TWI837284B

TWI837284B - 雷射加工裝置及雷射加工方法

Info

Publication number: TWI837284B
Application number: TW109102304A
Authority: TW
Inventors: 坂本淳; 二穴勝; 佐藤武史; 武川裕亮
Original assignee: 日商維亞機械股份有限公司
Priority date: 2019-03-22
Filing date: 2020-01-21
Publication date: 2024-04-01

Abstract

[課題] 本發明的目的是，在使用雷射且藉由鑽孔加工而在包含加工所需能量相異的層之基板的多個位置進行開孔的情況下，容易進行控制，且在縮短加工時間的同時確保加工品質。[解決手段] 一種雷射加工裝置，具有第2雷射偏轉部，其將從第1雷射偏轉部射出的雷射脈衝在與該二維方向相同平面上的二維方向偏轉，且該第2雷射偏轉部比該第1雷射偏轉部動作較慢，其特徵在於，藉由該第1雷射偏轉部而在每個該加工位置中沿著預定軌道依序連續對多處照射雷射脈衝，並且，在該預定軌道中之重複照射的途中，改變從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量，且藉由在每個該加工位置中對每個該加工位置中的該多處的連續照射而完成加工。

Description

雷射加工裝置及雷射加工方法

本發明是關於一種雷射加工裝置及雷射加工方法，適合於使用雷射在基板的多個位置進行開孔的情況，該基板包含加工所需能量相異的層，例如表面是層積諸如銅層的金屬層，且在其下方層積樹脂層。

圖8是表示包含加工所需能量相異的層之基板的例子，為基板表面是銅層81且在其下方層積樹脂層82之基板的剖面圖。84為層積在樹脂層82下方的銅層。銅層的加工所需之能量較樹脂層大。以往使用以下所述的方法，作為在此基板1的多個位置，使用雷射加工銅層81及樹脂層82並鑽開盲孔（blind hole，未穿孔）83的方法。圖7為用於說明其加工經過的時序圖。

亦即，使用對銅吸收率高的UV雷射作為雷射，在一個孔位中，作為第1階段主要是進行銅層81的加工。於此加工中，藉由縮小雷射光束的直徑讓雷射脈衝的能量密度提高，並藉由諸如掃描振鏡（Galvano scanner）之機械式的雷射偏轉機構（未圖示），連續進行對沿著例如漩渦狀（螺旋狀）之預定軌道的多處的照射（以下將對一個孔位中沿著預定軌道的多處連續地照射以進行加工的作業稱為鑽孔（trepanning）加工）。圖8（b）為表示第1階段之鑽孔加工後的狀態。再者，在第1階段之鑽孔加工中，通常樹脂層82的銅層81側會被略微加工。

關於其他孔位的銅層81，亦實行上述雷射偏轉機構或相同的機械式工作台驅動機構之動作以進行相同的鑽孔加工，此動作結束後，機械式地改變基板與安裝有雷射偏轉機構等之雷射照射機構（未圖示）的間隔，並藉由變更焦點位置且讓雷射光束的直徑變大而讓雷射脈衝的能量密度降低。然後，進行上述雷射偏轉機構或工作台驅動機構的動作，作為第2階段，在完成鑽孔加工之孔位進行一次或對同一處進行多次的照射（以下將在一個孔位中進行一次或對同一處進行多次的照射以進行加工的作業稱為衝孔（punching）加工）。

在此第2階段的衝孔加工中，主要進行樹脂層82的加工。圖8（c）為表示第2階段之衝孔加工後的狀態。盲孔83成為至銅層84交界為止的深度，且在第2階段之衝孔加工中的雷射脈衝的能量密度是以不會給予銅層84損傷的方式而進行調整。對於其他孔位也實行上述雷射偏轉機構或相同的機械式工作台驅動機構之驅動動作以進行相同的衝孔加工，來結束開孔動作。

在如上述的習知技術中有以下缺點：於第1階段之銅層81的鑽孔加工中，在一個孔位中藉由機械式的雷射偏轉機構將雷射脈衝對沿著漩渦狀的預定軌道之多處進行照射相當費時，此外，在第2階段的樹脂層82的加工中，為了在與第1階段相同加工位置進行衝孔加工，則再次需要機械式的雷射偏轉機構或工作台驅動機構之驅動動作，所以加工時間會變長。在專利文獻1的第0037～0038段公開了如下述的習知技術：於基板表面是銅層且其下方層積有樹脂層之基板鑽開盲孔時，進行第1階段中之銅層的鑽孔加工及第2階段中之樹脂層的衝孔加工。

