TWI832520B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI832520B
TWI832520B TW111140721A TW111140721A TWI832520B TW I832520 B TWI832520 B TW I832520B TW 111140721 A TW111140721 A TW 111140721A TW 111140721 A TW111140721 A TW 111140721A TW I832520 B TWI832520 B TW I832520B
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曺永哲
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Abstract

根據本揭露實施例的顯示裝置包括基板，基板上被定義有包括至少一個缺陷子像素的多個子像素；發光元件，設置在所述子像素的每一者上；驅動電晶體，設置在所述子像素的每一者上且具有連接於發光元件的陰極的源極電極；電容器，設置在所述子像素的每一者上且連接於驅動電晶體的源極電極與閘極電極之間；以及反射器，設置在所述子像素的每一者上且電性連接於陰極，其中在缺陷子像素中，驅動電晶體的源極電極及閘極電極透過電容器電性連接。據此，透過在缺陷子像素中包括彼此間隔的多個電極的電容器上進行焊接製程可以簡單地使缺陷子像素變暗。

Description

顯示裝置
本揭露係關於一種顯示裝置，特別是指一種能夠只透過兩道焊接製程修復缺陷子像素及變暗缺陷子像素的顯示裝置。
用於電腦螢幕、電視及行動電話的顯示裝置包括自己發光的有機發光顯示器(OLED)、需要獨立光源的液晶顯示器(LCD)。
上述顯示裝置應用在越來越多不同的領域，除了包括電腦螢幕及電視以外還有個人行動裝置，且因此，具有減少的體積及重量同時具有寬的主動區域的顯示裝置正在被研究。
近年來，包括發光二極體(LED)的顯示裝置被關注成為下一代的顯示裝置。因為發光二極體由無機材料而非有機材料形成，其相較於液晶顯示器或有機發光顯示器具有較長的使用壽命以及良好的可靠性。此外，發光二極體由於高耐衝擊性具有良好穩定性、高發光效率及高發光速度，且可以顯示高亮度影像。
本揭露的一面向是提供能夠簡單防止在缺陷子像素中產生亮點缺陷的顯示裝置。
本揭露的另一面向是提供能夠只透過單一焊接製程防止在缺陷子像素中產生異常驅動的顯示裝置。
本揭露的又另一面向是提供能夠只透過單一焊接製程將缺陷子像素的發光元件連接至正常子像素的像素電路的顯示裝置。
本揭露的又另一面向是提供能夠透過使用反射器簡單將連接於缺陷像素電路的發光元件連接至正常驅動的像素電路。
本揭露的目的不限於上述目的，且上面未描述的其他目的可以從以下敘述被本領域具有通常知識者清楚了解。
根據本揭露實施例的顯示裝置包括基板，所述基板上被定義有包括至少一個缺陷子像素的多個子像素；發光元件，設置在該些子像素的每一者上；驅動電晶體，設置在該些子像素的每一者上且具有連接於發光元件的陰極的源極電極；電容器，設置在該些子像素的每一者上且連接於驅動電晶體的源極電極與閘極電極之間；以及反射器，設置在該些子像素的每一者上且電性連接於所述陰極，其中在缺陷子像素中，驅動電晶體的源極電極及閘極電極透過電容器電性連接。據此，根據本揭露，透過在缺陷子像素中包括彼此間隔的多個電極的電容器上進行焊接製程可以簡單地使缺陷子像素變暗。
根據本揭露另一實施例的顯示裝置包括基板，所述基板上被定義有缺陷子像素及與缺陷子像素相鄰的正常子像素； 發光元件，設置在缺陷子像素及正常子像素的每一者中；驅動電晶體，設置在缺陷子像素及正常子像素的每一者中且包括與發光元件的陰極電性連接的源極電極；電容器，設置在缺陷子像素及正常子像素的每一者中且包括與驅動電晶體的源極電極及閘極電極的每一者連接的多個電容電極；以及反射器，設置在驅動電晶體與發光元件之間且電性連接於缺陷子像素及正常子像素的每一者中的陰極，其中缺陷子像素的反射器電性連接於正常子像素的反射器。據此，根據本揭露，缺陷子像素可以透過連接缺陷子像素的反射器及正常子像素的反射器被修復，且缺陷子像素的發光元件可以被正常子像素的驅動電晶體驅動。
實施例的其他詳細內容被包括在詳細敘述及圖式中。
根據本揭露，缺陷子像素可以被停止以及修復製程可只透過兩道焊接製程被執行。
根據本揭露，可以透過在連接於驅動電晶體的電容器上進行焊接製程使缺陷像素電路變成黑色。
根據本揭露，缺陷子像素的發光元件可以透過使用反射器簡單連接至正常子像素的像素電路。
根據本揭露，由於使用了反射器及電容器而非僅用於修復製程的獨立結構來進行修復製程，可以簡化顯示裝置的結構。
根據本揭露的效果不限於以上示例的內容，本說明 書中包括更多的不同效果。
100:顯示裝置
110:基板
111:緩衝層
112:閘極絕緣層
113:第一層間絕緣層
114:第二層間絕緣層
115:鈍化層
116:第一平坦化層
117:第二平坦化層
118:岸堤
120:發光元件
121:第一半導體層
122:發光層
123:第二半導體層
124:陽極
125:陰極
ACT:主動層
AD:附著層
C1~C3:電容器
C1a,C2a,C1b,C2b,C3a,C3b,C3c:電容電極
C3c’:第一層
C3c”:第二層
CE:連接電極
CE1:陽極連接電極
CE2:陰極連接電極
CP1:第一連接圖案
CP2:第二連接圖案
DE:汲極電極
DL:資料線
EML:發射控制訊號線
GE:閘極電極
LA:雷射
LS:遮光層
RL:參考線
SE:源極電極
SL1~DL2:掃描線
SP:子像素
T1~T7:電晶體
VDD:高位電力線
VSS:低位電力線
圖1為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的平面示意圖。
圖2為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的子像素的像素電路的電路圖。
圖3A及圖3B為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的子像素的平面圖。
圖4為沿著圖3A的線IV-IV’擷取的橫截面圖。
圖5為用於解釋在根據本揭露示例性實施例的顯示裝置中的子像素的修復製程的電路圖。
圖6A及圖6B為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的第三電容器的橫截面圖。
圖7為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的放大平面圖。
圖8A及圖8B為沿著圖7的線VIII-VIII'擷取的橫截面圖。
本揭露的優點及特徵以及實現這些優點及特徵的方法將透過參考以下詳細描述的示例性實施例以及所附圖式而變得清楚。然而，本揭露不限於本文公開的示例性實施例，而是將以各種形式實施。這些示例性實施例僅以舉例的方式被提供，以便 本領域具有通常知識者能夠充分理解本揭露的公開內容和本揭露的範圍。因此，本揭露將僅由所附請求項的範圍限定。
所附圖式中示出的用於描述本揭露的示例性實施例的形狀、尺寸、比例、角度、數量等僅僅是示例，且本揭露不限於此。在通篇說明書中，類似的符號通常表示類似的元件。此外，在本揭露的以下描述中，可能省略對已知相關技術的詳細說明以避免不必要地混淆本揭露的主題。此處使用的例如「包括」、「具有」和「由......組成」之類的術語通常旨在允許添加其他組件，除非這些術語與術語「僅」一起使用。除非另有明確說明，否則對單數形式的任何引用都可包括複數形式。
即使沒有明確說明，組件也被解釋為包括一般誤差範圍。
