TWI836287B - 曝光裝置與曝光方法 - Google Patents

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Abstract

一種曝光裝置，包括一雷射光源、一第一空間光調製器、一第二空間光調製器及一控制器。雷射光源，適於發射一雷射光。第一空間光調製器被該雷射光所照射，適於對照射於其上的該雷射光進行相位調製後反射該雷射光。第二空間光調製器被該第一空間光調製器反射後的該雷射光所照射，適於對照射於其上的該雷射光進行振幅調製後反射該雷射光。其中，經由該第二空間光調製器所反射的該雷射光照射於該光阻層上並形成一曝光圖案。

Description

曝光裝置與曝光方法
一種半導體製造裝置，特別是一種曝光裝置。
微影製程(photolithography)是利用曝光和顯影在光阻層上刻畫幾何圖形結構，然後通過蝕刻製程將光罩上的圖形轉移到所在基板上，其中基板例如為半導體所使用的矽晶圓、碳化矽基板，或是一般電子元件使用印刷電路板(PCB)。在製程之中，光罩便成了決定曝光圖案的重要元件之一，然而光罩需要經過設計、測試與驗證等繁雜的程序，這個程序可能需要幾個月才能完成，也延長了半導體元件製程所需的時間。
為克服光罩的問題，無光罩曝光技術(Maskless Lithography)逐漸受到市場青睞。無光罩曝光技術顧名思義即不使用光罩(Mask/Reticle)來進行曝光使光阻劑(Photoresist；PR)產生圖案化之方法，進而省去光罩達到無光罩曝光的功效。目前，無光罩曝光技術廣泛應用於在生產上屬於少量多樣的元件上，例如電感、被動元件、微機電系統(Microelectromechanical Systems；MEMS)等元件。
目前常見的無光罩曝光機是透過液晶覆矽裝置(Liquid Crystal On Silicon，LCOS)或數位微鏡裝置(Digital Micromirror Device，DMD)在光阻層上產生曝光圖案，但這些方法均有其缺陷。例如，LCOS的液晶調變速度較慢，需要較長的曝光時間，不符合市場對於半導體元件生產速度的要求。
請參閱圖1A與圖1B，圖1A與圖1B所繪示為光阻層使用數位微鏡裝置曝光後顯影的示意圖。在圖1A與圖1B中，晶圓10上設置有光阻層11，並且對光阻層11上的預定區域13使用數位微鏡裝置進行曝光。接著，在圖1B中，經過顯影後，除去了部分的光阻層11形成圖案12。然而，由於繞射的原因，光線往往無法百分之百集中在預定曝光的區域，預定非曝光的區域往往也會受到部分光線照射(尤其是在靠近預定曝光的區域的邊緣處)。因此，實際上所形成的圖案12，其邊緣14並無法如同預定區域13垂直於晶圓10，而是有所偏差。邊緣14可能呈現一斜面，且邊緣14產生的位置可能小於或大於預定區域13，使圖案12無法正確地於預定的位置上成型。也就是說，若使用DMD進行曝光，由於無法改變相位，故在進行顯影時無法精確或犀利地(Sharply)控制圖案形狀，以至於顯影的結果不如預期(良率不佳)，於厚光阻曝光尤為明顯。
因此，如何解決上述問題，便是本領域具通常知識者值得去思量的。
