TWI842532B - 顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種顯示面板包括第一基板、第二基板、第一畫素結構、第二畫素結構、液晶層及第一遮光圖案。第一畫素結構與第二畫素結構沿著第一方向排列在第一基板上，且各自包括反射電極。第一畫素結構的反射電極與第二畫素結構的反射電極間設有第一間隙。第一間隙在第二方向上延伸。液晶層具有重疊於第一畫素結構的反射電極的第一部分與重疊於第二畫素結構的反射電極的第二部分。第一部分與第二部分分別具有不相同的第一厚度與第二厚度。第一遮光圖案的光學密度大於3。第一間隙在第一基板上的正投影位在第一遮光圖案在第一基板上的正投影內。
Description
本發明是有關於一種顯示技術，且特別是有關於一種顯示面板。
響應節能需求，一種全反射式、微穿透式或半穿透半反射式的液晶顯示面板被提出。這類的顯示面板大都配置有反射電極來反射外部自然光或環境光以達到顯示的目的。由於不需要經由背光照明即可進行顯示，使其具有良好的節能特性。因此，常應用在戶外或光線充足的場域，例如廣告看板、電子標籤、運動手錶等。為了滿足彩色顯示與高反射率的需求，一種具有至少兩種液晶層膜厚的顯示面板被提出。然而，在這類顯示面板的製造過程中，液晶層厚度的量測會因為液晶層膜厚並非單一設計值而造成量測機台不易判定，導致監控品質下降。
本發明提供一種顯示面板，其液晶層的厚度量測較為準確。
本發明的顯示面板包括第一基板、第二基板、第一畫素結構、第二畫素結構、液晶層及第一遮光圖案。第一基板與第二基板重疊設置。第一畫素結構與第二畫素結構沿著第一方向排列在第一基板上，且各自包括反射電極。第一畫素結構的反射電極與第二畫素結構的反射電極之間設有第一間隙。第一間隙在第二方向上延伸。第一方向與第二方向相交。液晶層設置在第一基板與第二基板之間，且具有第一部分與第二部分。第一部分重疊於第一畫素結構的反射電極。第二部分重疊於第二畫素結構的反射電極。第一部分與第二部分分別具有第一厚度與第二厚度。第一厚度不同於第二厚度。第一遮光圖案重疊第一間隙設置。第一遮光圖案的光學密度大於3。第一間隙在第一基板上的正投影位在第一遮光圖案在第一基板上的正投影內。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括第一資料線與第二資料線，分別電性連接第一畫素結構與第二畫素結構。第一間隙與第一遮光圖案的延伸方向平行於第一資料線與第二資料線的延伸方向。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的第一遮光圖案、第一資料線與第二資料線形成在同一金屬層。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括另一第二畫素結構與第二遮光圖案。第二畫素結構與另一第二畫素結構沿著第二方向排列。第二畫素結構的反射電極與另一第二畫素結構的反射電極之間設有第二間隙。第二間隙在第一方向上延伸。第二遮光圖案重疊第二間隙設置，且其光學密度大於3。第二間隙在第一基板上的正投影位在第二遮光圖案在第一基板上的正投影內。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括掃描線，電性連接第一畫素結構與第二畫素結構。第二間隙與第二遮光圖案的延伸方向平行於掃描線的延伸方向。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的掃描線與第二遮光圖案形成在同一金屬層。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括與第一畫素結構沿著第二方向排列的另一第一畫素結構。第一畫素結構的反射電極與另一第一畫素結構的反射電極之間設有第三間隙。第三間隙的延伸方向平行於掃描線的延伸方向。