排出至殼體CA之外部。

另一方面，於非處理空間SPb，未設置如劃分板100般限制下降氣流量之構件。又，於非處理空間SPb，未設置用於將該非處理空間SPb內之氛圍積極排出至殼體CA之外部之構成。尤其，如圖15所示，本例之底板5w具有自殼體CA之下方將非處理空間SPb閉塞之閉塞部cp。藉此，自殼體CA之上方引導至非處理空間SPb之空氣之一部分因閉塞部cp而不排出至非處理空間SPb之外部。作為該等之結果，非處理空間SPb內之壓力相對於處理空間SPa內之壓力足夠大。

藉由包圍處理空間SPa之非處理空間SPb之壓力高於處理空間SPa之壓力，即，藉由處理空間SPa之壓力低於非處理空間SPb之壓力，抑制處理空間SPa內部之氛圍通過非處理空間SPb洩漏至殼體CA之外部。

此處，於將殼體CA之內部空間SP劃分為處理空間SPa與非處理空間SPb之情形時，期望罩構件330以完全切斷噴嘴開口110中之氣體流通之方式將噴嘴開口110閉塞。然而，若每當進行基板W之顯影處理時便重複罩構件330對劃分板100之接觸及非接觸，則可能會產生微粒。因此，期望罩構件330不與劃分板100接觸。

因此，於本實施形態中，於基板W之顯影處理時，罩構件330不與劃分板100接觸而覆蓋噴嘴開口110。此時，為了可減少噴嘴開口110中之氣體流通，罩構件330及劃分板100如下形成。

圖16係顯示劃分板100之噴嘴開口110被罩構件330覆蓋之狀態之一例之俯視圖，圖17係圖16之K-K線處之劃分板100、筒構件200及噴嘴臂單元300之縱剖視圖。於圖16中，省略複數個配管311、312之圖示。

如圖16所示，於罩構件330覆蓋噴嘴開口110之情形時，罩構件330以俯視下上表面部331(圖5)全體覆蓋噴嘴開口110全體之方式受保持。當罩構件330覆蓋噴嘴開口110時，罩構件330之複數個端面部及側面部(332～335)以俯視下空出微小間隙包圍劃分板100之壁部111全體之方式形成。

又，如圖17所示，罩構件330以側視下複數個端面部及側面部(332～335)之一部分與劃分板100之壁部111重疊，且不與劃分板100接觸之方式受保持。於圖17中，於說明框內顯示罩構件330之一端面部332之下端部及其附近部分之放大剖視圖。

如圖17之說明框內所示，於由罩構件330覆蓋噴嘴開口110之情形時，於處理空間SPa與非處理空間SPb之間形成間隙空間G。間隙空間G係由劃分板100之壁部111與罩構件330之複數個端面部及側面部(332～335)夾持之空間。藉此，與未於劃分板100形成壁部111之情形、或罩構件330僅由上表面部331構成之情形相比，可減少噴嘴開口110中之氣體流通。俯視下劃分板100之壁部111與罩構件330之複數個端面部及側面部(332～335)之間之距離(間隙空間G之距離)較佳設定為例如2 mm～5 mm左右。

另，於本實施形態之顯影裝置1中，當杯40處於第2狀態時，杯40之上端與筒構件200之下端附近之內周面接近。於該情形時，於筒構件200與杯40之上部之間形成間隙空間。藉此，與不存在筒構件200之情形相比，可減少處理空間SPa之氛圍自杯40與劃分板100之間流出至非處理空間SPb。俯視下筒構件200之內周面與杯40之外周面之間之距離(筒構件200與杯40之上部之間之間隙空間之距離)較佳設定為例如2 mm～5 mm左右。

＜3＞顯影裝置1之控制部之構成 圖18係顯示圖1之顯影裝置1之控制部90之構成之方塊圖。如圖18所示，控制部90包含第1升降控制部91、流體控制部92、第1旋轉控制部93、吸引控制部94、第2升降控制部95及第2旋轉控制部96。圖18之控制部90之各部之功能例如藉由CPU執行記憶於記憶體之特定程式而實現。

