TWI830289B - 導線架 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種導線架，包含：導線；以及壩條，佈置在導線之間且將導線彼此連接，其中各導線包含：下部導線凹槽，形成在可濕性側面結構的第一表面中；以及上部導線凹槽，形成在與第一表面相對的第二表面中且在厚度方向上與下部導線凹槽對準，其中在鋸切製程中，下部導線凹槽與上部導線凹槽之間的導線的一部分至少部分地去除。

Description

導線架
一或多個實施例涉及一種導線架。
為用於在其上放置半導體晶片的金屬板的導線架廣泛地用於製造半導體封裝。
最近，已主動地開發與可濕性側面結構相關的技術以改良半導體封裝中的安裝可靠性。
可濕性側面結構指導線架的邊緣的部分被切斷以在導線接合部分上形成足夠焊料圓角的結構，且檢查器可通過檢查可濕性側面結構的外部容易地評估半導體封裝的安裝可靠性。
具有可濕性側面結構的導線架可分類成兩個類型：階梯切割類型，其中階梯形成在導線上；以及中空凹槽類型，其中凹槽形成在導線中。
因為形成在具有可濕性側面結構的導線架中的階梯或凹槽減小導線架的剛性，所以壩條（dambar）的厚度和形狀經設計用於確保足夠剛性。也就是說，當支撐導線的壩條不具有足夠剛性時，導線架可能彎曲，且因此可不適當地製造半導體封裝。
美國專利第10930581號公開一種半導體封裝，其包含覆蓋包封材料的可濕性導電層。
一或多個實施例包含具有經改良結構的導線架。
額外方面將在下面的描述中部分地闡述，且部分地將從描述中顯而易見，或可通過實踐所呈現的本公開的實施例而瞭解。
根據一或多個實施例，一種導線架，包含：導線；以及壩條，佈置在導線之間且將導線彼此連接，其中各導線包含：下部導線凹槽，形成在可濕性側面結構的第一表面中；以及上部導線凹槽，形成在與第一表面相對的第二表面中且在厚度方向上與下部導線凹槽對準，其中在鋸切製程中，下部導線凹槽與上部導線凹槽之間的導線的一部分至少部分地去除。
下部導線凹槽可形成在支撐樹脂設置在上部導線凹槽中的狀態中。
上部導線凹槽的長度可大於下部導線凹槽的長度。
上部導線凹槽的寬度可大於下部導線凹槽的寬度。
現在將詳細參考實施例，所述實施例的實例在附圖中圖示出，其中相同的附圖標號始終指代相同元件。在這方面，本實施例可具有不同的形式，且不應被理解為限於本文所闡述的描述。因此，實施例僅通過參考圖式在下文中進行描述以解釋本說明書的各方面。如本文所使用的，術語“和/或”包含相關聯列舉項中的一或多個的任何組合和所有組合。例如“中的至少一個”表述當在元件列表之前時修飾元件的整個列表而不是修飾列表的個別元件。
在下文中，將參考附圖描述實例實施例。在詳細描述和圖式中，相同附圖標號標示相同元件，且將省略其重疊描述。此外，在圖式中，出於說明清楚起見，可放大元件的大小、元件的長度比或類似物。
本公開的方面將經由實施例的附圖和描述闡明。然而，實施例可具有不同的形式，且不應解釋為限於本文中所闡述的描述。確切地說，提供這些實施例以使得本公開將透徹且完整，並且將向所屬領域中具通常知識者充分傳達本發明概念的範圍。因此，本公開的範圍應由所附申請專利範圍界定。
在以下描述中，技術術語僅用於解釋實施例，而非出於限制的目的。除非特定提及，否則單數形式的術語可包含複數形式。“包括（comprise）”和/或“包括（comprising）”的含義指定元件、步驟、製程、操作和/或裝置，但不排除其它元件、步驟、製程、操作和/或裝置。應當理解，儘管本文中使用例如第一、第二、上表面以及下表面的術語來描述各種元件，但這些元件不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件與其它元件相區分。
圖1為示出根據實施例的半導體封裝10的底表面的示意性透視圖。圖2為示出根據實施例的導線架100的示意性平面視圖，圖3為圖2的部分A的示意性放大視圖，圖4為沿著圖3的線I-I截取的示意性橫截面視圖，以及圖5為沿著圖3的線II-II截取的示意性橫截面視圖。
如圖1中所繪示，根據實施例，半導體封裝10包含具有可濕性側面結構的導線架100。也就是說，具有可濕性側面結構的導線架100包含形成下部導線凹槽111的導線110。下部導線凹槽111形成在導線110的第一表面110a中，使得當半導體封裝10安裝在板上時可充分形成焊料圓角。
參考圖2，根據實施例，導線架100包含導線110、壩條120、裸片墊130以及墊支撐部分140。
導線架100的導線110、壩條120、裸片墊130以及墊支撐部分140的形狀可通過蝕刻卑金屬材料(base metal material)形成。在此，鐵、鐵合金、鎳、鎳合金、合金42、銅、銅合金或類似物可用作卑金屬材料。可通過例如濕式蝕刻方法或乾式蝕刻方法的相關技術的方法蝕刻卑金屬材料以形成導線架100。濕式蝕刻方法可使用液體蝕刻劑，且乾式蝕刻方法可使用反應氣體、離子或類似物作為蝕刻劑。
導線110為彼此平行的。
參考圖3、圖4以及圖5，下部導線凹槽111形成在導線110的第一表面110a中，且上部導線凹槽112形成在導線110的與第一表面110a相對的第二表面110b中。下部導線凹槽111和上部導線凹槽112可通過蝕刻方法或類似物形成。
下部導線凹槽111形成在導線110的第一表面110a中以應用於可濕性側面結構。也就是說，在板上安裝半導體封裝10的製程中，通過用焊料填充下部導線凹槽111充分形成焊料圓角。
上部導線凹槽112在厚度方向上以與下部導線凹槽111對準的形式形成在導線110的第二表面110b中。因此，上部導線凹槽112的底表面112a與下部導線凹槽111的底表面111a之間的部分S1具有極小厚度t1。在鋸切製程期間，至少部分地去除上部導線凹槽112與下部導線凹槽111之間的導線110的部分S1，使得導線110可容易地切割。因此，壩條120可可靠地去除和分離。
