TWI837261B - 掃描式電子顯微鏡及用於重疊監控的方法 - Google Patents

Abstract

掃描式電子顯微鏡和用於評估樣品的方法，該方法可包括以下步驟：（a）用初級電子束照射樣品，（b）將從該樣品發射並在一第一閃爍器上方傳播的次級電子往該第一閃爍器的一上部引導，其中該第一閃爍器和該第二閃爍器位於該樣品和該列的一列電極之間；其中該第一閃爍器位於該第二閃爍器的上方；（c）藉由該第一閃爍器偵測該等次級電子；（d）將從該樣品發射的反向散射電子往該第二閃爍器的一下部引導；及（e）藉由該第二閃爍器偵測該反向散射電子。

Description

掃描式電子顯微鏡及用於重疊監控的方法

本申請案依專利法主張於2019年1月8日提出申請的美國專利臨時申請案第62/789,688號之優先權權益，本申請案之參考整體上結合以上美國專利臨時申請案之揭露。

本揭示案係關於掃描式電子顯微鏡和用於重疊監控的方法。

藉由高度複雜且昂貴的製造製程來製造諸如半導體晶片的各式樣品。

重疊誤差（overlay error）可能會極大地降低製造製程的產量，且可能導致許多物件被認為是有缺陷的。

日益需要提供一種系統和方法，其可以係具有成本效益的，且能夠產生重疊圖像（overlay image）。

可提供一種掃描式電子顯微鏡（SEM），其可包括：一列（column），該列可經配置用初級電子束（primary electron beam）照射一樣品；一列電極；一第一閃爍器；一第二閃爍器，該第二閃爍器可位於該第一閃爍器下方；一高功率供應系統（high power supply system)；其中該第一閃爍器和該第二閃爍器可位於該列電極和該樣品之間；其中該高功率供應系統可經配置使該樣品、該列電極、該第一閃爍器和該第二閃爍器偏壓(bias)；其中該第一閃爍器可經配置偵測(detect)從該樣品發射、在該第一閃爍器上方傳播並朝向該第一閃爍器返回的次電子；及其中該第二閃爍器可經配置偵測從該樣品發射的反向散射電子。

該第一閃爍器可經配置響應對該等次級電子的該偵測而發射一第一顏色的光；及其中該第二閃爍器可經配置響應對該等反向散射電子的該偵測而發射與該第一顏色不同之第二顏色的光。

掃描式電子顯微鏡可包括光偵測器，該光偵測器可經由單一光導耦接至第一和第二閃爍器。

掃描式電子顯微鏡可包括第一光偵測器和第二光偵測器，第一光偵測器可經由第一光導耦接到第一閃爍器，第二光偵測器可經由第二光導耦接到第二閃爍器。

掃描式電子顯微鏡可包括至少一個光偵測器、至少一個光導與一圖像處理器，該至少一個光導可耦接於該第一閃爍器、該第二閃爍器和該至少一個光偵測器之間，該圖像處理器可耦接至該至少一個光偵測器。

圖像處理器可經配置基於由至少一個光偵測器所產生的信號來產生重疊圖像(overlay image)。

該第一閃爍器可包括一第一孔，其中該第二閃爍器可包括一第二孔；其中該列經配置引導該初級電子束穿過該第一孔以及穿過該第二孔；其中該第一閃爍器經配置偵測穿過該第一孔以及穿過該第二孔的該等次級電子。

