TWI846696B - 毫米波相位陣列 - Google Patents

Abstract

一種使用積層製造技術(AMT)製成的波相位陣列。該波相位陣列包括一輻射器，支持該輻射器的一輻射器擴大部層，支持該輻射器擴大部層的一波束成形器，支持該波束成形器的一波束成形器擴大部層，與支持該波束成形器擴大部層的一基板支持層。該輻射器、該輻射器擴大部層、該波束成形器、該波束成形器擴大部層及該基板支持層中之至少一者至少部份用一AMT製程製成。

Description

毫米波相位陣列

本申請案主張下列文獻在U.S.C.第35條第119(e)項下的優先權權益：申請於2018年5月22日、標題為「MILLIMETER WAVE PHASED ARRAY」的美國臨時專利申請案序號62/674,868，其揭示內容全部併入本文作為參考資料。

本發明係有關於毫米波相位陣列。

可使用習知印刷電路板(PCB)製程來製造射頻(RF)及電磁電路。習知PCB製程可包括層疊、電鍍、遮罩、蝕刻及其他複雜的製程步驟，且可能需要多個步驟、昂貴及/或危險的材料，多次重複、密集的勞力等等，全都導致較高的成本及較慢的周轉時間。另外，習知PCB製程顧及小特徵尺寸的能力有限，例如傳輸線(例如，帶狀線)尺寸，電介質材料在導體之間的尺寸(例如，電介質厚度，通孔之間的間隔等等)，從而限制可由此類電路支持之最高頻率訊號的範圍。

輻射器設計目前採用標準PCB製程，如上述，其係依賴多個製程步驟，昂貴的材料，以及緩慢的周 期周轉時間。此外，難以可靠地生產小型化尺寸以用於約30+GHz之5G頻率的相位陣列。組件設計的先前嘗試也存在連接問題。

本揭示內容的一方面針對一種使用積層製造技術(AMT)製成的波相位陣列。在一具體實施例中，該波相位陣列包含一輻射器，支持該輻射器的一輻射器擴大部層(radiator dilation layer)，支持該輻射器擴大部層的一波束成形器，支持該波束成形器的一波束成形器擴大部層，與支持該波束成形器擴大部層的一基板支持層。該輻射器、該輻射器擴大部層、該波束成形器、該波束成形器擴大部層及該基板支持層中之至少一者至少部份用一AMT製程製成。

該波相位陣列的具體實施例可進一步包括該輻射器，其體現一螺旋狀天線。該輻射器可進一步包括包圍該螺旋狀天線之數條饋電線的一垂直發射件(vertical launch)。該輻射器可進一步包括設置於該等饋電線及該垂直發射件周圍的數個法拉第牆。可將該波相位陣列組配為可產生一電磁訊號，其具有在24GHz至75GHz之範圍內之一頻率。可將該波相位陣列組配為可產生一電磁訊號，其具有約30GHz之一頻率。該輻射器可具有約97密耳的厚度。該輻射器擴大部層可具有約23密耳的厚度。該波束成形器可具有約52密耳的厚度。該基板支持層可體現晶片及DC邏輯組件且可具有約6密耳的厚度。該波相位陣列可 具有約177密耳的總厚度。

本揭示內容的另一方面針對一種用於製造波相位陣列的AMT製程，該波相位陣列包括一輻射器，支持該輻射器的一輻射器擴大部層，支持該輻射器擴大部層的一波束成形器，支持該波束成形器的一波束成形器擴大部層，與支持該波束成形器擴大部層的一基板支持層。該製程的具體實施例可進一步包括下列中之至少一者：銑削、傳導油墨沉積、與在CAD控制下的疊層。