現將描述這一點。
在鋸切製程中將去除的部分在圖3中用交替長和短虛線指示，且因為上部導線凹槽112減小導線110的厚度且因此減小導線110的體積，所以導線110可容易地切割。也就是說，下部導線凹槽111部分為可濕性側面結構，且由於根據實施例相對與下部導線凹槽111形成的上部導線凹槽112，在鋸切製程中將去除的厚度可顯著地減小。在這種情況下，可減小毛刺，且可可靠地去除壩條120。另外，鋸切刀片的使用期限還可增加。
在此，上部導線凹槽112的長度L2可大於下部導線凹槽111的長度L1。下部導線凹槽111的長度L1根據可濕性側面結構的設計判定。
當上部導線凹槽112的長度L2大於下部導線凹槽111的長度L1時，將去除部分的體積在鋸切製程期間減小。在這種情況下，使鋸切製程平滑且減小毛刺的出現為可能的。
另外，上部導線凹槽112的寬度W2可大於下部導線凹槽111的寬度W1。下部導線凹槽111的寬度W1根據可濕性側面結構的設計判定。
當上部導線凹槽112的寬度W2大於下部導線凹槽111的寬度W1時，將去除部分的體積在鋸切製程期間減小。在這種情況下，使鋸切製程平滑且減小毛刺的出現為可能的。
另外，包含環氧材料、氨基甲酸酯類材料、聚醯亞胺材料或類似物的支撐樹脂可設置在上部導線凹槽112中以在例如電鍍製程或凹槽形成製程的額外製程期間補充導線架100的剛性。舉例而言，上部導線凹槽112可首先形成，且支撐樹脂可設置在上部導線凹槽112中以補充導線架100的剛性。在這種狀態下，可形成下部導線凹槽111。此外，在封裝製程中，上部導線凹槽112可耦合到模具樹脂150以有助於支撐導線110。
另外，壩條120具有均一厚度且形成在導線110之間。壩條120將導線110彼此連接且支撐導線110。
根據實施例，壩條120具有均一厚度，但實施例並不限於此。也就是說，在其它實施例中，壩條120可具有至少兩個厚度。
裸片墊130為對應於半導體晶片的位置的部分，且墊支撐部分140支撐裸片墊130。
模具樹脂150為包封材料，且用於半導體封裝10的一般電絕緣材料可用作模具樹脂150。舉例來說，模具樹脂150可包含環氧基材料、氨基甲酸酯類材料或類似物。
為了更清楚理解上文根據實施例所描述的操作和效應，現將具有相關技術的可濕性側面結構的導線架描述為用於與本公開的導線架100進行比較的比較實例。
圖6為示出根據用於與本公開進行比較的比較實例的導線架的導線210和壩條220的示意圖，圖7為沿著圖6的線III-III截取的示意性橫截面視圖，且圖8為沿著圖6的線IV-IV截取的示意性橫截面視圖。
圖6示出比較實例的導線架的導線210和壩條220。下部導線凹槽211形成在如圖7和圖8中所繪示的導線210的第一表面210a中。比較實例的下部導線凹槽211與本公開的下部導線凹槽111大體上相同，且因此將省略其描述。
在此，比較實例的導線210僅包含下部導線凹槽211，且對應於本公開的上部導線凹槽112的結構未形成在導線210上。也就是說，上部導線凹槽未形成在比較實例的導線210的第二表面210b中。
比較實例的結構中的導線210的第二表面210b與下部導線凹槽211的底表面211a之間的部分S2的厚度t2大於本公開的上部導線凹槽112的底表面112a與下部導線凹槽111的底表面111a之間的部分S1的厚度t1。因此，在鋸切製程中，可能難以切割導線210，並且甚至在鋸切製程之後，壩條220可不可靠地分離，從而致使缺陷。
不同於比較實例，本公開的導線架100包含與下部導線凹槽111相對形成的上部導線凹槽112，且因此導線110可容易地在用於分離半導體的鋸切製程中切割。另外，可可靠地去除和分離壩條120。且因此導線架100的品質可改良同時減小毛刺的出現。另外，鋸切刀片的使用期限還可增加。
根據本公開的方面的導線架，可容易地執行分離，同時減小用於分離半導體封裝的鋸切製程中的毛刺的出現。
應理解，本文中所描述的實施例應認為僅具有描述性意義，而非出於限制性目的。各實施例內的特徵或方面的描述通常應認為可用於其它實施例中的其它類似特徵或方面。雖然已參考圖式描述一或多個實施例，但所屬領域中具有通常知識者應理解，在不脫離由所附申請專利範圍定義的本公開的精神和範圍的情況下，可以在其中進行形式和細節上的各種改變。
工業適用性
根據實施例，導線架100可應用於導線架製造工業。
10:半導體封裝 100:導線架 110、210:導線 110a、210a:第一表面 110b、210b:第二表面 111、211:下部導線凹槽 111a、211a:底表面 112:上部導線凹槽 112a:底表面 120、220:壩條 130:裸片墊 140:墊支撐部分 150:模具樹脂 A、S1、S2:部分 I-I、II-II、III-III、IV-IV:線 L1、L2:長度 t1、t2:厚度 W1、W2:寬度
通過以下結合附圖進行的描述，本公開的某些實施例的上述和其它方面、特徵以及優點將更加顯而易見，其中： 圖1為示出根據實施例的半導體封裝的底表面的示意性透視圖。 圖2為示出根據實施例的導線架的示意性平面視圖。 圖3為圖2的部分A的示意性放大視圖。 圖4為沿著圖3的線I-I截取的示意性橫截面視圖。 圖5為沿著圖3的線II-II截取的示意性橫截面視圖。 圖6為示出根據用於與本公開進行比較的比較實例的導線架的導線和壩條的示意圖， 圖7為沿著圖6的線III-III截取的示意性橫截面視圖。 圖8為沿著圖6的線IV-IV截取的示意性橫截面視圖。
110:導線
111:下部導線凹槽
112:上部導線凹槽
120:壩條
I-I、II-II:線
L1、L2:長度
W1、W2:寬度