此外，在專利文獻2的第0004～0005段公開了如下述的技術：於基板表面是導體層且在其下方層積有絕緣層之基板鑽開盲孔時，使用如掃描振鏡之機械式的雷射偏轉機構僅進行鑽孔加工。在此專利文獻2的技術中，因為是由機械式之雷射偏轉動作進行鑽孔加工，所以會有加工時間變長的缺點。此外在第0007段中，雖然在加工絕緣層之情況下將照射能量降低，但並未公開具體上如何降低照射能量。

此外在專利文獻3的第0044～0049段中，作為高速地進行鑽孔加工的方式，配置可在如掃描振鏡之機械式的雷射偏轉機構之前段進行高速偏轉動作的聲光元件（以下簡稱為AOD），且控制AOD的偏轉動作以對沿著預定軌道的多處連續進行照射。在此專利文獻3的技術中，於將包含加工所需能量相異的層的基板進行加工時，並未提及對於各種層進行加工之情況的能量要如何調整，如此則無法確保加工品質。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 國際公開第2016/185614號 [專利文獻2] 日本特開2003-48088號公報 [專利文獻3] 日本特開2003-136270號公報

[發明所欲解決的課題] 於是本發明之目的在於：在使用雷射且藉由鑽孔加工而在包含加工所需能量相異的層之基板的多個位置進行開孔的情況下，容易進行控制，且在縮短加工時間的同時確保加工品質。

[解決課題的技術手段] 為了解決上述課題，在本申請所揭示的發明中，一種代表性的雷射加工裝置具有：雷射振盪器，使雷射脈衝振盪；第1雷射偏轉部，將從該雷射振盪器射出的該雷射脈衝偏轉成二維方向；第2雷射偏轉部，將從該第1雷射偏轉部射出的雷射脈衝在與該二維方向相同平面上的二維方向偏轉，且該第2雷射偏轉部比該第1雷射偏轉部動作較慢；雷射振盪控制部，控制該雷射振盪器的動作；第1雷射偏轉控制部，控制該第1雷射偏轉部的動作；以及第2雷射偏轉控制部，控制該第2雷射偏轉部的動作；該雷射加工裝置對基板照射從該第2雷射偏轉部射出的雷射脈衝以在該基板中的多個加工位置進行加工。然後該第1雷射偏轉控制部的特徵在於，在每個該加工位置中以依序連續對沿著預定軌道的多處照射雷射脈衝的方式控制該第1雷射偏轉部，並且，在該預定軌道中之重複照射的途中，以改變從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量的方式控制該第1雷射偏轉部，且藉由在每個該加工位置中對該多處的連續照射而完成加工。

此外，在本申請中所揭示之一種代表性的雷射加工方法是，藉由第1雷射偏轉部而將從雷射振盪器射出之雷射脈衝偏轉成二維方向，且藉由動作比該第1雷射偏轉部較慢的第2雷射偏轉部將從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝在與該二維方向相同平面上的二維方向偏轉，並對基板照射從該第2雷射偏轉部射出之雷射脈衝以在該基板中之多個加工位置進行加工。然後其特徵在於，藉由該第1雷射偏轉依序連續在每個該加工位置中對沿著預定軌道的多處照射雷射脈衝，並且，在該預定軌道中之重複照射的途中，改變從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量，且藉由在每個該加工位置中對該多處的連續照射而完成加工。

另外，雖然在本申請中所揭示之發明的代表性特徵為如以上所述，但關於在此未說明的特徵，其應用於如以下說明的實施例，或如專利申請範圍所示。

[發明功效] 根據本發明，在使用雷射且藉由鑽孔加工而在包含加工所需能量相異的層之基板的多個位置進行開孔的情況下，容易進行控制，且在縮短加工時間的同時確保加工品質。

以下使用附圖說明本發明的實施方式。圖1為作為本發明實施例之雷射加工裝置的區塊圖。各構成要素或連接線主要表示為了說明本實施例而被認為是必要者，並不是表示作為雷射加工裝置的全部必要構件。