10:波相位陣列結構

20、30:示範波相位陣列結構

40、50:典型PCB接地通孔結構

60:輻射器

62:螺旋狀天線

64:印製垂直發射特徵

66:法拉第牆

70:波相位陣列方塊圖概念

80:示範波相位陣列結構

81:輻射器

82:輻射器擴大部層

83:波束成形器

84:波束成形器擴大部層

85:晶片及DC邏輯層

100:傳導螺旋狀天線

110:螺旋狀天線接地

120:饋電網路

130:饋電網路接地

140:輻射器擴大部層

150:輻射器擴大部跡線層

180:輻射器擴大部接地

190:波束成形器擴大部層

200:波束成形器擴大部接地

210:晶片佈局

220:螺旋狀輻射器

以下參考無意按比例繪製的附圖描述至少一個具體實施例的各種方面。納入附圖以提供圖解說明和各種方面及具體實施例的進一步了解，且併入本專利說明書且構成本專利說明書的一部份，但是非旨在作為本揭示內容之限制的定義。附圖中，圖示於各種圖表中之各個相同或幾乎相同的組件可用類似的元件符號表示。為了清晰起見，每個附圖沒有標示每一個組件。附圖中：圖1的平面圖圖示使用本揭示內容之一具體實施例之積層製造技術(AMT)製程製成的波相位陣列結構；圖2的平面圖圖示波相位陣列結構的次總成；圖3的平面圖圖示波相位陣列結構的組件；圖4的平面圖圖示典型的印刷電路板(PCB)接地通孔組態；圖5的透視圖圖示另一典型PCB接地通孔組態；圖6的透視圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相 位陣列結構；圖7示意圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列方塊圖概念；圖8的示意橫截面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列結構輪廓；圖9為圖示於圖8之波相位陣列結構輪廓的逐層描述；圖10的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構螺旋狀；圖11的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構螺旋狀接地；圖12的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構饋電網路；圖13的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構饋電網路接地；圖14的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構輻射器擴大部；圖15至圖17的視圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構擴大部跡線；圖18的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構輻射器擴大部接地；圖19的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構波束成形器擴大部；圖20的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構波束成形器擴大部接地； 圖21的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列架構晶片佈局；與圖22的平面圖圖示本揭示內容之一具體實施例的波相位陣列螺旋狀天線。

描述於此的方面及實施例提供在各種電路內用於包含及傳輸毫米波訊號的波相位陣列結構。描述於此的波相位陣列結構有效分配訊號電流同時維持特性阻抗且最小化訊號損失。描述於此的波相位陣列結構適於各種電路板製造，包括射頻電路具體實施例，且有利地應用減去及積層製造技術。此類技術可提供能夠包含及傳輸在微米波及毫米波範圍內之射頻訊號的結構，例如從28GHz到70GHz，且達300GHz以上。

描述於此的概念、系統及技術針對一種相位陣列天線，其係使用積層製造技術提供以便提供經組配為可產生毫米波訊號的相位陣列天線。

描述於此的製程可特別適於使用適當的減去(例如，機械加工、銑削、鑽孔、切割、衝印)且更重要的是積層(例如，填充、流動、3D列印)製造設備來製造具有物理小特徵的電路結構，其能夠支持例如在8至75GHz或以上且達300GHz或以上之範圍內的電磁訊號。根據描述於此之系統及方法的電磁電路結構可特別適於28至70GHz系統的應用，包括毫米波通訊、感測、測距等等。所描述的方面及具體實施例也可適於較低的頻率範圍，例如 S波段(2-4GHz)、X波段(8-12GHz)、或其他。

應瞭解，描述於此之方法及裝置的具體實施例不受限應用於在以下說明中提及或圖示於附圖之組件構造及配置的細節。該等方法及裝置能夠實作於其他具體實施例且可用不同的方式實施或實行。僅僅是為求圖解說明而在此提供特定實作的實施例且非旨在限制。再者，使用於此的片語及術語目的是為了說明且不應被視作限制。使用於本文的「包括」、「包含」、「具有」、「含有」、「涉及」及其變體意指涵蓋列於其後的項目及其等效物以及附加項目。「或」的引用可視為包括在內使得使用「或」描述的用語可指單一、一個以上及所有提及用語中之任一者。前後、左右、頂部及底部、上下、末端、側邊、垂直及水平等等旨在便於說明，而不是把本發明系統及方法或其組件限制在任一位置或空間方位。

使用於此的用語「射頻」非旨在限定於特定的頻率、頻率範圍、波段、頻譜等等，除非另有明示及/或以上下文具體明示。同樣，用語「射頻訊號」與「電磁訊號」可互換地使用且可指有各種適當頻率的訊號用於傳播攜載資訊的訊號用於任何特定實作。此類射頻訊號大體可以千赫(kHz)範圍的頻率低端為界，且以達數百吉赫(GHz)的頻率高端為界，且明確包括在微波或毫米波範圍內的訊號。一般而言，根據本文所述的系統及方法可適於處理頻率低於光學領域習知所處理的非游離輻射，例如，低於例如紅外線訊號的頻率。

