TWI837304B - 電漿處理方法及電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於，一方面抑制導電性第1構件之消耗，一方面將附著於接地電位或浮動電位之第2構件之包含金屬之沈積物去除。 本發明提供一種電漿處理方法，其係於在處理容器之內部具有第1構件與第2構件之電漿處理裝置中使用者，上述第1構件至少表面由導電性矽材料覆蓋，且具有導電性，上述第2構件相對於電漿電位而言為電性接地電位或浮動電位；該電漿處理方法具有以下步驟：使含氧氣體電漿化，於上述第1構件之表面形成氧化層；及使包含鹵素氣體之氣體電漿化，對上述第2構件之表面進行清理。

Description

電漿處理方法及電漿處理裝置
本發明係關於一種電漿處理方法及電漿處理裝置。
例如，專利文獻1中提出一種技術，即，將於對TiN遮罩下之蝕刻對象膜進行蝕刻之期間附著於腔室側壁之含Ti沈積物去除，抑制因金屬沈積物導致之蝕刻特性之經時劣化。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-204001號公報
本發明提供一種技術，其可一方面抑制導電性第1構件之消耗，一方面將附著於接地電位或浮動電位之第2構件之包含金屬之沈積物去除。
根據本發明之一態樣，提供一種電漿處理方法，其係於在處理容器之內部具有第1構件與第2構件之電漿處理裝置中使用者，上述第1構件至少表面由導電性矽材料覆蓋，且具有導電性，上述第2構件相對於電漿電位而言為電性接地電位或浮動電位；該電漿處理方法具有以下步驟：使含氧氣體電漿化，於上述第1構件之表面形成氧化層；及使包含鹵素氣體之氣體電漿化，對上述第2構件之表面進行清理。
根據一態樣，可一方面抑制導電性第1構件之消耗，一方面將附著於接地電位或浮動電位之第2構件之包含金屬之沈積物去除。
10:電漿處理裝置
11:處理容器
12:載置台(下部電極)
13:靜電吸盤
14:保持部
15:邊緣環
15a:氧化層
16:簇射頭(上部電極)
16a:氧化層
17:第1高頻電源
18:第2高頻電源
19:氣體供給源
20:氣體配管
21:擋板
22:排氣裝置
23:排氣路
24:排氣口
27:基台
30:控制部
40:絕緣構件
41:可變直流電源
42:積存物遮罩
43:接地構件
200:沈積物
201:氧化鋁膜
202:氧化矽膜
203:矽膜
R:金屬沈積物
S1:步驟
S2:步驟
S3:步驟
S4:步驟
S5:步驟
S6:步驟
S7:步驟
S8:步驟
S10:步驟
S11:步驟
圖1(a)、(b)係表示一實施形態之電漿處理裝置之一例之剖面模式圖。
圖2係用以說明一實施形態之氧化步驟及清理步驟之作用之圖。
圖3係表示一實施形態之蝕刻步驟之金屬沈積物的組成之一例之圖。
圖4係表示一實施形態之電漿處理之一例之流程圖。
圖5係表示一實施形態之電漿處理之效果之一例之圖。
圖6係表示一實施形態之變化例之電漿處理之一例之流程圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明。於各圖式中，對於相同構成部分標註相同符號，有時會省略重複說明。
[電漿處理裝置]
首先，一面參照圖1一面對執行一實施形態之電漿處理方法之電漿處理裝置10進行說明。圖1(a)及(b)表示作為一實施形態之電漿處理裝置10之一例的平行平板型電容耦合電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)處理裝置之剖面模式圖。