顯示面板適於接收來自第一基板一側的量測光束。部分量測光束適於通過第三間隙，且第一遮光圖案與第二遮光圖案適於遮擋另一部分量測光束。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的第一畫素結構與第二畫素結構各自還包括主動元件、電容電極及共電極。主動元件電性連接反射電極。電容電極自主動元件的汲極延伸而出，並且電性連接反射電極。共電極設置在電容電極與反射電極之間，且重疊於電容電極。第一遮光圖案與共電極形成在同一金屬層。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括另一第二畫素結構與第二遮光圖案。第二畫素結構與另一第二畫素結構沿著第二方向排列，且第二畫素結構與另一第二畫素結構之間設有第二間隙。第二間隙在第一方向上延伸。第二遮光圖案重疊第二間隙設置。第二間隙在第一基板上的正投影位在第二遮光圖案在第一基板上的正投影內，且第二遮光圖案與共電極形成在同一金屬層。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的第一畫素結構與第二畫素結構各自還包括主動元件、電容電極及共電極。主動元件電性連接反射電極。電容電極自主動元件的汲極延伸而出，並且電性連接反射電極。共電極設置在電容電極與第一基板之間，且重疊於電容電極。第一遮光圖案的材料包括不透光絕緣材料，且位在第一基板與共電極之間。
基於上述，在本發明的一實施例的顯示面板中，液晶層在重疊於第一畫素結構與第二畫素結構的兩個部分分別具有不同的厚度，且這兩個畫素結構的反射電極間設有間隙。利用遮光圖案遮擋所述間隙，能讓顯示面板在進行液晶層的厚度監控時取得較為準確的量測結果。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是依照本發明的第一實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖2是圖1的顯示面板的剖視示意圖。圖2對應於圖1的剖線A-A’處。為清楚呈現起見，圖1僅繪示出圖2的第一基板101、畫素結構、資料線、掃描線GL、遮光圖案、鈍化層120及披覆層130。
請參照圖1及圖2，顯示面板10包括第一基板101、第二基板102、第一畫素結構PX1、第二畫素結構PX2及液晶層150。第一基板101與第二基板102沿著方向Z彼此重疊設置。液晶層150設置在第一基板101與第二基板102之間。先說明的是，以下若未特別提及，則兩構件的重疊方向都是以方向Z來界定，便不再個別地贅述。
雖然圖1僅繪示出顯示面板10的部分第一畫素結構PX1與部分第二畫素結構PX2，但可理解的是，顯示面板10的第一畫素結構PX1與第二畫素結構PX2各自的數量可以是多個。舉例來說，在本實施例中，多個第一畫素結構PX1可沿著方向Y排成多個第一畫素行，並且沿著方向X彼此間隔排列。多個第二畫素結構PX2可沿著方向Y排列排成多個第二畫素行，並且沿著方向X彼此間隔排列。所述多個第一畫素行與所述多個第二畫素行可沿著方向X交替排列在第一基板101上。在本實施例中，方向X、方向Y與方向Z可彼此垂直，但不限於此。
在本實施例中，第一基板101上還可設有多條第一資料線DL1、多條第二資料線DL2與多條掃描線GL。第一資料線DL1與第二資料線DL2可沿著方向X交替排列，並且分別電性連接第一畫素結構PX1與第二畫素結構PX2。這些掃描線GL可沿著方向Y排列，並且電性連接多個第一畫素結構PX1與多個第二畫素結構PX2。從另一觀點來說，多條第一資料線DL1、多條第二資料線DL2及多條掃描線GL的排列可定義出多個第一畫素區與多個第二畫素區，多個第一畫素結構PX1對應所述多個第一畫素區設置，而多個第二畫素結構PX2對應所述多個第二畫素區設置。