當使用例如「上」、「上方」、「下」及「旁邊」等術語來描述兩部分之間的位置關係時，一或多個部分可以位於兩個部分之間，除非這些術語與術語「立即」或「直接」一起使用。
當一元件或層設置在另一個元件或層「上」時，另一層或另一元件可直接被***在另一元件上或它們之間。
儘管術語「第一」、「第二」等用於描述各種組件，但這些組件不受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個組件與其他組件區分開來。因此，以下提及的第一組件可為本揭露的技術概念中的第二組件。
在通篇說明書中，類似的符號通常表示類似的元件。
所附圖式中所示的各組件的尺寸及厚度是為了便於描述而示出的，本揭露不限於所示出的組件的尺寸及厚度。
本揭露的各個實施例的特徵可以部分地或全部地彼此附著或組合，且可以在技術上以各種方式聯鎖及操作，並且實施例可以彼此獨立地或關聯地執行。
以下，將參照所附圖式詳細描述根據本揭露示例性實施例的顯示裝置。
圖1為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的平面示意圖。在圖1中，為了便於說明，僅示出了顯示裝置100的各種組件中的基板110及多個子像素SP。
基板110為支撐包括在顯示裝置100中的各種組件的組件且可由絕緣材料形成。舉例來說，基板110可由玻璃或樹脂等形成。此外，基板110可被形成為包括聚合物或塑膠，且可由具有可撓性的材料形成。
基板110包括主動區AA及非主動區NA。
主動區AA為其中被設置有該些子像素SP以顯示影像的區域。該些子像素SP的每一者為發光的獨立單元，且在該些子像素SP中形成有像素電路及發光元件。舉例來說，該些子像素SP可包括紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素和/或白色子像素，但不限於此。
非主動區NA為其中不顯示影像的區域，且為設置有用於驅動設置在主動區域AA中的子像素SP的各種線路、驅 動積體電路等的區域。舉例來說，各種積體電路如閘極驅動器積體電路及資料驅動器積體電路等可被設置在非主動區NA中。同時，非主動區NA可位於基板110的後表面上，即位於沒有子像素SP的表面上，或可被省略且不限於圖式中所示的樣態。
以下，結合參考圖2對該些子像素SP進行更詳細的描述。
圖2為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的子像素的像素電路的電路圖。
請參考圖2，該些子像素SP的每一者連接至第一掃描線SL1、第二掃描線SL2、資料線DL、發射控制訊號線EML、參考線RL、高位電力線VDD，以及低位電力線VSS。且包括第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第七電晶體T7、第一電容器C1、第二電容器C2及第三電容器C3的像素電路PC以及連接至像素電路PC的發光元件120被設置在該些子像素SP的每一者中。
首先，像素電路PC的第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6及第七電晶體T7被設置在該些子像素SP的每一者中。第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6及第七電晶體T7的每一者包括閘極電極、源極電極及汲極電極。
第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、 第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6及第七電晶體T7可為N型電晶體或P型電晶體。在N型電晶體中，由於載子是電子，電子可從源極電極流向汲極電極，且電流可從汲極電極流向源極電極。在P型電晶體中，由於載子是電洞，電洞可從源極電極流向汲極電極，且電流可從源極電極流向汲極電極。舉例來說，多個電晶體的其中一個電晶體可為N型電晶體，且該些電晶體的其他電晶體可為P型電晶體。以下敘述是基於第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6及第七電晶體T7為P型電晶體的假設所進行的描述，但本揭露不限於此。
第一電晶體T1包括第一閘極電極、第一源極電極及第一汲極電極。第一閘極電極連接於第一掃描線SL1，第一源極電極連接於資料線DL，且第一汲極電極連接於第一節點N1。第一電晶體T1可基於第一掃描線SL1的掃描訊號將資料電壓從資料線DL傳輸至第一節點N1。
第二電晶體T2包括第二閘極電極、第二源極電極及第二汲極電極。第二閘極電極連接於第一掃描線SL1，第二源極電極連接於第二節點N2，且第二汲極電極連接於第三節點N3。第二電晶體T2可使第六電晶體的第六汲極電極及第六閘極電極短路，且可允許第六電晶體T6的二極體連接。在二極體連接中，閘極電極及汲極電極為短路，使得電晶體如二極體般運作。在此情形下，第二電晶體T2被實現為關斷電流較低的氧化半導體電 晶體，且因此可最小化從第六電晶體T6的第六閘極電極洩漏的電流。
第三電晶體T3包括第三閘極電極、第三源極電極及第三汲極電極。第三閘極電極連接於發射控制訊號線EML，第三源極電極連接於參考線RL，且第三汲極電極連接於第一節點N1。第三電晶體T3可基於發射控制訊號線EML1發射控制訊號將參考電壓從參考線RL傳輸至第一節點N1，且當發光元件120發光時可允許第二節點N2維持恆定電壓。
第四電晶體T4包括第四閘極電極、第四源極電極及第四汲極電極。第四閘極電極連接於發射控制訊號線EML，第四源極電極連接於第三節點N3，且第四汲極電極連接於低位電力線VSS。第四電晶體T4可基於發射控制訊號將低位電力電壓提供至第三節點N3並允許驅動電流流動。
第五電晶體T5包括第五閘極電極、第五源極電極及第五汲極電極。第五閘極電極連接於第二掃描線SL2，第五源極電極連接於參考線RL，且第五汲極電極連接於第三節點N3。第五電晶體T5可基於第二掃描線SL2的掃描訊號將參考電壓提供至第三節點N3，且可以參考電壓重新設定第六電晶體T6的第六汲極電極及第三節點N3。
第六電晶體T6包括第六閘極電極、第六源極電極及第六汲極電極。第六閘極電極連接於第二節點N2，第六源極電極連接於第四節點N4，且第六汲極電極連接於第三節點N3。第六 電晶體T6可被導通並控制驅動電流流經發光元件120，且可被稱為驅動電晶體。
第七電晶體T7包括第七閘極電極、第七源極電極及第七汲極電極。第七閘極電極連接於第一掃描線SL1，第七源極電極連接於高位電力線VDD，且第七汲極電極連接於第四節點N4。第七源極電極可基於第一掃描線SL1的掃描訊號將高位電力電壓傳輸至第四節點N4且當資料電壓被提供時可防止發光元件120發光。
第一電容器C1包括連接於第一節點N1的電容電極以及連接於第二節點N2的電容電極。第一電容器C1可使用耦合特性調整第二節點N2的電壓，且當發光元件120發光時可修正被施加至第六電晶體T6的第六閘極電極的電壓，並持續維持驅動電流。
第二電容器C2包括連接於第四節點N4的電容電極以及連接於高位電力線VDD的電容電極。即，第二電容器C2包括分別連接於發光元件120的陽極及陰極的電容電極。第二電容器C2可增加發光元件120本身的電容值，使發光元件120可發出更亮的光。
第三電容器C3包括連接於第二節點N2的電容電極以及連接於第四節點N4的電容電極。換言之，第三電容器C3連接於第六電晶體T6的第六閘極電極與第六源極電極之間，且連接於發光元件120的陰極與第六閘極電極之間。