可將射頻電路的各種具體實施例設計成有選定的尺寸及/或名義上製作成可以不同的頻率運作。可從一般電磁原理來選擇適當的尺寸且在此不予詳述。

描述於此的方法及裝置可支持比習知製程能力所及還小的配置及尺寸。習知電路板受限於約30GHz以下的頻率。描述於此的方法及裝置允許或收納使用較安全及較不複雜的製造技術且以較低的成本來製造有較小尺寸的電磁電路，其適於旨在以較高頻率來運作的射頻電路。

根據本文所述製成的電磁電路及方法包括各種積層及減去製造技術以製造能夠處理較高頻率的電磁電路及組件，且相較於習知電路及方法，有較低輪廓，以及有減少的成本、周期時間及設計風險。技術實施例包括機械加工(例如，銑削)基板表面的傳導材料以形成傳輸波相位陣列，它可顯著小於習知PCB製程所允許的尺寸，機械加工一或多個基板以形成一溝槽，使用3D列印技術以沉積被列印的傳導油墨於該溝槽中以形成一連續電性屏障(例如，法拉第牆)(而不是其間有最小間隔的一系列接地通孔)，藉由機械加工(例如，銑削、鑽孔或衝孔)穿過一部份基板且放置導體(例如，線段)及/或列印傳導油墨於其中的孔洞而形成的「垂直發射件」訊號路徑，致使與設置於基板(或相對基板)之表面上的傳輸線電性接觸，且使用3D列印技術以沉積被列印的電阻性油墨以形成電阻性組件。

可組合上述示範技術及/或其他(例如，焊接及/或焊料回流)中之任一者以製作各種電磁組件及/或電 路。描述及圖示於此的此類技術的方面及實施例係關於能在一維度包含且沿著電磁電路之一層和視需要在另一維度垂直穿過電路之其他層來傳輸電磁訊號的波相位陣列。描述於此的技術可用來形成各種電磁組件、連接器、電路、總成及系統。

請參考附圖，且更特別的是圖1，由積層製造技術(AMT)製成的波相位陣列結構大體以10標示。如下文所詳述的，AMT被用來減少成本及製造時間。可將該波相位陣列結構製造為可包括法拉第牆，垂直發射連接點，印製連接性(printed connectivity)，單一步驟銑削及填充，銑製銅傳輸線，以及傳導形狀的列印。例如，額外參考圖2及圖3，其圖示各自大體以20及30標示各有數個組件的示範波相位陣列結構，該波相位陣列結構從單一步驟原型設計製成以低成本實現有所欲位準的小型化。AMT製造技術允許用於30+GHz頻率的小型化特徵尺寸及低輪廓，減少波相位陣列特徵尺寸，且減少市售波相位陣列的製造成本。AMT技術進一步致能陣列輪廓(厚度)的小型化以在平台限制內裝配且用於提供特定應用之充分雷達帶寬的螺旋狀元件幾何。

如本文所使用的，AMT係指用來生產物件的製程、設備及材料。例如，AMT可包括用來生產三維物件的3D列印製程。可實作其他的製程，例如噴射、融合、擠壓、沉積及疊層製程。決定可實行那個製程的因子包括但不限於生產速度、成本、材料的用途和幾何限制。

請參考圖4及圖5，其圖示各自大體以40及50標示的典型PCB接地通孔結構，30GHz相位陣列在市上大體買不到，因為此類陣列由於當前的電蝕刻製程限制而不實用。此類市售波相位陣列都使用標準PCB製程製成，其需要多個製程步驟而增加成本及周期時間且限制特徵尺寸及精確度。多步驟製程為基於陸地及太空之相位陣列兩者的顯著成本驅動因子。傳導通孔使用用於模式抑制及調諧，這需要較高密度的接地通孔場。接地通孔場及圍籬大體無效，且造成射頻(RF)電路之間的洩漏或耦合。這引起複雜的規則以維持適當的RF隔離且產生長期有風險的開發周期。

請參考圖6，使用AMT技術製成的輻射器大體以60標示。如圖示，輻射器60包括有2至3密耳跡線寬度的小型化特徵與有80密耳之最大深度的垂直過渡通孔。該輻射器包括螺旋狀天線62以提供有3GHz雷達帶寬及優良掃描效能的圓極化。在圖示實施例中，所有輻射器邊界條件使用在高電流區及小幾何特徵中有高導電係數銅的AMT製程。輻射器60包括印製垂直發射特徵64與數個法拉第牆66。