詳細而言，第一畫素結構PX1可包括主動元件T、電容電極CPE1、共電極CE1、共電極CE2與反射電極RE1。形成主動元件T的方法可包括但不限以下步驟：於第一基板101上依序形成閘極GE、絕緣層110、半導體圖案SC以及源極SE與汲極DE。半導體圖案SC可作為主動元件T的通道層，源極SE和汲極DE分別電性連接半導體圖案SC的不同兩區。
半導體圖案SC的材料可包括非晶矽半導體、單晶矽半導體、多晶矽半導體、或金屬氧化物半導體。在本實施例中，主動元件T例如是非晶矽薄膜電晶體(amorphous silicon thin film transistor，a-Si TFT)，但不以此為限。在其他實施例中，主動元件T也可以是多晶矽薄膜電晶體(polycrystalline silicon TFT，poly-Si TFT)或金屬氧化物半導體薄膜電晶體(metal oxide semiconductor TFT)。在本實施例中，閘極GE可選擇性地設置在半導體圖案SC的下方(即位在第一基板101與半導體圖案SC之間)，以形成底部閘極型薄膜電晶體(bottom-gate thin-film-transistor)，但不以此為限。在其他實施例中，閘極GE也可設置在半導體圖案SC的上方，以形成頂部閘極型薄膜電晶體(top-gate thin-film-transistor)。絕緣層110例如是閘絕緣層，且其材料可包括氧化矽、氮化矽或是其他合適的介電材料。
舉例來說，主動元件T的閘極GE可以是自掃描線GL延伸出的部分所構成，主動元件T的源極SE可以是自資料線(例如第一資料線DL1或第二資料線DL2)延伸出的部分所構成，但不限於此。在本實施例中，掃描線GL與閘極GE可形成在第一金屬層，第一資料線DL1、第二資料線DL2、主動元件T的源極SE與汲極DE可形成在第二金屬層。所述第一金屬層與所述第二金屬層的材料可包括金屬(例如鉬、鋁、銅、鎳、鉻)、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。
在本實施例中，所述第一金屬層還形成有共電極CE1，所述第二金屬層還形成有電容電極CPE1。更具體地，電容電極CPE1可自主動元件T的汲極DE延伸而出，並且重疊共電極CE1設置以形成第一畫素結構PX1的第一儲存電容器(storage capacitor)。另一方面，電容電極CPE1在背離共電極CE1的一側設有共電極CE2，且共電極CE2與電容電極CPE1之間設有鈍化層120。共電極CE2重疊電容電極CPE1設置，以形成第一畫素結構PX1的第二儲存電容器。
在本實施例中，共電極CE2例如是形成在透明導電層的光穿透式電極，透明導電層的材料可包括金屬氧化物(例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層)，但不以此為限。鈍化層120的材料例如包括氮化矽、氧化矽或氧化鋁，但不以此為限。
進一步而言，共電極CE2背離第一基板101的一側覆蓋有披覆層130，而披覆層130上設有反射電極RE1。亦即，披覆層130位在反射電極RE1與共電極CE2之間，且共電極CE2位在反射電極RE1與電容電極CPE1之間。特別說明的是，反射電極RE1與共電極CE2的重疊關係可形成第一畫素結構PX1的第三儲存電容器。在本實施例中，第一畫素結構PX1的總儲存電容器可以是前述的第一儲存電容器、第二儲存電容器與第三儲存電容器並聯而成，但不限於此。
披覆層130例如是有機絕緣層，其材料可包括聚酯類、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其它合適的材料、或上述之組合。另一方面，反射電極RE1例如是形成在第三金屬層，所述第三金屬層的材料可包括金屬(例如鉬、鋁、銅、鎳、鉻)、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。