與此同時，當位於第一節點N1的電壓改變時，第二節點N2的電壓可發生改變。在此情形下，與第一電容器C1串聯的第三電容器C3耦接於第一電容器C1，且根據第一電容器C1與第三電容器C3的電容值比例，第一節點N1的電壓可被轉移至第二節點N2的電壓。據此，可透過使用第三電容器C3減少從第一節點N1至第二節點N2的資料電壓的轉移率。此外，當發光元件120由具有高斜率的電流-電壓曲線的微型發光二極體形成時，可以透過使用第三電容器C3降低資料電壓的轉移率表現更細緻的灰階。
以下，根據本揭露示例性實施例的顯示裝置100的子像素SP的結構將參考圖3A至圖4進行描述。
圖3A及圖3B為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的子像素的平面圖。圖4為沿著圖3A的線IV-IV’擷取的橫截面圖。圖3A為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的子像素的像素電路的平面圖。圖3B為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的多個子像素的發光元件及反射器的平面圖。
請參考圖3A至圖4，遮光層LS被設置在基板110上的該些子像素SP的每一者上。遮光層LS可阻擋從基板110的底部入射至多個電晶體的主動層的光線以藉此最小化洩漏電流。舉例來說，遮光層LS可被設置於作用為驅動電晶體的第六電晶體T6的第六主動層ACT6下，且阻擋入射至第六主動層ACT6的光線。如果光線照射至第六主動層ACT6上，可能會發生洩漏電 流，使第六電晶體T6的可靠性惡化。據此，透過在基板110上設置用於阻擋光線的遮光層LS，可提升第六電晶體T6的可靠性。遮光層LS可由非透明導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
緩衝層111被設置在遮光層LS上。緩衝層111可減少濕氣或雜質穿透基板110。舉例來說，緩衝層111可由單層或多層的氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)形成，但不限於此。然而，緩衝層111可依據薄膜電晶體的種類或基板110的種類被省略，但不限於此。
包括第一主動層ACT1、第一閘極電極GE1、第一源極電極SE1以及第一汲極電極DE1的第一電晶體T1被設置在緩衝層111上。
首先，第一電晶體T1的第一主動層ACT1被設置在緩衝層111上。第一主動層ACT1可由半導體材料如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽形成，但不限於此。
閘極絕緣層112被設置在第一主動層ACT1上。閘極絕緣層112為用於使第一主動層ACT1與第一閘極電極GE1彼此電性絕緣的絕緣層，且可由單層或多層的氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)形成，但不限於此。
第一閘極電極GE1被設置在閘極絕緣層112上。第一閘極電極GE1可與第一掃描線SL1一體成型，且可電性連接於第一掃描線SL1。第一閘極電極GE1可由導電材料形成，例如銅 (Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114被設置在第一閘極電極GE1上。用於將第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1的每一者連接至第一主動層ACT1的接觸孔被形成在第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114中。第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114為用於保護其下的組件的絕緣層，且可由單層或多層的氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)形成，但不限於此。
電性連接於第一主動層ACT1的第一汲極電極DE1及第一源極電極SE1被設置在第二層間絕緣層114上。第一源極電極SE1可與資料線DL一體成型且可電性連接於資料線DL，且第一汲極電極DE1可電性連接於第一電容器C1的1-2電容電極C1b。第一汲極電極DE1及第一源極電極SE1可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
包括第二主動層ACT2、第二閘極電極GE2、第二源極電極SE2以及第二汲極電極DE2的第二電晶體T2被設置在緩衝層111上。
第二主動層ACT2被設置在緩衝層111上。第二主動層ACT2可由半導體材料如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽形成，但不限於此。
閘極絕緣層112被設置在第二主動層ACT2上，且 第二閘極電極GE2被設置在閘極絕緣層112上。第二閘極電極GE2可與第一掃描線SL1一體成型，且可電性連接於第一掃描線SL1。第二閘極電極GE2可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114被設置在第二閘極電極GE2上，且電性連接於第二主動層ACT2的第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2被設置在第二層間絕緣層114上。第二源極電極SE2可電性連接於第六電晶體T6的第六閘極電極GE6以及第一電容器C1的1-1電容電極C1a，且第二汲極電極DE2可電性連接於第五電晶體T5的第五汲極電極DE5及第四電晶體T4的第四源極電極SE4。第二汲極電極DE2及第二源極電極SE2可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
包括第三主動層ACT3、第三閘極電極GE3、第三源極電極SE3以及第三汲極電極DE3的第三電晶體T3被設置在緩衝層111上。
第三主動層ACT3被設置在緩衝層111上。第三主動層ACT3可由半導體材料如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽形成，但不限於此。
閘極絕緣層112被設置在第三主動層ACT3上，且第三閘極電極GE3被設置在閘極絕緣層112上。第三閘極電極GE3與發射控制訊號線EML一體成型，且電性連接於發射控制 訊號線EML。第三閘極電極GE3可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114被設置在第三閘極電極GE3上，且電性連接於第三主動層ACT3的第三源極電極SE3及第三汲極電極DE3被設置在第二層間絕緣層114上。第三源極電極SE3可透過第五源極電極SE5電性連接於參考線RL，且第三汲極電極DE3透過第一電容器C1的1-2電容電極C1b電性連接於第一電晶體T1的第一汲極電極DE1。第三汲極電極DE3及第三源極電極SE3可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
包括第四主動層ACT4、第四閘極電極GE4、第四源極電極SE4以及第四汲極電極DE4的第四電晶體T4被設置在緩衝層111上。
第四主動層ACT4被設置在緩衝層111上。第四主動層ACT4可由半導體材料如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽形成，但不限於此。