在一具體實施例中，輻射器60的螺旋狀天線62包括耦合至饋電電路部份的螺旋狀天線部份。該螺旋狀天線部份包括有設置或以其他方式形成於天線基板表面上之兩個或多個螺旋狀導體的天線基板。各螺旋狀導體有界定螺旋狀之內徑的內端與界定螺旋狀之外徑的外端。應瞭 解，取決於螺旋狀天線的特定類型，可改變在螺旋狀上之不同點的間隔及寬度。

輻射器60的垂直發射特徵64設置在帶狀線饋電電路基板的第一接地平面與天線基板的表面之間且包圍(亦即，環繞)垂直發射饋電線。在數個較佳具體實施例中，提供有實心形狀的垂直發射特徵64。在數個具體實施例中，有可能提供有間隙、或其他形式之開口裝設於其中的牆。在數個具體實施例中，該垂直發射特徵的一端與饋電電路接地平面電性接觸，且該垂直發射特徵的第二對端延伸穿過天線基板，但是不延伸到天線基板表面。

在數個具體實施例中，法拉第牆66可能與或不與第二接地平面實體接觸。此一傳導法拉第牆66侷限電場以從而提供隔離與模式抑制。垂直發射特徵64與法拉第牆66從而用作垂直發射隔離及模式抑制結構且藉此協助提供有所欲天線工作特性的螺旋狀天線62。

在某些具體實施例中，數個天線元件可群組在一起成為子陣列且以相位受控的方式一起被饋電以產生比任何單一天線元件大的天線波束特性。波束成形器可包括一波束端口與複數個元件端口。在發送模式中，將會被發送的訊號施加至波束端口且由波束成形器分配給各種元件端口。在接收模式中，組合被天線元件接收且以導向方式耦合至元件端口的非導向電磁訊號(unguided electromagnetic signal)以在波束成形器的波束端口處產生波束訊號。

請參考圖7，波相位陣列方塊圖概念大體以70標示。如圖示，陣列方塊圖概念70羅列由該等陣列組件組成的邏輯組織。該陣列方塊圖概念的階層結構包括用作陣列構建區塊的面板，用作面板構建區塊的子陣列，與用作最小功能單元的晶胞(unit cell)。在一概念模型中，波相位陣列方塊圖概念70經組配為可包括：單圓極化，交換Tx/Rx路徑，半雙工陣列運算，晶胞相位及振幅控制，與8x8子陣列構建區塊。

請參考圖8，示範波相位陣列結構輪廓大體以80標示。如圖示，結構80包括輻射器81，輻射器擴大部層82，波束成形器83，波束成形器擴大部層84，與晶片及DC邏輯層85。結構80的構成部件圖示於圖9。在一具體實施例中，輻射器81有97.1密耳的厚度，輻射器擴大部82有22.7密耳的厚度，波束成形器83有51.7密耳的厚度，與有時被稱為基板支持層的晶片及DC邏輯層85有5.7密耳的厚度。

在圖示具體實施例中，輻射器81包括(a)由0.7密耳厚之銅製成的傳導螺旋狀天線(輻射器)，(b)購自Rogers公司型號為73密耳厚之RT/Duroid 5880(PTFE/Glass)的輻射器饋電基板，(c)由0.7密耳厚之銅製成的輻射器饋電接地，(d)購自Rogers公司型號為3001之1密耳厚接合薄膜的輻射器接合薄膜，(e)購自Rogers公司型號為10密耳厚之RO3003(陶瓷/PTFE)的輻射器基板上層，(f)購自Rogers公司型號為3001之1密耳厚 接合薄膜的輻射器接合薄膜，(g)購自Rogers公司型號為RO3003(陶瓷/PTFE)的輻射器基板下層，與(h)由0.7密耳厚之銅製成的輻射器接地。該輻射器的總厚度為97.1密耳厚。

在圖示具體實施例中，輻射器擴大部層82包括(a)購自Rogers公司型號為3001之1密耳厚接合薄膜的擴大部接合薄膜，(b)購自Rogers公司型號為10密耳厚之RT/Duroid 6006(陶瓷/PTFE)的擴大部基板上層，(c)購自Rogers公司型號為3001之1密耳厚接合薄膜的擴大部接合薄膜，(d)購自Rogers公司型號為10密耳厚之RT/Duroid 6006(陶瓷/PTFE)的擴大部基板下層，與(e)由0.7密耳厚之銅製成的擴大部接地。該擴大部層的總厚度為22.7密耳厚。