相似地，第二畫素結構PX2可包括主動元件T、電容電極CPE2、共電極CE1、共電極CE2與反射電極RE2。由於第二畫素結構PX2的主動元件T的組成與配置以及電容電極CPE2、共電極CE1、共電極CE2與反射電極RE2的組成與配置關係都相似於第一畫素結構PX1，其詳細說明請參見前述針對第一畫素結構PX1說明的相關段落，於此便不再重述。
特別說明的是，在本實施例中，前述形成有共電極CE2的透明導電層還可包括導電圖案CP1與導電圖案CP2，且導電圖案CP1與導電圖案CP2電性獨立於共電極CE2。詳細地，導電圖案CP1設置在鈍化層120上，並且經由鈍化層120的接觸孔TH1與電容電極CPE1電性接觸。導電圖案CP2設置在鈍化層120上，並且經由鈍化層120的接觸孔TH2與電容電極CPE2電性接觸。披覆層130可具有分別顯露出導電圖案CP1與導電圖案CP2的開口130h1與開口130h2。第一畫素結構PX1的反射電極RE1可經由披覆層130的開口130h1電性接觸導電圖案CP1。第二畫素結構PX2的反射電極RE2可經由披覆層130的另一開口130h2電性接觸導電圖案CP2。亦即，第一畫素結構PX1的反射電極RE1可經由導電圖案CP1電性連接電容電極CPE1，第二畫素結構PX2的反射電極RE2可經由導電圖案CP2電性連接電容電極CPE2。
進一步而言，第二基板102上可設有彩色濾光層160，其可包括重疊第一畫素結構PX1設置的第一濾光圖案161以及重疊第二畫素結構PX2設置的第二濾光圖案162。第一濾光圖案161適於讓第一光束(未繪示)通過，第二濾光圖案162適於讓第二光束(未繪示)通過，且所述第一光束的顏色不同於所述第二光束的顏色。在本實施例中，所述第一光束可以是白光，而所述第二光束可以是紅光，但不限於此。
為了優化所述第一光束與所述第二光束分別經由反射電極RE1與反射電極RE2反射後的最大出光效率，液晶層150在重疊於第一畫素結構PX1的反射電極RE1與第二畫素結構PX2的反射電極RE2的兩個部分各自具有不同的厚度。舉例來說，在本實施例中，液晶層150在重疊於反射電極RE1的第一部分150P1具有第一厚度t1，液晶層150在重疊於反射電極RE2的第二部分150P2具有第二厚度t2，且第一厚度t1可小於第二厚度t2，但不限於此。
在本實施例中，彩色濾光層160與液晶層150之間還設有披覆層180。舉例來說，為了讓液晶層150的上述兩個部分各自具有不同的厚度，披覆層180在重疊於反射電極RE1與反射電極RE2的兩個部分可各自具有不同的膜厚(如圖2所示)，但不限於此。
應注意的是，在本實施例中，第一畫素結構PX1的反射電極RE1與第二畫素結構PX2的反射電極RE2之間設有在方向Y上延伸的第一間隙G1。第二畫素結構PX2的反射電極RE2與另一個相鄰的第二畫素結構PX2的反射電極RE2之間設有第二間隙G2。在本實施例中，第一間隙G1例如是在方向Y上延伸，而第二間隙G2例如是在方向X上延伸。
在本實施例的液晶層150的厚度量測過程中，量測光束LB是從第一基板101的一側入射顯示面板10。由於第一間隙G1重疊於液晶層150的第一部分150P1與第二部分150P2的相接處，在液晶層150的第一部分150P1的第一厚度t1的量測過程中，液晶層150在這兩部分的相接處的厚度變化會影響其厚度的量測準確性。此外，在本實施例中，與第二間隙G2重疊的液晶層150的第二部分150P2並非厚度監控的對象，倘若量測光束LB經由第二間隙G2照射到液晶層150的第二部分150P2，則勢必影響到第一部分150P1的厚度量測結果。
為了在進行液晶層150的厚度(例如第一部分150P1的第一厚度t1)監控時取得較為準確的量測結果，在前述第一間隙G1處可重疊設置遮光圖案LBP1以遮擋量測光束LB2，而在前述第二間隙G2處可重疊設置遮光圖案LBP2以遮擋量測光束LB3。較佳地，遮光圖案LBP1與遮光圖案LBP2各自的光學密度(optical density)大於3。