閘極絕緣層112被設置在第四主動層ACT4上，且第四閘極電極GE4被設置在閘極絕緣層112上。第四閘極電極GE4可與發射控制訊號線EML一體成型，且可電性連接於發射控制訊號線EML。第四閘極電極GE4可由導電材料形成，例如銅 (Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114被設置在第四閘極電極GE4上，且電性連接於第四主動層ACT4的第四源極電極SE4及第四汲極電極DE4被設置在第二層間絕緣層114上。第四源極電極SE4連接於第五電晶體T5的第五汲極電極DE5，且第四汲極電極DE4連接於低位電力線VSS。在此情形下，低位電力線VSS及第四汲極電極DE4可由相同層上的相同材料形成，且可一體成型。第四汲極電極DE4及第四源極電極SE4可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
包括第五主動層ACT5、第五閘極電極GE5、第五源極電極SE5以及第五汲極電極DE5的第五電晶體T5被設置在緩衝層111上。
第五主動層ACT5被設置在緩衝層111上。第五主動層ACT5可由半導體材料如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽形成，但不限於此。
閘極絕緣層112被設置在第五主動層ACT5上，且第五閘極電極GE5被設置在閘極絕緣層112上。第五閘極電極GE5連接於第二掃描線SL2。第五閘極電極GE5可由與第二掃描線SL2位於相同層上的相同材料形成，且可一體成型。第五閘極電極GE5可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳 (Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114被設置在第五閘極電極GE5上，且電性連接於第五主動層ACT5的第五源極電極SE5及第五汲極電極DE5被設置在第二層間絕緣層114上。第五源極電極SE5連接於參考線RL，且第五汲極電極DE5連接於第六電晶體T6的第六汲極電極DE6。第五汲極電極DE5及第五源極電極SE5可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
包括第六主動層ACT6、第六閘極電極GE6、第六源極電極SE6以及第六汲極電極DE6的第六電晶體T6被設置在緩衝層111上。
第六主動層ACT6被設置在緩衝層111上。第六主動層ACT6可由半導體材料如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽形成，但不限於此。
閘極絕緣層112被設置在第六主動層ACT6上，且第六閘極電極GE6被設置在閘極絕緣層112上。第六閘極電極GE6連接於第二電晶體T2及第一電容器C1的1-1電容電極C1a。第六閘極電極GE6可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114被設置在第六閘極電極GE6上，且電性連接於第六主動層ACT6的第六源極電極SE6及第六汲極電極DE6被設置在第二層間絕緣層114 上。第六源極電極SE6連接於發光元件120的陰極125及第三電容器C3，且第六汲極電極DE6連接於第五電晶體T5。第六汲極電極DE6及第六源極電極SE6可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
包括第七主動層ACT7、第七閘極電極GE7、第七源極電極SE7以及第七汲極電極DE7的第七電晶體T7被設置在緩衝層111上。
第七主動層ACT7被設置在緩衝層111上。第七主動層ACT7可由半導體材料如氧化物半導體、非晶矽或多晶矽形成，但不限於此。
閘極絕緣層112被設置在第七主動層ACT7上，且第七閘極電極GE7被設置在閘極絕緣層112上。第七閘極電極GE7連接於第一掃描線SL1上。第七閘極電極GE7及第一掃描線SL1可一體成型且電性連接於彼此。第七閘極電極GE7可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114被設置在第七閘極電極GE7上，且電性連接於第七主動層ACT7的第七源極電極SE7及第七汲極電極DE7被設置在第二層間絕緣層114上。第七源極電極SE7連接於高位電力線VDD，且第七汲極電極DE7連接於第三電容器C3及發光元件120的陰極125。第七汲極 電極DE7及第七源極電極SE7可由導電材料形成，例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉻(Cr)或它們的合金，但不限於此。
第一電容器C1被設置在閘極絕緣層112上。第一電容器C1包括1-1電容電極C1a及1-2電容電極C1b。
首先，1-1電容電極C1a被設置在閘極絕緣層112上。1-1電容電極C1a可與第六電晶體T6的第六閘極電極GE6被整合地形成。據此，1-1電容電極C1a可電性連接於第六閘極電極GE6及第二源極電極SE2。
1-2電容電極C1b被設置在第一層間絕緣層113上。1-2電容電極C1b被設置為與1-1電容電極C1a重疊且之間***有第一層間絕緣層113。此外，1-2電容電極C1b可電性連接於第一汲極電極DE1及第三汲極電極DE3。
第二電容器C2被設置在閘極絕緣層112上。第二電容器C2包括2-1電容電極C2a及2-2電容電極C2b。
2-1電容電極C2a被設置在閘極絕緣層112上。2-1電容電極C2a可電性連接於第六源極電極SE6及遮光層LS。
2-2電容電極C2b被設置在第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114上。2-2電容電極C2b被設置為與2-1電容電極C2a重疊且之間***有第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114。2-2電容電極C2b可與高位電力線VDD一體成型且電性連接於高位電力線VDD。
第三電容器C3被設置在基板110上。第三電容器C3包括3-1電容電極C3a、3-2電容電極C3b及3-3電容電極C3c。3-1電容電極C3a可被定義為下電容電極，3-2電容電極C3b可被定義為中間電容電極，3-3電容電極C3c可被定義為上電容電極。
3-1電容電極C3a被設置在基板110上。3-1電容電極C3a為從遮光層LS延伸的部分且可與遮光層LS一體成型。在此情形下，3-1電容電極C3a可透過形成在閘極絕緣層112及緩衝層111中的接觸孔電性連接於第六源極電極SE6及2-1電容電極C2a。
3-2電容電極C3b被設置在緩衝層111及閘極絕緣層112上。3-2電容電極C3b為從第六閘極電極GE6延伸的部份且可被設置為與3-1電容電極C3a重疊。3-2電容電極C3b可電性連接於第二源極電極SE2及第六電晶體T6的第六閘極電極GE6。
3-3電容電極C3c被設置在第一層間絕緣層113上。3-3電容電極C3c可包括第一層C3c’及第二層C3c”。3-3電容電極C3c的第一層C3c’可具有島狀圖案，所述島狀圖案由與1-2電容電極C1b的材料相同的材料形成且可被形成在與1-2電容電極C1b的層相同的層上。第一層C3c’可被設置為與3-1電容電極C3a及3-2電容電極C3b重疊且之間***有第一層間絕緣層113。
3-3電容電極C3c的第二層C3c”被設置在第二層間 絕緣層114上。第二層C3c”為從第六源極電極SE6延伸的部份且可透過第二層間絕緣層114的接觸孔連接於第一層C3c’。
第一掃描線SL1、第二掃描線SL2及發射控制訊號線EML被設置在閘極絕緣層112上。第一掃描線SL1、第二掃描線SL2及發射控制訊號線EML可沿著列方向延伸且可沿著該些設置在同列方向的子像素SP設置。