在圖示具體實施例中，波束成形器83包括(a)購自Rogers公司型號為3001之1密耳厚接合薄膜的波束成形器接合薄膜，(b)購自Taconic公司型號為CER10(陶瓷/PTFE)的波束成形器基板，與(c)由0.7密耳厚之銅製成的波束成形器接地。波束成形器83包括波束成形器擴大部層84的總厚度為51.7密耳厚。

在圖示具體實施例中，晶片及DC邏輯層85包括(a)購自Rogers公司型號為3001之1密耳厚接合薄膜的DC及邏輯接合薄膜，(b)由4密耳厚強化玻璃環氧樹脂疊層材料(FR-4)製成的DC及邏輯基板，與(c)由0.7密耳厚之銅製成的DC及邏輯跡線層。該DC及邏輯層的總厚度為5.7 密耳厚。

因此，波相位陣列結構80的總厚度為177.2密耳厚。此外，藉由採用揭露於此的各種技術及方法，可減少波相位陣列結構的厚度、複雜度及成本。

請參考圖10，該輻射器的傳導螺旋狀天線大體以100標示。在一具體實施例中，輻射器100包括螺旋狀導體，中央饋電傳輸線，與以空腔幾何提供的電路分配。可輕易實作其他的輻射器設計。

請參考圖11，該螺旋狀天線接地大體以110標示。可採用有開路終端的阿基米德或等角螺旋狀幾何。

請參考圖12，該饋電網路大體以120標示。該饋電電路引進阻抗匹配且使該電路傳遞到該等主動組件。

請參考圖13，該饋電網路接地大體以130標示。

請參考圖14，該輻射器擴大部層大體以140標示。

請參考圖15至圖17，該輻射器擴大部跡線層以150標示。

請參考圖18，該輻射器擴大部接地大體以180標示。

請參考圖19，該波束成形器擴大部層大體以190標示。

請參考圖20，該波束成形器擴大部接地大體 以200標示。該擴大部電路使用一般傳輸線理論從該輻射器轉移到該主動電路幾何。

請參考圖21，該晶片佈局大體以210標示。

請參考圖22，該波相位陣列天線有各以220標示的複數個螺旋狀輻射器。在一具體實施例中，螺旋狀輻射器220彼此隔開5.18毫米(中心至中心距離)。在60度錐形掃描體積及單圓極化下，該天線經組配為可在24-28GHz工作波段中運作。該陣列包含由輻射元件及主動組件構成的網格。網格幾何遵循一般理論，且可為方形、矩形、三角形、或這些幾何形狀的變體。

根據描述於此之方面及具體實施例使用積層製造技術的電磁電路及方法允許可進一步電性耦合至接地平面的電性連續法拉第邊界。因此，提供及設置垂直穿過一或多個基板的電性連續結構，(例如，在基板的相對表面之間)以形成侷限電磁場的「法拉第牆」。在各種具體實施例中，此類法拉第牆可電性耦合兩個或多個接地平面。進一步在各種具體實施例中，此類法拉第牆可侷限及隔離電磁場和鄰近的電路組件。在一些具體實施例中，此類法拉第牆可強加邊界條件以限制電磁訊號成為局部橫向電磁(TEM)場，例如，把訊號傳播限制在TEM模式。

在各種具體實施例中，可用各種次序實行各種減去(機械加工、銑削、鑽孔)、積層(列印、填充)、以及黏附(黏結)步驟，以及視實際需要的焊接及回流運作，以形成有一或任意多個基板層的電磁電路，如本文所述， 它可包括一或多個法拉第邊界。

用於製作各種電磁電路中之任一者的廣義方法包括：銑削設置於一基板上的一傳導材料以形成數個電路特徵。該方法可包括列印(或沉積，例如，經由3D列印，積層製造技術)數個附加電路特徵，例如由電阻性油墨形成的電阻器，例如。該方法可包括視實際需要沉積焊料於任何特徵上。該方法也可包括銑穿(或鑽穿)基板材料(及/或傳導材料)以形成數個開口，例如空穴或溝槽，且包括沉積或列印(例如，經由3D列印，積層製造技術)傳導材料(例如，傳導油墨或配線導體)於空穴/溝槽中，例如，以形成法拉第牆或垂直訊號發射件(例如，銅)。對於給定電路設計，視實際需要，這些步驟中之任一者可用不同的次序完成、重覆或省略。在一些具體實施例中，多個基板可能涉及電磁電路的製造，且該方法包括視實際需要黏結更多基板，更多銑削及填充運作，以及更多焊接及/或回流運作。