首先，對圖1(a)所示之電漿處理裝置10之構成進行說明。電漿處理裝置10具有處理容器11及配置於其內部之載置台12。處理容器11例如係表面經耐酸鋁處理(陽極氧化處理)之由鋁(Al)形成之圓筒形容器，其接地。載置台12具有基台27及配置於基台27上之靜電吸盤13。載置台12隔著由絕緣性材料形成之保持部14而配置於處理容器11之底部。
基台27係由鋁等形成。靜電吸盤13係由氧化鋁(Al2O3)等介電體形成，具有用以利用靜電吸附力來保持晶圓W之機構。於靜電吸盤13之外周之上部，設置有以環狀包圍晶圓W之周圍之邊緣環15(亦稱為聚焦環)。於邊緣環15之外周，設置有用以保護邊緣環15之側面及保持部14之上表面避開電漿之由絕緣性材料形成之保護構件44。
於處理容器11之內側壁與載置台12之外側壁之間，形成有環狀之排氣路23，其經由排氣口24而連接於排氣裝置22。排氣裝置22包含渦輪分 子幫浦或乾式幫浦等真空幫浦。排氣裝置22將處理容器11內之氣體引導至排氣路23及排氣口24並排出。藉此，將處理容器11內之處理空間減壓至特定之真空度。
於排氣路23之保持部14與處理容器11之內側壁之間，設置有劃分出處理空間與排氣空間、用以控制氣流之擋板21。擋板21例如藉由在以鋁形成之母材之表面形成具有耐腐蝕性之膜(例如氧化釔(Y2O3))而構成。於擋板21形成有複數個貫通孔。
載置台12連接於第1高頻電源17與第2高頻電源18。第1高頻電源17例如將60MHz之電漿產生用之高頻電力(以下，亦稱為「HF功率」)施加至載置台12。第2高頻電源18例如將13MHz之能夠進行離子提取之偏壓電壓用之高頻電力(以下，亦稱為「LF功率」)施加至載置台12。藉此，載置台12亦作為下部電極發揮功能。
再者，第2高頻電源18雖用於能夠進行離子提取之偏壓電壓，但有時所施加之LF功率之一部分亦有助於電漿產生。又，第1高頻電源17雖用於電漿產生，但有時所施加之HF功率之一部分亦有助於離子提取。
於處理容器11之頂壁之開口，外周隔著環狀之絕緣構件40而設置有簇射頭16(上部電極)。將HF功率電容性地施加至載置台12與簇射頭16之間。又，可變直流電源41連接於簇射頭16。藉由自可變直流電源41向簇射頭16施加負的直流電壓，可將偏壓電壓施加至簇射頭16，從而提取離子。
具體而言，主要藉由HF功率自氣體產生電漿。電漿中之離子藉由施加至簇射頭16之直流電壓而提取至簇射頭16且與簇射頭16碰撞，藉此對簇射頭16進行濺鍍。又，電漿中之離子藉由施加至載置台12之LF功率而提取至載置台12且與載置於載置台12之晶圓W及邊緣環15碰撞，藉此對晶圓W上之特定膜及邊緣環15進行濺鍍。亦可設置對邊緣環15供給直流電壓之機構，而藉由施加至邊緣環15之直流電壓將離子提取至邊緣環15且使其與邊緣環15碰撞，藉此對邊緣環15進行濺鍍。
氣體供給源19供給與蝕刻步驟、氧化步驟、清理步驟、濺鍍步驟各電漿處理步驟之程序條件相應之氣體。氣體經由氣體配管20進入至簇射頭16內，經氣體擴散室25自多個氣體通氣孔26以簇射狀導入至處理容器11內。
於處理容器11，沿其內壁面裝卸自如地設置有積存物遮罩42。積存物遮罩42係防止於電漿處理步驟中產生之沈積物附著於處理容器11之內壁面。積存物遮罩42例如藉由在以鋁形成之母材之表面形成具有耐腐蝕性之膜而構成。具有耐腐蝕性之膜可由氧化釔等陶瓷形成。再者，積存物遮罩42亦可配置於保持部14之外周面或排氣路23。
接地構件43配置於處理容器11之側壁，呈環狀突出。接地構件43電性接地，由導電性材料例如矽形成。於處理容器11內，將因施加至簇射頭16之直流電壓等而產生之電子導入至接地構件43。