第1升降控制部91控制液體處理單元LPA、LPB之升降驅動部49之動作。藉此，各液體處理單元LPA、LPB之杯40轉變為第1狀態與第2狀態。流體控制部92控制圖1之2個流體供給部11之動作。藉此，於各液體處理單元LPA、LPB內，自複數個噴嘴310中之一部分噴嘴310噴射顯影液與氣體之混合流體，自其他噴嘴310噴射清洗液與氣體之混合流體。

第1旋轉控制部93控制圖1之液體處理單元LPA、LPB之旋轉馬達72之動作。另，吸引控制部94控制圖1之液體處理單元LPA、LPB之吸引裝置78之動作。藉此，於各基板保持裝置70中，基板W以水平姿勢受吸附保持並旋轉。

第2升降控制部95及第2旋轉控制部96控制圖1之液體處理單元LPA、LPB之噴嘴驅動部400之動作。具體而言，第2升降控制部95控制各噴嘴驅動部400之致動器之動作。第2旋轉控制部96控制具有各噴嘴驅動部400之旋轉軸401之馬達之動作。

＜4＞顯影裝置1之基本動作 對顯影裝置1之基本動作進行說明。圖19係顯示顯影裝置1之基板W之顯影處理時之基本動作之流程圖。於初始狀態下，自氣體供給部10向顯影裝置1供給調整溫度及濕度等之後之空氣。又，殼體CA內之氛圍自液體處理單元LPA、LPB之排氣管61引導至未圖示之排氣裝置。於殼體CA內形成清潔之下降氣流。再者，於初始狀態下，杯40保持第1狀態。又，複數個噴嘴310保持於待機位置P1。

於基板W之顯影處理開始前，首先，將成為處理對象之基板W搬入液體處理單元LPA、LPB。又，如圖13所示，將基板W載置至基板保持裝置70之吸附保持部71上。當基板W之顯影處理開始時，圖18之吸引控制部94以藉由基板保持裝置70之吸附保持部71吸附基板W之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之吸引裝置78(步驟S11)。

接著，圖18之第1升降控制部91以使杯40自第1狀態轉變為第2狀態之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之升降驅動部49(步驟S12)。

接著，圖18之第2升降控制部95及第2旋轉控制部96以使複數個噴嘴310自待機位置P1移動至處理位置P2之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之噴嘴驅動部400(步驟S13)。

接著，圖18之第1旋轉控制部93以使基板W繞旋轉軸73旋轉之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之旋轉馬達72(步驟S14)。

接著，圖18之流體控制部92以自複數個噴嘴310中之一部分噴嘴310向基板W以預設之時間供給顯影液之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之流體供給部11(步驟S15)。又，圖18之流體控制部92以自複數個噴嘴310中之其他噴嘴310向基板W以預設之時間供給清洗液之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之流體供給部11(步驟S16)。

接著，圖18之第1旋轉控制部93使基板W繼續旋轉直至自停止供給清洗液起經過恆定時間為止，藉此使基板W乾燥。又，圖18之第1旋轉控制部93以自停止供給清洗液起經過恆定時間後，基板W之旋轉停止之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之旋轉馬達72(步驟S17)。

接著，圖18之第2升降控制部95及第2旋轉控制部96以使複數個噴嘴310自處理位置P2移動至待機位置P1之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之噴嘴驅動部400(步驟S18)。

接著，圖18之第1升降控制部91以使杯40自第2狀態轉變至第1狀態之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之升降驅動部49(步驟S19)。

最後，圖8之吸引控制部94以解除基板保持裝置70之吸附保持部71對基板W之吸附之方式，控制液體處理單元LPA、LPB之吸引裝置78(步驟S20)。藉此，基板W之顯影處理結束。顯影處理後之基板W自液體處理單元LPA、LPB搬出。

＜5＞效果 (1)使用於基板W之顯影處理之顯影液及清洗液所含之有機溶劑有具有特徵性強臭氣之情形。於上述顯影裝置1中，於基板W之顯影處理時，殼體CA之內部空間SP由劃分板100、筒構件200、罩構件330、杯40及收容器50劃分為處理空間SPa與非處理空間SPb。下降氣流之一部分通過劃分板100具有之複數個貫通孔H被引導至處理空間SPa。於該情形時，供給至處理空間SPa之氣體之量可少於供給至非處理空間SPb之氣體之量。藉此，可使處理空間SPa之壓力低於非處理空間SPb之壓力。