該高功率供應系統可經配置使該樣品正偏壓，使該第一閃爍器和該第二閃爍器相對於該樣品正偏壓，及使該列電極相對於該第一閃爍器和該第二閃爍器負偏壓。

該高功率供應系統可經配置使該樣品正偏壓超過五千（或一萬）伏特的電壓，以使該第一閃爍器和該第二閃爍器偏壓超過一萬（或一萬五千）伏特的電壓。

列電極和第一閃爍器之間的距離可以是毫米級（在半毫米和20毫米之間，例如在2-3毫米之間），且其中第二閃爍器和樣品之間的距離可以是毫米級。

可提供一種評估（evaluate）樣品的方法，該方法可包括以下步驟：用掃描式電子顯微鏡的一列（column）所產生的初級電子束照射該樣品；將從該樣品發射並在第一閃爍器上方傳播的次級電子往該第一閃爍器的上部引導，其中該第一閃爍器和該第二閃爍器可位於該樣品和該列的一列電極之間；其中該第一閃爍器可位於該第二閃爍器的上方；藉由該第一閃爍器偵測該等次級電子；將從該樣品發射的反向散射電子往該第二閃爍器的一下部引導；及藉由該第二閃爍器偵測該反向散射電子。

該方法可包括以下步驟：響應對該等次級電子的偵測，藉由該第一閃爍器發射第一顏色的光；及響應對該等反向散射電子的偵測，藉由該第二閃爍器發射不同於該第一顏色的一第二顏色的光。

將第一顏色的光和第二顏色的光透過單一光導傳送到光偵測器。

該方法可包括以下步驟：將從該第一閃爍器發射的光透過第一光導傳送到第一光偵測器；及將從該第二閃爍器發射的光透過第二光導傳送到第二光偵測器。

該方法可包括以下步驟：將偵測信號傳送到圖像處理器；其中該偵測信號可由至少一個光偵測器產生，該至少一個光偵測器可藉由至少一個光導耦接到該第一閃爍器及耦接到該第二閃爍器。

該方法可包括以下步驟：藉由該圖像處理器基於該至少一個光偵測器所產生的信號產生重疊圖像。

該照射步驟可包括以下步驟：引導該初級電子束穿過在該第一閃爍器中形成的第一孔，以及穿過在該第二閃爍器中形成的第二孔；及其中引導該等次級電子的該步驟可包括以下步驟：引導該等次級電子穿過該第一孔以及穿過該第二孔。

該方法可包括以下步驟：（a）藉由一高功率供應系統使該樣品正偏壓；（b）藉由該高功率供應系統使該第一閃爍器和該第二閃爍器相對於該樣品正偏壓；以及（c）藉由該高功率供應系統使該列電極相對於該第一閃爍器和該第二閃爍器負偏壓。

該方法可包括以下步驟：（a）藉由一高功率供應系統將該樣品正偏壓超過一萬伏特的一電壓；（b）藉由該高功率供應系統將該第一閃爍器和該第二閃爍器偏壓超過一萬五千伏特的一電壓。

列電極與第一閃爍器之間的距離可以是毫米級，且其中第二閃爍器與樣品之間的距離可以是毫米級。

在下面的實施方式中，述及許多特定細節，以便提供對本發明的徹底瞭解。然而，本案發明所屬領域中具有通常知識者當可瞭解：可在沒有這些特定細節的情形下，實施本發明。在其他的情形中，並未詳述習知的方法、程序及組件，以便不會模糊了本發明。

於說明書末段具體指出及清楚請求被視為本發明之標的。然而，當結合附圖閱讀時，藉由參考以下詳細描述，可以最好地理解本發明的有關組織和操作方法以及其目的、特徵和優點。

將理解的是，為了圖示的簡單和清楚起見，圖中所示的元件未必按比例繪製。例如，為了清楚起見，一些元件的尺寸可能相對於其他元件被放大（exaggerated）。此外，在認為適當的情況下，可在圖示之間重複數字編號以指示對應或相似的元件。

因為本發明所說明的實施例在大多數情況下藉由使用本案所屬領域中具有通常知識者習知的電子元件和電路被實現，細節不會在比上述所說明的認為有必要的程度大的任何程度上實施解釋，對本發明基本概念的理解以及認識是為了不混淆或偏離本發明所教之內容。