於此說明的雷射加工裝置，為在如圖8所示表面為銅層81且於其下方層積樹脂層82之基板1的多處鑽開盲孔83的裝置。在圖1中，2為載置應加工之基板1的工作台，3為用於驅動工作台2的工作台驅動部，且為使工作台2在從基板1上方來看互為直角的二維方向上移動的單元。4為將具有UV雷射波長之雷射脈衝L1振盪的雷射振盪器，5為反射從雷射振盪器4射出之雷射脈衝L1的分光器，6為使用AOD而使被分光器5反射之雷射脈衝L1偏轉成在從基板1上方來看互為直角的二維方向的AOD偏轉部（第1雷射偏轉部）。

7為將在AOD偏轉部6中不偏轉向加工方向而透射出的雷射脈衝L3吸收的阻尼器，8為使用掃描振鏡而使在AOD偏轉部6中偏轉向加工方向的雷射脈衝L2在從基板1上方來看互為直角的二維方向上偏轉的振鏡偏轉部（第2雷射偏轉部），9為將來自振鏡偏轉部8的雷射脈衝L4照射至印刷基板之開孔位置的聚光鏡。在AOD偏轉部6及振鏡偏轉部8各別之往二維方向的偏轉是在基板1中之相同平面內進行。

再者，在本實施例中，可由下述的說明來理解工作台驅動部3、AOD偏轉部6及振鏡偏轉部8各別中的二維方向，是以成為相同方向的方式而預先設定。雖然此操作並非必須，但此設定在控制上較佳。若比較AOD偏轉部6及振鏡偏轉部8的偏轉範圍，則後者為壓倒性的寬廣；若比較兩者的動作速度，則前者為壓倒性的迅速。如以上的雷射光學系統，例如揭示於上述專利文獻3（日本特開2003-136270號公報）。

16為安裝有AOD偏轉部6、阻尼器7、振鏡偏轉部8及聚光鏡9的雷射照射單元。藉由工作台驅動部3而使工作台2在相對圖的紙面之左右方向（以下稱為X方向）及垂直方向（以下稱為Y方向）上移動，藉此進行基板1與雷射照射單元16的相對移動，此外更藉由在AOD偏轉部6及振鏡偏轉部8各別中使雷射脈衝在X方向及Y方向偏轉，而成為能對基板1中必要的開孔位置照射的態樣。在工作台驅動部3、AOD偏轉部6及振鏡偏轉部8各別設置進行往X方向移動（偏轉）的系統及進行往Y方向移動（偏轉）的系統之兩者。

由AOD偏轉部6及振鏡偏轉部8進行的偏轉區域是藉由使工作台2移動而改變。因為AOD偏轉部6不伴隨有機械式的動作，所以動作速度迅速但偏轉範圍較小，因此振鏡偏轉部8使用於將雷射脈衝定位於基板1中的特定座標，AOD偏轉部6使用於將該特定座標高速地定位於作為中心之X方向、Y方向的周邊區域。特定座標與周邊區域的關係如圖2所示。在圖2中，20表示特定座標，21表示成為特定座標20之周邊的周邊區域。

在鑽孔加工時的雷射脈衝，在特定座標20是藉由振鏡偏轉部8定位，在包含鑽孔加工區域的周邊區域21內是以AOD偏轉部6定位。再者，定位至特定座標20可以不只以振鏡偏轉部8，也能以使AOD偏轉部6或工作台驅動部3協同運作的方式進行定位。

返回至圖1，10為用於控制裝置整體之動作的整體控制部，例如以程式控制的處理裝置為中心而構成，其中的各控制要素或連接線亦包含邏輯上的構件。此外，各構成要素的一部分也可分開設置。再者，整體控制部10具有於此說明的功能以外的控制功能，並與未圖示的區塊連接。

在整體控制部10的內部設置有：雷射振盪控制部11，輸出用於指令在雷射振盪器4的雷射脈衝L1之振盪與衰減的雷射振盪指令訊號S；工作台驅動控制部12，輸出用於控制工作台驅動部3的工作台驅動訊號T；控制表13，預先登錄用於控制AOD偏轉部6的控制資訊；AOD控制部（第1雷射偏轉控制部）14，根據控制表13的內容，輸出用於控制AOD偏轉部6的AOD驅動訊號D；以及振鏡控制部（第2雷射偏轉控制部）15，輸出用於控制振鏡偏轉部8的振鏡控制訊號G。 AOD控制部14及振鏡控制部15分別控制X系統與Y系統的兩個AOD偏轉部6、振鏡偏轉部8。控制表13雖然只圖示1個，但設置有X系統與Y系統兩者。