在本實施例中，第一間隙G1與遮光圖案LBP1的延伸方向大致上可平行於第一資料線DL1與第二資料線DL2的延伸方向，而第二間隙G2與遮光圖案LBP2的延伸方向大致上可平行於掃描線GL。為了取得最佳的遮擋效果，第一間隙G1在第一基板101上的正投影位在遮光圖案LBP1在第一基板101上的正投影內，第二間隙G2在第一基板101上的正投影位在遮光圖案LBP2在第一基板101上的正投影內。
如此一來，僅照射在液晶層150的第一部分150P1的量測光束LB不會被第一基板101上的各個金屬層所遮擋。例如：第一畫素結構PX1的反射電極RE1與另一個相鄰的第一畫素結構PX1的反射電極RE1之間設有第三間隙G3，此第三間隙G3的延伸方向平行於掃描線GL的延伸方向。由於第三間隙G3僅重疊於液晶層150的第一部分150P1，在第三間隙G3處並未重疊設置任何的遮光圖案。也就是說，量測光束LB1適於通過第三間隙G3並且照射在液晶層150的第一部分150P1上，以進行厚度的量測與監控。
舉例來說，在本實施例中，遮光圖案LBP1可形成在前述第二金屬層，亦即遮光圖案LBP1、第一資料線DL1、第二資料線DL2可形成在同一金屬層，但不限於此。另一方面，遮光圖案LBP2可形成在前述第一金屬層，亦即遮光圖案LBP2、共電極CE1、掃描線GL可形成在同一金屬層，且遮光圖案LBP2例如是由共電極CE1延伸出的部分所構成，但不限於此。
特別說明的是，在本實施例中，第一畫素結構PX1的反射電極RE1重疊第一資料線DL1與掃描線GL，第二畫素結構PX2的反射電極RE2重疊第二資料線DL2與掃描線GL。為了增加反射電極RE1與反射電極RE2所在區域的表面平整度，進而確保液晶層150在反射區內的厚度均勻性以提升反射電極的整體反射效率，顯示面板10還可選擇性地設有虛設金屬圖案DMP1、虛設金屬圖案DMP2與虛設金屬圖案DMP3。虛設金屬圖案DMP1可重疊共電極CE1與共電極CE2設置，虛設金屬圖案DMP2與虛設金屬圖案DMP3可重疊掃描線GL設置。在本實施例中，這些虛設金屬圖案可形成在前述第二金屬層，且電性獨立於電容電極CPE1、電容電極CPE2、資料線、主動元件T的源極SE與汲極DE。更具體地說，這些虛設金屬圖案各自可具有浮置(floating)電位，但不限於此。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。
圖3是依照本發明的第二實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖4是圖3的顯示面板的剖視示意圖。圖4對應於圖3的剖線B-B’處。為清楚呈現起見，圖3僅繪示出圖4的第一基板101、畫素結構、資料線、掃描線GL、遮光圖案、鈍化層120、鈍化層125及披覆層130A。
請參照圖3及圖4，本實施例的顯示面板10A與圖1及圖2的顯示面板10的主要差異在於：遮光圖案的設置膜層不同。具體而言，不同於圖1的共電極CE2是形成在透明導電層，且其反射電極RE1與反射電極RE2是形成在第三金屬層，本實施例的共電極CE2-A是形成在第三金屬層，且第一畫素結構PX1-A的反射電極RE1-A與第二畫素結構PX2-A的反射電極RE2-A是形成在第四金屬層。
在本實施例中，第二金屬層(例如包括資料線、電容電極CPE1與電容電極CPE2)與第三金屬層(例如包括共電極CE2-A)之間設有鈍化層120，而顯示面板10A在第三金屬層與透明導電層(例如包括導電圖案CP1-A與導電圖案CP2-A)之間還設有另一鈍化層125。更具體地說，本實施例的第三金屬層夾設在鈍化層120與鈍化層125之間。透明導電層是設置在鈍化層125上，且所述透明導電層與所述第四金屬層之間設有披覆層130A。