說明書中對方法的任何引用應在細節上作必要修改後應用到能夠執行該方法的系統，並且應在細節上作必要修改後應用到儲存用於執行該方法的指令的非暫態電腦可讀媒體。

說明書中對系統的任何引用都應在細節上作必要修改後應用到可由系統執行的方法，且應在細節上作必要修改後應用於儲存系統可執行指令的非暫態電腦可讀媒體。

對於產生提供有關頂層和埋設層（buried layer）的資訊的重疊圖像之需求日益增加。重疊圖像可以是樣品區域（尤其是該區域的頂層和該區域的埋設層）的重疊圖像。頂層可具有小於一毫米或大於一毫米的厚度。該區域可以是微米級的。

為了獲得良好的效能，有兩個基本要求： a.   實現高著陸（landing）能量束（以穿透頂層的厚度並到達埋設層）。 b.   將（對頂層敏感的）次級電子資訊與（對埋設層敏感的）反向散射電子資訊分開，以允許位置的精確測量。

實現高著陸能量束可能需要以相較於樣品非常高的負電壓（如高於一萬伏特）對發射器作偏壓。這大大增加了產生高壓電弧的風險。從設計和可製造性態樣來看，避免電弧產生是主要的技術困難。這樣的SEM將非常複雜且昂貴。

或者，可將正電壓施加於樣品，這會減少發射器上所需的負電壓。儘管如此，以正電壓使樣品偏壓會導致SEM列作為次級電子（其具有低能量）的鏡（mirror），使得無法藉由透鏡內式（in-lens）次級電子偵測器來偵測次級電子。透鏡內係指偵測器位於列內。

圖1繪示樣品100和掃描式電子顯微鏡（SEM）10的實例，該掃描式電子顯微鏡10包括列18、電子源11、列電極12、第一閃爍器13、第二閃爍器14、高功率供應系統19、第一光導15、第一光偵測器16和圖像處理器17，列18可經配置用初級電子束21照射樣品100，第二閃爍器14位於第一閃爍器下方。

第一閃爍器13和第二閃爍器14位於列電極12和樣品100之間。

高功率供應系統19可經配置使樣品100偏壓、使列電極12偏壓、使第一閃爍器13和第二閃爍器14偏壓，以及使電子源偏壓。

高功率供應系統19可以經配置（a）使樣品正偏壓（提供一個或多個千伏特的（one or more kilovolts）正偏壓電壓，例如高於一萬伏特），（b）使第一閃爍器和第二閃爍器相對於樣品正偏壓（使第一閃爍器和第二閃爍器比樣品更為正向（positive））–例如向第一和第二閃爍器提供一個或多個偏壓信號–例如高於一萬五千伏特，且（b）使列電極相對於第一和第二閃爍器負偏壓。列電極將比第一閃爍器更為負向（negative）且比第一閃爍器更為負向。可用負電壓使列電極偏壓。可用更大的負偏壓電壓使電子源11偏壓。

可使第一閃爍器和第二閃爍器偏壓到相同的電壓。或者–高功率供應系統可使第一閃爍器偏壓到第一偏壓電壓，以及可使第二閃爍器偏壓到可不同於第一偏壓電壓的第二偏壓電壓。

例如，可以藉由比提供給第二閃爍器的偏壓電壓更為正向的偏壓電壓使第一閃爍器偏壓。偏壓電壓之間的差可以例如超過幾千伏特。例如，與樣品相比，第二閃爍器可以被偏壓到約一千伏特，以及與樣品相比，第一閃爍器可以被偏壓到約五千伏特。此方案為次級電子給了高於第一閃爍器之額外的水平速度，並使次級電子進一步偏軸(off-axis)散佈，從而導致與兩個閃爍器都被相同偏壓電壓所偏壓的情況相比更大的角度撞擊第一閃爍器。

第一閃爍器和第二閃爍器的偏壓方案以及位置和形狀使得從樣品發射的次級電子23穿過在第二閃爍器中形成的第二孔，穿過在第一閃爍器中形成的第一孔，繼續往該列傳播並最後往第一閃爍器的上部返回，並被第一閃爍器偵測到。