有鑑於此，本發明提供一種曝光裝置，透過調整相位與振幅的方式控制雷射光，以達到更精準地或犀利地(sharply)控制圖案的功效，克服傳統無光罩曝光之只調整振幅缺陷。本發明之具體手段如下：一種曝光裝置，適於將雷射光投射於一光阻層上，該曝光裝置包括一雷射光源、一第一空間光調製器、一第二空間光調製器、一控制器及一感測器。雷射光源，適於發射一雷射光。第一空間光調製器，被該雷射光所照射，該第一空間光調製器包括多個第一畫素，每一第一畫素適於對照射於其上的該雷射光進行相位調製後反射該雷射光。第二空間光調製器，被該第一空間光調製器反射後的該雷射光所照射，該第二空間光調製器包括多個第二畫素，每一第二畫素適於對照射於其上的該雷射光進行振幅調製後反射該雷射光。感測器設置於 該第二空間光調製器與該光阻層之間，且該感測器電性連接至該控制器，該感測器包括一分光鏡、一光強度感測器與一相位感測器。其中，經由該第二空間光調製器所反射的該雷射光照射於該光阻層上並形成一曝光圖案，該曝光圖案包括多個第三畫素，且上述第一畫素、上述第二畫素、與上述第三畫素彼此相對應。其中，該感測器偵測該雷射光的相位與光強度並產生一感測訊號至該控制器。其中，該分光鏡設置於該第二空間光調製器與該光阻層之間，且該分光鏡將入射的該雷射光分成一第一雷射光與一第二雷射光，該第一雷射光往該第二空間光調製器入射，而該第二雷射光則往該光強度感測器與該相位感測器入射。
上述之曝光裝置，其中，該第一空間光調製器是一種液晶覆矽裝置。
上述之曝光裝置，其中，該第二空間光調製器是一種數位微鏡裝置，該數位微鏡裝置包括多個作為該第二畫素的微鏡。
上述之曝光裝置，其中，該第二空間光調製器是一種液晶覆矽裝置。
上述之曝光裝置，其中該第一雷射光的光強度是該第二雷射光的光強度的比值為99。
上述之曝光裝置，更包括一投影鏡頭，設置於該第二空間光調製器與該光阻層間，其中該投影鏡頭將該第二空間光調製器所反射過來的雷射光聚焦並照射在該光阻層上，以形成該曝光圖案。
上述之曝光裝置，其中上述第三畫素包括多個第三暗區畫素與多個第三亮區畫素，上述第一畫素包括多個第一暗區畫素與多個第一亮區畫素，而該第三暗區畫素與該第一暗區畫素相對應，該第三亮區畫素與該第一亮區畫素相對應；其中，相鄰於該第一暗區畫素的至少二個該第一亮區畫素所調製的雷射光的相位彼此相差180°。
上述之曝光裝置，其中還包括一擴束器，設置於該雷射光的路徑上，並且該雷射光是穿過該擴束器照射該第一空間光調製器。
本發明還提供一種曝光方法，包括：(a)發射一雷射光至一第一空間光調製器，該第一空間光調製器包括多個第一畫素；(b)該第一空間光調製器變換各個該第一畫素所調製的雷射光的相位；(c)該第一空間光調製器將調製相位後的該雷射光照射至一第二空間光調製器，該第二空間光調製器包括多個第二畫素；(d)該第二空間光調製器變換該第二畫素所調製的雷射光的振幅；(e)該第二空間光調製器將調製振幅後的雷射光照射至一光阻層，形成一曝光圖案，該曝光圖案包括多個第三畫素；(f)偵測來自該第二空間光調製器的該雷射光的相位與光強度，該步驟(f)與步驟(e)同步進行；其中，該第一畫素、該第二畫素與該第三畫素相對應。
其中，其中步驟(f)還包括：(f1)以一分光鏡將該雷射光分成一第一雷射光與一第二雷射光，該第一雷射光為步驟(e)中射向該光阻層的該雷射光；(f2)將該第二雷射光朝一光強度感測器與一相位感測器入射；(f3)以該光強度感側器偵測該第二雷射光的光強度；(f4)以該相位感側器偵測該第二雷射光的相位；及(f5)根據該第二雷射光的相位與光強度控制該第一光調製器與該第二光調製器。
上述之曝光方法，其中該第一空間光調製器是一種液晶覆矽裝置。
上述之曝光方法，其中該第二空間光調製器是一種數位微鏡裝置，該數位微鏡裝置包括多個作為該第二畫素的微鏡。
上述之曝光方法，其中該第二空間光調製器是一種液晶覆矽裝置。
上述之曝光方法，其中該第一雷射光的光強度與該第二雷射光的光強度的比值為99。
10:晶圓
11:光阻層
12:圖案
13:預定區域
14:邊緣
100:曝光裝置
110:雷射光源
111、111a、111b:雷射光