圖1(b)所示之一實施形態之電漿處理裝置10具有與圖1(a)所示之一實施形態之電漿處理裝置10大致相同之構成，僅第1高頻電源17之配置不同。亦即，圖1(b)之電漿處理裝置10中，不同之處在於，第1高頻電源17連接於簇射頭16。第1高頻電源17例如將60MHz之HF功率施加至簇射頭16。
控制部30具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)及RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)。控制部30按照RAM中記憶之配方所設定之順序，進行各種電漿處理步驟之控制及裝置整體之控制。
於此種構成之電漿處理裝置10中執行電漿程序時，首先，將晶圓W以保持於搬送臂上之狀態自閘閥搬入至處理容器11內。將晶圓W載置於靜電吸盤13上。於將晶圓W搬入後關閉閘閥。藉由對靜電吸盤13之電極施加直流電壓，而將晶圓W以庫侖力吸附及保持於靜電吸盤13上。
藉由排氣裝置22將處理容器11內之壓力減壓至設定值，從而將處理容器11之內部控制為真空狀態。將特定之氣體自簇射頭16以簇射狀導入至處理容器11內。將HF功率及LF功率施加至載置台12。亦可將直流電壓施加至簇射頭16。
主要藉由HF功率自所導入之氣體產生電漿，再藉由電漿之作用對晶圓W執行蝕刻等電漿處理步驟。於所有電漿處理步驟結束之後，將晶圓W 保持於搬送臂上，而搬出至處理容器11之外部。藉由重複執行該處理而連續地處理晶圓W。
此種構成之電漿處理裝置10具有之簇射頭16及邊緣環15係至少表面由導電性矽材料覆蓋且具有導電性之第1構件之一例。第1構件可由Si、SiC、非晶矽(α-Si)、多晶矽(Poly-Si)此等導電性矽材料形成。第1構件亦可為至少表面由上述導電性矽材料形成。例如，關於第1構件，可藉由熔射等將導電性矽材料塗覆於任意構件。第1構件為導電性矽或含矽物，不包含氧化矽膜(SiO2)及氮化矽膜(SiN)等絕緣性材料。本實施形態中，列舉簇射頭16及邊緣環15由矽形成為例而進行說明。
又，絕緣構件40、積存物遮罩42、擋板21、保護構件44及接地構件43係相對於電漿電位而言為電性接地電位或浮動電位之第2構件之一例。積存物遮罩42、擋板21及接地構件43係相對於電漿電位而言為電性接地電位之第2構件之一例。絕緣構件40及保護構件44係相對於電漿電位而言為電性浮動電位之第2構件之一例。
[金屬之沈積物]
近年來，半導體構造之複雜化及微細化不斷發展，即便電漿處理中產生之副產物(反應產物)極其微小，亦會對作為最終製品之半導體晶片造成較大程度之影響。
尤其是，若對含金屬之構件進行電漿蝕刻，則副產物中會包含金 屬。例如，若於氮化鈦(TiN)遮罩下形成含矽膜，且隔著遮罩對含矽膜進行電漿蝕刻，則遮罩中所含之鈦(Ti)會被削蝕而包含於副產物中。以此方式包含於副產物中之Ti、Al、Zr等金屬材料與金屬以外之材料相比，容易具有難以去除之性質。
若含金屬之副產物附著並沈積於處理容器11內，便成為含金屬之沈積物(以下，稱為「金屬沈積物」)。金屬沈積物亦可為過渡金屬。金屬沈積物會成為基板上之微粒、或使處理容器11之阻抗變化、或使其與自由基種之壁之相互作用變化，從而引起蝕刻程序之經時劣化。因此，將附著於處理容器11內各構件之金屬沈積物去除很重要。
電漿處理裝置10內之構件中，簇射頭16及載置台12係可施加直流電壓、HF功率或LF功率之偏壓電壓之構件。載置於載置台12之晶圓W及邊緣環15係可經載置台12而施加偏壓電壓之構件。於為可施加偏壓電壓之構件之情形時，能夠對該構件施加偏壓電壓而將離子提取至構件，藉由離子之濺鍍蝕刻將附著於構件之金屬沈積物去除。