需要幾千伏特的第一閃爍器正電壓以充分加速次級電子，使得次級電子將以幾千伏特的能量撞擊第一閃爍器，從而允許第一閃爍器產生足夠的信號。

第一閃爍器和第二閃爍器的偏壓方案以及位置和形狀使從樣品發射的反向散射電子22往第二閃爍器的下部傳播，並被第二閃爍器偵測到。

圖1繪示光學地耦接在第一光偵測器16與第一閃爍器和第二閃爍器之間的第一光導15。

為了使光偵測器區別(由於偵測到次級電子)從第一閃爍器發射的光和(由於偵測到反向散射電子)從第二閃爍器發射的光-從第一閃爍器發射的光與第二閃爍器發射的光的顏色不同。

從第一閃爍器和第二閃爍器發射的光被第一光偵測器16偵測到，該第一光偵測器16向圖像處理器17發送偵測信號。圖像處理器17經配置產生重疊圖像，該重疊圖像包括關於（由第一閃爍器偵測到的次級電子所代表的）頂層和關於（由第二閃爍器偵測到的反向散射電子所代表的）埋設層的資訊。或者，如圖3所示，從第一閃爍器發射的光和從第二閃爍器發射的光（具有不同的顏色）在單一光導之後彼此分離，並被饋送到兩個不同的偵測通道（其包括兩個光偵測器）以提供個別的（separate）次級電子圖像和個別的反向散射電子圖像，可以將其個別的次級電子圖像和個別的反向散射電子圖像重疊以提供重疊圖像。此分離可以藉由光譜濾波來實現。

圖2繪示SEM 10和樣品100的實例。圖2的SEM與圖1的SEM的不同之處在於（代替單一光導和單一光偵測器）：第一光偵測器16經由第一光導15而耦接至第一閃爍器13，第二光偵測器16'經由第二光導15'而耦接至第二閃爍器14。

在這種配置下，第一閃爍器和第二閃爍器可發射相同顏色或不同顏色的光。

圖3繪示SEM 10和樣品100的實例。圖3的SEM與圖1的SEM不同之處在於： a. 使第一閃爍器13和第二閃爍器14獨立地偏壓。 b. 具有將來自第一光導15的光分離的分離器31-將從第一閃爍器發射的光（其具有第一顏色）發送到第一光偵測器16，以及將從第二閃爍器發射的光（其具有與第一顏色不同的第二顏色）發送到第二光偵測器16'。

圖4繪示初級電子束21的模擬之實例，從次級電子23和反向散射電子22分別往第一閃爍器13和第二閃爍器14的發射開始。圖4亦繪示列與樣品100之間的等勢線（equipotential line）24。

圖5是方法200的實例。

針對評估樣本執行方法200，且特別地針對產生樣本的區域的重疊圖像來執行。該區域可包括頂層和下部層。

方法200可包括步驟210，該步驟210用由掃描式電子顯微鏡的列產生的初級電子束照射樣品。術語「初級（primary）」僅表示電子束用於照射樣品。

步驟210之後可以是步驟220，步驟220將從該樣品發射並在第一閃爍器上方傳播的次級電子往該第一閃爍器的上部引導，其中該第一閃爍器和該第二閃爍器位於該樣品和該列的列電極之間；其中該第一閃爍器位於該第二閃爍器的上方。

步驟220之後可以是步驟225，步驟225藉由第一閃爍器偵測次級電子。該偵測步驟涉及從第一閃爍器發射光。

步驟210之後還有步驟230，步驟230將從該樣品發射的反向散射電子往該第二閃爍器的下部引導。

步驟230之後可以是步驟235，步驟235藉由第二閃爍器偵測反向散射電子。該偵測步驟涉及從第二閃爍器發射光。

步驟225和235之後可以是步驟240，步驟240從第一閃爍器和第二閃爍器向一個或多個光偵測器並通過一個或多個光導發射光。以允許區別從第一閃爍器發射的光和從第二閃爍器發射的光的方式執行步驟240。