第一掃描線SL1與第一閘極電極GE1、第二閘極電極GE2及第七閘極電極GE7一體成型。第一掃描線SL1可將掃描訊號傳送至第一電晶體T1、第二電晶體T2以及第七電晶體T7，且可使第一電晶體T1、第二電晶體T2及第七電晶體T7導通或關斷。第二掃描線SL2與第五閘極電極GE5一體成型。第二掃描線SL2可將掃描訊號傳送至第五電晶體T5且可使第五電晶體T5導通或關斷。發射控制訊號線EML與第三閘極電極GE3及第四閘極電極GE4一體成型。發射控制訊號線EML可將發射控制訊號傳送至第三電晶體T3及第四電晶體T4且可使第三電晶體T3及第四電晶體T4導通或關斷。
參考線RL被設置在第一層間絕緣層113上。參考線RL可沿著列方向延伸且可沿著設置在同列方向的該些子像素SP設置。
資料線DL、高位電力線VDD以及低位電力線VSS被設置在第二層間絕緣層114上。資料線DL、高位電力線VDD及低位電力線VSS可沿著行方向延伸且可沿著設置在同行方向 的該些子像素SP設置。
鈍化層115被設置在第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第一電容器C1、第二電容器C2以及第三電容器C3上。鈍化層115為絕緣層，用於保護位於鈍化層115下的組件，且可由無機材料如氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)形成，或由有機材料如苯環丁烯(benzocyclobutene)或丙烯酸基材料形成，但不限於此。
請一同參考圖3B及圖4，反射器RF被設置在鈍化層115上。反射器RF為用於將來自發光元件120發出的光線朝向基板110上方反射的反射器，且可具有對應於該些子像素SP的每一者的形狀。一個反射器RF可被設置為覆蓋一個子像素SP的大部分區域。
舉例來說，當該些子像素SP包括設置在同列的第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3、第四子像素SP4時，反射器RF可包括對應於第一子像素SP1的第一反射器RF1、對應於第二子像素SP2的第二反射器RF2、對應於第三子像素SP3的第三反射器RF3，以及對應於第四子像素SP4的第四反射器RF4。
第一反射器RF1包括與第一子像素SP1的大部分重疊的1-1反射器RF1a以及與第一子像素SP1的發光元件120重疊的1-2反射器RF1b。1-1反射器RF1a為電性連接於發光元件120的陰極125、第六電晶體T6的第六源極電極SE6以及第三電 容器C3的反射器RF。此外，1-1反射器RF1a可被用於第一子像素SP1的修復同時將來自發光元件120發出的光線朝向發光元件120上方反射。當第一子像素SP1具有缺陷時，可透過將與發光元件120的陰極125連接的1-1反射器RF1a電性連接至位於相鄰列的第一子像素SP1的1-1反射器RF1a來修復第一子像素SP1。1-2反射器RF1b可將來自發光元件120發出的光線朝向發光元件120上方反射。
第二反射器RF2包括與第二子像素SP2的大部分重疊的2-1反射器RF2a以及與第二子像素SP2的發光元件120重疊的2-2反射器RF2b。2-1反射器RF2a為電性連接於發光元件120的陰極125、第六電晶體T6的第六源極電極SE6以及第三電容器C3的反射器RF。此外，2-1反射器RF2a可被用於第二子像素SP2的修復同時將來自發光元件120發出的光線朝向發光元件120上方反射。具體來說，當第二子像素SP2具有缺陷時，可透過將第二子像素SP2的2-1反射器RF2a電性連接至位於相鄰列的第二子像素SP2的2-1反射器RF2a來修復第二子像素SP2。2-2反射器RF2b可將來自發光元件120發射的光線朝向發光元件120上方反射。
第三反射器RF3可由與整個第三子像素SP3重疊的一個第三反射器RF3形成。第三反射器RF3為與第三電容器C3、第六電晶體T6的第六源極電極SE6，以及第三子像素SP3的發光元件120的陰極125電性連接的反射器RF。此外，第三反射器 RF3可用於第三子像素SP3的修復同時將來自發光元件120發射的光線朝向發光元件120上方反射。當第三子像素SP3具有缺陷，第三子像素SP3可透過將其第三反射器RF3電性連接至相鄰列的第三子像素SP3的第三反射器RF3來被修復。
第四反射器RF4可由與整個第四子像素SP4重疊的一個第四反射器RF4形成。第四反射器RF4為與第三電容器C3、第六電晶體T6的第六源極電極SE6，以及第四子像素SP4的發光元件120的陰極125電性連接的反射器RF。此外，第四反射器RF4可用於第四子像素SP4的修復同時將來自發光元件120發射的光線朝向發光元件120上方反射。當第四子像素SP4具有缺陷，第四子像素SP4可透過將其第四反射器RF4電性連接至相鄰列的第四子像素SP4的第四反射器RF4來被修復。
使用反射器RF修復缺陷子像素SP的過程將參考圖5至圖8於以下進行描述。
與此同時，雖然描述第一子像素SP1及第二子像素SP2包括兩個反射器RF，且第三子像素SP3及第四子像素SP4包括一個反射器RF，反射器RF可被不同地設計以包括與發光元件120的陰極125連接的反射器RF。舉例來說，在所有該些子像素SP中，只有一個反射器RF可被設置為在第三子像素SP3及第四子像素SP4中，且多個反射器RF可被設置為在第一子像素SP1及第二子像素SP2中，但本揭露不限於此。
請參考圖4，附著層AD被設置在反射器RF上。附 著層AD為用於使設置在附著層AD上的發光元件120固定的層，且可由附著材料如樹脂形成，但不限於此。
發光元件120被設置在附著層AD上。發光元件120為透過電流發光的元件。發光元件120可包括發出紅光、綠光、藍光等的發光元件，且可透過組合這些元件實現包括白色的各種顏色的光。舉例來說，發光元件120可為發光二極體(LED)、微型發光二極體，但不限於此。
發光元件120包括第一半導體層121、發光層122、第二半導體層123、陽極124及陰極125。
第一半導體層121被設置在附著層AD上，且第二半導體層123被設置在第一半導體層121上。第一半導體層121及第二半導體層123可為透過將n型雜質及p型雜質摻雜至特定材料所形成的層。舉例來說，第一半導體層121及第二半導體層123可為透過將n型雜質及p型雜質摻雜至氮化鎵(GaN)、磷化銦鋁(indium aluminum phosphide，InAlP)、砷化鎵(GaAs)等所形成的層。此外，p型雜質可為鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈹(Be)等，且n型雜質可為矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)等，但本揭露不限於此。
發光層122被設置於第一半導體層121與第二半導體層123之間。發光層122可接收來自第一半導體層121與第二半導體層123的電洞及電子以發光。發光層122可具有單層或多層量子井(multi-quantum well，MQW)結構，且可舉例由磷化銦鋁(InGaN)或氮化鎵(GaN)形成，但不限於此。
陽極124被設置在第一半導體層124上且陰極125被設置在第二半導體層123上。在此情形下，為了將陽極124設置在第一半導體層121上，第一半導體層121可部分從發光層122及第二半導體層突出。陽極124可被形成在從發光層122及第二半導體層123突出的第一半導體層121的上表面的一部分上。陰極125可被形成在第二半導體層123的上表面上。
與此同時，雖然圖中未示，圍繞發光元件120的保護層可被設置。在發光元件120的外側表面中，保護層可覆蓋發光元件120的第二半導體層123的側表面、發光層122的側表面以及第一半導體層121的側表面的至少一側表面。當陽極124及陰極125透過形成圍繞發光元件120的保護層被形成時，可防止第一半導體層121與第二半導體層123之間的電性短路。