另一方面，於為無法施加或無法充分施加偏壓電壓之零件之情形時，無法提取或無法充分提取離子，故濺鍍蝕刻之效果較低。因此，使用含有氯(Cl)之腐蝕氣體進行電漿蝕刻。藉此，如圖2之「比較例」一欄中所示，附著於絕緣構件40等第2構件之金屬沈積物R與氯反應而被去除。但另一方面，主要是氯與Si反應而使處理容器11內之簇射頭16及邊緣環15等第1構件被削蝕，從而遭到損害。
因此，如圖2之「本實施形態」一欄中所示，於利用包含氯系氣體(鹵素氣體)之氣體之電漿去除金屬沈積物之前，藉由O2電漿使簇射頭16等之表面氧化，於該等構件之表面形成氧化矽膜(氧化步驟)。藉此，於其後之去除金屬沈積物R之步驟(清理步驟)中可由氧化層15a、16a來保護簇射頭16或邊緣環15之表面。
藉此，藉由以氧化層15a、16a來保護簇射頭16及邊緣環15等第1構件，可一方面抑制該等構件之消耗，一方面將附著於絕緣構件40等第2構件之金屬沈積物R去除。
圖3中，上段所示為：將自下而上具有矽膜203、氧化矽膜202、氧化鋁膜201之晶片貼附於簇射頭16及絕緣構件40之表面，利用SEM觀察對鋁基板進行電漿蝕刻時附著於簇射頭16及絕緣構件40之表面之沈積物之形狀。又，下段所示為：利用X射線光電子光譜法(X-ray Photoelectron Spectroscopy：XPS)測定附著於簇射頭16及絕緣構件40之表面之沈積物200的元素之種類與量之結果之一例。
根據該結果可知，簇射頭16上之沈積物200之形狀與絕緣構件40上之沈積物200之形狀不同。又可知，簇射頭16上之沈積物200之組成與絕緣構件40上之沈積物200之組成均同樣含有較多鋁(Al)與氟(F)。尤其是沈積物200，其約三成為鋁。但是，組成比不同。
綜上所述，以下說明之電漿處理方法執行如下步驟(以下，亦稱為「清理步驟」)：對浮動電位之絕緣構件40或接地電位之積存物遮罩42等第2構件之表面進行清理，將附著於表面之沈積物200去除。
又，於該清理步驟中，附著於絕緣構件40之沈積物200與包含鹵素氣體之氣體反應而被去除，但另一方面，主要是氯系氣體與簇射頭16等第1構件之矽反應而使第1構件被消耗。因此，第1構件遭到損害。
因此，於執行清理步驟之前，執行如下氧化步驟：藉由O2電漿使簇射頭16之表面氧化，於該表面形成氧化層。藉此，可一方面抑制簇射頭16等第1構件之消耗，一方面將附著於絕緣構件40等第2構件之沈積物200去除。
再者，氧化步驟係使第1構件之表面氧化而使該表面成為氧化矽膜，其藉由對第1構件之表面改質而於第1構件之表面形成氧化層。
[電漿處理]
一面參照圖4之流程圖一面對以上說明之一實施形態之電漿處理之一例進行說明。本處理由控制部30控制。本處理開始後，首先，控制部30向處理容器11內提供具有含金屬材料之膜之晶圓W(步驟S1)。具體而言，控制部30藉由未圖示之搬送臂將晶圓W搬入至處理容器11內，且載置於載置台12。
作為形成於晶圓上之含金屬材料之膜之一例，於遮罩包含金屬之情形時，可列舉例如於作為蝕刻對象膜之一例之氧化矽膜上形成有TiN遮罩或鎢(W)遮罩之膜。又，作為含金屬材料之膜之另一例，於蝕刻膜本身包含金屬之情形時，例如蝕刻膜可列舉氧化鋁或氧化鈦(TiO)膜。又，作為另一例，於對蝕刻膜進行蝕刻後所露出之基底膜包含金屬之情形時，可列舉例如氧化矽膜下之鎢膜。