步驟240可包括以下步驟：響應對該等次級電子的偵測，藉由該第一閃爍器發射第一顏色的光，及響應對該等反向散射電子的偵測，藉由該第二閃爍器發射不同於該第一顏色的第二顏色的光。

步驟240可包括以下步驟：將從該第一閃爍器發射的光透過第一光導傳送到第一光偵測器；及將從該第二閃爍器發射的光透過第二光導傳送到第二光偵測器。

步驟240之後可以是步驟250，步驟250是藉由一個或多個光偵測器產生偵測信號，以及將偵測信號（通常是電子信號）發送到圖像處理器。

步驟250之後可以是步驟260，步驟260藉由圖像處理器產生初級電子束所照射（例如，藉由掃描區域）的區域的重疊圖像。該區域的長度和寬度可以是微米級，但也可以為其他尺度。

可以在藉由SEM掃描區域之後產生重疊圖像。這可能需要步驟210、220、225、230、235、240和250的一個或多個重複。

在前述說明書中，已經參考本發明的實施例的特定實例描述了本發明。然而，很明顯地，可以在不脫離所附專利申請範圍所闡述的本發明的更廣泛精神和範圍的情況下，在其中作各種修改和改變。

此外，說明書和申請專利範圍中如果有術語「前」、「後」、「頂部」、「底部」、「上方」、「下方」等，其用於說明之目的而不必然用於描述永久相對位置。應當理解，如此使用的術語在適當的情況下是可互換的，使得本文描述的本發明的實施例例如能夠以不同於本文所示或以其他方式描述的方向來操作。

本案所討論的連接可以是適合於例如經由中間裝置從各個節點、單元或裝置傳送信號或向各個節點、單元或裝置傳送信號的任何類型的連接。因此，除非另有暗示或說明，否則連接可以例如是直接連接或間接連接。可以參考單一連接、複數個連接、單向連接或雙向連接來繪示或描述連接。然而，不同的實施例可改變連接的實施。例如，可使用個別的單向連接而不是雙向連接，反之亦然。而且，可以用連續地傳送多個信號或者以時間多工（time multiplexed）的方式傳送多個信號之單一連接來代替複數個連接。類似地，可以將承載多個信號的單一連接分離為承載這些信號的子集之各種不同的連接。因此，存在許多用於傳送信號的選項。

實現相同功能的任何元件配置被有效地「關聯（associated）」，使得期望的功能得以實現。因此，本案中的經組合以實現特定功能的任何兩個元件可以被視為彼此「關聯」，使得實現期望的功能，而與架構或中間元件無關。類似地，如此相關聯的任何兩個元件亦可以看作是彼此「可操作地連接」或「可操作地耦接」以實現所期望的功能。

此外，本發明所屬領域中具有通常知識者將認識到，上述操作之間的邊界僅僅是示例性的。可以將多個操作組合成單一操作，可以將單一操作分配在附加操作中，且可以在時間上至少部分重疊地執行操作。此外，替代實施例可包括特定操作的多個實例，且在各種其他實施例中可以改變操作的順序。

再者，例如，在一個實施例中，所示實例可以被實現為位於單一積體電路上或在同一裝置內的電路。或者，該等實例可以被實現為以合適的方式彼此互連的任何數量的個別的積體電路或個別的裝置。

然而，也可以有其他修改、變化和替代。因此，說明書和圖式應被視為是說明性的而不是限制性的。

在請求項中，放在括號之間的任何數字編號不應解釋為對請求項的限制。用語「包括（comprising）」並不排除請求項中列出的元件或步驟之外的其他元件或步驟的存在。此外，本案所使用的術語此外，本說明書所用的術語「一（a）」或「一（an）」被定義為一個或多於一個。此外，請求項中引導式片語如「至少一個」及「一個或多個」之使用不應解釋為暗示由不定冠詞「一（a）」或「一（an）」引入的另一請求項元件將包含此引入請求項元件的任何特定請求項限制為只包含一個此元件的發明，即使當相同請求項包括引導式片語「一個或多個」或「至少一個」及如「一（a）」或「一（an）」的不定冠詞，亦是如此。這同樣適用於定冠詞的使用。除非另有說明，否則術語如「第一」和「第二」用於作為此類術語描述的元件之間的任意區別。因此，這些術語不必意圖表示此等元件的時間或其他優先順序。某些手段記載在互不相同的請求項中之事實不表示這些手段的組合不能被有利地使用。