在本實施例中，導電圖案CP1-A可經由鈍化層120與鈍化層125的接觸孔TH1”與共電極CE2-A的開孔OP1電性接觸電容電極CPE1，而導電圖案CP2-A可經由鈍化層120與鈍化層125的接觸孔TH2”與共電極CE2-A的開孔OP2電性接觸電容電極CPE2。第一畫素結構PX1-A的反射電極RE1-A經由披覆層130A的開口130h1電性接觸導電圖案CP1-A，而第二畫素結構PX2-A的反射電極RE2-A經由披覆層130A的開口130h2電性接觸導電圖案CP2-A。
特別注意的是，在本實施例中，遮光圖案LBP1-A、遮光圖案LBP2-A與共電極CE2-A可形成在同一金屬層(例如第三金屬層)，但不限於此。另一方面，在本實施例中，所述第三金屬層還形成有多個虛設金屬圖案DMP5，這些虛設金屬圖案DMP5分別重疊多個畫素結構的多個主動元件T設置(如圖1所示)。據此，可提升畫素結構的反射電極所在區域的表面平整度，進而確保液晶層150在反射區內的厚度均勻性以提升反射電極的整體反射效率。
圖5是依照本發明的第三實施例的顯示面板的剖視示意圖。請參照圖5，本實施例的顯示面板10B與圖2的顯示面板10的差異僅在於：部分遮光圖案的設置膜層不同。具體地，在本實施例的顯示面板10B中，用來遮擋量測光束LB3通過第二間隙G2的遮光圖案LBP2-B是形成在不透光絕緣材料層，且所述不透光絕緣材料層是位在第一基板101與共電極CE1(或第一金屬層)之間。舉例來說，所述不透光絕緣材料層的材料可包括黑色樹脂、或其他摻雜碳黑的光阻材料。
綜上所述，在本發明的一實施例的顯示面板中，液晶層在重疊於第一畫素結構與第二畫素結構的兩個部分分別具有不同的厚度，且這兩個畫素結構的反射電極間設有間隙。利用遮光圖案遮擋所述間隙，能讓顯示面板在進行液晶層的厚度監控時取得較為準確的量測結果。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的範圍。
10、10A、10B:顯示面板
101:第一基板
102:第二基板
110:絕緣層
120、125:鈍化層
130、130A、180:披覆層
130h1、130h2:開口
150:液晶層
150P1:第一部分
150P2:第二部分
160:彩色濾光層
161、162:濾光圖案
CE1、CE2、CE2-A:共電極
CP1、CP2、CP1-A、CP2-A:導電圖案
CPE1、CPE2:電容電極
DE:汲極
DL1、DL2:資料線
DMP1、DMP2、DMP3、DMP5:虛設金屬圖案
G1、G2、G3:間隙
GE:閘極
GL:掃描線
LB、LB1、LB2、LB3:量測光束
LBP1、LBP2、LBP1-A、LBP2-A、LBP2-B:遮光圖案
OP1、OP2:開孔
PX1、PX2、PX1-A、PX2-A:畫素結構
RE1、RE2、RE1-A、RE2-A:反射電極
SC:半導體圖案
SE:源極
T:主動元件
t1:第一厚度
t2:第二厚度
TH1、TH2、TH1”、TH2”:接觸孔
X、Y、Z:方向
A-A’、B-B’:剖線
圖1是依照本發明的第一實施例的顯示面板的俯視示意圖。
圖2是圖1的顯示面板的剖視示意圖。
圖3是依照本發明的第二實施例的顯示面板的俯視示意圖。
圖4是圖3的顯示面板的剖視示意圖。
圖5是依照本發明的第三實施例的顯示面板的剖視示意圖。
10:顯示面板
101:第一基板
102:第二基板
110:絕緣層
120:鈍化層
130、180:披覆層
130h1、130h2:開口
150:液晶層
150P1:第一部分
150P2:第二部分
160:彩色濾光層
161、162:濾光圖案
CE1:共電極
CP1、CP2:導電圖案
CPE1、CPE2:電容電極
DL1:資料線
G1、G2、G3:間隙
GL:掃描線
LB、LB1、LB2、LB3:量測光束
LBP1、LBP2:遮光圖案
PX1、PX2:畫素結構
RE1、RE2:反射電極
t1:第一厚度
t2:第二厚度