其次，控制部30對晶圓W進行蝕刻(步驟S2)。例如，控制部30主要藉由HF功率使作為CF系氣體之一例之C4F8氣體電漿化，藉由該電漿隔著形成於晶圓W上之金屬遮罩對氧化矽膜等蝕刻對象膜進行蝕刻。但是，蝕刻中使用之氣體種類、遮罩、蝕刻對象膜並不限於此。
其次，控制部30將處理後之晶圓W搬出至處理容器11外(步驟S3)。其次，控制部30將虛設晶圓搬入至處理容器11內，且載置於載置台12(步驟S4)。藉此，可保護載置台12之表面避開下一步驟以後所產生之電漿。但是，亦可省略步驟S4之處理。
其次，控制部30主要藉由HF功率使氧氣電漿化，藉由該電漿於簇射頭16及邊緣環15之表面形成矽之氧化層(步驟S5：氧化步驟)。藉此，於簇射頭16及邊緣環15之表面形成氧化層之保護膜。
其次，控制部30供給含鹵素之氣體，且主要藉由HF功率使其電漿化，藉由該電漿對處理容器11之內部進行清理(步驟S6：清理步驟)。藉 此，處理容器11內之所有構件得到清理。結果，例如可對絕緣構件40、積存物遮罩42、擋板21、保護構件44及接地構件43之表面進行清理，將附著於該等構件之表面之金屬沈積物去除。
步驟S6之清理步驟中，使附著於絕緣構件40、積存物遮罩42、擋板21、保護構件44及接地構件43之表面之沈積物中所含之金屬鹵素化而加以去除。例如，對在TiN遮罩下形成有氧化矽膜之晶圓W進行電漿處理之情形時，金屬沈積物中含有Ti。控制部30供給作為含鹵素之氣體之例如BCl3氣體，且主要藉由HF功率使其電漿化，藉由該電漿對絕緣構件40等之表面進行清理。此時之化學反應如下所示。
Ti+4Cl*(自由基)→TiCl4↑
以此方式使附著於絕緣構件40等之表面之金屬沈積物中所含之金屬鹵素化並揮發。藉此，可將附著於絕緣構件40等之表面之金屬沈積物去除。
其次，控制部30判定是否已重複執行步驟S5之氧化步驟及步驟S6之清理步驟(步驟S7)。控制部30判定是否已將步驟S5及步驟S6重複執行預先設定之次數，於判定並未重複執行預先設定之次數之情形時，返回至步驟S5，重複執行步驟S5之氧化步驟及步驟S6之清理步驟。例如，氧化層雖對氯具有耐性，但某程度上會被消耗。因此，藉由重複執行步驟S5及步驟S6，可一面於氧化層消失前再次形成氧化層一面去除金屬沈積物。再者，重複次數為1次以上即可。
控制部30於步驟S7中判定已將步驟S5及步驟S6重複執行預先設定之次數之情形時，將簇射頭16及邊緣環15之表面之氧化層去除(步驟S8)。繼而，控制部30結束本處理。
再者，步驟S5之氧化步驟較佳為將自第2高頻電源18供給之離子提取用之LF功率或自可變直流電源41供給之直流電壓中至少任一者施加至第1構件。又，亦可自對邊緣環15供給直流電壓之機構向邊緣環15施加直流電壓。藉此，可促進第1構件之表面之氧化。
根據以上說明之電漿處理方法，可一方面抑制簇射頭16等第1構件之矽之消耗，一方面將絕緣構件40等第2構件之表面之金屬沈積物去除。
又，藉由抑制第1構件之消耗，可抑制矽自第1構件飛濺至第2構件，故附著於第2構件之表面之金屬沈積物之量減少，從而可使第2構件之表面之金屬沈積物之去除更加容易。
[實驗結果]
圖5表示執行上述實施形態之電漿處理方法之結果之一例。此處，圖示出了第1構件中之簇射頭16與第2構件中之絕緣構件40及積存物遮罩42之表面之狀態。本實驗中，簇射頭16由多晶矽形成。於簇射頭16、絕緣構件40及積存物遮罩42之表面，形成有作為金屬沈積物之一例之氧化鋁。繼而，執行上述實施形態之電漿處理方法後，計測第1構件之表面之多晶矽之蝕刻速率、及第2構件之表面之氧化鋁之蝕刻速率。又，根據該 等計測數值而算出氧化鋁與多晶矽之選擇比。選擇比越高，表示多晶矽相比於氧化鋁被削蝕得越少。