從AOD控制部14輸出的AOD驅動訊號D是由RF訊號所組成，AOD偏轉部6的偏轉角根據此RF訊號而變化，且出射能量是根據此RF訊號的振幅等級而變化。在圖3表示AOD驅動訊號D的例子，AOD驅動訊號Da、Db的頻率分別是fa、fb，振幅分別是Aa、Ab。頻率fb比fa高，振幅Ab比Aa大。施加AOD驅動訊號Db時，在AOD偏轉部6的偏轉角度與出射能量變得比施加AOD驅動訊號Da時還大。

於控制表13中，對於要給予AOD偏轉部6之RF訊號的每個頻率，登錄用於決定此時給予之振幅的數據。然後若根據本發明，於控制表13中，對於要給予AOD偏轉部6之RF訊號的每個頻率，登錄用於決定2種振幅的數據。亦即，在X系統的控制表13X中，如圖4所示，對於要給予AOD偏轉部6之RF訊號的每個頻率fx1、fx2、fx3…，於加工銅層81的情況下，登錄用於決定振幅C-Ax1、C-Ax2、C-Ax3…的數據；於加工樹脂層82的情況下，登錄用於決定振幅P-Ax1、P-Ax2、P-Ax3…的數據。

此外在Y系統的控制表13Y中，如圖5所示，對於要給予AOD偏轉部6之RF訊號的每個頻率fy1、fy2、fy3…，於加工銅層81的情況下，登錄用於決定振幅C-Ay1、C-Ay2、C-Ay3…的數據；於加工樹脂層82的情況下，登錄用於決定振幅P-Ay1、P-Ay2、P-Ay3…的數據。再者，此處的控制表13X、13Y的內容是用於說明數據彼此之間的邏輯關係，例如在控制表13X的情況，不一定要對於RF訊號的每個頻率fy1、fy2、fy3登錄表示X方向之位置x1、x2、x3的數據。

加工銅層81時之RF訊號的振幅是使得來自AOD偏轉部6的出射能量適合銅層81之加工，加工樹脂層82時之RF訊號的振幅是比加工銅層81時之RF訊號的振幅要小，且使得來自AOD偏轉部6的出射能量適合樹脂層82之加工。然而，例如日本特開2008-36667號公報所揭示的方式，因為AOD偏轉部6是藉由RF訊號的頻率改變出射能量，所以需要以與RF訊號的頻率大小無關而能得到預定的出射能量的方式，修正RF訊號的振幅。登錄於上述的控制表13X、13Y之銅層81及樹脂層82的加工用之RF訊號的振幅，是以上述修正後的振幅為基礎且進一步經調整者，是將實驗數據或將其代入計算式所求得的振幅。

以上的雷射加工裝置，是在圖8所示之基板1的多處鑽開盲孔時，在各加工位置的加工僅進行鑽孔加工即完成者，如以下方式進行動作。圖6為用於說明其加工經過的時序圖。在整體控制部10的控制下，藉由振鏡偏轉部8，或是振鏡偏轉部8與AOD偏轉部6的協同運作，又或是振鏡偏轉部8與AOD偏轉部6與工作台驅動部3的協同運作，將雷射照射位置定位於基板1之如圖2所示的一個特定座標20的同時，如以下方式控制AOD偏轉部6，並在圖2所示之周邊區域21中以描繪預定漩渦狀軌道的方式連續進行對多處的照射。

首先作為最初的階段，AOD控制部14使用來自控制表13用於決定銅層用振幅的數據而控制AOD偏轉部6，並進行1次或多次沿著預定之漩渦狀軌道的連續照射。此時，在相同的軌道重複多次的情況下，成為在相同位置周期性地進行多次雷射照射的態樣。於此主要進行銅層81的加工，此鑽孔加工後的狀態為如圖8（b）所示。

作為下一個階段，AOD控制部14切換為使用來自控制表13用於決定從樹脂層用振幅的數據而控制AOD偏轉部6，並與上述相同的方式，重新進行一次或多次沿著預定之漩渦狀軌道的連續照射。此時，也與上述相同，在相同的軌道重複多次的情況下，成為在相同位置周期性地進行多次雷射照射的態樣。因此，於此處來自AOD偏轉部6的出射能量變得比在進行銅層81的加工時還低而主要進行樹脂層82的加工，之後的狀態成為如圖8（c）所示，完成一個開孔位置的加工。其後，藉由振鏡偏轉部8，或是振鏡偏轉部8與AOD偏轉部6的協同運作，又或是振鏡偏轉部8與AOD偏轉部6與工作台驅動部3的協同運作，而將雷射照射位置定位於位在其他位置的特定座標20，並同時進行與上述相同的鑽孔加工。