包括第一平坦化層116及第二平坦化層117的平坦化層被設置在發光元件120及附著層AD上。平坦化層可使被設置有發光元件120的基板110的上部平坦化，且可固定並保護發光元件120。第一平坦化層116及第二平坦化層117的每一者可由單層或多層形成，舉例來說，可由苯環丁烯或丙烯酸基材料形成，但不限於此。
將發光元件120連接至像素電路PC及高位電力線VDD的連接電極CE被設置在平坦化層上。連接電極CE包括陽極連接電極CE1及陰極連接電極CE2。
陽極連接電極CE1為電性連接於第二電容器C2、高 位電力線VDD及發光元件120的陽極124的電極。陽極連接電極CE1可透過形成在第二平坦化層117中的接觸孔連接於發光元件120的陽極124。
陰極連接電極CE2為電性連接於第二電容器C2、第三電容器C3、第六電晶體T6的第六源極電極SE6以及發光元件120的陰極125的電極。陰極連接電極CE2可透過形成在附著層AD、第一平坦化層116及第二平坦化層117中的接觸孔連接於該些子像素SP的每一者的反射器RF。在此情形下，第六電晶體T6的第六源極電極SE6、第三電容器C3及第二電容器C2以及發光元件120的陰極125可透過反射器RF及陰極連接電極CE2產生電性連接。
岸堤118被設置在平坦化層上。如圖所示，岸堤118可被設置在從第二平坦化層117暴露的第一平坦化層116上，或可被設置在平坦化層中的第二平坦化層117上，且不限於此。岸堤118可由非透明材料(如黑色樹脂)形成以減少該些子像素SP之間的顏色混合，但不限於此。
保護層119被設置在連接電極CE及岸堤118上。保護層119為用於保護在保護層119之下的組件，且可由單層或多層的透光樹脂、氧化矽或氮化矽形成，但不限於此。
與此同時，在根據本揭露示例性實施例的顯示裝置100中，缺陷子像素SP可透過使用第三電容器C3及反射器RF被修復。以下，修復子像素SP的方法將參考圖5至圖8被描述。
圖5為用於解釋在根據本揭露示例性實施例的顯示裝置中的子像素的修復製程的電路圖。圖6A及圖6B為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的第三電容器的橫截面圖。圖7為根據本揭露示例性實施例的顯示裝置的放大平面圖。圖8A及圖8B為沿著圖7的線VIII-VIII'擷取的橫截面圖。圖6A為在焊接製程執行前第三電容器的橫截面圖，且圖6B為在焊接製程執行後第三電容器的橫截面圖。圖8A為在焊接製程執行前的橫截面圖，且圖8B為在焊接製程執行後的橫截面圖。
以下，敘述是建立在當缺陷發生在設置於多個列中的第N列中的第一子像素SP1(N)的情形的假設下，將描述使用在與第N列相鄰的第N+1列的第一子像素SP1(N+1)修復在第N列的第一子像素SP1(N)。
首先，當缺陷發生在特定子像素SP中，暗點或亮點缺陷可能發生。舉例來說，當缺陷發生在發光元件120中，短路缺陷由於外來物質或靜電發生在該些電晶體及該些電容器中，或當電晶體被異常驅動，可能發生發光元件120不發光的暗點缺陷或發光元件120持續發光的亮點缺陷。若缺陷發生在包括該些電晶體及該些電容器的像素電路PC中，像素電路PC可不被驅動，使得發光元件120不透過缺陷像素電路PC發光，且在缺陷子像素SP中的發光元件120電性連接於在相鄰子像素SP中的像素電路PC，使得發光元件120可被正常驅動。
請參考圖5至圖6B，當缺陷發生在第N列的第一子 像素SP1(N)，可在第三電容器C3上執行焊接製程使第N列的第一子像素SP1(N)可以變暗。也就是說，第一子像素SP1(N)的像素電路PC再也無法透過焊接製程被驅動。具體來說，由於缺陷像素電路PC，可能發生發光元件120持續發光的亮點缺陷。在此情形下，可執行使像素電路PC的一部分短路的焊接製程，以讓發光元件120不再因為缺陷像素電路PC發光。
請參考圖6A，可透過將雷射LA照射至第三電容器C3將作用為驅動電晶體的第六電晶體T6的第六源極電極SE6及第六閘極電極GE6連接至彼此。
第三電容器C3為連接於作用為驅動電晶體的第六電晶體T6的第六源極電極SE6及第六閘極電極GE6之間的電容器。第三電容器C3包括連接至第六閘極電極GE6的3-2電容電極C3b，以及分別設置在3-2電容電極C3b的下部及上部且連接於第六源極電極SE6的3-1電容電極C3a及3-3電容電極C3c。此外，絕緣層被設置於3-1電容電極C3a與3-2電容電極C3b之間以及3-2電容電極C3b與3-3電容電極C3c之間，使得3-1電容電極C3a、3-2電容電極C3b及3-3電容電極C3c彼此間隔開來。
請參考圖6A及圖6B，當焊接製程透過將雷射LA照射至第三電容器C3的電極被執行，在3-2電容電極C3b與3-3電容電極C3c之間的第一層間絕緣層113以及在3-1電容電極C3a與3-2電容電極C3b之間的緩衝層111及閘極絕緣層112被開 啟，且3-1電容電極C3a、3-2電容電極C3b及3-3電容電極C3c可部分融化並連接至彼此。在此情形下，第六電晶體T6的第六閘極電極GE6及第六源極電極SE6可透過藉由焊接製程連接於彼此的3-1電容電極C3a、3-2電容電極C3b及3-3電容電極C3c被短路。據此，在第六閘極電極GE6與第六源極電極SE6之間的電壓Vgs可一直為0伏特，且第六電晶體T6可不再被導通。
據此，透過在發生有缺陷的第N列的第一子像素SP1(N)的第三電容器C3上執行焊接製程，第三電容器C3的3-1電容電極C3a、3-2電容電極C3b及3-3電容電極C3c可連接至彼此，且第六電晶體T6的第六閘極電極GE6及第六源極電極SE6可短路，使發光元件120的亮點缺陷可被防止。
請一同參考圖5至圖7，在第三電容器C3的焊接製程完成後，在第N列的第一子像素SP1(N)(也就是缺陷子像素SP)的發光元件120的陰極125，可電性連接於在第N+1列的第一子像素SP1(N+1)(也就是正常子像素SP)的發光元件120的陰極125。在第N列的第一子像素SP1(N)的發光元件120電性連接於在第N+1列的第一子像素SP1(N+1)中的第六電晶體T6，使得缺陷子像素SP的發光元件120可透過正常子像素SP的像素電路PC被驅動。
在此情形下，在第N列的第一子像素SP1(N)的第一反射器RF1(N)電性連接於第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的第一反射器RF1(N+1)，使得在第N列的第一子像素SP1(N)以及在 第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的每一者的陰極125可連接於彼此。如上參考圖3A至圖4所述，該些子像素SP的每一者的反射器RF可電性連接於發光元件120的陰極125。因此，在將正常的第N+1列中的第一子像素SP1(N+1)以及在發生缺陷的第N列的第一子像素SP1(N)的每一者的反射器RF產生連接的方法中，可修復在第N列的第一子像素SP1(N)。
首先，由於反射器RF被設置為覆蓋子像素SP的大部分，反射器RF的最外層部分可被設置為與相鄰的子像素SP的反射器RF相鄰。舉例來說，在第N列的第一子像素SP1(N)的第一反射器RF1(N)跟在第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的第一反射器RF1(N+1)可被設置為與彼此相鄰。
在此情形下，當全部該些子像素SP為正常子像素SP，該些子像素SP的每一者的反射器RF可電性絕緣於相鄰的子像素SP的反射器RF。