雖然已在本案中圖示及說明本發明之某些特點，但本案所屬領域中具有通常知識者可思及若干修改、替代、變化及等效物。因此，應當瞭解，所附申請專利範圍旨在本發明之真正精神內涵蓋所有此種修改及變化。

10:掃描式電子顯微鏡 11:電子源 12:列電極 13:第一閃爍器 14:第二閃爍器 15:第一光導 15':第二光導 16:第一光偵測器 16':第二光偵測器 17:圖像處理器 18:列

19:高功率供應系統

21:初級電子束

22:反向散射電子

23:次級電子

24:等勢線

31:分離器

100:樣品

200:方法

210:步驟

220:步驟

225:步驟

230:步驟

235:步驟

240:步驟

250:步驟

260:步驟

於說明書末段具體指出及清楚請求被視為本發明之標的。然而，參考以下實施方式，配合所附圖式閱讀，本發明在有關組織及操作方法及其目的、特點和優點方面將可最清楚瞭解，其中：

圖1繪示掃描式電子顯微鏡（SEM）的一部分和樣品的實例；

圖2繪示掃描式電子顯微鏡（SEM）的一部分和樣品的實例；

圖3繪示掃描式電子顯微鏡（SEM）的一部分和樣品的實例；

圖4繪示模擬電場和各種電子及樣品的實例；及

圖5繪示方法的實例。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

10:掃描式電子顯微鏡

11:電子源

12:列電極

13:第一閃爍器

14:第二閃爍器

15:第一光導

16:第一光偵測器

17:圖像處理器

18:列

19:高功率供應系統

21:初級電子束

22:反向散射電子

23:次級電子

100:樣品

Claims (20)