111b’:第一雷射光
111b”:第二雷射光
112:擴束器
120:第一空間光調製器
130:第二空間光調製器
140:感測器
141:相位感測器
142:光強度感測器
143、143’:分光鏡
150:控制器
151:輸入介面
160:投影鏡頭
20:光阻層
201:第一畫素
2011:第一暗區畫素
2012a、2012b:第一暗區畫素
210:基板層
220:CMOS層
230:反射層
240、240’:取向層
250:液晶層
251:液晶
260:透明電極層
270:玻璃蓋板
280:抗反射層
310:基板
320:微鏡
400:曝光圖案
401:第三畫素
410:第三暗區畫素
420、420’:第三亮區畫素
430:光線明暗邊緣
601、602:曲線
S11~S16、S161~S165:流程圖步驟
圖1A與圖1B所繪示為光阻層使用DMD曝光與顯影的示意圖。
圖2A所繪示為本發明之曝光裝置。
圖2B所繪示為曝光裝置的架構示意圖。
圖3A所繪示的示意圖為第一空間光調製器是液晶覆矽裝置的實施例。
圖3B所繪示為第一空間光調製器的外觀示意圖。
圖4所繪示為第二空間光調製器的示意圖。
圖5所繪示為曝光圖案形成之示意圖。
圖6A所繪示為第一畫素之示意圖。
圖6B所繪示為雷射光形成曝光圖案的示意圖。
圖6C所繪示為一時間點第三畫素上之光強度示意圖。
圖7A所繪示為本發明的曝光方法。
圖7B所繪示為偵測相位與光強度的方法。
本發明提供一種曝光裝置與曝光方法，使用空間光調製器調製雷射光的相位與振幅，利用不同相位與振幅的雷射光彼此干涉與抵銷來形成更精確的曝光 圖案。請參閱圖2A、圖2B與圖7A，圖2A所繪示為本發明之曝光裝置。圖2B所繪示為曝光裝置的架構示意圖，圖7A所繪示為本發明的曝光方法。本創作之曝光裝置100包括一雷射光源110、一擴束器112、一第一空間光調製器120、一第二空間光調製器130、一感測器140、一控制器150與一投影鏡頭160。
首先，執行步驟S11，發射一雷射光111至第一空間光調製器120。在步驟S11中是使用雷射光源110發射雷射光111。而第一空間光調製器120設置於雷射光111的路徑上，並被雷射光111照射。擴束器112設置於雷射光源110與第一空間調製器120之間，並設置於雷射光111的路徑上，因此雷射光111是穿過擴束器112照射第一空間光調製器120。當雷射光111穿過擴束器112，雷射光111的照射半徑會被放大，可提高雷射光111照射在第一空間光調製器120上的面積。在其中一實施例中，當雷射光111穿過擴束器112，雷射光111會覆蓋整個第一空間光調製器120。在本實施例中，第一空間光調製器120例如是一種液晶覆矽裝置(Liquid Crystal On Silicon，LCOS)，因此第一空間光調製器120包括多個第一畫素201，每一第一畫素201適於對照射於其上的雷射光111進行相位調製後反射雷射光111，而經其反射的雷射光111a之相位可以被改變。因此，接著進行步驟S12，第一空間光調製器120變換每個第一畫素201所調製的雷射光111的相位。