此外，根據描述於此之方法製成的電磁電路收納較不昂貴且較快的原型設計，而不需要腐蝕性的化學物、遮罩、蝕刻、電鍍等等。有設置於一或兩個表面(側面)上之預鍍傳導材料的簡單基板可形成核心起始材料(core starting material)，且形成電磁電路的所有元件可藉由銑削(減去、鑽孔)、填充(積層、列印傳導及/或電阻性油墨)、以及黏結一或多個基板。簡單的焊料回流運作與簡單導體(例如，銅配線)的***都被描述於此的方法及系統收納。

此外，根據描述於此之方法製成的電磁電路 可收納在非平面表面上的佈署或設計要求。使用如本文所述之銑削、填充及黏結技術製成如本文或其他所述的薄低輪廓電磁電路以生產有任何所欲外形的電磁電路，以黏附於表面(例如，車輛)，或支持複雜的陣列結構，例如。

此外，用描述於此之方法生產的波相位陣列可達成5G頻率，且使用積層及其他新穎技術使得在5G頻率的低損耗效能成為有可能。5G波相位陣列不依賴習知PWB製造，因此尺寸不受限於PWB製程。結果，可製造低成本的波相位陣列。

因此，儘管已經描述了至少一具體實施例的數個方面，然而應瞭解，熟諳此藝者明白仍有各種變更、修改及改良。此類變更、修改及改良旨在成為本揭示內容的一部份且旨在本揭示內容的範疇內。因此，前述說明及圖示僅為範例。

10:波相位陣列結構

Claims (17)

1. 一種使用積層製造技術(AMT)製成的波相位陣列，該波相位陣列包含：一輻射器，其包括一螺旋狀天線；支持該輻射器的一輻射器擴大部層；支持該輻射器擴大部層的一波束成形器；支持該波束成形器的一波束成形器擴大部層；與支持該波束成形器擴大部層的一基板支持層，其中，該輻射器、該輻射器擴大部層、該波束成形器、該波束成形器擴大部層及該基板支持層中之至少一者係用一AMT製程製成；並且其中，該輻射器進一步包括包圍用於該螺旋狀天線之數條饋電線的一垂直發射件以及設置於該等饋電線及該垂直發射件周圍的數個法拉第牆。
2. 如請求項1之波相位陣列，其中，該波相位陣列經組配為可產生一電磁訊號，其具有在24GHz至75GH之範圍內的一頻率。
3. 如請求項1之波相位陣列，其中，該波相位陣列經組配為可產生一電磁訊號，其具有約30GHz之一頻率。
4. 如請求項1之波相位陣列，其中，該輻射器有約97密耳的一厚度。
5. 如請求項4之波相位陣列，其中，該輻射器擴大部層有約23密耳的一厚度。
6. 如請求項5之波相位陣列，其中，該波束成形器有約52密耳的一厚度。
7. 如請求項6之波相位陣列，其中，該基板支持層體現為晶片及DC邏輯組件且有約6密耳的一厚度。
8. 如請求項1之波相位陣列，其中，該波相位陣列有約177密耳的一總厚度。
9. 如請求項1之波相位陣列，其中，該中該輻射器、該輻射器擴大部層、該波束成形器、該波束成形器擴大部層、及該基板之至少一者係藉由以銑削來移除材料以製成一空穴並沉積傳導油墨以填充該空穴來產生。
10. 一種用於製造請求項1之波相位陣列之積層製造技術(AMT)製程，該波相位陣列包括一輻射器，支持該輻射器的一輻射器擴大部層，支持該輻射器擴大部層的一波束成形器，支持該波束成形器的一波束成形器擴大部層，與支持該波束成形器擴大部層的一基板支持層。
11. 如請求項10之製程，其中，製程步驟包括下列中之至少一者：銑削、傳導油墨沉積、與在CAD控制下的疊層。
12. 如請求項10之製程，其中，該波相位陣列經組配為可產生一電磁訊號，其具有在24GHz至75GH之範圍內的一頻率。
13. 如請求項10之製程，其中，該波相位陣列經組配為可產生一電磁訊號，其具有約30GHz之一頻率。
14. 如請求項10之製程，其中，該輻射器有約 97密耳的一厚度。
15. 如請求項14之製程，其中，該輻射器擴大部層有約23密耳的一厚度。
16. 如請求項15之製程，其中，該波束成形器有約52密耳的一厚度。
17. 如請求項16之製程，其中，該基板支持層體現為晶片及DC邏輯組件且有約6密耳的一厚度。