Claims (4)

  1. 一種導線架，包括：導線，具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面；以及壩條，佈置在所述導線之間且將所述導線彼此連接，其中各所述導線包括：下部導線凹槽，形成在所述第一表面中以應用於可濕性側面結構；以及上部導線凹槽，形成在所述第二表面中且在厚度方向上與所述下部導線凹槽對準，其中在鋸切製程中，所述下部導線凹槽與所述上部導線凹槽之間的所述導線的一部分至少部分地去除。
  2. 如請求項1所述的導線架，其中所述下部導線凹槽形成在支撐樹脂設置在所述上部導線凹槽中的狀態中。
  3. 如請求項1所述的導線架，其中所述上部導線凹槽的長度大於所述下部導線凹槽的長度。
  4. 如請求項1所述的導線架，其中所述上部導線凹槽的寬度大於所述下部導線凹槽的寬度。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1879217A (zh) * 2003-11-08 2006-12-13 罗伯特.博世有限公司 电机以及用于制造所述电机的方法
CN101345227A (zh) * 2007-07-09 2009-01-14 三星Techwin株式会社 引线框架、包括该引线框架的半导体封装及其制造方法
CN1767186B (zh) * 2004-10-04 2010-05-05 雅马哈株式会社 引线框架及其半导体封装

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1879217A (zh) * 2003-11-08 2006-12-13 罗伯特.博世有限公司 电机以及用于制造所述电机的方法
CN1767186B (zh) * 2004-10-04 2010-05-05 雅马哈株式会社 引线框架及其半导体封装
CN101345227A (zh) * 2007-07-09 2009-01-14 三星Techwin株式会社 引线框架、包括该引线框架的半导体封装及其制造方法

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