TH1、TH2:接觸孔
Z:方向
A-A’:剖線
Claims (9)
- 一種顯示面板，包括：第一基板；第二基板，與該第一基板重疊設置；第一畫素結構與第二畫素結構，沿著第一方向排列在該第一基板上，且各自包括反射電極，該第一畫素結構的該反射電極與該第二畫素結構的該反射電極之間設有第一間隙，該第一間隙在第二方向上延伸，該第二方向與該第一方向相交；液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間，該液晶層具有第一部分與第二部分，該第一部分重疊於該第一畫素結構的該反射電極，該第二部分重疊於該第二畫素結構的該反射電極，其中該第一部分與該第二部分分別具有第一厚度與第二厚度，且該第一厚度不同於該第二厚度；第一遮光圖案，重疊該第一間隙設置，該第一遮光圖案的光學密度大於3，其中該第一間隙在該第一基板上的正投影位在該第一遮光圖案在該第一基板上的正投影內；以及第一資料線與第二資料線，分別電性連接該第一畫素結構與該第二畫素結構，該第一間隙與該第一遮光圖案的延伸方向平行於該第一資料線與該第二資料線的延伸方向。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一遮光圖案、該第一資料線與該第二資料線形成在同一金屬層。
- 如請求項1所述的顯示面板，更包括： 另一該第二畫素結構，與該第二畫素結構沿著該第二方向排列，該第二畫素結構的該反射電極與該另一第二畫素結構的該反射電極之間設有第二間隙，該第二間隙在該第一方向上延伸；以及第二遮光圖案，重疊該第二間隙設置，該第二遮光圖案的光學密度大於3，其中該第二間隙在該第一基板上的正投影位在該第二遮光圖案在該第一基板上的正投影內。
- 如請求項3所述的顯示面板，更包括：掃描線，電性連接該第一畫素結構與該第二畫素結構，該第二間隙與該第二遮光圖案的延伸方向平行於該掃描線的延伸方向。
- 如請求項4所述的顯示面板，其中該掃描線與該第二遮光圖案形成在同一金屬層。
- 如請求項4所述的顯示面板，更包括：另一該第一畫素結構，與該第一畫素結構沿著該第二方向排列，該第一畫素結構的該反射電極與該另一第一畫素結構的該反射電極之間設有第三間隙，該第三間隙的延伸方向平行於該掃描線的延伸方向，其中該顯示面板適於接收來自該第一基板一側的量測光束，部分該量測光束適於通過該第三間隙，且該第一遮光圖案與該第二遮光圖案適於遮擋另一部分該量測光束。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一畫素結構與該第二畫素結構各自還包括：主動元件，電性連接該反射電極；電容電極，自該主動元件的汲極延伸而出，並且電性連接該 反射電極；以及共電極，設置在該電容電極與該反射電極之間，且重疊於該電容電極，其中該第一遮光圖案與該共電極形成在同一金屬層。
- 如請求項7所述的顯示面板，更包括：另一該第二畫素結構，與該第二畫素結構沿著該第二方向排列，該第二畫素結構與該另一第二畫素結構之間設有第二間隙，該第二間隙在該第一方向上延伸；以及第二遮光圖案，重疊該第二間隙設置，其中該第二間隙在該第一基板上的正投影位在該第二遮光圖案在該第一基板上的正投影內，且該第二遮光圖案與該共電極形成在同一金屬層。
- 如請求項1所述的顯示面板，其中該第一畫素結構與該第二畫素結構各自還包括：主動元件，電性連接該反射電極；電容電極，自該主動元件的汲極延伸而出，並且電性連接該反射電極；以及共電極，設置在該電容電極與該第一基板之間，且重疊於該電容電極，其中該第一遮光圖案的材料包括不透光絕緣材料，且位在該第一基板與該共電極之間。
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2023
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