請參閱圖3A，圖3A所繪示為作為第一空間光調製器之實施例的液晶覆矽裝置的示意圖。其中，作為第一空間光調製器120的液晶覆矽裝置包括一基板層210、一CMOS層220(CMOS為Complementary Metal-Oxide-Semiconductor的縮寫)、一反射層230、二取向層(alignment layer)240、240’、一液晶層250、一透明電極層260與一玻璃蓋板270。其中，CMOS層220包括一CMOS電路層221與多個畫素電極222，反射層230設置在CMOS層220上，取向層240設置於反射層230上方，而液晶層250則是設置在二個取向層240、240’之間。透明電極層260設置於取向層240’上方，且透明電極層260上設置有多個透明電極(未繪示)，每一 透明電極是與其中一畫素電極222相對應；也就是說，透明電極與畫素電極222是成對設置。玻璃蓋板270則是覆蓋在透明電極層260的上方，除了接收外部光線外，也用於保護液晶覆矽裝置內部的各元件。此外，玻璃蓋板270上方還設置有抗反射層280，例如為抗反射鍍膜(Anti Reflection Coating)。
請同時參閱圖3B，圖3B所繪示為作為第一空間光調製器120的液晶覆矽裝置的外觀示意圖。液晶覆矽裝置的視平面可被切分為多個第一畫素201，每一第一畫素201對應到其中一畫素電極222與透明電極。在本實施例中，液晶覆矽裝置是經由CMOS電路層221接收外部控制訊號，從而控制畫素電極222與透明電極層260上透明電極的電性，從而讓每一畫素電極所對應的液晶層250中的液晶251轉動。如此一來，當光線進入液晶覆矽裝置後，受到轉動後之液晶251的影響，經過其相位將會被改變。而且，每一第一畫素201所對應之液晶251的方向都可由個別的畫素電極221與透明電極進行控制，故可控制每一第一畫素201所射出之光線的相位。
接著，請回去參照圖2A與圖7A，進行步驟S13，將第一空間光調製器120調製相位後的雷射光111a照射至第二空間光調製器130。第二空間光調製器130設置於第一空間光調製器120反射後的雷射光111a的路徑上。並且，第二空間光調製器130包括多個第二畫素，每一第二畫素適於對照射於其上的雷射光111a進行振幅調製後反射雷射光111a。在本實施例中，第二空間光調製器130是一種數位微鏡裝置(Digital Micromirror Device，DMD)，可反射雷射光111a，而經過反射的雷射光111b之振幅會被改變。因此，進行步驟S14，第二空間光調製器130變換第二畫素所調製的雷射光111b的振幅。
進一步的，請參閱圖4，圖4所繪示為第二空間光調製器的示意圖。在一實施例中，第二空間光調製器130還包括多個第二畫素，第二畫素在本實施例中為微鏡320，這些微鏡320是設置在一基板310上。在本實施例中，每一微鏡320是 與第一空間光調製器120上的其中一第一畫素201(請參照圖3B)相對應。每個微鏡320可被控制並改變角度，使微鏡320呈現開啟或關閉的效果，例如為水平面正12度為開啟，負12度為關閉，並且每個微鏡320在開啟與關閉之間切換的頻率也可被控制。透過調整不同的微鏡320的切換開啟與關閉的頻率來反射雷射光111a，使得被不同開關頻率的微鏡320所反射的雷射光111a能夠堆疊出不同的能量，從而達到調整雷射光111a照射在光阻層20上的振幅(亦即：強度)的功效。而經由第二空間光調製器130反射之後的雷射光111b，再經由投影鏡頭160投射於光阻層20上後便可形成一曝光圖案400(如圖5所示)。
請返參圖2A與圖7A，之後進行步驟S15，由第二空間光調製器130所調製的雷射光111b照射至光阻層20，形成曝光圖案400。經由第一空間光調製器120後，可以調整每一第一畫素201所射出的雷射光的相位。此外，雷射光在經過第二空間光調製器130後，調整了雷射光照射在光阻層20上的強度分布，藉此形成光阻層20表面上的明暗分布，以形成如圖5所示的曝光圖案400。