若處理空間SPa之壓力低於非處理空間SPb之壓力，則處理空間SPa內之氛圍不易進入非處理空間SPb。因此，即使於處理空間SPa內產生起因於處理液之臭氣之情形時，該臭氣亦不易洩漏至殼體CA之外部。

再者，於上述構成中，於劃分板100形成有噴嘴開口110。根據上述構成，於複數個噴嘴310位於處理位置P2之狀態下，複數個噴嘴310與劃分板100不干涉。又，於複數個噴嘴310位於處理位置P2之狀態下，形成於劃分板100之噴嘴開口110由罩構件330覆蓋。藉此，自複數個噴嘴310向基板W供給顯影液及清洗液時，減少處理空間SPa內之氛圍自噴嘴開口110漏出至非處理空間SPb。

作為該等之結果，可抑制顯影裝置1周邊之作業環境之舒適性降低。

(2)於上述顯影裝置1中，噴嘴驅動部400使噴嘴臂單元300移動及旋轉，藉此複數個噴嘴310於待機位置P1及處理位置P2之間移動。因此，於未進行基板W之顯影處理之狀態下，可將複數個噴嘴310保持於待機位置P1。於複數個噴嘴310位於待機位置P1之狀態下，可進行虛擬分配及複數個噴嘴310之洗淨等處理。藉此，防止不需要之顯影液或清洗液自位於處理位置P2之噴嘴落下、及位於處理位置P2之複數個噴嘴310之前端部乾燥等。其結果，抑制發生基板W之處理不良。

(3)於上述噴嘴臂單元300中，於支持複數個噴嘴310之支持體320安裝有罩構件330。藉此，使複數個噴嘴310於待機位置P1與處理位置P2之間移動時，複數個噴嘴310與罩構件330一體移動。因此，可防止複數個噴嘴310與罩構件330之干涉。又，因無需個別地設置複數個噴嘴310用之移動機構與罩構件330用之移動機構，故可抑制構成之複雜化。

(4)於上述顯影裝置1中，於液體處理單元LPA、LPB各者，將收容器50內之氛圍通過排氣管61排出至殼體CA之外部。另一方面，於底板5w設置有自殼體CA之下方將非處理空間SPb閉塞之閉塞部cp。因此，於基板W之顯影處理時容易使處理空間SPa之壓力低於非處理空間SPb之壓力。

＜6＞其他實施形態 (1)於上述實施形態之顯影裝置1中，亦可於底板5w設置將非處理空間SPb內之氛圍排出至殼體CA之外部之排氣部。於該情形時，於基板W之顯影處理時，為了維持處理空間SPa內之壓力低於非處理空間SPb內之壓力之狀態，需要控制自處理空間SPa排出之氣體之排氣量、與自非處理空間SPb排出之氣體之排氣量。

(2)於上述實施形態之顯影裝置1中，覆蓋劃分板100之噴嘴開口110之罩構件330與複數個噴嘴310一體設置，但本發明並不限定此處。罩構件330亦可以與複數個噴嘴310分離之狀態設置。於該情形時，顯影裝置1可具備驅動部，該驅動部以於複數個噴嘴310位於處理位置P2之狀態下覆蓋噴嘴開口110，於複數個噴嘴310位於待機位置P1之狀態下將噴嘴開口110開放之方式，使罩構件330動作。

(3)於上述實施形態之顯影裝置1中，複數個噴嘴310構成為可於待機位置P1與處理位置P2之間移動，但本發明不限定於此。複數個噴嘴310亦可以始終存在於處理位置P2之方式，固定於劃分板100及筒構件200。

(4)上述實施形態係將本發明應用於顯影裝置之例，但不限定於此，亦可將本發明應用於使用具有臭氣之有機溶劑對基板W進行處理之基板處理裝置。作為該種基板處理裝置，有將包含有機溶劑之抗蝕液等塗布於基板W之塗布裝置等。