根據以上的實施例，在基板表面層積有銅層81且其正下方層積有樹脂層82之如圖8所示的基板1之多個位置進行開孔時，因為能在銅層81的鑽孔加工之後接續對樹脂層82進行鑽孔加工，所以不需要如往昔所實行的機械式的雷射偏轉機構或工作台驅動機構之再次進行的驅動動作，用於之後對樹脂層82進行衝孔加工。而且因為銅層81及樹脂層82的鑽孔加工是使用不伴隨有機械式動作之動作速度迅速的AOD偏轉部6來進行作業，所以能夠大幅縮短加工時間。

此外，因為在加工樹脂層82時的加工能量比加工銅層81時的還小，所以成為不給予位於樹脂層82下方之銅層84損傷的態樣。因此，能夠確保加工品質。而且，雖然要在加工樹脂層82時讓照射能量變低，但不需要改變來自雷射振盪器4的出射能量。亦即，只要預先調整事先登錄在用於控制AOD偏轉部6之偏轉動作的控制表13X、13Y中的RF訊號的振幅資訊，即可改變照射能量。對於使照射能量改變，雖然可想到去控制來自雷射振盪器4本身的出射能量，但此方法則是需要控制雷射振盪器4及AOD偏轉部6兩者。若根據上述實施例，因為僅需控制AOD偏轉部6即可，所以調整部位或控制部位變少，而容易控制且裝置設計變得簡單。此外，因為能夠將雷射振盪器4的振盪狀態保持於固定的狀態，所以能夠提高雷射的穩定性且能夠提升加工品質。

以上，雖然基於實施方式而具體地說明了本發明，但是本發明並不限定於前述的實施方式，不只包含在不脫離其主旨的範圍內之各種可能的變更，還包含各種變形例。

例如，在以上的實施例中，雖然是進行沿著漩渦狀之預定軌道的鑽孔加工的情況，但預定軌道不一定需要是漩渦狀，也有讓軌道為同心圓狀或矩形等方法。此外，重複來回數次預定軌道的情況下，不一定需要與前次的軌道相同。再者，也可改變在加工銅層81時及加工樹脂層82時的軌道。重點是預先決定軌道的路徑即可。另外，在根據基板1的構成材料而重複來回數次預定軌道的情況，根據構成材料的種類、雷射脈衝的能量或光束點徑的大小，預定軌道的重複來回次數不一定需要為整數，亦可在軌道的途中結束。

此外，如圖8所示，雖然說明了在樹脂層82的下方層積有銅層84之3層的基板1進行鑽開盲孔83的情況，但也可是在沒有銅層84之2層的基板鑽開貫通孔的情況。另外，雖然讓加工所需的能量較高之層為銅層、較低之層為樹脂層，但亦可為其他各種材料。更進一步而言，亦可為層積更多層的基板。

1:基板 2:工作台 3:工作台驅動部 4:雷射振盪器 5:分光器 6:AOD偏轉部 7:阻尼器 8:振鏡偏轉部 9:聚光鏡 10:整體控制部 11:雷射振盪控制部 12:工作台驅動控制部 13,13X,13Y:控制表 14:AOD控制部 15:振鏡控制部 16:雷射照射單元 20:特定座標 21:周邊區域 81,84:銅層 82:樹脂層 83:盲孔 L1~L4:雷射脈衝 Aa,Ab:振幅 D,Da,Db:AOD驅動訊號 fa,fb:頻率 G:振鏡控制訊號 S:雷射振盪指令訊號 T:工作台驅動訊號

圖1為作為本發明一實施例之雷射加工裝置的區塊圖。圖2為用於說明圖1之雷射加工裝置中的振鏡偏轉部與AOD偏轉部之作用的圖。圖3為表示圖1之雷射加工裝置中的RF訊號之例子的圖。圖4為表示圖1之雷射加工裝置中的控制表之內容的圖。圖5為表示圖1之雷射加工裝置中的控制表之內容的圖。圖6為表示用於說明作為本發明一實施例之雷射加工裝置中的加工經過的時序圖。圖7為用於說明習知雷射加工方法中之加工經過的時序圖。圖8為藉由作為本發明一實施例之雷射加工裝置而進行加工的基板的剖面圖。