請參閱圖5，圖5所繪示為曝光圖案之示意圖。曝光圖案400可以視為由多個第三畫素401以陣列排列而組成，第三畫素401中包括第三暗區畫素410與第三亮區畫素420，且每一個第三畫素401都對應到第一空間光調製器120上的其中一第一畫素201與第二空間光調製器130上的其中一微鏡320。
其中，第三畫素401所對應至的第一畫素201包括了多個第一暗區畫素與多個第一亮區畫素，並且第三暗區畫素410與第一暗區畫素相對應，第三亮區畫素420與第一亮區畫素相對應。相鄰於第一暗區畫素的至少二個第一亮區畫素所調製的雷射光的相位彼此相差180°。
請參閱圖6A，圖6A所繪示為第一畫素之示意圖。在圖6中僅繪出三個第一畫素201做為示意，並且包括一個第一暗區畫素2011與相鄰的兩個第一亮區畫素2012a、2012b。在本實施例中，第一亮區畫素2012a、2012b分別位於第一暗區畫 素2011的左右兩側。而第一亮區畫素2012a、2012b在調製雷射光後，所調製的雷射光的相位彼此相差180°。換句話說，經由第一亮區畫素2012a、2012b所調製的雷射光會具有180°的相位差。
接著請參閱圖6B，圖6B所繪示為雷射光形成曝光圖案的示意圖。經由第一亮區畫素2012a反射的雷射光會投射在第三亮區畫素420上，經由第一亮區畫素2012b反射的雷射光則會投射在第三亮區畫素420’上。
接著請參閱圖6C，圖6C所繪示為一時間點第三畫素上之光強度示意圖。曲線601表示的是第一亮區畫素2012a反射的雷射光的光強度，投射在第三亮區畫素420上。曲線602表示的是第一亮區畫素2012b反射的雷射光的光強度，投射在第三亮區畫素420’上。由於光線繞射，部分雷射光會被投射到第三暗區畫素410上。經由第一亮區畫素2012a、2012b所反射的雷射光會具有180°的相位差，因此投射在第三亮區畫素420與420’上的雷射光的相位呈現彼此相反的狀態。也因此，因繞射而投射在第三暗區畫素410上的雷射，會因為第一亮區畫素2012a、2012b所反射的雷射光相互干涉而抵銷，如此便可有效降低第三暗區畫素410上的光線投射，進一步在形成曝光圖案時，可讓第三亮區畫素420與第三暗區畫素410的區隔更為清晰。
第三暗區畫素410的第三畫素401所對應的微鏡320，其偏轉角度可使反射後的雷射光不照在第三暗區畫素410上。反之，第三亮區畫素420的第三畫素401所對應的微鏡320，其偏轉角度可使反射後的雷射光照在第三亮區畫素420上。
請重新參照圖2A與圖7A，在其中一實施例，感測器140設置於第二空間光調製器130與光阻層20之間，因此進行步驟S16，偵測來自第二空間光調製器130的雷射光111b的相位與光強度。此外，投影鏡頭160(Projection Lens)是置於第二空間光調製器130反射後的雷射光111b的路徑上，雷射光111b穿過投影鏡頭160後投射在光阻層20上，以在光阻層20上形成曝光圖案400。
在較佳實施例中，感測器140包括多個分光鏡143、143’、一光強度感測器142、與一相位感測器141。分光鏡143’設置在第二空間光調製器130與投影鏡頭160之間，分光鏡143’適於將入射的雷射光111b分成一第一雷射光111b’與一第二雷射光111b”。進一步的，第一雷射光111b’的光強度與第二雷射光111b”的光強度的比值為99，也就是說分光鏡143’會分出1%的雷射光射入一光強度感測器142與一相位感測器141中。在圖2A的實施例中，第二雷射光111b”會再經由一分光鏡143進行分光，讓第二雷射光111b”分別射入光強度感測器142與相位感測器141。感測器140經由光強度感測器142與相位感測器141接收第二雷射光111b”便可產生一感測訊號。