1. 一種掃描式電子顯微鏡，包括：一列(column)，該列經配置用一初級電子束(primary electron beam)照射一樣品；一列電極；一第一閃爍器；一第二閃爍器，該第二閃爍器位於該第一閃爍器下方；一高功率供應系統(high power supply system)；其中該第一閃爍器和該第二閃爍器位於該列電極和該樣品之間；其中該高功率供應系統經配置使該樣品、該列電極、該第一閃爍器和該第二閃爍器偏壓(bias)；其中該第一閃爍器經配置偵測從該樣品發射、在該第一閃爍器上方傳播並朝向該第一閃爍器返回的次級電子；其中該第二閃爍器經配置偵測從該樣品發射的反向散射電子。
2. 如請求項1所述之掃描式電子顯微鏡，其中該第一閃爍器經配置響應對該等次級電子的該偵測而發射一第一顏色的光；及其中該第二閃爍器經配置響應對該等反向散射電子的該偵測而發射與該第一顏色不同的一第二顏色的光。
3. 如請求項2所述之掃描式電子顯微鏡，包括一光偵測器，該光偵測器經由一單一光導耦接至該第一閃爍器和該第二閃爍器。
4. 如請求項1所述之掃描式電子顯微鏡，包括一第一光偵測器與一第二光偵測器，該第一光偵測器經由一第一光導耦接至該第一閃爍器，該第二光偵測器經由一第二光導耦接至該第二閃爍器。
5. 如請求項1所述之掃描式電子顯微鏡，包括至少一個光偵測器、至少一個光導與一圖像處理器，該至少一個光導耦接於該第一閃爍器、該第二閃爍器和該至少一個光偵測器之間，該圖像處理器耦接至該至少一個光偵測器。
6. 如請求項5所述之掃描式電子顯微鏡，其中該圖像處理器經配置基於由該至少一個光偵測器所產生的信號來產生一重疊圖像(overlay image)。
7. 如請求項1所述之掃描式電子顯微鏡，其中該第一閃爍器包括一第一孔，其中該第二閃爍器包括一第二孔；其中該列經配置引導該初級電子束穿過該第一孔以及穿過該第二孔；其中該第一閃爍器經配置偵測穿過該第一孔以及穿過該第二孔的該等次級電子。
8. 如請求項1所述之掃描式電子顯微鏡，其中該高功率供應系統經配置使該樣品正偏壓，使該第一閃爍器和該第二閃爍器相對於該樣品正偏壓，及使該列電極相對於該第一閃爍器和該第二閃爍器負偏壓。
9. 如請求項1所述之掃描式電子顯微鏡，其中該高功率供應系統經配置使該樣品正偏壓超過一萬伏特的一電壓，以使該第一閃爍器和該第二閃爍器偏壓超過一萬五千伏特的一電壓。
10. 如請求項1所述之掃描式電子顯微鏡，其中該列電極與該第一閃爍器之間的一距離為毫米級(millimetric scale)，及其中該第二閃爍器與該樣品之間的一距離為毫米級。
11. 一種重疊監控(overlay monitoring)的方法，該方法包括以下步驟：用一掃描式電子顯微鏡的一列所產生的一初級電子束照射一樣品；將從該樣品發射並在一第一閃爍器上方傳播的次級電子往該第一閃爍器的一上部引導，其中該第一閃爍器和一第二閃爍器位於該樣品和該列的一列電極之間；其中該第一閃爍器位於該第二閃爍器的上方；藉由該第一閃爍器偵測該等次級電子；將從該樣品發射的反向散射電子往該第二閃爍器的一下部引導；及藉由該第二閃爍器偵測該反向散射電子。
12. 如請求項11所述之方法，包括以下步驟：響應對該等次級電子的該偵測，藉由該第一閃爍器發射一第一顏色的光；及響應對該等反向散射電子的該偵測，藉由該第二閃爍器發射不同於該第一顏色的一第二顏色 的光。
13. 如請求項12所述之方法，將該第一顏色的光和該第二顏色的光透過一單一光導傳送到一光偵測器。
14. 如請求項11所述之方法，包括以下步驟：將從該第一閃爍器發射的光透過一第一光導傳送到一第一光偵測器；及將從該第二閃爍器發射的光透過一第二光導傳送到一第二光偵測器。
15. 如請求項11所述之方法，包括以下步驟：將偵測信號傳送到一圖像處理器；其中該等偵測信號由至少一個光偵測器產生，該至少一個光偵測器藉由至少一個光導耦接到該第一閃爍器及耦接到該第二閃爍器。
16. 如請求項15所述之方法，包括以下步驟：藉由該圖像處理器基於該至少一個光偵測器所產生的該等偵測信號產生一重疊圖像。
17. 如請求項11所述之方法，其中該照射步驟包括以下步驟：引導該初級電子束穿過在該第一閃爍器中形成的一第一孔，以及穿過在該第二閃爍器中形成的一第二孔；及其中引導該等次級電子的該步驟包括以下步驟：引導該等次級電子穿過該第一孔以及穿過該第二孔。
18. 如請求項11所述之方法，包括以下步驟：(a)藉由一高功率供應系統使該樣品正偏壓；(b)藉由該高功率供應系統使該第一閃爍器和該第二閃爍器相 對於該樣品正偏壓；以及(c)藉由該高功率供應系統使該列電極相對於該第一閃爍器和該第二閃爍器負偏壓。
19. 如請求項11所述之方法，包括以下步驟：(a)藉由一高功率供應系統將該樣品正偏壓超過一萬伏特的一電壓；(b)藉由該高功率供應系統將該第一閃爍器和該第二閃爍器偏壓超過一萬五千伏特的一電壓。
20. 如請求項11所述之方法，其中該列電極與該第一閃爍器之間的一距離為毫米級，及其中該第二閃爍器與該樣品之間的一距離為毫米級。