然而，當該些子像素SP中的一些子像素SP為缺陷子像素SP，缺陷子像素SP的反射器RF可電性連接於與缺陷子像素SP相鄰的子像素的反射器RF。
舉例來說，請參考圖8A及圖8B，在第N列的第一子像素SP1(N)的第一反射器RF1(N)及在第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的第一反射器RF1(N+1)可透過焊接製程與彼此連接。為了使在第N列的第一子像素SP1(N)的第一反射器RF1(N)與在第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的第一反射器RF1(N+1)產生電性 連接，可更設置第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2。
第一連接圖案CP1為電性連接於在第N列的第一子像素SP1(N)的第一反射器RF1(N)的電極。第二連接圖案CP2為電性連接於在第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的第一反射器RF1(N+1)的電極，且向在第N列的第一子像素SP1(N)的第一反射器RF1(N)延伸並重疊於第一連接圖案CP1。
該些子像素SP的每一者的反射器RF可連接於與反射器RF的邊緣連接的第一連接圖案CP1，以及朝向在相鄰列的反射器RF延伸的第二連接圖案CP2。在此情形下，該些子像素SP的每一者的第一連接圖案CP1可部分重疊於在相鄰列的該些子像素SP的每一者的第二連接圖案CP2。此外，透過將雷射LA照射至第一連接圖案CP1與第二連接圖案CP2的重疊部分，彼此相鄰的子像素SP的反射器RF可連接至彼此。
請參考圖7及圖8A，第一連接圖案CP1被設置在第N列的第一子像素SP1(N)中的第一層間絕緣層113上。第一連接圖案CP1包括1-1連接圖案CP1a及1-2連接圖案CP1b。1-1連接圖案CP1a被設置在第一層間絕緣層113上。1-2連接圖案CP1b被設置在第二層間絕緣層114上且透過形成在第二層間絕緣層114中的接觸孔連接至1-1連接圖案CP1a。並且，1-2連接圖案CP1b可透過形成在鈍化層115中的接觸孔電性連接於在第N列的第一子像素SP。
第二連接圖案CP2被設置在第N+1列的第一子像素 SP1(N+1)中的閘極絕緣層112上。第二連接圖案CP2包括2-1連接圖案CP2a及2-2連接圖案CP2b。2-1連接圖案CP2a為設置在閘極絕緣層112上且朝向相鄰的子向素SP的第一連接圖案CP1延伸的一部分。2-2連接圖案CP2b為設置在第二層間絕緣層114上且透過形成在第一層間絕緣層113及第二層間絕緣層114中的接觸孔連接至2-1連接圖案CP2a的一部分。此外，2-2連接圖案CP2b可透過形成在鈍化層115及附著層AD中的接觸孔電性連接於在第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的第一反射器RF1(N+1)。
在此情形下，第二連接圖案CP2可朝向第一連接圖案CP1延伸且重疊於第一連接圖案CP1。舉例來說，2-1連接圖案CP2a可重疊於第一連接圖案CP1且之間***有第一層間絕緣層113。
請參考圖8A及圖8B，當透過將雷射LA照射在第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2上的焊接製程被執行時，第一層間絕緣層113被打開，且第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2可電性連接於彼此。據此，在第N列的第一子像素SP1(N)的第一反射器RF1(N)可透過第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2電性連接於在相鄰的第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的第一反射器RF1(N+1)，且可以正常驅動在第N列的第一子像素SP1(N)的發光元件120。在此情形下，用於驅動在第N列的發光元件120的驅動電流及用於驅動在第N+1列的發光元件120的驅動電流可流經在第N+1列的第一子像素SP1(N+1)的第六電晶體T6。
據此，在根據本揭露示例性實施例的顯示裝置100中，焊接製程被執行在連接於第六電晶體T6的第六閘極電極GE6與第六源極電極SE6之間的第三電容器C3上，可使缺陷子像素SP的像素電路PC停止運作且可防止缺陷像素電路PC造成的發光元件120持續發光的亮點缺陷。第三電容器C3連接於作用為驅動電晶體的第六電晶體T6的第六閘極電極GE6與第六源極電極SE6之間。當顯示裝置100透過與第一電容器C1的耦合被驅動時，第三電容器C3可減少資料電壓的傳輸率，使得能夠達成細緻的灰階表示。與此同時，當像素電路PC具有缺陷，焊接製程可被執行在第三電容器C3上以防止缺陷像素電路PC造成的亮點缺陷。當雷射LA被照射在第三電容器C3上，組成第三電容器C3的電極可與彼此接觸且第六閘極電極GE6及第六源極電極SE6可電性連接於彼此。在此情形下，在第六閘極電極GE6與第六源極電極SE6之間的電壓Vgs變成0伏特，使得發光元件120不再透過對應的像素電路PC發光。據此，在根據本揭露示例性實施例的顯示裝置100中，可以透過只在第三電容器C3上執行焊接製程而非焊接製程連同複雜的雷射切割來簡單防止缺陷像素電路PC的異常驅動。
在根據本揭露示例性實施例的顯示裝置100中，缺陷子像素SP的反射器RF透過焊接製程連接至相鄰於缺陷子像素SP的正常子像素SP的反射器RF，使得缺陷子像素SP的發光元件120可被正常子像素SP的像素電路PC驅動。首先，在該些子 像素SP的每一者中，設置有覆蓋該些子像素SP的大部分區域且將來自發光元件120發射的光線朝向基板110上方反射的反射器RF。在此情形下，反射器RF作用為連接於像素電路PC及發光元件120的陰極125之間的中間介質。若缺陷發生在特定子像素SP中，可在第三電容器C3上執行焊接製程以使像素電路PC變暗，之後，使用反射器RF將缺陷子像素SP的發光元件120與相鄰的子像素SP的像素電路產生電性連接，使得缺陷子像素SP的發光元件120可以被驅動。具體來說，一對相鄰的子像素SP中的一個子像素SP的反射器RF被連接至第一連接圖案CP1，且另一子像素SP的反射器RF被連接至第二連接圖案CP2。在此情形下，第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2可被設置為與彼此重疊且之間***有絕緣層。如果該對子像素SP的全部皆為正常子像素SP，第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2可維持兩者之間***有絕緣層及彼此間隔的狀態，且該對子像素SP的每一者的反射器RF可與彼此電性絕緣。另一方面，當缺陷發生於該對子像素SP的其中一個子像素SP時，將雷射LA照射在第一連接圖案CP1與第二連接圖案CP2的重疊點上，使得第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2可連接至彼此。據此，缺陷子像素SP的發光元件120的陰極125可透過彼此連接的反射器RF、第一連接圖案CP1及第二連接圖案CP2電性連接於正常子像素SP的發光元件120的陰極125，且缺陷子像素SP的發光元件120及正常子像素SP的發光元件120可透過一個像素電路PC被平行驅動。據 此，在根據本揭露示例性實施例的顯示裝置100中，缺陷子像素SP的發光元件120透過使用反射器RF連接至相鄰的子像素SP的像素電路PC而不需要設置其他獨立結構，使得顯示裝置100的結構可以被簡化。此外，在根據本揭露示例性實施例的顯示裝置100中，發光元件120可以被簡單連接至通常只透過使用反射器RF的一道焊接製程來驅動的像素電路PC，使得修復製程可以被簡化。