(5)於上述實施形態之顯影裝置1中，由收容於殼體CA內之液體處理單元LPA、LPB同時對2塊基板W進行顯影處理，但本發明不限定於此。液體處理單元LPA中之基板W之顯影處理與液體處理單元LPB中之基板W之顯影處理可同時進行，亦可於互不相同之時刻進行。

例如，假設於一液體處理單元LPA(LPB)進行基板W之顯影處理，於另一液體處理單元LPB(LPA)不進行基板W之顯影處理之情形。於該情形時，於一液體處理單元LPA(LPB)中，杯40維持第2狀態，複數個噴嘴310保持於處理位置P2。又，於另一液體處理單元LPB(LPA)中，杯40維持第1狀態，複數個噴嘴310保持於待機位置P1。藉此，於殼體CA內，於一液體處理單元LPA(LPB)內形成1個處理空間SPa，另一個液體處理單元LPB(LPA)之內部空間成為非處理空間SPb。

(6)於上述實施形態之劃分板100中，噴嘴開口110之形狀不限定於上述長方形。噴嘴開口110可具有橢圓形、圓形、正方形、三角形、四邊形、五邊形或六邊形等其他形狀。於該情形時，罩構件330具有與劃分板100之噴嘴開口110之形狀對應之形狀。

(7)於上述實施形態之顯影裝置1中，於複數個噴嘴310位於處理位置P2之狀態下，罩構件330以不與劃分板100接觸之方式覆蓋噴嘴開口110，但本發明不限定於此。例如，藉由於其他構成上下功夫等，抑制產生起因於罩構件330與劃分板100之間之接觸及非接觸之微粒之情形時，罩構件330亦可以與劃分板100接觸之狀態將噴嘴開口110閉塞。或，於某程度上容許產生起因於罩構件330與劃分板100之間之接觸及非接觸之微粒之情形時，罩構件330可以與劃分板100接觸之狀態將噴嘴開口110閉塞。

(8)上述實施形態之杯40及筒構件200各自具有圓環形狀之水平剖面，但本發明不限定於此。杯40及筒構件200各者構成為俯視下包圍基板保持裝置70即可，亦可具有多邊形狀之水平剖面。

(9)於上述實施形態之顯影裝置1中，於1個殼體CA內設置2個液體處理單元LPA、LPB，但本發明不限定於此。可於殼體CA內僅設置1個液體處理單元，亦可設置3個以上之液體處理單元。

(10)於上述實施形態之顯影裝置1中，複數個噴嘴310各者由雙流體噴嘴構成，但本發明不限定於此。複數個噴嘴310各者亦可為雙流體噴嘴以外之種類之噴嘴。

(11)於上述實施形態之罩構件330中，為了自該罩構件330引出支持體320之一部分，於另一端面部333形成有缺口333N，但本發明不限定於此。於基板W之顯影處理時，只要可使處理空間SPa內之壓力低於非處理空間SPb內之壓力，則罩構件330亦可不具有另一端面部333。

＜7＞技術方案之各構成要件與實施形態之各要件之對應關係 以下，對技術方案之各構成要件與實施形態之各要件之對應例進行說明。於上述實施形態中，殼體CA為腔室之例，空氣導件AG及過濾器FL為氣流形成部之例，基板保持裝置70為基板保持部之例，複數個噴嘴310為噴嘴之例，處理空間SPa為處理空間之例，非處理空間SPb為非處理空間之例。

又，劃分板100、筒構件200、杯40及罩構件330為劃分機構之例，杯40為處理杯之例，複數個貫通孔H為複數個貫通孔之例，噴嘴開口110為噴嘴開口之例，劃分板100為劃分板之例，罩構件330為罩構件之例，顯影裝置1為基板處理裝置之例。

又，噴嘴驅動部400為噴嘴驅動部之例，支持體320為支持體之例，收容器50之底部52中之排氣管61之連接部為排氣部之例，劃分板100之壁部111為第1壁部之例，罩構件330之上表面部331為蓋本體部之例，罩構件330之一端面部332、另一端面部333、一側面部334及另一側面部335為第2壁部之例。

又，筒構件200為筒構件之例，於劃分板100定義之中央區域A1為中央區域之例，於劃分板100定義之外周區域A2為外周區域之例，複數個假想圓vc1中最大之假想圓為假想圓之例。