1:基板

2:工作台

3:工作台驅動部

4:雷射振盪器

5:分光器

6:AOD偏轉部

7:阻尼器

8:振鏡偏轉部

9:聚光鏡

10:整體控制部

11:雷射振盪控制部

12:工作台驅動控制部

13:控制表

14:AOD控制部

15:振鏡控制部

16:雷射照射單元

L1~L4:雷射脈衝

D:AOD驅動訊號

G:振鏡控制訊號

S:雷射振盪指令訊號

T:工作台驅動訊號

Claims

一種雷射加工裝置，具有：雷射振盪器，使雷射脈衝振盪；第1雷射偏轉部，根據登錄於控制表的驅動訊號的頻率，將從該雷射振盪器射出的該雷射脈衝偏轉成二維方向，且根據與登錄於該控制表的該驅動訊號的頻率對應之振幅，控制射出的雷射脈衝的能量；第2雷射偏轉部，將從該第1雷射偏轉部射出的雷射脈衝在與該二維方向相同平面上的二維方向偏轉，且該第2雷射偏轉部比該第1雷射偏轉部動作較慢；雷射振盪控制部，控制該雷射振盪器的動作；第1雷射偏轉控制部，控制該第1雷射偏轉部的動作；以及第2雷射偏轉控制部，控制該第2雷射偏轉部的動作；該雷射加工裝置對基板照射從該第2雷射偏轉部射出的雷射脈衝以在該基板中的多個加工位置進行加工，其特徵在於，在該控制表中，對於同一頻率，登錄與第1能量對應的第1振幅以及與相異於該第一能量的第二能量對應的第二振幅，該第1雷射偏轉控制部在每個該加工位置中以依序連續對沿著預定軌道的多處照射雷射脈衝的方式控制該第1雷射偏轉部，並且，在該預定軌道中之重複照射的途中，以改變從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量的方式控制該第1雷射偏轉部，且藉由在每個該加工位置中對該多處的連續照射而完成加工。
如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，該第1雷射偏轉控制部是以從在該預定軌道之連續照射重新開始重複的時間點改變由該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量的方式，控制該第1雷射偏轉部。
如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，該第1雷射偏轉控制部是以給予該第1雷射偏轉部之驅動訊號的頻率，使該第1雷射偏轉部中的偏轉方向改變，且以給予該第1雷射偏轉部之驅動訊號的振幅，使從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量改變。
如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，該第1雷射偏轉控制部使得從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量在該連續照射的後續期間比在先行期間低。
如請求項1所述之雷射加工裝置，其中，該第1雷射偏轉部是由聲光元件所構成。
一種雷射加工方法，藉由第1雷射偏轉部而根據登錄於控制表的驅動訊號的頻率，將從雷射振盪器射出之雷射脈衝偏轉成二維方向，且根據與登錄於該控制表的該驅動訊號的頻率對應的振幅，控制射出的雷射脈衝的能量，藉由動作比該第1雷射偏轉部要慢的第2雷射偏轉部將從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝在與該二維方向相同平面上的二維方向偏轉，並對基板照射從該第2雷射偏轉部射出之雷射脈衝以在該基板中之多個加工位置進行加工，其特徵在於，在該控制表中，對於同一頻率，登錄與第1能量對應的第1振幅以及與相異於該第一能量的第二能量對應的第二振幅，藉由該第1雷射偏轉部而在每個該加工位置中對沿著預定軌道的多處依序連續照射雷射脈衝，並且，在該預定軌道中之重複照射的途中，改變從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量，且藉由在每個該加工位置中對該多處的連續照射而完成加工。
如請求項6所述之雷射加工方法，其中，從在該預定軌道之連續照射重新開始重複的時間點改變由該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量。
如請求項6所述之雷射加工方法，其中，從該第1雷射偏轉部射出之雷射脈衝的能量在該連續照射的後續期間比在先行期間低。
如請求項8所述之雷射加工方法，其中，該基板為其表面是金屬層且於該金屬層的下方包含樹脂層的情況下，在該連續照射之該先行期間主要加工該金屬層，而在該後續期間主要加工該樹脂層。