請參閱圖2B與圖7B，圖7B所繪示為偵測相位與光強度的方法。控制器150電性連接至雷射光源110、第一空間光調製器120、第二空間光調製器130與感測器140。控制器150例如是一種可程式化的控制模組(Programmable logic controller，PLC)或是具備控制程式的電腦裝置。控制器150適於接收感測訊號，並根據感測訊號控制雷射光源110的輸出光強度與相位。其控制方法如下： 首先，進行步驟S161，使用分光鏡143’將雷射光111b分成第一雷射光111b’與第二雷射光111b”，其中第一雷射光111b’即是在步驟S15中射向光阻層20的雷射光。接著，進行步驟S162，將第二雷射光111b”朝向一光強度感測器142與一相位感測器141入射，進一步的是使用另一個分光鏡143讓第二雷射光111b”分別進入光強度感測器142與相位感測器141。
接著，進行步驟S163，以光強度感測器142偵測第二雷射光111b”的光強度。並進行步驟S164，使用相位感測器141偵測第二雷射光111b”的相位。之後，執行步驟S165，根據第二雷射光111b”的相位與光強度控制第一光調製器120與第二光調製器130，進一步修正所形成的曝光圖案400。此外，在一實施例中，步驟S15與步驟S16(即步驟S161~S165)是同步進行，也就在形成曝光圖案400 的同時，可透過步驟S161~S165動態的調整雷射光所形成的曝光圖案400，在曝光過程中不斷修正曝光圖案400，進一步確保曝光圖案400與預期的圖案相符合。
更詳細來說，控制器150是將感測器140所測得的雷射參數與一預設雷射參數進行比較，若所測得的雷射參數與預設雷射參數不相符，便控制雷射光源110從而調整射出的雷射光之光強度和相位，直到感測器140所測得的雷射參數與預設雷射參數相符合。
此外，在一實施例中，控制器150還包括一輸入介面151，輸入介面151可供操作者輸入所欲的預設雷射參數。此外，輸入介面151還適於供操作者輸入所欲的曝光圖案，控制器150便可根據所輸入曝光圖案的資料，進一步對第一空間光調製器120與第二空間光調製器130進行操作，從而在光阻層20上形成所要的曝光圖案。
本發明提供的曝光裝置與方法，透過調製雷射光的相位與振幅，利用每個畫素之間的雷射光互相干涉與抵銷，從而形成更為精準或犀利的曝光圖案，可改善顯影製成的良率，克服傳統技術的缺陷。
本發明說明如上，然其並非用以限定本創作所主張之專利權利範圍。其專利保護範圍當視後附之申請專利範圍及其等同領域而定。凡本領域具有通常知識者，在不脫離本專利精神或範圍內，所作之更動或潤飾，均屬於本創作所揭示精神下所完成之等效改變或設計，且應包含在下述之申請專利範圍內。
100:曝光裝置
111、111a、111b:雷射光
111b’:第一雷射光
111b”:第二雷射光
112:擴束器
120:第一空間光調製器
130:第二空間光調製器
140:感測器
141:相位感測器
142:光強度感測器
143、143’:分光鏡
150:控制器
160:投影鏡頭

Claims (13)

  1. 一種曝光裝置，適於將雷射光投射於一光阻層上，該曝光裝置包括：一雷射光源，適於發射一雷射光；一第一空間光調製器，被該雷射光所照射，該第一空間光調製器包括多個第一畫素，每一第一畫素適於對照射於其上的該雷射光進行相位調製後反射該雷射光；一第二空間光調製器，被該第一空間光調製器反射後的該雷射光所照射，該第二空間光調製器包括多個第二畫素，每一第二畫素適於對照射於其上的該雷射光進行振幅調製後反射該雷射光；一控制器，電性連接並控制該雷射光源、該第一空間光調製器與該第二空間光調製器；及