作為技術方案之各構成要件，亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種要件。

1:顯影裝置 1w:第1側壁板 2w:第2側壁板 3w:第3側壁板 4w:第4側壁板 5w:底板 6w:頂板 10:氣體供給部 11:流體供給部 12:流體供給路徑 40:杯 41:筒狀壁部 42:液體接收部 49:升降驅動部 50:收容器 51:側壁部 52:底部 61:排氣管 62:排液管 70:基板保持裝置 71:吸附保持部 72:旋轉馬達 73:旋轉軸 78:吸引裝置 79:馬達罩 90:控制部 91:第1升降控制部 92:流體控制部 93:第1旋轉控制部 94:吸引控制部 95:第2升降控制部 96:第2旋轉控制部 100:劃分板 100C:劃分板中心 110:噴嘴開口 111:壁部 200:筒構件 300:噴嘴臂單元 310:噴嘴 310a,310b:流體導入部 310c:噴射部 311,312:配管 320:支持體 321:端部 322:端部 323:噴嘴固定部 324:配管固定部 325:罩安裝部 329:配管固定片 330:罩構件 331:上表面部 331h:貫通孔 332:端面部 333:端面部 333N:缺口 334:側面部 335:側面部 391:筒狀捆束構件 392:固定部 400:噴嘴驅動部 401:旋轉軸 500:待機匣 510:待機孔 A1:中央區域 A2:外周區域 AG:空氣導件 CA:殼體 cp:閉塞部 D1:第1方向 D2:第2方向 DU:管道 FL:過濾器 G:間隙空間 H:貫通孔 LPA,LPB:液體處理單元 op1:開口 ph:搬入搬出口 P1:待機位置 P2:處理位置 S11~S20:步驟 SP:內部空間 SPa:處理空間 SPb:非處理空間 SS:支持面 vc1,vc2:假想圓 W:基板

圖1係用於說明本發明之一實施形態之顯影裝置之概略構成之模式性立體圖。 圖2係用於說明圖1之液體處理單元之構成之一部分分解立體圖。 圖3係用於說明圖2之液體處理單元之一部分之構成之模式性俯視圖。 圖4係用於說明圖2之液體處理單元之一部分之構成之模式性縱剖視圖。 圖5係圖2之噴嘴臂單元之立體圖。 圖6係於特定鉛直面切斷噴嘴臂單元之縱剖視圖。 圖7係圖2之劃分板與筒構件之外觀立體圖。 圖8係圖2之劃分板與筒構件之俯視圖。 圖9係用於說明複數個噴嘴於待機位置與處理位置之間移動時之噴嘴臂單元之動作之圖。 圖10係用於說明複數個噴嘴於待機位置與處理位置之間移動時之噴嘴臂單元之動作之圖。 圖11係用於說明複數個噴嘴於待機位置與處理位置之間移動時之噴嘴臂單元之動作之圖。 圖12係用於說明複數個噴嘴於待機位置與處理位置之間移動時之噴嘴臂單元之動作之圖。 圖13係液體處理單元之杯處於第1狀態時之顯影裝置之模式性縱剖視圖。 圖14係液體處理單元之杯處於第2狀態時之顯影裝置之模式性縱剖視圖。 圖15係基板之顯影處理時之顯影裝置之模式性縱剖視圖。 圖16係顯示劃分板之噴嘴開口由罩構件覆蓋之狀態之一例之俯視圖。 圖17係圖16之K-K線處之劃分板、筒構件及噴嘴臂單元之縱剖視圖。 圖18係顯示圖1之顯影裝置之控制部之構成之方塊圖。 圖19係表示顯影裝置之基板之顯影處理時之基本動作之流程圖。

1:顯影裝置

3w:第3側壁板

4w:第4側壁板

5w:底板

40:杯

50:收容器

61:排氣管

62:排液管

70:基板保持裝置

71:吸附保持部

79:馬達罩

100:劃分板

110:噴嘴開口

200:筒構件

300:噴嘴臂單元

310:噴嘴

330:罩構件

AG:空氣導件

CA:殼體

cp:閉塞部

D1:第1方向

D2:第2方向

DU:管道

FL:過濾器

LPA,LPB:液體處理單元

SPa:處理空間

SPb:非處理空間

W:基板

Claims (10)