本實施形態中，於圖4所示之步驟S5之氧化步驟之後執行步驟S6之清理步驟。另一方面，比較例中，不執行氧化步驟便執行清理步驟。
結果，本實施形態中，與比較例相比，作為第1構件之一例之簇射頭16之表面之多晶矽未被削蝕，矽之消耗得到了抑制。又，本實施形態中，對於作為第2構件之一例之絕緣構件40及積存物遮罩42，與比較例同等程度地去除了氧化鋁之金屬沈積物。亦即，本實施形態之電漿處理方法中，既使第1構件上之多晶矽之蝕刻速率降低又使第2構件上之金屬沈積物之蝕刻速率提高。藉此，簇射頭16之選擇比提高。
綜上所述，本實施形態中，與比較例相比，使第1構件之表面氧化而形成氧化層後，於將第2構件之表面之金屬沈積物去除之清理步驟中，第1構件之表面成為難以蝕刻之狀態。藉此，作為結果，金屬沈積物相對於第1構件之蝕刻速率變高，選擇比提高。
對於具有浮動電位之絕緣構件40或具有接地電位之積存物遮罩42等第2構件，即便施加直流電壓或LF功率亦不會獲得充分之偏壓電壓。因此，相對於電漿電位而言，第2構件並不具有足以進行濺鍍之電位差，濺鍍效果較低甚至完全無效。因此，於清理步驟中，含鹵素之氣體主要藉由自由基之作用將第2構件之表面之金屬沈積物化學性地去除。此時，含鹵 素之氣體會消耗第1構件之矽。因此，於執行清理步驟之前執行氧化步驟，於第1構件之表面形成氧化層。藉此，於清理步驟中，一方面抑制第1構件之矽之消耗，一方面將形成於第2構件之表面之金屬沈積物去除。
[變化例]
其次，一面參照圖6一面對一實施形態之變化例之電漿處理進行說明。圖6表示一實施形態之變化例之電漿處理之一例之流程圖。對與圖4所示之一實施形態之電漿處理相同之處理標註相同之步驟編號，並省略或簡化說明。
一實施形態之變化例之電漿處理中，不同之處在於，步驟S2之蝕刻步驟之後，於步驟S3中搬出晶圓，於步驟S4中將虛設晶圓搬入後，執行步驟S10及步驟S11之清潔步驟。
亦即，變化例之電漿處理中，於執行步驟S5之氧化步驟之前，執行清潔步驟，即，藉由步驟S2之進行蝕刻之步驟將附著於簇射頭16等第1構件之表面之金屬沈積物去除。
作為清潔步驟，控制部30藉由氧氣之電漿將附著於處理容器11內所有構件之金屬沈積物去除(步驟S10)。其次，控制部30將離子提取用之LF功率、電漿產生用之HF功率、或來自可變直流電源41之直流電壓中至少任一者施加至簇射頭16及邊緣環15。藉此，將離子提取至包含簇射頭16及邊緣環15在內之第1構件，藉由濺鍍將附著於簇射頭16及邊緣環15之金 屬沈積物去除(步驟S11)。
變化例中，於執行步驟S10之O2電漿之清潔及步驟S11之濺鍍之清潔之後，執行步驟S5之氧化步驟及步驟S6之清理步驟。
如上所說明，藉由一實施形態之變化例之電漿處理方法，亦能夠一方面抑制簇射頭16等第1構件之矽之消耗，一方面將絕緣構件40等第2構件之表面之金屬沈積物去除。
再者，關於步驟S10之清潔步驟，於金屬沈積物中不含C或F之情形時可省略。又，步驟S10之清潔步驟與步驟S5之氧化步驟可作為一個步驟來執行，亦可作為不同之步驟分開執行。但是，如本變化例般，將步驟S10之清潔步驟與步驟S5之氧化步驟分開執行，可使步驟S10之清潔步驟之程序條件與步驟S5之氧化步驟之程序條件最適合於各自之步驟。
進而，亦可調換步驟S10之清潔步驟與步驟S11之濺鍍步驟之執行順序，亦可將兩個步驟合併成一個步驟來執行。