本揭露的示例性實施例還可以描述如下：
根據本揭露的一方面，提供了一種顯示裝置。顯示裝置包括基板，所述基板上被定義有包括至少一個缺陷子像素的多個子像素，發光元件，設置在該些子像素的每一者上，驅動電晶體，設置在該些子像素的每一者上且具有連接於發光元件的陰極的源極電極，電容器，設置在該些子像素的每一者上且連接於驅動電晶體的源極電極與閘極電極之間，以及反射器，設置在該些子像素的每一者上且電性連接於所述陰極。在缺陷子像素中，驅動電晶體的源極電極及閘極電極透過電容器電性連接。
電容器可包括多個電容電極。多個電容電極的一部分可電性連接於驅動電晶體的閘極電極，且多個電容電極的剩餘部分可電性連接於驅動電晶體的源極電極。
該些子像素可包括正常子像素。在正常子像素中，該些電容電極的所述一部分或所述剩餘部分可被***在中間的絕緣層分離而彼此間隔。
在缺陷子像素中，該些電容電極的所述一部分或所述剩餘部分可彼此接觸。
該些子像素可包括彼此相鄰的一對正常子像素。該對正常子像素的每一者的反射器可與彼此電性絕緣。
缺陷子像素的反射器可電性連接於與缺陷子像素相鄰的正常子像素的反射器。
缺陷子像素的發光元件可電性連接於相鄰的正常子像素的驅動電晶體。
根據本揭露的另一方面，提供了一種顯示裝置。顯示裝置包括基板，所述基板上被定義有缺陷子像素及與缺陷子像素相鄰的正常子像素，發光元件，設置在缺陷子像素及正常子像素的每一者中；驅動電晶體，設置在缺陷子像素及正常子像素的每一者中且包括與發光元件的陰極電性連接的源極電極；電容器，設置在缺陷子像素及正常子像素的每一者中且包括與驅動電晶體的源極電極及閘極電極的每一者連接的多個電容電極；以及反射器，設置在驅動電晶體與發光元件之間且電性連接於缺陷子像素及正常子像素的每一者中的陰極。缺陷子像素的反射器電性連接於正常子像素的反射器。
該些電容電極可包括設置在基板上並電性連接至源極電極的下電容電極，設置在下電容電極上且電性連接至閘極電極的中間電容電極，以及設置在中間電容電極上且電性連接至源極電極的上電容電極。顯示裝置可更包括設置在下電容電極與中 間電容電極之間以及中間電容電極與上電容電極之間的多個絕緣層。
在缺陷子像素中，多個絕緣層可被打開，使得下電容電極、中間電容電極及上電容電極可互相接觸。
在正常子像素中，下電容電極、中間電容電極及上電容電極可透過該些絕緣層彼此分離。
顯示裝置可更包括與缺陷子像素的反射器電性連接的第一連接圖案，與正常子像素的反射器電性連接的第二連接圖案，第二連接圖案向第一連接圖案延伸且部分與第一連接圖案重疊，以及在第一連接圖案與第二連接圖案之間的絕緣層。絕緣層可被打開以讓第一連接圖案及第二連接圖案可互相接觸。
缺陷子像素的陰極可透過正常子像素的反射器、第一連接圖案、第二連接圖案及缺陷子像素的反射器電性連接於正常子像素的陰極。
缺陷子像素的發光元件及正常子像素的發光元件可被流經正常子像素的驅動電晶體的驅動電流驅動。
儘管已經參照所附圖式詳細描述了本揭露的示例性實施例，但是本揭露不限於此且可在不背離本揭露的技術概念的情況下以許多不同的形式實施。因此，本揭露的示例性實施例僅僅被提供為說明的目的，而不旨在限制本揭露的技術概念。本揭露的技術概念的範圍不限於此。因此，應當理解，上述示例性實施例在所有方面都是說明性的，並不限制本揭露。本揭露的保護 範圍應以所附請求項為準，其等同範圍內的所有技術概念均應被理解為落入本揭露的保護範圍之內。
100:顯示裝置
110:基板
AA:主動區
NA:非主動區
SP:子像素

Claims (14)

  1. 一種顯示裝置，包含：一基板，該基板上被定義有包括至少一個缺陷子像素的多個子像素；一發光元件，設置在該些子像素的每一者中；一驅動電晶體，設置在該些子像素的每一者中且具有連接於該發光元件的一陰極的一源極電極；一電容器，設置在該些子像素的每一者中，且連接於該驅動電晶體的該源極電極與一閘極電極之間；以及一反射器，設置在該些子像素的每一者中且電性連接於該陰極，其中在該至少一個缺陷子像素中，該驅動電晶體的該源極電極及該閘極電極透過該電容器電性連接。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該電容器包括多個電容電極，其中該些電容電極的一部分電性連接於該驅動電晶體的該閘極電極，且該些電容電極的一剩餘部分電性連接於該驅動電晶體的該源極電極。
  3. 如請求項2所述的顯示裝置，其中該些子像素包括一正常子像素， 其中在該正常子像素中，該些電容電極的該部分及該剩餘部分彼此之間被一絕緣層所間隔設置。
  4. 如請求項2所述的顯示裝置，其中在該至少一個缺陷子像素中，該些電容電極的該部分及該剩餘部分彼此接觸。
  5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該些子像素包括彼此相鄰的一對正常子像素，其中該對正常子像素的每一者的該些反射器與彼此電性絕緣。
  6. 如請求項5所述的顯示裝置，其中該至少一個缺陷子像素的該反射器電性連接於與該至少一個缺陷子像素相鄰的該對正常子像素的其中一者的該反射器。
  7. 如請求項6所述的顯示裝置，其中該至少一個缺陷子像素的該發光元件電性連接於與該至少一個缺陷子像素相鄰的該對正常子像素的其中一者的該驅動電晶體。
  8. 一種顯示裝置，包含：一基板，該基板上被定義有一缺陷子像素及與該缺陷子像素相鄰的一正常子像素；一發光元件，設置在該缺陷子像素及該正常子像素的每一者中；一驅動電晶體，設置在該缺陷子像素及該正常子像素的每一者中且包括與該發光元件的一陰極連接的一源極電極； 一電容器，設置在該缺陷子像素及該正常子像素的每一者中，且包括與該驅動電晶體的該源極電極與一閘極電極的每一者連接的多個電容電極；以及一反射器，設置在該驅動電晶體與該發光元件之間且電性連接於該正常子像素及該缺陷子像素的每一者中的該陰極，其中該正常子像素的該反射器電性連接於該缺陷子像素的該反射器。
  9. 如請求項8所述的顯示裝置，其中該些電容電極包括，一下電容電極，設置在該基板上且電性連接於該源極電極；一中間電容電極，設置在該下電容電極上且電性連接於該閘極電極；以及一上電容電極，設置在該中間電容電極上，且電性連接於該源極電極，其中該顯示裝置更包括設置在該下電容電極與該中間電容電極之間以及在該上電容電極與該中間電容電極之間的多個絕緣層。
  10. 如請求項9所述的顯示裝置，其中在該缺陷子像素中，該些絕緣層被打開，以讓該下電容電極、該中間電容電極及該上電容電極彼此接觸。
  11. 如請求項9所述的顯示裝置，其中在該正常子像素中，該下電容電極、該中間電容電極及該上電容電極透過該些絕緣層彼此分離。
  12. 如請求項8所述的顯示裝置，更包含：一第一連接圖案，電性連接於該缺陷子像素的該反射器；一第二連接圖案，電性連接於該正常子像素的該反射器，向該第一連接圖案延伸且部分重疊該第一連接圖案；以及一絕緣層，位於該第一連接圖案與該第二連接圖案之間，其中該絕緣層被打開以讓該第一連接圖案及該第二連接圖案彼此接觸。
  13. 如請求項12所述的顯示裝置，其中該缺陷子像素的該陰極透過該正常子像素的該反射器、該第一連接圖案、該第二連接圖案以及該缺陷子像素的該反射器電性連接於該正常子像素的該陰極。
  14. 如請求項8所述的顯示裝置，其中該缺陷子像素的該發光元件及該正常子像素的該發光元件透過流經該正常子像素的該驅動電晶體的一驅動電流被驅動。
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