1. 一種基板處理裝置，其具備： 腔室，其具有內部空間； 氣流形成部，其向上述腔室內供給氣體形成下降氣流； 基板保持部，其於上述腔室內保持基板； 噴嘴，其自由上述基板保持部保持之基板之上方之處理位置，向基板供給處理液；及 劃分機構，其於由上述基板保持部保持基板之狀態下，將上述腔室之內部空間劃分為包含由上述基板保持部保持之基板之處理空間、與包圍上述處理空間之至少一部分之非處理空間；且 上述劃分機構包含： 處理杯，其以俯視下包圍由上述基板保持部保持之基板且側視下與由上述基板保持部保持之基板重疊之方式設置，形成上述處理空間； 劃分板，其設置於上述處理杯上方之位置，具有將上述下降氣流之一部分引導至上述處理空間之複數個貫通孔、及以俯視下與上述處理位置重疊之方式形成之噴嘴開口；及 蓋構件，其構成為於由上述基板保持部保持基板且上述噴嘴位於上述處理位置之狀態下，容許自上述噴嘴向基板供給處理液且覆蓋上述噴嘴開口。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其進而具備噴嘴驅動部，該噴嘴驅動部使上述噴嘴於上述處理位置、與由上述基板保持部保持之基板之側方之待機位置之間移動。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其進而具備支持體，該支持體支持上述噴嘴且支持上述蓋構件；且 上述噴嘴驅動部藉由使上述支持體移動或旋轉，而使上述噴嘴及上述蓋構件移動。
4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其進而具備排氣部，該排氣部將上述處理空間之氛圍排出至上述腔室之外部。
5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中 上述劃分板具有自上述噴嘴開口之內緣向上方延伸之第1壁部；且 上述蓋構件具有： 蓋本體部，其於俯視下大於上述噴嘴開口；與第2壁部，其自上述蓋本體部之外緣向下方延伸； 於由上述蓋構件覆蓋上述噴嘴開口時，上述第2壁部以俯視下包圍上述第1壁部之至少一部分，側視下與上述第1壁部之至少一部分重疊且不與上述劃分板接觸之方式受保持。
6. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中 上述劃分機構進而包含筒構件，該筒構件以俯視下包圍上述劃分板，自上述劃分板之外緣向下方延伸且俯視下包圍上述處理杯之上部之方式形成；且 上述處理杯構成為，可以轉變為側視下該處理杯之上部離開上述筒構件之第1狀態、與側視下該處理杯之上部與上述筒構件重疊之第2狀態之方式，於上下方向升降。
7. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板保持部構成為，於自上述噴嘴向上述基板供給處理液時，可使所保持之基板以水平姿勢旋轉； 上述劃分板具有大於由上述基板保持部保持之基板之圓板形狀；且 於上述劃分板定義有俯視下包含該劃分板之中心且具有一半徑之圓形狀之中央區域、與俯視下包含該劃分板之外周端部且於上述劃分板之半徑方向具有與上述一半徑相等之寬度之圓環形狀之外周區域之情形時， 上述複數個貫通孔分散形成於上述劃分板； 形成於上述劃分板之上述外周區域之貫通孔之數量，大於形成於上述劃分板之上述中央區域之貫通孔之數量。
8. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板保持部構成為，於自上述噴嘴向上述基板供給處理液時，可使所保持之基板以水平姿勢旋轉； 上述劃分板具有大於由上述基板保持部保持之基板之圓板形狀； 上述劃分板之上述噴嘴開口與由上述基板保持部保持之基板之中央部分對向；且 於上述劃分板定義有俯視下以上述劃分板之中心為基準且包圍上述噴嘴開口之假想圓之情形時， 上述複數個貫通孔之一部分以遍及上述假想圓全體空出恆定或大致恆定之間隔排列之方式分散配置。
9. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述噴嘴包含雙流體噴嘴，該雙流體噴嘴向由上述基板保持部保持之基板噴射包含氣體與上述處理液之液滴之混合流體。
10. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中自上述噴嘴供給至上述基板之處理液包含有機溶劑。