本次揭示之一實施形態之電漿處理方法及電漿處理裝置應被理解為所有方面均為例示而非限制性者。上述實施形態能夠於不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨之前提下以各種形態變化及改良。上述複數個實施形態中記載之事項可於不矛盾之範圍內採取其他構成，又，可於不矛盾之範圍內加以組合。
能夠執行一實施形態之電漿處理方法之裝置並不限於電漿處理裝置10。關於能夠執行一實施形態之電漿處理方法之裝置，CCP(Capacitively Coupled Plasma，電容耦合電漿)、ICP(Inductively Coupled Plasma，電感耦合電漿)、RLSA(Radial Line Slot Antenna，徑向槽孔天線)、ECR(Electron Cyclotron Resonance Plasma，電子迴旋共振電漿)、HWP(Helicon Wave Plasma，螺旋波電漿)任一類型之裝置中均可應用。
S1:步驟
S2:步驟
S3:步驟
S4:步驟
S5:步驟
S6:步驟
S7:步驟
S8:步驟

Claims (11)

  1. 一種電漿處理方法，其係於在處理容器之內部具有第1構件與第2構件之電漿處理裝置中使用者，上述第1構件至少表面由導電性矽材料覆蓋，且具有導電性，上述第2構件相對於電漿電位而言為電性接地電位或浮動電位；該電漿處理方法具有以下步驟：使含氧氣體電漿化，於上述第1構件之表面形成氧化層；及使包含鹵素氣體之氣體電漿化，對上述第2構件之表面進行清理；其中於上述進行清理之步驟之後，執行去除上述氧化層之步驟。
  2. 如請求項1之電漿處理方法，其中上述形成氧化層之步驟中，將離子提取用之高頻電力或直流電壓中至少任一者施加至上述第1構件。
  3. 如請求項1或2之電漿處理方法，其具有以下步驟：提供具有含金屬材料之膜之基板；及蝕刻上述基板；且上述進行蝕刻之步驟之後，執行上述形成氧化層之步驟與上述進行清理之步驟。
  4. 如請求項3之電漿處理方法，其具有以下步驟：於上述進行蝕刻之步驟之後且上述形成氧化層之步驟之前，將上述基板自上述處理容器搬出。
  5. 如請求項3之電漿處理方法，其具有以下步驟：於上述進行蝕刻之步驟之後且上述形成氧化層之步驟之前，藉由上述進行蝕刻之步驟將附著於上述第1構件之表面之包含金屬之沈積物去除。
  6. 如請求項3之電漿處理方法，其中上述進行清理之步驟係藉由上述進行蝕刻之步驟將附著於上述第2構件之表面之包含金屬之沈積物去除。
  7. 如請求項1或2之電漿處理方法，其中上述進行清理之步驟中，將附著於上述第2構件之表面之沈積物中所含之金屬鹵素化而加以去除。
  8. 如請求項1或2之電漿處理方法，其中上述第1構件係上部電極及配置於基板之周圍之邊緣環中至少任一者。
  9. 如請求項1或2之電漿處理方法，其中上述第2構件係配置於上部電極之周圍之絕緣構件、積存物遮罩、擋板、保護構件及接地構件中至少任一者。
  10. 如請求項1或2之電漿處理方法，其中上述形成氧化層之步驟與上述進行清理之步驟重複執行預先設定之次數。
  11. 一種電漿處理裝置，其於處理容器之內部具有第1構件、第2構件及 控制部，上述第1構件至少表面由導電性矽材料覆蓋，且具有導電性，上述第2構件相對於電漿電位而言為電性接地電位或浮動電位；上述控制部以控制以下步驟之方式構成：使含氧氣體電漿化，於上述第1構件之表面形成氧化層；及使包含鹵素氣體之氣體電漿化，對上述第2構件之表面進行清理；其中於上述進行清理之步驟之後，執行去除上述氧化層之步驟。
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