一感測器，設置於該第二空間光調製器與該光阻層之間，且該感測器電性連接至該控制器，該感測器包括一分光鏡、一光強度感測器與一相位感測器；其中，經由該第二空間光調製器所反射的該雷射光照射於該光阻層上並形成一曝光圖案，該曝光圖案包括多個第三畫素，且上述第一畫素、上述第二畫素、與上述第三畫素彼此相對應；其中，該感測器偵測該雷射光的相位與光強度並產生一感測訊號至該控制器；其中，該分光鏡設置於該第二空間光調製器與該光阻層之間，且該分光鏡將入射的該雷射光分成一第一雷射光與一第二雷射光，該第一雷射光往該第二空間光調製器入射，而該第二雷射光則往該光強度感測器與該相位感測器入射。
  2. 如請求項1所述的曝光裝置，其中，該第一空間光調製器是一種液晶覆矽裝置。
  3. 如請求項1或第2項所述的曝光裝置，其中，該第二空間光調製器是一種數位微鏡裝置，該數位微鏡裝置包括多個作為該第二畫素的微鏡。
  4. 如請求項1或第2項所述的曝光裝置，其中，該第二空間光調製器是一種液晶覆矽裝置。
  5. 如請求項1所述的曝光裝置，其中該第一雷射光的光強度與該第二雷射光的光強度的比值為99。
  6. 如請求項1所述的曝光裝置，更包括一投影鏡頭，設置於該第二空間光調製器與該光阻層之間，其中該投影鏡頭將該第二空間光調製器所反射過來的雷射光聚焦並照射在該光阻層上，以形成該曝光圖案。
  7. 如請求項1所述的曝光裝置，其中上述第三畫素包括多個第三暗區畫素與多個第三亮區畫素，上述第一畫素包括多個第一暗區畫素與多個第一亮區畫素，而該第三暗區畫素與該第一暗區畫素相對應，該第三亮區畫素與該第一亮區畫素相對應；其中，相鄰於該第一暗區畫素的至少二個該第一亮區畫素所調製的雷射光的相位彼此相差180°。
  8. 如請求項1所述的曝光裝置，還包括一擴束器，設置於該雷射光的路徑上，並且該雷射光是穿過該擴束器照射該第一空間光調製器。
  9. 一種曝光方法，包括以下步驟：(a)發射一雷射光至一第一空間光調製器，該第一空間光調製器包括多個第一畫素；(b)該第一空間光調製器變換各個該第一畫素所調製的該雷射光的相位；(c)該第一空間光調製器將調製相位後的該雷射光照射至一第二空間光調製器，該第二空間光調製器包括多個第二畫素； (d)該第二空間光調製器變換該第二畫素所調製的該雷射光的振幅；(e)該第二空間光調製器將調製振幅後的雷射光照射至一光阻層，形成一曝光圖案，該曝光圖案包括多個第三畫素；(f)偵測來自該第二空間光調製器的該雷射光的相位與光強度，該步驟(f)與步驟(e)同步進行；其中，該第一畫素、該第二畫素與該第三畫素相對應；其中，其中步驟(f)還包括：(f1)以一分光鏡將該雷射光分成一第一雷射光與一第二雷射光，該第一雷射光為步驟(e)中射向該光阻層的該雷射光；(f2)將該第二雷射光朝一光強度感測器與一相位感測器入射；(f3)以該光強度感側器偵測該第二雷射光的光強度；(f4)以該相位感側器偵測該第二雷射光的相位；及(f5)根據該第二雷射光的相位與光強度控制該第一光調製器與該第二光調製器。
  10. 如請求項9所述的曝光方法，其中該第一空間光調製器是一種液晶覆矽裝置。
  11. 如請求項9或10所述的曝光方法，其中該第二空間光調製器是一種數位微鏡裝置，該數位微鏡裝置包括多個作為該第二畫素的微鏡。
  12. 如請求項9或10所述的曝光方法，其中該第二空間光調製器是一種液晶覆矽裝置。
  13. 如請求項9所述的曝光方法，其中該第一雷射光的光強度與該第二雷射光的光強度的比值為99。
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